KR102258145B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛의 상부에서 상기 기판 지지 유닛에 마주하게 위치되며, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드 유닛을 포함하되, 상기 샤워 헤드 유닛은 토출홀이 형성되는 토출 플레이트, 상기 토출 플레이트에 적층되게 위치되는 분배 플레이트, 그리고 상기 토출 플레이트와 상기 분배 플레이트를 결합시키는 결합 부재를 포함하되, 상기 결합 부재는 상기 분배 플레이트에 삽입되는 제1슬리브, 상기 토출 플레이트에 삽입되는 제2슬리브, 그리고 상기 제1슬리브와 상기 제2슬리브 중 어느 하나에 힌지 결합되며, 다른 하나에 멀어지거나 가까워지는 방향으로 힌지축을 중심으로 회전되는 핀을 포함하는 기판 처리 장치.The present invention provides an apparatus and method for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a process chamber having a processing space therein, a substrate support unit supporting a substrate in the processing space, and a substrate support unit positioned above the substrate support unit to face the substrate support unit, and process into the processing space. A shower head unit for supplying gas, wherein the shower head unit includes a discharge plate having a discharge hole formed thereon, a distribution plate disposed to be stacked on the discharge plate, and a coupling member coupling the discharge plate and the distribution plate. However, the coupling member is hinged to any one of the first sleeve inserted into the distribution plate, the second sleeve inserted into the discharge plate, and the first sleeve and the second sleeve, and is closer to or away from the other. A substrate processing apparatus comprising a pin rotated about a hinge axis in a holding direction.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 이온 주입, 그리고 세정 공정에는 가스를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.In the process of manufacturing a semiconductor device, various processes such as photography, etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning are performed. Among these processes, a substrate processing apparatus using gas is used for etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning processes.

일반적으로 가스 처리 공정은 챔버 내에 공정 가스를 공급하여 기판을 가스 처리하는 공정을 포함한다. 공정 가스는 기판의 전체 영역에 균일하게 공급되기 위해 기판과 유사 크기를 갖는 샤워 헤드를 통해 기판으로 공급되며, 샤워 헤드는 챔버의 천장벽에 고정 설치된다. In general, the gas treatment process includes a process of gas treatment of a substrate by supplying a process gas into a chamber. The process gas is supplied to the substrate through a shower head having a size similar to that of the substrate in order to be uniformly supplied to the entire area of the substrate, and the shower head is fixedly installed on the ceiling wall of the chamber.

샤워 헤드는 일반적으로, 토출 플레이트와 분배 플레이트를 포함한다. 토출 플레이트와 분배 플레이트는 서로 적층되는 구조를 가진다. 토출 플레이트는 토출홀이 형성되며, 기판을 향해 공정 가스를 토출한다. 토출 플레이트는 분배 플레이트의 아래에 위치되며, 기판이 처리되는 공간에 노출되게 위치된다. The shower head generally includes a discharge plate and a distribution plate. The discharge plate and the distribution plate have a structure in which they are stacked on each other. The discharge plate has a discharge hole and discharges the process gas toward the substrate. The discharge plate is positioned under the distribution plate, and is positioned to be exposed to a space in which the substrate is processed.

따라서 토출 플레이트에는 다량의 공정 부산물이 잔류되어 오염 빈도가 높으며, 공정 가스로 인해 형상이 변형되는 등의 손상 빈도가 높다. 이로 인해 토출 플레이트를 세정 및 교체하기 위한 분리 작업은 주기적으로 이루어진다. Therefore, a large amount of process by-products remain on the discharge plate, resulting in high contamination frequency, and high incidence of damage, such as deformation of the shape due to process gas. For this reason, the removal operation for cleaning and replacing the discharge plate is performed periodically.

그러나 토출 플레이트와 분배 플레이트는 볼트의 노출을 방지하기 위해, 도 1과 같이, 위에서 아래 방향으로 삽입되어 각 플레이트(2,4)를 체결한다. 이에 따라 토출 플레이트(2)를 분리하기 위해서는, 분배 플레이트(4)를 챔버로부터 분리시킨 후에, 볼트(6)를 해제함으로써 토출 플레이트(2)를 분배 플레이트(4)로부터 분리시켜야한다.However, the discharge plate and the distribution plate are inserted from the top to the bottom, as shown in FIG. 1 to prevent the bolt from being exposed, to fasten each plate (2, 4). In order to remove the discharge plate 2 accordingly, after separating the distribution plate 4 from the chamber, the discharge plate 2 must be separated from the distribution plate 4 by releasing the bolt 6.

본 발명은 토출 플레이트를 신속하게 분리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of quickly separating a discharge plate.

또한 본 발명은 토출 플레이트를 용이하게 분리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of easily separating a discharge plate.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛의 상부에서 상기 기판 지지 유닛에 마주하게 위치되며, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드 유닛을 포함하되, 상기 샤워 헤드 유닛은 토출홀이 형성되는 토출 플레이트, 상기 토출 플레이트에 적층되게 위치되는 분배 플레이트, 그리고 상기 토출 플레이트와 상기 분배 플레이트를 결합시키는 결합 부재를 포함하되, 상기 결합 부재는 상기 분배 플레이트에 삽입되는 제1슬리브, 상기 토출 플레이트에 삽입되는 제2슬리브, 그리고 상기 제1슬리브와 상기 제2슬리브 중 어느 하나에 힌지 결합되며, 다른 하나에 멀어지거나 가까워지는 방향으로 힌지축을 중심으로 회전되는 핀을 포함하는 기판 처리 장치.An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a process chamber having a processing space therein, a substrate support unit supporting a substrate in the processing space, and a substrate support unit positioned above the substrate support unit to face the substrate support unit, and process into the processing space A shower head unit for supplying gas, wherein the shower head unit includes a discharge plate having a discharge hole formed thereon, a distribution plate disposed to be stacked on the discharge plate, and a coupling member coupling the discharge plate and the distribution plate. However, the coupling member is hinged to any one of the first sleeve inserted into the distribution plate, the second sleeve inserted into the discharge plate, and the first sleeve and the second sleeve, and is closer to or away from the other. A substrate processing apparatus comprising a pin rotated about a hinge axis in a holding direction.

상기 핀은 상기 힌지축을 중심으로 회전되는 제1부분과 상기 제1부분으로부터 연장되며, 상기 제1부분의 회전에 의해 고정 위치와 분리 위치 간에 이동되는 제2부분을 가지며, 상기 고정 위치는 상기 분배 플레이트와 상기 토출 플레이트가 서로 결합되는 위치이고, 상기 분리 위치는 상기 분배 플레이트와 상기 토출 플레이트가 서로 분리되는 위치이며, 상기 고정 위치에는 상기 제2부분이 상기 다른 하나에 가까워지는 방향으로 상기 다른 하나를 가압할 수 있다. The pin has a first portion rotated around the hinge axis and a second portion extending from the first portion, and moved between a fixed position and a separate position by rotation of the first portion, and the fixed position is the distribution The plate and the discharge plate are coupled to each other, the separation position is a position where the distribution plate and the discharge plate are separated from each other, and the second part is the other one in a direction closer to the other one at the fixed position. Can pressurize.

