KR102237547B1 - A light converting resin composition, a light converting laminated substrate and a display device using the same - Google Patents

A light converting resin composition, a light converting laminated substrate and a display device using the same Download PDF

Info

Publication number
KR102237547B1
KR102237547B1 KR1020190030951A KR20190030951A KR102237547B1 KR 102237547 B1 KR102237547 B1 KR 102237547B1 KR 1020190030951 A KR1020190030951 A KR 1020190030951A KR 20190030951 A KR20190030951 A KR 20190030951A KR 102237547 B1 KR102237547 B1 KR 102237547B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ethoxy
resin composition
formula
group
ethyl
Prior art date
Application number
KR1020190030951A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190110935A (en
Inventor
신규철
김정식
김형주
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020180093828A external-priority patent/KR20190110925A/en
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Publication of KR20190110935A publication Critical patent/KR20190110935A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102237547B1 publication Critical patent/KR102237547B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/28Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material
    • C03C17/32Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material with synthetic or natural resins
    • C03C17/326Epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881Chalcogenides
    • C09K11/883Chalcogenides with zinc or cadmium
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0042Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0043Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133614Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점, 산란입자, 알칼리 가용성 수지, 열경화제 및 용제를 포함하고, 상기 열경화제는 다관능 지환족 에폭시 수지 또는 노볼락 에폭시 수지를 포함함으로써, 도막 표면경도, 탄성회복율 및 밀착력이 우수하며, 아웃가스 발생량을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 분산성 및 광학특성 또한 우수한 광변환 수지 조성물, 광변환 적층기재 및 이를 이용한 화상표시장치에 관한 것이다.The present invention comprises a non-cadmium-based quantum dot containing a polyethylene glycol-based ligand, scattering particles, an alkali-soluble resin, a thermal curing agent and a solvent, and the thermal curing agent includes a polyfunctional alicyclic epoxy resin or a novolac epoxy resin. The present invention relates to a photo-conversion resin composition, a photo-conversion laminate material, and an image display device using the same, excellent in surface hardness, elastic recovery rate, and adhesion, and not only can minimize the amount of outgassing, but also have excellent dispersibility and optical properties.

Description

광변환 수지 조성물, 광변환 적층기재 및 이를 이용한 화상표시장치{A LIGHT CONVERTING RESIN COMPOSITION, A LIGHT CONVERTING LAMINATED SUBSTRATE AND A DISPLAY DEVICE USING THE SAME}A light conversion resin composition, a light conversion laminate, and an image display device using the same {A LIGHT CONVERTING RESIN COMPOSITION, A LIGHT CONVERTING LAMINATED SUBSTRATE AND A DISPLAY DEVICE USING THE SAME}

본 발명은 광변환 수지 조성물, 광변환 적층기재 및 이를 이용한 화상표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photo-conversion resin composition, a photo-conversion laminate, and an image display device using the same.

발광소자(Light Emitting Diode, LED)를 백라이트유닛(Back Light Unit, BLU)으로 사용하는 LCD(LiquidCrystal Display) TV에서 LED BLU는 빛을 실제로 발하는 부분으로써 LCD TV에서 가장 중요한 부분 중에 하나이다.In LCD (Liquid Crystal Display) TVs that use Light Emitting Diode (LED) as a backlight unit (BLU), LED BLU is one of the most important parts of an LCD TV as the part that actually emits light.

백색의 LED BLU를 형성하는 방법으로는 통상 적색(Red, R), 녹색(Green, G) 및 청색(Blue, B) LED 칩을 조합하여 백색의 LED BLU를 형성하거나, 청색 LED칩과 넓은 반치폭의 발광파장을 가진 황색(Yellow, Y) 형광체의 조합을 이용하여 백색을 구현하고 있다.As a method of forming a white LED BLU, a white LED BLU is formed by combining a red (Red, R), green (Green, G) and blue (Blue, B) LED chip, or a blue LED chip and a wide half width. White is realized by using a combination of yellow (Y) phosphors with a light emission wavelength of.

하지만, 적색, 녹색, 청색의 LED 칩을 조합하는 경우에는 LED 칩의 개수 및 복잡한 공정에 따라 제조비용이 높은 문제가 있고, 청색 LED칩에 황색 형광체를 조합하는 경우에는, 녹색 및 적색의 파장구분이 되지 않아 색순도가 떨어지고, 이에 따른 색재현성 저하의 문제가 있다.However, in the case of combining red, green, and blue LED chips, there is a problem of high manufacturing cost depending on the number of LED chips and the complicated process, and when combining a yellow phosphor with a blue LED chip, the wavelength division of green and red This does not result in a decrease in color purity, and there is a problem in that color reproducibility decreases accordingly.

이와 관련하여 대한민국 등록특허 제10-1690624호는 고분자 수지에 복수의 비카드뮴계 양자점이 분산되며, 일면 또는 양면이 패턴화된 고분자 레진층; 상기 고분자 레진층의 일 면에 형성된 제1배리어필름; 및 상기 고분자 레진층의 또다른 일 면에 형성된 제2배리어필름;을 포함하고, 상기 고분자 레진층의 하부면은 프리즘 패턴화 또는 렌즈 패턴화된 것이며, 상기 고분자 레진층의 하부면이 프리즘 패턴화인 경우 상기 프리즘 패턴의 피치는 20 내지 70㎛이고, 꼭지각도는 95 내지 120°이며, 상기 패턴의 단면은 삼각형이고, 상기 고분자 레진층의 하부면이 렌즈패턴화인 경우 상기 렌즈패턴의 피치는 20 내지 70㎛이고, 피치 대 높이의 비율은 4 : 1 내지 10 : 1이며, 상기 패턴의 단면은 반원형인 광학시트를 제공하고 있다.In this regard, Korean Patent Registration No. 10-1690624 discloses a polymer resin layer in which a plurality of non-cadmium-based quantum dots are dispersed in a polymer resin, and one or both sides are patterned; A first barrier film formed on one surface of the polymer resin layer; And a second barrier film formed on another surface of the polymer resin layer, wherein a lower surface of the polymer resin layer is a prism patterned or lens patterned, and a lower surface of the polymer resin layer is a prism patterned In case the pitch of the prism pattern is 20 to 70 μm, the apex angle is 95 to 120°, the cross section of the pattern is triangular, and the lower surface of the polymer resin layer is a lens pattern, the pitch of the lens pattern is 20 to 70㎛, the ratio of the pitch to the height is 4: 1 to 10: 1, and the cross section of the pattern is provided with a semicircular optical sheet.

대한민국 등록특허 제10-1628065호는 양자점; 및 상기 양자점의 표면에 배치되고, 특정 화학식으로 나타내는 아미노실록산계 리간드를 포함하는 발광 복합체를 제공하고 있다.Republic of Korea Patent Registration No. 10-1628065 is a quantum dot; And it is disposed on the surface of the quantum dot, it provides a light-emitting complex comprising an aminosiloxane-based ligand represented by a specific formula.

그러나, 상기 종래기술들은 양자점이 포함된 발광층 이외에 배리어층, 기재층 등 구조가 복잡한 광학필름일 뿐만 아니라, 이에 따른 양자점의 발광휘도 저하가 발생하게 되며, 제조공정 중 너무 높은 온도로 필름 제작 시 양자점이 소광하는 문제점이 발생한다. 또한, 상기 종래기술들은 광학필름 형태로 가공하기 위해 낮은 공정온도에서 진행함에 따라 장기 신뢰성에 문제가 있다.However, the prior art is not only an optical film having a complex structure such as a barrier layer and a base layer in addition to the light emitting layer including the quantum dots, but also decreases the luminance of the quantum dots accordingly, and when the film is produced at too high a temperature during the manufacturing process, the quantum dots This quenching problem occurs. In addition, the prior art has a problem in long-term reliability as it proceeds at a low process temperature in order to process it into an optical film form.

대한민국 등록특허 제10-1690624호(2016.12.22. 코오롱인더스트리 주식회사)Korean Patent Registration No. 10-1690624 (2016.12.22. Kolon Industries Co., Ltd.) 대한민국 등록특허 제10-1628065호(2016.06.01. 주식회사 엘엠에스)Korean Patent Registration No. 10-1628065 (2016.06.01. LMS Co., Ltd.)

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 특정 열경화제를 포함함으로써, 유리기재 위에 코팅층 형성온도를 100 내지 250℃에서 보다 효과적으로 가공 할 수 있으며, 기존의 복잡한 구조의 광학시트를 사용한 화상표시장치에 비해 도막 표면 경도, 탄성회복율, 밀착력이 우수하며, 아웃가스 발생량을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 신규 리간드를 도입한 양자점을 포함함으로써 우수한 분산성 및 광학특성이 향상된 광변환 수지 조성물, 광변환 적층기재 및 이를 이용한 화상표시장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the above problems, by including a specific heat curing agent, it is possible to more effectively process the coating layer formation temperature on the glass substrate at 100 to 250 ℃, and image display using an existing optical sheet of a complex structure Compared to the device, the coating film surface hardness, elastic recovery rate, and adhesion are superior, and the amount of outgas is minimized, and by including quantum dots incorporating a new ligand, excellent dispersibility and optical properties are improved, photoconversion resin composition. An object thereof is to provide a laminated substrate and an image display device using the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점, 산란입자, 알칼리 가용성 수지, 열경화제 및 용제를 포함하고, 상기 열경화제는 다관능 지환족 에폭시 수지 또는 노볼락 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 한다.The photo-conversion resin composition according to the present invention for achieving the above object comprises non-cadmium-based quantum dots including polyethylene glycol-based ligands, scattering particles, alkali-soluble resin, a thermal curing agent and a solvent, and the thermal curing agent is a polyfunctional alicyclic It characterized in that it comprises an epoxy resin or a novolac epoxy resin.

본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 특정 열경화제를 포함함으로써, 코팅층의 형성 온도를 100 내지 250℃에서 효과적으로 가공할 수 있으며, 도막 표면경도, 탄성회복율 및 밀착력이 우수하며, 아웃가스 발생량을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 신규 리간드가 도입된 양자점을 포함함으로써 분산성 및 광학특성이 우수한 효과가 있다.The photo-conversion resin composition according to the present invention can effectively process the coating layer formation temperature at 100 to 250° C. by including a specific thermosetting agent, has excellent coating surface hardness, elastic recovery rate, and adhesion, and minimizes the amount of outgassing. In addition to being able to, by including a quantum dot into which a new ligand has been introduced, there is an effect of excellent dispersibility and optical properties.

상기 광변환 수지 조성물로 제조된 광변환 적층기재 및 이를 이용한 화상 표시 장치는 구조가 간단하며, 신뢰성이 우수한 효과가 있다.The photo-conversion laminated substrate made of the photo-conversion resin composition and the image display device using the same have a simple structure and excellent reliability.

이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present invention, when a member is positioned "on" another member, this includes not only a case where a member is in contact with another member, but also a case where another member exists between the two members.

본 발명에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present invention, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise specified.

<< 광변환Light conversion 수지 조성물> Resin composition>

본 발명의 광변환 수지 조성물은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점, 산란입자, 알칼리 가용성 수지, 열경화제 및 용제를 포함하고, 상기 열경화제는 다관능 지환족 에폭시 수지 또는 노볼락 에폭시 수지를 포함함으로써, 도막의 포면 경도, 탄성회복율 및 밀착력이 우수하며 아웃가스 발생량을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 신규 리간드가 도입된 양자점을 포함함으로써 분산성 및 광학특성이 우수한 효과가 있다.The photoconversion resin composition of the present invention comprises a non-cadmium-based quantum dot containing a polyethylene glycol-based ligand, scattering particles, an alkali-soluble resin, a thermal curing agent and a solvent, and the thermal curing agent is a polyfunctional alicyclic epoxy resin or a novolac epoxy resin By including, the surface hardness, elastic recovery rate and adhesion of the coating film are excellent, and the amount of outgassing can be minimized, as well as the dispersibility and optical properties of the coating film are excellent by including quantum dots into which a new ligand is introduced.

양자점Quantum dots

본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 양자점을 포함하는 것을 특징으로 한다.The photo-conversion resin composition according to the present invention is characterized in that it comprises a quantum dot containing a polyethylene glycol-based ligand.

