KR102242572B1 - 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법 및 장치 - Google Patents

플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법 및 장치에 관한 것으로, 전자장치는 수신된 플라즈마 시뮬레이션 시작신호에 따라 기저장된 통합데이터를 호출하는 단계, 전자장치는 하나 이상의 가스 종과 유량을 설정하는 단계, 전자장치는 통합데이터, 하나 이상의 가스 종 및 유량을 기반으로 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계 및 전자장치는 선행 시뮬레이션의 결과를 기반으로 적어도 하나의 반응 종을 선택하여 플라즈마 시뮬레이션을 수행하는 단계를 포함하며 다른 실시 예로도 적용이 가능하다.

Description

플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법 및 장치{Method and Apparatus for Simulating of Plasma Source}
본 발명은 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법 및 장치에 관한 것이다.
플라즈마 장비 특성을 분석하기 위해 플라즈마 시뮬레이터를 이용하여 플라즈마 장비의 내부 상태를 계산하고 물리적 현상을 설명하는 것은 시간과 비용을 절감하는데 있어서 매우 중요한 작업이다. 이러한 플라즈마 시뮬레이터를 이용하여 플라즈마 장비 특성을 분석하기 위해서는 플라즈마 장비 내에서 발생하는 물리화학 반응 데이터가 반드시 필요하다. 이와 같은 반응 데이터는 플라즈마 방전 시에 생성되는 하나 혹은 복수의 종(species)에 대한 반응 계수를 포함하고, 플라즈마 장비에 주입되는 가스별로 관리되거나 가스가 통합된 상태에서 관리된다.
플라즈마 장비로 주입되는 가스별로 반응 데이터를 관리할 경우 반응 데이터 각각에 대한 용량이 작고, 플라즈마 방전 시에 발생하는 종들만 포함하고 있어서 계산 효율이 좋다. 그러나, 새로운 가스를 혼합하고자 할 때는, 혼합할 때마다 새로운 반응 데이터 파일을 생성해야 하는 번거로움이 발생한다. 이러한 번거로움을 방지하기 위해 방전 데이터를 통합하여 관리하기도 하나, 플라즈마 방전 시에 발생하지 않을 수도 있는 종에 대한 반응 데이터도 포함하고 있어 계산 효율이 저하되는 문제점이 발생한다.
이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시 예들은 플라즈마 시뮬레이션 수행 이전에 복수의 종(species)에 대한 반응을 기반으로 플라즈마 방전 시에 생성될 수 있는 적어도 하나의 종을 선택하여 시뮬레이션에서 고려해야 하는 반응과 종을 최소화하여 계산 효율을 높일 수 있는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법은, 전자장치는 수신된 플라즈마 장비의 시뮬레이션 시작신호에 따라 기저장된 통합데이터를 호출하는 단계, 상기 전자장치는 하나 이상의 가스 종과 유량을 설정하는 단계, 상기 전자장치는 상기 통합데이터, 상기 하나 이상의 가스 종 및 유량을 기반으로 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계 및 상기 전자장치는 상기 선행 시뮬레이션의 결과를 기반으로 적어도 하나의 반응 종을 선택하여 상기 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계는, 상기 통합데이터를 기반으로 상기 하나 이상의 가스 종에 대한 반응계수를 추출하는 단계 및 상기 반응계수와 상기 유량을 적어도 하나의 방정식에 대입하여 상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 반응계수와 상기 유량을 적어도 하나의 방정식에 대입하여 상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계는, 상기 플라즈마 장비로 유입되는 상기 하나 이상의 가스 종에 대한 밀도 초기값은 이상기체상태방정식으로부터 도출된 유량비를 기반으로 설정되고, 전자밀도를 0보다 큰 값으로 설정하고, 상기 하나 이상의 가스 종을 제외한 종의 밀도를 0으로 설정하여 상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계인 것을 특징으로 한다.
