KR102257815B1 - Solar cell module - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판 및 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 태양 전지; 태양 전지의 후면에 배치되어 제1 전극에 접속하는 제1 도전성 배선과 제2 전극에 접속하는 제2 도전성 배선; 제1 전극과 제1 도전성 배선 사이 및 제2 전극과 제2 도전성 배선 사이를 서로 전기적으로 접속시키는 도전성 접착제; 및 제1 전극과 제2 전극 사이, 제1 도전성 배선과 제2 도전성 배선 사이, 제1 도전성 배선과 제2 전극 사이 또는 제2 도전성 배선과 제1 전극 사이를 서로 절연시키는 절연층;을 포함하고, 절연층의 경화 온도는 도전성 접착제의 경화 온도와 다르다.
The present invention relates to a solar cell module.
A solar cell module according to an example of the present invention includes a solar cell having a semiconductor substrate and a first electrode and a second electrode formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; A first conductive wire disposed on the rear surface of the solar cell and connected to the first electrode and a second conductive wire connected to the second electrode; A conductive adhesive electrically connecting the first electrode and the first conductive wiring and the second electrode and the second conductive wiring to each other; And an insulating layer insulating each other between the first electrode and the second electrode, between the first conductive line and the second conductive line, between the first conductive line and the second electrode, or between the second conductive line and the first electrode. , The curing temperature of the insulating layer is different from the curing temperature of the conductive adhesive.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate made of semiconductors of different conductive types, such as a p-type and an n-type, and an emitter unit, and an electrode connected to the substrate and the emitter unit, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter part.

이와 같이 반도체 기판을 사용하는 태양 전지는 구조에 따라 컨벤셔널 타입, 후면 컨텍 타입 등 다양한 종류로 나눌 수 있다. As described above, solar cells using a semiconductor substrate can be classified into various types, such as a conventional type and a rear contact type, depending on the structure.

여기서, 컨벤셔널 타입은 에미터부가 기판의 전면에 위치하고, 에미터부에 연결된 전극이 기판의 전면에, 기판에 연결되는 전극이 기판의 후면에 위치하며, 후면 컨텍 타입은 에미터부가 기판의 후면에 위치하며, 전극이 모두 기판의 후면에 위치한다.Here, in the conventional type, the emitter unit is located on the front surface of the substrate, the electrode connected to the emitter unit is located on the front surface of the substrate, and the electrode connected to the substrate is located on the rear surface of the substrate, and in the rear contact type, the emitter unit is located on the rear surface of the substrate. And all electrodes are located on the back side of the substrate.

여기서, 후면 컨텍 타입의 태양 전지는 전극이 모두 기판의 후면에 형성되므로, 기판의 후면에 형성된 전극을 인터커넥터나 별도의 도전성 금속을 통해 인접한 태양 전지의 전극에 직렬 연결하여 태양 전지 모듈을 형성할 수 있다.Here, in the solar cell of the rear contact type, since all the electrodes are formed on the rear surface of the substrate, the electrodes formed on the rear surface of the substrate are connected in series to the electrodes of the adjacent solar cells through an interconnector or a separate conductive metal to form a solar cell module. I can.

본 발명은 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판 및 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 태양 전지; 태양 전지의 후면에 배치되어 제1 전극에 접속하는 제1 도전성 배선과 제2 전극에 접속하는 제2 도전성 배선; 제1 전극과 제1 도전성 배선 사이 및 제2 전극과 제2 도전성 배선 사이를 서로 전기적으로 접속시키는 도전성 접착제; 및 제1 전극과 제2 전극 사이, 제1 도전성 배선과 제2 도전성 배선 사이, 제1 도전성 배선과 제2 전극 사이 또는 제2 도전성 배선과 제1 전극 사이를 서로 절연시키는 절연층;을 포함하고, 절연층의 경화 온도는 도전성 접착제의 경화 온도와 다르다.A solar cell module according to an example of the present invention includes a solar cell having a semiconductor substrate and a first electrode and a second electrode formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; A first conductive wire disposed on the rear surface of the solar cell and connected to the first electrode and a second conductive wire connected to the second electrode; A conductive adhesive electrically connecting the first electrode and the first conductive wiring and the second electrode and the second conductive wiring to each other; And an insulating layer insulating each other between the first electrode and the second electrode, between the first conductive line and the second conductive line, between the first conductive line and the second electrode, or between the second conductive line and the first electrode. , The curing temperature of the insulating layer is different from the curing temperature of the conductive adhesive.

여기서, 절연층의 경화 온도는 도전성 접착제의 경화 온도보다 낮을 수 있으며, 일례로, 절연층의 경화 온도는 80℃ ~ 120℃ 사이이고, 도전성 접착제의 경화 온도는 130℃ ~ 160℃ 사이일 수 있다.Here, the curing temperature of the insulating layer may be lower than the curing temperature of the conductive adhesive. For example, the curing temperature of the insulating layer may be between 80°C and 120°C, and the curing temperature of the conductive adhesive may be between 130°C and 160°C. .

여기서, 절연층은 경화성 수지 또는 반응성 수지일 수 있으며, 일례로, 경화성 재질의 에폭시, 폴리이미드, 실리콘, 또는 폴리에틸렌 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.Here, the insulating layer may be a curable resin or a reactive resin, and for example, may include at least one of epoxy, polyimide, silicone, or polyethylene made of a curable material.

아울러, 도전성 접착제는 금속 물질과 금속 물질을 감싸는 절연성 수지를 포함할 수 있다.In addition, the conductive adhesive may include a metal material and an insulating resin surrounding the metal material.

여기서, 도전성 접착제의 금속 물질은 주석(Sn)을 포함하는 제1 금속 입자 또는 주석(Sn) 이외의 다른 제2 금속 입자를 포함할 수 있다.Here, the metal material of the conductive adhesive may include first metal particles including tin (Sn) or second metal particles other than tin (Sn).

여기서, 주석(Sn)을 포함하는 제1 금속 입자의 경화 온도는 130℃ ~ 160℃ 사이일 수 있으며, 일례로, SnIn 또는 SnBi 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.Here, the curing temperature of the first metal particles including tin (Sn) may be between 130°C and 160°C, and for example, may include at least one of SnIn and SnBi.

또한, 주석(Sn) 이외의 다른 제2 금속 입자는 Cu, Ni, Ag 또는 Au 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In addition, the second metal particles other than tin (Sn) may include at least one of Cu, Ni, Ag, or Au.

또한, 절연성 수지의 경화 온도는 130℃ ~ 160℃ 사이일 수 있으며, 일례로, 절연성 수지는 에폭시(epoxy) 계열이나 실리콘(silicon) 계열의 재질을 포함할 수 있다.In addition, the curing temperature of the insulating resin may be between 130°C and 160°C. For example, the insulating resin may include an epoxy-based or silicon-based material.

또한, 제1, 2 도전성 배선은 서로 인접한 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터이거나 제1, 2 전극에 접속되는 보조 전극일 수 있다.In addition, the first and second conductive wires may be interconnectors for serially connecting solar cells adjacent to each other, or may be auxiliary electrodes connected to the first and second electrodes.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 도전성 접착제와 절연층의 경화 온도를 다르게 함으로써, 태양 전지 모듈의 제조 공정을 보다 단순화하고, 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.The solar cell module according to the present invention may further simplify the manufacturing process of the solar cell module and further improve the stability by differentiating the curing temperature of the conductive adhesive and the insulating layer.

도 1 내지 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 10 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
1 to 9 are diagrams for explaining an example of a solar cell module according to a first embodiment of the present invention.
10 to 11 are diagrams for explaining an example of a solar cell module according to a second embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.In the drawings, the thicknesses are enlarged in order to clearly express various layers and regions. When a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the case where the other part is "directly above", but also the case where there is another part in the middle. Conversely, when one part is "directly above" another part, it means that there is no other part in the middle. In addition, when a part is "overall" formed on another part, it means that it is formed not only on the entire surface (or the entire surface) of the other part, but also not formed on a part of the edge.

아울러, 이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.In addition, hereinafter, the front surface may be a surface of the semiconductor substrate to which direct sunlight is incident, and the rear surface may be a surface opposite to the semiconductor substrate to which direct sunlight is not incident or reflected light other than direct sunlight may be incident.

도 1 내지 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.1 to 9 are diagrams for explaining an example of a solar cell module according to a first embodiment of the present invention.

