KR102240243B1 - Sputtering gun - Google Patents

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KR102240243B1
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row
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이현종
이민진
강성진
장덕영
손민국
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주식회사 바코솔루션
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Abstract

The present invention relates to a sputtering gun. To solve the technical problem, the sputtering gun comprises: a target made of a coating material; a first magnet row formed behind the target, movable relative to the target, and including a first main magnet row and a first sub-magnet row; and a second magnet row formed behind the target, movable relative to the target, including a second main magnet row and a second sub-magnet row, and forming a magnetic field together with the first magnet row in combination with the first magnet row. The first sub-magnet row and the second sub-magnet row can change the shape of the formed magnetic field by sliding relative to the first main magnet row and the second main magnet row. The sputtering gun can further includes: a first plate to one surface of which the first main magnet column and the second main magnet column are fixed; a second plate to one surface of which the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are fixed, and which are slidable relative to the first plate; a first weight not fixed to the first plate and moving relative to the second plate in a direction opposite to that of the sliding motion of the second plate relative to the first plate; and a second weight fixed to the first plate. Therefore, the sputtering gun can increase the life of the target by making uniform the degree of erosion of the surface of the target.

Description

스퍼터링 건{Sputtering gun}Sputtering gun

본 발명은 스퍼터링 건에 관한 것이다.The present invention relates to a sputtering gun.

산업 현장 등에서 대상체의 표면에 특정 물질을 코팅하여 박막을 형성하는 공정은 매우 광범위하게 활용되며 중요하게 다뤄진다.In industrial sites, the process of forming a thin film by coating a specific material on the surface of an object is widely used and is treated as important.

이러한 막 형성 공정은 절삭공구용 코팅, 내플라즈마 코팅, 광학코팅, 기능성 세라믹 코팅 등일 수 있다.Such a film forming process may be coating for cutting tools, plasma-resistant coating, optical coating, functional ceramic coating, or the like.

이러한 박막 코팅 공정들은 일측의 타겟에서 코팅재를 입자 상으로 방출하고, 상대 측에 기판 등의 코팅 대상체를 배치하여 그 표면에 코팅물질이 증착되도록 한다. 코팅물질을 증착하는 원리에 따라, PVD(Physical Vapor Deposition), CDV(Chemical Vapor Depostion) 등이 있다. 또한 상기 PVD는 스퍼터링, 전자빔 증착, 열 증착법 등을 포함한다.In these thin film coating processes, a coating material is released from a target on one side to particles, and a coating object such as a substrate is disposed on the other side so that the coating material is deposited on the surface. According to the principle of depositing a coating material, there are PVD (Physical Vapor Deposition), CDV (Chemical Vapor Depostion), and the like. In addition, the PVD includes sputtering, electron beam evaporation, thermal evaporation, and the like.

상기와 같이 타겟을 포함하여 코팅재를 방출하는 장치를 '스퍼터링 건'이라 할 수 있다. 스퍼터링 건을 이용한 박막의 형성 장치는, 이와 함께 챔버를 구비하고, 그 내부에 진공을 걸고 가열을 하여 고온의 플라즈마 가스를 생성하는 등으로 증착을 촉진할 수도 있다.A device for discharging a coating material including a target as described above may be referred to as a'sputtering gun'. An apparatus for forming a thin film using a sputtering gun may also include a chamber therein, and apply a vacuum to the inside thereof to generate a high-temperature plasma gas to promote deposition.

이와 같은 스퍼터링 건은 상기 타겟의 일방(후방)에 복수의 마그넷(자석)을 구비하여 증착 방향을 조절하고 증착 속도를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 마그넷을 이용하는 경우 매우 편리하게 막 형성의 품질이나 성상을 조절하는 것이 가능하다. 그러나 타겟의 코팅재 방출로 인한 침식의 균일도가 저하될 우려 또한 존재한다.Such a sputtering gun may include a plurality of magnets (magnets) on one side (rear) of the target to control a deposition direction and increase a deposition rate. In the case of using a magnet as described above, it is possible to very conveniently control the quality or properties of the film formation. However, there is also a concern that the uniformity of erosion due to the release of the coating material of the target may decrease.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 고안된 것으로, 본 발명의 목적은 타겟 표면의 침식도를 균일하게 함으로써, 타겟의 수명이 향상된 스퍼터링 건을 제공하는 것이다.The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a sputtering gun having an improved lifespan of the target by making the erosion degree of the target surface uniform.

본 발명의 다른 목적은 타겟 표면의 입자의 방출 분포를 균일하게 함으로써, 코팅재의 일면에 생성되는 박막의 품질이 향상된 스퍼터링 건을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a sputtering gun with improved quality of a thin film formed on one surface of a coating material by making the emission distribution of particles on a target surface uniform.

본 발명의 또 다른 목적은 자기장의 형상을 변화시켜 보다 다양한 형태의 타겟 또는 코팅재의 형상에 대응하여 고속 스퍼터링이 가능한 스퍼터링 건을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a sputtering gun capable of high-speed sputtering by changing the shape of a magnetic field to correspond to the shape of a more diverse target or coating material.

상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 스퍼터링 건(sputtering gun)은, 코팅재로 이루어진 타겟; 상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 제1 메인 마그넷 열 및 제1 서브 마그넷 열을 포함하는 제1 마그넷 열; 및 상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 제2 메인 마그넷 열 및 제2 서브 마그넷 열을 포함하고, 상기 제1 마그넷 열과 조를 이루어 함께 자기장을 형성하는 제2 마그넷 열을 포함하고, 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열은 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 메인 제2 마그넷 열에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동을 하여 상기 형성된 자기장의 형상을 변형 가능하고, 일면에 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열이 고정된 제1 판; 일면에 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 고정되고, 상기 제1 판에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동 가능한 제2 판; 상기 제1 판에 고정되지 않고, 상기 제2 판의 상기 제1 판에 대한 상기 상대적인 슬라이딩 운동의 반대 방향으로 상기 제2 판에 대하여 상대적 운동하는 제1 추(錘); 및 상기 제1 판에 고정되는 제2 추를 더 포함할 수 있다.Sputtering gun (sputtering gun) of the present invention for solving the above-described technical problem, a target made of a coating material; A first magnet row formed behind the target, relatively movable with respect to the target, and including a first main magnet row and a first sub magnet row; And a second magnet row formed behind the target, relatively movable with respect to the target, and including a second main magnet row and a second sub magnet row, and forming a magnetic field together by forming a pair with the first magnet row. Including, wherein the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are relatively sliding with respect to the first main magnet row and the main second magnet row together to change the shape of the formed magnetic field, and one side A first plate to which the first main magnet row and the second main magnet row are fixed to each other; A second plate on which the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are fixed to one side, and relatively slidable with respect to the first plate; A first weight that is not fixed to the first plate and moves relative to the second plate in a direction opposite to the relative sliding motion of the second plate with respect to the first plate; And a second weight fixed to the first plate.

그리고 일면에 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열이 고정된 제1 판; 및 일면에 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 고정된 제2 판을 더 포함하고, 상기 제2 판은 상기 제1 판에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동할 수 있다.And a first plate to which the first main magnet row and the second main magnet row are fixed to one surface. And a second plate to which the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are fixed on one surface, and the second plate may relatively slide with respect to the first plate.

그리고 상기 제2 판의 상대적 운동을 제어 가능한 제어부를 더 포함할 수 있다.And it may further include a control unit capable of controlling the relative motion of the second plate.

또한 상기 타겟의 마모 정보를 검출하는 검출부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 검출된 마모 정보를 기초로 상기 제2 판의 상기 상대적 운동의 정도를 조절할 수 있다.In addition, a detection unit for detecting wear information of the target may be further included, and the control unit may adjust a degree of the relative motion of the second plate based on the detected wear information.

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그리고 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 동일 평면상에 형성되고, 상기 동일 평면에 수직한 일축을 중심으로 회전할 수 있다.In addition, the first magnet row and the second magnet row are formed on the same plane and may rotate about one axis perpendicular to the same plane.

그리고 상기 제1 마그넷 열은 폐루프 형태로 배치되고, 상기 제2 마그넷 열은 상기 제1 마그넷 열의 상기 폐루프 형태의 바깥에서 폐루프 형상으로 배치되고, 상기 상대적 슬라이딩 운동 후에도 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열 각각의 형태는 폐루프를 유지할 수 있다.And the first magnet row is arranged in a closed loop shape, the second magnet row is arranged in a closed loop shape outside of the closed loop shape of the first magnet row, and the first magnet row and Each shape of the second magnet row may maintain a closed loop.

또한 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열이 휘어진 방향과 상기제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 휘어진 방향은 반대일 수 있다.In addition, a direction in which the first main magnet row and the second main magnet row are bent may be opposite to a direction in which the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are bent.

