KR102266671B1 - Apparatus for preparing semiconductor molding film and method for preparing using the same - Google Patents

Apparatus for preparing semiconductor molding film and method for preparing using the same Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a device for manufacturing a film for semiconductor molding and a manufacturing method of a film for semiconductor molding using the same and, more specifically, to a device for manufacturing a film for semiconductor molding and a manufacturing method of a film for semiconductor molding using the same which can manufacture a film for semiconductor molding in a continuous roll-to-roll manner, wherein the film for semiconductor molding is used for a compression molding process for a large-area semiconductor substrate.

Description

반도체 몰딩용 필름 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 몰딩용 필름의 제조 방법{APPARATUS FOR PREPARING SEMICONDUCTOR MOLDING FILM AND METHOD FOR PREPARING USING THE SAME}A film manufacturing apparatus for semiconductor molding and a method for manufacturing a film for semiconductor molding using the same {APPARATUS FOR PREPARING SEMICONDUCTOR MOLDING FILM AND METHOD FOR PREPARING USING THE SAME}

본 발명은 반도체 몰딩용 필름 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 몰딩용 필름의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 대면적 반도체 기판에 대한 컴프레션 몰딩 공정을 위해 사용되는 반도체 몰딩용 필름을 연속적인 롤-투-롤 방식으로 제조하는 것이 가능한 반도체 몰딩용 필름 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 몰딩용 필름의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a film for semiconductor molding and a method for manufacturing a film for semiconductor molding using the same, and more particularly, to a film for semiconductor molding used for a compression molding process for a large-area semiconductor substrate in a continuous roll-to- It relates to an apparatus for manufacturing a film for semiconductor molding capable of being manufactured by a roll method and a method for manufacturing a film for semiconductor molding using the same.

최근 반도체 소자는 공정 기술의 미세화 및 기능의 다양화로 인해 칩 사이즈는 감소하고 입출력 단자들의 갯수는 증가함에 따라 전극 패드 피치는 점점 미세화되고 있으며, 다양한 기능의 융합화가 가속됨에 따라 여러 소자를 하나의 패키지 내에 집적하는 시스템 레벨 패키징 기술이 대두되고 있다.In recent semiconductor devices, as the chip size decreases and the number of input/output terminals increases due to the miniaturization of process technology and diversification of functions, the electrode pad pitch is gradually becoming finer. A system-level packaging technology that integrates within is emerging.

또한, 시스템 레벨 패키징 기술은 동작 간 노이즈를 최소화하고 신호 속도를 향상시키기 위하여 짧은 신호 거리를 유지할 수 있는 3차원 적층 기술 형태로 변화되고 있다.In addition, the system-level packaging technology is being transformed into a three-dimensional stacking technology capable of maintaining a short signal distance in order to minimize noise between operations and improve signal speed.

한편, 이러한 기술 개선요구와 더불어 제품 가격 상승을 제어하기 위하여 생산성이 높고 제조 원가를 절감하기 위하여, 복수의 반도체 칩을 포함하는 적층형 반도체 패키지를 구현하거나, 또는 서로 다른 기능을 가지는 반도체 칩을 집적한 SIP(System in Package)를 구현하고 있다.On the other hand, in order to increase productivity and reduce manufacturing cost in order to control the increase in product price along with the demand for technological improvement, a stacked semiconductor package including a plurality of semiconductor chips is implemented, or semiconductor chips having different functions are integrated. It implements SIP (System in Package).

반도체 패키지는 반도체 칩간 또는 반도체 칩과 기판간의 전기적 연결을 위하여 범프볼 기술을 이용하는 플립칩 공법에 의해 제조되어 왔다. 이와 같은 범프볼 기술에 있어서, 상기 범프볼의 미세화의 한계로 인하여 패키지의 입출력 패드의 갯수 및 칩의 사이즈가 제한된다는 문제점이 있었다.A semiconductor package has been manufactured by a flip chip method using a bump ball technology for electrical connection between semiconductor chips or between a semiconductor chip and a substrate. In such a bump ball technology, there is a problem in that the number of input/output pads of the package and the size of the chip are limited due to the limitation of the miniaturization of the bump ball.

즉, 상기 패키지는 반도체칩의 소형화 또는 입출력 패드의 갯수가 증가할 경우, 최종 입출력 단자인 솔더볼의 수를 반도체칩 상면 내에서 모두 수용하는데 한계가 있었다.That is, when the size of the semiconductor chip or the number of input/output pads increases, the package has a limit in accommodating all the number of solder balls, which are final input/output terminals, within the upper surface of the semiconductor chip.

이를 개선하기 위해, 패키지는 회로기판 내부에 반도체칩을 실장하는 임베디드 구조나 반도체 칩의 최종 입출력 단자인 솔더볼을 상기 반도체칩의 외주면에 배치시키는 팬아웃(fan-out) 구조 등이 개발되었다.In order to improve this, an embedded structure in which a semiconductor chip is mounted inside a circuit board or a fan-out structure in which a solder ball, which is a final input/output terminal of the semiconductor chip, is disposed on the outer circumferential surface of the semiconductor chip, has been developed.

상기 팬아웃(fan-out) 구조의 반도체 패키징(몰딩) 기술은 반도체 칩의 외관을 보호하는 역할을 하는 에폭시 몰딩용 화합물(epoxy molding compound, EMC)를 사용한 몰딩 공정의 면적을 확대하는 방향으로 기술 개발이 이루어지고 있다.The semiconductor packaging (molding) technology of the fan-out structure is described in the direction of expanding the area of the molding process using an epoxy molding compound (EMC) that protects the appearance of the semiconductor chip. development is taking place.

한편, 반도체 몰딩 공정에서 주로 사용되는 에폭시 몰딩용 화합물은 에폭시 수지와 실리카 필러를 주성분으로 하는 복합 소재로서, 소면적 반도체 패키지의 몰딩 공정에서는 고상 또는 액상 형태로 주로 사용되어 왔다.On the other hand, the compound for epoxy molding mainly used in the semiconductor molding process is a composite material containing an epoxy resin and a silica filler as main components, and has been mainly used in a solid or liquid form in the molding process of a small area semiconductor package.

도 1은 종래 고상 또는 액상 형태의 에폭시 몰딩용 화합물을 이용한 트랜스퍼 몰딩 공정을 개략적으로 나타낸 것이다.1 schematically shows a transfer molding process using a conventional compound for epoxy molding in a solid or liquid form.

도 1을 참조하면, 복수의 반도체 칩이 실장된 반도체 기판(웨이퍼)을 상부 몰드와 하부 몰드 사이에 위치시키고, 반도체 기판과 하부 몰드 사이에 형성된 내부 공간으로 플런저를 사용하여 고상 또는 액상 형태의 에폭시 몰딩용 화합물을 주입한 후, 상기 에폭시 몰딩용 화합물을 경화시켜 반도체 칩의 외관을 보호하는 EMC 몰딩을 형성한다.Referring to FIG. 1 , a semiconductor substrate (wafer) on which a plurality of semiconductor chips is mounted is placed between an upper mold and a lower mold, and a plunger is used into the internal space formed between the semiconductor substrate and the lower mold to form a solid or liquid epoxy After the molding compound is injected, the epoxy molding compound is cured to form an EMC molding that protects the appearance of the semiconductor chip.

상기 도 1에 도시된 트랜스퍼 몰딩 공정의 경우, 고상 또는 액상 형태의 에폭시 몰딩용 화합물을 반도체 기판과 하부 몰드 사이에 형성된 내부 공간으로 주입하여야 하는 바, 에폭시 몰딩용 화합물의 조성에 따라 흐름성이 달라질 뿐만 아니라, 반도체 기판에 실장된 반도체 칩간 간격이 좁아짐에 따라 에폭시 몰딩용 화합물이 반도체 칩간 간격에 충분히 충진되지 못하는 경우가 발생할 수 있다는 한계가 있다. In the case of the transfer molding process shown in FIG. 1, the solid or liquid epoxy molding compound must be injected into the inner space formed between the semiconductor substrate and the lower mold, and flowability varies depending on the composition of the epoxy molding compound. In addition, as the gap between the semiconductor chips mounted on the semiconductor substrate is narrowed, there is a limitation that the epoxy molding compound may not be sufficiently filled in the gap between the semiconductor chips.

이에 따라, 최근 생산성 향상을 위해 대면적 반도체 기판에 대한 몰딩 공정의 필요성이 커지고 있으나, 상술한 트랜스퍼 몰딩 공정은 대면적 반도체 기판에 대한 몰딩 공정으로써 적합하지 않다.Accordingly, the need for a molding process for a large-area semiconductor substrate has recently increased in order to improve productivity, but the above-described transfer molding process is not suitable as a molding process for a large-area semiconductor substrate.

이에 따라, 대면적 반도체 기판에 대한 새로운 몰딩 공정의 개발이 요구되고 있으며, 이러한 기술적 요구에 따라 필름 형태의 에폭시 몰딩용 화합물을 이용한 새로운 몰딩 공정에 대한 연구가 이어져 오고 있다.Accordingly, development of a new molding process for a large-area semiconductor substrate is required, and research on a new molding process using a film-type epoxy molding compound has been continued in accordance with these technical requirements.

도 2는 필름 형태의 에폭시 몰딩용 화합물을 이용한 컴프레션 몰딩 공정을 개략적으로 나타낸 것이다.2 schematically shows a compression molding process using a film-form epoxy molding compound.

도 2를 참조하면, 반도체 칩이 실장된 반도체 기판(웨이퍼)에 에폭시 몰딩용 화합물로 형성된 몰딩 필름을 압착하여 반도체 칩의 외관을 보호하는 EMC 몰딩을 형성한다.Referring to FIG. 2 , a molding film formed of an epoxy molding compound is compressed on a semiconductor substrate (wafer) on which a semiconductor chip is mounted to form EMC molding to protect the appearance of the semiconductor chip.

상기 도 2에 도시된 컴프레션 몰딩 공정의 경우, 트랜스퍼 몰딩 공정과 달리 고상 또는 액상 형태의 에폭시 몰딩용 화합물을 주입할 때 발생하는 초기 유동을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 칩 상에 몰딩 필름을 압착할 때 복수의 반도체 칩에 가해지는 스트레스 불균일 문제를 해소할 수 있다.In the case of the compression molding process shown in FIG. 2, unlike the transfer molding process, it is possible to suppress the initial flow that occurs when injecting the compound for epoxy molding in a solid or liquid form, as well as pressing the molding film on the semiconductor chip. In this case, it is possible to solve the problem of uneven stress applied to a plurality of semiconductor chips.

이러한 기술적 배경 하에서, 최근 다양한 대면적 반도체 몰딩용 필름을 제조하기 위한 수지 조성물이 개발되고 있는 가운데, 아직까지 이러한 수지 조성물을 이용하여 반도체 몰딩용 필름을 연속적으로 제조하는 장치 또는 방법의 개발은 미진한 실정이다.Under this technical background, while resin compositions for manufacturing various large-area semiconductor molding films are being developed, the development of an apparatus or method for continuously manufacturing a semiconductor molding film using such a resin composition is still insufficient. to be.

