KR102247983B1 - 라운드형 발광소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

라운드형 발광소자를 개시한다. 본 발명은 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 포함하고, 상기 에피 구조체는 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.

Description

라운드형 발광소자 및 이의 제조 방법{ROUND TYPE PHOTONIC DEVICES AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 라운드형 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 발명으로서, 더욱 상세하게는 모서리가 둥근 형상을 갖는 라우든형 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 광소자는 p형과 n형 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭(Bandgap)에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자(Optoelectronic device)이다.
광소자에서 출력되는 빛의 양은 소자에 흐르는 전류에 비례하여 증가한다. 광소자는 반도체의 빠른 처리속도와 낮은 전력소모 등의 장점과 함께 환경 친화적이면서도 에너지 절약효과가 높아서 대형 전광판, 교통 신호등, 자동차 계기판 등 많은 분야에 사용되고 있다.
도 1은 일반적인 III-V족 에피 구조를 갖는 발광소자의 구조를 나타낸 단면도이고, 도 2는 발광소자의 형상을 나타내기 위한 평면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 발광소자(10)은 n형 반도체층(11)과, 활성층(12)과, p형 반도체층(13)을 구비한 에피 구조체가 설치되고, 상기 p형 반도체층(13)에는 제1 전극(14)이 형성되고, n형 반도체층(11)에는 제2 전극(15)이 형성된다.
그러나, 종래 기술에 따른 발광소자는 모서리가 직각 형상을 가지고 있으며, 이러한 직각 형상의 모서리를 갖는 발광소자는 외부 충격에 의해 모서리가 쉽게 깨지는 문제점이 있다.
또한, 활성층에서 발생되는 광이 모서리로 인해 발광소자 밖으로 쉽게 빠져 나가지 못해 발광효율이 감소되는 문제점이 있다.
한국 등록특허공보 등록번호 제10-1329442호(발명의 명칭: 셀 구조의 발광소자 제조방법}
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 모서리가 둥근 형상을 갖는 라우든형 발광소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예는 라운드형 발광소자로서, n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 포함한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 에피 구조체는 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 에피 구조체는 가로 방향 길이가 세로 방향 길이와 동일한 사각형상 또는 긴 장방형상으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 모서리는 동일한 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 모서리는 서로 다른 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시 예는 라운드형 발광소자의 제조방법으로서, a) 분리층이 증착된 기판에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체 상에 제1 전극을 형성하는 단계; b) 상기 에피 구조체를 플렉서블 필름에 접착층을 이용하여 접착하고, 상기 분리층을 에칭하여 상기 플렉서블 필름의 장력과 기판의 중력을 통해 상기 에피 구조체로부터 기판을 분리하는 단계; c) 상기 기판이 분리된 에피 구조체를 개별 발광소자로 구획하고, 상기 개별 발광소자의 모서리가 둥글게 제거되도록 마스크 패턴부를 형성하는 단계; d) 상기 에피 구조체를 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 개별 발광소자에 제2 전극과 패시베이션층을 형성하는 단계; e) 상기 제2 전극이 형성된 개별 발광소자에 반사막과 본딩전극을 형성하고, 상기 본딩전극에 접착층을 이용하여 지지부를 접착하는 단계; 및 f) 상기 플렉서블 필름을 제거하고, 상기 지지부로부터 개별 발광소자를 분리하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 c) 단계의 마스크 패턴부는 가로 방향 길이가 세로 방향 길이와 동일한 사각형상 또는 긴 장방형상으로 이루어지고, 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시 예는 라운드형 발광소자의 제조방법으로서, i) 분리층이 증착된 기판에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체를 개별 발광소자로 구획하며, 상기 개별 발광소자의 모서리가 둥글게 제거되도록 마스크 패턴부를 형성하는 단계; ii) 상기 에피 구조체를 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 에피 구조체 상에 제1 전극과 패시베이션층을 형성하는 단계; iii) 상기 제1 전극(140)이 형성된 개별 발광소자에 반사막과 본딩전극을 형성하고, 상기 본딩전극에 접착층을 이용하여 플렉서블 필름을 접착하는 단계; iv) 상기 분리층을 에칭하여 상기 플렉서블 필름의 장력과 기판의 중력을 통해 상기 에피 구조체로부터 기판을 분리하는 단계; 및 v) 상기 기판이 분리된 에피 구조체에 제2 전극을 설치하여 개별 발광소자를 형성하고, 상기 플렉서블 필름으로부터 개별 발광소자를 분리하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 i) 단계의 마스크 패턴부는 가로 방향 길이는 세로 방향 길이 보다 긴 장방형상으로 이루어지고, 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 마스크 패턴부의 모서리는 동일한 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 마스크 패턴부의 모서리는 서로 다른 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 한다.
