KR102186663B1 - Method of manufacturing device structure - Google Patents
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Abstract
본 발명의 소자 구조체의 제조 방법은, 요철(凹凸)이 있는 기판에, 유기물로 이루어진 수지재를, 적어도 철부(凸部)의 주변이 평탄부 보다 두꺼워지도록 형성하는 수지재 형성 공정과, 상기 철부의 주변에 위치하는 상기 수지재의 일부를 잔존시켜, 상기 평탄부의 상기 수지재를 제거하는 수지재 에칭 공정을 포함한다. 상기 수지재 에칭 공정은, 상기 수지재를 에칭 처리하는 조건 중, 특정의 조건의 변화를 검출하고, 검출된 검출 결과를 상기 에칭 처리의 종점(終点)으로서 이용한다.The manufacturing method of the device structure of the present invention comprises a resin material forming step of forming a resin material made of an organic material on a substrate having irregularities so that at least the periphery of the convex portion is thicker than the flat portion, and the convex portion And a resin material etching step of removing the resin material of the flat portion by remaining a part of the resin material positioned around the. The resin material etching step detects a change in a specific condition among conditions for etching the resin material, and uses the detected detection result as an end point of the etching process.
Description
본 발명은, 소자 구조체의 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 산소, 수분 등으로부터 디바이스 등을 보호하는 적층 구조를 가지는 소자 구조체와, 소자 구조체의 제조 방법을 이용하는 최적한 기술에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing an element structure, and more particularly, to an element structure having a layered structure for protecting a device from oxygen, moisture, and the like, and to an optimal technique using a method for manufacturing the element structure.
본원은, 2017년 2월 21일에 일본에 출원된 특원 2017-030316호에 근거해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-030316 for which it applied to Japan on February 21, 2017, and uses the content here.
수분 혹은 산소 등에 의해 열화하기 쉬운 성질을 가진 화합물을 포함한 소자로서, 예를 들면, 유기 EL(Electro Luminescence) 소자 등이 알려져 있다. 이러한 소자에 대해서는, 화합물을 포함하는 층과, 이 층을 피복하는 보호층이 적층된 적층 구조를 형성 함으로써, 소자 내로의 수분 등의 침입을 억제하는 시도가 되고 있다. 예를 들면, 하기 특허문헌 1에는, 상부 전극층 상에, 무기막과 유기막의 적층막으로 구성된 보호막을 가지는 발광 소자가 기재되어 있다.As an element containing a compound that is liable to deteriorate by moisture or oxygen, for example, an organic EL (electroluminescence) element is known. For such devices, attempts have been made to suppress intrusion of moisture into the device by forming a laminated structure in which a layer containing a compound and a protective layer covering the layer are stacked. For example, in Patent Document 1 below, a light-emitting element having a protective film composed of a laminated film of an inorganic film and an organic film is described on an upper electrode layer.
그렇지만, 수증기 등에 대한 배리어성을 가지는 무기막의 커버리지 특성(단차 피복성)은 비교적 낮고, 디바이스층을 가지는 기판 표면에 요철이 있으면, 무기막이 상기 요철을 충분히 피복할 수 없다. 예를 들면, 기판 표면에 형성된 요철의 경계부가 무기막으로 피복되지 않는 피복 불량이 생길 우려가 있다. 이러한 무기막의 피복 불량이 발생하면, 피복 불량이 발생한 부분으로부터의 수분의 침입을 저지할 수 없게 되기 때문에, 충분한 배리어성을 확보하는 것이 곤란해진다.However, the coverage characteristic (step coverage) of the inorganic film having barrier properties to water vapor or the like is relatively low, and if there are irregularities on the surface of the substrate having the device layer, the inorganic film cannot sufficiently cover the irregularities. For example, there is a concern that a coating defect occurs in which the boundary portion of the irregularities formed on the substrate surface is not covered with an inorganic film. When such a defective coating of the inorganic film occurs, it becomes impossible to prevent the intrusion of moisture from the portion where the defective coating has occurred, and thus it becomes difficult to ensure sufficient barrier properties.
본 발명은, 상기의 사정에 따라 이루어진 것으로, 이하의 적어도 하나의 목적을 달성하려고 하는 것이다.The present invention has been made in accordance with the above circumstances, and attempts to achieve at least one of the following objects.
1. 박막 봉지(封止)에서의 배리어 특성의 저하를 방지하는 것.1. To prevent deterioration of barrier properties in thin film encapsulation.
2. 보호막에서의 수증기 등에 대한 배리어성을 확실히 향상시키는 것.2. To reliably improve the barrier to water vapor in the protective film.
3. 수증기 등에 대한 배리어성을 높일 수 있는 소자 구조체와, 소자 구조체의 제조 방법을 제공하는 것.3. To provide a device structure capable of enhancing the barrier property to water vapor, and a method of manufacturing the device structure.
