KR102203930B1 - Gas exhausting equipment operating method for cleaning exhaust pipe of semiconductor production facility - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의하면, 반도체 제조설비의 공정 챔버 내 잔류가스를 배출시키 위해 진공 펌프와, 상기 진공 펌프의 흡기단에 연결되는 챔버 배기관과, 상기 진공 펌프의 배기단에 연결되는 펌프 배기관을 구비하는 배기장비에서 상기 펌프 배기관의 세정을 위한 상기 배기장비의 방법으로서, 상기 공정 챔버로부터 상기 잔류가스가 상기 챔버 배기관으로 배출되는 것이 차단된 상태에서 상기 진공 펌프의 작동이 중단되는 펌프 중단 단계; 상기 펌프 중단 단계에 의해 상기 진공 펌프의 작동이 중단된 상태에서 상기 배기단과 상기 흡기단을 연통시키는 순환관을 설치하는 순환관 설치 단계; 상기 순환관 설치 단계를 통해 상기 순환관이 설치된 상태에서 상기 진공 펌프가 작동하여 재가동되는 펌프 가동 단계; 및 상기 펌프 가동 단계를 통해 상기 진공 펌프가 작동하는 동안 상기 펌프 배기관이 세정되는 배관 세정 단계를 포함하며, 상기 펌프 가동 단계를 통해 상기 진공 펌프가 작동하여 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 순환관을 통해 순환하는 동안, 상기 진공 펌프에 공급되는 냉각수에 의해 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스의 온도가 설정 온도 이하로 낮아지고, 상기 진공 펌프로부터 가압되어서 배출되는 가스의 압력은 상기 순환관에 의해 손실되어서 설정 압력 이하로 낮아지는, 반도체 제조설비용 배기장비 운영방법이 제공된다.According to the present invention, an exhaust having a vacuum pump to discharge residual gas in a process chamber of a semiconductor manufacturing facility, a chamber exhaust pipe connected to the intake end of the vacuum pump, and a pump exhaust pipe connected to the exhaust end of the vacuum pump A method of the exhaust equipment for cleaning the pump exhaust pipe in an equipment, comprising: a pump stopping step of stopping the operation of the vacuum pump while the residual gas from the process chamber is blocked from being discharged to the chamber exhaust pipe; A circulation pipe installation step of installing a circulation pipe communicating the exhaust end and the intake end when the operation of the vacuum pump is stopped by the pump stopping step; A pump operation step in which the vacuum pump is operated and restarted while the circulation pipe is installed through the circulation pipe installation step; And a pipe cleaning step in which the pump exhaust pipe is cleaned while the vacuum pump is operated through the pump actuating step, wherein the vacuum pump is operated through the pump actuating step, and gas discharged from the vacuum pump is transferred to the circulation pipe. During circulation through the vacuum pump, the temperature of the gas discharged from the vacuum pump is lowered below the set temperature by the cooling water supplied to the vacuum pump, and the pressure of the gas discharged by being pressurized from the vacuum pump is lost by the circulation pipe. There is provided a method of operating exhaust equipment for semiconductor manufacturing facilities, which is then lowered below a set pressure.

Description

반도체 제조설비용 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법 {GAS EXHAUSTING EQUIPMENT OPERATING METHOD FOR CLEANING EXHAUST PIPE OF SEMICONDUCTOR PRODUCTION FACILITY}How to operate exhaust equipment for cleaning exhaust pipes for semiconductor manufacturing facilities {GAS EXHAUSTING EQUIPMENT OPERATING METHOD FOR CLEANING EXHAUST PIPE OF SEMICONDUCTOR PRODUCTION FACILITY}

본 발명은 반도체 제조설비 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조설비용 배기관의 세정 기술에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment technology, and more particularly, to a technology for cleaning exhaust pipes for semiconductor manufacturing equipment.

반도체 소자는 공정챔버에서 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 확산 및 금속증착 등의 공정들이 반복적으로 수행됨으로써 제조되고 있다. 이러한 반도체 제조 공정 중에는 다양한 공정 가스가 사용되며, 공정이 완료된 후에는 공정챔버에 잔류가스가 존재하게 되는데, 공정챔버 내 잔류가스는 유독성분을 포함하고 있기 때문에, 진공펌프와 배기가스가 유동하는 배기관을 포함하는 배기장비에 의해 배출되어서 스크러버와 같은 배기가스 처리장치에 의해 정화된다. 배기관을 통해 배기가스가 배출되는 과정에서 배기관에 침적되는 반응 부산물은 배기관의 유로 면적을 좁히는 등의 문제를 야기하게 때문에, 배기관에 대한 정기적인 세정작업이 수행된다.Semiconductor devices are manufactured by repeatedly performing processes such as photolithography, etching, diffusion, and metal deposition on a wafer in a process chamber. Various process gases are used during the semiconductor manufacturing process, and after the process is completed, residual gas exists in the process chamber.Since the residual gas in the process chamber contains toxic substances, the vacuum pump and the exhaust gas flow through the exhaust pipe. It is discharged by the exhaust equipment including a, and is purified by an exhaust gas treatment device such as a scrubber. In the process of exhausting exhaust gas through the exhaust pipe, reaction by-products deposited in the exhaust pipe cause problems such as narrowing the flow path area of the exhaust pipe, so that the exhaust pipe is regularly cleaned.

종래의 배기관 세정작업은 배기가스의 누출을 방지하기 위해 진공 펌프를 정지시킨 상태에서 이루어지는데, 이 경우 배기관 세정작업이 종료된 후 진공 펌프를 다시 작동시키고자 할 때 진공 펌프 내에 고착된 부산물로 인해 진공 펌프가 작동하지 않는 문제가 발생하고 있다.Conventional exhaust pipe cleaning operations are performed in a state where the vacuum pump is stopped to prevent leakage of exhaust gas. In this case, when the vacuum pump is restarted after the exhaust pipe cleaning operation is completed, by-products stuck in the vacuum pump There is a problem that the vacuum pump does not work.

대한민국 공개특허 제10-2008-0092617호 (2008.10.16.)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2008-0092617 (2008.10.16.)

본 발명의 목적은 반도체 제조설비용 배기관의 효율적인 세정을 위한 배기장비의 운영방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a method of operating exhaust equipment for efficient cleaning of exhaust pipes for semiconductor manufacturing facilities.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 제조설비의 공정 챔버 내 잔류가스를 배출시키 위해 진공 펌프와, 상기 진공 펌프의 흡기단에 연결되는 챔버 배기관과, 상기 진공 펌프의 배기단에 연결되는 펌프 배기관을 구비하는 배기장비에서 상기 펌프 배기관의 세정을 위한 상기 배기장비의 방법으로서, 상기 공정 챔버로부터 상기 잔류가스가 상기 챔버 배기관으로 배출되는 것이 차단된 상태에서 상기 진공 펌프의 작동이 중단되는 펌프 중단 단계; 상기 펌프 중단 단계에 의해 상기 진공 펌프의 작동이 중단된 상태에서 상기 배기단과 상기 흡기단을 연통시키는 순환관을 설치하는 순환관 설치 단계; 상기 순환관 설치 단계를 통해 상기 순환관이 설치된 상태에서 상기 진공 펌프가 작동하여 재가동되는 펌프 가동 단계; 및 상기 펌프 가동 단계를 통해 상기 진공 펌프가 작동하는 동안 상기 펌프 배기관이 세정되는 배관 세정 단계를 포함하며, 상기 펌프 가동 단계를 통해 상기 진공 펌프가 작동하여 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 순환관을 통해 순환하는 동안, 상기 진공 펌프에 공급되는 냉각수에 의해 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스의 온도가 설정 온도 이하로 낮아지고, 상기 진공 펌프로부터 가압되어서 배출되는 가스의 압력은 상기 순환관에 의해 손실되어서 설정 압력 이하로 낮아지는, 반도체 제조설비용 배기장비 운영방법이 제공된다.In order to achieve the object of the present invention, according to an aspect of the present invention, a vacuum pump for discharging residual gas in a process chamber of a semiconductor manufacturing facility, a chamber exhaust pipe connected to the intake end of the vacuum pump, and the A method of the exhaust equipment for cleaning the pump exhaust pipe in an exhaust equipment having a pump exhaust pipe connected to an exhaust end of a vacuum pump, wherein the residual gas from the process chamber is blocked from being discharged to the chamber exhaust pipe. A pump stopping step in which the operation of the vacuum pump is stopped; A circulation pipe installation step of installing a circulation pipe communicating the exhaust end and the intake end when the operation of the vacuum pump is stopped by the pump stopping step; A pump operation step in which the vacuum pump is operated and restarted while the circulation pipe is installed through the circulation pipe installation step; And a pipe cleaning step in which the pump exhaust pipe is cleaned while the vacuum pump is operated through the pump actuating step, wherein the vacuum pump is operated through the pump actuating step, and gas discharged from the vacuum pump is transferred to the circulation pipe. During circulation through the vacuum pump, the temperature of the gas discharged from the vacuum pump is lowered below the set temperature by the cooling water supplied to the vacuum pump, and the pressure of the gas discharged by being pressurized from the vacuum pump is lost by the circulation pipe. There is provided a method of operating exhaust equipment for semiconductor manufacturing facilities, which is then lowered below a set pressure.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 반도체 제조설비의 공정 챔버 내 잔류가스를 배출시키 위해 진공 펌프와, 상기 진공 펌프의 흡기단에 연결되는 챔버 배기관과, 상기 진공 펌프의 배기단에 연결되는 펌프 배기관과, 상기 배기단과 상기 흡기단을 연통시키는 순환관과, 상기 펌프 배기관과 상기 순환관의 연결 지점에서 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스의 유동 방향을 선택적으로 제어하는 밸브 장치를 구비하는 배기장비에서 상기 펌프 배기관의 세정을 위한 상기 배기장비의 방법으로서, 상기 공정 챔버로부터 상기 잔류가스가 상기 챔버 배기관으로 배출되는 것이 차단된 상태에서 상기 진공 펌프의 작동이 중단되는 펌프 중단 단계; 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 연결 지점에서 유동방향이 변경되어서 상기 순환관을 통해 상기 진공 펌프로 유입되도록 상기 밸브 장치가 제어되는 밸브 전환 단계; 상기 밸브 전환 단계가 수행된 후 상기 진공 펌프가 작동하여 재가동되는 펌프 가동 단계; 및 상기 펌프 가동 단계를 통해 상기 진공 펌프가 작동하는 동안 상기 펌프 배기관이 세정되는 배관 세정 단계를 포함하며, 상기 펌프 가동 단계를 통해 상기 진공 펌프가 작동하여 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 순환관을 통해 순환하는 동안, 상기 진공 펌프에 공급되는 냉각수에 의해 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스의 온도가 설정 온도 이하로 낮아지고, 상기 진공 펌프로부터 가압되어서 배출되는 가스의 압력은 상기 순환관에 의해 손실되어서 설정 압력 이하로 낮아지는, 반도체 제조설비용 배기장비 운영방법이 제공된다.In order to achieve the object of the present invention, according to another aspect of the present invention, a vacuum pump for discharging residual gas in a process chamber of a semiconductor manufacturing facility, a chamber exhaust pipe connected to the intake end of the vacuum pump, and the Selectively control the flow direction of the gas discharged from the vacuum pump at a connection point between the pump exhaust pipe connected to the exhaust end of the vacuum pump, the circulation pipe communicating the exhaust end and the intake end, and the pump exhaust pipe and the circulation pipe A method of the exhaust equipment for cleaning the pump exhaust pipe in an exhaust equipment having a valve device, wherein the operation of the vacuum pump is stopped while the residual gas from the process chamber is blocked from being discharged to the chamber exhaust pipe. Pump shutdown phase; A valve switching step in which the valve device is controlled so that the gas discharged from the vacuum pump changes in a flow direction at the connection point and flows into the vacuum pump through the circulation pipe; A pump operation step in which the vacuum pump is operated and restarted after the valve switching step is performed; And a pipe cleaning step in which the pump exhaust pipe is cleaned while the vacuum pump is operated through the pump actuating step, wherein the vacuum pump is operated through the pump actuating step, and gas discharged from the vacuum pump is transferred to the circulation pipe. During circulation through the vacuum pump, the temperature of the gas discharged from the vacuum pump is lowered below the set temperature by the cooling water supplied to the vacuum pump, and the pressure of the gas discharged by being pressurized from the vacuum pump is lost by the circulation pipe. There is provided a method of operating exhaust equipment for semiconductor manufacturing facilities, which is then lowered below a set pressure.

본 발명에 의하면 앞서서 기재한 본 발명의 목적을 모두 달성할 수 있다. 구체적으로는, 진공 펌프를 포함하는 별도의 순환 라인이 형성되어서 배기관이 세정되는 동안 진공 펌프을 멈추지 않고 지속적으로 작동시킬 수 있기 때문에, 진공 펌프의 작동 정지 후 재가동시 진공 펌프가 작동하지 않는 종래의 문제가 해결될 수 있다.According to the present invention, all the objects of the present invention described above can be achieved. Specifically, since a separate circulation line including the vacuum pump is formed so that the vacuum pump can be continuously operated while the exhaust pipe is being cleaned, the vacuum pump does not operate when restarting after the vacuum pump is stopped. Can be resolved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법이 적용되는 반도체 제조설비의 일 예에 대한 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 구성의 반도체 제조설비에 적용될 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법을 도시한 순서도이다.
도 3은 도 2에 도시된 순서도에서 순환관 설치 단계의 수행에 따라 순환관이 설치된 상태를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법이 적용되는 배기장비의 일 예에 대한 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 5는 도 4에서 다른 형태의 밸브가 사용되는 구성을 도시한 도면이다.
도 6은 도 4 또는 도 5에 도시된 구성의 배기장비에 적용될 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법을 도시한 순서도이다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법이 적용되는 배기 장비의 예들을 도시한 도면이다.1 is a diagram showing a schematic configuration of an example of a semiconductor manufacturing facility to which a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe according to an embodiment of the present invention is applied.
2 is a flowchart illustrating a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe according to an embodiment of the present invention that can be applied to the semiconductor manufacturing facility of the configuration shown in FIG. 1.
3 shows a state in which the circulation pipe is installed according to the execution of the circulation pipe installation step in the flow chart shown in FIG. 2.
4 is a view showing a schematic configuration of an example of an exhaust equipment to which a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe according to another embodiment of the present invention is applied.
5 is a diagram showing a configuration in which a valve of another type is used in FIG. 4.
6 is a flow chart illustrating a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe according to another embodiment of the present invention that can be applied to the exhaust equipment of the configuration shown in FIG. 4 or 5.
7 to 9 are diagrams showing examples of exhaust equipment to which a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe according to another embodiment of the present invention is applied.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법이 적용될 수 있는 반도체 제조설비의 개략적인 구성이 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 반도체 제조설비(100)는 반도체 제조를 위한 다양한 공정이 이루어지는 공정 챔버(110)와, 공정 챔버(110)로부터 배출되는 배기가스를 처리하는 스크러버(120)와, 공정 챔버(110)의 잔류 가스를 배출시켜서 스크러버(120)까지 이동시키는 배기장비(130)를 포함한다.1 shows a schematic configuration of a semiconductor manufacturing facility to which a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe according to an embodiment of the present invention can be applied. Referring to FIG. 1, the semiconductor manufacturing facility 100 includes a process chamber 110 in which various processes for semiconductor manufacturing are performed, a scrubber 120 for processing exhaust gas discharged from the process chamber 110, and a process chamber ( It includes an exhaust equipment 130 for discharging the residual gas of 110) and moving it to the scrubber 120.

공정 챔버(110)에서는 반도체 제조를 위한 다양한 공정이 이루어진다. 공정 챔버(110)에는 공정 후 잔류 가스가 남게 되며, 공정 챔버(110) 내 잔류 가스는 배기장비(130)에 의해 배출된다. 공정 챔버(110)는 반도체 제조 설비 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 모든 형태의 공정 챔버를 포함한다.Various processes for semiconductor manufacturing are performed in the process chamber 110. The residual gas after the process remains in the process chamber 110, and the residual gas in the process chamber 110 is discharged by the exhaust equipment 130. The process chamber 110 includes all types of process chambers commonly used in the field of semiconductor manufacturing equipment technology.

스크러버(120)는 공정 챔버(110)로부터 배출되는 배기가스를 처리한다. 스크러버(120)는 반도체 제조 설비 기술 분야에서 배기가스를 처리하기위한 통상적으로 사용되는 모든 형태의 스크러버를 포함한다.The scrubber 120 processes exhaust gas discharged from the process chamber 110. The scrubber 120 includes all types of scrubbers commonly used for treating exhaust gas in the field of semiconductor manufacturing equipment technology.

배기장비(130)는 공정 챔버(110)의 잔류가스를 배출시키고 공전 챔버(110)로부터 배출된 가스를 스크러버(120)까지 이동시킨다. 배기장비(130)는 공정 챔버(110)로부터 잔류 가스를 배출시키는 진공 펌프(131)와, 공정 챔버(110)와 진공 펌프(131)를 연결하는 챔버 배기관(135)과, 진공 펌프(131)와 스크러버(120)를 연결하는 펌프 배기관(138)을 구비한다. 배기 장치(130)는 반도체 제조 설비 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 모든 형태의 배기장비를 포함한다.The exhaust equipment 130 discharges the residual gas in the process chamber 110 and moves the gas discharged from the idle chamber 110 to the scrubber 120. The exhaust equipment 130 includes a vacuum pump 131 for discharging residual gas from the process chamber 110, a chamber exhaust pipe 135 connecting the process chamber 110 and the vacuum pump 131, and a vacuum pump 131 And a pump exhaust pipe 138 connecting the scrubber 120 with the scrubber 120. The exhaust device 130 includes all types of exhaust equipment commonly used in the field of semiconductor manufacturing equipment technology.

도 2에는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조설비용 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법이 순서도로서 도시되어 있다. 도 2에 도시된 방법은 도 1에 도시된 반도체 제조설비(100)에서 챔버 배기관(138)의 세정을 위해 배기장비(130)를 운영하는 방법에 관한 것이다. 도 1과 함께 도 2를 참조하면, 반도체 제조설비용 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법은, 진공 펌프(131)의 작동을 일시 중단시키는 펌프 중단 단계(S10)와, 진공 펌프(131)의 작동이 일시 중단된 상태에서 순환관을 설치하는 순환관 설치 단계(S20)와, 순환관이 설치된 후 진공 펌프(131)를 작동시키는 펌프 가동 단계(S30)와, 순환관이 설치된 후 펌프 배기관(138)을 세정하는 배관 세정 단계(S40)를 포함한다.2 is a flowchart illustrating a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe for a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention. The method shown in FIG. 2 relates to a method of operating the exhaust equipment 130 for cleaning the chamber exhaust pipe 138 in the semiconductor manufacturing facility 100 shown in FIG. 1. Referring to FIG. 2 along with FIG. 1, the method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe for a semiconductor manufacturing facility includes a pump stopping step S10 of temporarily stopping the operation of the vacuum pump 131 and the vacuum pump 131. A circulation pipe installation step (S20) of installing a circulation pipe in a state in which the operation is temporarily suspended, a pump operation step (S30) of operating the vacuum pump 131 after the circulation pipe is installed, and the pump exhaust pipe ( It includes a pipe cleaning step (S40) of cleaning 138).

펌프 중단 단계(S10)에서는 공정 챔버(110)의 가스 배출구가 폐쇄되어서 공정 챔버(110)로부터의 가스 배출이 차단된 상태에서 진공 펌프(131)의 전원이 오프되어서 진공 펌프(131)의 작동이 중단된다. 펌프 중단 단계(S10)에 의해 진공 펌프(131)의 작동이 중단된 상태에서 순환관 설치 단계(S20)가 수행된다.In the pump stopping step (S10), the power of the vacuum pump 131 is turned off while the gas outlet of the process chamber 110 is closed and gas discharge from the process chamber 110 is blocked, and the operation of the vacuum pump 131 is stopped. Stopped. In a state in which the operation of the vacuum pump 131 is stopped by the pump stopping step S10, the circulation pipe installation step S20 is performed.

순환관 설치 단계(S20)에서는 펌프 중단 단계(S10)에 의해 진공 펌프(131)의 작동이 중단된 상태에서 순환관이 설치된다. 도 3에는 순환관 설치 단계(S20)를 통해 순환관이 설치된 상태가 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 순환관(160)은 진공 펌프(131)의 배기단(132)과 챔버 배기관(135)을 연결하도록 설치된다. 본 실시예에서는 순환관(160)의 설치가 용이하도록 순환관은 벨로우즈관과 같이 유연한 형태의 관이 사용되는 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 본 실시예에서는 순환관(160)이 챔버 배기관(135) 상에 연결되도록 설치되는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 진공 펌프(131)의 흡기단(133)에 연결되도록 설치될 수도 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 순환관(160)는 배관 세정 단계(S40)를 통해 펌프 배기관(138)이 세정된 후에 분리되어서 제거된다. 본 발명에서 순환관은 진공 펌프(131)로부터 배출되는 가스를 진공 펌프(131)의 유입 측으로 유동을 안내하여 순환시킬 수 있는 구성을 의미하는 것이다. 순환관 설치 단계(S20)를 통해 순환관(160)이 설치된 후에는 펌프 가동 단계(S30)와 배관 세정 단계(S40)가 수행된다.In the circulation pipe installation step (S20), the circulation pipe is installed in a state in which the operation of the vacuum pump 131 is stopped by the pump stopping step (S10). 3 shows a state in which the circulation pipe is installed through the circulation pipe installation step (S20). Referring to FIG. 3, the circulation pipe 160 is installed to connect the exhaust end 132 of the vacuum pump 131 and the chamber exhaust pipe 135. In the present embodiment, it is described that the circulation pipe is a flexible pipe such as a bellows pipe to facilitate installation of the circulation pipe 160, but the present invention is not limited thereto. In the present embodiment, it is described that the circulation pipe 160 is installed to be connected to the chamber exhaust pipe 135, but, unlike this, it may be installed to be connected to the intake end 133 of the vacuum pump 131, which is also the present invention. It belongs to the scope of. The circulation pipe 160 is separated and removed after the pump exhaust pipe 138 is cleaned through the pipe cleaning step (S40). In the present invention, the circulation pipe refers to a configuration capable of circulating the gas discharged from the vacuum pump 131 by guiding the flow to the inlet side of the vacuum pump 131. After the circulation pipe 160 is installed through the circulation pipe installation step S20, the pump operation step S30 and the pipe cleaning step S40 are performed.

펌프 가동 단계(S30)에서는 순환관 설치 단계(S20)를 통해 순환관(160)이 설치된 후에 일시적으로 작동이 중단되었던 진공 펌프(131)가 재가동된다. 펌프 가동 단계(S30)에 의해 진공 펌프(131)가 가동됨으로써, 진공 펌프(131)로부터 배출되는 가스는 순환관(160)을 통해 도 3에 파선의 화살표로 도시된 바와 같이 챔버 배기관(135)으로 유입되어서 순환하게 된다. 진공 펌프(131)가 가동되어서 도 3에 도시된 바와 같이 순환관(160)을 통해 가스가 순환하는 과정에서 진공 펌프(131)에 공급되는 냉각수에 의해 진공 펌프(131) 및 순환 가스의 온도가 설정 온도 이하로 저하된다. 또한, 진공 펌프(131)로부터 가압되어서 배출되는 가스의 압력은 순환관(160)에 의해 손실되어서 설정 압력 이하로 낮아진다. 펌프 가동 단계(S30)를 통한 진공 펌프(131)의 작동은 배관 세정 단계(S40)가 수행되는 동안 유지된다.In the pump operation step (S30), after the circulation pipe 160 is installed through the circulation pipe installation step (S20), the vacuum pump 131, which has temporarily stopped operation, is restarted. As the vacuum pump 131 is operated by the pump operation step S30, the gas discharged from the vacuum pump 131 passes through the circulation pipe 160, as shown by the broken arrow in FIG. 3, the chamber exhaust pipe 135 And circulates. When the vacuum pump 131 is operated and the gas is circulated through the circulation pipe 160 as shown in FIG. 3, the temperature of the vacuum pump 131 and the circulating gas is reduced by the cooling water supplied to the vacuum pump 131. It falls below the set temperature. In addition, the pressure of the gas that is pressurized and discharged from the vacuum pump 131 is lost by the circulation pipe 160 and is lowered below the set pressure. The operation of the vacuum pump 131 through the pump operation step S30 is maintained while the pipe cleaning step S40 is performed.

배관 세정 단계(S40)에서는 순환관 설치 단계(S20)를 통해 순환관이 설치된 후 펌프 배기관(138)이 세정된다. 배관 세정 단계(S40)는 펌프 가동 단계(S30)에 의해 진공 펌프(131)가 작동하는 동안 수행된다. 배관 세정 단계(S40)에서 수행되는 배관 세정은 반도체 제조 설비 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 배기관 세정 방법(예를 들어, 공개특허 제10-2008-0092617에 개시된 배관 세정 방법)을 포함하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.In the pipe cleaning step (S40), after the circulation pipe is installed through the circulation pipe installation step (S20), the pump exhaust pipe 138 is cleaned. The pipe cleaning step (S40) is performed while the vacuum pump 131 is operating by the pump operation step (S30). The pipe cleaning performed in the pipe cleaning step (S40) includes an exhaust pipe cleaning method commonly used in the field of semiconductor manufacturing equipment technology (for example, a pipe cleaning method disclosed in Korean Patent Application Publication No. 10-2008-0092617). Description is omitted.

도 2에 도시된 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 배기장비의 운영방법에 따르면, 챔버 배기관(138)이 세정되는 동안 진공 펌프(131)의 작동 상태가 유지되므로, 배관 세정을 위해 진공 펌프의 작동을 중단시키는 경우 진공 펌프 내 부산물 고착으로 인한 진공 펌프 재가동 불량이 발생하는 종래의 기술의 문제점이 해결된다.According to the method of operating the exhaust equipment according to an embodiment of the present invention as shown in FIG. 2, since the operating state of the vacuum pump 131 is maintained while the chamber exhaust pipe 138 is being cleaned, the vacuum pump for cleaning the pipe In the case of stopping the operation of the vacuum pump, the problem of the prior art is solved, in which a vacuum pump restart failure occurs due to adhesion of by-products in the vacuum pump.

도 4에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법이 적용되는 배기장비의 일 예에 대한 구성이 도시되어 있다. 도 4를 참조하면, 배기장비(230)는 공정 챔버(도 1의 110)로부터 잔류 가스를 배출시키는 진공 펌프(131)와, 공정 챔버(도 1의 110)와 진공 펌프(131)를 연결하는 챔버 배기관(135)과, 진공 펌프(131)와 스크러버(도 1의 120)를 연결하는 펌프 배기관(138)과, 펌프 배기관(138)에 설치되어서 펌프 배기관(138)을 개폐하는 제1 개폐밸브(233)와, 진공 펌프(131)로부터 배출되는 가스를 진공 펌프(131)의 유입 측으로 안내하는 순환관(231)과, 순환관(231)에 설치되어서 순환관(231)을 개폐하는 제2 개폐밸브(232)를 구비한다.4 is a block diagram illustrating an example of an exhaust equipment to which a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe according to another embodiment of the present invention is applied. Referring to FIG. 4, the exhaust equipment 230 connects the vacuum pump 131 for discharging residual gas from the process chamber (110 in FIG. 1) and the vacuum pump 131 with the process chamber (110 in FIG. 1). The chamber exhaust pipe 135, the pump exhaust pipe 138 connecting the vacuum pump 131 and the scrubber (120 in FIG. 1), and a first opening/closing valve installed in the pump exhaust pipe 138 to open and close the pump exhaust pipe 138 233, a circulation pipe 231 guiding the gas discharged from the vacuum pump 131 to the inlet side of the vacuum pump 131, and a second circulation pipe 231 installed in the circulation pipe 231 to open and close the circulation pipe 231 It is provided with an on-off valve (232).

순환관(231)은 도 3에 도시된 임시적으로 설치되는 순환관(160)과는 달리 영구적으로 설치되는 것으로서, 챔버 배기관(135)과 펌프 배기관(138)을 연결한다. 순환관(231)은 제2 개폐밸브(232)에 의해 개폐된다.The circulation pipe 231 is permanently installed unlike the temporarily installed circulation pipe 160 shown in FIG. 3, and connects the chamber exhaust pipe 135 and the pump exhaust pipe 138. The circulation pipe 231 is opened and closed by the second on-off valve 232.

제1 개폐밸브(233)는 펌프 배기관(138) 상에 설치되어서 펌프 배기관(138)을 개폐하는데, 펌프 배기관(138)과 순환관(231)이 연결되는 지점보다 하류에 위치한다.The first on-off valve 233 is installed on the pump exhaust pipe 138 to open and close the pump exhaust pipe 138, and is located downstream from the point where the pump exhaust pipe 138 and the circulation pipe 231 are connected.

도 5에는 도 4에서 다른 밸브 구조를 갖는 실시예가 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 펌프 배기관(138)과 순환관(231)이 연결되는 지점에 삼방 밸브(333)가 설치된다. 삼방 밸브(333)에 의해 진공 펌프(131)로부터 배출되는 가스는 스크러버(도 1의 120)로 이동하거나, 순환관(260)을 통해 진공 펌프(131)로 순환 공급된다.FIG. 5 shows an embodiment having another valve structure in FIG. 4. 5, a three-way valve 333 is installed at a point where the pump exhaust pipe 138 and the circulation pipe 231 are connected. The gas discharged from the vacuum pump 131 by the three-way valve 333 moves to a scrubber (120 in FIG. 1) or is circulated and supplied to the vacuum pump 131 through a circulation pipe 260.

도 6에는 도 4 또는 도 5에 도시된 구성의 배기장비에 적용될 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법이 순서도로서 도시되어 있다. 도 6을 차6 is a flowchart illustrating a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe according to another embodiment of the present invention that can be applied to the exhaust equipment of the configuration shown in FIG. 4 or 5. Car figure 6

도 6에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조설비용 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법이 순서도로서 도시되어 있다. 도 6에 도시된 방법은 도 4에 도시된 배기장비(230) 또는 도 5에 도시된 배기장비(330)에서 챔버 배기관(138)의 세정을 위해 배기장비(230, 330)를 운영하는 방법에 관한 것이다. 도 4 내지 도 6을 참조하면, 반도체 제조설비용 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법은, 진공 펌프(131)의 작동을 일시 중단시키는 펌프 중단 단계(S10)와, 진공 펌프(131)의 작동이 일시 중단된 상태에서 밸브(232, 233, 333)를 제어하여 진공 펌프(131)로부터 배출되는 가스의 유동 방향을 바꾸는 밸브 전환 단계(S20')와, 밸브 전환 단계(S20') 후 진공 펌프(131)를 작동시키는 펌프 가동 단계(S30)와, 밸브 전환 단계(S20') 후 펌프 배기관(138)을 세정하는 배관 세정 단계(S40)를 포함한다.6 is a flowchart illustrating a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe for a semiconductor manufacturing facility according to another embodiment of the present invention. The method shown in FIG. 6 is a method of operating the exhaust equipment 230 and 330 for cleaning the chamber exhaust pipe 138 in the exhaust equipment 230 shown in FIG. 4 or the exhaust equipment 330 shown in FIG. 5. About. 4 to 6, a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe for a semiconductor manufacturing facility includes a pump stopping step (S10) of temporarily stopping the operation of the vacuum pump 131 and the operation of the vacuum pump 131 In this temporarily suspended state, the valve switching step (S20') in which the flow direction of the gas discharged from the vacuum pump 131 is changed by controlling the valves 232, 233, 333, and the vacuum pump after the valve switching step (S20') It includes a pump operation step (S30) for operating 131, and a pipe cleaning step (S40) for cleaning the pump exhaust pipe 138 after the valve switching step (S20').

펌프 중단 단계(S10)에서는 공정 챔버(도 1110)의 가스 배출구가 폐쇄되어서 공정 챔버(도 1의 110)로부터의 가스 배출이 차단된 상태에서 진공 펌프(131)의 전원이 오프되어서 진공 펌프(131)의 작동이 중단된다. 펌프 중단 단계(S10)에 의해 진공 펌프(131)의 작동이 중단된 상태에서 밸브 전환 단계(S20')가 수행된다. 밸브 전환 단계(S20')가 수행되기 전까지 진공 펌프(131)로부터 배출되는 가스는 펌프 배기관(138)을 통해 스크러버(120)로 이동한다. 이를 위하여, 도 4에 도시된 배기장비(230)의 구성에서는 제1 개폐밸브(233)에 의해 펌프 배기관(138)이 개방되고 제2 개폐밸브(232)에 의해 순환관(231)이 폐쇄되어서 가스가 실선의 화살표와 같이 유동하며, 도 5에 도시된 배기장비(330)의 구성에서는 삼방밸브(333)에 의해 실선의 화살표와 같이 유동한다.In the pump stopping step (S10), the power of the vacuum pump 131 is turned off while the gas outlet of the process chamber (FIG. 1110) is closed and gas discharge from the process chamber (110 in FIG. 1) is blocked. ) Stops working. In the state in which the operation of the vacuum pump 131 is stopped by the pump stopping step S10, the valve switching step S20' is performed. The gas discharged from the vacuum pump 131 moves to the scrubber 120 through the pump exhaust pipe 138 until the valve switching step S20' is performed. To this end, in the configuration of the exhaust equipment 230 shown in FIG. 4, the pump exhaust pipe 138 is opened by the first on/off valve 233 and the circulation pipe 231 is closed by the second on/off valve 232 The gas flows like an arrow of a solid line, and in the configuration of the exhaust equipment 330 shown in FIG. 5, it flows like an arrow of a solid line by a three-way valve 333.

밸브 전환 단계(S20')에서는 진공 펌프(131)로부터 배출되는 가스가 순환관(231)을 통해 진공 펌프(131)의 유입 측으로 이동하도록 밸브(231, 233, 333)의 작동이 전환된다. 도 4에 도시된 구성에서는 제1 개폐밸브(233)가 펌프 배기관(138)을 폐쇄하고 제2 개폐밸브(232)가 순환관(231)을 개방된다. 도 5에 도시된 구성에서는 삼방 밸브(333)의 가스 유동 안내 방향이 전환된다.In the valve switching step S20', the operation of the valves 231, 233, and 333 is switched so that the gas discharged from the vacuum pump 131 moves to the inlet side of the vacuum pump 131 through the circulation pipe 231. In the configuration shown in FIG. 4, the first on-off valve 233 closes the pump exhaust pipe 138 and the second on-off valve 232 opens the circulation pipe 231. In the configuration shown in FIG. 5, the direction of guiding the gas flow of the three-way valve 333 is switched.

펌프 가동 단계(S30)에서는 밸브 전환 단계(S20')를 통해 가스가 진공 펌프(131)를 순환하도록 안내된 후에 일시적으로 작동이 중단되었던 진공 펌프(131)가 재가동된다. 펌프 가동 단계(S30)에 의해 진공 펌프(131)가 가동됨으로써, 진공 펌프(131)로부터 배출되는 가스는 순환관(231)을 통해 도 4 및 도 5에 파선의 화살표로 도시된 바와 같이 챔버 배기관(135)으로 유입되어서 순환하게 된다. 진공 펌프(131)가 가동되어서 순환관(231)을 통해 가스가 순환하는 과정에서 진공 펌프(131)에 공급되는 냉각수에 의해 진공 펌프(131) 및 순환 가스의 온도가 설정 온도 이하로 저하된다. 또한, 진공 펌프(131)로부터 가압되어서 배출되는 가스의 압력은 순환관(231)에 의해 손실되어서 설정 압력 이하로 낮아진다. 펌프 가동 단계(S30)를 통한 진공 펌프(131)의 작동은 배관 세정 단계(S40)가 수행되는 동안 유지된다.In the pump operation step S30, after the gas is guided to circulate the vacuum pump 131 through the valve switching step S20', the vacuum pump 131, which has been temporarily stopped, is restarted. By operating the vacuum pump 131 by the pump operation step (S30), the gas discharged from the vacuum pump 131 passes through the circulation pipe 231 as shown by the broken arrows in Figs. It flows into (135) and circulates. While the vacuum pump 131 is operated and the gas is circulated through the circulation pipe 231, the temperatures of the vacuum pump 131 and the circulating gas are lowered below the set temperature by the cooling water supplied to the vacuum pump 131. Further, the pressure of the gas that is pressurized and discharged from the vacuum pump 131 is lost by the circulation pipe 231 and is lowered below the set pressure. The operation of the vacuum pump 131 through the pump operation step S30 is maintained while the pipe cleaning step S40 is performed.

배관 세정 단계(S40)는 배관 세정 단계(S40)는 펌프 가동 단계(S30)에 의해 진공 펌프(131)가 작동하여 가스가 진공 펌프(131)를 순환하는 동안 수행된다. 배관 세정 단계(S40)에서 수행되는 배관 세정은 반도체 제조 설비 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 배기관 세정 방법(예를 들어, 공개특허 제10-2008-0092617에 개시된 배관 세정 방법)을 포함하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.The pipe cleaning step S40 is performed while the vacuum pump 131 is operated by the pump operation step S30 and the gas circulates through the vacuum pump 131 in the pipe cleaning step S40. The pipe cleaning performed in the pipe cleaning step (S40) includes an exhaust pipe cleaning method commonly used in the field of semiconductor manufacturing equipment technology (for example, a pipe cleaning method disclosed in Korean Patent Application Publication No. 10-2008-0092617). Description is omitted.

도 7 내지 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법이 적용되는 배기장비의 예들을 도시한 도면이다. 도 7 내지 도 9에 도시된 배기장비의 운영방법은 밸브 전환 단계와 배관 세정 단계를 포함할 수 있다.7 to 9 are diagrams showing examples of exhaust equipment to which a method of operating an exhaust equipment for cleaning an exhaust pipe according to another embodiment of the present invention is applied. The method of operating the exhaust equipment illustrated in FIGS. 7 to 9 may include a valve switching step and a pipe cleaning step.

도 7을 참조하면, 배기장비(430)는 두 진공 펌프(131, 231)들과, 두 진공 펌프(131, 231)들 각각으로부터 연장되는 두 펌프 배기관(138, 238)들과, 두 진공 펌프(131, 231)들 각각의 배기단에서 두 펌프 배기관(138, 238)들 사이를 연결하는 연결관(451)과, 두 펌프 배기관(138, 238)들 및 연결관(451) 각각에 설치되는 세 개의 개폐밸브(233, 243, 254)들을 구비한다.Referring to FIG. 7, the exhaust equipment 430 includes two vacuum pumps 131 and 231, two pump exhaust pipes 138 and 238 extending from each of the two vacuum pumps 131 and 231, and two vacuum pumps. The connection pipe 451 connecting between the two pump exhaust pipes 138 and 238 at the exhaust ends of the 131 and 231 and the two pump exhaust pipes 138 and 238 and the connection pipe 451 are installed respectively. It has three on-off valves (233, 243, 254).

두 진공 펌프(131, 231)는 서로 독립적으로 작동하는 제1 진공 펌프(131)와 제2 진공 펌프(231)를 구비한다. 두 진공 펌프(131, 231)는 각각에 대응하는 공정 챔버와 연결되어서 작동하는 것이다.The two vacuum pumps 131 and 231 are provided with a first vacuum pump 131 and a second vacuum pump 231 operating independently of each other. The two vacuum pumps 131 and 231 are operated by being connected to a corresponding process chamber.

두 펌프 배기관(138, 238)은 제1 진공 펌프(131)로부터 연장되는 제1 펌프 배기관(138)과, 제2 진공 펌프(231)로부터 연장되는 제2 펌프 배기관(238)을 구비한다. 제1 펌프 배기관(138)을 통해서는 제1 진공 펌프(131)로부터 배출되는 배기가스가 유동하고, 제2 펌프 배기관(238)을 통해서는 제2 진공 펌프(231)로부터 배출되는 배기가스가 유동한다.The two pump exhaust pipes 138 and 238 include a first pump exhaust pipe 138 extending from the first vacuum pump 131 and a second pump exhaust pipe 238 extending from the second vacuum pump 231. Exhaust gas discharged from the first vacuum pump 131 flows through the first pump exhaust pipe 138, and exhaust gas discharged from the second vacuum pump 231 flows through the second pump exhaust pipe 238 do.

연결관(451)은 제1 진공 펌프(131)의 배기단측과 제2 진공 펌프(231)의 배기단측에서 제1 펌프 배기관(138)의 선단과 제2 펌프 배기관(238)의 선단 사이를 연결한다. 연결관(451)을 통해 제1 진공 펌프(131)로부터 배출되는 배기가스가 제2 펌프 배기관(238)으로 유입되거나 제2 진공 펌프(231)로부터 배출되는 배기가스가 제1 펌프 배기관(138)으로 유입될 수 있다.The connection pipe 451 connects between the front end of the first pump exhaust pipe 138 and the front end of the second pump exhaust pipe 238 at the exhaust end side of the first vacuum pump 131 and the exhaust end side of the second vacuum pump 231 do. Exhaust gas discharged from the first vacuum pump 131 through the connection pipe 451 flows into the second pump exhaust pipe 238 or the exhaust gas discharged from the second vacuum pump 231 flows into the first pump exhaust pipe 138 Can be introduced into.

세 개의 개폐밸브(233, 243, 254)들은 제1 펌프 배기관(138)을 개폐하는 제1 개폐 밸브(233)와, 제2 펌프 배기관(238)을 개폐하는 제2 개폐 밸브(243)와, 연결관(451)을 개폐하는 제3 개폐밸브(254)를 구비한다. 보통의 경우에는 제1 개폐밸브(233)는 제1 펌프 배기관(138)을 개방시키고, 제2 개폐밸브(243)는 제2 펌프 배기관(238)을 개방시키며, 제3 개폐밸브(254)는 연결관(451)을 폐쇄시켜서, 제1 진공 펌프(131)로부터 배출되는 배기가스는 제1 펌프 배기관(138)을 통해 배출되도록 하고, 제2 진공 펌프(231)로부터 배출되는 배기가스는 제2 펌프 배기관(238)을 통해 배출되도록 한다.The three on-off valves 233, 243, 254 are a first on-off valve 233 for opening and closing the first pump exhaust pipe 138, a second on-off valve 243 for opening and closing the second pump exhaust pipe 238, A third on-off valve 254 for opening and closing the connection pipe 451 is provided. In a normal case, the first on-off valve 233 opens the first pump exhaust pipe 138, the second on-off valve 243 opens the second pump exhaust pipe 238, and the third on-off valve 254 is By closing the connection pipe 451, the exhaust gas discharged from the first vacuum pump 131 is discharged through the first pump exhaust pipe 138, and the exhaust gas discharged from the second vacuum pump 231 is a second It is to be discharged through the pump exhaust pipe 238.

도 7에 도시된 구성에서 제1 펌프 배기관(138)에 대한 세정이 요구되는 경우, 밸브 전환 단계에서 제1 펌프 배기관(138)이 폐쇄되고 제2 펌프 배기관(138)과 연결관(451)은 개방되도록 제1, 제2, 제3 개폐밸브(233, 243, 254)가 제어된다. 그에 따라, 두 진공 펌프(131 ,231)가 모두 작동하는 상태에서 두 진공 펌프(131, 231)로부터 배출되는 가스는 모두 제2 펌프 배기관(238)을 통해 배출되며, 그 동안 배관 세정 단계를 통해 제1 펌프 배기관(138)이 세정된다.When cleaning of the first pump exhaust pipe 138 is required in the configuration shown in FIG. 7, the first pump exhaust pipe 138 is closed in the valve switching step, and the second pump exhaust pipe 138 and the connection pipe 451 are The first, second, and third on-off valves 233, 243 and 254 are controlled to be opened. Accordingly, gas discharged from the two vacuum pumps 131 and 231 is discharged through the second pump exhaust pipe 238 while both vacuum pumps 131 and 231 are operating, during which the pipe cleaning step is performed. The first pump exhaust pipe 138 is cleaned.

도 8을 참조하면, 배기장비(530)는 진공 펌프(131)와, 진공 펌프(131)로부터 연장되는 펌프 배기관(138)과, 펌프 배기관(138)에 연결되는 바이패스 관(311)과, 펌프 배기관(138)에 설치되는 제1, 제2 개폐밸브(233, 234)과, 바이패스 관(311)에 설치되는 제3, 제4 개폐밸브(312, 313)를 구비한다.8, the exhaust equipment 530 includes a vacuum pump 131, a pump exhaust pipe 138 extending from the vacuum pump 131, a bypass pipe 311 connected to the pump exhaust pipe 138, and First and second opening and closing valves 233 and 234 installed in the pump exhaust pipe 138 and third and fourth opening and closing valves 312 and 313 installed in the bypass pipe 311 are provided.

바이패스 관(311)은 펌프 배기관(138)의 선단과 후단에 각각 연결된다.The bypass pipe 311 is connected to the front and rear ends of the pump exhaust pipe 138, respectively.

제1 개폐밸브(233)는 펌프 배기관(138)의 선단에 인접하여 위치하고 제2 개폐밸브(234)는 펌프 배기관(138)의 후단에 인접하여 위치한다. 제1, 제2 개폐밸브(233, 234)에 의해 펌프 배기관(138)을 통한 배기가스의 유동이 제어된다.The first on-off valve 233 is located adjacent to the front end of the pump exhaust pipe 138 and the second on-off valve 234 is located adjacent to the rear end of the pump exhaust pipe 138. The flow of exhaust gas through the pump exhaust pipe 138 is controlled by the first and second on-off valves 233 and 234.

제3 개폐밸브(312)는 바이패스 관(311) 상에서 펌프 배기관(138)의 선단에 인접하여 위치하고 제4 개폐밸브(313)는 바이패스 관(311) 상에서 펌프 배기관(138)의 후단에 인접하여 위치한다. 제3, 제4 개폐밸브(312, 313)에 의해 바이패스 관(311)을 통한 배기가스의 유동이 제어된다. 보통의 경우에는 제1, 제2 개폐밸브(233, 234)는 펌프 배기관(138)을 개방시키고, 제3, 제4 개폐밸브(312, 313)는 바이패스 관(311)을 폐쇄시켜서, 진공 펌프(131)로부터 배출되는 배기가스는 펌프 배기관(138)을 통해서만 배출되도록 한다.The third on-off valve 312 is located adjacent to the front end of the pump exhaust pipe 138 on the bypass pipe 311 and the fourth on-off valve 313 is adjacent to the rear end of the pump exhaust pipe 138 on the bypass pipe 311 Is located. The flow of exhaust gas through the bypass pipe 311 is controlled by the third and fourth on-off valves 312 and 313. In a normal case, the first and second on-off valves 233 and 234 open the pump exhaust pipe 138, and the third and fourth on-off valves 312 and 313 close the bypass pipe 311 to vacuum The exhaust gas discharged from the pump 131 is discharged only through the pump exhaust pipe 138.

도 8에 도시된 구성에서 펌프 배기관(138)에 대한 세정이 요구되는 경우, 밸브 전환 단계에서 펌프 배기관(138)이 폐쇄되고 바이패스 관(311)이 개방되도록 제1, 제2, 제3, 제4 개폐밸브(233, 234, 312, 313)가 제어된다. 그에 따라, 진공 펌프(131)가 작동하는 상태에서 진공 펌프(131)로부터 배출되는 가스는 바이패스 관(311)을 통해 배출되며, 그 동안 배관 세정 단계를 통해 펌프 배기관(138)이 세정된다.When cleaning the pump exhaust pipe 138 is required in the configuration shown in FIG. 8, the pump exhaust pipe 138 is closed and the bypass pipe 311 is opened in the valve switching step. The fourth on-off valves 233, 234, 312, 313 are controlled. Accordingly, while the vacuum pump 131 is operating, the gas discharged from the vacuum pump 131 is discharged through the bypass pipe 311, while the pump exhaust pipe 138 is cleaned through a pipe cleaning step.

도 9를 참조하면, 배기장비(630)는 진공 펌프(131)와, 진공 펌프(131)로부터 연장되는 주 펌프 배기관(138)과, 주 펌프 배기관(138) 상에 설치되는 주 개폐밸브(233)와, 진공 펌프(131)로부터 연장되는 보조 펌프 배기관(411)과, 보조 펌프 배기관(411) 상에 설치는 보조 개폐밸브(430)와, 보조 펌프 배기관(411)에 연결되는 보조 정화 장치(420)를 구비한다.9, the exhaust equipment 630 includes a vacuum pump 131, a main pump exhaust pipe 138 extending from the vacuum pump 131, and a main opening/closing valve 233 installed on the main pump exhaust pipe 138. ), an auxiliary pump exhaust pipe 411 extending from the vacuum pump 131, an auxiliary opening/closing valve 430 installed on the auxiliary pump exhaust pipe 411, and an auxiliary purification device connected to the auxiliary pump exhaust pipe 411 ( 420).

보조 펌프 배기관(411)의 선단은 주 펌프 배기관(138)의 선단과 연결된다. 주 개폐밸브(233)는 주 펌프 배기관(138)의 선단에 인접하여 위치하여 주 펌프 배기관(138)을 통해 배기가스의 유동을 제어하며, 보조 개폐밸브(430)는 보조 펌프 배기관(411)의 선단과 인접하여 위치하여 보조 펌프 배기관(411)을 통한 배기가스의 유동을 제어한다. 보통의 경우에는 주 개폐밸브(233)는 주 펌프 배기관(138)을 개방시키고, 보조 개폐밸브(430)는 보조 펌프 배기관(411)을 폐쇄시켜서, 진공 펌프(131)로부터 배출되는 배기가스는 주 펌프 배기관(138)을 통해서만 배출되도록 한다.The front end of the auxiliary pump exhaust pipe 411 is connected to the front end of the main pump exhaust pipe 138. The main on-off valve 233 is located adjacent to the front end of the main pump exhaust pipe 138 to control the flow of exhaust gas through the main pump exhaust pipe 138, and the auxiliary on-off valve 430 is It is located adjacent to the front end and controls the flow of exhaust gas through the auxiliary pump exhaust pipe 411. In general, the main on-off valve 233 opens the main pump exhaust pipe 138, and the auxiliary on-off valve 430 closes the auxiliary pump exhaust pipe 411, so that the exhaust gas discharged from the vacuum pump 131 is the main It should be discharged only through the pump exhaust pipe 138.

도 9에 도시된 구성에서 주 펌프 배기관(138)에 대한 세정이 요구되는 경우, 밸브 전환 단계에서 주 펌프 배기관(138)이 폐쇄되고 보조 펌프 배기관(411)이 개방되도록 주 개폐밸브(233)와 보조 개폐밸브(430)가 제어된다. 그에 따라, 진공 펌프(131)가 작동하는 상태에서 진공 펌프(131)로부터 배출되는 가스는 보조 펌프 배기관(411)을 통해 배출되어서 보조 정화 장치(420)에 의해 정화 처리되며, 그 동안 배관 세정 단계를 통해 주 펌프 배기관(138)이 세정된다.In the configuration shown in FIG. 9, when cleaning is required for the main pump exhaust pipe 138, the main opening/closing valve 233 and the auxiliary pump exhaust pipe 411 are closed so that the main pump exhaust pipe 138 is closed and the auxiliary pump exhaust pipe 411 is opened. The auxiliary on-off valve 430 is controlled. Accordingly, the gas discharged from the vacuum pump 131 in the operating state of the vacuum pump 131 is discharged through the auxiliary pump exhaust pipe 411 to be purified by the auxiliary purification device 420, during which the pipe cleaning step Through the main pump exhaust pipe 138 is cleaned.

이상 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 실시예는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정되거나 변경될 수 있으며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 이러한 수정과 변경도 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.Although the present invention has been described through the above embodiments, the present invention is not limited thereto. The above embodiments may be modified or changed without departing from the spirit and scope of the present invention, and those skilled in the art will recognize that such modifications and changes also belong to the present invention.

100 : 반도체 제조설비 110 : 공정 챔버
120 : 스크러버 130 : 배기장비
131 : 진공 펌프 135 : 챔버 배기관
138 : 펌프 배기관 160, 232, 233 : 순환관
232 : 제2 개폐밸브 233 : 제1 개폐밸브
333 : 삼방밸브100: semiconductor manufacturing equipment 110: process chamber
120: scrubber 130: exhaust equipment
131: vacuum pump 135: chamber exhaust pipe
138: pump exhaust pipe 160, 232, 233: circulation pipe
232: second on-off valve 233: first on-off valve
333: three-way valve

