KR102252723B1 - Surface-modified inorganic nitride, composition, thermally conductive material, device with thermally conductive layer - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는, 분산성이 우수한 표면 수식 무기 질화물을 제공하는 것에 있다. 또, 본 발명의 다른 과제는, 상기 표면 수식 무기 질화물을 포함하는 조성물, 열전도 재료, 및 열전도층 부착 디바이스를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 표면 수식 무기 질화물은, 무기 질화물과, 상기 무기 질화물 표면 상에 흡착된 하기 일반식 (I)로 나타나는 화합물을 포함한다.

Figure 112019133998243-pct00035
An object of the present invention is to provide a surface-modified inorganic nitride excellent in dispersibility. Another object of the present invention is to provide a composition containing the surface-modified inorganic nitride, a thermally conductive material, and a device with a thermally conductive layer.
The surface-modified inorganic nitride of the present invention includes an inorganic nitride and a compound represented by the following general formula (I) adsorbed on the surface of the inorganic nitride.
Figure 112019133998243-pct00035

Description

표면 수식 무기 질화물, 조성물, 열전도 재료, 열전도층 부착 디바이스Surface-modified inorganic nitride, composition, thermally conductive material, device with thermally conductive layer

본 발명은, 표면 수식 무기 질화물, 조성물, 열전도 재료, 및 열전도층 부착 디바이스에 관한 것이다.The present invention relates to a surface-modified inorganic nitride, a composition, a thermally conductive material, and a device with a thermally conductive layer.

무기 질화물의 응용 범위를 넓히기 위하여, 그 표면을 수식하는 방법이 제안되어 있다.In order to expand the application range of inorganic nitride, a method of modifying the surface of the inorganic nitride has been proposed.

예를 들면, 특허문헌 1의 실시예에서는, 질화 알루미늄 입자의 표면을 4-바이페닐카복실산 또는 4-바이페닐메탄올 등으로 처리하는 방법이 개시되어 있다.For example, in the example of Patent Document 1, a method of treating the surface of aluminum nitride particles with 4-biphenylcarboxylic acid or 4-biphenylmethanol is disclosed.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2011-236376호Patent Document 1: Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-236376

한편, 무기 질화물을 수지 바인더 등의 유기물과 혼합하여 사용하는 경우, 무기 질화물의 유기물에 대한 친화성의 추가적인 향상이 요구되고 있다. 예를 들면, 질화 붕소 등의 무기 질화물을 유기물과 혼합하여 열전도 재료로서 이용하는 경우, 열전도성의 추가적인 향상의 점에서, 유기물 중에서의 무기 질화물의 분산성의 향상이 요망되고 있다. 무기 질화물의 분산성 향상을 위해서는, 무기 질화물의 표면을 개질하는 것이 필요하게 되었다.On the other hand, when an inorganic nitride is mixed with an organic substance such as a resin binder, further improvement of the affinity of the inorganic nitride to the organic substance is required. For example, when an inorganic nitride such as boron nitride is mixed with an organic substance and used as a heat conductive material, from the viewpoint of further improvement in thermal conductivity, improvement in the dispersibility of the inorganic nitride in the organic substance is desired. In order to improve the dispersibility of the inorganic nitride, it is necessary to modify the surface of the inorganic nitride.

본 발명자들은, 질화 붕소의 표면을, 특허문헌 1을 참조하여 4-바이페닐카복실산 또는 4-바이페닐메탄올로 처리한 표면 수식 무기 질화물을 준비하고, 이 표면 수식 무기 질화물을 유기물과 혼합하여 열전도 재료를 제작하여, 유기물 중에서의 표면 수식 무기 질화물의 분산성을 평가한바, 분산성이 불충분하여, 추가적인 개선이 필요한 것이 확인되었다.The present inventors prepared a surface-modified inorganic nitride in which the surface of boron nitride was treated with 4-biphenylcarboxylic acid or 4-biphenylmethanol with reference to Patent Document 1, and the surface-modified inorganic nitride was mixed with an organic substance to provide a thermal conductive material. Was prepared and the dispersibility of the surface-modified inorganic nitride in an organic substance was evaluated, and it was confirmed that the dispersibility was insufficient and further improvement was required.

따라서, 본 발명은, 분산성이 우수한 표면 수식 무기 질화물을 제공하는 것을 과제로 한다.Therefore, the present invention makes it a subject to provide a surface-modified inorganic nitride excellent in dispersibility.

또, 본 발명은, 상기 표면 수식 무기 질화물을 포함하는 조성물, 열전도 재료, 및 열전도층 부착 디바이스를 제공하는 것을 과제로 한다.Moreover, it is an object of the present invention to provide a composition containing the surface-modified inorganic nitride, a thermally conductive material, and a device with a thermally conductive layer.

본 발명자들은, 상기 과제를 달성하기 위하여 예의 검토한 결과, 일반식 (I)로 나타나는 화합물로 표면 처리를 한 무기 질화물을 이용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.The present inventors, as a result of earnestly examining in order to achieve the above object, found that the above object can be solved by using an inorganic nitride surface-treated with a compound represented by the general formula (I), and the present invention was completed.

즉, 이하의 구성에 의하여 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 발견했다.That is, it has been found that the above object can be achieved by the following configuration.

〔1〕무기 질화물과, 상기 무기 질화물 표면 상에 흡착된 하기 일반식 (I)로 나타나는 화합물을 포함하는 표면 수식 무기 질화물.[1] A surface-modified inorganic nitride comprising an inorganic nitride and a compound represented by the following general formula (I) adsorbed on the surface of the inorganic nitride.

〔2〕 상기 X가, 수산기, 카복실산기, 포스폰산기, 인산기, 포스핀산기, 설폰산기, 또는 싸이올기인 〔1〕에 기재된 표면 수식 무기 질화물.[2] The surface-modified inorganic nitride according to [1], wherein X is a hydroxyl group, a carboxylic acid group, a phosphonic acid group, a phosphoric acid group, a phosphinic acid group, a sulfonic acid group, or a thiol group.

〔3〕 상기 Y가, 방향족 탄화 수소환기인 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 표면 수식 무기 질화물.[3] The surface-modified inorganic nitride according to [1] or [2], wherein Y is an aromatic hydrocarbon ring group.

〔4〕 상기 Y가, 벤젠환을 3환 이상 포함하는 다환식 방향족 탄화 수소환기인 〔3〕에 기재된 표면 수식 무기 질화물.[4] The surface-modified inorganic nitride according to [3], wherein Y is a polycyclic aromatic hydrocarbon ring group containing three or more benzene rings.

〔5〕 상기 Y가, 피렌환기인 〔4〕에 기재된 표면 수식 무기 질화물.[5] The surface-modified inorganic nitride according to [4], wherein Y is a pyrene cyclic group.

〔6〕 상기 무기 질화물이, 질화 붕소 및 질화 알루미늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 〔1〕 내지 〔5〕 중 어느 하나에 기재된 표면 수식 무기 질화물.[6] The surface-modified inorganic nitride according to any one of [1] to [5], wherein the inorganic nitride is at least one selected from the group consisting of boron nitride and aluminum nitride.

〔7〕 상기 무기 질화물이, 질화 붕소인 〔6〕에 기재된 표면 수식 무기 질화물.[7] The surface-modified inorganic nitride according to [6], wherein the inorganic nitride is boron nitride.

〔8〕 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 표면 수식 무기 질화물과, 중합성 모노머를 포함하는 조성물.[8] A composition comprising the surface-modified inorganic nitride according to any one of [1] to [7] and a polymerizable monomer.

〔9〕 상기 중합성 모노머가, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥시란일기, 옥세탄일기, 및 바이닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 갖는 〔8〕에 기재된 조성물.[9] The composition according to [8], wherein the polymerizable monomer has a group selected from the group consisting of an acryloyl group, a methacryloyl group, an oxiranyl group, an oxetanyl group, and a vinyl group.

〔10〕 상기 중합성 모노머 또는 그 경화물이, 액정성을 나타내는 〔8〕 또는 〔9〕에 기재된 조성물.[10] The composition according to [8] or [9], wherein the polymerizable monomer or cured product thereof exhibits liquid crystallinity.

〔11〕 열전도 재료를 형성하기 위하여 이용되는 〔8〕~〔10〕 중 어느 하나에 기재된 조성물.[11] The composition according to any one of [8] to [10], which is used to form a thermally conductive material.

〔12〕 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 표면 수식 무기 질화물을 포함하는 열전도 재료.[12] A thermally conductive material containing the surface-modified inorganic nitride according to any one of [1] to [7].

〔13〕 시트상인 〔12〕에 기재된 열전도 재료.[13] The thermally conductive material according to [12], which is in the form of a sheet.

〔14〕방열 시트에 이용되는 〔12〕 또는 〔13〕에 기재된 열전도 재료.[14] The thermally conductive material according to [12] or [13], which is used for a heat dissipation sheet.

〔15〕디바이스와, 상기 디바이스 상에 배치된 〔12〕~〔14〕 중 어느 하나에 기재된 열전도 재료를 포함하는 열전도층을 갖는 열전도층 부착 디바이스.[15] A device with a heat conductive layer, comprising a device and a heat conductive layer comprising the heat conductive material according to any one of [12] to [14] disposed on the device.

본 발명에 의하면, 분산성이 우수한 표면 수식 무기 질화물을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the surface-modified inorganic nitride excellent in dispersibility can be provided.

또, 본 발명에 의하면, 상기 표면 수식 무기 질화물을 포함하는 조성물, 열전도 재료, 및 열전도층 부착 디바이스를 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, a composition containing the surface-modified inorganic nitride, a thermally conductive material, and a device with a thermally conductive layer can be provided.

도 1은 질화 붕소 첨가 전후의 화합물 C-2 함유 용액의 자외 가시 흡수 스펙트럼을 나타낸다.
도 2는 질화 붕소 첨가 전후의 화합물 C-3 함유 용액의 자외 가시 흡수 스펙트럼을 나타낸다.
도 3은 질화 붕소 첨가 전후의 화합물 C-8 함유 용액의 자외 가시 흡수 스펙트럼을 나타낸다.
도 4는 질화 붕소 첨가 전후의 화합물 C-15 함유 용액의 자외 가시 흡수 스펙트럼을 나타낸다.
도 5는 질화 붕소 첨가 전후의 화합물 C-28 함유 용액의 자외 가시 흡수 스펙트럼을 나타낸다.
1 shows the ultraviolet and visible absorption spectrum of a solution containing compound C-2 before and after boron nitride is added.
Fig. 2 shows an ultraviolet and visible absorption spectrum of a solution containing Compound C-3 before and after boron nitride is added.
Fig. 3 shows an ultraviolet and visible absorption spectrum of a solution containing Compound C-8 before and after boron nitride is added.
Fig. 4 shows the ultraviolet and visible absorption spectrum of a solution containing Compound C-15 before and after boron nitride is added.
Fig. 5 shows the ultraviolet and visible absorption spectrum of a solution containing Compound C-28 before and after boron nitride is added.

이하, 본 발명의 표면 수식 무기 질화물, 조성물, 열전도 재료, 및 열전도층 부착 디바이스에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the surface-modified inorganic nitride, the composition, the thermally conductive material, and the device with a thermally conductive layer of the present invention will be described in detail.

이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시형태에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그와 같은 실시형태에 한정되는 것은 아니다.Although the description of the constitutional requirements described below may be made based on a representative embodiment of the present invention, the present invention is not limited to such an embodiment.

또한, 본 명세서에 있어서, "~"를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.In addition, in this specification, the numerical range shown using "~" means a range including numerical values described before and after "~" as a lower limit value and an upper limit value.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴로일기"라는 기재는, "아크릴로일기 및 메타크릴로일기 중 어느 한쪽 또는 쌍방"의 의미를 나타낸다.In this specification, the description of "(meth)acryloyl group" represents the meaning of "any one or both of an acryloyl group and a methacryloyl group".

본 명세서에 있어서, 옥시란일기는 에폭시기라고도 불리는 관능기이며, 예를 들면 포화 탄화 수소환기의 인접하는 탄소 원자 2개가 옥소기(-O-)에 의하여 결합하여 옥시레인환을 형성하고 있는 기 등도 옥시란일기에 포함한다.In the present specification, the oxiranyl group is a functional group also called an epoxy group, and for example, a group in which two adjacent carbon atoms of a saturated hydrocarbon ring group are bonded by an oxo group (-O-) to form an oxylane ring is also oxy. I include it in the column diary.

본 명세서에 있어서, 산무수물기는, 무수 말레산, 무수 프탈산, 무수 파이로멜리트산, 및 무수 트라이멜리트산 등의 산무수물로부터 임의의 수소 원자를 제외하고 얻어지는 치환기이면 된다.In the present specification, the acid anhydride group may be a substituent obtained by excluding any hydrogen atom from an acid anhydride such as maleic anhydride, phthalic anhydride, pyromellitic anhydride, and trimellitic anhydride.

본 명세서에 있어서 "표면 수식 무기 질화물"은, 후술하는 일반식 (I)로 나타나는 화합물(이하, "특정 화합물"이라고도 함)로 표면 수식되어 있는 무기 질화물을 의미한다.In the present specification, "surface-modified inorganic nitride" means an inorganic nitride surface-modified with a compound represented by General Formula (I) described later (hereinafter, also referred to as "specific compound").

본 명세서에 있어서, "표면 수식"이란, 무기 질화물 표면의 적어도 일부에 후술하는 특정 화합물이 흡착되어 있는 상태를 의미한다. 흡착의 형태는 특별히 한정되지 않지만, 결합되어 있는 상태인 것이 바람직하다. 또한, 표면 수식은, 특정 화합물의 일부가 탈리하여 얻어지는 유기기(예를 들면, 양이온성기)가 무기 질화물 표면에 결합되어 있는 상태도 포함한다. 결합은, 공유 결합, 배위 결합, 이온 결합, 수소 결합, 판데르발스 결합, 및 금속 결합 등, 어느 결합이어도 된다. 표면 수식은, 무기 질화물 표면의 적어도 일부에 단분자막을 형성하도록 이루어져 있어도 된다.In the present specification, "surface modification" means a state in which a specific compound described later is adsorbed on at least a part of the surface of the inorganic nitride. The form of adsorption is not particularly limited, but it is preferably in a bonded state. In addition, the surface modification also includes a state in which an organic group (for example, a cationic group) obtained by desorbing a part of a specific compound is bonded to the surface of the inorganic nitride. The bond may be any bond such as a covalent bond, a coordination bond, an ionic bond, a hydrogen bond, a Van der Waals bond, and a metal bond. The surface modification may be made so as to form a monomolecular film on at least a part of the surface of the inorganic nitride.

또한, 본 명세서에 있어서, 표면 수식은, 무기 질화물 표면의 일부만이어도 되고, 전체여도 된다.In addition, in this specification, the surface modification may be only a part of the surface of the inorganic nitride or may be the whole.

본 명세서에 있어서, "치환기를 갖고 있어도 된다"고 할 때의 치환기의 종류, 치환기의 위치, 및 치환기의 수는 특별히 한정되지 않는다. 치환기의 수는 예를 들면, 1개, 2개, 3개 또는 그 이상이어도 된다. 치환기의 예로서는 수소 원자를 제외한 1가의 비금속 원자단을 들 수 있고, 예를 들면 이하의 치환기군 T로부터 선택할 수 있다.In the present specification, the type of the substituent, the position of the substituent, and the number of the substituents in the case of "you may have a substituent" are not particularly limited. The number of substituents may be, for example, 1, 2, 3 or more. Examples of the substituent include a monovalent nonmetallic group excluding a hydrogen atom, and for example, it can be selected from the following substituent group T.