본 발명의 일 양태에 따른 소자 구조체의 제조 방법은, 요철(凹凸)이 있는 기판에, 유기물로 이루어진 수지재를, 적어도 철부(凸部)의 주변이 평탄부 보다 두꺼워지도록 형성하는 수지재 형성 공정과, 상기 철부의 주변에 위치하는 상기 수지재의 일부를 잔존시켜, 상기 평탄부의 상기 수지재를 제거하는 수지재 에칭 공정을 포함하고, 상기 수지재 에칭 공정은, 상기 수지재를 에칭 처리하는 조건 중, 특정의 조건의 변화를 검출하고, 검출된 검출 결과를 상기 에칭 처리의 종점(終点)으로서 이용 함으로써, 상기 과제를 해결하였다.A method of manufacturing a device structure according to an aspect of the present invention is a resin material forming process in which a resin material made of an organic material is formed on a substrate having irregularities so that at least the periphery of the convex portion is thicker than the flat portion. And, a resin material etching step of removing the resin material of the flat portion by remaining a part of the resin material positioned around the convex portion, wherein the resin material etching step is a condition of etching the resin material , The problem was solved by detecting a change in a specific condition and using the detected detection result as an end point of the etching treatment.
본 발명의 일 양태에서, 상기 특정의 조건의 변화는, 상기 기판에 인가하는 바이어스 전압의 변화인 것이 보다 바람직하다.In one aspect of the present invention, it is more preferable that the change in the specific condition is a change in the bias voltage applied to the substrate.
본 발명의 일 양태는, 상기 수지재 에칭 공정 후, 상기 수지재가 잔존해 있는 상기 기판 상에 무기재료로 이루어진 무기재료층을 형성하는 무기막 형성 공정을 더 포함하는 것이 가능하다.One aspect of the present invention may further include an inorganic film forming step of forming an inorganic material layer made of an inorganic material on the substrate on which the resin material remains after the resin material etching step.
본 발명의 일 양태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에 의하면, 수지재의 제거를 정확히 실시하는 것이 가능해지고, 이에 따라 하층(下層)에 불필요한 데미지를 주지 않고, 수지재의 불필요한 부분을 제거하여, 필요한 부분만 국재화(局在化)시키는 것이 용이하게 가능해진다.According to the method of manufacturing a device structure according to an aspect of the present invention, it becomes possible to accurately remove the resin material, thereby not causing unnecessary damage to the lower layer, and removing unnecessary parts of the resin material, It becomes easily possible to localize.
본 발명의 일 양태에서, 상기 특정의 조건의 변화는, 상기 기판에 인가하는 바이어스 전압의 변화이기 때문에, 기판 상의 수지재의 불필요 부분이 제거되었다고 정확히 판단하여, 에칭 처리를 종료하고, 정확하게 평탄부의 수지재를 제거할 수 있다. 이 때문에, 성막 공정에 필요로 하는 시간을 단축하고, 막 특성을 안정시켜, 막 특성의 변동을 막는 것이 가능해진다.In one aspect of the present invention, since the change in the specific condition is a change in the bias voltage applied to the substrate, it is accurately determined that the unnecessary portion of the resin material on the substrate has been removed, the etching process is terminated, and the resin in the flat portion is accurately Ash can be removed. For this reason, it becomes possible to shorten the time required for the film forming step, stabilize film characteristics, and prevent fluctuations in film characteristics.
본 발명의 일 양태는, 상기 수지재 에칭 공정의 후, 상기 수지재가 잔존해 있는 상기 기판 상에 무기재료로 이루어진 무기재료층을 형성하는 무기막 형성 공정을 더 포함하기 때문에, 기판 철부에 불필요한 데미지를 주지 않고, 수지재의 불필요한 부분을 제거하여, 필요한 부분만 국재화시킨 후, 무기재료층에 의해 봉지(封止)하는 것이 용이하게 가능해진다.One aspect of the present invention further includes an inorganic film forming step of forming an inorganic material layer made of an inorganic material on the substrate on which the resin material remains after the resin material etching step, so that unnecessary damage to the convex portion of the substrate It becomes possible to easily remove unnecessary portions of the resin material without giving a pressure, localize only necessary portions, and then seal with an inorganic material layer.
본 발명의 일 양태에 의하면, 소자 구조체에서, 수증기 등에 대한 배리어성을 높이는 효과를 얻을 수 있다.According to one aspect of the present invention, in the device structure, an effect of increasing the barrier property against water vapor or the like can be obtained.
본 발명의 일 양태에 의하면, 수지막을 과부족 없이 에칭할 수 있다. 수지재를 필요한 부분에만 잔존시킬 수 있기 때문에, 잔존한 수지재 상에 형성되는 무기막의 밀봉성(Sealability)이 향상된다.According to one aspect of the present invention, the resin film can be etched without excess or shortage. Since the resin material can be left only in a necessary portion, the sealing property of the inorganic film formed on the remaining resin material is improved.
[도 1] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법을 실시하는 제조 장치를 도시한 개략 모식도이다.
[도 2] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법을 실시하는 제조 장치의 수지 성막부를 도시한 모식 단면이다.
[도 3] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법을 실시하는 제조 장치의 국재화 처리부를 도시한 모식 단면이다.
[도 4] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체를 도시한 개략 단면도이다.
[도 5] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체를 도시한 평면도이다.
[도 6] 상기 소자 구조체의 주요부의 확대 단면도이다.
[도 7] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에서의 공정을 도시한 공정도이다.
[도 8] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에서의 공정을 도시한 공정도이다.
[도 9] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에서의 공정을 도시한 공정도이다.
