KR102188457B1 - 연마입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 연마입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리에 관한 것으로서, 본 발명의 연마입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리에 의하여, 입자의 표면에 미세 공극을 형성하여 연마 공정상 연마 웨이퍼의 표면과의 접촉면적을 현저히 증가시켜 연마속도를 증가시킬 수 있다. 이는 공극의 표면에 흡착되어 있는 수산화기가 산화막의 표면과 반응하여 산화막 표면의 가수분해 반응을 촉진시켜 연마속도가 증가되는 것으로 판단된다. 또한, 입자 표면의 많은 수산화기가 분산제와의 반응성을 증가시켜 분산제와의 흡착력이 증가하여 분산안정성이 우수하여 입자의 응집현상을 억제하여 스크래치, 디싱 및 에로젼을 감소시키고 잔류 입자가 적게 남는 효과를 제공하며 연마 효율도 우수하므로, 반도체 공정 시 평탄화를 위한 화학 기계적 연마 공정에 유용하게 활용될 수 있다.

Description

연마입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리{ABRASIVE AND POLISHING SLURRY COMPRISING THE SAME}
본 발명은 연마입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정에는 텅스텐, 알루미늄 및 구리 등의 금속 배선층과 산화 규소(SiO2) 및 질화 규소(Si3N4) 등의 절연막의 평탄화를 구현하기 위해 연마 슬러리를 사용하여 웨이퍼를 연마하는 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 수반된다. 이러한 연마 공정에 사용되는 연마 슬러리는 연마입자, 물, 분산제 및 첨가제가 포함되며, 이때 첨가제로는 산화제, 착화제, 부식방지제 및 pH 조절제 등이 사용된다. 이 중, 연마입자는 연마 대상과의 기계적인 마찰로 연마를 수행하므로 연마 대상에 따라 연마입자의 물성 및 경도가 중요하게 작용한다.
산화막 연마를 위하여 연마입자의 고형분 함량을 높이거나, 입자 사이즈를 늘리거나 또는 서로 다른 연마입자 사이즈를 혼합하여 표면 접촉면적을 늘려 산화막을 연마하였다. 그러나 고형분의 함량을 높이거나 연마입자 사이즈를 늘리는 경우, 연마대상 막질의 표면 결함에 취약하고, 연마 슬러리의 단가가 상승하는 단점이 있다. 또한, 서로 다른 연마입자 사이즈를 혼합하여 사용할 경우, 제조 공정 및 연마 공정의 재연성 확보가 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 연마 웨이퍼의 표면과의 접촉면적을 증가시켜 연마속도를 증가시키고, 스크래치, 디싱 및 에로젼을 감소시킬 수 있는 연마입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 제1 측면에 따르면, 입자 표면에 미세 공극을 포함하는, 연마입자를 제공할 수 있다.
상기 연마입자는 구형 또는 비구형인 것일 수 있다.
상기 연마입자의 공극의 크기는 1 nm 내지 50 nm인 것일 수 있다.
상기 연마입자의 공극도는 20% 내지 80%인 것일 수 있다.
상기 연마입자의 비표면적(BET)은 250 m2/g 내지 700 m2/g인 것일 수 있다.
상기 연마입자 크기는 50 nm 내지 500 nm인 것일 수 있다.
상기 연마입자는, 금속산화물, 유기물 또는 무기물로 코팅된 금속산화물, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 따르면, 본 발명의 제1 측면의 연마입자를 포함하는 연마 슬러리를 제공할 수 있다.
상기 연마 슬러리는 비표면적이 상이한 연마입자들을 포함하는 것일 수 있다.
상기 연마 슬러리 중 상기 연마입자는 0.5 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다.
유기산; 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산 및 폴리에틸렌글리콜; 술폰산기, 술포네이트기, 포스폰산기, 포스포네이트기 및 포스페이트 중에서 선택된 산 작용기를 가진 화합물 둘 이상의 공중합체; 및 상기 산 작용기를 가진 화합물과, 카복실기 함유 화합물, 알킬렌 옥사이드, 비닐계 화합물, 및 아미드계 화합물 중에서 하나 이상 선택된 화합물을 축중합시킨 공중합체 중에서 선택된 분산제를 더 포함할 수 있다.
