KR102249640B1 - Light emitting device, light emitting device package having the same, and light system having the same - Google Patents

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Abstract

실시예는 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 브이-피트(v-pit)를 포함하는 제1도전형 반도체층과, 상기 제1도전형 반도체층 상에 활성층과, 상기 활성층 상에 확산방지층과, 상기 확산방지층 상에 초격자층과, 상기 초격자층 상에 제2도전형 반도체층을 포함하고, 상기 초격자층은 MgN층과 GaN층이 교대로 배치될 수 있다.The embodiment relates to a light emitting device and a lighting system including the same.
The light emitting device according to the embodiment includes a substrate, a first conductive type semiconductor layer including a v-pit on the substrate, an active layer on the first conductive type semiconductor layer, and diffusion on the active layer. A prevention layer, a super lattice layer on the diffusion barrier layer, and a second conductive type semiconductor layer on the super lattice layer, and the super lattice layer may include an MgN layer and a GaN layer alternately.

Description

발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE HAVING THE SAME, AND LIGHT SYSTEM HAVING THE SAME}A light emitting device, a light emitting device package including the same, and a lighting system including the same {LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE HAVING THE SAME, AND LIGHT SYSTEM HAVING THE SAME}

실시예는 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, a light emitting device package including the same, and a lighting system including the same.

발광소자(light emitting diode)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting diode is a pn junction diode that converts electrical energy into light energy. It can be created as a compound semiconductor such as Group III and Group V on the periodic table, and realizes various colors by adjusting the composition ratio of the compound semiconductor. This is possible.

발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하여 전도대(conduction band)와 가전대(valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하고, 상기 에너지가 빛으로 발산되면 발광소자가 된다.When the forward voltage is applied, the electrons in the n-layer and the holes in the p-layer are combined to emit energy equivalent to the energy gap between the conduction band and the valence band, and the energy is emitted as light. Then it becomes a light-emitting device.

질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(blue) 발광소자, 녹색(green) 발광소자, 및 자외선(UV) 발광소자는 상용화되어 널리 사용되고 있다.Nitride semiconductors are attracting great interest in the development of optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, a blue light emitting device, a green light emitting device, and an ultraviolet (UV) light emitting device using a nitride semiconductor have been commercialized and widely used.

질화물 반도체는 ESD(electrostatic discharge)와 신뢰성 개선이 특히 중요하며, 종래에는 활성층 상에 바로 MgN층과 GaN층이 교대로 배치시키고 격자 부정합 영역에 PN 다이오드를 형성하였으나, 격자 부정합에서 생성된 브이-피트가 PN 다이오드를 형성하지 못할 경우 ESD 문제가 발생할 수 있다.In nitride semiconductors, electrostatic discharge (ESD) and reliability improvement are particularly important. Conventionally, MgN layers and GaN layers are alternately disposed directly on the active layer and PN diodes are formed in the lattice mismatch area, but V-pits generated from lattice mismatch. Failure to form a PN diode can lead to ESD problems.

실시예는 활성층 성장 후 MgN층과 GaN층을 교대로 성장하여 막질의 효율을 개선시키고 홀 농도가 증가된 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.The embodiment is to provide a light-emitting device, a light-emitting device package, and a lighting system with improved film quality and increased hole concentration by alternately growing an MgN layer and a GaN layer after growing an active layer.

또한, 실시예는 활성층 성장후 MgN층과 GaN층을 교대로 성장하여 브이-피트(v-pit)를 잘 메꿔주어 ESD가 개선된 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system with improved ESD by alternately growing a MgN layer and a GaN layer after growing an active layer to fill a v-pit well.

실시예에 따른 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 브이-피트를 포함하는 제1도전형 반도체층과, 상기 제1도전형 반도체층 상에 활성층과, 상기 활성층 상에 확산방지층과, 상기 확산방지층 상에 초격자층과, 상기 초격자층 상에 제2도전형 반도체층을 포함하고, 상기 초격자층은 MgN층과 GaN층이 교대로 배치될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a substrate, a first conductive type semiconductor layer including a V-pit on the substrate, an active layer on the first conductive type semiconductor layer, a diffusion barrier layer on the active layer, and the diffusion A superlattice layer on the prevention layer and a second conductive semiconductor layer on the superlattice layer may be included, and the superlattice layer may include an MgN layer and a GaN layer alternately.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 기판과, 상기 기판 상에 제1도전형 제1반도체층과, 상기 제1도전형 제1반도체층 상에 브이-피트(v-pit)를 포함하는 제1도전형 제2반도체층과, 상기 제1도전형 제2반도체층 상에 활성층과, 상기 활성층 상에 확산방지층과, 상기 확산방지층 상에 초격자층과, 상기 초격자층 상에 제2도전형 반도체층과, 상기 제2도전형 반도체층 상에 투광성 전극과, 상기 투광성 전극 상에 제2전극을 포함하고, 상기 초격자층은 MgN층과 GaN층이 교대로 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment includes a substrate, a first conductive type first semiconductor layer on the substrate, and a first conductive type including a v-pit on the first conductive type first semiconductor layer. A type second semiconductor layer, an active layer on the first conductive type second semiconductor layer, a diffusion barrier layer on the active layer, a superlattice layer on the diffusion barrier layer, and a second conductive semiconductor on the superlattice layer A layer, a light-transmitting electrode on the second conductive type semiconductor layer, and a second electrode on the light-transmitting electrode, and the superlattice layer may include an MgN layer and a GaN layer alternately.

실시예는 활성층 성장 후 MgN층과 GaN층을 교대로 성장하여 막질의 효율을 개선시키고 홀 농도를 증가시키는 효과가 있다. The embodiment is effective in improving the efficiency of the film quality and increasing the hole concentration by alternately growing the MgN layer and the GaN layer after the active layer is grown.

또한, 실시예는 활성층 성장 후 MgN층과 GaN층을 교대로 성장하여 브이-피트(v-pit)를 잘 메꿔주어 ESD(electrostatic discharge)를 개선하는 효과가 있다.In addition, the embodiment has an effect of improving electrostatic discharge (ESD) by alternately growing an MgN layer and a GaN layer after growing an active layer to fill a v-pit well.