[도 10] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에서의 공정을 도시한 공정도이다.
[도 11] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에서의 공정을 도시한 공정도이다.
[도 12] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에 따라 제조되는 소자 구조체의 구성의 변형 예를 도시한 개략 단면도이다.
[도 13] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에 따라 제조되는 소자 구조체의 구성의 변형 예를 도시한 개략 단면도이다.
[도 14] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에 따라 제조되는 소자 구조체의 구성의 변형 예를 도시한 개략 단면도이다.
[도 15] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에서의 에칭 처리에서의 바이어스 전압을 도시한 그래프이다.[Fig. 1] Fig. 1 is a schematic schematic diagram showing a manufacturing apparatus for implementing the method for manufacturing an element structure according to a first embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing a resin film-forming portion of a manufacturing apparatus for performing the method for manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing a localization processing unit of a manufacturing apparatus for implementing the method for manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view showing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
5 is a plan view showing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the device structure.
Fig. 7 is a process chart showing steps in the method of manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
[Fig. 8] Fig. 8 is a process chart showing steps in the method of manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
[Fig. 9] Fig. 9 is a process chart showing steps in the method of manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
[Fig. 10] Fig. 10 is a process chart showing steps in the method of manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
[Fig. 11] Fig. 11 is a process chart showing steps in the method of manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
12 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the configuration of an element structure manufactured by the method of manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
13 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the configuration of an element structure manufactured by the method of manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
14 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the configuration of an element structure manufactured according to the method of manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 15 is a graph showing a bias voltage in an etching process in the method for manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 장치를, 도면에 근거해 설명한다.Hereinafter, an apparatus for manufacturing an element structure according to a first embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
도 1은, 본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에서의 제조 장치를 도시한 개략 모식도이다. 도 2는, 본 실시 형태에 따른 수지 성막부를 도시한 개략 모식도이다. 도 3은, 본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 장치의 국재화 처리부를 도시한 개략 모식도이며, 도 1에서, 부호 1000은, 소자 구조체의 제조 장치이다.1 is a schematic schematic diagram showing a manufacturing apparatus in a method for manufacturing an element structure according to the present embodiment. 2 is a schematic schematic diagram showing a resin film-forming part according to the present embodiment. 3 is a schematic schematic diagram showing a localization processing unit of the device for manufacturing an element structure according to the present embodiment, and in FIG. 1,
