KR102235601B1 - 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치 및 그것을 이용한 결정화 방법 - Google Patents

박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치 및 그것을 이용한 결정화 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 활성층의 결정화를 위한 제1빔을 조사하는 제1레이저 및, 활성층의 가열을 위한 제2빔을 조사하는 제2레이저를 포함하며, 제2빔의 프로파일이 비대칭 형상인 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치를 개시한다.

Description

박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치 및 그것을 이용한 결정화 방법{Active layer of thin film transistor crystallizing apparatus and the crystallizing method using the same}
본 발명의 실시예들은 박막트랜지스터를 제조할 때 활성층을 비정질 상태에서 결정질 상태로 결정화시키는 장치 및 그것을 이용한 결정화 방법에 관한 것이다.
예컨대, 유기 발광 표시 장치나 액정 표시 장치와 같은 평판 디스플레이 장치에는 박막트랜지스터가 구비되어 있으며, 이 박막트랜지스터에는 활성층이 구비되어 있다. 이 활성층은 기판 상에 비정질 상태로 먼저 형성된 후, 적절한 열처리 과정을 통해 결정화된다.
본 발명의 실시예들은 박막트랜지스터의 활성층을 결정화시키는 장치 및 그것을 이용한 결정화 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예는 박막트랜지스터의 활성층이 형성된 기판을 스캔하며 상기 활성층의 결정화를 위한 제1빔을 조사하는 제1레이저 및, 상기 기판을 스캔하며 상기 활성층의 가열을 위한 제2빔을 조사하는 제2레이저를 포함하며, 상기 제2빔의 상기 스캔 방향에 대한 프로파일이 비대칭 형상인 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치를 제공한다.
상기 제2빔의 프로파일은 상기 스캔 방향을 따라 상기 기판과 먼저 접촉하는 전방측이 두껍고 후방측으로 갈수록 얇아지는 형상일 수 있다.
상기 제1빔의 조사영역 보다 상기 제2빔의 조사영역이 더 넓을 수 있다.
상기 제1빔의 조사시간 보다 상기 제2빔의 조사시간이 더 길 수 있다.
상기 제1레이저는 엑시머레이저를 포함하며, 상기 제2레이저는 Ar레이저와 CO2레이저 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2레이저는 상기 활성층이 형성된 상기 기판의 제1면과 그 반대면인 제2면 중 적어도 한 면에 상기 제2빔을 조사할 수 있게 배치될 수 있다.
상기 기판은 고정되어 있고, 상기 제1레이저와 상기 제2레이저가 상기 스캔 방향으로 이동할 수 있다.
상기 제1레이저와 상기 제2레이저는 고정되어 있고, 상기 기판이 상기 스캔 방향과 반대 방향으로 이동할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는 박막트랜지스터의 활성층이 형성된 기판을 스캔하며 제1빔을 조사하여 상기 활성층을 비정질 상태에서 결정질 상태로 결정화시키는 단계 및, 상기 기판을 스캔하며 제2빔을 조사하여 상기 활성층을 가열시키는 단계를 포함하며, 상기 제2빔의 상기 스캔 방향에 대한 프로파일이 비대칭 형상인 박막트랜지스터의 활성층 결정화 방법을 제공한다.
상기 제2빔의 프로파일은 상기 스캔 방향을 따라 상기 기판과 먼저 접촉하는 전방측이 두껍고 후방측으로 갈수록 얇아지는 형상일 수 있다.
상기 제1빔의 조사영역 보다 상기 제2빔의 조사영역이 더 넓을 수 있다.
상기 제1빔의 조사시간 보다 상기 제2빔의 조사시간이 더 길 수 있다.
상기 제1레이저는 엑시머레이저를 포함하며, 상기 제2레이저는 Ar레이저와 CO2레이저 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2레이저는 상기 활성층이 형성된 상기 기판의 제1면과 그 반대면인 제2면 중 적어도 한 면에 상기 제2빔을 조사할 수 있다.
상기 기판은 고정되어 있고, 상기 제1레이저와 상기 제2레이저가 상기 스캔 방향으로 이동할 수 있다.
상기 제1레이저와 상기 제2레이저는 고정되어 있고, 상기 기판이 상기 스캔 방향과 반대 방향으로 이동할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치 및 결정화 방법에 따르면, 활성층의 입자 크기를 효과적으로 크게 만들 수 있게 되며, 따라서 활성층의 저항을 줄여 박막트랜지스터의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있게 된다.
