KR102239885B1 - Heterostructure laminated thin film, method for producing heterostructure laminated thin film and semiconductor device comprising heterostructure laminated thin film - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예들은 헤테로 구조의 적층 박막, 그 제조 방법 및 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막은, 제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 단일층(monolayer)의 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층; 및 상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 1 전이금속 원소의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층을 포함하는 헤테로 구조를 포함할 수 있다.Embodiments of the present invention relate to a heterostructure laminated thin film, a method of manufacturing the same, and a semiconductor device. The laminated thin film having a heterostructure in which heterogeneous materials are laminated according to an embodiment of the present invention is a first transition of a monolayer including a compound of a first transition metal element and a first chalcogen element. A metal dichalcogenide layer; And a heterostructure including a first oxide layer disposed on the first transition metal dichalcogenide layer and including an oxide of the first transition metal element.
Description
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조의 적층 박막, 그 제조 방법 및 반도체 소자에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor technology, and more particularly, to a heterostructure stacked thin film in which heterogeneous materials are stacked, a method of manufacturing the same, and a semiconductor device.
차세대 나노전자 소자의 물질로 2차원 물질들이 각광받고 있다. 트랜지스터와 같은 반도체 소자로의 응용을 위해 적용 물질이 밴드갭을 가져야 하는 경우가 있다. 상기 밴드갭을 가지며 동시에 2차원 구조를 갖는 칼코제나이드(chalcogenide) 계열의 물질에 대한 연구가 최근 활발히 이루어지고 있다.Two-dimensional materials are in the spotlight as materials for next-generation nanoelectronic devices. For application to semiconductor devices such as transistors, there are cases where the applied material must have a band gap. Recently, studies on a chalcogenide-based material having the bandgap and having a two-dimensional structure have been actively conducted in recent years.
종래 기술에서, 이종의 2차원 물질이 적층된 헤테로 구조의 적층 박막을 제조하기 위해서는 기판 상에 2차원 물질의 제1 단일층(monolayer)을 형성한 후, 다른 기판 상에 형성된 다른 2차원 물질의 제2 단일층을 상기 제1 단일층 상에 전사하고, 상기 다른 기판을 제거하는 등의 복잡한 처리가 필요하였다. In the prior art, in order to manufacture a heterostructure laminate thin film in which heterogeneous two-dimensional materials are stacked, a first monolayer of a two-dimensional material is formed on a substrate, and then a second monolayer of another two-dimensional material is formed on another substrate. Complex processing such as transferring the second single layer onto the first single layer and removing the other substrate was required.
또한, LED 등의 반도체 발광 소자는 서로 밴드갭이 상이한 물질을 적층한 양자 우물(quantum well) 구조를 포함하는데, 이러한 LED 등의 반도체 발광 소자의 전계 발광 양자 효율을 더 높이고자 하는 요구가 존재하였다.In addition, semiconductor light emitting devices such as LEDs have a quantum well structure in which materials having different band gaps are stacked, and there has been a need to further increase the electroluminescence quantum efficiency of semiconductor light emitting devices such as LEDs. .
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 소자로의 적용을 위해 요구되는 밴드갭 구조의 설계가 자유로운 헤테로 구조의 적층 박막을 용이하게 제조하는 방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method of easily manufacturing a heterostructure laminated thin film in which the design of a bandgap structure required for application to a semiconductor device is free.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 반도체 소자로의 적용을 위해 요구되는 밴드갭 구조의 설계가 자유로운 다중 전자 우물 구조를 제공하는 것이다.In addition, another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a multiple electron well structure in which the design of a bandgap structure required for application to a semiconductor device is free.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 종래 기술 보다 발광 효율이 향상되고 저전류 제어가 가능한 반도체 소자를 제공하는 것이다.In addition, another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a semiconductor device capable of improving luminous efficiency and controlling low current compared to the prior art.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막으로서, 상기 헤테로 구조는, 제 1 전이금속 원소와 제 1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 단일층(monolayer)의 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층; 및 상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 1 전이금속 원소의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a laminated thin film having a heterostructure in which heterogeneous materials are laminated, wherein the heterostructure is a single layer containing a compound of a first transition metal element and a first chalcogen element ( monolayer) of the first transition metal dichalcogenide layer; And a first oxide layer disposed on the first transition metal dichalcogenide layer and including an oxide of the first transition metal element.
일 실시예에서, 상기 헤테로 구조는, 상기 제 1 산화물 층 상에 배치되고, 제 2 전이금속 원소와 제2 칼코젠 원소의 화합물을 포함하는 단일층의 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층; 및 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 2 전이 금속 원소의 산화물 포함하는 제 2 산화물 층을 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the heterostructure includes a single-layered second transition metal dichalcogenide layer disposed on the first oxide layer and including a compound of a second transition metal element and a second chalcogen element; And a second oxide layer disposed on the second transition metal dichalcogenide layer and including an oxide of the second transition metal element.
일 실시예에서, 2 이상의 상기 헤테로 구조가 순차적으로 적층된 다중층을 포함할 수 있다.In one embodiment, two or more heterostructures may include a multilayer stacked sequentially.
일 실시예에서, 상기 제 1 전이금속 원소는 Mo, Ta 및 W 중 어느 하나이고, 상기 제1 칼코젠 원소는 S, Se 및 Te 중 어느 하나일 수 있다.In one embodiment, the first transition metal element may be any one of Mo, Ta, and W, and the first chalcogen element may be any one of S, Se, and Te.