상기 분배 플레이트는 제1측면에 상기 제1슬리브가 삽입되는 제1홈이 형성되고, 상기 토출 플레이트는 제2측면에 상기 제2슬리브가 삽입되는 제2홈이 형성되되, 상기 제1홈과 상기 제2홈 각각은 상하 방향으로 서로 마주하게 위치될 수 있다. 상기 결합 부재는, 상기 어느 하나에 일단이 고정되고, 타단이 상기 핀에 고정되며, 상기 핀에 탄성력을 제공하는 판 스프링을 더 포함할 수 있다. The distribution plate has a first groove into which the first sleeve is inserted into a first side, and the discharge plate has a second groove into which the second sleeve is inserted into a second side, the first groove and the Each of the second grooves may be positioned to face each other in the vertical direction. The coupling member may further include a leaf spring having one end fixed to one of the above, the other end fixed to the pin, and providing an elastic force to the pin.

상기 다른 하나는 외측 방향으로 돌출되는 돌기를 가지며, 상기 핀은 상기 고정 위치에서 상기 돌기가 삽입되는 고정 홈이 형성될 수 있다. 상기 제2부분은 상기 제1부분으로부터 연장되는 오목부와 상기 오목부로부터 연장되며 상기 오목부에 비해 큰 폭으로 제공되는 볼록부를 가지고, 상기 고정 홈은 상기 제1부분과 상기 볼록부의 사이 공간으로 제공될 수 있다. 상기 다른 하나는 상기 분배 플레이트 또는 상기 토출 플레이트에 일부가 삽입되는 삽입부와 상기 삽입부로부터 어느 하나를 향하는 방향으로 연장되며, 상기 돌기를 지지하는 지지부를 가지며, 상기 고정 위치에서 상기 돌기는 상기 고정홈에 삽입되고, 상기 지지부는 상기 볼록부에 면접촉될 수 있다. The other one has a protrusion protruding in an outward direction, and the pin may have a fixing groove into which the protrusion is inserted at the fixing position. The second portion has a concave portion extending from the first portion and a convex portion extending from the concave portion and provided with a larger width than the concave portion, and the fixing groove is a space between the first portion and the convex portion. Can be provided. The other one has an insertion portion in which a portion is inserted into the distribution plate or the discharge plate, and a support portion extending in a direction toward any one from the insertion portion, and a support portion supporting the projection, and the projection is fixed at the fixed position. It is inserted into the groove, the support portion may be in surface contact with the convex portion.

상기 어느 하나는 상기 제1슬리브를 포함하고, 상기 다른 하나는 상기 제2슬리브를 포함하되, 상기 제1슬리브는 상기 제1홈에 삽입되며, 상기 분배 플레이트와 고정 결합될 수 있다. One of the above includes the first sleeve, and the other includes the second sleeve, wherein the first sleeve is inserted into the first groove, and may be fixedly coupled to the distribution plate.

또한 기판 상에 공정 가스를 공급하는 유닛은 토출홀이 형성되는 토출 플레이트, 상기 토출 플레이트에 적층되게 위치되는 분배 플레이트, 그리고 상기 토출 플레이트와 상기 분배 플레이트를 결합시키는 결합 부재를 포함하되, 상기 결합 부재는 상기 분배 플레이트에 삽입되는 제1슬리브, 상기 토출 플레이트에 삽입되는 제2슬리브, 그리고 상기 제1슬리브와 상기 제2슬리브 중 어느 하나에 힌지 결합되며, 다른 하나에 멀어지거나 가까워지는 방향으로 힌지축을 중심으로 회전되는 핀을 포함한다. In addition, the unit for supplying the process gas on the substrate includes a discharge plate in which a discharge hole is formed, a distribution plate positioned to be stacked on the discharge plate, and a coupling member for coupling the discharge plate and the distribution plate, wherein the coupling member Is hinged to any one of the first sleeve inserted into the distribution plate, the second sleeve inserted into the discharge plate, and the first sleeve and the second sleeve, and the hinge axis is moved away from or closer to the other. It includes a pin that rotates around the center.

상기 핀은 상기 힌지축을 중심으로 회전되는 제1부분과 상기 제1부분으로부터 연장되며, 상기 제1부분의 회전에 의해 고정 위치와 분리 위치 간에 이동되는 제2부분을 가지며, 상기 고정 위치는 상기 분배 플레이트와 상기 토출 플레이트가 서로 결합되는 위치이고, 상기 분리 위치는 상기 분배 플레이트와 상기 토출 플레이트가 서로 분리되는 위치이며, 상기 고정 위치에는 상기 제2부분이 상기 다른 하나에 가까워지는 방향으로 상기 다른 하나를 가압할 수 있다. The pin has a first portion rotated around the hinge axis and a second portion extending from the first portion, and moved between a fixed position and a separate position by rotation of the first portion, and the fixed position is the distribution The plate and the discharge plate are coupled to each other, the separation position is a position where the distribution plate and the discharge plate are separated from each other, and the second part is the other one in a direction closer to the other one at the fixed position. Can pressurize.

상기 제1슬리브와 상기 제2슬리브는 상하 방향으로 서로 마주하게 위치되고, 상기 결합 부재는, 상기 어느 하나에 일단이 고정되고, 타단이 상기 핀에 고정되며, 상기 핀에 탄성력을 제공하는 판 스프링을 더 포함할 수 있다. The first sleeve and the second sleeve are positioned to face each other in a vertical direction, and the coupling member has one end fixed to one of the above, the other end fixed to the pin, and a leaf spring providing elastic force to the pin. It may further include.

상기 다른 하나는 외측 방향으로 돌출되는 돌기를 가지며, 상기 핀은 상기 고정 위치에서 상기 돌기가 삽입되는 고정 홈이 형성될 수 있다. The other one has a protrusion protruding in an outward direction, and the pin may have a fixing groove into which the protrusion is inserted at the fixing position.

본 발명의 실시예에 의하면, 토출 플레이트와 분배 플레이트는 볼트가 제공되지 않는 결합 구조를 가진다. 이로 인해 토출 플레이트 및 분배 플레이트를 용이히게 분리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the discharge plate and the distribution plate have a coupling structure in which no bolt is provided. This makes it possible to easily separate the discharge plate and the distribution plate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 토출 플레이트와 분배 플레이트는 힌지축을 중심으로 회전되는 핀에 의해 결합된다. 이로 인해 토출 플레이트 및 분배 플레이트를 용이히게 분리할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the discharge plate and the distribution plate are coupled by a pin rotating around a hinge axis. This makes it possible to easily separate the discharge plate and the distribution plate.