본 발명의 광변환 수지 조성물에 포함되는 양자점은 나노 크기의 반도체 물질이다. 원자가 분자를 이루고, 분자는 클러스터(cluster)라고 하는 작은 분자들의 집합체를 구성하여 나노 입자를 이루는데, 이러한 나노 입자들이 특히 반도체의 특성을 띠고 있을 때 이를 양자점이라고 한다. 이러한 양자점은 외부에서 에너지를 받아 들뜬 상태에 이르면, 자체적으로 에너지 밴드 갭에 해당하는 에너지를 방출하는 특성을 가지고 있다. 요컨대, 본 발명의 광변환 수지 조성물은 이러한 양자점을 포함함으로써, 입사된 청색광원을 통해 녹색광 및 적색광으로의 광변환이 가능하다.Quantum dots included in the photoconversion resin composition of the present invention are nano-sized semiconductor materials. Atoms form molecules, and molecules form an aggregate of small molecules called clusters to form nanoparticles. When these nanoparticles have the characteristics of semiconductors, they are called quantum dots. These quantum dots have a characteristic of releasing energy corresponding to the energy band gap by themselves when they receive energy from the outside and reach an excited state. In short, since the photoconversion resin composition of the present invention includes such quantum dots, light conversion into green light and red light through an incident blue light source is possible.

상기 양자점은 광에 의한 자극으로 발광할 수 있는 것이라면 특별히 한정하지 않으나 비카드뮴인 것이 보다 바람직하다. 예컨대, III-V족 반도체 화합물, IV-VI족 반도체 화합물, 및 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.The quantum dot is not particularly limited as long as it can emit light by stimulation by light, but it is more preferable that it is non-cadmium. For example, at least one selected from a group III-V semiconductor compound, a group IV-VI semiconductor compound, and a group IV element or a compound containing the same may be used.

상기 III-V족 반도체 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.The III-V group semiconductor compound is a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; A ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; And GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and one selected from the group consisting of a quaternary compound selected from the group consisting of mixtures thereof It can be more than that.

상기 IV-VI족 반도체 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수있다.The IV-VI semiconductor compound is a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; A three-element compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and may be one or more selected from the group consisting of a quaternary compound selected from the group consisting of a mixture thereof.

상기 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물은 Si, Ge, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 원소 화합물; 및 SiC, SiGe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The group IV element or a compound containing the same is an elemental compound selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof; And SiC, SiGe, and may be one or more selected from the group consisting of a binary compound selected from the group consisting of a mixture thereof, but is not limited thereto.

상기 양자점은 균질한(homogeneous) 단일 구조; 코어-쉘(core-shell) 구조, 그래디언트(gradient) 구조 등과 같은 이중 구조; 또는 이들의 혼합 구조일 수 있다. 예를 들어 상기 코어-쉘(core-shell)의 이중 구조에서, 각각의 코어(core)와 쉘(shell)을 이루는 물질은 상기 언급된 서로 다른 반도체 화합물로 이루어질 수 있다. The quantum dot has a homogeneous single structure; A dual structure such as a core-shell structure, a gradient structure, and the like; Or it may be a mixed structure of these. For example, in the dual structure of the core-shell, the material forming the core and the shell may be formed of the above-mentioned different semiconductor compounds.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 코어는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 쉘은 ZnSe, ZnS 및 ZnTe로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the core is a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; A ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; And GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and one selected from the group consisting of a quaternary compound selected from the group consisting of mixtures thereof It may include the above materials, but is not limited thereto. The shell may include at least one material selected from ZnSe, ZnS, and ZnTe.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 본 발명의 코어-쉘 구조의 양자점은 InP/ZnS,InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS 로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 습식 화학 공정(wet chemical process), 유기금속 화학증착 공정(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition) 또는 분자선 에피텍시 공정(MBE, molecular beam epitaxy)에 의해 합성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention, the quantum dots of the core-shell structure of the present invention are InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS and InP/MnSe/ZnS It may include one or more selected from the group consisting of. The quantum dots may be synthesized by a wet chemical process, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), or a molecular beam epitaxy (MBE) process, but is not limited thereto. .

본 발명의 양자점은 표면에 배치되는 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하며, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.The quantum dots of the present invention include a polyethylene glycol-based ligand disposed on the surface, and according to an embodiment of the present invention, the polyethylene glycol-based ligand may include a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112019027914018-pat00001
Figure 112019027914018-pat00001

(상기 화학식 1에서,(In Chemical Formula 1,

R1은 하기 화학식 1-1로 표시되며, R 1 is represented by the following formula 1-1,

R2는 수소원자, 머캅토(

Figure 112019027914018-pat00002
), 카르복실산(
Figure 112019027914018-pat00003
), 디티오아세트산(
Figure 112019027914018-pat00004
), 인산(
Figure 112019027914018-pat00005
), 아민(
Figure 112019027914018-pat00006
) 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기이고,R 2 is a hydrogen atom, mercapto (
Figure 112019027914018-pat00002
), carboxylic acid (
Figure 112019027914018-pat00003
), dithioacetic acid (
Figure 112019027914018-pat00004
), phosphoric acid (
Figure 112019027914018-pat00005
), amine (
Figure 112019027914018-pat00006
) Or a straight-chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,

n은 2 내지 100의 정수이다)n is an integer from 2 to 100)

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112019027914018-pat00007
Figure 112019027914018-pat00007

(상기 화학식 1-1에서,(In Formula 1-1,

R3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고, R 3 is a direct linking group or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,

R4는 하기 화학식 1-2로 표시되며,R 4 is represented by the following formula 1-2,

*은 결합손을 의미한다)* Means a bonded hand)

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112019027914018-pat00008
Figure 112019027914018-pat00008

(상기 화학식 1-2에서,(In Formula 1-2,

R5는 산소원자 또는 황원자이며,R 5 is an oxygen atom or a sulfur atom,

R6는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,R 6 is a direct linking group or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,

R7는 머캅토(

Figure 112019027914018-pat00009
), 카르복실산(
Figure 112019027914018-pat00010
), 디티오아세트산(
Figure 112019027914018-pat00011
), 인산(
Figure 112019027914018-pat00012
), 아민(
Figure 112019027914018-pat00013
)으로 이루어진 군으로부터 선택되며,R 7 is mercapto (
Figure 112019027914018-pat00009
), carboxylic acid (
Figure 112019027914018-pat00010
), dithioacetic acid (
Figure 112019027914018-pat00011
), phosphoric acid (
Figure 112019027914018-pat00012
), amine (
Figure 112019027914018-pat00013
) Is selected from the group consisting of,

m은 0 내지 1의 정수이고, l은 0 내지 10의 정수이며,m is an integer from 0 to 1, l is an integer from 0 to 10,

*은 결합손을 의미한다).* Means a bond hand).

구체적으로 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. Specifically, the compound of Formula 1 may include a compound represented by Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112019027914018-pat00014
Figure 112019027914018-pat00014

(상기 화학식 2에서, (In Chemical Formula 2,

R2는 머캅토(

Figure 112019027914018-pat00015
), 카르복실산(
Figure 112019027914018-pat00016
), 디티오아세트산(
Figure 112019027914018-pat00017
), 인산(
Figure 112019027914018-pat00018
), 아민(
Figure 112019027914018-pat00019
), 탄소수 1 내지 20의 직쇄의 알킬기 및 탄소수 3 내지 20의 분지쇄의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되며,R 2 is mercapto (
Figure 112019027914018-pat00015
), carboxylic acid (
Figure 112019027914018-pat00016
), dithioacetic acid (
Figure 112019027914018-pat00017
), phosphoric acid (
Figure 112019027914018-pat00018
), amine (
Figure 112019027914018-pat00019
), selected from the group consisting of a straight chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and a branched chain alkyl group having 3 to 20 carbon atoms,

o는 0 내지 5의 정수, p는 0 내지 1의 정수, q는 2 내지 50의 정수이다).o is an integer of 0 to 5, p is an integer of 0 to 1, and q is an integer of 2 to 50).

이와 같이, 본 발명의 폴리에틸렌 글리콜계 리간드가 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 경우 분산성 및 광특성이 보다 향상되는 이점이 있다.As described above, when the polyethylene glycol-based ligand of the present invention contains the compound represented by Chemical Formula 2, there is an advantage in that dispersibility and optical properties are further improved.

본 발명에서 '알킬기'란, 별 다른 설명이 없는 한 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등을 들 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the'alkyl group' may be a straight chain or branched chain unless otherwise specified, such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1- Methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3- Dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl , 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 보다 구체적으로, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산(2-(2-Methoxyethoxy)acetic acid, WAKO사), 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산 (2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid, WAKO사), 숙신산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸] 에스터(Succinic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), 말론산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸] 에스터(Malonic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), 글루타르산 모노-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에틸} 에스터(Pentanedioic acid mono-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethyl} ester), {2-[2-(2-에틸-헥실옥시)-에톡시]-에톡시}-아세트산({2-[2-(2-Ethyl-hexyloxy)-ethoxy]-ethoxy}-acetic acid), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스터(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl]ester), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스터(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 말론산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-이소부톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터(Malonic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-isobutoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 아디프산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터(Hexanedioic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 2-옥소-아디프산 6-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에틸) 에스터(2-Oxo-hexanedioic acid 6-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethyl) ester), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), O-(숙시닐)-O′-메틸폴리에틸렌글리콜 2′000(O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′000, Aldrich사), (2-부톡시-에톡시)-아세트산((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사), {2-[2-(카르복시메톡시)에톡시]에톡시}아세트산({2-[2-(carboxymethoxy)ethoxy]ethoxy}acetic acid, WAKO사), 2-[2-(벤질옥시)에톡시]아세트산(2-[2-(Benzyloxy)ethoxy]acetic acid), (2-카르복시메톡시-에톡시)-아세트산((2-Carboxymethoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사), (2-부톡시-에톡시)-아세트산((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사)를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the polyethylene glycol-based ligand is more specifically, 2-(2-methoxyethoxy)acetic acid (2-(2-Methoxyethoxy)acetic acid, WAKO), 2-[2- (2-methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid (2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid, WAKO), succinic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] Ester (Succinic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), malonic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester (Malonic acid mono-[2- (2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), glutaric acid mono-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethyl} ester (Pentanedioic acid mono-{2-[ 2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethyl} ester), {2-[2-(2-ethyl-hexyloxy)-ethoxy]-ethoxy}-acetic acid ({2-[2- (2-Ethyl-hexyloxy)-ethoxy]-ethoxy}-acetic acid), succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)) )-Ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester (Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{ 2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl]ester), succinic acid mono-[2-(2-{2-[2 -(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}- Oxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester (Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2- [2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester) , Malonic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-isobutoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy ]-Ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester (Malonic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-isobutoxy-ethoxy)-ethoxy]- ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), adipic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy] -Ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester (Hexanedioic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester) , 2-oxo-adipic acid 6-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethyl) ester (2-Oxo-hexanedioic acid 6-( 2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethyl) ester), succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2) -(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)- Ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] Ester (Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2 -[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy] -ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), O-(succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′000 (O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′000, Aldrich), (2 -Butoxy-ethoxy)-acetic acid ((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO), {2-[2-(carboxymethoxy)ethoxy]ethoxy}acetic acid ({2-[2-(carboxymethoxy)ethoxy]ethoxy}acetic acid, WAKO), 2-[2-(benzyloxy)ethoxy ]Acetic acid (2-[2-(Benzyloxy)ethoxy]acetic acid), (2-carboxymethoxy-ethoxy)-acetic acid ((2-Carboxymethoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO), (2-butoxy -Ethoxy)-acetic acid ((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO) may be included.

전술한 바와 같이 본 발명의 양자점은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함함으로써, 톨루엔, 헥산, 클로로포름과 같이 휘발성이 큰 용제가 아닌, 컬러필터 양산라인에서 사용되고 있는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 같은 용제를 사용함에도 양자점의 분산 특성이 양호한 효과가 있다.As described above, the quantum dots of the present invention contain a polyethylene glycol-based ligand, so that a solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate used in the color filter mass production line is not used as a solvent with high volatility such as toluene, hexane, and chloroform. The dispersion characteristics of the quantum dots have a good effect.