일 실시예에서, 상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드와 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드는 동일한 화합물이거나, 상이한 화합물일 수 있다.In one embodiment, the transition metal dichalcogenide included in the first transition metal dichalcogenide layer and the transition metal dichalcogenide included in the second transition metal dichalcogenide layer may be the same compound or different compounds. .
일 실시예에서, 상기 헤테로 구조는 양자 우물(Quantum well)을 포함할 수 있다.In one embodiment, the heterostructure may include a quantum well.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막의 제조 방법으로서, a) 기판 상에, 제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층의 이중층(bilayer)을 형성하는 단계; 및 b) 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 대한 산화 처리에 의해, 상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층의 상부 단일층(monolayer)을 상기 제 1 전이 금속의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층으로 변화시키는 단계를 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법이 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a method of manufacturing a laminated thin film having a heterostructure in which heterogeneous materials are laminated, a) including a compound of a first transition metal element and a first chalcogen element on a substrate Forming a bilayer of the first transition metal dichalcogenide layer; And b) an upper monolayer of the first transition metal dichalcogenide layer into a first oxide layer including an oxide of the first transition metal by oxidation treatment on the first transition metal dichalcogenide layer. A method of manufacturing a heterostructured laminated thin film including the step of changing may be provided.
일 실시예에서, c) 상기 제 1 산화물 층 상에, 제 2 전이금속 원소와 제2 칼코젠 원소의 화합물을 포함하는 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층의 이중층(bilayer)을 전사하는 단계; 및 d) 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 대한 산화 처리에 의해, 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층의 상부 단일층을 상기 제 2 전이금속의 산화물을 포함하는 제 2 산화물 층으로 변화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, c) transferring a bilayer of a second transition metal dichalcogenide layer including a compound of a second transition metal element and a second chalcogen element onto the first oxide layer; And d) converting an upper single layer of the second transition metal dichalcogenide layer into a second oxide layer including the oxide of the second transition metal by oxidation treatment on the second transition metal dichalcogenide layer. It may further include a step.
일 실시예에서, 상기 단계 c) 및 d)를 추가적으로 1회 이상 수행하여, 전이금속 디칼코제나이드 층과 산화물층이 교대로 적층된 다중층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, steps c) and d) may be additionally performed one or more times to form a multilayer in which a transition metal dichalcogenide layer and an oxide layer are alternately stacked.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 전술한 헤테로 구조의 적층 박막을 포함하는 반도체 소자가 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a semiconductor device including the aforementioned heterostructured laminated thin film may be provided.
본 발명의 실시예에 따르면, 전이금속 디칼코제나이드의 이중층을 형성한 후, 산화 처리에 의해 상부 단일층을 전이금속 산화물층으로 변화시킴으로써, 헤테로 구조이지만 층간 안정된 계면을 가지면서 소정 밴드갭 구조의 신뢰성 있는 구현이 용이한 전이금속 디칼코제나이드의 2차원 단일층과 산화물 층을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막 및 그 제조 방법이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, after forming a double layer of transition metal dichalcogenide, by changing the upper single layer into a transition metal oxide layer by oxidation treatment, it is a heterostructure but has a stable interlayer interface and a predetermined bandgap structure. A heterostructured laminated thin film including a two-dimensional single layer of transition metal dichalcogenide and an oxide layer, which is easy to implement with confidence, and a method of manufacturing the same may be provided.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 전이금속 디칼코제나이드의 이중층을 형성한 후, 산화 처리에 의해 상부 단일층을 전이금속 산화물층으로 변화시키고, 전사에 의해 추가로 전이금속 디칼코제나이드의 이중층을 형성한 후, 산화 처리에 의해 추가로 형성된 전이 금속 디칼코제나이드의 상부 단일층을 전이 금속 산화물층으로 변화시킴으로써, 전이금속 디칼코제나이드의 2차원 단일층과 산화물 층을 갖는 복수의 헤테로 구조를 포함하는 다중 전자 우물 구조가 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, after forming a double layer of transition metal dichalcogenide, the upper single layer is changed to a transition metal oxide layer by oxidation treatment, and a double layer of transition metal dichalcogenide is additionally transferred by transfer. After forming, by changing the upper single layer of the transition metal dichalcogenide further formed by oxidation treatment to the transition metal oxide layer, a two-dimensional single layer of the transition metal dichalcogenide and a plurality of heterostructures having an oxide layer Including multiple electron well structures can be provided.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 전이금속 디칼코제나이드의 2차원 단일층과 산화물 층을 포함하는 헤테로 구조가 복수층 형성된 다중 전자 우물 구조를 이용하여, 발광 효율이 향상되고 저전류 제어가 가능한 반도체 소자가 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, by using a multi-electron well structure in which a two-dimensional single layer of a transition metal dichalcogenide and a heterostructure including an oxide layer are formed in multiple layers, luminous efficiency is improved and low current control is possible. A semiconductor device may be provided.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 박막의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층 박막의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 박막의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층 박막의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 산화 처리를 행하여, 이중층의 MoS2를 상부 단일층의 MoS2를 MoOx로 산화시키는 공정에서 플라즈마 처리시간에 따른 라만 스펙트럼 및 발광 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 MoS2를 MoOx로 산화시킬 때, 산화 처리 시간에 따른 XPS 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층 박막(200)의 제조시에 각 공정에 따른 층 구조의 모식도와 상기 층 구조에 따른 발광 스펙트럼의 변화를 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view of a laminated thin film according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a laminated thin film according to another embodiment of the present invention.
