KR102256366B1 - 반사기를 갖는 프로세스 챔버 - Google Patents

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Abstract

반도체 기판을 처리하기 위한 반사기가 제공된다. 반사기는 외측 에지, 내측 에지, 및 최하부측을 갖는 환형 바디를 포함한다. 최하부측은 복수의 제1 표면 및 복수의 제2 표면을 포함한다. 각각의 제1 표면 및 각각의 제2 표면은 환형 바디 둘레에서 상이한 각도 위치에 위치된다. 각각의 제1 표면은 약 1.50 인치 내지 약 2.20 인치의 곡률 반경을 갖는 만곡된 표면이다.

Description

반사기를 갖는 프로세스 챔버
본 명세서에 설명된 실시예들은 일반적으로 반도체 프로세스 챔버에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 실시예들은 하나 이상의 반사기를 갖는 반도체 프로세스 챔버에 관한 것이다.
집적 회로들의 제조에서, 퇴적 프로세스들은 반도체 기판들 상에 다양한 재료들의 막을 퇴적하기 위해 이용된다. 이러한 퇴적 프로세스들은 밀폐된(enclosed) 프로세스 챔버 내에서 발생할 수 있다. 에피택시는 기판의 표면 상에, 통상적으로 실리콘 또는 게르마늄으로 이루어진 얇은 초고순도 층(ultra-pure layer)을 성장시키는 퇴적 프로세스이다. 기판의 표면에 걸쳐서 균일한 두께를 갖는 에피택셜 층을 기판 상에 형성하는 것은 어려운 과제일 수 있다. 예를 들어, 에피택셜 층에서, 알려지지 않은 이유로 두께가 하강 또는 상승하는 부분들이 종종 존재한다. 이러한 두께 변동들은 에피택셜 층의 품질을 저하시키고, 생산 비용들을 증가시킬 수 있다. 따라서, 기판의 표면에 걸쳐서 균일한 두께를 갖는 에피택셜 층들을 생산하기 위해, 개선된 프로세스 챔버가 필요하다.
본 명세서에 개시된 실시예들은 일반적으로 반도체 프로세스 챔버 내에서 이용될 반사기에 관한 것이다. 일 실시예에서, 반도체 기판을 처리하기 위한 반사기가 제공된다. 반사기는 외측 에지, 내측 에지, 및 최하부측(bottom side)을 갖는 환형 바디(annular body)를 포함한다. 최하부측은 복수의 제1 표면 및 복수의 제2 표면을 포함한다. 각각의 제1 표면 및 각각의 제2 표면은 환형 바디 둘레에서 상이한 각도 위치에 위치된다. 각각의 제1 표면은 약 1.50 인치 내지 약 2.20 인치의 곡률 반경을 갖는 만곡된 표면이다.
다른 실시예에서, 반도체 기판을 처리하기 위한 반사기가 제공된다. 반사기는 외측 에지, 내측 에지, 및 최하부측을 갖는 환형 바디를 포함한다. 최하부측은 20개의 제1 표면 및 12개의 제2 표면을 포함한다. 각각의 제1 표면 및 각각의 제2 표면은 환형 바디 둘레에서 상이한 각도 위치에 위치된다. 각각의 제1 표면은 약 2.02 인치 내지 약 2.10 인치의 곡률 반경을 갖는 만곡된 표면이다. 각각의 제2 표면은 2개의 제1 표면에 인접하여, 그리고 2개의 제1 표면 사이에 배치된다.
다른 실시예에서, 측벽, 기판 지지체, 및 기판 지지체 위에 배치된 제1 반사기를 포함하는 프로세스 챔버가 제공된다. 제1 반사기는 외측 에지, 내측 에지, 및 최하부측을 갖는 환형 바디를 포함하고, 최하부측은 복수의 제1 표면 및 복수의 제2 표면을 포함한다. 각각의 제1 표면 및 각각의 제2 표면은 환형 바디 둘레에서 상이한 각도 위치에 위치된다. 각각의 제1 표면은 약 1.50 인치 내지 약 2.20 인치의 곡률 반경을 갖는 만곡된 표면이다.