본 발명의 광변환 수지 조성물은 전술한 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점 이외의 양자점을 더 포함할 수도 있는데, 이 경우 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점의 함량은 함께 포함되는 리간드를 포함하지 않는 양자점 전체 100중량부를 기준으로 5 내지 150중량부, 바람직하게는 10 내지 100중량부로 포함될 수 있다. 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점이 상기 함량 범위 미만으로 포함되는 경우 양자점의 분산특성이 저하될 수 있으며, 상기 범위를 초과하는 경우 도막의 경화 특성이 저하될 수 있다.The photoconversion resin composition of the present invention may further include quantum dots other than the non-cadmium-based quantum dots including the above-described polyethylene glycol-based ligand, in this case, the content of the non-cadmium-based quantum dots including the polyethylene glycol-based ligand is included together. It may be included in an amount of 5 to 150 parts by weight, preferably 10 to 100 parts by weight, based on 100 parts by weight of the entire quantum dot not including a ligand. When the non-cadmium-based quantum dots including the polyethylene glycol-based ligand are included in the amount less than the above content range, the dispersion characteristics of the quantum dots may be deteriorated, and when it exceeds the above range, the curing properties of the coating film may be deteriorated.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 양자점은 2종 이상의 양자점을 포함할 수 있다. 상기 양자점이 2종 이상의 양자점을 포함하는 경우 색재현성이 더욱 우수한 화상표시장치를 제공할 수 있는 이점이 있어 바람직하다.According to an embodiment of the present invention, the quantum dots may include two or more types of quantum dots. When the quantum dots include two or more types of quantum dots, it is preferable because there is an advantage in that an image display device having more excellent color reproducibility can be provided.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 양자점은 입사된 청색광원을 이용하여, 녹색광 및 적색광으로의 광변환을 위해 발광중심파장이 서로 다른 2종 또는 그 이상의 양자점을 포함 할 수 있다. 구체적으로, 상기 양자점은 색재현성 구현에 보다 효과적인 발광중심파장 범위가 510nm 내지 540nm인 녹색 양자점; 및 발광중심파장 범위가 610nm 내지 630nm인 적색 양자점;을 포함하는 것일 수 있으며, 이 경우 청색광을 녹색광 또는 적색광으로 변환하기에 보다 유리한 이점이 있다.According to an embodiment of the present invention, the quantum dots may include two or more quantum dots having different emission center wavelengths for light conversion into green light and red light using an incident blue light source. Specifically, the quantum dots are green quantum dots having a light emission center wavelength range of 510nm to 540nm, which is more effective for implementing color reproducibility; And a red quantum dot having an emission center wavelength range of 610 nm to 630 nm, and in this case, there is a more advantageous advantage in converting blue light into green light or red light.

이때, 상기 2종 이상의 양자점의 발광중심파장의 차이는 70nm 이상일 수 있다. 이와 같이 발광중심파장이 서로 다른 2종 이상의 양자점을 사용하는 경우 색재현성을 보다 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In this case, the difference between the emission center wavelengths of the two or more types of quantum dots may be 70 nm or more. In this way, when two or more types of quantum dots having different emission center wavelengths are used, the color reproducibility can be further improved.

본 발명의 비카드뮴계 양자점은 광변환 수지 조성물의 고형분 100중량부에 대하여 1 내지 40중량부, 바람직하게는 2 내지 20중량부로 포함될 수 있다. 상기 양자점이 상기 범위 내로 포함될 경우 발광 효율이 우수하고, 코팅층의 신뢰성이 우수한 이점이 있다. 상기 비카드뮴계 양자점이 상기 범위 미만으로 포함되는 경우 녹색광 및 적색광의 광변환 효율이 미비할 수 있고, 상기 범위를 초과하는 경우 상대적으로 청색광의 방출이 저하되어 색재현성이 떨어지는 문제가 발생될 수 있다.The non-cadmium-based quantum dots of the present invention may be included in an amount of 1 to 40 parts by weight, preferably 2 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the solid content of the photo-conversion resin composition. When the quantum dots are included within the above range, there is an advantage in that the luminous efficiency is excellent and the reliability of the coating layer is excellent. When the non-cadmium-based quantum dots are included in less than the above range, the photoconversion efficiency of green light and red light may be insufficient, and when the non-cadmium-based quantum dots are exceeded, the emission of blue light is relatively lowered, resulting in a problem in which color reproducibility is deteriorated. .

산란입자Scattering particles

본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 산란입자를 포함한다.The light conversion resin composition according to the present invention includes scattering particles.

상기 산란입자는 통상의 무기 재료를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 평균입경이 50 내지 1000nm인 금속산화물을 포함할 수 있다.The scattering particles may use a conventional inorganic material, and may preferably include a metal oxide having an average particle diameter of 50 to 1000 nm.

상기 금속산화물은 Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, Ce, Ta, In 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 산화물일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The metal oxides are Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, It may be an oxide containing one metal selected from the group consisting of Ce, Ta, In, and combinations thereof, but is not limited thereto.

구체적으로 상기 금속산화물은 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종이 가능하다. 필요한 경우 아크릴레이트 등의 불포화 결합을 갖는 화합물로 표면 처리된 재질도 사용 가능하다.Specifically, the metal oxide is Al 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, ZrO 2 , BaTiO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Ti 3 O 5 , ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb 2 O 3 , One selected from the group consisting of SnO, MgO, and combinations thereof is possible. If necessary, a material surface-treated with a compound having an unsaturated bond such as acrylate may also be used.

다만, 본 발명에 따른 광변환 수지 조성물이 산란입자를 포함할 경우 상기 산란입자를 통해 양자점에서 방출된 광의 경로를 증가시켜 광변환 코팅층에서의 전체적인 광효율을 높일 수 있어 바람직하다.However, when the light conversion resin composition according to the present invention includes scattering particles, it is preferable to increase the overall light efficiency in the light conversion coating layer by increasing the path of light emitted from the quantum dots through the scattering particles.

상기 산란입자는 50 내지 1000nm의 평균입경을 가질 수 있으며, 바람직하기로 100 내지 500nm 범위인 것을 사용할 수 있다. 이때 입자 크기가 너무 작으면 양자점으로부터 방출된 빛의 충분한 산란 효과를 기대할 수 없고, 이와 반대로 너무 큰 경우에는 조성물 내에 가라 앉거나 균일한 품질의 자발광층 표면을 얻을 수 없으므로, 상기 범위 내에서 적절히 조절하여 사용할 수 있다.The scattering particles may have an average particle diameter of 50 to 1000 nm, and preferably those in the range of 100 to 500 nm may be used. At this time, if the particle size is too small, a sufficient scattering effect of the light emitted from the quantum dots cannot be expected. On the contrary, if the particle size is too large, it can be settled in the composition or a surface of the self-luminous layer of uniform quality cannot be obtained. Can be used.

상기 산란입자는 상기 광변환 수지 조성물의 전체 고형분 100 중량부에 대하여 0.5 내지 20중량부, 바람직하게는 1 내지 15중량부, 보다 바람직하게는 1 내지 10중량부로 포함될 수 있다.The scattering particles may be included in an amount of 0.5 to 20 parts by weight, preferably 1 to 15 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total solid content of the light conversion resin composition.

상기 산란입자가 상기 범위 내로 포함될 경우 발광 세기 증가 효과가 극대화될 수 있어 바람직하다. 상기 산란입자가 상기 범위 미만으로 포함될 경우 얻고자 하는 발광 세기의 확보가 다소 어려울 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우 청색 조사광의 투과도가 현저히 저하되어 색재현성에 문제가 발생할 수 있으므로, 상기 범위 내에서 적절하게 사용하는 것이 바람직하다. When the scattering particles are included within the above range, it is preferable that the effect of increasing the light emission intensity can be maximized. If the scattering particles are included within the above range, it may be somewhat difficult to secure the desired luminous intensity, and if the scattering particles exceed the above range, the transmittance of blue irradiation light may be significantly lowered, resulting in a problem in color reproducibility. It is desirable to use it appropriately.

알칼리 가용성 수지Alkali-soluble resin

본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지를 포함한다.The photoconversion resin composition according to the present invention includes an alkali-soluble resin.

상기 알칼리 가용성 수지로는 해당 적용 기술 분야에서 사용되는 다양한 중합체 중에서 선택할 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지는 산가나 수산기를 함유하는 수지이면 특별히 한정하지 않으나, 형상이나 패턴 단차, 기판과의 밀착성 및 내용제성 관점에서 에폭시(메타)아크릴레이트계 수지, 아크릴계 수지, 카르복실기 함유 (지환식)에폭시기계 수지, 노볼락계 수지, 폴리비닐페놀계 수지 등을 들 수 있지만 그 중에서도 에폭시(메타)아크릴레이트계 수지나 (지환식)에폭시기계 수지가 더 효과적일 수 있다. (지환식)에폭시기가 포함된 바인더 수지는 경시 변화가 적으면서 내약품성, 전기적 특성 등 신뢰성 향상이 가능하여 더욱 바람직하다. As the alkali-soluble resin, it may be selected from various polymers used in the applicable field of technology. The alkali-soluble resin is not particularly limited as long as it is a resin containing an acid value or a hydroxyl group, but from the viewpoint of shape or pattern step, adhesion to the substrate, and solvent resistance, epoxy (meth) acrylate-based resin, acrylic resin, carboxyl group-containing (alicyclic) Epoxy-based resins, novolac-based resins, and polyvinylphenol-based resins may be mentioned, but among them, epoxy (meth)acrylate-based resins or (alicyclic) epoxy-based resins may be more effective. A binder resin containing an (alicyclic) epoxy group is more preferable because it can improve reliability, such as chemical resistance and electrical properties, with little change over time.

또한, 상기 알칼리 가용성 수지의 분자량은 중량평균분자량이 3,000 내지 40,000인 범위 내의 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 5,000에서 20,000 범위가 좋을 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지의 분자량이 상기 범위 이내일 경우에는 막형성능과 신뢰성, 현상성의 밸런스가 우수한 경향이 있다. 또한, 상기 알칼리 가용성 수지의 산가는 고형분 기준으로 50내지 200 mg·KOH/g의 범위가 바람직하며, 상기 바인더 수지의 산가가 상기 범위 이내일 경우에는 알칼리 현상에 대한 현상성이 우수하고, 잔사 발생이 억제되고, 패턴의 밀착성이 향상되는 이점이 있다. In addition, the molecular weight of the alkali-soluble resin is preferably in the range of 3,000 to 40,000 by weight average molecular weight, more preferably in the range of 5,000 to 20,000 may be good. When the molecular weight of the alkali-soluble resin is within the above range, there is a tendency for an excellent balance of film-forming ability, reliability, and developability. In addition, the acid value of the alkali-soluble resin is preferably in the range of 50 to 200 mg·KOH/g based on solid content, and when the acid value of the binder resin is within the above range, developability against alkali phenomena is excellent, and residue is generated. This is suppressed, and there is an advantage that the adhesion of the pattern is improved.

본 발명에서 "산가"란, 아크릴계 중합체 1g을 중화하는데 필요한 수산화칼륨의 양(mg)으로서 측정되는 값이며, 통상적으로 수산화칼륨 수용액을 사용하여 적정함으로써 구할 수 있다.In the present invention, the "acid value" is a value measured as the amount (mg) of potassium hydroxide required to neutralize 1 g of an acrylic polymer, and can be obtained by titration using an aqueous potassium hydroxide solution.

상기 알칼리 가용성 수지는 상기 광변환 수지 조성물 전체 100중량부에 대하여 1 내지 80 중량부, 바람직하게는 5 내지 70 중량부, 더욱 바람직하게는 2 내지 70 중량부로 포함될 수 있다.The alkali-soluble resin may be included in 1 to 80 parts by weight, preferably 5 to 70 parts by weight, more preferably 2 to 70 parts by weight, based on the total 100 parts by weight of the photoconversion resin composition.

상기 알칼리 가용성 수지가 상기 범위 내로 포함될 경우 현상액에서의 용해성이 충분하여 패턴형성이 용이하며, 현상시에 노광부의 화소 부분의 막 감소가 방지되어 비화소 부분의 누락성이 양호해지므로 바람직하다. 상기 알칼리 가용성 수지가 상기 범위 미만으로 포함될 경우 비화소 부분이 다소 누락될 수 있으며, 상기 알칼리 가용성 수지가 상기 범위를 초과하여 포함될 경우 현상액에서의 용해성이 다소 저하되어 패턴형성이 다소 어려울 수 있다.When the alkali-soluble resin is included within the above range, it is preferable because it has sufficient solubility in a developer to facilitate pattern formation, and a film reduction in the pixel portion of the exposed portion is prevented during development, thereby improving the omission of non-pixel portions. When the alkali-soluble resin is included below the above range, the non-pixel portion may be slightly omitted, and when the alkali-soluble resin is included outside the above range, the solubility in the developer is slightly lowered, and thus pattern formation may be somewhat difficult.

열경화제Heat curing agent

본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 열경화제를 포함한다.The photoconversion resin composition according to the present invention includes a thermosetting agent.

상기 열경화제는 도막의 표면 경도 및 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 고온 공정에서의 탄성회복율이 우수해지며, 아웃가스(outgas) 발생량을 최소화하여 패널 작동 시 발생할 수 있는 잔상에 이로운 장점이 있다.The thermal curing agent not only has excellent surface hardness and adhesion of the coating film, but also has excellent elastic recovery rate in a high-temperature process, and minimizes the amount of outgas generated, thereby advantageously having an afterimage that may occur during panel operation.

