KR102239362B1 - Substrate treatment apparatus - Google Patents

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Abstract

본 기재의 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 처리 공간과, 상기 처리 공간으로 상기 기판이 출입될 수 있게 하는 출입구를 포함하는 챔버 부재; 및 상기 출입구에 인접한 공간을 향하여 가열된 공기를 분사하는 공기 분사 유닛;을 포함한다.The substrate processing apparatus of the present disclosure includes: a chamber member including a processing space for processing a substrate, and an entrance for allowing the substrate to enter and exit the processing space; And an air injection unit for injecting heated air toward a space adjacent to the entrance.

Description

기판 처리 장치{Substrate treatment apparatus}Substrate treatment apparatus

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 또는 디스플레이 패널을 제조하는데 사용될 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that can be used to manufacture a semiconductor or display panel.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 증착, 이온주입, 그리고 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진공정은 패턴을 형성하기 위해 공정으로 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photography, etching, deposition, ion implantation, and cleaning are performed. Among them, the photographic process plays an important role in achieving high integration of semiconductor devices as a process to form a pattern.

한편, 사진공정은 크게 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정으로 이루어지며, 노광공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열처리하는 과정으로, 기판이 가열 플레이트에 놓이면, 가열 플레이트의 내부에 위치된 히터로 기판을 열처리한다.Meanwhile, the photographic process is largely composed of a coating process, an exposure process, and a developing process, and a bake process is performed in steps before and after the exposure process proceeds. The bake process is a process of heat-treating a substrate. When the substrate is placed on a heating plate, the substrate is heat-treated with a heater positioned inside the heating plate.

베이크 공정은 베이크 챔버에서 실시되고, 이송 챔버는 외부로부터 베이크 챔버로 기판을 이송할 수 있다. 기판이 이송 챔버로부터 베이크 챔버로 전달되는 과정에서 베이크 챔버 내부의 온도보다 상대적으로 온도가 낮은 주변의 공기가 베이크 챔버 내부로 유입될 수 있다.The bake process is performed in the bake chamber, and the transfer chamber may transfer the substrate from the outside to the bake chamber. During the process of transferring the substrate from the transfer chamber to the bake chamber, ambient air having a temperature relatively lower than the temperature inside the bake chamber may be introduced into the bake chamber.

베이크 공정은 적정 온도에서 실시되어야 한다. 베이크 챔버에서 기판이 공급되는 부분의 온도가 하강되면, 이를 해결하기 위하여 베이크 챔버 내부의 온도를 균일화하는 과정을 거치게 된다. 이러한 온도 균일화 과정동안 베이크 공정을 실시할 수 없으므로, 생산성이 감소되는 문제가 있다.The bake process should be carried out at an appropriate temperature. When the temperature of the portion of the bake chamber to which the substrate is supplied decreases, a process of equalizing the temperature inside the bake chamber is performed to solve this problem. Since the bake process cannot be performed during the temperature equalization process, there is a problem in that productivity is reduced.

한국등록특허 제10-1440307호Korean Patent Registration No. 10-1440307

본 발명의 목적은 상대적으로 온도가 낮은 공기가 챔버 내부로 유입되는 것을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing the introduction of air having a relatively low temperature into the chamber.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 처리 공간과, 상기 처리 공간으로 상기 기판이 출입될 수 있게 하는 출입구를 포함하는 챔버 부재; 및 상기 출입구에 인접한 공간을 향하여 가열된 공기를 분사하는 공기 분사 유닛;을 포함한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention includes: a chamber member including a processing space for processing a substrate, and an entrance for allowing the substrate to enter and exit the processing space; And an air injection unit for injecting heated air toward a space adjacent to the entrance.

한편, 상기 공기 분사 유닛은 가열된 공기를 상기 출입구에서 점차 멀어지도록 하향 경사진 방향으로 분사할 수 있다.Meanwhile, the air injection unit may inject the heated air in a downwardly inclined direction so as to gradually move away from the entrance.