3A to 3C are diagrams illustrating a method of manufacturing a laminated thin film according to an embodiment of the present invention.
4A to 4C are diagrams illustrating a method of manufacturing a laminated thin film according to another embodiment of the present invention.
Figures 5a and 5b are subjected to the oxidation treatment in accordance with an embodiment of the invention, showing the Raman spectrum and the emission spectrum according to the MoS 2 of the double layer of MoS 2 of the upper single layer in the plasma processing time in the step of oxidation in MoO x It is a graph.
6 is a diagram showing an XPS spectrum according to oxidation treatment time when MoS 2 is oxidized to MoO x according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating a schematic diagram of a layer structure according to each process and a change in an emission spectrum according to the layer structure when manufacturing a laminated
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely describe the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is It is not limited to the examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art.
도면에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.In the drawings, the same reference numerals refer to the same elements. Also, as used herein, the term “and/or” includes any and all combinations of one or more of the corresponding listed items.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 단수로 기재되어 있다 하더라도, 문맥상 단수를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"이란 용어는 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 기판 또는 다른 층 "상에(on)" 형성된 층에 대한 언급은 상기 기판 또는 다른 층의 바로 위에 형성된 층을 지칭하거나, 상기 기판 또는 다른 층 상에 형성된 중간층 또는 중간층들 상에 형성된 층을 지칭할 수도 있다. The terms used in this specification are used to describe examples, and are not intended to limit the scope of the present invention. In addition, even if it is described in the singular in this specification, a plurality of forms may be included unless the context clearly indicates the singular. In addition, the terms "comprise" and/or "comprising" as used herein specify the presence of the mentioned shapes, numbers, steps, actions, members, elements and/or groups thereof. It does not exclude the presence or addition of other shapes, numbers, movements, members, elements and/or groups. Further, reference to a layer formed "on" a substrate or other layer herein refers to a layer formed directly on the substrate or other layer, or on an intermediate layer or intermediate layers formed on the substrate or other layer. It may also refer to the formed layer.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 박막(100)의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a laminated
도 1을 참조하면, 적층 박막(100)은 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는다. 기판(S) 상에 형성된 적층 박막(100)의 헤테로 구조는 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층(10) 및 제 1 산화물 층(20)을 포함할 수 있다. 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층(10)은 제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 단일층(monolayer)이다. 전이금속 디칼코제나이드 층의 단일층이란, 하나의 전이 금속 원자와 2개의 칼코젠 원소로 구성되는 하나의 층을 의미한다. 제 1 산화물 층(20)은 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층(10) 상에 배치되고, 상기 제 1 전이금속 원소의 산화물을 포함하는 층이다. Referring to FIG. 1, the laminated
일 실시예에서는 제 1 전이금속 원소는 몰리브데늄(Mo)을 포함하고, 제1 칼코젠 원소는 황(S)일 수 있다. 그러나, 다른 실시예에서는, 제 1 전이금속 원소는 몰리브덴(Mo)과 함께 또는 몰리브데늄(Mo)를 대체하여, 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W) 중 어느 하나를 포함할 수 있고, 제1 칼코젠 원소는 황(S)과 함께 또는 황(S)을 대체하여, 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 중 어느 하나일 수 있다. In an embodiment, the first transition metal element may include molybdenum (Mo), and the first chalcogen element may be sulfur (S). However, in another embodiment, the first transition metal element may include any one of tantalum (Ta) and tungsten (W) with molybdenum (Mo) or by replacing molybdenum (Mo), and the first The chalcogen element may be any one of selenium (Se) and tellurium (Te) together with sulfur (S) or by replacing sulfur (S).
제 1 전이금속 디칼코제나이드 층(10)은 제 1 전이금속 원소인 Mo와 제1 칼코젠 원소인 S의 화합물인 MoS2를 포함할 수 있다. 제 1 산화물 층(20)은 제 1 전이금속 원소인 Mo의 산화물인 MoO3를 포함할 수 있다. 그러나, 다른 실시예에서는 다양한 화학양론을 갖는 몰리브데늄 산화물(MoOx)을 포함할 수 있다. The first transition metal dichalcogenide layer 10 may include MoS 2 , which is a compound of Mo as a first transition metal element and S as a first chalcogen element. The first oxide layer 20 may include MoO 3 , which is an oxide of Mo, which is a first transition metal element. However, other embodiments may include molybdenum oxide (MoO x ) having various stoichiometry.