본 발명의 열경화제는 다관능 지환족 에폭시 수지 또는 노볼락 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 함으로써, 특히 실란변성 에폭시 수지를 사용하는 경우보다 경시안정성 확보에 유리한 이점이 있다.The thermosetting agent of the present invention is characterized by comprising a polyfunctional alicyclic epoxy resin or a novolac epoxy resin, and thus has an advantage in securing stability over time than when using a silane-modified epoxy resin.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 다관능 지환족 에폭시 수지는 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the polyfunctional alicyclic epoxy resin may include a compound represented by the following formula (3) or (4).

[화학식 3] [Formula 3]

Figure 112019027914018-pat00020
Figure 112019027914018-pat00020

(상기 화학식 3에서,(In Chemical Formula 3,

R8은 C1 내지 C10 알킬기이고,R 8 is a C1 to C10 alkyl group,

a, b 및 c는 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이다).a, b and c are each independently an integer of 1 to 20).

[화학식 4] [Formula 4]

Figure 112019027914018-pat00021
Figure 112019027914018-pat00021

본 발명에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present invention, the alkyl group may be linear or branched, such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1- Ethyl-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethyl Butyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl , 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.

상기 다관능 지환족 에폭시 수지의 시판품으로는 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤의「CEL-2021」, 지환식 고형 에폭시 수지「EHPE-3150」, 에폭시화 폴리부타디엔「PB3600」, 가요성 지방환 에폭시 화합물「CEL-2081」, 락톤 변성 에폭시 수지「PCL-G」 등이 사용될 수 있다. 또, 이외에도 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤의 「세록사이드2000」, 「에폴리드 GT-3000」, 「GT-4000」등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Commercially available products of the polyfunctional alicyclic epoxy resin include Daicel Chemical Co., Ltd.'CEL-2021', alicyclic solid epoxy resin'EHPE-3150', epoxidized polybutadiene'PB3600', flexible alicyclic epoxy Compound "CEL-2081", lactone-modified epoxy resin "PCL-G", and the like can be used. In addition, Daicel Chemical Industry Co., Ltd.'s "Serocside 2000", "Epolide GT-3000", "GT-4000", etc. may be used, but the present invention is not limited thereto.

상기 다관능 지환족 에폭시 수지를 사용함으로써, 도막의 표면 경도 및 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 고온 공정에서의 탄성회복율이 우수해지며, 아웃가스(outgas) 발생량을 최소화하여 패널 작동 시 발생할 수 있는 잔상에 이로운 장점이 있다.By using the multifunctional alicyclic epoxy resin, not only the surface hardness and adhesion of the coating film are excellent, but also the elastic recovery rate in the high-temperature process is excellent, and the amount of outgas is minimized, so that afterimages that may occur during panel operation There are benefits to it.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 노볼락 에폭시 수지는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the novolac epoxy resin may include a compound represented by the following formula (5).

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112019027914018-pat00022
Figure 112019027914018-pat00022

(상기 화학식 5에서,(In Chemical Formula 5,

v는 1 내지 20의 정수이다).v is an integer from 1 to 20).

상기 노볼락 에폭시 수지의 시판품으로는 스미 에폭시 ESCN 195XL (스미토모 카가쿠 고교㈜제조) 등이 사용될 수 있으나 역시 이에 한정되지 않는다.As a commercial item of the novolac epoxy resin, Sumi Epoxy ESCN 195XL (manufactured by Sumitomo Chemical Industry Co., Ltd.) may be used, but is not limited thereto.

상기 노볼락 에폭시 수지를 사용함으로써, 도막의 표면 경도 및 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 고온 공정에서의 탄성회복율이 우수해지며, 아웃가스(outgas) 발생량을 최소화하여 패널 작동 시 발생할 수 있는 잔상에 이로운 장점이 있다.By using the novolac epoxy resin, not only the surface hardness and adhesion of the coating film are excellent, but also the elastic recovery rate in the high-temperature process is excellent, and the amount of outgas is minimized, which is beneficial for afterimages that may occur during panel operation. There is an advantage.

상기 열경화제는 상기 광변환 수지 조성물 고형분 100중량%에 대하여 0.1 내지 40중량%, 바람직하게는 0.5 내지 35중량%, 보다 바람직하게는 5 내지 30중량%로 포함될 수 있다.The thermosetting agent may be included in an amount of 0.1 to 40% by weight, preferably 0.5 to 35% by weight, and more preferably 5 to 30% by weight, based on 100% by weight of the solid content of the photo-conversion resin composition.

상기 열경화제가 상기 범위를 만족하는 경우에는 도막의 경도를 향상시켜 도막 표면경도 및 밀착력이 우수할 뿐만 아니라, 고온 공정에서의 탄성회복율이 우수해지며, 아웃가스 발생량을 최소화하여 패널 작동 시 발생할 수 있는 잔상에 이로운 장점이 있다. 반면에, 상기 열경화제가 상기 범위를 벗어날 경우에는 도막 표면경도가 저하될 수 있고, 밀착력이 저하되어 크랙(Crack)이 발생할 수 있으며, 고온 공정에서의 탄성회복율이 저하되어 표면 주름이 발생 할 가능성이 있다. 또한 아웃가스의 발생량이 증가하면 패널 작동 시 잔상의 발생 위험성이 있다.When the thermal curing agent satisfies the above range, the hardness of the coating film is improved, so that the surface hardness and adhesion of the coating film are excellent, and the elastic recovery rate in the high-temperature process is excellent, and the amount of outgas is minimized to occur during panel operation. There is a beneficial advantage for afterimages that are present. On the other hand, if the thermal curing agent is out of the above range, the surface hardness of the coating film may be lowered, adhesion may decrease, and crack may occur, and the elastic recovery rate in a high-temperature process may decrease, resulting in surface wrinkles. There is this. In addition, if the amount of outgas is increased, there is a risk of afterimages occurring during panel operation.

용제solvent

본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 용제를 포함한다.The photoconversion resin composition according to the present invention contains a solvent.

상기 용제는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있으며, 특히 비점이 100 내지 240℃인 용제가 전체 용제 대비 50% 이상 포함되는 경우, 흐름특성이 우수해져 코팅얼룩 및 건조이물이 발생하지 않아, 코팅이물이 없는 양호한 광변환 적층기재를 제공할 수 있다. The solvent may contain at least one or more, and in particular, when a solvent having a boiling point of 100 to 240°C is contained 50% or more of the total solvent, the flow characteristics are excellent, so that coating stains and dry foreign matter do not occur. It is possible to provide a good light conversion laminated substrate without water.

상기 비점이 100℃ 미만인 용제가 전체 용제의 50% 이상인 경우 건조 속도가 빨라 Vacuum Dry 공정시 도막표면에 얼룩이 발생하여 불량을 야기할 수 있는 반면, 비점이 240℃를 초과하는 용제가 전체 용제의 50% 이상인 경우 Vacuum Dry 공정시 소요시간(Tack-time)이 길어지는 문제를 야기할 수 있다. 그러므로 전체 용제의 50% 이상의 용제는 비점이 100 내지 240℃인 용제를 사용 하는 것이 적절하다. If the solvent having a boiling point of less than 100°C is 50% or more of the total solvent, the drying speed is high and stains may occur on the surface of the coating film during the vacuum drying process, which may cause defects, whereas the solvent with a boiling point exceeding 240°C is 50% of the total solvent. If it is more than %, it may cause a problem of lengthening the tack-time during the vacuum drying process. Therefore, it is appropriate to use a solvent having a boiling point of 100 to 240°C for 50% or more of the total solvent.

상기 용제의 구체적인 예로는 에테르류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 알코올류, 에스테르류 및 아미드류 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 구체적으로 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 부탄올, 헥산올, 시클로헥산올 및 3-에톡시프로피온산 에틸, 1,3-부틸렌글라이콜디아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌 글리콜 디아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 메톡시부틸아세테이트, 에틸렌글리콜 및 γ-부티롤락톤 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 내지 2종 이상일 수 있다.Specific examples of the solvent may include one or more selected from the group consisting of ethers, aromatic hydrocarbons, ketones, alcohols, esters and amides, and specifically propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, toluene, xylene, mesitylene, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, butanol, hexanol, cyclohexanol And ethyl 3-ethoxypropionate, 1,3-butylene glycol diacetate, ethyl-3-ethoxypropionate, propylene glycol diacetate, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl It may be one to two or more selected from the group consisting of ether, methoxybutyl acetate, ethylene glycol and γ-butyrolactone.

본 발명의 광변환 수지 조성물 중의 용제의 함량은 상기 광변환 수지 조성물 100중량%에 대하여 5 내지 90중량%, 바람직하게는 30 내지 80중량%로 포함 될 수 있다. 상기 용제가 상기 범위 내로 포함되면 롤 코터, 스핀 코터, 슬릿 앤드 스핀 코터, 슬릿 코터(다이 코터라고도 하는 경우가 있음), 잉크젯 등의 도포 장치로 도포했을 때 도포성이 양호해질 수 있다.The content of the solvent in the photoconversion resin composition of the present invention may be included in 5 to 90% by weight, preferably 30 to 80% by weight, based on 100% by weight of the photoconversion resin composition. When the solvent is contained within the above range, the coating property may be improved when applied with a coating device such as a roll coater, a spin coater, a slit and spin coater, a slit coater (also referred to as a die coater), or an ink jet.

<광변환 적층기재><Light conversion laminated substrate>

본 발명에 따른 광변환 적층기재는 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 상기 광변환 적층기재는 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함함으로써, 기재 위에 코팅층을 형성할 때, 100 내지 250℃의 온도에서 보다 효과적으로 가공할 수 있으며, 기존의 복잡한 구조에 비해 휘도 및 장기 신뢰성이 우수할 수 있다.The photo-conversion laminated material according to the present invention includes a cured product of the photo-conversion resin composition. The photo-conversion laminated material includes a cured product of the photo-conversion resin composition, so that when forming a coating layer on the base material, it can be processed more effectively at a temperature of 100 to 250°C, and has luminance and long-term reliability compared to the existing complex structure. It can be excellent.

상기 기재는 유리, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 고분자 기판일 수 있으며, 상기 고분자 기판은 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES) 또는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 등일 수 있다. The substrate may be glass, silicon (Si), silicon oxide (SiOx), or a polymer substrate, and the polymer substrate may be polyethersulfone (PES) or polycarbonate (PC).

상기 광변환 적층 기재는 전술한 기재 상에 상기 광변환 수지 조성물을 도포하고 소정의 패턴으로 노광, 현상 및 열경화하여 형성 될 수 있다.The photo-conversion laminated substrate may be formed by applying the photo-conversion resin composition on the aforementioned substrate and exposing, developing, and thermosetting in a predetermined pattern.

<화상표시장치><Image display device>

본 발명에 따른 화상표시장치는 전술한 광변환 적층기재를 포함한다. 상기 화상 표시 장치는 구체적으로, 액정 디스플레이(액정표시장치; LCD), 유기 EL 디스플레이(유기 EL 표시장치), 액정 프로젝터, 게임기용 표시장치, 휴대전화 등의 휴대단말용 표시장치, 디지털 카메라용 표시장치, 카 네비게이션용 표시장치 등의 표시장치 등을 들 수 있으며, 특히 컬러 표시장치가 적합하다.An image display device according to the present invention includes the above-described light conversion laminated substrate. Specifically, the image display device is a liquid crystal display (liquid crystal display; LCD), an organic EL display (organic EL display), a liquid crystal projector, a display device for a game machine, a display device for a portable terminal such as a mobile phone, and a display for a digital camera. A display device such as a device and a display device for car navigation. In particular, a color display device is suitable.

상기 화상표시장치는 상기 광변환 적층기재를 구비한 것을 제외하고는 본 발명의 기술 분야에서 당 업자에게 알려진 구성을 더 포함할 수 있으며, 즉, 본 발명은 본 발명의 광변환 적층기재를 적용할 수 있는 화상표시장치를 포함한다.The image display device may further include a configuration known to a person skilled in the art, except that the photo-conversion laminate base material is provided, that is, the present invention applies the photo-conversion laminate base material of the present invention. It includes an image display device capable of.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세히 설명한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지는 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 이하에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 중량 기준이다.Hereinafter, examples will be described in detail to describe the present specification in detail. However, the embodiments according to the present specification may be modified in various forms, and the scope of the present specification is not construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely describe the present specification to those of ordinary skill in the art. In addition, "%" and "parts" indicating the content hereinafter are based on weight unless otherwise noted.