본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 장치(1000)는, 후술하는 것처럼, 유기 EL 소자 등의 소자 구조체의 제조를 실시한다. 제조 장치(1000)는, 도 1에 도시한 것처럼, 제1층 형성부(201)와, 수지 성막부(100)와, 국재화 처리부(202)와, 제2층 형성부(203)와, 유기 EL층이 되는 기능층을 형성하는 기능층 형성부(204)와, 코어실(200)과, 외부에 접속된 로드록(load lock)실(210)을 가진다. 코어실(200)은, 제1층 형성부(201), 수지 성막부(100), 국재화 처리부(202), 제2층 형성부(203), 기능층 형성부(204), 및 로드록실(210)에 연결되어 있다.The
로드록실(210)의 내부에는, 다른 장치 등으로부터 소자 구조체의 제조 장치(1000)로 반송된 기판이 삽입된다. 코어실(200)에는, 예를 들면, 도시하지 않은 기판 반송 로봇이 배치된다. 이에 따라, 코어실(200)과, 각각의 제1층 형성부(201), 수지 성막부(100), 국재화 처리부(202), 제2층 형성부(203), 기능층 형성부(204), 로드록실(210)과의 사이에 기판의 반송이 가능해진다. 이 로드록실(210)을 통해 소자 구조체의 제조 장치(1000)의 외측으로 기판을 반송하는 것이 가능하다. 코어실(200), 각 성막실(100, 201, 202, 203, 204), 로드록실(210)은, 각각, 도시하지 않은 진공 배기 시스템이 접속된 진공 챔버를 구성한다.In the interior of the
상기 구성을 가지는 소자 구조체의 제조 장치(1000)를 이용해 소자 구조체(10)의 제조를 실시 함으로써, 각 제조 공정을 오토메이션화 할 수 있는 것과 함께, 복수의 성막실을 동시에 이용해 효율적으로 제조를 실시할 수 있어, 생산성을 높이는 것이 가능해진다.By carrying out the fabrication of the
제1층 형성부(201)는, 후술하는 소자 구조체(10)에서, 기판(2)의 일면측(2a)에 배치된 기능층(3)을 피복하는 것과 함께, 국소적인 철부를 가지는, 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기재료로 이루어진 제1층(41)을 형성한다. 제1층 형성부(201)는, 예를 들면, CVD(Chemical Vapor Deposition)법이나 스퍼터링(sputtering)법, ALD(Atomic Layer Deposition)법 등에 의해 제1층(41)을 성막하는 성막실이다.The first
기능층 형성부(204)는, 후술하는 소자 구조체(10)에서, 기능층(3)을 형성한다. 덧붙여, 기능층 형성부(204)는, 로드록실(210)의 외측에 설치할 수도 있다.The functional
제2층 형성부(203)는, 후술하는 소자 구조체(10)에서, 제1층(41) 및 수지재(51)을 피복하도록, 제1층(41)과 마찬가지로 무기재료로 이루어진 제2층(42)을 형성하는 성막실이다. 덧붙여, 제2층(42)과 제1층(41)이 동일 재료로 이루어진 경우에는, 제2층 형성부(203)와 제1층 형성부(201)를 동일한 구성으로 하거나, 혹은, 하나의 성막실(공통의 성막실)을 사용해 제2층(42)과 제1층(41)을 형성할 수도 있다.The second
게다가, 제2층 형성부(203)와 제1층 형성부(201) 중 어느 하나, 또는, 공통의 성막실이, 플라즈마 CVD 장치로 구성되는 경우, 이 형성부(201, 203)나 성막실은, 상술한 기능 뿐만 아니라, 후술하는 국재화 처리부(202)의 기능을 겸비할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마 CVD 장치에 수지막이 형성된 기판을 반입해, 산화성 가스를 도입하여 플라즈마를 발생시킴으로써, 수지막을 에칭해 수지막을 국재화 하여 상기 수지재를 형성할 수 있다. 그 후, 그대로 플라즈마 VD 장치 내에서 제2층(42)을 형성할 수도 있다.In addition, when any one of the second
수지 성막부(100)는, 기화(氣化)한 수지재료를 수지 성막부(100)의 내부에 공급하여, 제1층(41) 상에, 수지재료로 이루어진 수지재료막(5a)을 형성하고, 수지재료막(5a)을 경화하여 수지막(5)을 형성하는 성막실이다.The resin film-forming
수지 성막부(100)는, 도 2에 도시한 것처럼, 내부 공간이 감압 가능한 챔버(110)와, 기화한 수지재료를 챔버(110)에 공급하는 기화기(氣化器)(300)를 가진다.As shown in FIG. 2, the resin
챔버(110)의 내부 공간은, 후술하는 것처럼, 상부 공간(107), 하부 공간(108)으로 구성되어 있다.The inner space of the
챔버(110)에는, 미도시한 진공 배기 장치(진공 배기 수단, 진공 등)가 접속되고, 진공 배기 장치는, 챔버(110)의 내부 공간이 진공 분위기가 되도록, 내부 공간의 가스를 배기할 수 있게 구성되어 있다.A vacuum evacuation device (vacuum evacuation means, vacuum, etc.) not shown is connected to the
챔버(110)의 내부 공간에는, 샤워 플레이트(105)가 배치되어 있고, 챔버(110) 내에서 샤워 플레이트(105) 보다 상측이 상부 공간(107)을 구성한다. 챔버(110)의 최상부에는, 자외광(紫外光)을 투과 가능한 부재로 이루어진 천판(天板)(120)이 설치되고, 천판(120)의 상측에는 자외광의 조사 장치(122)(조사 수단, UV 램프 등)가 배치되어 있다.In the inner space of the
여기서, 샤워 플레이트(105)도 자외광을 투과 가능한 부재로 형성되어 있으므로, 조사 장치(122)에서 상부 공간(107)으로 도입된 자외광은, 나아가 샤워 플레이트(105)를 통과하고, 샤워 플레이트(105)의 하측에 위치하는 하부 공간(108)으로 진행 가능하다. 이에 따라, 후술하는 기판(S) 상에 형성된 아크릴 재료막(5a)(수지재료막)에 대해, 성막 후에 자외광을 조사하고, 아크릴 재료막을 경화시켜 아크릴 수지막(5)(수지막)을 형성하는 것이 가능하다.Here, since the
챔버(110) 내에서 샤워 플레이트(105)로부터 하측에 위치하는 하부 공간(108)에는, 아크릴 막이 형성되는 기판(S)을 재치(載置)하는 스테이지(102)(기판 보지부(保持部))가 배치되어 있다.In the
챔버(110)에는, 미도시한 가온(加溫) 장치가 배치되어 있다. 상부 공간(107) 및 하부 공간(108)을 구성하는 챔버(110)의 내벽면의 온도는, 수지재료의 기화 온도 이상, 바람직하게는 40∼250℃ 정도가 되도록, 가온 장치에 의해 제어된다. 수지재료막이 형성되는 기판(S)의 온도는, 기판(S)을 재치하는 스테이지(102)(기판 보지부)에 내장된 냉각 장치(102a)에 의해 제어되고, 수지재료의 기화 온도 이하, 바람직하게는 영도(0℃) 이하, 예를 들면, -30∼0℃ 정도로 제어된다.In the