또한, 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 수행하는 단계는, 상기 선행 시뮬레이션의 수행에 따라 상기 하나 이상의 가스 종에서 반응이 발생된 가스 종을 상기 반응 종으로 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 반응 종으로 선택하는 단계는, 상기 선행 시뮬레이션의 수행에 따라 결과값으로 도출된 상기 반응 종의 밀도와 전자 온도를 상기 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 위한 초기값으로 적용하는 단계인 것을 특징으로 한다.
아울러, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 시뮬레이션 장치는, 플라즈마 장비의 시뮬레이션 시작신호를 입력받는 입력부, 통합데이터를 저장하는 메모리 및 하나 이상의 가스 종 및 유량을 설정하고, 상기 시작신호에 따라 호출된 상기 통합데이터, 상기 하나 이상의 가스 종 및 유량을 기반으로 선행 시뮬레이션을 수행하고, 상기 선행 시뮬레이션의 결과를 기반으로 적어도 하나의 반응 종을 선택하여 상기 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 수행하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제어부는, 상기 호출된 통합데이터를 기반으로 상기 하나 이상의 가스 종에 대한 반응계수를 추출하고, 상기 반응계수와 상기 유량을 적어도 하나의 방정식에 대입하여 상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제어부는, 상기 플라즈마 장비로 유입되는 상기 하나 이상의 가스 종에 대한 밀도 초기값은 이상기체상태방정식으로부터 도출된 유량비를 기반으로 설정되고, 전자밀도를 0보다 큰 값으로 설정하고, 상기 하나 이상의 가스 종을 제외한 종의 밀도를 0으로 설정하여 상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제어부는, 상기 선행 시뮬레이션의 수행에 따라 상기 하나 이상의 가스 종에서 반응이 발생된 가스 종을 상기 반응 종으로 선택하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제어부는, 상기 선행 시뮬레이션의 수행에 따라 결과값으로 도출된 상기 반응 종의 밀도와 전자 온도를 상기 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 위한 초기값으로 적용하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법 및 장치는, 플라즈마 장비의 시뮬레이션 수행 이전에 복수의 종(species)에 대한 반응을 기반으로 적어도 하나의 종을 선택하여 선행 시뮬레이션을 수행하여 시뮬레이션에서 고려해야 하는 반응과 종을 최소화함으로써 시뮬레이션 시에 소모되는 방대한 계산 시간을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 제어하는 전자장치의 주요 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 위한 메인 화면을 나타낸 화면예시도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 메인 화면에서 플라즈마 장비의 시뮬레이션 조건을 입력하기 위한 화면을 나타낸 화면예시도이다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 형태를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부된 도면과 함께 이하에 개시될 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시형태를 설명하고자 하는 것이며, 본 발명이 실시될 수 있는 유일한 실시형태를 나타내고자 하는 것이 아니다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략할 수 있고, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, “또는”, “적어도 하나” 등의 표현은 함께 나열된 단어들 중 하나를 나타내거나, 또는 둘 이상의 조합을 나타낼 수 있다. 예를 들어, “A 또는 B”, “A 및 B 중 적어도 하나”는 A 또는 B 중 하나만을 포함할 수 있고, A와 B를 모두 포함할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 제어하는 전자장치의 주요 구성을 나타낸 도면이다. 본 발명에서의 전자장치(100)는 플라즈마 장비(미도시) 내부에서의 다양한 물리/화학적 변화에 대한 기초적 이론을 규명하는 이론적 모델인 다수의 이론모듈을 구비하며, 이론모듈의 이론적 모델을 수치해석하여 플라즈마 장비를 전산모사한다. 이때, 이론적 모델은 전자 및 이온들과 같이 전하를 띄는 성분들의 물리/화학적 현상을 규명하는 모델 플라즈마에서 형성되는 전자장에 관하여 규명하는 모델, 전하를 띄지 않는 화학종들의 반응 및 유동에 관하여 규명하는 모델, 플라즈마 내에서 미립자의 생성 및 성장에 관하여 규명하는 모델, 미립자의 유동에 관하여 규명하는 모델, 웨이퍼 표면에서의 화학종과 이온에 의한 박막 형성 및 식각 현상에 관하여 규명하는 모델을 포함할 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 전자장치(100)는 통신부(110), 입력부(120), 표시부(130), 메모리(140) 및 제어부(150)를 포함한다. 본 발명에 따른 전자장치(100)는 플라즈마 시뮬레이션 프로그램을 이용할 수 있는 컴퓨터, 랩탑 등의 전자장치일 수 있다.