치환기군 T: 할로젠 원자(-F, -Br, -Cl, -I), 수산기, 알콕시기, 아릴옥시기, 싸이올기, 알킬싸이오기, 아릴싸이오기, 알킬다이싸이오기, 아릴다이싸이오기, 아미노기, N-알킬아미노기, N,N-다이알킬아미노기, N-아릴아미노기, N,N-다이아릴아미노기, N-알킬-N-아릴아미노기, 아실옥시기, 카바모일옥시기, N-알킬카바모일옥시기, N-아릴카바모일옥시기, N,N-다이알킬카바모일옥시기, N,N-다이아릴카바모일옥시기, N-알킬-N-아릴카바모일옥시기, 알킬설폭시기, 아릴설폭시기, 아실싸이오기, 아실아미노기, N-알킬아실아미노기, N-아릴아실아미노기, 유레이도기, N'-알킬유레이도기, N',N'-다이알킬유레이도기, N'-아릴유레이도기, N',N'-다이아릴유레이도기, N'-알킬-N'-아릴유레이도기, N-알킬유레이도기, N-아릴유레이도기, N'-알킬-N-알킬유레이도기, N'-알킬-N-아릴유레이도기, N',N'-다이알킬-N-알킬유레이도기, N',N'-다이알킬-N-아릴유레이도기, N'-아릴-N-알킬유레이도기, N'-아릴-N-아릴유레이도기, N',N'-다이아릴-N-알킬유레이도기, N',N'-다이아릴-N-아릴유레이도기, N'-알킬-N'-아릴-N-알킬유레이도기, N'-알킬-N'-아릴-N-아릴유레이도기, 알콕시카보닐아미노기, 아릴옥시카보닐아미노기, N-알킬-N-알콕시카보닐아미노기, N-알킬-N-아릴옥시카보닐아미노기, N-아릴-N-알콕시카보닐아미노기, N-아릴-N-아릴옥시카보닐아미노기, 폼일기, 아실기, 카복시기 및 그 공액 염기기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 카바모일기, N-알킬카바모일기, N,N-다이알킬카바모일기, N-아릴카바모일기, N,N-다이아릴카바모일기, N-알킬-N-아릴카바모일기, 알킬설핀일기, 아릴설핀일기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기, 설포기(-SO3H) 및 그 공액 염기기, 알콕시설폰일기, 아릴옥시설폰일기, 설피나모일기, N-알킬설피나모일기, N,N-다이알킬설피나모일기, N-아릴설피나모일기, N,N-다이아릴설피나모일기, N-알킬-N-아릴설피나모일기, 설파모일기, N-알킬설파모일기, N,N-다이알킬설파모일기, N-아릴설파모일기, N,N-다이아릴설파모일기, N-알킬-N-아릴설파모일기, N-아실설파모일기 및 그 공액 염기기, N-알킬설폰일설파모일기(-SO2NHSO2(alkyl)) 및 그 공액 염기기, N-아릴설폰일설파모일기(-SO2NHSO2(aryl)) 및 그 공액 염기기, N-알킬설폰일카바모일기(-CONHSO2(alkyl)) 및 그 공액 염기기, N-아릴설폰일카바모일기(-CONHSO2(aryl)) 및 그 공액 염기기, 알콕시실릴기(-Si(Oalkyl)3), 아릴옥시실릴기(-Si(Oaryl)3), 하이드록시실릴기(-Si(OH)3) 및 그 공액 염기기, 포스포노기(-PO3H2) 및 그 공액 염기기, 다이알킬포스포노기(-PO3(alkyl)2), 다이아릴포스포노기(-PO3(aryl)2), 알킬아릴포스포노기(-PO3(alkyl)(aryl)), 모노알킬포스포노기(-PO3H(alkyl)) 및 그 공액 염기기, 모노아릴포스포노기(-PO3H(aryl)) 및 그 공액 염기기, 포스포노옥시기(-OPO3H2) 및 그 공액 염기기, 다이알킬포스포노옥시기(-OPO3(alkyl)2), 다이아릴포스포노옥시기(-OPO3(aryl)2), 알킬아릴포스포노옥시기(-OPO3(alkyl)(aryl)), 모노알킬포스포노옥시기(-OPO3H(alkyl)) 및 그 공액 염기기, 모노아릴포스포노옥시기(-OPO3H(aryl)) 및 그 공액 염기기, 사이아노기, 나이트로기, 아릴기, 알킬기, 복소환기, 옥시란일기, 알켄일기 및 알카인일기.Substituent group T: halogen atom (-F, -Br, -Cl, -I), hydroxyl group, alkoxy group, aryloxy group, thiol group, alkylthio group, arylthio group, alkyldithio group, aryldithio group , Amino group, N-alkylamino group, N,N-dialkylamino group, N-arylamino group, N,N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarba Moyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N,N-dialkylcarbamoyloxy group, N,N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, acyl Thio group, acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N'-alkyl ureido group, N',N'-dialkyl ureido group, N'-aryl ureido group, N',N '-Diaryl ureido group, N'-alkyl-N'-aryl ureido group, N-alkyl ureido group, N-aryl ureido group, N'-alkyl-N-alkyl ureido group, N'-alkyl-N-aryl Ureido group, N',N'-dialkyl-N-alkyl ureido group, N',N'-dialkyl-N-aryl ureido group, N'-aryl-N-alkyl ureido group, N'-aryl-N -Aryl ureido group, N',N'-diaryl-N-alkyl ureido group, N',N'-diaryl-N-aryl ureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-alkyl ureido group , N'-alkyl-N'-aryl-N-aryl ureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group , N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, acyl group, carboxy group and its conjugated base group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group , N-alkylcarbamoyl group, N,N-dialkylcarbamoyl group, N-aryl carbamoyl group, N,N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N-aryl carbamoyl group, alkylsulfinyl group, Arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group (-SO 3 H) and its conjugated base group, alkoxysulfonyl group, aryloxysulfonyl group, sulfinamoyl group, N-alkylsulfinamoyl group, N,N -Dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N,N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, Sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N,N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N,N-diarylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, N -Acylsulfamoyl group and its conjugated base group, N-alkylsulfonylsulfamoyl group (-SO 2 NHSO 2 (alkyl)) and its conjugated base group, N-arylsulfonylsulfamoyl group (-SO 2 NHSO 2 ( aryl)) and its conjugated base group, N-alkylsulfonylcarbamoyl group (-CONHSO 2 (alkyl)) and its conjugated base group, N-arylsulfonylcarbamoyl group (-CONHSO 2 (aryl)) and its conjugated Base group, alkoxysilyl group (-Si(Oalkyl) 3 ), aryloxysilyl group (-Si(Oaryl) 3 ), hydroxysilyl group (-Si(OH) 3 ) and its conjugated base group, phosphono group ( -PO 3 H 2 ) and its conjugated base group, a dialkylphosphono group (-PO 3 (alkyl) 2 ), a diarylphosphono group (-PO 3 (aryl) 2 ), an alkylarylphosphono group (-PO 3 (alkyl)(aryl)), a monoalkylphosphono group (-PO 3 H(alkyl)) and its conjugated base group, a monoarylphosphono group (-PO 3 H(aryl)) and its conjugated base group, phos Phonooxy group (-OPO 3 H 2 ) and its conjugated base group, dialkylphosphonooxy group (-OPO 3 (alkyl) 2 ), diarylphosphonooxy group (-OPO 3 (aryl) 2 ), alkylaryl Phosphonooxy group (-OPO 3 (alkyl)(aryl)), monoalkylphosphonooxy group (-OPO 3 H(alkyl)) and its conjugated base group, monoarylphosphonooxy group (-OPO 3 H(aryl) )) and its conjugated base group, cyano group, nitro group, aryl group, alkyl group, heterocyclic group, oxiranyl group, alkenyl group and alkyneyl group.

또, 이들 치환기는, 가능하다면 치환기끼리, 또는 치환하고 있는 기와 결합하여 환을 형성해도 된다.Moreover, if possible, these substituents may be bonded to each other or with the group being substituted to form a ring.

〔표면 수식 무기 질화물〕[Surface Modified Inorganic Nitride]

본 발명의 표면 수식 무기 질화물은, 무기 질화물과, 상기 무기 질화물 표면 상에 흡착된 후술하는 일반식 (I)로 나타나는 화합물(특정 화합물)을 포함한다. 바꾸어 말하면, 본 발명의 표면 수식 무기 질화물은, 무기 질화물의 표면을 후술하는 특정 화합물로 수식하여 이루어지는 표면 수식 무기 질화물이다.The surface-modified inorganic nitride of the present invention includes an inorganic nitride and a compound (specific compound) represented by general formula (I) described later adsorbed on the surface of the inorganic nitride. In other words, the surface-modified inorganic nitride of the present invention is a surface-modified inorganic nitride obtained by modifying the surface of an inorganic nitride with a specific compound described later.

본 발명의 표면 수식 무기 질화물에 있어서는, 무기 질화물의 표면 수식제로서, 후술하는 일반식 (I)로 나타나는 화합물(특정 화합물)을 이용한다.In the surface-modified inorganic nitride of the present invention, a compound (specific compound) represented by General Formula (I) described later is used as the surface-modifying agent of the inorganic nitride.

특정 화합물의 특징점으로서는, 방향족 탄화 수소환기 또는 방향족 복소환기인 Y가, 치환기로서, 수소 결합성기인 X를 갖는 기(일반식 (I) 중의 *-L1-X로 나타나는 기)와, 흡착성기인 Z를 갖는 기(일반식 (I) 중의 *-L2-Z로 나타나는 기)를 각각 1개 이상 갖고 있는 점을 들 수 있다.As a characteristic point of a specific compound, Y as an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group is a group having X as a hydrogen bonding group as a substituent (a group represented by *-L 1 -X in General Formula (I)), and an adsorbent group. The point which each has one or more groups having Z (group represented by *-L 2 -Z in General Formula (I)) is mentioned.

상기 특정 화합물은, 상기 수소 결합성기의 존재에 의하여, 복수의 특정 화합물끼리가 수소 결합성 상호작용에 의하여 연결되기 쉽다. 그 결과, 상기 특정 화합물끼리가 연결되어, 방향족 탄화 수소환기 또는 방향족 복소환기(Y에 상당)를 복수 개 갖는 평면 구조를 형성하여, 무기 질화물의 표면에 흡착되기 쉬워진다고 생각된다. 또, 특히 무기 질화물이 질화 붕소인 경우, 흡착성이 보다 우수한 것을 확인하고 있다.In the specific compound, due to the presence of the hydrogen bonding group, a plurality of specific compounds are liable to be connected by hydrogen bonding interactions. As a result, it is thought that the above-described specific compounds are connected to each other to form a planar structure having a plurality of aromatic hydrocarbon cyclic groups or aromatic heterocyclic groups (corresponding to Y), and is likely to be adsorbed on the surface of the inorganic nitride. Moreover, especially when the inorganic nitride is boron nitride, it has confirmed that the adsorption property is more excellent.

상기 메커니즘에 의하여 무기 질화물의 표면을 특정 화합물로 수식함으로써 형성된 표면 수식 무기 질화물은, 분산성이 우수하다. 그 결과, 상기 표면 수식 무기 질화물을 포함하는 재료는, 상기 재료 중에 있어서 표면 수식 무기 질화물이 편재하는 일 없이 양호하게 분산하여 존재하기 때문에, 그 열전도성이 우수하다고 추측된다. 특히, 상기 특정 화합물이 중합성기를 갖는 경우, 상기 표면 수식 무기 질화물과 중합성 모노머를 포함하는 조성물로부터 얻어지는 경화물은, 중합성 모노머를 통하여 표면 수식 무기 질화물끼리 사이의 도전 패스가 형성되기 쉽기 때문에, 보다 열전도성이 향상된다고 생각된다.The surface-modified inorganic nitride formed by modifying the surface of the inorganic nitride by the above mechanism with a specific compound is excellent in dispersibility. As a result, the material containing the surface-modified inorganic nitride is presumed to be excellent in thermal conductivity because it is well dispersed and present in the material without uneven distribution of the surface-modified inorganic nitride. In particular, when the specific compound has a polymerizable group, the cured product obtained from the composition containing the surface-modified inorganic nitride and the polymerizable monomer is likely to form a conductive path between the surface-modified inorganic nitrides through the polymerizable monomer. It is thought that the thermal conductivity is improved more than that.

또한, 특정 화합물은 분자 중에 축환 구조를 갖는 경우, 얻어지는 표면 수식 무기 질화물은, 중합성 모노머를 배향시키는 기능도 갖는다고 생각된다. 그 결과, 특히 중합성 모노머 또는 그 경화물이 액정성을 나타내는 경우, 표면 수식 무기 질화물 표면 상에서 중합성 모노머 또는 그 경화물이 배향(수직 배향)되며, 표면 수식 무기 질화물 사이에 배향한 액정 성분이 개재하는 형태가 되어, 표면 수식 무기 질화물끼리의 사이에서의 열전도성이 보다 향상되어, 결과적으로 재료 전체의 열전도성이 보다 향상된다고 추측된다.Moreover, when a specific compound has a condensed ring structure in a molecule|numerator, it is thought that the surface-modified inorganic nitride obtained also has a function of aligning a polymerizable monomer. As a result, in particular, when the polymerizable monomer or its cured product exhibits liquid crystallinity, the polymerizable monomer or its cured product is oriented (vertically aligned) on the surface of the surface-modified inorganic nitride, and the liquid crystal component aligned between the surface-modified inorganic nitrides is It is assumed that the intervening form is formed, the thermal conductivity between the surface-modified inorganic nitrides is further improved, and as a result, the thermal conductivity of the entire material is further improved.

이하, 표면 수식 무기 질화물에 포함되는 성분에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후, 표면 수식 무기 질화물의 제조 방법 및 그 용도 등에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the components contained in the surface-modified inorganic nitride will be described in detail, and thereafter, a method for producing the surface-modified inorganic nitride and the use thereof will be described in detail.

<무기 질화물><Inorganic Nitride>

무기 질화물의 종류는 특별히 한정되지 않는다.The kind of inorganic nitride is not particularly limited.

무기 질화물의 예로서는, 질화 붕소(BN), 질화 탄소(C3N4), 질화 규소(Si3N4), 질화 갈륨(GaN), 질화 인듐(InN), 질화 알루미늄(AlN), 질화 크로뮴(Cr2N), 질화 구리(Cu3N), 질화 철(Fe4N 또는 Fe3N), 질화 란타넘(LaN), 질화 리튬(Li3N), 질화 마그네슘(Mg3N2), 질화 몰리브데넘(Mo2N), 질화 나이오븀(NbN), 질화 탄탈럼(TaN), 질화 타이타늄(TiN), 질화 텅스텐(W2N, WN2, 또는 WN), 질화 이트륨(YN), 및 질화 지르코늄(ZrN) 등을 들 수 있다.Examples of inorganic nitrides include boron nitride (BN), carbon nitride (C 3 N 4 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), gallium nitride (GaN), indium nitride (InN), aluminum nitride (AlN), chromium nitride ( Cr 2 N), copper nitride (Cu 3 N), iron nitride (Fe 4 N or Fe 3 N), lanthanum nitride (LaN), lithium nitride (Li 3 N), magnesium nitride (Mg 3 N 2 ), nitride Molybdenum (Mo 2 N), niobium nitride (NbN), tantalum nitride (TaN), titanium nitride (TiN), tungsten nitride (W 2 N, WN 2 , or WN), yttrium nitride (YN), and Zirconium nitride (ZrN), etc. are mentioned.

상기의 무기 질화물은, 단독으로 이용해도 되고, 복수를 조합하여 이용해도 된다.The above inorganic nitrides may be used alone, or may be used in combination of a plurality of them.

무기 질화물은, 얻어지는 표면 수식 무기 질화물의 열전도성이 보다 우수한 점에서, 붕소 원자, 알루미늄 원자, 및 규소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 무기 질화물은, 질화 붕소, 질화 알루미늄 및 질화 규소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하고, 질화 붕소 및 질화 알루미늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 더 바람직하며, 질화 붕소가 특히 바람직하다.The inorganic nitride preferably contains at least one selected from the group consisting of a boron atom, an aluminum atom, and a silicon atom from the viewpoint of more excellent thermal conductivity of the surface-modified inorganic nitride obtained. More specifically, the inorganic nitride is preferably at least one selected from the group consisting of boron nitride, aluminum nitride, and silicon nitride, more preferably at least one selected from the group consisting of boron nitride and aluminum nitride, and more preferably nitride. Boron is particularly preferred.

무기 질화물의 형상은 특별히 한정되지 않고, 입자상, 필름상 또는 판상이어도 된다. 입자상인 경우, 예를 들면 미립상(米粒狀), 구 형상, 입방체상, 방추 형상, 인편상(鱗片狀), 응집상, 또는 부정 형상이면 된다.The shape of the inorganic nitride is not particularly limited, and may be in the form of particles, films, or plates. In the case of a particulate form, for example, it may be a fine particle shape, a spherical shape, a cube shape, a spindle shape, a scale shape, an agglomerate shape, or an irregular shape.

무기 질화물의 크기는 특별히 한정되지 않지만, 표면 수식 무기 질화물의 분산성이 보다 우수한 점에서, 무기 질화물의 평균 입경은 500μm 이하가 바람직하고, 300μm 이하가 보다 바람직하며, 200μm 이하가 더 바람직하다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 취급성의 점에서, 10nm 이상이 바람직하고, 100nm 이상이 보다 바람직하다.The size of the inorganic nitride is not particularly limited, but from the viewpoint of more excellent dispersibility of the surface-modified inorganic nitride, the average particle diameter of the inorganic nitride is preferably 500 μm or less, more preferably 300 μm or less, and more preferably 200 μm or less. The lower limit is not particularly limited, but from the viewpoint of handling properties, 10 nm or more is preferable, and 100 nm or more is more preferable.

상기 평균 입경의 측정 방법으로서는, 전자 현미경을 이용하여, 100개의 무기 질화물을 무작위로 선택하여, 각각의 무기 질화물의 입경(장경)을 측정하고, 그들을 산술 평균하여 구한다. 또한, 시판품을 이용하는 경우, 카탈로그값을 이용해도 된다.As a method of measuring the average particle diameter, 100 inorganic nitrides are randomly selected using an electron microscope, and the particle diameters (longer diameters) of each inorganic nitride are measured, and they are calculated by arithmetic average. Moreover, when using a commercial item, you may use a catalog value.

<일반식 (I)로 나타나는 화합물><Compound represented by general formula (I)>

일반식 (I)로 나타나는 화합물(특정 화합물)은, 상술한 바와 같이, 무기 질화물 표면에 흡착되는 성분이다. 이하, 특정 화합물에 대하여 설명한다.The compound (specific compound) represented by the general formula (I) is a component adsorbed on the surface of the inorganic nitride as described above. Hereinafter, a specific compound will be described.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112019133998243-pct00001
Figure 112019133998243-pct00001

일반식 (I) 중, m 및 n은, 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다. m 및 n의 상한으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 각각 10 이하이다.In General Formula (I), m and n each independently represent an integer of 1 or more. The upper limit of m and n is not particularly limited, but is, for example, 10 or less, respectively.

일반식 (I) 중, X는, 수산기(-OH), 카복실산기(-COOH), 포스폰산기(-PO(OH)2), 인산기(-OP(=O)(OH)2), 포스핀산기(-HPO(OH)), 설폰산기(-SO3H), 싸이올기(-SH), 또는 아미노기를 나타낸다.In general formula (I), X is a hydroxyl group (-OH), a carboxylic acid group (-COOH), a phosphonic acid group (-PO(OH) 2 ), a phosphoric acid group (-OP(=O)(OH) 2 ), and a phosphonic acid group. It represents a finic acid group (-HPO(OH)), a sulfonic acid group (-SO 3 H), a thiol group (-SH), or an amino group.

상기 아미노기로서는 특별히 한정되지 않고, 1급, 2급, 및 3급 중 어느 것이어도 된다. 구체적으로는, -N(RA)2(RA는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 알킬기(직쇄상, 분기쇄상 및 환상 모두 포함함)를 들 수 있다. 알킬기 중의 탄소수는, 예를 들면 1~10이며, 1~6이 바람직하고, 1~3이 보다 바람직하다. 또한, 알킬기는, 치환기(예를 들면, 치환기군 T로 예시된 기)를 더 갖고 있어도 된다.)로 나타나는 아미노기를 들 수 있다.It does not specifically limit as said amino group, Any of primary, secondary, and tertiary may be sufficient. Specifically, -N(R A ) 2 (R A is each independently a hydrogen atom or an alkyl group (including both linear, branched and cyclic). The number of carbon atoms in the alkyl group is, for example, It is 1 to 10, preferably 1 to 6, and more preferably 1 to 3. In addition, the alkyl group may further have a substituent (eg, a group exemplified by the substituent group T). Can be lifted.