구체적으로, 도 1은 태양 전지 모듈에 포함되는 복수의 태양 전지가 인터커넥터(IC)에 연결된 모습을 위에서 본 모습이고, 도 2는 도 1과 같은 직렬 연결된 태양 전지가 모듈화되었을 때, 도 1에 도시된 A영역의 제1 방향(x)에 따른 단면을 도시한 것이다.Specifically, FIG. 1 is a view from above of a state in which a plurality of solar cells included in a solar cell module are connected to an interconnector (IC), and FIG. 2 is a view when a solar cell connected in series as shown in FIG. 1 is modularized. It shows a cross section along the first direction (x) of the illustrated area A.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)와 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 형성된 절연성 부재(200) 및 인터커넥터(IC)를 포함한다.1 and 2, an example of a solar cell module according to the present invention is an insulating member 200 in which first and second solar cells C1 and C2 and first and second conductive wires EC1 and EC2 are formed. ) And interconnectors (ICs).

여기서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각은 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 반드시 한정되지는 않고, 일체형 개별 소자에서 절연성 부재(200)만 생략될 수도 있다.Here, in each of the first and second solar cells C1 and C2, the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 may be individually connected to each other to form a single integrated individual device. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and only the insulating member 200 may be omitted in the integrated individual device.

여기서, 반도체 기판(110)은 입사되는 빛을 전기로 변환하기 위해 p-n 접합이 형성될 수 있으며, 후면에 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)이 형성될 수 있다. Here, a p-n junction may be formed in the semiconductor substrate 110 to convert incident light into electricity, and a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C142 may be formed on a rear surface.

아울러, 절연성 부재(200)는 제1 도전성 배선(EC1)과 제2 도전성 배선(EC2)를 구비할 수 있다. 여기서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(EC1)과 제2 도전성 배선(EC2) 각각은 도 2에 도시된 바와 같이 설명한 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)에 접속될 수 있다. In addition, the insulating member 200 may include a first conductive line EC1 and a second conductive line EC2. Here, as shown in FIG. 2, each of the first conductive wire EC1 and the second conductive wire EC2 is connected to the first electrode C141 and the second electrode C142 described as shown in FIG. 2. Can be.

즉, 제1 도전성 배선(EC1)은 제1 전극(C141)에 접속하고, 제2 도전성 배선(EC2)은 제2 전극(C142)에 접속할 수 있다.That is, the first conductive wiring EC1 may be connected to the first electrode C141, and the second conductive wiring EC2 may be connected to the second electrode C142.

여기서, 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(EC1) 사이 및 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(EC2) 사이는 도전성 접착제(CA)에 의해 서로 전기적으로 접속될 수 있다.Here, between the first electrode C141 and the first conductive line EC1 and between the second electrode C142 and the second conductive line EC2 may be electrically connected to each other by a conductive adhesive CA.

아울러, 도 1 및 도 2에는 도시되지는 않았지만, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이, 제1 도전성 배선(EC1)과 제2 도전성 배선(EC2) 사이는 절연층(IL)에 의해 서로 절연될 수 있다. 이에 대해서는 도 3 이하에서 구체적으로 설명한다.In addition, although not shown in FIGS. 1 and 2, an insulating layer IL is provided between the first electrode C141 and the second electrode C142 and between the first conductive wiring EC1 and the second conductive wiring EC2. Can be insulated from each other by This will be described in detail below in FIG. 3.

아울러, 인터커넥터(IC)는 도전성 금속 재질을 포함하여 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 서로 전기적으로 연결시키는 기능을 하며, 이에 따라, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)는 인터커넥터(IC)에 의해 접속되어 제1 방향(x)으로 배열될 수 있다.In addition, the interconnector IC includes a conductive metal material and functions to electrically connect the first solar cell C1 and the second solar cell C2 to each other, and accordingly, as shown in FIG. 1, The first solar cell C1 and the second solar cell C2 may be connected by an interconnector IC to be arranged in a first direction x.

구체적으로 일례로, 도 2에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)의 양단 각각은 제1 태양 전지(C1)의 제1 도전성 배선(EC1)과 제2 태양 전지(C2)의 제2 도전성 배선(EC2)에 접속될 수 있다. 그러나, 이와 다르게, 인터커넥터(IC)의 양단 각각은 제1 태양 전지(C1)의 제2 도전성 배선(EC2)과 제2 태양 전지(C2)의 제1 도전성 배선(EC1)에 접속되는 것도 가능하다.Specifically, as an example, as shown in FIG. 2, each of both ends of the interconnector IC is a first conductive wire EC1 of the first solar cell C1 and a second conductive wire of the second solar cell C2. It can be connected to (EC2). However, differently, both ends of the interconnector IC may be connected to the second conductive wiring EC2 of the first solar cell C1 and the first conductive wiring EC1 of the second solar cell C2. Do.

이때, 인터커넥터(IC)와 제1 도전성 배선(EC1) 사이 및 인터커넥터(IC)와 제2 도전성 배선(EC2) 사이도 도전성 접착제(CA)에 의해 서로 접속될 수 있다.In this case, between the interconnector IC and the first conductive line EC1 and between the interconnector IC and the second conductive line EC2 may also be connected to each other by a conductive adhesive CA.

이와 같이, 인터커넥터(IC)에 의해 서로 직렬 연결된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 모듈화되어 도 2에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다.In this way, the first and second solar cells C1 and C2 connected in series with each other by the interconnector IC may be modularized and formed as shown in FIG. 2.

즉, 복수의 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)에 의해 서로 직렬 연결된 복수의 태양 전지는 투명 기판(FG) 위에 도포된 제1 봉지재(EVA1) 위에 위치시킨 이후, 복수의 태양 전지(C1, C2) 위에 제2 봉지재(EVA2)과 후면 시트(BS)를 배치한 상태에서 열 압착하는 라미네이션 공정에 의해 도 2에 도시된 바와 같이 모듈화될 수 있다. 이때, 라미네이션 공정에서의 열처리 온도는 160℃ ~ 170℃ 사이일 수 있다.That is, a plurality of solar cells connected in series to each other by a plurality of first and second conductive wirings EC1 and EC2 are positioned on the first encapsulant EVA1 applied on the transparent substrate FG, and then the plurality of solar cells ( It can be modularized as shown in FIG. 2 by a lamination process in which the second encapsulant (EVA2) and the rear sheet (BS) are disposed on C1 and C2) and thermally compressed. In this case, the heat treatment temperature in the lamination process may be between 160°C and 170°C.

여기서, 투명 기판(FG)은 광투과성의 유리 또는 플라스틱 재질일 수 있으며, 제1, 2 봉지재(EVA1, EVA2)는 탄성력과 절연성을 구비한 재질로, 일례로, EVA(ethylene vinyl acetate)를 포함할 수 있다. 아울러, 후면 시트(BS)는 방습 기능이 있는 절연성 재질로 형성될 수 있다.Here, the transparent substrate (FG) may be a light-transmitting glass or plastic material, and the first and second encapsulants (EVA1, EVA2) are a material having elasticity and insulation, for example, EVA (ethylene vinyl acetate). Can include. In addition, the rear sheet BS may be formed of an insulating material having a moisture-proof function.

한편, 이와 같은 태양 전지 모듈에서 절연층(IL)의 경화 온도는 도전성 접착제(CA)의 경화 온도와 다를 수 있다. 이에 대해서는 본 발명에 따른 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속된 하나의 일체형 개별 소자에 대해 설명하면서 함께 설명한다.Meanwhile, in such a solar cell module, the curing temperature of the insulating layer IL may be different from the curing temperature of the conductive adhesive CA. This will be described together while describing one integrated individual element in which each of the first and second solar cells C1 and C2 according to the present invention and the insulating member 200 are connected individually.

도 3 내지 도 9는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 일체형 개별 소자의 일례를 설명하기 위한 도이다.3 to 9 are diagrams for explaining an example of an integrated individual device applied to the solar cell module shown in FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일례에 따른 일체형 개별 소자를 설명하기 위한 일례로, 도 3의 (a)는 일체형 개별 소자의 일부 사시도의 일례이고, 도 3의 (b) 및 (c)는 K부분을 확대 도시한 것으로, 도 3의 (b)는 도전성 접착제(CA)의 다른 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 3의 (c)는 도전성 접착제(CA)의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.3 is an example for explaining an integrated individual device according to an example of the present invention, FIG. 3 (a) is an example of a partial perspective view of the integrated individual device, and FIGS. As an enlarged view, FIG. 3B is a view for explaining another example of the conductive adhesive CA, and FIG. 3C is a view for explaining another example of the conductive adhesive CA.