이에 따라, 본 발명은 대면적 반도체 기판에 대한 컴프레션 몰딩 공정을 위해 사용되는 반도체 몰딩용 필름을 연속적인 롤-투-롤 방식으로 제조하는 것이 가능한 반도체 몰딩용 필름 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 몰딩용 필름의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention provides an apparatus for manufacturing a film for semiconductor molding capable of manufacturing a film for semiconductor molding used for a compression molding process for a large-area semiconductor substrate in a continuous roll-to-roll method, and a film for semiconductor molding using the same An object of the present invention is to provide a method for manufacturing

특히, 본 발명은 컴프레션 몰딩 공정시 반경화된 반도체 몰딩층에 의해 반도체 칩이 유동되는 현상(die shift)이 발생하는 것을 방지하고, 반도체 칩에 가해지는 압력을 균일하게 함으로써 외력에 의한 반도체 칩의 크랙 현상을 개선할 수 있는 반도체 몰딩용 필름을 연속적으로 제조하는 장치 및 이를 이용한 반도체 몰딩용 필름의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In particular, the present invention prevents the die shift of the semiconductor chip from occurring due to the semi-hardened semiconductor molding layer during the compression molding process, and makes the pressure applied to the semiconductor chip uniform. An object of the present invention is to provide an apparatus for continuously manufacturing a film for semiconductor molding capable of improving cracking, and a method for manufacturing a film for semiconductor molding using the same.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적(예를 들어, 전기 자동차용)으로 제한되지 않으며 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects (eg, for an electric vehicle), and other objects and advantages of the present invention not mentioned can be understood by the following description and can be understood by the embodiments of the present invention. will be understood more clearly. It will also be readily apparent that the objects and advantages of the present invention can be realized by the means and combinations thereof indicated in the claims.

본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 제1 언와인더부; 상기 제1 언와인더부의 하류에 위치하며, 상기 제1 기재 필름의 일 면에 반도체 몰딩용 화합물을 도포하여 반도체 몰딩층을 형성하는 제1 코팅부; 상기 제1 코팅부의 하류에 위치하며, 상기 제1 기재 필름의 일 면에 도포된 상기 반도체 몰딩층을 반경화시키는 경화부; 상기 경화부의 하류에 위치하며, 일 면에 수지층이 형성된 제2 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 제2 언와인더부; 상기 경화부 및 상기 제2 언와인더부의 하류에 위치하며, 상기 반도체 몰딩층이 형성된 상기 제1 기재 필름과 상기 수지층이 형성된 상기 제2 기재 필름을 상기 반도체 몰딩층과 상기 수지층이 합착하도록 합지하는 합지부; 및 상기 합지부의 하류에 위치하며, 합지된 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름을 권취하는 리와인더부;를 포함하는 반도체 몰딩용 필름 제조 장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, a first unwinder unit for continuously supplying a first base film in one direction; a first coating part located downstream of the first unwinder part and forming a semiconductor molding layer by applying a compound for semiconductor molding on one surface of the first base film; a curing part located downstream of the first coating part and semi-curing the semiconductor molding layer applied to one surface of the first base film; a second unwinder unit located downstream of the curing unit and continuously supplying a second base film having a resin layer formed on one surface thereof in one direction; Located downstream of the curing part and the second unwinder part, the semiconductor molding layer and the resin layer are bonded to the first base film on which the semiconductor molding layer is formed and the second base film on which the resin layer is formed. Laminating unit for laminating; and a rewinder unit located downstream of the lamination unit, for winding the laminated first base film and the second base film; an apparatus for manufacturing a film for semiconductor molding comprising a.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 제2 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 제1 언와인더부; 상기 제1 언와인더부의 하류에 위치하며, 상기 제2 기재 필름의 일 면에 수지를 도포하여 수지층을 형성하는 제1 코팅부; 상기 제1 코팅부의 하류에 위치하며, 상기 제2 기재 필름의 일 면에 도포된 상기 수지층의 일 면에 패턴을 형성하는 제2 코팅부; 상기 제2 코팅부의 하류에 위치하며, 상기 제2 기재 필름의 일 면에 패턴화된 상기 수지층을 경화시키는 경화부; 상기 경화부의 하류에 위치하며, 일 면에 반도체 몰딩용 화합물을 반경화시킨 반도체 몰딩층이 형성된 제1 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 제2 언와인더부; 상기 경화부 및 상기 제2 언와인더부의 하류에 위치하며, 상기 반도체 몰딩층이 형성된 상기 제1 기재 필름과 상기 수지층이 형성된 상기 제2 기재 필름을 상기 반도체 몰딩층과 상기 수지층이 합착하도록 합지하는 합지부; 및 상기 합지부의 하류에 위치하며, 합지된 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름을 권취하는 리와인더부;를 포함하는 반도체 몰딩용 필름 제조 장치가 제공된다.In addition, according to another aspect of the present invention, the first unwinder for continuously supplying the second base film in one direction; a first coating part located downstream of the first unwinder part and forming a resin layer by applying a resin to one surface of the second base film; a second coating part located downstream of the first coating part and forming a pattern on one surface of the resin layer applied to one surface of the second base film; a curing unit located downstream of the second coating unit and curing the resin layer patterned on one surface of the second base film; a second unwinder unit located downstream of the curing unit and continuously supplying the first base film in one direction with a semiconductor molding layer formed on one surface of which a semiconductor molding compound is semi-cured; Located downstream of the curing part and the second unwinder part, the semiconductor molding layer and the resin layer are bonded to the first base film on which the semiconductor molding layer is formed and the second base film on which the resin layer is formed. Laminating unit for laminating; and a rewinder unit located downstream of the lamination unit, for winding the laminated first base film and the second base film; an apparatus for manufacturing a film for semiconductor molding comprising a.

또한, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 제1 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 단계; 상기 제1 기재 필름의 일 면에 반도체 몰딩용 화합물을 도포하여 반도체 몰딩층을 형성하는 단계; 상기 제1 기재 필름의 일 면에 도포된 상기 반도체 몰딩층을 반경화시키는 단계; 일 면에 수지층이 형성된 제2 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 단계; 상기 반도체 몰딩층이 형성된 상기 제1 기재 필름과 상기 수지층이 형성된 상기 제2 기재 필름을 합지하는 단계; 합지된 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름을 권취하는 단계;를 포함하는 반도체 몰딩용 필름 제조 방법이 제공된다.In addition, according to another aspect of the present invention, continuously supplying a first base film in one direction; forming a semiconductor molding layer by applying a compound for semiconductor molding on one surface of the first base film; semi-curing the semiconductor molding layer applied to one surface of the first base film; continuously supplying a second base film having a resin layer formed on one surface in one direction; laminating the first base film on which the semiconductor molding layer is formed and the second base film on which the resin layer is formed; There is provided a method for manufacturing a film for semiconductor molding comprising; winding the laminated first base film and the second base film.

아울러, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 제2 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 단계; 상기 제2 기재 필름의 일 면에 수지를 도포하여 수지층을 형성하는 단계; 상기 수지층의 일 면에 규칙적 또는 불규칙적인 복수의 패턴을 마련하는 단계; 상기 제2 기재 필름의 일 면에 패턴화된 상기 수지층을 경화시키는 단계; 일 면에 반도체 몰딩층이 형성된 제1 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 단계; 상기 반도체 몰딩층이 형성된 상기 제1 기재 필름과 상기 수지층이 형성된 상기 제2 기재 필름을 합지하는 단계; 합지된 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름을 권취하는 단계;를 포함하는 반도체 몰딩용 필름 제조 방법이 제공된다.In addition, according to another aspect of the present invention, continuously supplying a second base film in one direction; forming a resin layer by applying a resin to one surface of the second base film; providing a plurality of regular or irregular patterns on one surface of the resin layer; curing the resin layer patterned on one surface of the second base film; continuously supplying a first base film having a semiconductor molding layer formed on one surface thereof in one direction; laminating the first base film on which the semiconductor molding layer is formed and the second base film on which the resin layer is formed; There is provided a method for manufacturing a film for semiconductor molding comprising; winding the laminated first base film and the second base film.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 종래 고상 또는 액상 형태의 에폭시 몰딩용 화합물을 이용한 트랜스퍼 몰딩 공정의 문제점을 해소할 수 있는 컴프레션 몰딩 공정용 반도체 몰딩용 필름을 제조하는 것이 가능하다.As described above, according to the present invention, it is possible to manufacture a film for semiconductor molding for a compression molding process that can solve the problems of the conventional transfer molding process using a compound for epoxy molding in a solid or liquid form.

특히, 본 발명에 따르면, 대면적 반도체 기판에 대한 컴프레션 몰딩 공정을 위해 사용되는 반도체 몰딩용 필름을 연속적인 롤-투-롤 방식으로 대량 생산하는 것이 가능함에 따라 반도체 몰딩용 필름의 제조 공정에 대한 생산성 및 경제성 등을 향상시킬 수 있다.In particular, according to the present invention, as it is possible to mass-produce the film for semiconductor molding used for the compression molding process for a large-area semiconductor substrate in a continuous roll-to-roll method, the manufacturing process of the film for semiconductor molding is Productivity and economic feasibility can be improved.

또한, 본 발명에 따른 반도체 몰딩용 필름 제조 장치를 사용하여 제조된 반도체 몰딩용 필름은 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시 반경화된 반도체 몰딩층에 의해 반도체 칩이 유동되는 현상(die shift)이 발생하는 것을 방지하고, 반도체 칩에 가해지는 압력을 균일하게 함으로써 외력에 의한 반도체 칩의 크랙 현상을 개선하는 것이 가능하다.In addition, in the film for semiconductor molding manufactured using the apparatus for manufacturing the film for semiconductor molding according to the present invention, a phenomenon in which the semiconductor chip flows by the semi-hardened semiconductor molding layer during the compression molding process for the semiconductor package occurs (die shift). It is possible to improve the crack phenomenon of the semiconductor chip due to external force by preventing it from happening and making the pressure applied to the semiconductor chip uniform.