그리고 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열은 상기 제1 마그넷 열이 이루는 상기 폐루프 형태의 중심 방향으로 상기 상대적 슬라이딩 운동할 수 있다.In addition, the first sub-magnet row and the second sub-magnet row may perform the relative sliding movement in the direction of the center of the closed loop formed by the first magnet row.

그리고 상기 타겟은 판 형상으로 구비되고, 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 상기 타겟과 평행한 평면 상에서 상기 일축을 중심으로 회전할 수 있다.In addition, the target may be provided in a plate shape, and the first magnet row and the second magnet row may rotate about the one axis on a plane parallel to the target.

그리고 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은 조를 이루어 함께 폐루프 형태의 자기장 터널을 형성하고, 상기 자기장 터널은 상기 상대적 슬라이딩 운동 후에도 그 형태가 폐루프를 유지할 수 있다.In addition, the first magnet row and the second magnet row are paired together to form a closed loop type magnetic field tunnel, and the magnetic field tunnel may maintain a closed loop shape even after the relative sliding motion.

상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 스퍼터링 건은, 코팅재로 이루어진 타겟; 상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 복수의 마그넷들이 폐루프 형태로 배열된 제1 마그넷 열; 및 상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 상기 제1 마그넷 열과 조를 이루어 함께 자기장을 형성하고, 복수의 마그넷들이 상기 제1 마그넷 열의 바깥 쪽에서 폐루프 형태로 배열된 제2 마그넷 열을 포함하고, 상기 제1 마그넷 열은 제1 메인 마그넷 열 및 제1 서브 마그넷 열을 포함하고, 상기 제2 마그넷 열은 제2 메인 마그넷 열 및 제2 서브 마그넷 열을 포함하고, 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열은 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열에 대하여 상대적으로 운동을 하여 상기 형성된 자기장의 형상을 변형 가능하고, 일면에 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열이 고정된 제1 판; 일면에 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 고정되고, 상기 제1 판에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동 가능한 제2 판; 상기 제1 판에 고정되지 않고, 상기 제2 판의 상기 제1 판에 대한 상기 상대적인 슬라이딩 운동의 반대 방향으로 상기 제2 판에 대하여 상대적 운동하는 제1 추(錘); 및 상기 제1 판에 고정되는 제2 추를 더 포함할 수 있다.Sputtering gun of the present invention for solving the above-described technical problem, a target made of a coating material; A first magnet row formed behind the target, relatively movable with respect to the target, and in which a plurality of magnets are arranged in a closed loop shape; And a first magnet formed behind the target, relatively movable with respect to the target, forming a magnetic field together by forming a pair with the first magnet row, and having a plurality of magnets arranged in a closed loop form outside the first magnet row. 2 magnet rows are included, the first magnet row includes a first main magnet row and a first sub magnet row, the second magnet row includes a second main magnet row and a second sub magnet row, the The first sub-magnet row and the second sub-magnet row may move together with respect to the first main magnet row and the second main magnet row to change the shape of the formed magnetic field, and the first main magnet row on one side A first plate to which a row and the second main magnet row are fixed; A second plate on which the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are fixed to one side, and relatively slidable with respect to the first plate; A first weight that is not fixed to the first plate and moves relative to the second plate in a direction opposite to the relative sliding motion of the second plate with respect to the first plate; And a second weight fixed to the first plate.

그리고 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열에 대하여 상대적으로 운동한 후에도 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열 각각의 형태는 폐루프를 유지할 수 있다.And even after the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are moved relative to the first main magnet row and the second main magnet row together, the shape of each of the first magnet row and the second magnet row is Closed loop can be maintained.

또한 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은 조를 이루어 함께 폐루프 형태의 자기장 터널을 형성하고, 상기 자기장 터널은 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열에 대하여 상대적으로 운동한 후에도 그 형태가 폐루프를 유지할 수 있다.In addition, the first magnet row and the second magnet row are paired together to form a closed-loop magnetic field tunnel, and the magnetic field tunnel includes the first sub-magnet row and the second sub-magnet row together. Even after the magnet row and the second main magnet row are relatively moved, the shape may maintain the closed loop.

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그리고 상기 1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 메인 제2 마그넷 열에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동을 하도록 서로 맞물리는 랙과 제1 피니언을 더 포함하고, 상기 제1 추는, 상기 랙에 맞물리고 상기 랙의 회전에 따라 상기 제1 피니언의 상기 랙에 대한 슬라이딩 방향의 반대 방향으로 움직이는 피니언의 구조를 포함할 수 있다.And a rack and a first pinion engaged with each other so that the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are relatively slidable with respect to the first main magnet row and the second main magnet row, and the first 1 The weight may include a structure of a pinion that is engaged with the rack and moves in a direction opposite to a sliding direction of the first pinion with respect to the rack according to the rotation of the rack.

그리고 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 동일 평면상에 형성되고, 상기 동일 평면에 수직한 일축을 중심으로 회전할 수 있다. 상기 타겟은 판 형상으로 구비되고, 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 상기 타겟과 평행한 평면 상에서 상기 일축을 중심으로 회전할 수 있다.In addition, the first magnet row and the second magnet row are formed on the same plane and may rotate about one axis perpendicular to the same plane. The target is provided in a plate shape, and the first magnet row and the second magnet row may rotate about the one axis on a plane parallel to the target.

상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 스퍼터링 건은, 코팅재로 이루어진 타겟; 상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 제1 메인 마그넷 열 및 제1 서브 마그넷 열을 포함하는 제1 마그넷 열; 및 상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 상기 제1 마그넷 열과 조를 이루어 함께 폐루프 형태의 자기장 터널을 형성하고, 제2 메인 마그넷 열 및 제2 서브 마그넷 열을 포함하는 제2 마그넷 열을 포함하고, 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기제2 서브 마그넷 열은 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열에 대하여 상대적으로 운동을 하여 상기 형성된 자기장의 형상을 변형 가능하고, 상기 자기장 터널은 변형된 후에도 그 형태가 폐루프를 유지 가능하고, 일면에 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열이 고정된 제1 판; 일면에 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 고정되고, 상기 제1 판에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동 가능한 제2 판; 상기 제1 판에 고정되지 않고, 상기 제2 판의 상기 제1 판에 대한 상기 상대적인 슬라이딩 운동의 반대 방향으로 상기 제2 판에 대하여 상대적 운동하는 제1 추(錘); 및 상기 제1 판에 고정되는 제2 추를 더 포함할 수 있다.Sputtering gun of the present invention for solving the above-described technical problem, a target made of a coating material; A first magnet row formed behind the target, relatively movable with respect to the target, and including a first main magnet row and a first sub magnet row; And formed behind the target, relatively movable with respect to the target, forming a magnetic field tunnel in a closed loop shape together by forming a pair with the first magnet row, and including a second main magnet row and a second sub magnet row. A second magnet row is included, wherein the first sub-magnet row and the second sub-magnet row together move relative to the first main magnet row and the second main magnet row to change the shape of the formed magnetic field. A first plate capable of maintaining a closed loop in the shape of the magnetic field tunnel even after being deformed, and fixing the first main magnet row and the second main magnet row on one surface; A second plate on which the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are fixed to one side, and relatively slidable with respect to the first plate; A first weight that is not fixed to the first plate and moves relative to the second plate in a direction opposite to the relative sliding motion of the second plate with respect to the first plate; And a second weight fixed to the first plate.

그리고 상기 1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 메인 제2 마그넷 열에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동을 하도록 서로 맞물리는 랙과 제1 피니언을 더 포함하고, 상기 제1 추는, 상기 랙에 맞물리고 상기 랙의 회전에 따라 상기 제1 피니언의 상기 랙에 대한 슬라이딩 방향의 반대 방향으로 움직이는 피니언의 구조를 포함할 수 있다.And a rack and a first pinion engaged with each other so that the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are relatively slidable with respect to the first main magnet row and the second main magnet row, and the first 1 The weight may include a structure of a pinion that is engaged with the rack and moves in a direction opposite to a sliding direction of the first pinion with respect to the rack according to the rotation of the rack.

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그리고 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 동일 평면상에 형성되고, 상기 동일 평면에 수직한 일축을 중심으로 회전할 수 있다.In addition, the first magnet row and the second magnet row are formed on the same plane and may rotate about one axis perpendicular to the same plane.

또한 상기 타겟은 판 형상으로 구비되고, 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 상기 타겟과 평행한 평면 상에서 상기 일축을 중심으로 회전할 수 있다.In addition, the target may be provided in a plate shape, and the first magnet row and the second magnet row may rotate around the one axis on a plane parallel to the target.

본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 스퍼터링 건의 타겟 표면의 침식도가 균일하게 되어 타겟의 수명이 향상된다.According to various embodiments of the present disclosure, the degree of erosion of the target surface of the sputtering gun is uniform, so that the life of the target is improved.