챔버(110)의 상부 공간(107)은, 배관(112) 및 밸브(112V)를 통해, 기화기(300)와 연통하고 있다. 이에 따라, 기화기(300)는, 챔버(110)의 상부 공간(107)에 대해, 기화된 수지재료를 공급 가능하다. 기화기(300)는, 기화 탱크(氣化槽)(130)와, 토출부(132)와, 수지재료의 원료용기(150)를 가진다. 수지재료의 원료는, 배관(140) 및 밸브(140V)를 통해 기화 탱크(130)에 공급된다. 기화기(300)는, 기화 탱크(130)의 내부 공간을 향해, 토출부(132)에서 수지재료를 분무해 가열 함으로써, 기화된 수지재료를 생성한다.The
상술한 구성을 가지는 수지 성막부(100)에 있어서, 기화 탱크(130)에서 기화된 수지재료는, 기화 탱크(130)로부터 챔버(110)의 상부 공간(107)으로 도입된다. 게다가, 샤워 플레이트(105)에 설치된 다수의 미세 홀(미도시)을 통해, 기화된 수지재료는, 상부 공간(107)에서 하부 공간(108)으로 진행하여, 기판(S)의 성막면(도 12에서 상면)에 이른다.In the resin
기판(S)의 성막면 상에, 마스크(미도시)를 배치 함으로써, 마스크에 설치된 개구부(미도시)를 통하여, 기화된 수지재료가 기판(S)에 부착된다. 그때, 본 발명의 실시 형태에 따른 제조 장치에 있어서는, 기판(S)의 온도가, 기판(S)을 재치하는 스테이지(102)에 내장된 냉각 장치(102a)에 의해, 수지재료의 기화 온도 이하로 제어되고 있으므로, 막질이 양호한 수지재료막(5a)이 기판(S) 상에 형성 가능하다.By arranging a mask (not shown) on the film-forming surface of the substrate S, the vaporized resin material is attached to the substrate S through an opening (not shown) provided in the mask. In that case, in the manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention, the temperature of the substrate S is equal to or less than the vaporization temperature of the resin material by the
그러므로, 본 실시 형태에 따른 수지 성막부(100)에서는, 기판(S)을 재치하는 지지대인 스테이지(102)가, 기판(S)을 영도 이하의 온도 대역으로 보지(保持)하는, 온도 제어 장치인 냉각 장치(102a)를 내장하고 있다.Therefore, in the resin film-forming
수지 성막부(100)는, 예를 들면, 기화 온도 40∼250 ℃ 정도의 자외선 경화형 아크릴 수지의 원료인 수지재료의 성막과, 성막된 수지재료막(5a)의 경화를 위한 자외선 조사를 동일한 챔버(110) 내에서 가능하도록 구성되어 있다. 이에 따라, 어느 처리 공정도 동일한 장치 구성으로 실시하는 것이 가능해지고, 생산성을 향상시킬 수 있다.The resin film-forming
덧붙여, 도 2에 도시한 수지 성막부(100)는, 본 발명의 실시 형태의 일례이다. 기판(S)을 재치하는 지지대인 스테이지(102)가, 기판(S)을 수지재료의 응축 온도 이하, 예를 들면, 영도 이하의 온도 대역으로 보지하는, 온도 제어 장치인 냉각 장치(102a)를 내장하고 있으면, 다른 구성이 채용되어도 무방하다.In addition, the resin
예를 들면, 기화된 수지재료가 기판(S)을 향해 면(面)내 균일하게 진행 가능(유동 가능)하면, 챔버(110)의 내부 공간에 샤워 플레이트(105)를 배치할 필요는 없다.For example, if the vaporized resin material can move uniformly (flowable) in the surface toward the substrate S, it is not necessary to arrange the
수지재료를 성막 후, 수지재료막에 자외광을 조사하여, 수지재료막(5a)을 광중합해 경화하고, 수지막을 형성한 후, 마스크(M)를 제거해 기판(S)을 국재화 처리부(220)로 이동한다.After depositing the resin material, the resin material film is irradiated with ultraviolet light, the
국재화 처리부(202)의 구성으로서는, 드라이 에칭 처리 장치, 특히, 플라즈마 에칭 처리 장치의 구성을 채용할 수 있다.As the configuration of the
국재화 처리부(202)는, 도 3에 도시한 것처럼, 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치이다. 구체적으로, 국재화 처리부(202)는, 챔버(222) 내와, 챔버(222) 내에 설치되어 기판(S)을 재치하는 전극(226)과, 챔버(222) 내에 에칭 가스를 도입하는 가스 도입관(223)과, 에칭 가스에 에너지원으로서 고주파를 공급하는 고주파 전원(224) 및, 이 고주파 전원(224)에 접속된 안테나(225)와, 챔버(222) 내의 전극(226)에 바이어스 전압을 인가하는 고주파 전원(227)과, 챔버(222) 내의 압력을 일정하게 유지하기 위한 압력 제어 밸브(228)와, 바이어스 전압 센서(229)를 가진다.The
플라즈마 처리 장치(202)에서 국재화 처리를 하기 위해, 우선, 챔버(222) 내에 가스 도입관(223)으로부터 에칭 가스를 도입한다. 이 에칭 가스에 에너지원으로서 고주파 전원(224)에 의해 발생한 고주파를, 안테나(225)를 통해, 챔버(222) 내에 입사한다. 상기 에칭 가스에 이 고주파가 조사되어 플라즈마가 생성된다. 챔버(222) 내의 전극(226)에 고주파 전원(227)으로부터 바이어스 전압을 인가하여, 그 전극(226)에 재치된 기판(S)에 상기 플라즈마 중(中)에 존재하는 이온이 인입(引入)되면, 그 기판(S)의 표면에 형성된 수지막(5)이 에칭된다.In order to perform the localization treatment in the
여기서, 산소 등의 에칭 가스에서 발생시킨 플라즈마 중의 이온에 의해 수지막(5)을 이방성(異方性) 에칭한다.Here, the
덧붙여, 상술의 제1층 형성부(201)나 제2층 형성부(203)가 스퍼터링 장치 또는 플라즈마 CVD 장치를 가지는 경우, 이 형성부(201, 203)는, 성막 기능을 가질 뿐만 아니라, 국재화 처리부(202)의 기능을 겸비할 수 있다. 이 경우, 예를 들면, 제1층 형성부(201), 제2층 형성부(203) 및 국재화 처리부(202)로서, 동일한 처리 장치를 사용하는 것이 가능하다.In addition, when the above-described first