위에서 언급된 본 개시내용의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명은 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 본 개시내용은 동등한 효과의 다른 실시예들을 허용할 수 있으므로, 첨부 도면들은 본 개시내용의 전형적인 실시예들만을 도시하며, 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 점에 주목해야 한다.
도 1은 본 개시내용의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버의 측단면도이다.
도 2a는 본 개시내용의 일 실시예에 따라, 도 1의 프로세스 챔버에서 이용될 반사기의 하부 사시도이다.
도 2b는 본 개시내용의 일 실시예에 따른 도 2a의 반사기의 부분 측단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
본 명세서에 설명된 실시예들은 일반적으로 반도체 프로세스 챔버에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 실시예들은 하나 이상의 반사기를 갖는 반도체 프로세스 챔버에 관한 것이다.
본 개시내용에서, "최상부(top)", "최하부(bottom)", "측부(side)", "위에(above)", "아래에(below)", "위(up)", "아래(down)", "상향(upward)", "하향(downward)", "수평(horizontal)", "수직(vertical)" 등의 용어는 절대적인 방향들을 지칭하지 않는다. 대신에, 이러한 용어들은 챔버의 기준 평면, 예를 들어 챔버의 기판 처리 표면에 평행한 평면에 대한 방향들을 지칭한다.
도 1은 본 개시내용의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버(100)의 측단면도이다. 프로세스 챔버(100)는 기판(50) 상에 에피택셜 막들을 퇴적하기 위해 이용될 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 감소된 압력에서, 또는 대기압 부근에서 동작할 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 하나 이상의 측벽(102), 최하부(103), 및 측벽들(102) 상에 배치된 최상부(104)를 갖는 챔버 바디(101)를 포함한다.
프로세스 챔버(100)는 처리 동안 기판(50)을 지지하기 위해 챔버 바디(101) 내에 배치된 기판 지지체(110)를 더 포함한다. 기판 지지체(110) 상의 기판(50)은 기판 지지체(110)의 위와 아래에 배치된 램프들(150)에 의해 가열될 수 있다. 램프들(150)은 예를 들어 텅스텐 필라멘트 램프들일 수 있다. 기판 지지체(110) 아래의 램프들(150)은 기판(50) 및/또는 기판 지지체(110)를 가열하기 위해, 적외선 복사와 같은 복사를 기판 지지체(110) 아래에 배치된 하부 돔(120)을 통해 지향시킬 수 있다. 하부 돔(120)은 석영과 같은 투명 재료로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 링 형상을 갖는 기판 지지체(110)가 이용될 수 있다. 링 형상의 기판 지지체는 기판(50)의 에지들 둘레에서 기판(50)을 지지하기 위해 이용될 수 있고, 그에 의해 기판(50)의 최하부측은 램프들(150)로부터의 열에 직접 노출된다. 다른 실시예들에서, 기판 지지체(110)는 처리 동안 기판(50)의 온도 균일성을 증가시키기 위한 가열 서셉터(heated susceptor)이다. 기판 지지체(110) 아래의 램프들(150)은 하부 외측 반사기(130) 내에 및 하부 외측 반사기에 인접하여, 그리고 하부 내측 반사기(132) 내에 및 하부 내측 반사기에 인접하여 설치될 수 있다. 하부 외측 반사기(130)는 하부 내측 반사기(132)를 둘러쌀 수 있다. 하부 외측 반사기(130) 및 하부 내측 반사기(132)는 알루미늄으로 형성될 수 있고, 금과 같은 반사성 재료로 도금될 수 있다. 기판 지지체(110) 또는 기판(50)의 후면의 온도를 검출하기 위해, 고온계와 같은 하부 온도 센서(191)가 하부 내측 반사기(132) 내에 설치될 수 있다.