또한, 실시예는 활성층 성장 후 확산방지층을 배치하여 커런트 스프레딩을 개선하고 활성층으로 Mg 유입을 막아주는 효과가 있다. In addition, in the embodiment, after the active layer is grown, a diffusion barrier is disposed to improve current spreading and prevent Mg from entering the active layer.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 부분확대도이다.
도 3은 실시예에 따른 개선된 동작전압을 나타내는 그래프이다.
도 4는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
2 is a partially enlarged view of a light emitting device according to an embodiment.
3 is a graph showing an improved operating voltage according to an embodiment.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
5 to 7 are exploded perspective views illustrating embodiments of a lighting system including a light emitting device according to the embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern, or structure is "on/over" or "under" of the substrate, each layer (film), region, pad, or patterns. In the case of being described as being formed in, "on/over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. do. In addition, the criteria for the top/top or bottom of each layer will be described based on the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not fully reflect the actual size.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.

도 1은 수평형 발광소자인 경우의 예를 도시하고 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.1 illustrates an example of a horizontal light emitting device, but the embodiment is not limited thereto.

실시예에 따른 발광소자(100)는 기판(103)과, 상기 기판(103) 상에 배치되는 버퍼층(105), 상기 버퍼층(105) 상에 배치되는 제1도전형 제1반도체층(112a)과 상기 제1도전형 제1반도체층(112a) 상에 브이-피트(v-pit)를 포함하는 제1도전형 제2반도체층(112b)을 포함하는 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 제2반도체층(112b) 상에 배치되는 활성층(114), 상기 활성층(114) 상에 배치되는 확산방지층(120), 상기 확산방지층(120) 상에 배치되는 초격자층(130), 상기 초격자층(130) 상에 배치되는 제2도전형 반도체층(140), 상기 제2도전형 반도체층(140) 상에 배치되는 투광성 전극(150), 상기 투광성 전극(150) 상에 배치되는 제2전극(170), 상기 제1도전형 제1반도체층(112a) 상에 배치되는 제1전극(160)을 포함한다.The light emitting device 100 according to the embodiment includes a substrate 103, a buffer layer 105 disposed on the substrate 103, and a first conductive type first semiconductor layer 112a disposed on the buffer layer 105 And a first conductive type semiconductor layer including a first conductive type second semiconductor layer 112b including a v-pit on the first conductive type first semiconductor layer 112a, the first The active layer 114 disposed on the conductive type second semiconductor layer 112b, the diffusion preventing layer 120 disposed on the active layer 114, the superlattice layer 130 disposed on the diffusion preventing layer 120, A second conductive type semiconductor layer 140 disposed on the superlattice layer 130, a translucent electrode 150 disposed on the second conductive type semiconductor layer 140, and disposed on the light transmitting electrode 150 And a second electrode 170 to be formed, and a first electrode 160 disposed on the first conductive type first semiconductor layer 112a.

상기 확산방지층(120)은 상기 활성층(114)상에 배치되고, 상기 확산방지층(120)은 GaN층을 포함할 수 있고, Mg이 상기 활성층(114) 상에 유입되는 것을 막아주는 효과가 있다. The diffusion barrier layer 120 is disposed on the active layer 114, and the diffusion barrier layer 120 may include a GaN layer, and there is an effect of preventing Mg from flowing into the active layer 114.

실시예에 따라, 상기 확산방지층(120)의 두께는 0.8nm 이상 1.2nm 이하일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이때, 상기 확산방지층(120)의 두께가 0.8nm 미만인 경우, Mg이 상기 활성층(114) 상에 유입될 수 있고, 1.2nm 초과인 경우 홀 주입 효율을 저하시켜 동작 전압이 상승될 수 있다.Depending on the embodiment, the thickness of the diffusion barrier layer 120 may be 0.8 nm or more and 1.2 nm or less, but is not limited thereto. In this case, when the thickness of the diffusion barrier layer 120 is less than 0.8 nm, Mg may flow into the active layer 114, and when the thickness of the diffusion barrier layer 120 is greater than 1.2 nm, the hole injection efficiency may be lowered, thereby increasing the operating voltage.

상기 확산방지층(120) 상에 초격자층(130)이 배치될 수 있고, 상기 초격자층(130)은 MgN층과 GaN층이 교대로 배치될 수 있다. A super lattice layer 130 may be disposed on the diffusion barrier layer 120, and an MgN layer and a GaN layer may be alternately disposed on the super lattice layer 130.

실시예에 따라 상기 초격자층(130)의 두께는 4nm 이상 9nm 이하일 수 있고, 바람직하게는 6nm일 수 있다. 예컨대, 상기 초격자층(130)의 두께가 4nm 일 때, 상기 MgN층과 GaN층은 각각 4쌍이 교대로 배치될 수 있고, 상기 초격자층(130)의 두께가 9nm 일 때, 상기 MgN층과 GaN층은 각각 15쌍이 교대로 배치될 수 있다. 또한, 상기 초격자층(130)의 두께가 6nm 일 때, 상기 MgN층과 GaN층은 각각 9쌍이 교대로 배치될 수 있다. Depending on the embodiment, the superlattice layer 130 may have a thickness of 4 nm or more and 9 nm or less, and preferably 6 nm. For example, when the thickness of the super lattice layer 130 is 4 nm, the MgN layer and the GaN layer may be alternately arranged in 4 pairs, and when the thickness of the super lattice layer 130 is 9 nm, the MgN layer Each of 15 pairs of and GaN layers may be alternately disposed. In addition, when the thickness of the super lattice layer 130 is 6 nm, 9 pairs of the MgN layer and the GaN layer may be alternately disposed.

실시예에 따라, 상기 GaN층의 두께는 0.5nm일 수 있고, 상기 MgN층은 28초 이상 32초 이하의 속도로 성장할 수 있고, 상기 GaN층은 14초 이상 18초 이하의 속도로 성장할 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.According to an embodiment, the thickness of the GaN layer may be 0.5 nm, the MgN layer may be grown at a rate of 28 seconds or more and 32 seconds or less, and the GaN layer may grow at a rate of 14 seconds or more and 18 seconds or less. It is not limited to this.