통신부(110)는 외부장치(미도시)와의 통신을 수행한다. 이를 위해, 통신부(110)는 5G(5th generation communication), LTE-A(long term evolution-advanced), LTE(long term evolution), Wi-Fi(wireless fidelity), 블루투스, BLE(bluetooth low energy), NFC(near field communication) 등의 무선 통신을 수행할 수 있고, 케이블 통신 등의 유선 통신을 수행할 수 있다.
입력부(120)는 전자장치(100)의 사용자 입력에 대응하여 입력데이터를 발생시킨다. 이를 위해, 입력부(120)는 적어도 하나의 입력수단을 포함한다. 입력부(120)는 키보드(key board), 키패드(key pad), 돔 스위치(dome switch), 터치패널(touch panel), 터치 키(touch key), 마우스(mouse), 메뉴 버튼(menu button) 등을 포함할 수 있다.
표시부(130)는 전자장치(100)의 동작에 따른 표시 데이터를 표시한다. 표시부(130)는 액정 디스플레이(LCD; liquid crystal display), 발광 다이오드(LED; light emitting diode) 디스플레이, 유기 발광 다이오드(OLED; organic LED) 디스플레이, 마이크로 전자기계 시스템(MEMS; micro electro mechanical systems) 디스플레이 및 전자 종이(electronic paper) 디스플레이를 포함한다. 표시부(130)는 입력부(120)와 결합되어 터치 스크린(touch screen)으로 구현될 수 있다.
메모리(140)는 전자장치(100)의 동작 프로그램들을 저장한다. 메모리(140)는 선행 시뮬레이션 및 플라즈마 시뮬레이션을 수행할 수 있는 프로그램을 저장할 수 있다. 아울러, 메모리(140)는 플라즈마 장비(미도시) 내부에서의 다양한 물리/화학적 변화에 대한 이론적 모델을 저장한다. 또한, 메모리(140)는 플라즈마 공정에서 사용되는 아르곤(Ar), 사불화탄소(CF4) 등의 공정 가스로부터 생성되는 복수의 가스 종(species) 각각에 대한 반응계수를 포함하는 통합데이터를 저장한다.
제어부(150)는 입력부(120)로부터 시뮬레이션 시작신호가 수신되면 메모리(140)에 기저장된 통합데이터를 호출한다. 제어부(150)는 입력부(120)를 통해 수신된 신호를 기반으로 하나 이상의 가스 종을 선택하고, 해당 가스 종의 유량을 설정한다. 제어부(150)는 호출된 통합데이터를 기반으로 하나 이상의 가스 종에 대한 반응계수를 추출하고, 추출된 반응계수와 설정된 유량을 이용하여 선행 시뮬레이션을 수행한다. 이때, 제어부(150)는 이상기체상태방정식에 의해 도출된 유량비를 기반으로 플라즈마 장비로 유입되는 하나 이상의 가스 종에 대한 밀도 초기값을 설정하고, 미량의 전자밀도를 설정하며 하나 이상의 가스 종을 제외한 종의 밀도를 0으로 설정하여 선행 시뮬레이션을 수행할 수 있다.
