KR102192025B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 미리 설정된 패턴의 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(20)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 기판(10)을 지지하며, 상기 공정챔버(100) 내에 상하이동 가능하도록 설치되는 기판지지부(300)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 상기 기판지지부(300) 상측에 배치되는 마스크(20)를 지지하는 마스크지지부(400)와; 상기 공정챔버(100) 외측에 설치되며, '상기 기판지지부(300)의 저면과 대향하는 공정챔버(100)의 챔버벽에 설치되는 뷰포트(102)'와 '상기 기판지지부(300)에 형성된 관통공(301)'을 통해 기판(10) 및 마스크(20)를 촬상하는 얼라인카메라부(500)와; 상기 뷰포트(102)의 둘레와 상기 관통공(301)의 둘레를 따라 상기 기판지지부(300)와 상기 챔버벽 사이에 설치되어 상기 처리공간(S)으로부터 차단된 실드공간(P)을 형성하며, 상기 기판지지부(300)의 상하이동에 따라 상하길이가 가변되는 뷰포트실드부(600)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as deposition and etching of a predetermined pattern on a substrate.
The present invention comprises a process chamber 100 for forming a closed processing space S and performing substrate processing using a mask 20; A gas injection unit 200 installed above the process chamber 100 to inject a process gas into the processing space S; A substrate support part 300 that supports the substrate 10 and is installed in the process chamber 100 so as to move upwardly; A mask support part 400 installed in the process chamber 100 to support a mask 20 disposed above the substrate support part 300; It is installed outside the process chamber 100, and the'viewport 102 installed on the chamber wall of the process chamber 100 facing the bottom surface of the substrate support part 300'and'through formed in the substrate support part 300 An alignment camera unit 500 for photographing the substrate 10 and the mask 20 through the hole 301'; A shield space P is formed between the substrate support part 300 and the chamber wall along the periphery of the viewport 102 and the periphery of the through hole 301 and blocked from the processing space S, Disclosed is a substrate processing apparatus comprising a viewport shield part 600 whose vertical length is variable according to the vertical movement of the substrate support part 300.
Description
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 미리 설정된 패턴의 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as deposition and etching of a predetermined pattern on a substrate.
기판에 미리 설정된 패턴의 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에서 기판과 마스크 사이의 얼라인은 양호한 기판처리를 위해 매우 중요하다.In a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as deposition and etching of a predetermined pattern on a substrate, alignment between a substrate and a mask is very important for good substrate processing.
그에 따라, 종래 기판처리장치는, 기판과 마스크 사이의 얼라인 여부를 확인하기 위해 기판처리장치 내부의 이미지를 촬상하는 얼라인카메라가 기판처리장치의 외부에 설치되는 것이 일반적이다.Accordingly, in a conventional substrate processing apparatus, an alignment camera that captures an image inside the substrate processing apparatus is generally installed outside the substrate processing apparatus in order to check whether the substrate and the mask are aligned.
얼라인카메라는 기판처리장치의 챔버벽에 설치되는 뷰포트를 통해 기판처리장치 내부의 이미지를 획득하고, 획득된 이미지는 기판과 마스크 사이의 얼라인여부를 판독하는데 활용될 수 있다.The alignment camera acquires an image inside the substrate processing apparatus through a viewport installed on a chamber wall of the substrate processing apparatus, and the obtained image may be used to read whether the substrate and the mask are aligned.
이때, 기판처리장치의 챔버벽에 설치되는 뷰포트는 챔버벽에 형성되는 개구에 설치되어 빛을 투과시킬 수 있는 투명부재로 구성되는데, 뷰포트가 공정환경에 그대로 노출되기 때문에, 기판처리시 뷰포트에 공정과정에서 발생한 파티클이 뷰포트에 퇴적되어 오염되거나 플라즈마에 의해 식각된다.At this time, the viewport installed on the chamber wall of the substrate processing apparatus is composed of a transparent member that is installed in an opening formed in the chamber wall to transmit light, and since the viewport is exposed to the process environment, it is processed in the viewport during substrate processing. Particles generated during the process are deposited in the viewport and are contaminated or etched by plasma.
즉, 종래 기판처리장치는, 증착, 클리닝, 식각 등의 과정에서 뷰포트가 오염되고 식각되므로 얼라인카메라를 통해 얻어지는 이미지의 선명도를 유지하기 위해서는 뷰포트를 주기적으로 교체해야 하는데, 이러한 경우 뷰포트 교체과정에서 기판처리장치의 기판처리공정이 중단되어야 하므로 전체 생산성이 떨어지고 뷰포트 교체를 위한 비용과 인력이 추가로 소요되는 문제점이 있다.That is, in the conventional substrate processing apparatus, the viewport is contaminated and etched in the process of deposition, cleaning, etching, etc., so the viewport must be replaced periodically in order to maintain the sharpness of the image obtained through the alignment camera. Since the substrate processing process of the substrate processing apparatus must be stopped, there is a problem that the overall productivity is deteriorated, and additional cost and manpower are required for replacing the viewport.
또한, 종래 기판처리장치는 공정가스(예로서, SiNx)에 의한 이온충격(ion bombarding) 현상과 세정가스(예로서, NF3)에 의한 뷰포트의 식각에 의해 뷰포트에서 빛의 확산 및 분산현상이 크게 발생되는데, 그러한 경우, 얼라인카메라에서 필요한 광량이 증대되어 선명한 얼라인마크 이미지 획득을 위한 추가적인 기기 및 부대설비(예를들어, 복수의 광원 및 각 광원에 부속된 제어설비)가 필요한 문제점이 있다.In addition, in the conventional substrate processing apparatus, the phenomenon of diffusion and dispersion of light in the viewport is greatly increased by ion bombarding phenomenon by process gas (eg, SiNx) and etching of viewport by cleaning gas (eg, NF3). However, in such a case, the amount of light required by the alignment camera is increased, and there is a problem that additional equipment and auxiliary equipment (for example, a plurality of light sources and control equipment attached to each light source) are required for obtaining a clear alignment mark image. .