국재화 처리부(202)에서는, 예를 들면, 에칭 가스로서 산소를 이용하는 플라즈마 에칭에 의해, 기판(S)에 형성된 수지막(5)의 대부분이 제거된다. 이 플라즈마 처리는, 수지막(5)의 막 두께와 에칭 레이트로부터 기판(S) 상의 수지막(5)의 불필요 부분이 제거되는 처리 시간을 산출하여, 이 시간에 따라 소정의 처리 시간에 실시할 수 있다.In the
게다가, 본 실시 형태에서의 국재화 처리부(202)에 있어서, 바이어스 전압 센서(229)는, 고주파 전원(227)에서 전극(226)에 인가하는 바이어스 전압(Vpp)을 측정하고, 측정값의 변화에 따라, 기판(S) 상의 수지막(5)의 불필요 부분이 제거되었다고 판단하고, 그 판단 결과(검출 결과)를 에칭 처리의 종점으로서 이용하는 검출 장치이다.In addition, in the
본 실시 형태에서의 국재화 처리부(202)에서, 국재화 처리 중에 바이어스 전압 센서(229)에 의해 측정한 바이어스 전압(Vpp)은, 도 15에 도시한 것처럼, 처리 개시 직후는, 처리 시간의 경과와 함께 상승한다. 또한, 에칭 레이트로부터 산출한 기판(S) 상의 유기박막(5)의 불필요 부분이 제거되는 바이어스 전압(Vpp)을 100%로 했을 때에, 도 15에 도시한 것처럼, 97% 정도로, 바이어스 전압(Vpp)이 일시적으로 일정값이 된다. 게다가, 에칭을 실시하면, 바이어스 전압(Vpp)은 상승하고, 그 후 일정해진다.In the
이는, 플라즈마 처리에 의해, 기판(S) 상의 유기박막(5)의 불필요 부분이 제거된 것에 따라, 바이어스 전압(Vpp)이 크게 변동했다고 생각할 수 있다. 즉, 바이어스 전압(Vpp)이 크게 변동한 시점의 전후로, 수지막(5)의 유무 상태가 변화하고 있다. 즉, 수지막(5)의 평탄 부분 등이 넓은 면적의 부분에서 수지막(5)이 제거되는 시간과, 넓은 면적의 평탄 부분의 제거가 종료해, 수지재가 국재하고, 거의 에칭이 없는 시간에서, 바이어스 전압(Vpp)이 변화한다. 이는, 많이 에칭되는 동안은 플라즈마 중에 에칭으로 발생한 가스 등이 많이 포함되기 때문에 플라즈마 밀도가 높아져 바이어스 전압이 오르기 어렵기 때문이라고 생각할 수 있다.It can be considered that the bias voltage Vpp fluctuates greatly as unnecessary portions of the organic
본 발명자들은, 상술한 현상을 검증하기 위해, 플라즈마 에칭에 있어서의 바이어스 전압(Vpp)이 크게 변동한 시점 전후에서의 수지막(5)(아크릴 막)의 유무를 SEM 화상으로 확인했다. 이 결과, 바이어스 전압(Vpp)이 크게 변동한 시점 전에는, 수지막(5)(아크릴 막)이 기판(S)의 평탄한 표면 부분에 존재하고 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 바이어스 전압(Vpp)이 크게 변동한 시점 후에는, 수지막(5)(아크릴 막)이, 국재화시켜서 남은 부분을 제외하고, 기판(S)의 표면 대부분에서 존재하지 않았다. 이 결과로부터, 바이어스 전압(Vpp)값의 단시간에서의 증가 변동에 의해, 기판(S) 상의 수지막(5)의 불필요 부분이 제거되어 에칭 처리의 종점으로서 판단할 수 있다. 즉, 일시적으로 일정해진 후, 바이어스 전압(Vpp)이 상승한 지점 혹은, 그 후 일정 시간 내를 에칭 처리의 종점으로 할 수 있다.In order to verify the above-described phenomenon, the present inventors confirmed the presence or absence of the resin film 5 (acrylic film) before and after the point in time when the bias voltage Vpp in plasma etching greatly fluctuated, by means of an SEM image. As a result, it was confirmed that the resin film 5 (acrylic film) was present on the flat surface portion of the substrate S before the time when the bias voltage Vpp greatly varied. In addition, after the point in time when the bias voltage Vpp greatly fluctuated, the resin film 5 (acrylic film) did not exist on most of the surface of the substrate S except for the portion remaining after localization. From this result, an unnecessary portion of the
이하, 본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 장치(1000)에서 제조되는 소자 구조체(10)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
도 4는, 본 실시 형태에 따른 소자 구조체를 도시한 개략 단면도이다. 도 5는, 도 4의 소자 구조체를 도시한 평면도이다. 도 6은, 소자 구조체의 주요부를 나타내는 확대도이다. 각 도에서 X축, Y축 및 Z축 방향은 상호 직교하는 3축 방향을 나타내고, 본 실시 형태에서 X축 및 Y축 방향은 상호 직교하는 수평방향, Z축 방향은 연직 방향을 나타내고 있다.4 is a schematic cross-sectional view showing an element structure according to the present embodiment. 5 is a plan view showing the device structure of FIG. 4. 6 is an enlarged view showing a main part of the device structure. In each figure, the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions represent three mutually orthogonal directions, and in the present embodiment, the X-axis and Y-axis directions represent mutually orthogonal horizontal directions, and the Z-axis direction represents a vertical direction.