제어부(150)는 선행 시뮬레이션 종료 후 하나 이상의 가스 종 중에서 반응이 발생된 가스 종을 반응 종(species)으로 선택하고, 반응 종이 포함된 반응을 선택할 수 있다. 제어부(150)는 선택된 반응 종과 반응을 이용하여 플라즈마 시뮬레이션을 수행한다. 이때, 제어부(150)는 플라즈마 시뮬레이션을 위한 조건을 설정할 수 있으며, 선행 시뮬레이션에 대한 결과값으로 도출된 반응 종의 밀도와 전자 온도를 플라즈마 시뮬레이션의 초기값으로 적용할 수 있다. 제어부(150)는 플라즈마 시뮬레이션의 결과가 도출되면, 도출된 플라즈마 시뮬레이션 결과를 표시부(130)에 표시할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 위한 메인 화면을 나타낸 화면예시도이다. 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 메인 화면에서 플라즈마 장비의 시뮬레이션 조건을 입력하기 위한 화면을 나타낸 화면예시도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 201단계에서 제어부(150)는 입력부(120)를 통한 시뮬레이션 시작신호의 수신여부를 확인한다. 201단계의 확인결과, 시작신호가 수신되면 제어부(150)는 203단계를 수행하고, 시작신호가 수신되지 않으면 제어부(150)는 시작신호의 수신을 대기한다.
203단계에서 제어부(150)는 메모리(140)에 기저장된 통합데이터를 호출한다. 이때, 통합데이터는 플라즈마 공정에서 사용되는 아르곤(Ar), 사불화탄소(CF4) 등의 공정 가스로부터 생성되는 복수의 가스 종(species) 각각에 대한 반응계수를 포함할 수 있다. 205단계에서 제어부(150)는 입력부(120)를 통한 선택신호에 따라 복수의 가스 종을 선택하고, 207단계를 수행한다. 207단계에서 제어부(150)는 입력부(120)를 통한 입력신호에 따라 유량을 설정한다.
209단계에서 제어부(150)는 호출된 통합데이터를 기반으로 복수의 가스 종에 대한 반응계수를 추출하고, 추출된 반응계수와 설정된 유량을 하기의 수학식 1 및 수학식 2에 대입하여 선행 시뮬레이션을 수행한다. 즉, 제어부(150)는 수학식 1 및 수학식 2를 통하여 사용자가 설정한 반복 횟수만큼 반복하여 선행 시뮬레이션을 수행할 수 있다. 이때, 플라즈마 장비로 유입되는 종의 밀도 초기값은 이상기체상태방정식으로부터 도출된 유량비에 맞춰서 설정될 수 있다. 아울러, 제어부(150)는 미량의 전자밀도만 설정한 후 나머지 종의 밀도를 0으로 설정할 수 있다.
Figure 112019112736149-pat00001
(단,
Figure 112019112736149-pat00002
및
Figure 112019112736149-pat00003
는 각각
Figure 112019112736149-pat00004
종의 다양한 생성 및 손실율,
Figure 112019112736149-pat00005
는
Figure 112019112736149-pat00006
종의 밀도,
Figure 112019112736149-pat00007
는
Figure 112019112736149-pat00008
종의 유량, W는 플라즈마 장비의 채적,
Figure 112019112736149-pat00009
는 펌핑 속도, 그리고
Figure 112019112736149-pat00010
는 플라즈마 장비 벽에서
Figure 112019112736149-pat00011
종의 손실 주파수를 의미한다. )
Figure 112019112736149-pat00012
(단,
Figure 112019112736149-pat00013
는 전자밀도,
Figure 112019112736149-pat00014
는 전자 온도,
Figure 112019112736149-pat00015
는 전자에 의해 흡수된 파워,
Figure 112019112736149-pat00016
는 충돌에 의한 전자의 에너지 손실항,
Figure 112019112736149-pat00017
는 플라즈마 장비 벽에서의 손실 에너지, 그리고
Figure 112019112736149-pat00018
는 플라즈마 장비 벽에서 전자의 손실 주파수를 의미한다.)
211단계에서 제어부(150)는 선행 시뮬레이션이 설정한 반복 횟수만큼 반복함이 확인되면 213단계를 수행하고, 설정한 반복 횟수만큼 선행 시뮬레이션을 수행하지 않은 상태이면 209단계로 회귀하여 선행 시뮬레이션을 지속적으로 수행한다.