상기 X로서는, 분산성이 보다 우수한 점에서, 수산기, 카복실산기, 포스폰산기, 인산기, 포스핀산기, 설폰산기, 또는 싸이올기가 바람직하다.The X is preferably a hydroxyl group, a carboxylic acid group, a phosphonic acid group, a phosphoric acid group, a phosphinic acid group, a sulfonic acid group, or a thiol group from the viewpoint of more excellent dispersibility.

일반식 (I) 중, X가 복수 개 존재하는 경우, 복수 개 존재하는 X는, 각각 동일해도 되고 달라도 된다.In General Formula (I), when a plurality of X is present, a plurality of X may be the same or different, respectively.

상기 Y는, 방향족 탄화 수소환기 또는 방향족 복소환기를 나타낸다.Said Y represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.

방향족 탄화 수소환기로서는, 단환식 방향족 탄화 수소환기 및 다환식 방향족 탄화 수소환기 중 어느 것이어도 된다.As the aromatic hydrocarbon ring group, any of a monocyclic aromatic hydrocarbon ring group and a polycyclic aromatic hydrocarbon ring group may be used.

단환식 방향족 탄화 수소환기를 구성하는 단환식 방향족 탄화 수소환으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 5원~10원의 환을 들 수 있고, 5원 또는 6원의 환이 바람직하다. 단환식 방향족 탄화 수소환으로서는, 예를 들면 사이클로펜타다이엔일환 및 벤젠환 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a monocyclic aromatic hydrocarbon ring which comprises a monocyclic aromatic hydrocarbon ring group, For example, a 5-10-membered ring is mentioned, and a 5-membered or 6-membered ring is preferable. Examples of the monocyclic aromatic hydrocarbon ring include a cyclopentadienyl ring and a benzene ring.

다환식 방향족 탄화 수소환으로서는, 상기 단환식 방향족 탄화 수소환을 2개 이상 갖고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 벤젠환을 2환 이상 포함하는 축합환이 보다 바람직하고, 벤젠환을 3환 이상 포함하는 축합환이 더 바람직하다. 또한, 상기 축합환 중에 포함되는 단환식 방향족 탄화 수소환의 개수의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 10개 이하인 경우가 많다.The polycyclic aromatic hydrocarbon ring is not particularly limited as long as it has two or more monocyclic aromatic hydrocarbon rings, but a condensed ring containing two or more benzene rings is more preferable, and a condensed ring containing three or more benzene rings is More preferable. In addition, the upper limit of the number of monocyclic aromatic hydrocarbon rings contained in the condensed ring is not particularly limited, but is often 10 or less, for example.

다환식 방향족 탄화 수소환으로서는, 구체적으로, 바이페닐렌, 인다센, 아세나프틸렌, 플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 아세페난트릴렌, 아세안트릴렌, 피렌, 크리센, 테트라센, 플레이아덴, 피센, 페릴렌, 펜타펜, 펜타센, 테트라페닐렌, 헥사펜, 및 트라이페닐렌을 들 수 있다. 본 발명의 효과가 보다 우수한 점에서, 상기 중, 벤젠환을 2환 이상 포함하는 축합환이 보다 바람직하고, 벤젠환을 3환 이상 포함하는 축합환이 더 바람직하며, 피렌 또는 페릴렌이 특히 바람직하고, 피렌이 가장 바람직하다.As a polycyclic aromatic hydrocarbon ring, specifically, biphenylene, indacene, acenaphthylene, fluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, acephenanthrylene, aceanthrylene, pyrene, chrysene , Tetracene, pleiaden, picene, perylene, pentafen, pentacene, tetraphenylene, hexafen, and triphenylene. In view of the more excellent effects of the present invention, among the above, a condensed ring containing two or more benzene rings is more preferable, a condensed ring containing three or more benzene rings is more preferable, and pyrene or perylene is particularly preferable, Pyrene is most preferred.

방향족 복소환기로서는, 단환식 방향족 복소환기 및 다환식 방향족 복소환기 중 어느 것이어도 된다. 또한, 다환식 방향족 복소환기를 구성하는 다환식 방향족 복소환이란, 2개 이상의 단환식 방향족 복소환으로 이루어지는 축합환, 및 1개 이상의 단환식 방향족 복소환과 1개 이상의 단환식 방향족 탄화 수소환으로 이루어지는 축합환을 의미한다.As the aromatic heterocyclic group, any of a monocyclic aromatic heterocyclic group and a polycyclic aromatic heterocyclic group may be used. In addition, the polycyclic aromatic heterocycle constituting the polycyclic aromatic heterocyclic group refers to a condensed ring composed of two or more monocyclic aromatic heterocycles, and one or more monocyclic aromatic heterocycles and one or more monocyclic aromatic hydrocarbon rings. It means a condensed ring formed.

단환식 방향족 복소환으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 5원~10원의 환을 들 수 있고, 5원 또는 6원의 환이 바람직하다. 단환식 방향족 복소환이 포함하는 헤테로 원자로서는, 예를 들면 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자를 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a monocyclic aromatic heterocycle, For example, a 5-membered to 10-membered ring is mentioned, and a 5-membered or 6-membered ring is preferable. As a hetero atom contained in a monocyclic aromatic heterocycle, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom are mentioned, for example.

단환식 방향족 복소환으로서는, 예를 들면 싸이오펜환, 싸이아졸환, 이미다졸환, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 및 트라이아진환을 들 수 있다.Examples of the monocyclic aromatic heterocycle include a thiophene ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, and a triazine ring.

다환식 방향족 복소환으로서는, 구체적으로, 벤즈이미다졸환, 인돌환, 퀴놀린환, 및 퀴녹살린환 등을 들 수 있다.Specific examples of the polycyclic aromatic heterocycle include a benzimidazole ring, an indole ring, a quinoline ring, and a quinoxaline ring.

상기 Y로서는, 분산성이 보다 우수한 점에서, 방향족 탄화 수소환기가 바람직하고, 다환식 방향족 탄화 수소환기가 보다 바람직하다.Since Y is more excellent in dispersibility, an aromatic hydrocarbon ring group is preferable, and a polycyclic aromatic hydrocarbon ring group is more preferable.

또한, 상기 Y로 나타나는 방향족 탄화 수소기 또는 방향족 복소환기는, 치환기(예를 들면, 치환기군 T로 예시된 기)를 갖고 있어도 된다.Further, the aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group represented by Y may have a substituent (for example, a group exemplified by the substituent group T).

상기 Z는, 알데하이드기(-CHO), 석신산 이미드기, 오늄기, 할로젠화 알킬기, 할로젠 원자(F 원자, Cl 원자, Br 원자, 및 I 원자), 나이트릴기(-CN), 나이트로기(-NO2), 아크릴로일기(-COCH2=CH2), 메타크릴로일기(-COCH(CH3)=CH2), 옥세탄일기, 바이닐기(-CH=CH2), 알카인일기(알카인으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기. 예를 들면, 에타인일기, 및 프로파-2-인-1-일기 등이 포함됨), 혹은 말레이미드기, 또는 카보네이트기를 갖는 기(예를 들면, 알킬카보네이트기(-O-CO-O-RB: RB에 대해서는 후술함.))를 나타낸다.Z is an aldehyde group (-CHO), succinic acid imide group, onium group, halogenated alkyl group, halogen atom (F atom, Cl atom, Br atom, and I atom), nitrile group (-CN), nitrate Ro group (-NO 2 ), acryloyl group (-COCH 2 =CH 2 ), methacryloyl group (-COCH(CH 3 )=CH 2 ), oxetanyl group, vinyl group (-CH=CH 2 ), Alkainyl group (a group excluding one hydrogen atom from alkyne. For example, an ethyneyl group and a propa-2-yn-1-yl group are included), or a group having a maleimide group or a carbonate group ( for example, an alkyl carbonate group: represents a (-O-CO-OR B to be described later for R B.)).

상기 석신산 이미드기, 옥세탄일기, 및 말레이미드기는, 각각 하기 식으로 나타나는 화합물로부터, 임의의 위치의 수소 원자를 1개 제외하여 형성되는 기를 나타낸다.The succinic acid imide group, oxetanyl group, and maleimide group each represent a group formed by excluding one hydrogen atom at an arbitrary position from a compound represented by the following formula.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112019133998243-pct00002
Figure 112019133998243-pct00002

또, 상기 오늄기란, 오늄염 구조를 갖는 기를 의미한다. 오늄염이란, 화학 결합에 관여하지 않는 전자쌍을 갖는 화합물이, 그 전자쌍에 의하여, 다른 양이온형의 화합물과 배위 결합하여 발생하는 화합물이다. 통상, 오늄염은, 양이온과 음이온을 포함한다.In addition, the said onium group means a group which has an onium salt structure. The onium salt is a compound generated by coordinating a compound having an electron pair not involved in a chemical bond with another cationic compound by the electron pair. Usually, the onium salt contains a cation and an anion.

오늄염 구조로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 암모늄염 구조, 피리디늄염 구조, 이미다졸륨염 구조, 피롤리디늄염 구조, 피페리디늄염 구조, 트라이에틸렌다이아민염 구조, 포스포늄염 구조, 설포늄염 구조, 및 싸이오피릴륨염 구조 등을 들 수 있다. 또한, 카운터가 되는 음이온의 종류는 특별히 한정되지 않고, 공지의 음이온이 이용된다. 음이온의 가수도 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 1~3가를 들 수 있으며, 1~2가가 바람직하다.Although it does not specifically limit as an onium salt structure, For example, an ammonium salt structure, a pyridinium salt structure, an imidazolium salt structure, a pyrrolidinium salt structure, a piperidinium salt structure, a triethylenediamine salt structure, a phosphonium salt structure, a sulfonium salt structure , And a thiopyryllium salt structure. In addition, the kind of anion used as a counter is not particularly limited, and a known anion is used. The valence of the anion is also not particularly limited, for example, 1 to 3 valent, and 1 to 2 valent is preferable.

오늄기로서는, 그 중에서도, 하기 일반식 (A1)로 나타나는 암모늄염 구조를 갖는 기가 바람직하다.As the onium group, among others, a group having an ammonium salt structure represented by the following general formula (A1) is preferable.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112019133998243-pct00003
Figure 112019133998243-pct00003

일반식 (A1) 중, R1A~R3A는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 알킬기(직쇄상, 분기쇄상, 및 환상 모두 포함함)를 나타낸다. 알킬기 중의 탄소수는, 예를 들면 1~10이며, 1~6이 바람직하고, 1~3이 보다 바람직하다. M-는, 음이온을 나타낸다. *는, 결합 위치를 나타낸다. 또한, 알킬기는, 치환기(예를 들면, 치환기군 T로 예시되는 기)를 더 갖고 있어도 된다.In General Formula (A1), R 1A to R 3A each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group (linear, branched, and cyclic all are included). The number of carbon atoms in the alkyl group is, for example, 1 to 10, preferably 1 to 6, and more preferably 1 to 3. M - represents an anion. * Represents a bonding position. In addition, the alkyl group may further have a substituent (for example, a group exemplified by the substituent group T).

상기 할로젠화 알킬기로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 탄소수 1~10의 알킬기에 할로젠 원자가 1개 이상 치환한 것을 들 수 있다. 상기 알킬기(직쇄상, 분기쇄상, 및 환상 모두 포함함)의 탄소수는, 1~6이 바람직하고, 1~3이 보다 바람직하다. 할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 및 아이오딘 원자를 들 수 있고, 불소 원자, 염소 원자, 또는 브로민 원자가 바람직하다. 또한, 할로젠화 알킬기는, 치환기(예를 들면, 치환기군 T로 예시되는 기)를 더 갖고 있어도 된다.Although it does not specifically limit as said halogenated alkyl group, For example, what substituted one or more halogen atoms in a C1-C10 alkyl group is mentioned. The number of carbon atoms in the alkyl group (including both linear, branched and cyclic) is preferably 1 to 6, and more preferably 1 to 3. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom is preferable. In addition, the halogenated alkyl group may further have a substituent (for example, a group exemplified by the substituent group T).

상기 카보네이트기를 갖는 기로서는, 카보네이트기를 갖기만 하면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 알킬카보네이트기(-O-CO-O-RB)를 들 수 있다.The group having a carbonate group is not particularly limited as long as it has a carbonate group, and examples thereof include an alkyl carbonate group (-O-CO-OR B ).

상기 RB로 나타나는 알킬기 중의 탄소수는, 예를 들면 1~10이며, 1~6이 바람직하고, 1~3이 보다 바람직하다. 또한, 알킬기는, 치환기(예를 들면, 치환기군 T로 예시되는 기)를 더 갖고 있어도 된다.The number of carbon atoms in the alkyl group represented by R B is, for example, 1 to 10, preferably 1 to 6, and more preferably 1 to 3. In addition, the alkyl group may further have a substituent (for example, a group exemplified by the substituent group T).

일반식 (I) 중 Z가 복수 개 존재하는 경우, 복수 개 존재하는 Z는 각각 동일해도 되고 달라도 된다.When a plurality of Z is present in the general formula (I), the plurality of Z may be the same or different, respectively.

상기 L1 및 L2는, 각각 독립적으로, 단결합 또는 -O-, -CO-, -S-, -CS-, -NR11-, -N=N- 및 2가의 탄화 수소기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상을 조합한 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 탄화 수소기는, 치환기(예를 들면, 치환기군 T로 예시된 기)를 더 갖고 있어도 된다.The L 1 and L 2 are each independently a single bond or from the group consisting of -O-, -CO-, -S-, -CS-, -NR 11 -, -N=N-, and a divalent hydrocarbon group. Any one selected or a combination of two or more divalent linking groups is shown. The divalent hydrocarbon group may further have a substituent (for example, a group exemplified by the substituent group T).

상기 2가의 탄화 수소기로서는, 예를 들면 알킬렌기, 알켄일렌기(예: -CH=CH-), 알카인일렌기(예: -C≡C-), 및 아릴렌기(예: 페닐렌기)를 들 수 있다. 상기 알킬렌기로서는, 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 된다. 또, 그 탄소수는, 1~10이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~4가 더 바람직하다.Examples of the divalent hydrocarbon group include an alkylene group, an alkenylene group (eg -CH=CH-), an alkynylene group (eg -C≡C-), and an arylene group (eg phenylene group). Can be mentioned. As the alkylene group, any of linear, branched and cyclic may be used. Moreover, 1-10 are preferable, as for the carbon number, 1-6 are more preferable, and 1-4 are more preferable.

R11은, 수소 원자 또는 알킬기(직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 된다. 탄소수는, 1~6이 바람직하고, 1~3이 보다 바람직하다)를 나타낸다.R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group (either linear, branched or cyclic. As for carbon number, 1 to 6 are preferable, and 1 to 3 are more preferable).

상기 L1 및 L2로서는, 분산성이 보다 우수한 점에서, 각각 독립적으로, 단결합, -AL-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -AL-O-, -O-AL-, -AL-CO-O-, -CO-O-AL-, -AL-O-CO-, -O-CO-AL, -AL-O-AL-, -AL-NR11-CO-, -AL-CO-NR11-, -NR11-CO-AL-, -CO-NR11-AL-, 또는 -AR-O-AL-O-가 바람직하고, 단결합이 보다 바람직하다. 상기 AL은, 탄소수 1~10의 알킬렌기(탄소수는, 1~6이 바람직하고, 1~3이 보다 바람직함)를 나타낸다. 또, 상기 AR은, 아릴렌기를 나타낸다. 상기 알킬렌기 및 아릴렌기는, 치환기(예를 들면, 치환기군 T로 예시된 기)를 더 갖고 있어도 된다.As the L 1 and L 2 , since the dispersibility is more excellent, each independently, a single bond, -AL-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -AL-O-,- O-AL-, -AL-CO-O-, -CO-O-AL-, -AL-O-CO-, -O-CO-AL, -AL-O-AL-, -AL-NR 11- CO-, -AL-CO-NR 11 -, -NR 11 -CO-AL-, -CO-NR 11 -AL-, or -AR-O-AL-O- is preferable, and a single bond is more preferable. . Said AL represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms (the number of carbons is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3). Moreover, said AR represents an arylene group. The alkylene group and the arylene group may further have a substituent (for example, a group exemplified by the substituent group T).

또한, 일반식 (I) 중, 복수 개 존재하는 L1은, 각각 동일해도 되고 달라도 된다. 또, 복수 개 존재하는 L2는, 각각 동일해도 되고 달라도 된다.In addition, in General Formula (I), L<1> which exists in plural may be the same or different, respectively. Moreover, L 2 which exists in a plurality may be the same or different, respectively.

상기 특정 화합물의 분자량은, 예를 들면 100 이상이며, 표면 수식 무기 질화물의 분산성이 보다 우수한 점에서, 150 이상이 바람직하고, 280 이상이 보다 바람직하며, 또 용해도의 관점에서, 3,000 이하가 바람직하고, 2,000 이하가 보다 바람직하다.The molecular weight of the specific compound is, for example, 100 or more, and preferably 150 or more, more preferably 280 or more, and 3,000 or less from the viewpoint of solubility, from the viewpoint of more excellent dispersibility of the surface-modified inorganic nitride. And 2,000 or less is more preferable.

이하에, 특정 화합물의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 하기 예시에 있어서, "Me"는 메틸기를 나타내고, "Et"는 에틸기를 나타낸다.Specific examples of specific compounds are shown below, but the present invention is not limited thereto. In addition, in the following examples, "Me" represents a methyl group, and "Et" represents an ethyl group.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112019133998243-pct00004
Figure 112019133998243-pct00004

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112019133998243-pct00005
Figure 112019133998243-pct00005

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112019133998243-pct00006
Figure 112019133998243-pct00006

<표면 수식 무기 질화물의 제조 방법><Method for producing surface-modified inorganic nitride>

표면 수식 무기 질화물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 무기 질화물과 특정 화합물을 접촉시키는 공정을 갖는 방법을 들 수 있다.The method for producing the surface-modified inorganic nitride is not particularly limited, and examples thereof include a method having a step of bringing the inorganic nitride into contact with a specific compound.

무기 질화물과 특정 화합물과의 접촉은, 예를 들면 무기 질화물 및 특정 화합물을 포함하는 용액을 교반함으로써 실시된다.The contact of the inorganic nitride and the specific compound is carried out, for example, by stirring the solution containing the inorganic nitride and the specific compound.