본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 스퍼터링 건의 타겟 표면의 입자의 방출 분포가 균일하게 되어 코팅재의 일면에 생성되는 박막의 품질이 향상된다.According to various embodiments of the present disclosure, the distribution of particles on the target surface of the sputtering gun is uniform, thereby improving the quality of the thin film formed on one surface of the coating material.

본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 스퍼터링 건의 자기장의 형상을 변화시킬 수 있게 되어, 고속의 스퍼터링을 하면서도 보다 다양한 형태의 타겟 또는 코팅재의 형상에 대응할 수 있게 된다.According to various embodiments of the present disclosure, it is possible to change the shape of the magnetic field of the sputtering gun, so that while sputtering at a high speed, it is possible to cope with the shape of a more diverse target or coating material.

도 1은 종래 기술에 따른 스퍼터링 건의 작용 예를 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는 일정기간 사용된 타겟의 모습을 나타내는 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건의 구조를 나타내는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 막 형성 장치의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그네트론의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그네트론의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그네트론의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 일정기간 사용된 타겟의 모습을 나타내는 예시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그네트론의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic diagram for explaining an operation example of a sputtering gun according to the prior art.
2 is an exemplary diagram showing a state of a target used for a certain period of time.
3 is a block diagram showing the structure of a sputtering gun according to an embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining the structure and operation of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining the structure and operation of the magnetron according to an embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining the structure and operation of the magnetron according to an embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining the structure and operation of the magnetron according to an embodiment of the present invention.
8 is an exemplary diagram showing a state of a target used for a certain period of time.
9 is a view for explaining the structure and operation of the magnetron according to an embodiment of the present invention.

이하의 내용은 단지 본 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 본 발명의 원리를 구현하고 본 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 본 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following content merely exemplifies the principles of the present invention. Therefore, those skilled in the art can implement the principles of the present invention and invent various devices included in the concept and scope of the present invention, although not clearly described or illustrated herein. In addition, all conditional terms and examples listed in this specification are, in principle, clearly intended only for the purpose of understanding the concept of the present invention, and should be understood as not limiting to the embodiments and states specifically listed as described above. do.

또한, 본 발명의 원리, 관점 및 실시 예들뿐만 아니라 특정 실시 예를 열거하는 모든 상세한 설명은 이러한 사항의 구조적 및 기능적 균등물을 포함하도록 의도되는 것으로 이해되어야 한다. 또한 이러한 균등물들은 현재 공지된 균등물뿐만 아니라 장래에 개발될 균등물 즉 구조와 무관하게 동일한 기능을 수행하도록 발명된 모든 소자를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In addition, it is to be understood that all detailed descriptions listing specific embodiments as well as principles, aspects and embodiments of the present invention are intended to include structural and functional equivalents of these matters. It should also be understood that these equivalents include not only currently known equivalents, but also equivalents to be developed in the future, that is, all devices invented to perform the same function regardless of the structure.

따라서, 예를 들어, 본 명세서의 순서도는 본 발명의 원리를 구체화하는 예시적인 회로의 개념적인 관점을 나타내는 것으로 이해되어야 한다. 이와 유사하게, 모든 흐름도, 상태 변환도, 의사 코드 등은 컴퓨터가 판독 가능한 매체에 실질적으로 나타낼 수 있고 컴퓨터 또는 프로세서가 명백히 도시되었는지 여부를 불문하고 컴퓨터 또는 프로세서에 의해 수행되는 다양한 프로세스를 나타내는 것으로 이해되어야 한다.Thus, for example, the flow charts herein are to be understood as representing a conceptual perspective of exemplary circuits embodying the principles of the invention. Similarly, all flowcharts, state transition diagrams, pseudocodes, etc. are understood to represent the various processes performed by a computer or processor, whether or not the computer or processor is clearly depicted and that can be represented substantially in a computer-readable medium. It should be.

프로세서 또는 이와 유사한 개념으로 표시된 기능 블럭을 포함하는 도면에 도시된 다양한 소자의 기능은 전용 하드웨어뿐만 아니라 적절한 소프트웨어와 관련하여 소프트웨어를 실행할 능력을 가진 하드웨어의 사용으로 제공될 수 있다. 프로세서에 의해 제공될 때, 상기 기능은 단일 전용 프로세서, 단일 공유 프로세서 또는 복수의 개별적 프로세서에 의해 제공될 수 있고, 이들 중 일부는 공유될 수 있다.The functions of the various elements shown in the drawings, including a processor or functional block represented by a similar concept, may be provided by the use of dedicated hardware as well as hardware having the ability to execute software in association with appropriate software. When provided by a processor, the function may be provided by a single dedicated processor, a single shared processor, or a plurality of individual processors, some of which may be shared.

또한 프로세서, 제어 또는 이와 유사한 개념으로 제시되는 용어의 명확한 사용은 소프트웨어를 실행할 능력을 가진 하드웨어를 배타적으로 인용하여 해석되어서는 아니되고, 제한 없이 디지털 신호 프로세서(DSP) 하드웨어, 소프트웨어를 저장하기 위한 롬(ROM), 램(RAM) 및 비 휘발성 메모리를 암시적으로 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 주지관용의 다른 하드웨어도 포함될 수 있다.In addition, the explicit use of terms presented as processor, control, or similar concepts should not be interpreted exclusively by quoting hardware capable of executing software, and without limitation, digital signal processor (DSP) hardware, ROM for storing software. It should be understood to implicitly include (ROM), RAM (RAM) and non-volatile memory. Other commonly used hardware may also be included.

본 명세서의 청구범위에서, 상세한 설명에 기재된 기능을 수행하기 위한 수단으로 표현된 구성요소는 예를 들어 상기 기능을 수행하는 회로 소자의 조합 또는 펌웨어/마이크로 코드 등을 포함하는 모든 형식의 소프트웨어를 포함하는 기능을 수행하는 모든 방법을 포함하는 것으로 의도 되었으며, 상기 기능을 수행하도록 상기 소프트웨어를 실행하기 위한 적절한 회로와 결합된다. 이러한 청구범위에 의해 정의되는 본 발명은 다양하게 열거된 수단에 의해 제공되는 기능들이 결합되고 청구항이 요구하는 방식과 결합되기 때문에 상기 기능을 제공할 수 있는 어떠한 수단도 본 명세서로부터 파악되는 것과 균등한 것으로 이해되어야 한다.In the claims of the present specification, components expressed as means for performing the functions described in the detailed description include all types of software including, for example, combinations of circuit elements or firmware/microcodes that perform the above functions. It is intended to include all methods of performing a function to perform the function, and is combined with suitable circuitry for executing the software to perform the function. Since the invention defined by these claims is combined with the functions provided by the various enumerated means and combined with the manner required by the claims, any means capable of providing the above functions are equivalent to those conceived from this specification. It should be understood as.

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. The above-described objects, features, and advantages will become more apparent through the following detailed description in connection with the accompanying drawings, whereby those of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains can easily implement the technical idea of the present invention. There will be. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

일반적으로 스퍼터링이란, 아르곤과 같은 비활성 기체를 이온화하고, 코팅재를 포함하는 타겟(Target)의 표면에 충돌시켜 코팅재인 증착 입자를 튀어 나오게 하여 기판(Substrate)와 같은 대상체의 일면에 증착되도록 하는 방식의 막 형성 방법을 말한다. In general, sputtering is a method of ionizing an inert gas such as argon, colliding with the surface of a target containing a coating material, causing deposition particles, which are coating materials, to protrude to be deposited on one surface of an object such as a substrate. It refers to the method of film formation.

상기 증착 입자가 튀어 나오는 방향성을 조절하기 위해 마그넷(Magnet, 자석)을 상기 타겟의 후방에 구비할 수 있다. 즉 상기 타겟에 대한 상기 마그넷의 상대적인 위치를 조절함으로써 증착 입자의 방출 위치 또는 방출 방향을 변화시킬 수 있다.A magnet (magnet) may be provided at the rear of the target to adjust the direction in which the deposited particles protrude. That is, by adjusting the relative position of the magnet with respect to the target, the emission position or emission direction of the deposited particles may be changed.

도 1은 종래 기술에 따른 스퍼터링 건의 작용 예를 설명하기 위한 모식도이다. 1 is a schematic diagram for explaining an operation example of a sputtering gun according to the prior art.

도 1에 도시된 스퍼터링 건은, 판 형의 타겟의 뒤(도 1의 상 측)에 복수의 자석을 포함하는 마그네트론이 형성되어 있다. 도 1에 도시된 예에서 상기 마그네트론은 소정의 회전 축을 중심으로 회전하여 상기 타겟에 대한 상대적인 운동(위치 변화)를 한다. In the sputtering gun shown in Fig. 1, a magnetron including a plurality of magnets is formed behind a plate-shaped target (upper side in Fig. 1). In the example shown in FIG. 1, the magnetron rotates about a predetermined rotation axis to perform relative motion (position change) with respect to the target.

상기 마그넷은 상기 마그네트론 상에서 적어도 하나의 극성이 다른 쌍을 구성하고 있다. The magnets form at least one pair of different polarities on the magnetron.

상기 다른 극성의 자석쌍 사이에서는 자기장이 형성된다. 상기 자기장 내에서는 전자(Electrin)가 상기 자기장을 벗어나지 못하고 타겟 근처에서 로렌츠 힘을 받아 나선형을 그리며 가속하게 된다. A magnetic field is formed between the pairs of magnets of different polarities. In the magnetic field, electrons do not escape the magnetic field and are accelerated in a spiral by receiving Lorentz force near the target.

이와 같이 타겟 근처에서의 전자의 밀도가 증가하는 것에 의해 전자는 아르곤 등의 가스 입자와 많은 충돌을 하게 되고, 이에 생성되는 아르곤 이온이 타겟에 가속 및 충돌됨으로써 타겟에서 많은 수의 증착 입자가 튀어 나오게 된다.As the density of electrons near the target increases in this way, the electrons collide with gas particles such as argon, and the generated argon ions accelerate and collide with the target, causing a large number of deposited particles to pop out of the target. do.

이에 따라 마그네트론을 이용한 스퍼터링은 스퍼터링 율을 향상시켜 증착 속도를 향상시키는 장점이 있다.Accordingly, sputtering using a magnetron has an advantage of improving a deposition rate by improving a sputtering rate.

반면에 마그네트론을 이용한 스퍼터링에는 단점도 존재한다.On the other hand, there are disadvantages to sputtering using a magnetron.

도 2는 일정기간 사용된 타겟의 모습을 나타내는 예시도이다.2 is an exemplary diagram showing a state of a target used for a certain period.

마그네트론을 이용한 스퍼터링은 타겟의 특정 부분에서 집중적으로 침식이 일어나게 할 수 있다. 그 결과 일정 기간 사용된 타겟의 표면은 도2에 도시된 바와 같이, 침식의 균일도가 떨어지는 모습을 볼 수 있다. 즉 도 2에서는 원형 판 형태의 타겟의 중앙부는 상대적으로 덜 침식되고, 그 주변부는 환형으로 깊이 침식된 모습을 보여 주고 있다.Sputtering using a magnetron can cause intensive erosion in a specific part of the target. As a result, the surface of the target that has been used for a certain period can be seen that the uniformity of erosion is poor, as shown in FIG. 2. That is, in FIG. 2, the central portion of the circular plate-shaped target is relatively less eroded, and the peripheral portion thereof is deeply eroded in an annular shape.

이와 같이 타겟의 침식 분포가 균일하지 않은 경우, 균일한 증착 속도를 얻을 수 없게 되어 생성되는 박막 품질에 좋지 않은 영향을 끼칠 수 있다. If the erosion distribution of the target is not uniform as described above, a uniform deposition rate cannot be obtained, and thus the quality of the resulting thin film may be adversely affected.

더 나아가 타겟의 중앙부에 침식이 일어나지 못하는 경우, 해당 부위에는 퇴적현상에 의한 오염이 발생할 수 있고, 이는 다시 입자의 소스가 되어 대상체(900)의 표면에 오염을 발생시키는 원인이 될 수 있다.Furthermore, when erosion does not occur in the central portion of the target, contamination due to deposition may occur in the corresponding area, which again becomes a source of particles and may cause contamination on the surface of the object 900.

또한 타겟에 포함된 코팅재의 불균일한 소모로 인해 타겟의 수명이 줄어 드는 단점도 있다.In addition, there is a disadvantage in that the life of the target is shortened due to non-uniform consumption of the coating material included in the target.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건의 구조를 나타내는 블록도이다. 또한 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 막 형성 장치의 구조를 나타내는 블록도이다.3 is a block diagram showing the structure of a sputtering gun according to an embodiment of the present invention. 4 is a block diagram showing the structure of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 스퍼터링 건(50)(sputtering gun)은, 코팅재로 이루어진 타겟(100)을 비롯하여, 제1 마그넷 열(210) 및 제2 마그넷 열(220)을 포함할 수 있다. As shown in Figure 3, the sputtering gun 50 (sputtering gun) of the present invention, including the target 100 made of a coating material, including the first magnet row 210 and the second magnet row 220 I can.

본 발명에서 '마그넷 열'이라 함은 복수의 마그넷(Magnet, 자석)이 열을 지어 배치된 것을 의미할 수 있다. In the present invention, the term'magnet row' may mean that a plurality of magnets (magnets) are arranged in a row.

하나의 마그넷 열 상에서는 포함된 마그넷들이 같은 극성으로 배열되는 것이 바람직하다.It is preferable that the included magnets are arranged in the same polarity on one magnet row.

상기 제1 마그넷 열(210)은 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 제1 메인 마그넷 열(310)에 대하여 상대적으로 운동 가능한 제1 서브 마그넷 열(410)을 포함할 수 있다.The first magnet row 210 may include a first main magnet row 310 and a first sub-magnet row 410 that is relatively movable with respect to the first main magnet row 310.

상기 제2 마그넷 열(220)은 제2 메인 마그넷 열(320) 및 상기 제2 메인 마그넷 열(320)에 대하여 상대적으로 운동 가능한 제2 서브 마그넷 열(420)을 포함할 수 있다.The second magnet row 220 may include a second main magnet row 320 and a second sub-magnet row 420 that is relatively movable with respect to the second main magnet row 320.

상기 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 제2 메인 마그넷 열(320)은 상호 하나의 강체(rigid body) 처럼 운동할 수 있다. The first main magnet row 310 and the second main magnet row 320 may move like one rigid body.

상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)은 상호 하나의 강체(rigid body) 처럼 운동할 수 있다. The first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 may move like one rigid body.

본 발명의 일 실시 예에 따라 상기 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 제2 메인 마그넷 열(320)은 하나의 제1 판(300)에 고정되어 있을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first main magnet row 310 and the second main magnet row 320 may be fixed to one first plate 300.

상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)은 하나의 제2 판(400)에 고정되어 상기 제2 판과 함께 상기 제1 판에 대하여 상대적 운동할 수 있다.The first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 may be fixed to one second plate 400 to move relative to the first plate together with the second plate.

제1 마그넷 열(210) 및 제2 마그넷 열(220)을 통틀어 마그네트론(200)이라 할 수 있다. The first magnet row 210 and the second magnet row 220 may be collectively referred to as a magnetron 200.

본 발명의 일 실시 예에 따라 상기 마그네트론(200)은 상기 제1 판(300) 및/또는 제2 판(400)을 더 포함할 수 있다. 또는 회전을 위한 섀프트 등 운동 및 고정을 위한 추가적인 구성요소들을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the magnetron 200 may further include the first plate 300 and/or the second plate 400. Or it may further include additional components for movement and fixation, such as a shaft for rotation.

제1 마그넷 열(210)은 제1 메인 마그넷 열(310) 및 제1 서브 마그넷 열(410)을 포함하고 상기 타겟(100)의 뒤에 형성될 수 있다.The first magnet row 210 may include a first main magnet row 310 and a first sub magnet row 410 and may be formed behind the target 100.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 타겟(100)의 '뒤(Rear side)'라 함은 상기 타겟(100)의 일 측방을 의미할 수 있다. As shown in FIG. 4, the term'rear side' of the target 100 may mean one side of the target 100.

상기 타겟(100)에서 코팅재(증착 입자)가 튀어 나오는 면이 위치한 방향을 상기 타겟(100)의 '앞(Front side)'이라 할 수 있고, 그 반대 방향을 상기 타겟의 '뒤(Rear side)'라 할 수 있다.The direction in which the surface from which the coating material (deposited particles) protrudes from the target 100 is located may be referred to as the'front side' of the target 100, and the opposite direction is the'rear side' of the target. It can be said.

제1 마그넷 열(210)은 상기 타겟(100)에 대하여 상대적으로 운동 가능할 수 있다.The first magnet row 210 may be relatively movable with respect to the target 100.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따라, 상기 제1 마그넷 열(210)은 일 축을 중심으로 회전 운동할 수 있다. 이와 같은 회전 운동을 통해 상기 타겟(100)에 대하여 상대적으로 운동할 수 있다.As shown in FIG. 4, according to an embodiment of the present invention, the first magnet row 210 may rotate about one axis. Through such a rotational motion, the target 100 may be relatively moved.

본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건(50)은, 상기와 같은 회전 운동을 구현하기 위한 동력원 및 동력 전달 수단을 구비할 수 있다.The sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention may include a power source and a power transmission means for implementing the rotational motion as described above.

본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건(50)은, 제1 모터(330)와 같은 동력원 및 벨트(340), 풀리(350), 제1 섀프트(360)와 같은 동력 전달 수단을 구비할 수 있다.The sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention may have a power source such as the first motor 330 and a power transmission means such as the belt 340, the pulley 350, and the first shaft 360. I can.

제2 마그넷 열(220)은, 상기 타겟(100)의 뒤에 형성되고, 상기 타겟(100)에 대하여 상대적으로 운동 가능할 수 있다. 제2 마그넷 열(220)은, 제2 메인 마그넷 열(320) 및 제2 서브 마그넷 열(420)을 포함할 수 있다.The second magnet row 220 may be formed behind the target 100 and may be relatively movable with respect to the target 100. The second magnet row 220 may include a second main magnet row 320 and a second sub magnet row 420.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그네트론의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining the structure and operation of the magnetron according to an embodiment of the present invention.

도 5 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 서브 마그넷 열(410) 및 제2 서브 마그넷 열(420)은 일 방향으로 함께 이동할 수 있다.As shown in FIG. 5 (a), the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 according to an embodiment of the present invention may move together in one direction.

도 5 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 서브 마그넷 열(410) 및 제2 서브 마그넷 열(420)은 상기 일 방향의 반대 방향으로 함께 이동할 수 있다.As shown in FIG. 5B, the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 according to an embodiment of the present invention may move together in a direction opposite to the one direction.

도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 제2 마그넷 열(220)은, 상기 제1 마그넷 열(210)과 조를 이루어 함께 자기장(290)을 형성할 수 있다. As shown in FIGS. 5A and 5B, the second magnet row 220 may form a pair with the first magnet row 210 to form a magnetic field 290 together.

이를 위하여 제2 마그넷 열(220)에 포함되어 열을 이루는 마그넷들과 제1 마그넷 열(210)에 포함되어 열을 이루는 마그넷들은 극성이 다르게 형성될 수 있다.To this end, magnets included in the second magnet row 220 to form a row and magnets included in the first magnet row 210 and forming a row may have different polarities.

상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)은 함께 상기 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 메인 제2 마그넷 열(220)에 대하여 상대적으로 운동하여 상기 형성된 자기장(290)의 형상을 변형시킬 수 있다.The first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 move together with respect to the first main magnet row 310 and the second main magnet row 220, and the formed magnetic field ( 290) can be modified.

상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)은 함께 상기 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 메인 제2 마그넷 열(220)에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동(도 4의 직선형 실선 화살표 방향 참조)하여 상기 형성된 자기장(290)의 형상을 변형시킬 수 있다.The first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 together have a relatively sliding motion with respect to the first main magnet row 310 and the main second magnet row 220 (Fig. 4). The shape of the formed magnetic field 290 may be deformed by referring to the direction of the straight line arrow).

본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건(50)은, 상기와 같은 상대적인 운동을 구현하기 위한 동력원 및 동력 전달 수단을 구비할 수 있다.The sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention may include a power source and a power transmission means for implementing the relative motion as described above.

본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건(50)은, 상기와 같은 상대적인 운동을 구현하기 위한 제2 모터(430)와 같은 동력원 및 랙(470), 피니언(480)과 같은 동력 전달 수단을 구비할 수 있다.The sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention includes a power source such as a second motor 430 and a power transmission means such as a rack 470 and a pinion 480 for implementing the relative motion as described above. can do.

특히 상기 랙(470)과 피니언(480)의 상대적인 운동에 의해 상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)은 상기 함께 상기 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 메인 제2 마그넷 열(220)에 대하여 상대적으로 운동할 수 있다.In particular, due to the relative motion of the rack 470 and the pinion 480, the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 are combined with the first main magnet row 310 and the main The second magnet row 220 can be moved relatively.

본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건(50)은, 일면에 상기 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 제2 메인 마그넷 열(320)이 고정되는 제1 판(300)을 포함할 수 있다.The sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention may include a first plate 300 to which the first main magnet row 310 and the second main magnet row 320 are fixed on one surface. .

본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건(50)은, 일면에 상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)이 고정된 제2 판(400)을 더 포함할 수 있다.The sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention may further include a second plate 400 to which the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 are fixed on one surface. have.

상기 제2 판(400)은 상기 제1 판(300)에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동할 수 있다.The second plate 400 may slide relative to the first plate 300.

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그네트론의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다. 또한 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그네트론의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining the structure and operation of the magnetron according to an embodiment of the present invention. 7 is a view for explaining the structure and operation of the magnetron according to an embodiment of the present invention.

도 6의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 동력원 및 동력 전달 수단에 의해 상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)은 일 방향으로 운동할 수 있다. 6A and 6B, the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 move in one direction by the power source and power transmission means as described above. can do.

도 7의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 동력원 및 동력 전달 수단에 의해 상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)은 상기 일 방향의 반대 방향으로 운동할 수 있다. As shown in (a) and (b) of FIG. 7, the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 are in the one direction by the power source and power transmission means as described above. You can work in the opposite direction.

도 8은 일정기간 사용된 타겟의 모습을 나타내는 예시도이다.8 is an exemplary view showing a state of a target used for a certain period.

도 8 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)이 상기 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 제2 메인 마그넷 열(320)에 대하여 상대적으로 운동(위치 변화)하지 않은 상태에서 스퍼터링이 이루어지는 경우, 타겟의 앞면의 중앙부에는 침식이 되지 않은 면적이 검은 원 형태로 남아 있음을 볼 수 있다.8 (a), the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 are the first main magnet row 310 and the second main magnet row 320 It can be seen that when sputtering is performed in a state that is relatively unmoved (position change) with respect to, the uneroded area remains in the form of a black circle in the center of the front surface of the target.

도 8 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)이 상기 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 제2 메인 마그넷 열(320)에 대하여 상대적으로 운동(위치 변화)하면서 스퍼터링이 이루어지는 경우, 타겟의 앞면의 중앙부에는 침식이 되지 않은 면적이 상기 도 8 (a)에서보다는 작은 검은 원 형태로 남아 있음을 볼 수 있다.As shown in Figure 8 (b), the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 is the first main magnet row 310 and the second main magnet row 320 It can be seen that when sputtering is performed while moving (position change) relative to the target, the area not eroded in the center of the front surface of the target remains in the form of a smaller black circle than in FIG. 8(a).

이와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건(50)은, 상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)이 상기 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 제2 메인 마그넷 열(320)에 대하여 상대적으로 운동하면서 스퍼터링이 이루어짐으로써 타겟의 침식 균일도 및 증착입자 방출의 균일도가 향상되고 이에 따라 코칭대상체(900)에 형성되는 박막의 증착 균일도 또한 향상될 수 있다. 이에 따라 타겟의 가용 수명 및 생성되는 박막의 품질이 향상될 수 있다.As described above, in the sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention, the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 are provided with the first main magnet row 310 and the second As sputtering is performed while relatively moving with respect to the main magnet row 320, the uniformity of erosion of the target and the uniformity of the emission of deposited particles are improved, and accordingly, the uniformity of deposition of the thin film formed on the coaching object 900 may also be improved. Accordingly, the usable life of the target and the quality of the resulting thin film may be improved.

또한 본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건(50)은, 상기와 같이 특정한 마그넷 열들 간에 상대적 운동이 가능한 구조를 코팅 대상체(900)의 표면의 특정 위치의 증착 두께를 조정하는 것이 가능하다. In addition, in the sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention, it is possible to adjust the deposition thickness at a specific location on the surface of the coated object 900 in a structure in which relative movement between specific magnet rows is possible as described above.

도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그네트론의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for explaining the structure and operation of the magnetron according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건(50)은, 상기 제2 판(400), 또는 상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)의 상대적 운동을 제어 가능한 제어부(700)를 더 포함할 수 있다.The sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention is a controller capable of controlling the relative motion of the second plate 400 or the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 It may further include 700.

상기 제어부(700)의 제어에 따라 스퍼터링을 하면서 동시에 상기 제2 판(400), 또는 상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)을 상대적 운동 시키는 것에 의해 증착 또는 침식 균일도를 더욱 증가 시킬 수 있다.Evaporation or erosion by relative motion of the second plate 400 or the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 while sputtering under the control of the controller 700 The uniformity can be further increased.

또한 상기 제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)의 이동 패턴을 생성하고, 상기와 같은 패턴의 추종을 구현하는 것도 가능하다.In addition, it is possible to generate a movement pattern of the first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 and implement the following pattern.