염산, 질산, 황산, 아세트산, 인산, 붕산, 아미노산, 수산화나트륨, 수산화 칼륨, 암모니아 및 암모니아 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 pH 조절제를 더 포함할 수 있다.
상기 연마 슬러리는 산화막 연마용인 것일 수 있다.
본 발명의 연마입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리는, 입자의 표면에 미세 공극을 형성하여 연마 공정상 연마 웨이퍼의 표면과의 접촉면적을 현저히 증가시켜 연마속도를 증가시킬 수 있다. 이는 공극의 표면에 흡착되어 있는 수산화기가 산화막의 표면과 반응하여 산화막 표면의 가수분해 반응을 촉진시켜 연마속도가 증가되는 것으로 판단된다. 또한, 입자 표면의 많은 수산화기가 분산제와의 반응성을 증가시켜 분산제와의 흡착력이 증가하여 분산안정성이 우수하여 입자의 응집현상을 억제하여 스크래치, 디싱 및 에로젼을 감소시키고 잔류 입자가 적게 남는 효과를 제공하며 연마 효율도 우수하므로, 반도체 공정 시 평탄화를 위한 화학 기계적 연마 공정에 유용하게 활용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마입자의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 연마입자의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 4, 비교예 1 내지 비교예 3의 연마 슬러리를 이용한 평균 산화막 연마율을 도시한 그래프이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 발명의 연마입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 측면에 따르면, 입자 표면에 미세 공극(pore)을 포함하는, 연마입자를 제공할 수 있다. 본 발명에 따른 연마입자는 입자의 표면에 미세 공극을 형성하여 연마 공정상 연마 웨이퍼의 표면과의 접촉면적을 현저히 증가시켜 연마속도를 증가시킬 수 있다.
상기 연마입자는, 금속산화물, 유기물 또는 무기물로 코팅된 금속산화물, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 연마입자는 구형 또는 비구형인 것일 수 있다. 비구형은 단순한 원형이 아닌 변형된 입자의 형태로서, 예를 들어, 실리카의 경우, 별사탕 형태(modified silica), 땅콩모양의 응집체 형상일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마입자의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 연마입자의 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 연마입자(100)의 상기 미세 공극(110)은 입자 표면으로부터 일정 깊이에 형성되는 것일 수도 있고, 도 2에 도시된 바와 같이 연마입자(200) 표면 상의 미세 요철 형상(210)이 형성될 수 있고, 또는, 도시되지는 않았지만 연마입자 표면 상의 텍스처(texture) 등에 의하여 형성되는 것일 수도 있다.
미세 공극을 포함하는 연마입자의 경우, 수열합성, 초임계 합성, 기상법 등에 의해 합성할 수 있다.
연마입자 표면 상에 미세 요철 형상, 텍스처가 형성되는 경우, 나노꽃(mnanoflower), 나노나무(nanotree), 나노부케(nanobouque), 나노닷(nanodot), 나노벨트(nanobelt), 나노리본(nanoribbon), 나노피라미드(nanopyramid), 나노웨이비(nanowavy) 및 나노캐비티(nanocavity)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 형상을 포함할 수 있다.
연마입자 표면 상에 미세 요철 형상, 텍스처의 경우, 습식화학 에칭, 건식화학 에칭, 전기화학 에칭, 기계적 에칭, 비드 블라스팅(bead blasting), 샌드 블라스팅(sand blasting), 플라즈마 표면 처리 및 레이저 표면 처리로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 방법으로 형성할 수 있다.
상기 연마입자의 공극의 크기는 1 nm 내지 50 nm인 것일 수 있다. 상기 연마입자의 공극의 크기가 1 nm 미만인 경우 산화막의 표면과 흡착할 수 있는 면적이 미세하여 산화막 표면의 가수분해 효과가 저하되어 연마율이 낮아지는 문제가 있으며, 50 nm 초과인 경우 연마입자의 경도가 낮아져 연마 공정에서의 기계적 연마력이 낮아지는 문제점이 있다.
상기 연마입자의 공극도는 20% 내지 80%인 것일 수 있다. 상기 연마입자의 공극도가 20% 미만인 경우 산화막표면과 접촉가능한 면적이 적어져 연마속도가 저하되는 문제점이 있고, 공극도가 80% 초과인 경우 입자의 경도가 낮아져 연마입자의 기계적 연마력이 낮아지는 문제점이 있다.