상기 용액의 용매의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 유기 용매가 바람직하다. 유기 용매로서는, 예를 들면 아세트산 에틸, 메틸에틸케톤, 다이클로로메테인, 및 테트라하이드로퓨란을 들 수 있다.The kind of the solvent of the solution is not particularly limited, but an organic solvent is preferable. As an organic solvent, ethyl acetate, methyl ethyl ketone, dichloromethane, and tetrahydrofuran are mentioned, for example.

상기 용액은, 후술하는 중합성 모노머 등의 그 외의 성분을 포함하는 것이어도 된다. 이 경우, 얻어진 혼합물은, 후술하는 조성물로서 이용할 수도 있다.The solution may contain other components such as a polymerizable monomer described later. In this case, the obtained mixture can also be used as a composition mentioned later.

무기 질화물과 특정 화합물과의 혼합비는, 무기 질화물의 구조 및 표면적과, 특정 화합물의 분자의 애스펙트비 등의 분자 구조를 고려하여 결정하면 된다.The mixing ratio of the inorganic nitride and the specific compound may be determined in consideration of the structure and surface area of the inorganic nitride and the molecular structure such as the aspect ratio of the molecule of the specific compound.

교반 조건(교반 회전수, 온도 조건)은 특별히 한정되지 않는다.The stirring conditions (stirring rotation speed, temperature conditions) are not particularly limited.

<표면 수식 무기 질화물><Surface Modified Inorganic Nitride>

표면 수식 무기 질화물에 있어서, 특정 화합물은, 무기 질화물을 표면 수식하고 있다. 특정 화합물은, 무기 질화물과 수소 결합 등의 결합을 형성하여, 표면 수식을 달성하고 있는 것이 바람직하다.In the surface-modified inorganic nitride, the specific compound has surface-modified the inorganic nitride. It is preferable that the specific compound forms a bond such as an inorganic nitride and a hydrogen bond to achieve surface modification.

표면 수식 무기 질화물의 형상은 특별히 한정되지 않고, 입자상, 필름상, 및 판상이어도 된다.The shape of the surface-modified inorganic nitride is not particularly limited, and may be a particle shape, a film shape, or a plate shape.

표면 수식 무기 질화물 중에 있어서의 특정 화합물과 무기 질화물과의 질량비(특정 화합물의 질량/무기 질화물의 질량)는 특별히 한정되지 않지만, 표면 수식 무기 질화물의 분산성이 보다 우수한 점에서, 상기 질량비는 0.0001~0.5가 바람직하고, 0.0005~0.1이 보다 바람직하다.The mass ratio of the specific compound and the inorganic nitride in the surface-modified inorganic nitride (mass of the specific compound/mass of the inorganic nitride) is not particularly limited, but since the dispersibility of the surface-modified inorganic nitride is more excellent, the mass ratio is 0.0001 to 0.5 is preferable and 0.0005 to 0.1 are more preferable.

표면 수식 무기 질화물에서는 특정 화합물이 무기 질화물 표면에 흡착되어 있으면 되고, 다른 표면 수식제가 무기 질화물 표면에 흡착되어 있어도 된다. 즉, 표면 수식 무기 질화물은, 무기 질화물과, 무기 질화물 표면 상에 흡착된 특정 화합물, 및 다른 표면 수식제를 포함하고 있어도 된다.In the surface-modified inorganic nitride, a specific compound may be adsorbed on the surface of the inorganic nitride, and other surface-modifying agents may be adsorbed on the surface of the inorganic nitride. That is, the surface-modified inorganic nitride may contain an inorganic nitride, a specific compound adsorbed on the surface of the inorganic nitride, and other surface-modifying agents.

〔조성물〕〔Composition〕

상기 표면 수식 무기 질화물은, 각종 재료로의 분산성이 개선되어 있다. 이를 이용하여, 표면 수식 무기 질화물은, 다른 재료와 혼합하여, 조성물로서 다양한 용도에 적용할 수 있다.The surface-modified inorganic nitride has improved dispersibility in various materials. Using this, the surface-modified inorganic nitride can be mixed with other materials and applied to various uses as a composition.

조성물 중에 있어서의 표면 수식 무기 질화물의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 조성물의 용도에 따라 적절히 최적의 함유량이 선택된다. 표면 수식 무기 질화물의 함유량은, 조성물 중의 전체 고형분에 대하여, 예를 들면 0.01~95질량%이며, 그 중에서도, 표면 수식 무기 질화물의 특성이 보다 나타나는 점에서, 표면 수식 무기 질화물의 함유량은, 조성물 중의 전체 고형분에 대하여, 20~95질량%가 바람직하고, 30~90질량%가 보다 바람직하며, 40~85질량%가 더 바람직하다.The content of the surface-modified inorganic nitride in the composition is not particularly limited, and an optimal content is appropriately selected according to the use of the composition. The content of the surface-modified inorganic nitride is, for example, 0.01 to 95% by mass with respect to the total solid content in the composition. In particular, since the properties of the surface-modified inorganic nitride are more exhibited, the content of the surface-modified inorganic nitride is With respect to the total solid content, 20 to 95% by mass is preferable, 30 to 90% by mass is more preferable, and 40 to 85% by mass is still more preferable.

조성물은, 표면 수식 무기 질화물을 1종 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다.The composition may contain one type of surface-modified inorganic nitride, or may contain two or more types.

조성물에는, 상술한 바와 같이, 표면 수식 무기 질화물 이외의 재료가 포함되어 있어도 되고, 예를 들면 중합성 모노머, 경화제, 경화 촉진제, 및 중합 개시제 등을 들 수 있다.As described above, the composition may contain materials other than the surface-modified inorganic nitride, and examples thereof include a polymerizable monomer, a curing agent, a curing accelerator, and a polymerization initiator.

이하, 각종 성분에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, various components will be described in detail.

<중합성 모노머><Polymerizable monomer>

중합성 모노머는, 열 또는 광 등의 소정의 처리에 의하여 경화하는 화합물이다.The polymerizable monomer is a compound cured by a predetermined treatment such as heat or light.

중합성 모노머는, 중합성기를 갖는다.The polymerizable monomer has a polymerizable group.

중합성기의 종류는 특별히 제한되지 않고, 공지의 중합성기를 들 수 있으며, 반응성의 점에서, 부가 중합 반응이 가능한 관능기가 바람직하고, 중합성 에틸렌성 불포화기 또는 환중합성기가 보다 바람직하다. 중합성기로서는, 예를 들면 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥시란일기, 바이닐기, 말레이미드기, 스타이릴기, 알릴기, 및 옥세탄일기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 각 기 중의 수소 원자는, 할로젠 원자 등 다른 치환기로 치환되어 있어도 된다. 중합성기는, 그 중에서도, 반응성의 관점에서, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥시란일기, 옥세탄일기, 및 바이닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기인 것이 바람직하다.The kind of the polymerizable group is not particularly limited, and a known polymerizable group is mentioned. From the viewpoint of reactivity, a functional group capable of an addition polymerization reaction is preferred, and a polymerizable ethylenically unsaturated group or a ring polymerizable group is more preferred. Examples of the polymerizable group include an acryloyl group, a methacryloyl group, an oxiranyl group, a vinyl group, a maleimide group, a styryl group, an allyl group, and an oxetanyl group. In addition, the hydrogen atom in each of the groups may be substituted with another substituent such as a halogen atom. The polymerizable group is preferably a group selected from the group consisting of an acryloyl group, a methacryloyl group, an oxiranyl group, an oxetanyl group, and a vinyl group from the viewpoint of reactivity.

또한, 중합성 모노머에 포함되는 중합성기의 수는 특별히 한정되지 않지만, 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 내열성이 보다 우수한 점에서, 2개 이상인 것이 바람직하고, 3개 이상인 것이 보다 바람직하다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 8개 이하인 경우가 많다.In addition, the number of polymerizable groups contained in the polymerizable monomer is not particularly limited, but from the viewpoint of more excellent heat resistance of the cured product obtained by curing the composition, it is preferably two or more, and more preferably three or more. Although the upper limit is not particularly limited, it is often 8 or less.

중합성 모노머의 종류는 특별히 한정되지 않고, 공지의 중합성 모노머를 이용할 수 있다. 예를 들면, 일본 특허공보 제4118691호의 단락 0028에 기재된 에폭시 수지 모노머 및 아크릴 수지 모노머, 일본 공개특허공보 2008-013759호의 단락 0006~0011에 기재된 에폭시 화합물, 그리고, 일본 공개특허공보 2013-227451호의 단락 0032~0100에 기재된 에폭시 수지 혼합물 등을 들 수 있다.The kind of polymerizable monomer is not particularly limited, and a known polymerizable monomer can be used. For example, the epoxy resin monomer and acrylic resin monomer described in paragraph 0028 of JP-A-4118691, the epoxy compound described in paragraphs 0006-0011 of JP 2008-013759, and the paragraph of JP 2013-227451 A The epoxy resin mixture described in 0032 to 0100, etc. are mentioned.

또한, 비스페놀 A 다이글리시딜에터 모노머, 및 비스페놀 F 다이글리시딜에터 모노머 등도 이용할 수 있다.Further, a bisphenol A diglycidyl ether monomer, a bisphenol F diglycidyl ether monomer, and the like can also be used.

조성물 중에 있어서의 중합성 모노머의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 조성물의 용도에 따라 적절히 최적의 함유량이 선택된다. 그 중에서도, 중합성 모노머의 함유량은, 조성물 중의 전체 고형분에 대하여, 10~90질량%가 바람직하고, 15~70질량%가 보다 바람직하며, 15~60질량%가 더 바람직하다.The content of the polymerizable monomer in the composition is not particularly limited, and an optimum content is appropriately selected according to the use of the composition. Among them, the content of the polymerizable monomer is preferably 10 to 90% by mass, more preferably 15 to 70% by mass, and still more preferably 15 to 60% by mass with respect to the total solid content in the composition.

조성물은, 중합성 모노머를 1종 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다.The composition may contain one type of polymerizable monomer, or may contain two or more types.

중합성 모노머는, 액정성을 나타내는 것이 바람직하다. 즉, 중합성 모노머가, 액정 화합물인 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 중합성기를 갖는 액정 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that a polymerizable monomer shows liquid crystallinity. That is, it is preferable that the polymerizable monomer is a liquid crystal compound. In other words, it is preferable that it is a liquid crystal compound having a polymerizable group.

또, 중합성 모노머의 경화물이 액정성을 나타내는 것도 바람직하다. 또한, 중합성 모노머의 경화물이란, 중합성 모노머 자체를 경화시켜 얻어지는 경화물을 의도하고, 상술한 표면 수식 무기 질화물은 포함되지 않는다. 또한, 상기 경화물을 얻을 때에는, 필요에 따라서, 후술하는 경화제를 이용해도 된다.Moreover, it is also preferable that a cured product of a polymerizable monomer exhibits liquid crystallinity. In addition, the cured product of a polymerizable monomer means a cured product obtained by curing the polymerizable monomer itself, and the surface-modified inorganic nitride described above is not included. Moreover, when obtaining the said hardened|cured material, you may use a hardening|curing agent mentioned later as needed.

이상과 같이, 중합성 모노머 또는 그 경화물은, 액정성을 나타내는 것이 바람직하다. 즉, 중합성 모노머 또는 그 경화물은, 액정 성분인 것이 바람직하다.As described above, it is preferable that a polymerizable monomer or a cured product thereof exhibits liquid crystallinity. That is, it is preferable that a polymerizable monomer or its cured product is a liquid crystal component.

중합성 모노머는, 봉상 액정 화합물 및 원반상 액정 화합물 중 어느 것이어도 된다. 즉, 중합성 모노머는, 중합성기를 갖는 봉상 액정 화합물 및 중합성기를 갖는 원반상 액정 화합물 중 어느 것이어도 된다.The polymerizable monomer may be any of a rod-shaped liquid crystal compound and a disk-shaped liquid crystal compound. That is, the polymerizable monomer may be any of a rod-like liquid crystal compound having a polymerizable group and a disk-like liquid crystal compound having a polymerizable group.

이하, 봉상 액정 화합물 및 원반상 액정 화합물에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the rod-shaped liquid crystal compound and the disk-shaped liquid crystal compound will be described in detail.

(봉상 액정 화합물)(Stick liquid crystal compound)

봉상 액정 화합물로서는, 아조메타인류, 아족시류, 사이아노바이페닐류, 사이아노페닐에스터류, 벤조산 에스터류, 사이클로헥세인카복실산 페닐에스터류, 사이아노페닐사이클로헥세인류, 사이아노 치환 페닐피리미딘류, 알콕시 치환 페닐피리미딘류, 페닐다이옥세인류, 톨란류, 및 알켄일사이클로헥실벤조나이트릴류를 들 수 있다. 이상과 같은 저분자 액정 화합물뿐만 아니라, 고분자 액정 화합물도 이용할 수 있다. 상기 고분자 액정 화합물은, 저분자의 반응성기를 갖는 봉상 액정 화합물이 중합한 고분자 화합물이다.Examples of rod-shaped liquid crystal compounds include azomethanes, azoxyls, cyanobiphenyls, cyanophenyl esters, benzoic acid esters, cyclohexanecarboxylic acid phenyl esters, cyanophenylcyclohexanes, and cyano-substituted phenylpyrimidines. , Alkoxy-substituted phenylpyrimidines, phenyldioxanes, tolans, and alkenylcyclohexylbenzonitriles. In addition to the low-molecular liquid crystal compounds as described above, a high-molecular liquid crystal compound can also be used. The polymeric liquid crystal compound is a polymer compound obtained by polymerizing a rod-like liquid crystal compound having a low molecular weight reactive group.

바람직한 봉상 액정 화합물로서는, 하기 일반식 (XXI)로 나타나는 봉상 액정 화합물을 들 수 있다.As a preferable rod-shaped liquid crystal compound, a rod-shaped liquid crystal compound represented by the following general formula (XXI) is mentioned.

일반식 (XXI): Q1-L111-A111-L113-M-L114-A112-L112-Q2 General Formula (XXI): Q 1 -L 111 -A 111 -L 113 -ML 114 -A 112 -L 112 -Q 2

식 중, Q1 및 Q2는 각각 독립적으로, 중합성기이며, L111, L112, L113, 및 L114는 각각 독립적으로, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. A111 및 A112는 각각 독립적으로, 탄소수 1~20의 2가의 연결기(스페이서기)를 나타낸다. M은 메소젠기를 나타낸다.In the formula, Q 1 and Q 2 are each independently a polymerizable group, and L 111 , L 112 , L 113 , and L 114 each independently represent a single bond or a divalent linking group. A 111 and A 112 each independently represent a C1-C20 divalent linking group (spacer group). M represents a mesogen group.

또한, 중합성기의 정의는, 상술한 바와 같다.In addition, the definition of the polymerizable group is as described above.

L111, L112, L113, 및 L114로 나타나는 2가의 연결기로서는, -O-, -S-, -CO-, -NR112-, -CO-O-, -O-CO-O-, -CO-NR112-, -NR112-CO-, -O-CO-, -CH2-O-, -O-CH2-, -O-CO-NR112-, -NR112-CO-O-, 및 -NR112-CO-NR112-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기인 것이 바람직하다. 상기 R112는 탄소수 1~7의 알킬기 또는 수소 원자이다.Examples of the divalent linking group represented by L 111 , L 112 , L 113 , and L 114 include -O-, -S-, -CO-, -NR 112 -, -CO-O-, -O-CO-O-, -CO-NR 112 -, -NR 112 -CO-, -O-CO-, -CH 2 -O-, -O-CH 2 -, -O-CO-NR 112 -, -NR 112 -CO-O It is preferably a divalent linking group selected from the group consisting of -, and -NR 112 -CO-NR 112 -. R 112 is a C 1 to C 7 alkyl group or a hydrogen atom.

A111 및 A112는, 탄소수 1~20의 2가의 연결기를 나타낸다. 그 중에서도, 탄소수 1~12의 알킬렌기, 알켄일렌기, 또는 알카인일렌기가 바람직하고, 탄소수 1~12의 알킬렌기가 보다 바람직하다.A 111 and A 112 represent a C1-C20 divalent linking group. Especially, a C1-C12 alkylene group, an alkenylene group, or an alkynylene group is preferable, and a C1-C12 alkylene group is more preferable.

2가의 연결기는 직쇄상인 것이 바람직하고, 인접하지 않는 산소 원자 또는 황 원자를 포함해도 된다. 또 상기 2가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 되며, 치환기로서는, 예를 들면 할로젠 원자(불소 원자, 염소 원자, 또는 브로민 원자), 사이아노기, 메틸기, 및 에틸기를 들 수 있다.The divalent linking group is preferably linear, and may contain an oxygen atom or a sulfur atom that is not adjacent. Further, the divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom), a cyano group, a methyl group, and an ethyl group.

M으로 나타나는 메소젠기로서는, 공지의 메소젠기를 들 수 있다. 그 중에서도, 하기 일반식 (XXII)로 나타나는 기가 바람직하다.As a mesogenic group represented by M, a well-known mesogenic group is mentioned. Among them, a group represented by the following general formula (XXII) is preferable.

일반식 (XXII): -(W1-L115)n-W2-General Formula (XXII): -(W 1 -L 115 ) n -W 2-

식 중, W1 및 W2는, 각각 독립적으로, 2가의 환상 알킬렌기, 2가의 환상 알켄일렌기, 아릴렌기, 또는 2가의 헤테로환기를 나타낸다. L115는, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. n은, 1, 2 또는 3을 나타낸다.In the formula, W 1 and W 2 each independently represent a divalent cyclic alkylene group, a divalent cyclic alkenylene group, an arylene group, or a divalent heterocyclic group. L 115 represents a single bond or a divalent connecting group. n represents 1, 2 or 3.

W1 및 W2로서는, 예를 들면 1,4-사이클로헥센다이일, 1,4-사이클로헥세인다이일, 1,4-페닐렌, 피리미딘-2,5-다이일, 피리딘-2,5-다이일, 1,3,4-싸이아다이아졸-2,5-다이일, 1,3,4-옥사다이아졸-2,5-다이일, 나프탈렌-2,6-다이일, 나프탈렌-1,5-다이일, 싸이오펜-2,5-다이일, 및 피리다진-3,6-다이일을 들 수 있다. 1,4-사이클로헥세인다이일의 경우, 트랜스체 및 시스체의 구조 이성체 중 어느 쪽의 이성체여도 되고, 임의의 비율의 혼합물이어도 된다. 그 중에서도, 트랜스체인 것이 바람직하다.Examples of W 1 and W 2 include 1,4-cyclohexendiyl, 1,4-cyclohexanediyl, 1,4-phenylene, pyrimidine-2,5-diyl, pyridin-2, 5-diyl, 1,3,4-thiadiazole-2,5-diyl, 1,3,4-oxadiazole-2,5-diyl, naphthalene-2,6-diyl, naphthalene -1,5-diyl, thiophene-2,5-diyl, and pyridazine-3,6-diyl are mentioned. In the case of 1,4-cyclohexanediyl, either of the structural isomers of the trans form and the cis form may be used, or a mixture of any ratio may be used. Among them, a trans chain is preferable.

W1 및 W2는, 각각 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 예를 들면 상술한 치환기군 T로 예시된 기를 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 할로젠 원자(불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 및 아이오딘 원자), 사이아노기, 탄소수 1~10의 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 및 프로필기 등), 탄소수 1~10의 알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기 등), 탄소수 1~10의 아실기(예를 들면, 폼일기, 아세틸기 등), 탄소수 1~10의 알콕시카보닐기(예를 들면, 메톡시카보닐기, 에톡시카보닐기 등), 탄소수 1~10의 아실옥시기(예를 들면, 아세틸옥시기, 프로피온일옥시기 등), 나이트로기, 트라이플루오로메틸기, 및 다이플루오로메틸기 등을 들 수 있다.W 1 and W 2 may each have a substituent. Examples of the substituent include groups exemplified by the aforementioned substituent group T, and more specifically, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom), a cyano group, and a carbon number of 1 ~10 alkyl group (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, etc.), C1-C10 alkoxy group (e.g., methoxy group, ethoxy group, etc.), C1-C10 acyl group (e.g. , Formyl group, acetyl group, etc.), C1-C10 alkoxycarbonyl group (e.g., methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, etc.), C1-C10 acyloxy group (e.g., acetyloxy group) , Propionyloxy group, etc.), a nitro group, a trifluoromethyl group, and a difluoromethyl group.

L115로 나타나는 2가의 연결기로서는, 상술한 L111~L114로 나타나는 2가의 연결기의 구체예를 들 수 있고, 예를 들면, -CO-O-, -O-CO-, -CH2-O-, 및 -O-CH2-를 들 수 있다.Examples of the divalent linking group represented by L 115 include specific examples of the divalent linking group represented by L 111 to L 114 described above, for example, -CO-O-, -O-CO-, -CH 2 -O -, and -O-CH 2 -are mentioned.

상기 일반식 (XXII)로 나타나는 메소젠기의 기본 골격으로 바람직한 것을, 이하에 예시한다. 이들에 상기 치환기가 치환하고 있어도 된다.What is preferable as a basic skeleton of a mesogenic group represented by the said general formula (XXII) is illustrated below. These substituents may be substituted with the above substituents.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112019133998243-pct00007
Figure 112019133998243-pct00007

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112019133998243-pct00008
Figure 112019133998243-pct00008

또한, 일반식 (XXI)로 나타나는 화합물은, 일본 공표특허공보 평11-513019호(WO97/000600)에 기재된 방법을 참조하여 합성할 수 있다.In addition, the compound represented by general formula (XXI) can be synthesized by referring to the method described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. Hei 11-513019 (WO97/000600).

봉상 액정 화합물은, 일본 공개특허공보 평11-323162호 및 일본 특허공보 4118691호에 기재된 메소젠기를 갖는 모노머여도 된다.The rod-shaped liquid crystal compound may be a monomer having a mesogen group described in JP 11-323162 A and JP 4118691 A.

(원반상 액정 화합물)(Disc liquid crystal compound)

원반상 액정 화합물은, 적어도 부분적으로 원반상 구조를 갖는다. 원반상 구조는, 적어도 방향족환을 갖는다. 이로 인하여, 원반상 액정 화합물은, 분자 간의 π-π 상호 작용에 의한 스태킹 구조의 형성에 의하여 기둥상 구조를 형성할 수 있다.The disk-like liquid crystal compound has a disk-like structure at least partially. The disk-like structure has at least an aromatic ring. For this reason, the disk-like liquid crystal compound can form a columnar structure by forming a stacking structure by π-π interaction between molecules.

원반상 구조로서, 구체적으로는, Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 51, 7990-7993 또는 일본 공개특허공보 평7-306317호에 기재된 트라이페닐렌 구조, 및 일본 공개특허공보 2007-002220호, 일본 공개특허공보 2010-244038호에 기재된 3치환 벤젠 구조 등을 들 수 있다.As a disk-like structure, specifically, Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 51, 7990-7993 or the triphenylene structure described in Japanese Patent Laid-Open No. 7-306317, and the trisubstituted benzene structure described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2007-002220 and 2010-244038, etc. Can be lifted.

그 중에서도, 중합성 모노머로서 원반상 액정 화합물을 이용함으로써, 높은 열전도성을 나타내는 열전도 재료가 얻어진다. 그 이유로서는, 봉상 액정 화합물이 직선적(일차원적)으로밖에 열전도할 수 없는 데에 대하여, 원반상 액정 화합물은 법선 방향으로 평면적(이차원적)으로 열전도할 수 있기 때문에, 열전도 패스가 증가하여, 열전도율이 향상된다고 생각된다.Among them, by using a disk-like liquid crystal compound as a polymerizable monomer, a thermally conductive material exhibiting high thermal conductivity can be obtained. The reason for this is that while the rod-shaped liquid crystal compound can only conduct heat in a linear (one-dimensional) direction, the disk-shaped liquid crystal compound can conduct heat in a planar (two-dimensional) direction in the normal direction. It is thought that this is improved.

또, 원반상 액정 화합물을 이용함으로써, 조성물의 경화물의 내열성이 향상된다.Moreover, by using a disk-like liquid crystal compound, the heat resistance of the cured product of a composition improves.

원반상 액정 화합물은, 3개 이상의 중합성기를 갖는 것이 바람직하다. 3개 이상의 중합성기를 갖는 원반상 액정 화합물을 포함하는 조성물의 경화물은 유리 전이 온도가 높고, 내열성이 높은 경향이 있다. 원반상 액정 화합물은 봉상 액정 화합물과 비교하여, 메소젠 부분의 특성에 영향을 주는 일 없이 3개 이상의 중합성기를 갖기 쉽다. 원반상 액정 화합물이 갖는 중합성기의 수는 8개 이하인 것이 바람직하고, 6개 이하인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the disk-like liquid crystal compound has three or more polymerizable groups. A cured product of a composition containing a disk-like liquid crystal compound having three or more polymerizable groups tends to have a high glass transition temperature and high heat resistance. Compared with the rod-shaped liquid crystal compound, the disk-shaped liquid crystal compound tends to have three or more polymerizable groups without affecting the properties of the mesogenic moiety. It is preferable that it is 8 or less, and, as for the number of polymeric groups which a disk-like liquid crystal compound has, it is more preferable that it is 6 or less.

원반상 액정 화합물로서는, 이하의 일반식 (XI)로 나타나는 화합물 또는 일반식 (XII)로 나타나는 화합물이 바람직하다.As a disk-like liquid crystal compound, a compound represented by the following general formula (XI) or a compound represented by general formula (XII) is preferable.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112019133998243-pct00009
Figure 112019133998243-pct00009

식 중, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16은 각각 독립적으로 *-X11-L11-P11 또는 *-X12-Y12를 나타내고, *는 트라이페닐렌환과의 결합 위치를 나타내며, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16 중 2개 이상은 *-X11-L11-P11이고, X11 및 X12는 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -C(=O)-, -OC(=O)-, -OC(=O)O-, -OC(=O)NH-, -OC(=O)S-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -C(=O)S-, -NHC(=O)-, -NHC(=O)O-, -NHC(=O)NH-, -NHC(=O)S-, -S-, -SC(=O)-, -SC(=O)O-, -SC(=O)NH-, 또는 -SC(=O)S-를 나타내며, L11은 2가의 연결기 또는 단결합을 나타내고, P11은 중합성기를 나타내며, Y12는, 수소 원자, 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기, 또는 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기에 있어서 1개 또는 2개 이상의 메틸렌기가 -O-, -S-, -NH-, -N(CH3)-, -C(=O)-, -OC(=O)-, 또는 -C(=O)O-로 치환된 기를 나타낸다.In the formula, R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , and R 16 each independently represent *-X 11 -L 11 -P 11 or *-X 12 -Y 12 , * is triphenyl Represents a bonding position with a ren ring, and at least two of R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , and R 16 are *-X 11 -L 11 -P 11 , and X 11 and X 12 are each Independently, a single bond, -O-, -C(=O)-, -OC(=O)-, -OC(=O)O-, -OC(=O)NH-, -OC(=O) S-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -C(=O)S-, -NHC(=O)-, -NHC(=O)O-, -NHC( =O)NH-, -NHC(=O)S-, -S-, -SC(=O)-, -SC(=O)O-, -SC(=O)NH-, or -SC(= Represents O)S-, L 11 represents a divalent linking group or single bond, P 11 represents a polymerizable group, Y 12 represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, Or in a C1-C20 linear, branched, or cyclic alkyl group, one or two or more methylene groups -O-, -S-, -NH-, -N(CH 3 )-, -C(= It represents a group substituted with O)-, -OC(=O)-, or -C(=O)O-.

R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16은 3개 이상이 *-X11-L11-P11인 것이 바람직하다. 그 중에서도, R11 및 R12 중 어느 1개 이상, R13 및 R14 중 어느 1개 이상, R15 및 R16 중 어느 1개 이상이 *-X11-L11-P11인 것이 보다 바람직하며, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16이 모두 *-X11-L11-P11인 것이 더 바람직하고, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16이 모두 동일한 *-X11-L11-P11인 것이 특히 바람직하다.It is preferable that three or more of R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , and R 16 are *-X 11 -L 11 -P 11. Among them, it is more preferable that any one or more of R 11 and R 12 , any one or more of R 13 and R 14 , and any one or more of R 15 and R 16 are *-X 11 -L 11 -P 11 And, it is more preferable that R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , and R 16 are all *-X 11 -L 11 -P 11 , and R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , It is particularly preferred that R 15 and R 16 are all the same *-X 11 -L 11 -P 11.

X11 및 X12로서는, 각각 독립적으로, -O-, -OC(=O)-, -OC(=O)O-, -OC(=O)NH-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -NHC(=O)-, 또는 -NHC(=O)O-가 바람직하고, -OC(=O)-, -C(=O)O-, -OC(=O)NH-, 또는 -C(=O)NH-가 보다 바람직하며, -C(=O)O-가 더 바람직하다.As X 11 and X 12 , each independently, -O-, -OC(=O)-, -OC(=O)O-, -OC(=O)NH-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -NHC(=O)-, or -NHC(=O)O- is preferred, and -OC(=O)-, -C(=O)O-, -OC( =O)NH-, or -C(=O)NH- is more preferable, and -C(=O)O- is more preferable.

L11은, X11과 P11을 연결하는 2가의 연결기 또는 단결합을 나타낸다. 2가의 연결기로서는, -O-, -OC(=O)-, -C(=O)O-, 탄소수 1~10(바람직하게는 탄소수 1~8, 보다 바람직하게는 탄소수 1~6)의 알킬렌기, 탄소수 6~20(바람직하게는 탄소수 6~14, 보다 바람직하게는 탄소수 6~10)의 아릴렌기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기 등을 들 수 있다.L 11 represents a divalent linking group or a single bond connecting X 11 and P 11. As a divalent linking group, -O-, -OC(=O)-, -C(=O)O-, C1-C10 (preferably C1-C8, more preferably C1-C6) alkyl An arylene group having 6 to 20 carbon atoms (preferably 6 to 14 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms), or a group formed of a combination thereof.

탄소수 1~10의 알킬렌기로서는, 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 뷰틸렌기, 펜틸렌기, 및 헥실렌기 등을 들 수 있다.Examples of the alkylene group having 1 to 10 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, and a hexylene group.

탄소수 6~20의 아릴렌기로서는, 예를 들면 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 1,4-나프틸렌기, 1, 5-나프틸렌기, 및 안트라센일렌기 등을 들 수 있고, 1,4-페닐렌기가 바람직하다.Examples of the arylene group having 6 to 20 carbon atoms include 1,4-phenylene group, 1,3-phenylene group, 1,4-naphthylene group, 1, 5-naphthylene group, and anthracenylene group. And a 1,4-phenylene group is preferable.

상기 알킬렌기 및 상기 아릴렌기는, 각각 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 예를 들면 상술한 치환기군 T로 예시된 기를 들 수 있다. 치환기의 수는 1~3개인 것이 바람직하고, 1개인 것이 보다 바람직하다. 치환기의 치환 위치는 특별히 한정되지 않는다. 치환기로서는, 할로젠 원자 또는 탄소수 1~3의 알킬기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다. 알킬렌기 및 아릴렌기는 무치환인 것도 바람직하다. 특히 알킬렌기는 무치환인 것이 바람직하다.Each of the alkylene group and the arylene group may have a substituent. Examples of the substituent include groups exemplified by the above-described substituent group T. As for the number of substituents, it is preferable that it is 1-3, and it is more preferable that it is one. The substitution position of the substituent is not particularly limited. As a substituent, a halogen atom or a C1-C3 alkyl group is preferable, and a methyl group is more preferable. It is also preferable that the alkylene group and the arylene group are unsubstituted. In particular, it is preferable that the alkylene group is unsubstituted.

P11은, 중합성기를 나타낸다. 중합성기의 정의는, 상술한 바와 같다.P 11 represents a polymerizable group. The definition of the polymerizable group is as described above.

P11은 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 또는 옥시란일기인 것이 바람직하다.It is preferable that P 11 is an acryloyl group, a methacryloyl group, or an oxiranyl group.

또한, P11이 하이드록시기일 때, L11은 아릴렌기를 포함하고, 이 아릴렌기는 P11과 결합하고 있는 것이 바람직하다.Moreover, when P 11 is a hydroxy group, it is preferable that L 11 contains an arylene group, and this arylene group is bonded to P 11.

Y12는, 수소 원자, 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기, 또는 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기에 있어서 1개 또는 2개 이상의 메틸렌기가 -O-, -S-, -NH-, -N(CH3)-, -C(=O)-, -OC(=O)-, 또는 -C(=O)O-로 치환된 기를 나타낸다.Y 12 is one or two or more methylene groups in a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms- O-, -S-, -NH-, -N(CH 3 )-, -C(=O)-, -OC(=O)-, or a group substituted with -C(=O)O-.

Y12가 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기, 또는 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기에 있어서 1개 또는 2개 이상의 메틸렌기가 -O-, -S-, -NH-, -N(CH3)-, -C(=O)-, -OC(=O)-, 또는 -C(=O)O-로 치환된 기인 경우, 할로젠 원자로 치환되어 있어도 된다.Y 12 is a C1-C20 linear, branched, or cyclic alkyl group, or a C1-C20 linear, branched, or cyclic alkyl group, wherein one or two or more methylene groups are -O-,- In the case of a group substituted with S-, -NH-, -N(CH 3 )-, -C(=O)-, -OC(=O)-, or -C(=O)O-, substituted with a halogen atom It may be.

탄소수 1~20의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, n-펜틸기, 아이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-다이메틸프로필기, n-헥실기, 아이소헥실기, 직쇄상 또는 분기쇄상의 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 및 도데실기를 들 수 있다.As a C1-C20 linear or branched alkyl group, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group , Isopentyl group, neopentyl group, 1,1-dimethylpropyl group, n-hexyl group, isohexyl group, linear or branched heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, and dode A practical machine is mentioned.

환상의 알킬기의 탄소수는, 3 이상이 바람직하고, 5 이상이 보다 바람직하며, 또 20 이하가 바람직하고, 10 이하가 보다 바람직하며, 8 이하가 더 바람직하고, 6 이하가 특히 바람직하다. 환상의 알킬기의 예로서는, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 및 사이클로옥틸기를 들 수 있다.The number of carbon atoms in the cyclic alkyl group is preferably 3 or more, more preferably 5 or more, more preferably 20 or less, more preferably 10 or less, still more preferably 8 or less, and particularly preferably 6 or less. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group.

Y12로서는, 수소 원자, 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기, 또는 탄소수 1~20의 알킬렌 옥사이드기가 바람직하고, 탄소수 1~12의 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬기, 또는 탄소수 1~20의 에틸렌옥사이드기 혹은 프로필렌옥사이드기가 보다 바람직하다.As Y 12 , a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an alkylene oxide group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, and a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or An ethylene oxide group or a propylene oxide group having 1 to 20 carbon atoms is more preferable.

상기 일반식 (XI)로 나타나는 화합물의 구체예에 대해서는, 일본 공개특허공보 평7-281028호의 단락 0028~0036, 일본 공개특허공보 평7-306317호, 일본 공개특허공보 2005-156822호의 단락 0016~0018, 일본 공개특허공보 2006-301614호의 단락 0067~0072, 및 액정 편람(헤이세이 12년 마루젠 주식회사 발간) 330페이지~333페이지에 기재된 것을 참조할 수 있다.For specific examples of the compound represented by the general formula (XI), paragraphs 0028 to 0036 of JP-A-7-281028, JP-A-7-306317A, and paragraphs 0016- of JP-A-2005-156822. Reference can be made to those described in 0018, paragraphs 0067 to 0072 of JP 2006-301614 A, and pages 330 to 333 of the Liquid Crystal Handbook (published by Maruzen Co., Ltd. in 2012).

