KR102265414B1 - Cleansing composition for metal film - Google Patents

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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 금속막용 세정제 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플랫패널 디스플레이 제조 공정 중 금속 막질 위에 남게 되는 잔사 및 불순물을 제거하는 세정제 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning composition for a metal film, and more particularly, to a cleaning composition for removing residues and impurities remaining on a metal film during a flat panel display manufacturing process.

Description

금속막용 세정제 조성물{CLEANSING COMPOSITION FOR METAL FILM}Cleaning composition for metal film {CLEANSING COMPOSITION FOR METAL FILM}

본 발명은 금속막용 세정제 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플랫패널 디스플레이 제조 공정에 있어서, 다양한 공정 과정 후 금속 기판 위에 남게 되는 잔사, 불순물 및 오염물 등을 제거하는 세정제 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning composition for a metal film, and more particularly, to a cleaning composition for removing residues, impurities, contaminants, etc. remaining on a metal substrate after various processing processes in a flat panel display manufacturing process.

플랫패널 디스플레이 장치(flat panel display device)는, 반도체 디바이스와 같이, 성막, 노광, 에칭 등의 공정을 거쳐 제품이 제조된다. 하지만, 이러한 제조공정 중에, 기판 표면에 각종의 유기물이나 무기물 등이 부착되는 오염이 발생하며 잔사 등이 남게 되는 문제점이 발생한다. 이러한 오염물이 부착되거나. 잔사 등이 남아있는 상태로 다음의 공정 처리를 실시했을 경우, 막의 핀홀이나 피트, 배선의 단선이나 브릿지(Bridge)가 발생하여, 제품의 제조 수율이 저하된다.BACKGROUND ART A flat panel display device, like a semiconductor device, is manufactured through processes such as film formation, exposure, and etching. However, during such a manufacturing process, contamination by adhesion of various organic or inorganic substances to the surface of the substrate occurs, and there is a problem in that residues are left. or these contaminants. When the following process treatment is performed in a state where residues, etc. remain, pinholes or pits in the film, disconnection of wiring or bridges occur, and the production yield of the product decreases.

따라서, 오염물을 제거하기 위한 세정이 각 공정 간에 행해지고 있고, 이를 위한 세정제에 대해서도 많은 연구가 있었다. Therefore, cleaning to remove contaminants is performed between each process, and there have been many studies on cleaning agents for this purpose.

관련하여, 대한민국 공개특허 제2004-0035368호에서는 알칸올 아민, 유기용매, 킬레이트 화합물 및 물로 구성된 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물을 개시하고 있다. 하지만, 상기 세정제는 유기오염물 및 파티클 제거력이 부족하고, 폴리하이드록시 벤젠계 킬레이트 화합물인 카테콜 또는 갈산 등으로 인해 장기간 사용시 석출 문제가 발생할 수 있다. 대한민국 공개특허 제2006-0127098호에서는 유기산, 유기 알칼리, 계면활성제 및 물을 포함하는 반도체 디바이스용 기판의 세정제를 개시하고 있다. In relation to this, Korean Patent Laid-Open No. 2004-0035368 discloses a cleaning composition for semiconductors and TFT-LCDs composed of an alkanol amine, an organic solvent, a chelate compound, and water. However, the cleaning agent lacks the ability to remove organic contaminants and particles, and may cause precipitation problems when used for a long period of time due to polyhydroxybenzene-based chelate compounds such as catechol or gallic acid. Korean Patent Laid-Open No. 2006-0127098 discloses a cleaning agent for a substrate for a semiconductor device comprising an organic acid, an organic alkali, a surfactant, and water.

하지만, 상기 공개특허의 세정제는 산성 범위의 용액이므로 린스 공정 시, 잔여물이 남을 수 있으며 파티클 제거력이 불충분하다는 단점이 있다. 또한, 금속막에 대한 부식 방지 능력이 우수하지 못하다는 단점이 있다.However, since the detergent of the disclosed patent is a solution in an acidic range, there is a disadvantage that a residue may remain during the rinsing process and the particle removal power is insufficient. In addition, there is a disadvantage that the corrosion prevention ability of the metal film is not excellent.

대한민국 공개특허 2004-0035368Republic of Korea Patent Publication 2004-0035368 대한민국 공개특허 2006-0127098Republic of Korea Patent Publication 2006-0127098

본 발명은, 상기 종래기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 염기성 부식 방지제를 포함하는 금속막용 세정제 조성물을 제공함으로써 잔사 및 불순물 제거 과정에서 금속막의 손상을 일으키지 않으며, 잔사 및 불순물 등의 우수한 제거능을 갖는 동시에, 린스 과정에서 부식 방지제 잔여물이 남지 않도록 하는 금속막용 세정제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised to solve the problems of the prior art, and by providing a cleaning composition for a metal film containing a basic corrosion inhibitor, it does not cause damage to the metal film in the process of removing residues and impurities, and excellent removal ability of residues and impurities At the same time, an object of the present invention is to provide a cleaning composition for a metal film that does not leave a corrosion inhibitor residue in the rinse process.