도 1은 일반적인 샤워 헤드를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 배플을 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 샤워 헤드 유닛을 개략적으로 보여주는 절단 사시도이다.
도 5는 도 4의 샤워 헤드 유닛를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 결합 부재를 확대해 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 결합 부재를 보여주는 분해 사시도이다.
도 8 내지 도 10은 토출 플레이트가 분배 플레이트에 결합되는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 11은 도 7의 결합 부재의 다른 실시예를 보여주는 분해 사시도이다.1 is a view showing a general shower head.
2 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing the baffle of FIG. 2.
4 is a cutaway perspective view schematically showing the shower head unit of FIG. 2.
5 is a cross-sectional view showing the shower head unit of FIG. 4.
6 is an enlarged cross-sectional view showing the coupling member of FIG. 5.
7 is an exploded perspective view showing the coupling member of FIG. 6.
8 to 10 are views showing a process in which the discharge plate is coupled to the distribution plate.
11 is an exploded perspective view showing another embodiment of the coupling member of FIG. 7.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the constituent elements in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

본 실시예에서는 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 기판을 식각 처리하는 기판 처리 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 샤워 헤드 유닛으로부터 토출되는 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면 다양한 공정에 적용 가능하다. In this embodiment, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma in a chamber will be described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and any apparatus that processes a substrate using gas discharged from a shower head unit can be applied to various processes.

이하, 도 2 내지 도 11을 참조하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 11.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 플라즈마 소스(400), 배플(500), 그리고 샤워 헤드 유닛(600)을 포함한다.2 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a substrate support unit 200, a plasma source 400, a baffle 500, and a shower head unit 600.

챔버(100)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 챔버(100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 일측벽에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반출입 가능한 출입구(130)로 제공된다. 출입구(130)는 도어(140)에 의해 개폐 가능하다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기 라인을 통해 감압 부재(160)에 연결된다. 감압부재(160)는 배기 라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다. The chamber 100 provides a processing space in which the substrate W is processed. The chamber 100 is provided in a circular cylindrical shape. The chamber 100 is made of a metal material. For example, the chamber 100 may be made of aluminum. An opening 130 is formed in one side wall of the chamber 100. The opening 130 is provided as an entrance 130 through which the substrate W can be carried in and out. The entrance 130 can be opened and closed by a door 140. An exhaust hole 150 is formed on the bottom surface of the chamber 100. The exhaust hole 150 is connected to the pressure reducing member 160 through an exhaust line. The pressure reducing member 160 provides vacuum pressure to the exhaust hole 150 through the exhaust line. By-products generated during the process and plasma remaining in the chamber 100 are discharged to the outside of the chamber 100 by vacuum pressure.

기판 지지 유닛(200)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support unit 200 supports the substrate W in the processing space. The substrate support unit 200 may be provided as an electrostatic chuck 200 that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 200 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping.

정전척(200)은 유전판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. The electrostatic chuck 200 includes a dielectric plate 210, a focus ring 250, and a base 230. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 210. The dielectric plate 210 is provided in a disk shape. The dielectric plate 210 may have a radius smaller than that of the substrate W. An internal electrode 212 is installed inside the dielectric plate 210. A power source (not shown) is connected to the internal electrode 212 and receives power from a power source (not shown). The internal electrode 212 provides electrostatic force so that the substrate W is adsorbed to the dielectric plate 210 from the applied power (not shown). A heater 214 for heating the substrate W is installed inside the dielectric plate 210. The heater 214 may be located under the internal electrode 212. The heater 214 may be provided as a spiral coil. For example, the dielectric plate 210 may be made of a ceramic material.

베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The base 230 supports the dielectric plate 210. The base 230 is located under the dielectric plate 210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 210. The upper surface of the base 230 has a stepped shape such that the central region thereof is higher than the edge region. The base 230 has an area in which the central region of the upper surface corresponds to the lower surface of the dielectric plate 210. A cooling passage 232 is formed inside the base 230. The cooling passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling passage 232 may be provided in a spiral shape inside the base 230. The base is connected to a high-frequency power source 234 located outside. The high frequency power supply 234 applies power to the base 230. The power applied to the base 230 guides the plasma generated in the chamber 100 to move toward the base 230. The base 230 may be made of a metal material.

포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 250 concentrates plasma onto the substrate W. The focus ring 250 includes an inner ring 252 and an outer ring 254. The inner ring 252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 210. The inner ring 252 is located in the edge region of the base 230. The upper surface of the inner ring 252 is provided to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 210. The inner portion of the upper surface of the inner ring 252 supports an edge region of the bottom surface of the substrate W. For example, the inner ring 252 may be made of a conductive material. The outer ring 254 is provided in an annular ring shape surrounding the inner ring 252. The outer ring 254 is located adjacent to the inner ring 252 in the edge region of the base 230. The upper surface of the outer ring 254 is provided with a height higher than that of the inner ring 252. The outer ring 254 may be provided with an insulating material.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 일 예에 의하면, 플라즈마 소스(400)로는 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively coupled plasma)가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내부에서 상부 전극 및 하부 전극(미도시)을 포함할 수 있다. 상부 전극(420) 및 하부 전극은 챔버(100)의 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 전극(420)은 샤워 헤드(650)에 제공되고, 하부 전극은 베이스의 내부에 제공될 수 있다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극(420)은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 모두 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인해 상부 전극(420)과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 챔버(100) 내부로 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기 시킨다.The plasma source 400 excites the process gas in the chamber 100 into a plasma state. According to an example, a capacitively coupled plasma (CCP) may be used as the plasma source 400. The plasma source 400 may include an upper electrode and a lower electrode (not shown) in the chamber 100. The upper electrode 420 and the lower electrode may be disposed vertically in parallel with each other in the chamber 100. One of the electrodes may apply high-frequency power and the other electrode may be grounded. An electromagnetic field is formed in the space between the two electrodes, and the process gas supplied to the space may be excited in a plasma state. According to an example, the upper electrode 420 may be provided on the shower head 650 and the lower electrode may be provided inside the base. High-frequency power is applied to the lower electrode, and the upper electrode 420 may be grounded. Alternatively, high-frequency power may be applied to both the upper electrode and the lower electrode. As a result, an electromagnetic field is generated between the upper electrode 420 and the lower electrode. The generated electromagnetic field excites the process gas provided into the chamber 100 into a plasma state.

배플(500)은 처리 공간에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 도 3은 도 2의 배플을 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 배플(500)은 처리공간에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(400)의 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성된다. 관통홀들(502)은 상하방향을 향하도록 제공된다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주방향을 따라 배열된다. 관통홀들(502)은 슬릿 형상을 가지며, 배플(500)의 반경방향을 향하는 길이 방향을 가진다.The baffle 500 uniformly exhausts the plasma for each area in the processing space. 3 is a plan view showing the baffle of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the baffle 500 is positioned between the inner wall of the chamber 100 and the substrate support unit 400 in a processing space. The baffle 500 is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 502 are formed in the baffle 500. The through holes 502 are provided to face the vertical direction. The through holes 502 are arranged along the circumferential direction of the baffle 500. The through-holes 502 have a slit shape and have a longitudinal direction in the radial direction of the baffle 500.

샤워 헤드 유닛(600)은 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 샤워 헤드 유닛(600)은 가스 공급 라인(630) 및 샤워 헤드(650)를 포함한다. 샤워 헤드(650)는 챔버(100)의 상부벽에 설치된다. 일 예에 의하면, 샤워 헤드(650)는 중심축이 챔버(100)의 중심축과 일치하도록 챔버(100)의 상부벽에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인은 샤워 헤드(650)에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(630)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다. The shower head unit 600 supplies process gas to the processing space. The shower head unit 600 includes a gas supply line 630 and a shower head 650. The shower head 650 is installed on the upper wall of the chamber 100. According to an example, the shower head 650 may be installed on the upper wall of the chamber 100 so that the central axis coincides with the central axis of the chamber 100. The gas supply line supplies process gas to the shower head 650. A valve is installed in the gas supply line 630 to open and close the inner passage or to adjust the flow rate of the gas flowing through the inner passage. For example, the process gas may be an etching gas.

샤워 헤드(650)는 가스 유입 포트(610)에 유입된 공정 가스를 처리 공간으로 토출한다. 샤워 헤드(650)는 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판 위에서 기판과 마주하게 위치된다. 도 4는 도 2의 샤워 헤드 유닛을 개략적으로 보여주는 절단 사시도이고, 도 5는 도 4의 샤워 헤드 유닛를 보여주는 단면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 샤워 헤드(650)는 토출 플레이트(710), 분배 플레이트(730), 도입 플레이트(770), 그리고 결합 부재를 포함한다. 토출 플레이트(710), 분배 플레이트(730), 도입 플레이트(770)는 아래에서 위 방향을 향해 순차적으로 위치된다. 토출 플레이트(710), 분배 플레이트(730), 도입 플레이트(770) 각각은 적층되게 위치된다. The shower head 650 discharges the process gas introduced into the gas inlet port 610 to the processing space. The shower head 650 is positioned to face the substrate on the substrate supported by the substrate support unit 200. 4 is a cut perspective view schematically illustrating the shower head unit of FIG. 2, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the shower head unit of FIG. 4. 4 and 5, the shower head 650 includes a discharge plate 710, a distribution plate 730, an introduction plate 770, and a coupling member. The discharge plate 710, the distribution plate 730, and the introduction plate 770 are sequentially positioned from the bottom to the top. Each of the discharge plate 710, the distribution plate 730, and the introduction plate 770 is positioned to be stacked.

토출 플레이트(710)는 판 형상을 가진다. 예컨대, 토출 플레이트(710)는 원판 형상을 가질 수 있다. 토출 플레이트(710)는 그 저면이 처리 공간에 노출된다. 토출 플레이트(710)에는 복수의 토출홀들(712)이 형성된다. 각각의 토출홀(712)은 상하 방향을 향하도록 형성된다. 공정 가스는 토출홀들(712)을 통해 처리 공간으로 공급된다. The discharge plate 710 has a plate shape. For example, the discharge plate 710 may have a disk shape. The discharge plate 710 has its bottom exposed in the processing space. A plurality of discharge holes 712 are formed in the discharge plate 710. Each discharge hole 712 is formed to face the vertical direction. The process gas is supplied to the processing space through the discharge holes 712.

분배 플레이트(730)는 공정 가스를 가열한다. 분배 플레이트(730)는 토출 플레이트(710)의 위에 위치되는 상부 플레이트(730)로 제공된다. 분배 플레이트(730)는 상판(740) 및 히터(750)를 포함한다. 상판(740)는 일부가 토출 플레이트(710)와 유사한 원판 형상으로 제공된다. 상판(740)은 영역 별 높이가 서로 다르게 제공된다. 상판(740)의 저면은 가장자리 영역이 중앙 영역에 비해 높이가 다르게 제공된다. 상판(740)의 저면은 가장자리 영역이 중앙 영역에 비해 높게 위치될 수 있다. 이에 따라 상판(740)은 저면 가장자리 영역이 단차진 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 상판(740)의 저면 중앙 영역은 토출 플레이트(710)와 마주하게 위치되며, 토출 플레이트(710)에 대응되는 크기를 가진다. 상판(740)의 중앙 영역에는 복수의 연장홀들(744)이 형성된다. 상판(740)은 토출 플레이트(710)의 상면에 접촉되게 위치된다. 연장홀들(744)은 토출홀들(712)과 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 상판(740)은 연장홀들(744)과 토출홀들(712)이 상하 방향으로 일치하도록 위치된다. 연장홀들(744)은 아래로 갈수록 폭이 작아지도록 단차지게 제공된다. 따라서 측부에서 바라볼 때 연장홀(744) 및 토출홀(712)은 상판(740)의 상단에서 토출 플레이트(710)의 하단까지 연장된 홀로 제공된다. The distribution plate 730 heats the process gas. The distribution plate 730 is provided as an upper plate 730 positioned on the discharge plate 710. The distribution plate 730 includes an upper plate 740 and a heater 750. The upper plate 740 is partially provided in a disk shape similar to the discharge plate 710. The upper plate 740 is provided with different heights for each area. The lower surface of the upper plate 740 has an edge region having a different height than the central region. The bottom surface of the upper plate 740 may have an edge area positioned higher than the center area. Accordingly, the upper plate 740 may be provided so that the bottom edge region has a stepped shape. The central area of the lower surface of the upper plate 740 is positioned to face the discharge plate 710 and has a size corresponding to the discharge plate 710. A plurality of extension holes 744 are formed in the central area of the upper plate 740. The upper plate 740 is positioned to contact the upper surface of the discharge plate 710. The extension holes 744 are provided in a number corresponding to the discharge holes 712 one-to-one. The upper plate 740 is positioned so that the extension holes 744 and the discharge holes 712 coincide in the vertical direction. The extension holes 744 are provided stepped so that the width becomes smaller as it goes downward. Therefore, when viewed from the side, the extension hole 744 and the discharge hole 712 are provided as holes extending from the upper end of the upper plate 740 to the lower end of the discharge plate 710.

히터(750)는 상판(740)의 내부에 위치된다. 예컨대, 히터(750)는 열선일 수 있다. 히터(750)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다.The heater 750 is located inside the upper plate 740. For example, the heater 750 may be a heating wire. The heater 750 may be provided as a spiral coil.

도입 플레이트(770)는 가스 공급 라인으로부터 공급된 공정 가스를 분배 플레이트(730)의 각 영역으로 공급한다. 도입 플레이트(770)는 상판(740)의 위에 적층되게 위치된다. 도입 플레이트(770)는 상판(740)의 상면에 대응되는 크기의 원판 형상으로 제공된다. 도입 플레이트(770)와 상판(740)은 서로 밀착된 위치에서 볼트에 의해 서로 체결될 수 있다. 도입 플레이트(770)의 위에는 상부 전극(420)이 적층되게 위치된다.The introduction plate 770 supplies the process gas supplied from the gas supply line to each region of the distribution plate 730. The introduction plate 770 is positioned to be stacked on the upper plate 740. The introduction plate 770 is provided in a disk shape having a size corresponding to the upper surface of the upper plate 740. The introduction plate 770 and the upper plate 740 may be fastened to each other by bolts at positions in close contact with each other. The upper electrode 420 is positioned to be stacked on the introduction plate 770.

도입 플레이트(770) 내에는 냉각 부재(790)가 제공된다. 냉각 부재(790)는 도입 플레이트(770)의 내부에 형성된 냉각 유로(790)로 제공된다. 냉각 유로(790)는 냉각수 또는 냉각 유체가 흐르는 통로로 제공된다. 냉각수 또는 냉각 유체는 분배 플레이트(730) 및 토출 플레이트(710)가 한계 온도 이상으로 가열되는 것을 방지한다. A cooling member 790 is provided in the introduction plate 770. The cooling member 790 is provided as a cooling passage 790 formed inside the introduction plate 770. The cooling passage 790 is provided as a passage through which cooling water or cooling fluid flows. The cooling water or cooling fluid prevents the distribution plate 730 and the discharge plate 710 from being heated above the limit temperature.

결합 부재(800)는 토출 플레이트(710)와 분배 플레이트(730)를 결합시킨다. 결합 부재(800)는 나사 체결 구조가 아닌 다른 구조 방식으로 이들을 서로 결합시킨다. 일 예에 의하면, 결합 부재(800)는 작업자가 토출 플레이트(710)를 마주하는 방향에서 분배 플레이트(730)로부터 분리하거나 결합이 가능하도록 제공될 수 있다. 결합 부재(800)는 토출 플레이트(710)와 분배 플레이트(730)의 측부가 서로 걸리는 걸쇠 구조 방식으로 체결할 수 있다. 결합 부재(800)는 복수 개로 제공되며, 토출 플레이트(710)의 원주 방향을 따라 이격되게 위치된다. 다음은 결합 부재(800)의 설명의 편의성을 위해, 결합 부재(800)가 제공되는 토출 플레이트(710) 및 분배 플레이트(730)의 일부분을 함께 설명한다. The coupling member 800 couples the discharge plate 710 and the distribution plate 730. The coupling member 800 couples them to each other in a structure other than a screw fastening structure. According to an example, the coupling member 800 may be provided so that the operator can separate or couple from the distribution plate 730 in a direction facing the discharge plate 710. The coupling member 800 may be fastened in a manner of a clasp structure to which side portions of the discharge plate 710 and the distribution plate 730 engage with each other. A plurality of coupling members 800 are provided, and are positioned to be spaced apart along the circumferential direction of the discharge plate 710. Next, for convenience of description of the coupling member 800, a portion of the discharge plate 710 and the distribution plate 730 provided with the coupling member 800 will be described together.

도 6은 도 5의 결합 부재를 확대해 보여주는 단면도이고, 도 7은 도 6의 결합 부재를 보여주는 분해 사시도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 결합 부재(800)는 제1슬리브(820), 제2슬리브(840), 핀(860), 그리고 탄성 부재(880)를 포함한다. 제1슬리브(820)는 분배 플레이트(730)의 제1홈(735)에 삽입되어 고정되고, 제2슬리브(840)는 토출 플레이트(710)의 제2홈(715)에 삽입되어 고정된다. 예컨대, 제1슬리브(820)와 제2슬리브(840)는 각각의 플레이트에 결합되어 위치가 고정될 수 있다. 제1슬리브(820)와 제2슬리브(840)는 결합된 플레이트와 함께 이동될 수 있다. 제1홈(735)은 분배 플레이트(730)의 측면에 형성된다. 분배 플레이트(730)는 저면 중앙 영역과 저면 가장자리 영역이 단차진 형상을 가지며, 제1홈(735)은 분배 플레이트(730)의 단차 영역을 포함하는 측면에 형성된다. 제1홈(735)은 분배 플레이트(730)의 측면으로부터 내측 방향으로 연장되게 제공된다. 제2홈(715)은 토출 플레이트(710)의 측면에 형성된다. 상부에서 바라볼 때 제2홈(715)은 제1홈(735)과 중첩되게 위치된다. 6 is an enlarged cross-sectional view showing the coupling member of FIG. 5, and FIG. 7 is an exploded perspective view showing the coupling member of FIG. 6. 6 and 7, the coupling member 800 includes a first sleeve 820, a second sleeve 840, a pin 860, and an elastic member 880. The first sleeve 820 is inserted and fixed in the first groove 735 of the distribution plate 730, and the second sleeve 840 is inserted and fixed in the second groove 715 of the discharge plate 710. For example, the first sleeve 820 and the second sleeve 840 may be coupled to each plate to be fixed in position. The first sleeve 820 and the second sleeve 840 may be moved together with the combined plate. The first groove 735 is formed on the side of the distribution plate 730. The distribution plate 730 has a stepped shape in the center area of the bottom surface and the edge area of the bottom surface, and the first groove 735 is formed on a side surface including the stepped area of the distribution plate 730. The first groove 735 is provided to extend inward from the side surface of the distribution plate 730. The second groove 715 is formed on the side of the discharge plate 710. When viewed from above, the second groove 715 is positioned to overlap the first groove 735.

제1슬리브(820)는 결합부(822) 및 힌지부(826)를 가진다. 결합부(822)는 일부(824)가 제1홈(735)에 삽입되고, 나머지(825)가 제1홈(735)으로부터 외측 방향으로 돌출되게 위치된다. 즉 결합부(822)의 일부(824)는 분배 플레이트(730)의 저면 중앙 영역과 마주하고, 나머지(825)는 분배 플레이트(730)의 저면 가장자리 영역에 마주하게 위치된다. 결합부(822)의 일부(824)는 나사(810)에 의해 분배 플레이트(730)와 체결된다. 힌지부(826)는 핀(860)이 힌지 결합되도록 제공된다. 힌지부(826)는 결합부(822)의 나머지로부터 아래 방향으로 연장되며, 분배 플레이트(730)의 반경 방향과 직교하는 방향의 힌지축을 가지도록 제공된다.The first sleeve 820 has a coupling portion 822 and a hinge portion 826. The coupling portion 822 is positioned so that a portion 824 is inserted into the first groove 735 and the rest 825 protrudes outward from the first groove 735. That is, a portion 824 of the coupling portion 822 is positioned to face the central region of the bottom of the distribution plate 730, and the rest 825 is positioned to face the edge region of the bottom of the distribution plate 730. A portion 824 of the coupling portion 822 is fastened to the distribution plate 730 by a screw 810. The hinge portion 826 is provided so that the pin 860 is hingedly coupled. The hinge portion 826 extends downward from the rest of the coupling portion 822 and is provided to have a hinge axis in a direction orthogonal to the radial direction of the distribution plate 730.

제2슬리브(840)는 삽입부(842), 지지부(846), 그리고 돌기(848)를 가진다. 삽입부(842)는 일부(844)가 제2홈(715)에 삽입되고, 나머지(845)가 제2홈(715)으로부터 외측 방향으로 돌출되게 위치된다. 삽입부(842)는 제2홈(715)에 비해 낮은 높이를 가질 수 있다. 이에 따라 제2슬리브(840)는 제2홈(715)에 삽입된 채로 탄성 변형될 수 있다. 지지부(846)는 삽입부(842)로부터 돌기(848)까지 연장되게 제공된다. 지지부(846)는 삽입부(842)의 돌출 영역으로부터 제1슬리브(820)를 향하는 방향으로 연장되게 제공된다. 일 예에 의하면, 지지부(846)는 삽입부(842)로부터 위로 연장되게 제공될 수 있다. 돌기(848)는 지지부(846)의 상단에서 외측 방향으로 연장되게 제공된다. 돌기(848)는 핀(860)에 걸리는 걸림부 기능을 수행한다.The second sleeve 840 has an insertion portion 842, a support portion 846, and a protrusion 848. The insertion part 842 is positioned so that a part 844 is inserted into the second groove 715 and the rest 845 protrudes outward from the second groove 715. The insertion part 842 may have a lower height than the second groove 715. Accordingly, the second sleeve 840 may be elastically deformed while being inserted into the second groove 715. The support portion 846 is provided to extend from the insertion portion 842 to the protrusion 848. The support portion 846 is provided to extend in a direction toward the first sleeve 820 from the protruding region of the insertion portion 842. According to an example, the support portion 846 may be provided to extend upward from the insertion portion 842. The protrusion 848 is provided to extend outwardly from the upper end of the support portion 846. The protrusion 848 performs a function of a locking part caught on the pin 860.

핀(860)은 힌지부(826)에 힌지 결합되어 힌지축을 중심으로 회전 가능하게 제공된다. 핀(860)은 힌지축을 중심으로 제2슬리브(840)에 멀어지거나, 가까워지는 방향으로 회전된다. 힌지축 중심의 회전에 의해 핀(860)은 고정 위치와 분리 위치로 이동된다. 예컨대, 공정 위치는 핀(860)에 제2슬리브(840)의 돌기(848)가 걸려 접촉되는 위치이고, 분리 위치는 핀(860)과 제2슬리브(840)가 서로 이격되는 위치이다. 핀(860)은 제1부분(862)과 제2부분(866)을 가진다. 제1부분(862)은 제1슬리브(820)에 힌지 결합되는 부분이고, 제2부분(866)은 제1부분(862)으로부터 연장되는 부분으로 제공된다. 제2부분(866)은 오목부(864)와 볼록부(865)를 가진다. 오목부(864)는 제1부분(862)으로부터 아래로 연장되고, 볼록부(865)는 오목부(864)로부터 아래로 연장된다. 오목부(864)는 볼록부(865)와 제1부분(862)에 비해 작은 둘레를 가진다. 이에 따라 제1부분(862), 오목부(864), 그리고 볼록부(865)의 조합에 의해 고정 홈이 형성된다. 고정 홈은 제2슬리브(840)의 돌기(848)가 삽입 가능한 공간으로 제공된다. 일 예에 의하면, 고정 위치에는 돌기(848)가 고정 홈에 삽입되며, 지지부(846)가 볼록부(865)에 면접촉되어 토출 플레이트(710)와 분배 플레이트(730)를 안정적으로 고정시킬 수 있다. The pin 860 is hinge-coupled to the hinge portion 826 and is provided to be rotatable about the hinge axis. The pin 860 is rotated in a direction moving away from or close to the second sleeve 840 about the hinge axis. The pin 860 is moved to the fixed position and the separated position by rotation of the hinge axis. For example, the process position is a position in which the protrusion 848 of the second sleeve 840 is caught on the pin 860 and comes into contact, and the separation position is a position where the pin 860 and the second sleeve 840 are spaced apart from each other. The pin 860 has a first portion 862 and a second portion 866. The first portion 862 is a portion hinged to the first sleeve 820, and the second portion 866 is provided as a portion extending from the first portion 862. The second portion 866 has a concave portion 864 and a convex portion 865. The concave portion 864 extends downward from the first portion 862, and the convex portion 865 extends downward from the concave portion 864. The concave portion 864 has a smaller circumference than the convex portion 865 and the first portion 862. Accordingly, a fixing groove is formed by a combination of the first portion 862, the concave portion 864, and the convex portion 865. The fixing groove is provided as a space into which the protrusion 848 of the second sleeve 840 can be inserted. According to an example, in the fixed position, the protrusion 848 is inserted into the fixing groove, and the support part 846 is in surface contact with the convex part 865 so that the discharge plate 710 and the distribution plate 730 can be stably fixed. have.

탄성 부재(880)는 핀(860)의 제2부분(866)이 제2슬리브(840)를 향하도록 탄성력을 제공한다. 탄성 부재(880)는 핀(860)의 외측에 위치되며, 상단이 제1슬리브(820)에 고정되고, 하단이 핀(860)의 제2부분(866)에 고정된다. 탄성 부재(880)는 핀(860)의 제2부분(866)을 내측 방향으로 가압한다. 예컨대, 탄성 부재(880)는 판 스프링일 수 있다. The elastic member 880 provides an elastic force so that the second portion 866 of the pin 860 faces the second sleeve 840. The elastic member 880 is located outside the pin 860, its upper end is fixed to the first sleeve 820, and its lower end is fixed to the second portion 866 of the pin 860. The elastic member 880 presses the second portion 866 of the pin 860 in the inward direction. For example, the elastic member 880 may be a leaf spring.

다음은 토출 플레이트가 분배 플레이트에 결합되는 과정을 설명한다. 도 8 내지 도 10은 토출 플레이트가 분배 플레이트에 결합되는 과정을 보여주는 도면들이다. 도 8 내지 도 10을 참조하면, 토출 플레이트(710)는 토출홀과 연장홀이 서로 일치되도록 분배 플레이트(730)의 아래에 위치된다. 토출 플레이트(710)는 분배 플레이트(730)와 밀착되도록 위로 이동된다. 토출 플레이트(710)가 분배 플레이트(730)를 향해 밀착되는 과정에서 제2슬리브(840)와 핀(860)은 서로 반대 방향으로 밀어내는 힘이 작용된다. 이에 따라 핀(860)의 제2부분(866)은 외측 방향으로 밀리고, 제2슬리브(840)의 돌기(848)는 내측 방향으로 밀린다. 토출 플레이트(710)를 계속적으로 이동시키고, 토출 플레이트(710)가 분배 플레이트(730)에 밀착되면, 제2슬리브(840)의 돌기(848)는 핀(860)의 고정 홈에 삽입되어 핀(860)에 걸리도록 제공된다. 탄성 부재(880)는 핀(860)의 제2부분(866)을 내측 방향으로 가압함으로써, 토출 플레이트(710)와 분배 플레이트(730)가 분리되는 것을 방지한다. The following describes a process in which the discharge plate is coupled to the distribution plate. 8 to 10 are views showing a process in which the discharge plate is coupled to the distribution plate. 8 to 10, the discharge plate 710 is positioned under the distribution plate 730 so that the discharge hole and the extension hole coincide with each other. The discharge plate 710 is moved upward so as to be in close contact with the distribution plate 730. In a process in which the discharge plate 710 is in close contact with the distribution plate 730, a force that pushes the second sleeve 840 and the pin 860 in opposite directions is applied. Accordingly, the second portion 866 of the pin 860 is pushed outward, and the protrusion 848 of the second sleeve 840 is pushed inward. When the discharge plate 710 is continuously moved and the discharge plate 710 is in close contact with the distribution plate 730, the protrusion 848 of the second sleeve 840 is inserted into the fixing groove of the pin 860 and the pin ( 860). The elastic member 880 prevents the discharge plate 710 and the distribution plate 730 from being separated by pressing the second portion 866 of the pin 860 in the inward direction.

이와 달리, 토출 플레이트(710)를 분배 플레이트(730)로부터 분리하고자 하는 경우에는 작업자가 핀(860)의 제2부분(866)을 외측 방향으로 강제 밀어낸 후에 토출 플레이트(710)를 분배 플레이트(730)로부터 아래로 이동시킨다.On the other hand, in the case of separating the discharge plate 710 from the distribution plate 730, the operator forcibly pushes the second part 866 of the pin 860 outward, and then the discharge plate 710 is removed from the distribution plate ( 730).

상술한 결합 부재(800)는 토출 플레이트(710)와 분배 플레이트(730)를 직접 결합시킨다. 이에 따라 토출 플레이트(710)를 분배 플레이트(730)에 장착시키거나 탈착시키기 위해 분배 플레이트(730)를 챔버로부터 분리하는 과정을 생략할 수 있으며, 토출 플레이트(710)의 장착 및 분리를 신속하게 수행할 수 있다.The above-described coupling member 800 directly couples the discharge plate 710 and the distribution plate 730. Accordingly, the process of separating the distribution plate 730 from the chamber in order to mount or detach the discharge plate 710 from the distribution plate 730 can be omitted, and the installation and detachment of the discharge plate 710 can be quickly performed. can do.

상술한 실시예에는 제1슬리브(820), 제2슬리브(840), 그리고 핀(860)이 서로 동일 개수로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 11과 같이, 제1슬리브(820)는 원주 방향을 향하는 양단 각각에 핀(860)이 힌지 결합 가능한 구조가 제공된다. 이에 따라 단일의 제1슬리브(820)에 복수의 핀(860)과 제2슬리브(840)가 연결될 수 있다. In the above-described embodiment, it has been described that the first sleeve 820, the second sleeve 840, and the pin 860 are provided in the same number. However, as shown in FIG. 11, the first sleeve 820 is provided with a structure in which pins 860 are hingedly coupled to each of both ends facing the circumferential direction. Accordingly, a plurality of pins 860 and second sleeves 840 may be connected to a single first sleeve 820.

800: 결합 부재 820: 제1슬리브
840: 제2슬리브 860: 핀
880: 탄성 부재800: coupling member 820: first sleeve
840: second sleeve 860: pin
880: elastic member