도 1은 종래 고상 또는 액상 형태의 에폭시 몰딩용 화합물을 이용한 트랜스퍼 몰딩 공정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 필름 형태의 에폭시 몰딩용 화합물을 이용한 컴프레션 몰딩 공정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 몰딩용 필름 제조 장치를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4는 도 3에 도시된 제조 장치를 사용하여 일 면에 반도체 몰딩층이 형성된 제1 기재 필름을 제조하는 공정 중 상기 제1 기재 필름의 이동 경로를 나타낸 것이다.
도 5는 도 3에 도시된 제조 장치 중 상기 제1 기재 필름의 일 면에 반도체 몰딩층을 형성하는 제1 코팅부의 일 실시예를 나타낸 것이다.
도 6은 도 3에 도시된 제조 장치 중 상기 제1 기재 필름의 일 면에 반도체 몰딩층을 형성하는 제1 코팅부의 다른 실시예를 나타낸 것이다.
도 7은 도 3에 도시된 제조 장치를 사용하여 일 면에 패턴화된 수지층이 형성된 제2 기재 필름을 제조하는 공정 중 상기 제2 기재 필름의 이동 경로를 나타낸 것이다.
도 8은 도 3에 도시된 제조 장치 중 상기 제2 기재 필름의 일 면에 수지층을 형성하는 제1 코팅부의 일 실시예를 나타낸 것이다.
도 9는 도 3에 도시된 제조 장치 중 상기 제2 기재 필름의 일 면에 형성된 수지층을 패턴화하는 제2 코팅부의 일 실시예를 나타낸 것이다.
도 10은 도 9에 도시된 제2 코팅부에 사용된 패터닝 롤의 외주면에 대한 다양한 실시예를 나타낸 것이다.
도 11은 도 3에 도시된 제조 장치를 사용하여 반도체 몰딩용 필름을 제조하는 공정 중 제1 언와인더부로부터 제1 기재 필름이 공급되고, 제2 언와인더부로부터 일 면에 패턴화된 수지층이 형성된 제2 기재 필름이 공급되는 경로를 나타낸 것이다.
도 12는 도 11에 도시된 제조 공정 중 합지부에서 상기 제1 기재 필름과 상기 제2 기재 필름이 합지되는 공정을 나타낸 것이다.
도 13은 도 3에 도시된 제조 장치를 사용하여 반도체 몰딩용 필름을 제조하는 공정 중 제1 언와인더부로부터 제2 기재 필름이 공급되고, 제2 언와인더부로부터 일 면에 반도체 몰딩층이 형성된 제2 기재 필름이 공급되는 경로를 나타낸 것이다.
도 14는 도 13에 도시된 제조 공정 중 합지부에서 상기 제1 기재 필름과 상기 제2 기재 필름이 합지되는 공정을 나타낸 것이다.1 schematically shows a transfer molding process using a conventional compound for epoxy molding in a solid or liquid form.
2 schematically shows a compression molding process using a film-form epoxy molding compound.
3 schematically shows an apparatus for manufacturing a film for semiconductor molding according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 shows a movement path of the first base film during a process of manufacturing a first base film having a semiconductor molding layer formed on one surface using the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 .
FIG. 5 shows an embodiment of a first coating part for forming a semiconductor molding layer on one surface of the first base film among the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 .
6 is a view showing another embodiment of the first coating unit for forming a semiconductor molding layer on one surface of the first base film of the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 .
7 shows a movement path of the second base film during a process of manufacturing a second base film having a patterned resin layer formed on one surface using the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 .
FIG. 8 shows an embodiment of the first coating unit for forming a resin layer on one surface of the second base film among the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 .
FIG. 9 shows an embodiment of a second coating unit for patterning a resin layer formed on one surface of the second base film among the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 .
FIG. 10 shows various embodiments of the outer peripheral surface of the patterning roll used in the second coating part shown in FIG. 9 .
11 is a process of manufacturing a film for semiconductor molding using the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 , a first base film is supplied from a first unwinder unit, and a resin layer patterned on one surface from a second unwinder unit; FIG. It shows a path through which the formed second base film is supplied.
12 shows a process in which the first base film and the second base film are laminated in the lamination part during the manufacturing process shown in FIG. 11 .
13 is a process of manufacturing a film for semiconductor molding using the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 , a second base film is supplied from the first unwinder unit, and a semiconductor molding layer is formed on one surface from the second unwinder unit; FIG. It shows the path through which the second base film is supplied.
FIG. 14 shows a process in which the first base film and the second base film are laminated in the lamination part during the manufacturing process shown in FIG. 13 .

본 발명을 더 쉽게 이해하기 위해 편의상 특정 용어를 본원에 정의한다. 본원에서 달리 정의하지 않는 한, 본 발명에 사용된 과학 용어 및 기술 용어들은 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미를 가질 것이다. 또한, 문맥상 특별히 지정하지 않는 한, 단수 형태의 용어는 그것의 복수 형태도 포함하는 것이며, 복수 형태의 용어는 그것의 단수 형태도 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In order to better understand the present invention, certain terms are defined herein for convenience. Unless defined otherwise herein, scientific and technical terms used herein shall have the meanings commonly understood by one of ordinary skill in the art. Also, unless the context specifically dictates otherwise, it is to be understood that a term in the singular includes its plural form as well, and a term in the plural form also includes its singular form.

이하, 본원에 참조된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 반도체 몰딩용 필름 제조 장치 및 이용한 반도체 몰딩용 필름 제조 방법에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an apparatus for manufacturing a film for semiconductor molding and a method for manufacturing a film for semiconductor molding using the present invention according to the present invention will be described in more detail with reference to the drawings referenced herein.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 몰딩용 필름 제조 장치를 개략적으로 나타낸 것이며, 도 4는 도 3에 도시된 제조 장치를 사용하여 일 면에 반도체 몰딩층이 형성된 제1 기재 필름을 제조하는 공정 중 상기 제1 기재 필름의 이동 경로를 나타낸 것이다.3 schematically shows an apparatus for manufacturing a film for semiconductor molding according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a first base film having a semiconductor molding layer formed on one surface thereof using the manufacturing apparatus shown in FIG. It shows the movement path of the first base film during the process.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 반도체 몰딩용 필름 제조 장치(100)는 제1 언와인더부(110), 제2 언와인더(120), 제1 코팅부(130), 제2 코팅부(140), 경화부(150), 합치부(160) 및 리와인더부(170)를 포함한다.3 and 4 , the apparatus 100 for manufacturing a film for semiconductor molding includes a first unwinder unit 110 , a second unwinder 120 , a first coating unit 130 , and a second coating unit. 140 , a hardening part 150 , a matching part 160 , and a rewinder part 170 .

제1 언와인더부(110)는 제1 기재 필름(11)이 소정량 권취된 제1 언와인더롤(111)을 포함하며, 상기 제1 언와인더롤(111)에 상기 제1 기재 필름(11)이 권취된 경우, 상기 제2 언와인더부(120)의 제2 언와인더롤(121)에는 상기 제2 기재 필름(21)이 권취된 상태로 공급된다.The first unwinder unit 110 includes a first unwinder roll 111 on which a first base film 11 is wound by a predetermined amount, and the first base film 11 is disposed on the first unwinder roll 111 . ) is wound, the second base film 21 is supplied to the second unwinder roll 121 of the second unwinder unit 120 in a wound state.

또한, 상기 제1 언와인더롤(111)에 상기 제1 기재 필름(11)이 권취된 경우, 상기 제2 언와인더부(120)의 제2 언와인더롤(121)에는 도 7에 도시된 이동 경로를 따라 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상태의 상기 제2 기재 필름(21)이 권취될 수 있다.In addition, when the first base film 11 is wound on the first unwinder roll 111 , the second unwinder roll 121 of the second unwinder unit 120 moves as shown in FIG. 7 . The second base film 21 in a state in which the patterned resin layer 22 ′ is provided on one surface along the path may be wound.

상기 제1 기재 필름(11) 및 상기 제2 기재 필름(21)으로는 폴리에스테르, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 고리형 올레핀 고분자, 트라이아세틸셀룰로오스, 폴리비닐알코올, 폴리에테르케톤, 폴리아릴레이트, 폴리이미드 및 폴리스타이렌 등과 같은 수지계 필름 또는 유리가 사용될 수 있으며, 이외에도 반도체 몰딩용 필름을 제조하기 위한 다양한 기재 필름이 사용될 수 있다.The first base film 11 and the second base film 21 include polyester, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyethylene naphthalate, polysulfone, polyether sulfone, and cyclic olefin polymer. , triacetyl cellulose, polyvinyl alcohol, polyether ketone, polyarylate, polyimide, polystyrene, etc. resin-based film or glass may be used, and in addition, various base films for manufacturing a film for semiconductor molding may be used.

상기 제1 언와인더부(110)의 하류에 위치하는 상기 제1 코팅부(130)는 상기 제1 언와인더부(110)로부터 공급된 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면에 반도체 몰딩용 화합물을 코팅하여 미경화 상태의 반도체 몰딩층(12)을 형성한다.The first coating part 130 located downstream of the first unwinder part 110 is for semiconductor molding on one surface of the first base film 11 supplied from the first unwinder part 110 . The compound is coated to form the semiconductor molding layer 12 in an uncured state.

상기 제1 코팅부(130)의 구체적인 코팅 방식은 상기 기재 필름에 대한 코팅 대상의 소재 및 물성 등에 따라 달라질 수 있다A specific coating method of the first coating unit 130 may vary depending on the material and physical properties of a coating target for the base film.

예를 들어, 도 3에 도시된 제조 장치 중 상기 제1 기재 필름의 일 면에 반도체 몰딩층을 형성하는 제1 코팅부의 몇몇 실시예를 나타낸 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제1 언와인더부(110)로부터 상기 제1 기재 필름(11)이 공급된 경우, 상기 제1 코팅부(130)는 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면에 반도체 몰딩용 화합물을 균일한 두께로 코팅하여 상기 반도체 몰딩층(12)을 형성하기 위한 슬롯 다이 코터 또는 콤마 코터로서 구현될 수 있다.For example, referring to FIGS. 5 and 6 showing some embodiments of a first coating part for forming a semiconductor molding layer on one surface of the first base film among the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 , the first unwine When the first base film 11 is supplied from the part 110 , the first coating part 130 is coated with a semiconductor molding compound on one surface of the first base film 11 to a uniform thickness. It may be implemented as a slot die coater or a comma coater for forming the semiconductor molding layer 12 .

상기 제1 코팅부(130)가 슬롯 다이 코터로서 구현된 경우, 상기 제1 언와인더부(110)로부터 공급된 제1 기재 필름(11)은 가이드롤(131)에 의해 일 방향으로 가이드됨과 동시에 소정의 장력이 부여되며(A), 상기 가이드롤(131)의 일 측에는 슬롯 다이(132)가 위치한다.When the first coating unit 130 is implemented as a slot die coater, the first base film 11 supplied from the first unwinder unit 110 is guided in one direction by the guide roll 131 and at the same time A predetermined tension is applied (A), and a slot die 132 is positioned on one side of the guide roll 131 .

상기 슬롯 다이(132)는 내부에 마련된 유로를 통해 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면으로 액상 형태의 상기 반도체 몰딩용 화합물(에폭시 몰딩용 화합물)을 토출한다. 상기 가이드롤(131)의 회전에 의해 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면에 상기 반도체 몰딩용 화합물이 소정의 두께로 코팅된 상태로 상기 제1 기재 필름(11)은 후속 공정으로 이송될 수 있다(B).The slot die 132 discharges the semiconductor molding compound (epoxy molding compound) in liquid form to one surface of the first base film 11 through a flow path provided therein. By rotation of the guide roll 131, the first base film 11 is transferred to a subsequent process in a state in which the semiconductor molding compound is coated on one surface of the first base film 11 to a predetermined thickness. can (B).

또한, 상기 슬롯 다이(132)의 하부에는 진공 챔버(133)가 마련될 수 있으며, 상기 진공 챔버(133)는 상기 슬롯 다이(132)로부터 토출된 상기 반도체 몰딩용 화합물이 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면에 코팅되는 대신 하부로 이탈하는 것을 방지하기 위해 상기 슬롯 다이(132)의 하부에 소정의 기체 흐름을 형성할 수 있다.In addition, a vacuum chamber 133 may be provided under the slot die 132 , and the vacuum chamber 133 contains the semiconductor molding compound discharged from the slot die 132 to the first base film ( 11), instead of being coated on one surface, a predetermined gas flow may be formed in the lower portion of the slot die 132 to prevent it from escaping to the lower portion.

한편, 상기 제1 코팅부(130)가 콤마 코터로서 구현된 경우, 상기 제1 언와인더부(110)로부터 공급된 제1 기재 필름(11)은 가이드롤(131)에 의해 일 방향으로 가이드됨과 동시에 소정의 장력이 부여되며(A), 상기 가이드롤(131)의 상부에는 콤마롤(134)이 위치한다.On the other hand, when the first coating unit 130 is implemented as a comma coater, the first base film 11 supplied from the first unwinder unit 110 is guided in one direction by the guide roll 131 and At the same time, a predetermined tension is applied (A), and a comma roll 134 is positioned above the guide roll 131 .

상기 가이드롤(131)과 상기 콤마롤(134) 사이로 액상 형태의 반도체 몰딩용 화합물(에폭시 몰딩용 화합물)이 공급되며, 상기 가이드롤(131)과 상기 콤마롤(134)의 회전에 의해 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면에 상기 반도체 몰딩용 화합물이 소정의 두께로 코팅된 상태로 상기 제1 기재 필름(11)은 후속 공정으로 이송될 수 있다(B).A liquid type compound for semiconductor molding (epoxy molding compound) is supplied between the guide roll 131 and the comma roll 134, and by rotation of the guide roll 131 and the comma roll 134, the In a state in which the compound for semiconductor molding is coated on one surface of the first base film 11 to a predetermined thickness, the first base film 11 may be transferred to a subsequent process (B).