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112019133998243-pct00010
Figure 112019133998243-pct00010

식 중, A2, A3, 및 A4는 각각 독립적으로 -CH= 또는 -N=을 나타내고, R17, R18, 및 R19는 각각 독립적으로, *-X211-(Z21-X212)n21-L21-P21 또는 *-X211-(Z22-X222)n22-Y22를 나타내며, *는 중심환과의 결합 위치를 나타내고, R17, R18, 및 R19 중 2개 이상은 *-X211-(Z21-X212)n21-L21-P21이며, X211, X212, 및 X222는 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -C(=O)-, -OC(=O)-, -OC(=O)O-, -OC(=O)NH-, -OC(=O)S-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -C(=O)S-, -NHC(=O)-, -NHC(=O)O-, -NHC(=O)NH-, -NHC(=O)S-, -S-, -SC(=O)-, -SC(=O)O-, -SC(=O)NH-, 또는 -SC(=O)S-를 나타내고, Z21 및 Z22는 각각 독립적으로, 5원환 혹은 6원환의 방향족기, 또는 5원환 혹은 6원환의 비방향족기를 나타내며, L21은, X212와 P21을 연결하는 2가의 연결기 또는 단결합을 나타내고, P21은 중합성기를 나타내며, Y22는 수소 원자, 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기, 또는 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기에 있어서 1개 또는 2개 이상의 메틸렌기가 -O-, -S-, -NH-, -N(CH3)-, -C(=O)-, -OC(=O)-, 또는 -C(=O)O-로 치환된 기를 나타내고, n21 및 n22는 각각 독립적으로, 0~3의 정수를 나타내고, n21 및 n22가 2 이상인 경우의 복수 개 존재하는 Z21-X212 및 Z22-X222는 동일해도 되고 달라도 된다.In the formula, A 2 , A 3 , and A 4 each independently represent -CH= or -N=, and R 17 , R 18 , and R 19 are each independently *-X 211 -(Z 21 -X 212 ) n21 -L 21 -P 21 or *-X 211 -(Z 22 -X 222 ) n22 -Y 22 represents, * represents the bonding position with the central ring, 2 of R 17 , R 18 , and R 19 At least one is *-X 211 -(Z 21 -X 212 ) n21 -L 21 -P 21 , and X 211 , X 212 , and X 222 are each independently a single bond, -O-, -C(=O )-, -OC(=O)-, -OC(=O)O-, -OC(=O)NH-, -OC(=O)S-, -C(=O)O-, -C( =O)NH-, -C(=O)S-, -NHC(=O)-, -NHC(=O)O-, -NHC(=O)NH-, -NHC(=O)S-, -S-, -SC(=O)-, -SC(=O)O-, -SC(=O)NH-, or -SC(=O)S-, Z 21 and Z 22 are each independently , the 5-membered ring or 6-membered ring aromatic group, or a 5-membered ring, or represents a non-aromatic 6-membered ring of, L 21 is, represents a divalent connecting group or a single bond linking the X 212 and P 21, P 21 is a polymerizable group And Y 22 is a hydrogen atom, one or two or more methylene groups in a C 1 to C 20 linear, branched or cyclic alkyl group, or a C 1 to C 20 linear, branched or cyclic alkyl group -O-, -S-, -NH-, -N(CH 3 )-, -C(=O)-, -OC(=O)-, or -C(=O)O- , n 21 and n 22 each independently represent an integer of 0 to 3, and when n 21 and n 22 are 2 or more, a plurality of Z 21 -X 212 and Z 22 -X 222 may be the same or different. .

R17, R18, 및 R19는 모두, *-X211-(Z21-X212)n21-L21-P21인 것이 바람직하다. R17, R18, 및 R19는 모두 동일한 *-X211-(Z21-X212)n21-L21-P21인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that all of R 17 , R 18 , and R 19 are *-X 211 -(Z 21 -X 212 ) n21 -L 21 -P 21. It is more preferable that R 17 , R 18 , and R 19 are all the same *-X 211 -(Z 21 -X 212 ) n21 -L 21 -P 21.

X211, X212, 및 X222로서는, 단결합, 또는 -OC(=O)-가 바람직하다.As X 211 , X 212 , and X 222 , a single bond or -OC(=O)- is preferable.

Z21 및 Z22는 각각 독립적으로, 5원환 혹은 6원환의 방향족기, 또는 5원환 혹은 6원환의 비방향족기를 나타내고, 예를 들면 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 및 2가의 복소환기 등을 들 수 있다.Z 21 and Z 22 each independently represent a 5- or 6-membered aromatic group, or a 5- or 6-membered non-aromatic group, such as 1,4-phenylene group, 1,3-phenylene group, and 2 A heterocyclic group, etc. are mentioned.

상기 방향족기 및 비방향족기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 상술한 치환기군 T로 예시된 기를 들 수 있다. 치환기는 1개 또는 2개인 것이 바람직하고, 1개인 것이 보다 바람직하다. 치환기의 치환 위치는 특별히 한정되지 않는다. 치환기로서는, 할로젠 원자 또는 메틸기가 바람직하다. 할로젠 원자로서는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다. 상기 방향족기 및 비방향족기는 무치환인 것도 바람직하다.The aromatic group and the non-aromatic group may have a substituent. Examples of the substituent include groups exemplified by the above-described substituent group T. One or two substituents are preferred, and one substituent is more preferred. The substitution position of the substituent is not particularly limited. As the substituent, a halogen atom or a methyl group is preferable. The halogen atom is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. It is also preferable that the aromatic group and the non-aromatic group are unsubstituted.

2가의 복소환으로서는, 예를 들면 이하의 복소환을 들 수 있다.As a divalent heterocycle, the following heterocycles are mentioned, for example.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112019133998243-pct00011
Figure 112019133998243-pct00011

식 중, *는 X211에 결합하는 부위를 나타내고, **는 X212(또는 X222)에 결합하는 부위를 나타내며; A41 및 A42는 각각 독립적으로 메타인기 또는 질소 원자를 나타내고; X4는, 산소 원자, 황 원자, 메틸렌기, 또는 이미노기를 나타낸다.In the formula, * represents a site binding to X 211 , ** represents a site binding to X 212 (or X 222 ); A 41 and A 42 each independently represent a metain group or a nitrogen atom; X 4 represents an oxygen atom, a sulfur atom, a methylene group, or an imino group.

A41 및 A42는, 적어도 한쪽이 질소 원자인 것이 바람직하고, 양쪽 모두가 질소 원자인 것이 보다 바람직하다. 또, X4는 산소 원자인 것이 바람직하다.It is preferable that at least one of A 41 and A 42 is a nitrogen atom, and it is more preferable that both are nitrogen atoms. Moreover, it is preferable that X 4 is an oxygen atom.

L21은, X212와 P21을 연결하는 2가의 연결기 또는 단결합을 나타내며, 일반식 (XI)에 있어서의 L11과 동의이다. L21로서는, -O-, -OC(=O)-, -C(=O)O-, 탄소수 1~10(바람직하게는 탄소수 1~8, 보다 바람직하게는 탄소수 1~6)의 알킬렌기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다.L 21 represents a divalent linking group or a single bond connecting X 212 and P 21 , and is synonymous with L 11 in General Formula (XI). As L 21 , -O-, -OC(=O)-, -C(=O)O-, an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms (preferably 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms) Or a group consisting of a combination thereof is preferred.

P21은, 중합성기를 나타낸다. 중합성기의 정의는, 상술한 바와 같다.P 21 represents a polymerizable group. The definition of the polymerizable group is as described above.

P21은, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 또는 옥시란일기인 것이 바람직하다.It is preferable that P 21 is an acryloyl group, a methacryloyl group, or an oxiranyl group.

Y22는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기, 또는 탄소수 1~20의 직쇄상, 분기쇄상, 혹은 환상의 알킬기에 있어서 1개 또는 2개 이상의 메틸렌기가 -O-, -S-, -NH-, -N(CH3)-, -C(=O)-, -OC(=O)-, 또는 -C(=O)O-로 치환된 기를 나타내고, 일반식 (XI)에 있어서의 Y12와 동의이며, 바람직한 범위도 마찬가지이다.Each of Y 22 is independently a hydrogen atom, a C 1 to C 20 linear, branched or cyclic alkyl group, or a C 1 to C 20 linear, branched or cyclic alkyl group having 1 or 2 or more Methylene group -O-, -S-, -NH-, -N(CH 3 )-, -C(=O)-, -OC(=O)-, or -C(=O)O- It represents a group, and is synonymous with Y 12 in General Formula (XI), and the preferable range is also the same.

n21 및 n22는 각각 독립적으로, 0~3의 정수를 나타내고, 1~3의 정수가 바람직하며, 2 또는 3이 보다 바람직하다.Each of n 21 and n 22 independently represents an integer of 0 to 3, preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 2 or 3.

일반식 (XII)로 나타나는 화합물의 상세 및 구체예에 대해서는, 일본 공개특허공보 2010-244038호의 단락 0013~0077의 기재를 참조할 수 있고, 그 내용은 본 명세서에 원용된다.For details and specific examples of the compound represented by General Formula (XII), description of paragraphs 0013 to 0077 of JP 2010-244038A can be referred to, and the contents are incorporated herein by reference.

전자 밀도를 줄임으로써 스태킹을 강하게 하여, 칼럼상 집합체를 형성하기 쉬워진다고 하는 점에서, 일반식 (XI) 또는 일반식 (XII)로 나타나는 화합물로서는, 수소 결합성 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.From the viewpoint of enhancing the stacking by reducing the electron density and making it easier to form a columnar aggregate, the compound represented by the general formula (XI) or (XII) is preferably a compound having a hydrogen bonding functional group.

수소 결합성 관능기로서는, -OC(=O)NH-, -C(=O)NH-, -NHC(=O)-, -NHC(=O)O-, -NHC(=O)NH-, -NHC(=O)S-, 및 SC(=O)NH- 등을 들 수 있다.As a hydrogen bonding functional group, -OC(=O)NH-, -C(=O)NH-, -NHC(=O)-, -NHC(=O)O-, -NHC(=O)NH-, -NHC(=O)S-, and SC(=O)NH-, etc. are mentioned.

일반식 (XI)로 나타나는 화합물, 및 일반식 (XII)로 나타나는 화합물로서 특히 바람직한 구체예로서는 이하의 화합물을 들 수 있다.The following compounds are mentioned as an especially preferable specific example as a compound represented by General formula (XI) and a compound represented by General formula (XII).

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112019133998243-pct00012
Figure 112019133998243-pct00012

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112019133998243-pct00013
Figure 112019133998243-pct00013

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112019133998243-pct00014
Figure 112019133998243-pct00014

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112019133998243-pct00015
Figure 112019133998243-pct00015

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112019133998243-pct00016
Figure 112019133998243-pct00016

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112019133998243-pct00017
Figure 112019133998243-pct00017

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112019133998243-pct00018
Figure 112019133998243-pct00018

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112019133998243-pct00019
Figure 112019133998243-pct00019

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112019133998243-pct00020
Figure 112019133998243-pct00020

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112019133998243-pct00021
Figure 112019133998243-pct00021

일반식 (XI)로 나타나는 화합물은, 일본 공개특허공보 평7-306317호, 일본 공개특허공보 평7-281028호, 일본 공개특허공보 2005-156822호, 및 일본 공개특허공보 2006-301614호에 기재된 방법에 준하여 합성할 수 있다.The compound represented by general formula (XI) is described in JP-A-7-306317A, JP-A-7-281028A, JP-A-2005-156822, and JP-A-2006-301614. It can be synthesized according to the method.

일반식 (XII)로 나타나는 화합물은, 일본 공개특허공보 2010-244038호, 일본 공개특허공보 2006-076992호, 및 일본 공개특허공보 2007-002220호에 기재된 방법에 준하여 합성할 수 있다.The compound represented by the general formula (XII) can be synthesized according to the method described in JP 2010-244038 A, JP 2006-076992 A, and JP 2007-002220 A.

<그 외의 성분><Other ingredients>

(경화제)(Hardener)

조성물은, 경화제를 더 포함해도 된다.The composition may further contain a curing agent.

경화제의 종류는 특별히 한정되지 않고, 상술한 중합성 모노머를 경화할 수 있는 화합물이면 된다. 경화제로서는, 하이드록시기, 아미노기, 싸이올기, 아이소사이아네이트기, 카복시기, (메트)아크릴로일기, 및 무수 카복실산기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 하이드록시기, (메트)아크릴로일기, 아미노기, 및 싸이올기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 관능기를 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The type of the curing agent is not particularly limited, and any compound capable of curing the above-described polymerizable monomer may be used. The curing agent is preferably a compound having a functional group selected from the group consisting of a hydroxy group, an amino group, a thiol group, an isocyanate group, a carboxy group, a (meth)acryloyl group, and an anhydrous carboxylic acid group, and a hydroxy group, It is more preferable that it is a compound which has a functional group selected from the group consisting of a (meth)acryloyl group, an amino group, and a thiol group.

경화제는, 상기 관능기를 2개 이상 포함하는 것이 바람직하고, 2개 또는 3개 포함하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the curing agent contains two or more of the said functional groups, and it is more preferable that it contains two or three.

경화제로서는, 예를 들면 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 구아니딘계 경화제, 이미다졸계 경화제, 나프톨계 경화제, 아크릴계 경화제, 산 무수물계 경화제, 활성 에스터계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 및 사이아네이트에스터계 경화제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 아크릴계 경화제, 페놀계 경화제, 또는 아민계 경화제가 바람직하다.Examples of the curing agent include amine curing agents, phenol curing agents, guanidine curing agents, imidazole curing agents, naphthol curing agents, acrylic curing agents, acid anhydride curing agents, active ester curing agents, benzoxazine curing agents, and cyanate esters. System hardening agents, etc. are mentioned. Among them, an acrylic curing agent, a phenolic curing agent, or an amine curing agent is preferable.

조성물 중에 있어서의 경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 조성물 중의 전체 고형분에 대하여, 1~50질량%가 바람직하고, 1~30질량%가 보다 바람직하다.The content of the curing agent in the composition is not particularly limited, but is preferably 1 to 50% by mass, and more preferably 1 to 30% by mass with respect to the total solid content in the composition.

(경화 촉진제)(Hardening accelerator)

조성물은, 경화 촉진제를 더 포함해도 된다.The composition may further contain a curing accelerator.

경화 촉진제의 종류는 한정되지 않고, 예를 들면 트라이페닐포스핀, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 삼불화 붕소 아민 착체, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 및 일본 공개특허공보 2012-067225호의 단락 0052에 기재된 것을 들 수 있다.The kind of curing accelerator is not limited, for example, triphenylphosphine, 2-ethyl-4-methylimidazole, boron trifluoride amine complex, 1-benzyl-2-methylimidazole, and Japanese Laid-Open Patent Publication. What was described in paragraph 0052 of 2012-067225 is mentioned.

조성물 중에 있어서의 경화 촉진제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 조성물 중의 전체 고형분에 대하여, 0.1~20질량%가 바람직하다.The content of the curing accelerator in the composition is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20% by mass with respect to the total solid content in the composition.

(중합 개시제)(Polymerization initiator)

조성물은, 중합 개시제를 더 포함해도 된다.The composition may further contain a polymerization initiator.

특히, 특정 화합물 또는 중합성 모노머가 (메트)아크릴로일기를 갖는 경우에는, 조성물은 일본 공개특허공보 2010-125782의 단락 0062 및 일본 공개특허공보 2015-052710의 단락 0054에 기재된 중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다.In particular, when a specific compound or polymerizable monomer has a (meth)acryloyl group, the composition comprises a polymerization initiator described in paragraph 0062 of Japanese Laid-Open Patent Publication 2010-125782 and paragraph 0054 of Japanese Laid-Open Patent Publication 2015-052710. It is desirable.

조성물 중에 있어서의 중합 개시제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 조성물 중의 전체 고형분에 대하여, 0.1~50질량%가 바람직하다.The content of the polymerization initiator in the composition is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 50% by mass based on the total solid content in the composition.

(용매)(menstruum)

조성물은, 용매를 더 포함해도 된다.The composition may further contain a solvent.

용매의 종류는 특별히 한정되지 않고, 유기 용매인 것이 바람직하다. 유기 용매로서는, 예를 들면 아세트산 에틸, 메틸에틸케톤, 다이클로로메테인, 및 테트라하이드로퓨란 등을 들 수 있다.The kind of solvent is not particularly limited, and it is preferably an organic solvent. As an organic solvent, ethyl acetate, methyl ethyl ketone, dichloromethane, tetrahydrofuran, etc. are mentioned, for example.

<조성물의 제조 방법><Production method of the composition>

조성물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법을 채용할 수 있으며, 예를 들면, 상술한 각종 성분(표면 수식 무기 질화물 및 중합성 모노머 등)을 공지의 방법으로 혼합함으로써 제조할 수 있다. 혼합할 때에는, 각종 성분을 일괄로 혼합해도 되고, 차례로 혼합해도 된다.The method for producing the composition is not particularly limited, and a known method can be employed, and for example, it can be produced by mixing the above-described various components (such as surface-modified inorganic nitride and polymerizable monomer) by a known method. When mixing, various components may be mixed collectively or may be mixed sequentially.

또, 상술한 바와 같이, 표면 수식 무기 질화물을 제조할 때에, 무기 질화물, 특정 화합물, 및 그 외의 첨가제를 일괄하여 혼합하여, 조성물을 제조해도 된다.In addition, as described above, when producing a surface-modified inorganic nitride, an inorganic nitride, a specific compound, and other additives may be collectively mixed to prepare a composition.

<조성물의 경화 방법><How to cure the composition>

조성물의 경화 방법은 특별히 한정되지 않고, 중합성 모노머의 종류에 따라 적절히 최적인 방법이 선택된다. 경화 방법은, 예를 들면 열경화 반응이어도 되고, 광경화 반응이어도 되며, 열경화 반응이 바람직하다.The curing method of the composition is not particularly limited, and an optimal method is appropriately selected according to the kind of the polymerizable monomer. The curing method may be, for example, a thermosetting reaction or a photocuring reaction, and a thermosetting reaction is preferable.

열경화 반응 시의 가열 온도는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 50~200℃의 범위에서 적절히 선택하면 된다. 또, 열경화 반응을 행할 때에는, 온도가 다른 가열 처리를 복수 회에 걸쳐서 실시해도 된다.The heating temperature during the thermosetting reaction is not particularly limited. For example, what is necessary is just to select suitably in the range of 50-200 degreeC. Moreover, when performing a thermosetting reaction, you may perform heat treatment at different temperatures over multiple times.

또한, 경화 반응은, 시트상으로 한 조성물에 대하여 실시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면 조성물을 도포하고, 얻어진 도막에 대하여 경화 반응을 실시하면 된다. 그때, 프레스 가공을 행해도 된다.In addition, it is preferable to perform curing reaction with respect to the composition made into a sheet shape. Specifically, for example, a composition may be applied and the resulting coating film may be subjected to a curing reaction. In that case, you may perform press working.