기판 지지체(110) 위의 램프들(150)은 적외선 복사와 같은 복사를 기판 지지체(110) 위에 배치된 상부 돔(122)을 통해 지향시킬 수 있다. 상부 돔(122)은 석영과 같은 투명 재료로 이루어질 수 있다. 기판 지지체(110) 위의 램프들(150)은 상부 내측 반사기(200)(제1 반사기) 내에 및 상부 내측 반사기에 인접하여, 그리고 상부 외측 반사기(140)(제2 반사기) 내에 및 상부 외측 반사기에 인접하여 설치될 수 있다. 상부 외측 반사기(140)는 상부 내측 반사기(200)를 둘러쌀 수 있다. 상부 외측 반사기(140) 및 상부 내측 반사기(200)는 알루미늄으로 형성될 수 있고, 금과 같은 반사성 재료로 도금될 수 있다. 처리 동안 기판(50)의 온도를 검출하기 위해, 고온계와 같은 상부 온도 센서(192)가 상부 내측 반사기(200) 내에 또는 상부 내측 반사기에 인접하여 설치될 수 있다. 도 1은 반사기들(130, 132, 140, 200) 내에 설치된 동일한 램프(150)를 보여주지만, 상이한 타입들 및/또는 크기들의 램프들이 이러한 반사기들(130, 132, 140, 200) 각각의 내부에, 또는 그러한 반사기들 각각에 인접하여 설치될 수 있다. 또한, 상이한 타입들 또는 크기들의 램프들이 반사기들 중 하나의 내부에 또는 반사기들 중 하나에 인접하여 설치될 수 있다.
프로세스 챔버(100)는 에피택셜 퇴적들에서 이용되는 프로세스 가스들을 공급할 수 있는 하나 이상의 프로세스 가스 소스(170)에 결합될 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 진공 펌프와 같은 배기 디바이스(180)에 더 결합될 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세스 가스들은 프로세스 챔버(100)의 일 측(예를 들어, 도 1의 좌측)에서 공급될 수 있고, 가스들은 대향 측(예를 들어, 도 1의 우측)에서 프로세스 챔버로부터 배기될 수 있어서, 기판(50) 위에서 프로세스 가스들의 교차 유동(cross flow)을 생성할 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 또한 퍼지 가스 소스(172)에 결합될 수 있다.
도 2a는 본 개시내용의 일 실시예에 따른 도 1의 상부 내측 반사기(200)의 하부도이다. 도 2b는 본 개시내용의 일 실시예에 따른 도 2a의 상부 내측 반사기(200)의 부분 측단면도이다. 상부 내측 반사기(200)는 외측 에지(202), 내측 에지(203), 및 최하부측(204)(도 2b를 참조)을 갖는 환형 바디(201)를 포함한다. 상부 내측 반사기(200)는 환형 바디(201)의 최하부측(204) 위에서 최하부측의 외측에 배치된 외측 림(outer rim)(205)을 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 외측 림(205)은 설치 동안 상부 내측 반사기(200)를 고정하기 위해 이용될 수 있다. 최하부측(204)은 복수의 제1 반사 표면(210)(제1 표면들) 및 복수의 제2 반사 표면(220)(제2 표면들)을 포함한다. 제1 반사 표면들(210) 및 제2 반사 표면들(220)은 프로세스 챔버(100) 내에서 램프들(150)로부터의 복사를 반사시키기 위해 금과 같은 고반사성 재료로 형성될 수 있다. 제2 반사 표면들(220)을 제1 반사 표면들(210)로부터 더 구별하기 위해, 제2 반사 표면들(220)은 빗금표시된다. 각각의 제1 반사 표면(210) 및 각각의 제2 반사 표면(220)은 환형 바디(201) 둘레에서 상이한 각도 위치에 위치된다. 일부 실시예들에서, 상부 내측 반사기(200)는 약 16개 내지 약 24개의 제1 반사 표면(210), 예컨대 약 20개의 제1 반사 표면(210)을 포함한다. 도 2a는 20개의 제1 반사 표면(210)으로 도시되어 있다(21020 참조). 일부 실시예들에서, 상부 내측 반사기(200)는 약 8개 내지 16개의 제2 반사 표면(220), 예컨대 약 12개의 제2 반사 표면(220)을 포함한다. 도 2a는 12개의 제2 반사 표면(220)으로 도시된다(22012 참조).