213단계에서 제어부(150)는 반응 종(species)을 선택한다. 보다 구체적으로, 제어부(150)는 복수의 가스 종에서 선행 시뮬레이션을 반복 횟수만큼 수행한 결과에 따라 생성된 가스 종을 반응 종으로 선택하고, 반응 종이 포함된 반응 중 적어도 하나의 반응을 선택할 수 있다. 이때, 선행 시뮬레이션의 결과로 획득된 종의 밀도와 전자 온도는 플라즈마 시뮬레이션 수행을 위한 초기값으로 사용될 수 있다.
215단계에서 제어부(150)는 선택된 반응 종과 반응을 이용하여 플라즈마 시뮬레이션을 수행하고 217단계를 수행한다. 이를 위해, 제어부(150)는 하기와 같이 플라즈마 시뮬레이션에 대한 조건을 설정할 수 있다.
보다 구체적으로, 제어부(150)는 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 제공하기 위한 프로그램을 실행하여 표시부(130)에 도 3과 같은 메인화면(300)을 표시한다. 메인화면(300)은 크게 통합데이터 중에서 공정 가스에 대한 화학반응식을 포함하는 통합데이터를 선택하여 호출하기 위한 데이터파일 호출영역(310), 플라즈마 시뮬레이션의 조건을 설정하기 위한 조건설정영역(320), 데이터파일 호출영역(310)에서 선택된 공정 가스에 대한 화학반응식을 포함하는 통합데이터를 표시하기 위한 데이터파일 표시영역(330), 데이터파일 표시영역(330)에 표시된 파일에서 선택된 파일에 포함된 방정식을 표시하기 위한 방정식 표시영역(340) 및 방정식 표시영역(340)에 표시된 방정식 중 선택된 방정식과 관련된 특징을 나타낼 수 있는 프로퍼티 표시영역(350)을 포함하여 구성될 수 있다.
아울러, 플라즈마 시뮬레이션의 조건을 설정하기 위해서 메인화면(300)에 포함된 조건설정영역(320)은 복수의 탭을 포함하여 구현되고, 사용자는 복수의 탭을 선택하여 상세조건을 설정할 수 있다.
조건설정영역(320)에서 Chamber 탭이 선택되면 조건설정영역(320)에는 도 4의 (a)와 같은 장비설정영역(420a)이 표시된다. 제어부(150)는 장비설정영역(420a)에 입력된 사항에 따라 플라즈마 장비와 관련된 플라즈마 방전 조건 및 플라즈마 장비의 형상 조건을 설정한다. 조건설정영역(320)에서 Pressure 탭이 선택되면 조건설정영역(320)에는 도 4의 (b)와 같은 압력설정영역(420b)이 표시된다. 제어부(150)는 압력설정영역(420b)에 입력된 사항에 따라 플라즈마 장비 내부의 압력, 가스 온도, 가스 유량, 가스 종을 설정한다. 조건설정영역(320)에서 Source Power 탭이 선택되면 조건설정영역(320)에는 도 4의 (c)와 같은 전력설정영역(420c)이 표시된다. 제어부(150)는 전력설정영역(420c)에 입력된 사항에 따라 플라즈마 장비와 관련된 소스 파워, 주파수, 코일의 형상, 위치 조건 및 전기밀도를 설정한다. 아울러, 조건설정영역(320)에서 Simulation Option 탭이 선택되면 조건설정영역(320)에는 도 4의 (d)와 같이 시뮬레이션조건 설정영역(420d)이 표시된다. 제어부(150)는 시뮬레이션조건 설정영역(420d)에 입력된 사항에 따라 수치계산조건을 시뮬레이션조건으로 설정한다.