즉, 상기 초격자층(130)은 활성층(110)상에 바로 제2도전형 반도체층(140)을 성장하지 않고 사이에 배치되어, 바로 성장하는 것과 비교하여 막질의 효율을 개선시키고, 홀 농도를 증가시킬 수 있다. 나아가, 브이-피트를 잘 메꿔주어 ESD가 개선될 수 있다.That is, the superlattice layer 130 is disposed between the second conductive semiconductor layer 140 without growing it directly on the active layer 110, thereby improving the efficiency of the film quality and improving the efficiency of the hole compared to that of the immediate growth. Can increase Furthermore, ESD can be improved by filling the V-pit well.

상기 초격자층(130)의 MgN층은 상기 확산방지층(120) 상에 성장하기 때문에 결정성이 향상될 수 있고, 상기 확산방지층(120)에 의해 커런트 스프레딩이 개선될 수 있다. Since the MgN layer of the superlattice layer 130 grows on the diffusion barrier layer 120, crystallinity may be improved, and current spreading may be improved by the diffusion barrier layer 120.

실시예에 따른 발광소자(100)를 좀 더 자세히 상술하면, 기판(103)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있거나, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(103)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 상기 기판(103) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(103)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.When the light emitting device 100 according to the embodiment is described in more detail, the substrate 103 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, or may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 103 may use at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga 2 0 3. An uneven structure may be formed on the substrate 103, but the embodiment is not limited thereto. The substrate 103 may be wet cleaned to remove impurities from the surface.

상기기판(103) 상에 버퍼층(105)이 배치될 수 있고, 상기 버퍼층(105)은 상기 발광구조물(110)의 재료와 제1 기판(103)의 격자 부정합을 완화시켜 줄 수 있으며, 버퍼층의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. A buffer layer 105 may be disposed on the substrate 103, and the buffer layer 105 may alleviate lattice mismatch between the material of the light emitting structure 110 and the first substrate 103, and The material may be formed of at least one of a group 3-5 compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN.

상기 버퍼층(105) 상에 제1도전형 제1반도체층(112a)과 제1도전형 제2반도체층(112b)이 배치될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(112a)과 제1도전형 제2반도체층(112b)은 반도체 화합물로 형성될 수 있고, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 제1반도체층(112a)과 상기 제1도전형 제2반도체층(112b)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A first conductive type first semiconductor layer 112a and a first conductive type second semiconductor layer 112b may be disposed on the buffer layer 105. The first conductive type semiconductor layer 112a and the first conductive type second semiconductor layer 112b may be formed of a semiconductor compound, and may be implemented as a compound semiconductor such as group 3-5 and group 2-6. In addition, a first conductivity type dopant may be doped. When the first conductivity-type first semiconductor layer 112a and the first conductivity-type second semiconductor layer 112b are n-type semiconductor layers, the first conductivity-type dopant is an n-type dopant, Si, Ge, Sn , Se, and Te may be included, but are not limited thereto.

상기 제1도전형 제1반도체층(112a)과 상기 제1도전형 제2반도체층(112b)은 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법을 사용하여 n형 GaN층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 실리콘(Si)와 같은 n 형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH4)가 주입되어 형성될 수 있다.The first conductive type first semiconductor layer 112a and the first conductive type second semiconductor layer 112b are chemical vapor deposition (CVD) or molecular beam epitaxy (MBE), sputtering or hydroxide vapor phase epitaxy (HVPE). An n-type GaN layer can be formed using a method such as. In addition, the first conductivity-type semiconductor layer 112 is a silane containing n-type impurities such as trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and silicon (Si) in the chamber. It may be formed by injecting gas (SiH 4 ).

상기 제1도전형 제1반도체층(112a) 상의 일부에는 제1전극(160)이 배치될 수 있다. A first electrode 160 may be disposed on a portion of the first conductive type first semiconductor layer 112a.

상기 제1도전형 제2반도체층(112b)는 브이-피트(v-pit)를 포함할 수 있고, 상기 브이-피트는 랜덤하게 형성될 수 있다.The first conductive type second semiconductor layer 112b may include a V-pit, and the V-pit may be formed at random.

실시예에 따라, 상기 제1도전형 제1반도체층(112a)의 상부와 상기 제1도전형 제2반도체층의 브이-피트가 서로 만날 수 있다.Depending on the embodiment, the upper portion of the first conductive type first semiconductor layer 112a and the V-pit of the first conductive type second semiconductor layer may meet each other.

상기 활성층(114)은 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2도전형 반도체층(140)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. The active layer 114 is determined by the energy band inherent in the material of the active layer (light emitting layer) when electrons injected through the first conductive type semiconductor layer and holes injected through the second conductive type semiconductor layer 140 formed thereafter meet each other. It is a layer that emits light that has energy to become.

상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(114)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 114 may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, in the active layer 114, trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) may be injected to form a multiple quantum well structure. It is not limited thereto.

상기 활성층(114)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer/barrier layer of the active layer 114 may be formed in one or more pair structures among InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP. It can be, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than that of the barrier layer.

상기 제2도전형 반도체층(140)은 상기 초격자층(130)상에 배치되고, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 반도체 화합물로 형성될 수 있고, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 140 is disposed on the super lattice layer 130, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may be formed of a semiconductor compound. It may be implemented with a compound semiconductor such as Group -6, and may be doped with a second conductivity type dopant.

예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(140)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(140)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.For example, the second conductivity type semiconductor layer 140 is made of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). Can include. When the second conductivity-type semiconductor layer 140 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like.

상기 제2 도전형 반도체층(140)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p 형 불순물을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}가 주입되어 p형 GaN층이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second conductivity-type semiconductor layer 140 is a vicetyl cyclo containing p-type impurities such as trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and magnesium (Mg) in the chamber. Pentadienyl magnesium (EtCp 2 Mg) {Mg(C 2 H 5 C 5 H 4 ) 2 } may be implanted to form a p-type GaN layer, but is not limited thereto.