한편, 상기 공기 분사 유닛에서 분사되는 가열된 공기의 온도는 처리 공간에서 기판을 처리하는 온도보다 5도 내지 15도 낮은 온도의 범위에 포함될 수 있다.Meanwhile, the temperature of the heated air sprayed from the air injection unit may be included in a temperature range of 5 to 15 degrees lower than the temperature at which the substrate is processed in the processing space.

한편, 상기 공기 분사 유닛은 상기 챔버 부재의 외측에 결합될 수 있다.Meanwhile, the air injection unit may be coupled to the outside of the chamber member.

한편, 상기 챔버 부재는 복수개이고, 상기 복수의 챔버 부재는 상하방향으로 적층되며, 상기 공기 분사 유닛은 상기 복수의 챔버 부재 각각과 일대응 대응되도록 설치될 수 있다.Meanwhile, a plurality of chamber members may be provided, the plurality of chamber members are stacked in an up-down direction, and the air injection unit may be installed to correspond to each of the plurality of chamber members.

한편, 상기 공기 분사 유닛은, 공기를 압축하고 가열하는 공기 생성부; 및 상기 공기 생성부에 결합되고, 상기 가열된 공기가 분사되는 노즐부;를 포함할 수 있다.On the other hand, the air injection unit, the air generating unit for compressing and heating air; And a nozzle unit coupled to the air generating unit and spraying the heated air.

한편, 상기 출입구는 슬릿 형상이고, 상기 노즐부는 상기 출입구와 대응되는 길이의 슬릿 형상으로 이루어질 수 있다.Meanwhile, the entrance may have a slit shape, and the nozzle portion may have a slit shape having a length corresponding to the entrance.

한편, 상기 노즐부의 길이는 상기 출입구의 길이보다 길게 이루어질 수 있다.Meanwhile, the length of the nozzle part may be longer than the length of the entrance.

한편, 상기 공기 분사 유닛이 상기 챔버 부재로부터 이격되게 위치될 수 있게 하는 지지 프레임을 더 포함할 수 있다.On the other hand, it may further include a support frame that allows the air injection unit to be positioned to be spaced apart from the chamber member.

한편, 상기 챔버 부재에 설치되어 상기 출입구를 개폐하는 개폐 유닛을 포함할 수 있다.On the other hand, it may include an opening and closing unit installed in the chamber member to open and close the entrance.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공기 분사 유닛을 포함한다. 공기 분사 유닛은 출입구를 향하여 가열된 공기를 분사한다. 따라서, 기판이 챔버 부재의 출입구로 이송되는 경우, 노즐부에서 분사된 공기가 상온(처리 공간보다 상대적으로 저온)의 외부 기류의 흐름을 차단하면서, 외부 기류가 챔버 부재의 처리 공간으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 그러므로, 챔버 부재의 처리 공간의 온도의 변경폭을 최소화할 수 있으므로, 처리 공간의 온도를 균일하게 할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes an air injection unit. The air injection unit injects heated air toward the entrance. Therefore, when the substrate is transferred to the entrance of the chamber member, the air injected from the nozzle part blocks the flow of the external airflow at room temperature (relatively lower than the processing space), while preventing the external airflow from entering the processing space of the chamber member. Can be prevented. Therefore, the range of changes in the temperature of the processing space of the chamber member can be minimized, so that the temperature of the processing space can be made uniform.

