KR102274264B1 - 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법 - Google Patents

슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 있어서, 광원, 슬릿 안테나 프로브, 평행광 조사부, 광 집속부, 광분배부, 제1 광검출부, 제2 광검출부, 영상 신호 생성부 및 영상 신호 분석부를 포함하며, 슬릿 안테나 프로브는, 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 가이딩하는 가이딩부; 및 가이딩부와 슬릿 안테나 프로브의 외부 공간 사이를 관통하는 슬릿을 포함하고, 슬릿에는, 가이딩부를 지나 슬릿을 통과하는 테라헤르츠 광의 반사 정도를 감소시키기 위한 반사 감소 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치가 개시된다.

Description

슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법
본 발명은 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 슬릿 안테나 프로브의 기계적 강도를 증가시키고, 전자기파를 이용하여 다중 접합 반도체의 제조 과정에서 실시간으로 다중 접합 반도체에 대한 결함 검사를 수행하는 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근 반도체, 의료, 제약 및 보안 등의 다양한 분야에서 고해상도 영상 기술이 요구되고 있다. 고해상도 영상을 얻기 위해, 다양한 신호원을 이용하는 영상 시스템뿐만 아니라 영상 알고리즘 등이 개발되고 있다. 고해상도 영상의 신호원으로는 엑스레이, 광과 함께 마이크로파, 테라헤르츠파와 같은 전자기파가 많이 사용되고 있다. 특히 전자기파를 이용할 경우 비접촉/비파괴 측정이 가능하며, 높은 투과도 및 SNR(signal to noise ratio)을 얻을 수 있다. 전자기파를 이용하는 프로브의 경우, 전자기파가 가지는 파장에 의하여 높은 해상도를 얻기 어렵다. 이를 해결하기 위해, 한 개의 매우 작은 구멍(Hole)을 프로브에 형성시켜 수 나노미터(nm) 크기까지 검출하고 있다. 하지만, 이러한 방식은 많은 신호 손실이 발생하여 다양한 응용에 제한적이다.
최근, 공진회로 특성 및 다이폴 안테나와 유사한 방사 특성을 갖는 슬릿 안테나 프로브가 많이 사용되고 있으며, 일반적인 슬릿 안테나 프로브(1)의 단면은 도 1에 도시되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 슬릿 안테나 프로브(1)는 전자기파를 d 방향으로 가이딩하는 가이딩부(2)와 슬릿 안테나 프로브(1)의 얇은 박막(3)에 형성된 슬릿(4)을 포함한다. 슬릿 안테나 프로브(1)는 얇은 금속 박막(3)의 일부에 폭 길이(y 방향의 길이)가 약 λ/2인 슬릿(4)을 형성하고, 이 좁은 슬릿(4)에서의 공진 특성을 이용하는 안테나로서, 사이즈가 작을 뿐만 아니라 구조적으로도 제작이 간단하다.
그러나, 도 1에 도시된 일반적인 슬릿 안테나 프로브(1)의 경우, 공진주파수를 유지하기 위해 매우 작은 두께(x 방향의 길이)를 유지해야 함에 따라 그 제작이 어려울 뿐만 아니라, 얇은 금속 박막(3)으로 인하여 기계적 강도가 약해지는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 금속 박막(3)의 두께를 증가시킨다면, 공진 주파수가 변경되며, 슬릿(4)에서의 전자기파의 반사 손실로 인하여 높은 전송 효율을 유지하기 어렵다.
한편, 최근 반도체 기술의 발전에 따라 구현이 용이해진 다중 접합형 반도체에 대한 수요가 급증하고 있는 추세에 있지만, 대부분의 다중 접합형 반도체의 경우 다수의 웨이퍼들을 접착제에 의해 접합하여 적층 구조를 형성하는 방식으로 제조가 이루어지고 있으며, 이러한 접착제 사용에 따라 웨이퍼들 간의 접합 과정에서 결함(예를 들어, 공극(void))이 발생하게 되어 웨이퍼들 간의 접착력이 저하되고 열전도율의 저하에 따른 다중 접합 반도체의 열적 문제가 발생하는 문제점이 있었다. 따라서, 이러한 문제점들에 신속하게 대응하기 위하여 다중 접합 반도체의 결함 발생 유무를 검사하기 위한 다양한 장치들이 개발되었다.
도 7은 종래의 다중 접합 반도체 결함 검사 장치에 대한 참고도이다. 일반적으로 다중 접합 반도체의 결함을 검사하는 방식은 초음파를 이용한 방식과 적외선을 이용한 방식으로 구분할 수 있으며, 도 7(a)에 도시된 바와 같이 초음파를 이용한 방식의 경우 액체 내부에 시료인 다중 접합 반도체를 배치한 후 다중 접합 반도체의 결함 유무를 검사하게 되는데, 검사 이후 다중 접합 반도체에 대한 별도의 건조 과정이 필요하거나 또는 검사가 이루어진 다중 접합 반도체를 폐기해야 하므로 전수 검사 수행이 불가능한 문제점이 있었다.