본 실시 형태에 따른 소자 구조체(10)는, 디바이스층(3)(기능층)을 포함하는 기판(2)과, 기판(2)의 표면(2a)에 형성되어 기능층(3)을 피복하는 것과 동시에, 국소적인 철부(凸部)를 가지는, 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기재료로 이루어진 제1 무기재료층(41)(제1층)과, 제1 무기재료층(41)을 피복하도록, 제1층(41)과 마찬가지로 제2 무기재료층(42)(제2층)을 갖춘다. 본 실시 형태에서 소자 구조체(10)는, 유기 EL 발광층을 가지는 발광 소자로 구성된다.The
기판(2)은, 표면(2a)(제1 면)과 이면(2c)(제2 면)을 가지고, 예를 들면, 글래스 기판, 플라스틱 기판 등으로 구성된다. 기판(2)의 형상은, 특별히 한정되지 않으며, 본 실시 형태에서는 구(矩) 형상으로 형성된다. 기판(2)의 크기, 두께 등은, 특별히 한정되지 않으며, 소자 사이즈의 크기에 따라, 적절한 크기, 두께를 가지는 기판이 이용된다. 본 실시 형태에서는, 1매의 대형 기판(S) 상에 제작된 동일 소자의 집합체로부터 복수의 소자 구조체(10)가 제작된다.The
디바이스층(3)(기능층)은, 상부 전극 및 하부 전극을 포함한 유기 EL 발광층으로 구성된다. 이러한 구성 이외에도, 디바이스층(3)은, 액정(液晶) 소자에서의 액정층이나 발전(發電) 소자에서의 발전층 등과 같은, 수분, 산소 등에 의해 열화하기 쉬운 성질의 재료를 포함한 다양한의 기능 소자로 구성되어도 무방하다.The device layer 3 (functional layer) is composed of an organic EL light emitting layer including an upper electrode and a lower electrode. In addition to this configuration, the
디바이스층(3)은, 기판(2)의 표면(2a)의 소정 영역에 성막된다. 디바이스층(3)의 평면 형상은, 특별히 한정되지 않으며, 본 실시 형태에서는 대략 구 형상으로 형성되지만, 이러한 형상 이외에도, 원 형상, 선 형상 등의 형상이 채용되어도 무방하다. 디바이스층(3)은, 기판(2)의 표면(2a)에 배치되는 예로 한정되지 않으며, 기판(2)의 표면(2a) 및 이면(2c)의 중 적어도 일방의 면에 배치되어 있으면 무방하다.The
제1 무기재료층(41)(제1층)은, 디바이스층(3)이 배치되는 기판(2)의 면(2a)에 설치되고, 디바이스층(3)의 표면(3a) 및 측면(3s)을 피복하는 철부(凸部)를 구성한다. 제1 무기재료층(41)은, 기판(2)의 표면(2a)에서 도 6에서의 상방(上方)으로 돌출하는 입체 구조를 가진다.The first inorganic material layer 41 (first layer) is provided on the
제1 무기재료층(41)은, 수분이나 산소로부터 디바이스층(3)을 보호하는 것이 가능한 무기재료로 구성된다. 본 실시 형태에서 제1 무기재료층(41)은, 수증기 배리어 특성이 뛰어난 실리콘 질화물(SiNx)로 구성되지만, 이 재료로 한정되지 않는다. 실리콘 산화물이나 실리콘 산질화물 등의 다른 실리콘 화합물, 혹은 산화 알루미늄 등의 수증기 배리어성을 가지는 다른 무기재료로, 제1 무기재료층(41)이 구성되어도 무방하다.The first
제1 무기재료층(41)은, 예를 들면, 적절한 마스크를 이용해 기판(2)의 표면(2a)에 성막된다. 본 실시 형태에서는, 디바이스층(3)을 수용할 수 있는 크기의 구형(矩形) 개구부를 가지는 마스크를 이용해 제1 무기재료층(41)이 성막된다. 성막 방법은, 특별히 한정되지 않고, CVD(Chemical Vapor Deposition)법이나 스퍼터링법, ALD(Atomic Layer Deposition)법 등이 적용 가능하다. 제1 무기재료층(41)의 두께는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 200㎚∼2㎛이다.The first
제2 무기재료층(42)(제2층)은, 제1 무기재료층(41)과 마찬가지로, 수분이나 산소로부터 디바이스층(3)을 보호하는 것이 가능한 무기재료로 구성되고, 제1 무기재료층(41)의 표면(41a) 및 측면(41s)을 피복하도록 기판(2)의 표면(2a)에 설치된다. 본 실시 형태에서 제2 무기재료층(42)은, 수증기 배리어 특성이 뛰어난 실리콘 질화물(SiNx)로 구성되지만, 이 재료로 한정되지 않는다. 실리콘 산화물이나 실리콘 산질화물 등의 다른 실리콘 화합물, 혹은 산화 알루미늄 등의 수증기 배리어성을 가지는 다른 무기재료로, 제2 무기재료층(42)이 구성되어도 무방하다.The second inorganic material layer 42 (second layer), like the first