또, 경화 반응은, 반(半)경화 반응이어도 된다. 즉, 얻어지는 경화물이, 이른바 B 스테이지 상태(반경화 상태)여도 된다.Moreover, the curing reaction may be a semi-curing reaction. That is, the obtained cured product may be in a so-called B-stage state (semi-cured state).

상기와 같은 반경화시킨 경화물을 디바이스 등에 접촉하도록 배치한 후, 추가로 가열 등에 의하여 본 경화시킴으로써, 경화물인 열전도 재료를 포함하는 층과 디바이스와의 접착성이 보다 향상된다.After arranging the above-described semi-cured cured product in contact with a device or the like, by further curing it by heating or the like, the adhesion between the layer containing the heat-conductive material as the cured product and the device is further improved.

<용도><use>

상기 표면 수식 무기 질화물 및 상기 조성물은, 다양한 용도에 적용할 수 있다. 예를 들면, 안료, 촉매, 전극 재료, 반도체 재료, 열전도 재료, 및 윤활제 등으로서 다양한 분야에 응용할 수 있다. 즉, 상기 표면 수식 무기 질화물을 포함하는 재료는, 다양한 용도에 적용할 수 있다. 또한, 표면 수식 무기 질화물을 포함하는 재료의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 시트상이어도 된다.The surface-modified inorganic nitride and the composition can be applied to various uses. For example, it can be applied to various fields such as pigments, catalysts, electrode materials, semiconductor materials, thermally conductive materials, and lubricants. That is, the material containing the surface-modified inorganic nitride can be applied to various uses. In addition, the shape of the material containing the surface-modified inorganic nitride is not particularly limited, and may be, for example, a sheet shape.

그 중에서도, 상기 표면 수식 무기 질화물 및 상기 조성물은, 열전도 재료 또는 윤활제를 형성하기 위하여 이용하는 것이 바람직하다.Among them, it is preferable to use the surface-modified inorganic nitride and the composition to form a thermally conductive material or a lubricant.

이하, 이 적합 용도에 관하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, this suitable use will be described in detail.

(열전도 재료)(Heat conductive material)

본 발명의 열전도 재료는, 표면 수식 무기 질화물을 포함한다.The thermally conductive material of the present invention contains a surface-modified inorganic nitride.

열전도 재료 중에는, 표면 수식 무기 질화물 이외의 성분이 포함되어 있어도 되고, 예를 들면 바인더를 들 수 있다. 또한, 바인더로서는, 상술한 중합성 모노머가 경화하여 형성되는 바인더를 들 수 있다.Components other than the surface-modified inorganic nitride may be contained in the thermally conductive material, and for example, a binder may be mentioned. Further, examples of the binder include a binder formed by curing the above-described polymerizable monomer.

열전도 재료는, 상술한 조성물을 경화하여 제작할 수 있다. 즉, 상기 조성물은, 열전도 재료를 형성하기 위하여 이용할 수 있다. 또한, 경화 반응을 포함하는 열전도 재료의 제작에 대해서는, "고열전도성 콤퍼짓 재료"(씨엠씨 슛판, 다케자와 요시타카 저)를 참조할 수 있다.The thermally conductive material can be produced by curing the above-described composition. That is, the composition can be used to form a thermally conductive material. In addition, for the production of a thermally conductive material including a curing reaction, reference can be made to "high thermally conductive composite material" (CMC Schuppan, by Takezawa Yoshitaka).

또한, 상기 열전도 재료에는 표면 수식 무기 질화물이 포함되어 있으면 되고, 그 제조 방법은 상기 조성물을 이용하는 양태에는 한정되지 않는다.In addition, the said heat-conducting material just needs to contain a surface-modified inorganic nitride, and its manufacturing method is not limited to the aspect using the said composition.

열전도 재료는, 열전도성이 우수한 재료이며, 방열 시트 등의 방열재로서 이용할 수 있다. 예를 들면, 파워 반도체 디바이스 등의 각종 디바이스의 방열 용도에 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 디바이스 상에 상기 열전도 재료를 포함하는 열전도층을 배치하여 열전도층 부착 디바이스를 제작함으로써, 디바이스로부터의 발열을 효율적으로 열전도층에서 방열할 수 있다.The thermally conductive material is a material having excellent thermal conductivity, and can be used as a heat dissipating material such as a heat dissipating sheet. For example, it can be used for heat dissipation of various devices such as power semiconductor devices. More specifically, by arranging a heat conductive layer containing the heat conductive material on the device to fabricate a device with a heat conductive layer, heat generated from the device can be efficiently radiated from the heat conductive layer.

열전도 재료의 형상은 특별히 한정되지 않고, 용도에 따라, 다양한 형상으로 성형된 것이어도 된다. 전형적으로는, 열전도 재료는, 시트상인 것이 바람직하다.The shape of the heat conductive material is not particularly limited, and may be molded into various shapes depending on the application. Typically, it is preferable that the heat conductive material is in the form of a sheet.

또한, 상기 열전도 재료는, 완전하게 경화된 상태여도 되고, 반경화 상태(상술한 B 스테이지 상태)여도 된다. 상술한 바와 같이, 반경화 상태의 열전도 재료이면 디바이스 상에 배치한 후, 가열 처리를 실시함으로써, 디바이스 상에 접착성이 우수한 열전도층을 형성할 수 있다.Further, the thermally conductive material may be in a completely cured state or may be in a semi-cured state (the above-described B-stage state). As described above, if it is a heat conductive material in a semi-cured state, it is possible to form a heat conductive layer having excellent adhesion on the device by performing heat treatment after being disposed on the device.

(윤활제)(slush)

상기 표면 수식 무기 질화물은, 윤활제의 제작에 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 표면 수식 무기 질화물의 용도로서, 표면 수식 무기 질화물을 포함하는 윤활제를 들 수 있다.The surface-modified inorganic nitride can be suitably used for producing a lubricant. That is, as the use of the surface-modified inorganic nitride, a lubricant containing the surface-modified inorganic nitride is exemplified.

윤활제는, 그리스(저분자 모노머, 고분자 수지) 등과 표면 수식 무기 질화물을 혼합함으로써 제작할 수 있다. 그리스로서는, 공지의 재료를 이용할 수 있다.The lubricant can be produced by mixing a grease (low molecular weight monomer, polymer resin) or the like with a surface-modified inorganic nitride. As the grease, a known material can be used.

윤활제를 제작할 때에는, 표면 수식 무기 질화물 중의 무기 질화물로서는, 질화 붕소를 바람직하게 들 수 있다. 질화 붕소는, 고온 영역에서 그 자체가 윤활성을 나타내는 것이 알려져 있기 때문이다.When producing a lubricant, boron nitride is preferably mentioned as the inorganic nitride in the surface-modified inorganic nitride. This is because it is known that boron nitride itself exhibits lubricity in a high temperature region.

실시예Example

이하에 실시예에 근거하여 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 및 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 실시예에 의하여 한정적으로 해석되어서는 안 된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples. Materials, usage, ratios, treatment contents, treatment procedures, and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limitedly interpreted by the examples shown below.

〔실험계의 확립〕〔Establishment of the experimental system〕

알리자린은, 산화 아연과 결합하여 산화 아연 표면을 수식하는 것이 잘 알려져 있는 화합물이다(일본 특허공보 5479175호). 알리자린(와코 준야쿠사제, 카탈로그 번호 015-01151) 12mg을 메틸에틸케톤 300mL에 용해시키고, 이 용액의 가시 흡수 스펙트럼(측정 장치: 시마즈 세이사쿠쇼제 UV-3100PC)을 이용하여 파장 427nm의 흡광도를 측정했다. 또한, 이 용액(25mL)에, 별도로 준비한 산화 아연 미립자(와코 준야쿠사제, 264-00365)를 첨가하여, 가볍게 교반했다. 약 5분 후, 얻어진 용액의 상등액을 0.45미크론 필터(싸토리우스사제 Minisart RC15)를 사용하여 필터 여과했다. 얻어진 여과액에 대하여, 상기와 동일하게 흡광도를 측정했다. 그 결과, 산화 아연 미립자 첨가 전의 용액의 흡광도에 대하여, 산화 아연 미립자 첨가 후의 용액의 흡광도가 27.6%였다. 얻어진 결과로부터, 상기와 같은 흡광도의 비교를 행함으로써, 흡광도의 감소분으로부터 화합물의 무기 질화물의 표면 수식의 유무, 및 그 정도를 결정할 수 있는 것을 알 수 있었다.Alizarin is a well-known compound that binds with zinc oxide to modify the surface of zinc oxide (Japanese Patent Publication No. 5479175). 12 mg of Alizarin (manufactured by Wako Junyaku Corporation, catalog number 015-01151) was dissolved in 300 mL of methyl ethyl ketone, and the absorbance at a wavelength of 427 nm was measured using the visible absorption spectrum of this solution (measuring device: UV-3100PC manufactured by Shimadzu Seisakusho). did. Further, to this solution (25 mL), zinc oxide fine particles prepared separately (made by Wako Junyaku Corporation, 264-00365) were added, and the mixture was stirred lightly. After about 5 minutes, the supernatant of the obtained solution was filtered and filtered using a 0.45 micron filter (Minisart RC15 manufactured by Sartorius). About the obtained filtrate, the absorbance was measured in the same manner as above. As a result, with respect to the absorbance of the solution before the addition of the zinc oxide fine particles, the absorbance of the solution after the addition of the zinc oxide fine particles was 27.6%. From the obtained results, it was found that by performing the above-described comparison of absorbance, the presence or absence of surface modification of the inorganic nitride of the compound and its degree can be determined from the decrease in absorbance.

(무기 질화물에 대한 흡착 시험)(Adsorption test for inorganic nitride)

하기 화합물 C-2(10mg)를 아세토나이트릴기(100mL)에 용해하고, 또한 1/10로 희석함으로써 용액을 얻었다. 얻어진 용액의 자외 가시 흡수 스펙트럼(측정 장치: 시마즈 세이사쿠쇼제 UV-3100PC)을 측정하고, 흡수 극대 파장에서의 흡광도 X를 구했다.A solution was obtained by dissolving the following compound C-2 (10 mg) in an acetonitrile group (100 mL) and diluting it by 1/10. The ultraviolet-visible absorption spectrum (measuring apparatus: Shimadzu Corporation UV-3100PC) of the obtained solution was measured, and the absorbance X at the maximum absorption wavelength was calculated|required.

다음으로, 상기 용액(20mL)에 덴카 주식회사제 질화 붕소 "SGPS"(0.5g)를 첨가하여 수 초 간 교반했다. 교반 후, 얻어진 용액의 상등액을 필터 여과했다. 얻어진 여과액을 이용하여, 상기와 동일하게, 여과액의 자외 가시 흡수 스펙트럼(측정 장치: 시마즈 세이사쿠쇼제 UV-3100PC)을 측정하고, 흡수 극대 파장에서의 흡광도 Y를 구했다. 자외 가시 흡수 스펙트럼의 결과를 도 1에 나타낸다.Next, boron nitride "SGPS" (0.5 g) manufactured by Denka Corporation was added to the solution (20 mL), followed by stirring for several seconds. After stirring, the supernatant of the obtained solution was filtered and filtered. Using the obtained filtrate, the ultraviolet and visible absorption spectrum (measuring apparatus: Shimadzu Corporation UV-3100PC) of the filtrate was measured in the same manner as described above, and the absorbance Y at the maximum absorption wavelength was determined. The results of the ultraviolet and visible absorption spectrum are shown in Fig. 1.

이어서, 질화 붕소를 첨가하기 전의 용액의 흡수 극대 파장에서의 흡광도 X에 대한, 질화 붕소를 첨가하여 얻어진 상기 여과액의 흡수 극대 파장에서의 흡광도 Y의 비율(잔존율(%))을 산출했다. 잔존율(%)이 작을수록, 질화 붕소에 대한 흡착이 우수한 것을 의미한다. 결과를 표 1에 나타낸다.Subsequently, the ratio of the absorbance Y at the maximum absorption wavelength of the filtrate obtained by adding boron nitride to the absorbance X at the maximum absorption wavelength of the solution before adding the boron nitride (remaining rate (%)) was calculated. The smaller the residual ratio (%) is, the better the adsorption to boron nitride is. Table 1 shows the results.

또한, C-2 대신에, 후술하는 표 1에 나타내는 각 화합물을 이용하여, 상기와 동일한 수순에 따라, 질화 붕소의 첨가 후의 흡광도의 잔존율(%)을 산출했다. 각 결과를 후술하는 표 1에 정리하여 나타낸다.In addition, instead of C-2, each compound shown in Table 1 described later was used, and the residual ratio (%) of the absorbance after addition of boron nitride was calculated according to the same procedure as described above. Each result is put together in Table 1 mentioned later, and is shown.

또, 이하의 화합물을 이용한 경우의 자외 가시 흡수 스펙트럼의 결과를 도 2~5에 각각 나타낸다.In addition, the results of the ultraviolet and visible absorption spectrum in the case of using the following compounds are shown in Figs. 2 to 5, respectively.

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112019133998243-pct00022
Figure 112019133998243-pct00022

[표 1][Table 1]

Figure 112019133998243-pct00023
Figure 112019133998243-pct00023

상기 표 1의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 표 1에 나타내는 각 화합물을 이용한 경우, 모두 흡광도의 감소가 확인되었다. 이 결과로부터, 표 1에 나타내는 각 화합물은, 질화 붕소의 표면에 흡착되는 것이 확인되었다. 또한, 후술하는 실시예에서 이용되는 화합물 C-1~16, C-18~C~35 중, 표 1에 나타내는 화합물 이외의 화합물을 이용한 경우에 있어서도 흡광도의 감소가 확인되었다. 이 결과로부터, 후술하는 실시예에서 이용되는 화합물 C-1~16, C-18~C~35 중, 표 1에 나타내는 화합물 이외의 화합물에 대해서도, 질화 붕소의 표면에 흡착되는 것이 확인되었다.As can be seen from the results of Table 1, when each of the compounds shown in Table 1 was used, a decrease in absorbance was observed in all cases. From this result, it was confirmed that each compound shown in Table 1 was adsorbed on the surface of boron nitride. In addition, among the compounds C-1 to 16 and C-18 to C to 35 used in Examples to be described later, a decrease in absorbance was also observed when a compound other than the compound shown in Table 1 was used. From this result, it was confirmed that among the compounds C-1 to 16 and C-18 to C to 35 used in Examples described later, compounds other than the compounds shown in Table 1 were also adsorbed on the surface of boron nitride.

〔조성물의 조제 및 평가〕〔Preparation and evaluation of the composition〕

<각종 성분><Various ingredients>

이하에, 실시예 및 비교예에서 사용하는 각종 성분을 나타낸다.Below, various components used in Examples and Comparative Examples are shown.

(중합성 모노머)(Polymerizable monomer)

중합성 모노머로서, 하기 A-1~A-8로 나타나는 화합물을 이용했다.As a polymerizable monomer, a compound represented by the following A-1 to A-8 was used.

A-1: 비스페놀 F 다이글리시딜에터 수지와 비스페놀 A 다이글리시딜에터 수지의 혼합물, 에폭시 당량: 165.7g/eq, 전체 염소: 0.008질량%, 점도: 2,340mPa·s, 신닛테쓰 스미킨 가가쿠사제.A-1: Mixture of bisphenol F diglycidyl ether resin and bisphenol A diglycidyl ether resin, epoxy equivalent: 165.7 g/eq, total chlorine: 0.008 mass%, viscosity: 2,340 mPa·s, Shinnittetsu sumi Made by Keen Chemical Company.

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112019133998243-pct00024
Figure 112019133998243-pct00024

A-5: "TMPT"(트라이메틸올프로페인트라이아크릴레이트, 신나카무라 가가쿠 고교(주)제).A-5: "TMPT" (trimethylolpropane triacrylate, Shinnakamura Chemical Co., Ltd. product).

A-6: "OXT-121"(다관능 옥세테인, 도아 고세이(주)제).A-6: "OXT-121" (multifunctional oxetane, manufactured by Toa Kosei Co., Ltd.).

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112019133998243-pct00025
Figure 112019133998243-pct00025

(첨가제)(additive)

첨가제로서, 하기 B-1~B-3으로 나타나는 화합물을 이용했다.As an additive, a compound represented by the following B-1 to B-3 was used.

[화학식 25][Formula 25]

Figure 112019133998243-pct00026
Figure 112019133998243-pct00026

B-3: "KAYAHARD GPH-65"(닛폰 가야쿠(주)제)B-3: "KAYAHARD GPH-65" (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

(용제)(solvent)

용제로서, MEK(메틸에틸케톤)를 이용했다.As the solvent, MEK (methyl ethyl ketone) was used.

(중합 개시제)(Polymerization initiator)

중합 개시제로서, VAm-110(유용성 아조 중합 개시제, 와코 준야쿠사제)을 이용했다.As the polymerization initiator, VAm-110 (oil-soluble azo polymerization initiator, manufactured by Wako Junyaku Corporation) was used.

(무기 질화물)(Inorganic Nitride)

무기 질화물로서는, 하기의 것을 이용했다.As the inorganic nitride, the following were used.

SGPS(질화 붕소, 평균 입경 12μm, 덴카사제)SGPS (boron nitride, average particle diameter 12μm, manufactured by Denka Corporation)

S-30(질화 알루미늄, 평균 입경 35μm, MARUWA사제)S-30 (Aluminum nitride, average particle diameter 35 μm, manufactured by MARUWA)

(표면 수식제)(Surface Modifier)

표면 수식제로서, 하기 C-1~C-16, C-18~C-35로 나타나는 화합물을 이용했다.As a surface modifier, a compound represented by the following C-1 to C-16 and C-18 to C-35 was used.

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112019133998243-pct00027
Figure 112019133998243-pct00027

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112019133998243-pct00028
Figure 112019133998243-pct00028

[화학식 28][Formula 28]

Figure 112019133998243-pct00029
Figure 112019133998243-pct00029

(비교용 표면 수식제)(Surface modifier for comparison)

비교용 표면 수식제로서, 하기 D-1~D-4로 나타나는 화합물을 이용했다.As a surface modifier for comparison, a compound represented by the following D-1 to D-4 was used.