실시예에서 상기 제1도전형 제1반도체층(112a)과 제1도전형 제2반도체층(112b)은 n형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(116) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(110)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.In an embodiment, the first conductive type first semiconductor layer 112a and the first conductive type second semiconductor layer 112b may be implemented as an n-type semiconductor layer, and the second conductive type semiconductor layer 116 may be implemented as a p-type semiconductor layer. It can be, but is not limited thereto. In addition, a semiconductor, for example, an n-type semiconductor layer (not shown) having a polarity opposite to that of the second conductivity type may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 116. Accordingly, the light emitting structure 110 may be implemented in any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

상기 투광성 전극(150)은 상기 제2도전형 반도체층(140) 상에 형성될 수 있고, 상기 투광성 전극(150)은 투광성 오믹층을 포함할 수 있으며, 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 투광성 전극(150)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The light-transmitting electrode 150 may be formed on the second conductive type semiconductor layer 140, and the light-transmitting electrode 150 may include a light-transmitting ohmic layer, and a single metal for efficient carrier injection. Alternatively, it can be formed by stacking multiple metal alloys and metal oxides. For example, the light-transmitting electrode 150 may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and IGTO. (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON (IZO Nitride), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), It may be formed by including at least one of ZnO, IrOx, RuOx, and NiO, but is not limited to these materials.

상기 제1전극(160)은 상기 투광성 전극(150), 제2 도전형 반도체층(140), 초격자층(130), 확산방지층(120), 활성층(114), 제1도전형 제2반도체층(112b)의 일부를 식각하여 노출된 제1도전형 제1반도체층(112a)상에 배치될 수 있다.The first electrode 160 is the translucent electrode 150, the second conductivity type semiconductor layer 140, the super lattice layer 130, the diffusion barrier layer 120, the active layer 114, the first conductivity type second semiconductor A portion of the layer 112b may be etched and disposed on the exposed first conductive type first semiconductor layer 112a.

상기 제2전극(170)은 상기 투광성 전극 상에 배치될 수 있다.The second electrode 170 may be disposed on the translucent electrode.

도 2는 실시예에 따른 발광소자의 부분확대도이다.2 is a partially enlarged view of a light emitting device according to an embodiment.

도 2를 참조하면, 브이-피트를 포함하는 초격자층(130)은 확산방지층(120) 상에 배치되고, 상기 초격자층(130)은 MgN층(131a, 132a, ..., 139a)과 GaN층(131b, 132b, ..., 139b)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 초격자층(130)은 4쌍 이상 15쌍 이하의 MgN층과 GaN층이 교대로 배치될 수 있고, 바람직하게는 9쌍의 MgN층과 GaN층이 교대로 배치될 수 있다. 이에 따라, 막질의 효율을 개선시켜주고, 커런트 스프레딩이 개선되며, 홀농도를 증가시켜주는 효과가 있다. 나아가, 브이-피트를 잘 메꿔주어 ESD가 개선되는 효과가 있다.Referring to FIG. 2, the super lattice layer 130 including V-pit is disposed on the diffusion barrier layer 120, and the super lattice layer 130 is MgN layers 131a, 132a, ..., 139a. And GaN layers 131b, 132b, ..., 139b. That is, in the super lattice layer 130, 4 or more and 15 or less MgN layers and GaN layers may be alternately disposed, and preferably 9 pairs of MgN layers and GaN layers may be alternately disposed. Accordingly, there is an effect of improving the efficiency of the film quality, improving the current spreading, and increasing the hole concentration. Furthermore, it has the effect of improving ESD by filling the V-pit well.

도 3은 실시예에 따른 개선된 동작전압을 나타내는 그래프이다.3 is a graph showing an improved operating voltage according to an embodiment.

도 3을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자와 달리 확산방지층과 초격자층을 배치하지 않은 경우의 동작전압(reference)은 3.16V이고, 실시예에 따른 발광소자의 동작 전압(present invention)은 3.03V으로 낮아진 것을 알 수 있다. 즉, 실시예에 따른 발광소자는 막질의 효율이 개선되고 커런트 스프레딩이 개선되어 동작전압이 낮아질 수 있다. Referring to FIG. 3, unlike the light emitting device according to the embodiment, when the diffusion barrier layer and the superlattice layer are not disposed, the operating voltage (reference) is 3.16V, and the operating voltage of the light emitting device according to the embodiment (present invention) is It can be seen that it has been lowered to 3.03V. That is, in the light emitting device according to the embodiment, the efficiency of the film quality is improved, the current spreading is improved, and the operating voltage may be lowered.

도 4는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.

본 발명에 따른 발광 소자 패키지는 앞서 설명한 바와 같은 구조의 발광 소자가 장착될 수 있다.The light emitting device package according to the present invention may be equipped with a light emitting device having the structure as described above.

발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치되어 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(230)가 포함된다.The light emitting device package 200 includes a package body part 205, a third electrode layer 213 and a fourth electrode layer 214 disposed on the package body part 205, and the package body part 205. A light emitting device 100 disposed and electrically connected to the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214, and a molding member 230 surrounding the light emitting device 100 are included.

상기 패키지 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The package body part 205 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 are electrically separated from each other and serve to provide power to the light emitting device 100. In addition, the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 may serve to increase light efficiency by reflecting light generated from the light emitting device 100, and It can also play a role in discharging heat to the outside.

상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치되거나 상기 제3 전극층(213) 또는 제4 전극층(214) 상에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the package body part 205 or on the third electrode layer 213 or the fourth electrode layer 214.

상기 발광 소자(100)는 상기 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 각각 와이어를 통해 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device 100 may be electrically connected to the third electrode layer 213 and/or the fourth electrode layer 214 by any one of a wire method, a flip chip method, or a die bonding method. In the exemplary embodiment, the light emitting device 100 is electrically connected to the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 through wires, but is not limited thereto.

상기 몰딩부재(230)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(230)에는 형광체(232)가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 230 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 230 may include a phosphor 232 to change a wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 발광 소자가 구비된 조명 시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.5 to 7 are exploded perspective views illustrating embodiments of a lighting system including a light emitting device according to the embodiment.