이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 종래의 기판 처리 장치와 다르게 처리 공간의 온도를 균일화하는 과정을 거치지 않을 수 있다. 또는, 본 발명에 따른 기판 처리 장치가 온도 균일화 과정을 실시하더라도 처리 공간 전체적으로 온도 차이가 크지 않으므로 현저히 짧은 시간만 온도 균일화 과정을 실시하면 됨으로써, 생산성이 감소되는 것을 최소화할 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus according to the present invention may not undergo a process of equalizing the temperature of the processing space unlike the conventional substrate processing apparatus. Alternatively, even if the substrate processing apparatus according to the present invention performs the temperature uniformization process, since the temperature difference is not large throughout the processing space, the decrease in productivity can be minimized by performing the temperature uniformization process only for a remarkably short time.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 공기 분사 유닛을 발췌하여 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 5는, 도 1의 기판 처리 장치의 동작 상태를 도시한 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an extract of the air injection unit.
3 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a diagram showing an operating state of the substrate processing apparatus of FIG. 1.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. The present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description have been omitted, and the same reference numerals are attached to the same or similar components throughout the specification.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, in various embodiments, components having the same configuration will be described only in a representative embodiment by using the same reference numerals, and in other embodiments, only configurations different from the representative embodiment will be described.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected" with another part, this includes not only the case of being "directly connected" but also being "indirectly connected" with another member therebetween. In addition, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein including technical or scientific terms have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. Does not.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버 부재(110) 및 공기 분사 유닛(120)을 포함한다.1 and 2, a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a chamber member 110 and an air injection unit 120.

챔버 부재(110)는 기판(S)을 처리하는 처리 공간(112)과, 상기 처리 공간(112)으로 상기 기판(S)이 출입될 수 있게 하는 출입구(111)를 포함할 수 있다. 기판(S)이 반도체 제조에 사용되는 웨이퍼인 경우, 기판(S)은 전방에 도어가 설치된 전면 개방 일체식 포드(FOUP: Front Open Unified Pod)에 의해 이송되다가, 일반적인 기판 처리 장치에 포함된 이송 챔버(10)로 공급될 수 있다.The chamber member 110 may include a processing space 112 for processing the substrate S, and an entrance 111 for allowing the substrate S to enter and exit the processing space 112. When the substrate (S) is a wafer used in semiconductor manufacturing, the substrate (S) is transferred by a front open integrated pod (FOUP) with a door installed in the front, and then transferred included in a general substrate processing apparatus. It can be supplied to the chamber 10.

이송 챔버(10)는 일반적인 기판 처리 장치에 포함되어 기판이 처리되는 프로세스 챔버나 베이크 챔버 등으로 기판을 공급할 수 있다. 이송 챔버(10)는 일반적인 기판 처리 장치에 포함된 것일 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The transfer chamber 10 may be included in a general substrate processing apparatus to supply a substrate to a process chamber or a bake chamber in which the substrate is processed. Since the transfer chamber 10 may be included in a general substrate processing apparatus, a detailed description thereof will be omitted.

챔버 부재(110)는 프로세스 챔버 또는 베이크 챔버 등과 같이 일반적인 기판 처리 장치에 포함된 다양한 챔버 중 하나일 수 있다. 챔버 부재(110)가 베이크 챔버인 경우, 챔버 부재(110)의 내부에는 가열을 위한 발열 코일(미도시)이 설치될 수 있다.The chamber member 110 may be one of various chambers included in a general substrate processing apparatus, such as a process chamber or a bake chamber. When the chamber member 110 is a bake chamber, a heating coil (not shown) for heating may be installed inside the chamber member 110.

일반적인 베이크 챔버는 기판을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버는 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판을 소정의 온도로 가열하여 기판 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토 레지스트를 기판 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 전술한 챔버 부재(110)가 일반적인 기판 처리 장치에 포함된 베이크 챔버인 것으로 한정하여 설명하기로 한다.A typical bake chamber heat-treats a substrate. For example, the bake chamber is a prebake process in which the substrate is heated to a predetermined temperature to remove organic matter or moisture from the surface of the substrate before applying the photoresist, or a soft bake performed after the photoresist is applied onto the substrate. ) Process, etc., and a cooling process of cooling the substrate after each heating process may be performed. Hereinafter, for convenience of description, the above-described chamber member 110 is limited to a bake chamber included in a general substrate processing apparatus.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 개폐 유닛(130)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may include an opening/closing unit 130.