본 발명은 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 활성층에서 발생되는 빛이 소자 밖으로 쉽게 출력되어 발광효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 모서리의 파손으로 인한 발광소자의 불량률을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 열에 의한 변형을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 열에 의한 변형이 감소될 수 있어서 초박형화가 가능한 장점이 있다.
도 1은 일반적인 III-V족 에피 구조를 갖는 발광소자의 구조를 나타낸 단면도.
도 2는 도 1에 따른 발광소자를 나타낸 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자를 나타낸 평면도.
도 4는 도 3에 따른 라운드형 발광소자를 나타낸 단면도.
도 5는 도 3에 따른 라운드형 발광소자의 모서리 가공 과정을 설명하기 위한 예시도.
도 6은 도 3에 따른 라운드형 발광소자의 형상을 나타낸 예시도.
도 7은 도 3에 따른 라운드형 발광소자의 형상을 나타낸 다른 예시도.
도 8은 도 3에 따른 라운드형 발광소자의 형상을 나타낸 또 다른 예시도.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 예시도.
도 10은 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 다른 예시도.
도 11은 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 또 다른 예시도.
도 12는 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 또 다른 예시도.
도 13은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 예시도.
도 14는 도 13에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 다른 예시도.
도 15는 도 13에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 또 다른 예시도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자 및 이의 제조 방법의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다는 표현은 다른 구성요소를 배제하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
또한, "‥부", "‥기", "‥모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어, 또는 그 둘의 결합으로 구분될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3에 따른 라운드형 발광소자를 나타낸 단면도이며, 도 5는 도 3에 따른 라운드형 발광소자의 모서리 가공 과정을 설명하기 위한 예시도이다.
도 3 내지 도 5에 나타낸 바와 같이, 라운드형 발광소자(100)는 n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)으로 구성된 에피 구조체(103)를 포함하고, 상기 에피 구조체(103)는 적어도 하나의 모서리(e1, e2, e3, e4)가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거되어 이루어진다.
본 실시 예에서는 n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)이 순차적으로 적층된 구조의 에피 구조체(103)를 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니고, p형 반도체층(130), 활성층(120), n형 반도체층(110) 순서로 적층될 수도 있다.
상기 에피 구조체(103)는 가로 방향 길이(d1)가 세로 방향 길이(d2)와 같은 사각형상 또는 가로 방향 길이(d1)가 세로 방향 길이(d2)보다 긴 장방형상으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 에피 구조체(103)의 네 모서리(e1, e2, e3, e4)는 동일한 크기의 반지름을 갖도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 모서리(e1, e2, e3, e4)는 개별 모서리가 서로 다른 크기의 반지름인 r1, r2, r3, r4를 갖도록 혼합한 형태로 라운딩하여 구성될 수 있다.
여기서 r1은 d2/50 ≤ r1 ≤ d2/2 범위의 값을 갖도록 이루어지고, r1의 최대 반지름은 d2/2 이다.
또한, 개별 모서리의 반지름 크기는 d2/50 ≤ r4 ≤ r3 ≤ r2 ≤r1 이 되도록 구성될 수 있다.
따라서, 도 6 내지 도 8에 나타낸 바와 같이, 모서리가 다양한 반지름 크기를 갖도록 구성될 수 있다.