이에 따라 다양한 형상의 타겟(100) 또는 코팅대상체(900)에 대응하여 증착 또는 침식 균일도를 증가시킬 수 있다.Accordingly, it is possible to increase the uniformity of deposition or erosion in response to the target 100 or the coating object 900 having various shapes.

본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 건(50)은, 상기 타겟(100)의 마모 정보를 검출하는 검출부(미도시)를 더 포함할 수 있다.The sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention may further include a detection unit (not shown) that detects wear information of the target 100.

상기 제어부(700)는 상기 검출된 마모 정보를 기초로 상기 상대적 운동이 이루어지는 정도를 조절할 수 있다.The control unit 700 may adjust the degree of the relative movement based on the detected wear information.

본 발명의 일 실시 예에 따라 상기 검출부(미도시)는 광을 이용하는 비전 센서나 자기장 센서 등을 이용하여 구현될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the detection unit (not shown) may be implemented using a vision sensor or a magnetic field sensor using light.

본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 스퍼터링 건(50)은, 적어도 하나의 추(錘)(490, 495)를 더 포함할 수 있다.The sputtering gun 50 according to an embodiment of the present invention may further include at least one weight 490 and 495.

상기 적어도 하나의 추(490, 495)는 상기 마그네트론(200)의 회전 운동 시에 편심을 제거하거나 최소화하기 위하여 구비될 수 있다.The at least one weight 490 and 495 may be provided to remove or minimize eccentricity when the magnetron 200 rotates.

본 발명의 일 실시 예에 따라, 상기 적어도 하나의 추(490, 495)는 상기 제2 판(400)의 상기 제1 판(300)에 대한 상대적 운동의 반대 방향으로 상기 제2 판(400)에 대하여 상대적으로 운동하는 제1 추(490)를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the at least one weight (490, 495) is the second plate (400) in a direction opposite to the relative motion of the second plate (400) with respect to the first plate (300). It may include a first weight 490 that moves relative to.

이와 같이 제1 추(490)가 제2 판(400)에 대하여 상대적으로 운동함으로써, 제2 판의 이동으로 인해 발생할 수 있는 편심의 증가를 줄일 수 있게 된다.As the first weight 490 moves relative to the second plate 400 as described above, an increase in eccentricity that may occur due to the movement of the second plate can be reduced.

본 발명의 일 실시 예에 따라, 상기 제1 추(490)는 상기 랙(470)에 맞물리고 상기 랙(470)의 회전에 따라 상기 피니언(480)의 슬라이딩 방향의 반대 방향으로 하는 또 다른 피니언의 구조를 포함할 수 있다(도 6 (b) 및 도 7 (b) 참조).According to an embodiment of the present invention, the first weight 490 is engaged with the rack 470, and according to the rotation of the rack 470, another pinion is made in a direction opposite to the sliding direction of the pinion 480. It may include the structure of (see Figs. 6 (b) and 7 (b)).

본 발명의 일 실시 예에 따라, 상기 제1 추(490)의 제2 판(400)에 대한 상대적인 운동의 정도를 조절하기 위해 상기 스퍼터링 건(50)은 소정의 기어비를 갖는 기어박스(미도시)를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the sputtering gun 50 is a gearbox (not shown) having a predetermined gear ratio in order to adjust the degree of motion relative to the second plate 400 of the first weight 490. ) May be further included.

본 발명의 일 실시 예에 따라, 상기 적어도 하나의 추(490, 495)는 상기 제1판(300) 또는 상기 제2 판(400)에 고정되어 회전 밸런스를 유지하는 제2 추(495)를 포함할 수 있다. 바람직하게는 제1 판(300)에 고정될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the at least one weight 490, 495 is fixed to the first plate 300 or the second plate 400 to maintain a rotational balance. Can include. Preferably, it may be fixed to the first plate 300.

상기 제1 마그넷 열(210) 및 상기 제2 마그넷 열(220)은, 동일 평면상에 형성될 수 있다.The first magnet row 210 and the second magnet row 220 may be formed on the same plane.

상기 동일 평면에 수직한 일축을 중심으로 회전할 수 있다.It can rotate around one axis perpendicular to the same plane.

도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 마그넷 열(210)은 폐루프 형태로 배치될 수 있다.As shown in FIGS. 5A and 5B, the first magnet row 210 may be arranged in a closed loop shape.

폐루프 형태의 배치는 폐곡선을 따라 복수의 마그넷이 소정의 간격으로 늘어서 배열된 상태를 의미할 수 있다.The arrangement in the form of a closed loop may mean a state in which a plurality of magnets are arranged at predetermined intervals along a closed curve.

상기 제2 마그넷 열(220)은 상기 제1 마그넷 열(210)의 상기 폐루프 형태의 바깥에서 폐루프 형상으로 배치될 수 있다.The second magnet row 220 may be arranged in a closed loop shape outside of the closed loop shape of the first magnet row 210.

상기 상대적 슬라이딩 운동 후에도 상기 제1 마그넷 열(210) 및 상기 제2 마그넷 열(220) 각각의 형태는 폐루프 상태를 유지할 수 있다.Even after the relative sliding movement, the shape of each of the first magnet row 210 and the second magnet row 220 may maintain a closed loop state.

또한 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 메인 마그넷 열(310) 및 상기 제2 메인 마그넷 열(320)이 휘어진 방향과 상기제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)이 휘어진 방향은 반대일 수 있다.In addition, as shown in (a) and (b) of FIG. 5, the first main magnet row 310 and the second main magnet row 320 are bent, and the first sub-magnet row 410 and A direction in which the second sub-magnet row 420 is bent may be opposite.

이에 따라 상기 제1 마그넷 열(210) 및 상기 제2 마그넷 열(220)은 한쪽이 찌그러진 원(타원)이나 하트 모양과 유사하게 형성될 수 있다.Accordingly, the first magnet row 210 and the second magnet row 220 may be formed in a shape similar to a circle (oval) or a heart shape with one side of which is distorted.

이와 같이 찌그러진 형태를 취함으로써 상기 증착 균일도나 침식 균일도를 더욱 증가시킬 수 있다.By taking such a crushed shape, the deposition uniformity or erosion uniformity can be further increased.

제1 서브 마그넷 열(410) 및 상기 제2 서브 마그넷 열(420)은 상기 제1 마그넷 열(210)이 이루는 상기 폐루프 형태의 중심 방향으로 상기 상대적 슬라이딩 운동할 수 있다.The first sub-magnet row 410 and the second sub-magnet row 420 may perform the relative sliding movement toward the center of the closed loop formed by the first magnet row 210.

상기 타겟(100)은 판 형상으로 구비될 수 있다.The target 100 may be provided in a plate shape.

상기 제1 마그넷 열(210) 및 상기 제2 마그넷 열(220)은, 상기 타겟(100)과 평행한 평면 상에서 상기 일축을 중심으로 회전할 수 있다.The first magnet row 210 and the second magnet row 220 may rotate about the one axis on a plane parallel to the target 100.

도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그네트론의 구조 및 작용을 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for explaining the structure and operation of the magnetron according to an embodiment of the present invention.

도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 마그넷 열(210) 및 상기 제2 마그넷 열(220)은 조를 이루어 함께 폐루프 형태의 자기장(290)의 터널을 형성할 수 있다.As shown in (a) and (b) of FIG. 9, the first magnet row 210 and the second magnet row 220 form a pair to form a tunnel of the magnetic field 290 in the form of a closed loop. can do.

상기 자기장(290)의 터널이라 함은, 도 1에 2차원으로 도시된 바와 같은 자기장(290)이 조를 이루는 마그넷 열을 따라 3차원으로 길게 늘어서 터널의 상태를 이룬 것을 의미할 수 있다.The tunnel of the magnetic field 290 may mean that the magnetic field 290 as shown in two dimensions in FIG. 1 is elongated in three dimensions along a pair of magnets to form a tunnel state.

도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 자기장(290)의 터널은 상기 상대적 슬라이딩 운동 후에도 그 형태가 폐루프를 유지할 수 있다.As shown in (a) and (b) of FIG. 9, the tunnel of the magnetic field 290 may maintain a closed loop in shape even after the relative sliding motion.

이에 따라 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그네트론(200)은, 링(Ring) 형태의 루프가 닫혀진 마그넷 열로써 폐루프 상태를 유지하면서 변화되는 자기장(자기장 터널)을 얻게 된다.Accordingly, the magnetron 200 according to an embodiment of the present invention obtains a changed magnetic field (magnetic field tunnel) while maintaining a closed loop state as a magnet row in which a ring-shaped loop is closed.

또한 이에 따라 증착속도가 느린 반응성 스퍼터링 또는 부도체 타겟 스퍼터링을 비롯하여 증착속도가 빠른 알미?이나 구리 등 일반 금속 스퍼터링 용도에서도 성능을 유지하며 사용할 수 있게 된다.In addition, according to this, it can be used while maintaining performance in general metal sputtering applications such as aluminum or copper, including reactive sputtering or non-conductor target sputtering with a slow deposition rate, and aluminum or copper with a fast deposition rate.

또한 마그넷의 운동 시에도 전체적인 자기장(자기장 터널)의 연속적인 폐루프 형태가 유지되므로 스퍼터링을 멈추지 않은 상태에서도 특정 마그넷의 이동(다른 마그넷에 대한 상대적인 운동)이 가능해 진다.In addition, since the continuous closed loop shape of the entire magnetic field (magnetic field tunnel) is maintained even during the movement of the magnet, the movement of a specific magnet (relative movement with respect to other magnets) is possible even without stopping sputtering.

만약 상기 특정 마그넷의 이동 시에 자기장의 형태가 크게 변경되거나 루프 형태가 끊겼다가 다시 연결된다면, 스퍼터링 파워를 끈 상태에서 상기 특정 마그넷을 이동시키고 스퍼터링 파워를 다시 켜도록 운용하여야만 한다.If the shape of the magnetic field is greatly changed during the movement of the specific magnet or the shape of the loop is disconnected and then reconnected, the specific magnet must be moved while the sputtering power is turned off and the sputtering power must be turned on again.

한편, 상술한 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 제어 방법은 프로그램 코드로 구현되어 다양한 비일시적 판독 가능 매체(non-transitory computer readable medium)에 저장된 상태로 서버 또는 기기들에 제공될 수 있다. Meanwhile, the control method according to various embodiments of the present disclosure described above may be implemented as a program code and provided to a server or devices in a state stored in various non-transitory computer readable media.

비일시적 판독 가능 매체란 레지스터, 캐쉬, 메모리 등과 같이 짧은 순간 동안 데이터를 저장하는 매체가 아니라 반영구적으로 데이터를 저장하며, 기기에 의해 판독(reading)이 가능한 매체를 의미한다. 구체적으로는, 상술한 다양한 어플리케이션 또는 프로그램들은 CD, DVD, 하드 디스크, 블루레이 디스크, USB, 메모리카드, ROM 등과 같은 비일시적 판독 가능 매체에 저장되어 제공될 수 있다.The non-transitory readable medium refers to a medium that stores data semi-permanently and can be read by a device, rather than a medium that stores data for a short moment, such as a register, cache, and memory. Specifically, the above-described various applications or programs may be provided by being stored in a non-transitory readable medium such as a CD, DVD, hard disk, Blu-ray disk, USB, memory card, ROM, or the like.

또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.In addition, although the preferred embodiments of the present invention have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and the technical field to which the present invention belongs without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. In addition, various modifications are possible by those of ordinary skill in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or prospect of the present invention.

10: 막 형성 장치 50: 스퍼터링 건
100: 타겟 200: 마그네트론
210: 제1 마그넷 열 220: 제2 마그넷 열
290: 자기장
300: 제1 판
310: 제1 메인 마그넷 열 320: 제2 메인 마그넷 열
330: 제1 모터 340: 구동벨트
350: 풀리 360: 제1 섀프트
370: 냉각수 씰
400: 제2 판
410: 제1 서브 마그넷 열 420: 제2 서브 마그넷 열
430: 제2 모터
460: 제2 섀프트 470: 랙
480: 피니언
490: 제1 추 495: 제2 추
900: 코팅대상체10: film forming device 50: sputtering gun
100: target 200: magnetron
210: first magnet row 220: second magnet row
290: magnetic field
300: first edition
310: first main magnet row 320: second main magnet row
330: first motor 340: drive belt
350: pulley 360: first shaft
370: coolant seal
400: second edition
410: first sub-magnet row 420: second sub-magnet row
430: second motor
460: second shaft 470: rack
480: pinion
490: first weight 495: second weight
900: coating object

Claims (23)