본 발명은,The present invention is

(A) 알칼리금속하이드록사이드 및 알킬암모늄하이드록사이드 중에서 선택되는 1종 이상, (B) 상기 하이드록사이드를 100중량부 당 1중량부 이상 용해시킬 수 있는 극성용제 및, (C) 염기성 부식방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물을 제공한다.(A) at least one selected from alkali metal hydroxide and alkylammonium hydroxide, (B) a polar solvent capable of dissolving at least 1 part by weight per 100 parts by weight of the hydroxide, and (C) basic corrosion It provides a cleaning composition for a metal film, characterized in that it contains an inhibitor.

상기 염기성 부식 방지제는 바람직하게는 아민기 함유 피리딘일 수 있다.The basic corrosion inhibitor may preferably be an amine group-containing pyridine.

본 발명의 금속막용 세정제 조성물은 염기성 부식방지제를 포함함으로써, 세정 시 금속의 부식을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 순수에 의한 린스 공정 후 잔여물이 남지 않는 효과를 제공할 수 있다.Since the cleaning composition for a metal film of the present invention includes a basic corrosion inhibitor, it is possible to prevent corrosion of the metal during cleaning, as well as provide an effect that no residue is left after the rinse process with pure water.

도 1은 세정시 발생하는 금속막 표면의 부식 상태를 나타낸 주사전자현미경(SEM) 사진이며,
도 1의 (A)는 세정 후 부식이 발생하지 않은 상태, (B)는 약간의 산화로 소량의 금속산화물이 생성된 상태, (C)는 상당한 양의 산화로 다량의 금속산화물이 생성된 상태, (D)는 다량의 금속산화물이 생성된 후 식각되어 사라져서, 표면이 매우 거칠어진 상태의 사진이다.
1 is a scanning electron microscope (SEM) photograph showing the corrosion state of the surface of the metal film that occurs during cleaning,
1 (A) is a state in which corrosion does not occur after cleaning, (B) is a state in which a small amount of metal oxide is produced by slight oxidation, (C) is a state in which a large amount of metal oxide is produced by a significant amount of oxidation , (D) is a photograph of a state in which a large amount of metal oxide is generated and then etched away and the surface is very rough.

이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은, The present invention is

플랫패널 디스플레이 제조 공정에서 세정제 조성물에 노출될 수도 있는 금속막 등의 금속은 임의의 원치 않는 정도로 부식시키지 않고, 기판으로부터 플라즈마 식각 후 잔재물, 플라즈마 박리 후 잔재물 등의 잔재물 또는 기타 국한되지 않는 잔재물을 제거할 수 있으며, 린스 후에 부식 방지제 잔여물이 남지 않는 금속막용 세정제 조성물에 관해 개시한다.In the flat panel display manufacturing process, metals such as metal films that may be exposed to the cleaning composition are not corroded to any undesirable degree, and residues such as, but not limited to, residues after plasma etching, residues after plasma exfoliation, etc. are removed from the substrate Disclosed is a cleaning composition for a metal film that does not leave a corrosion inhibitor residue after rinsing.

즉, 에칭 등의 공정 이후 금속 막질의 부식은 방지하며, 막질 위에 남게 되는 잔사 및 불순물을 우수하게 제거하는 금속막용 세정제 조성물에 대한 것으로,That is, it relates to a cleaning composition for a metal film that prevents corrosion of the metal film after a process such as etching and excellently removes residues and impurities remaining on the film quality,

(A) 알칼리금속하이드록사이드 및 알킬암모늄하이드록사이드 중에서 선택되는 하이드록사이드 1종 이상, (B) 상기 하이드록사이드를 100중량부 당 1중량부 이상 용해시킬 수 있는 극성용제 및, (C) 염기성 부식방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물에 관한 것이다.
(A) at least one hydroxide selected from alkali metal hydroxide and alkylammonium hydroxide, (B) a polar solvent capable of dissolving at least 1 part by weight per 100 parts by weight of the hydroxide, and (C ) It relates to a cleaning composition for a metal film, characterized in that it contains a basic corrosion inhibitor.

본 발명의 세정제 조성물은 상기와 같은 조성에 의해, 세정 시 금속막에 대한 방식성을 가질 뿐만 아니라, 레지스트, 유기 절연막 및 투명레진 등의 잔사 및 불순물을 용이하게 제거하고, 린스 공정에서 잔여물이 남지 않는 효과를 제공할 수 있다.
The cleaning composition of the present invention not only has corrosion resistance to the metal film during cleaning, but also easily removes residues and impurities such as resist, organic insulating film, and transparent resin by the composition as described above, and the residue in the rinsing process is removed. It can provide a lasting effect.

이하, 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
Hereinafter, each component is demonstrated concretely.

(A) (A) 하이드록사이드hydroxide 화합물 compound

본 발명의 하이드록사이드 화합물은 하이드록사이드 이온을 배출하며, 이는 레지스트 등의 잔사 내로 침투하여 고분자 레지스트 등의 용해를 촉진하는 역할을 한다. 또한, 유기 오염물 및 무기 오염물에 대한 세정 작용을 하며, 세정 후 파티클(particle)의 재흡착을 방지할 수 있도록 하여 세정의 효과를 향상시킨다.The hydroxide compound of the present invention discharges hydroxide ions, which penetrate into residues such as resists and serve to promote dissolution of polymer resists and the like. In addition, it has a cleaning action on organic and inorganic contaminants, and improves the cleaning effect by preventing re-adsorption of particles after cleaning.