상기 모서리의 라운드 형상은 상기된 반지름 크기를 갖는 마스크를 포토레지스트 과정을 통해 제작하고, Dry 에칭, Wet 에칭 또는 Dry + Wet 에칭을 통해 구성될 수 있다.
또한, 상기 라운드형 발광소자(100)는 전체적인 두께가 30㎛를 넘지 않도록 구성된 초박형 소자로 구성될 수 있다.
다음은 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 설명한다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 예시도이고, 도 10은 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 다른 예시도이며, 도 11은 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 또 다른 예시도이고, 도 12는 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 또 다른 예시도이다.
도 9(a)에 나타낸 바와 같이, 라운드형 발광소자는 분리층(102)이 증착된 기판(101)에 n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)으로 구성된 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체의 p형 반도체층(130) 상에 제1 전극(140)을 형성한다.
상기 분리층(102)은 기판(101) 상에 AlGaInP 계열의 에피 구조체가 성장되면 AlAs를 분리층(102)으로 사용하고, 상기 기판(101) 상에 InGaAs 계열의 에피 구조체가 성장되면 GaInP를 분리층(102)으로 사용한다.
이후, 도 9(b) 및 도 9(c)에 나타낸 바와 같이, 에피 구조체를 플렉서블 필름(300)에 접착할 수 있도록 p형 반도체층(130)과 제1 전극(140) 상에 접착층(200)을 형성하여 에피 구조체가 플렉서블 필름(300)에 접착되도록 한다.
상기 접착층(200)은 UV에 노출되면 결합력이 줄어들어 분리하기 쉬운 UV접착제, 열을 가하면 녹아서 분리하기 쉬운 왁스 또는 파라핀, 아세톤에 잘녹는 포토레지스트, 산에 잘녹는 In 같은 금속, 레이저 조사시 광흡수에 의해 계면 분리하기 쉬운 폴리이미드 등을 사용할 수 있다.
상기 플렉서블 필름(300)은 테프론 필름, PET 필름, 캡톤(Capton) 필름 중 하나를 사용하며, 투명 재질로 두께가 10 ~ 200㎛인 것이 바람직하다.
상기 에피 구조체를 플렉서블 필름(300)에 접착한 다음, 도 10(a) 및 도 10(b)와 같이 분리층(102)을 에칭하고, 이때, 상기 플렉서블 필름(300)의 휘어지도록 구부려 플렉서블 필름(300)의 장력과 기판(101)의 중력을 통해 상기 에피 구조체(103)로부터 기판(101)이 분리되도록 한다.
또한, AlAs를 분리층(102)으로 사용하는 경우 에칭이 용이한 HF계 에칭 용액을 사용하여 분리하고, GaInP를 분리층(102)으로 사용하는 경우 HCl계 에칭 용액을 사용하여 분리할 수 있다.
상기 에피 구조체로부터 기판(101)이 분리되면, 도 10c)와 같이 n형 반도체층(110) 상에 개별 발광소자로 구획하고, 상기 개별 발광소자의 모서리가 둥글게 제거되도록 마스크 패턴부(400)를 형성한다.
상기 마스크 패턴부(400)는 에피 구조체의 가로 방향 길이(d1)와 세로 방향 길이(d2)가 같은 사각형상 또는 에피 구조체의 가로 방향 길이(d1)가 세로 방향 길이(d2)보다 긴 장방형상으로 구성될 수 있도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 마스크 패턴부(400)는 에피 구조체의 네 모서리가 동일한 크기의 반지름을 갖도록 형성될 수 있도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 마스크 패턴부(400)는 에피 구조체의 개별 모서리가 서로 다른 크기의 반지름인 r1, r2, r3, r4를 갖도록 혼합한 형태로 라운딩하여 구성될 수 있다.
여기서 r1은 d2/50 ≤ r1 ≤ d2/2 범위의 값을 갖도록 이루어지고, r1의 최대 반지름은 d2/2 이며, 개별 모서리의 반지름 크기가 d2/50 ≤ r4 ≤ r3 ≤ r2 ≤r1 이 되도록 구성될 수 있다.