상기 연마입자의 비표면적(BET)은 250 m2/g 내지 700 m2/g인 것일 수 있다. 상기 연마입자의 비표면적(BET)이 250 m2/g 미만인 경우 입자 공극의 사이즈가 매우 크거나 입자의 공극도가 낮아져 산화막과의 접촉 면적이 줄어들어 충분한 연마속도를 나오지 않는 문제점이 있고, 700 m2/g 초과인 경우 공긍의 사이즈가 많이 작거나 공극도가 80%를 초과하여 입자의 경도가 낮아지는 문제점이 있다.
상기 연마입자 크기는 50 nm 내지 500 nm인 것일 수 있다. 상기 연마입자는 액상에서 합성하기 때문에 입자 균일성을 확보하기 위해서 500 nm 이하이어야 하며, 50 nm 미만인 경우에는 작은 입자가 과도하게 발생하면 세정성이 저하되고, 웨이퍼 표면에 과량의 결함이 발생하여 연마율이 저하되는 문제점이 있고, 500 nm를 초과하는 경우 단분산성을 달성하지 못하여 스크래치와 같은 표면 결함 우려가 있다.
본 발명의 연마입자는 1 ㎛ 이상의 거대 입자를 조성물 1 ㎖ 당 10,000개 미만, 바람직하게는 2,000개 미만으로 포함하면서, 응집된 2차 입자가 낮은 압력에서도 쉽게 부서져 스크래치, 디싱 및 에로젼을 감소시키고 잔류 입자가 적게 남는 효과를 제공하며 연마 효율도 우수하므로, 반도체 공정 시 평탄화를 위한 화학 기계적 연마 공정에 유용하게 활용될 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 따르면, 본 발명의 제1 측면의 연마입자를 포함하는 연마 슬러리를 제공할 수 있다.
상기 연마 슬러리는 비표면적이 상이한 연마입자들을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 연마 슬러리 중, 비표면적이 250 m2/g 내지 700 m2/g 인 연마입자와 비표면적이 10 m2/g 내지 250 m2/g인 연마입자가 혼합된 것일 수 있다.
연마입자들의 비표면적이 상이하면, 연마 대상이 되는 입자 또는 돌출부의 다양한 크기에 효과적으로 매칭되어 연마가 진행되어 연마 효율을 향상시킬 수 있다. 기존 연마입자의 경우 비표면적이 100 m2/g 이하로 낮으며, 기존 연마입자를 포함하는 연마 슬러리에 비하여 본원의 비표면적이 높은 연마입자를 포함하는 연마 슬러리를 이용하여 연마 공정을 수행하면 연마속도가 증가한다.
본 발명에 따른 연마입자의 경우 기존 연마입자에 비해 연마속도는 유지되면서도, 3 psi 이하의 낮은 압력으로도 응집된 2차 입자가 쉽게 부서져 스크래치, 디싱 및 에로젼 등을 감소시킨다.
상기 연마 슬러리 중 상기 연마입자는 0.5 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다. 상기 연마 슬러리 중 상기 연마입자의 함량이 0.5 중량% 미만일 경우 연마 시 연마 대상막을 충분히 연마하지 못하여 평탄화율이 저하될 우려가 있고, 10 중량%를 초과하면, 결함 및 스크래치 등 결점의 원인이 될 우려가 있다.
