KR102231043B1 - Liquid Crystal Display Device - Google Patents

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KR102231043B1
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 제1기판, 화소전극, 공통전극, 데이터라인, 제2절연막, 액정층 및 블랙매트릭스를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다. 화소전극은 제1기판 상에 정의된 개구부에 위치한다. 공통전극은 제1기판 상에 정의된 개구부에 위치하며 화소전극과 다른 층에 위치한다. 데이터라인은 제1기판 상에 정의된 비개구부에 위치한다. 액정층은 화소전극 및 공통전극에 의해 걸리는 전계에 대응하여 틸트된다. 블랙매트릭스는 데이터라인과 대응되는 영역을 가리고, 화소전극과 비중첩할 수 있다.The present invention relates to a liquid crystal display device including a first substrate, a pixel electrode, a common electrode, a data line, a second insulating film, a liquid crystal layer, and a black matrix. The pixel electrode is located in an opening defined on the first substrate. The common electrode is positioned in an opening defined on the first substrate and is positioned on a different layer from the pixel electrode. The data line is located in a non-opening part defined on the first substrate. The liquid crystal layer is tilted in response to an electric field applied by the pixel electrode and the common electrode. The black matrix may cover a region corresponding to the data line and may be non-overlapping with the pixel electrode.

Description

액정표시장치{Liquid Crystal Display Device}Liquid Crystal Display Device

본 발명은 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device.

정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED) 및 플라즈마액정패널(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 평판 표시장치(Flat Panel Display: FPD)의 사용이 증가하고 있다. 그 중 고해상도를 구현할 수 있고 소형화뿐만 아니라 대형화가 가능한 액정표시장치가 널리 사용되고 있다.As information technology develops, the market for display devices, which is a connection medium between users and information, is growing. Accordingly, a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode display (OLED), a plasma display panel (PDP), etc. ) Is on the rise. Among them, a liquid crystal display device capable of realizing high resolution and capable of miniaturization as well as enlargement is widely used.

액정표시장치는 박막 트랜지스터 등이 형성된 제1기판, 컬러필터 등이 형성된 제2기판 그리고 이들 사이에 위치하는 액정층으로 구성된다. 액정표시장치 중 IPS(In Plane Switching)나 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같은 방식은 공통전극과 화소전극이 박막 제1기판에 형성된다.A liquid crystal display device includes a first substrate on which a thin film transistor or the like is formed, a second substrate on which a color filter or the like is formed, and a liquid crystal layer interposed therebetween. Among the liquid crystal display devices, in a method such as an IPS (In Plane Switching) or FFS (Fringe Field Switching) mode, a common electrode and a pixel electrode are formed on the thin film first substrate.

IPS나 FFS 모드 방식의 액정표시장치는 대각 시인 방향에서 VAC(Viewing Angle Crosstalk)를 차단하기 위해 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기(폭)를 증가시키는 설계가 필요하다.In order to block VAC (Viewing Angle Crosstalk) from the diagonal viewing direction, the IPS or FFS mode liquid crystal display device needs a design to increase the size (width) of the black matrix that covers the data line.

그런데, 데이터라인을 가리기 위해 해당 영역의 블랙매트릭스의 크기를 증가시키면 개구율이 감소하게 된다. 이 때문에, PPI(Pixel Per Inch)가 높으면 높을수록 개구율 감소폭이 증가하게 된다. 종래에는 위와 같은 문제를 개선하기 위해 평탄화막과 데이터라인의 전계를 차폐하기 위한 차폐전극이 제안된 바 있다.However, if the size of the black matrix in the corresponding area is increased to cover the data line, the aperture ratio decreases. For this reason, the higher the PPI (Pixel Per Inch), the greater the decrease in the aperture ratio. Conventionally, a shielding electrode for shielding the electric field of the planarization layer and the data line has been proposed in order to improve the above problem.

그러나, 구조 및 공정적 특성상 차폐전극을 형성하기 곤란한 구조는 기판의 합착 공정시 블랙매트릭스의 이동으로 인한 VAC 발생이 야기된다. 따라서, IPS나 FFS 모드 방식의 액정표시장치 중 차폐전극을 형성하기 곤란한 구조는 개구율을 고려하여 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기를 증가시킬 수밖에 없는 바 이의 개선책이 요구된다.However, a structure that is difficult to form a shielding electrode due to structural and process characteristics causes VAC generation due to movement of the black matrix during the bonding process of the substrate. Accordingly, a structure in which it is difficult to form a shielding electrode among IPS or FFS mode liquid crystal display devices is inevitably required to increase the size of the black matrix covering the data line in consideration of the aperture ratio.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 블랙매트릭스의 이동으로 인한 VAC 발생을 방지하고, 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기를 더욱 작게 좁혀 개구율을 향상하고, 공정의 단순화와 더불어 공정성(Tact Time)을 향상시키는 것이다.The present invention for solving the problems of the above-described background art prevents the occurrence of VAC due to the movement of the black matrix, improves the aperture ratio by further reducing the size of the black matrix covering the data line, and simplifies the process and provides fairness ( Tact Time).

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 제1기판, 화소전극, 공통전극, 데이터라인, 제2절연막, 액정층 및 블랙매트릭스를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다. 화소전극은 제1기판 상에 정의된 개구부에 위치한다. 공통전극은 제1기판 상에 정의된 개구부에 위치하며 화소전극과 다른 층에 위치한다. 데이터라인은 제1기판 상에 정의된 비개구부에 위치한다. 액정층은 화소전극 및 공통전극에 의해 걸리는 전계에 대응하여 틸트된다. 블랙매트릭스는 데이터라인과 대응되는 영역을 가리고, 화소전극과 비중첩할 수 있다.The present invention relates to a liquid crystal display device including a first substrate, a pixel electrode, a common electrode, a data line, a second insulating film, a liquid crystal layer, and a black matrix. The pixel electrode is located in an opening defined on the first substrate. The common electrode is positioned in an opening defined on the first substrate and is positioned on a different layer from the pixel electrode. The data line is located in a non-opening part defined on the first substrate. The liquid crystal layer is tilted in response to an electric field applied by the pixel electrode and the common electrode. The black matrix may cover a region corresponding to the data line and may be non-overlapping with the pixel electrode.

화소전극과 인접하는 화소전극 간의 거리는 블랙매트릭스의 크기보다 클 수 있다.The distance between the pixel electrode and the adjacent pixel electrode may be larger than the size of the black matrix.

화소전극과 블랙매트릭스 간의 거리는 블랙매트릭스의 크기보다 작을 수 있다.The distance between the pixel electrode and the black matrix may be smaller than the size of the black matrix.

액정층은 화소전극 및 공통전극에 의해 걸리는 전계의 방향에 대해 수직 하도록 정렬될 수 있다.The liquid crystal layer may be aligned so as to be perpendicular to the direction of an electric field applied by the pixel electrode and the common electrode.

액정층은 네거티브 액정일 수 있다.The liquid crystal layer may be a negative liquid crystal.

화소전극은 제1기판과 제1절연막 사이에 위치하고, 공통전극은 제1절연막 상에 위치하는 제2절연막과 액정층 사이에 위치할 수 있다.The pixel electrode may be positioned between the first substrate and the first insulating layer, and the common electrode may be positioned between the second insulating layer and the liquid crystal layer positioned on the first insulating layer.

공통전극은 제1기판과 제1절연막 사이에 위치하고, 화소전극은 제1절연막 상에 위치하는 제2절연막과 액정층 사이에 위치할 수 있다.The common electrode may be positioned between the first substrate and the first insulating layer, and the pixel electrode may be positioned between the second insulating layer and the liquid crystal layer positioned on the first insulating layer.

본 발명은 구조 및 공정적 특성상 차폐전극을 형성하기 곤란한 구조에서도 블랙매트릭스의 이동으로 인한 VAC 발생을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기를 더욱 작게 좁힐 수 있어 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 평탄화막과 차폐전극을 삭제할 수 있어 공정의 단순화와 더불어 공정성(Tact Time)을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 차폐전극과 연결된 전극을 삭제할 수 있어 데이터 로드 및 기생용량(Cdc)을 감소킬 수 있다. 또한, 본 발명은 공정의 단순화와 더불어 공정성 향상으로 인하여 기판 합착 마진 및 VAC 마진을 고려하지 않아도 되므로 설계의 자유도를 높일 수 있다.The present invention can prevent the occurrence of VAC due to movement of the black matrix even in a structure in which it is difficult to form a shielding electrode due to structural and process characteristics. In addition, according to the present invention, the size of the black matrix that covers the data line can be further reduced, thereby improving the aperture ratio. In addition, in the present invention, since the planarization layer and the shielding electrode can be eliminated, the process can be simplified and the processability can be improved. In addition, according to the present invention, since the electrode connected to the shielding electrode can be deleted, data load and parasitic capacitance (Cdc) can be reduced. In addition, the present invention simplifies the process and improves processability, so that the substrate bonding margin and the VAC margin do not need to be considered, thereby increasing the degree of freedom in design.