도 1은 박막트랜지스터를 포함한 유기 발광 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치를 도시한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2a 및 도 2b의 결정화 장치에 구비된 레이저의 조사 타이밍을 도시한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 도 2a 및 도 2b의 결정화 장치에 구비된 레이저의 빔 프로파일을 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 박막트랜지스터가 구비된 유기 발광 표시 장치(10)의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도시된 바와 같이 유기 발광 표시 장치(10)는, 박막트랜지스터(11)와 EL 소자(12)를 구비한다.
먼저, EL 소자(12)는 박막트랜지스터(11)에 의해 구동되어 발광하면서 화상을 구현하는 것으로, 상호 대향된 화소전극(12a)과 대향전극(12c), 그리고 그 사이에 개재된 발광동작층인 유기발광층(12b)을 구비하고 있다.
상기 대향전극(12c)에는 항상 일정 전압이 인가되고 있고, 박막트랜지스터(11)와 연결된 화소전극(12a)에는 그 박막트랜지스터(11)에 의해 전압이 선택적으로 인가된다. 따라서, 박막트랜지스터(11)의 선택적인 전압 인가에 따라 두 전극(12a)(12c) 사이에 적정 전압이 형성되면, 그 사이의 유기발광층(12b)이 발광하면서 화상을 구현하게 된다.
그리고, 상기 박막트랜지스터(11)는, 기판(13) 상에 활성층(11f)과 게이트전극(11g), 소스전극(11h) 및 드레인 전극(11i) 등이 차례로 적층된 구조로 이루어져 있다. 따라서, 게이트전극(11g)에 전기 신호가 가해지면, 활성층(11f)을 통해 소스전극(11h)에서 드레인전극(11i)으로 통전이 가능한 상태가 되며, 이에 따라 드레인전극(11i)과 연결된 화소전극(12a)으로 전압이 인가되어 상기한 바와 같은 유기발광층(12b)의 발광이 유도된다.
참조부호 11a는 기판(13)과 활성층(11f) 사이에 개재되는 버퍼층(11a)을 나타내며, 참조부호 11b는 게이트 절연막을, 참조부호 11c는 층간 절연막을, 참조부호 11d는 패시베이션막을, 참조부호 11e는 평탄화막을 각각 나타낸다.
참고로, 상기 EL 소자(12)의 발광층(12b)과 인접하여 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 더 적층될 수도 있다. 그리고, 발광층(12b)은 적색, 녹색, 청색의 빛을 방출하는 화소들이 모여서 하나의 단위 화소를 이루도록 각 화소마다 분리돼서 형성될 수 있다. 또는, 화소의 위치에 관계없이 전체 화소 영역에 걸쳐서 공통으로 발광층(12b)이 형성될 수도 있다. 이때, 발광층(12b)은 예컨대 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성될 수 있다. 물론, 백색광을 방출할 수 있다면 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다. 또한, 상기 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다. 그리고, 상기 대향전극(12c) 위에는 유기막과 무기막이 교대로 적층된 박막봉지층(미도시)이 형성될 수 있다.
한편, 상기 활성층(11f)을 형성할 때에는, 상기 기판(13) 상의 버퍼층(11a) 위에 먼저 비정질 실리콘 층을 형성한 다음, 그것을 열처리를 통해 결정화시킴으로써 결정질 실리콘층으로 변화시키는 공정을 거치게 된다. 그 다음 마스크 패터닝을 통해 도 1와 같은 형태의 활성층(11f)을 만들게 된다.
본 실시예의 활성층 결정화 장치는 이와 같이 비정질 상태의 활성층(11f)을 결정질 상태로 변화시키는 공정에 사용되는 것으로, 도 2a 또는 도 2b에 도시된 바와 같은 구성으로 이루어진다.
먼저 도 2a를 참조하면, 기판(13)을 향해 제1빔(101)을 조사하여 활성층(11f)의 해당 조사 부위(A)를 결정화 온도 이상인 약 1,400~1,500℃까지 순간 가열하는 제1레이저(100)와, 기판(13)을 향해 제2빔(201)을 조사하여 활성층(11f)의 해당 조사 부위(B)를 300~700℃ 정도로 가열 유지시키는 제2레이저(200)가 구비되어 있다.