후술하는 바와 같이, 단일층의 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층(10)을 제공하기 위해 먼저 전이금속 디칼코제나이드의 이중층을 형성하고, 상기 이중층 중 상부 단일층의 MoS2를 MoO3로 산화시켜 제 1 산화물 층(20)이 제공될 수 있다. 그 결과, 제 1 산화물 층(20)은 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층(10)의 제 1 전이금속과 동일한 전이금속의 산화물을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 이중층의 부분 산화에 의해 제 1 전이금속 디칼코제아니이드 층(10)과 제 산화물 층(20)의 이중층의 헤테로 구조를 얻기 때문에, 층간 안정된 계면을 가지면서 소정 밴드갭 구조의 신뢰성 있는 구현이 용이하다.As described later, in order to provide the first transition
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층 박막(200)의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a laminated
도 2를 참조하면, 적층 박막(200)은 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는다. 기판(S) 상에 형성된 적층 박막(200)의 헤테로 구조는, 도 1에 도시된 헤테로 구조에 추가적으로 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층(30) 및 제 2 산화물 층(40)을 더 포함할 수 있다. 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층(10) 및 제 1 산화물 층(20)에 관하여는 모순되지 않는 한 도 1을 참조하여 개시한 설명이 참조될 수 있다.Referring to FIG. 2, the laminated
제 2 전이금속 디칼코제나이드 층(30)은 제 1 산화물 층(20) 상에 배치되고, 제 2 전이금속 원소와 제2 칼코젠 원소의 화합물을 포함하는 단일층이다. 제 2 산화물 층(40)은 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층(30) 상에 배치되고, 상기 제 2 전이 금속 원소의 산화물 포함하는 층이다. The second transition
일 실시예에서, 제 2 전이금속 원소는 몰리브데늄(Mo), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나이고, 제2 칼코젠 원소는 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 바람직하게는, 상기 제 2 전이금속 원소는 몰리브데늄이고, 상기 제2 칼코젠 원소는 황(S)일 수 있다. 일 실시예에서는 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층(10)에 함유된 전이금속 디칼코제나이드와 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층(30)에 함유된 전이금속 디칼코제나이드가 동일한 화합물인 MoS2일 수 있으나, 다른 실시예에서는 상이한 전이금속 디칼코제나이드 화합물일 수 있다. In one embodiment, the second transition metal element is at least one of molybdenum (Mo), tantalum (Ta), and tungsten (W), and the second chalcogen element is sulfur (S), selenium (Se), and tell. It may be at least one of lulium (Te). Preferably, the second transition metal element may be molybdenum, and the second chalcogen element may be sulfur (S). In one embodiment, the transition metal dichalcogenide contained in the first transition
일 실시예에서, 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층(30)은 제 2 전이금속 원소인 몰리브데늄(Mo)와 제2 칼코젠 원소인 황(S)의 화합물인 MoS2를 포함한다. 제 2 산화물 층(20)은 상기 제 2 전이금속 원소인 Mo의 산화물인 MoO3를 포함할 수 있다. 그러나, 다른 실시예에서는 비화학양론적인 MO의 다양한 산화물(MoOx)일 수도 있다. 후술하는 바와 같이, 제 2 산화물 층(40)은 산화 처리에 의해 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층(30)의 이중층(bilayer) 중 상부 단일층의 MoS2가 MoO3로 산화된 것이므로, 제 2 산화물 층(40)은 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층(30)의 제 2 전이금속과 동일한 전이금속의 산화물을 포함한다. In one embodiment, the second transition metal dichalcogenide layer 30 includes MoS 2 , which is a compound of molybdenum (Mo), which is a second transition metal element, and sulfur (S), which is a second chalcogen element. The second oxide layer 20 may include MoO 3 , which is an oxide of Mo, which is the second transition metal element. However, in other embodiments, it may be a non-stoichiometric MO of various oxides (MoO x ). As will be described later, the
적층 박막(200)의 헤테로 구조는 적층된 헤테로 구조의 서로 다른 에너지 밴드 구조가 인접함으로써 양자 우물(Quantum well)을 제공할 수 있다. MoS2는 좁은 밴드갭을 갖는 반도체의 특성을 갖고, MoO3는 큰 밴드갭을 갖는 절연체의 특성을 갖고 있다. 반도체(밴드갭이 작음)/절연체(밴드갭이 큼)의 연속적인 구조가 반복하여 적층되어, 인접하는 절연체들 사이에 상기 반도체가 삽입되어 양자 우물 구조를 형성한다. 이렇게 생성된 양자 우물 구조는 2차원 물질의 단일층이 적층된 구조이므로, 종래의 양자 우물 구조에 비해 더 높은 효율을 나타내고, 캐리어의 터널링을 저전압으로 유도할 수 있어 저전력으로 구동될 수 있는 반도체 소자가 제공될 수 있다.The heterostructure of the stacked
도 2에 도시된 적층 박막(200)은 전이금속 디칼코제나이드 층과 산화물 층이 2번 교대로 적층된 것이지만, 본 발명의 기술 사상은 여기에 한정되지 않는다. 예를 들면, 적층 박막(200)은 전이금속 디칼코제나이드 층과 산화물 층의 적층 구조가 2회 이상 순차적으로 적층된 다중층을 포함할 수 있다.The laminated
또한, 도 1에 도시된 적층 박막(100), 도 2에 도시된 적층 박막(100), 또는 전이금속 디칼코제나이드 층과 산화물 층의 적층 구조가 2회, 3회, 4회, 또는 5회 이상 순차적으로 적층된 다중 적층 박막을 포함하는 반도체 소자를 이용하여 발광 소자 또는 디스플레이 소자를 제조할 수 있다. 이렇게 제조된 발광 소자 또는 디스플레이 소자는 층의 개수와 단일층의 적층에 의한 헤테로 구조에 의해, 다양한 파장의 발진과 저전류 제어가 가능하므로, 반도체 분야에서 다양하게 활용될 수 있다. In addition, the laminated