이후, 도 11(a)와 같이, 에피 구조체의 에칭 영역(410)을 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 개별 발광소자로부터 마스크 패턴부(400)를 제거한 다음 도 11(b)와 같이, n형 반도체층(110)에 제2 전극(150)과 광효율 저하를 막기 위해 SiNx 유전체 박막을 이용하여 표면을 보호하는 패시베이션층(500)을 형성한다.
또한, 도 11(c)와 같이 상기 제2 전극(150)이 형성된 개별 발광소자에 에피 구조체의 활성층(120)에서 형성된 빛을 효과적인 방향으로 반사시키기 위해 반사도가 높은 금속, 예를 들면 Ag, Au, Al, Cu 등 및 혼합물 형태의 반사도가 높은 금속을 증착하여 반사막(600)을 형성한다.
또한, SiO2, Al2O3, Si3N4 등 유전체를 이용하여 DBR 형태의 반사층을 구비할 수도 있고, 유전체+고반사 금속이 결합된 형태의 반사층으로 구성할 수도 있다.
또한, 개별 소자를 원하는 곳에 고정하기 위해 Au와 같은 금속을 이용하여 본딩전극(700)을 형성한다.
이후, 플렉서블 필름(300)을 제거하기 위해, 도 12(a)와 같이 본딩전극에 접착층(810)을 이용하여 지지부(800)를 접착하고, 도 12(b)와 같이, UV를 이용하여 접착층(200)이 분리되도록 한다.
즉, 접착층(200)이 UV 접착제로 이루어진 경우 UV 광을 플렉서블 필름(300)과 에피 구조체 및 접착층(200) 사이의 계면에 조사하면, 상기 접착층(200)과 에피 구조체 사이의 계면이 박리되어 플렉서블 필름(300)이 분리된다.
또한, 상기 접착층(200)이 왁스 또는 파라핀 등으로 구성된 경우 열을 공급하여 상기 접착층(200)이 용융되도록 하여 접착력이 약해지도록 하고, 상기 접착층(200)이 포토레지스트로 구성된 경우는 아세톤으로 용융시키며, 금속인 경우 산을 이용하여 용융시키고, 폴리이미드인 경우 레이저를 조사하여 계면 분리시켜 플렉서블 필름(300)을 제거한다.
플렉서블 필름(300)이 제거되면, 도 12(c)와 같이, 이동부(900)를 이용하여 하고, 상기 지지부(800)로부터 개별 발광소자를 분리하는 이동한다.
다음은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 라운드형 발광소자의 제조방법을 도 13 내지 도 15를 참조하여 설명한다.
한편, 동일한 구성요소에 대한 반복적인 설명은 생략하고, 동일한 구성요소에 대하여 동일한 도면부호를 사용한다.
도 13(a)에 나타낸 바와 같이, 라운드형 발광소자는 분리층(102)이 증착된 기판(101)에 n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)으로 구성된 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체의 p형 반도체층(130) 상에 개별 발광소자로 구획하며, 상기 개별 발광소자의 모서리가 둥글게 제거되도록 마스크 패턴부(400)를 형성한다.
이후, 도 13(b)와 같이 에피 구조체의 에칭 영역(410)을 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 개별 발광소자로부터 마스크 패턴부(400)를 제거한 다음 도 13(c)와 같이, p형 반도체층(110)에 제1 전극(140)을 형성하며, 광효율 저하를 막기 위해 SiNx 유전체 박막을 이용하여 표면을 보호하는 패시베이션층(500)을 형성한다.
또한, 도 13(d)와 같이 상기 제1 전극(140)이 형성된 개별 발광소자에 에피 구조체의 활성층(120)에서 형성된 빛을 효과적인 방향으로 반사시키기 위해 반사도가 높은 금속, 예를 들면 Ag, Au, Al, Cu 등 및 혼합물 형태의 반사도가 높은 금속을 증착하여 반사막(600)을 형성한다.
또한, SiO2, Al2O3, Si3N4 등 유전체를 이용하여 DBR 형태의 반사층을 구비할 수도 있고, 유전체+고반사 금속이 결합된 형태의 반사층으로 구성할 수도 있다.