한편, 뷰포트의 재질을 일반 석영유리보다 상대적으로 내식각성이 큰 재질(예로서, 사파이어글라스)로 교체하는 시도가 있으나, 가격이 고가로 형성되어 있고, 내식각성이 있음에도 불구하고 기판처리공정을 여러번 반복한다면 뷰포트의 오염 및 식각 문제가 그대로 발생되는 한계가 있다.On the other hand, there are attempts to replace the material of the viewport with a material (for example, sapphire glass) that has relatively higher corrosion resistance than ordinary quartz glass, but the substrate treatment process is repeated several times despite the high price and corrosion resistance. If it is repeated, there is a limit that contamination and etching problems of the viewport occur as it is.
본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 인식하여, 기판 및 마스크 얼라인을 확인하기 위해 공정챔버 외부에 설치되는 얼라인카메라를 위한 뷰포트의 오염이나 손상을 방지하여 뷰포트를 교체 없이 반영구적으로 사용할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to recognize the above problems and to prevent contamination or damage of a viewport for an alignment camera installed outside the process chamber to check substrate and mask alignment, so that the viewport can be used semi-permanently without replacement. It is to provide a substrate processing apparatus.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(20)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 기판(10)을 지지하며, 상기 공정챔버(100) 내에 상하이동 가능하도록 설치되는 기판지지부(300)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 상기 기판지지부(300) 상측에 배치되는 마스크(20)를 지지하는 마스크지지부(400)와; 상기 공정챔버(100) 외측에 설치되며, '상기 기판지지부(300)의 저면과 대향하는 공정챔버(100)의 챔버벽에 설치되는 뷰포트(102)'와 '상기 기판지지부(300)에 형성된 관통공(301)'을 통해 기판(10) 및 마스크(20)를 촬상하는 얼라인카메라부(500)와; 상기 뷰포트(102)의 둘레와 상기 관통공(301)의 둘레를 따라 상기 기판지지부(300)와 상기 챔버벽 사이에 설치되어 상기 처리공간(S)으로부터 차단된 실드공간(P)을 형성하며, 상기 기판지지부(300)의 상하이동에 따라 상하길이가 가변되는 뷰포트실드부(600)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, the
상기 뷰포트(102)는, 상기 공정챔버(100)의 챔버벽에 형성된 개구(103)에 설치되는 쿼츠재질의 투명부재일 수 있다.The
일 실시예에서, 상기 뷰포트실드부(600)는, 중공형 파이프 구조를 가지는 복수의 실드부재들(610)을 포함할 수 있다.In one embodiment, the
상기 복수의 실드부재(610)들은, 상하방향으로 일렬배치되어 인접하는 실드부재(610)와 상대상하이동 가능하게 결합될 수 있다.The plurality of
상기 복수의 실드부재들(610)은, 인접한 실드부재(610)와 내측 또는 외측으로 끼움결합될 수 있다.The plurality of
상기 뷰포트실드부(600)는, 기판처리가 이루어지는 공정위치로 상기 기판지지부(300)의 상방이동시 인접한 실드부재(610) 사이의 갭을 실링하기 위하여 인접한 실드부재(610) 사이의 접촉면에 설치되는 실링부(620)를 더 포함할 수 있다.The
상기 챔버벽은 접지되며, 상기 복수의 실드부재들(610)은, 상기 챔버벽 및 상기 기판지지부(300)와 전기적으로 연결되어 상기 기판지지부(300)를 접지할 수 있다.The chamber wall is grounded, and the plurality of
서로 인접한 2개의 실드부재들(610) 중 내측에 삽입된 실드부재(610)는 반경방향으로 돌출된 플렌지부(611)를 가질 수 있다.The
상기 플렌지부(611)는, 삽입되는 실드부재(610)의 내주면과 면접촉 또는 그 사이에 설치된 통전부재에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 공정챔버(100)의 챔버벽에서 상기 기판지지부(300)의 저면으로 갈수록 직경이 감소될 수 있다.The diameter of the
상기 뷰포트실드부(600)는, 내주면에 상기 얼라인카메라부(500)의 광원(510)에서 나오는 빛을 반사키는 반사면이 형성될 수 있다.The
상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 처리공간(S) 내로 파티클이 비산되는 것을 방지하기 위하여 상기 처리공간(S) 내의 오염물질을 흡착하는 오염물질흡착부(602)가 외주면에 형성될 수 있다.The
상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 실드공간(P)에 상기 처리공간(S)으로부터 공정가스가 침투되는 것을 방지하기 위하여 상기 실드공간(P)에 불활성가스를 공급하는 불활성가스공급부를 추가로 포함할 수 있다.The
다른 일 실시예에서, 상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 실드공간(P)을 상기 처리공간(S)으로부터 밀폐시키기 위하여 상기 복수의 실드부재(610)들의 외곽둘레를 따라 상기 기판지지부(300)와 상기 챔버벽 사이에 설치되는 벨로우즈(630)를 추가로 포함할 수 있다.In another embodiment, the
또 다른 일 실시예에서, 상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 실드공간(P)을 상기 처리공간(S)으로부터 밀폐시키는 벨로우즈(630)를 포함할 수 있다.In another embodiment, the
상기 챔버벽은 접지되며, 상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 챔버벽 및 상기 기판지지부(300)와 전기적으로 연결되어 상기 기판지지부(300)를 접지할 수 있다.The chamber wall is grounded, and the
본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판 및 마스크 얼라인을 확인하기 위해 공정챔버 외부에 설치되는 얼라인카메라를 위한 뷰포트의 오염이나 손상을 방지하여 뷰포트를 교체 없이 반영구적으로 사용할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage that the viewport can be used semi-permanently without replacement by preventing contamination or damage to the viewport for an alignment camera installed outside the process chamber to check the alignment of the substrate and the mask.
