KR102218676B1 - Imprint method via selectively forming a release film - Google Patents

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Abstract

이형막의 선택적 형성을 통한 임프린트 방법에서, 몰드 패턴이 형성된 패턴 영역, 및 상기 패턴 영역 외의 비패턴 영역으로 구분된 임프린트 몰드 상에, 이형막을 상기 패턴 영역 또는 상기 비패턴 영역에만 선택적으로 형성한다. 상기 패턴 영역 상에 레진을 충진한다. 타깃 기판을 상기 임프린트 몰드에 점착하여, 상기 충진된 레진을 상기 타깃 기판으로 전사한다. In the imprint method through selective formation of a release film, a release film is selectively formed only in the pattern region or the non-pattern region on the imprint mold divided into a pattern region in which a mold pattern is formed and a non-pattern region other than the pattern region. A resin is filled on the pattern area. A target substrate is adhered to the imprint mold, and the filled resin is transferred to the target substrate.

Description

이형막의 선택적 형성을 통한 임프린트 방법{IMPRINT METHOD VIA SELECTIVELY FORMING A RELEASE FILM}Imprint method through selective formation of release film {IMPRINT METHOD VIA SELECTIVELY FORMING A RELEASE FILM}

본 발명은 임프린트 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 나노템플릿을 이용한 임프린트 공정에서, 잔류 레진막의 형성을 최소화하여 안정적으로 나노 패턴을 형성할 수 있는 이형막의 선택적 형성을 통한 임프린트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprint method, and more particularly, to an imprint method through selective formation of a release film capable of stably forming a nano pattern by minimizing the formation of a residual resin film in an imprint process using a nano template.

임프린트(imprint) 공정은 임프린트 레진(resin)을 도포하고, 그 위에 소정의 패턴이 형성된 템플릿(template)을 임프린트하여 역상의 구조를 복제하는 기술이다. 이 경우, 상기 경화된 레진은 음각 구조 내에만 존재하지 않으며 일정한 두께를 갖는 잔류층막을 형성하게 되는데, 이는 후속되는 공정에서 별도로 제거되지 않는다면 최종 제작되는 소자의 품질이나 성능을 저하시키는 원인이 된다. The imprint process is a technique in which imprint resin is applied and a template having a predetermined pattern formed thereon is imprinted to duplicate a reversed-phase structure. In this case, the cured resin does not exist only in the intaglio structure, and forms a residual layer film having a certain thickness, which is a cause of deteriorating the quality or performance of the finally manufactured device unless it is separately removed in a subsequent process.

이에 따라, 상기 임프린트 공정에서, 상기 잔류층막을 최소화하거나 모두 제거하는, 소위 무잔류층 공정을 구현하기 위한 다양한 개발이 진행되고 있다. Accordingly, in the imprint process, various developments have been made to implement a so-called residual layer process in which the residual layer film is minimized or all of the residual layer layers are removed.

대표적인 무잔류층 공정을 구현하는 방법으로 소위, 역 임프린트(inverse imprint) 방법이 대한민국 등록특허 제10-1575879호 등을 통해 제시되고 있다. As a representative method of implementing a residual layer process, a so-called inverse imprint method has been proposed through Korean Patent No. 10-1575879.

상기 역 임프린트 방법에서는, 도 1a 내지 도 1d를 통해 도시된 바와 같이, 마스터 몰드(10)로부터 몰드 패턴(21)이 형성된 임프린트 몰드(20)를 제작한 후, 몰드 패턴(21) 상에 레진(30)을 도포하고 이를 타깃 기판(40)에 전사함으로써 타깃 기판(40) 상에 나노 패턴(41)을 형성하는 것을 특징으로 한다. In the reverse imprint method, as shown through FIGS. 1A to 1D, after manufacturing the imprint mold 20 in which the mold pattern 21 is formed from the master mold 10, resin ( 30) is applied and transferred to the target substrate 40 to form the nano pattern 41 on the target substrate 40.

그러나, 상기 역 임프린트 방법에서, 상기 레진(30)을 몰드 패턴(21) 상에 스핀 코팅을 통해 도포하는 경우, 상기 몰드 패턴(21)의 함입부 내에만 충진되도록 하여야 하는데, 상기 몰드 패턴(21)의 크기가 수백 나노미터(nm)의 범위인 경우와, 수 마이크로미터(ㅅm)의 범위인 경우, 충진 조건이 서로 달라지기 때문에 이를 균일하게 유지하지 못하는 한계가 있다. However, in the reverse imprint method, when the resin 30 is applied on the mold pattern 21 through spin coating, the mold pattern 21 must be filled only in the recessed portion of the mold pattern 21. In the case where the size of) is in the range of several hundred nanometers (nm) and in the range of several micrometers (?), there is a limitation in that the filling conditions are different from each other, and thus it cannot be uniformly maintained.

또한, 상기 몰드 패턴(21) 상에 충진된 상기 레진(30)의 양에 따라, 상기 타깃 기판(40)으로의 전사시 전사가 충분히 수행되지 않거나, 잔류막이 형성되는 문제가 있다. In addition, depending on the amount of the resin 30 filled on the mold pattern 21, there is a problem in that the transfer to the target substrate 40 is not sufficiently performed or a residual film is formed when transferring to the target substrate 40.

대한민국 등록특허 제10-1575879호Korean Patent Registration No. 10-1575879

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 최종 형성되는 나노 패턴의 크기나, 몰드 패턴 상에 충진되는 레진의 양과 무관하게, 즉, 다양한 임프린트 환경에서, 잔류 레진막의 형성을 최소화하거나 차단하여, 소위, 무잔류층을 안정적으로 구현 가능한 이형막의 선택적 형성을 통한 임프린트 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the technical problem of the present invention is conceived in this respect, and the object of the present invention is to prevent the residual resin film regardless of the size of the final formed nanopattern or the amount of resin to be filled on the mold pattern, that is, in various imprint environments. It is to provide an imprint method through selective formation of a release film capable of stably implementing a so-called residual layer by minimizing or blocking formation.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 의한 임프린트 방법에서, 몰드 패턴이 형성된 패턴 영역, 및 상기 패턴 영역 외의 비패턴 영역으로 구분된 임프린트 몰드 상에, 이형막을 상기 패턴 영역 또는 상기 비패턴 영역에만 선택적으로 형성한다. 상기 패턴 영역 상에 레진을 충진한다. 타깃 기판을 상기 임프린트 몰드에 점착하여, 상기 충진된 레진을 상기 타깃 기판으로 전사한다. In the imprint method according to an embodiment for realizing the object of the present invention, on the imprint mold divided into a pattern area in which a mold pattern is formed and a non-pattern area other than the pattern area, a release film is formed in the pattern area or It is selectively formed only in the pattern area. A resin is filled on the pattern area. A target substrate is adhered to the imprint mold, and the filled resin is transferred to the target substrate.

일 실시예에서, 상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계에서, 상기 비패턴 영역 상에, 소수성 이형막을 선택적으로 형성할 수 있다. In an embodiment, in the step of selectively forming the release film, a hydrophobic release film may be selectively formed on the non-pattern region.

일 실시예에서, 상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계는, 상기 임프린트 몰드 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계, 상기 패시베이션 층을 에칭하여 상기 패턴 영역 상에만 잔류시키는 단계, 상기 임프린트 몰드 및 상기 패시베이션 층 상에 상기 소수성 이형막을 형성하는 단계, 및 상기 패시베이션 층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. In one embodiment, the step of selectively forming the release layer comprises: forming a passivation layer on the imprint mold, etching the passivation layer to remain only on the pattern area, and on the imprint mold and the passivation layer. It may include the step of forming the hydrophobic release layer and removing the passivation layer.

일 실시예에서, 상기 패시베이션 층을 제거하는 단계에서, 상기 패시베이션 층을 제거하는 용매를 이용하여, 상기 패시베이션 층 및 상기 패시베이션 층 상에 형성된 상기 소수성 이형막을 리프트 오프(lift-off)하여 제거할 수 있다. In one embodiment, in the step of removing the passivation layer, the passivation layer and the hydrophobic release film formed on the passivation layer may be lifted off and removed using a solvent for removing the passivation layer. have.

일 실시예에서, 상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계는, 마스킹 블록 상에 상기 패턴 영역을 커버하는 마스킹 패턴을 형성하는 단계, 상기 마스킹 블록을 상기 임프린트 몰드로 접근시켜, 상기 마스킹 패턴으로 상기 패턴 영역을 마스킹하는 단계, 상기 비패턴 영역에 상기 소수성 이형막을 형성하는 단계, 및 상기 마스킹 블록을 상기 임프린트 몰드로부터 이격시켜, 상기 마스킹 패턴을 상기 패턴 영역으로부터 제거하는 단계를 포함할 수 있다. In an embodiment, the selectively forming the release layer includes forming a masking pattern covering the pattern area on a masking block, accessing the masking block to the imprint mold, and forming the pattern area as the masking pattern. Masking, forming the hydrophobic release layer in the non-pattern area, and removing the masking pattern from the pattern area by separating the masking block from the imprint mold.