개폐 유닛(130)은 상기 챔버 부재(110)에 설치되어 상기 출입구(111)를 개폐할 수 있다. 개폐 유닛(130)은 판 형상으로 이루어진 것일 수 있다. The opening/closing unit 130 may be installed on the chamber member 110 to open and close the entrance 111. The opening and closing unit 130 may have a plate shape.

개폐 유닛(130)은 챔버 부재(110)에 상하방향 또는 전후 방향으로 회전 가능하게 결합될 수 있다. 이와 다르게, 개폐 유닛(130)은 챔버 부재(110)에 상하방향으로 슬라이딩 이동 가능하게 결합된 것도 가능할 수 있다.The opening/closing unit 130 may be rotatably coupled to the chamber member 110 in an up-down direction or a front-rear direction. Alternatively, the opening/closing unit 130 may be coupled to the chamber member 110 so as to be slidably movable in the vertical direction.

이와 같은 개폐 유닛(130)은 출입구(111)를 개폐할 수 있는 것이면 어느 것이든 무방할 수 있다. 개폐 유닛(130)은 기판(S)이 챔버 부재(110) 내에서 처리되는 과정에서 처리 공간(112)이 외부로부터 밀폐되도록 할 수 있다. 그리고, 기판(S)이 외부로부터 챔버 부재(110)로 공급되는 경우, 개폐 유닛(130)은 출입구(111)를 개방할 수 있다.Any such opening/closing unit 130 may be used as long as it is capable of opening and closing the entrance 111. The opening/closing unit 130 may allow the processing space 112 to be sealed from the outside while the substrate S is processed in the chamber member 110. In addition, when the substrate S is supplied to the chamber member 110 from the outside, the opening/closing unit 130 may open the entrance 111.

공기 분사 유닛(120)은 상기 출입구(111)에 인접한 공간을 향하여 가열된 공기(A)를 분사할 수 있다. 이러한 공기 분사 유닛(120)이 설치되는 위치는 일례로 상기 챔버 부재(110)의 외측에 결합될 수 있다.The air injection unit 120 may inject heated air A toward a space adjacent to the entrance 111. The position where the air injection unit 120 is installed may be coupled to the outside of the chamber member 110, for example.

상기 공기 분사 유닛(120)은 가열된 공기(A)를 상기 출입구(111)에서 점차 멀어지도록 하향 경사진 방향으로 분사할 수 있다. 이에 따라, 외부의 공기는 공기 분사 유닛(120)에서 분사된 가열된 공기(A)에 의해 챔버 부재(110)의 출입구(111)로 유입되지 않을 수 있다.The air injection unit 120 may inject the heated air A in a downwardly inclined direction so as to gradually move away from the entrance 111. Accordingly, outside air may not be introduced into the entrance 111 of the chamber member 110 by the heated air A injected from the air injection unit 120.

한편, 상기 공기 분사 유닛(120)에서 분사되는 가열된 공기(A)의 온도는 처리 공간(112)에서 기판(S)을 처리하는 온도보다 5도 내지 15도 낮은 온도의 범위에 포함될 수 있다. 예를 들어, 처리 공간(112)의 온도가 130도인 경우, 공기 분사 유닛(120)에서 분사되는 가열된 공기(A)의 온도는 115도 내지 125도일 수 있다.Meanwhile, the temperature of the heated air A sprayed from the air injection unit 120 may be included in a temperature range of 5 to 15 degrees lower than the temperature at which the substrate S is processed in the processing space 112. For example, when the temperature of the processing space 112 is 130 degrees, the temperature of the heated air A sprayed from the air injection unit 120 may be 115 degrees to 125 degrees.