구체적으로, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판지지부와 챔버벽 사이에 뷰포트를 처리공간으로부터 차단시키는 실드공간을 형성하는 뷰포트실드부를 설치하고, 뷰포트실드부가 기판지지부의 상하이동에 따라 상하길이가 가변되도록 구성함으로써, 공정부산물 퇴적이나 식각을 야기하는 공정환경에 뷰포트가 노출되지 않도록 할 수 있다.Specifically, in the substrate processing apparatus according to the present invention, a viewport shield portion is provided between the substrate support portion and the chamber wall to form a shield space that blocks the viewport from the processing space, and the viewport shield portion has a vertical length according to the vertical movement of the substrate support portion. By configuring to be variable, the viewport can be prevented from being exposed to a process environment that causes process byproduct deposition or etching.
즉, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 뷰포트가 공정환경에 노출되지 않아 뷰포트를 교체 없이 반영구적으로 사용가능하기 때문에 뷰포트 교체를 위해 시간, 비용 및 인력이 소요되는 것을 방지할 수 있고, 그에 따라 장치 전체의 생산성이 향상되는 이점이 있다.That is, the substrate processing apparatus according to the present invention can prevent time, cost, and manpower from being consumed for the viewport replacement because the viewport is not exposed to the process environment and thus the viewport can be used semi-permanently without replacement. There is an advantage that the overall productivity is improved.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 뷰포트실드부의 내주면에 얼라인카메라의 광원에서 나오는 빛을 반사시키는 반사면을 형성함으로써, 광원에서 나온 빛이 광로 상에서 확산 및 분산되는 것을 방지할 수 있고 그에 따라 얼라인카메라의 이미지 획득에 필요한 광량을 종래보다 크게 감소시킬 수 있어 복수의 광원이 필요하지 않아 별도의 부대설비 없이 단일광원 만으로도 얼라인카메라를 통한 이미지 획득이 가능한 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention can prevent light from the light source from being diffused and dispersed on the optical path by forming a reflective surface on the inner circumferential surface of the viewport shield to reflect light from the light source of the alignment camera. Accordingly, since the amount of light required for image acquisition by the alignment camera can be significantly reduced than in the prior art, multiple light sources are not required, and thus an image can be acquired through the alignment camera with only a single light source without additional equipment.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 기판처리공정 중 도 1의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판처리장치의 뷰포트실드부를 보여주는 사시도이다.
도 4는, 도 3의 뷰포트실드부를 보여주는 X-Z 평면 단면도이다.
도 5는, 도 3의 뷰포트실드부의 변형례를 보여주는 X-Z 평면 단면도이다.
도 6은, 종래 기판처리장치에서 얼라인카메라의 시야각(FOV)에 따른 광원을 설명하는 개념도이다.
도 7은, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1 during a substrate processing process.
3 is a perspective view showing a viewport shield of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a cross-sectional view taken along an XZ plane showing the viewport shield of FIG. 3.
5 is an XZ cross-sectional view illustrating a modified example of the viewport shield of FIG. 3.
6 is a conceptual diagram illustrating a light source according to a field of view (FOV) of an alignment camera in a conventional substrate processing apparatus.
7 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(20)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(100) 상측에 설치되어 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 기판(10)을 지지하며, 공정챔버(100) 내에 상하이동 가능하도록 설치되는 기판지지부(300)와; 공정챔버(100) 내에 설치되어 마스크(20)를 지지하는 마스크지지부(400)와; 공정챔버(100) 외측에 설치되며, '기판지지부(300)의 저면과 대향하는 공정챔버(100)의 챔버벽에 설치되는 뷰포트(102)'와 '기판지지부(300)에 형성된 관통공(301)'을 통해 기판(10) 및 마스크(20)를 촬상하는 얼라인카메라부(500)와; 뷰포트(102)의 둘레와 상기 관통공(301)의 둘레를 따라 기판지지부(300)와 상기 챔버벽 사이에 설치되어 처리공간(S)으로부터 차단된 실드공간(P)을 형성하며, 기판지지부(300)의 상하이동에 따라 상하길이가 가변되는 뷰포트실드부(600)를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the present invention includes a