일 실시예에서, 상기 소수성 이형막을 형성하는 단계에서, 상기 소수성 이형막을 기상증착법으로 상기 비패턴 영역에 형성할 수 있다. In one embodiment, in the step of forming the hydrophobic release film, the hydrophobic release film may be formed in the non-pattern region by a vapor deposition method.

일 실시예에서, 상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계는, 상기 소수성 이형막을 전사기판 상에 형성하는 단계, 상기 전사기판을 상기 임프린트 몰드 상에 점착시키는 단계, 및 상기 전사기판을 상기 임프린트 몰드로부터 탈착시켜, 상기 비패턴 영역 상에 상기 소수성 이형막을 잔류시키는 단계를 포함할 수 있다. In one embodiment, the selectively forming the release film comprises: forming the hydrophobic release film on a transfer substrate, adhering the transfer substrate onto the imprint mold, and detaching the transfer substrate from the imprint mold. So that the hydrophobic release layer remains on the non-patterned region.

일 실시예에서, 상기 전사기판을 상기 임프린트 몰드 상에 점착시키기 전에, 상기 임프린트 몰드의 표면을 개질하거나, 상기 임프린트 몰드의 표면에 제1 물질을 증착시키는 단계를 더 포함할 수 있다. In an embodiment, before adhering the transfer substrate to the imprint mold, the step of modifying the surface of the imprint mold or depositing a first material on the surface of the imprint mold may be further included.

일 실시예에서, 상기 임프린트 몰드의 표면을 상기 소수성 이형막과의 점착성을 향상시키도록 개질하거나, 상기 제1 물질은, 상기 소수성 이형막과의 점착력이, 상기 전사기판과 상기 소수성 이형막 사이의 점착력보다 큰 물질일 수 있다. In one embodiment, the surface of the imprint mold is modified to improve adhesion with the hydrophobic release film, or the first material has an adhesive strength with the hydrophobic release film, between the transfer substrate and the hydrophobic release film. It may be a material greater than adhesion.

일 실시예에서, 상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계에서, 상기 패턴 영역 상에, 친수성 이형막을 선택적으로 형성할 수 있다. In one embodiment, in the step of selectively forming the release film, a hydrophilic release film may be selectively formed on the pattern region.

일 실시예에서, 상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계에서, 상기 친수성 이형막을 상기 임프린트 몰드 상에 형성하는 단계, 점착층을 전사기판 상에 형성하는 단계, 상기 전사기판을 상기 임프린트 몰드 상에 점착시키는 단계, 및 상기 전사기판을 상기 임프린트 몰드로부터 탈착시켜, 상기 패턴 영역 상에 상기 친수성 이형막을 잔류시키는 단계를 포함할 수 있다. In one embodiment, in the step of selectively forming the release film, forming the hydrophilic release film on the imprint mold, forming an adhesive layer on the transfer substrate, and adhering the transfer substrate on the imprint mold And detaching the transfer substrate from the imprint mold to leave the hydrophilic release film on the pattern area.

일 실시예에서, 상기 친수성 이형막과 상기 점착층 사이의 점착력이 상기 친수성 이형막과 상기 임프린트 몰드 사이의 점착력보다 클 수 있다. In one embodiment, the adhesive force between the hydrophilic release film and the adhesive layer may be greater than the adhesive force between the hydrophilic release film and the imprint mold.

본 발명의 실시예들에 의하면, 몰드 패턴의 비패턴 영역 상에 소수성 이형막이 형성되는 경우, 레진은 패턴 영역에만 선택적으로 충진되므로 타깃 기판으로의 전사시 잔류층이 형성되는 것이 방지되며, 타깃 기판이 몰드 패턴에 점착한 상태로부터 이형되는 경우 상기 소수성 이형막에 의해 보다 용이한 이형이 가능할 수 있다. According to embodiments of the present invention, when the hydrophobic release layer is formed on the non-pattern area of the mold pattern, the resin is selectively filled only in the pattern area, so that the residual layer is prevented from being formed during transfer to the target substrate. In the case of being released from the state adhered to the mold pattern, the hydrophobic release film may enable easier release.

이와 달리, 몰드 패턴의 패턴 영역 상에 친수성 이형막이 형성되는 경우에도, 레진은 패턴 영역에만 선택적으로 충진되므로 타깃 기판으로의 전사시 잔류층이 형성되는 것을 최소화할 수 있다. In contrast, even when the hydrophilic release layer is formed on the pattern area of the mold pattern, since the resin is selectively filled only in the pattern area, it is possible to minimize the formation of a residual layer during transfer to the target substrate.

한편, 상기 소수성 이형막의 형성에 있어, 패시베이션 층을 이용한 리프트 오프 방식의 경우, 소수성 이형막이 패시베이션 층의 제거와 함께 제거될 수 있어, 소수성 이형막이 비패턴 영역에만 용이하게 형성될 수 있다. Meanwhile, in the formation of the hydrophobic release film, in the case of a lift-off method using a passivation layer, the hydrophobic release film can be removed together with the removal of the passivation layer, so that the hydrophobic release film can be easily formed only in the non-pattern region.

또한, 마스킹 패턴이 형성된 마스킹 블록을 이용하는 경우, 상대적으로 단순한 공정을 통해서 소수성 이형막을 비패턴 영역에 매우 균일하게 형성할 수 있으며, 전사기판을 이용하는 경우, 소수성 이형막과의 점착성의 차이를 이용하여 소수성 이형막을 선택적으로 형성할 수 있어, 공정이 단순하면서도 균일한 이형막의 형성이 가능하다. In addition, when using a masking block on which a masking pattern is formed, a hydrophobic release film can be formed very uniformly in a non-patterned region through a relatively simple process. When using a transfer substrate, the difference in adhesion with the hydrophobic release film is used. Since a hydrophobic release film can be selectively formed, a simple process and a uniform release film can be formed.

한편, 상기 친수성 이형막의 형성에 있어서도, 전사기판을 이용하는 경우, 친수성 이형막과의 점착성의 차이를 이용하여 친수성 이형막을 선택적으로 형성할 수 있으므로, 마찬가지로 공정이 단순하면서도 균일한 이형막의 형성이 가능하다. On the other hand, in the formation of the hydrophilic release film, when a transfer substrate is used, a hydrophilic release film can be selectively formed by using the difference in adhesiveness from the hydrophilic release film, so that the process is similarly simple and a uniform release film can be formed. .

즉, 이형막의 재료상의 특성을 고려하여, 소수성 이형막의 경우, 비패턴 영역에만 잔류하도록 공정을 적용할 수 있으며, 친수성 이형막의 경우, 패턴 영역에만 잔류하도록 공정을 적용할 수 있어, 다양한 이형막의 재료에 대하여 최적의 공정 선택으로, 역 임프린트 공정을 다양하게 수행할 수 있다. That is, considering the material properties of the release film, in the case of a hydrophobic release film, a process can be applied to remain only in the non-pattern region, and in the case of a hydrophilic release film, a process can be applied to remain only in the pattern region. With respect to the optimal process selection, the reverse imprint process can be variously performed.

도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 의한 무잔류층 구현을 위한 임프린트 방법을 도시한 공정도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 임프린트 방법을 도시한 흐름도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 2의 임프린트 방법을 도시한 공정도들이다.
도 4는 도 2의 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5d는 도 4의 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 공정도들이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 임프린트 방법에서, 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7d는 도 6의 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 공정도들이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 임프린트 방법에서, 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 흐름도이다.
도 9a 내지 도 9c는 도 8의 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 공정도들이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 임프린트 방법을 도시한 흐름도이다.
도 11a 내지 도 11c는 도 10의 임프린트 방법을 도시한 공정도이다.
도 12는 도 10의 친수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 흐름도이다.
도 13a 내지 도 13d는 도 12의 친수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 공정도들이다. 1A to 1D are process diagrams illustrating an imprint method for realizing a residual layer according to the prior art.
2 is a flowchart showing an imprint method according to an embodiment of the present invention.
3A to 3C are process diagrams illustrating the imprint method of FIG. 2.
4 is a flowchart illustrating a step of forming the hydrophobic release layer of FIG. 2.
5A to 5D are process diagrams illustrating steps of forming the hydrophobic release layer of FIG. 4.
6 is a flowchart illustrating a step of forming a hydrophobic release film in an imprint method according to another embodiment of the present invention.
7A to 7D are process diagrams illustrating steps of forming the hydrophobic release layer of FIG. 6.
8 is a flowchart illustrating a step of forming a hydrophobic release film in an imprint method according to another embodiment of the present invention.
9A to 9C are process diagrams illustrating steps of forming the hydrophobic release layer of FIG. 8.
10 is a flowchart showing an imprint method according to another embodiment of the present invention.
11A to 11C are process diagrams illustrating the imprint method of FIG. 10.
12 is a flow chart showing the step of forming the hydrophilic release film of FIG. 10.
13A to 13D are process diagrams illustrating steps of forming the hydrophilic release layer of FIG. 12.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. The present invention will be described in detail in the text, since various modifications can be made and various forms can be obtained. However, this is not intended to limit the present invention to a specific form of disclosure, it is to be understood as including all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each drawing, similar reference numerals have been used for similar elements. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In the present application, terms such as "comprise" or "consist of" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, elements, parts, or a combination thereof described in the specification, but one or more other features. It is to be understood that the presence or addition of elements or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, does not preclude in advance the possibility of being added.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in this application. Does not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 임프린트 방법을 도시한 흐름도이다. 도 3a 내지 도 3c는 도 2의 임프린트 방법을 도시한 공정도들이다. 2 is a flowchart showing an imprint method according to an embodiment of the present invention. 3A to 3C are process diagrams illustrating the imprint method of FIG. 2.