상기 공기 분사 유닛(120)에서 분사되는 가열된 공기(A)의 온도가 처리 공간(112)에서 기판(S)을 처리하는 온도보다 높으면, 공기 분사 유닛(120)이 공기를 불필요하게 높게 가열하여 전력 소모가 증가될 수 있다. 이와 반대로, 상기 공기 분사 유닛(120)에서 분사되는 가열된 공기(A)의 온도가 처리 공간(112)에서 기판(S)을 처리하는 온도보다 15도보다 더 낮으면, 공기 분사 유닛(120)에서 분사되는 공기가 챔버 부재(110) 내부로 유입되면서 기판(S)의 온도가 불균일해질 수 있다.When the temperature of the heated air A injected from the air injection unit 120 is higher than the temperature at which the substrate S is processed in the processing space 112, the air injection unit 120 heats the air unnecessarily high. Power consumption can be increased. On the contrary, if the temperature of the heated air A injected from the air injection unit 120 is lower than 15 degrees than the temperature at which the substrate S is processed in the processing space 112, the air injection unit 120 The temperature of the substrate S may become non-uniform as the air injected from the chamber member 110 flows into the chamber member 110.

이를 위한 상기 공기 분사 유닛(120)은 일례로 공기 생성부(121) 및 노즐부(122)를 포함할 수 있다.For this, the air injection unit 120 may include, for example, an air generating unit 121 and a nozzle unit 122.

공기 생성부(121)는 공기를 압축하고 가열할 수 있다. 공기 생성부(121)는 일례로 압축기일 수 있다. 압축기는 내부 공간을 피스톤으로 압축하여 저온 저압의 공기를 고온 고압의 공기(A)으로 변환할 수 있다.The air generating unit 121 may compress and heat air. The air generating unit 121 may be, for example, a compressor. The compressor may convert low-temperature, low-pressure air into high-temperature, high-pressure air (A) by compressing the internal space with a piston.

노즐부(122)는 상기 공기 생성부(121)에 결합될 수 있다. 상기 가열된 공기(A)가 노즐부(122)를 통하여 분사될 수 있다. 전술한 출입구(111)는 슬릿 형상일 수 있다. 그리고, 상기 노즐부(122)는 상기 출입구(111)와 대응되는 길이의 슬릿 형상으로 이루어질 수 있다.The nozzle unit 122 may be coupled to the air generating unit 121. The heated air A may be sprayed through the nozzle part 122. The above-described entrance 111 may have a slit shape. In addition, the nozzle part 122 may have a slit shape having a length corresponding to the entrance 111.

또한, 노즐부(122)의 길이는 상기 출입구(111)의 길이보다 길게 이루어질 수 있다. 이와 반대로 노즐부의 길이가 상기 출입구의 길이보다 짧게 이루어진 공기 분사 유닛의 경우, 출입구의 일부분으로 찬 공기가 유입될 수 있다.In addition, the length of the nozzle part 122 may be longer than the length of the entrance 111. Conversely, in the case of an air injection unit in which the length of the nozzle part is shorter than the length of the entrance, cold air may be introduced into a part of the entrance.

그러나, 공기 분사 유닛(120)은 노즐부(122)의 길이가 상기 출입구(111)의 길이보다 길게 이루어짐으로써, 노즐부(122)에서 분사된 가열된 공기(A)가 출입구(111) 전체를 커버할 수 있다. 따라서, 기판(S)이 챔버 부재(110)의 출입구(111)로 이송되는 경우, 노즐부(122)에서 분사된 가열된 공기(A)는 상대적으로 온도가 낮은 외부 공기가 출입구(111)로 유입되는 것을 차단할 수 있다.However, in the air injection unit 120, since the length of the nozzle unit 122 is longer than the length of the entrance 111, the heated air A injected from the nozzle unit 122 covers the entire entrance 111. I can cover it. Therefore, when the substrate (S) is transferred to the entrance 111 of the chamber member 110, the heated air A sprayed from the nozzle unit 122 is a relatively low temperature external air to the entrance 111 It can block the inflow.

도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 지지 프레임(140)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, a substrate processing apparatus 200 according to another embodiment of the present invention may further include a support frame 140.

지지 프레임(140)은 상기 공기 분사 유닛(120)이 상기 챔버 부재(110)에 이격되게 위치될 수 있게 할 수 있다.The support frame 140 may allow the air injection unit 120 to be positioned to be spaced apart from the chamber member 110.