본 발명의 처리대상인 기판(10)은, 마스크(160)를 이용하여 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, LCD 제조용 기판, OLED 제조용 기판, 태양전지 제조용 기판, 투명 글라스기판 등 평면형상이 직사각형 형상을 가지는 기판이면 어떠한 기판도 가능하다.The
그리고 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는, 밀폐된 처리공간(S) 내에서 마스크(20)를 이용하여 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리공정이면 PECVD 공정, 증발증착공정 등 어떠한 공정도 가능하다.In addition, the substrate treatment performed by the substrate treatment apparatus according to the present invention is a PECVD process, evaporation deposition, if a substrate treatment process such as deposition or etching is performed using the
한편, 상기 마스크(20)는, 미리 설정된 패턴의 증착, 식각 등의 기판처리의 수행을 위하여 기판처리시 기판(10)과 밀착되거나 일정간격을 두고 배치되는 구성으로서, 미리 설정된 패턴의 개구들이 형성될 수 있으며 공정조건에 따라 다양한 형상 및 재질로 이루어질 수 있다.On the other hand, the
여기서 상기 마스크(20)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 직사각형 기판(10)의 평면형상에 대응되어 평면형상이 직사각형 형상을 가짐이 바람직하다.Here, it is preferable that the
상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)를 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The
예로서, 상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.As an example, the
그리고 상기 공정챔버(100)는, 측면에 형성된 기판(10)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성될 수 있다.In addition, the
상기 공정챔버(100)는, 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 처리공간(S)의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등이 연결 또는 설치될 수 있다. The
상기 가스분사부(200)는, 공정챔버(100) 상측에 설치되어 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
예로서, 상기 가스분사부(200)는, 상부리드(120)에 설치되며 일측에 형성되는 가스유입부(미도시)와, 가스유입부를 통해 유입된 공정가스를 확산시키는 하나 이상의 확산플레이트(미도시)와, 확산된 공정가스를 처리공간(S)을 향해 분사하는 복수의 분사홀(미도시)들을 포함할 수 있다.For example, the
상기 기판지지부(300)는, 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
예로서, 상기 기판지지부(300)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상면에서 기판(10)을 지지하는 기판지지면(310)과, 기판지지면(310)에 결합되고 공정챔버(100)의 챔버벽을 관통하여 기판상하구동부(330)와 결합되어 상하이동되는 기판지지샤프트(320)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, the
상기 기판지지면(310)은, 기판(10)의 평면형상에 대응되는 형상의 플레이트로 이루어질 수 있고, 기판가열을 위한 히터부(미도시)를 구비할 수 있다.The
상기 기판지지샤프트(320)는, 기판지지면(310)에 결합되고 공정챔버(100)의 챔버벽을 관통하여 기판상하구동부(330)와 결합되어 상하이동되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
상기 기판상하구동부(330)는, 기판지지샤프트(320)를 상하이동시키기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하며, 장치의 구성에 따라 모터, 리니어가이드, 스크류, 너트 등을 포함하여 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The substrate up-and-
상기 마스크지지부(400)는, 공정챔버(100)에 설치되어 마스크(20)를 지지하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
예로서, 상기 마스크지지부(400)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 마스크(20)의 저면을 지지하는 샤프트로 구성될 수 있고, 복수개로 구비될 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, the
상기 마스크지지부(400)는 직사각형 형상의 마스크(20)의 저면의 꼭지점 영역을 지지하기 위하여 4개로 구비될 수 있다.Four
상기 마스크지지부(400)는, 공정챔버(100)의 챔버벽을 관통하여 마스크상하구동부(410)와 결합되어 상하이동가능하게 설치될 수 있다.The
상기 마스크상하구동부(410)는, 마스크지지부(400)를 상하이동시키기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하며, 장치의 구성에 따라 모터, 리니어가이드, 스크류, 너트 등을 포함하여 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The mask
또한, 상기 마스크지지부(400)는, 기판(10)과 마스크(20) 사이의 수평위치를 정렬하기 위한 얼라인부(미도시)와 결합될 수 있다.In addition, the
상기 얼라인부는, 마스크지지부(400)를 X축, Y축 및 θ축 중 적어도 하나의 방향으로 이동시키기 위한 구성으로 얼라인방식 및 설치위치에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The alignment unit is configured to move the
상기 얼라인카메라부(500)는, 공정챔버(100) 외측에 설치되며, 기판(10) 및 마스크(20) 사이의 얼라인을 위해 공정챔버(100) 내의 이미지를 촬상하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
상기 얼라인카메라부(500)는, '기판지지부(300)의 저면과 대향하는 공정챔버(100)의 챔버벽에 설치되는 뷰포트(102)'와 '기판지지부(300)에 형성된 관통공(301)'을 통해 기판(10) 및 마스크(20)를 촬상할 수 있다.The
여기서, 상기 뷰포트(102)는, 공정챔버(100)의 챔버벽에 형성된 개구(103)에 설치되는 쿼츠재질의 투명부재로, 석영, 크리스탈 등 다양한 재질이 가능하다.Here, the
구체적으로, 상기 얼라인카메라부(500)는, 뷰포트(102)와 관통공(301)을 통해 공정챔버(100) 내에 위치된 기판(10) 및 마스크(20)를 촬상(기판(10)의 타겟마크(미도시) 및 마스크(20)의 오브젝트마크(미도시))할 수 있고, 얼라인카메라부(500)에서 촬상된 이미지는 기판(10)과 마스크(20) 사이의 정렬이 이루어져있는지 여부를 확인하는데 활용된다.Specifically, the