코팅재로 이루어진 타겟;
상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 제1 메인 마그넷 열 및 제1 서브 마그넷 열을 포함하는 제1 마그넷 열; 및
상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 제2 메인 마그넷 열 및 제2 서브 마그넷 열을 포함하고, 상기 제1 마그넷 열과 조를 이루어 함께 자기장을 형성하는 제2 마그넷 열을 포함하고,
상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열은 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 메인 제2 마그넷 열에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동을 하여 상기 형성된 자기장의 형상을 변형 가능하고,
일면에 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열이 고정된 제1 판;
일면에 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 고정되고, 상기 제1 판에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동 가능한 제2 판;
상기 제1 판에 고정되지 않고, 상기 제2 판의 상기 제1 판에 대한 상기 상대적인 슬라이딩 운동의 반대 방향으로 상기 제2 판에 대하여 상대적 운동하는 제1 추(錘); 및
상기 제1 판에 고정되는 제2 추를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
A target made of a coating material;
A first magnet row formed behind the target, relatively movable with respect to the target, and including a first main magnet row and a first sub magnet row; And
A second magnet row formed behind the target, relatively movable with respect to the target, including a second main magnet row and a second sub magnet row, and forming a magnetic field together by forming a pair with the first magnet row. Including,
The first sub-magnet row and the second sub-magnet row may slide together with respect to the first main magnet row and the second main magnet row to deform the shape of the formed magnetic field,
A first plate to which the first main magnet row and the second main magnet row are fixed to one side;
A second plate on which the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are fixed to one side, and relatively slidable with respect to the first plate;
A first weight that is not fixed to the first plate and moves relative to the second plate in a direction opposite to the relative sliding motion of the second plate with respect to the first plate; And
Sputtering gun, characterized in that it further comprises a second weight fixed to the first plate.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 메인 제2 마그넷 열에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동을 하도록 서로 맞물리는 랙과 제1 피니언을 더 포함하고,
상기 제1 추는, 상기 랙에 맞물리고 상기 랙의 회전에 따라 상기 제1 피니언의 상기 랙에 대한 슬라이딩 방향의 반대 방향으로 움직이는 피니언의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 1,
The first sub-magnet row and the second sub-magnet row further include a rack and a first pinion engaged with each other so as to relatively slide with respect to the first main magnet row and the second main magnet row,
The first weight includes a structure of a pinion that is engaged with the rack and moves in a direction opposite to a sliding direction of the first pinion with respect to the rack according to the rotation of the rack.
 제 1 항에 있어서,
상기 제2 판의 상대적 운동을 제어 가능한 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 1,
A sputtering gun, characterized in that it further comprises a control unit capable of controlling the relative motion of the second plate.
 제 3 항에 있어서,
상기 타겟의 마모 정보를 검출하는 검출부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 검출된 마모 정보를 기초로 상기 제2 판의 상기 상대적 운동의 정도를 조절하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 3,
Further comprising a detection unit for detecting the wear information of the target,
The control unit is a sputtering gun, characterized in that to adjust the degree of the relative motion of the second plate based on the detected wear information.
 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 동일 평면상에 형성되고, 상기 동일 평면에 수직한 일축을 중심으로 회전 가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 1,
The first magnet row and the second magnet row are formed on the same plane and are rotatable about one axis perpendicular to the same plane.
 제 6 항에 있어서,
상기 제1 마그넷 열은 폐루프 형태로 배치되고,
상기 제2 마그넷 열은 상기 제1 마그넷 열의 상기 폐루프 형태의 바깥에서 폐루프 형상으로 배치되고,
상기 상대적 슬라이딩 운동 후에도 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열 각각의 형태는 폐루프를 유지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 6,
The first magnet row is arranged in a closed loop form,
The second magnet row is arranged in a closed loop shape outside of the closed loop shape of the first magnet row,
The sputtering gun, characterized in that the shape of each of the first magnet row and the second magnet row maintains a closed loop even after the relative sliding motion.
 제 7 항에 있어서,
상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열이 휘어진 방향과 상기제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 휘어진 방향은 반대인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 7,
A sputtering gun, wherein a direction in which the first main magnet row and the second main magnet row are bent and a direction in which the first and second sub-magnet rows are bent are opposite.
 제 7 항에 있어서,
제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열은 상기 제1 마그넷 열이 이루는 상기 폐루프 형태의 중심 방향으로 상기 상대적 슬라이딩 운동을 하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 7,
A sputtering gun, characterized in that the first sub-magnet row and the second sub-magnet row perform the relative sliding motion in the center direction of the closed loop formed by the first magnet row.
 제 6 항에 있어서,
상기 타겟은 판 형상으로 구비되고,
상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 상기 타겟과 평행한 평면 상에서 상기 일축을 중심으로 회전 가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 6,
The target is provided in a plate shape,
The first magnet row and the second magnet row are rotatable about the one axis on a plane parallel to the target.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은 조를 이루어 함께 폐루프 형태의 자기장 터널을 형성하고,
상기 자기장 터널은 상기 상대적 슬라이딩 운동 후에도 그 형태가 폐루프를 유지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 1,
The first magnet row and the second magnet row form a pair to form a closed-loop magnetic field tunnel,
The magnetic field tunnel is a sputtering gun, characterized in that the shape maintains a closed loop even after the relative sliding motion.
 코팅재로 이루어진 타겟;
상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 복수의 마그넷들이 폐루프 형태로 배열된 제1 마그넷 열; 및
상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 상기 제1 마그넷 열과 조를 이루어 함께 자기장을 형성하고, 복수의 마그넷들이 상기 제1 마그넷 열의 바깥 쪽에서 폐루프 형태로 배열된 제2 마그넷 열을 포함하고,
상기 제1 마그넷 열은 제1 메인 마그넷 열 및 제1 서브 마그넷 열을 포함하고,
상기 제2 마그넷 열은 제2 메인 마그넷 열 및 제2 서브 마그넷 열을 포함하고,
상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열은 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열에 대하여 상대적으로 운동을 하여 상기 형성된 자기장의 형상을 변형 가능하고,
일면에 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열이 고정된 제1 판;
일면에 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 고정되고, 상기 제1 판에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동 가능한 제2 판;
상기 제1 판에 고정되지 않고, 상기 제2 판의 상기 제1 판에 대한 상기 상대적인 슬라이딩 운동의 반대 방향으로 상기 제2 판에 대하여 상대적 운동하는 제1 추(錘); 및
상기 제1 판에 고정되는 제2 추를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
A target made of a coating material;
A first magnet row formed behind the target, relatively movable with respect to the target, and in which a plurality of magnets are arranged in a closed loop shape; And
The second is formed behind the target, is relatively movable with respect to the target, forms a magnetic field together by forming a pair with the first magnet row, and a plurality of magnets are arranged in a closed loop form outside the first magnet row Including magnet heat,
The first magnet row includes a first main magnet row and a first sub magnet row,
The second magnet row includes a second main magnet row and a second sub magnet row,
The first sub-magnet row and the second sub-magnet row may move together with respect to the first main magnet row and the second main magnet row to deform the shape of the formed magnetic field,
A first plate to which the first main magnet row and the second main magnet row are fixed to one side;
A second plate having the first sub-magnet row and the second sub-magnet row fixed on one surface thereof and capable of relatively sliding with respect to the first plate;
A first weight that is not fixed to the first plate and moves relative to the second plate in a direction opposite to the relative sliding motion of the second plate with respect to the first plate; And
Sputtering gun, characterized in that it further comprises a second weight fixed to the first plate.
 제 12 항에 있어서,
상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열에 대하여 상대적으로 운동한 후에도 상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열 각각의 형태는 폐루프를 유지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 12,
Even after the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are moved relative to the first main magnet row and the second main magnet row together, the shape of each of the first magnet row and the second magnet row is closed. Sputtering gun, characterized in that to maintain a loop.
 제 13 항에 있어서,
상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은 조를 이루어 함께 폐루프 형태의 자기장 터널을 형성하고,
상기 자기장 터널은 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열에 대하여 상대적으로 운동한 후에도 그 형태가 폐루프를 유지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 13,
The first magnet row and the second magnet row form a pair to form a closed-loop magnetic field tunnel,
The magnetic field tunnel is characterized in that the shape of the magnetic field tunnel maintains a closed loop even after the first sub-magnet row and the second sub-magnet row move relative to the first main magnet row and the second main magnet row together. Sputtering gun.
 삭제delete 제 12 항에 있어서,
상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 메인 제2 마그넷 열에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동을 하도록 서로 맞물리는 랙과 제1 피니언을 더 포함하고,
상기 제1 추는, 상기 랙에 맞물리고 상기 랙의 회전에 따라 상기 제1 피니언의 상기 랙에 대한 슬라이딩 방향의 반대 방향으로 움직이는 피니언의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 12,
The first sub-magnet row and the second sub-magnet row further include a rack and a first pinion engaged with each other so as to relatively slide with respect to the first main magnet row and the second main magnet row,
The first weight includes a structure of a pinion that is engaged with the rack and moves in a direction opposite to a sliding direction of the first pinion with respect to the rack according to the rotation of the rack.
 제 16 항에 있어서,
상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 동일 평면상에 형성되고, 상기 동일 평면에 수직한 일축을 중심으로 회전 가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 16,
The first magnet row and the second magnet row are formed on the same plane and are rotatable about one axis perpendicular to the same plane.
 제 17 항에 있어서,
상기 타겟은 판 형상으로 구비되고,
상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 상기 타겟과 평행한 평면 상에서 상기 일축을 중심으로 회전 가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 17,
The target is provided in a plate shape,
The first magnet row and the second magnet row are rotatable about the one axis on a plane parallel to the target.
 코팅재로 이루어진 타겟;
상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 제1 메인 마그넷 열 및 제1 서브 마그넷 열을 포함하는 제1 마그넷 열; 및
상기 타겟의 뒤에 형성되고, 상기 타겟에 대하여 상대적으로 운동 가능하고, 상기 제1 마그넷 열과 조를 이루어 함께 폐루프 형태의 자기장 터널을 형성하고, 제2 메인 마그넷 열 및 제2 서브 마그넷 열을 포함하는 제2 마그넷 열을 포함하고,
상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기제2 서브 마그넷 열은 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열에 대하여 상대적으로 운동을 하여 상기 형성된 자기장의 형상을 변형 가능하고,
상기 자기장 터널은 변형된 후에도 그 형태가 폐루프를 유지하고,
일면에 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 제2 메인 마그넷 열이 고정된 제1 판;
일면에 상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 고정되고, 상기 제1 판에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동 가능한 제2 판;
상기 제1 판에 고정되지 않고, 상기 제2 판의 상기 제1 판에 대한 상기 상대적인 슬라이딩 운동의 반대 방향으로 상기 제2 판에 대하여 상대적 운동하는 제1 추(錘); 및
상기 제1 판에 고정되는 제2 추를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
A target made of a coating material;
A first magnet row formed behind the target, relatively movable with respect to the target, and including a first main magnet row and a first sub magnet row; And
It is formed behind the target, is relatively movable with respect to the target, forms a closed-loop magnetic field tunnel together by forming a pair with the first magnet row, and includes a second main magnet row and a second sub magnet row. Including a second magnet row,
The first sub-magnet row and the second sub-magnet row may move together with respect to the first main magnet row and the second main magnet row to deform the shape of the formed magnetic field,
The magnetic field tunnel maintains a closed loop in shape even after it is deformed,
A first plate to which the first main magnet row and the second main magnet row are fixed to one side;
A second plate on which the first sub-magnet row and the second sub-magnet row are fixed to one side, and relatively slidable with respect to the first plate;
A first weight that is not fixed to the first plate and moves relative to the second plate in a direction opposite to the relative sliding motion of the second plate with respect to the first plate; And
Sputtering gun, characterized in that it further comprises a second weight fixed to the first plate.
 제 19 항에 있어서,
상기 제1 서브 마그넷 열 및 상기 제2 서브 마그넷 열이 함께 상기 제1 메인 마그넷 열 및 상기 메인 제2 마그넷 열에 대하여 상대적으로 슬라이딩 운동을 하도록 서로 맞물리는 랙과 제1 피니언을 더 포함하고,
상기 제1 추는, 상기 랙에 맞물리고 상기 랙의 회전에 따라 상기 제1 피니언의 상기 랙에 대한 슬라이딩 방향의 반대 방향으로 움직이는 피니언의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 19,
The first sub-magnet row and the second sub-magnet row further include a rack and a first pinion engaged with each other so as to relatively slide with respect to the first main magnet row and the second main magnet row,
The first weight includes a structure of a pinion that is engaged with the rack and moves in a direction opposite to a sliding direction of the first pinion with respect to the rack according to the rotation of the rack.
 삭제delete 제 19 항에 있어서,
상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 동일 평면상에 형성되고, 상기 동일 평면에 수직한 일축을 중심으로 회전 가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.
The method of claim 19,
The first magnet row and the second magnet row are formed on the same plane and are rotatable about one axis perpendicular to the same plane.
 제 22 항에 있어서,
상기 타겟은 판 형상으로 구비되고,
상기 제1 마그넷 열 및 상기 제2 마그넷 열은, 상기 타겟과 평행한 평면 상에서 상기 일축을 중심으로 회전 가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 건.The method of claim 22,
The target is provided in a plate shape,
The first magnet row and the second magnet row are rotatable about the one axis on a plane parallel to the target.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20080038056A (en) * 2006-10-27 2008-05-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Position controlled dual magnetron
JP2020033590A (en) * 2018-08-29 2020-03-05 株式会社アルバック Sputtering cathode

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