도 2b의 부분 측단면도는 도 2a의 최상부 중심에서의 반사 표면들(2201, 2101, 및 2202)의 뷰이다. 또한, 램프(150)는 제1 반사 표면들(210)에 대한 램프들(150)의 위치를 보여주기 위해 도 2b에 포함되어 있다. 램프들(150)은 프로세스 챔버(100) 내에서 제1 반사 표면들(210) 아래에[즉, 제1 반사 표면들(210)과 기판 지지체(110) 사이에] 배치된다. 일부 실시예들에서, 램프들(150)은 제2 반사 표면들(220)과 기판 지지체(110) 사이에는 배치되지 않는다. 예를 들어, 램프들(150)이 제1 반사 표면들(210) 아래에만 배치되는 경우, 20개의 제1 반사 표면(210)을 포함하는 상부 내측 반사기(200) 아래에 20개의 램프(150)가 배치될 것이다.
복수의 제1 반사 표면(210) 및 복수의 제2 반사 표면(220)은 환형 바디(201) 둘레에서 원형 어레이로 배치될 수 있다. 제1 반사 표면들(210) 중 하나는 원형 어레이에서 각각의 제2 반사 표면(220) 앞의 하나의 위치, 및 각각의 제2 반사 표면 뒤의 하나의 위치에 배치된다. 원형 어레이는 둘 이상의 제1 반사 표면이 연이어(in a row) 배열되는 하나 이상의 인스턴스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상부 내측 반사기(200)의 원형 어레이는 2개의 제1 반사 표면(210)이 연이어 있는 8개의 인스턴스를 포함한다. 또한, 원형 어레이는 제2 반사 표면들(220) 중 하나의 제2 반사 표면이 제1 반사 표면들(210) 중 하나의 제1 반사 표면 앞의 하나의 위치 및 뒤의 하나의 위치에 배치되는 4개의 인스턴스를 포함한다.
각각의 제1 반사 표면(210)은 약 1.50 인치 내지 약 2.20 인치, 예컨대 약 2.02 인치 내지 약 2.10 인치, 예컨대 약 2.06 인치의 곡률 반경(212)을 갖는 만곡된 표면이다. 한편, 각각의 제2 반사 표면(220)은 실질적으로 평평하다. 일부 실시예들에서, 각각의 제1 반사 표면(210)은 반사기(200)의 외측 에지(202)로부터 내측 에지(203)를 향하는 방향으로 연장되는 원통 형상을 갖는다. 다른 실시예들에서, 각각의 제1 반사 표면은 반사기(200)의 외측 에지(202)로부터 내측 에지(203)를 향하는 방향으로 연장되는 원추대 형상(frustoconical shape)을 갖는다. 원추대 형상을 이용하는 실시예들에서, 곡률 반경은 반사기의 외측 에지(202)로부터 내측 에지(203)를 향하는 방향으로 감소될 수 있다.
본 출원의 발명자들은 도 1에 도시된 컴포넌트들을 포함하는 프로세스 챔버 내에서 300mm 기판들 상에 형성된 에피택셜 층들의 두께에서 불균일성을 관찰하였다. 이러한 불균일성들은 기판의 하나 이상의 방사상 위치에서 발생했다. 불균일한 두께를 갖는 에피택셜 층들은 불균일성이 상당한 경우에 제품 품질을 감소시키고 낭비를 야기할 수 있다. 다수의 프로세스 챔버 사이에서 몇몇 차이들을 검토하고나서, 본 발명자들은 챔버들 중 일부가 상이한 상부 내측 반사기들을 포함했다는 것을 알아차렸다. 이러한 프로세스 챔버들의 상부 내측 반사기들은 위에서 설명된 제1 반사 표면들(210)에 대응하는 상이한 제1 반사 표면들을 포함했다. 발명자들은 이러한 제1 반사 표면들의 반경이 변경된 때에 두께 불균일성의 정도가 변하였음을 알아차렸다. 프로세스 챔버의 상부 내측 반사기 상에서 반사 표면의 반경을 변경하면 그 프로세스 챔버 내에서 형성된 에피택셜 층의 두께에서의 불균일성들이 제거되는 결과를 달성할 수 있다는 것은 이전에는 인식되지 않았다.