217단계에서 제어부(150)는 플라즈마 시뮬레이션의 결과가 도출됨이 확인되면 219단계를 수행하고, 결과가 도출됨이 확인되지 않으면 215단계로 회귀하여 플라즈마 시뮬레이션을 지속적으로 수행할 수 있다. 219단계에서 제어부(150)는 도출된 플라즈마 시뮬레이션 결과를 표시부(130)에 표시할 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 플라즈마 시뮬레이션 수행 이전에 복수의 종(species)에 대한 반응을 기반으로 적어도 하나의 종을 선택하여 선행 시뮬레이션을 수행함으로써 플라즈마 장비의 시뮬레이션 시에 소모되는 방대한 계산 시간을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 발명의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 따라서 본 발명의 범위는 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상을 바탕으로 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (10)

  1. 전자장치는 수신된 플라즈마 장비의 시뮬레이션 시작신호에 따라 플라즈마 공정에서 사용되는 공정 가스로부터 생성되는 복수의 가스 종(species) 각각에 대한 반응계수를 포함하는 기저장된 통합데이터를 호출하는 단계;
    상기 전자장치는 하나 이상의 가스 종과 유량을 설정하는 단계;
    상기 전자장치는 상기 통합데이터에서 상기 설정된 하나 이상의 가스 종에 대한 반응계수를 추출하고, 상기 추출된 반응계수 및 상기 설정된 유량을 기반으로 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계; 및
    상기 전자장치는 상기 선행 시뮬레이션의 결과를 기반으로 적어도 하나의 반응 종을 선택하여 상기 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 수행하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계는,
    상기 반응계수와 상기 유량을 적어도 하나의 방정식에 대입하여 상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반응계수와 상기 유량을 적어도 하나의 방정식에 대입하여 상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계는,
    상기 플라즈마 장비로 유입되는 상기 하나 이상의 가스 종에 대한 밀도 초기값은 이상기체상태방정식으로부터 도출된 유량비를 기반으로 설정되고, 전자밀도를 0보다 큰 값으로 설정하고, 상기 하나 이상의 가스 종을 제외한 종의 밀도를 0으로 설정하여 상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 단계인 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 수행하는 단계는,
    상기 선행 시뮬레이션의 수행에 따라 상기 하나 이상의 가스 종에서 반응이 발생된 가스 종을 상기 반응 종으로 선택하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 반응 종으로 선택하는 단계는,
    상기 선행 시뮬레이션의 수행에 따라 결과값으로 도출된 상기 반응 종의 밀도와 전자 온도를 상기 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 위한 초기값으로 적용하는 단계인 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 방법.
  6. 플라즈마 장비의 시뮬레이션 시작신호를 입력받는 입력부;
    플라즈마 공정에서 사용되는 공정 가스로부터 생성되는 복수의 가스 종(species) 각각에 대한 반응계수를 포함하는 통합데이터를 저장하는 메모리; 및
    하나 이상의 가스 종 및 유량을 설정하고, 상기 시작신호에 따라 호출된 상기 통합데이터에서 상기 설정된 하나 이상의 가스 종에 대한 반응계수를 추출하고, 상기 추출된 반응계수 및 상기 설정된 유량을 기반으로 선행 시뮬레이션을 수행하고, 상기 선행 시뮬레이션의 결과를 기반으로 적어도 하나의 반응 종을 선택하여 상기 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 수행하는 제어부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 반응계수와 상기 유량을 적어도 하나의 방정식에 대입하여 상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 플라즈마 장비로 유입되는 상기 하나 이상의 가스 종에 대한 밀도 초기값은 이상기체상태방정식으로부터 도출된 유량비를 기반으로 설정되고, 전자밀도를 0보다 큰 값으로 설정하고, 상기 하나 이상의 가스 종을 제외한 종의 밀도를 0으로 설정하여 상기 선행 시뮬레이션을 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 선행 시뮬레이션의 수행에 따라 상기 하나 이상의 가스 종에서 반응이 발생된 가스 종을 상기 반응 종으로 선택하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 선행 시뮬레이션의 수행에 따라 결과값으로 도출된 상기 반응 종의 밀도와 전자 온도를 상기 플라즈마 장비의 시뮬레이션을 위한 초기값으로 적용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 시뮬레이션 장치.
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