도 5에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 본 발명에 따른 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.5, the lighting device according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a radiator 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. Can include. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include at least one of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include the light emitting device 100 or the light emitting device package 200 according to the present invention.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape with a hollow and an open portion. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the radiator 2400. The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the radiator 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 2100. The milky white paint may include a diffuser that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is to allow the light from the light source module 2200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent or opaque so that the light source module 2200 can be seen from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the radiator 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the radiator 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the radiator 2400 and has guide grooves 2310 into which a plurality of light source units 2210 and a connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate and the connector 2250 of the light source unit 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light reflected on the inner surface of the cover 2100 and returned toward the light source module 2200 toward the cover 2100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the radiator 2400. The radiator 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to radiate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating part 2710 of the inner case 2700. Accordingly, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in the storage groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide portion 2630, a base 2650, and an extension 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500. A number of components may be disposed on one surface of the base 2650. A number of components include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source to DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source module 2200, and an ESD for protecting the light source module 2200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension part 2670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection part 2750 of the inner case 2700. Each end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the extension part 2670, and the other end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the socket 2800. .

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding portion is a portion in which the molding liquid is solidified, and allows the power supply unit 2600 to be fixed inside the inner case 2700.

또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 조명 장치는 커버(3100), 광원부(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 상기 광원부(3200)는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다. In addition, as shown in Figure 6, the lighting device according to the present invention includes a cover 3100, a light source unit 3200, a radiator 3300, a circuit unit 3400, an inner case 3500, a socket 3600 can do. The light source unit 3200 may include a light emitting device or a light emitting device package according to the embodiment.

상기 커버(3100)는 벌브(bulb) 형상을 가지며, 속이 비어 있다. 상기 커버(3100)는 개구(3110)를 갖는다. 상기 개구(3110)를 통해 상기 광원부(3200)와 부재(3350)가 삽입될 수 있다. The cover 3100 has a bulb shape and is hollow. The cover 3100 has an opening 3110. The light source unit 3200 and the member 3350 may be inserted through the opening 3110.

상기 커버(3100)는 상기 방열체(3300)와 결합하고, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)를 둘러쌀 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합에 의해, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)는 외부와 차단될 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합은 접착제를 통해 결합할 수도 있고, 회전 결합 방식 및 후크 결합 방식 등 다양한 방식으로 결합할 수 있다. 회전 결합 방식은 상기 방열체(3300)의 나사홈에 상기 커버(3100)의 나사선이 결합하는 방식으로서 상기 커버(3100)의 회전에 의해 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이고, 후크 결합 방식은 상기 커버(3100)의 턱이 상기 방열체(3300)의 홈에 끼워져 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이다.The cover 3100 may be coupled to the radiator 3300 and surround the light source unit 3200 and the member 3350. By combining the cover 3100 and the radiator 3300, the light source unit 3200 and the member 3350 may be blocked from the outside. The cover 3100 and the radiator 3300 may be coupled through an adhesive, or may be coupled in a variety of ways, such as a rotation coupling method and a hook coupling method. The rotation coupling method is a method in which the thread of the cover 3100 is coupled to the screw groove of the radiator 3300, and the cover 3100 and the radiator 3300 are coupled by rotation of the cover 3100. It is a method, and the hook coupling method is a method in which the jaws of the cover 3100 are inserted into the grooves of the radiator 3300 so that the cover 3100 and the radiator 3300 are coupled.

상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)와 광학적으로 결합한다. 구체적으로 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)의 발광 소자(3230)로부터의 광을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(3100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 여기서, 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 여기시키기 위해, 내/외면 또는 내부에 형광체를 가질 수 있다. The cover 3100 is optically coupled to the light source unit 3200. Specifically, the cover 3100 may diffuse, scatter, or excite light from the light emitting element 3230 of the light source unit 3200. The cover 3100 may be a kind of optical member. Here, the cover 3100 may have a phosphor inside/outside or inside to excite light from the light source unit 3200.

상기 커버(3100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 여기서, 유백색 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(3100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(3100)의 외면의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 충분히 산란 및 확산시키기 위함이다.A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 3100. Here, the milky white paint may include a diffusion material that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 3100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 3100. This is to sufficiently scatter and diffuse the light from the light source unit 3200.

상기 커버(3100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(3100)는 외부에서 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)가 보일 수 있는 투명한 재질일 수 있고, 보이지 않는 불투명한 재질일 수 있다. 상기 커버(3100)는 예컨대 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 3100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 3100 may be a transparent material in which the light source unit 3200 and the member 3350 can be seen from the outside, or may be an invisible opaque material. The cover 3100 may be formed through, for example, blow molding.

상기 광원부(3200)는 상기 방열체(3300)의 부재(3350)에 배치되고, 복수로 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 측면에서도 상단부에 배치될 수 있다.The light source unit 3200 may be disposed on the member 3350 of the radiator 3300 and may be disposed in plurality. Specifically, the light source unit 3200 may be disposed on at least one of a plurality of side surfaces of the member 3350. In addition, the light source unit 3200 may be disposed on an upper end of the member 3350 as well.

상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 모든 측면들에 배치될 수 있다. 상기 광원부(3200)는 기판(3210)과 발광 소자(3230)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(3230)는 기판(3210)의 일 면 상에 배치될 수 있다. The light source unit 3200 may be disposed on three of the six side surfaces of the member 3350. However, the present invention is not limited thereto, and the light source unit 3200 may be disposed on all side surfaces of the member 3350. The light source unit 3200 may include a substrate 3210 and a light emitting device 3230. The light emitting device 3230 may be disposed on one surface of the substrate 3210.

상기 기판(3210)은 사각형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(3210)은 원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 상기 기판(3210)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판 위에 패키지 하지 않은 LED 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chips On Board) 타입을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(3210)은 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다. 상기 기판(3210)은 상기 방열체(3300)에 수납되는 상기 회로부(3400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)는 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)를 관통하여 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)를 연결시킬 수 있다.The substrate 3210 has a rectangular plate shape, but is not limited thereto and may have various shapes. For example, the substrate 3210 may have a circular or polygonal plate shape. The substrate 3210 may be a circuit pattern printed on an insulator, for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, etc. It may include. In addition, a COB (Chips On Board) type capable of directly bonding an unpackaged LED chip on a printed circuit board may be used. In addition, the substrate 3210 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be formed of a color whose surface reflects light efficiently, for example, white or silver. The substrate 3210 may be electrically connected to the circuit unit 3400 accommodated in the radiator 3300. The substrate 3210 and the circuit unit 3400 may be connected through, for example, a wire. A wire may pass through the radiator 3300 to connect the substrate 3210 and the circuit unit 3400.