산란입자 분산액의 제조Preparation of scattering particle dispersion

제조예 1: 산란입자 분산액 S-1의 제조Preparation Example 1: Preparation of scattering particle dispersion S-1

산란 입자로서 입경 150nm인 TiO2(훈츠만사 TTO-55(C)) 70.0중량부, 분산제로서 DISPERBYK-2001 (BYK사 제조) 4.0중량부, 용매로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 26중량부를 비드밀에 의해 12시간 동안 혼합/분산하여 산란입자 분산액 S-1을 제조하였다. TiO 2 (Huntsman TTO-55 (C)) 70.0 parts by weight as a scattering particle of 150 nm, 4.0 parts by weight of DISPERBYK-2001 (manufactured by BYK) as a dispersant, 26 parts by weight of propylene glycol methyl ether acetate as a solvent by a bead mill Mixing/dispersing for 12 hours to prepare a scattering particle dispersion S-1.

합성예 1: 양자점의 합성Synthesis Example 1: Synthesis of quantum dots

합성예1-1: Green 양자점의 합성(A-1)Synthesis Example 1-1: Synthesis of Green quantum dots (A-1)

인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 1분간 반응시켰다. Indium acetate (Indium acetate) 0.4mmol (0.058g), palmitic acid (palmitic acid) 0.6mmol (0.15g) and 1-octadecene (octadecene) 20mL was put into a reactor and heated to 120 ℃ under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was converted to nitrogen. After heating to 280 ℃, tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS 3 P) 0.2mmol (58㎕ ) and trioctyl phosphine quickly injected a mixture of 1.0mL pin and allowed to react for 1 minute.

이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 혼합 용액 2ml를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. Then, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was heated to 280°C. 2 ml of the previously synthesized InP mixed solution was added, and then 4.8 mmol of selenium (Se/TOP) in trioctylphosphine was added, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to form an InP/ZnSe core-shell.

이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP/ZnSe 코어 쉘 2ml를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득하여, 클로로포름에 분산시켰다.Then, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was heated to 280°C. 2 ml of the previously synthesized InP/ZnSe core shell was added, and then 4.8 mmol of sulfur (S/TOP) in trioctylphosphine was added, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain InP/ZnSe/ZnS core-shell structured quantum dots, and dispersed in chloroform.

얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대 발광피크는 515nm 였으며, 양자점용액 5mL를 원심분리튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 분리된 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.5g의 O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2'000(Aldrich사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.The maximum emission peak of the photoluminescence spectrum of the obtained nano quantum dots was 515 nm, 5 mL of the quantum dot solution was placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. Discard the supernatant separated through centrifugation, disperse the quantum dots by adding 2 mL of chloroform to the precipitate, and then add 0.5 g of O-(Succinyl)-O'-methylpolyethylene glycol 2'000 (Aldrich) and put it at 60℃ under nitrogen atmosphere. The reaction was carried out for one hour while heating with a furnace.

이어서, 얻어진 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최종적으로 얻어진 양자점의 최대 발광 피크는 515nm였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the obtained reaction to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was added and dispersed while heating at 80°C. The solid content was adjusted to 25% with PGMEA. The maximum emission peak of the finally obtained quantum dot was 515 nm.

합성예1-2: Green 양자점의 합성(A-2)Synthesis Example 1-2: Synthesis of Green quantum dots (A-2)

인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 1.5분간 반응시켰다.Indium acetate (Indium acetate) 0.4mmol (0.058g), palmitic acid (palmitic acid) 0.6mmol (0.15g) and 1-octadecene (octadecene) 20mL was put into a reactor and heated to 120 ℃ under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was converted to nitrogen. After heating to 280° C., a mixed solution of tris(trimethylsilyl)phosphine (TMS3P) 0.2 mmol (58 μL) and trioctylphosphine 1.0 mL was rapidly injected and reacted for 1.5 minutes.

이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 혼합용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8 mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다.Then, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was heated to 280°C. After adding 2 mL of the previously synthesized InP mixed solution, 4.8 mmol of selenium (Se/TOP) in trioctylphosphine was added, the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to form an InP/ZnSe core-shell.

이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP/ZnSe 코어-쉘 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다.Then, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP/ZnSe core-shell was added, followed by adding 4.8 mmol of sulfur (S/TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain InP/ZnSe/ZnS core-shell structured quantum dots, and then dispersed in chloroform.

얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 피크는 526nm 였으며, 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 분리된 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.50g의 (2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.The maximum emission peak of the photoluminescence spectrum of the obtained nano quantum dots was 526 nm, 5 mL of the quantum dot solution was placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. The supernatant separated through centrifugation was discarded, and 2 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots, and then 0.50 g of (2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid was added and reacted for an hour while heating at 60° C. under a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최종적으로 얻어진 양자점의 최대발광파장은 536nm였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was added and dispersed while heating at 80°C. The solid content was adjusted to 25% with PGMEA. The maximum emission wavelength of the finally obtained quantum dot was 536 nm.

합성예1-3: Red 양자점의 합성(A-3)Synthesis Example 1-3: Synthesis of Red Quantum Dots (A-3)

인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 5분간 반응 후 반응용액을 상온으로 신속하게 식혔다. Indium acetate (Indium acetate) 0.4mmol (0.058g), palmitic acid (palmitic acid) 0.6mmol (0.15g) and 1-octadecene (octadecene) 20mL was put into a reactor and heated to 120 ℃ under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was converted to nitrogen. After heating to 280 ℃, tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS 3 P) 0.2mmol (58㎕ ) and trioctyl phosphine to promptly inject a mixture of 1.0mL pin and rapidly to room temperature, the reaction solution after 5 minutes reaction Cooled down.

아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 혼합용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응 후 상온으로 내려 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. Zinc acetate 2.4mmoL (0.448g), oleic acid 4.8mmol, and trioctylamine 20mL were put into a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was heated to 280°C. After adding 2 mL of the previously synthesized InP mixed solution, 4.8 mmol of selenium (Se/TOP) in trioctylphosphine was added, the final mixture was reacted for 2 hours and then lowered to room temperature to form an InP/ZnSe core-shell.

이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP/ZnSe 코어-쉘2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다. Then, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP/ZnSe core-shell was added, followed by adding 4.8 mmol of sulfur (S/TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain InP/ZnSe/ZnS core-shell structured quantum dots, and then dispersed in chloroform.

얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대 발광피크는 628nm였으며, 합성된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 분리된 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)을 넣고 질소 분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간동안 반응시켰다.The maximum emission peak of the photoluminescence spectrum of the obtained nano quantum dots was 628 nm, and 5 mL of the synthesized quantum dot solution was placed in a centrifuge tube and 20 mL of ethanol was added to precipitate. Discard the supernatant separated by centrifugation, disperse the quantum dots by adding 2 mL of chloroform to the precipitate, and then add 0.65 g of 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid (from WAKO) to 60℃ under a nitrogen atmosphere. The reaction was carried out for an hour while heating with a furnace.

이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 상층액은 버리고 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. 이 때, PGMEA로 고형분을 25%로 조정하였다. 최종적으로 얻어진 양자점의 최대발광파장은 628nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction to precipitate the quantum dots, followed by centrifugation to discard the supernatant and to separate the precipitate, and then 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was added and dispersed while heating to 80°C. . At this time, the solid content was adjusted to 25% with PGMEA. The maximum emission wavelength of the finally obtained quantum dot was 628 nm.

합성예 1-4: Red 양자점 합성(A-4)Synthesis Example 1-4: Red quantum dot synthesis (A-4)

인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 4.5분간 반응 후 반응용액을 상온으로 신속하게 식혔다. Indium acetate (Indium acetate) 0.4mmol (0.058g), palmitic acid (palmitic acid) 0.6mmol (0.15g) and 1-octadecene (octadecene) 20mL was put into a reactor and heated to 120 ℃ under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was converted to nitrogen. After heating to 280 ℃, tris (trimethylsilyl) phosphine as (TMS 3 P) 0.2mmol (58㎕ ) and trioctyl phosphine quickly injected a mixture of 1.0mL and quickly to room temperature, the reaction solution after the reaction 4.5 minutes Cooled down.

아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 혼합용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응 후 상온으로 내려 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. Zinc acetate 2.4mmoL (0.448g), oleic acid 4.8mmol, and trioctylamine 20mL were put into a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was heated to 280°C. After adding 2 mL of the previously synthesized InP mixed solution, 4.8 mmol of selenium (Se/TOP) in trioctylphosphine was added, the final mixture was reacted for 2 hours and then lowered to room temperature to form an InP/ZnSe core-shell.

이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP/ZnSe 코어-쉘 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다. Then, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP/ZnSe core-shell was added, and then 4.8 mmol of sulfur (S/TOP) in trioctylphosphine was added, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain InP/ZnSe/ZnS core-shell structured quantum dots, and then dispersed in chloroform.

얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대 발광피크는 616nm이며, 합성된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.The maximum emission peak of the photoluminescence spectrum of the obtained nano quantum dots was 616 nm, and 5 mL of the synthesized quantum dot solution was placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. Discard the supernatant through centrifugation, disperse the quantum dots by adding 2 mL of chloroform to the precipitate, and then add 0.65 g of 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid (WAKO) and heat to 60℃ under a nitrogen atmosphere. And reacted for an hour.

이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 상층액은 버리고 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. 이 때 PGMEA로 고형분을 25%로 조정하였다. 최종적으로 얻어진 양자점의 최대발광파장은 616nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction to precipitate the quantum dots, followed by centrifugation to discard the supernatant and to separate the precipitate, and then 4 mL of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was added and dispersed while heating to 80°C. . At this time, the solid content was adjusted to 25% with PGMEA. The maximum emission wavelength of the finally obtained quantum dot was 616 nm.

합성예2: 알칼리가용성수지(C)Synthesis Example 2: Alkali-soluble resin (C)

교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 로트 및 질소 도입관을 구비한 플라스크를 준비하고, 한편, N-벤질말레이미드 45중량부, 메타크릴산 45중량부, 트리사이클로데실 메타크릴레이트 10중량부, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 4중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(이하, PGMEA) 40중량부를 투입후 교반 혼합하여 모노머 적하 로트를 준비하고, n-도데칸티올 6중량부, PGMEA 24중량부를 넣고 교반 혼합하여 연쇄 이동제 적하 로트를 준비했다. 이후 플라스크에 PGMEA 395중량부를 도입하고 플라스크내 분위기를 공기에서 질소로 한 후 교반하면서 플라스크의 온도를 90℃까지 승온했다. 이어서 모노머 및 연쇄 이동제를 적하 로트로부터 적하를 개시했다. 적하는 90℃를 유지하면서 각각 2시간 동안 진행하고 1시간 후에 110℃로 승온하여 3시간 유지한 뒤, 가스 도입관을 도입시켜, 산소/질소=5/95(v/v) 혼합 가스의 버블링을 개시했다. 이어서, 글리시딜메타크릴레이트 10중량부, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀) 0.4중량부, 트리에틸아민 0.8중량부를 플라스크 내에 투입하여 110℃에서 8시간 반응을 계속하고, 그 후 실온까지 냉각하면서 고형분 29.1중량%, 중량평균분자량 32,000, 산가가 114㎎KOH/g인 알칼리 가용성 수지를 얻었다.A flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux condenser, a dropping lot and a nitrogen introduction tube was prepared, while 45 parts by weight of N-benzylmaleimide, 45 parts by weight of methacrylic acid, 10 parts by weight of tricyclodecyl methacrylate, 4 parts by weight of t-butylperoxy-2-ethylhexanoate and 40 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (hereinafter, PGMEA) were added and mixed with stirring to prepare a dropping lot of monomers, and 6 parts by weight of n-dodecanethiol , 24 parts by weight of PGMEA were added and mixed with stirring to prepare a chain transfer agent dropping lot. Thereafter, 395 parts by weight of PGMEA was introduced into the flask, the atmosphere in the flask was changed from air to nitrogen, and the temperature of the flask was raised to 90°C while stirring. Next, dropping of the monomer and the chain transfer agent was started from the dropping lot. Dropping proceeds for 2 hours while maintaining 90°C, and after 1 hour the temperature is raised to 110°C and maintained for 3 hours, and then the gas introduction tube is introduced, and the bubble of the mixed gas of oxygen/nitrogen = 5/95 (v/v) Started the ring. Then, 10 parts by weight of glycidyl methacrylate, 0.4 parts by weight of 2,2'-methylenebis(4-methyl-6-t-butylphenol), and 0.8 parts by weight of triethylamine were added into the flask, and at 110° C. for 8 hours. The reaction was continued, and then, while cooling to room temperature, an alkali-soluble resin having a solid content of 29.1% by weight, a weight average molecular weight of 32,000, and an acid value of 114 mgKOH/g was obtained.