도 4는 도 3에 도시된 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 5는 도 4에 도시된 태양 전지의 후면에 형성된 제1, 2 전극(C141, C142)의 패턴과 도 3에 도시된 절연성 부재(200)에 형성된 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 패턴에 대한 일례를 설명하기 위한 도로서, 도 5의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)에서 5(b)-5(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 5의 (c)는 절연성 부재(200)의 전면에 배치되는 제1 도전성 배선(EC1)과 제2 도전성 배선(EC2)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 5의 (d)는 도 5의 (c)에서 5(d)-5(d) 라인에 따른 단면도이다.FIG. 4 is an example of a partial perspective view of the solar cell shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a pattern of the first and second electrodes C141 and C142 formed on the rear surface of the solar cell shown in FIG. 4 and the insulating properties shown in FIG. 3. As a diagram for explaining an example of a pattern of the first and second conductive wirings EC1 and EC2 formed on the member 200, FIG. 5A is a first electrode disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 ( It is a diagram for explaining an example of a pattern of C141 and the second electrode C142, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along lines 5(b)-5(b) in FIG. 5(a), and FIG. (c) is a diagram for explaining an example of a pattern of the first conductive wiring EC1 and the second conductive wiring EC2 disposed on the front surface of the insulating member 200, and FIG. 5(d) is a diagram of FIG. 5(c). ) To 5(d)-5(d).

도 3의 (a)를 참조하면, 본 발명에 따른 일체형 개별 소자의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 구비된 태양 전지와 제1 도전성 배선(EC1) 및 제2 도전성 배선(EC2)이 구비된 절연성 부재(200)를 포함하고, 이에 더하여 절연성 부재(200)를 태양 전지에 접속시키는 절연층(IL)과 도전성 접착제(CA)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3A, an example of an integrated individual device according to the present invention is a semiconductor substrate 110, an antireflection film 130, an emitter part 121, and a back surface field (BSF, 172). , Including a solar cell provided with a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C142, and an insulating member 200 provided with a first conductive wire EC1 and a second conductive wire EC2, , In addition, an insulating layer IL and a conductive adhesive CA for connecting the insulating member 200 to the solar cell may be included.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지는 일례로 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4, the solar cell according to the present invention includes, for example, a semiconductor substrate 110, an antireflection film 130, an emitter part 121, a back surface field (BSF, 172), and a plurality of A first electrode C141 and a plurality of second electrodes C142 may be included.

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으나, 이하에서는 도 4에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Here, the anti-reflection film 130 and the rear electric field part 172 may be omitted, but hereinafter, as shown in FIG. 4, it will be described that the anti-reflection film 130 and the rear electric field part 172 are included as an example.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 결정질 실리콘 재질로 형성되는 반도체 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물, 일례로 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물인 n형 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The semiconductor substrate 110 may be a semiconductor substrate 110 made of silicon of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity type. Such a semiconductor substrate 110 is an n-type impurity of a pentavalent element such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), etc., in a semiconductor wafer formed of a crystalline silicon material. It may be formed by doping with impurities of a conductivity type.

에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 복수 개가 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 제1 방향(x)으로 뻗어 있다. 이와 같은 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 일례로 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물인 p형 도전성 타입의 불순물이 포함될 수 있다. A plurality of emitter units 121 are located in the rear surface of the semiconductor substrate 110 facing the front surface, spaced apart from each other, and extend in a first direction x parallel to each other. The plurality of emitter units 121 are of a second conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate 110, for example, an impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), and indium (In). Impurities of a p-type conductivity type may be included.

이에 따라 반도체 기판(110)과 에미터부(121)에 의해 p-n 접합이 형성될 수 있다.Accordingly, a p-n junction may be formed by the semiconductor substrate 110 and the emitter part 121.

그러나, 전술한 바와 달리, 반도체 기판(110)이 p형 도전성 타입의 불순물을 포함하고, 에미터부(121)가 n형 도전성 타입의 불순물을 포함하는 것도 가능하다.However, unlike the foregoing, it is also possible for the semiconductor substrate 110 to contain impurities of the p-type conductivity type and the emitter unit 121 to include impurities of the n-type conductivity type.

후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 서로 이격되어 위치하며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 제1 방향(x)으로 뻗어 있다. 따라서, 도 4에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치할 수 있다.A plurality of rear electric field units 172 are located inside the rear surface of the semiconductor substrate 110 to be spaced apart from each other, and extend in a first direction x parallel to the plurality of emitter units 121. Accordingly, as shown in FIG. 4, a plurality of emitter units 121 and a plurality of rear electric field units 172 may be alternately positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 제1 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 n++ 불순물부일 수 있다. The plurality of rear electric field portions 172 may be n++ impurity portions in which impurities of the same first conductivity type as the semiconductor substrate 110 are contained in a higher concentration than the semiconductor substrate 110.

참고로, 도면의 이해의 편의상 도 5의 (a) 및 (b)에서는 에미터부(121)와 후면 전계부(172)에 대한 도시는 생략하였다.For reference, the illustration of the emitter unit 121 and the rear electric field unit 172 is omitted in FIGS. 5A and 5B for convenience of understanding the drawings.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성될 수 있다. As shown in FIG. 4, the first electrode C141 may be physically and electrically connected to the emitter unit 121, respectively, and may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 along the emitter unit 121.

또한, 제2 전극(C142)은 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성되며, 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second electrode C142 is formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 along the plurality of rear electric field units 172, and is physically and electrically connected to the semiconductor substrate 110 through the rear electric field unit 172, respectively. I can.

도 4 및 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 이와 같은 제1 전극(C141)은 복수 개일 수 있으며, 복수 개의 제1 전극(C141)이 서로 이격되어 반도체 기판(110)의 후면 상에 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 있을 수 있다.As shown in FIGS. 4 and 5A, there may be a plurality of first electrodes C141, and the plurality of first electrodes C141 are spaced apart from each other to be disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110. It may be elongated in the first direction (x).

아울러, 도 4 및 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 제2 전극(C142)도 복수 개일 수 있으며, 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 반도체 기판(110)의 후면 상에 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 있을 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 4 and 5(a), there may be a plurality of second electrodes C142, and the plurality of second electrodes C142 are spaced apart from each other and are disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110. It may be elongated in the first direction (x).

여기서, 제1, 2 전극(C141, C142)은 서로 이격되어, 전기적으로 격리될 수 있으며, 서로 교번하여 배치될 수 있다. Here, the first and second electrodes C141 and C142 may be separated from each other, electrically isolated, and may be alternately disposed.

아울러, 이와 같은 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC) 대비 폭(WC)의 비는 1: 200 ~ 1500 사이일 수 있다. In addition, the ratio of the width WC to the thickness TC of each of the first and second electrodes C141 and C142 may be between 1: 200 and 1500.

즉, 일례로, 도 5의 (b)를 참조하면, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC)는 0.2㎛ ~ 1㎛ 사이로 형성될 수 있으며, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각은 폭(WC)은 200㎛ ~ 300㎛ 사이로 형성될 수 있다.That is, as an example, referring to (b) of FIG. 5, the thickness TC of each of the plurality of first and second electrodes C141 and C142 may be formed between 0.2 μm and 1 μm, and the plurality of first and second electrodes C141 and C142 may be formed between 0.2 μm and 1 μm. Each of the 2 electrodes C141 and C142 may have a width WC of 200 μm to 300 μm.

이와 같이, 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC) 대비 폭(WC)의 비가 1: 200 ~ 1500 사이가 되도록 함으로써, 태양 전지의 제조 비용을 최소화할 수 있다.In this way, by setting the ratio of the width WC to the thickness TC of each of the first and second electrodes C141 and C142 to be between 1: 200 and 1500, manufacturing cost of a solar cell can be minimized.

이와 같은 경우, 제1, 2 전극(C141, C142)의 각 단면적이 과도하게 줄어들어, 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 저항이 문제될 수 있으나, 이와 같은 저항은 제1, 2 전극(C141, C142) 각각에 접속되어, 보조 전극으로서 역할을 하는 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)에 의해 해소될 수 있다. In this case, the cross-sectional area of each of the first and second electrodes C141 and C142 is excessively reduced, so that resistance of each of the first and second electrodes C141 and C142 may be a problem. It is connected to each of (C141, C142), and can be eliminated by the first and second conductive wirings EC1 and EC2 serving as auxiliary electrodes.