상기 발광 소자(3230)는 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩이거나 UV를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩은 수평형(Lateral Type) 또는 수직형(Vertical Type)일 수 있고, 발광 다이오드 칩은 청색(Blue), 적색(Red), 황색(Yellow), 또는 녹색(Green)을 발산할 수 있다.The light emitting device 3230 may be a light emitting diode chip that emits red, green, and blue light or a light emitting diode chip that emits UV light. Here, the light emitting diode chip may be a horizontal type or a vertical type, and the light emitting diode chip may emit blue, red, yellow, or green. I can.

상기 발광 소자(3230)는 형광체를 가질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 어느 하나 이상일 수 있다. 또는 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 어느 하나 이상일 수 있다.The light emitting device 3230 may have a phosphor. The phosphor may be at least one of Garnet-based (YAG, TAG), silicate-based, nitride-based, and oxynitride-based. Alternatively, the phosphor may be any one or more of a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor.

상기 방열체(3300)는 상기 커버(3100)와 결합하고, 상기 광원부(3200)로부터의 열을 방열할 수 있다. 상기 방열체(3300)는 소정의 체적을 가지며, 상면(3310), 측면(3330)을 포함한다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에는 부재(3350)가 배치될 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)와 결합할 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)의 개구(3110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.The radiator 3300 may be coupled to the cover 3100 and radiate heat from the light source unit 3200. The radiator 3300 has a predetermined volume and includes an upper surface 3310 and a side surface 3330. A member 3350 may be disposed on the upper surface 3310 of the radiator 3300. The upper surface 3310 of the radiator 3300 may be coupled to the cover 3100. The upper surface 3310 of the radiator 3300 may have a shape corresponding to the opening 3110 of the cover 3100.

상기 방열체(3300)의 측면(3330)에는 복수의 방열핀(3370)이 배치될 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 측면(3330)에서 외측으로 연장된 것이거나 측면(3330)에 연결된 것일 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 방열 면적을 넓혀 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 측면(3330)은 상기 방열핀(3370)을 포함하지 않을 수도 있다.A plurality of radiating fins 3370 may be disposed on the side surface 3330 of the radiator 3300. The radiating fins 3370 may extend outward from the side surface 3330 of the radiator 3300 or may be connected to the side surface 3330. The heat dissipation fin 3370 may increase a heat dissipation area of the heat dissipation body 3300 to improve heat dissipation efficiency. Here, the side surface 3330 may not include the heat dissipation fin 3370.

상기 부재(3350)는 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에 배치될 수 있다. 상기 부재(3350)는 상면(3310)과 일체일 수도 있고, 상면(3310)에 결합된 것일 수 있다. 상기 부재(3350)는 다각 기둥일 수 있다. 구체적으로, 상기 부재(3350)는 육각 기둥일 수 있다. 육각 기둥의 부재(3350)는 윗면과 밑면 그리고 6 개의 측면들을 갖는다. 여기서, 상기 부재(3350)는 다각 기둥뿐만 아니라 원 기둥 또는 타원 기둥일 수 있다. 상기 부재(3350)가 원 기둥 또는 타원 기둥일 경우, 상기 광원부(3200)의 상기 기판(3210)은 연성 기판일 수 있다.The member 3350 may be disposed on the upper surface 3310 of the radiator 3300. The member 3350 may be integral with the upper surface 3310 or may be coupled to the upper surface 3310. The member 3350 may be a polygonal pillar. Specifically, the member 3350 may be a hexagonal column. The hexagonal column member 3350 has an upper surface and a lower surface and six side surfaces. Here, the member 3350 may be a circular pillar or an elliptical pillar as well as a polygonal pillar. When the member 3350 is a circular pillar or an elliptical pillar, the substrate 3210 of the light source unit 3200 may be a flexible substrate.

상기 부재(3350)의 6 개의 측면에는 상기 광원부(3200)가 배치될 수 있다. 6 개의 측면 모두에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있고, 6 개의 측면들 중 몇 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있다. 도 11에서는 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치되어 있다. The light source unit 3200 may be disposed on six side surfaces of the member 3350. The light source unit 3200 may be disposed on all six side surfaces, or the light source unit 3200 may be disposed on several of the six side surfaces. In FIG. 11, the light source unit 3200 is disposed on three of six side surfaces.

상기 부재(3350)의 측면에는 상기 기판(3210)이 배치된다. 상기 부재(3350)의 측면은 상기 방열체(3300)의 상면(3310)과 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 기판(3210)과 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. The substrate 3210 is disposed on the side of the member 3350. A side surface of the member 3350 may be substantially perpendicular to an upper surface 3310 of the radiator 3300. Accordingly, the substrate 3210 and the upper surface 3310 of the radiator 3300 may be substantially vertical.

상기 부재(3350)의 재질은 열 전도성을 갖는 재질일 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터 발생되는 열을 빠르게 전달받기 위함이다. 상기 부재(3350)의 재질로서는 예를 들면, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 주석(Sn) 등과 상기 금속들의 합금일 수 있다. 또는 상기 부재(3350)는 열 전도성을 갖는 열 전도성 플라스틱으로 형성될 수 있다. 열 전도성 플라스틱은 금속보다 무게가 가볍고, 단방향성의 열 전도성을 갖는 이점이 있다.The material of the member 3350 may be a material having thermal conductivity. This is to quickly receive heat generated from the light source unit 3200. The material of the member 3350 may be, for example, aluminum (Al), nickel (Ni), copper (Cu), magnesium (Mg), silver (Ag), tin (Sn), and an alloy of the metals. Alternatively, the member 3350 may be formed of a thermally conductive plastic having thermal conductivity. Thermally conductive plastics are lighter in weight than metals and have an advantage of having unidirectional thermal conductivity.