제1 반사 표면들을 정의하는 반경을 변경함으로써 두께 불균일성들이 제거될 수 있음을 발견한 후, 본 발명자들은 약 1.50 인치 내지 약 2.20 인치의 제1 반사 표면들의 만곡된 표면을 정의하는 반경, 예컨대 약 2.02 인치 내지 약 2.10 인치의 반경, 예컨대 약 2.06 인치의 반경이, 300mm 기판들을 처리하기 위해 이용되는 챔버들 내에서 형성되는 에피택셜 층들 내의 두께 불균일성들을 제거하기 위한 최상의 결과를 제공했음을 결정했다. 이러한 두께 불균일성들을 제거하면 제품 품질을 개선시키고 낭비를 감소시킬 수 있다.
상술한 것은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 추가의 실시예들은 그것의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 만들어질 수 있으며, 그것의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 반도체 기판을 처리하기 위한 반사기로서,
    외측 에지, 내측 에지, 및 최하부측을 갖는 환형 바디
    를 포함하고, 상기 최하부측은 복수의 제1 표면 및 복수의 제2 표면을 포함하고,
    각각의 제1 표면 및 각각의 제2 표면은 상기 환형 바디 둘레에서 상이한 각도 위치에 위치되고,
    각각의 제1 표면은 1.50 인치 내지 2.20 인치의 곡률 반경을 갖는 만곡된 표면이고,
    각각의 만곡된 제1 표면 및 각각의 제2 표면은 상기 내측 에지로 연장되고,
    상기 복수의 제1 표면은 제1 표면들의 8개의 쌍을 포함하고, 제1 표면들의 각각의 쌍은 에지를 공유하는 2개의 제1 표면으로 구성되고,
    상기 복수의 제2 표면은 제1 에지 및 제2 에지를 갖는 적어도 하나의 제2 표면을 포함하고, 상기 제1 에지는 상기 제1 표면들의 8개의 쌍 중 제1 쌍의 경계를 이루고, 상기 제2 에지는 상기 제1 표면들의 8개의 쌍 중 제2 쌍의 경계를 이루고,
    상기 복수의 제1 표면은 상기 복수의 제2 표면 중 2개의 제2 표면의 경계를 이루는 적어도 하나의 제1 표면을 포함하는, 반사기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 곡률 반경은 2.02 인치 내지 2.10 인치인, 반사기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 최하부측은 20개의 제1 표면 및 12개의 제2 표면을 포함하는, 반사기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 반사 표면들은 금으로 형성되는, 반사기.
  5. 제1항에 있어서, 각각의 제1 표면은 상기 반사기의 상기 외측 에지로부터 상기 내측 에지를 향하는 방향으로 연장되는 원통 형상을 갖는, 반사기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 복수의 제1 표면 및 상기 복수의 제2 표면은 원형 어레이로 배치되고, 각각의 제2 표면은 상기 원형 어레이에서 2개의 제1 표면에 인접하여, 그리고 상기 2개의 제1 표면 사이에 배치되는, 반사기.
  7. 제1항에 있어서, 각각의 제1 표면은 곡률 반경에 대한 1.50 인치 내지 2.20 인치 내에서 상기 외측 에지로부터 상기 내측 에지를 향하는 방향으로 감소하는 곡률 반경을 갖는 원추대 형상(frustoconical shape)을 갖는, 반사기.
  8. 제1항에 있어서, 각각의 제2 표면은 평평한 표면인, 반사기.