상기 제1레이저(100)는 비정질 실리콘을 결정화 온도 이상으로 가열하여 결정화시키는 결정화용 레이저로서, 엑시머레이저가 사용될 수 있다.
상기 제2레이저(200)는 결정화가 진행되는 활성층(11f)의 해당 영역 주위를 300~700℃ 정도로 유지해줌으로써 급냉을 억제하여 결정화되는 입자가 가능한 한 크게 형성될 수 있도록 유도하는 가열용 레이저로서, Ar레이저나 CO2레이저와 같은 레이저가 사용될 수 있다.
즉, 실제 결정화는 상기 제1레이저(100)가 활성층(11f)에 제1빔(101)를 조사하여 그 부위의 온도를 결정화 온도 이상으로 올림으로써 진행하고, 상기 제2레이저(200)는 결정화가 진행되는 부위의 온도가 제1빔(101)의 조사 직후 바로 급냉되지 않고 적당한 고온을 가능한 한 길게 유지하도록 해줌으로써 결정화되는 입자의 크기를 크게 만들 수 있게 해주는 것이다. 결정화된 입자의 크기가 커지면 활성층(11f)내의 입계(grain boundary)가 줄어들기 때문에 저항이 줄어들고 전자의 이동도가 크게 향상될 수 있다. 즉, 전기적 특성이 매우 좋아질 수 있다.
그리고, 도면에서 볼 수 있듯이 결정화를 위한 제1빔(101)의 조사 영역(A) 보다 결정화 영역의 가열 유지를 위한 제2빔(201)의 조사 영역(B)이 더 넓은데, 이렇게 하면 결정화 영역이 주변으로 열을 빼앗기는 속도를 줄일 수 있다. 만일 제1빔(101)의 조사 영역(A)과 제2빔(201)의 조사 영역(B)이 같다면, 결정화가 진행되는 제1빔(101)의 조사 영역(A) 바로 옆에 미가열 상태인 영역이 접하게 되므로, 제2빔(201)으로 해당 부위를 함께 가열을 해준다 해도 주변에 열을 빼앗기는 속도가 상대적으로 빨라진다. 그러나, 본 구성과 같이 제2빔(201)의 조사 영역(B)을 더 넓게 하면 제1빔(101)의 조사 영역(A) 주변도 적절히 가열된 상태가 되므로 냉각 속도를 더 늦출 수 있게 된다.
제1레이저(100)의 제1빔(101)은 조사 영역(A)을 워낙 고온으로 가열하기 때문에, 장시간 연속으로 조사를 하게 되면 기판(13)에 변형이 생길 수도 있고 박막트랜지스터(11)의 다른 부위가 손상될 수도 있다. 따라서, 제1레이저(100)의 제1빔(101)은 도 3a나 도 3b에 도시된 바와 같이 펄스 형태로 일정한 간격을 두고 조사된다. 대신, 제2레이저(200)의 제2빔(201)은 그보다는 낮은 적당한 고온으로 유지시켜주는 역할을 하기 때문에, 도 3a와 같이 연속으로 조사할 수 있다. 또는, 도 3b와 같이 제2빔(201)도 일정 간격을 두고 조사할 수도 있는데, 어느 경우든 제1빔(101)의 조사 시간보다는 제2빔(201)의 조사 시간을 더 길게 유지한다. 그 이유는 전술한 조사 영역(A)(B)의 경우와 마찬가지로 냉각 속도를 늦춰서 결정화되는 입자의 크기를 크게 확보하는데 유리하기 때문이다.
그리고, 제1레이저(100)의 제1빔(101)은 결정화용 레이저이므로 도 2a와 같이 활성층(11f)에 직접 조사되는 것이 맞지만, 제2레이저(200)의 제2빔(201)은 결정화 영역 주변에 대한 가열용 레이저이므로 도 2a와 같이 활성층(11f) 위에 조사되게 할 수도 있고 또는 도 2b와 같이 반대편인 기판(13) 쪽으로 조사되게 해도 무방하다. 이때 활성층(11f) 자체도 물론 가열이 되지만, 버퍼층(11a)도 가열이 되면서 조사영역(B)을 적당한 고온 상태로 오래 유지할 수 있게 해준다.