상기 회로부(3400)는 외부로부터 전원을 제공받고, 제공받은 전원을 상기 광원부(3200)에 맞게 변환한다. 상기 회로부(3400)는 변환된 전원을 상기 광원부(3200)로 공급한다. 상기 회로부(3400)는 상기 방열체(3300)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 회로부(3400)는 상기 내부 케이스(3500)에 수납되고, 상기 내부 케이스(3500)와 함께 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 회로부(3400)는 회로 기판(3410)과 상기 회로 기판(3410) 상에 탑재되는 다수의 부품(3430)을 포함할 수 있다. The circuit unit 3400 receives power from an external source and converts the supplied power to fit the light source unit 3200. The circuit unit 3400 supplies the converted power to the light source unit 3200. The circuit part 3400 may be disposed on the radiator 3300. Specifically, the circuit unit 3400 may be accommodated in the inner case 3500 and may be accommodated in the radiator 3300 together with the inner case 3500. The circuit part 3400 may include a circuit board 3410 and a plurality of components 3430 mounted on the circuit board 3410.

상기 회로 기판(3410)은 원형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 회로 기판(3410)은 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 이러한 회로 기판(3410)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있다. The circuit board 3410 has a circular plate shape, but is not limited thereto and may have various shapes. For example, the circuit board 3410 may have an oval or polygonal plate shape. The circuit board 3410 may be a circuit pattern printed on an insulator.

상기 회로 기판(3410)은 상기 광원부(3200)의 기판(3210)과 전기적으로 연결된다. 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)의 전기적 연결은 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)의 내부에 배치되어 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)을 연결할 수 있다. The circuit board 3410 is electrically connected to the board 3210 of the light source unit 3200. Electrical connection between the circuit board 3410 and the board 3210 may be connected through, for example, a wire. A wire may be disposed inside the radiator 3300 to connect the circuit board 3410 and the board 3210.

다수의 부품(3430)은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원부(3200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원부(3200)를 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있다.The plurality of components 3430 include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source to DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source unit 3200, and for protecting the light source unit 3200. It may include an electrostatic discharge (ESD) protection device.

상기 내부 케이스(3500)는 내부에 상기 회로부(3400)를 수납한다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 회로부(3400)를 수납하기 위해 수납부(3510)를 가질 수 있다. The inner case 3500 accommodates the circuit part 3400 therein. The inner case 3500 may have an accommodating part 3510 to accommodate the circuit part 3400.

상기 수납부(3510)는 예로서 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)의 형상은 상기 방열체(3300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)의 수납부(3510)는 상기 방열체(3300)의 하면에 형성된 수납부에 수납될 수 있다. The receiving part 3510 may have a cylindrical shape, for example. The shape of the receiving part 3510 may vary according to the shape of the radiator 3300. The inner case 3500 may be accommodated in the radiator 3300. The receiving part 3510 of the inner case 3500 may be accommodated in a receiving part formed on a lower surface of the radiator 3300.

상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합하는 연결부(3530)를 가질 수 있다. 상기 연결부(3530)는 상기 소켓(3600)의 나사홈 구조와 대응되는 나사산 구조를 가질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 부도체이다. 따라서, 상기 회로부(3400)와 상기 방열체(3300) 사이의 전기적 단락을 막는다. 예로서 상기 내부 케이스(3500)는 플라스틱 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The inner case 3500 may be coupled to the socket 3600. The inner case 3500 may have a connection part 3530 coupled to the socket 3600. The connection part 3530 may have a threaded structure corresponding to the screw groove structure of the socket 3600. The inner case 3500 is a non-conductor. Accordingly, an electric short between the circuit part 3400 and the heat dissipating body 3300 is prevented. For example, the inner case 3500 may be formed of a plastic or resin material.

상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)와 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)의 연결부(3530)와 결합될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 종래 재래식 백열 전구와 같은 구조를 가질 수 있다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)은 전기적으로 연결된다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)의 전기적 연결은 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 따라서, 상기 소켓(3600)에 외부 전원이 인가되면, 외부 전원은 상기 회로부(3400)로 전달될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 상기 연결부(3550)의 나사선 구조과 대응되는 나사홈 구조를 가질 수 있다.The socket 3600 may be coupled to the inner case 3500. Specifically, the socket 3600 may be coupled to the connection portion 3530 of the inner case 3500. The socket 3600 may have the same structure as a conventional incandescent light bulb. The circuit part 3400 and the socket 3600 are electrically connected. Electrical connection between the circuit unit 3400 and the socket 3600 may be connected through a wire. Accordingly, when external power is applied to the socket 3600, external power may be transmitted to the circuit unit 3400. The socket 3600 may have a screw groove structure corresponding to the screw wire structure of the connection part 3550.

또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 조명 장치 예컨대, 백라이트 유닛은 도광판(1210)과, 상기 도광판(1210)에 빛을 제공하는 발광모듈부(1240)와, 상기 도광판(1210) 아래에 반사 부재(1220)와, 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220)를 수납하는 바텀 커버(1230)를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.In addition, as shown in FIG. 7, a lighting device according to the present invention, for example, a backlight unit, includes a light guide plate 1210, a light-emitting module unit 1240 providing light to the light guide plate 1210, and the light guide plate 1210. A bottom cover 1230 accommodating the reflective member 1220, the light guide plate 1210, the light emitting module unit 1240, and the reflective member 1220 may be included below, but is not limited thereto.

상기 도광판(1210)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1210)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1210 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1210 is made of a transparent material, for example, an acrylic resin series such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may contain one of the resins.

상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 상기 백라이트 유닛이 배치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module unit 1240 provides light to at least one side of the light guide plate 1210, and ultimately acts as a light source of a display device in which the backlight unit is disposed.

상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는). 구체적으로는, 상기 발광모듈부(1240)은 기판(1242)과, 상기 기판(1242)에 탑재된 다수의 발광소자 패키지(200)를 포함하는데, 상기 기판(1242)이 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The light emitting module unit 1240 may contact the light guide plate 1210, but is not limited thereto). Specifically, the light emitting module unit 1240 includes a substrate 1242 and a plurality of light emitting device packages 200 mounted on the substrate 1242, wherein the substrate 1242 includes the light guide plate 1210 and It can be contacted, but is not limited thereto.

상기 기판(1242)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1242)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 1242 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1242 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB), and the like, but is not limited thereto.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1242) 상에 빛이 방출되는 발광면이 상기 도광판(1210)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.In addition, the plurality of light emitting device packages 200 may be mounted on the substrate 1242 so that a light emitting surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1210 by a predetermined distance.

상기 도광판(1210) 아래에는 상기 반사 부재(1220)가 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 상기 도광판(1210)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1220 may be formed under the light guide plate 1210. The reflective member 1220 reflects light incident on the lower surface of the light guide plate 1210 and directs it upward, thereby improving the luminance of the backlight unit. The reflective member 1220 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1230)는 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1230)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1230 may accommodate the light guide plate 1210, the light emitting module unit 1240, the reflective member 1220, and the like. To this end, the bottom cover 1230 may be formed in a box shape with an open top surface, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1230)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.The bottom cover 1230 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Although the embodiments have been described above, these are only examples and are not intended to limit the embodiments, and those of ordinary skill in the field to which the embodiments belong to, without departing from the essential characteristics of the present embodiment, various not illustrated above. It will be seen that branch transformation and application are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set in the appended claims.

100; 발광소자
112a; 제1도전형 제1반도체층
112b; 제1도전형 제2반도체층
114; 활성층
120; 확산방지층
130; 초격자층
140; 제2도전형 반도체층
150; 투광성 전극
160; 제1전극
170; 제2전극100; Light-emitting element
112a; First conductive type first semiconductor layer
112b; 1st conductive type 2nd semiconductor layer
114; Active layer
120; Diffusion barrier layer
130; Super lattice
140; Second conductive semiconductor layer
150; Translucent electrode
160; First electrode
170; Second electrode

Claims (15)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 브이-피트(v-pit)를 포함하는 제1도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층;
상기 활성층 상에 배치되는 확산방지층;
상기 확산방지층 상에 배치되는 초격자층; 및
상기 초격자층 상에 배치되는 제2도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제1도전형 반도체층은,
제1도전형 제1반도체층; 및
상기 제1도전형 제1반도체층 상에 배치되며 상기 브이-피트를 포함하는 제1도전형 제2반도체층을 포함하고,
상기 제1도전형 제1반도체층 상에 배치되며 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극; 및
상기 제2도전형 반도체층 상에 배치되며 상기 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극을 포함하고,
상기 초격자층은 MgN층과 GaN층이 교대로 배치되고,
상기 초격자층은 9쌍의 상기 MgN층과 상기 GaN층을 포함하고,
상기 확산방지층은 Mg이 상기 활성층 상에 유입되는 것을 방지하며, 0.8nm 이상 1.2nm 이하의 두께를 가지는 발광소자. Board;
A first conductive type semiconductor layer including a v-pit disposed on the substrate;
An active layer disposed on the first conductive semiconductor layer;
A diffusion barrier layer disposed on the active layer;
A super lattice layer disposed on the diffusion barrier layer; And
Including a second conductive type semiconductor layer disposed on the super lattice layer,
The first conductive type semiconductor layer,
A first conductive type first semiconductor layer; And
And a first conductive type second semiconductor layer disposed on the first conductive type first semiconductor layer and including the V-pit,
A first electrode disposed on the first conductive type semiconductor layer and electrically connected to the first conductive type semiconductor layer; And
And a second electrode disposed on the second conductive type semiconductor layer and electrically connected to the second conductive type semiconductor layer,
In the super lattice layer, an MgN layer and a GaN layer are alternately disposed,
The super lattice layer includes 9 pairs of the MgN layer and the GaN layer,
The diffusion barrier layer prevents Mg from flowing into the active layer, and a light emitting device having a thickness of 0.8 nm or more and 1.2 nm or less. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 브이-피트는 랜덤하게 형성하는 발광소자.The method of claim 1,
The V-pit is a light emitting device formed at random. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1도전형 제1반도체층 상부와 상기 제1도전형 제2반도체층의 브이-피트가 서로 만나는 발광소자.The method of claim 1,
A light emitting device in which an upper portion of the first conductive type semiconductor layer and the V-pit of the second conductive type semiconductor layer meet each other. 패키지 몸체부;
상기 패키지 몸체부 상에 배치되는 제3 및 제4 전극층;
상기 제3 및 제4 전극층과 전기적으로 연결되는 발광소자; 및
상기 발광소자를 밀봉하는 몰딩부재를 포함하고,
상기 발광소자는,
기판;
상기 기판 상에 배치되는 브이-피트(v-pit)를 포함하는 제1도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층;
상기 활성층 상에 배치되는 확산방지층;
상기 확산방지층 상에 배치되는 초격자층; 및
상기 초격자층 상에 배치되는 제2도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제1도전형 반도체층은,
제1도전형 제1반도체층; 및
상기 제1도전형 제1반도체층 상에 배치되며 상기 브이-피트를 포함하는 제1도전형 제2반도체층을 포함하고,
상기 제1도전형 제1반도체층 상에 배치되며 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극; 및
상기 제2도전형 반도체층 상에 배치되며 상기 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극을 포함하고,
상기 초격자층은 MgN층과 GaN층이 교대로 배치되고,
상기 초격자층은 9쌍의 상기 MgN층과 상기 GaN층을 포함하고,
상기 확산방지층은 Mg이 상기 활성층 상에 유입되는 것을 방지하며, 0.8nm 이상 1.2nm 이하의 두께를 가지는 발광소자 패키지.Package body;
Third and fourth electrode layers disposed on the package body;
A light emitting device electrically connected to the third and fourth electrode layers; And
Including a molding member sealing the light emitting device,
The light emitting device,
Board;
A first conductive type semiconductor layer including a v-pit disposed on the substrate;
An active layer disposed on the first conductive semiconductor layer;
A diffusion barrier layer disposed on the active layer;
A super lattice layer disposed on the diffusion barrier layer; And
Including a second conductive type semiconductor layer disposed on the super lattice layer,
The first conductive type semiconductor layer,
A first conductive type first semiconductor layer; And
And a first conductive type second semiconductor layer disposed on the first conductive type first semiconductor layer and including the V-pit,
A first electrode disposed on the first conductive type semiconductor layer and electrically connected to the first conductive type semiconductor layer; And
And a second electrode disposed on the second conductive type semiconductor layer and electrically connected to the second conductive type semiconductor layer,
In the super lattice layer, an MgN layer and a GaN layer are alternately disposed,
The super lattice layer includes 9 pairs of the MgN layer and the GaN layer,
The diffusion barrier layer prevents Mg from flowing into the active layer and has a thickness of 0.8 nm or more and 1.2 nm or less. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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