본 발명의 연마 슬러리는 연마입자가 수화되는 것을 방지하여 입자 안정성을 향상시키고 장기간 안정된 분산성을 갖도록 하기 위하여 분산제를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 시트르산, 프탈산 및 말산과 같은 유기산; 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산 및 폴리에틸렌글리콜과 같은 중합체; 술폰산기, 술포네이트기, 포스폰산기, 포스포네이트기 및 포스페이트기 등의 강산 작용기를 갖는 화합물인, 예를 들면 스티렌술폰산, 2-아크릴아미도-2-메틸프로판 술폰산(AMPS), 비닐술폰산 및 비닐포스폰산 등 중에서 둘 이상 선택된 단량체의 공중합체; 및 상기 강산 작용기를 갖는 화합물에 아크릴산, 메타아크릴산, 무수 말레인 및 알킬 아크릴레이트 등의 카복실기 함유 화합물, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드 등의 알킬렌 옥사이드, 스티렌, 비닐알콜, 비닐피롤리돈 및 비닐 아세테이트 등의 비닐계화합물, 및 포름아미드, 디메틸포름아미드, 아세트아미드, 벤즈아미드 및 아크릴아미드 등의 아미드계 화합물 중에서 하나 이상 선택된 단량체를 축중합시킨 공중합체 등의 통상의 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
상기 분산제는, 상기 슬러리 조성물 중 0.5 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다. 상기 분산제가 0.5 중량% 미만일 경우 분산 안정성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있으며, 10 중량% 초과인 경우에는 슬러리 조성물의 점도가 상승하여 웨이퍼 막질 연마 후의 평타화도가 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 연마 슬러리는 연마 슬러리를 pH를 조절하는 역할을 하는 pH 조절제를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 염산, 질산, 황산, 아세트산, 인산, 붕산, 아미노산, 수산화나트륨, 수산화 칼륨, 암모니아 및 암모니아 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 pH 조절제를 더 포함할 수 있다. 본원 발명의 경우 연마제를 보호하기 위해 연마 조성물의 pH가 2 내지 11, 바람직하게는 4 내지 10이 되도록 첨가될 수 있다.
상기 연마 슬러리는 산화막 연마용인 것일 수 있다.
본 발명의 연마 슬러리는 입자의 표면에 미세 공극을 형성한 연마입자를 포함함으로써 연마 공정상 연마 웨이퍼의 표면과의 접촉면적을 현저히 증가시켜 연마속도를 증가시킬 수 있다. 그에 따라 기존 연마 슬러리 제조 시에 에칭 및 착화합물을 형성을 감소시키거나 배제시킬 수 있으며, 스크래치, 디싱 및 에로젼 등의 결함을 크게 개선시킬 수 있다.
이하, 하기 실시예 및 비교예를 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 그에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
[실시예 연마입자의 제조]
표면 상의 공극을 형성한 실리카 입자 120 g과 초순수 4900 g을 혼합 후 분산 공정을 진행하여 100 nm급의 입자 크기를 가지는 연마입자를 제조하였다. 실리카 연마입자를 필터링 공정을 통하여 거대 입자를 제거하여 최종적으로 5 중량%의 실리카 연마입자를 포함하는 연마 슬러리 4500 g을 제조하였다
[비교예 연마입자의 제조]
Nalco社 40 중량%의 60 nm급 콜로이달 실리카 분산액 300 g에 초순수 4700 g 혼합하여 100 nm급의 입자 크기를 가지는 연마입자를 제조하였다.
[실시예 1]
비표면적이 279 m2/g 를 가지는 실리카 입자로 제조된 연마입자에 질산용액을 첨가하여 슬러리의 pH를 4로 조절하였으며, 고형분 함량 1 중량%의 연마 슬러리 제조하여 1 분간 연마였다.
[실시예 2]
실시예 1에서 pH 조절제로 KOH를 적용하여 pH가 11인 것을 제외하고, 실시예1과 동일한 조건으로 연마하였다.
[실시예 3]
비표면적이 495 m2/g 를 갖는 실리카 입자로 제조된 슬러리에 질산용액을 첨가하여 슬러리의 pH를 4로 조절하였으며, 고형분 함량 1 중량%의 슬러리 제조하여 1 분간 연마 공정을 실시하였다.
[실시예 4]
실시예 3에서 pH 조절제로 KOH를 적용하여 pH가 11인 것을 제외하고, 실시예 3과 동일한 조건으로 연마 공정을 실시하였다
[비교예 1]
비표면적이 61 m2/g 를 갖는 실리카 입자로 제조된 슬러리에 질산용액을 첨가하여 슬러리의 pH를 4로 조절하였으며, 고형분 함량 1 중량%의 슬러리 제조하여 1 분간 연마 공정을 실시하였다.
[비교예 2]
비표면적이 61 m2/g 를 갖는 실리카 입자로 제조된 슬러리에 KOH를 첨가하여 슬러리의 pH를 11로 조절하였으며, 고형분 함량 1 중량%의 슬러리 제조하여 1 분간 연마 공정을 실시하였다.
[비교예 3]
연마입자는 고형분함량 10 중량%인 것을 제외하고, 비교예 1과 동일한 조건으로 연마하였다.
하기 표 1에 실시예 1 내지 실시예 4, 비교예 1 내지 비교예 3의 기초 물성을 나타내었다.
입자의 비표면적
(m2/g)		 입자 사이즈
(nm)		 pH 고형분 함량
(중량%)
실시예 1 279 102 4.02 1
실시예 2 101 11.05
실시예 3 495 103 4.04
실시예 4 101 10.98
비교예 1 61 105 4.06
비교예 2 101 11.02
비교예 3 102 4.02 5
하기 표 2에 실시예 1 내지 실시예 4, 비교예 1 내지 비교예 3의 연마 슬러리를 이용한 산화막 연마 특성 평가 결과를 나타내었다. 도 3은 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 4, 비교예 1 내지 비교예 3의 연마 슬러리를 이용한 평균 산화막 연마율을 도시한 그래프이다.
1차 산화막 연마율
(Å/min)		 2차 산화막 연마율
(Å/min)		 평균
(Å/min)
실시예 1 65 72 68.5
실시예 2 71 78 74.5
실시예 3 101 105 103
실시예 4 110 123 116.5
비교예 1 15 12 13.5
비교예 2 24 19 21.5
비교예 3 36 38 37
상기 결과에 따르면, 실시예 1 내지 실시예 4에 사용한 연마입자는 비교예 1 내지 비교예 3의 연마입자에 비하여 4 배 이상의 비표면적(BET) 값을 가지며, 이 값은 입자 표면의 거칠기의 상대적 수치이다. 즉, 표면의 공극을 형성하여 비표면적이 높은 연마입자를 도입했을 때, 비표면적이 낮은 연마입자에 비해 월등히 높은 산화막 연마율을 보인다. 또한, 실시예 1과 비교예 1을 비교한 결과로 볼 때, 거칠기가 낮은 입자를 사용한 비교예 1의 결과에 비해 비표면적이 높은 연마입자를 사용한 실시예 1의 산화막 연마율이 5 배 이상 높은 것을 알 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 제한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100, 200: 연마입자
110: 미세 공극
210: 미세 요철 형상

Claims (16)

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  8. 입자 표면에 미세 공극을 포함하고,
    비표면적(BET)은 250 m2/g 내지 700 m2/g이고,
    실리카, 유기물 또는 무기물로 코팅된 실리카, 및 콜로이달 상태의 상기 실리카로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 연마입자를 포함하고,
    산화막 연마용인 것인,
    연마 슬러리.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 연마 슬러리는 비표면적이 상이한 연마입자들을 포함하는 것인, 연마 슬러리.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 연마 슬러리 중 상기 연마입자는 0.5 중량% 내지 10 중량%인 것인, 연마 슬러리.
  11. 제8항에 있어서,
    유기산; 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산 및 폴리에틸렌글리콜; 술폰산기, 술포네이트기, 포스폰산기, 포스포네이트기 및 포스페이트 중에서 선택된 산 작용기를 가진 화합물 둘 이상의 공중합체; 및 상기 산 작용기를 가진 화합물과, 카복실기 함유 화합물, 알킬렌 옥사이드, 비닐계 화합물, 및 아미드계 화합물 중에서 하나 이상 선택된 화합물을 축중합시킨 공중합체 중에서 선택된 분산제를 더 포함하는, 연마 슬러리.
  12. 제8항에 있어서,
    염산, 질산, 황산, 아세트산, 인산, 붕산, 아미노산, 수산화나트륨, 수산화 칼륨, 암모니아 및 암모니아 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 pH 조절제를 더 포함하는, 연마 슬러리.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 연마입자는 구형 또는 비구형인 것인, 연마 슬러리.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 연마입자의 공극의 크기는 1 nm 내지 50 nm인 것인, 연마 슬러리.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 연마입자의 공극도는 20% 내지 80%인 것인, 연마 슬러리.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 연마입자 크기는 50 nm 내지 500 nm인 것인, 연마 슬러리.
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