실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 14: 광변환 수지 조성물의 제조Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 14: Preparation of photoconversion resin composition

하기 표 1의 성분 및 함량(중량%)을 사용하여 실시예 및 비교예에 따른 광변환 수지 조성물을 제조하였다.A photoconversion resin composition according to Examples and Comparative Examples was prepared using the components and contents (% by weight) of Table 1 below.

양자점Quantum dots 산란입자Scattering particles 알칼리 가용성 수지Alkali-soluble resin 열경화제Heat curing agent 용제solvent A-1A-1 A-2A-2 A-3A-3 A-4A-4 A-5A-5 A-6A-6 S-1S-1 CC D-1D-1 D-2D-2 D-3D-3 EE 실시예 1Example 1 8.08.0 -- 0.70.7 -- -- -- 0.70.7 27.227.2 9.329.32 9.329.32 -- 44.7644.76 실시예 2Example 2 8.08.0 -- -- 0.70.7 -- -- 0.70.7 27.227.2 9.329.32 9.329.32 -- 44.7644.76 실시예 3Example 3 -- 8.08.0 0.70.7 -- -- -- 0.70.7 27.227.2 9.329.32 9.329.32 -- 44.7644.76 실시예 4Example 4 -- 8.08.0 -- 0.70.7 -- -- 0.70.7 27.227.2 9.329.32 9.329.32 -- 44.7644.76 실시예 5Example 5 8.08.0 -- 0.70.7 -- -- -- 0.70.7 27.227.2 2.332.33 -- -- 61.0761.07 실시예 6Example 6 8.08.0 -- -- 0.70.7 -- -- 0.70.7 27.227.2 6.216.21 12.4312.43 -- 44.7644.76 실시예 7Example 7 8.08.0 -- 0.70.7 -- -- -- 0.70.7 27.227.2 12.4312.43 6.216.21 -- 44.7644.76 실시예 8Example 8 8.08.0 -- -- 0.70.7 -- -- 0.70.7 27.227.2 18.6418.64 -- -- 44.7644.76 실시예 9Example 9 -- 8.08.0 0.70.7 -- -- -- 0.70.7 27.227.2 2.332.33 -- -- 61.0761.07 실시예 10Example 10 -- 8.08.0 -- 0.70.7 -- -- 0.70.7 27.227.2 6.216.21 12.4312.43 -- 44.7644.76 실시예 11Example 11 -- 8.08.0 0.70.7 -- -- -- 0.70.7 27.227.2 12.4312.43 6.216.21 -- 44.7644.76 실시예 12Example 12 -- 8.08.0 -- 0.70.7 -- -- 0.70.7 27.227.2 18.6418.64 -- -- 44.7644.76 비교예 1Comparative Example 1 8.08.0 -- -- -- 0.70.7 -- 0.70.7 27.227.2 9.329.32 9.329.32 -- 44.7644.76 비교예 2Comparative Example 2 8.08.0 -- -- -- -- 0.70.7 0.70.7 27.227.2 9.329.32 9.329.32 -- 44.7644.76 비교예 3Comparative Example 3 -- 8.08.0 -- -- 0.70.7 -- 0.70.7 27.227.2 9.329.32 9.329.32 -- 44.7644.76 비교예 4Comparative Example 4 -- 8.08.0 -- -- -- 0.70.7 0.70.7 27.227.2 9.329.32 9.329.32 -- 44.7644.76 비교예 5Comparative Example 5 8.08.0 -- -- -- 0.70.7 -- 0.70.7 27.227.2 9.329.32 -- 9.329.32 44.7644.76 비교예 6Comparative Example 6 8.08.0 -- -- -- -- 0.70.7 0.70.7 27.227.2 9.329.32 -- 9.329.32 44.7644.76 비교예 7Comparative Example 7 -- 8.08.0 -- -- 0.70.7 -- 0.70.7 27.227.2 9.329.32 -- 9.329.32 44.7644.76 비교예 8Comparative Example 8 -- 8.08.0 -- -- -- 0.70.7 0.70.7 27.227.2 9.329.32 -- 9.329.32 44.7644.76 비교예 9Comparative Example 9 -- -- -- -- 5.45.4 3.33.3 0.70.7 27.227.2 9.329.32 9.329.32 -- 44.7644.76 비교예 10Comparative Example 10 -- -- -- -- 4.84.8 3.93.9 0.70.7 27.227.2 9.329.32 9.329.32 -- 44.7644.76 비교예 11Comparative Example 11 8.08.0 -- 0.70.7 -- -- -- 0.70.7 27.227.2 -- -- 10.4910.49 52.9252.92 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 비교예 14Comparative Example 14 8.08.0 -- 0.70.7 -- -- -- 0.70.7 27.227.2 -- -- -- 63.463.4 A-1: 합성예 1-1의 양자점
A-2: 합성예 1-2의 양자점
A-3: 합성예 1-3의 양자점
A-4: 합성예 1-4의 양자점
A-5: InP/ZnS oleylamine ligand 톨루엔 용액(발광중심파장 560nm, 반치폭 80nm, Aldrich 사)
A-6: InP/ZnS oleylamine ligand 톨루엔 용액(발광중심파장 590nm, 반치폭 80nm, Aldrich 사)
S-1: 제조예 1의 산란입자
C: 합성예 2의 알칼리 가용성 수지
D-1: CEL-2021(다이셀 가가꾸고교가부시끼가이샤제조)
D-2: 스미 에폭시 ESCN 195XL (스미토모 카가쿠 고교㈜제조)
D-3: 컴포세란 E-101(아라카와 화학 공업(주) 제조)
E: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
* 비교예의 경우 리간드에 포함된 톨루엔 용제를 감압제거 후 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 제거된 톨루엔 용제의 양만큼 보충하였다.
A-1: Quantum dots of Synthesis Example 1-1
A-2: Quantum dots of Synthesis Example 1-2
A-3: Quantum dots of Synthesis Example 1-3
A-4: Quantum dots of Synthesis Example 1-4
A-5: InP/ZnS oleylamine ligand toluene solution (emission center wavelength 560nm, half width 80nm, Aldrich)
A-6: InP/ZnS oleylamine ligand toluene solution (emission center wavelength 590nm, half width 80nm, Aldrich)
S-1: Scattering particles of Preparation Example 1
C: Alkali-soluble resin of Synthesis Example 2
D-1: CEL-2021 (manufactured by Daicel Chemical Industry Co., Ltd.)
D-2: Sumi Epoxy ESCN 195XL (manufactured by Sumitomo Chemical Industries, Ltd.)
D-3: Composeran E-101 (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.)
E: Propylene glycol monomethyl ether acetate
* In the case of the comparative example, the toluene solvent contained in the ligand was removed under reduced pressure, and then propylene glycol monomethyl ether acetate was supplemented by the amount of the removed toluene solvent.

실험예Experimental example

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 수지 조성물을 이용하여 아래와 같이 광변환 코팅층을 제조하였으며, 이때의 도막 휘도, 색재현성, 표면경도, 탄성회복율, 밀착력, 아웃가스(outgas) 발생량 및 경시변화율을 하기와 같은 방법으로 측정하고, 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다.The photo-conversion coating layer was prepared as follows using the photo-conversion resin composition prepared in the above Examples and Comparative Examples, and at this time, the coating luminance, color reproducibility, surface hardness, elastic recovery rate, adhesion, outgas generation amount and rate of change over time Was measured in the following manner, and the results are shown in Table 2 below.

(1) (One) 광변환Light conversion 코팅층 제조 Coating layer manufacturing

실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 수지 조성물을 이용하여 코팅막을 제조하였다. 즉, 상기 각각의 광변환 수지 조성물을 스핀 코팅법으로 5cm × 5cm 유리 기판 위에 도포한 다음, 가열판 위에 놓고 100℃의 온도에서 10분간 유지하여 박막을 형성 시킨 후 180℃의 가열 오븐에서 30분 동안 가열하여 광변환 코팅층을 제조하였다. 상기에서 제조된 광변환 수지막의 두께는 양자점의 함량에 따라 8.0㎛의 두께로 제작하였다.A coating film was prepared using the photoconversion resin composition prepared in Examples and Comparative Examples. That is, after applying each of the photo-conversion resin compositions on a 5cm × 5cm glass substrate by spin coating, placing them on a heating plate and holding them at a temperature of 100°C for 10 minutes to form a thin film, and then in a heating oven at 180°C for 30 minutes. It was heated to prepare a light conversion coating layer. The thickness of the photo-conversion resin film prepared above was manufactured to a thickness of 8.0 μm according to the content of the quantum dots.

(2) 휘도 (2) luminance

상기 (1)에서 제조된 코팅막을 Blue 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社)상부에 위치시킨 후 휘도측정기(CAS140CT Spectrometer, Instrument systems 社)를 이용하여, Blue광 조사 시 측정 휘도를 측정하였으며, 그 평가 결과는 하기 표 2에 기재하였다.After placing the coating film prepared in (1) above the blue light source (XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree), and using a luminance meter (CAS140CT Spectrometer, Instrument Systems, Inc.), measured brightness when irradiated with blue light. Was measured, and the evaluation results are shown in Table 2 below.

(3) (3) 색재현성Color reproducibility

상기 (1)에서 제조된 코팅막을 Blue 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社)상부에 위치시키고, 그 위에 Red, Green, Blue가 패턴된 컬러필터기판(UN65, 삼성전자 TV Color filter 사용)을 위치시킨 후 색도측정기(OSP-200, Olympus 社)를 이용하여, Red, Green, Blue의 색좌표를 측정하여, 이때 표현되는 색재현 영역을 NTSC 색영역 대비 면적비를 계산하였으며,그 평가 결과는 하기 표 2에 기재하였다.The coating film prepared in (1) above is placed on a blue light source (XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree), and a color filter substrate (UN65, Samsung Electronics TV Color) with red, green, and blue patterns thereon. filter), and then using a colorimeter (OSP-200, Olympus) to measure the color coordinates of red, green, and blue, and calculate the area ratio to the NTSC color gamut for the color reproduction area expressed at this time. The results are shown in Table 2 below.

(4) 도막 표면경도(4) Surface hardness of the coating film

상기 (1)에서 제조된 코팅막의 경화도를 경도계(HM500; Fischer사 제품)를 사용하여 150℃ 고온에서 측정하였다. 이때 얻어진 결과는 하기 표 2에 나타내었다. 이때 도막 표면경도는 하기 기준으로 평가하였다.The curing degree of the coating film prepared in (1) was measured at a high temperature of 150°C using a hardness tester (HM500; manufactured by Fischer). The results obtained at this time are shown in Table 2 below. At this time, the surface hardness of the coating film was evaluated based on the following criteria.

<평가 기준><Evaluation criteria>

○: 표면경도 50 이상○: surface hardness 50 or more

△: 표면경도 30 이상 50 미만△: surface hardness of 30 or more and less than 50

×: 표면경도 30 미만 ×: surface hardness less than 30

(5) (5) 탄성회복율Elastic recovery rate

상기 (1)에서 제조된 코팅막의 탄성회복율은 Fisher 경도계(fisherscope HM-2000, fisher社)을 이용하였으며, 상기 (1)에서 제조된 코팅막에 50mN까지 Force를 가해서 측정하고 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다.The elastic recovery rate of the coating film prepared in (1) was measured using a Fisher hardness tester (fisherscope HM-2000, Fisher Co.), and a force was applied to the coating film prepared in (1) up to 50 mN, and the results are shown in Table 2 below. Indicated.

<평가기준><Evaluation Criteria>

○: 우수, 탄성회복율 60 이상○: Excellent, elastic recovery rate of 60 or more

△: 부족, 탄성회복율 30 이상 60 미만△: insufficient, elastic recovery rate 30 or more and less than 60

×: 악화, 탄성회복율 30 미만 ×: deterioration, elastic recovery rate less than 30

(6) 밀착력(6) adhesion

상기 (1)에서 제조된 코팅막의 밀착력 평가는 TQC사의 Cross Cut Adhesion Test CC1000을 사용하여 표면에 1mm 간격으로 가로, 세로 방향으로 각각 11줄의 선을 그어 총 100개의 격자가 생기도록 커팅을 진행하였으며, TQC사의 Tape를 사용하여 커팅한 표면의 밀착력을 평가하였다. 이 때 밀착력은 하기 기준으로 평가하였으며 얻어진 결과는 하기 표 2에 나타내었다.In the evaluation of adhesion of the coating film prepared in (1) above, using TQC's Cross Cut Adhesion Test CC1000, 11 lines were drawn on the surface in the horizontal and vertical directions at 1mm intervals, and a total of 100 grids were cut. , TQC's tape was used to evaluate the adhesion of the cut surface. At this time, the adhesion was evaluated based on the following criteria, and the obtained results are shown in Table 2 below.