일 실시예에 따른 적층 박막을 포함하는 반도체 소자는 LED 조명 소자 또는 LED 디스플레이 소자로 구현될 수 있고, 상기 LED는 전자주입층으로서 n형 반도체층과, 정공 주입층으로서 p형 반도체층, 또한 그 사이에 양자 우물(quantum well) 구조를 갖는 활성층을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 단일층인 전이금속 디칼코제나이드 층과 산화물 층의 적층 구조가 복수회 반복된 다중 양자 우물 구조(multi-quantum well:MQW)가 활성층에 포함되므로, 종래 기술에 비해 단일 층의 적층에 의한 양자 우물 구조의 실현으로 더 높은 효율과 저전력을 갖는 LED를 구현할 수 있다.A semiconductor device including a laminated thin film according to an embodiment may be implemented as an LED lighting device or an LED display device, wherein the LED includes an n-type semiconductor layer as an electron injection layer, a p-type semiconductor layer as a hole injection layer, and It may include an active layer having a quantum well structure therebetween. According to an embodiment of the present invention, a multi-quantum well (MQW) structure in which a stacked structure of a transition metal dichalcogenide layer and an oxide layer, which is a single layer, is repeated multiple times is included in the active layer. Compared with the realization of a quantum well structure by stacking a single layer, it is possible to implement an LED having higher efficiency and lower power.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 박막(100)의 제조 방법을 나타내는 도면이다.3A to 3C are diagrams illustrating a method of manufacturing a laminated
도 3a를 참조하면, 먼저 기판(S) 상에 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층의 이중층(10, 11)을 형성한다. 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층의 이중층(10, 11)은 물리적 증착법, 화학적 증착법 또는 원자층 증착과 같은 기상 증착법에 의해 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 이중층(10, 11)은 기판(S) 상에 전사될 수 있다. 상기 전사는 모재로부터의 기계적 박리법 (mechanical exfoliation), 금을 이용한 전사 방법(Au-assisted transfer), 스탬프를 이용한 전사 방법(stamp-assisted transfer), 직접 전사 방법(direct transfer), 고분자 막을 이용한 전사 방법(polymer-assisted transfer) 또는 이의 조합에 의해 수행될 수 있다. Referring to FIG. 3A, first,
일 실시예에서, 기판(S)의 결정 구조를 따라, 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층의 이중층(10, 11)은 에피택셜 성장에 의해 형성될 수도 있다. 이때 기판(S)은 단결정 실리콘 또는 사파이어 기판일 수 있다.In one embodiment, along the crystal structure of the substrate S, the
도 3b를 참조하면, 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층의 이중층(10, 11)에 대하여 산화 처리를 수행한다. 산화 처리는 산소 플라즈마 장치를 사용하여 수행될 수 있다. 플라즈마 장치 안에 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층의 이중층(10, 11)이 형성된 기판(S)을 고정시킨 후, 상기 플라즈마 장치의 전극에, 예를 들면, 저주파(LF, low frequency) 발전기를 이용하여 저주파 전력을 공급하여 플라즈마 처리를 수행한다. 예컨대, 10W의 저주파 전력을 26초 동안 공급하고, 10-3torr의 저진공 상태의 상기 플라즈마 장치에 산소를 주입하고(유량:30sccm) 방전시켜, 산소 기체 분위기 하(540 mTorr)에서 상기 산화 처리를 수행할 수 있다.Referring to FIG. 3B, oxidation treatment is performed on the
도 3c를 참조하면, 산화 처리에 의해 상부 단일층(11)에 포함된 MoS2가 MoO3로 산화되어, MoO3를 포함하는 제 1 산화물 층(20)이 형성된다. 도 3a 내지 도 3c에 도시된 각 공정에 따르면 기판(S) 상에 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층(10) 및 제 1 산화물 층(20)가 순차 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막(100)을 얻을 수 있다. 본 실시예에 따르면, 각 단일층을 전사(transfer)에 의해 형성하는 종래 기술과 비교하면, 미리 형성된 상기 이중층의 부분 산화에 의해 제작 공정이 더 단순하고, 제 1 전이금속 디칼코제아니이드 층(10)과 제 1 산화물 층(20)의 헤테로 구조에 층간 안정된 계면을 제공하고, 소정 밴드갭 구조의 신뢰성 있는 구현이 용이하다.Referring to FIG. 3C, MoS 2 contained in the upper
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층 박막(200)의 제조 방법을 나타내는 도면이다.4A to 4C are diagrams illustrating a method of manufacturing a laminated
도 4a를 참조하면, 도 3c를 참조하여 개시된 제조 방법에 따라 형성된 적층 박막(100)의 제 1 산화물 층(20) 상에, 제 2 전이금속 원소와 제2 칼코젠 원소의 화합물을 포함하는 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층의 이중층(30, 31)을 전사할 수 있다. 이중층(30, 31)의 전사를 위해서 기계적 분리 방법(mechanical exfoliation), 금을 이용한 전사 방법(Au-assisted transfer), 스탬프를 이용한 전사 방법(stamp-assisted transfer), 직접 전사 방법(direct transfer) 및 고분자 막을 이용한 전사 방법(polymer-assisted transfer)이 이용될 수 있다.Referring to FIG. 4A, on the
도 4b를 참조하면, 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층의 이중층(30, 31)에 대하여 산화 처리를 수행한다. 일 실시예에서, 상기 산화 처리는 도 3b를 참조하여 설명한 산소 플라즈마 장치를 사용하여 수행될 수 있다.Referring to FIG. 4B, oxidation treatment is performed on the
도 4c를 참조하면, 상기 산화 처리에 의해 상부 단일층(31)에 포함된 MoS2가 MoO3로 산화되어, MoO3를 포함하는 제 2 산화물 층(40)이 형성된다. 이에 따라, 기판(S) 상에 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층(10), 제 1 산화물 층(20), 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층(30) 및 제 2 산화물 층(20)이 순차 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막(200)을 얻을 수 있다. Referring to FIG. 4C, MoS 2 included in the upper