즉, 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 두께(TC)를 매우 얇게 형성함으로써, 태양 전지의 제조 시간과 제조 비용을 줄일 수 있고, 상대적으로 증가된 제1, 2 전극(C141, C142)의 저항을 도전성 접착제(CA)를 통하여 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)를 접속시킴으로써, 해소할 수 있다.That is, by forming the thickness TC of each of the first and second electrodes C141 and C142 very thin, it is possible to reduce the manufacturing time and manufacturing cost of the solar cell, and the relatively increased first and second electrodes C141 and C142 ) Resistance can be eliminated by connecting the first and second conductive wirings EC1 and EC2 through a conductive adhesive CA.

이와 같은 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 일례로, 스퍼터링 방식으로 제조될 수 있다.Such a plurality of first and second electrodes C141 and C142 may be manufactured by a sputtering method, for example.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 4에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(C141, C142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다. The solar cell applied to the solar cell module according to the present invention is not necessarily limited to FIG. 4, except that the first and second electrodes C141 and C142 provided in the solar cell are formed only on the rear surface of the semiconductor substrate 110. Other components can be changed anytime.

예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(C141)의 일부 및 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(C141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.For example, in the solar cell module of the present invention, a part of the first electrode C141 and the emitter part 121 are located on the front surface of the semiconductor substrate 110, and a part of the first electrode C141 is located on the semiconductor substrate 110. An MWT type solar cell connected to the rest of the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through the formed hole may also be applied.

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(C141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(C142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.Holes collected through the first electrode C141 and electrons collected through the second electrode C142 in the solar cell according to the present invention manufactured with such a structure will be used as power of an external device through an external circuit device. I can.

제1 도전성 배선(EC1)은 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(EC1-F)와 제1 패드부(EC1-B)를 포함하고, 제1 접속부(EC1-F)는 제1 방향(x)으로 길게 형성되어 복수의 제1 전극(C141)에 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속되며, 제1 패드부(EC1-B)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되어, 일단이 제1 접속부(EC1-F)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. The first conductive wiring EC1 includes a first connection part EC1-F and a first pad part EC1-B, as shown in FIG. 5C, and the first connection part EC1-F Is formed to be elongated in the first direction (x) and connected to the plurality of first electrodes (C141) through a conductive adhesive (CA), and the first pad portion EC1-B is formed to be elongated in the second direction (y). , One end may be connected to the end of the first connection part EC1-F, and the other end may be connected to the interconnector IC.

이와 같은 제1 접속부(EC1-F)는 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제1 전극(C141)에 접속될 수도 있고, 이와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제1 전극(C141)이 접속될 수도 있다. The first connection part EC1-F may be formed in plural and each may be connected to a plurality of first electrodes C141, or alternatively, it is formed as one tubular electrode, and a plurality of first connecting portions EC1-F are formed in one tubular electrode. The electrode C141 may be connected.

아울러, 제1 접속부(EC1-F)가 복수 개로 형성된 경우, 도 5과 같이, 제1 접속부(EC1-F)는 복수의 제1 전극(C141)과 동일한 방향으로 형성될 수 있으나, 이와 다르게, 교차하는 방향으로 형성되는 것도 가능하다. 이때, 이와 같은 제1 접속부(EC1-F)는 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. In addition, when a plurality of first connection parts EC1-F are formed, as shown in FIG. 5, the first connection part EC1-F may be formed in the same direction as the plurality of first electrodes C141, but differently, It is also possible to be formed in an intersecting direction. In this case, the first connection parts EC1-F may be electrically connected to each other at a portion overlapping the first electrode C141.

제2 도전성 배선(EC2)은 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(EC2-F)와 제2 패드부(EC2-B)를 포함하고, 제2 접속부(EC2-F)는 제1 접속부(EC1-F)와 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성되고, 복수의 제2 전극(C142)에 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속되며, 제2 패드부(EC2-B)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되어, 일단이 제2 접속부(EC2-F)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. The second conductive wiring EC2 includes a second connection part EC2-F and a second pad part EC2-B, as shown in FIG. 5C, and the second connection part EC2-F Is spaced apart from the first connection part EC1-F and is formed to be elongated in the first direction x, is connected to the plurality of second electrodes C142 through a conductive adhesive CA, and is connected to the second pad part EC2-B. ) Is formed to be elongated in the second direction y, one end is connected to the end of the second connection part EC2-F, and the other end may be connected to the interconnector IC.

이와 같은 제2 접속부(EC2-F)도 도시된 바와 같이, 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제2 전극(C142)에 접속될 수도 있고, 도시된 바와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제2 전극(C142)이 접속될 수도 있다.As shown, the second connection part EC2-F may also be formed in plural and each may be connected to a plurality of second electrodes C142, or as shown in FIG. A plurality of second electrodes C142 may be connected to the barrel electrode.

여기서, 제2 접속부(EC2-F)가 복수 개로 형성된 경우, 도 5과 같이, 제2 접속부(EC2-F)는 복수의 제2 전극(C142)과 동일한 방향으로 형성될 수 있으나, 이와 다르게, 교차하는 방향으로 형성되는 것도 가능하다. 이때, 제2 접속부(EC2-F)는 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. Here, when a plurality of second connection parts EC2-F are formed, as shown in FIG. 5, the second connection part EC2-F may be formed in the same direction as the plurality of second electrodes C142, but differently, It is also possible to be formed in an intersecting direction. In this case, the second connection part EC2-F may be electrically connected to each other at a portion overlapping the second electrode C142.

여기서, 제1 접속부(EC1-F)와 제2 패드부(EC2-B)는 서로 이격되고, 제2 접속부(EC2-F)와 제1 패드부(EC1-B)도 서로 이격될 수 있고, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제1 패드부(EC1-B)가 형성되고, 타단에는 제2 패드부(EC2-B)가 형성될 수 있다. Here, the first connection part EC1-F and the second pad part EC2-B may be spaced apart from each other, and the second connection part EC2-F and the first pad part EC1-B may also be spaced apart from each other, On the front surface of the insulating member 200, a first pad part EC1-B may be formed at one end of both ends in the first direction x, and a second pad part EC2-B may be formed at the other end. .

이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)은 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속되어, 제1, 2 전극(C141, C142)의 저항을 보다 낮추어 보조 전극으로서의 역할을 할 수 있다.In this way, the first and second conductive wires EC1 and EC2 are connected to the first and second electrodes C141 and C142 to further lower the resistance of the first and second electrodes C141 and C142 to serve as auxiliary electrodes. I can.

이와 같은 제1 도전성 배선(EC1) 및 제2 도전성 배선(EC2)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The material of the first conductive line EC1 and the second conductive line EC2 may be formed of at least one of Cu, Au, Ag, and Al.

이와 같이, 도 4 및 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같은 태양 전지의 후면에는 도 5의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같은 절연성 부재(200)가 도전성 접착제(CA)와 절연층(IL)을 통하여 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다. 즉, 하나의 절연성 부재(200)는 하나의 반도체 기판(110)과 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성될 수 있다.In this way, on the rear surface of the solar cell as shown in FIGS. 4 and 5 (a) and (b), the insulating member 200 as shown in FIGS. 5 (c) and (d) is a conductive adhesive ( CA) and the insulating layer (IL) may be individually connected to each other to form a single individual device. That is, one insulating member 200 may be attached to one semiconductor substrate 110 to be formed as one integrated individual device.

이와 같은 절연성 부재(200)는 제1 도전성 배선(EC1)과 제2 도전성 배선(EC2)를 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 접착시킬 때에, 공정을 보다 용이하게 도와주는 역할을 할 수 있다.When the first conductive wire EC1 and the second conductive wire EC2 are bonded to the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the insulating member 200 In addition, it can play a role of helping the process more easily.

이와 같이, 태양 전지와 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속될 때에, 도 3에 도시된 바와 같이, 도전성 접착제(CA)는 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(EC1) 사이 및 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(EC2) 사이에 위치하여 서로 전기적으로 접속시키는 역할을 할 수 있다.In this way, when the solar cell and the insulating member 200 are connected individually, as shown in FIG. 3, the conductive adhesive CA is formed between the first electrode C141 and the first conductive wiring EC1 and It is positioned between the second electrode C142 and the second conductive line EC2 and may serve to electrically connect to each other.