<평가기준><Evaluation Criteria>

○: 90개 이상의 패턴을 유지○: Maintain more than 90 patterns

△: 60 내지 89개의 패턴을 유지△: 60 to 89 patterns are maintained

× : 9 내지 59개의 패턴을 유지×: 9 to 59 patterns are maintained

(7) 아웃가스((7) Outgas ( outgasoutgas ) 발생량) Generation

상기 (1)에서 제조된 코팅층을 Py-GC/FID를 통해 230℃에서 30분 열분해하여 포집된 화합물을 분석하였다. The coating layer prepared in (1) was pyrolyzed at 230° C. for 30 minutes through Py-GC/FID to analyze the collected compound.

이때, 아웃가스 발생량은 하기 기준으로 평가하였으며, 얻어진 결과는 하기 표 2에 나타내었다.At this time, the amount of outgas generated was evaluated based on the following criteria, and the obtained results are shown in Table 2 below.

<평가기준><Evaluation Criteria>

비교예 1의 값을 100% 기준으로 하여 백분율로 표시하였으며, 그 값이 낮을수록 우수하다.The value of Comparative Example 1 was expressed as a percentage based on 100%, and the lower the value, the better.

(( 8)경시변화율8) Rate of change over time

상기 (1)의 코팅층 제작을 위해, 제조된 광변환 수지 조성물을 조제한 날의 초기점도와 상온에서 1개월간 보관한 후의 점도를 측정하여 경시변화 여부를 확인하였다. 점도계(도기산교샤제 [TV-35 점도계])를 이용하여, 25℃에 있어서 회전수 50rpm의 조건으로 측정하였다.For the preparation of the coating layer of (1), the initial viscosity of the day on which the prepared photo-conversion resin composition was prepared and the viscosity after storage at room temperature for 1 month were measured to determine whether the change over time. The measurement was made at 25°C under conditions of a rotation speed of 50 rpm using a viscometer (TV-35 viscometer manufactured by Togi Sangyo Co., Ltd.).

이때, 경시 변화율은 하기 기준으로 평가하였으며, 얻어진 결과는 하기 표 2에 나타내었다.At this time, the rate of change over time was evaluated based on the following criteria, and the obtained results are shown in Table 2 below.

<평가기준><Evaluation Criteria>

상온에서의 점도변화율은 102% 이내를 기준으로 하였고, 102%이하는 경시변화 안정성이 있는 것으로 나타내었다. The rate of change in viscosity at room temperature was based on within 102%, and less than 102% was shown to have stability over time.

[광변환 수지조성물 점도변화율] = (경시점도/초기점도) Х100[Viscosity change rate of light conversion resin composition] = (Elapsed viscosity/Initial viscosity) Х100

(9) (9) 헤이즈Haze

상기 실시예 및 비교예에서 산란입자를 투입하지 않은 광변환 수지 조성물에 대하여, 헤이즈 측정기(haze meter)(HZ-1, Suga 사제)를 이용하여 헤이즈를 측정 하였으며, 얻어진 결과는 하기 표2에 나타내었다.For the light conversion resin composition in which the scattering particles were not added in the Examples and Comparative Examples, haze was measured using a haze meter (HZ-1, manufactured by Suga), and the obtained results are shown in Table 2 below. I got it.

<평가 기준><Evaluation criteria>

헤이즈 수치가 8.0이하는 양호한 수준으로 한다. A haze value of 8.0 or less should be a good level.

휘도
(nit)
Luminance
(nit)
색재현성
(NTSC 대비 %)
Color reproducibility
(% of NTSC)
도막 경도Film hardness 탄성
회복율
Shout
Recovery rate
밀착력Adhesion 아웃가스
(%)
Outgas
(%)
헤이즈Haze 경시 변화율
(%, 1개월 후)
Rate of change over time
(%, after 1 month)
실시예 1Example 1 38673867 98.798.7 1414 1.21.2 100.3100.3 실시예 2Example 2 39133913 99.299.2 1212 0.90.9 100.5100.5 실시예 3Example 3 38353835 99.699.6 1111 0.80.8 100.2100.2 실시예 4Example 4 39203920 99.599.5 1616 1.01.0 100.3100.3 실시예 5Example 5 38803880 98.898.8 1313 1.11.1 100.1100.1 실시예 6Example 6 38643864 98.898.8 1111 1.21.2 100.1100.1 실시예 7Example 7 38903890 98.998.9 1010 1.11.1 100.2100.2 실시예 8Example 8 38883888 98.998.9 1212 1.31.3 100.2100.2 실시예 9Example 9 38563856 99.299.2 1010 1.21.2 100.3100.3 실시예 10Example 10 39123912 99.299.2 1111 1.01.0 100.3100.3 실시예 11Example 11 38463846 99.199.1 1212 1.11.1 100.2100.2 실시예 12Example 12 39133913 99.199.1 1313 0.90.9 100.1100.1 비교예 1Comparative Example 1 24232423 65.265.2 1616 8.78.7 110.0110.0 비교예 2Comparative Example 2 25102510 64.364.3 1515 11.311.3 115.4115.4 비교예 3Comparative Example 3 23622362 64.164.1 1414 12.112.1 113.0113.0 비교예 4Comparative Example 4 23712371 62.262.2 1717 1616 114.8114.8 비교예 5Comparative Example 5 19211921 56.356.3 1313 2222 150.3150.3 비교예 6Comparative Example 6 18321832 55.155.1 1616 2121 149.5149.5 비교예 7Comparative Example 7 18531853 54.354.3 1515 1919 143.6143.6 비교예 8Comparative Example 8 17351735 52.152.1 1717 2222 147.2147.2 비교예 9Comparative Example 9 20162016 63.163.1 1111 18.318.3 123.0123.0 비교예 10Comparative Example 10 21002100 62.262.2 1313 13.113.1 120.2120.2 비교예 11Comparative Example 11 18231823 60.160.1 1515 2323 146.2146.2 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 비교예 14Comparative Example 14 39153915 98.498.4 ×× ×× ×× 190190 1.21.2 100.3100.3

상기 표 2를 참조하면, 본 발명에서 제시하는 구성을 모두 만족하는 실시예 1 내지 12의 경우, 본 발명에서 제시하는 구성을 어느 하나라도 만족하지 못하는 비교예 1 내지 14의 경우보다 휘도, 색재현성, 헤이즈 등의 광학 특성은 물론 도막 경도, 탄성회복율, 밀착력, 아웃가스 발생 방지, 경시 변화율의 면에서 보다 우수한 효과를 보이는 것을 확인할 수 있었다.Referring to Table 2, in the case of Examples 1 to 12 that satisfy all the configurations presented in the present invention, the luminance and color reproducibility are compared to the case of Comparative Examples 1 to 14 that do not satisfy any of the configurations presented in the present invention. It was confirmed that, as well as optical properties such as haze, film hardness, elastic recovery rate, adhesion, outgassing prevention, and aging change rate, more excellent effects were shown.

구체적으로, 본 발명에서 제시하는 양자점의 구성을 만족하지 못하는 비교예 1 내지 10의 경우 액상 분산성이 불량하여 양자점의 양자 효율이 저하됨으로써, 휘도 및 색재현성이 저하되고, 헤이즈가 증가하는 등 광학 특성이 좋지 못한 것을 확인할 수 있었으며, 열경화제로서 실란변성 에폭시 수지를 포함하는 비교예 5 내지 8 및 비교예 11의 경우 경시변화율이 좋지 못한 것을 확인할 수 있었다. 특히, 열경화제를 전혀 포함하지 않는 비교예 14의 경우 도막경도, 탄성회복율, 밀착력이 모두 좋지 못한 것을 확인할 수 있었다.Specifically, in the case of Comparative Examples 1 to 10 that do not satisfy the configuration of the quantum dots presented in the present invention, the quantum efficiency of the quantum dots is lowered due to poor liquid dispersibility, thereby reducing luminance and color reproducibility, and increasing the haze. It was confirmed that the properties were poor, and in the case of Comparative Examples 5 to 8 and Comparative Example 11 including a silane-modified epoxy resin as a heat curing agent, it was confirmed that the rate of change over time was not good. In particular, in the case of Comparative Example 14, which did not contain any thermal curing agent, it was confirmed that the coating film hardness, elastic recovery rate, and adhesion were all poor.

Claims (15)

폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점 2종 이상, 산란입자, 알칼리 가용성 수지, 열경화제 및 용제를 포함하고,
상기 열경화제는 다관능 지환족 에폭시 수지 또는 노볼락 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
Including two or more kinds of non-cadmium-based quantum dots including a polyethylene glycol-based ligand, scattering particles, alkali-soluble resin, a thermosetting agent and a solvent,
The thermosetting agent is a photoconversion resin composition comprising a polyfunctional alicyclic epoxy resin or a novolac epoxy resin.
제1항에 있어서,
상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure 112019027914018-pat00023

(상기 화학식 1에서,
R1은 하기 화학식 1-1로 표시되며,
R2는 수소원자, 머캅토(
Figure 112019027914018-pat00024
), 카르복실산(
Figure 112019027914018-pat00025
), 디티오아세트산(
Figure 112019027914018-pat00026
), 인산(
Figure 112019027914018-pat00027
), 아민(
Figure 112019027914018-pat00028
) 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기이고,
n은 2 내지 100의 정수이다)
[화학식 1-1]
Figure 112019027914018-pat00029

(상기 화학식 1-1에서,
R3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
R4는 하기 화학식 1-2로 표시되며,
*은 결합손을 의미한다)
[화학식 1-2]
Figure 112019027914018-pat00030

(상기 화학식 1-2에서,
R5는 산소원자 또는 황원자이며,
R6는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
R7는 머캅토(
Figure 112019027914018-pat00031
), 카르복실산(
Figure 112019027914018-pat00032
), 디티오아세트산(
Figure 112019027914018-pat00033
), 인산(
Figure 112019027914018-pat00034
), 아민(
Figure 112019027914018-pat00035
)으로 이루어진 군으로부터 선택되며,
m은 0 내지 1의 정수이고, l은 0 내지 10의 정수이며,
*은 결합손을 의미한다).
The method of claim 1,
The polyethylene glycol-based ligand is a photoconversion resin composition comprising a compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure 112019027914018-pat00023

(In Chemical Formula 1,
R 1 is represented by the following formula 1-1,
R 2 is a hydrogen atom, mercapto (
Figure 112019027914018-pat00024
), carboxylic acid (
Figure 112019027914018-pat00025
), dithioacetic acid (
Figure 112019027914018-pat00026
), phosphoric acid (
Figure 112019027914018-pat00027
), amine (
Figure 112019027914018-pat00028
) Or a straight-chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
n is an integer from 2 to 100)
[Formula 1-1]
Figure 112019027914018-pat00029

(In Formula 1-1,
R 3 is a direct linking group or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
R 4 is represented by the following formula 1-2,
* Means a bonded hand)
[Formula 1-2]
Figure 112019027914018-pat00030

(In Formula 1-2,
R 5 is an oxygen atom or a sulfur atom,
R 6 is a direct linking group or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
R 7 is mercapto (
Figure 112019027914018-pat00031
), carboxylic acid (
Figure 112019027914018-pat00032
), dithioacetic acid (
Figure 112019027914018-pat00033
), phosphoric acid (
Figure 112019027914018-pat00034
), amine (
Figure 112019027914018-pat00035
) Is selected from the group consisting of,
m is an integer from 0 to 1, l is an integer from 0 to 10,
* Means a bond hand).
삭제delete 제2항에 있어서,
상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure 112019027914018-pat00036

(상기 화학식 2에서,
R2는 머캅토(
Figure 112019027914018-pat00037
), 카르복실산(
Figure 112019027914018-pat00038
), 디티오아세트산(
Figure 112019027914018-pat00039
), 인산(
Figure 112019027914018-pat00040
), 아민(
Figure 112019027914018-pat00041
), 탄소수 1 내지 20의 직쇄의 알킬기 및 탄소수 3 내지 20의 분지쇄의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
o는 0 내지 5의 정수, p는 0 내지 1의 정수, q는 2 내지 50 의 정수이다).
The method of claim 2,
The compound of Formula 1 is a photoconversion resin composition comprising a compound represented by Formula 2 below:
[Formula 2]
Figure 112019027914018-pat00036