상기 제1 코팅부(130)로 상기 제1 기재 필름(11)이 공급되어 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면에 미경화 상태의 상기 반도체 몰딩층(12)이 형성된 경우, 상기 제1 기재 필름(11)은 상기 제2 코팅부(140)를 거치지 않고 상기 경화부(150)로 이송될 수 있다.When the first base film 11 is supplied to the first coating unit 130 to form the uncured semiconductor molding layer 12 on one surface of the first base film 11 , the first The base film 11 may be transferred to the curing unit 150 without going through the second coating unit 140 .

상기 경화부(150)는 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면에 코팅된 미경화 상태의 상기 반도체 몰딩층(12)을 반경화 상태로 경화시켜 소위 B-stage 필름을 제조하기 위한 것으로서, 상기 경화부(150)에 의한 구체적인 경화 방식은 상기 기재 필름에 대한 코팅 대상의 소재 및 물성 등에 따라 달라질 수 있다.The curing unit 150 is for manufacturing a so-called B-stage film by curing the semiconductor molding layer 12 in an uncured state coated on one surface of the first base film 11 to a semi-cured state, A specific curing method by the curing unit 150 may vary depending on the material and physical properties of the coating target for the base film.

예를 들어, 상기 경화부(150)는 열 건조 방식, 적외선 건조 방식, 자외선 건조 방식 또는 이들의 조합된 건조 방식으로 구현될 수 있다.For example, the curing unit 150 may be implemented by a thermal drying method, an infrared drying method, an ultraviolet drying method, or a combination drying method thereof.

상기 경화부(150)에 의해 상기 반도체 몰딩층(12)은 반경화됨으로써 후속 공정을 통해 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상태의 상기 제2 기재 필름(21)과 합지되는 경우, 상기 수지층(22')의 패턴에 대응하는 패턴이 상기 반도체 몰딩층(12)에 형성될 수 있다.The semiconductor molding layer 12 is semi-cured by the curing unit 150 and laminated with the second base film 21 in a state in which a patterned resin layer 22 ′ is provided on one surface through a subsequent process. In this case, a pattern corresponding to the pattern of the resin layer 22 ′ may be formed on the semiconductor molding layer 12 .

상기 경화부(150)에 의해 상기 반도체 몰딩층(12')이 과도하게 경화되거나 완전히 경화된 경우, 후속 공정을 통해 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상태의 상기 제2 기재 필름(21)과 합지되는 경우, 상기 수지층(22')의 패턴에 대응하는 패턴이 상기 반도체 몰딩층(12')에 형성되기 어려울 수 있다.When the semiconductor molding layer 12 ′ is excessively cured or completely cured by the curing unit 150 , the second substrate in a state in which the patterned resin layer 22 ′ is provided on one surface through a subsequent process. When laminated with the film 21 , it may be difficult to form a pattern corresponding to the pattern of the resin layer 22 ′ on the semiconductor molding layer 12 ′.

상기 수지층(22')에 의해 도입된 상기 반도체 몰딩층(12')의 패턴에 의해 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시 상기 반도체 몰딩층(12')에 패턴이 없는 경우 대비 반도체 칩이 유동되는 현상(die shift)이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 반도체 칩에 가해지는 압력을 균일하게 함으로써 외력에 의한 반도체 칩의 크랙 현상을 개선하는 것이 가능하다.By the pattern of the semiconductor molding layer 12' introduced by the resin layer 22', the semiconductor chip flows compared to the case where there is no pattern in the semiconductor molding layer 12' during the compression molding process for the semiconductor package. It is possible to prevent a die shift from occurring, and by making the pressure applied to the semiconductor chip uniform, it is possible to improve the crack phenomenon of the semiconductor chip due to an external force.

또한, 상기 수지층(22')에 의해 도입된 상기 반도체 몰딩층(12')의 패턴에 의해 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시 상기 반도체 칩간 간격에 상기 반도체 몰딩층(12')을 구성하는 에폭시 몰딩용 화합물의 유동성 및 충진성 등을 향상시켜 보이드 트랩 및 불충분 충진(미충진) 현상을 미연에 방지할 수 있다.In addition, by the pattern of the semiconductor molding layer 12' introduced by the resin layer 22', the epoxy forming the semiconductor molding layer 12' in the gap between the semiconductor chips during the compression molding process for the semiconductor package By improving the fluidity and filling properties of the compound for molding, it is possible to prevent void traps and insufficient filling (not filling) in advance.

상기 경화부(150)에서 상기 반도체 몰딩층(12')이 반경화된 상기 제1 기재 필름(11)은 상기 리와인더부(170)에 의해 권취된 후 상기 제2 언와인더부(120)로 옮겨져 상기 합지부(160)에 의해 상기 제1 언와인더부(120)로부터 공급되어 일련의 코팅 공정을 거쳐 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상태의 상기 제2 기재 필름(21)과 합지되거나, 상기 합지부(160)에 의해 상기 제2 언와인더부(120)로부터 공급되는 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상태의 상기 제2 기재 필름(21)과 합지될 수 있다.The first base film 11 on which the semiconductor molding layer 12 ′ is semi-cured in the curing unit 150 is wound by the rewinder unit 170 and then transferred to the second unwinder unit 120 . The second base film 21 is supplied from the first unwinder unit 120 by the lamination unit 160 and is provided with a patterned resin layer 22 ′ on one surface through a series of coating processes. The second base film 21 and the laminated with a patterned resin layer 22 ′ on one surface supplied from the second unwinder unit 120 by the laminating unit 160 or provided by the laminating unit 160 . can be

도 7은 도 3에 도시된 제조 장치를 사용하여 일 면에 패턴화된 수지층이 형성된 제2 기재 필름을 제조하는 공정 중 상기 제2 기재 필름의 이동 경로를 나타낸 것이다.FIG. 7 shows a movement path of the second base film during a process of manufacturing a second base film having a patterned resin layer formed on one surface using the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 .

도 7을 참조하면, 제1 언와인더부(110)는 제2 기재 필름(21)이 소정량 권취된 제1 언와인더롤(111)을 포함하며, 상기 제1 언와인더롤(111)에 상기 제2 기재 필름(21)이 권취된 경우, 상기 제2 언와인더부(120)의 제2 언와인더롤(121)에는 상기 제1 기재 필름(11)이 권취된 상태로 공급된다.Referring to FIG. 7 , the first unwinder unit 110 includes a first unwinder roll 111 on which a second base film 21 is wound by a predetermined amount, and is disposed on the first unwinder roll 111 . When the second base film 21 is wound, the first base film 11 is supplied to the second unwinder roll 121 of the second unwinder unit 120 in a wound state.

또한, 상기 제1 언와인더롤(111)에 상기 제2 기재 필름(21)이 권취된 경우, 상기 제2 언와인더부(120)의 제2 언와인더롤(121)에는 도 3에 도시된 이동 경로를 따라 일 면에 반경화된 반도체 몰딩층(12')이 마련된 상태의 상기 제1 기재 필름(11)이 권취될 수 있다.In addition, when the second base film 21 is wound on the first unwinder roll 111 , the second unwinder roll 121 of the second unwinder unit 120 moves as shown in FIG. 3 . The first base film 11 in a state in which the semi-cured semiconductor molding layer 12 ′ is provided on one surface along the path may be wound.

상기 제1 언와인더부(110)의 하류에 위치하는 상기 제1 코팅부(130)는 상기 제1 언와인더부(110)로부터 공급된 상기 제2 기재 필름(21)의 일 면에 수지를 코팅하여 미경화 상태의 수지층(12)을 형성한다.The first coating part 130 located downstream of the first unwinder part 110 is coated with a resin on one surface of the second base film 21 supplied from the first unwinder part 110 . Thus, the resin layer 12 in an uncured state is formed.

이 때, 상기 수지는 후술할 제2 코팅부(140)에 의해 패턴을 형성하는 것이 가능한 광 경화성 수지일 수 있다.In this case, the resin may be a photo-curable resin capable of forming a pattern by the second coating unit 140 to be described later.

도 8에 도시된 제조 장치 중 상기 제2 기재 필름의 일 면에 수지층을 형성하는 제1 코팅부의 일 실시예를 나타낸 도 8을 참조하면, 상기 제1 언와인더부(110)로부터 상기 제2 기재 필름(21)이 공급된 경우, 상기 제1 코팅부(130)는 상기 제2 기재 필름(21)의 일 면에 수지를 균일한 두께로 코팅하여 상기 수지층(22)을 형성하기 위한 슬롯 다이 코터로서 구현될 수 있다.Referring to FIG. 8 showing an embodiment of a first coating part for forming a resin layer on one surface of the second base film in the manufacturing apparatus shown in FIG. 8 , the second from the first unwinder part 110 . When the base film 21 is supplied, the first coating unit 130 is a slot for forming the resin layer 22 by coating a resin with a uniform thickness on one surface of the second base film 21 . It can be implemented as a die coater.

상기 제1 코팅부(130)가 슬롯 다이 코터로서 구현된 경우, 상기 제1 언와인더부(110)로부터 공급된 제2 기재 필름(21)은 가이드롤(131)에 의해 일 방향으로 가이드됨과 동시에 소정의 장력이 부여되며(A), 상기 가이드롤(131)의 일 측에는 슬롯 다이(132)가 위치한다.When the first coating unit 130 is implemented as a slot die coater, the second base film 21 supplied from the first unwinder unit 110 is guided in one direction by the guide roll 131 and at the same time A predetermined tension is applied (A), and a slot die 132 is positioned on one side of the guide roll 131 .

상기 슬롯 다이(132)는 내부에 마련된 유로를 통해 상기 제2 기재 필름(21)의 일 면으로 액상 형태의 수지를 토출한다. 상기 가이드롤(131)의 회전에 의해 상기 제2 기재 필름(21)의 일 면에 상기 수지가 소정의 두께로 코팅된 상태로 상기 제1 기재 필름(11)은 후속 공정으로 이송될 수 있다(B).The slot die 132 discharges the resin in a liquid form to one surface of the second base film 21 through a flow path provided therein. The first base film 11 may be transferred to a subsequent process in a state in which the resin is coated to a predetermined thickness on one surface of the second base film 21 by rotation of the guide roll 131 ( B).

또한, 상기 슬롯 다이(132)의 하부에는 진공 챔버(133)가 마련될 수 있으며, 상기 진공 챔버(133)는 상기 슬롯 다이(132)로부터 토출된 상기 수지가 상기 제2 기재 필름(21)의 일 면에 코팅되는 대신 하부로 이탈하는 것을 방지하기 위해 상기 슬롯 다이(132)의 하부에 소정의 기체 흐름을 형성할 수 있다.In addition, a vacuum chamber 133 may be provided under the slot die 132 , in which the resin discharged from the slot die 132 is removed from the second base film 21 . Instead of being coated on one surface, a predetermined gas flow may be formed in the lower portion of the slot die 132 to prevent it from escaping to the lower portion.

상기 제1 코팅부(130)로 상기 제2 기재 필름(21)이 공급되어 상기 제2 기재 필름(21)의 일 면에 미경화 상태의 상기 수지층(22)이 형성된 경우, 상기 제2 기재 필름(21)은 상기 제1 코팅부(130)의 하류에 위치하는 상기 제2 코팅부(140)로 이송될 수 있다.When the second base film 21 is supplied to the first coating unit 130 to form the uncured resin layer 22 on one surface of the second base film 21 , the second base material The film 21 may be transferred to the second coating part 140 located downstream of the first coating part 130 .

도 9는 도 3에 도시된 제조 장치 중 상기 제2 기재 필름의 일 면에 형성된 수지층을 패턴화하는 제2 코팅부의 일 실시예를 나타낸 것이다.FIG. 9 shows an embodiment of a second coating unit for patterning a resin layer formed on one surface of the second base film among the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 .

도 9를 참조하면, 상기 제2 코팅부(140)로 상기 제1 코팅부(130)로부터 일 면에 미경화 상태의 상기 수지층(22)이 형성된 상기 제2 기재 필름(21)이 공급되며(C), 상기 수지층(22)은 외주면에 소정의 패턴이 마련된 패터닝 롤(141)에 접촉한 상태로 일 방향으로 가이드되며, 상기 패터닝 롤(141)에 의해 상기 제2 기재 필름(21)에 소정의 장력이 부여된다.Referring to FIG. 9 , the second base film 21 in which the resin layer 22 in an uncured state is formed on one surface is supplied from the first coating part 130 to the second coating part 140 , (C), the resin layer 22 is guided in one direction in a state in contact with a patterning roll 141 provided with a predetermined pattern on an outer circumferential surface, and the second base film 21 by the patterning roll 141 A predetermined tension is applied to the

또한, 별도로 도시하지는 않았으나, 상기 패터닝 롤(141)은 상기 제2 기재 필름(21)에 대한 장력 부여 및 패터닝을 위해 상하 방향으로 이동할 수 있다.In addition, although not shown separately, the patterning roll 141 may move in the vertical direction to apply tension and pattern the second base film 21 .

상기 패터닝 롤(141)을 통과한 상기 제2 기재 필름(21)의 일 면에 형성된 상기 수지층(22)의 일 면(즉, 상기 제2 기재 필름(21)과 맞닿지 않는 상기 수지층(22)의 면)에는 소정의 패턴(22')이 마련될 수 있다(D). 상기 패턴이 마련된 수지층(22)의 일 면은 후속 공정을 통해 상기 제1 기재 필름(11)의 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12)에 대향하는 면이 된다.One surface of the resin layer 22 formed on one surface of the second base film 21 that has passed through the patterning roll 141 (that is, the resin layer that does not contact the second base film 21 ( 22), a predetermined pattern 22' may be provided (D). One surface of the resin layer 22 on which the pattern is provided becomes a surface opposite to the semi-cured semiconductor molding layer 12 of the first base film 11 through a subsequent process.

상기 수지층(22)의 패턴화를 위해 상기 패터닝 롤(141)의 외주면에는 규칙적 또는 불규칙적인 복수의 패턴을 형성하기 위한 패턴이 마련될 수 있다(E).A pattern for forming a plurality of regular or irregular patterns may be provided on the outer peripheral surface of the patterning roll 141 for patterning the resin layer 22 (E).

도 10은 도 9에 도시된 제2 코팅부에 사용된 패터닝 롤의 외주면에 대한 다양한 실시예를 나타낸 것으로서, 도 10을 참조하면, 상기 패터닝 롤(141)의 외주면에는 (x) 내지 (z)와 같이 규칙적 또는 불규칙적인 복수의 패턴이 형성될 수 있으며, 상기 패턴은 돌출부 및 오목부로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.10 shows various embodiments of the outer peripheral surface of the patterning roll used in the second coating unit shown in FIG. 9. Referring to FIG. 10, the outer peripheral surface of the patterning roll 141 has (x) to (z) A plurality of regular or irregular patterns may be formed, and the pattern may include at least one selected from a protrusion and a concave portion.

이 때, 상기 패턴의 크기, 즉 상기 패턴에 포함된 상기 돌출부 또는 오목부의 최대 크기는 단위 반도체 칩의 폭보다 작도록 마련되는 것이 바람직하다. 상기 패턴에 포함된 상기 패턴에 포함된 상기 돌출부 또는 오목부의 최대 크기는 단위 반도체 칩의 폭보다 클 경우, 상기 수지층(22')에 의해 상기 반도체 몰딩층(12')으로 도입된 패턴 크기 역시 단위 반도체의 칩의 폭보다 클 수 있다. 이 경우, 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시 상기 반도체 몰딩층(12')의 패턴 크기가 상기 단위 반도체 칩보다 크기 때문에 상기 패턴 내에서 반도체 칩이 유동되는 현상(die shift)이 발생할 우려가 있다.In this case, it is preferable that the size of the pattern, that is, the maximum size of the protrusion or the concave portion included in the pattern, is smaller than the width of the unit semiconductor chip. When the maximum size of the protrusion or the concave portion included in the pattern included in the pattern is larger than the width of the unit semiconductor chip, the size of the pattern introduced into the semiconductor molding layer 12' by the resin layer 22' is also It may be larger than the width of the chip of the unit semiconductor. In this case, since the size of the pattern of the semiconductor molding layer 12 ′ is larger than that of the unit semiconductor chip during the compression molding process for the semiconductor package, there is a risk that the semiconductor chip may flow within the pattern (die shift).

이 때, 상기 패턴에 포함된 상기 돌출부 또는 상기 오목부의 크기란 상기 돌출부 또는 상기 오목부의 일 방향에 대한 폭을 의미할 수 있다. 예를 들어, 도 10의 (x) 또는 (y)와 같이 상기 돌출부 또는 상기 오목부가 일 방향으로 연장된 형상을 가질 경우, 상기 돌출부 또는 상기 오목부의 크기는 상기 돌출부 또는 상기 오목부의 단축(연장 방향과 교차하는 방향)의 길이 또는 이웃한 상기 돌출부의 마루 사이(또는 이웃한 오목부의 골 사이)를 지칭할 수 있다. 또한, 도 10의 (z)와 같이 상기 돌출부 또는 상기 오목부가 독립적인 형상(예를 들어, 구형 또는 타원형 등)을 가질 경우, 상기 돌출부 또는 상기 오목부의 크기는 상기 형상의 직경 또는 장축의 길이를 지칭할 수 있다. In this case, the size of the protrusion or the concave portion included in the pattern may mean a width in one direction of the protrusion or the concave portion. For example, when the protrusion or the concave portion has a shape extending in one direction as shown in (x) or (y) of FIG. 10 , the size of the protrusion or the concave portion is the short axis (extension direction) of the protrusion or the concave portion. It may refer to the length of the ridges of the adjacent protrusions (or between the valleys of the adjacent recesses). In addition, when the protrusion or the concave portion has an independent shape (eg, spherical or oval, etc.) as shown in FIG. can be referred to.

한편, 상기 패터닝 롤(141)에 의해 상기 수지층(22)에 도입된 패턴은 상기 경화부(150)에 의해 고정되거나, 상기 제2 코팅부(140)에 별도로 마련된 광 경화부(142, 143)에 의해 경화되어 고정될 수 있다. 이 경우, 상기 수지층(22)을 형성하기 위해 사용된 수지는 광 경화성 수지일 수 있다.On the other hand, the pattern introduced into the resin layer 22 by the patterning roll 141 is fixed by the curing unit 150 or the light curing units 142 and 143 separately provided in the second coating unit 140 . ) can be cured and fixed. In this case, the resin used to form the resin layer 22 may be a photo-curable resin.

상기 광 경화부(142, 143)는 상기 패터닝 롤(141)의 하부에 위치하거나, 상기 패터닝 롤(141)을 통과한 상기 제2 기재 필름(21)의 진행 방향에 위치하거나, 양 위치에 모두 구비될 수도 있다.The light curing parts 142 and 143 are located under the patterning roll 141, or located in the traveling direction of the second base film 21 passing through the patterning roll 141, or both at both positions. may be provided.

도 11은 도 3에 도시된 제조 장치를 사용하여 반도체 몰딩용 필름을 제조하는 공정 중 제1 언와인더부로부터 제1 기재 필름이 공급되고, 제2 언와인더부로부터 일 면에 패턴화된 수지층이 형성된 제2 기재 필름이 공급되는 경로를 나타낸 것이며, 도 12는 도 11에 도시된 제조 공정 중 합지부에서 상기 제1 기재 필름과 상기 제2 기재 필름이 합지되는 공정을 나타낸 것이다.11 is a process of manufacturing a film for semiconductor molding using the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 , a first base film is supplied from a first unwinder unit, and a resin layer patterned on one surface from a second unwinder unit; FIG. This shows the path through which the formed second base film is supplied, and FIG. 12 shows a process in which the first base film and the second base film are laminated in the lamination part of the manufacturing process shown in FIG. 11 .

도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 제1 언와인더부(110)로부터 상기 제1 언와인더롤(111)에 소정량 권취된 상기 제1 기재 필름(11)이 연속적으로 공급되며, 상기 제2 언와인더부(120)로부터 상기 제2 언와인더롤(121)에 소정량 권취된 상기 제2 기재 필름(21)이 연속적으로 공급된다.11 and 12 , the first base film 11 wound by a predetermined amount from the first unwinder unit 110 to the first unwinder roll 111 is continuously supplied, and the second The second base film 21 wound by a predetermined amount from the unwinder unit 120 to the second unwinder roll 121 is continuously supplied.

이 때, 상기 제2 언와인더부(120)의 제2 언와인더롤(121)에는 도 7에 도시된 이동 경로를 따라 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상태의 상기 제2 기재 필름(21)이 권취된다.At this time, the second unwinder roll 121 of the second unwinder unit 120 is provided with a patterned resin layer 22 ′ on one surface along the movement path shown in FIG. 7 . The base film 21 is wound up.

한편, 상기 제1 기재 필름(11)은 상기 제1 언와인더부(110)의 하류에 위치하는 상기 제1 코팅부(130)로 공급되며, 상기 제1 코팅부(130)에서 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면에 반도체 몰딩용 화합물을 코팅하여 미경화 상태의 반도체 몰딩층(12)을 형성한다.On the other hand, the first base film 11 is supplied to the first coating unit 130 located downstream of the first unwinder unit 110 , and in the first coating unit 130 , the first substrate A semiconductor molding layer 12 in an uncured state is formed by coating a compound for semiconductor molding on one surface of the film 11 .

상기 제1 기재 필름(11)은 상기 반도체 몰딩층(12)이 미경화된 상태로 상기 경화부(150)로 이송되며, 상기 경화부(150)에서 상기 반도체 몰딩층(12)은 반경화 상태로 경화됨에 따라 소위 B-stage 필름으로서 준비된다.The first base film 11 is transferred to the curing unit 150 in an uncured state of the semiconductor molding layer 12 , and the semiconductor molding layer 12 is in a semi-cured state in the curing unit 150 . It is prepared as a so-called B-stage film as it is cured.

이에 따라, 상기 합지부(160)로 공급되는 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면에는 상기 경화부(150)를 통과함에 따라 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 마련되며(F), 상기 제2 기재 필름(12)의 일 면에는 패턴화된 수지층(22')이 마련된다(G).Accordingly, a semi-cured semiconductor molding layer 12 ′ is provided on one surface of the first base film 11 supplied to the lamination unit 160 as it passes through the curing unit 150 (F). ), a patterned resin layer 22' is provided on one surface of the second base film 12 (G).