Claims (9)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 반도체 제조설비의 공정 챔버 내 잔류가스를 배출시키 위해 진공 펌프와, 상기 진공 펌프의 흡기단에 연결되는 챔버 배기관과, 상기 진공 펌프의 배기단에 연결되는 펌프 배기관과, 상기 배기단과 상기 흡기단을 연통시키는 순환관과, 상기 펌프 배기관과 상기 순환관의 연결 지점에서 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스의 유동 방향을 선택적으로 제어하는 밸브 장치를 구비하는 배기장비에서 상기 펌프 배기관의 세정을 위한 상기 배기장비의 운영방법으로서,
상기 공정 챔버로부터 상기 잔류가스가 상기 챔버 배기관으로 배출되는 것이 차단된 상태에서 상기 진공 펌프의 작동이 중단되는 펌프 중단 단계;
상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 연결 지점에서 유동방향이 변경되어서 상기 순환관을 통해 상기 진공 펌프로 유입되도록 상기 밸브 장치가 제어되는 밸브 전환 단계;
상기 밸브 전환 단계가 수행된 후 상기 진공 펌프가 작동하여 재가동되는 펌프 가동 단계; 및
상기 펌프 가동 단계를 통해 상기 진공 펌프가 작동하는 동안 상기 펌프 배기관이 세정되는 배관 세정 단계를 포함하며,
상기 펌프 가동 단계를 통해 상기 진공 펌프가 작동하여 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 순환관을 통해 순환하는 동안, 상기 진공 펌프에 공급되는 냉각수에 의해 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스의 온도가 설정 온도 이하로 낮아지고, 상기 진공 펌프로부터 가압되어서 배출되는 가스의 압력은 상기 순환관에 의해 손실되어서 설정 압력 이하로 낮아지는, 반도체 제조설비용 배기장비 운영방법.A vacuum pump to discharge residual gas in the process chamber of a semiconductor manufacturing facility, a chamber exhaust pipe connected to the intake end of the vacuum pump, a pump exhaust pipe connected to the exhaust end of the vacuum pump, and the exhaust end and the intake end The exhaust equipment for cleaning the pump exhaust pipe in an exhaust equipment having a circulation pipe communicating and a valve device selectively controlling a flow direction of gas discharged from the vacuum pump at a connection point between the pump exhaust pipe and the circulation pipe As a method of operation of,
A pump stopping step of stopping the operation of the vacuum pump when the residual gas is blocked from being discharged from the process chamber to the chamber exhaust pipe;
A valve switching step in which the valve device is controlled so that the gas discharged from the vacuum pump changes in a flow direction at the connection point and flows into the vacuum pump through the circulation pipe;
A pump operation step in which the vacuum pump is operated and restarted after the valve switching step is performed; And
And a pipe cleaning step in which the pump exhaust pipe is cleaned while the vacuum pump is operated through the pump operation step,
While the vacuum pump is operated through the pump operation step and the gas discharged from the vacuum pump is circulated through the circulation pipe, the temperature of the gas discharged from the vacuum pump by the cooling water supplied to the vacuum pump is set at a set temperature. A method of operating an exhaust equipment for a semiconductor manufacturing facility, which is lowered below, and the pressure of the gas discharged by being pressurized from the vacuum pump is lost by the circulation pipe and lowered below a set pressure. 청구항 4에 있어서,
상기 밸브 장치는 상기 챔버 배기관 상에서 상기 연결 지점보다 하류에 위치하여 상기 펌프 배기관을 개폐하는 제1 개폐밸브와, 상기 순환관 상에 설치되어서 상기 순환관을 개폐하는 제2 개폐밸브를 구비하며,
상기 밸브 전환 단계에서, 상기 제1 개폐밸브는 열린 상태에서 닫힌 상태로 전환되고 상기 제2 개폐밸브는 닫힌 상태에서 열린 상태로 전환되는, 반도체 제조설비용 배기장비 운영방법.The method of claim 4,
The valve device includes a first on/off valve positioned on the chamber exhaust pipe downstream from the connection point to open and close the pump exhaust pipe, and a second on/off valve installed on the circulation pipe to open and close the circulation pipe,
In the valve switching step, the first on-off valve is switched from an open state to a closed state and the second on-off valve is switched from a closed state to an open state. 청구항 4에 있어서,
상기 밸브 장치는 상기 연결 지점에 설치되는 삼방 밸브이며,
상기 밸브 전환 단계에서, 상기 삼방 밸브는 상기 연결 지점에서 상기 순환관과 연결되는 측을 차단하고 나머지를 연결하는 상태로부터 상기 펌프 배기관의 하류 측을 차단하고 나머지를 연결하는 상태로 전환되는, 반도체 제조설비용 배기장비 운영방법.The method of claim 4,
The valve device is a three-way valve installed at the connection point,
In the valve switching step, the three-way valve is switched from a state in which a side connected to the circulation pipe is cut off at the connection point and the other is connected to a state in which the downstream side of the pump exhaust pipe is cut off and the rest is connected. How to operate exhaust equipment for facilities. 반도체 제조설비의 공정 챔버 내 잔류가스를 배출시키 위해 제1, 제2 진공 펌프와, 상기 제1, 제2 진공 펌프 각각의 배기단에 연결되는 제1, 제2 펌프 배기관과, 상기 제1 펌프 배기관의 선단과 상기 제2 펌프 배기관의 선단을 연결하는 연결관과, 상기 제1 펌프 배기관을 개폐하는 제1 개폐밸브와, 상기 제2 펌프 배기관을 개폐하는 제2 개폐밸브와, 상기 연결관을 개폐하는 제3 개폐밸브를 구비하는 배기 장비에서 상기 제1 펌프 배기관의 세정을 위한 상기 배기장비의 운영방법으로서,
상기 두 진공 펌프의 작동에 의해 상기 제1 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 제1 펌프 배기관을 통해 배출되고 상기 제2 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 제2 펌프 배기관을 통해 배출되는 정상 배기 상태에서, 상기 제1 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 제1 펌프 배기관으로는 유입되지 않고 상기 연결관을 통해 상기 제2 펌프 배기관으로 유입되도록 상기 제1, 제2, 제3 개폐밸브의 작동 상태가 전환되는 제어되는 밸브 전환단계; 및
상기 밸브 전환단계를 통해 상기 제1 펌프 배기관으로 배기가스가 유동하지 않는 동안 상기 제1 펌프 배기관이 세정되는 배관 세정 단계를 포함하는, 반도체 제조설비용 배기장비 운영방법.First and second vacuum pumps, first and second pump exhaust pipes connected to exhaust ends of each of the first and second vacuum pumps to discharge residual gas in the process chamber of a semiconductor manufacturing facility, and the first pump A connecting pipe connecting the tip of the exhaust pipe and the tip of the second pump exhaust pipe, a first on-off valve for opening and closing the first pump exhaust pipe, a second on-off valve for opening and closing the second pump exhaust pipe, and the connection pipe A method of operating the exhaust equipment for cleaning the exhaust pipe of the first pump in the exhaust equipment having a third on-off valve that opens and closes,
In a normal exhaust state in which the gas discharged from the first vacuum pump is discharged through the first pump exhaust pipe and the gas discharged from the second vacuum pump is discharged through the second pump exhaust pipe by the operation of the two vacuum pumps , The operation state of the first, second, and third on/off valves is switched so that the gas discharged from the first vacuum pump does not flow into the first pump exhaust pipe but flows into the second pump exhaust pipe through the connection pipe. A controlled valve switching step; And
And a pipe cleaning step in which the first pump exhaust pipe is cleaned while the exhaust gas does not flow to the first pump exhaust pipe through the valve switching step. 반도체 제조설비의 공정 챔버 내 잔류가스를 배출시키 위해 진공 펌프와, 상기 진공 펌프의 배기단에 연결되는 펌프 배기관과, 상기 펌프 배기관을 개폐하는 펌프 배기관 개폐밸브와, 상기 펌프 배기관의 선단과 후단에 각각 연결되는 바이패스 관, 상기 바이패스 관을 개폐하는 바이패스 관 개폐밸브를 구비하는 배기 장비에서 상기 펌프 배기관의 세정을 위한 상기 배기장비의 운영방법으로서,
상기 진공 펌프의 작동에 의해 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 펌프 배기관과 상기 바이패스 관 중 상기 펌프 배기관을 통해서만 배출되는 정상 배기 상태에서, 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 펌프 배기관과 상기 바이패스 관 중 상기 바이패스 관을 통해서만 배출되도록 상기 펌프 배기관 개폐밸브와 상기 바이패스 관 개폐밸브의 작동 상태가 전환되는 밸브 전환단계; 및
상기 밸브 전환단계를 통해 상기 펌프 배기관으로 배기가스가 유동하지 않는 동안 상기 펌프 배기관이 세정되는 배관 세정 단계를 포함하는, 반도체 제조설비용 배기장비 운영방법.A vacuum pump to discharge residual gas in the process chamber of a semiconductor manufacturing facility, a pump exhaust pipe connected to the exhaust end of the vacuum pump, a pump exhaust pipe opening/closing valve for opening and closing the pump exhaust pipe, and at the front and rear ends of the pump exhaust pipe A method of operating the exhaust equipment for cleaning the pump exhaust pipe in an exhaust equipment having a bypass pipe connected to each of the bypass pipes and a bypass pipe opening and closing valve for opening and closing the bypass pipe,
In a normal exhaust state in which gas discharged from the vacuum pump by the operation of the vacuum pump is discharged only through the pump exhaust pipe among the pump exhaust pipe and the bypass pipe, the gas discharged from the vacuum pump is discharged from the pump exhaust pipe and the bypass pipe. A valve switching step of switching operating states of the pump exhaust pipe opening/closing valve and the bypass pipe opening/closing valve so as to be discharged only through the bypass pipe among the pass pipes; And
And a pipe cleaning step in which the pump exhaust pipe is cleaned while the exhaust gas does not flow to the pump exhaust pipe through the valve switching step. 반도체 제조설비의 공정 챔버 내 잔류가스를 배출시키 위해 진공 펌프와, 상기 진공 펌프의 배기단에 연결되는 주 펌프 배기관과, 상기 주 펌프 배기관을 개폐하는 주 개폐밸브와, 상기 진공 펌프의 배기단으로부터 상기 주 펌프 배기관과 분기되어서 연장되는 보조 펌프 배기관과, 상기 보조 펌프 배기관을 개폐하는 보조 개폐밸브와, 상기 보조 펌프 배기관과 연결되는 보조 정화 장치를 구비하는 배기 장비에서 상기 주 펌프 배기관의 세정을 위한 상기 배기장비의 운영방법으로서,
상기 진공 펌프의 작동에 의해 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 주 펌프 배기관과 보조 펌프 배기관 관 중 상기 주 펌프 배기관을 통해서만 배출되는 정상 배기 상태에서, 상기 진공 펌프로부터 배출되는 가스가 상기 주 펌프 배기관과 상기 보조 펌프 배기관 중 상기 보조 펌프 배기관을 통해서만 배출되도록 상기 주 개폐밸브와 상기 보조 개폐밸브의 작동 상태가 전환되는 밸브 전환단계; 및
상기 밸브 전환단계를 통해 상기 주 펌프 배기관으로 배기가스가 유동하지 않는 동안 상기 주 펌프 배기관이 세정되는 배관 세정 단계를 포함하는, 반도체 제조설비용 배기장비 운영방법.From the vacuum pump to discharge residual gas in the process chamber of the semiconductor manufacturing facility, the main pump exhaust pipe connected to the exhaust end of the vacuum pump, the main on-off valve opening and closing the main pump exhaust pipe, and the exhaust end of the vacuum pump For cleaning of the main pump exhaust pipe in an exhaust equipment including an auxiliary pump exhaust pipe branching from and extending from the main pump exhaust pipe, an auxiliary opening/closing valve for opening and closing the auxiliary pump exhaust pipe, and an auxiliary purification device connected to the auxiliary pump exhaust pipe As a method of operating the exhaust equipment,
In a normal exhaust state in which gas discharged from the vacuum pump by the operation of the vacuum pump is discharged only through the main pump exhaust pipe among the main pump exhaust pipe and the auxiliary pump exhaust pipe, the gas discharged from the vacuum pump is the main pump exhaust pipe. And a valve switching step of switching operating states of the main on-off valve and the auxiliary on-off valve so that only through the auxiliary pump exhaust pipe of the auxiliary pump exhaust pipes are discharged; And
And a pipe cleaning step in which the main pump exhaust pipe is cleaned while the exhaust gas does not flow to the main pump exhaust pipe through the valve switching step.
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