도 1은 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도.
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 회로 구성도.
도 3은 실험예에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면.
도 4는 도 3에 도시된 실험예의 시뮬레이션 결과를 보여주는 도면.
도 5는 제1실시예에 따른 개선점을 설명하기 위한 도면.
도 6은 도 5에 도시된 제1실시예의 시뮬레이션 결과를 보여주는 도면.
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치의 서브 픽셀들을 개략적으로 나타낸 평면 레이아웃 도면.
도 8은 도 7의 A1-A2 영역의 절단면도.
도 9는 종래 구조 대비 제1실시예를 비교 설명하기 위한 도면.
도 10은 본 발명의 제2실시예에 따른 액정표시장치의 서브 픽셀들을 개략적으로 나타낸 평면 레이아웃 도.
도 11은 도 10의 B1-B2 영역의 절단면을 나타낸 제1예시도.
도 12는 도 10의 B1-B2 영역의 절단면을 나타낸 제2예시도.
도 13은 본 발명의 제3실시예에 따른 액정표시장치의 서브 픽셀들을 개략적으로 나타낸 평면 레이아웃 도면.
도 14는 도 13의 C1-C2 영역의 절단면을 나타낸 제1예시도.
도 15는 도 12의 C1-C2 영역의 절단면을 나타낸 제2예시도.
1 is a block diagram schematically showing a liquid crystal display device.
2 is a circuit diagram of a sub-pixel shown in FIG. 1;
3 is a view for explaining a problem according to the experimental example.
4 is a view showing a simulation result of the experimental example shown in FIG. 3.
5 is a view for explaining an improvement point according to the first embodiment.
6 is a view showing a simulation result of the first embodiment shown in FIG. 5.
7 is a plan layout diagram schematically showing sub-pixels of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of a region A1-A2 of FIG. 7;
9 is a view for explaining a comparison of the first embodiment compared to the conventional structure.
10 is a plan layout diagram schematically showing sub-pixels of a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a first example view showing a sectional view of a region B1-B2 of FIG. 10;
FIG. 12 is a second exemplary view showing a sectional view of a region B1-B2 of FIG. 10;
13 is a plan layout diagram schematically showing sub-pixels of a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a first exemplary view showing a sectional view of a region C1-C2 of FIG. 13;
15 is a second exemplary view showing a sectional view of a region C1-C2 of FIG. 12;

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, specific details for carrying out the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

<제1실시예><First Example>

도 1은 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 회로 구성도이다.1 is a block diagram schematically illustrating a liquid crystal display device, and FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a sub-pixel shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 액정표시장치에는 타이밍제어부(130), 게이트구동부(140), 데이터구동부(150), 액정패널(160) 및 백라이트유닛(170)이 포함된다.1 and 2, the liquid crystal display includes a timing control unit 130, a gate driving unit 140, a data driving unit 150, a liquid crystal panel 160, and a backlight unit 170.

타이밍제어부(130)는 외부로부터 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 클럭신호, 데이터신호 등을 공급받는다. 타이밍제어부(130)는 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 클럭신호 등의 타이밍신호를 이용하여 데이터구동부(150)와 게이트구동부(140)의 동작 타이밍을 제어한다.The timing control unit 130 receives a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, a data enable signal, a clock signal, a data signal, and the like from the outside. The timing control unit 130 controls operation timings of the data driving unit 150 and the gate driving unit 140 using timing signals such as a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, a data enable signal, and a clock signal.

타이밍제어부(130)는 1 수평기간의 데이터 인에이블 신호를 카운트하여 프레임기간을 판단할 수 있으므로 외부로부터 공급되는 수직 동기신호와 수평 동기신호는 생략될 수 있다. 타이밍제어부(130)에서 생성되는 제어신호들에는 게이트구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터구동부(150)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)가 포함될 수 있다.Since the timing control unit 130 may determine the frame period by counting the data enable signal of one horizontal period, the vertical synchronization signal and the horizontal synchronization signal supplied from the outside may be omitted. The control signals generated by the timing control unit 130 include a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driving unit 140 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driving unit 150. ) May be included.

게이트구동부(140)는 타이밍제어부(130)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트구동부(140)는 게이트라인들(GL)을 통해 액정패널(160)에 게이트신호를 공급한다. 게이트구동부(140)는 IC 형태로 형성되거나 액정패널(160)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다.The gate driver 140 outputs a gate signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing control unit 130. The gate driver 140 supplies a gate signal to the liquid crystal panel 160 through the gate lines GL. The gate driver 140 is formed in an IC form or formed on the liquid crystal panel 160 in a gate in panel method.

데이터구동부(150)는 타이밍제어부(130)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하며 감마 기준전압에 대응하여 아날로그 형태로 변환하여 출력한다. 데이터구동부(150)는 데이터라인들(DL)을 통해 액정패널(160)에 데이터신호(DATA)를 공급한다. 데이터구동부(150)는 IC 형태로 형성된다.The data driving unit 150 samples and latches the data signal DATA in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing control unit 130, and converts it into an analog form in response to the gamma reference voltage and outputs the sample. The data driver 150 supplies a data signal DATA to the liquid crystal panel 160 through the data lines DL. The data driver 150 is formed in the form of an IC.

액정패널(160)은 게이트구동부(140) 및 데이터구동부(150)를 포함하는 구동부로부터 공급된 게이트신호와 데이터신호(DATA)에 대응하여 영상을 표시한다. 액정패널(160)은 백라이트유닛(170)을 통해 제공된 광을 제어하는 서브 픽셀(SP)이 다수 포함된다.The liquid crystal panel 160 displays an image in response to a gate signal and a data signal DATA supplied from a driver including the gate driver 140 and the data driver 150. The liquid crystal panel 160 includes a plurality of sub-pixels SP that control light provided through the backlight unit 170.

하나의 서브 픽셀에는 스위칭 트랜지스터(TFT), 스토리지 커패시터(Cst) 및 액정층(Clc)이 포함된다. 스위칭 트랜지스터(TFT)의 게이트전극은 게이트라인(GL1)에 연결되고 소오스전극은 데이터라인(DL1)에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 트랜지스터(TFT)의 드레인전극에 일단이 연결되고 공통전압라인(Vcom)에 타단이 연결된다. 액정층(Clc)은 스위칭 트랜지스터(TFT)의 드레인전극에 연결된 화소전극(1)과 공통전압라인(Vcom)에 연결된 공통전극(2) 사이에 형성된다.One sub-pixel includes a switching transistor TFT, a storage capacitor Cst, and a liquid crystal layer Clc. The gate electrode of the switching transistor TFT is connected to the gate line GL1 and the source electrode is connected to the data line DL1. The storage capacitor Cst has one end connected to the drain electrode of the switching transistor TFT and the other end connected to the common voltage line Vcom. The liquid crystal layer Clc is formed between the pixel electrode 1 connected to the drain electrode of the switching transistor TFT and the common electrode 2 connected to the common voltage line Vcom.

액정패널(160)은 박막 트랜지스터 등이 형성된 제1기판, 컬러필터 등이 형성된 제2기판 그리고 이들 사이에 위치하는 액정층으로 구성된다. 제1기판의 하부면에는 하부 편광판이 부착되고, 제2기판의 상부면에는 상부 편광판이 부착된다. 액정패널(160)은 화소전극(1) 및 공통전극(2)이 제1기판 상에 형성된 IPS(In Plane Switching) 모드 또는 FFS(Fringe Field Switching) 모드 등으로 구현된다.The liquid crystal panel 160 includes a first substrate on which a thin film transistor is formed, a second substrate on which a color filter is formed, and a liquid crystal layer interposed therebetween. The lower polarizing plate is attached to the lower surface of the first substrate, and the upper polarizing plate is attached to the upper surface of the second substrate. The liquid crystal panel 160 is implemented in an IPS (In Plane Switching) mode or a FFS (Fringe Field Switching) mode in which the pixel electrode 1 and the common electrode 2 are formed on the first substrate.

백라이트유닛(170)은 액정패널(160)에 광을 제공한다. 백라이트유닛(170)은 발광다이오드(이하 LED), LED를 구동하는 LED구동부, LED로부터 출사된 광을 면광원으로 변환시키는 도광판, 도광판으로부터 출사된 광을 집광 및 확산하는 광학시트류 등이 포함된다.The backlight unit 170 provides light to the liquid crystal panel 160. The backlight unit 170 includes a light-emitting diode (hereinafter, referred to as LED), an LED driver that drives the LED, a light guide plate that converts light emitted from the LED into a surface light source, and optical sheets for condensing and diffusing the light emitted from the light guide plate. .

한편, 앞서 설명된 IPS나 FFS 모드 방식의 액정표시장치는 대각 시인 방향에서 VAC(Viewing Angle Crosstalk)를 차단하기 위해 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기(폭)를 증가시키는 설계가 필요하다. 블랙매트릭스는 빛이 출사되지 않는 비개구부로 정의된다.Meanwhile, the aforementioned IPS or FFS mode liquid crystal display device needs to be designed to increase the size (width) of the black matrix covering the data line in order to block VAC (Viewing Angle Crosstalk) in the diagonal viewing direction. The black matrix is defined as a non-opening part from which light is not emitted.

그런데, 데이터라인을 가리기 위해 해당 영역의 블랙매트릭스의 크기를 증가시키면 개구율이 감소하게 된다. 이 때문에, PPI(Pixel Per Inch)가 높으면 높을수록 개구율 감소폭이 증가하게 된다. 종래에는 위와 같은 문제를 개선하기 위해 평탄화막과 데이터라인의 전계를 차폐하기 위한 차폐전극이 제안된 바 있다.However, if the size of the black matrix in the corresponding area is increased to cover the data line, the aperture ratio decreases. For this reason, the higher the PPI (Pixel Per Inch), the greater the decrease in the aperture ratio. Conventionally, a shielding electrode for shielding the electric field of the planarization layer and the data line has been proposed in order to improve the above problem.

그러나, 구조 및 공정적 특성상 차폐전극을 형성하기 곤란한 구조는 기판의 합착 공정시 블랙매트릭스의 이동으로 인한 VAC 발생이 야기된다. 따라서, IPS나 FFS 모드 방식의 액정표시장치 중 차폐전극을 형성하기 곤란한 구조는 개구율을 고려하여 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기를 증가시킬 수밖에 없는 바 이의 개선책이 요구된다.However, a structure that is difficult to form a shielding electrode due to structural and process characteristics causes VAC generation due to movement of the black matrix during the bonding process of the substrate. Accordingly, a structure in which it is difficult to form a shielding electrode among IPS or FFS mode liquid crystal display devices is inevitably required to increase the size of the black matrix covering the data line in consideration of the aperture ratio.

도 3은 실험예에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 실험예의 시뮬레이션 결과를 보여주는 도면이며, 도 5는 제1실시예에 따른 개선점을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 도 5에 도시된 제1실시예의 시뮬레이션 결과를 보여주는 도면이다.3 is a diagram for explaining a problem according to the experimental example, FIG. 4 is a diagram showing a simulation result of the experimental example shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a diagram for explaining improvements according to the first embodiment, and FIG. 6 is a diagram showing a simulation result of the first embodiment shown in FIG. 5.

[실험예][Experimental Example]

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 실험예에 따른 액정표시장치는 하기와 같이 IPS나 FFS 모드 방식으로 구현된다.3 and 4, the liquid crystal display according to the experimental example is implemented in the IPS or FFS mode as follows.

구체적으로, 제1기판(160a)의 개구부 상에는 화소전극(162, PXL)이 형성된다. 화소전극(162, PXL)은 개구부 상에서 통전극 형태로 형성된다. 제1기판(160a) 상에는 화소전극(162, PXL)을 덮는 제1절연막(163)이 형성된다. 제1절연막(163) 상에는 반도체층(164)과 금속층(165)으로 이루어진 제N데이터라인(DLn)이 형성된다.Specifically, the pixel electrodes 162 and PXL are formed on the openings of the first substrate 160a. The pixel electrodes 162 and PXL are formed in the form of a conductive electrode on the opening. A first insulating layer 163 covering the pixel electrodes 162 and PXL is formed on the first substrate 160a. An Nth data line DLn including a semiconductor layer 164 and a metal layer 165 is formed on the first insulating layer 163.

제1절연막(163) 상에는 제N데이터라인(DLn)을 덮는 제2절연막(166)이 형성된다. 제2절연막(166)의 개구부 상에는 공통전극(167, VCOM)이 형성된다. 공통전극(167, VCOM)은 개구부 상에 분할전극 형태로 형성된다.A second insulating layer 166 is formed on the first insulating layer 163 to cover the Nth data line DLn. Common electrodes 167 and VCOM are formed on the openings of the second insulating layer 166. The common electrodes 167 and VCOM are formed in the form of divided electrodes on the openings.

제2기판(160b)의 내부면의 비개구부 상에는 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)가 위치한다. 블랙매트릭스(BM)는 빛을 차단할 수 있는 검정색 계열의 수지 등으로 형성된다.A black matrix BM covering the Nth data line DLn is positioned on the non-opening portion of the inner surface of the second substrate 160b. The black matrix (BM) is formed of a black resin that can block light.

실험예에 따른 액정표시장치는 액정층(168, LC)이 전계의 방향(E-Field)에 대해 수평 하도록 정렬된 상태이다. 달리 설명하면, 액정층(168, LC)은 제N데이터라인(DLn)과 수직 하도록 정렬된 상태이다. 실험예에 따른 액정표시장치는 다음과 같은 조건을 가질 때, 도 4와 같이 액정에 틸트가 발생하면서 VAC 가 유발되는 것으로 나타났다.In the liquid crystal display according to the experimental example, the liquid crystal layers 168 and LC are aligned so that they are horizontal with respect to the direction of the electric field (E-Field). In other words, the liquid crystal layers 168 and LC are aligned to be perpendicular to the Nth data line DLn. When the liquid crystal display according to the experimental example had the following conditions, it was found that VAC was induced while tilting the liquid crystal as shown in FIG. 4.

조건(1) 개구부: 충전 이후 블랙전압(Black)을 유지하고 있는 상태Condition (1) Opening: Maintaining the black voltage after charging

조건(2) 제N데이터라인(DLn): 화이트전압(White)이 인가된 상태Condition (2) Nth data line DLn: A state in which the white voltage (White) is applied

조건(3) 액정층: 포지티브 액정(Positive LC)이 배열된 상태Condition (3) Liquid crystal layer: A state in which positive liquid crystals (Positive LC) are arranged

실험예에 따른 액정표시장치는 시야각에 따라 액정의 Δn(유전율의 차이)이 상이하므로 데이터라인과 인접한 영역에서(또는 데이터전극 부) 빛 샘이 발생한다. 그 이유는 액정층(168, LC)이 전계의 방향(E-Field)에 대해 수평 하도록 정렬되어 데이터라인의 전계의 방향(E-Field)에 따라 액정이 틸트하기 때문이다.In the liquid crystal display according to the experimental example, since Δn (difference in dielectric constant) of the liquid crystal is different depending on the viewing angle, light leakage occurs in a region adjacent to the data line (or the data electrode part). This is because the liquid crystal layers 168 and LC are aligned horizontally with respect to the electric field direction (E-Field), so that the liquid crystal tilts according to the electric field direction (E-Field) of the data line.

위와 같은 문제를 해결하기 위해 다양한 실험을 한 결과 실험예에 따른 문제는 다음의 제1실시예로 개선할 수 있었다.As a result of various experiments to solve the above problem, the problem according to the experimental example could be improved by the following first example.

[제1실시예][First Embodiment]

도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 액정표시장치는 하기와 같이 IPS나 FFS 모드 방식으로 구현된다.5 and 6, the liquid crystal display according to the first embodiment is implemented in an IPS or FFS mode as follows.

구체적으로, 제1기판(160a)의 개구부 상에는 화소전극(162, PXL)이 형성된다. 화소전극(162, PXL)은 개구부 상에서 통전극 형태로 형성된다. 제1기판(160a) 상에는 화소전극(162, PXL)을 덮는 제1절연막(163)이 형성된다. 제1절연막(163) 상에는 반도체층(164)과 금속층(165)으로 이루어진 제N데이터라인(DLn)이 형성된다.Specifically, the pixel electrodes 162 and PXL are formed on the openings of the first substrate 160a. The pixel electrodes 162 and PXL are formed in the form of a conductive electrode on the opening. A first insulating layer 163 covering the pixel electrodes 162 and PXL is formed on the first substrate 160a. An Nth data line DLn including a semiconductor layer 164 and a metal layer 165 is formed on the first insulating layer 163.

제1절연막(163) 상에는 제N데이터라인(DLn)을 덮는 제2절연막(166)이 형성된다. 제2절연막(166)의 개구부 상에는 공통전극(167, VCOM)이 형성된다. 공통전극(167, VCOM)은 개구부 상에 분할전극 형태로 형성된다.A second insulating layer 166 is formed on the first insulating layer 163 to cover the Nth data line DLn. Common electrodes 167 and VCOM are formed on the openings of the second insulating layer 166. The common electrodes 167 and VCOM are formed in the form of divided electrodes on the openings.

제2기판(160b)의 내부면의 비개구부 상에는 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)가 위치한다. 블랙매트릭스(BM)는 빛을 차단할 수 있는 검정색 계열의 수지 등으로 형성된다.A black matrix BM covering the Nth data line DLn is positioned on the non-opening portion of the inner surface of the second substrate 160b. The black matrix (BM) is formed of a black resin that can block light.

제1실시예에 따른 액정표시장치는 액정층(168, LC)이 전계의 방향(E-Field)에 대해 수직 하도록 정렬된 상태이다. 달리 설명하면, 액정층(168, LC)은 제N데이터라인(DLn)과 수평 하도록 정렬된 상태이다. 제1실시예에 따른 액정표시장치는 다음과 같은 조건을 가질 때, 도 6과 같이 액정에 틸트가 발생하지 않게 되므로 VAC 가 유발되지 않는 것으로 나타났다.In the liquid crystal display according to the first embodiment, the liquid crystal layers 168 and LC are aligned so that they are perpendicular to the direction of the electric field (E-Field). In other words, the liquid crystal layers 168 and LC are aligned horizontally with the Nth data line DLn. When the liquid crystal display according to the first embodiment has the following conditions, it was found that VAC is not induced because the tilt does not occur in the liquid crystal as shown in FIG. 6.

조건(1) 개구부: 충전 이후 블랙전압(Black)을 유지하고 있는 상태Condition (1) Opening: Maintaining the black voltage after charging

조건(2) 제N데이터라인(DLn): 화이트전압(White)이 인가된 상태Condition (2) Nth data line DLn: A state in which the white voltage (White) is applied

조건(3) 액정층: 네거티브 액정(Negative LC)이 배열된 상태Condition (3) Liquid crystal layer: Negative LC is arranged

제1실시예에 따른 액정표시장치는 시야각이 달라지더라도 액정의 Δn(유전율의 차이)이 유사 또는 동일하므로 데이터라인과 인접한 영역에서(또는 데이터전극 부) 빛 샘이 발생하지 않는다. 그 이유는 액정층(168, LC)이 전계의 방향(E-Field)에 대해 수직 하도록 정렬되어 데이터라인의 전계의 방향(E-Field)에 따라 액정이 틸트하지 않기 때문이다.In the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment, even if the viewing angle is different, since Δn (differential dielectric constant) of the liquid crystal is similar or the same, light leakage does not occur in a region adjacent to the data line (or the data electrode part). The reason is that the liquid crystal layers 168 and LC are aligned so as to be perpendicular to the direction of the electric field (E-Field), so that the liquid crystal does not tilt according to the direction of the electric field (E-Field) of the data line.

이하, 위의 제1실시예를 기반으로 구현된 액정표시장치에 대해 설명을 구체화한다. 다만, 이하에서는 액정층(168, LC)이 전계의 방향(E-Field)에 대해 수직 하도록 정렬된 상태를 기반으로 하게 됨에 따라 구조적 설계와 관련된 부분에 대해 구체화한다.Hereinafter, a description will be given of a liquid crystal display device implemented based on the first embodiment. However, in the following, as the liquid crystal layers 168 and LC are aligned so as to be perpendicular to the direction of the electric field (E-Field), the structural design-related parts will be specified.

도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치의 서브 픽셀들을 개략적으로 나타낸 평면 레이아웃 도면이고, 도 8은 도 7의 A1-A2 영역의 절단면도이며, 도 9는 종래 구조 대비 제1실시예를 비교 설명하기 위한 도면이다.7 is a plan layout diagram schematically showing sub-pixels of a liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view of areas A1-A2 of FIG. 7, and FIG. 9 is a first compared to the conventional structure. It is a figure for comparatively demonstrating an Example.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치의 서브 픽셀들(SPn-1, SPn)은 개구부에 위치하는 전극 중 하나(예: 화소전극 또는 공통전극)가 다수로 분할됨에 따라 멀티 도메인을 형성하는 IPS나 FFS 모드 방식으로 구현된다. 제N데이터라인(DLn)을 기준으로 좌우 인접하는 두 개의 서브 픽셀들(SPn-1, SPn)의 단면을 보면 다음과 같다.As shown in FIG. 7, the subpixels SPn-1 and SPn of the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention include a plurality of electrodes (eg, a pixel electrode or a common electrode) positioned in the opening. It is implemented in an IPS or FFS mode method that forms a multi-domain as it is divided into. A cross section of the two subpixels SPn-1 and SPn adjacent to the left and right based on the Nth data line DLn is as follows.

도 8에 도시된 바와 같이, 제1기판(160a)의 개구부 상에는 화소전극(162, PXL)이 형성된다. 화소전극(162, PXL)은 개구부 상에서 통전극 형태로 형성된다. 화소전극(162, PXL)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 금속으로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 8, pixel electrodes 162 and PXL are formed on the openings of the first substrate 160a. The pixel electrodes 162 and PXL are formed in the form of a conductive electrode on the opening. The pixel electrodes 162 and PXL may be formed of a transparent metal such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

제1기판(160a) 상에는 화소전극(162, PXL)을 덮는 제1절연막(163)이 형성된다. 제1절연막(163)은 실리콘 산화물(SiOx)이나 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성될 수 있다.A first insulating layer 163 covering the pixel electrodes 162 and PXL is formed on the first substrate 160a. The first insulating layer 163 may be formed of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx).

제1절연막(163) 상에는 반도체층(164)과 금속층(165)으로 이루어진 제N데이터라인(DLn)이 형성된다. 반도체층(164)은 실리콘(Si) 계열, 산화물(Oxide) 계열, 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 그라핀(Grephene) 계열, 나이트라이드(Nitride) 계열, 유기 반도체 계열 중 하나로 선택될 수 있다. 금속층(165)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.An Nth data line DLn including a semiconductor layer 164 and a metal layer 165 is formed on the first insulating layer 163. The semiconductor layer 164 may be selected from one of a silicon (Si) series, an oxide series, a graphene series including carbon nanotubes (CNT), a nitride series, and an organic semiconductor series. . The metal layer 165 is any selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be formed of one or an alloy thereof.

제1절연막(163) 상에는 제N데이터라인(DLn)을 덮는 제2절연막(166)이 형성된다. 제2절연막(166)은 실리콘 산화물(SiOx)이나 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성될 수 있다.A second insulating layer 166 is formed on the first insulating layer 163 to cover the Nth data line DLn. The second insulating layer 166 may be formed of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx).

제2절연막(166)의 개구부 상에는 공통전극(167, VCOM)이 형성된다. 공통전극(167, VCOM)은 개구부 상에 분할전극 형태로 형성된다. 공통전극(167, VCOM)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 금속으로 형성될 수 있다.Common electrodes 167 and VCOM are formed on the openings of the second insulating layer 166. The common electrodes 167 and VCOM are formed in the form of divided electrodes on the openings. The common electrode 167 (VCOM) may be formed of a transparent metal such as Indium Tin Oxide (ITO) or Indium Zinc Oxide (IZO).

제N데이터라인(DLn) 상에는 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)가 위치한다. 블랙매트릭스(BM)는 제1기판(160a)과 합착 밀봉되는 제2기판 상에 위치한다. 도면에서는 설명의 편의를 위해 제2기판을 생략한 것이다.A black matrix BM covering the Nth data line DLn is positioned on the Nth data line DLn. The black matrix BM is positioned on a second substrate that is bonded and sealed with the first substrate 160a. In the drawings, the second substrate is omitted for convenience of description.

본 발명의 제1실시예는 액정층이 전계의 방향에 대해 수직 하도록 정렬된 네거티브 액정을 사용하게 됨에 따라 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(폭)을 좁힐 수 있는 것으로 확인되었다.In the first embodiment of the present invention, the size (width) of the black matrix BM covering the Nth data line DLn can be narrowed as the liquid crystal layer uses a negative liquid crystal aligned to be perpendicular to the direction of the electric field. It was confirmed to be.

이때, 블랙매트릭스(BM)의 크기(폭)를 최소화하기 위해 앞서 설명된 액정을 사용함과 더불어 다음과 같이 설계할 수 있다.In this case, in order to minimize the size (width) of the black matrix (BM), the liquid crystal described above may be used and the following design may be performed.

(1) 데이터라인과 데이터라인과 인접한 전극(예: 화소전극 또는 공통전극)의 외곽부는 개구부 내에서 평행한 직선 형태를 유지하도록 배열한다.(1) A data line and an outer portion of an electrode adjacent to the data line (eg, a pixel electrode or a common electrode) are arranged so as to maintain a parallel straight line shape within the opening.

(2) 수평 또는 수직 러빙을 하고 멀티 도메인을 갖도록 형성한다.(2) Horizontal or vertical rubbing is performed and formed to have multi-domains.

(3) 데이터라인과 중첩하는 위치에 존재하는 차폐전극을 삭제한다.(3) Delete the shielding electrode existing at the position overlapping the data line.

(4) 단면에서 보았을 때 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스와 화소전극이 서로 중첩(수직 비중첩)되지 않도록 배치한다. 예컨대, 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 제N-1서브 픽셀(SPn-1) 또는 제N서브 픽셀(SPn) 간의 거리(L3)와 같이 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 화소전극(162, PXL)은 이격된다.(4) Arrange so that the black matrix that covers the data line and the pixel electrode do not overlap each other (vertical non-overlapping) when viewed from the cross-section. For example, as the distance L3 between the black matrix BM covering the Nth data line DLn and the N-1th subpixel SPn-1 or the Nth subpixel SPn, the Nth data line DLn The black matrix BM and the pixel electrodes 162 and PXL are spaced apart from each other.

(5) 화소전극과 (인접하는)화소전극 간의 거리(PXL to PXL 거리)는 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기보다 크다. 예컨대, 제N-1 및 제N서브 픽셀들(SPn-1, SPn) 간의 거리(L2)와 같이 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(L1)보다 크게 형성된다.(5) The distance (PXL to PXL distance) between the pixel electrode and the (adjacent) pixel electrode is larger than the size of the black matrix covering the data line. For example, it is formed larger than the size L1 of the black matrix BM covering the Nth data line DLn, such as a distance L2 between the N-1th and Nth subpixels SPn-1 and SPn. .

위의 조건과 더불어 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 제N-1서브 픽셀(SPn-1) 또는 제N서브 픽셀(SPn) 간의 거리(L3)가 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(L1)보다 작게 형성하는 조건을 덧붙일 수 있다.In addition to the above conditions, the distance L3 between the black matrix BM covering the Nth data line DLn and the N-1th subpixel SPn-1 or the Nth subpixel SPn is the Nth data line. It is possible to add a condition to form smaller than the size (L1) of the black matrix (BM) that covers (DLn).

[종래 구조와 제1실시예의 비교][Comparison between the conventional structure and the first embodiment]

도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 종래 구조는 IPS나 FFS 모드 방식의 액정표시장치의 구현시 대각 시인 방향에서 VAC를 차단하기 위해 평탄화막(169)과 제N데이터라인(DLn)의 전계를 차폐하기 위한 차폐전극(180)을 사용한다.As shown in (a) of FIG. 9, the conventional structure includes the planarization layer 169 and the N-th data line DLn in order to block VAC in the diagonal viewing direction when implementing the IPS or FFS mode liquid crystal display. A shielding electrode 180 is used to shield the electric field.

종래 구조는 평탄화막(169)과 차폐전극(180)을 사용하므로 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(L5)를 다른 구조 대비 좁힐 수 있다. 그러나, 도 9의 (a)에 도시된 바와 같은 차폐전극(180)을 사용하지 않는 경우, 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(L5)는 화소전극(162, PXL)과 중첩할 만큼 커진다.Since the conventional structure uses the planarization layer 169 and the shielding electrode 180, the size L5 of the black matrix BM covering the Nth data line DLn can be narrowed compared to other structures. However, when the shielding electrode 180 as shown in FIG. 9A is not used, the size L5 of the black matrix BM covering the Nth data line DLn is the pixel electrode 162, It is large enough to overlap with PXL).

즉, 도 9의 (a)의 종래 구조에 제안된 차폐전극(180)을 사용하지 않는 경우, 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(L5)가 화소전극과 화소전극 간의 거리(PXL to PXL 거리)(L6)와 유사 또는 동일하게 커진다.That is, when the shielding electrode 180 proposed in the conventional structure of FIG. 9A is not used, the size L5 of the black matrix BM covering the Nth data line DLn is the pixel electrode and the pixel. The distance between the electrodes (PXL to PXL distance) increases similarly or equal to L6.

도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1실시예는 IPS나 FFS 모드 방식의 액정표시장치의 구현시 대각 시인 방향에서 VAC를 차단하기 위해 액정층이 전계의 방향에 대해 수직 하도록 정렬된 네거티브 액정을 사용하고 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 화소전극(162, PXL)이 서로 중첩(수직 비중첩)되지 않도록 배치된다.As shown in (b) of FIG. 9, in the first embodiment, when implementing the IPS or FFS mode liquid crystal display, the liquid crystal layer is aligned so as to be perpendicular to the direction of the electric field in order to block VAC in the diagonal viewing direction. The negative liquid crystal is used and the black matrix BM covering the N-th data line DLn and the pixel electrodes 162 and PXL are disposed so as not to overlap each other (vertical non-overlapping).

제1실시예는 평탄화막(169)과 차폐전극(180)을 미사용하면서도 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(L1)를 종래 구조 및 다른 구조 대비 좁힐 수 있다. 또한, 제1실시예는 종래 구조 및 다른 구조 대비 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 제N-1서브 픽셀(SPn-1) 또는 제N서브 픽셀(SPn) 간의 거리(L3)를 넓혀 개구율을 향상(L7과 L3 비교 참조)할 수 있다.In the first embodiment, the size L1 of the black matrix BM that covers the Nth data line DLn while not using the planarization layer 169 and the shielding electrode 180 can be narrowed compared to the conventional structure and other structures. In addition, the first embodiment is the distance between the black matrix BM covering the N-th data line DLn and the N-1 sub-pixel SPn-1 or the N-th sub-pixel SPn compared to the conventional structure and other structures. By widening (L3), the aperture ratio can be improved (see comparison between L7 and L3).

도 9와 같은 단순 비교를 통해 서도 알 수 있듯이, 본 발명의 제1실시예는 구조 및 공정적 특성상 차폐전극을 형성하기 곤란한 구조에서도 블랙매트릭스의 이동으로 인한 VAC 발생을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 제1실시예는 종래 구조 대비 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기를 더욱 작게 좁힐 수 있어 개구율을 향상시킬 수 있으므로 PPI(Pixel Per Inch)가 높은 액정패널에 적용 가능하다. 또한, 본 발명의 제1실시예는 종래 구조에서 사용되는 평탄화막과 차폐전극을 삭제할 수 있어 공정의 단순화와 더불어 공정성(Tact Time)을 향상시킬 수 있다.As can be seen through a simple comparison as shown in FIG. 9, the first embodiment of the present invention can prevent the occurrence of VAC due to the movement of the black matrix even in a structure in which it is difficult to form a shielding electrode due to structural and process characteristics. In addition, the first embodiment of the present invention can be applied to a liquid crystal panel having a high PPI (Pixel Per Inch) because the size of the black matrix that covers the data line can be reduced to a smaller size compared to the conventional structure, thereby improving the aperture ratio. In addition, according to the first embodiment of the present invention, since the planarization film and the shielding electrode used in the conventional structure can be eliminated, the process can be simplified and the Tact Time can be improved.

<제2실시예><Second Example>

도 10은 본 발명의 제2실시예에 따른 액정표시장치의 서브 픽셀들을 개략적으로 나타낸 평면 레이아웃 도면이고, 도 11은 도 10의 B1-B2 영역의 절단면을 나타낸 제1예시도이며, 도 12는 도 10의 B1-B2 영역의 절단면을 나타낸 제2예시도이다.FIG. 10 is a plan layout diagram schematically showing sub-pixels of a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention, FIG. 11 is a first example view showing a sectional view of regions B1-B2 of FIG. 10, and FIG. 12 is It is a 2nd example view showing the sectional plane of the area|region B1-B2 of FIG.

도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 액정표시장치의 서브 픽셀들(SPn-1, SPn)은 개구부에 위치하는 전극 중 하나(예: 화소전극 또는 공통전극)가 다수로 분할됨에 따라 멀티 도메인을 형성하는 IPS나 FFS 모드 방식으로 구현된다.As shown in FIG. 10, the subpixels SPn-1 and SPn of the liquid crystal display according to the second embodiment of the present invention include a plurality of electrodes (eg, a pixel electrode or a common electrode) positioned in the opening. It is implemented in an IPS or FFS mode method that forms a multi-domain as it is divided into.

개구부에 위치하는 전극 중 하나(예: 화소전극 또는 공통전극)가 서브 픽셀들(SPn-1, SPn)의 X축 방향(또는 단축 방향)으로 배열되되, 상부와 하부가 다른 방향으로 기울어지도록(다른 기울기를 갖도록) 형성된다.One of the electrodes (eg, a pixel electrode or a common electrode) positioned in the opening is arranged in the X-axis direction (or short axis direction) of the sub-pixels SPn-1 and SPn, so that the top and bottom are inclined in different directions ( To have a different slope).

구체적으로, 개구부에 위치하는 전극 중 하나(예: 화소전극 또는 공통전극)는 서브 셀들(SPn-1, SPn)의 X축 방향(또는 단축 방향)으로 누운 일자형 전극들(ㅡ)이 개구부의 중앙 영역을 향해 좌측이 기울어지도록 형성된다. 도면에서는 앞서 설명된 전극을 두 개만 도시하였으나 이는 N(N은 2 이상 정수)개 이상 배열된다.Specifically, one of the electrodes (for example, a pixel electrode or a common electrode) positioned in the opening has the straight electrodes lying in the X-axis direction (or short axis direction) of the sub-cells SPn-1 and SPn (-) at the center of the opening. It is formed so that the left side is tilted toward the area. In the drawing, only two electrodes described above are shown, but N (N is an integer of 2 or more) or more are arranged.

제N데이터라인(DLn)을 기준으로 좌우 인접하는 두 개의 서브 픽셀들(SPn-1, SPn)의 단면을 보면 다음과 같다.A cross section of the two subpixels SPn-1 and SPn adjacent to the left and right based on the Nth data line DLn is as follows.

도 11에 도시된 바와 같이, 제1기판(160a)의 개구부 상에는 화소전극(162, PXL)(또는 제1투명전극)이 형성된다. 화소전극(162, PXL)은 개구부 상에서 통전극 형태로 형성된다. 화소전극(162, PXL)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 금속으로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 11, pixel electrodes 162 and PXL (or first transparent electrodes) are formed on the openings of the first substrate 160a. The pixel electrodes 162 and PXL are formed in the form of a conductive electrode on the opening. The pixel electrodes 162 and PXL may be formed of a transparent metal such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

제1기판(160a) 상에는 화소전극(162, PXL)을 덮는 제1절연막(163)이 형성된다. 제1절연막(163)은 실리콘 산화물(SiOx)이나 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성될 수 있다.A first insulating layer 163 covering the pixel electrodes 162 and PXL is formed on the first substrate 160a. The first insulating layer 163 may be formed of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx).

제1절연막(163) 상에는 반도체층(164)과 금속층(165)으로 이루어진 제N데이터라인(DLn)이 형성된다. 반도체층(164)은 실리콘(Si) 계열, 산화물(Oxide) 계열, 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 그라핀(Grephene) 계열, 나이트라이드(Nitride) 계열, 유기 반도체 계열 중 하나로 선택될 수 있다. 금속층(165)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.An Nth data line DLn including a semiconductor layer 164 and a metal layer 165 is formed on the first insulating layer 163. The semiconductor layer 164 may be selected from one of a silicon (Si) series, an oxide series, a graphene series including carbon nanotubes (CNT), a nitride series, and an organic semiconductor series. . The metal layer 165 is any selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be formed of one or an alloy thereof.

제1절연막(163) 상에는 제N데이터라인(DLn)을 덮는 제2절연막(166)이 형성된다. 제2절연막(166)은 실리콘 산화물(SiOx)이나 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성될 수 있다.A second insulating layer 166 is formed on the first insulating layer 163 to cover the Nth data line DLn. The second insulating layer 166 may be formed of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx).

제2절연막(166)의 개구부 상에는 공통전극(167, VCOM)(또는 제2투명전극)이 형성된다. 공통전극(167, VCOM)은 개구부 상에 분할전극 형태로 형성된다. 공통전극(167, VCOM)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 금속으로 형성될 수 있다.A common electrode 167 (VCOM) (or a second transparent electrode) is formed on the opening of the second insulating layer 166. The common electrodes 167 and VCOM are formed in the form of divided electrodes on the openings. The common electrode 167 (VCOM) may be formed of a transparent metal such as Indium Tin Oxide (ITO) or Indium Zinc Oxide (IZO).

제N데이터라인(DLn) 상에는 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)가 위치한다. 블랙매트릭스(BM)는 제1기판(160a)과 합착 밀봉되는 제2기판 상에 위치한다. 도면에서는 설명의 편의를 위해 제2기판을 생략한 것이다.A black matrix BM covering the Nth data line DLn is positioned on the Nth data line DLn. The black matrix BM is positioned on a second substrate that is bonded and sealed with the first substrate 160a. In the drawings, the second substrate is omitted for convenience of description.

도 12에 도시된 바와 같이, 제1기판(160a)의 개구부 상에 형성된 전극은 공통전극(167, VCOM)이 될 수도 있고 또한, 제2절연막(166)의 개구부 상에 형성된 전극은 화소전극(162, PXL)이 될 수도 있다.As shown in FIG. 12, the electrode formed on the opening of the first substrate 160a may be a common electrode 167 (VCOM), and the electrode formed on the opening of the second insulating layer 166 may be a pixel electrode ( 162, PXL).

본 발명의 제2실시예 또한 액정층이 전계의 방향에 대해 수직 하도록 정렬된 네거티브 액정을 사용하게 됨에 따라 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(폭)을 좁힐 수 있을 것이다. 이때, 블랙매트릭스(BM)의 크기(폭)를 최소화하기 위해 앞서 설명된 액정을 사용함과 더불어 다음과 같이 설계할 수 있다.In the second embodiment of the present invention, the size (width) of the black matrix BM covering the N-th data line DLn can be narrowed as the liquid crystal layer uses a negative liquid crystal aligned to be perpendicular to the direction of the electric field. There will be. In this case, in order to minimize the size (width) of the black matrix (BM), the liquid crystal described above may be used and the following design may be performed.

(1) 데이터라인과 데이터라인과 인접한 전극(예: 화소전극 또는 공통전극)의 외곽부는 개구부 내에서 평행한 직선 형태를 유지하도록 배열한다.(1) A data line and an outer portion of an electrode adjacent to the data line (eg, a pixel electrode or a common electrode) are arranged so as to maintain a parallel straight line shape within the opening.

(2) 수평 또는 수직 러빙을 하고 멀티 도메인을 갖도록 형성한다.(2) Horizontal or vertical rubbing is performed and formed to have multi-domains.

(3) 데이터라인과 중첩하는 위치에 존재하는 차폐전극을 삭제한다.(3) Delete the shielding electrode existing at the position overlapping the data line.

(4) 단면에서 보았을 때 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스와 화소전극이 서로 중첩(수직 비중첩)되지 않도록 배치한다. 예컨대, 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 제N-1서브 픽셀(SPn-1) 또는 제N서브 픽셀(SPn) 간의 거리(L3)와 같이 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 화소전극(162, PXL)은 이격된다.(4) Arrange so that the black matrix that covers the data line and the pixel electrode do not overlap each other (vertical non-overlapping) when viewed from the cross-section. For example, as the distance L3 between the black matrix BM covering the Nth data line DLn and the N-1th subpixel SPn-1 or the Nth subpixel SPn, the Nth data line DLn The black matrix BM and the pixel electrodes 162 and PXL are spaced apart from each other.

(5) 화소전극과 (인접하는)화소전극 간의 거리(PXL to PXL 거리)는 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기보다 크다. 예컨대, 제N-1 및 제N서브 픽셀들(SPn-1, SPn) 간의 거리(L2)와 같이 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(L1)보다 크게 형성된다.(5) The distance (PXL to PXL distance) between the pixel electrode and the (adjacent) pixel electrode is larger than the size of the black matrix covering the data line. For example, it is formed larger than the size L1 of the black matrix BM covering the Nth data line DLn, such as a distance L2 between the N-1th and Nth subpixels SPn-1 and SPn. .

위의 조건과 더불어 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 제N-1서브 픽셀(SPn-1) 또는 제N서브 픽셀(SPn) 간의 거리(L3)가 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(L1)보다 작게 형성하는 조건을 덧붙일 수 있다.In addition to the above conditions, the distance L3 between the black matrix BM covering the Nth data line DLn and the N-1th subpixel SPn-1 or the Nth subpixel SPn is the Nth data line. It is possible to add a condition to form smaller than the size (L1) of the black matrix (BM) that covers (DLn).

<제3실시예><Third Example>

도 13은 본 발명의 제3실시예에 따른 액정표시장치의 서브 픽셀들을 개략적으로 나타낸 평면 레이아웃 도면이고, 도 14는 도 13의 C1-C2 영역의 절단면을 나타낸 제1예시도이며, 도 15는 도 12의 C1-C2 영역의 절단면을 나타낸 제2예시도이다.FIG. 13 is a plan layout diagram schematically showing subpixels of a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention, FIG. 14 is a first example view showing a cutaway of a region C1-C2 of FIG. 13, and FIG. 15 It is a 2nd example view showing the sectional plane of the area|region C1-C2 of FIG. 12.

도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 액정표시장치의 서브 픽셀들(SPn-1, SPn)은 개구부에 위치하는 전극이 다수로 분할됨에 따라 멀티 도메인을 형성하는 IPS나 FFS 모드 방식으로 구현된다. 제N데이터라인(DLn)을 기준으로 좌우 인접하는 두 개의 서브 픽셀들(SPn-1, SPn)의 단면을 보면 다음과 같다.As shown in FIG. 13, the subpixels SPn-1 and SPn of the liquid crystal display according to the third embodiment of the present invention are divided into a plurality of electrodes positioned in the openings, thereby forming a multi-domain. It is implemented in the FFS mode method. A cross section of the two subpixels SPn-1 and SPn adjacent to the left and right based on the Nth data line DLn is as follows.

개구부에 위치하는 전극 중 하나(예: 화소전극 또는 공통전극)가 서브 픽셀들(SPn-1, SPn)의 X축 방향(또는 단축 방향)으로 배열되되, 상부와 하부가 다른 방향으로 기울어지도록(다른 기울기를 갖도록) 형성된다.One of the electrodes (eg, a pixel electrode or a common electrode) positioned in the opening is arranged in the X-axis direction (or short axis direction) of the sub-pixels SPn-1 and SPn, so that the top and bottom are inclined in different directions ( To have a different slope).

구체적으로, 개구부에 위치하는 전극 중 하나(예: 화소전극 또는 공통전극)는 서브 셀들(SPn-1, SPn)의 Y축 방향(또는 장축 방향)으로 바로선 일자형 전극들(ㅡ)이 개구부의 중앙 영역을 기준으로 우측을 향해 기울어지도록 형성된다. 도면에서는 앞서 설명된 전극을 두 개만 도시하였으나 이는 N(N은 2 이상 정수)개 이상 배열된다.Specifically, one of the electrodes (for example, a pixel electrode or a common electrode) positioned in the opening is straight in the Y-axis direction (or the major axis direction) of the sub-cells SPn-1 and SPn. It is formed to be inclined toward the right based on the central area. In the drawing, only two electrodes described above are shown, but N (N is an integer of 2 or more) or more are arranged.

제N데이터라인(DLn)을 기준으로 좌우 인접하는 두 개의 서브 픽셀들(SPn-1, SPn)의 단면을 보면 다음과 같다.A cross section of the two subpixels SPn-1 and SPn adjacent to the left and right based on the Nth data line DLn is as follows.

도 14에 도시된 바와 같이, 제1기판(160a)의 개구부 상에는 화소전극(162, PXL)(또는 제1투명전극)이 형성된다. 화소전극(162, PXL)은 개구부 상에서 통전극 형태로 형성된다. 화소전극(162, PXL)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 금속으로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 14, pixel electrodes 162 and PXL (or first transparent electrodes) are formed on the openings of the first substrate 160a. The pixel electrodes 162 and PXL are formed in the form of a conductive electrode on the opening. The pixel electrodes 162 and PXL may be formed of a transparent metal such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

제1기판(160a) 상에는 화소전극(162, PXL)을 덮는 제1절연막(163)이 형성된다. 제1절연막(163)은 실리콘 산화물(SiOx)이나 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성될 수 있다.A first insulating layer 163 covering the pixel electrodes 162 and PXL is formed on the first substrate 160a. The first insulating layer 163 may be formed of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx).

제1절연막(163) 상에는 반도체층(164)과 금속층(165)으로 이루어진 제N데이터라인(DLn)이 형성된다. 반도체층(164)은 실리콘(Si) 계열, 산화물(Oxide) 계열, 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 그라핀(Grephene) 계열, 나이트라이드(Nitride) 계열, 유기 반도체 계열 중 하나로 선택될 수 있다. 금속층(165)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.An Nth data line DLn including a semiconductor layer 164 and a metal layer 165 is formed on the first insulating layer 163. The semiconductor layer 164 may be selected from one of a silicon (Si) series, an oxide series, a graphene series including carbon nanotubes (CNT), a nitride series, and an organic semiconductor series. . The metal layer 165 is any selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be formed of one or an alloy thereof.

제1절연막(163) 상에는 제N데이터라인(DLn)을 덮는 제2절연막(166)이 형성된다. 제2절연막(166)은 실리콘 산화물(SiOx)이나 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성될 수 있다.A second insulating layer 166 is formed on the first insulating layer 163 to cover the Nth data line DLn. The second insulating layer 166 may be formed of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx).

제2절연막(166)의 개구부 상에는 공통전극(167, VCOM)(또는 제2투명전극)이 형성된다. 공통전극(167, VCOM)은 개구부 상에 분할전극 형태로 형성된다. 공통전극(167, VCOM)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 금속으로 형성될 수 있다.A common electrode 167 (VCOM) (or a second transparent electrode) is formed on the opening of the second insulating layer 166. The common electrodes 167 and VCOM are formed in the form of divided electrodes on the openings. The common electrode 167 (VCOM) may be formed of a transparent metal such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

제N데이터라인(DLn) 상에는 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)가 위치한다. 블랙매트릭스(BM)는 제1기판(160a)과 합착 밀봉되는 제2기판 상에 위치한다. 도면에서는 설명의 편의를 위해 제2기판을 생략한 것이다.A black matrix BM covering the Nth data line DLn is positioned on the Nth data line DLn. The black matrix BM is positioned on a second substrate that is bonded and sealed with the first substrate 160a. In the drawings, the second substrate is omitted for convenience of description.

도 15에 도시된 바와 같이, 제1기판(160a)의 개구부 상에 형성된 전극은 공통전극(167, VCOM)이 될 수도 있고 또한, 제2절연막(166)의 개구부 상에 형성된 전극은 화소전극(162, PXL)이 될 수도 있다.As shown in FIG. 15, the electrode formed on the opening of the first substrate 160a may be a common electrode 167 (VCOM), and the electrode formed on the opening of the second insulating layer 166 may be a pixel electrode ( 162, PXL).

본 발명의 제3실시예 또한 액정층이 전계의 방향에 대해 수직 하도록 정렬된 네거티브 액정을 사용하게 됨에 따라 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(폭)을 좁힐 수 있을 것이다. 이때, 블랙매트릭스(BM)의 크기(폭)를 최소화하기 위해 앞서 설명된 액정을 사용함과 더불어 다음과 같이 설계할 수 있다.In the third embodiment of the present invention, the size (width) of the black matrix BM covering the N-th data line DLn can be narrowed as the liquid crystal layer uses a negative liquid crystal aligned to be perpendicular to the direction of the electric field. There will be. In this case, in order to minimize the size (width) of the black matrix (BM), the liquid crystal described above may be used and the following design may be performed.

(1) 데이터라인과 데이터라인과 인접한 전극(예: 화소전극 또는 공통전극)의 외곽부는 개구부 내에서 평행한 직선 형태를 유지하도록 배열한다.(1) A data line and an outer portion of an electrode adjacent to the data line (eg, a pixel electrode or a common electrode) are arranged so as to maintain a parallel straight line shape within the opening.

(2) 수평 또는 수직 러빙을 하고 멀티 도메인을 갖도록 형성한다.(2) Horizontal or vertical rubbing is performed and formed to have multi-domains.

(3) 데이터라인과 중첩하는 위치에 존재하는 차폐전극을 삭제한다.(3) Delete the shielding electrode existing at the position overlapping the data line.

(4) 단면에서 보았을 때 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스와 화소전극이 서로 중첩(수직 비중첩)되지 않도록 배치한다. 예컨대, 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 제N-1서브 픽셀(SPn-1) 또는 제N서브 픽셀(SPn) 간의 거리(L3)와 같이 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 화소전극(162, PXL)은 이격된다.(4) Arrange so that the black matrix that covers the data line and the pixel electrode do not overlap each other (vertical non-overlapping) when viewed from the cross-section. For example, as the distance L3 between the black matrix BM covering the Nth data line DLn and the N-1th subpixel SPn-1 or the Nth subpixel SPn, the Nth data line DLn The black matrix BM and the pixel electrodes 162 and PXL are spaced apart from each other.

(5) 화소전극과 (인접하는)화소전극 간의 거리(PXL to PXL 거리)는 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기보다 크다. 예컨대, 제N-1 및 제N서브 픽셀들(SPn-1, SPn) 간의 거리(L2)와 같이 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(L1)보다 크게 형성된다.(5) The distance (PXL to PXL distance) between the pixel electrode and the (adjacent) pixel electrode is larger than the size of the black matrix covering the data line. For example, it is formed larger than the size L1 of the black matrix BM covering the Nth data line DLn, such as a distance L2 between the N-1th and Nth subpixels SPn-1 and SPn. .

위의 조건과 더불어 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)와 제N-1서브 픽셀(SPn-1) 또는 제N서브 픽셀(SPn) 간의 거리(L3)가 제N데이터라인(DLn)을 가려주는 블랙매트릭스(BM)의 크기(L1)보다 작게 형성하는 조건을 덧붙일 수 있다.In addition to the above conditions, the distance L3 between the black matrix BM covering the Nth data line DLn and the N-1th subpixel SPn-1 or the Nth subpixel SPn is the Nth data line. It is possible to add a condition to form smaller than the size (L1) of the black matrix (BM) that covers (DLn).

한편, 본 발명의 제2 및 제3실시예에서는 멀티 도메인을 형성하는 전극의 구조로서 2 도메인을 갖는 두 가지의 예만 도시하였다. 그러나, 이는 예시일 뿐 본 발명은 이에 한정되지 않고 멀티 도메인을 형성하는 전극 구조에 적절히 적용 가능하다.Meanwhile, in the second and third embodiments of the present invention, only two examples having two domains as a structure of an electrode forming a multi-domain are shown. However, this is only an example, and the present invention is not limited thereto, and can be appropriately applied to an electrode structure forming a multi-domain.

이상 본 발명은 구조 및 공정적 특성상 차폐전극을 형성하기 곤란한 구조에서도 블랙매트릭스의 이동으로 인한 VAC 발생을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 데이터라인을 가려주는 블랙매트릭스의 크기를 더욱 작게 좁힐 수 있어 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 평탄화막과 차폐전극을 삭제할 수 있어 공정의 단순화와 더불어 공정성(Tact Time)을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 차폐전극과 연결된 전극을 삭제할 수 있어 데이터 로드 및 기생용량(Cdc)을 감소킬 수 있다. 또한, 본 발명은 공정의 단순화와 더불어 공정성 향상으로 인하여 기판 합착 마진 및 VAC 마진을 고려하지 않아도 되므로 설계의 자유도를 높일 수 있다.As described above, even in a structure in which it is difficult to form a shielding electrode due to structural and process characteristics, it is possible to prevent the occurrence of VAC due to the movement of the black matrix. In addition, according to the present invention, the size of the black matrix that covers the data line can be further reduced, thereby improving the aperture ratio. In addition, in the present invention, since the planarization layer and the shielding electrode can be eliminated, the process can be simplified and the processability can be improved. In addition, according to the present invention, since the electrode connected to the shielding electrode can be deleted, data load and parasitic capacitance (Cdc) can be reduced. In addition, the present invention simplifies the process and improves processability, so that the substrate bonding margin and the VAC margin do not need to be considered, thereby increasing the degree of freedom in design.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above is in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention by those skilled in the art. It will be appreciated that it can be implemented. Therefore, the embodiments described above are illustrative in all respects and should be understood as non-limiting. In addition, the scope of the present invention is indicated by the claims to be described later rather than the detailed description. In addition, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

130: 타이밍제어부 140: 게이트구동부
150: 데이터구동부 160: 액정패널
170: 백라이트유닛 160a: 제1기판
162, PXL: 화소전극 163: 제1절연막
166: 제2절연막 DLn: 제N데이터라인
167, VCOM: 공통전극 BM: 블랙매트릭스
168, LC: 액정층
130: timing control unit 140: gate driving unit
150: data driving unit 160: liquid crystal panel
170: backlight unit 160a: first substrate
162, PXL: pixel electrode 163: first insulating layer
166: second insulating layer DLn: Nth data line
167, VCOM: common electrode BM: black matrix
168, LC: liquid crystal layer

Claims (7)

제1기판;
상기 제1기판 상에 정의된 개구부에 위치하는 화소전극;
상기 제1기판 상에 정의된 개구부에 위치하며 상기 화소전극과 다른 층에 위치하는 공통전극;
상기 제1기판 상에 정의된 비개구부에 위치하는 데이터라인;
상기 화소전극 및 상기 공통전극에 의한 전계에 대응하여 틸트되는 액정층; 및
상기 데이터라인과 대응되는 영역을 가리며, 상기 화소전극과 비중첩하는 블랙매트릭스를 포함하고,
상기 화소전극과 인접하는 화소전극 간의 거리는 상기 블랙매트릭스의 크기보다 크고,
상기 화소전극과 상기 블랙매트릭스 간의 거리는 상기 블랙매트릭스의 크기보다 작고,
상기 액정층은 네거티브 액정이고, 상기 화소전극 및 상기 공통전극에 의해 걸리는 전계의 방향에 대해 수직 하도록 정렬되고,
상기 화소전극은 상기 개구부에서 다수로 분할되어 상기 데이터라인과 동일한 방향으로 배열되되 상기 개구부의 중앙 영역이 좌측으로 돌출되도록 상기 개구부의 중앙선을 기준으로 우측을 향해 기울어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
A first substrate;
A pixel electrode positioned in an opening defined on the first substrate;
A common electrode positioned in an opening defined on the first substrate and positioned on a layer different from the pixel electrode;
A data line positioned in a non-opening portion defined on the first substrate;
A liquid crystal layer tilted in response to an electric field generated by the pixel electrode and the common electrode; And
Covering a region corresponding to the data line and including a black matrix non-overlapping with the pixel electrode,
The distance between the pixel electrode and the adjacent pixel electrode is greater than the size of the black matrix,
The distance between the pixel electrode and the black matrix is smaller than the size of the black matrix,
The liquid crystal layer is a negative liquid crystal, and is aligned to be perpendicular to the direction of an electric field applied by the pixel electrode and the common electrode,
The pixel electrode is divided into a plurality of the pixel electrodes in the opening and arranged in the same direction as the data line, and the pixel electrode is inclined toward the right with respect to the center line of the opening so that the central region of the opening protrudes to the left.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 화소전극은 상기 제1기판과 제1절연막 사이에 위치하고,
상기 공통전극은 상기 제1절연막 상에 위치하는 제2절연막과 상기 액정층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
The method of claim 1,
The pixel electrode is located between the first substrate and the first insulating layer,
And the common electrode is positioned between the liquid crystal layer and a second insulating layer on the first insulating layer.
제1항에 있어서,
상기 공통전극은 상기 제1기판과 제1절연막 사이에 위치하고,
상기 화소전극은 상기 제1절연막 상에 위치하는 제2절연막과 상기 액정층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
The method of claim 1,
The common electrode is located between the first substrate and the first insulating layer,
And the pixel electrode is positioned between the liquid crystal layer and a second insulating layer on the first insulating layer.
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