[화학식 29][Formula 29]

Figure 112019133998243-pct00030
Figure 112019133998243-pct00030

<실시예 1><Example 1>

하기 표 2에 나타내는 각종 성분을, 중합성 모노머, MEK(메틸에틸케톤), 첨가제, 표면 수식제(일반식 (I)로 나타나는 화합물), 및 중합 개시제의 순서로 혼합한 후, 무기 질화물을 첨가했다. 얻어진 혼합물을 자전 공전 믹서(THINKY사제, 아와토리 렌타로 ARE-310)로 5분간 처리함으로써 조성물 1을 얻었다. 또한, 조성물 1의 최종적인 고형분은, 표 2에 기재된 고형분 농도("용매"란 내에 기재)가 되도록, MEK로 조정했다.After mixing the various components shown in Table 2 below in the order of a polymerizable monomer, MEK (methyl ethyl ketone), an additive, a surface modifier (a compound represented by the general formula (I)), and a polymerization initiator, an inorganic nitride was added. did. Composition 1 was obtained by treating the obtained mixture for 5 minutes with a rotating revolution mixer (manufactured by THINKY, Awatori Rentaro ARE-310). In addition, the final solid content of the composition 1 was adjusted to MEK so that the solid content concentration (described in the "solvent" column) shown in Table 2 might be obtained.

다음으로, 어플리케이터를 이용하여, 폴리에스터 필름(NP-100A 파낙사제, 막두께 100μm)의 이형면 상에 막두께가 약 600μm가 되도록 조성물 1을 도포하고, 공기하에서 1시간 방치함으로써 도막 1을 얻었다.Next, using an applicator, the composition 1 was applied so that the film thickness was about 600 μm on the release surface of the polyester film (NP-100A, film thickness 100 μm), and then the coating film 1 was left to stand in the air for 1 hour. Got it.

다음으로, 도막 1의 도막면을 다른 폴리에스터 필름으로 덮고, 진공 열 프레스(열판 온도 130℃, 진공도≤1kPa, 압력 12MPa, 처리 시간 5시간)로 처리함으로써 도막을 경화하여, 수지 시트를 얻었다. 수지 시트의 양면에 있는 폴리에스터 필름을 박리하여, 표 1에 나타내는 평균 막두께(실시예 1에서는 평균 막두께 350μm)의 열전도성 시트 1을 얻었다.Next, the coating surface of the coating film 1 was covered with another polyester film, and the coating film was cured by processing by vacuum hot pressing (hot plate temperature 130°C, vacuum degree ≤ 1 kPa, pressure 12 MPa, treatment time 5 hours) to obtain a resin sheet. The polyester films on both sides of the resin sheet were peeled off to obtain a thermally conductive sheet 1 having an average film thickness shown in Table 1 (in Example 1, an average film thickness of 350 μm).

(평가)(evaluation)

얻어진 열전도성 시트 1에 대하여, 하기의 평가를 행했다.About the obtained thermally conductive sheet 1, the following evaluation was performed.

[1] 분산성 평가[1] Dispersion evaluation

분산성 평가는, 열전도성 시트 1을 이용하여 실시했다. 구체적으로는, 열전도성 시트 1의 막두께를 임의의 5개소의 위치에 있어서 측정하고, 그 측정 편차에 대하여 표준 편차를 구하여, 하기의 기준에 따라 평가했다. 표준 편차가 작은 경우(바꾸어 말하면 막두께의 편차가 작은 경우), 표면 수식 무기 질화물이 양호하게 분산되어 있는 것을 나타낸다. 한편, 표준 편차가 큰 경우(바꾸어 말하면 막두께의 편차가 큰 경우), 경화물 중에 있어서 응집 등이 발생하여 표면 요철이 생기고 있는 것을 의미하며, 즉 표면 수식 무기 질화물의 분산성이 뒤떨어져 있는 것을 나타낸다.The dispersibility evaluation was performed using the thermally conductive sheet 1. Specifically, the film thickness of the thermally conductive sheet 1 was measured at five arbitrary positions, the standard deviation was calculated for the measurement deviation, and evaluated according to the following criteria. When the standard deviation is small (in other words, when the deviation in film thickness is small), it indicates that the surface-modified inorganic nitride is well dispersed. On the other hand, when the standard deviation is large (in other words, when the film thickness is large), it means that agglomeration or the like occurs in the cured product, resulting in surface irregularities, that is, the dispersibility of the surface-modified inorganic nitride is inferior. .

막두께 측정은, 아이페이즈사제의 "아이페이즈·모바일 1u"를 이용하여 실시했다.The film thickness measurement was performed using "I-Phase Mobile 1u" manufactured by I-Phase Corporation.

(평가 기준)(Evaluation standard)

"A": 표준 편차가 5 미만"A": standard deviation less than 5

"B": 표준 편차가 5 이상 10 미만"B": standard deviation of 5 or more and less than 10

"C": 표준 편차가 10 이상 30 미만"C": standard deviation of 10 or more and less than 30

"D": 표준 편차가 30 이상"D": standard deviation of 30 or more

결과를 표 2에 나타낸다.Table 2 shows the results.

[2] 열전도성 평가[2] Thermal conductivity evaluation

열전도성 평가는, 열전도성 시트 1을 이용하여 실시했다. 열전도율의 측정은 하기 방법으로 행하여, 하기의 기준에 따라 열전도성을 평가했다.Thermal conductivity evaluation was performed using the thermal conductivity sheet 1. The measurement of the thermal conductivity was performed by the following method, and the thermal conductivity was evaluated according to the following criteria.

·열전도율(W/mK)의 측정·Measurement of thermal conductivity (W/mK)

(1) 아이페이즈사제의 "아이페이즈·모바일 1u"를 이용하여, 열전도성 시트 1의 두께 방향의 열확산율을 측정했다.(1) The thermal diffusivity of the thermally conductive sheet 1 in the thickness direction was measured using "Eye Phase Mobile 1u" manufactured by Eye Phase.

(2) 메틀러·톨레도사제의 천칭 "XS204"("고체 비중 측정 키트" 사용)를 이용하여, 열전도성 시트 1의 비중을 측정했다.(2) The specific gravity of the thermally conductive sheet 1 was measured using a balance "XS204" (using "solid specific gravity measurement kit") manufactured by METTLER TOLEDO.

(3) 세이코 인스트루먼츠사제의 "DSC320/6200"을 이용하여 10℃/분의 승온 조건하, 25℃에 있어서의 열전도성 시트 1의 비열을 DSC7의 소프트웨어를 이용하여 구했다.(3) Using "DSC320/6200" manufactured by Seiko Instruments, the specific heat of the thermally conductive sheet 1 at 25°C was determined using DSC7 software under a temperature rising condition of 10°C/min.

(4) 얻어진 열확산율에 비중 및 비열을 곱함으로써, 열전도성 시트 1의 열전도율을 산출했다.(4) The thermal conductivity of the thermally conductive sheet 1 was calculated by multiplying the obtained thermal diffusivity by the specific gravity and specific heat.

(평가 기준)(Evaluation standard)

"A": 15W/m·K 이상"A": 15W/m·K or more

"B": 12W/m·K 이상 15 W/m·K 미만"B": 12W/m·K or more and less than 15 W/m·K

"C": 9W/m·K 이상 12 W/m·K 미만"C": 9W/m·K or more and 12 W/m·K or less

"D": 9W/m·K 미만"D": less than 9W/m·K

결과를 표 2에 나타낸다.Table 2 shows the results.

<실시예 2~45, 비교예 1~4><Examples 2 to 45, Comparative Examples 1 to 4>

실시예 1과 동일한 수순에 의하여, 하기 표 2에 나타내는 실시예 및 비교예의 각 조성물을 얻었다. 또한, 조성물의 최종적인 고형분은, 표 2에 기재된 고형분 농도("용매"란 내에 기재)가 되도록, MEK로 조정했다.By the same procedure as in Example 1, each composition of Examples and Comparative Examples shown in Table 2 below was obtained. In addition, the final solid content of the composition was adjusted to MEK so that the solid content concentration (described in the “solvent” column) shown in Table 2 might be obtained.

또, 얻어진 각 조성물로부터 열전도성 시트 2~45, 비교용 열전도성 시트 1~4를 제작하여, 실시예 1과 동일한 평가 시험을 실시했다. 결과를 표 2에 나타낸다.Moreover, from each of the obtained compositions, thermally conductive sheets 2 to 45 and comparative thermally conductive sheets 1 to 4 were produced, and the same evaluation test as in Example 1 was performed. Table 2 shows the results.

표 2에 있어서, 각 성분란에 기재되는 (수치)는, 조성물 중의 전체 고형분에 대한 각 성분의 함유량(질량%)을 의미한다.In Table 2, (numerical value) described in each component column means the content (mass%) of each component with respect to the total solid content in the composition.

또, 표 2 중에 기재되는 "막두께(μm)"는, 열전도성 시트의 평균 막두께를 의미한다.In addition, the "film thickness (μm)" described in Table 2 means the average film thickness of the thermally conductive sheet.

표 2에 있어서, 실시예 44에서 사용하는 경화 촉진제 A는, 트라이페닐포스핀이다.In Table 2, the curing accelerator A used in Example 44 is triphenylphosphine.

[표 2][Table 2]

Figure 112019133998243-pct00031
Figure 112019133998243-pct00031

[표 3][Table 3]

Figure 112019133998243-pct00032
Figure 112019133998243-pct00032

[표 4][Table 4]

Figure 112019133998243-pct00033
Figure 112019133998243-pct00033

상기 표에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 표면 수식 무기 질화물을 이용하면 열전도율이 보다 우수한 것이 확인되었다. 이와 같은 열전도율의 향상은, 샘플 중에서의 표면 수식 무기 질화물의 분산성이 향상되었기 때문이다. 즉, 표면 수식 무기 질화물과 유기물과의 친화성이 향상된 것이 확인되었다.As shown in the above table, it was confirmed that the thermal conductivity was more excellent when the surface-modified inorganic nitride of the present invention was used. This improvement in thermal conductivity is because the dispersibility of the surface-modified inorganic nitride in the sample is improved. That is, it was confirmed that the affinity between the surface-modified inorganic nitride and the organic material was improved.

또, 실시예 15와 실시예 33의 대비로부터, 무기 질화물로서 질화 붕소를 이용한 경우, 분산성이 보다 우수한 것이 확인되었다.Further, from the contrast between Example 15 and Example 33, it was confirmed that when boron nitride was used as the inorganic nitride, the dispersibility was more excellent.

또, 실시예 1~45의 대비로부터, 일반식 (I) 중, X로서는, 수산기, 카복실산기, 포스폰산기, 인산기, 포스핀산기, 설폰산기, 또는 싸이올기를 갖는 경우, 분산성이 보다 우수한 경향이 있는 것이 확인되었다.In addition, from the comparison of Examples 1-45, in the general formula (I), when X has a hydroxyl group, a carboxylic acid group, a phosphonic acid group, a phosphoric acid group, a phosphinic acid group, a sulfonic acid group, or a thiol group, the dispersibility is more It was confirmed that there was a good tendency.

또, 실시예 1~45의 대비로부터, 일반식 (I) 중, Y가 벤젠환을 3환 이상 포함하는 다환식 방향족 탄화 수소환기인 경우(바람직하게는 피렌환기인 경우), 열전도성이 보다 향상되는 것이 확인되었다.In addition, from the comparison of Examples 1 to 45, in the general formula (I), when Y is a polycyclic aromatic hydrocarbon ring group containing 3 or more benzene rings (preferably a pyrene ring group), the thermal conductivity is more It was confirmed to be improved.

또, 실시예 39~43의 대비로부터, 중합성 모노머가, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥시란일기, 옥세탄일기, 및 바이닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 갖는 경우, 열전도성이 보다 향상되는 것이 확인되었다.In addition, from the comparison of Examples 39 to 43, when the polymerizable monomer has a group selected from the group consisting of an acryloyl group, a methacryloyl group, an oxiranyl group, an oxetanyl group, and a vinyl group, the thermal conductivity is further improved. It was confirmed to be.

Claims (15)

무기 질화물과, 상기 무기 질화물 표면 상에 흡착된 하기 일반식 (I)로 나타나는 화합물을 포함하는 표면 수식 무기 질화물.
[화학식 1]
Figure 112019134067038-pct00034

일반식 (I) 중, X는, 수산기, 카복실산기, 포스폰산기, 인산기, 포스핀산기, 설폰산기, 싸이올기, 또는 아미노기를 나타낸다. Y는, 방향족 탄화 수소환기 또는 방향족 복소환기를 나타낸다. Z는, 알데하이드기, 석신산 이미드기, 오늄기, 할로젠화 알킬기, 할로젠 원자, 나이트릴기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥세탄일기, 바이닐기, 알카인일기, 혹은 말레이미드기, 또는 카보네이트기를 갖는 기를 나타낸다. L1 및 L2는, 각각 독립적으로, 단결합, 또는 -O-, -CO-, -S-, -CS-, -NR11-, -N=N-, 및 2가의 탄화 수소기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상을 조합한 2가의 연결기를 나타낸다. R11은, 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. m 및 n은, 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다.
또한, 일반식 (I) 중, X가 복수 개 존재하는 경우, 복수 개 존재하는 X는, 각각 동일해도 되고 달라도 된다. 또, Z가 복수 개 존재하는 경우, 복수 개 존재하는 Z는, 각각 동일해도 되고 달라도 된다. 또, L1이 복수 개 존재하는 경우, 복수 개 존재하는 L1은, 각각 동일해도 되고 달라도 된다. 또, L2가 복수 개 존재하는 경우, 복수 개 존재하는 L2는, 각각 동일해도 되고 달라도 된다.
단, X가 아미노기를 나타내는 경우, Z는, 할로젠 원자 이외의 기를 나타낸다.
A surface-modified inorganic nitride comprising an inorganic nitride and a compound represented by the following general formula (I) adsorbed on the surface of the inorganic nitride.
[Formula 1]
Figure 112019134067038-pct00034

In General Formula (I), X represents a hydroxyl group, a carboxylic acid group, a phosphonic acid group, a phosphoric acid group, a phosphinic acid group, a sulfonic acid group, a thiol group, or an amino group. Y represents an aromatic hydrocarbon cyclic group or an aromatic heterocyclic group. Z is an aldehyde group, a succinic acid imide group, an onium group, a halogenated alkyl group, a halogen atom, a nitrile group, an acryloyl group, a methacryloyl group, an oxetanyl group, a vinyl group, an alkyneyl group, or a maleimide group Or a group having a carbonate group. L 1 and L 2 are each independently a single bond or a group consisting of -O-, -CO-, -S-, -CS-, -NR 11 -, -N=N-, and a divalent hydrocarbon group Any one selected from or a combination of two or more divalent linking groups is shown. R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group. m and n each independently represent an integer of 1 or more.
In addition, in General Formula (I), when a plurality of X is present, the plurality of X may be the same or different, respectively. In addition, when a plurality of Z is present, the plurality of Z may be the same or different, respectively. In the case where the presence of a plurality of L 1, L 1 is present in plurality, it may be the same or each may be different. In addition, when a plurality of L 2 is present, a plurality of L 2 may be the same or different, respectively.
However, when X represents an amino group, Z represents a group other than a halogen atom.
청구항 1에 있어서,
상기 X가, 수산기, 카복실산기, 포스폰산기, 인산기, 포스핀산기, 설폰산기, 또는 싸이올기인 표면 수식 무기 질화물.
The method according to claim 1,
The surface-modified inorganic nitride wherein X is a hydroxyl group, a carboxylic acid group, a phosphonic acid group, a phosphoric acid group, a phosphinic acid group, a sulfonic acid group, or a thiol group.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 Y가, 방향족 탄화 수소환기인 표면 수식 무기 질화물.
The method according to claim 1 or 2,
The surface-modified inorganic nitride wherein Y is an aromatic hydrocarbon ring group.
청구항 3에 있어서,
상기 Y가, 벤젠환을 3환 이상 포함하는 다환식 방향족 탄화 수소환기인 표면 수식 무기 질화물.
The method of claim 3,
The surface-modified inorganic nitride wherein Y is a polycyclic aromatic hydrocarbon ring group containing three or more benzene rings.
청구항 4에 있어서,
상기 Y가, 피렌환기인 표면 수식 무기 질화물.
The method of claim 4,
The surface-modified inorganic nitride wherein Y is a pyrene ring group.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 무기 질화물이, 질화 붕소 및 질화 알루미늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 표면 수식 무기 질화물.
The method according to claim 1 or 2,
The surface-modified inorganic nitride, wherein the inorganic nitride is at least one selected from the group consisting of boron nitride and aluminum nitride.
청구항 6에 있어서,
상기 무기 질화물이, 질화 붕소인 표면 수식 무기 질화물.
The method of claim 6,
The surface-modified inorganic nitride wherein the inorganic nitride is boron nitride.
청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 표면 수식 무기 질화물과, 중합성 모노머를 포함하는 조성물.A composition comprising the surface-modified inorganic nitride according to claim 1 or 2 and a polymerizable monomer. 청구항 8에 있어서,
상기 중합성 모노머가, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 옥시란일기, 옥세탄일기, 및 바이닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 갖는 조성물.
The method of claim 8,
The composition wherein the polymerizable monomer has a group selected from the group consisting of an acryloyl group, a methacryloyl group, an oxiranyl group, an oxetanyl group, and a vinyl group.
청구항 8에 있어서,
상기 중합성 모노머 또는 그 경화물이, 액정성을 나타내는 조성물.
The method of claim 8,
A composition in which the polymerizable monomer or cured product thereof exhibits liquid crystallinity.
청구항 8에 있어서,
열전도 재료를 형성하기 위하여 이용되는 조성물.
The method of claim 8,
A composition used to form a thermally conductive material.
청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 표면 수식 무기 질화물을 포함하는 열전도 재료.A thermally conductive material containing the surface-modified inorganic nitride according to claim 1 or 2. 청구항 12에 있어서,
시트상인 열전도 재료.
The method of claim 12,
Sheet-shaped heat-conducting material.
청구항 12에 있어서,
방열 시트에 이용되는 열전도 재료.
The method of claim 12,
Thermally conductive material used for heat dissipation sheet.
디바이스와, 상기 디바이스 상에 배치된 청구항 12에 기재된 열전도 재료를 포함하는 열전도층을 갖는 열전도층 부착 디바이스.A device with a thermally conductive layer, comprising a device and a thermally conductive layer comprising the thermally conductive material according to claim 12 disposed on the device.
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