본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)를 제조하는 경우, 이미 생산된 종래의 기판 처리 장치에 포함된 챔버 부재의 구조를 변경할 필요없이 지지 프레임(140)을 설비 공간에 설치하거나 기존의 챔버 부재(110)의 외측에 결합시키고, 공기 분사 유닛(120)을 지지 프레임(140)에 설치하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)를 용이하게 구현할 수 있다.In the case of manufacturing the substrate processing apparatus 200 according to another embodiment of the present invention, the support frame 140 is installed in the facility space without the need to change the structure of the chamber member included in the conventional substrate processing apparatus already produced. The substrate processing apparatus 200 according to another embodiment of the present invention may be easily implemented by being coupled to the outside of the chamber member 110 and installing the air injection unit 120 on the support frame 140.

도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(300)는 복수의 챔버 부재(110)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, a substrate processing apparatus 300 according to another embodiment of the present invention may include a plurality of chamber members 110.

상기 복수의 챔버 부재(110)는 상하방향으로 적층될 수 있다. 이때, 상기 공기 분사 유닛(120)은 상기 복수의 챔버 부재(110) 각각과 일대응 대응되도록 설치될 수 있다. 이러한 기판 처리 장치(300)는 한번에 다량의 기판(S)을 처리할 수 있다. 그리고, 공기 분사 유닛(120)은 복수의 챔버 부재(110) 각각에 설치되어 처리 공간(112)의 온도보다 상대적으로 온도가 낮은 외부 공기가 출입구(111)로 유입되는 것을 차단할 수 있다.The plurality of chamber members 110 may be stacked in a vertical direction. In this case, the air injection unit 120 may be installed to correspond to each of the plurality of chamber members 110. The substrate processing apparatus 300 may process a large amount of substrates S at once. In addition, the air injection unit 120 may be installed in each of the plurality of chamber members 110 to block external air having a temperature relatively lower than the temperature of the processing space 112 from flowing into the entrance 111.

전술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 공기 분사 유닛(120)을 포함한다. 도 5를 참조하면, 공기 분사 유닛(120)은 출입구(111)를 향하여 가열된 공기(A)를 분사한다. 따라서, 기판(S)이 챔버 부재(110)의 출입구(111)로 이송되는 경우, 노즐부(122)에서 분사된 가열된 공기(A)가 상온(처리 공간의 온도보다 상대적으로 저온)의 외부 기류의 흐름을 차단하면서, 가열된 공기(A)는 외부 기류가 챔버 부재(110)의 처리 공간(112)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 그러므로, 챔버 부재(110)의 처리 공간(112)의 온도의 변경폭을 최소화할 수 있으므로, 처리 공간(112)의 온도를 균일하게 할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes an air injection unit 120. Referring to FIG. 5, the air injection unit 120 injects heated air A toward the entrance 111. Therefore, when the substrate S is transferred to the entrance 111 of the chamber member 110, the heated air A sprayed from the nozzle unit 122 is outside of room temperature (relatively lower than the temperature of the processing space). While blocking the flow of airflow, the heated air A can prevent the external airflow from flowing into the processing space 112 of the chamber member 110. Therefore, since the variation width of the temperature of the processing space 112 of the chamber member 110 can be minimized, the temperature of the processing space 112 can be made uniform.

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 종래의 기판 처리 장치와 다르게 처리 공간(112)의 온도를 균일화하는 과정을 거치지 않을 수 있다. 또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)가 온도 균일화 과정을 실시하더라도 처리 공간(112) 전체적으로 온도 차이가 크지 않으므로 현저히 짧은 시간만 온도 균일화 과정을 실시하면 됨으로써, 생산성이 감소되는 것을 최소화할 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention may not undergo a process of equalizing the temperature of the processing space 112 unlike a conventional substrate processing apparatus. Alternatively, even if the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention performs the temperature uniformization process, the temperature difference as a whole of the processing space 112 is not large, so the temperature uniformization process only needs to be performed for a remarkably short time, thereby reducing productivity Can be minimized.