아울러, 절연층(IL)은 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 도전성 배선(EC1)과 제2 도전성 배선(EC2) 사이에 위치하여 서로 절연시키는 역할을 할 수 있다.In addition, the insulating layer IL is positioned between the first electrode C141 and the second electrode C142 and between the first conductive wiring EC1 and the second conductive wiring EC2, as shown in FIG. 3. It can serve to insulate each other.

여기서, 절연층(IL)의 경화 온도는 도전성 접착제(CA)의 경화 온도와 다를 수 있다.Here, the curing temperature of the insulating layer IL may be different from the curing temperature of the conductive adhesive CA.

이와 같이, 절연층(IL)과 도전성 접착제(CA)의 경화 온도를 다르게 함으로써, 태양 전지의 후면에 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 접속시키는 공정의 온도 범위를 넓게 할 수 있다. In this way, by differentiating the curing temperature of the insulating layer IL and the conductive adhesive CA, the temperature range of the process of connecting the first and second conductive wirings EC1 and EC2 to the rear surface of the solar cell can be widened.

일례로, 절연층(IL)의 경화 온도는 도전성 접착제(CA)의 경화 온도보다 낮게 할 수 있다. 이와 같은 경우, 절연층(IL)을 형성하는 페이스트와 도전성 접착제(CA)를 형성하는 반도체 기판의 후면에 먼저 도포한 상태에서, 얼라인이 흐트러지지 않게 하면서 접속 공정에서 한 번의 열처리 공정으로 절연층(IL)과 도전성 접착제(CA)를 형성할 수 있다.For example, the curing temperature of the insulating layer IL may be lower than the curing temperature of the conductive adhesive CA. In this case, in a state where the paste forming the insulating layer IL and the back surface of the semiconductor substrate forming the conductive adhesive CA are first applied, the insulating layer is performed in one heat treatment process in the connection process while preventing the alignment from being disturbed. (IL) and a conductive adhesive (CA) can be formed.

즉, 절연층(IL)과 도전성 접착제(CA)의 경화 온도가 동일한 경우, 접속 공정에서 열처리 공정을 수행할 경우, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 고정된 상태가 아니므로, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)과 제1, 2 전극(C141, C142)의 열팽창 및 열수축에 의해 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 얼라인이 흐트러질 수 있다.That is, when the curing temperature of the insulating layer IL and the conductive adhesive CA is the same, when the heat treatment process is performed in the connection process, the first and second conductive wirings EC1 and EC2 are not fixed. Alignment of the first and second conductive wires EC1 and EC2 may be disturbed due to thermal expansion and thermal contraction of the first and second conductive wires EC1 and EC2 and the first and second electrodes C141 and C142.

그러나, 본 발명과 같이 절연층(IL)의 경화 온도를 도전성 접착제(CA)의 경화 온도보다 낮게 할 경우, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)과 제1, 2 전극(C141, C142)이 열 팽창 또는 열 수축하기 이전에, 상대적으로 낮은 온도에서 절연층(IL)이 먼저 경화되므로, 절연성 부재(200)와 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)이 반도체 기판의 후면에 접착되어 고정될 수 있다. 따라서, 이후에 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)을 접속시키기 위해, 공정 온도를 높이더라도 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)의 얼라인이 흐트러지는 것을 방지할 수 있다.However, when the curing temperature of the insulating layer IL is lower than the curing temperature of the conductive adhesive CA as in the present invention, the first and second conductive wirings EC1 and EC2 and the first and second electrodes C141 and C142 Before this thermal expansion or thermal contraction, since the insulating layer IL is first cured at a relatively low temperature, the insulating member 200 and the first and second conductive wires EC1 and EC2 are adhered to the rear surface of the semiconductor substrate. Can be fixed. Therefore, in order to connect the first and second conductive wirings EC1 and EC2 later, even if the process temperature is increased, it is possible to prevent the alignment of the first and second conductive wirings EC1 and EC2 from being disturbed.

여기서, 일례로, 절연층(IL)의 경화 온도는 80℃ ~ 120℃ 사이이고, 도전성 접착제(CA)의 경화 온도는 130℃ ~ 160℃ 사이일 수 있다.Here, as an example, the curing temperature of the insulating layer IL may be between 80°C and 120°C, and the curing temperature of the conductive adhesive CA may be between 130°C and 160°C.

이는 절연층(IL)의 경화 온도와 도전성 접착제(CA)의 경화 온도를 160℃ ~ 170℃ 사이의 라미네이션 공정 온도보다 낮은 범위로 설정하여, 복수의 태양 전지를 모듈화하는 라미네이션 공정에서 절연층(IL)과 도전성 접착제(CA)를 경화시키는 접속 공정이 함께 수행되도록 하기 위함이다. 이로 인하여 태양 전지 모듈의 제조 공정을 보다 단순화할 수 있다.This sets the curing temperature of the insulating layer (IL) and the curing temperature of the conductive adhesive (CA) to a range lower than the lamination process temperature between 160°C and 170°C. ) And the connection process of curing the conductive adhesive (CA) is performed together. This can further simplify the manufacturing process of the solar cell module.

여기서, 절연층(IL)은 경화성 수지 또는 반응성 수지를 사용할 수 있다. 이와 같은 경화성 수지나 반응성 수지는 열처리 하여 한 번 경화되면, 다시 동일한 온도의 열을 가하더라도 연화되지 않기 때문이다. Here, as the insulating layer IL, a curable resin or a reactive resin may be used. This is because such a curable resin or reactive resin, once cured by heat treatment, does not soften even if heat at the same temperature is applied again.

따라서, 태양 전지 모듈의 구동 중에 핫 스팟과 같은 열이 발생하더라도 절연층(IL)의 접착력이 약화되는 것을 방지하고, 태양 전지 모듈의 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.Therefore, even if heat such as a hot spot is generated while driving the solar cell module, it is possible to prevent the adhesion of the insulating layer IL from being weakened, and to further improve the stability of the solar cell module.

이와 같은 절연층(IL)의 경화성 수지 또는 반응성 수지는 일례로, 에폭시, 폴리이미드, 실리콘, 또는 폴리에틸렌 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The curable resin or reactive resin of the insulating layer IL may include, for example, at least one of epoxy, polyimide, silicone, or polyethylene.

아울러, 도전성 접착제(CA)는 도 3의 (b) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 금속 물질(SR or PA)과 금속 물질(SR or PA)을 감싸는 절연성 수지(IR)를 포함할 수 있다.In addition, the conductive adhesive (CA) may include a metallic material (SR or PA) and an insulating resin (IR) surrounding the metallic material (SR or PA), as shown in (b) and (c) of FIG. 3. have.

여기서, 금속 물질은 주석(Sn)을 포함하는 제1 금속 입자(SR) 또는 주석(Sn) 이외의 다른 제2 금속 입자(PA)를 포함할 수 있다.Here, the metal material may include first metal particles SR including tin (Sn) or second metal particles PA other than tin (Sn).

일례로, 도전성 접착제(CA)가 주석(Sn)을 포함하는 제1 금속 입자(SR)와 절연성 수지(IR)를 포함하여 형성된 경우, 도 3의 (b)와 같이, 제1 금속 입자(SR)는 절연성 수지(IR) 내에 하나의 덩어리 형태로 뭉쳐진 구조로 형성될 수 있다.As an example, when the conductive adhesive (CA) is formed by including the first metal particles (SR) containing tin (Sn) and the insulating resin (IR), as shown in Figure 3 (b), the first metal particles (SR) ) May be formed in a structure that is lumped together in the insulating resin (IR).

도 3의 (b)와 같이, 절연성 수지(IR) 내에 제1 금속 입자(SR)가 뭉쳐진 구조로 형성되는 것은 접속 공정 및 라미네이션 공정에서 열처리 되면서 제1 금속 입자(SR)는 연화되면서 본래의 입자 형태를 상실하고 인력에 의해 절연성 수지(IR) 내에서 서로 뭉쳐지기 때문이다.As shown in (b) of FIG. 3, the structure in which the first metal particles SR are aggregated in the insulating resin IR is heat treated in the connection process and the lamination process, while the first metal particles SR are softened and the original particles. This is because they lose their shape and clump together in the insulating resin (IR) by the attractive force.

여기서, 주석(Sn)을 포함하는 제1 금속 입자(SR)의 경화 온도는 130℃ ~ 160℃ 사이일 수 있고, 일례로, SnIn 또는 SnBi 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이와 같은 경우, 접속 공정과 라미네이션 공정을 하나의 열처리 공정에서 동시에 수행할 수 있어, 제조 공정을 보다 단순화할 수 있다.Here, the curing temperature of the first metal particles SR including tin (Sn) may be between 130°C and 160°C, and for example, may include at least one of SnIn and SnBi. In this case, the connection process and the lamination process can be simultaneously performed in one heat treatment process, thereby simplifying the manufacturing process.

일례로, 주석을 포함하는 금속 입자 중에는 SnCuAg, SnCu 또는 SnPb와 같이, 경화 온도가 160℃ 이상인 경우도 있으나, 이와 같은 경우, 접속 공정과 라미네이션 공정을 하나의 열처리 공정에서 동시에 수행할 수 없으므로 제외될 수 있다. For example, among metal particles containing tin, such as SnCuAg, SnCu, or SnPb, there may be cases where the curing temperature is 160°C or higher, but in this case, the connection process and the lamination process cannot be performed simultaneously in one heat treatment process, so they will be excluded. I can.

그러나, 이는 필수적인 것은 아니고, 라미네이션 공정을 별도로 진행할 경우에는 SnCuAg, SnCu 또는 SnPb와 같은 금속 입자도 사용할 수 있다.However, this is not essential, and when the lamination process is separately performed, metal particles such as SnCuAg, SnCu, or SnPb may also be used.

아울러, 도전성 접착제(CA)가 주석(Sn) 이외의 다른 제2 금속 입자(PA), 일례로, Cu, Ni, Ag 또는 Au 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 경우, 도 3의 (c)와 같이, 절연성 수지(IR) 내에 분포될 수 있다. 이때, 제2 금속 입자(PA)는 절연성 수지(IR) 내에 서로 접촉되거나 이격되어 분포될 수 있다.In addition, when the conductive adhesive (CA) is formed by including at least one of the second metal particles (PA) other than tin (Sn), for example, Cu, Ni, Ag, or Au, Figure 3 (c) As such, it may be distributed in the insulating resin (IR). In this case, the second metal particles PA may contact each other or be spaced apart from each other in the insulating resin IR.

이와 같은 제2 금속 입자(PA)는 경화 온도가 라미네이션 공정 온도 이상으로 훨씬 높기 때문에 원래의 입자 형태를 보존할 수 있어, 도 3의 (c)와 같이 형성될 수 있다.Since the curing temperature of the second metal particles PA is much higher than the lamination process temperature, the original particle shape can be preserved, and thus may be formed as shown in (c) of FIG. 3.

아울러, 도전성 접착제(CA)에 포함되는 절연성 수지(IR)의 경화 온도는 130℃ ~ 160℃ 사이일 수 있다.In addition, the curing temperature of the insulating resin IR included in the conductive adhesive CA may be between 130°C and 160°C.

이와 같은 절연성 수지(IR)는 접속 공정의 열처리 공정 중에 경화될 수 있으며, 일례로, 에폭시(epoxy) 계열이나 실리콘(silicon) 계열의 재질을 포함할 수 있다.The insulating resin IR may be cured during the heat treatment process of the connection process, and for example, may include an epoxy-based or silicon-based material.

이와 같은 도전성 접착제(CA)와 절연층(IL)에 의해 태양 전지와 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속된 하나의 일체형 개별 소자에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. A more detailed description of one integrated individual device in which the solar cell and the insulating member 200 are individually connected by the conductive adhesive CA and the insulating layer IL will be described in more detail below.

도 6은 도 5에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 7은 도 6에서 cy1-cy1 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 8는 도 6에서 cx1-cx1 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 9는 도 6에서 cx2-cx2 라인의 단면을 도시한 것이다.6 is a diagram for explaining a state in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 shown in FIG. 5 are connected to each other, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the line cy1-cy1 in FIG. 6, and FIG. 8 6 shows a cross-section of the cx1-cx1 line in FIG. 6, and FIG. 9 shows a cross-section of the cx2-cx2 line in FIG. 6.

도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩되어 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 6, one semiconductor substrate 110 may be completely overlapped with one insulating member 200 to form one solar cell individual element.

예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 접속부(EC1-F)는 서로 중첩되며, 도전성 접착제(CA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.For example, as shown in FIG. 7, the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the first connection part EC1-F formed on the front surface of the insulating member 200 overlap each other, It may be electrically connected to each other by a conductive adhesive (CA).

아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 접속부(EC2-F)도 서로 중첩되며, 도전성 접착제(CA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the second connection part EC2-F formed on the front surface of the insulating member 200 are also overlapped with each other, and are electrically connected to each other by a conductive adhesive CA. Can be connected.

또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 접속부(EC1-F)와 제2 접속부(EC2-F) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, the insulating layer IL may be filled in a space spaced apart from each other between the first electrode C141 and the second electrode C142, and between the first connection part EC1-F and the second connection part EC2-F. The insulating layer IL may also be filled in the space spaced apart from each other.

아울러, 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(EC2-F)와 제1 패드부(EC1-B) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(EC1-F)와 제2 패드부(EC2-B) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, as shown in FIG. 8, the insulating layer IL may also be filled in the spaced apart space between the second connection part EC2-F and the first pad part EC1-B, as shown in FIG. 9. Likewise, the insulating layer IL may be filled in a space spaced apart between the first connection part EC1-F and the second pad part EC2-B.

아울러, 도 6, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(EC1-B)와 제2 패드부(EC2-B) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 노출 영역(PS1, PS2)을 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 6, 8, and 9, each of the first pad part EC1-B and the second pad part EC2-B is exposed to the exposed area PS1 that does not overlap the semiconductor substrate 110. , PS2).

이와 같이, 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(EC1-B)의 노출 영역(PS1) 및 제2 패드부(EC2-B)의 노출 영역(PS2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다. In this way, in the exposed area PS1 of the first pad part EC1-B and the exposed area PS2 of the second pad part EC2-B provided to secure a space that can be connected to the interconnector IC Interconnector (IC) can be connected.

본 발명에 따른 제1 패드부(EC1-B)와 제2 패드부(EC2-B) 각각은 노출 영역(PS1, PS2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.Each of the first pad portion EC1-B and the second pad portion EC2-B according to the present invention has exposed areas PS1 and PS2, so that the interconnector IC can be more easily connected. , When connecting the interconnector IC, it is possible to minimize thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110.

아울러, 전술한 바와 같이, 복수의 태양 전지를 연결하기 위해 이와 같은 제1 패드부(EC1-B) 또는 제2 패드부(EC2-B)에 인터커넥터(IC)가 접속될 수 있다.In addition, as described above, the interconnector IC may be connected to the first pad portion EC1-B or the second pad portion EC2-B to connect a plurality of solar cells.

지금까지는 제1 패드부(EC1-B)와 제2 패드부(EC2-B)가 제2 방향(y)으로 길게 하나로만 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 제1 패드부(EC1-B)와 제2 패드부(EC2-B)가 각각 복수 개로 형성될 수도 있다. Until now, the case where only the first pad part EC1-B and the second pad part EC2-B are formed to be long in the second direction y has been described as an example. However, differently, the first pad part EC1-B and the second pad part EC2-B are formed as one. A plurality of B) and second pad portions EC2-B may be formed, respectively.

복수 개로 형성된 제1 패드부(EC1-B) 또는 제2 패드부(EC2-B) 각각에 복수 개의 제1 접속부(EC1-F) 또는 복수 개의 제2 접속부(EC2-F)가 연결될 수도 있다. A plurality of first connection parts EC1-F or a plurality of second connection parts EC2-F may be connected to each of the plurality of first pad parts EC1-B or EC2-B.

아울러, 본 발명에 따른 도전성 접착제(CA)는 복수의 태양 전지를 와이어나 리본으로 접속시켜 직렬 연결시키는 경우에도 적용될 수 있다. 이에 대하여 도 10 및 도 11를 참조하여 설명한다.In addition, the conductive adhesive (CA) according to the present invention may be applied to a case where a plurality of solar cells are connected in series by connecting wires or ribbons. This will be described with reference to FIGS. 10 and 11.

이하의 도 10 및 도 11에 대한 설명에서도 절연층(IL)과 도전성 접착제(CA)는 전술한 앞에서 설명한 바와 동일한 경우를 전제로 설명한다.In the description of FIGS. 10 and 11 below, the insulating layer IL and the conductive adhesive CA will be described on the assumption that they are the same as those described above.

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 평면도이고, 도 11는 도 10에서 CX3-CX3 라인에 따른 단면도이다.10 is a plan view illustrating an example of a solar cell module according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line CX3-CX3 in FIG. 10.

도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지(C1 ~ C3), 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 및 도전성 접착제(CA)를 포함한다.As shown in FIG. 10, the solar cell module according to the second embodiment of the present invention includes a plurality of solar cells (C1 to C3), first and second conductive wires (EC1, EC2), and a conductive adhesive (CA). do.

여기서, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3)는 일례로, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3 태양 전지(C1 ~ C3)를 포함할 수 있으며, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각은 p-n 접합이 형성된 반도체 기판(110)과 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)을 포함할 수 있다.Here, the plurality of solar cells C1 to C3 may include, for example, first, second, and third solar cells C1 to C3, as shown in FIG. 10, and a plurality of solar cells C1 to C3 ) Each may include a semiconductor substrate 110 on which a pn junction is formed and a plurality of first and second electrodes C141 and C142 formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지는 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지와 동일하므로, 태양 전지의 구체적인 구조에 대한 설명은 생략하고 다른 부분을 위주로 설명한다.Since the solar cell applied to the solar cell module according to the second embodiment is the same as the solar cell applied to the solar cell module according to the second embodiment, a description of the specific structure of the solar cell will be omitted and other parts will be mainly described. .

일례로, 복수의 제1, 2, 3 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에서, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각은 제1 방향(x)으로 순차적으로 배열될 수 있으며, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 형성될 수 있다.For example, in each of the plurality of first, second, and third solar cells C1 to C3, each of the plurality of solar cells C1 to C3 may be sequentially arranged in the first direction x, and the semiconductor substrate 110 The plurality of first and second electrodes C141 and C142 formed on the rear surface of) may be elongated in a second direction y crossing the first direction x.

제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 각각은 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에 형성된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142) 중 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142)에 접속되어, 복수의 태양 전지(C1 ~ C3)를 서로 직렬 연결하는 기능을 할 수 있다.Each of the first and second conductive wires (EC1, EC2) is connected to one of the plurality of first and second electrodes (C141, C142) formed on each of the plurality of solar cells (C1 to C3). As a result, the plurality of solar cells C1 to C3 can be connected in series to each other.

따라서, 제2 실시예에서는 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)은 서로 인접한 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터(IC)로서 역할을 할 수 있다.Accordingly, in the second embodiment, the first and second conductive wires EC1 and EC2 may serve as interconnectors IC connecting adjacent solar cells in series.

여기서, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)은 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 절연성 부재(200) 위에 미리 패터닝된 상태에서 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에 접속될 수 있다.Here, the first and second conductive wires EC1 and EC2 may be connected to each of the plurality of solar cells C1 to C3 in a state of being previously patterned on the insulating member 200 as shown in FIGS. 10 and 11. have.

이와 같은 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)은 도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)과 교차하는 제1 방향(x)으로 길게 배치되어 형성될 수 있다. The first and second conductive wires EC1 and EC2 may be formed to be elongated in the first direction x crossing the plurality of first and second electrodes C141 and C142, as shown in FIG. 10. have.

이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)가 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)과 교차하는 제1 방향(x)으로 배치되도록 함으로써, 얼라인을 보다 용이하게 할 수 있으며, 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)를 어느 하나의 셀 전극(C141 or C142)에 접속할 때에, 열팽창 계수에 따른 인터커넥터(IC)의 수축 방향과 셀 전극(C141 or C142)의 수축 방향이 교차하여 엇갈리도록 함으로써, 각 태양 전지에 구비된 반도체 기판(110)이 밴딩(bending)되는 정도를 최소화할 수 있다.In this way, alignment can be facilitated by arranging the first and second conductive wires EC1 and EC2 in the first direction x intersecting the plurality of first and second electrodes C141 and C142. , When connecting the first and second conductive wires (EC1, EC2) to any one of the cell electrodes (C141 or C142), the contraction direction of the interconnector (IC) according to the thermal expansion coefficient and the contraction direction of the cell electrode (C141 or C142) By making these cross and staggered, it is possible to minimize the degree of bending of the semiconductor substrate 110 provided in each solar cell.

여기서, 제1 도전성 배선(EC1)은 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 서로 직렬 연결 시킬 수 있으며, 제2 도전성 배선(EC2)은 제2 태양 전지(C2)와 제3 태양 전지(C3)를 서로 직렬 연결시킬 수 있다.Here, the first conductive wiring EC1 may connect the first solar cell C1 and the second solar cell C2 in series, and the second conductive wiring EC2 is the second solar cell C2 and the second solar cell C2. 3 Solar cells (C3) can be connected in series with each other.

보다 구체적으로, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(EC1)은 도전성 접착제(CA)를 통해 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)과 제1 태양 전지(C1)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)과 접속될 수 있고, 제2 도전성 배선(EC2)은 도전성 접착제(CA)를 통해 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)과 제3 태양 전지(C3)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)과 접속될 수 있다. More specifically, as shown in FIGS. 10 and 11, the first conductive wiring EC1 is formed with a plurality of first electrodes C141 provided in the second solar cell C2 through a conductive adhesive CA. 1 It can be connected to the plurality of second electrodes (C142) provided in the solar cell (C1), the second conductive wiring (EC2) is provided in the second solar cell (C2) through a conductive adhesive (CA). The second electrode C142 and the plurality of first electrodes C141 provided in the third solar cell C3 may be connected.

또한, 제1, 2, 3 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에서 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)과 접속되지 않는 복수 개의 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2) 사이에는 절연층(IL)이 위치할 수 있다.In addition, in each of the first, second, and third solar cells (C1 to C3), a plurality of first and second electrodes C141 and C142 that are not connected to the first and second conductive wirings EC1 and EC2 and the first and second conductive wires An insulating layer IL may be positioned between the wirings EC1 and EC2.

보다 구체적 일례로, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 태양 전지(C2)에서 절연층(IL)은 제1 도전성 배선(EC1)과 복수의 제2 전극(C142) 사이 또는 제2 도전성 배선(EC2)과 복수의 제1 전극(C141) 사이에 위치할 수 있다. In a more specific example, as shown in FIGS. 10 and 11, the insulating layer IL in the second solar cell C2 is between the first conductive wiring EC1 and the plurality of second electrodes C142 or the second It may be positioned between the conductive wiring EC2 and the plurality of first electrodes C141.

이에 따라, 제1 도전성 배선(EC1)과 복수의 제2 전극(C142) 사이 또는 제2 도전성 배선(EC2)과 복수의 제1 전극(C141) 사이의 불필요한 단락이나 션트(shunt)를 보다 효과적으로 방지할 수 있다. Accordingly, unnecessary short circuits or shunts between the first conductive line EC1 and the plurality of second electrodes C142 or between the second conductive line EC2 and the plurality of first electrodes C141 are more effectively prevented. can do.

이와 같은 절연층(IL)은 제1, 2 도전성 배선(EC1, EC2)가 미리 구비된 절연성 부재(200)를 복수의 태양 전지(C1 ~ C3) 각각에 접속시키기 이전에 미리 반도체 기판(110)의 후면에 도포될 수 있다.Such an insulating layer IL is formed by the semiconductor substrate 110 in advance before connecting the insulating member 200 provided with the first and second conductive wirings EC1 and EC2 to each of the plurality of solar cells C1 to C3. Can be applied to the back of the.

이와 같은 제2 실시예에 따른 도전성 접착제(CA) 및 절연층(IL)의 재질은 앞선 제1 실시예에서 설명한 바와 동일할 수 있으며, 제1 실시예에서 설명한 도전성 접착제(CA) 및 절연층(IL)이 제2 실시예에서도 그대로 적용될 수 있다.Materials of the conductive adhesive CA and the insulating layer IL according to the second embodiment may be the same as those described in the first embodiment, and the conductive adhesive CA and the insulating layer ( IL) can be applied as it is in the second embodiment.

따라서, 제2 실시예에서도, 절연층(IL)의 경화 온도는 도전성 접착제(CA)의 경화 온도와 다를 수 있다.Accordingly, even in the second embodiment, the curing temperature of the insulating layer IL may be different from the curing temperature of the conductive adhesive CA.

일례로, 절연층(IL)의 경화 온도는 도전성 접착제(CA)의 경화 온도보다 낮게 할 수 있고, 일례로, 절연층(IL)의 경화 온도는 80℃ ~ 120℃ 사이이고, 도전성 접착제(CA)의 경화 온도는 130℃ ~ 160℃ 사이일 수 있다.For example, the curing temperature of the insulating layer IL may be lower than the curing temperature of the conductive adhesive CA. For example, the curing temperature of the insulating layer IL is between 80°C and 120°C, and the conductive adhesive CA The curing temperature of) may be between 130°C and 160°C.

아울러, 절연층(IL)은 경화성 수지 또는 반응성 수지를 사용할 수 있고, 일례로, 에폭시, 폴리이미드, 실리콘, 또는 폴리에틸렌 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In addition, the insulating layer IL may use a curable resin or a reactive resin, and for example, may include at least one of epoxy, polyimide, silicone, and polyethylene.

아울러, 도전성 접착제(CA)는 금속 물질(SR or PA)과 금속 물질(SR or PA)을 감싸는 절연성 수지(IR)를 포함할 수 있다.In addition, the conductive adhesive CA may include a metal material (SR or PA) and an insulating resin (IR) surrounding the metal material (SR or PA).

여기서, 금속 물질은 주석(Sn)을 포함하는 제1 금속 입자(SR) 또는 주석(Sn) 이외의 다른 제2 금속 입자(PA)를 포함할 수 있다.Here, the metal material may include first metal particles SR including tin (Sn) or second metal particles PA other than tin (Sn).

여기서, 주석(Sn)을 포함하는 제1 금속 입자(SR)의 경화 온도는 130℃ ~ 160℃ 사이일 수 있고, 일례로, SnIn 또는 SnBi 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. Here, the curing temperature of the first metal particles SR including tin (Sn) may be between 130°C and 160°C, and for example, may include at least one of SnIn and SnBi.

아울러, 도전성 접착제(CA)가 주석(Sn) 이외의 다른 제2 금속 입자(PA)를 포함하는 경우, 제2 금속 입자(PA)는 일례로, Cu, Ni, Ag 또는 Au 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In addition, when the conductive adhesive (CA) includes a second metal particle (PA) other than tin (Sn), the second metal particle (PA) is, for example, at least one of Cu, Ni, Ag, or Au. Can include.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 절연층(IL)의 경화 온도를 도전성 접착제(CA)의 경화 온도와 다르게 하여, 태양 전지 모듈의 제조 공정을 보다 단순화할 수 있고, 태양 전지 모듈의 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.In this way, the solar cell module according to the present invention can further simplify the manufacturing process of the solar cell module by making the curing temperature of the insulating layer IL different from the curing temperature of the conductive adhesive CA, and the stability of the solar cell module Can be further improved.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also present. It belongs to the scope of rights of

Claims (13)

투명 기판;
후면 시트:
상기 투명 기판과 상기 후면 시트 사이에 위치하며, 반도체 기판 및 상기 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 태양 전지;
상기 투명 기판과 상기 태양 전지 사이 및 상기 후면 시트와 상기 태양 전지 사이에 위치하며, 제1 경화 온도에서 경화되는 제1 절연 물질로 형성되어 상기 제1 경화 온도에서 상기 투명 기판, 상기 태양 전지 및 상기 후면 시트와 열 압착되는 봉지재;
상기 태양 전지의 후면에 배치되어 상기 제1 전극에 접속하는 제1 도전성 배선과 상기 제2 전극에 접속하는 제2 도전성 배선;
상기 제1 전극과 상기 제1 도전성 배선 사이 및 상기 제2 전극과 상기 제2 도전성 배선 사이를 서로 전기적으로 접속시키는 도전성 접착제; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이, 상기 제1 도전성 배선과 상기 제2 도전성 배선 사이, 상기 제1 도전성 배선과 상기 제2 전극 사이 및 상기 제2 도전성 배선과 상기 제1 전극 사이를 각각 서로 절연시키는 절연층;을 포함하고,
상기 도전성 접착제는 금속 입자 및 상기 금속 입자를 감싸며 상기 제1 경화 온도보다 낮은 제2 경화 온도에서 경화되는 제2 절연 물질을 포함하며, 상기 절연층은 상기 제2 경화 온도보다 낮은 제3 경화 온도에서 경화되는 제3 절연 물질로 형성되는 태양 전지 모듈.
Transparent substrate;
Rear seat:
A solar cell disposed between the transparent substrate and the rear sheet and having a semiconductor substrate and a first electrode and a second electrode formed to be spaced apart from each other on a rear surface of the semiconductor substrate;
It is positioned between the transparent substrate and the solar cell and between the rear sheet and the solar cell, and is formed of a first insulating material that is cured at a first curing temperature, so that the transparent substrate, the solar cell, and the An encapsulant heat-compressed with the rear sheet;
A first conductive wire disposed on a rear surface of the solar cell and connected to the first electrode and a second conductive wire connected to the second electrode;
A conductive adhesive for electrically connecting between the first electrode and the first conductive wiring and between the second electrode and the second conductive wiring; And
Between the first electrode and the second electrode, between the first conductive line and the second conductive line, between the first conductive line and the second electrode, and between the second conductive line and the first electrode, respectively. Including; an insulating layer to insulate,
The conductive adhesive includes a metal particle and a second insulating material surrounding the metal particle and cured at a second curing temperature lower than the first curing temperature, and the insulating layer is at a third curing temperature lower than the second curing temperature. A solar cell module formed of a third insulating material that is cured.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 봉지재를 형성하는 상기 제1 절연 물질의 상기 제1 경화 온도는 160℃ ~ 170℃ 사이이고, 상기 도전성 접착제에 구비된 상기 제2 절연 물질의 상기 제2 경화 온도는 130℃ ~ 160℃ 사이이며, 상기 절연층을 형성하는 상기 제3 절연 물질의 상기 제3 경화 온도는 80℃ ~ 120℃ 사이인 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The first curing temperature of the first insulating material forming the encapsulant is between 160°C and 170°C, and the second curing temperature of the second insulating material provided in the conductive adhesive is between 130°C and 160°C. And, the third curing temperature of the third insulating material forming the insulating layer is between 80°C and 120°C.
제1 항에 있어서,
상기 절연층을 형성하는 상기 제3 절연 물질은 경화성 수지 또는 반응성 수지인 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The third insulating material forming the insulating layer is a curable resin or a reactive resin.
제4 항에 있어서,
상기 제3 절연 물질을 형성하는 상기 경화성 수지는 에폭시, 폴리이미드, 실리콘, 또는 폴리에틸렌 중 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 4,
The curable resin forming the third insulating material includes at least one of epoxy, polyimide, silicone, and polyethylene.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 도전성 접착제의 상기 금속 입자는 주석(Sn)을 포함하는 제1 금속 입자 또는 주석(Sn) 이외의 다른 제2 금속 입자를 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The metal particles of the conductive adhesive are solar cell modules including first metal particles including tin (Sn) or second metal particles other than tin (Sn).
제7 항에 있어서,
상기 주석(Sn)을 포함하는 제1 금속 입자는 상기 제2 절연 물질의 상기 제2 경화 온도에서 경화되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 7,
The solar cell module wherein the first metal particles including tin (Sn) are cured at the second curing temperature of the second insulating material.
제7 항에 있어서,
상기 주석(Sn)을 포함하는 제1 금속 입자는 SnIn 또는 SnBi 중 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 7,
The first metal particle including tin (Sn) is a solar cell module including at least one of SnIn and SnBi.
제7 항에 있어서,
상기 주석(Sn) 이외의 다른 제2 금속 입자는 Cu, Ni, Ag 또는 Au 중 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 7,
The second metal particle other than the tin (Sn) is a solar cell module comprising at least one of Cu, Ni, Ag, or Au.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제2 절연 물질은 에폭시(epoxy) 계열이나 실리콘(silicon) 계열의 재질을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The second insulating material is a solar cell module including an epoxy-based or silicon-based material.
제1 항에 있어서,
상기 제1, 2 도전성 배선은 서로 인접한 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터이거나 상기 제1, 2 전극에 접속되는 보조 전극인 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The first and second conductive wires are interconnectors for connecting adjacent solar cells in series or auxiliary electrodes connected to the first and second electrodes.
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