적층 박막(200)은 사중층(four layers stack)일 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 추가적인 전사를 이용하여 다중층 양자우물 구조의 제조가 얻어질 수 있으며, 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층(10)과 제 1 산화물 층(20) 사이에, 그리고 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층(30)과 제 2 산화물 층(40) 사이에 층간 안정된 계면을 가지면서 간단한 공정을 통하여 2차원 물질로 구성된 다중층 양자 우물 구조를 실현할 수 있다.The laminated
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 산화 처리를 행하여, 이중층의 MoS2를 상부 단일층의 MoS2를 MoOx로 산화시키는 공정에서 플라즈마 처리시간에 따른 라만 스펙트럼 및 발광 스펙트럼을 나타내는 그래프이다. Figures 5a and 5b are subjected to the oxidation treatment in accordance with an embodiment of the invention, showing the Raman spectrum and the emission spectrum according to the MoS 2 of the double layer of MoS 2 of the upper single layer in the plasma processing time in the step of oxidation in MoO x It is a graph.
도 5a를 참조하면, 산화 처리 시간이 각각 10초, 20초, 50초, 80초, 120초, 140초, 155초일 때의 박막의 라만 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 변화를 나타낸다. E1 2g는 평면(in-plane) 진동 신호를 나타내고, A1g는 수직(out-of-plane) 진동 신호를 나타낸다. Referring to FIG. 5A, changes in the Raman spectrum and the emission spectrum of the thin film when the oxidation treatment time is 10 seconds, 20 seconds, 50 seconds, 80 seconds, 120 seconds, 140 seconds, and 155 seconds, respectively. E 1 2g represents an in-plane vibration signal, and A 1g represents an out-of-plane vibration signal.
도 5b를 잠조하면, 플라즈마 처리 시간에 따른 라만 피크의 위치 변화와 발광 크기의 변화가 도시되어 있다. 140초 이후에 라만 피크의 거리가 작아지고 발광 크기가 크게 증가하는 것으로부터 MoS2의 상부 단일층은 산화되고, MoS2의 하부층은 단일층으로 남아 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 5B, a change in the position of the Raman peak and a change in light emission intensity according to the plasma treatment time are shown. Since the distance of the Raman peak decreases after 140 seconds and the emission size increases significantly, it can be seen that the upper monolayer of MoS 2 is oxidized, and the lower layer of MoS 2 remains as a monolayer.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 MoS2를 MoOx로 산화시킬 때, 산화 처리 시간에 따른 XPS 스펙트럼을 나타내는 도면이다. 6 is a diagram showing an XPS spectrum according to oxidation treatment time when MoS 2 is oxidized to MoO x according to an embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 150초 이후에 산화층의 XPS 피크가 관찰되므로, 상부 단일층이 산화되었음을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6, since the XPS peak of the oxide layer is observed after 150 seconds, it can be confirmed that the upper single layer is oxidized.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층 박막(200)의 제조시에 각 공정에 따른 층 구조의 모식도와 상기 층 구조에 따른 발광 스펙트럼의 변화를 나타내는 도면이다. 7 is a diagram illustrating a schematic diagram of a layer structure according to each process and a change in an emission spectrum according to the layer structure when manufacturing a laminated
도 7을 참조하면, 좌측의 모식도는 위에서부터 순차적으로, MoS2 이중층, MoS2 단일층/MoOx단일층, MoS2 단일층/MoOx층/MoS2 이중층, MoS2 단일층/MoOx 층/MoS2 단일층/MoOx층으로 구성된 적층 구조를 나타낸다. 우측의 그래프는 각 적층 구조의 발광 스펙트럼을 나타낸다. 각 적층 구조의 발광 스펙트럼의 변화로부터 MoS2 단일층의 형성과 단일층 형성에 따라 발광 강도가 증가된 것을 알 수 있다.Referring to Figure 7, the schematic diagram on the left is sequentially from the top, MoS 2 double layer, MoS 2 single layer / MoO x single layer, MoS 2 single layer / MoO x layer / MoS 2 double layer, MoS 2 single layer / MoO x layer /MoS 2 represents a layered structure composed of a single layer/MoO x layer. The graph on the right shows the emission spectrum of each layered structure. From the change in the emission spectrum of each laminated structure, it can be seen that the luminescence intensity increased with the formation of the MoS 2 single layer and the formation of the single layer.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and that various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope of the technical spirit of the present invention. It will be obvious to those who have knowledge.
Claims (15)
상기 헤테로 구조는,
제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 제 1 단일층(monolayer)의 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층; 및
상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 전면적으로 배치되며, 상기 제 1 전이금속 원소의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층을 포함하며,
상기 헤테로 구조는 양자 우물(Quantum well)을 제공하며,
상기 제 1 단일층 상에 적층된 상기 제 1 단일층과 동일한 성분을 갖는 제 2 단일층의 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층이 산화 처리되어 상기 제 1 산화물 층이 형성됨으로써, 상기 제 1 단일층과 상기 제 1 산화물 층 사이에 전면적인 계면이 형성되고,
상기 제 1 단일층은 제 1 밴드갭을 갖는 반도체의 특성을 포함하고, 상기 제 1 산화물 층은 상기 제 1 밴드갭보다 큰 제 2 밴드갭을 갖는 절연체의 특성을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막.As a laminated thin film having a heterostructure in which heterogeneous materials are laminated,
The hetero structure,
A first transition metal dichalcogenide layer of a first monolayer including a compound of a first transition metal element and a first chalcogen element; And
It is disposed entirely on the first transition metal dichalcogenide layer, and includes a first oxide layer including an oxide of the first transition metal element,
The heterostructure provides a quantum well,
The first transition metal dichalcogenide layer of the second single layer having the same component as the first single layer stacked on the first single layer is subjected to oxidation to form the first oxide layer, whereby the first single layer An entire interface is formed between the and the first oxide layer,
The first single layer includes characteristics of a semiconductor having a first band gap, and the first oxide layer includes characteristics of an insulator having a second band gap larger than that of the first band gap.
상기 헤테로 구조는,
상기 제 1 산화물 층 상에 배치되고, 제 2 전이금속 원소와 제2 칼코젠 원소의 화합물을 포함하는 단일층의 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층; 및
상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 2 전이 금속 원소의 산화물 포함하는 제 2 산화물 층을 더 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막.The method of claim 1,
The hetero structure,
A single-layered second transition metal dichalcogenide layer disposed on the first oxide layer and including a compound of a second transition metal element and a second chalcogen element; And
A heterostructure laminated thin film disposed on the second transition metal dichalcogenide layer and further comprising a second oxide layer including an oxide of the second transition metal element.
2 이상의 상기 헤테로 구조가 순차적으로 적층된 다중층을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막.The method of claim 1,
A laminated thin film of a heterostructure including a multilayer in which two or more of the heterostructures are sequentially laminated.
상기 제 1 전이금속 원소는 Mo, Ta 및 W 중 어느 하나인 헤테로 구조의 적층 박막.The method of claim 1,
The first transition metal element is any one of Mo, Ta, and W heterostructured laminated thin film.
상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드와 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드는 동일한 화합물인 헤테로 구조의 적층 박막.The method of claim 2,
A layered thin film having a heterostructure in which the transition metal dichalcogenide included in the first transition metal dichalcogenide layer and the transition metal dichalcogenide included in the second transition metal dichalcogenide layer are the same compound.
상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드와 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드는 상이한 화합물인 헤테로 구조의 적층 박막.The method of claim 2,
The transition metal dichalcogenide included in the first transition metal dichalcogenide layer and the transition metal dichalcogenide included in the second transition metal dichalcogenide layer are different compounds.
상기 헤테로 구조는,
제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 제 1 단일층(monolayer)의 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층; 및
상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 전면적으로 배치되고, 상기 제 1 전이금속 원소의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층을 포함하고,
상기 헤테로 구조 상에, 상기 제 1 산화물 층 상에 배치되고, 제 2 전이금속 원소와 제 2 칼코젠 원소의 화합물을 포함하는 제 3 단일층의 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층; 및
상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 2 전이 금속 원소의 산화물 포함하는 제 2 산화물 층을 포함하는 추가 헤테로 구조가 적어도 1회 이상 순차적으로 반복 적층되고
상기 헤테로 구조는 양자 우물(Quantum well)을 제공하며,
상기 제 1 단일층 상에 적층된 상기 제 1 단일층과 동일한 성분을 갖는 제 2 단일층의 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층이 산화 처리되어 상기 제 1 산화물 층이 형성됨으로써, 상기 제 1 단일층과 상기 제 1 산화물 층 사이에 전면적인 제 1 계면이 형성되고,
상기 제 3 단일층 상에 적층된 상기 제 3 단일층과 동일한 성분을 갖는 제 4 단일층의 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층이 산화 처리되어 상기 제 2 산화물 층이 형성됨으로써, 상기 제 3 단일층과 상기 제 2 산화물 층 사이에 전면적인 제 2 계면이 형성되고,
상기 제 1 단일층 또는 상기 제 3 단일층은 제 1 밴드갭을 갖는 반도체의 특성을 포함하고, 상기 제 1 산화물 층 또는 상기 제 2 산화물 층은 상기 제 1 밴드갭보다 큰 제 2 밴드갭을 갖는 절연체의 특성을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막.As a laminated thin film having a heterostructure in which heterogeneous materials are laminated,
The hetero structure,
A first transition metal dichalcogenide layer of a first monolayer including a compound of a first transition metal element and a first chalcogen element; And
And a first oxide layer disposed entirely on the first transition metal dichalcogenide layer and including an oxide of the first transition metal element,
A second transition metal dichalcogenide layer of a third single layer disposed on the heterostructure, on the first oxide layer, and including a compound of a second transition metal element and a second chalcogen element; And
An additional heterostructure disposed on the second transition metal dichalcogenide layer and including a second oxide layer including an oxide of the second transition metal element is sequentially repeatedly stacked at least one or more times
The heterostructure provides a quantum well,
The first transition metal dichalcogenide layer of the second single layer having the same component as the first single layer stacked on the first single layer is subjected to oxidation to form the first oxide layer, whereby the first single layer A first interface is formed entirely between the and the first oxide layer,
The second transition metal dichalcogenide layer of the fourth single layer having the same component as the third single layer stacked on the third single layer is oxidized to form the second oxide layer, thereby forming the third single layer. A whole second interface is formed between the and the second oxide layer,
The first single layer or the third single layer includes characteristics of a semiconductor having a first band gap, and the first oxide layer or the second oxide layer has a second band gap greater than the first band gap. Heterostructure laminated thin film containing the properties of an insulator
a) 기판 상에, 제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층으로서 제 1 단일층과 상기 제 1 단일층에 적층되며 상기 제 1 단일층과 동일한 성분을 갖는 제 2 단일층을 포함하는 이중층(bilayer)을 형성하는 단계; 및
b) 상기 이중층 중 상기 제 2 단일층을 산화 처리하여, 양자 우물(Quantum well)을 갖는 헤테로 구조가 형성되도록 상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층의 제 2 단일층(monolayer)을 상기 제 1 전이 금속의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층으로 변화시키는 단계를 포함하며,
상기 이중층 중 상기 제 2 단일층이 산화 처리되어 상기 제 1 산화물 층이 형성됨으로써, 상기 제 1 단일층과 상기 제 1 산화물 층 사이에 전면적인 계면이 형성되고,
상기 제 1 단일층은 제 1 밴드갭을 갖는 반도체의 특성을 포함하고, 상기 제 1 산화물 층은 상기 제 1 밴드갭보다 큰 제 2 밴드갭을 갖는 절연체의 특성을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법.As a method of manufacturing a laminated thin film having a heterostructure in which heterogeneous materials are laminated,
a) on the substrate, as a first transition metal dichalcogenide layer comprising a compound of a first transition metal element and a first chalcogen element, which is stacked on the first single layer and the first single layer, Forming a bilayer including a second single layer having the same component as the first single layer; And
b) The second monolayer of the first transition metal dichalcogenide layer is transferred to the first transition metal dichalcogenide layer to form a heterostructure having a quantum well by oxidizing the second single layer among the double layers. Including the step of changing to a first oxide layer containing an oxide of a metal,
The second single layer of the double layer is oxidized to form the first oxide layer, thereby forming an entire interface between the first single layer and the first oxide layer,
The first single layer includes characteristics of a semiconductor having a first band gap, and the first oxide layer includes characteristics of an insulator having a second band gap larger than the first band gap. Manufacturing method.
c) 상기 제 1 산화물 층 상에, 제 2 전이금속 원소와 제2 칼코젠 원소의 화합물을 포함하는 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층의 이중층(bilayer)을 전사하는 단계; 및
d) 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 대한 산화 처리에 의해, 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층의 상부 단일층을 상기 제 2 전이금속의 산화물을 포함하는 제 2 산화물 층으로 변화시키는 단계를 더 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법.The method of claim 8,
c) transferring a bilayer of a second transition metal dichalcogenide layer including a compound of a second transition metal element and a second chalcogen element onto the first oxide layer; And
d) converting the upper single layer of the second transition metal dichalcogenide layer into a second oxide layer including the oxide of the second transition metal by oxidation treatment on the second transition metal dichalcogenide layer Method for manufacturing a heterostructure laminated thin film further comprising a.
상기 단계 c) 및 d)를 추가적으로 1회 이상 수행하여, 전이금속 디칼코제나이드 층과 산화물층이 교대로 적층된 다중층을 형성하는 단계를 더 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법.The method of claim 9,
Steps c) and d) are additionally performed one or more times to form a multilayer in which a transition metal dichalcogenide layer and an oxide layer are alternately stacked.
상기 제 1 전이금속 원소는 Mo, Ta 및 W 중 어느 하나인 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법. The method of claim 8,
The first transition metal element is any one of Mo, Ta, and W, a method of manufacturing a heterostructure laminated thin film.
상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드와 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드는 동일한 화합물인 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법. The method of claim 9,
The method of manufacturing a heterostructure laminated thin film in which the transition metal dichalcogenide included in the first transition metal dichalcogenide layer and the transition metal dichalcogenide included in the second transition metal dichalcogenide layer are the same compound.
상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드와 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드는 상이한 화합물인 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법. The method of claim 9,
Transition metal dichalcogenide included in the first transition metal dichalcogenide layer and the transition metal dichalcogenide included in the second transition metal dichalcogenide layer are different compounds.
상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층, 상기 제 1 산화물 층, 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층 및 상기 제 2 산화물 층의 다중층은 양자 우물(Quantum well)을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법. The method of claim 9,
The multilayers of the first transition metal dichalcogenide layer, the first oxide layer, the second transition metal dichalcogenide layer, and the second oxide layer are formed of a heterostructure laminated thin film including a quantum well. Manufacturing method.
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