상기 합지부(160)에는 상하 방향으로 서로 대향하도록 배치된 상부 라미네이트 롤(161)과 하부 라미네이트 롤(162)이 구비되며, 일 면에 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 마련된 상기 제1 기재 필름(11)과 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상기 제2 기재 필름(21)은 상기 상부 라미네이트 롤(161)과 하부 라미네이트 롤(162) 사이를 통과하여 서로 합지된다. 상기 상부 라미네이트 롤(161)과 상기 하부 라미네이트 롤(162) 사이로 공급되는 일 면에 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 마련된 상기 제1 기재 필름(11)과 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상기 제2 기재 필름(21)의 공급 속도는 상호 동기화될 수 있다.The lamination part 160 is provided with an upper laminate roll 161 and a lower laminate roll 162 disposed to face each other in the vertical direction, and the first surface having a semi-cured semiconductor molding layer 12 ′ is provided on one surface. The first base film 11 and the second base film 21 provided with a patterned resin layer 22 ′ on one surface pass between the upper laminate roll 161 and the lower laminate roll 162 and are laminated to each other. do. The first base film 11 provided with a semi-cured semiconductor molding layer 12 ′ on one surface supplied between the upper laminate roll 161 and the lower laminate roll 162 and patterned water on one surface The feed rates of the second base film 21 provided with the formation layer 22 ′ may be synchronized with each other.

상기 제1 기재 필름(11)과 상기 제2 기재 필름(21)은 각각 반경화 상태의 몰딩층(12')과 패턴화된 수지층(22')이 서로 합착할 수 있도록 공급된다. 이에 따라, 상기 상부 라미네이트 롤(161)과 상기 하부 라미네이트 롤(162)을 통과함에 따라 일 면에 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 마련된 상기 제1 기재 필름(11)과 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상기 제2 기재 필름(21)이 합지되는 경우, 상기 수지층(22')의 패턴에 대응하는 패턴이 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')에 형성될 수 있다(H). The first base film 11 and the second base film 21 are supplied so that the semi-cured molding layer 12 ′ and the patterned resin layer 22 ′ can be bonded to each other, respectively. Accordingly, as it passes through the upper laminate roll 161 and the lower laminate roll 162, the first base film 11 provided with the semi-cured semiconductor molding layer 12' on one surface and on one surface When the second base film 21 provided with the patterned resin layer 22' is laminated, the pattern corresponding to the pattern of the resin layer 22' is the semi-cured semiconductor molding layer 12'. may be formed in (H).

한편, 일 면이 패턴화된 상기 수지층(22')을 이용하여 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')의 일 면에 패턴을 도입한 경우라 하더라도, 상기 반도체 몰딩층(12')은 반경화 상태이므로 곧바로 상기 패턴화된 반도체 몰딩층(12')의 상부에 평평한 이형 필름을 합지한 후 권취할 경우, 상기 반도체 몰딩층(12')의 일 면에 도입된 패턴의 형상이 유지되지 않을 수 있다.On the other hand, even when a pattern is introduced on one surface of the semi-cured semiconductor molding layer 12' using the resin layer 22' having one surface patterned, the semiconductor molding layer 12' Since silver is in a semi-cured state, when a flat release film is immediately laminated on top of the patterned semiconductor molding layer 12' and then wound up, the shape of the pattern introduced on one surface of the semiconductor molding layer 12' is maintained. it may not be

이에 따라, 상기 반도체 몰딩층(12')의 일 면에 도입된 패턴을 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시까지 유지하기 위해서는 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 형성된 상기 제1 기재 필름(11)과 상기 패턴화된 수지층(22')이 형성된 상기 제2 기재 필름(21)을 합지한 상태로 유지 및 권취할 필요가 있다.Accordingly, in order to maintain the pattern introduced on one surface of the semiconductor molding layer 12 ′ until the compression molding process for the semiconductor package, the first base film on which the semi-cured semiconductor molding layer 12 ′ is formed. (11) and the second base film 21 on which the patterned resin layer 22' is formed needs to be maintained and wound in a laminated state.

결과적으로, 본 발명에 따른 반도체 몰딩용 필름 제조 장치(100)에 의해 제조된 반도체 몰딩용 필름은 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 형성된 상기 제1 기재 필름(11)과 상기 패턴화된 수지층(22')이 형성된 상기 제2 기재 필름(21)을 합지한 상태로 제공되며, 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')은 상기 패턴화된 수지층(22')의 패턴에 대응하는 형상으로 패턴화될 수 있다. 상술한 방법에 따라 제조된 반도체 몰딩용 필름은 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시 상기 패턴화된 수지층(22')이 형성된 상기 제2 기재 필름(21)을 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 형성된 상기 제1 기재 필름(11)으로부터 박리하여 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 형성된 상기 제1 기재 필름(11)을 반도체 몰딩용으로 사용하게 된다.As a result, the film for semiconductor molding manufactured by the apparatus 100 for manufacturing the film for semiconductor molding according to the present invention is formed with the first base film 11 and the pattern on which the semi-cured semiconductor molding layer 12' is formed. The second base film 21 on which the resin layer 22' is formed is provided in a laminated state, and the semi-cured semiconductor molding layer 12' is the patterned resin layer 22'. It may be patterned into a shape corresponding to the pattern. The semiconductor molding film manufactured according to the method described above is formed by applying the second base film 21 on which the patterned resin layer 22 ′ is formed during the compression molding process for the semiconductor package to the semi-cured semiconductor molding layer ( The first base film 11 on which the semi-cured semiconductor molding layer 12' is formed by peeling from the first base film 11 on which 12') is formed is used for semiconductor molding.

도 13은 도 3에 도시된 제조 장치를 사용하여 반도체 몰딩용 필름을 제조하는 공정 중 제1 언와인더부로부터 제2 기재 필름이 공급되고, 제2 언와인더부로부터 일 면에 반도체 몰딩층이 형성된 제2 기재 필름이 공급되는 경로를 나타낸 것이며, 도 14는 도 13에 도시된 제조 공정 중 합지부에서 상기 제1 기재 필름과 상기 제2 기재 필름이 합지되는 공정을 나타낸 것이다.13 is a process of manufacturing a film for semiconductor molding using the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 , a second base film is supplied from the first unwinder unit, and a semiconductor molding layer is formed on one surface from the second unwinder unit. It shows a path through which the second base film is supplied, and FIG. 14 shows a process in which the first base film and the second base film are laminated in the lamination part of the manufacturing process shown in FIG. 13 .

도 13 및 도 14를 참조하면, 상기 제1 언와인더부(110)로부터 상기 제1 언와인더롤(111)에 소정량 권취된 상기 제2 기재 필름(21)이 연속적으로 공급되며, 상기 제2 언와인더부(120)로부터 상기 제2 언와인더롤(121)에 소정량 권취된 상기 제1 기재 필름(11)이 연속적으로 공급된다.13 and 14 , the second base film 21 wound in a predetermined amount from the first unwinder unit 110 to the first unwinder roll 111 is continuously supplied, and the second The first base film 11 wound by a predetermined amount from the unwinder unit 120 to the second unwinder roll 121 is continuously supplied.

이 때, 상기 제2 언와인더부(120)의 제2 언와인더롤(121)에는 도 4에 도시된 이동 경로를 따라 일 면에 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 마련된 상태의 상기 제1 기재 필름(11)이 권취된다.At this time, the second unwinder roll 121 of the second unwinder unit 120 is provided with a semi-cured semiconductor molding layer 12 ′ on one surface along the movement path shown in FIG. 4 . The 1st base film 11 is wound up.

한편, 상기 제2 기재 필름(11)은 상기 제1 언와인더부(110)의 하류에 위치하는 상기 제1 코팅부(130)로 공급되며, 상기 제1 코팅부(130)는 상기 제1 언와인더부(110)로부터 공급된 상기 제2 기재 필름(21)의 일 면에 수지를 코팅하여 미경화 상태의 수지층(12)을 형성한다.Meanwhile, the second base film 11 is supplied to the first coating part 130 located downstream of the first unwinder part 110 , and the first coating part 130 is the first unwinder part 110 . A resin layer 12 in an uncured state is formed by coating a resin on one surface of the second base film 21 supplied from the winder unit 110 .

상기 제2 기재 필름(21)은 상기 수지층(22)이 미경화된 상태로 상기 제1 코팅부(130)의 하류에 위치하는 상기 제2 코팅부(140)로 이송되며, 상기 제2 기재 필름(21)은 상기 미경화된 수지층(22)이 상기 패터닝 롤(141)에 접촉하도록 상기 제2 코팅부(140)로 공급된다.The second base film 21 is transferred to the second coating part 140 located downstream of the first coating part 130 in an uncured state of the resin layer 22 , and the second substrate The film 21 is supplied to the second coating unit 140 so that the uncured resin layer 22 is in contact with the patterning roll 141 .

상기 패터닝 롤(141)에 의해 상기 제2 기재 필름(21)의 일 면에 형성된 상기 수지층(22)의 일 면(즉, 상기 제2 기재 필름(21)과 맞닿지 않는 상기 수지층(22)의 면)에는 소정의 패턴(22')이 마련될 수 있다.One surface of the resin layer 22 formed on one surface of the second base film 21 by the patterning roll 141 (ie, the resin layer 22 not in contact with the second base film 21 ) ) may be provided with a predetermined pattern 22'.

이 때, 상기 수지층(22')에 형성된 패턴은 규칙적 또는 불규칙적인 복수의 패턴을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 패턴은 돌출부 및 오목부로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 돌출부 또는 상기 오목부의 돌출 또는 오목 방향은 상기 수지층(22')의 두께 방향으로 형성된다.In this case, the pattern formed on the resin layer 22 ′ may include a plurality of regular or irregular patterns. Specifically, the pattern may include at least one selected from a protrusion and a concave portion, and the protrusion or concave direction of the protrusion or the concave portion is formed in the thickness direction of the resin layer 22 ′.

또한, 상기 수지층(22')에 형성된 패턴에 포함된 돌출부 또는 오목부(단위 패턴)의 최대 크기는 단위 반도체 칩의 폭보다 작도록 마련되는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 수지층(22')에 형성된 패턴에 포함된 돌출부 또는 오목부의 최대 크기란, 상기 수지층(22')에 형성된 복수의 돌출부 또는 복수의 오목부 중 하나의 돌출부 또는 하나의 오목부의 최대 크기를 의미한다.In addition, it is preferable that the maximum size of the protrusion or the concave portion (unit pattern) included in the pattern formed on the resin layer 22 ′ is smaller than the width of the unit semiconductor chip. Here, the maximum size of the protrusion or concave portion included in the pattern formed on the resin layer 22' is the maximum size of one of the plurality of protrusions or concave portions formed on the resin layer 22'. means size.

상기 수지층(22')에 형성된 패턴에 의해 합지 공정을 통해 상기 제1 기재 필름(11)의 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')에 패턴이 도입되며, 상기 반도체 몰딩층(12')에 도입된 패턴의 최대 크기가 단위 반도체 칩의 폭보다 작도록 마련됨으로써 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시 상기 반도체 몰딩층(12')에 패턴이 없는 경우 대비 반도체 칩이 유동되는 현상(die shift)이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 만약 상기 상기 반도체 몰딩층(12')에 도입된 패턴의 최대 크기가 단위 반도체 칩의 폭보다 클 경우, 상기 반도체 몰딩층(12')에 도입된 단위 패턴 내에서 반도체 칩이 유동(die shift)할 수 있어 상기 반도체 패키지에 대한 후속 공정시 추가적인 얼라인 이슈가 발생할 수 있다.The pattern is introduced into the semi-cured semiconductor molding layer 12' of the first base film 11 through a lamination process by the pattern formed on the resin layer 22', and the semiconductor molding layer 12' ) is provided so that the maximum size of the pattern introduced to the unit semiconductor chip is smaller than the width of the unit semiconductor chip, so that during the compression molding process for the semiconductor package, the semiconductor chip flows compared to the case where the semiconductor molding layer 12 ′ has no pattern ) can be prevented from occurring. If the maximum size of the pattern introduced into the semiconductor molding layer 12' is greater than the width of the unit semiconductor chip, the semiconductor chip may die within the unit pattern introduced into the semiconductor molding layer 12'. Therefore, an additional alignment issue may occur during a subsequent process of the semiconductor package.