  9. 반도체 기판을 처리하기 위한 반사기로서,
    외측 에지, 내측 에지, 및 최하부측을 갖는 환형 바디
    를 포함하고, 상기 최하부측은 20개의 제1 표면 및 12개의 제2 표면을 포함하고,
    각각의 제1 표면 및 각각의 제2 표면은 상기 환형 바디 둘레에서 상이한 각도 위치에 원형 어레이로 위치되고,
    상기 20개의 제1 표면은 제1 표면들의 8개의 쌍으로 배열되고, 제1 표면들의 각각의 쌍은 서로 인접하는 2개의 제1 표면으로 구성되고, 상기 20개의 제1 표면 중 나머지 4개의 제1 표면은 상기 12개의 제2 표면 중 2개의 제2 표면의 경계를 이루고,
    상기 반사기의 각각의 제2 표면은 평평하고,
    각각의 제1 표면은 2.02 인치 내지 2.10 인치의 곡률 반경을 갖는 만곡된 표면이고,
    각각의 제2 표면은 2개의 제1 표면에 인접하여, 그리고 상기 2개의 제1 표면 사이에 배치되고,
    상기 12개의 제2 표면은 제1 에지 및 제2 에지를 갖는 적어도 하나의 제2 표면을 포함하고, 상기 제1 에지는 상기 제1 표면들의 8개의 쌍 중 제1 쌍의 경계를 이루고, 상기 제2 에지는 상기 제1 표면들의 8개의 쌍 중 제2 쌍의 경계를 이루고,
    각각의 제1 표면 및 각각의 제2 표면은 상기 내측 에지로 연장되고, 상기 내측 에지는 상기 환형 바디의 내측 상에 중단되지 않은 원을 형성하는, 반사기.
  10. 프로세스 챔버로서,
    측벽;
    기판 지지체; 및
    상기 기판 지지체 위에 배치된 반사기
    를 포함하고, 상기 반사기는,
    외측 에지, 내측 에지, 및 최하부측을 갖는 환형 바디
    를 포함하고, 상기 최하부측은 복수의 제1 표면 및 복수의 제2 표면을 포함하고,
    각각의 제1 표면 및 각각의 제2 표면은 상기 환형 바디 둘레에서 상이한 각도 위치에 위치되고,
    각각의 제1 표면은 1.50 인치 내지 2.20 인치의 곡률 반경을 갖는 만곡된 표면이고,
    각각의 만곡된 제1 표면 및 각각의 제2 표면은 상기 내측 에지로 연장되고,
    상기 복수의 제1 표면은 제1 표면들의 8개의 쌍을 포함하고, 제1 표면들의 각각의 쌍은 에지를 공유하는 2개의 제1 표면으로 구성되고,
    상기 복수의 제2 표면은 제1 에지 및 제2 에지를 갖는 적어도 하나의 제2 표면을 포함하고, 상기 제1 에지는 상기 제1 표면들의 8개의 쌍 중 제1 쌍의 경계를 이루고, 상기 제2 에지는 상기 제1 표면들의 8개의 쌍 중 제2 쌍의 경계를 이루고,
    상기 복수의 제1 표면은 상기 복수의 제2 표면 중 2개의 제2 표면의 경계를 이루는 적어도 하나의 제1 표면을 포함하는, 프로세스 챔버.
  11. 제10항에 있어서, 상기 곡률 반경은 2.02 인치 내지 2.10 인치인, 프로세스 챔버.
  12. 제11항에 있어서, 상기 반사기의 상기 최하부측은 20개의 제1 표면 및 12개의 제2 표면을 포함하는, 프로세스 챔버.
  13. 제10항에 있어서, 각각의 제1 표면과 상기 기판 지지체 사이에 램프가 배치되는, 프로세스 챔버.
  14. 제10항에 있어서, 상기 반사기는 상기 환형 바디의 상기 최하부측 위에, 그리고 상기 최하부측의 외측에 배치된 외측 림(outer rim)을 더 포함하는, 프로세스 챔버.
  15. 제12항에 있어서, 상기 반사기의 상기 복수의 제1 표면 및 상기 복수의 제2 표면은 원형 어레이로 배치되고, 각각의 제2 표면은 2개의 제1 표면에 인접하여, 그리고 상기 2개의 제1 표면 사이에 배치되는, 프로세스 챔버.
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