도 2 및 도 3a를 참조하면, 본 실시예에 의한 임프린트(imprint) 방법에서는, 우선, 임프린트 몰드(mold)(100)의 비패턴 영역(B) 상에 소수성 이형막(120)을 형성한다(단계 S100). 2 and 3A, in the imprint method according to the present embodiment, first, a hydrophobic release film 120 is formed on the non-pattern region B of the imprint mold 100 ( Step S100).

상기 임프린트 몰드(100)는 최종 형성하고자 하는 나노 패턴과는 반대되는 형상의 몰드 패턴(110)이 형성되며, 이에, 상기 몰드 패턴(110)이 형성되는 영역인 패턴 영역(A)과, 상기 몰드 패턴(110)이 형성되지 않은 비패턴 영역(B)으로 구분된다. In the imprint mold 100, a mold pattern 110 having a shape opposite to the nano-pattern to be finally formed is formed, and thus, a pattern region A, which is an area in which the mold pattern 110 is formed, and the mold The pattern 110 is divided into a non-pattern area B in which no pattern is formed.

이 경우, 상기 몰드 패턴(110)은 상기 나노 패턴을 고려하여 반대의 패턴으로 기 형성된 것으로, 상기 몰드 패턴(110)의 형성 방법은 종래의 다양한 방법이 적용될 수 있으며, 이하에서는 상세한 설명은 생략한다. In this case, the mold pattern 110 is previously formed in an opposite pattern in consideration of the nano pattern, and various conventional methods may be applied to the method of forming the mold pattern 110, and detailed descriptions will be omitted hereinafter. .

본 실시예의 경우, 상기 임프린트 몰드(100)의 상기 비패턴 영역(B) 전체에 상기 소수성(hydrophobic) 이형막(release film)(120)이 균일한 두께로 형성된다. In this embodiment, the hydrophobic release film 120 is formed to have a uniform thickness over the entire non-pattern region B of the imprint mold 100.

이 후, 도 2 및 도 3b를 참조하면, 상기 임프린트 몰드(100)의 상기 패턴 영역(A) 상에 레진(resin)(200)을 충진한다(단계 S200). Thereafter, referring to FIGS. 2 and 3B, a resin 200 is filled on the pattern area A of the imprint mold 100 (step S200).

이 경우, 상기 레진(200)은 도시하지는 않았으나, 별도의 디스펜서(dispenser) 등을 통해 상기 임프린트 몰드(100)의 상부로부터 제공될 수 있으며, 상기 레진(200)은 친수성(hydrophilic) 성질을 가지므로, 상기 소수성 이형막이 형성된 상기 비패턴 영역(B)에는 형성되지 않으며, 이에 따라 상기 패턴 영역(A)으로만 자연스럽게 충진된다. In this case, the resin 200 is not shown, but may be provided from the upper portion of the imprint mold 100 through a separate dispenser, etc., and the resin 200 has hydrophilic properties. , It is not formed in the non-pattern region B where the hydrophobic release layer is formed, and thus is naturally filled only with the pattern region A.

이와 같이, 상기 레진(200)이 상기 패턴 영역(A)에만 충진됨으로써, 상기 몰드 패턴(110) 상에는 상기 레진(200)이 충분하게 충진되게 된다. In this way, since the resin 200 is filled only in the pattern area A, the resin 200 is sufficiently filled on the mold pattern 110.

이 후, 도 2 및 도 3c를 참조하면, 타깃 기판(310)을 상기 임프린트 몰드(100)에 점착하여, 상기 충진된 레진(200)을 상기 타깃 기판(310)으로 전사한다(단계 S300). Thereafter, referring to FIGS. 2 and 3C, a target substrate 310 is adhered to the imprint mold 100, and the filled resin 200 is transferred to the target substrate 310 (step S300 ).

이 경우, 상기 타깃 기판(310)은 별도의 고정 기판(300) 상에 배치되어, 상기 고정 기판(300)에 의해 상기 임프린트 몰드(100)의 상부로 이송될 수 있다. In this case, the target substrate 310 may be disposed on a separate fixed substrate 300 and transferred to the upper portion of the imprint mold 100 by the fixed substrate 300.

또한, 상기 타깃 기판(310)이 상기 임프린트 몰드(100)에 점착한 상태에서, 상기 레진(200)을 경화시키기 위한 경화 공정이 동시에 수행될 수 있다. In addition, while the target substrate 310 is adhered to the imprint mold 100, a curing process for curing the resin 200 may be simultaneously performed.

즉, 상기 레진(200)은 경화되어 소정의 나노 몰드(210)를 형성하게 되며, 상기 나노 몰드(210) 상에는, 최종적으로 형성하고자 하는 나노 패턴(220)이, 상기 몰드 패턴(110)의 형상에 반대되는 형상으로 형성된다. That is, the resin 200 is cured to form a predetermined nano-mold 210, and on the nano-mold 210, the nano-pattern 220 to be finally formed is the shape of the mold pattern 110 It is formed in the opposite shape.

그리하여, 상기 타깃 기판(310)이, 상기 레진(200)의 경화 후 상기 임프린트 몰드(100)로부터 탈착되면, 상기 나노 패턴(220)이 형성된 상기 나노 몰드(210)는 상기 타깃 기판(310) 상으로 전사되며, 이를 통해, 최종적으로 상기 타깃 기판(310) 상에는 나노 패턴(220)이 형성된 나노 몰드(210)가 위치하게 된다. Thus, when the target substrate 310 is detached from the imprint mold 100 after curing of the resin 200, the nano mold 210 on which the nano pattern 220 is formed is formed on the target substrate 310 And, through this, the nano mold 210 on which the nano pattern 220 is formed is finally positioned on the target substrate 310.

이 경우, 앞서 설명한 바와 같이, 상기 레진(200)은 친수성 성질을 가지는 것으로, 상기 패턴 영역(A) 상에만 충진되므로, 상기 몰드 패턴(110)의 형상, 크기와 무관하게 상기 몰드 패턴(110)과 반대되는 나노 패턴(220)으로 구현되고, 상기 비패턴 영역(B)으로부터 상기 타깃 기판(310)으로 전사되는 패턴이나 층은 형성되지 않게 된다. In this case, as described above, the resin 200 has hydrophilic properties and is filled only on the pattern area A, so that the mold pattern 110 is irrespective of the shape and size of the mold pattern 110. A pattern or layer that is implemented as a nano-pattern 220 opposite to and transferred from the non-pattern region B to the target substrate 310 is not formed.

따라서, 상기 임프린트 공정을 통해, 상기 타깃 기판(310)으로 나노 패턴(220)을 형성함에 있어, 안정적으로 무잔류층을 구현할 수 있게 된다. Accordingly, in forming the nano-pattern 220 on the target substrate 310 through the imprint process, a residual free layer can be stably implemented.

이하에서는, 상기 소수성 이형막을 형성하는 단계(단계 S100)에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the step of forming the hydrophobic release film (step S100) will be described in more detail.

도 4는 도 2의 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 흐름도이다. 도 5a 내지 도 5d는 도 4의 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 공정도들이다. 4 is a flowchart illustrating a step of forming the hydrophobic release layer of FIG. 2. 5A to 5D are process diagrams illustrating steps of forming the hydrophobic release layer of FIG. 4.

도 4 및 도 5a를 참조하면, 상기 소수성 이형막을 형성하는 단계(단계 S100)에서는, 우선, 상기 임프린트 몰드(100) 상에 패시베이션(passivation) 층(400)을 형성한다(단계 S101). Referring to FIGS. 4 and 5A, in the step of forming the hydrophobic release film (step S100), first, a passivation layer 400 is formed on the imprint mold 100 (step S101).

이 경우, 상기 패시베이션 층(400)은, 상기 임프린트 몰드(100)의 패턴 영역(A)은 물론 비패턴 영역(B)에 까지 모두 형성되며, 상기 비패턴 영역(B)에는 균일한 두께로 형성되지만, 상기 패턴 영역(A)의 경우, 상기 몰드 패턴(110)이 형성되므로, 상기 몰드 패턴(110)에 따라 다른 두께로 형성된다. In this case, the passivation layer 400 is formed not only in the pattern area A of the imprint mold 100 but also in the non-pattern area B, and the non-pattern area B has a uniform thickness. However, in the case of the pattern area A, since the mold pattern 110 is formed, it is formed to have a different thickness according to the mold pattern 110.

그리하여, 상기 패시베이션 층(400)은, 전체적으로 동일한 높이를 형성하도록 형성될 수 있다. Thus, the passivation layer 400 may be formed to form the same height as a whole.

즉, 상기 패시베이션 층(400)은, 상기 임프린트 몰드(100) 상에 코팅 공정을 통해 코팅된 후, 평탄화 공정을 통해 동일한 높이를 형성하도록 평탄화될 수 있다. That is, the passivation layer 400 may be coated on the imprint mold 100 through a coating process and then planarized to form the same height through a planarization process.