Claims (12)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛의 상부에서 상기 기판 지지 유닛에 마주하게 위치되며, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드 유닛을 포함하되,
상기 샤워 헤드 유닛은,
토출홀이 형성되는 토출 플레이트와;
상기 토출 플레이트에 적층되게 위치되는 분배 플레이트와;
상기 토출 플레이트와 상기 분배 플레이트를 결합시키는 결합 부재를 포함하되,
상기 결합 부재는,
상기 분배 플레이트에 삽입되는 제1슬리브와
상기 토출 플레이트에 삽입되는 제2슬리브와;
상기 제1슬리브와 상기 제2슬리브 중 어느 하나에 힌지 결합되며, 다른 하나에 멀어지거나 가까워지는 방향으로 힌지축을 중심으로 회전되는 핀과;
상기 어느 하나에 일단이 고정되고, 타단이 상기 핀에 고정되며, 상기 핀에 탄성력을 제공하는 판 스프링을 포함하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A process chamber having a processing space therein;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
A shower head unit positioned above the substrate support unit to face the substrate support unit, and supplying a process gas to the processing space,
The shower head unit,
A discharge plate in which a discharge hole is formed;
A distribution plate positioned to be stacked on the discharge plate;
Including a coupling member for coupling the discharge plate and the distribution plate,
The coupling member,
A first sleeve inserted into the distribution plate
A second sleeve inserted into the discharge plate;
A pin hinge-coupled to one of the first sleeve and the second sleeve and rotated about the hinge axis in a direction moving away from or closer to the other;
A substrate processing apparatus comprising a leaf spring having one end fixed to one of the above, the other end fixed to the pin, and providing an elastic force to the pin. 제1항에 있어서,
상기 핀은
상기 힌지축을 중심으로 회전되는 제1부분과;
상기 제1부분으로부터 연장되며, 상기 제1부분의 회전에 의해 고정 위치와 분리 위치 간에 이동되는 제2부분을 가지며,
상기 고정 위치는 상기 분배 플레이트와 상기 토출 플레이트가 서로 결합되는 위치이고,
상기 분리 위치는 상기 분배 플레이트와 상기 토출 플레이트가 서로 분리되는 위치이며,
상기 고정 위치에는 상기 제2부분이 상기 다른 하나에 가까워지는 방향으로 상기 다른 하나를 가압하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The pin is
A first portion rotated about the hinge axis;
It extends from the first portion and has a second portion that is moved between the fixed position and the separated position by rotation of the first portion,
The fixed position is a position where the distribution plate and the discharge plate are coupled to each other,
The separation position is a position where the distribution plate and the discharge plate are separated from each other,
A substrate processing apparatus for pressing the other one in a direction in which the second portion approaches the other at the fixed position. 제2항에 있어서,
상기 분배 플레이트는 제1측면에 상기 제1슬리브가 삽입되는 제1홈이 형성되고,
상기 토출 플레이트는 제2측면에 상기 제2슬리브가 삽입되는 제2홈이 형성되되,
상기 제1홈과 상기 제2홈 각각은 상하 방향으로 서로 마주하게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The distribution plate has a first groove on a first side in which the first sleeve is inserted,
The discharge plate is formed with a second groove in the second side of the second sleeve is inserted,
Each of the first groove and the second groove is positioned to face each other in a vertical direction. 삭제delete 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 다른 하나는 외측 방향으로 돌출되는 돌기를 가지며,
상기 핀은 상기 고정 위치에서 상기 돌기가 삽입되는 고정 홈이 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 2 or 3,
The other one has a protrusion protruding in an outward direction,
The pin is a substrate processing apparatus in which a fixing groove into which the protrusion is inserted is formed at the fixing position. 제5항에 있어서,
상기 제2부분은 상기 제1부분으로부터 연장되는 오목부와 상기 오목부로부터 연장되며 상기 오목부에 비해 큰 폭으로 제공되는 볼록부를 가지고,
상기 고정 홈은 상기 제1부분과 상기 볼록부의 사이 공간으로 제공되는 기판 처리 장치. The method of claim 5,
The second portion has a concave portion extending from the first portion and a convex portion extending from the concave portion and provided with a larger width than the concave portion,
The fixing groove is provided as a space between the first portion and the convex portion. 제6항에 있어서,
상기 다른 하나는,
상기 분배 플레이트 또는 상기 토출 플레이트에 일부가 삽입되는 삽입부와;
상기 삽입부로부터 어느 하나를 향하는 방향으로 연장되며, 상기 돌기를 지지하는 지지부를 가지며,
상기 고정 위치에서 상기 돌기는 상기 고정홈에 삽입되고, 상기 지지부는 상기 볼록부에 면접촉되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The other one above,
An insertion part which is partially inserted into the distribution plate or the discharge plate;
It extends in a direction from the insertion part toward any one, and has a support part supporting the protrusion,
In the fixed position, the protrusion is inserted into the fixing groove, and the support portion is in surface contact with the convex portion. 제7항에 있어서,
상기 어느 하나는 상기 제1슬리브를 포함하고,
상기 다른 하나는 상기 제2슬리브를 포함하되,
상기 제1슬리브는 상기 제1홈에 삽입되며, 상기 분배 플레이트와 고정 결합되는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
Any of the above includes the first sleeve,
The other one includes the second sleeve,
The first sleeve is inserted into the first groove and fixedly coupled to the distribution plate. 기판 상에 공정 가스를 공급하는 유닛에 있어서,
토출홀이 형성되는 토출 플레이트와;
상기 토출 플레이트에 적층되게 위치되는 분배 플레이트와;
상기 토출 플레이트와 상기 분배 플레이트를 결합시키는 결합 부재를 포함하되,
상기 결합 부재는,
상기 분배 플레이트에 삽입되는 제1슬리브와
상기 토출 플레이트에 삽입되는 제2슬리브와;
상기 제1슬리브와 상기 제2슬리브 중 어느 하나에 힌지 결합되며, 다른 하나에 멀어지거나 가까워지는 방향으로 힌지축을 중심으로 회전되는 핀과;
상기 어느 하나에 일단이 고정되고, 타단이 상기 핀에 고정되며, 상기 핀에 탄성력을 제공하는 판 스프링을 포함하는 샤워 헤드 유닛.In the unit for supplying a process gas on a substrate,
A discharge plate in which a discharge hole is formed;
A distribution plate positioned to be stacked on the discharge plate;
Including a coupling member for coupling the discharge plate and the distribution plate,
The coupling member,
A first sleeve inserted into the distribution plate
A second sleeve inserted into the discharge plate;
A pin hinge-coupled to one of the first sleeve and the second sleeve and rotated about the hinge axis in a direction moving away from or closer to the other;
A shower head unit comprising a leaf spring having one end fixed to one of the above, the other end fixed to the pin, and providing an elastic force to the pin. 제9항에 있어서,
상기 핀은
상기 힌지축을 중심으로 회전되는 제1부분과;
상기 제1부분으로부터 연장되며, 상기 제1부분의 회전에 의해 고정 위치와 분리 위치 간에 이동되는 제2부분을 가지며,
상기 고정 위치는 상기 분배 플레이트와 상기 토출 플레이트가 서로 결합되는 위치이고,
상기 분리 위치는 상기 분배 플레이트와 상기 토출 플레이트가 서로 분리되는 위치이며,
상기 고정 위치에는 상기 제2부분이 상기 다른 하나에 가까워지는 방향으로 상기 다른 하나를 가압하는 샤워 헤드 유닛.The method of claim 9,
The pin is
A first portion rotated about the hinge axis;
It extends from the first portion and has a second portion that is moved between the fixed position and the separated position by rotation of the first portion,
The fixed position is a position where the distribution plate and the discharge plate are coupled to each other,
The separation position is a position where the distribution plate and the discharge plate are separated from each other,
In the fixed position, the shower head unit pressurizes the other one in a direction in which the second portion approaches the other. 제10항에 있어서,
상기 제1슬리브와 상기 제2슬리브는 상하 방향으로 서로 마주하게 위치되는 샤워 헤드 유닛.The method of claim 10,
The first sleeve and the second sleeve are positioned to face each other in a vertical direction. 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 다른 하나는 외측 방향으로 돌출되는 돌기를 가지며,
상기 핀은 상기 고정 위치에서 상기 돌기가 삽입되는 고정 홈이 형성되는 샤워 헤드 유닛.



The method of claim 10 or 11,
The other one has a protrusion protruding in an outward direction,
The pin is a shower head unit in which a fixing groove into which the protrusion is inserted is formed at the fixing position.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100468308B1 (en) 1996-05-13 2005-03-16 에어 테스트 시스템즈 Reusable die carrier for burn-in and burn-in process
KR100718643B1 (en) 2005-11-28 2007-05-15 주식회사 유진테크 Fixing apparatus for shower head
KR200457817Y1 (en) 2009-12-28 2012-01-05 주식회사 케이씨텍 Showerhead unit for atomic layer deposition apparatus
KR101686564B1 (en) * 2015-06-17 2016-12-15 세메스 주식회사 Locking assembly and Apparatus for treating substrate with the assembly

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7942973B2 (en) * 2006-10-16 2011-05-17 Lam Research Corporation Methods and apparatus for wet cleaning electrode assemblies for plasma processing apparatuses

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100468308B1 (en) 1996-05-13 2005-03-16 에어 테스트 시스템즈 Reusable die carrier for burn-in and burn-in process
KR100718643B1 (en) 2005-11-28 2007-05-15 주식회사 유진테크 Fixing apparatus for shower head
KR200457817Y1 (en) 2009-12-28 2012-01-05 주식회사 케이씨텍 Showerhead unit for atomic layer deposition apparatus
KR101686564B1 (en) * 2015-06-17 2016-12-15 세메스 주식회사 Locking assembly and Apparatus for treating substrate with the assembly

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