한편, 활성층(11f)의 전체 영역을 결정화시키기 위해서는 제1빔(101)과 제2빔(201)이 활성층(11f) 위를 스캔하게 되는데, 기판(13)이 고정되어 있고 상기 제1,2레이저(100)(200)가 기판(13) 위를 도면의 화살표 방향으로 스캔하며 지나갈 수도 있고, 반대로 제1,2레이저(100)(20)가 고정되어 있는 상태에서 기판(13)이 도면의 스캔 화살표 반대 방향으로 움직일 수도 있다. 두 경우 다 제1,2빔(101)(201)의 스캔방향은 도면의 화살표 방향이 된다.
그리고, 본 실시예에서는 이와 같이 스캔하는 제1빔(101)과 제2빔(201)의 스캔 방향 프로파일을 도 4a 및 도 4b와 같이 구성한다.
먼저, 활성층(11f) 결정화를 위한 제1레이저(100)의 제1빔(101)은 도 4a와 같은 균일한 대칭 형상의 일반적인 프로파일로 구성한다.
그러나, 적정한 온도 유지를 위한 제2레이저(200)의 제2빔(201)은 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 스캔 방향의 전방측으로 더 두껍게 치우친 비대칭 형상의 프로파일로 구성한다. 이것은 제2빔(201)에 의한 가열이 조사 영역(B) 전체에 걸쳐서 균일하게 이루어지도록 하는 효과가 있다. 즉, 도면의 스캔 방향으로 제2빔(201)이 이동하게 되면, 기판(13) 상에서 제2빔(201)의 전방측과 만나는 영역은 미가열 상태에 있다가 처음 만나는 영역이지만, 그 뒤 후방측 영역은 전방부가 한번 가열하고 지나간 영역이므로 온도가 미가열 상태 보다 이미 높아진 상태가 된다. 따라서, 만일 제2빔(201)도 제1빔(101)과 같은 균일한 형태의 프로파일이라고 가정한다면, 스캔 중의 어느 한 시점을 정지 상태로 볼 때 제2빔(201)의 전방측이 조사되는 영역은 상대적으로 온도가 낮고, 후방측으로 갈수록 온도가 높아지는 부위별 온도차가 형성된다. 이렇게 부위별로 온도차가 생기면 결정화되는 입자의 성장 속도도 차이가 나게 되어 균일한 크기의 입자를 만들기가 어려워진다. 그러나, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 제2빔(201)의 프로파일을 스캔 방향의 전방측이 두껍고 후방측으로 갈수록 얇아지는 형태로 만들면, 상기와 같은 온도차 발생 원인이 상쇄되어 제2빔(201)이 조사되는 영역에 균일한 온도를 유지할 수 있게 된다. 따라서, 활성층(11f)의 결정화되는 입자의 크기가 균일하고 크게 만들어질 수 있어서 전기적 특성이 크게 향상될 수 있다.
이와 같은 구성의 결정화 장치를 이용한 활성층(11f)의 결정화 공정은 다음과 같이 진행될 수 있다.
먼저, 기판(13) 상의 버퍼층(11a) 위에 비정질 실리콘 재질의 활성층(11f)을 형성한다.
그리고는, 이와 같은 비정질 실리콘 재질의 활성층(11f)에 제1레이저(100)의 제1빔(101)과 제2레이저(200)의 제2빔(201)을 스캔 조사하면서 결정화를 진행한다. 이때 상기 제2빔(201)은 도 2a에 도시된 바와 같이 제1빔(101)과 같은 방향으로 조사될 수도 있고, 도 2b에 도시된 것처럼 반대방향으로 조사될 수도 있다. 제1빔(101)은 활성층(11f)의 해당 부위를 결정화 온도 이상인 약 1,400~1,500℃까지 가열하여 결정화를 진행시키고, 제2빔(201)은 해당 부위를 300~700℃ 정도로 가열 유지시킴으로써 결정화되는 입자의 크기가 가능한 한 커질 수 있게 유도한다.
또한, 제2빔(201)의 프로파일은 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 스캔방향의 전방측이 더 두꺼운 비대칭 형상으로 형성하여 조사 영역에 최대한 균일한 온도가 유지되게 한다.
이러한 제1,2레이저(100)(200)의 제1,2빔(101)(201) 조사 과정을 거치면 전술한 바와 같이 입자가 크고 균일한 활성층(11f)이 얻어지게 되며, 이를 마스크 패터닝하면 도 1에 도시된 바와 같이 적절한 모양이 만들어지게 된다.