이 후, 도 4 및 도 5b를 참조하면, 상기 패시베이션 층(400)을 에칭(etching)하여, 상기 패시베이션 층(400)을 상기 패턴 영역(A) 상에만 잔류시킨다(단계 S102). Thereafter, referring to FIGS. 4 and 5B, the passivation layer 400 is etched so that the passivation layer 400 remains only on the pattern area A (step S102).

즉, 상기 패시베이션 층(400)을 에치 다운(etch-down) 공정을 통해 에칭함으로써, 상기 비패턴 영역(B) 상의 패시베이션 층(400)은 모두 제거하여 상기 비패턴 영역(B)은 외부로 노출시키고, 상기 패턴 영역(A) 상에만 상기 패시베이션 층(400)이 잔류하도록 한다. That is, by etching the passivation layer 400 through an etch-down process, all the passivation layer 400 on the non-pattern area B is removed, and the non-pattern area B is exposed to the outside. And the passivation layer 400 remains only on the pattern area A.

이 후, 도 4 및 도 5c를 참조하면, 상기 임프린트 몰드(100) 및 상기 패시베이션 층(400)의 상면에 상기 소수성 이형막(120)을 형성한다(단계 S103). Thereafter, referring to FIGS. 4 and 5C, the hydrophobic release layer 120 is formed on the upper surfaces of the imprint mold 100 and the passivation layer 400 (step S103).

상기 패시베이션 층(400)의 에칭 공정을 통해, 상기 패턴 영역(A)에 형성된 상기 패시베이션 층(400)의 상면은 상기 비패턴 영역(B)의 상기 임프린트 몰드(100)의 상면과 동일한 평면을 이루게 된다. Through the etching process of the passivation layer 400, the upper surface of the passivation layer 400 formed in the pattern region A forms the same plane as the upper surface of the imprint mold 100 in the non-pattern region B. do.

이에 따라, 상기 소수성 이형막(120)은, 도시된 바와 같이, 상기 임프린트 몰드(100)의 비패턴 영역(B)의 상면, 및 상기 패시베이션 층(400)의 상면에 균일하게 동일한 평면으로 형성된다. Accordingly, the hydrophobic release film 120 is uniformly formed in the same plane on the top surface of the non-pattern region B of the imprint mold 100 and the top surface of the passivation layer 400, as shown. .

이 후, 도 4 및 도 5d를 참조하면, 상기 패시베이션 층(400)을 제거하여, 상기 비패턴 영역(B) 상에만 상기 소수성 이형막(120)이 잔류하도록 한다(단계 S104). Thereafter, referring to FIGS. 4 and 5D, the passivation layer 400 is removed so that the hydrophobic release layer 120 remains only on the non-pattern region B (step S104).

이 경우, 상기 패시베이션 층(400)은 상기 패시베이션 층(400)만 선택적으로 용해시킬 수 있는 별도의 유기용매를 통해 제거될 수 있다. In this case, the passivation layer 400 may be removed through a separate organic solvent capable of selectively dissolving only the passivation layer 400.

즉, 상기 패시베이션 층(400)이 형성된 상기 임프린트 몰드(100)를, 상기 유기용매가 담긴 챔버에 담그거나, 상기 임프린트 몰드(100)로 상기 유기용매를 공급함으로써, 상기 패시베이션 층(400)만 선택적으로 제거될 수 있다. That is, by immersing the imprint mold 100 in which the passivation layer 400 is formed in a chamber containing the organic solvent or supplying the organic solvent to the imprint mold 100, only the passivation layer 400 is selectively selected. Can be removed.

이 경우, 상기 패시베이션 층(400)이 상기 임프린트 몰드(100)로부터 제거됨에 따라, 상기 패시베이션 층(400)의 상면에 형성된 상기 소수성 이형막(120)도 리프트 오프(lift-off)되어 함께 제거된다. In this case, as the passivation layer 400 is removed from the imprint mold 100, the hydrophobic release film 120 formed on the upper surface of the passivation layer 400 is also lifted off and removed together. .

그러나, 상기 비패턴 영역(B) 상에 형성된 상기 소수성 이형막(120)은, 상기 임프린트 몰드(100) 상에 높은 점착력으로 고정된 상태이므로, 상기 패시베이션 층(400)의 제거와 무관하게 상기 비패턴 영역(B) 상에 잔류하게 된다. However, since the hydrophobic release film 120 formed on the non-pattern region B is fixed on the imprint mold 100 with a high adhesive force, the non-regardless of the removal of the passivation layer 400 It remains on the pattern area B.

그리하여, 도 5d 및 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 임프린트 몰드(100)의 비패턴 영역(B) 상에만 상기 소수성 이형막(120)이 형성되게 된다. Thus, as shown in FIGS. 5D and 3A, the hydrophobic release layer 120 is formed only on the non-pattern region B of the imprint mold 100.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 임프린트 방법에서, 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 흐름도이다. 도 7a 내지 도 7d는 도 6의 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 공정도들이다. 6 is a flowchart illustrating a step of forming a hydrophobic release film in an imprint method according to another embodiment of the present invention. 7A to 7D are process diagrams illustrating steps of forming the hydrophobic release layer of FIG. 6.

본 실시예에 의한 임프린트 방법은, 도 2 내지 도 3c를 참조하여 설명한 상기 임프린트 방법에서, 상기 소수성 이형막을 형성하는 단계(단계 S100)를 제외하고는 실질적으로 동일한 것으로, 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하고 중복되는 설명은 이를 생략한다. The imprint method according to this embodiment is substantially the same except for the step of forming the hydrophobic release film (step S100) in the imprint method described with reference to FIGS. 2 to 3C, and the same reference for the same components Numbers are used and duplicate descriptions are omitted.

이에, 이하에서는, 상기 소수성 이형막을 형성하는 단계(단계 S110)에 대하여만 설명한다. Therefore, hereinafter, only the step of forming the hydrophobic release film (step S110) will be described.

즉, 도 6 및 도 7a를 참조하면, 상기 소수성 이형막(120)을 형성하는 단계(단계 S110)에서는, 우선, 마스킹 블록(500) 상에 마스킹 패턴(510)을 형성한다(단계 S111). That is, referring to FIGS. 6 and 7A, in the step of forming the hydrophobic release layer 120 (step S110), first, a masking pattern 510 is formed on the masking block 500 (step S111).

이 경우, 상기 마스킹(masking) 패턴(510)은 대략 수십 마이크로미터(ㅅm)의 두께를 가지도록 상기 마스킹 블록(500)의 저면에 형성되며, 상기 마스킹 패턴(510)이 형성되는 면적은 상기 임프린트 몰드(100)의 상기 패턴영역(A)의 면적을 고려하여 형성된다. In this case, the masking pattern 510 is formed on the bottom surface of the masking block 500 to have a thickness of about tens of micrometers, and the area in which the masking pattern 510 is formed is It is formed in consideration of the area of the pattern area A of the imprint mold 100.

즉, 상기 마스킹 패턴(510)은 상기 패턴영역(A)을 커버할 수 있도록, 상기 패턴영역(A)의 면적이상으로 형성될 수 있다. That is, the masking pattern 510 may be formed to be larger than the area of the pattern area A so as to cover the pattern area A.

이 경우, 상기 마스킹 패턴(510)의 면적에 따라, 후술되는 상기 소수성 이형막(120)의 형성 범위가 결정되므로, 상기 마스킹 패턴(510)은 상기 패턴영역(A)의 면적 이상이되, 만약 상기 패턴영역(A)의 면적보다 크게 형성되더라도 큰 면적은 최소가 되도록 형성되어야 한다. In this case, since the formation range of the hydrophobic release layer 120 to be described later is determined according to the area of the masking pattern 510, the masking pattern 510 is larger than the area of the pattern area A, if the Even if it is formed larger than the area of the pattern area A, it should be formed so that the large area is minimized.

즉, 후술되는 공정에서, 상기 마스킹 패턴(510)은 상기 패턴 영역(A)과 상기 비패턴영역(B)의 경계에 위치하는데, 상기 마스킹 패턴(510)이 상기 소수성 이형막(120)이 상기 패턴 영역(A)의 내측으로 진입하는 것을 차단할 수 있을 정도만큼만, 상기 패턴영역(A)의 면적보다 크게 형성될 수 있다. That is, in a process to be described later, the masking pattern 510 is located at the boundary between the pattern area A and the non-pattern area B, and the masking pattern 510 is the hydrophobic release layer 120. It may be formed to be larger than the area of the pattern area A only enough to block entry into the pattern area A.

이 후, 도 6 및 도 7b를 참조하면, 상기 마스킹 패턴(510)을 상기 임프린트 몰드(100)의 패턴 영역(A)으로 접근시켜, 상기 마스킹 패턴(510)으로 상기패턴 영역(A)을 마스킹 한다(단계 S112). Thereafter, referring to FIGS. 6 and 7B, the masking pattern 510 is approached to the pattern area A of the imprint mold 100, and the pattern area A is masked with the masking pattern 510. (Step S112).