이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although various embodiments of the present invention have been described above, the drawings referenced so far and the detailed description of the disclosed invention are merely illustrative of the present invention, which are used only for the purpose of describing the present invention, and are limited in meaning or claims. It is not used to limit the scope of the invention described in the range. Therefore, those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

100, 200, 300: 기판 처리 장치
110: 챔버 부재
111: 출입구
112: 처리 공간
120: 공기 분사 유닛
121: 공기 생성부
122: 노즐부
130: 개폐 유닛
140: 지지 프레임100, 200, 300: substrate processing apparatus
110: chamber member
111: entrance
112: processing space
120: air injection unit
121: air generating unit
122: nozzle part
130: opening and closing unit
140: support frame

Claims (10)

기판을 처리하는 처리 공간과, 상기 처리 공간으로 상기 기판이 출입될 수 있게 하는 출입구를 포함하는 챔버 부재;
공기를 압축 가열하되, 상기 챔버 부재의 기판 처리 온도보다 설정된 범위의 낮은 온도로 공기를 압축 가열하며, 상기 출입구의 길이에 대응되어 상기 출입구 상부로부터 외부로 이격된 전방 위치에서 가열된 공기를 상기 출입구의 전방으로 분사하여 상기 처리 공간에 대한 외부 기류의 유입을 차단하고 온도 균일을 도모하는 공기 분사 유닛; 및
상기 출입구 상부로부터 전방으로 상기 챔버 부재와 이격되어 상기 공기 분사 유닛이 위치되도록 상기 공기 분사 유닛의 양측 끝단을 지지하는 지지 프레임을 포함하는 기판 처리 장치.A chamber member including a processing space for processing a substrate and an entrance for allowing the substrate to enter and exit the processing space;
The air is compressed and heated, and the air is compressed and heated to a temperature lower than the substrate processing temperature of the chamber member. An air injection unit that injects to the front of the unit to block the inflow of external airflow into the processing space and to achieve a uniform temperature; And
And a support frame for supporting both ends of the air injection unit so as to be spaced apart from the chamber member in a forward direction from an upper portion of the entrance and to position the air injection unit. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 공기 분사 유닛에서 분사되는 가열된 공기의 온도는 처리 공간에서 기판을 처리하는 온도보다 5도 내지 15도 낮은 온도의 범위에 포함되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A substrate processing apparatus in which the temperature of the heated air injected from the air injection unit is in a range of 5 to 15 degrees lower than the temperature at which the substrate is processed in the processing space. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 챔버 부재는 복수개이고, 상기 복수의 챔버 부재는 상하방향으로 적층되며,
상기 공기 분사 유닛은 상기 복수의 챔버 부재 각각과 일대응 대응되도록 설치되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The chamber member is a plurality, the plurality of chamber members are stacked in the vertical direction,
The air injection unit is installed to correspond to each of the plurality of chamber members. 제1항에 있어서,
상기 공기 분사 유닛은,
공기를 압축하고 가열하는 공기 생성부; 및
상기 공기 생성부에 결합되고, 상기 가열된 공기가 분사되는 노즐부;를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The air injection unit,
An air generator for compressing and heating air; And
And a nozzle unit coupled to the air generating unit and spraying the heated air. 제6항에 있어서,
상기 출입구는 슬릿 형상이고,
상기 노즐부는 상기 출입구와 대응되는 길이의 슬릿 형상으로 이루어진 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The doorway has a slit shape,
The nozzle unit is a substrate processing apparatus having a slit shape having a length corresponding to the entrance. 제7항에 있어서,
상기 노즐부의 길이는 상기 출입구의 길이보다 길게 이루어진 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The length of the nozzle portion is longer than the length of the substrate processing apparatus. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 챔버 부재에 설치되어 상기 출입구를 개폐하는 개폐 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A substrate processing apparatus comprising an opening and closing unit installed on the chamber member to open and close the entrance.
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