(In Chemical Formula 2,
R 2 is mercapto (
Figure 112019027914018-pat00037
), carboxylic acid (
Figure 112019027914018-pat00038
), dithioacetic acid (
Figure 112019027914018-pat00039
), phosphoric acid (
Figure 112019027914018-pat00040
), amine (
Figure 112019027914018-pat00041
), selected from the group consisting of a straight chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and a branched chain alkyl group having 3 to 20 carbon atoms,
o is an integer of 0 to 5, p is an integer of 0 to 1, and q is an integer of 2 to 50).
제1항에 있어서,
상기 다관능 지환족 에폭시 수지는 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure 112019027914018-pat00042

(상기 화학식 3에서,
R8은 C1 내지 C10 알킬기이고,
a, b 및 c는 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이다).
[화학식 4]
Figure 112019027914018-pat00043
The method of claim 1,
The polyfunctional alicyclic epoxy resin is a photoconversion resin composition, characterized in that it comprises a compound represented by the following formula (3) or (4):
[Formula 3]
Figure 112019027914018-pat00042

(In Chemical Formula 3,
R 8 is a C1 to C10 alkyl group,
a, b and c are each independently an integer of 1 to 20).
[Formula 4]
Figure 112019027914018-pat00043
제1항에 있어서,
상기 노볼락 에폭시 수지는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
[화학식 5]
Figure 112019027914018-pat00044

(상기 화학식 5에서,
v는 1 내지 20의 정수이다).
The method of claim 1,
The novolac epoxy resin is a photo-conversion resin composition comprising a compound represented by the following formula (5):
[Formula 5]
Figure 112019027914018-pat00044

(In Chemical Formula 5,
v is an integer from 1 to 20).
제1항에 있어서,
상기 열경화제는 이를 포함하는 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100중량%에 대하여, 0.1 내지 40중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
The method of claim 1,
The thermal curing agent is a photoconversion resin composition, characterized in that contained in an amount of 0.1 to 40% by weight, based on 100% by weight of the total solid content of the photoconversion resin composition comprising the same.
제1항에 있어서,
상기 양자점은
GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 코어; 및
ZnSe, ZnS 및 ZnTe로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 쉘;을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
The method of claim 1,
The quantum dot is
A binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; A ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; And GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and one selected from the group consisting of a quaternary compound selected from the group consisting of mixtures thereof A core containing the above materials; And
A photoconversion resin composition comprising: a shell comprising at least one material selected from ZnSe, ZnS, and ZnTe.
제1항에 있어서,
상기 양자점은 InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
The method of claim 1,
The quantum dots include at least one selected from the group consisting of InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS and InP/MnSe/ZnS. Photo-conversion resin composition.
제1항에 있어서,
상기 양자점은 발광중심파장 범위가 510nm 내지 540nm인 녹색 양자점; 및 발광중심파장 범위가 610nm 내지 630nm인 적색 양자점;을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
The method of claim 1,
The quantum dot is a green quantum dot having an emission center wavelength range of 510nm to 540nm; And a red quantum dot having a light emission center wavelength range of 610 nm to 630 nm.
제10항에 있어서,
상기 양자점은 발광중심파장이 서로 70nm 이상 차이가 나는 2종 이상의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
The method of claim 10,
The quantum dot is a photo-conversion resin composition, characterized in that the light emission center wavelength comprises two or more kinds of quantum dots having a difference of 70 nm or more from each other.
제1항에 있어서,
상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 2-(2-메톡시에톡시)아세트산, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산, 숙신산모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸] 에스터, 말론산모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸] 에스터, 글루타르산모노-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에틸} 에스터, {2-[2-(2-에틸-헥실옥시)-에톡시]-에톡시}-아세트산, 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스터, 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터, 말론산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-이소부톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터, 아디프산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터, 2-옥소-아디프 산 6-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에틸) 에스터, 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터, O-(숙시닐)-O′-메틸폴리에틸렌글리콜 2′000, (2-부톡시-에톡시)-아세트산, 카르복시-EG6-운데칸티올 및 (2-카르복시메톡시-에톡시)-아세트산로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
The method of claim 1,
The polyethylene glycol-based ligand is 2-(2-methoxyethoxy)acetic acid, 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid, succinate mono-[2-(2-methoxy-ethoxy). )-Ethyl] ester, malonic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester, glutaric acid mono-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy ]-Ethyl} ester, {2-[2-(2-ethyl-hexyloxy)-ethoxy]-ethoxy}-acetic acid, succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2- {2-[2-(2-Ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester, succinic acid mono-[2- (2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-e Oxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester, malonic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[ 2-(2-isobutoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester, adipic acid mono-[2-(2) -{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester, 2-oxo-adipic acid 6-(2-{2-[2 -(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethyl) ester, succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-)) {2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]- Ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester, O- (Succinyl)-O'-methylpolyethylene glycol 2'000, (2-butoxy-ethoxy)-acetic acid, carboxy-EG6-undecanthiol, and (2-carboxymethoxy-ethoxy)-acetic acid A photoconversion resin composition comprising at least one selected from.
제1항에 있어서,
상기 산란입자는 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
The method of claim 1,
The scattering particles are Al 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, ZrO 2 , BaTiO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Ti 3 O 5 , ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb 2 O 3 , SnO, A photoconversion resin composition comprising at least one selected from the group consisting of MgO and combinations thereof.
제1항, 제2항, 제4항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함하는 광변환 적층기재.A photoconversion laminate comprising a cured product of the photoconversion resin composition according to any one of claims 1, 2, and 4 to 13. 제14항에 따른 광변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치.An image display device comprising the light conversion laminated substrate according to claim 14.
KR1020190030951A 2018-03-21 2019-03-19 A light converting resin composition, a light converting laminated substrate and a display device using the same KR102237547B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180032422 2018-03-21
KR20180032422 2018-03-21
KR1020180093828A KR20190110925A (en) 2018-03-21 2018-08-10 A light converting resin composition, a light converting glass unit and a display device using the same
KR1020180093828 2018-08-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190110935A KR20190110935A (en) 2019-10-01
KR102237547B1 true KR102237547B1 (en) 2021-04-07

Family

ID=68026401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190030951A KR102237547B1 (en) 2018-03-21 2019-03-19 A light converting resin composition, a light converting laminated substrate and a display device using the same

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6790158B2 (en)
KR (1) KR102237547B1 (en)
CN (1) CN110297391B (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7192326B2 (en) * 2018-09-06 2022-12-20 昭栄化学工業株式会社 wavelength conversion layer
KR102296792B1 (en) 2019-02-01 2021-08-31 삼성에스디아이 주식회사 Non-solvent type curable composition, curing layer using the same, color filter including the curing layer, display device and manufacturing method of the curing layer
KR102602724B1 (en) * 2019-10-14 2023-11-14 삼성에스디아이 주식회사 Quantum dot, curable composition comprising the same, cured layer using the composition and color filter including the cured layer
KR102609622B1 (en) * 2019-10-14 2023-12-01 삼성에스디아이 주식회사 Quantum dot, curable composition comprising the same, cured layer using the composition and color filter including the cured layer
CN113248953B (en) * 2020-02-12 2023-02-21 东友精细化工有限公司 Photoconversion curable composition, cured film, quantum dot light-emitting diode, and image display device
KR102534255B1 (en) * 2020-04-28 2023-05-17 삼성에스디아이 주식회사 Curable composition including quantum dot, resin layer using the same and display device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0820101D0 (en) * 2008-11-04 2008-12-10 Nanoco Technologies Ltd Surface functionalised nanoparticles
KR20100094810A (en) * 2009-02-19 2010-08-27 동우 화인켐 주식회사 A colored photosensitive resin composition, color filter employing the same and the liquid crystal display device having the same
KR101628065B1 (en) 2014-08-07 2016-06-08 주식회사 엘엠에스 Luminescence complex, composition including the complex, hardened member of the composition, optical sheet, backlight unit, and display device
KR102028583B1 (en) * 2014-09-03 2019-10-04 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition
JP6236412B2 (en) * 2014-09-30 2017-11-22 富士フイルム株式会社 Wavelength conversion member, backlight unit, liquid crystal display device, quantum dot-containing polymerizable composition, and method for producing wavelength conversion member
KR101856615B1 (en) * 2014-10-14 2018-05-10 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition
KR101879016B1 (en) * 2014-11-21 2018-07-16 동우 화인켐 주식회사 Self emission type photosensitive resin composition, color filter manufactured using thereof and image display device having the same
KR20160097445A (en) * 2015-02-06 2016-08-18 삼성디스플레이 주식회사 Photosensitive resin composition and display panel
KR101895356B1 (en) * 2015-03-24 2018-09-05 동우 화인켐 주식회사 Self emission type photosensitive resin composition, color filter manufactured using thereof and image display device having the same
JP2016194552A (en) * 2015-03-31 2016-11-17 大日本印刷株式会社 Quantum dot sheet, backlight device, display, and manufacturing method of quantum dot sheet
KR101690624B1 (en) 2015-03-31 2016-12-28 코오롱인더스트리 주식회사 Optical sheet comprising cadmium free quantum dots
JP6653622B2 (en) * 2015-06-10 2020-02-26 富士フイルム株式会社 Wavelength conversion member, backlight unit, liquid crystal display, and quantum dot-containing polymerizable composition
KR101999979B1 (en) * 2015-09-23 2019-07-15 주식회사 엘지화학 A wavelength conversion particle complex and Optical film comprising it
KR102631400B1 (en) * 2015-10-22 2024-01-29 삼성전자주식회사 Photosensitive compositions, quantum dot polymer composite pattern prepared therefrom, and electronic devices including the same
JP6908646B2 (en) * 2018-03-16 2021-07-28 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. Light conversion resin composition and light conversion laminated base material, image display device using this

Also Published As

Publication number Publication date
JP6790158B2 (en) 2020-11-25
KR20190110935A (en) 2019-10-01
JP2019168684A (en) 2019-10-03
CN110297391B (en) 2022-12-20
CN110297391A (en) 2019-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102237547B1 (en) A light converting resin composition, a light converting laminated substrate and a display device using the same
CN110275392B (en) Light-converting resin composition, light-converting laminate substrate, and image display device
KR102494192B1 (en) A light converting resin composition, a light converting unit and a display device using the same
TWI748172B (en) A light converting resin composition
JP7404200B2 (en) Photoconversion ink composition, color filter, and image display device
KR102554276B1 (en) A light converting resin composition, a light converting laminate unit and a display device using the same
TWI730505B (en) Light conversion ink composition, light conversion pixel, color filter and display device
KR102622969B1 (en) A light converting resin composition, a light converting unit and a display device using the same
KR102554275B1 (en) A light converting resin composition, a light converting laminate unit and a display device using the same
KR20200073992A (en) A quantum dot, a light converting ink composition comprising the quantum dot, a light converting pixel manufactured by the composition, a color filter comprising the light converting pixel and a display device comprising the same
CN110305451B (en) Light conversion resin composition, light conversion laminated substrate, and image display device
TWI787477B (en) Light converting resin composition, light converting unit and display device using the same
CN110361933B (en) Light conversion resin composition, light conversion laminated substrate, and image display device
KR102519941B1 (en) Light Conversion Resin Composition, Light Conversion Sheet and Display Device
TWI778242B (en) A light converting resin composition, a light converting laminated substrate and a display device using the same
KR20210154588A (en) A quantum dot, a quantum dot dispersion, a light converting curable composition, a quantum dot light-emitting diode, a quantum dot film and a light converting ink composition comprising the quantum dot, a cured film manufactured by the composition and a display device comprising the same
KR20210121407A (en) Light Conversion Ink Composition, Color Filter and Display Device
KR102492620B1 (en) Light Conversion Resin Composition, Light Conversion Sheet and Display Device
JP2021123724A (en) Quantum dots, quantum dot dispersion containing the same, curable composition, cured film, and image display device
KR20220089068A (en) A quantum dot, a quantum dot dispersion, a light converting curable composition, a color filter, a light converting laminating unit and a display device
KR20230113465A (en) A light conversion ink composition, a light converting laminating unit and a light converting pixel unit manufactured by using thereof
KR20220078308A (en) A quantum dot, a quantum dot dispersion, a light converting curable composition, a quantum dot light-emitting diode and a quantum dot film comprising the quantum dot, a cured film manufactured by the composition and a display device comprising the same
KR20210092684A (en) An ink composition, a pixel manufactured by using thereof, a color filter comprising the pixel, and a display device comprising the color filter
KR20210030786A (en) Light Conversion Ink Composition, Color Filter and Display Device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant