KR102226153B1 - release film for semiconductor mold with adjustable roughness, and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 패키지 또는 LED 소자의 렌즈와 같은 제품을 금형으로 성형할 때, 금형의 캐비티 면에 배치되어 성형된 제품을 이형시키기 위한 반도체 몰드용 이형필름에 이형성 향상을 위해 첨가되는 불소의 의존도를 낮추기 위해 표면에 요철이 형성되되, 표면에 형성된 요철의 거칠기를 조절할 수 있는 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness and a method of manufacturing the same, and more particularly, when a product such as a semiconductor package or a lens of an LED device is molded into a mold, it is disposed on the cavity surface of the mold to be molded. In order to reduce the dependence of fluorine added to improve releasability to the release film for semiconductor molds for releasing the product, unevenness is formed on the surface, but the release film for semiconductor molds capable of adjusting the roughness to adjust the roughness of the irregularities formed on the surface, and It relates to the manufacturing method.
일반적으로 반도체 소자 및 LED 소자는 외부 환경으로부터 보호될 수 있도록 수지를 통해 봉지하고, 소자를 내부에 수용한 패키지 형태로 기판에 실장된다.In general, semiconductor devices and LED devices are encapsulated through a resin so as to be protected from external environments, and are mounted on a substrate in the form of a package accommodating the device therein.
이와 같은 패키지 공정은 에폭시 수지와 같은 수지를 가열 용융시킨 후 반도체 소자 또는 LED 소자가 배치된 금형의 캐비티 내에 수지 충진시켜 소정의 형상을 가지는 패키지로 성형하게 된다.In such a package process, a resin such as an epoxy resin is heated and melted, and then a resin is filled into a cavity of a mold in which a semiconductor device or an LED device is disposed, thereby forming a package having a predetermined shape.
이때, 금형의 캐비티 내에 충진되는 수지가 금형에 고착되는 것을 방지하기 위해 수지 자체에 이형제를 배합하거나, 금형의 캐비티 면에 이형필름을 배치하는 방법이 사용되고 있다.At this time, in order to prevent the resin filled in the mold cavity from sticking to the mold, a method of mixing a release agent into the resin itself or disposing a release film on the cavity surface of the mold is used.
그 중 이형필름의 수요가 매우 높으며, 한국등록특허 제10-1395520호 "반도체 수지 몰드용 이형 필름"과 같이 대부분의 이형필름은 고가의 불소를 포함하여 제조됨에 따라, 매우 고가인 문제점이 있었다.Among them, the demand for a release film is very high, and most of the release films, such as Korean Patent No. 10-1395520 "Release film for semiconductor resin mold," are manufactured with expensive fluorine, and thus have a problem of being very expensive.
또한, 대부분의 이형필름은 규격화된 일정 형태로 해외로부터 수입에 의존하고 있는 실정으로 소비자가 원하는 세부 사양(표면 거칠기 등)을 선택하기 어려운 문제점이 있었다.In addition, since most of the release films depend on imports from overseas in a standardized form, it is difficult to select detailed specifications (surface roughness, etc.) desired by consumers.
특히, 최근 해외에서 불소와 관련된 제품의 수입에 제약이 따름에 따라, 불소에 대한 의존도를 낮출 수 있는 기술 개발의 필요성이 제기되고 있다.In particular, as restrictions on imports of fluorine-related products from overseas are recently followed, the need for technology development that can reduce dependence on fluoride has been raised.
이와 함께, 반도체 패키지의 표면에 요철을 형성하기 위한 표면처리 공정이나, LED 소자의 패키지가 광 확산을 위한 렌즈의 기능을 함께 수행하도록 LED 소자의 패키지(렌즈) 표면에 요철을 부여하기 위한 표면 형상부여 공정을 축소하여 생산성을 높이기 위해 패키지를 형성할 때 패키지의 표면에 요철을 형성시키기 위한 기술 개발의 필요성도 함께 제기되고 있다.In addition, a surface treatment process for forming irregularities on the surface of a semiconductor package, or a surface shape for imparting irregularities to the surface of the package (lens) of the LED device so that the package of the LED device performs the function of a lens for light diffusion. When forming a package to increase productivity by reducing the imparting process, the necessity of developing a technology for forming irregularities on the surface of the package is also raised.
본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 이형필름의 이형성 향상을 위해 첨가되는 불소의 의존도를 낮추기 위한 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention has been conceived to solve the above-described problems, and is to provide a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness to reduce dependence of fluorine added to improve the release property of the release film, and a method of manufacturing the same. .
본 발명의 다른 목적은 이형필름의 표면거칠기를 세부적으로 다양하게 조절하기 위한 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a release film for a semiconductor mold capable of controlling the roughness to variously control the surface roughness of the release film and a method of manufacturing the same.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름은 반도체 패키지 또는 LED 소자의 렌즈와 같은 제품을 금형으로 성형할 때, 금형의 캐비티 면에 배치되어 성형된 제품을 이형시키기 위한 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름에 있어서, 금형의 굴곡을 가진 캐비티 면에 배치되어 캐비티 면을 따라 굴곡질 수 있도록 일정 범위의 신율을 가진 베이스 필름과 상기 베이스 필름의 일면에 배치되어 성형되는 제품의 표면에 요철을 형성하되, 형성되는 요철의 거칠기를 조절하기 위해 입자 크기 범위가 기 설정된 범위로 조절된 비드가 실리콘에 혼합된 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness according to the present invention is disposed on the cavity surface of the mold to release the molded product when a product such as a semiconductor package or a lens of an LED device is molded into a mold. In the release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness of the mold, a base film having a certain range of elongation so that it can be bent along the cavity surface and disposed on one surface of the base film to be molded. It is characterized in that the unevenness is formed on the surface of the product, and a bead whose particle size range is adjusted to a preset range in order to control the roughness of the formed unevenness includes a coating layer mixed with silicone.
또한, 상기 비드는 입자 크기 범위가 다른 적어도 2개 이상의 군이 혼합되어 입자 크기 차이에 의해 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the bead is characterized in that at least two or more groups having different particle size ranges are mixed to form irregularities due to the difference in particle size.
또한, 상기 비드는 실리카 입자로 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the bead is characterized in that it is composed of silica particles.
또한, 상기 비드는 불소 화합물이 코팅된 실리카 입자로 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the bead is characterized in that it is composed of silica particles coated with a fluorine compound.
또한, 상기 코팅층은 불소 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the coating layer is characterized in that it further comprises a fluorine compound.
또한, 상기 베이스 필름은 폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the base film is polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyetheretherketone , Characterized in that it comprises at least one of polyamide imide.
또한, 상기 베이스 필름은 폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하는 복수 개의 필름이 합지된 것을 특징으로 한다.In addition, the base film is polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyetheretherketone , It is characterized in that a plurality of films including at least one of polyamideimide are laminated.
또한, 상기 베이스 필름은 코팅층이 배치되는 일면이 표면처리되어 요철이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the base film is characterized in that the unevenness is formed by surface treatment on one surface on which the coating layer is disposed.
또한, 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법은 반도체 패키지 또는 LED 소자의 렌즈와 같은 제품을 금형으로 성형할 때, 금형의 캐비티 면에 배치되어 성형된 제품을 이형시키기 위한 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법에 있어서, 일정 범위의 신율을 가진 베이스 필름을 제조하는 필름 제조단계와 액상 실리콘에 기 설정된 입자 크기 범위를 가지는 비드를 혼합하여 코팅액을 제조하는 코팅액 제조단계와 제조된 베이스 필름의 일면에 코팅액을 코팅하여 코팅층을 형성하는 코팅단계와 베이스 필름의 일면에 코팅된 코팅층을 건조시키는 건조단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness is that when a product such as a semiconductor package or a lens of an LED device is molded into a mold, it is disposed on the cavity surface of the mold to control the roughness to release the molded product. In the manufacturing method of a release film for a semiconductor mold, a film manufacturing step of manufacturing a base film having a certain range of elongation and a coating solution manufacturing step of preparing a coating solution by mixing beads having a predetermined particle size range in liquid silicone, and the prepared It characterized in that it comprises a coating step of forming a coating layer by coating a coating solution on one side of the base film and a drying step of drying the coating layer coated on one side of the base film.
또한, 상기 필름 제조단계는 폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하는 베이스 필름을 제조하는 것을 특징으로 한다.In addition, the film manufacturing step is polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyether ether It is characterized in that to prepare a base film containing at least one of ketone and polyamideimide.
또한, 상기 필름 제조단계는 폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하는 복수 개의 필름을 합지하여 베이스 필름을 제조하는 것을 특징으로 한다.In addition, the film manufacturing step is polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyether ether It is characterized in that a base film is prepared by laminating a plurality of films including at least one of ketone and polyamideimide.
또한, 상기 필름 제조단계는 폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하는 원 재료를 외주면에 요철이 형성된 롤러를 통해 가압하여 일면에 요철이 형성되도록 표면처리된 베이스 필름을 제조하는 것을 특징으로 한다.In addition, the film manufacturing step is polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyether ether It characterized in that the raw material containing at least one of ketone and polyamideimide is pressed through a roller having irregularities formed on an outer circumferential surface thereof to prepare a surface-treated base film such that irregularities are formed on one surface thereof.
또한, 상기 코팅액 제조단계는 비드의 입자 크기 범위가 다른 적어도 2개 이상의 군을 혼합하여 코팅액을 제조함으로써, 상기 코팅단계를 통해 코팅된 코팅층의 표면에 혼합된 군의 비드 입자 크기 차이에 의해 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the coating solution manufacturing step, by mixing at least two or more groups having different particle size ranges of beads to prepare a coating solution, irregularities are formed due to the difference in the size of the bead particles of the group mixed on the surface of the coating layer coated through the coating step. It is characterized in that it is formed.
또한, 상기 코팅액 제조단계는 기 설정된 입자 크기 범위를 가지는 실리카 입자로 구성된 비드를 준비하는 비드 준비단계와 준비된 비드의 표면에 불소 화합물을 코팅하는 비드 코팅단계와 코팅된 비드를 기 설정된 비율로 액상 실리콘과 혼합하는 실리콘 혼합단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the coating solution manufacturing step includes a bead preparation step of preparing a bead composed of silica particles having a predetermined particle size range, a bead coating step of coating a fluorine compound on the surface of the prepared bead, and liquid silicone at a preset ratio. It characterized in that it consists of a silicon mixing step and mixing.
또한, 상기 코팅액 제조단계는 기 설정된 입자 크기 범위를 가지는 실리카 입자로 구성된 비드를 준비하는 비드 준비단계와 준비된 비드, 불소 화합물, 액상 실리콘을 기 설정된 비율로 혼합하는 실리콘 혼합단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the coating solution manufacturing step is characterized by consisting of a bead preparation step of preparing beads composed of silica particles having a predetermined particle size range, and a silicone mixing step of mixing the prepared beads, a fluorine compound, and liquid silicone at a preset ratio. do.
또한, 상기 건조단계는 소정의 탄성을 가지는 롤러를 이용하여 코팅된 코팅층을 가압하여 코팅층에 포함된 비드 입자가 실리콘보다 외부로 노출되도록 코팅층을 건조시키는 것을 특징으로 한다.In addition, the drying step is characterized in that the coating layer is dried so that the bead particles contained in the coating layer are exposed to the outside than silicon by pressing the coated coating layer using a roller having a predetermined elasticity.
또한, 상기 코팅단계 이후에 코팅층의 일면에 불소 화합물을 코팅하는 불소 코팅단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, it characterized in that it further comprises a fluorine coating step of coating a fluorine compound on one surface of the coating layer after the coating step.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름 및 그 제조방법에 의하면, 코팅층에 혼합된 비드에 의한 요철을 통해 이형성을 향상시킴으로써, 첨가되는 불소의 의존도를 크게 낮출 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness according to the present invention and the manufacturing method thereof, the dependence of the added fluorine can be greatly reduced by improving the releasability through irregularities caused by beads mixed in the coating layer. It works.
또한, 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름 및 그 제조방법에 의하면, 코팅층에 혼합되는 비드의 입자 크기 및 혼합량에 따라 이형필름의 표면거칠기를 세부적으로 다양하게 조절할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness according to the present invention and the manufacturing method thereof, there is an effect of being able to variously control the surface roughness of the release film in detail according to the particle size and mixing amount of the beads mixed in the coating layer. .
도 1은 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법을 순서대로 도시한 순서도.
도 2는 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제1 실시예를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제2 실시예를 도시한 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제3 실시예를 도시한 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제4 실시예를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제5 실시예를 도시한 단면도.1 is a flow chart showing in order a method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness according to the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness according to the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a second embodiment of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness according to the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a third embodiment of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention.
6 is a cross-sectional view showing a fifth embodiment of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.Specific structural or functional descriptions of the embodiments according to the concept of the present invention disclosed in the present specification are exemplified only for the purpose of describing the embodiments according to the concept of the present invention, and the embodiments according to the concept of the present invention are It may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Since the embodiments according to the concept of the present invention can apply various changes and have various forms, the embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the present specification. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to specific disclosed forms, and includes all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법을 순서대로 도시한 순서도이며, 도 2는 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제1 실시예를 도시한 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제2 실시예를 도시한 단면도이며, 도 4는 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제3 실시예를 도시한 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제4 실시예를 도시한 단면도이며, 도 6은 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제5 실시예를 도시한 단면도이다.1 is a flow chart showing in sequence a method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention, and FIG. 2 is a first embodiment of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention. 3 is a cross-sectional view showing a second embodiment of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention, and FIG. 4 is a third of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention. Fig. 5 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention, and Fig. 6 is a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention. It is a cross-sectional view showing a fifth embodiment of the film.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법은 반도체 소자의 패키지 또는 LED 소자의 패키지(렌즈)와 같은 제품을 금형으로 성형할 때, 금형의 캐비티 면에 배치되어 성형된 제품을 이형시키기 위한 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법에 있어서, 일정 범위의 신율을 가진 베이스 필름을 제조하는 필름 제조단계(S1)와 액상 실리콘에 기 설정된 입자 크기 범위를 가지는 실리카 재질의 비드를 혼합하여 코팅액을 제조하는 코팅액 제조단계(S2)와 제조된 베이스 필름의 일면에 코팅액을 코팅하여 코팅층을 형성하는 코팅단계(S3)와 베이스 필름의 일면에 코팅된 코팅층을 건조시키는 건조단계(S4)를 포함하여 구성된다.As shown in Fig. 1, the method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention is when molding a product such as a package of a semiconductor device or a package (lens) of an LED device into a mold, the cavity of the mold. In the manufacturing method of a release film for a semiconductor mold that can adjust the roughness to release the molded product by being placed on the surface, the film manufacturing step (S1) of manufacturing a base film having a certain range of elongation and particles preset in liquid silicon A coating solution manufacturing step (S2) of preparing a coating solution by mixing beads of silica material having a size range, a coating step (S3) of forming a coating layer by coating a coating solution on one side of the prepared base film, and coating on one side of the base film It consists of a drying step (S4) of drying the coating layer.
이때, 상기 필름 제조단계(S1)는 폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하도록 구성되어 180℃의 온도에서 300 ~ 700%의 신율을 가지는 베이스 필름을 제조함으로써, 150 ~ 300℃의 온도 범위로 가열된 금형 내에서도 캐비티의 형상에 맞춰 부드럽게 신장될 수 있도록 구성됨이 바람직하다.At this time, the film manufacturing step (S1) is polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, The shape of the cavity even in a mold heated to a temperature range of 150 to 300°C by manufacturing a base film composed of at least one of polyetheretherketone and polyamideimide and having an elongation of 300 to 700% at a temperature of 180°C. It is preferable that it is configured to be stretched smoothly according to.
또는, 상기 필름 제조단계(S1)를 통해 제조되는 베이스 필름의 신율 향상 및 신장시 강도 향상을 위해 폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하는 복수 개의 필름을 합지하여 베이스 필름을 제조하도록 구성될 수도 있다.Alternatively, polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, in order to improve the elongation and strength of the base film produced through the film manufacturing step (S1), It may be configured to laminate a plurality of films including at least one of polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyetheretherketone, and polyamideimide to prepare a base film.
또는, 상기 필름 제조단계(S1)는 폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하는 원 재료를 외주면에 요철이 형성된 롤러를 통해 가압하여 일면에 요철이 형성되도록 표면처리된 베이스 필름을 제조하도록 구성될 수도 있다.Alternatively, the film manufacturing step (S1) includes polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, The raw material including at least one of polyether ether ketone and polyamideimide may be pressed through a roller having irregularities formed on the outer circumferential surface thereof to produce a surface-treated base film such that irregularities are formed on one surface.
또한, 상기 코팅액 제조단계(S2)는 제조되는 반도체 몰드용 이형필름의 신율이나, 베이스 필름의 표면처리 유무 및 표면처리 형태(표면 형상)에 따라 그 혼합비율이 달라질 수 있으나, 일반적으로는 액상 실리콘 10~60wt%에 직경 1 ~ 30 ㎛의 입자 크기 범위를 가지는 비드 40~90wt%를 혼합하여 코팅액을 제조하도록 구성될 수 있다.In addition, in the coating solution manufacturing step (S2), the mixing ratio may vary depending on the elongation of the release film for semiconductor mold to be manufactured, the presence or absence of surface treatment of the base film, and the surface treatment type (surface shape), but in general, liquid silicone It may be configured to prepare a coating solution by mixing 40 to 90 wt% of beads having a particle size range of 1 to 30 µm in diameter to 10 to 60 wt%.
이때, 혼합되는 비드의 직경을 달리함으로써, 매우 간단하게 표면 거칠기를 조절할 수 있다.At this time, by varying the diameter of the beads to be mixed, it is possible to very simply adjust the surface roughness.
예를 들면, 비드의 직경이 1㎛에 가까울수록(직경이 작을수록) 표면 거칠기가 부드러워지며, 비드의 직경이 30㎛에 가까울수록(직경이 클수록) 표면거칠기가 거칠어지게 된다.For example, the closer the diameter of the bead is to 1 μm (the smaller the diameter is), the smoother the surface roughness becomes, and the closer the diameter of the bead is to 30 μm (the larger the diameter), the rougher the surface roughness becomes.
또한, 상기 코팅단계(S3) 및 건조단계(S4)를 거친 후 비드의 표면적 중 최소 20% 이상이 코팅층의 외부(실리콘 외측)로 노출되어, 노출된 비드가 이형성을 향상시킬 수 있도록 구성됨이 바람직하다.In addition, after the coating step (S3) and drying step (S4), at least 20% of the surface area of the bead is exposed to the outside of the coating layer (outside of silicon), so that the exposed bead is preferably configured to improve releasability. Do.
다만, 노출되는 비드의 표면적이 전체 표면적의 40%를 초과할 경우, 반도체 몰드용 이형필름이 캐비티의 형상을 따라 신장되는 과정에서 실리콘에 의해 고정되는 면적이 더 줄어들면서 비드가 실리콘으로부터 박리될 수 있음에 따라, 비드가 노출되는 표면적이 20 ~ 40%가 되도록 반도체 몰드용 이형필름의 신율이나, 베이스 필름의 표면처리 유무 및 표면처리 형태(표면 형상)에 따라 코팅층을 구성하는 액상 실리콘과 비드의 혼합비율이 조절됨이 바람직하다.However, if the surface area of the exposed bead exceeds 40% of the total surface area, the area fixed by silicon is further reduced while the release film for semiconductor mold is stretched along the shape of the cavity, and the bead may be peeled from the silicon. As a result, depending on the elongation of the release film for semiconductor mold, the presence or absence of surface treatment of the base film, and the shape of the surface treatment (surface shape), so that the surface area to which the beads are exposed is 20 to 40%. It is preferable that the mixing ratio is adjusted.
또한, 상기 건조단계(S4)는 소정의 탄성을 가지는 롤러를 이용하여 코팅된 코팅층을 가압하여 코팅층에 포함된 비드 입자가 실리콘의 외부로 효과적으로 노출되도록 실리콘을 고르게 펴준 후 또는 실리콘을 고르게 펴주면서 실리콘(코팅층)을 건조시키는 형태로 구성될 수도 있다.In addition, in the drying step (S4), the coated coating layer is pressed using a roller having a predetermined elasticity, so that the bead particles contained in the coating layer are effectively exposed to the outside of the silicon, and then the silicon It may be configured in a form of drying the (coating layer).
도 2는 상기와 같은 제조방법을 통해 제조되는 본 발명에 따른 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제1 실시예를 도시한 것이며, 반도체 소자의 패키지 또는 LED 소자의 패키지(렌즈)와 같은 제품을 금형으로 성형할 때, 금형의 캐비티 면에 배치되어 성형된 제품을 이형시키기 위한 거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름(100)에 있어서, 금형의 굴곡을 가진 캐비티 면에 배치되어 캐비티 면을 따라 굴곡질 수 있도록 일정 범위의 신율을 가진 베이스 필름(1)과 상기 베이스 필름(1)의 일면에 배치되어 성형되는 제품의 표면에 요철을 형성하되, 형성되는 요철의 거칠기를 조절하기 위해 입자 크기 범위가 기 설정된 범위로 조절된 비드(3)가 실리콘(2)에 혼합된 코팅층을 포함하여 구성된다.FIG. 2 shows a first embodiment of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness according to the present invention manufactured through the manufacturing method as described above, and a product such as a package of a semiconductor device or a package (lens) of an LED device. When molding into a mold, in the
또한, 도 3에 도시된 제2 실시예와 같이, 상기 필름 제조단계(S1)를 통해 일면에 요철이 형성되도록 표면처리된 베이스 필름(1)의 일면에 비드(3)가 혼합된 실리콘(2)으로 구성된 코팅층을 형성함으로써, 베이스 필름(1)의 표면처리 형상(굴곡 또는 홈)에 맞춰 비드(3)가 배열되도록 반도체 몰드용 이형필름(100)이 제조될 수도 있다.In addition, as in the second embodiment shown in FIG. 3, silicon (2) in which a
또한, 도 4에 도시된 제3 실시예와 같이 상기 코팅액 제조단계(S2)는 비드(3)의 입자 크기 범위가 다른 적어도 2개 이상의 군(3a, 3b)을 혼합하여 코팅액을 제조함으로써, 상기 코팅단계(S3)를 통해 코팅된 코팅층의 표면에 혼합된 군(3a, 3b)의 비드(3) 입자 크기 차이에 의해 요철이 형성되도록 구성될 수도 있다.In addition, as in the third embodiment shown in FIG. 4, the coating solution manufacturing step (S2) is performed by mixing at least two groups (3a, 3b) having different particle size ranges of the
이때, 각 군(3a, 3b)의 혼합 비율은 형성하고자 하는 요철의 형상이 동일하더라도 각 군(3a, 3b)을 구성하는 입자의 크기 또는 혼합되는 군(3a, 3b)의 입자 크기 차이(제1 군의 입자 크기와 제2 군의 입자 크기 차이)에 따라 달라질 수 있으며, 베이스 필름(1)의 표면처리 유무 및 표면처리 형태(표면 형상)에 따라 달라질 수 있다.At this time, the mixing ratio of each group (3a, 3b) is the difference in the size of the particles constituting each group (3a, 3b) or the particle size difference between the mixed groups (3a, 3b) even if the shape of the irregularities to be formed is the same. It may vary according to the difference between the particle size of the first group and the particle size of the second group), and may vary depending on the presence or absence of surface treatment of the
또한, 상기 코팅액 제조단계(S3)가 기 설정된 입자 크기 범위를 가지는 실리카 입자로 구성된 비드를 준비하는 비드 준비단계와 준비된 비드, 불소 화합물, 액상 실리콘을 기 설정된 비율로 혼합하는 실리콘 혼합단계로 구성되어 베이스 필름의 일면에 형성되는 코팅층 자체에 불소 화합물을 더 포함하도록 구성되거나, 상기 코팅단계(S3) 이후에 코팅층의 일면에 불소 화합물을 코팅하는 불소 코팅단계를 더 포함하도록 구성되어, 도 5의 제4 실시예에 도시된 바와 같이, 베이스 필름(1)의 일면에 실리콘(2)에 의해 각 비드(3)가 고정된 코팅층의 상부에 별도의 불소 코팅층이 더 형성된 형태로 반도체 몰드용 이형필름(100)을 제조할 수도 있다.In addition, the coating solution manufacturing step (S3) consists of a bead preparation step of preparing beads composed of silica particles having a preset particle size range, and a silicon mixing step of mixing the prepared beads, a fluorine compound, and liquid silicone at a preset ratio. It is configured to further include a fluorine compound in the coating layer itself formed on one side of the base film, or is configured to further include a fluorine coating step of coating a fluorine compound on one side of the coating layer after the coating step (S3). 4 As shown in the embodiment, a release film for a semiconductor mold in a form in which a separate fluorine coating layer is further formed on the top of the coating layer in which each
또는, 상기 코팅액 제조단계(S3)가 기 설정된 입자 크기 범위를 가지는 실리카 입자로 구성된 비드(3)를 준비하는 비드 준비단계와 준비된 비드(3)의 표면에 불소 화합물을 코팅하여 비드 코팅층(3c)을 형성시키는 비드 코팅단계와 비드 코팅층(3c)이 코팅된 비드(3)를 기 설정된 비율로 액상 실리콘과 혼합하는 실리콘 혼합단계로 구성되어, 도 6에 도시된 제5 실시예와 같이 베이스 필름(1)의 일면에 경화된 실리콘(2)에 의해 고정되는 각 비드(3)의 외표면에 불소 화합물이 코팅된 비드 코팅층(3c)이 형성되도록 반도체 몰드용 이형필름(100)을 제조할 수도 있다.Alternatively, a bead preparation step in which the coating solution preparation step (S3) prepares a
이상과 같이 본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 기술되었지만 당업자라면 이러한 기재로부터 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 많은 다양한 자명한 변형이 가능하다는 것은 명백하다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형의 예들을 포함하도록 기술된 청구범위에 의해서 해석되어져야 한다.As described above, the present invention has been described based on a preferred embodiment with reference to the accompanying drawings, but it is apparent to those skilled in the art that many various obvious modifications are possible without departing from the scope of the present invention from this description. Accordingly, the scope of the present invention should be interpreted by the claims set forth to include examples of such many modifications.
1 : 베이스 필름
2 : 실리콘
3 : 비드
4 : 비드 코팅층
100 : 반도체 몰드용 이형필름1: base film
2: silicone
3: Bead
4: bead coating layer
100: release film for semiconductor mold
Claims (17)
금형의 굴곡을 가진 캐비티 면에 배치되어 캐비티 면을 따라 굴곡질 수 있도록 일정 범위의 신율을 가진 베이스 필름과;
상기 베이스 필름의 일면에 배치되어 성형되는 제품의 표면에 요철을 형성하되, 형성되는 요철의 거칠기를 조절하기 위해 입자 크기 범위가 기 설정된 범위로 조절된 비드가 실리콘에 혼합된 코팅층을 포함하며,
상기 코팅층의 비드는
입자 크기 범위가 다른 적어도 2개 이상의 군이 혼합되어 입자 크기 차이에 의해 요철이 형성되되,
건조단계에서 소정의 탄성을 가지는 롤러가 코팅층을 가압하여 코팅층에 포함된 비드 입자를 노출시켜 비드 입자 크기 차이에 의해 요철이 형성되는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름.
In the release film for semiconductor molds, which is disposed on the cavity surface of the mold to adjust the roughness for releasing the molded product when molding a product such as a semiconductor package or a lens of an LED device into a mold,
A base film having a certain range of elongation so that it is disposed on a surface of a cavity having a curvature of the mold so as to be bent along a surface of the cavity;
Arranged on one side of the base film to form irregularities on the surface of the product to be molded, the bead whose particle size range is adjusted to a preset range to control the roughness of the formed irregularities includes a coating layer mixed with silicone,
The bead of the coating layer
At least two or more groups having different particle size ranges are mixed to form irregularities due to the difference in particle size,
In the drying step, a roller having a predetermined elasticity presses the coating layer to expose the bead particles contained in the coating layer, and irregularities are formed due to the difference in the size of the bead particles.
Release film for semiconductor molds that can adjust roughness.
상기 비드는
입자 크기 범위가 다른 적어도 2개 이상의 군이 혼합되어 입자 크기 차이에 의해 요철이 형성되는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름.
The method of claim 1,
The bead is
At least two or more groups having different particle size ranges are mixed to form irregularities due to the difference in particle size.
Release film for semiconductor molds that can adjust roughness.
상기 비드는
실리카 입자로 구성된 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름.
The method of claim 1,
The bead is
Characterized in that consisting of silica particles
Release film for semiconductor molds that can adjust roughness.
상기 비드는
불소 화합물이 코팅된 실리카 입자로 구성된 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름.
The method of claim 1,
The bead is
Characterized in that consisting of silica particles coated with a fluorine compound
Release film for semiconductor molds that can adjust roughness.
상기 코팅층은
불소 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름.
The method of claim 1,
The coating layer
Characterized in that it further comprises a fluorine compound
Release film for semiconductor molds that can adjust roughness.
상기 베이스 필름은
폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름.
The method of claim 1,
The base film is
At least among polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyetheretherketone, and polyamideimide Characterized in that it is configured to include one
Release film for semiconductor molds that can adjust roughness.
상기 베이스 필름은
폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하는 복수 개의 필름이 합지된 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름.
The method of claim 1,
The base film is
At least among polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyetheretherketone, and polyamideimide Characterized in that a plurality of films including one are laminated
Release film for semiconductor molds that can adjust roughness.
상기 베이스 필름은
코팅층이 배치되는 일면이 표면처리되어 요철이 형성된 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름.
The method of claim 1,
The base film is
Characterized in that the unevenness is formed by surface treatment on one side on which the coating layer is placed
Release film for semiconductor molds that can adjust roughness.
일정 범위의 신율을 가진 베이스 필름을 제조하는 필름 제조단계와;
액상 실리콘에 기 설정된 입자 크기 범위를 가지는 비드를 혼합하여 코팅액을 제조하는 코팅액 제조단계와;
제조된 베이스 필름의 일면에 코팅액을 코팅하여 코팅층을 형성하는 코팅단계와;
베이스 필름의 일면에 코팅된 코팅층을 건조시키는 건조단계를 포함하며,
상기 코팅액 제조단계는
비드의 입자 크기 범위가 다른 적어도 2개 이상의 군을 혼합하여 코팅액을 제조함으로써,
상기 코팅단계를 통해 코팅된 코팅층의 표면에 혼합된 군의 비드 입자 크기 차이에 의해 요철이 형성되되,
상기 건조단계는
소정의 탄성을 가지는 롤러를 이용하여 코팅된 코팅층을 가압하여 코팅층에 포함된 비드 입자가 실리콘보다 외부로 노출시켜 입자 크기 차이에 의해 요철이 형성되도록 코팅층을 건조시키는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법.
In the manufacturing method of a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness for releasing the molded product by being disposed on the cavity surface of the mold when molding a product such as a semiconductor package or a lens of an LED device into a mold,
A film manufacturing step of manufacturing a base film having an elongation in a certain range;
A coating solution manufacturing step of preparing a coating solution by mixing beads having a predetermined particle size range with liquid silicone;
A coating step of forming a coating layer by coating a coating solution on one surface of the prepared base film;
Including a drying step of drying the coating layer coated on one side of the base film,
The coating solution manufacturing step
By mixing at least two or more groups having different particle size ranges of beads to prepare a coating solution,
Unevenness is formed due to the difference in particle size of the beads of the group mixed on the surface of the coating layer coated through the coating step,
The drying step
Characterized in that, by pressing the coated coating layer using a roller having a predetermined elasticity, the bead particles contained in the coating layer are exposed to the outside than silicon, and the coating layer is dried so that irregularities are formed due to the difference in particle size.
A method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting roughness.
상기 필름 제조단계는
폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하는 베이스 필름을 제조하는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법.
The method of claim 9,
The film manufacturing step
At least among polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyetheretherketone, and polyamideimide Characterized in that to prepare a base film comprising one
A method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness.
상기 필름 제조단계는
폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하는 복수 개의 필름을 합지하여 베이스 필름을 제조하는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법.
The method of claim 9,
The film manufacturing step
At least among polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyetheretherketone, and polyamideimide Characterized in that to prepare a base film by laminating a plurality of films including one
A method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness.
상기 필름 제조단계는
폴리아세탈, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아미드, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 염화비닐, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 중 적어도 하나를 포함하는 원 재료를 외주면에 요철이 형성된 롤러를 통해 가압하여 일면에 요철이 형성되도록 표면처리된 베이스 필름을 제조하는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법.
The method of claim 9,
The film manufacturing step
At least among polyacetal, polyphenylene oxide, polyamide, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyethersulfone, vinyl chloride, polyarylate, polyetheretherketone, and polyamideimide Characterized in that the raw material including one is pressed through a roller having irregularities formed on the outer circumferential surface to produce a base film with a surface treatment such that irregularities are formed on one surface.
A method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness.
상기 코팅액 제조단계는
기 설정된 입자 크기 범위를 가지는 실리카 입자로 구성된 비드를 준비하는 비드 준비단계와;
준비된 비드의 표면에 불소 화합물을 코팅하는 비드 코팅단계와;
코팅된 비드를 기 설정된 비율로 액상 실리콘과 혼합하는 실리콘 혼합단계로 구성되는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법.
The method of claim 9,
The coating solution manufacturing step
A bead preparation step of preparing beads composed of silica particles having a predetermined particle size range;
A bead coating step of coating a fluorine compound on the surface of the prepared bead;
Characterized in that it consists of a silicone mixing step of mixing the coated beads with liquid silicone at a preset ratio.
A method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness.
상기 코팅액 제조단계는
기 설정된 입자 크기 범위를 가지는 실리카 입자로 구성된 비드를 준비하는 비드 준비단계와;
준비된 비드, 불소 화합물, 액상 실리콘을 기 설정된 비율로 혼합하는 실리콘 혼합단계로 구성되는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법.
The method of claim 9,
The coating solution manufacturing step
A bead preparation step of preparing beads composed of silica particles having a predetermined particle size range;
It is characterized in that it consists of a silicone mixing step of mixing the prepared beads, fluorine compound, and liquid silicone in a preset ratio.
A method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness.
상기 코팅단계 이후에
코팅층의 일면에 불소 화합물을 코팅하는 불소 코팅단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는
거칠기 조절이 가능한 반도체 몰드용 이형필름의 제조방법.
The method of claim 9,
After the coating step
It characterized in that it further comprises a fluorine coating step of coating a fluorine compound on one side of the coating layer.
A method of manufacturing a release film for a semiconductor mold capable of adjusting the roughness.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190147443A KR102226153B1 (en) | 2019-11-18 | 2019-11-18 | release film for semiconductor mold with adjustable roughness, and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190147443A KR102226153B1 (en) | 2019-11-18 | 2019-11-18 | release film for semiconductor mold with adjustable roughness, and manufacturing method thereof |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102226153B1 true KR102226153B1 (en) | 2021-03-10 |
Family
ID=75147750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190147443A KR102226153B1 (en) | 2019-11-18 | 2019-11-18 | release film for semiconductor mold with adjustable roughness, and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102226153B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118124233A (en) * | 2024-01-29 | 2024-06-04 | 苏州市奥贝新材料科技有限公司 | Light release force composite release film and preparation method thereof |
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2019
- 2019-11-18 KR KR1020190147443A patent/KR102226153B1/en active IP Right Grant
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