또한, 초음파의 경우 공기에 대한 투과성이 없어 결함에 의해 형성되는 공기층 이후에 대한 검사 또는 다중 접합 반도체 구조상 공기층이 형성되는 경우 이에 대한 검사가 불가능하고, 펄스폭이 커 다중 접합 반도체 내부의 결함에 대한 위치 파악이 용이하지 못함과 동시에 다중 접합 반도체로부터 반사되는 초음파를 이용하는 방식인 반사 방식으로 결함 검사를 수행하는 경우 다중 접합 반도체의 구조를 거의 파악할 수 없어 비효율적인 문제점이 있었다.
또한, 도 7(b)에 도시된 바와 같이 적외선을 이용한 방식의 경우 초음파를 이용한 방식과 비교시에 실시간 검사가 가능한 장점은 있으나, 시료인 다중 접합 반도체를 투과하고 나온 광량을 이용하는 방식인 투과 방식으로만 다중 접합 반도체의 결함 검사를 수행할 수 있으므로 다중 접합 반도체의 결함 유무만을 확인할 수 있을 뿐 결함의 위치 파악은 불가능한 문제점이 있었다.
본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법은 슬릿의 두께를 크게 유지하면서도, 전자기파의 반사 손실을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법은 짧은 펄스폭을 갖는 전자기파의 일종인 테라헤라츠파를 이용하여 실시간으로 다중 접합 반도체에 대한 결함 유무 및 결함의 위치 파악을 가능하게 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법은 슬릿의 두께를 크게 유지하면서도, 전자기파의 반사 손실을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브, 및 이를 이용한 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법은 짧은 펄스폭을 갖는 전자기파의 일종인 테라헤라츠파를 이용하여 실시간으로 다중 접합 반도체에 대한 결함 유무 및 결함의 위치 파악을 가능하게 할 수 있다.
도 1은 일반적인 슬릿 안테나 프로브의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 단면도이다.
도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 반사 감소 구조를 확대한 도면이고, 도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 반사 감소 구조의 사시도이다.
도 4(a)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 반사 감소 구조를 확대한 도면이고, 도 4(b)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 반사 감소 구조의 사시도이다.
도 5(a)와 도 5(b)는 슬릿 안테나 두께를 늘릴 경우 슬릿 안테나 프로브에서의 반사 특성과 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브에서의 반사 특성을 나타내는 도면이다.
도 6(a) 내지 도 6(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브의 일 단면에 형성된 패턴 조절 구조를 도시하는 예시적인 도면들이다.
도 7은 종래의 다중 접합 반도체 결함 검사 장치에 대한 참고도이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 참고도이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 다른 참고도이다.
도 10은 도 8의 제1 광검출부에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고도이다.
도 11은 도 8의 제2 광검출부에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고도이다.
도 12는 도 8의 영상 신호 생성부에서 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호의 참고도이다.
도 13은 도 8의 영상 신호 생성부에 수집되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고 그래프이다.
도 14는 종래 방식에 의한 다중 접합 반도체 영상과 본 발명에 의한 다중 접합 반도체 영상의 비교도이다.
도 15는 도 8의 영상 신호 생성부에서 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상의 비교도이다.
도 16 내지 도 21은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예들에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 참고도이다.
도 22는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 방법에 대한 순서도이다.
도 23은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 방법에 대한 순서도이다.
발명의 실시를 위한 최선의 형태
본 발명의 일 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는,
다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 있어서, 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 광원; 상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 방출하는 슬릿 안테나 프로브; 상기 슬릿 안테나 프로브와 상기 다중 접합 반도체 사이에 배치되어 상기 광원으로부터 조사되는 테라헤르츠 광을 균일하게 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 평행광 조사부; 상기 다중 접합 반도체 하부에 배치되어 상기 다중 접합 반도체를 투과한 테라헤르츠 광을 집속하는 광 집속부; 상기 슬릿 안테나 프로브와 상기 평행광 조사부 사이에 배치되어 상기 다중 접합 반도체로부터 반사된 후 상기 평행광 조사부를 통과하는 테라헤르츠 광을 분배하는 광분배부; 상기 광 집속부에서 집속된 테라헤르츠 광을 검출하는 제1 광검출부; 상기 광분배부에서 분배된 테라헤르츠 광을 검출하는 제2 광검출부; 상기 제1 광검출부 또는 상기 제2 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 수집하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하는 영상 신호 생성부; 및 상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 영상 신호 분석부를 포함하고, 상기 제1 광검출부 및 상기 제2 광검출부는 복수 개가 1차원 형태로 배열되거나 또는 복수 개가 2차원 형태로 배열되며, 상기 다중 접합 반도체의 복수 개의 영역 별로 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호를 생성하고, 상기 영상 신호 생성부는 상기 다중 접합 반도체의 복수 개의 영역 별로 생성되는 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호를 주파수 영역의 신호로 변환한 후 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 크기 또는 위상을 이용하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하며, 상기 영상 신호 분석부는 상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 결함 위치를 파악하되, 상기 슬릿 안테나 프로브는, 상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 가이딩하는 가이딩부; 및 상기 가이딩부와 상기 슬릿 안테나 프로브의 외부 공간 사이를 관통하는 슬릿을 포함하고, 상기 슬릿에는, 상기 가이딩부를 지나 상기 슬릿을 통과하는 테라헤르츠 광의 반사 정도를 감소시키기 위한 반사 감소 구조가 형성될 수 있다.
상기 반사 감소 구조는, 상기 가이딩부측으로부터 상기 외부 공간측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지도록 형성될 수 있다.
상기 반사 감소 구조는, 라운드(round) 형 또는 챔퍼(chamfer) 형을 가질 수 있다.
상기 슬릿은, 상기 가이딩부측으로부터 상기 외부 공간 측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지다가, 소정 지점부터 폭 길이가 일정하게 유지되는 형상을 가질 수 있다.
상기 슬릿 안테나 프로브의 일 단면에는, 상기 테라헤르츠 광의 방사 프로파일(profile)을 조절하기 위한 패턴 조절 구조가 형성될 수 있다.
상기 패턴 조절 구조는, 상기 슬릿 안테나 프로브의 일 단면에 형성된 홈 및 돌출부 중 적어도 하나로 구성될 수 있다.
상기 슬릿은, 복수 개이며, 상기 반사 감소 구조는, 상기 복수 개의 슬릿 각각에 형성될 수 있다.
상기 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는, 상기 평행광 조사부와 상기 다중 접합 반도체 사이에 배치되며 표면에 적어도 하나 이상의 핀홀이 형성되는 필터부를 더 포함할 수 있다.
상기 평행광 조사부 또는 상기 광 집속부는 복수 개가 어레이 형태로 배열될 수 있다.
상기 제1 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호는 상기 다중 접합 반도체에 포함된 적어도 하나 이상의 결함에 의해 감쇠 또는 시간 지연이 발생한 신호이고, 상기 영상 신호 분석부는 상기 감쇠 또는 상기 시간 지연을 이용하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악할 수 있다.
상기 제2 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호는 상기 다중 접합 반도체에 포함된 복수 개의 경계면 중 결함이 포함된 적어도 하나 이상의 경계면에 의한 굴절률 차이에 따라 크기 변화 또는 시간 지연이 발생한 신호이고, 상기 영상 신호 분석부는 상기 크기 변화 또는 상기 시간 지연을 이용하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는,
다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 있어서, 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 광원; 상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 방출하는 슬릿 안테나 프로브; 상기 다중 접합 반도체를 투과하거나 상기 다중 접합 반도체로부터 반사된 테라헤르츠 광을 검출하는 광 검출부; 상기 광 검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 수집하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하는 영상 신호 생성부; 및 상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 영상 신호 분석부를 포함하되, 상기 슬릿 안테나 프로브는, 상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 가이딩하는 가이딩부; 및 상기 가이딩부와 상기 슬릿 안테나 프로브의 외부 공간 사이를 관통하는 슬릿을 포함하고, 상기 슬릿에는, 상기 가이딩부를 지나 상기 슬릿을 통과하는 테라헤르츠 광의 반사 정도를 감소시키기 위한 반사 감소 구조가 형성될 수 있다.
상기 슬릿 안테나 프로브는, 복수 개가 어레이 형태로 배열될 수 있다.
상기 광 집속부는, 복수 개가 어레이 형태로 배열될 수 있다.
발명의 실시를 위한 형태
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200)의 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200)는 가이딩부(210), 및 가이딩부(210)와 슬릿 안테나 프로브(200)의 외부 공간 사이를 관통하도록 형성된 슬릿(230)을 포함한다.
슬릿 안테나 프로브(200)는 광원(미도시)으로부터 발생된 전자기파, 예를 들어, 테라헤르츠 광을 소정 타겟으로 방출한다.
가이딩부(210)는 광원으로부터 발생된 전자기파를 슬릿(230) 방향으로 가이딩하고, 전자기파는 슬릿(230)을 통과하여 슬릿 안테나 프로브(200)의 외부 공간으로 방출된다.
전술한 바와 같이 박막(220) 및 슬릿(230)의 두께가 커지면, 슬릿(230)에서의 전자기파의 반사 정도가 커지는데, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200)는 이러한 문제점을 방지하기 위해 슬릿(230)에 반사 감소 구조(240)를 형성한다.
반사 감소 구조(240)는 슬릿(230)의 가이딩부(210)측 영역에 형성될 수 있으며, 가이딩부(210)측으로부터 외부 공간측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지게 형성될 수 있다. 다시 말하면, 슬릿(230)은 폭 길이가 점차적으로 작아지다가, 소정 지점부터 폭 길이가 일정하게 유지되는 형상을 갖는다.
가이딩부(210)측으로부터 외부 공간측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지는 반사 감소 구조(240)는 일종의 임피던스 매칭 역할을 수행하여, 가이딩부(210)로 가이딩되는 전자기파의 슬릿(230)에서의 반사량을 감소시킬 수 있다.
한편, 도 2에는 도시하지 않았지만, 슬릿 안테나 프로브(200)는 복수 개의 슬릿(230)을 포함할 수 있으며, 이 복수 개의 슬릿(230) 각각에는 반사 감소 구조(240)가 형성될 수 있다.
도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200)의 반사 감소 구조(240)를 확대한 도면이고, 도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200)의 반사 감소 구조(240)의 사시도이다. 또한, 도 4(a)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(300)의 반사 감소 구조(340)를 확대한 도면이고, 도 4(b)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(300)의 반사 감소 구조(340)의 사시도이다.
도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 반사 감소 구조(240)는 라운드 형으로 형성될 수 있고, 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 반사 감소 구조(340)는 챔퍼(chamfer) 형으로 형성될 수도 있다. 도 3(a), 도 3(b), 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시된 반사 감소 구조(240, 340)는 하나의 예시일 뿐이며, 가이딩부(210, 310)측으로부터 외부 공간측으로 폭 길이가 점차적으로 감소되는 구조라면, 본 발명의 반사 감소 구조에 해당할 수 있다.
도 5(a)와 도 5(b)는 일반적인 슬릿 안테나 프로브(1)에서의 반사 특성과 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200, 300)에서의 반사 특성을 나타내는 도면이다.
도 5(a)를 보면, 슬릿 안테나 프로브(1)의 슬릿(4) 두께를 늘릴 경우 슬릿에서 반사된 전자기파는 200GHz 부근에서 약 -25dB을 가지지만, 도 5(b)를 보면, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200, 300)의 슬릿(230, 330)에서 반사된 전자기파는 200GHz 부근에서 약 -60dB을 갖는다는 것을 알 수 있다.
도 6(a) 내지 도 6(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 안테나 프로브(200, 300)에 형성된 패턴 조절 구조(610)를 도시하는 예시적인 도면들이다.
슬릿 안테나 프로브(200, 300)의 일 단면, 다시 말하면, 외부 공간에 접하는 박막(220, 320)의 일 단면에는, 전자기파의 방사 프로파일(profile)을 조절하기 위한 패턴 조절 구조(610)가 형성될 수 있으며, 패턴 조절 구조(610)는, 슬릿 안테나 프로브(200, 300)의 일 단면에 형성된 홈 및 돌출부 중 적어도 하나로 구성될 수 있다. 패턴 조절 구조(610)를 다양한 방식으로 형성함으로써, 전자기파의 방사 프로파일을 다양하게 조절할 수 있다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 참고도이다.
도 8에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는 광원(10), 슬릿 안테나 프로브(15), 평행광 조사부(20), 광 집속부(30), 제1 광검출부(40), 광 분배부(50), 제2 광검출부(60), 영상 신호 생성부(70), 및 영상 신호 분석부(80)를 포함한다.
광원(10)은 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사한다.
이때, 광원(10)은 테라헤르츠 광, 다시 말해서 테라헤르츠파를 발생시키기 위한 것으로써, 테라헤르츠파란 주파수로는 0.1~10THz 영역에 위치하고 파장으로는 3mm 내지 30μm 범위를 점유하는 전자기파를 의미한다.
또한, 테라헤르츠파는 스펙트럼 분포상 광파(Lightwave)와 전파(Radiowave)의 중간 영역에 위치하여 광파의 직진성과 흡수성 및 전파의 투과성을 모두 가지고 있으므로 공기, 플라스틱, 종이, 섬유, 세라믹 등과 같은 다양한 종류의 물질들에 대한 투과성이 우수하고, 수백 μm의 분해능을 가지며, 상기 다양한 종류의 물질들에 대한 분광 정보를 얻을 수 있어 영상 기술을 이용하여 상기 다양한 종류의 물질들에 대한 실시간 모니터링이 가능한 등의 장점을 갖는다.
또한, 광원(10)은 레이저를 여기 광원(excited source)으로 이용하거나 또는 전류 주입(current injection)을 이용한 코히런트(coherent) 광원 또는 흑체 복사 (blackbody radiation) 또는 수은 램프를 이용한 인코히런트(incoherent) 광원일 수 있다.
광원(10)과 평행광 조사부(20) 사이에는 슬릿 안테나 프로브(15)가 위치될 수 있으며, 슬릿 안테나 프로브(15)는 광원(10)으로부터 조사되는 테라헤르츠 광을 평행광 조사부(20) 방향으로 방출한다. 슬릿 안테나 프로브(15)에 대해서는 전술하였는바, 상세한 설명을 생략한다.
평행광 조사부(20)는 슬릿 안테나 프로브(15)와 다중 접합 반도체(M) 사이에 배치되어 슬릿 안테나 프로브(15)로부터 방출되는 테라헤르츠 광을 균일하게 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사한다.
이때, 평행광 조사부(20)에서 상기 테라헤르츠 광을 다중 접합 반도체(M) 측으로 균일하게 조사하는 이유는 테라헤르츠 광이 다중 접합 반도체(M)에 전체적으로 조사될 수 있도록 하기 위함이며, 평행광 조사부(20)는 슬릿 안테나 프로브(15)로부터 방출되는 테라헤르츠 광을 평면광의 형태로 균일하게 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사할 수 있는 원통형 렌즈, 난원형 렌즈, 반사형 광학계, 또는 안테나 등 일 수 있다.
광 집속부(30)는 다중 접합 반도체(M) 하부에 배치되어 다중 접합 반도체(M)를 투과한 테라헤르츠 광을 집속하며, 광 집속부(30)는 다중 접합 반도체(M)를 투과한 테라헤르츠 광을 집속할 수 있는 오목 렌즈, 반사 미러, 또는 안테나 등 일 수 있다.
제1 광검출부(40)는 광 집속부(30)에서 집속된 테라헤르츠 광을 검출한다.
이때, 제1 광검출부(40)는 검출된 테라헤르츠 광 신호를 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환하며, 제1 광검출부(40)에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호는 다중 접합 반도체(M)에 포함된 적어도 하나 이상의 결함에 의해 감쇠 또는 시간 지연이 발생한 신호일 수 있다.
또한, 제 1 광검출부(40)는 1개로 구성할 수도 있고, 복수 개를 1차원(1D) 형태로 배열하거나 또는 2차원(2D) 형태로 배열하여 구성함으로써 테라헤르츠 광에 대한 검출 속도를 향상시키는 것이 가능하다.
광분배부(50)는 슬릿 안테나 프로브(15)와 평행광 조사부(20) 사이에 배치되어 다중 접합 반도체(M)로부터 반사된 후 평행광 조사부(20)를 통과하는 테라헤르츠 광을 분배한다.
제2 광검출부(60)는 광분배부(5))에서 분배된 테라헤르츠 광을 검출한다.
이때, 제2 광검출부(60)는 검출된 테라헤르츠 광 신호를 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환하며, 제2 광검출부(60)에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호는 다중 접합 반도체(M)에 포함된 복수의 경계면 중 결함이 포함된 적어도 하나 이상의 경계면에 의한 굴절률 차이에 따라 크기 변화 또는 시간 지연이 발생한 신호일 수 있다.
또한, 제 2 광검출부(60)는 1개로 구성할 수도 있고, 복수 개를 1차원(1D) 형태로 배열하거나 또는 2차원(2D) 형태로 배열하여 구성함으로써 테라헤르츠 광에 대한 검출 속도를 향상시키는 것이 가능하다.
영상 신호 생성부(70)는 제1 광검출부(40) 또는 제2 광검출부(60)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 수집하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성한다.
이때, 영상 신호 생성부(70)는 제1 광검출부(40) 또는 제2 광검출부(60)에서 검출된 후 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환된 신호를 수집하여 주파수 영역으로 변환한 후 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 크기 및 위상을 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성할 수 있다.
영상 신호 분석부(80)는 제1 광검출부(40) 또는 제2 광검출부(60)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호 및 영상 신호 생성부(70)에서 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 분석하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악한다.
이때, 영상 신호 분석부(80)는 제1 광검출부(40)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호의 감쇠 또는 시간 지연을 이용하거나 또는 제2 광 검출부(60)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호의 크기 변화 또는 시간 지연을 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무를 파악할 수 있다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는 투과 방식 또는 반사 방식으로 다중 접합 반도체(S)에 대한 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 것이 가능해진다.
또한, 영상 신호 분석부(80)에서 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 상세 과정은 이하 도 10 내지 도 13를 참조하여 상세하게 설명하도록 한다.
또한, 영상 신호 분석부(80)는 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 디스플레이(D)로 전송하여 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치를 사용하는 사용자가 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 직접 확인할 수 있도록 하거나 또는 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 상기 결함의 위치에 대한 파악 결과를 별도의 처리 시스템(S)으로 전송하여 처리 시스템(S)이 결함이 있는 것으로 판단된 다중 접합 반도체(M)를 분리 또는 선별 처리하거나 또는 다중 접합 반도체(S)의 제조 공정을 최적화하도록 할 수 있다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 다른 참고도이다. 도 9를 참조하면, 도 8에 도시된 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 비해, 평행광 조사부(20), 광 분배부(50) 및 제2 광검출부(60)가 생략된 것을 알 수 있다. 이에 따라, 슬릿 안테나 프로브(15)로부터 방출되는 테라헤르츠 광은 다중 접합 반도체(M)를 투과하여 제1 광검출부(40)에 의해 검출될 수 있다. 구현예에 따라서는, 제 1 광검출부(40)는 다중 접합 반도체(M)의 상부에 위치하여 다중 접합 반도체(M)로부터 반사되는 테라헤르츠 광을 검출할 수도 있고, 슬릿 안테나 프로브(15)와 연결된 커플러(미도시)를 통해 다중 접합 반도체(M)로부터 반사되어 슬릿 안테나 프로브(15)로 전달되는 테라헤르츠 광을 검출할 수도 있다.
도 10은 도 8의 제1 광검출부에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고도, 도 11은 도 8의 제2 광검출부에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고도, 및 도 12는 도 8의 영상 신호 생성부에서 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호의 참고도이다.
먼저, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이 다중 접합 반도체(M)를 투과하는 테라헤르츠 광 신호의 경우 다중 접합 반도체(M)를 구성하는 복수 개의 매질(A1, A2, A3)에 포함된 적어도 하나 이상의 결함(A2')에 의해 감쇠 또는 시간 지연이 발생하게 된다.
따라서, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이 제1 광검출부(40)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환하게 되면 다중 접합 반도체(M)에서 결함이 있는 경우(W/ void)의 전기적 신호는 다중 접합 반도체(M)에서 결함이 없는 경우(W/O void)의 전기적 신호와 비교 시에 감쇠 또는 시간 지연(Δt1)이 발생하는 것을 확인할 수 있다.
따라서, 영상 신호 분석부(80)는 제1 광검출부(40)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무를 파악하는 것이 가능해진다.
다음으로, 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이 다중 접합 반도체(M)에서 반사되는 테라헤르츠 광 신호의 경우 다중 접합 반도체(M)에 포함된 복수 개의 경계면(L1, L2, L3, L4) 중 결함이 포함된 적어도 하나 이상의 경계면(L2, L3)에 의한 굴절률 차이에 따라 크기 변화 또는 시간 지연이 발생하게 된다.
따라서, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이 제2 광검출부(50)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환하게 되면 다중 접합 반도체(M)에서 결함이 있는 경우(W/ void)의 전기적 신호는 다중 접합 반도체(M)에서 결함이 없는 경우(W/O void)의 전기적 신호와 비교 시에 크기 변화 또는 시간 지연(Δt)이 발생하는 것을 확인할 수 있다.
따라서, 영상 신호 분석부(80)는 제2 광검출부(40)에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무를 파악하는 것이 가능해진다.
또한, 도 12에 도시된 바와 같이 영상 신호 생성부(70)는 다중 접합 반도체(M)의 복수 개의 영역(P1, P2, P3, P4)별로 생성되는 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호를 주파수 영역의 신호로 변환한 후 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 크기 또는 위상을 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성할 수 있으며, 영상 신호 분석부(80)는 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 분석(예를 들어 상기 영상 신호의 명암비를 분석함)하여 다중 접합 반도체(M) 내부의 결함 위치를 파악하는 것이 가능해진다.
도 13은 도 8의 영상 신호 생성부에 수집되는 테라헤르츠 광 신호에 대한 참고 그래프, 도 14는 종래 방식에 의한 다중 접합 반도체 영상과 본 발명에 의한 다중 접합 반도체 영상의 비교도, 및 도 15는 도 8의 영상 신호 생성부에서 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상의 비교도 이다.
도 13에 도시된 바와 같이 제1 광 검출부(40)에서 검출되거나 또는 제2 광 검출부(40)에서 검출되는 테라헤르츠 광 신호를 전기적 신호로 변환하게 되면 시간에 따른 파형을 갖는 신호가 생성되며, 도 14에 도시된 바와 같이 도 7의 (a)에서와 같이 초음파를 이용하는 방식으로 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상(도 14의 (a))과 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치를 이용하여 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상(도 14의 (b))를 비교해보면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치를 이용하여 생성되는 다중 접합 반도체에 대한 영상의 경우 다중 접합 반도체의 구조를 보다 분명하게 확인하는 것이 가능해진다.
또한, 도 15에 도시된 바와 같이 영상 신호 생성부(70)는 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 크기를 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성하거나 (도 15의 (a)) 또는 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 위상을 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성할 수 있고(도 15의 (b)), 영상 신호 분석부(80)는 상기 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 분석하여 다중 접합 반도체(M) 내부에 생성된 결함의 위치를 파악할 수 있다.
도 16 내지 도 21은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예들에 따른 접합 반도체의 결함 검사 장치에 대한 참고도이다.
먼저, 도 16에 도시된 바와 같이 평행광 조사부(20)와 다중 접합 반도체(M) 사이에 표면에 적어도 하나 이상의 핀홀(92)이 형성되는 필터부(90)를 배치하여 좁은 영역에 대한 세밀한 검사를 수행할 수 있다. 또는 도 17(a)에 도시된 바와 같이, 광원(10) 및 슬릿 안테나 프로브(15)를 통해 다중 접합 반도체(M)로 직접 테라헤르츠 광을 발생시키고, 다중 접합 반도체(M)의 하부에 위치하는 제1 광 검출부(40)를 통해 다중 접합 반도체(M)를 투과하는 테라헤르츠 광을 검출할 수 있다. 또한, 도 17(b)에 도시된 바와 같이, 제1 광검출부(40)를 다중 접합 반도체(M)의 상부에 위치시키고, 제1 광검출부(40)를 통해 다중 접합 반도체(M)로부터 반사되는 테라헤르츠 광을 검출할 수 있으며, 도 17(c)에 도시된 바와 같이, 슬릿 안테나 프로브(15)와 연결된 커플러(16)를 이용하여 다중 접합 반도체(M)로부터 반사되는 테라헤르츠 광을 검출할 수도 있다.
또한, 도 18에 도시된 바와 같이 복수 개의 광 집속부(30)가 어레이 형태(A)로 다중 접합 반도체(M)의 상부 또는 하부에 배치되도록 구성하여 넓은 면적을 갖는 다중 접합 반도체(M)의 결함 검사 속도를 향상시키거나(도 18의 (a)) 또는 다수의 다중 접합 반도체(M)에 대한 결함 검사를 동시에 수행(도 18의 (b))하는 것이 가능해진다. 도 19(a)와 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 도 18(a)와 도 18(b)에 도시된 복수 개의 광 집속부(30)를 제외하고, 어레이 형태의 광원(10)과 슬릿 안테나 프로브(15)를 배치하는 것도 가능하다. 구현예에 따라서는, 어레이 형태의 광원(10)과 슬릿 안테나 프로브(15) 및 어레이 형태의 복수 개의 광 집속부(30)를 함께 배치하는 것도 가능하다.