이 경우, 앞서 설명한 바와 같이, 상기 마스킹 패턴(510)의 면적은 상기 패턴 영역(A)의 면적이상으로 형성되므로, 상기 마스킹 패턴(510)은 모서리부분이 상기 비패턴 영역(B)에 중첩될 수 있으며, 이에 따라, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 마스킹 패턴(510)은 상기 몰드 패턴(110)의 상부에 위치하며, 상기 몰드 패턴(110)을 커버하게 된다. In this case, as described above, since the area of the masking pattern 510 is formed larger than the area of the pattern area (A), the edge portion of the masking pattern 510 may overlap the non-pattern area (B). Accordingly, as shown in FIG. 7B, the masking pattern 510 is positioned above the mold pattern 110 and covers the mold pattern 110.

이 후, 도 6 및 도 7c를 참조하면, 상기 임프린트 몰드(100)의 비패턴 영역(B)에 상기 소수성 이형막(120)을 형성한다(단계 S113). Thereafter, referring to FIGS. 6 and 7C, the hydrophobic release layer 120 is formed in the non-pattern region B of the imprint mold 100 (step S113).

이 경우, 상기 소수성 이형막(120)은, 상기 비패턴 영역(B) 상에 예를 들어, 기상증착법(chemical vapor deposition, CVD)을 이용하여 증착될 수 있으며, 상기 패턴 영역(A)은 상기 마스킹 패턴(510)에 의해 커버되므로, 상기 소수성 이형막(120)은 상기 비패턴 영역(B) 상에만 형성된다. In this case, the hydrophobic release layer 120 may be deposited on the non-pattern region B using, for example, chemical vapor deposition (CVD), and the pattern region A is the Since it is covered by the masking pattern 510, the hydrophobic release layer 120 is formed only on the non-pattern region B.

이 후, 도 6 및 도 7d를 참조하면, 상기 마스킹 블록(500)을 상기 임프린트 몰드(100)로부터 이격시켜, 상기 마스킹 패턴(510)을 상기 패턴 영역(A)으로부터 제거한다(단계 S114). Thereafter, referring to FIGS. 6 and 7D, the masking block 500 is separated from the imprint mold 100 to remove the masking pattern 510 from the pattern area A (step S114).

그리하여, 도 7d 및 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 임프린트 몰드(100)의 비패턴 영역(B) 상에만 상기 소수성 이형막(120)이 형성되게 된다. Thus, as shown in FIGS. 7D and 3A, the hydrophobic release layer 120 is formed only on the non-pattern region B of the imprint mold 100.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 임프린트 방법에서, 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 흐름도이다. 도 9a 내지 도 9c는 도 8의 소수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 공정도들이다. 8 is a flowchart illustrating a step of forming a hydrophobic release film in an imprint method according to another embodiment of the present invention. 9A to 9C are process diagrams illustrating steps of forming the hydrophobic release layer of FIG. 8.

본 실시예에 의한 임프린트 방법은, 도 2 내지 도 3c를 참조하여 설명한 상기 임프린트 방법에서, 상기 소수성 이형막을 형성하는 단계(단계 S100)를 제외하고는 실질적으로 동일한 것으로, 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하고 중복되는 설명은 이를 생략한다. The imprint method according to this embodiment is substantially the same except for the step of forming the hydrophobic release film (step S100) in the imprint method described with reference to FIGS. 2 to 3C, and the same reference for the same components Numbers are used and duplicate descriptions are omitted.

이에, 이하에서는, 상기 소수성 이형막을 형성하는 단계(단계 S120)에 대하여만 설명한다. Therefore, hereinafter, only the step of forming the hydrophobic release film (step S120) will be described.

즉, 도 8 및 도 9a를 참조하면, 상기 소수성 이형막(120)을 형성하는 단계(단계 S120)에서는, 우선, 별도의 전사기판(600) 상에 소수성 이형막(610)을 형성한다(단계 S121). That is, referring to FIGS. 8 and 9A, in the step of forming the hydrophobic release film 120 (step S120), first, a hydrophobic release film 610 is formed on a separate transfer substrate 600 (step S121).

이 경우, 상기 소수성 이형막(610)은 상기 전사기판(600) 상에 균일한 두께로 증착될 수 있다. In this case, the hydrophobic release layer 610 may be deposited on the transfer substrate 600 with a uniform thickness.

이 후, 도 8을 참조하면, 상기 임프린트 몰드(100)의 표면을 개질하거나, 상기 임프린트 몰드(100)의 표면에 제1 물질을 균일하게 증착시킬 수 있다(단계 S122). Thereafter, referring to FIG. 8, the surface of the imprint mold 100 may be modified, or a first material may be uniformly deposited on the surface of the imprint mold 100 (step S122).

상기 임프린트 몰드(100)의 표면 개질 또는 제1 물질의 증착 공정(단계 S122)은, 상기 임프린트 몰드(100)의 재질 상의 특징을 고려하여 선택적으로 수행될 수 있다. The process of modifying the surface of the imprint mold 100 or depositing the first material (step S122) may be selectively performed in consideration of characteristics of the material of the imprint mold 100.

본 실시예의 경우, 후술되는 공정에서 설명하겠으나, 상기 전사기판(600)에 형성된 상기 소수성 이형막(610)이 상기 임프린트 몰드(100)의 상면 상으로 전사되는 것으로, 이를 위해서는 상기 임프린트 몰드(100)와 상기 소수성 이형막(610) 사이의 점착력이, 상기 전사기판(600)과 상기 소수성 이형막(610) 사이의 점착력보다 커야 한다. In the case of this embodiment, it will be described in the process to be described later, but the hydrophobic release film 610 formed on the transfer substrate 600 is transferred onto the upper surface of the imprint mold 100. For this purpose, the imprint mold 100 The adhesive force between the and the hydrophobic release film 610 should be greater than the adhesive force between the transfer substrate 600 and the hydrophobic release film 610.

따라서, 상기 임프린트 몰드(100)의 재질 상의 특징을 고려하여, 상기 임프린트 몰드(100)와 상기 소수성 이형막(610) 사이의 점착력을 증가시키기 위해, 상기 표면 개질 또는 제1 물질의 증착 공정을 수행할 수 있다. Accordingly, in order to increase the adhesive force between the imprint mold 100 and the hydrophobic release layer 610 in consideration of the characteristics of the material of the imprint mold 100, the surface modification or the deposition process of the first material is performed. can do.

이 경우, 상기 소수성 이형막(610)은 상기 임프린트 몰드(100)의 상기 비패턴 영역(B) 상으로만 전사되는 것으로, 상기 임프린트 몰드(100)의 표면 개질 또는 제1 물질의 증착은 상기 비패턴 영역(B) 상에만 수행될 수 있다. In this case, the hydrophobic release layer 610 is transferred only onto the non-pattern area B of the imprint mold 100, and the surface modification of the imprint mold 100 or deposition of the first material is performed by the It can be performed only on the pattern area B.

물론, 공정상의 편의를 위해, 상기 표면 개질 또는 제1 물질의 증착을 상기 임프린트 몰드(100)의 표면 전체에 대하여 수행할 수 있다. Of course, for process convenience, the surface modification or deposition of the first material may be performed on the entire surface of the imprint mold 100.

한편, 상기 제1 물질은, 상기 소수성 이형막(610)과의 점착력이, 상기 전사기판(600)과 상기 소수성 이형막(610) 사이의 점착력보다 크게 유지할 수 있다면, 제한되지는 않는다. Meanwhile, the first material is not limited as long as the adhesive force with the hydrophobic release layer 610 is greater than the adhesive force between the transfer substrate 600 and the hydrophobic release layer 610.

이 후, 도 8 및 도 9b를 참조하면, 상기 전사기판(600)을 상기 임프린트 몰드(100)를 향하여 이동시켜, 상기 임프린트 몰드(100) 상에 점착시킨다(단계 S123). Thereafter, referring to FIGS. 8 and 9B, the transfer substrate 600 is moved toward the imprint mold 100 and adhered to the imprint mold 100 (step S123).

이 경우, 상기 전사기판(600) 상에 형성된 상기 소수성 이형막(610)은 상기 임프린트 몰드(100)의 비패턴 영역(B) 상에만 점착하게 되며, 상기 패턴 영역(A)은 상기 몰드 패턴(110)으로 인해 점착되지 않는다. In this case, the hydrophobic release layer 610 formed on the transfer substrate 600 adheres only to the non-pattern area B of the imprint mold 100, and the pattern area A is the mold pattern ( 110) does not adhere.

이 후, 도 8 및 도 9c를 참조하면, 상기 전사기판(600)을 상기 임프린트 몰드(100)로부터 탈착시켜, 상기 비패턴 영역(B) 상에 상기 소수성 이형막(120)을 잔류시킨다(단계 S124). Thereafter, referring to FIGS. 8 and 9C, the transfer substrate 600 is detached from the imprint mold 100, so that the hydrophobic release film 120 remains on the non-pattern region B (step S124).

앞서 설명한 바와 같이, 상기 임프린트 몰드(100)는 표면 개질 또는 제1 물질의 증착을 통해, 상기 임프린트 몰드(100)와 상기 소수성 이형막(610) 사이의 점착력이, 상기 전사기판(600)과 상기 소수성 이형막(610) 사이의 점착력보다 큰 상태이다. As described above, the imprint mold 100 has an adhesive force between the imprint mold 100 and the hydrophobic release layer 610 through surface modification or deposition of a first material, the transfer substrate 600 and the It is in a state greater than the adhesive force between the hydrophobic release films 610.

따라서, 상기 전사기판(600)을 상기 임프린트 몰드(100)로부터 탈착시킴으로써, 상기 소수성 이형막(120)은 상기 임프린트 몰드(100)의 상기 비패턴 영역(B) 상에만 잔류하게 된다. Accordingly, by detaching the transfer substrate 600 from the imprint mold 100, the hydrophobic release layer 120 remains only on the non-pattern region B of the imprint mold 100.

한편, 상기 표면 개질 또는 제1 물질의 증착은 상기 임프린트 몰드(100)의 표면의 점착성을 고려하여 생략될 수 있으며, 상기 표면 개질 또는 상기 제1 물질의 증착 공정이 생략되더라도, 상기 임프린트 몰드(100)와 상기 소수성 이형막(610) 사이의 점착력이, 상기 전사기판(600)과 상기 소수성 이형막(610) 사이의 점착력보다 크므로, 상기 소수성 이형막(120)은 상기 임프린트 몰드(100)의 상기 비패턴 영역(B) 상에만 잔류하게 된다. Meanwhile, the surface modification or deposition of the first material may be omitted in consideration of the adhesion of the surface of the imprint mold 100, and even if the surface modification or deposition process of the first material is omitted, the imprint mold 100 ) And the hydrophobic release film 610 is greater than the adhesion between the transfer substrate 600 and the hydrophobic release film 610, the hydrophobic release film 120 is It remains only on the non-pattern region B.

그리하여, 도 9c 및 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 임프린트 몰드(100)의 비패턴 영역(B) 상에만 상기 소수성 이형막(120)이 형성되게 된다. Thus, as shown in FIGS. 9C and 3A, the hydrophobic release layer 120 is formed only on the non-pattern region B of the imprint mold 100.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 임프린트 방법을 도시한 흐름도이다. 도 11a 내지 도 11c는 도 10의 임프린트 방법을 도시한 공정도이다. 10 is a flowchart illustrating an imprint method according to another embodiment of the present invention. 11A to 11C are process diagrams illustrating the imprint method of FIG. 10.

도 10 및 도 11a를 참조하면, 본 실시예에 의한 임프린트(imprint) 방법에서는, 우선, 임프린트 몰드(mold)(100)의 패턴 영역(A) 상에 친수성 이형막을 형성한다(단계 S500). Referring to FIGS. 10 and 11A, in the imprint method according to the present embodiment, first, a hydrophilic release film is formed on the pattern area A of the imprint mold 100 (step S500).

상기 임프린트 몰드(100) 및 상기 몰드 패턴(110)은 도 2 및 도 3a를 참조하여 이미 설명한 바와 같으며, 본 실시예의 경우, 상기 임프린트 몰드(100)의 상기 패턴 영역(B) 전체에 상기 친수성(hydrophilic) 이형막(release film)(130)이 균일한 두께로 형성된다. The imprint mold 100 and the mold pattern 110 are as already described with reference to FIGS. 2 and 3A, and in the present embodiment, the hydrophilicity is applied to the entire pattern area B of the imprint mold 100. A (hydrophilic) release film 130 is formed with a uniform thickness.

이 후, 도 10 및 도 11b를 참조하면, 상기 임프린트 몰드(100)의 상기 패턴 영역(A) 상에 레진(resin)(200)을 충진한다(단계 S600). Thereafter, referring to FIGS. 10 and 11B, a resin 200 is filled on the pattern area A of the imprint mold 100 (step S600).

이 경우, 상기 레진(200)은 도시하지는 않았으나, 별도의 디스펜서(dispenser) 등을 통해 상기 임프린트 몰드(100)의 상부로부터 제공될 수 있으며, 상기 레진(200)은 친수성(hydrophilic) 성질을 가지므로, 상기 친수성 이형막이 형성된 상기 패턴 영역(A)으로만 자연스럽게 충진된다. In this case, the resin 200 is not shown, but may be provided from the upper portion of the imprint mold 100 through a separate dispenser, etc., and the resin 200 has hydrophilic properties. , It is naturally filled only with the pattern region (A) on which the hydrophilic release film is formed.

이와 같이, 상기 레진(200)이 상기 패턴 영역(A)에만 충진됨으로써, 상기 몰드 패턴(110) 상에는 상기 레진(200)이 충분하게 충진되게 된다. In this way, since the resin 200 is filled only in the pattern area A, the resin 200 is sufficiently filled on the mold pattern 110.

이 후, 도 10 및 도 11c를 참조하면, 타깃 기판(310)을 상기 임프린트 몰드(100)에 점착하여, 상기 충진된 레진(200)을 상기 타깃 기판(310)으로 전사한다(단계 S300). Thereafter, referring to FIGS. 10 and 11C, a target substrate 310 is adhered to the imprint mold 100, and the filled resin 200 is transferred to the target substrate 310 (step S300 ).

이 경우, 상기 타깃 기판(310)은 별도의 고정 기판(300) 상에 배치되어, 상기 고정 기판(300)에 의해 상기 임프린트 몰드(100)의 상부로 이송될 수 있으며, 상기 타깃 기판(310)이 상기 임프린트 몰드(100)에 점착한 상태에서, 상기 레진(200)을 경화시키기 위한 경화 공정이 동시에 수행될 수 있다. In this case, the target substrate 310 may be disposed on a separate fixed substrate 300 and transferred to the upper portion of the imprint mold 100 by the fixed substrate 300, and the target substrate 310 In a state adhered to the imprint mold 100, a curing process for curing the resin 200 may be simultaneously performed.

그리하여, 상기 나노 몰드(210) 상에는, 최종적으로 형성하고자 하는 나노 패턴(220)이, 상기 몰드 패턴(110)의 형상에 반대되는 형상으로 형성된다. Thus, on the nano mold 210, the nano pattern 220 to be finally formed is formed in a shape opposite to the shape of the mold pattern 110.

그리하여, 상기 타깃 기판(310)이, 상기 레진(200)의 경화 후 상기 임프린트 몰드(100)로부터 탈착되면, 상기 나노 패턴(220)이 형성된 상기 나노 몰드(210)는 상기 타깃 기판(310) 상으로 전사되며, 이를 통해, 최종적으로 상기 타깃 기판(310) 상에는 나노 패턴(220)이 형성된 나노 몰드(210)가 위치하게 된다. Thus, when the target substrate 310 is detached from the imprint mold 100 after curing of the resin 200, the nano mold 210 on which the nano pattern 220 is formed is formed on the target substrate 310 And, through this, the nano mold 210 on which the nano pattern 220 is formed is finally positioned on the target substrate 310.

이 경우, 앞서 설명한 바와 같이, 상기 레진(200)은 친수성 성질을 갖는 상기 패턴 영역(A) 상에만 충진되므로, 상기 몰드 패턴(110)의 형상, 크기와 무관하게 상기 몰드 패턴(110)과 반대되는 나노 패턴(220)으로 구현되고, 상기 비패턴 영역(B)으로부터 상기 타깃 기판(310)으로 전사되는 패턴이나 층은 형성되지 않게 된다. In this case, as described above, since the resin 200 is filled only on the pattern area A having hydrophilic properties, it is opposite to the mold pattern 110 regardless of the shape and size of the mold pattern 110. A pattern or layer that is implemented as a nano-pattern 220 and is transferred from the non-pattern region B to the target substrate 310 is not formed.

따라서, 상기 임프린트 공정을 통해, 상기 타깃 기판(310)으로 나노 패턴(220)을 형성함에 있어, 안정적으로 무잔류층을 구현할 수 있게 된다. Accordingly, in forming the nano-pattern 220 on the target substrate 310 through the imprint process, a residual free layer can be stably implemented.

이하에서는, 상기 친수성 이형막(130)을 형성하는 단계(단계 S500)에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the step of forming the hydrophilic release film 130 (step S500) will be described in more detail.

도 12는 도 10의 친수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 흐름도이다. 도 13a 내지 도 13d는 도 12의 친수성 이형막을 형성하는 단계를 도시한 공정도들이다. 12 is a flow chart showing the step of forming the hydrophilic release film of FIG. 10. 13A to 13D are process diagrams illustrating steps of forming the hydrophilic release layer of FIG. 12.

도 12 및 도 13a를 참조하면, 상기 친수성 이형막(130)을 형성하는 단계(단계 S500)에서는, 우선, 상기 임프린트 몰드(100) 상에 상기 친수성 이형막(130)을 형성한다(단계 S501). 12 and 13A, in the step of forming the hydrophilic release film 130 (step S500), first, the hydrophilic release film 130 is formed on the imprint mold 100 (step S501). .

이 경우, 상기 친수성 이형막(130)은 상기 임프린트 몰드(100)의 상면 전체, 즉 상기 패턴 영역(A)은 물론 비패턴 영역(B)에까지 균일한 두께로 증착되어 형성된다. In this case, the hydrophilic release layer 130 is formed by depositing a uniform thickness on the entire upper surface of the imprint mold 100, that is, the pattern area A as well as the non-pattern area B.

그리하여, 상기 친수성 이형막(130)은 상기 패턴 영역(A)에 형성된 몰드 패턴(110)의 상면 상에도 균일하게 증착된다. Thus, the hydrophilic release layer 130 is evenly deposited on the upper surface of the mold pattern 110 formed in the pattern area A.

이 후, 도 12 및 도 13b를 참조하면, 별도의 전사기판(600) 상에 점착층(620)을 균일하게 형성한다(단계 S502). Thereafter, referring to FIGS. 12 and 13B, an adhesive layer 620 is uniformly formed on a separate transfer substrate 600 (step S502).

상기 점착층(620)은 후술되는 공정을 통해, 상기 비패턴 영역(B)에 증착된 상기 친수성 이형막(130)을 점착하여 제거하는 층이다. 이를 위해, 상기 점착층(620)은 상기 친수성 이형막(130)과의 점착력이, 상기 임프린트 몰드(100)와 상기 친수성 이형막(130)과의 점착력보다 큰 재질이 선택되어야 한다. The adhesive layer 620 is a layer that adheres and removes the hydrophilic release layer 130 deposited on the non-pattern region B through a process described later. To this end, the adhesive layer 620 should be selected from a material having an adhesive strength with the hydrophilic release film 130 greater than that between the imprint mold 100 and the hydrophilic release film 130.

또한, 상기 점착력에 대한 조건만 총족시킨다면, 상기 점착층(620)의 재료는 제한되지는 않는다. In addition, as long as the conditions for the adhesive force are satisfied, the material of the adhesive layer 620 is not limited.

이 후, 도 12 및 도 13c를 참조하면, 상기 전사기판(600)을 상기 임프린트 몰드(100)의 상면 상에 점착시킨다(단계 S503). Thereafter, referring to FIGS. 12 and 13C, the transfer substrate 600 is adhered on the upper surface of the imprint mold 100 (step S503).

이 경우, 상기 임프린트 몰드(100)는 상기 몰드 패턴(110)이 함입된 형상으로 형성되므로, 상기 전사기판(600)은 상기 임프린트 몰드(100)의 비패턴 영역(B) 상에만 점착된다. In this case, since the imprint mold 100 is formed in a shape in which the mold pattern 110 is recessed, the transfer substrate 600 is adhered only on the non-pattern region B of the imprint mold 100.

그리하여, 상기 전사기판(600) 상에 형성된 상기 점착층(620)은 상기 임프린트 몰드(100)의 비패턴 영역(B) 상에 형성된 상기 친수성 이형막(130)과 점착된다. Thus, the adhesive layer 620 formed on the transfer substrate 600 is adhered to the hydrophilic release film 130 formed on the non-patterned region B of the imprint mold 100.

이 후, 도 12 및 도 13d를 참조하면, 상기 전사기판(600)을 상기 임프린트 몰드(100)로부터 탈착시켜, 상기 패턴 영역(A) 상에 상기 친수성 이형막(130)을 잔류시킨다(단계 S504). Thereafter, referring to FIGS. 12 and 13D, the transfer substrate 600 is detached from the imprint mold 100, so that the hydrophilic release film 130 remains on the pattern area A (step S504). ).

즉, 상기 점착층(620)은 상기 비패턴 영역(B) 상에 형성된 상기 친수성 이형막(130)과 점착된 후, 상기 전사기판(600)이 상기 임프린트 몰드(100)로부터 탈착됨과 동시에, 상기 친수성 이형막(130)을 제거하게 된다. That is, after the adhesive layer 620 is adhered to the hydrophilic release film 130 formed on the non-pattern region (B), the transfer substrate 600 is detached from the imprint mold 100 and at the same time, the The hydrophilic release film 130 is removed.

이 경우, 상기 점착층(620)과 상기 친수성 이형막(130)과의 점착력이, 상기 임프린트 몰드(100)와 상기 친수성 이형막(130)과의 점착력보다 크므로, 상기 점착층(620)은 자연스럽게 상기 친수성 이형막(130)을 제거할 수 있다. In this case, since the adhesion between the adhesive layer 620 and the hydrophilic release film 130 is greater than the adhesion between the imprint mold 100 and the hydrophilic release film 130, the adhesive layer 620 Naturally, the hydrophilic release layer 130 may be removed.

다만, 상기 패턴영역(A)에 형성된 상기 친수성 이형막(130)은 상기 점착층(620)과 점착되지 않으므로, 상기 전사기판(600)이 탈착된다 하더라도, 상기 임프린트 몰드(100) 상에 잔류하게 된다. However, since the hydrophilic release layer 130 formed in the pattern area A does not adhere to the adhesive layer 620, even if the transfer substrate 600 is detached, it remains on the imprint mold 100. do.

그리하여, 도 13d 및 도 11a에 도시된 바와 같이, 상기 임프린트 몰드(100)의 패턴 영역(A) 상에만 상기 친수성 이형막(130)이 형성되게 된다. Thus, as shown in FIGS. 13D and 11A, the hydrophilic release layer 130 is formed only on the pattern area A of the imprint mold 100.

상기와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 몰드 패턴의 비패턴 영역 상에 소수성 이형막이 형성되는 경우, 레진은 패턴 영역에만 선택적으로 충진되므로 타깃 기판으로의 전사시 잔류층이 형성되는 것이 방지되며, 타깃 기판이 몰드 패턴에 점착한 상태로부터 이형되는 경우 상기 소수성 이형막에 의해 보다 용이한 이형이 가능할 수 있다. According to the embodiments of the present invention as described above, when the hydrophobic release layer is formed on the non-pattern area of the mold pattern, since the resin is selectively filled only in the pattern area, formation of a residual layer during transfer to the target substrate is prevented. , When the target substrate is released from the state adhered to the mold pattern, easier release may be possible by the hydrophobic release film.

이와 달리, 몰드 패턴의 패턴 영역 상에 친수성 이형막이 형성되는 경우에도, 레진은 패턴 영역에만 선택적으로 충진되므로 타깃 기판으로의 전사시 잔류층이 형성되는 것이 방지된다. In contrast, even when the hydrophilic release film is formed on the pattern region of the mold pattern, since the resin is selectively filled only in the pattern region, formation of a residual layer during transfer to the target substrate is prevented.

한편, 상기 소수성 이형막의 형성에 있어, 패시베이션 층을 이용한 리프트 오프 방식의 경우, 소수성 이형막이 패시베이션 층의 제거와 함께 제거될 수 있어, 소수성 이형막이 비패턴 영역에만 용이하게 형성될 수 있다. Meanwhile, in the formation of the hydrophobic release film, in the case of a lift-off method using a passivation layer, the hydrophobic release film can be removed together with the removal of the passivation layer, so that the hydrophobic release film can be easily formed only in the non-pattern region.

또한, 마스킹 패턴이 형성된 마스킹 블록을 이용하는 경우, 상대적으로 단순한 공정을 통해서 소수성 이형막을 비패턴 영역에 매우 균일하게 형성할 수 있으며, 전사기판을 이용하는 경우, 소수성 이형막과의 점착성의 차이를 이용하여 소수성 이형막을 선택적으로 형성할 수 있어, 공정이 단순하면서도 균일한 이형막의 형성이 가능하다. In addition, when using a masking block on which a masking pattern is formed, a hydrophobic release film can be formed very uniformly in a non-patterned region through a relatively simple process. When using a transfer substrate, the difference in adhesion with the hydrophobic release film is used. Since a hydrophobic release film can be selectively formed, a simple process and a uniform release film can be formed.

한편, 상기 친수성 이형막의 형성에 있어서도, 전사기판을 이용하는 경우, 친수성 이형막과의 점착성의 차이를 이용하여 친수성 이형막을 선택적으로 형성할 수 있으므로, 마찬가지로 공정이 단순하면서도 균일한 이형막의 형성이 가능하다. On the other hand, in the formation of the hydrophilic release film, when a transfer substrate is used, a hydrophilic release film can be selectively formed by using the difference in adhesiveness from the hydrophilic release film, so that the process is similarly simple and a uniform release film can be formed. .

즉, 이형막의 재료상의 특성을 고려하여, 소수성 이형막의 경우, 비패턴 영역에만 잔류하도록 공정을 적용할 수 있으며, 친수성 이형막의 경우, 패턴 영역에만 잔류하도록 공정을 적용할 수 있어, 다양한 이형막의 재료에 대하여 최적의 공정 선택으로, 역 임프린트 공정을 다양하게 수행할 수 있다. That is, considering the material properties of the release film, in the case of a hydrophobic release film, a process can be applied to remain only in the non-pattern region, and in the case of a hydrophilic release film, a process can be applied to remain only in the pattern region. With respect to the optimal process selection, the reverse imprint process can be variously performed.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. You will understand that you can.