또한, 개별 소자를 원하는 곳에 고정하기 위해 Au와 같은 금속을 이용하여 반사막(600)에 본딩전극(700)을 형성한다.
이후, 도 14(a)와 같이 접착층(200)을 형성하여 플렉서블 필름(300)에 접착하고, 도 14(b) 및 도 14(c)와 같이 분리층(102)을 에칭하여 상기 플렉서블 필름(300)의 장력과 기판(101)의 중력을 통해 상기 에피 구조체로부터 기판(101)을 분리한다.
상기 기판(101)이 분리되면, 도 15(a)와 같이 노출된 에피 구조체의 n형 반도체층(110)에 에 제2 전극(150)을 설치하여 개별 발광소자를 형성한다.
이후, 플렉서블 필름(300)을 제거하기 위해, 도 15(b)와 같이 UV를 이용하여 접착층(200)이 분리되도록 한다.
상기 접착층(200)이 UV 접착제로 이루어진 경우 UV 광을 플렉서블 필름(300)과 발광소자(100)와 접착층(200) 사이의 계면에 조사하면, 상기 접착층(200)과 발광소자(100) 사이의 계면이 박리되고, 도 15(c)와 같이 이동부(900)를 통해 발광소자(100)를 플렉서블 필름(300)으로부터 분리하여 이동되도록 한다.
또한, 상기 접착층(200)이 왁스 또는 파라핀 등으로 구성된 경우 열을 공급하여 상기 접착층(200)이 용융되도록 하여 접착력이 약해지도록 하고, 상기 접착층(200)이 포토레지스트로 구성된 경우는 아세톤으로 용융시키며, 금속인 경우 산을 이용하여 용융시키고, 폴리이미드인 경우 레이저를 조사하여 계면 분리시켜 플렉서블 필름(300)으로부터 발광소자(100)를 분리 및 이동한다.
따라서, 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 활성층에서 발생되는 빛이 소자 밖으로 쉽게 출력되어 발광효율을 향상시킬 수 있고, 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 모서리의 파손으로 인한 발광소자의 불량률을 감소시킬 수 있게 된다.
또한, 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 열에 의한 변형을 최소화 할 수 있고, 열에 의한 변형을 감소시킴으로써, 초박형화가 가능하게 된다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 도면번호는 설명의 명료성과 편의를 위해 기재한 것일 뿐 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예를 설명하는 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있으며, 상술된 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로, 이러한 용어들에 대한 해석은 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
100 : 발광소자 101 : 기판
102 : 분리층 103 : 에피 구조체
110 : n형 반도체층 120 : 활성층
130 : p형 반도체층 140 : 제1 전극
150 : 제2 전극 200 : 접착층
300 : 플렉서블 필름 400 : 마스크 패턴부
410 : 에칭 영역 500 : 패시베이션층
600 : 반사막 700 : 본딩 전극
800 : 지지부 810 : 접착층
900 : 이동부

Claims (10)

  1. n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)으로 구성된 에피 구조체(103)를 포함하고,
    상기 에피 구조체(103)는 적어도 하나의 모서리(e1, e2, e3, e4)가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거되되,
    상기 모서리(e1, e2, e3, e4)는 개별 모서리가 서로 다른 크기의 반지름인 r1, r2, r3, r4 - 여기서 r1은 d2/50 ≤ r1 ≤ d2/2 범위의 값을 갖도록 이루어지고, r1의 최대 반지름은 d2/2 이며, d2는 세로 방향 길이 임 - 를 갖도록 혼합한 형태로 라운딩되며,
    상기 개별 모서리의 반지름 크기는 d2/50 ≤ r4 ≤ r3 ≤ r2 ≤r1 이 되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에피 구조체(103)는 가로 방향 길이(d1)가 세로 방향 길이(d2)와 동일한 사각형상 또는 긴 장방형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. a) 분리층(102)이 증착된 기판(101)에 n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)으로 구성된 에피 구조체(103)를 형성하고, 상기 에피 구조체(103) 상에 제1 전극(140)을 형성하는 단계;