또한, 상기 반도체 몰딩층(12')에 도입된 패턴의 최대 크기가 단위 반도체 칩의 폭보다 작도록 마련됨으로써 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시 상기 반도체 칩간 간격에 상기 반도체 몰딩층(12')을 구성하는 에폭시 몰딩용 화합물의 유동성 및 충진성 등을 향상시켜 보이드 트랩 및 불충분 충진(미충진) 현상을 미연에 방지할 수 있다.In addition, the maximum size of the pattern introduced into the semiconductor molding layer 12' is provided to be smaller than the width of the unit semiconductor chip, so that the semiconductor molding layer 12' is formed in the gap between the semiconductor chips during the compression molding process for the semiconductor package. It is possible to prevent void traps and insufficient filling (not filling) in advance by improving the fluidity and filling properties of the constituent epoxy molding compounds.

상기 반도체 몰딩층(12')을 구성하는 에폭시 몰딩용 화합물의 유동성 및 충진성 등을 더욱 향상시키기 위해 상기 수지층(22')에 형성된 패턴에 포함된 돌출부 또는 오목부(단위 패턴)의 최대 크기는 단위 반도체 칩 사이의 간격보다 작도록 할 수도 있다.The maximum size of the protrusion or recess (unit pattern) included in the pattern formed on the resin layer 22' in order to further improve the fluidity and filling properties of the epoxy molding compound constituting the semiconductor molding layer 12'. may be made smaller than the spacing between the unit semiconductor chips.

상기 패터닝 롤(141)에 의해 상기 수지층(22)에 도입된 패턴은 상기 경화부(150)에 의해 고정되거나, 상기 제2 코팅부(140)에 별도로 마련된 광 경화부(142, 143)에 의해 경화되어 고정될 수 있다.The pattern introduced into the resin layer 22 by the patterning roll 141 is fixed by the curing unit 150 or applied to the light curing units 142 and 143 provided separately in the second coating unit 140 . It can be cured and fixed by

이에 따라, 상기 합지부(160)로 공급되는 상기 제2 기재 필름(21)의 일 면에는 상기 광 경화부(142, 143) 및/또는 상기 경화부(150)를 통과함에 따라 경화된 상태의 패턴화된 수지층(22')이 마련되며(I), 상기 제1 기재 필름(11)의 일 면에는 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 마련된다(J).Accordingly, on one surface of the second base film 21 supplied to the lamination unit 160 , as it passes through the light curing units 142 and 143 and/or the curing unit 150 , there is a cured state. A patterned resin layer 22' is provided (I), and a semi-cured semiconductor molding layer 12' is provided on one surface of the first base film 11 (J).

상기 합지부(160)에는 상하 방향으로 서로 대향하도록 배치된 상부 라미네이트 롤(161)과 하부 라미네이트 롤(162)이 구비되며, 일 면에 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 마련된 상기 제1 기재 필름(11)과 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상기 제2 기재 필름(21)은 상기 상부 라미네이트 롤(161)과 하부 라미네이트 롤(162) 사이를 통과하여 서로 합지된다. 상기 상부 라미네이트 롤(161)과 상기 하부 라미네이트 롤(162) 사이로 공급되는 일 면에 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 마련된 상기 제1 기재 필름(11)과 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상기 제2 기재 필름(21)의 공급 속도는 상호 동기화될 수 있다.The lamination part 160 is provided with an upper laminate roll 161 and a lower laminate roll 162 disposed to face each other in the vertical direction, and the first surface having a semi-cured semiconductor molding layer 12 ′ is provided on one surface. The first base film 11 and the second base film 21 provided with a patterned resin layer 22 ′ on one surface pass between the upper laminate roll 161 and the lower laminate roll 162 and are laminated to each other. do. The first base film 11 provided with a semi-cured semiconductor molding layer 12' on one surface supplied between the upper laminate roll 161 and the lower laminate roll 162 and patterned water on one surface The feed rates of the second base film 21 provided with the formation layer 22 ′ may be synchronized with each other.

상기 제1 기재 필름(11)과 상기 제2 기재 필름(21)은 각각 반경화 상태의 몰딩층(12')과 패턴화된 수지층(22')이 서로 합착할 수 있도록 공급된다. 이에 따라, 상기 상부 라미네이트 롤(161)과 상기 하부 라미네이트 롤(162)을 통과함에 따라 일 면에 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 마련된 상기 제1 기재 필름(11)과 일 면에 패턴화된 수지층(22')이 마련된 상기 제2 기재 필름(21)이 합지되는 경우, 상기 수지층(22')의 패턴에 대응하는 패턴이 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')에 형성될 수 있다(K). The first base film 11 and the second base film 21 are supplied so that the semi-cured molding layer 12 ′ and the patterned resin layer 22 ′ can be bonded to each other, respectively. Accordingly, as it passes through the upper laminate roll 161 and the lower laminate roll 162, the first base film 11 provided with a semi-cured semiconductor molding layer 12' on one surface and on one surface When the second base film 21 provided with the patterned resin layer 22' is laminated, the pattern corresponding to the pattern of the resin layer 22' is the semi-cured semiconductor molding layer 12'. may be formed in (K).

한편, 일 면이 패턴화된 상기 수지층(22')을 이용하여 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')의 일 면에 패턴을 도입한 경우라 하더라도, 상기 반도체 몰딩층(12')은 반경화 상태이므로 곧바로 상기 패턴화된 반도체 몰딩층(12')의 상부에 평평한 이형 필름을 합지한 후 권취할 경우, 상기 반도체 몰딩층(12')의 일 면에 도입된 패턴의 형상이 유지되지 않을 수 있다.On the other hand, even when a pattern is introduced on one surface of the semi-cured semiconductor molding layer 12' using the resin layer 22' having one surface patterned, the semiconductor molding layer 12' Since silver is in a semi-cured state, when a flat release film is immediately laminated on top of the patterned semiconductor molding layer 12' and then wound up, the shape of the pattern introduced on one surface of the semiconductor molding layer 12' is maintained. it may not be

이에 따라, 상기 반도체 몰딩층(12')의 일 면에 도입된 패턴을 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시까지 유지하기 위해서는 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 형성된 상기 제1 기재 필름(11)과 상기 패턴화된 수지층(22')이 형성된 상기 제2 기재 필름(21)을 합지한 상태로 유지 및 권취할 필요가 있다.Accordingly, in order to maintain the pattern introduced on one surface of the semiconductor molding layer 12 ′ until the compression molding process for the semiconductor package, the first base film on which the semi-cured semiconductor molding layer 12 ′ is formed. (11) and the second base film 21 on which the patterned resin layer 22' is formed needs to be maintained and wound in a laminated state.

결과적으로, 본 발명에 따른 반도체 몰딩용 필름 제조 장치(100)에 의해 제조된 반도체 몰딩용 필름은 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 형성된 상기 제1 기재 필름(11)과 상기 패턴화된 수지층(22')이 형성된 상기 제2 기재 필름(21)을 합지한 상태로 제공되며, 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')은 상기 패턴화된 수지층(22')의 패턴에 대응하는 형상으로 패턴화될 수 있다. 상술한 방법에 따라 제조된 반도체 몰딩용 필름은 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시 상기 패턴화된 수지층(22')이 형성된 상기 제2 기재 필름(21)을 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 형성된 상기 제1 기재 필름(11)으로부터 박리하여 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 형성된 상기 제1 기재 필름(11)을 반도체 몰딩용으로 사용하게 된다.As a result, the film for semiconductor molding manufactured by the apparatus 100 for manufacturing the film for semiconductor molding according to the present invention is formed with the first base film 11 and the pattern on which the semi-cured semiconductor molding layer 12' is formed. The second base film 21 on which the resin layer 22' is formed is provided in a laminated state, and the semi-cured semiconductor molding layer 12' is the patterned resin layer 22'. It may be patterned into a shape corresponding to the pattern. The semiconductor molding film manufactured according to the method described above is formed by applying the second base film 21 on which the patterned resin layer 22 ′ is formed during the compression molding process for the semiconductor package to the semi-cured semiconductor molding layer ( The first base film 11 on which the semi-cured semiconductor molding layer 12' is formed by peeling from the first base film 11 on which 12') is formed is used for semiconductor molding.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 몰딩용 필름 제조 장치(100)를 사용할 경우, 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 형성된 상기 제1 기재 필름(11)과 상기 패턴화된 수지층(22')이 형성된 상기 제2 기재 필름(21)을 제조하는 공정뿐만 아니라 상기 반경화 상태의 반도체 몰딩층(12')이 형성된 상기 제1 기재 필름(11)과 상기 패턴화된 수지층(22')이 형성된 상기 제2 기재 필름(21)을 합지하는 공정 역시 동일한 장치 내에서 연속적인 롤-투-롤 방식으로 대량 생산하는 것이 가능하다는 점에서 생산성 및 경제성 등이 우수한 반도체 몰딩용 필름의 연속식 제조 공정을 확립할 수 있다.As described above, when using the film manufacturing apparatus 100 for semiconductor molding according to the present invention, the first base film 11 on which the semi-cured semiconductor molding layer 12' is formed and the patterned number In addition to the process of manufacturing the second base film 21 on which the support layer 22' is formed, the first base film 11 on which the semi-cured semiconductor molding layer 12' is formed and the patterned resin layer The process of laminating the second base film 21 on which (22') is formed is also a film for semiconductor molding excellent in productivity and economy in that it is possible to mass-produce it in a continuous roll-to-roll method in the same apparatus. can establish a continuous manufacturing process of

본 발명에 따른 반도체 몰딩용 필름 제조 장치(100)를 사용하여 제조된 반도체 몰딩용 필름은 종래 고상 또는 액상 형태의 에폭시 몰딩용 화합물을 이용한 트랜스퍼 몰딩 공정의 문제점을 해소할 수 있는 컴프레션 몰딩 공정용으로 사용될 수 있으며, 특히 반도체 패키지에 대한 컴프레션 몰딩 공정시 반경화된 반도체 몰딩층에 의해 반도체 칩이 유동되는 현상(die shift)이 발생하는 것을 방지하고, 반도체 칩에 가해지는 압력을 균일하게 함으로써 외력에 의한 반도체 칩의 크랙 현상을 개선할 수 있음은 물론, 상기 반도체 몰딩층을 구성하는 에폭시 몰딩용 화합물의 유동성 및 충진성 등을 향상시켜 반도체 몰딩 공간 및 단위 반도체 칩간 간격 내 보이드 트랩 및 불충분 충진(미충진) 현상을 미연에 방지할 수 있다.The film for semiconductor molding manufactured using the apparatus 100 for manufacturing the film for semiconductor molding according to the present invention is a compression molding process that can solve the problems of the conventional transfer molding process using the epoxy molding compound in solid or liquid form. In particular, during the compression molding process for the semiconductor package, the semi-hardened semiconductor molding layer prevents the die shift from occurring, and makes the pressure applied to the semiconductor chip to be uniform. In addition to being able to improve the crack phenomenon of the semiconductor chip by the semiconductor molding layer, the fluidity and filling properties of the epoxy molding compound constituting the semiconductor molding layer are improved to trap voids in the semiconductor molding space and the gap between the unit semiconductor chips and fill (unfilled) filling) can be prevented in advance.

이상, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.As described above, the embodiments of the present invention have been described, but those of ordinary skill in the art may add, change, delete or add components within the scope that does not depart from the spirit of the present invention described in the claims. The present invention may be variously modified and changed by the present invention, and this will also be included within the scope of the present invention.

Claims (14)

제1 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 제1 언와인더부;
상기 제1 언와인더부의 하류에 위치하며, 상기 제1 기재 필름의 일 면에 반도체 몰딩용 화합물을 도포하여 반도체 몰딩층을 형성하는 제1 코팅부;
상기 제1 코팅부의 하류에 위치하며, 상기 제1 기재 필름의 일 면에 도포된 상기 반도체 몰딩층을 반경화시키는 경화부;
상기 경화부의 하류에 위치하며, 일 면에 수지층이 형성된 제2 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 제2 언와인더부;
상기 경화부 및 상기 제2 언와인더부의 하류에 위치하며, 상기 반도체 몰딩층이 형성된 상기 제1 기재 필름과 상기 수지층이 형성된 상기 제2 기재 필름을 상기 반도체 몰딩층과 상기 수지층이 합착하도록 합지하는 합지부; 및
상기 합지부의 하류에 위치하며, 합지된 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름을 권취하는 리와인더부;
를 포함하며,
상기 제1 기재 필름의 반도체 몰딩층에 대향하는 상기 수지층의 일 면에 규칙적 또는 불규칙적인 복수의 패턴이 마련되고,
상기 패턴은 돌출부 및 오목부로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는,
반도체 몰딩용 필름 제조 장치.
a first unwinder unit for continuously supplying the first base film in one direction;
a first coating part located downstream of the first unwinder part and forming a semiconductor molding layer by applying a compound for semiconductor molding on one surface of the first base film;
a curing part located downstream of the first coating part and semi-curing the semiconductor molding layer applied to one surface of the first base film;
a second unwinder unit located downstream of the curing unit and continuously supplying a second base film having a resin layer formed on one surface thereof in one direction;
Located downstream of the curing part and the second unwinder part, the first base film on which the semiconductor molding layer is formed and the second base film on which the resin layer is formed are bonded to the semiconductor molding layer and the resin layer. Laminating unit for laminating; and
a rewinder unit located downstream of the lamination unit and winding the laminated first and second base films;
includes,
A plurality of regular or irregular patterns are provided on one surface of the resin layer opposite to the semiconductor molding layer of the first base film,
wherein the pattern comprises at least one selected from protrusions and concavities,
Film manufacturing apparatus for semiconductor molding.
 제1항에 있어서,
상기 제1 코팅부는 상기 제1 기재 필름의 일 면에 반도체 몰딩용 화합물을 균일한 두께로 코팅하기 위한 슬롯 다이 코터 또는 콤마 코터인,
반도체 몰딩용 필름 제조 장치.
According to claim 1,
The first coating unit is a slot die coater or comma coater for coating a compound for semiconductor molding on one surface of the first base film to a uniform thickness,
Film manufacturing apparatus for semiconductor molding.
 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 패턴에 포함된 돌출부 또는 오목부의 최대 크기는 단위 반도체 칩의 폭보다 작도록 마련된,
반도체 몰딩용 필름 제조 장치.
According to claim 1,
The maximum size of the protrusion or concave portion included in the pattern is provided to be smaller than the width of the unit semiconductor chip,
Film manufacturing apparatus for semiconductor molding.
 제1항에 있어서,
상기 제1 기재 필름과 상기 제2 기재 필름의 합지에 의해 상기 수지층에 합착된 상기 반도체 몰딩층에 상기 수지층의 패턴에 대응하는 패턴이 형성되는,
반도체 몰딩용 필름 제조 장치.
According to claim 1,
A pattern corresponding to the pattern of the resin layer is formed on the semiconductor molding layer bonded to the resin layer by lamination of the first base film and the second base film,
Film manufacturing apparatus for semiconductor molding.
 제2 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 제1 언와인더부;
상기 제1 언와인더부의 하류에 위치하며, 상기 제2 기재 필름의 일 면에 수지를 도포하여 수지층을 형성하는 제1 코팅부;
상기 제1 코팅부의 하류에 위치하며, 상기 제2 기재 필름의 일 면에 도포된 상기 수지층의 일 면에 패턴을 형성하는 제2 코팅부;
상기 제2 코팅부의 하류에 위치하며, 상기 제2 기재 필름의 일 면에 패턴화된 상기 수지층을 경화시키는 경화부;
상기 경화부의 하류에 위치하며, 일 면에 반도체 몰딩용 화합물을 반경화시킨 반도체 몰딩층이 형성된 제1 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 제2 언와인더부;
상기 경화부 및 상기 제2 언와인더부의 하류에 위치하며, 상기 반도체 몰딩층이 형성된 상기 제1 기재 필름과 상기 수지층이 형성된 상기 제2 기재 필름을 상기 반도체 몰딩층과 상기 수지층이 합착하도록 합지하는 합지부; 및
상기 합지부의 하류에 위치하며, 합지된 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름을 권취하는 리와인더부;
를 포함하는,
반도체 몰딩용 필름 제조 장치.
a first unwinder unit continuously supplying the second base film in one direction;
a first coating part located downstream of the first unwinder part and forming a resin layer by applying a resin to one surface of the second base film;
a second coating part located downstream of the first coating part and forming a pattern on one surface of the resin layer applied to one surface of the second base film;
a curing unit located downstream of the second coating unit and curing the resin layer patterned on one surface of the second base film;
a second unwinder unit located downstream of the curing unit and continuously supplying the first base film in one direction on which a semiconductor molding layer obtained by semi-curing a semiconductor molding compound is formed on one surface;
Located downstream of the curing part and the second unwinder part, the first base film on which the semiconductor molding layer is formed and the second base film on which the resin layer is formed are bonded to the semiconductor molding layer and the resin layer. Laminating unit for laminating; and
a rewinder unit located downstream of the lamination unit and winding the laminated first and second base films;
containing,
Film manufacturing apparatus for semiconductor molding.
 제6항에 있어서,
상기 제1 코팅부는 상기 제2 기재 필름의 일 면에 수지를 균일한 두께로 코팅하기 위한 슬롯 다이 코터인,
반도체 몰딩용 필름 제조 장치.
7. The method of claim 6,
The first coating unit is a slot die coater for coating a resin with a uniform thickness on one surface of the second base film,
Film manufacturing apparatus for semiconductor molding.
 제6항에 있어서,
상기 제2 코팅부는 상기 수지층의 외주면에 규칙적 또는 불규칙적인 복수의 패턴을 형성하기 위한 패턴이 마련된 패터닝 롤을 포함하며,
상기 패턴은 돌출부 및 오목부로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는,
반도체 몰딩용 필름 제조 장치.
7. The method of claim 6,
The second coating unit includes a patterning roll provided with a pattern for forming a plurality of regular or irregular patterns on the outer peripheral surface of the resin layer,
wherein the pattern comprises at least one selected from protrusions and concavities,
Film manufacturing apparatus for semiconductor molding.
 제8항에 있어서,
상기 패턴에 포함된 돌출부 또는 오목부의 최대 크기는 단위 반도체 칩의 폭보다 작도록 마련된,
반도체 몰딩용 필름 제조 장치.
9. The method of claim 8,
The maximum size of the protrusion or the concave portion included in the pattern is provided to be smaller than the width of the unit semiconductor chip,
Film manufacturing apparatus for semiconductor molding.
 제6항에 있어서,
상기 제1 기재 필름과 상기 제2 기재 필름의 합지에 의해 상기 수지층에 합착된 상기 반도체 몰딩층에 상기 수지층의 패턴에 대응하는 패턴이 형성되는,
반도체 몰딩용 필름 제조 장치.
7. The method of claim 6,
A pattern corresponding to the pattern of the resin layer is formed on the semiconductor molding layer bonded to the resin layer by lamination of the first base film and the second base film,
Film manufacturing apparatus for semiconductor molding.
 제1 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 단계;
상기 제1 기재 필름의 일 면에 반도체 몰딩용 화합물을 도포하여 반도체 몰딩층을 형성하는 단계;
상기 제1 기재 필름의 일 면에 도포된 상기 반도체 몰딩층을 반경화시키는 단계;
일 면에 수지층이 형성된 제2 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 단계;
상기 반도체 몰딩층이 형성된 상기 제1 기재 필름과 상기 수지층이 형성된 상기 제2 기재 필름을 합지하는 단계; 및
합지된 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름을 권취하는 단계;
를 포함하며,
상기 제1 기재 필름의 반도체 몰딩층에 대향하는 상기 수지층의 일 면에 규칙적 또는 불규칙적인 복수의 패턴이 마련되고,
상기 패턴은 돌출부 및 오목부로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는,
반도체 몰딩용 필름 제조 방법.
continuously supplying the first base film in one direction;
forming a semiconductor molding layer by applying a compound for semiconductor molding on one surface of the first base film;
semi-curing the semiconductor molding layer applied to one surface of the first base film;
continuously supplying a second base film having a resin layer formed on one surface in one direction;
laminating the first base film on which the semiconductor molding layer is formed and the second base film on which the resin layer is formed; and
winding the laminated first base film and the second base film;
includes,
A plurality of regular or irregular patterns are provided on one surface of the resin layer opposite to the semiconductor molding layer of the first base film,
wherein the pattern comprises at least one selected from protrusions and concavities,
A method for manufacturing a film for semiconductor molding.
 제11항에 있어서,
상기 제1 기재 필름과 상기 제2 기재 필름의 합지에 의해 상기 수지층에 합착된 상기 반도체 몰딩층에 상기 수지층의 패턴에 대응하는 패턴이 형성되는,
반도체 몰딩용 필름 제조 방법.
12. The method of claim 11,
A pattern corresponding to the pattern of the resin layer is formed on the semiconductor molding layer bonded to the resin layer by lamination of the first base film and the second base film,
A method for manufacturing a film for semiconductor molding.
 제2 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 단계;
상기 제2 기재 필름의 일 면에 수지를 도포하여 수지층을 형성하는 단계;
상기 수지층의 일 면에 규칙적 또는 불규칙적인 복수의 패턴을 마련하는 단계;
상기 제2 기재 필름의 일 면에 패턴화된 상기 수지층을 경화시키는 단계;
일 면에 반도체 몰딩층이 형성된 제1 기재 필름을 일 방향으로 연속적으로 공급하는 단계;
상기 반도체 몰딩층이 형성된 상기 제1 기재 필름과 상기 수지층이 형성된 상기 제2 기재 필름을 합지하는 단계; 및
합지된 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름을 권취하는 단계;
를 포함하며,
상기 패턴은 돌출부 및 오목부로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는,
반도체 몰딩용 필름 제조 방법.
continuously supplying a second base film in one direction;
forming a resin layer by applying a resin to one surface of the second base film;
providing a plurality of regular or irregular patterns on one surface of the resin layer;
curing the resin layer patterned on one surface of the second base film;
continuously supplying a first base film having a semiconductor molding layer formed on one surface thereof in one direction;
laminating the first base film on which the semiconductor molding layer is formed and the second base film on which the resin layer is formed; and
winding the laminated first base film and the second base film;
includes,
wherein the pattern comprises at least one selected from protrusions and concavities,
A method for manufacturing a film for semiconductor molding.
 제13항에 있어서,
상기 제1 기재 필름과 상기 제2 기재 필름의 합지에 의해 상기 수지층에 합착된 상기 반도체 몰딩층에 상기 수지층의 패턴에 대응하는 패턴이 형성되는,
반도체 몰딩용 필름 제조 방법.14. The method of claim 13,
A pattern corresponding to the pattern of the resin layer is formed on the semiconductor molding layer bonded to the resin layer by lamination of the first base film and the second base film,
A method for manufacturing a film for semiconductor molding.
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