상기 뷰포트실드부(600)는, 얼라인카메라부(500)를 위한 뷰포트(102)를 처리공간(S)으로부터 차단하여 뷰포트(102)의 오염을 야기하는 공정환경에 노출되지 않도록 보호하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The
예로서, 상기 뷰포트실드부(600)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 뷰포트(102)의 둘레와 관통공(301)의 둘레를 따라 기판지지부(300)와 챔버벽 사이에 설치되어 처리공간(S)으로부터 차단된 실드공간(P)을 형성하며, 기판지지부(300)의 상하이동에 따라 상하길이가 가변될 수 있다.For example, the
상기 뷰포트실드부(600)는, 기판지지부(300)의 상하이동에 따라 상하길이가 가변되도록 구성됨으로써, 기판지지부(300)의 상하이동에도 불구하고 뷰포트(102)가 공정환경에 노출되지 않도록 유지할 수 있다.The
이때, 상기 뷰포트실드부(600)는, 상하길이가 가변되는 구조라면 어떠한 구조도 가능하며, 공정환경에 따라 다양한 재질이 선택될 수 있다.At this time, the
일 실시예에서, 상기 뷰포트실드부(600)는, 중공형 파이프 구조를 가지는 복수의 실드부재들(610)을 포함할 수 있다.In one embodiment, the
상기 복수의 실드부재(610)들은, 상하방향으로 일렬배치되어 인접하는 실드부재(610)와 상대상하이동 가능하게 결합될 수 있다.The plurality of
상기 복수의 실드부재(610)는 파이프구조를 가짐으로써 공정챔버(100)의 챔버벽과 기판지지부(300) 저면에 결합되어 뷰포트(102)를 둘러싸 뷰포트(102)를 처리공간(S)에서 차단시킬 수 있다면 다양한 구성이 가능하다.Since the plurality of
보다 구체적으로, 상기 복수의 실드부재들(610)은, 중공형 파이프 구조로서, 횡단면 형상이 원형, 타원형, 사각형 등 기둥 형상을 이룰 수 있는 구조이면 어떠한 구조도 가능하다.More specifically, the plurality of
상기 복수의 실드부재들(610)은, 원통형으로 도시하였지만 다단식으로 연결된 상태를 유지하면서 상하이동이 가능하도록 서로 결합될 수 있는 구조이면 어떠한 구조도 가능하다.Although the plurality of
예로서, 상기 복수의 실드부재들(610)은, 인접한 실드부재(610)와 내측 또는 외측으로 끼움결합될 수 있다.For example, the plurality of
이때, 상기 뷰포트실드부(600)는, 공정챔버(100)의 챔버벽에서 기판지지부(300)의 저면으로 갈수록 직경이 감소되도록 복수의 실드부재(610)들이 배치될 수 있다.In this case, a plurality of
구체적으로, 서로 인접한 2개의 실드부재들(610) 중 내부에 삽입된 실드부재(610)는 하부에 반경방향으로 돌출된 플렌지부(611)를 가지고, 외부에 끼워진 실드부재(610)는 상부에 축방향으로 돌출된 플렌지부(612)를 가질 수 있다.Specifically, of the two
여기서, 상기 인접한 2개의 실드부재(610)들 사이의 결합을 위한 플렌지부(611, 612)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 각각 끝단이 상하로 절곡되어 서로 형합되도록 가공될 수 있다. 이러한 경우, 도 4와 같이 단순히 돌출된 플렌지부(611, 612)보다 제작용이성은 떨어지나 인접한 2개의 실드부재(610)의 결합부분을 통해 유입되는 처리공간(S)의 파티클이 상대적으로 적은 이점이 있다.Here, the
또한, 최상부의 실드부재(610) 및 최하부의 실드부재(610)는, 각각 기판지지부(300) 및 공정챔버(100)의 챔버벽과의 고정결합을 위한 플렌지부(613, 614)를 가질 수 있다.In addition, the
상기 플랜지부들(611, 612, 613, 614)에 의해, 복수의 실드부재(610)들이 서로 분리되지 않은 상태로 기판지지부(300) 및 챔버벽에 고정결합될 수 있다.By the
한편, 상기 뷰포트실드부(600)가 복수의 실드부재들(610)을 포함하여 다단접이식으로 구성되는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 기판지지부(300)가 하방이동되며 인접한 실드부재(610)들 사이에 갭이 형성될 수 있다.Meanwhile, when the
이러한 인접한 실드부재(610)들 사이의 갭은, 기판처리 시 처리공간(S)으로부터 공정가스나 파티클이 실드공간(P)으로 유입되지 않도록 기판지지부(300)가 공정위치까지 상방이동됨에 따라 실링됨이 바람직하다.The gap between the
상기 인접한 실드부재(610)들 사이의 갭은, 인접한 실드부재(610)들이 플랜지부들(611, 612)이 서로 접촉함으로써 제거될 수 있으나, 플랜지부들(611, 612) 사이의 접촉만으로 접촉면에 미세한 간극이 완전히 제거되기 어려운 측면이 있다.The gap between the
이에, 상기 뷰포트실드부(600)는, 기판처리가 이루어지는 공정위치로 기판지지부(300)의 상방이동시 인접한 실드부재(610) 사이의 갭을 실링하기 위하여 인접한 실드부재(610) 사이의 접촉면에 설치되는 실링부(620)를 더 포함할 수 있다.Accordingly, the
상기 실링부(620)는 처리공간(S)으로부터 공정가스나 파티클이 실드공간(P)으로 유입되지 않도록 할 수 있다면 오링(O-ring) 등 다양한 실링부재로 구성될 수 있다.The sealing
상기 실링부(620)는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 인접한 실드부재(620) 사이의 접촉면에 설치될 수 있으며, 인접한 실드부재(610)와 접촉면을 형성하는 플랜지부(611, 612)를 따라 설치될 수 있다.The sealing
한편, 상기 뷰포트실드부(600)가 다단접이식으로 구성되는 경우, 상대적으로 상측에 있는 실드부재(610)가 하측에 있는 실드부재(610)의 내측에 삽입되므로 공정챔버(100)의 챔버벽에서 기판지지부(300)의 저면으로 갈수록 실드부재(610)의 직경이 점차 감소된다.On the other hand, when the
상기 뷰포트실드부(610)가 기판지지부(300)의 저면으로 갈수록 직경이 감소됨으로써, 얼라인카메라부(500)의 광원(510)에서 나오는 빛이 기판지지부(300)의 관통공(301)으로 수렴될 수 있고, 그에 따라 선명한 이미지를 얻기위해 광원(510)에서 필요한 광량이 줄어드는 효과를 얻을 수 있다.As the diameter of the
구체적으로, 종래의 얼라인카메라부(500)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 광원(510)으로서 기판(10)의 타겟마크를 위한 동축 센터조명(center light, 512)과 마스크(20)의 오브젝트마크를 위한 링조명(ring light, 514)을 포함한다.Specifically, as shown in FIG. 6, the conventional
이는, 종래의 기판처리장치의 경우, 본 발명의 뷰포트실드부(600)와 같이, 광원(510)에서 나오는 빛의 분산이나 확산에 의한 손실을 막아주는 구성이 없기 때문에, 충분한 광량이 요구되어 복수의 광원을 사용하는 것이다.This is because, in the case of the conventional substrate processing apparatus, there is no configuration to prevent loss due to dispersion or diffusion of light emitted from the
그런데, 본 발명의 경우, 뷰포트실드부(600)가 얼라인카메라부(500)의 광원(510)에서 나오는 빛을 모아주는 광학계 경통 역할을 수행함으로써, 종래의 링조명(514) 없이 센터조명(512) 만으로도 미리 설정된 수준 이상의 이미지 획득이 가능한 효과가 있다.By the way, in the case of the present invention, the
즉, 본 발명은, 단일 조명만으로도 설비운용이 가능하므로, 링조명(514)과 링조명(514)의 제어를 위한 부대설비들이 생략될 수 있어 장치의 단가와 유지보수 등의 운영비용을 절감할 수 있다.That is, in the present invention, since the facility operation is possible with only a single light, auxiliary facilities for controlling the
그러나, 뷰포트(102)에 대한 실드효과만을 고려한다면, 도면 상 도시하지는 않았으나, 반대로 공정챔버(100)의 챔버벽에서 기판지지부(300)의 저면으로 갈수록 직경이 증가되도록 또는 교차로 증감되도록 복수의 실드부재(610)들이 배치되는 것도 가능하며, 이러한 경우에도 뷰포트실드부(600)는 경통형상으로 이루어지므로 상술한 효과를 얻을 수 있다.However, considering only the shielding effect for the
한편 상기 복수의 실드부재(610)들은, 플라즈마와 같은 공정환경에 노출될 수 있는바 이를 방지하기 위하여 플라즈마에 강한 재질의 사용이 바람직하다.Meanwhile, since the plurality of
예로서, 상기 복수의 실드부재(610)들은, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질이 사용될 수 있으며 그 외주면은 아노다이징처리되거나, 세라믹재질에 의하여 용사 등에 의하여 절면막이 코팅될 수 있다.For example, the plurality of
그리고, 상기 뷰포트실드부(600)는, 처리공간(S) 내의 오염물질을 흡착하는 오염물질흡착부(602)가 외주면에 형성될 수 있다.In addition, the
상기 오염물질흡착부(602)는, 처리공간(S) 내의 오염물질을 흡착하여 처리공간(S)으로 박리되는 것을 방지함으로써, 처리공간(S) 내로 파티클이 비산되는 것을 방지할 수 있다.The
상기 오염물질흡착부(602)는, 뷰포트실드부(600)의 외주면에 아노다이징(anodizing)과 같은 표면개질처리를 하거나 또는 외주면에 절연막을 형성함으로써 형성될 수 있다.The
또한, 상기 뷰포트실드부(600)는, 내주면에 얼라인카메라부(500)의 광원(510)에서 나오는 빛을 반사키는 반사면이 형성될 수 있다.In addition, the
즉, 상기 뷰포트실드부(600)의 내주면은, 얼라인카메라부(500)의 광원(510)에서 나오는 빛의 확산 및 분산에 의한 손실을 최소화 하기 위하여 폴리싱가공(Polishing)되어 반사면으로 활용될 수 있다.That is, the inner circumferential surface of the
이하, 도 7 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들을 설명한다.Hereinafter, other embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 8.
다른 실시예에서, 상기 뷰포트실드부(600)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 실드공간(P)을 처리공간(S)으로부터 밀폐시키기 위하여 복수의 실드부재(610)들의 외곽둘레를 따라 기판지지부(300)와 챔버벽 사이에 설치되는 벨로우즈(630)를 추가로 포함할 수 있다.In another embodiment, the
상기 뷰포트실드부(600)가 벨로우즈(630)로 구성되는 경우, 다단접이식 구조와 달리 실드공간(P)를 처리공간(S)으로부터 원천적으로 차단하여 완벽히 밀폐시킬 수 있는 이점이 있다.When the
즉, 뷰포트실드부(600)는, 내측에 설치되는 다단접이식 복수의 실드부재(610)들과, 복수의 실드부재(610) 외측에 설치되어 복수의 실드부재(610)를 둘러싸는 벨로우즈(630)를 포함함으로써, 다단접이식으로 구성된 실드부재(610)들 사이의 갭을 통해 공정가스나 파티클이 실드공간(P)으로 유입되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.That is, the
한편, 상기 벨로우즈(630)가 설치되는 경우 복수의 실드부재(610)가 생략된 경우에도 뷰포트(102)가 처리공간(S)의 공정환경에 노출되는 것이 방지되어 뷰포트(102)를 보호하는 효과는 그대로 유지되므로, 도 8에 도시된 바와 같이 벨로우즈(630)만이 설치되고 다단접이식으로 구성된 복수의 실드부재(610)들은 설치가 생략될 수 있음은 물론이다.On the other hand, when the
한편, 상기 뷰포트실드부(600)는, 기판지지부(300)와 전기적으로 연결되어 기판지지부(300)를 접지할 수 있다.Meanwhile, the
구체적으로, 기판처리의 조건에 따라서, 기판지지부(300)가 접지될 필요가 있는데, 이때 기판지지부(300)는 접지된 상태의 챔버본체(110)와 전기적으로 연결됨으로써 접지될 수 있다. 이때, 상기 뷰포트실드부(600)가 기판지지부(300) 및 챔버본체(110)와 전기적으로 연결됨으로써, 기판지지부(300)를 접지된 챔버본체(110)와 전기적으로 연결하여 접지하는 기능을 함께 수행할 수 있다.Specifically, depending on the conditions of the substrate processing, the
상기 뷰포트실드부(600)가 도 1 내지 도 2와 같이 복수의 실드부재들(610)이 다단식으로 결합되어 구성된 경우, 복수의 실드부재(610)들은 상하로 배치된 실드부재들(610)이 전기적으로 연결될 상태를 유지하는 구조는 내주면 및 외주면 간의 전기적 접촉, 상하로 개재된 통전부재의 설치에 의한 전기적 연결 등 다양한 방법이 가능하다.When the
즉, 복수의 실드부재들(610)은, 직접적 접촉 또는 간접적인 연결 방식으로 기판지지부(300)와 전기적으로 연결되어 기판지지부(300)를 접지할 수 있다.That is, the plurality of
구체적으로, 서로 인접한 2개의 실드부재들(610) 중 내측에 삽입된 실드부재(610)는 반경방향으로 돌출된 플렌지부(611)를 가질 때, 플렌지부(611)가 삽입되는 실드부재(610)의 내주면과 면접촉 또는 그 사이에 설치된 통전부재에 의하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다.Specifically, when the
상기 뷰포트실드부(600)가 도 7 내지 도 8과 같이 벨로우즈(630)로 구성된 경우, 벨로우즈(620)의 상단 및 하단을 통해 기판지지부(300) 및 공정챔버(100)와 각각 전기적으로 연결됨으로써, 기판지지부(300)를 접지된 상태의 챔버본체(110)와 전기적으로 연결시킬 수 있다.When the
즉, 본 발명은 뷰포트실드부(600)가 기판지지부(300)의 접지기능도 함께 수행함으로써, 종래의 스트랩부재로 이루어지는 접지부를 별도로 두지 않더라도 기판처리의 안정성을 향상시킬 수 있고, 스트랩 형태의 접지부에서 발생가능한 크랙, 절단 등의 손상 없이 기판지지부(300)의 안정적인 접지를 가능하게 할 수 있다.That is, in the present invention, the
한편, 상기 뷰포트실드부(600)는, 뷰포트실드부(600)의 미세 간극을 통해 실드공간(P)에 처리공간(S)으로부터 공정가스가 침투되는 것을 방지하기 위하여 실드공간(P)에 불활성가스를 공급하는 불활성가스공급부(미도시)를 추가로 포함할 수 있다.Meanwhile, the
상기 불활성가스공급부는, 실드공간(P)과 연통되어 실드공간(P)에 불활성가스를 공급함으로써 처리공간(S) 내의 파티클이나 공정가스가 실드공간(P) 내로 침투하는 것을 방지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The inert gas supply unit communicates with the shield space (P) to supply an inert gas to the shield space (P), thereby preventing particles or process gases in the processing space (S) from penetrating into the shield space (P). Configuration is possible.
상기 뷰포트실드부(600)가 벨로우즈(630)를 포함하는 경우 실드공간(P)과 처리공간(S) 사이의 밀폐가 일정 수준 이상 보장되므로, 상기 불활성가스공급부는 벨로우즈(630)가 설치된 실시예 보다는 다단접이식의 복수의 실드부재(610)들 만이 설치되는 실시예에서 보다 효과적일 수 있다.In the case where the
예로서, 상기 불활성가스공급부는, 챔버본체(110)의 챔버벽을 통해 실드공간(P)과 연통되거나 또는 뷰포트실드부(600), 특히 실드부재(610)를 관통하여 실드공간(P)과 연통될 수 있다.For example, the inert gas supply unit communicates with the shield space P through the chamber wall of the
상기 뷰포트실드부(600)가 다단접이식의 복수의 실드부재(610)들로 구성되는 경우, 상기 실드공간(P)에 공급된 불활성가스는 복수의 실드부재(610)들 사이의 갭을 통해 처리공간(S)으로 배출될 수 있다.When the
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. Since the above is only described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as well known, the scope of the present invention should not be limited to the above embodiments and should not be interpreted. It will be said that both the technical idea and the technical idea together with the fundamental are included in the scope of the present invention.
10: 기판 20: 마스크
100: 공정챔버 200: 가스분사부
300: 기판지지부 400: 마스크지지부10: substrate 20: mask
100: process chamber 200: gas injection unit
300: substrate support 400: mask support
Claims (14)
상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(200)와;
기판(10)을 지지하며, 상기 공정챔버(100) 내에 상하이동 가능하도록 설치되는 기판지지부(300)와;
상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 상기 기판지지부(300) 상측에 배치되는 마스크(20)를 지지하는 마스크지지부(400)와;
상기 공정챔버(100) 외측에 설치되며, '상기 기판지지부(300)의 저면과 대향하는 공정챔버(100)의 챔버벽에 설치되는 뷰포트(102)'와 '상기 기판지지부(300)에 형성된 관통공(301)'을 통해 기판(10) 및 마스크(20)를 촬상하는 얼라인카메라부(500)와;
상기 뷰포트(102)의 둘레와 상기 관통공(301)의 둘레를 따라 상기 기판지지부(300)와 상기 챔버벽 사이에 설치되어 상기 처리공간(S)으로부터 차단된 실드공간(P)을 형성하며, 상기 기판지지부(300)의 상하이동에 따라 상하길이가 가변되는 뷰포트실드부(600)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber 100 for forming an enclosed processing space S and performing substrate processing using the mask 20;
A gas injection unit 200 installed above the process chamber 100 to inject a process gas into the processing space S;
A substrate support part 300 that supports the substrate 10 and is installed in the process chamber 100 so as to move upwardly;
A mask support part 400 installed in the process chamber 100 to support a mask 20 disposed above the substrate support part 300;
It is installed outside the process chamber 100, and the'viewport 102 installed on the chamber wall of the process chamber 100 facing the bottom surface of the substrate support part 300'and'through formed in the substrate support part 300 An alignment camera unit 500 for photographing the substrate 10 and the mask 20 through the hole 301';
A shield space P is formed between the substrate support part 300 and the chamber wall along the periphery of the viewport 102 and the periphery of the through hole 301 and blocked from the processing space S, And a viewport shield part (600) whose vertical length is varied according to the vertical movement of the substrate support part (300).