100 : 임프린트 몰드 110 : 몰드 패턴
120, 610 : 소수성 이형막 130, 620 : 친수성 이형막
200 : 레진 210 : 나노 몰드
220 : 나노 패턴 300 : 고정 기판
310 : 타깃 기판 400 : 패시베이션 층
410 : 잔류 패시베이션층 500 : 마스킹 블록
510 : 마스킹 패턴 600 : 전사 기판
A : 패턴 영역 B : 비패턴 영역100: imprint mold 110: mold pattern
120, 610: hydrophobic release film 130, 620: hydrophilic release film
200: resin 210: nano mold
220: nano pattern 300: fixed substrate
310: target substrate 400: passivation layer
410: residual passivation layer 500: masking block
510: masking pattern 600: transfer substrate
A: pattern area B: non-pattern area

Claims (12)

몰드 패턴이 형성된 패턴 영역, 및 상기 패턴 영역 외의 비패턴 영역으로 구분된 임프린트 몰드 상에, 이형막을 상기 패턴 영역 또는 상기 비패턴 영역에만 선택적으로 형성하는 단계;
상기 패턴 영역 상에 레진을 충진하는 단계; 및
타깃 기판을 상기 임프린트 몰드에 점착하여, 상기 충진된 레진을 상기 타깃 기판으로 전사하는 단계를 포함하고,
상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계는,
상기 임프린트 몰드 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계;
상기 패시베이션 층을 에칭하여 상기 패턴 영역 상에만 잔류시키는 단계;
상기 임프린트 몰드 및 상기 패시베이션 층 상에 소수성 이형막을 형성하는 단계; 및
상기 패시베이션 층, 및 상기 패시베이션 층 상에 형성된 상기 소수성 이형막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법. Selectively forming a release film on the imprint mold divided into a pattern area in which a mold pattern is formed and a non-pattern area other than the pattern area, only in the pattern area or the non-pattern area;
Filling a resin on the pattern area; And
Adhering a target substrate to the imprint mold, and transferring the filled resin to the target substrate,
The step of selectively forming the release film,
Forming a passivation layer on the imprint mold;
Etching the passivation layer to remain only on the pattern area;
Forming a hydrophobic release film on the imprint mold and the passivation layer; And
And removing the passivation layer and the hydrophobic release film formed on the passivation layer. 제1항에 있어서, 상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계에서,
상기 비패턴 영역 상에, 소수성 이형막을 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법. The method of claim 1, wherein in the step of selectively forming the release film,
An imprint method, wherein a hydrophobic release film is selectively formed on the non-patterned region. 삭제delete 제2항에 있어서, 상기 패시베이션 층을 제거하는 단계에서,
상기 패시베이션 층을 제거하는 용매를 이용하여, 상기 패시베이션 층 및 상기 패시베이션 층 상에 형성된 상기 소수성 이형막을 리프트 오프(lift-off)하여 제거하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법. The method of claim 2, wherein in the step of removing the passivation layer,
Using a solvent for removing the passivation layer, the passivation layer and the hydrophobic release film formed on the passivation layer are removed by lift-off. 몰드 패턴이 형성된 패턴 영역, 및 상기 패턴 영역 외의 비패턴 영역으로 구분된 임프린트 몰드 상에, 이형막을 상기 패턴 영역 또는 상기 비패턴 영역에만 선택적으로 형성하는 단계;
상기 패턴 영역 상에 레진을 충진하는 단계; 및
타깃 기판을 상기 임프린트 몰드에 점착하여, 상기 충진된 레진을 상기 타깃 기판으로 전사하는 단계를 포함하고,
상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계는,
마스킹 블록 상에 상기 패턴 영역을 커버하는 마스킹 패턴을 형성하는 단계;
상기 마스킹 블록을 상기 임프린트 몰드로 접근시켜, 상기 마스킹 패턴으로 상기 패턴 영역을 마스킹하는 단계;
상기 비패턴 영역에 소수성 이형막을 형성하는 단계; 및
상기 마스킹 블록을 상기 임프린트 몰드로부터 이격시켜, 상기 마스킹 패턴을 상기 패턴 영역으로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법. Selectively forming a release film on the imprint mold divided into a pattern area in which a mold pattern is formed and a non-pattern area other than the pattern area, only in the pattern area or the non-pattern area;
Filling a resin on the pattern area; And
Adhering a target substrate to the imprint mold, and transferring the filled resin to the target substrate,
The step of selectively forming the release film,
Forming a masking pattern covering the pattern area on a masking block;
Approaching the masking block to the imprint mold to mask the pattern area with the masking pattern;
Forming a hydrophobic release layer in the non-patterned region; And
And removing the masking pattern from the pattern area by separating the masking block from the imprint mold. 제5항에 있어서, 상기 소수성 이형막을 형성하는 단계에서,
상기 소수성 이형막을 기상증착법으로 상기 비패턴 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법. The method of claim 5, wherein in the step of forming the hydrophobic release film,
The imprint method, wherein the hydrophobic release film is formed in the non-pattern region by a vapor deposition method. 몰드 패턴이 형성된 패턴 영역, 및 상기 패턴 영역 외의 비패턴 영역으로 구분된 임프린트 몰드 상에, 이형막을 상기 패턴 영역 또는 상기 비패턴 영역에만 선택적으로 형성하는 단계;
상기 패턴 영역 상에 레진을 충진하는 단계; 및
타깃 기판을 상기 임프린트 몰드에 점착하여, 상기 충진된 레진을 상기 타깃 기판으로 전사하는 단계를 포함하고,
상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계는,
소수성 이형막을 전사기판 상에 형성하는 단계;
상기 전사기판을 상기 임프린트 몰드 상에 점착시키는 단계; 및
상기 전사기판을 상기 임프린트 몰드로부터 탈착시켜, 상기 비패턴 영역 상에 상기 소수성 이형막을 잔류시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법. Selectively forming a release film on the imprint mold divided into a pattern area in which a mold pattern is formed and a non-pattern area other than the pattern area, only in the pattern area or the non-pattern area;
Filling a resin on the pattern area; And
Adhering a target substrate to the imprint mold, and transferring the filled resin to the target substrate,
The step of selectively forming the release film,
Forming a hydrophobic release film on the transfer substrate;
Adhering the transfer substrate onto the imprint mold; And
And detaching the transfer substrate from the imprint mold so that the hydrophobic release layer remains on the non-pattern region. 제7항에 있어서, 상기 전사기판을 상기 임프린트 몰드 상에 점착시키기 전에,
상기 임프린트 몰드의 표면을 개질하거나, 상기 임프린트 몰드의 표면에 제1 물질을 증착시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법. The method of claim 7, prior to adhering the transfer substrate onto the imprint mold,
The imprint method further comprising the step of modifying the surface of the imprint mold or depositing a first material on the surface of the imprint mold. 제8항에 있어서,
상기 임프린트 몰드의 표면을 상기 소수성 이형막과의 점착성을 향상시키도록 개질하거나,
상기 제1 물질은, 상기 소수성 이형막과의 점착력이, 상기 전사기판과 상기 소수성 이형막 사이의 점착력보다 큰 물질인 것을 특징으로 하는 임프린트 방법. The method of claim 8,
Modifying the surface of the imprint mold to improve adhesion with the hydrophobic release film, or
The first material, the imprint method, characterized in that the adhesive force with the hydrophobic release layer is greater than the adhesive force between the transfer substrate and the hydrophobic release layer. 삭제delete 몰드 패턴이 형성된 패턴 영역, 및 상기 패턴 영역 외의 비패턴 영역으로 구분된 임프린트 몰드 상에, 이형막을 상기 패턴 영역 또는 상기 비패턴 영역에만 선택적으로 형성하는 단계;
상기 패턴 영역 상에 레진을 충진하는 단계; 및
타깃 기판을 상기 임프린트 몰드에 점착하여, 상기 충진된 레진을 상기 타깃 기판으로 전사하는 단계를 포함하고,
상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계에서,
친수성 이형막을 상기 임프린트 몰드 상에 형성하는 단계;
점착층을 전사기판 상에 형성하는 단계;
상기 전사기판을 상기 임프린트 몰드 상에 점착시키는 단계; 및
상기 전사기판을 상기 임프린트 몰드로부터 탈착시켜, 상기 패턴 영역 상에 상기 친수성 이형막을 잔류시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법. Selectively forming a release film on the imprint mold divided into a pattern area in which a mold pattern is formed and a non-pattern area other than the pattern area, only in the pattern area or the non-pattern area;
Filling a resin on the pattern area; And
Adhering a target substrate to the imprint mold, and transferring the filled resin to the target substrate,
In the step of selectively forming the release film,
Forming a hydrophilic release film on the imprint mold;
Forming an adhesive layer on the transfer substrate;
Adhering the transfer substrate onto the imprint mold; And
And detaching the transfer substrate from the imprint mold so that the hydrophilic release film remains on the pattern area. 제11항에 있어서,
상기 이형막을 선택적으로 형성하는 단계에서, 상기 패턴 영역 상에, 친수성 이형막을 선택적으로 형성하고,
상기 친수성 이형막과 상기 점착층 사이의 점착력이 상기 친수성 이형막과 상기 임프린트 몰드 사이의 점착력보다 큰 것을 특징으로 하는 임프린트 방법. The method of claim 11,
In the step of selectively forming the release film, selectively forming a hydrophilic release film on the pattern region,
The imprint method, wherein the adhesive force between the hydrophilic release film and the adhesive layer is greater than the adhesive force between the hydrophilic release film and the imprint mold.
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