상기 하이드록사이드 화합물은 알칼리금속 하이드록사이드 및 알킬암모늄하이드록사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.The hydroxide compound may be at least one selected from the group consisting of alkali metal hydroxides and alkylammonium hydroxides.

상기 알칼리금속 하이드록사이드는 일례로, LiOH, NaOH, KOH, RbOH 및 CsOH 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The alkali metal hydroxide may include, for example, LiOH, NaOH, KOH, RbOH and CsOH, and these may be used alone or in combination of two or more, but is not limited thereto.

상기 알킬암모늄 하이드록사이드는 일례로, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(TEAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
The alkylammonium hydroxide is, for example, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), tetrapropylammonium hydroxide (TPAH) and tetrabutylammonium hydroxide (TBAH). It may be one or more selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

본 발명의 하이드록사이드 화합물은 세정제 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하며, 0.3 내지 1 중량% 포함되는 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 하이드록사이드 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되면 하이드록사이드 이온의 레지스트 고분자 내의 침투력이 감소되며, 레지스트에 대한 용해력이 떨어지며, 5 중량%를 초과하면 금속의 부식이 발생하며, 물의 함량이 증가되어 고분자 레진 등에 대한 용해력이 감소되는 문제가 있다.The hydroxide compound of the present invention is preferably included in an amount of 0.1 to 5% by weight, more preferably 0.3 to 1% by weight, based on the total weight of the cleaning composition. When the hydroxide compound is included in an amount of less than 0.1% by weight in the cleaning composition of the present invention, the penetration power of hydroxide ions in the resist polymer is reduced, the solubility in resist is reduced, and when it exceeds 5% by weight, corrosion of the metal occurs. And, there is a problem in that the content of water is increased, so that the dissolving power for the polymer resin and the like is reduced.

다만, 본 발명의 세정제 조성물은 세정제로 사용시에는 상기의 함량비인 것이 바람직하나, 운반과 저장의 용이성을 고려하여, 세정제 조성물 총 중량에 대하여 하이드록사이드 화합물 10 내지 30 중량%로 포함하여 제조되어 운반 및 저장하고, 사용시에 상기의 조성으로 희석하여 사용하는 것이 바람직하다.
However, the detergent composition of the present invention preferably has the above content ratio when used as a detergent, but in consideration of the ease of transport and storage, it is prepared and transported by including 10 to 30% by weight of the hydroxide compound with respect to the total weight of the detergent composition And it is preferable to store and dilute to the above composition when used.

(B) 극성용제(B) Polar solvent

본 발명의 (B) 극성용제는 레지스트에 침투하여 팽윤성을 증가시켜 기판 표면으로부터 잔사 등의 박리력을 증가시킨다. 또한, 본 발명의 세정제 조성물의 물에 대한 용해력을 향상시키고, 이후 수세 공정에서 잔류물 및 세정제 조성물의 제거가 용이하도록 한다.The polar solvent (B) of the present invention penetrates the resist and increases the swelling property, thereby increasing the peeling force of residues from the surface of the substrate. In addition, it improves the solubility in water of the cleaning composition of the present invention, and facilitates the removal of residues and the cleaning composition in the subsequent water washing process.

상기 극성용제는 상기 하이드록사이드 화합물을 100 중량부 당 1 중량부 이상 용해시킬 수 있는 것을 특징으로 한다. 이는 제조, 저장시 경시에 의한 하이드록사이드 화합물의 침전물 발생을 억제하기 위하여 필요하다. 또한 세정 공정에서 가온조건에서 세정을 진행할 경우, 용제의 휘발에 의한 하이드록사이드 화합물의 농도 증가에 의한 침전물 발생을 억제하기 위해서 필요하다.The polar solvent is characterized in that it can dissolve 1 part by weight or more per 100 parts by weight of the hydroxide compound. This is necessary in order to suppress the occurrence of precipitates of the hydroxide compound due to aging during production and storage. In addition, when washing is performed under heating conditions in the washing process, it is necessary to suppress the occurrence of precipitates due to an increase in the concentration of the hydroxide compound due to volatilization of the solvent.

상기 극성용제로는 양자성 극성용제와 비양자성 극성용제를 들 수 있으며 이들은 각각 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 양자성 극성용제의 바람직한 예로는, 물(탈이온수), 알킬알콜류, 글리콜류 등을 들 수 있으며, 알킬알콜류의 일례로, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, t-부탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올 및 옥탄올 등을 들 수 있으며,The polar solvent may include a protic polar solvent and an aprotic polar solvent, which may be used alone or in combination. Preferred examples of the protic polar solvent include water (deionized water), alkyl alcohols, glycols, and the like, and examples of the alkyl alcohols include methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, isobutanol, t-butanol, pentanol, hexanol, heptanol and octanol;

글리콜류의 일례로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.Examples of glycols include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono Isopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol monobutyl and alkylene glycol monoalkyl ethers such as ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and tripropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and tetrahydrofurfuryl alcohol. The species may be used alone or two or more species may be used together.