그러므로, 이상에서 설명한 바와 같은 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치 및 결정화 방법을 이용하면 활성층의 입자 크기를 효과적으로 크게 만들 수 있게 되며, 따라서 활성층의 저항을 줄여 박막트랜지스터의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
11:박막트랜지스터 12:EL소자
11a:버퍼층 11f:활성층
100: 제1레이저 101: 제1빔
200: 제1레이저 201: 제1빔

Claims (16)

  1. 박막트랜지스터의 활성층이 형성된 기판을 스캔하며, 상기 활성층의 결정화를 위한 제1빔을 조사하는 제1레이저 및, 상기 기판을 스캔하며, 상기 제1빔 조사이후 상기 활성층의 가열을 위한 제2빔을 조사하는 제2레이저를 포함하며,
    상기 제2빔의 상기 스캔 방향에 대한 프로파일이 비대칭 형상이며,
    상기 제1빔의 온도는 상기 활성층의 결정화를 위하여 결정화온도 이상이며,
    상기 제2빔의 온도는 상기 활성층을 가열유지하도록 상기 제1빔의 온도보다 낮은 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2빔의 프로파일은 상기 스캔 방향을 따라 상기 기판과 먼저 접촉하는 전방측이 두껍고 후방측으로 갈수록 얇아지는 형상인 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1빔의 조사영역 보다 상기 제2빔의 조사영역이 더 넓은 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1빔의 조사시간 보다 상기 제2빔의 조사시간이 더 긴 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1레이저는 엑시머레이저를 포함하며,
    상기 제2레이저는 Ar레이저와 CO2레이저 중 어느 하나를 포함하는 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2레이저는 상기 활성층이 형성된 상기 기판의 제1면과 그 반대면인 제2면 중 적어도 한 면에 상기 제2빔을 조사할 수 있게 배치된 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 고정되어 있고, 상기 제1레이저와 상기 제2레이저가 상기 스캔 방향으로 이동하는 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1레이저와 상기 제2레이저는 고정되어 있고, 상기 기판이 상기 스캔 방향과 반대 방향으로 이동하는 박막트랜지스터의 활성층 결정화 장치.
  9. 박막트랜지스터의 활성층이 형성된 기판을 스캔하며, 제1레이저로부터 제1빔을 조사하여 상기 활성층을 비정질 상태에서 결정질 상태로 결정화시키는 단계 및, 상기 기판을 스캔하며, 상기 제1빔 조사이후 제2레이저로부터 제2빔을 조사하여 상기 활성층을 가열시키는 단계를 포함하며,
    상기 제2빔의 상기 스캔 방향에 대한 프로파일이 비대칭 형상이며,
    상기 제1빔의 온도는 상기 활성층의 결정화를 위하여 결정화온도 이상이며,
    상기 제2빔의 온도는 상기 활성층을 가열유지하도록 상기 제1빔의 온도보다 낮은 박막트랜지스터의 활성층 결정화 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2빔의 프로파일은 상기 스캔 방향을 따라 상기 기판과 먼저 접촉하는 전방측이 두껍고 후방측으로 갈수록 얇아지는 형상인 박막트랜지스터의 활성층 결정화 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1빔의 조사영역 보다 상기 제2빔의 조사영역이 더 넓은 박막트랜지스터의 활성층 결정화 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1빔의 조사시간 보다 상기 제2빔의 조사시간이 더 긴 박막트랜지스터의 활성층 결정화 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1레이저는 엑시머레이저를 포함하며,
    상기 제2레이저는 Ar레이저와 CO2레이저 중 어느 하나를 포함하는 박막트랜지스터의 활성층 결정화 방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2레이저는 상기 활성층이 형성된 상기 기판의 제1면과 그 반대면인 제2면 중 적어도 한 면에 상기 제2빔을 조사하는 박막트랜지스터의 활성층 결정화 방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판은 고정되어 있고, 상기 제1레이저와 상기 제2레이저가 상기 스캔 방향으로 이동하는 박막트랜지스터의 활성층 결정화 방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1레이저와 상기 제2레이저는 고정되어 있고, 상기 기판이 상기 스캔 방향과 반대 방향으로 이동하는 박막트랜지스터의 활성층 결정화 방법.
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