    b) 상기 에피 구조체(103)를 플렉서블 필름(300)에 접착층(200)을 이용하여 접착하고, 상기 분리층(102)을 에칭하여 상기 플렉서블 필름(300)의 장력과 기판(101)의 중력을 통해 상기 에피 구조체(103)로부터 기판(101)을 분리하는 단계;
    c) 상기 기판(101)이 분리된 에피 구조체(103)를 개별 발광소자로 구획하고, 상기 에피 구조체(103)는 적어도 하나의 모서리(e1, e2, e3, e4)가 일정 크기의 반지름을 갖도록 개별 모서리가 서로 다른 크기의 반지름인 r1, r2, r3, r4 - 여기서 r1은 d2/50 ≤ r1 ≤ d2/2 범위의 값을 갖도록 이루어지고, r1의 최대 반지름은 d2/2 이며, d2는 세로 방향 길이 임 - 를 갖도록 혼합한 형태로 라운딩되며, 상기 개별 모서리의 반지름 크기는 d2/50 ≤ r4 ≤ r3 ≤ r2 ≤r1 이 되도록 둥글게 제거하는 마스크 패턴부(400)를 형성하는 단계;
    d) 상기 에피 구조체(103)를 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 개별 발광소자에 제2 전극(150)과 패시베이션층(500)을 형성하는 단계;
    e) 상기 제2 전극(150)이 형성된 개별 발광소자에 반사막(600)과 본딩전극(700)을 형성하고, 상기 본딩전극(700)에 접착층(810)을 이용하여 지지부(800)를 접착하는 단계; 및
    f) 상기 플렉서블 필름(300)을 제거하고, 상기 지지부(800)로부터 개별 발광소자를 분리하는 단계를 포함하는 라운드형 발광소자의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 c) 단계의 마스크 패턴부(400)는 가로 방향 길이가 세로 방향 길이와 동일한 사각형상 또는 긴 장방형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자의 제조방법.
  7. i) 분리층(102)이 증착된 기판(101)에 n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)으로 구성된 에피 구조체(103)를 형성하고, 상기 에피 구조체(103)를 개별 발광소자로 구획하며, 상기 에피 구조체(103)는 적어도 하나의 모서리(e1, e2, e3, e4)가 일정 크기의 반지름을 갖도록 개별 모서리가 서로 다른 크기의 반지름인 r1, r2, r3, r4 - 여기서 r1은 d2/50 ≤ r1 ≤ d2/2 범위의 값을 갖도록 이루어지고, r1의 최대 반지름은 d2/2 이며, d2는 세로 방향 길이 임 - 를 갖도록 혼합한 형태로 라운딩되며, 상기 개별 모서리의 반지름 크기는 d2/50 ≤ r4 ≤ r3 ≤ r2 ≤r1 이 되도록 둥글게 제거하는 마스크 패턴부(400)를 형성하는 단계;
    ii) 상기 에피 구조체(103)를 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 에피 구조체(103) 상에 제1 전극(140)과 패시베이션층(500)을 형성하는 단계;
    iii) 상기 제1 전극(140)이 형성된 개별 발광소자에 반사막(600)과 본딩전극(700)을 형성하고, 상기 본딩전극(700)에 접착층(200)을 이용하여 플렉서블 필름(300)을 접착하는 단계;
    iv) 상기 분리층(102)을 에칭하여 상기 플렉서블 필름(300)의 장력과 기판(101)의 중력을 통해 상기 에피 구조체(103)로부터 기판(101)을 분리하는 단계; 및
    v) 상기 기판(101)이 분리된 에피 구조체(103)에 제2 전극(150)을 설치하여 개별 발광소자를 형성하고, 상기 플렉서블 필름(300)으로부터 개별 발광소자를 분리하는 단계를 포함하는 라운드형 발광소자의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 i) 단계의 마스크 패턴부(400)는 가로 방향 길이는 세로 방향 길이 보다 긴 장방형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
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