상기 비양자성 극성용제의 바람직한 예로는 N-메틸 피롤리돈(NMP), N-에틸피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디프로필-2-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸설폭사이드(DMSO), 디에틸설폭사이드, 디프로필설폭사이드, 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토 등의 카보네이트 화합물; 포름아마이드, N-메틸포름아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, 아세트아마이드, N-메틸아세트아마이드, N,N-디메틸아세트아마이드, N-(2-히드록시에틸)아세트아마이드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아마이드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아마이드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아마이드 등의 아마이드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. Preferred examples of the aprotic polar solvent include pyrrolidone compounds such as N-methylpyrrolidone (NMP) and N-ethylpyrrolidone; imidazolidinone compounds such as 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and 1,3-dipropyl-2-imidazolidinone; lactone compounds such as γ-butyrolactone; sulfoxide compounds such as dimethyl sulfoxide (DMSO), diethyl sulfoxide, dipropyl sulfoxide and sulfolane; phosphate compounds such as triethyl phosphate and tributyl phosphate; carbonate compounds such as dimethyl carbonate and ethylene carbonato; Formamide, N-methylformamide, N,N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N,N-dimethylacetamide, N-(2-hydroxyethyl)acetamide, 3-methoxy and amide compounds such as -N,N-dimethylpropionamide, 3-(2-ethylhexyloxy)-N,N-dimethylpropionamide, and 3-butoxy-N,N-dimethylpropionamide. It may be used alone or in combination of two or more, but is not limited thereto.

상기 용제 중에서 양자성 극성용제로 바람직하게는 물을 사용할 수 있으며, 비양자성 극성용제로서 바람직하게는 DMSO를 사용할 수 있다.Among the solvents, water may be preferably used as the protic polar solvent, and DMSO may be preferably used as the aprotic polar solvent.

본 발명의 극성용제는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 70 중량% 이상 포함되는 것이 바람직하며, 상기 하이드록사이드 화합물의 용해성을 고려하여, 극성용제 100 중량%에 대해서 양자성 극성용제를 50 중량%이상 함유하는 것이 바람직하다. The polar solvent of the present invention is preferably included in an amount of 70% by weight or more based on the total weight of the detergent composition, and in consideration of the solubility of the hydroxide compound, 50% by weight or more of the protic polar solvent is contained with respect to 100% by weight of the polar solvent. It is preferable to do

비양자성 극성용제는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 0 내지 45 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하며, 10 내지 30 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다. The aprotic polar solvent is preferably included in an amount of 0 to 45% by weight, more preferably 10 to 30% by weight, based on the total weight of the cleaning composition.

본 발명의 세정제 조성물에 포함될 수 있는 상기 비양자성 극성용제의 함량은 세정되는 대상의 종류에 따라서 조절될 수 있는데, 단순한 이물의 제거를 목적으로 할 때에는 비양자성 극성용제는 첨가될 필요가 없다. 그러나, 포토레지스트와 같은 고분자 제거를 목적으로 할 경우에는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 10 중량% 이상의 비양자성 극성용제를 사용하는 것이 가교 상태의 고분자의 스웰링 및 제거된 고분자의 용해에 보다 적합할 수 있다. The content of the aprotic polar solvent that can be included in the cleaning composition of the present invention can be adjusted according to the type of object to be cleaned, and it is not necessary to add the aprotic polar solvent for the purpose of simply removing foreign substances. However, when the purpose of removing polymers such as photoresists is to use 10 wt% or more of an aprotic polar solvent based on the total weight of the cleaning composition, it may be more suitable for swelling of the cross-linked polymer and dissolving the removed polymer. have.

다만, 비양자성 극성용제의 함량이 세정제 조성물 총 중량에 대하여 45 중량%를 초과하면 하이드록사이드 화합물의 활성을 저해하여, 용해도 저하로 인해 침전물 발생이 우려되며, 가격이 상승하고, 냄새가 발생할 우려가 있다.
However, if the content of the aprotic polar solvent exceeds 45% by weight based on the total weight of the detergent composition, the activity of the hydroxide compound is inhibited, and there is a concern about the occurrence of precipitates due to the decrease in solubility, the price increases, and there is a risk of odor there is

(C) 부식방지제(C) corrosion inhibitor

본 발명의 금속막용 세정제 조성물은 부식 방지제(C)를 포함한다. 상기 부식 방지제는 세정제 조성물에 포함되어, 알루미늄 및/또는 구리 등을 포함하는 금속막의 부식 방지 능력을 향상시킨다. 특히 물 및 극성용제에 대한 용해성이 뛰어나므로 기판 표면에 잔류하지 않는다.The cleaning composition for metal films of this invention contains a corrosion inhibitor (C). The corrosion inhibitor is included in the cleaning composition to improve the corrosion preventing ability of the metal film including aluminum and / or copper. In particular, it has excellent solubility in water and polar solvents, so it does not remain on the surface of the substrate.

상기 염기성 부식 방지제는 바람직하게는 아민기 함유 피리딘인 것을 특징으로 한다. 상기 아민기 함유 피리딘에서 피리딘 내의 질소 원자는 순수에 의한 린스 공정 시 양이온화(cationized) 된다. 때문에 물 및 극성 용제에 대한 용해성이 뛰어나 금속 막질 표면에 잔류하지 않는다. 즉, 금속막과 킬레이팅(chelating)된 부식 방지제가 양이온화 됨으로써 금속막과의 결합력이 약화되고, 물 및 극성 용제에 대한 용해성은 증대되므로, 기판, 금속막 등에 잔여물을 남기지 않고 용이하게 세정될 수 있다. The basic corrosion inhibitor is preferably an amine group-containing pyridine. In the amine group-containing pyridine, a nitrogen atom in the pyridine is cationized during the rinse process with pure water. Therefore, it has excellent solubility in water and polar solvents and does not remain on the surface of the metal film. That is, since the metal film and the chelating corrosion inhibitor are cationized, the bonding force with the metal film is weakened, and solubility in water and polar solvents is increased, so that it is easily cleaned without leaving any residue on the substrate, the metal film, etc. can be