또한, 도 20에 도시된 바와 같이 다중 접합 반도체(M)의 제조 단계별로 본 발명의 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치를 적용하여 공정 플로우(flow) 상에서 결함 유무를 실시간으로 파악하는 것이 가능하며, 특히 테라헤르츠파의 경우 플라스틱에 대한 투과성이 우수하므로 다중 접합 반도체(M)의 플라스틱 재질을 갖는 몰딩(m) 내부의 결함(v)에 유무에 대한 검사 또한 가능해진다. 도 21에 도시된 바와 같이, 도 20에 도시된 복수 개의 광 집속부(30)를 제외하고, 제조 단계별로 광원(10)과 슬릿 안테나 프로브(15)를 배치하는 것도 가능하다.
도 22는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 방법에 대한 순서도 이다.
도 22에 도시된 바와 같이 S10에서 광원(10)이 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사한다.
이때, S10에 이어서 슬릿 안테나 프로브(15)와 다중 접합 반도체(M) 사이에 배치된 평행광 조사부(20)가 상기 테라헤르츠 광을 다중 접합 반도체(M) 측으로 균일하게 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
S20에서 광 집속부(30)가 다중 접합 반도체(M)를 투과한 테라헤르츠 광을 집속한다.
S30에서 제1 광 검출부(40)가 S20에서 집속된 테라헤르츠 광을 검출한다.
이때, S30에 이어서 영상 신호 생성부(80)가 S30에서 검출된 테라헤르츠 광을 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
S40에서 영상 신호 분석부(80)가 S30에서 검출된 테라헤르츠 광 신호 및 영상 신호 생성부(80)에서 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 결함 위치를 파악하면 종료가 이루어진다.
이때, 영상 신호 분석부(80)가 S30에서 검출된 테라헤르츠 광 신호 및 영상 신호 생성부(80)에서 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 결함 위치를 파악하는 상세 과정은 도 10과 도 12를 참조하여 설명한 바 있으므로 생략하도록 한다.
도 23은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 방법에 대한 순서도 이다.
도 23에 도시된 바와 같이 S110에서 광원(10)이 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사한다.
이때, S110에 이어서 슬릿 안테나 프로브(15)와 다중 접합 반도체(M) 사이에 배치된 평행광 조사부(20)가 상기 테라헤르츠 광을 다중 접합 반도체(M) 측으로 균일하게 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
S120에서 광 분배부(50)가 다중 접합 반도체(M)로부터 반사된 후 평행광 조사부(20)를 통과한 테라헤르츠 광을 분배한다.
S130에서 제2 광 검출부(60)가 S120에서 분배된 테라헤르츠 광을 검출한다.
이때, S130에 이어서 영상 신호 생성부(80)가 S130에서 검출된 테라헤르츠 광을 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
S140에서 영상 신호 분석부(80)가 S130에서 검출된 테라헤르츠 광 신호 및 영상 신호 생성부(80)에서 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하면 종료가 이루어진다.
이때, 영상 신호 분석부(80)가 S130에서 검출된 테라헤르츠 광 신호 및 영상 신호 생성부(80)에서 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 결함 위치를 파악하는 상세 과정은 도 11과 도 12를 참조하여 설명한 바 있으므로 생략하도록 한다.
본 발명의 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치 및 방법은 광원(10)에서 테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 다중 접합 반도체(M) 측으로 조사한 후 다중 접합 반도체(M)를 투과한 테라헤르츠 광 신호 또는 다중 접합 반도체(M)로부터 반사되는 테라헤르츠 광 신호를 제1 광검출부(40) 또는 제2 광검출부(60)가 검출한 후 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호로 변환하게 되면 영상 신호 생성부(70)가 이를 이용하여 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 생성한다.
또한, 영상 신호 분석부(80)가 상기 변환된 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호 및 상기 생성된 다중 접합 반도체(M)에 대한 영상 신호를 이용하여 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 결함의 위치를 파악할 수 있다.
따라서, 투과 및 반사 성질을 모두 이용하여 다중 접합 반도체(M)를 검사할 수 있으므로 다중 접합 반도체(M)의 결함 유무 및 결함 위치에 대한 파악이 용이한 효과를 갖는다.
또한, 테라헤르츠파를 이용하여 다중 접합 반도체에 대한 결함 검사를 수행하므로 수중 검사가 불필요하여 실시간으로 다중 접합 반도체에 대한 전수 검사가 가능함과 동시에 공기에 대한 투과가 가능하므로 결함 이후에 대한 검사 또한 가능한 효과를 갖는다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (14)

  1. 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 있어서,
    테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 광원;
    상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 방출하는 슬릿 안테나 프로브;
    상기 슬릿 안테나 프로브와 상기 다중 접합 반도체 사이에 배치되어 상기 광원으로부터 조사되는 테라헤르츠 광을 균일하게 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 평행광 조사부;
    상기 다중 접합 반도체 하부에 배치되어 상기 다중 접합 반도체를 투과한 테라헤르츠 광을 집속하는 광 집속부;
    상기 슬릿 안테나 프로브와 상기 평행광 조사부 사이에 배치되어 상기 다중 접합 반도체로부터 반사된 후 상기 평행광 조사부를 통과하는 테라헤르츠 광을 분배하는 광분배부;
    상기 광 집속부에서 집속된 테라헤르츠 광을 검출하는 제1 광검출부;
    상기 광분배부에서 분배된 테라헤르츠 광을 검출하는 제2 광검출부;
    상기 제1 광검출부 또는 상기 제2 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 수집하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하는 영상 신호 생성부; 및
    상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 영상 신호 분석부를 포함하고,
    상기 제1 광검출부 및 상기 제2 광검출부는 복수 개가 1차원 형태로 배열되거나 또는 복수 개가 2차원 형태로 배열되며, 상기 다중 접합 반도체의 복수 개의 영역 별로 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호를 생성하고,
    상기 영상 신호 생성부는 상기 다중 접합 반도체의 복수 개의 영역 별로 생성되는 시간에 따른 파형을 갖는 전기적 신호를 주파수 영역의 신호로 변환한 후 상기 주파수 영역으로 변환된 신호의 크기 또는 위상을 이용하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하며,
    상기 영상 신호 분석부는 상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 결함 위치를 파악하되,
    상기 슬릿 안테나 프로브는,
    상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 가이딩하는 가이딩부; 및
    상기 가이딩부와 상기 슬릿 안테나 프로브의 외부 공간 사이를 관통하는 슬릿을 포함하고,
    상기 슬릿에는, 상기 가이딩부를 지나 상기 슬릿을 통과하는 테라헤르츠 광의 반사 정도를 감소시키기 위한 반사 감소 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사 감소 구조는,
    상기 가이딩부측으로부터 상기 외부 공간측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지도록 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반사 감소 구조는,
    라운드(round) 형 또는 챔퍼(chamfer) 형을 갖는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 슬릿은,
    상기 가이딩부측으로부터 상기 외부 공간 측으로 폭 길이가 점차적으로 작아지다가, 소정 지점부터 폭 길이가 일정하게 유지되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 슬릿 안테나 프로브의 일 단면에는,
    상기 테라헤르츠 광의 방사 프로파일(profile)을 조절하기 위한 패턴 조절 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 패턴 조절 구조는,
    상기 슬릿 안테나 프로브의 일 단면에 형성된 홈 및 돌출부 중 적어도 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 슬릿은, 복수 개이며,
    상기 반사 감소 구조는, 상기 복수 개의 슬릿 각각에 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치는,
    상기 평행광 조사부와 상기 다중 접합 반도체 사이에 배치되며 표면에 적어도 하나 이상의 핀홀이 형성되는 필터부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 평행광 조사부 또는 상기 광 집속부는 복수 개가 어레이 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호는 상기 다중 접합 반도체에 포함된 적어도 하나 이상의 결함에 의해 감쇠 또는 시간 지연이 발생한 신호이고,
    상기 영상 신호 분석부는 상기 감쇠 또는 상기 시간 지연을 이용하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 광검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호는 상기 다중 접합 반도체에 포함된 복수 개의 경계면 중 결함이 포함된 적어도 하나 이상의 경계면에 의한 굴절률 차이에 따라 크기 변화 또는 시간 지연이 발생한 신호이고,
    상기 영상 신호 분석부는 상기 크기 변화 또는 상기 시간 지연을 이용하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  12. 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 있어서,
    테라헤르츠 광을 발생시켜 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 조사하는 광원;
    상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 하부에 배치된 상기 다중 접합 반도체 측으로 방출하는 슬릿 안테나 프로브;
    상기 다중 접합 반도체를 투과하거나 상기 다중 접합 반도체로부터 반사된 테라헤르츠 광을 검출하는 광 검출부;
    상기 광 검출부에서 검출된 테라헤르츠 광 신호를 수집하여 상기 다중 접합 반도체에 대한 영상 신호를 생성하는 영상 신호 생성부; 및
    상기 생성된 영상 신호를 분석하여 상기 다중 접합 반도체의 결함 유무 및 상기 결함의 위치를 파악하는 영상 신호 분석부를 포함하되,
    상기 슬릿 안테나 프로브는,
    상기 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 가이딩하는 가이딩부; 및
    상기 가이딩부와 상기 슬릿 안테나 프로브의 외부 공간 사이를 관통하는 슬릿을 포함하고,
    상기 슬릿에는, 상기 가이딩부를 지나 상기 슬릿을 통과하는 테라헤르츠 광의 반사 정도를 감소시키기 위한 반사 감소 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 슬릿 안테나 프로브는,
    복수 개가 어레이 형태로 배열된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 다중 접합 반도체 하부에 배치되어 상기 다중 접합 반도체를 투과한 테라헤르츠 광을 집속하는 광 집속부를 더 포함하고,
    상기 광 검출부는 상기 광 집속부에서 집속된 테라헤르츠 광을 검출하고,
    상기 광 집속부는,
    복수 개가 어레이 형태로 배열된 것을 특징으로 하는 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치.
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