상기 뷰포트(102)는,
상기 공정챔버(100)의 챔버벽에 형성된 개구(103)에 설치되는 쿼츠재질의 투명부재인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The viewport 102,
A substrate processing apparatus, characterized in that it is a transparent member made of a quartz material that is installed in an opening (103) formed in a chamber wall of the process chamber (100).
상기 뷰포트실드부(600)는, 중공형 파이프 구조를 가지는 복수의 실드부재들(610)을 포함하며,
상기 복수의 실드부재(610)들은, 상하방향으로 일렬배치되어 인접하는 실드부재(610)와 상대상하이동 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The viewport shield part 600 includes a plurality of shield members 610 having a hollow pipe structure,
The plurality of shield members (610) are arranged in a line in the vertical direction and are coupled to the adjacent shield member (610) so as to be movable relative to each other.
상기 복수의 실드부재들(610)은, 인접한 실드부재(610)와 내측 또는 외측으로 끼움결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
The plurality of shield members (610) is a substrate processing apparatus, characterized in that the adjacent shield member (610) and the inner or outer fitting to be fitted.
상기 뷰포트실드부(600)는,
기판처리가 이루어지는 공정위치로 상기 기판지지부(300)의 상방이동시 인접한 실드부재(610) 사이의 갭을 실링하기 위하여 인접한 실드부재(610) 사이의 접촉면에 설치되는 실링부(620)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
The viewport shield part 600,
Further comprising a sealing part 620 installed on the contact surface between adjacent shield members 610 to seal a gap between adjacent shield members 610 when the substrate support part 300 moves upward to a process position where substrate processing is performed. A substrate processing apparatus, characterized in that.
상기 챔버벽은 접지되며,
상기 복수의 실드부재들(610)은, 상기 챔버벽 및 상기 기판지지부(300)와 전기적으로 연결되어 상기 기판지지부(300)를 접지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 4,
The chamber wall is grounded,
The plurality of shield members (610) are electrically connected to the chamber wall and the substrate support (300) to ground the substrate support (300).
서로 인접한 2개의 실드부재들(610) 중 내측에 삽입된 실드부재(610)는 반경방향으로 돌출된 플렌지부(611)를 가지며,
상기 플렌지부(611)는, 삽입되는 실드부재(610)의 내주면과 면접촉 또는 그 사이에 설치된 통전부재에 의하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 6,
The shield member 610 inserted inside of the two shield members 610 adjacent to each other has a flange portion 611 protruding in the radial direction,
The flange portion 611 is electrically connected to the inner circumferential surface of the shield member 610 to be inserted or by a conductive member installed therebetween.
상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 공정챔버(100)의 챔버벽에서 상기 기판지지부(300)의 저면으로 갈수록 직경이 감소되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The viewport shield part 600 is a substrate processing apparatus, characterized in that the diameter decreases from the chamber wall of the process chamber 100 to the bottom surface of the substrate support part 300.
상기 뷰포트실드부(600)는, 내주면에 상기 얼라인카메라부(500)의 광원(510)에서 나오는 빛을 반사키는 반사면이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The viewport shield unit 600, a substrate processing apparatus, characterized in that a reflective surface for reflecting light emitted from the light source 510 of the alignment camera unit 500 is formed on an inner circumferential surface.
상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 처리공간(S) 내로 파티클이 비산되는 것을 방지하기 위하여 상기 처리공간(S) 내의 오염물질을 흡착하는 오염물질흡착부(602)가 외주면에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The viewport shield part 600 is characterized in that a contaminant adsorption part 602 for adsorbing contaminants in the treatment space S is formed on the outer circumferential surface to prevent particles from scattering into the treatment space S. Substrate processing apparatus.
상기 뷰포트실드부(600)는,
상기 실드공간(P)에 상기 처리공간(S)으로부터 공정가스가 침투되는 것을 방지하기 위하여 상기 실드공간(P)에 불활성가스를 공급하는 불활성가스공급부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The viewport shield part 600,
And an inert gas supply unit for supplying an inert gas to the shield space (P) to prevent the process gas from penetrating into the shield space (P) from the processing space (S). .
상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 실드공간(P)을 상기 처리공간(S)으로부터 밀폐시키기 위하여 상기 복수의 실드부재(610)들의 외곽둘레를 따라 상기 기판지지부(300)와 상기 챔버벽 사이에 설치되는 벨로우즈(630)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
The viewport shield part 600 is formed between the substrate support part 300 and the chamber wall along the outer circumference of the plurality of shield members 610 to seal the shield space P from the processing space S. A substrate processing apparatus, characterized in that it further comprises a bellows 630 installed on.
상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 실드공간(P)을 상기 처리공간(S)으로부터 밀폐시키는 벨로우즈(630)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The viewport shield part 600 includes a bellows 630 for sealing the shield space P from the processing space S.
상기 챔버벽은 접지되며,
상기 뷰포트실드부(600)는, 상기 챔버벽 및 상기 기판지지부(300)와 전기적으로 연결되어 상기 기판지지부(300)를 접지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 and 3,
The chamber wall is grounded,
The viewport shield part 600 is electrically connected to the chamber wall and the substrate support part 300 to ground the substrate support part 300.
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