부식 방지제가 기판, 금속막 표면 등에 잔류하게 될 경우 이후의 공정에서 기판 위에 위치하게 되는 층과의 밀착력 저하를 유발할 수 있다. 때문에 본 발명의 부식방지제는 린스 후 잔여물을 남기지 않음으로써 이후 공정의 정밀도를 높이는 효과를 제공할 수 있다.If the corrosion inhibitor remains on the surface of the substrate or the metal film, it may cause a decrease in adhesion to the layer positioned on the substrate in a subsequent process. Therefore, the corrosion inhibitor of the present invention can provide an effect of increasing the precision of the subsequent process by not leaving a residue after rinsing.

상기 부식 방지제는 하기 화학식 1의 화합물에서 선택되는 1종 이상인 것이 보다 바람직하다.The corrosion inhibitor is more preferably at least one selected from the compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112014089537146-pat00001
Figure 112014089537146-pat00001

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

R1 및 R2는 각각 수소, C1~C4의 지방족 탄화수소이고,R1 and R2 are each hydrogen, a C1-C4 aliphatic hydrocarbon,

R3는 수소, C1~C4의 지방족탄화수소, 하이드록시기, 알콕시기, 카르복시산기, 아민기 및 할로겐 중 선택되는 1종 이상일 수 있다.
R3 may be at least one selected from hydrogen, C1-C4 aliphatic hydrocarbons, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxylic acid group, an amine group, and a halogen.

상기 화학식 1의 부식 방지제의 일례로 하기 화학식 2 내지 8 등을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. Examples of the corrosion inhibitor of Formula 1 may include, but are not limited to, Formulas 2 to 8, and the like.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112014089537146-pat00002
Figure 112014089537146-pat00002

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112014089537146-pat00003
Figure 112014089537146-pat00003

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112014089537146-pat00004
Figure 112014089537146-pat00004

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112014089537146-pat00005
Figure 112014089537146-pat00005

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112014089537146-pat00006
Figure 112014089537146-pat00006

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112014089537146-pat00007
Figure 112014089537146-pat00007

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112014089537146-pat00008
Figure 112014089537146-pat00008

이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These can be used individually or in mixture of 2 or more types.

상기 부식 방지제는 금속막용 세정제 조성물 총 중량에 대하여, 3 중량% 이하로 포함되는 것이 바람직하며, 0.001 내지 1 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기와 같은 범위로 포함되는 경우, 세정 혹은 DI 린스 공정에서 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 구리 또는 구리 합금 등으로 이루어진 금속막에 발생하는 부식을 방지할 수 있으며, 금속막 표면의 흡착에 의한 2차 오염 및 박리력 저하를 예방할 수 있다.
The corrosion inhibitor is preferably included in an amount of 3% by weight or less, and more preferably in an amount of 0.001 to 1% by weight, based on the total weight of the cleaning composition for a metal film. When included in the above range, it is possible to prevent corrosion occurring in the metal film made of aluminum or aluminum alloy and copper or copper alloy, etc. in the cleaning or DI rinse process, and secondary contamination due to adsorption of the metal film surface and A decrease in peel strength can be prevented.

본 발명의 금속막용 세정제 조성물은 기타첨가제(D)로서 추가로, 산소제거제 및 계면활성제로 이루어진 군 가운데 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다.The cleaning composition for a metal film of the present invention may further include one or more of the group consisting of an oxygen scavenger and a surfactant as other additives (D).

본 발명에서 산소 제거제는 세정제 조성물에 추가로 포함되어 금속의 부식방지를 도와주는 역할을 하며, 일례로는 에탄올 아민을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 산소제거제는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 1 중량% 이하로 포함되는 것이 포함되는 것이 바람직할 수 있다.
In the present invention, the oxygen scavenger is additionally included in the cleaning composition to help prevent corrosion of the metal, and an example may include, but is not limited to, ethanolamine. It may be preferable that the oxygen scavenger is included in an amount of 1% by weight or less based on the total weight of the cleaning composition.

본 발명에서 계면활성제는 세정제 조성물에 추가로 포함되어, 세정 대상 표면에 대한 젖음성을 향상시켜서, 세정성을 향상시키는 역할을 한다. 일례로는 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르 등을 들 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 계면활성제는 세정제 조성물 총 중량에 대하여 1 중량% 이하로 포함되는 것이 포함되는 것이 바람직할 수 있다.
In the present invention, the surfactant is further included in the cleaning composition to improve the wettability to the surface to be cleaned, and serves to improve the cleaning property. Examples include, but are not limited to, tetraethylene glycol dimethyl ether. It may be preferable that the surfactant is included in an amount of 1% by weight or less based on the total weight of the cleaning composition.

이하에서, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail through Examples and Comparative Examples. However, the following examples are provided to explain the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.

실시예Example and 비교예comparative example : 세정제 조성물의 제조: Preparation of cleaning composition

하기 표 1에 제시된 성분을 정해진 조성비에 따라 혼합하여 실시예 1~7 및 비교예 1~3의 세정제 조성물을 제조하였다.The cleaning compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 were prepared by mixing the components shown in Table 1 according to a predetermined composition ratio.

(A) 하이드록사이드화합물(A) Hydroxide compound (B) 극성 용제(B) Polar solvent (C) 부식 방지제(C) corrosion inhibitor (D) 기타 첨가제(D) other additives 종류Kinds 중량%weight% 비양자성
극성용제
aprotic
Polar solvent
양자성
극성용제
Quantum
Polar solvent
종류Kinds 중량%weight% 종류Kinds 중량%weight%
종류Kinds 중량%weight% 탈이온수deionized water 실시예 1Example 1 TMAHTMAH 0.40.4 DMSODMSO 3030 잔량remaining amount 화학식 3Formula 3 0.20.2 -- -- 실시예 2Example 2 TMAHTMAH 0.40.4 DMSODMSO 3030 잔량remaining amount 화학식 3Formula 3 0.050.05 -- -- 실시예 3Example 3 TMAHTMAH 0.40.4 DMSODMSO 3030 잔량remaining amount 화학식 3Formula 3 0.010.01 -- -- 실시예 4Example 4 TMAHTMAH 0.40.4 DMSODMSO 3030 잔량remaining amount 화학식 4Formula 4 0.20.2 -- -- 실시예 5Example 5 TMAHTMAH 0.40.4 DMSODMSO 3030 잔량remaining amount 화학식 5Formula 5 0.20.2 실시예 6Example 6 TEAHTEAH 0.50.5 DMSODMSO 3030 잔량remaining amount 화학식 3Formula 3 0.20.2 에탄올아민ethanolamine 0.30.3 실시예 7Example 7 TMAHTMAH 0.40.4 DMSODMSO 3030 잔량remaining amount 화학식 9Formula 9 0.20.2 테트라에틸렌글리콜
디메틸에테르
tetraethylene glycol
dimethyl ether
0.50.5
비교예 1Comparative Example 1 TMAHTMAH 0.40.4 DMSODMSO 3030 잔량remaining amount -- -- -- -- 비교예 2Comparative Example 2 TMAHTMAH 0.40.4 DMSODMSO 3030 잔량remaining amount BTABTA 0.20.2 -- -- 비교예 3Comparative Example 3 TMAHTMAH 0.40.4 DMSODMSO 3030 잔량remaining amount ATZATZ 0.20.2 -- --

주)week)

(B) 극성 용제(B) Polar solvent

DMSO: 디메틸설폭사이드DMSO: dimethyl sulfoxide

(C) 부식 방지제(C) corrosion inhibitor

[화학식 9]:[Formula 9]:

Figure 112014089537146-pat00009
Figure 112014089537146-pat00009

BTA: 벤조트리아졸BTA: benzotriazole

ATZ: 아미노테트라졸ATZ: aminotetrazole

(D) 기타 첨가제(D) other additives

산소(O2) 제거제: 에탄올아민Oxygen (O 2 ) scavenger: ethanolamine

비이온성 계면활성제: 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르
Nonionic surfactant: tetraethylene glycol dimethyl ether

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실험예Experimental example 1: 세정제 조성물의 1: of the cleaning composition 잔사residue 및 오염물 and contaminants 세정성detergency 평가 evaluation

(1) (One)

상기 실시예 1~7 및 비교예 1~3에서 제조된 세정제 조성물의 잔사 및 오염물 세정성을 평가하였다.The cleaning properties of residues and contaminants of the cleaning compositions prepared in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 were evaluated.

금속막용 세정제 조성물의 세정성을 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 Cu 적층을 가지는 웨이퍼상에 실리콘오일, Al과 SUS(Stainless Steel) 파우더로 오염시킨 기판을, 50℃ 온도로 유지시킨 상기 실시예 1~7 및 비교예 1~3의 세정제 조성물에 5분 동안 침적시켰다. 이후 기판상에 잔류하는 세정제 조성물의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. Example 1 in which a substrate contaminated with silicon oil, Al and SUS (Stainless Steel) powder was maintained at a temperature of 50° C. on a wafer having a Cu layer according to a conventional method in order to confirm the cleaning property of the cleaning composition for a metal film. It was immersed in the detergent compositions of ~7 and Comparative Examples 1-3 for 5 minutes. Thereafter, cleaning was performed for 1 minute with pure water to remove the cleaning agent composition remaining on the substrate, and then the substrate was completely dried using nitrogen to remove the pure water remaining on the substrate after cleaning.

이후, 잔사 및 오염물의 세정 정도는 주사전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
Thereafter, the cleaning degree of residues and contaminants was confirmed using a scanning electron microscope (SEM, Hitach S-4700), and the results are shown in Table 2 below.

[잔사 및 오염물 세정성 평가][Evaluation of cleaning properties of residues and contaminants]

◎: 잔사 및 오염물 100% 제거◎: 100% removal of residues and contaminants

○: 잔사 및 오염물 80%이상 제거○: Removal of more than 80% of residues and contaminants

△: 잔사 및 오염물 80%미만 제거△: Removal of less than 80% of residues and contaminants

×: 잔사 및 오염물 제거 안됨
×: Residues and contaminants not removed

(2) (2)

세정제 조성물의 pH가 높을수록 잔사 및 불순물 등의 세정성이 향상된다는 점에 기반하여, 하이드록사이드로서 TMAH 0.4 중량%, 용제로서 DMSO 30 중량%, 탈이온수 잔량 및 상기 표 1의 실시예 1~7 및 비교예 1~3과 각각 동일한 종류의 부식방지제 0.1 중량%를 포함하여 제조된 세정제 조성물의 pH 변화를 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
Based on the fact that the higher the pH of the detergent composition, the better the cleaning properties of residues and impurities, and 0.4 wt% of TMAH as a hydroxide, 30 wt% of DMSO as a solvent, the residual amount of deionized water, and Examples 1 of Table 1 7 and Comparative Examples 1 to 3 and each of the same type of corrosion inhibitor 0.1% by weight of the prepared detergent composition to measure the pH change, the results are shown in Table 2 below.

[pH 변화 평가] [Evaluation of pH change]

○: 첨가제의 첨가에 의해서 pH가 향상됨.(circle): pH is improved by the addition of an additive.

△: 첨가제의 첨가에 의해서 pH의 변화가 없음△: No change in pH due to the addition of additives

×: 첨가제의 첨가에 의해서 pH가 낮아짐.
x: pH becomes low by addition of an additive.

실험예Experimental example 2: 2: 금속막metal film 부식 corrosion 방지성prevention 평가 evaluation

상기 실시예 1~7 및 비교예 1~3에서 제조된 세정제 조성물의 금속막 부식 방지성을 평가하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판 상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 구리 2500Å 두께로 형성된 유리 기판을 준비하였다. 상기 실시예 1~7 및 비교예 1~3에서 제조된 세정제 조성물의 온도를 40℃로 유지하고 상기 구리가 형성된 유리 기판을 30분간 침적하여 세정하였다. 이후 DIW(탈이온수)를 이용해 30초간 린스(rinse) 후, 질소를 이용하여 기판상에 잔류하는 세정제 조성물, DIW 등을 완전히 제거하였다.In order to evaluate the corrosion resistance of the metal film of the cleaning composition prepared in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, a glass substrate formed to a thickness of 2500 Å of copper using a thin film sputtering method on a glass substrate according to a conventional method was prepared. prepared. The temperature of the cleaning composition prepared in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 was maintained at 40° C., and the copper-formed glass substrate was immersed for 30 minutes to wash. After rinsing for 30 seconds using DIW (deionized water), the cleaning composition, DIW, etc. remaining on the substrate were completely removed using nitrogen.

상기 기판의 표면 산화 정도는 주사전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하였고, 그 결과를 하기 표 2 및 도 1에 나타내었다.The degree of surface oxidation of the substrate was confirmed using a scanning electron microscope (SEM, Hitach S-4700), and the results are shown in Table 2 and FIG. 1 below.

[부식 방지성 평가 기준] [Corrosion prevention evaluation criteria]

◎: 부식 미발생◎: No corrosion

○: 미약한 부식 발생○: slight corrosion

△: 심각한 부식 발생△: Severe corrosion

×: 부식 후 식각 발생
×: Etching occurs after corrosion

실험예Experimental example 3: 3: 접촉각contact angle 평가 evaluation

상기 실시예 1~7 및 비교예 1~3에서 제조된 세정제 조성물의 부식 방지제 잔존에 따른 접촉각 변화를 평가하고자 접촉각 평가 실험을 진행하였다. In order to evaluate the contact angle change according to the residual corrosion inhibitor of the cleaning compositions prepared in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, a contact angle evaluation experiment was conducted.

통상적인 방법에 따라 유리 기판 상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 구리 2500Å 두께로 형성된 유리 기판을 준비하였다. 상기 기판을 대기 중에 24시간 방치하여 대기중의 각종 유기물, 무기물, 파티클 등에 오염시킨 후 스프레이식 세정장치를 이용하여 2분 동안 40℃에서 실시예 1~7 및 비교예 1~3의 세정제 조성물로 세정하였다. 세정 후 초순수에 30초 세척한 후 질소로 건조하였다. 상기 기판 위에 0.5㎕의 초순수 방울을 떨어뜨려 세정후의 접촉각을 측정하였으며 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. According to a conventional method, a glass substrate formed to a thickness of 2500 Å of copper was prepared on a glass substrate by thin film sputtering. After leaving the substrate in the air for 24 hours to contaminate various organic, inorganic, and particles in the air, using a spray-type cleaning device at 40° C. for 2 minutes with the cleaning composition of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 washed. After washing, it was washed with ultrapure water for 30 seconds and then dried with nitrogen. A drop of 0.5 μl of ultrapure water was dropped on the substrate to measure the contact angle after cleaning, and the results are shown in Table 2 below.

[접촉각 평가 기준][Contact angle evaluation criteria]

○: 세정전 구리표면 대비 접촉각이 낮아짐. (세정에 의한 구리 표면의 거칠기 증가에 의한 접촉각 저하)○: The contact angle is lower than the copper surface before cleaning. (Decreased contact angle due to increase in roughness of copper surface due to cleaning)

×: 세정전 구리표면 대비 접촉각이 높아짐. (부식방지제의 표면 잔류에 의한 접촉각 상승)
x: The contact angle is high compared to the copper surface before washing|cleaning. (Increased contact angle due to surface residual of corrosion inhibitor)

세정성detergency 부식 방지성corrosion protection 접촉각 평가Contact angle evaluation 잔사 및 오염물
세정성
residues and contaminants
detergency
pH의 변화change in pH CuCu
실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 실시예 6Example 6 실시예 7Example 7 비교예 1Comparative Example 1 ×× 비교예 2Comparative Example 2 ×× ×× 비교예 3Comparative Example 3 ×× ××

상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1~7의 세정제 조성물은 잔사 제거에 있어서 매우 우수한 세정효과를 내는 것을 확인하였다. 또한 금속막의 부식 방지성 평가에서도 부식이 발생하지 않아 우수한 금속 부식 방지성을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 뿐만 아니라, 접촉각 평가에서 세정전 구리표면 대비 접촉각이 낮아지는 것으로 보아 부식 방지제가 잔존하지 않는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 2, it was confirmed that the cleaning compositions of Examples 1 to 7 exert a very excellent cleaning effect in removing residues. In addition, it was confirmed that corrosion did not occur in the evaluation of corrosion prevention properties of the metal film, and thus had excellent metal corrosion prevention properties. In addition, in the evaluation of the contact angle, it was confirmed that the corrosion inhibitor did not remain, as the contact angle was lower than the copper surface before cleaning.

반면, 비교예 1~3의 조성물은 첨가제 첨가 후 pH 증가가 없거나 낮아지는 것으로 보아, 세정성이 낮다는 것을 짐작할 수 있었으며, 잔사 세정성 평가에서도 우수하지 않은 결과를 나타내었다. 또한, 부식 방지성 평가에서도 심각한 부식이 발생하는 것을 방지하지 못했으며, 세정전 구리표면 대비 접촉각이 높아진 것으로 보아, 금속 표면에 부식방지제가 잔류한 것을 확인할 수 있었다.
On the other hand, since the composition of Comparative Examples 1 to 3 showed no increase or decrease in pH after the addition of the additive, it could be inferred that the cleaning properties were low, and showed poor results in the evaluation of residue cleaning properties. In addition, it was not possible to prevent serious corrosion from occurring in the corrosion protection evaluation, and it was confirmed that the corrosion inhibitor remained on the metal surface, as the contact angle was increased compared to the copper surface before cleaning.

Claims (6)

(A) 알칼리금속하이드록사이드 및 알킬암모늄하이드록사이드 중에서 선택되는 하이드록사이드 1종 이상, (B) 상기 하이드록사이드를 100중량부 당 1중량부 이상 용해시킬 수 있는 극성용제 및, (C) 염기성 부식방지제를 포함하며,
상기 극성용제는 양자성 극성용제 및 비양자성 극성용제를 포함하고,
상기 염기성 부식 방지제는 아민기 함유 피리딘인 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물.
(A) at least one hydroxide selected from alkali metal hydroxide and alkylammonium hydroxide, (B) a polar solvent capable of dissolving at least 1 part by weight per 100 parts by weight of the hydroxide, and (C ) contains a basic corrosion inhibitor,
The polar solvent includes a protic polar solvent and an aprotic polar solvent,
The basic corrosion inhibitor is a cleaning composition for a metal film, characterized in that the amine group-containing pyridine.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 아민기 함유 피리딘은 하기 화학식 1인 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물.
[화학식 1]
Figure 112021032963808-pat00010

상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 각각 수소 또는 C1~C4의 지방족 탄화수소이고,
R3는 수소, C1~C4의 지방족탄화수소, 하이드록시기, 알콕시기, 카르복시산기, 아민기 및 할로겐 중 선택되는 1종 이상일 수 있다.
The method according to claim 1,
The amine group-containing pyridine is a cleaning composition for a metal film, characterized in that the formula (1).
[Formula 1]
Figure 112021032963808-pat00010

In Formula 1,
R1 and R2 are each hydrogen or a C1-C4 aliphatic hydrocarbon;
R3 may be at least one selected from hydrogen, C1-C4 aliphatic hydrocarbons, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxylic acid group, an amine group, and a halogen.
청구항 1에 있어서,
세정제 조성물 총 중량에 대하여 하이드록사이드 0.1 내지 5 중량%;
극성용제 70 중량% 이상; 및
부식방지제 3 중량% 이하를 포함하는 금속막용 세정제 조성물.
The method according to claim 1,
0.1 to 5% by weight of hydroxide based on the total weight of the detergent composition;
70% by weight or more of a polar solvent; and
A cleaning composition for a metal film comprising 3 wt% or less of a corrosion inhibitor.
청구항 1에 있어서,
상기 알칼리금속하이드록사이드는 LiOH, NaOH, KOH, RbOH 및 CsOH 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이며;
상기 알킬암모늄하이드록사이드는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(TEAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속막용 세정제 조성물.
The method according to claim 1,
The alkali metal hydroxide is at least one selected from the group consisting of LiOH, NaOH, KOH, RbOH and CsOH;
The alkylammonium hydroxide is from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), tetrapropylammonium hydroxide (TPAH) and tetrabutylammonium hydroxide (TBAH). A cleaning composition for a metal film, characterized in that at least one selected.
청구항 1에 있어서,
산소제거제 및 계면활성제로 이루어진 군 가운데 선택되는 1종 이상을 추가로 포함하는 금속막용 세정제 조성물.


The method according to claim 1,
A cleaning composition for a metal film further comprising at least one selected from the group consisting of oxygen scavengers and surfactants.


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