제2 무기재료층(42)은, 예를 들면, 적절한 마스크를 이용해 기판(2)의 표면(2a)에 성막된다. 본 실시 형태에서는, 제1 무기재료층(41)을 수용할 수 있는 크기의 구형 개구부를 가지는 마스크를 이용해 제2 무기재료층(42)이 성막된다. 성막 방법은, 특별히 한정되지 않고, CVD(Chemical Vapor Deposition)법이나 스퍼터링법, ALD(Atomic Layer Deposition)법 등이 적용 가능하다. 제2 무기재료층(42)의 두께는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 200㎚∼2㎛이다.The second
본 실시 형태에 따른 소자 구조체(10)는, 제1 수지재(51)를 더 가진다. 제1 수지재(51)는, 제1 무기재료층(41)(철부)의 주위에 편재(偏在)한다. 본 실시 형태에서 제1 수지재(51)는, 제1 무기재료층(41)과 제2 무기재료층(42) 사이에 개재(介在)되고, 제1 무기재료층(41)의 측면(41s)과 기판(2)의 표면(2a)과의 경계부(2b)에 편재한다. 제1 수지재(51)는, 경계부(2b) 부근에 형성된 제1 무기재료층(41)과 기판 표면(2a) 사이의 간극(G)(도 6)을 충전하는 기능을 가진다.The
도 6에서는, 소자 구조체(10)에서의 경계부(2b)의 주변 구조를 확대해 나타내고 있다. 제1 무기재료층(41)은, 무기재료의 CVD막 혹은 스퍼터링막으로 형성되기 때문에, 디바이스층(3)을 포함하는 기판(2)의 요철 구조면에 대한 커버리지 특성이 비교적 낮다. 그 결과, 도 6에 도시한 것처럼 디바이스층(3)의 측면(3s)을 피복하는 제1 무기재료층(41)은, 기판 표면(2a) 부근에서 커버리지 특성이 저하해, 피복막 두께가 극도로 작거나, 피복막이 존재하지 않는 상태가 될 우려가 있다.In FIG. 6, the peripheral structure of the
그래서 본 실시 형태에서는, 상술과 같은 제1 무기재료층(41)의 주변의 피복 불량 영역에 제1 수지재(51)를 편재시킴으로써, 상기 피복 불량 영역에서 디바이스층(3) 내부로의 수분이나 산소의 침입을 억제하도록 하고 있다. 또한, 제2 무기재료층(42)의 성막 시에는, 제1 수지재(51)가 제2 무기재료층(42)의 하지층(下地層)으로서 기능하므로, 제2 무기재료층(42)의 적정한 성막을 가능하게 하고, 제1 무기재료층(41)의 측면(41s)을 소망하는 막 두께로 적절히 피복하는 것이 가능해진다.Therefore, in the present embodiment, by unevenly distributing the
제1 수지재(51)의 형성 방법은, 분무 기화에 의해 기화한 수지재료가, 기판 표면(2a)에 공급되어 응축해서 수지재료막(5a)을 형성하고, 수지재료막(5a)을 경화하여 수지막(5)을 형성한 후, 불필요 부분을 제거하는 국재화 공정에 의해 형성된다.In the forming method of the
이하, 본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 장치에 의한 소자 구조체의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an element structure using the device for manufacturing an element structure according to the present embodiment will be described.
도 7∼도 11은, 본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에서의 제1 수지재(51)의 형성 방법을 모식적으로 도시한 공정도이다.7 to 11 are process diagrams schematically showing a method of forming the
(디바이스층의 형성 공정 예)(Example of device layer formation process)
우선, 도 1에 도시한 소자 구조체의 제조 장치(1000)에서, 로드록실(210)에서 코어실(200)로 반입된 기판(S)은, 도시하지 않은 기판 반송 로봇에 의해 코어실(200)에서 기능층 형성부(204)로 반송된다. 이 기능층 형성부(204)에서 기판(S) 상의 소정의 영역에 디바이스층(3)(기능층)을 형성한다.First, in the
본 실시 형태에서, 기능층(3)이 되는 영역으로서는, 기판(S) 상에서의 복수 개소의 영역, 예를 들면, X축 방향 및 Y축 방향에 각각 2개소씩 소정 간격으로 배열된 4개소의 영역이나, 단수(單數)의 기능층(3)이 되는 영역이 이용된다.In the present embodiment, as the region to be the
디바이스층(3)의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않고, 디바이스층(3)의 재료, 구성 등에 따라 적절히 선택 가능하다. 예를 들면, 기판(S)을 기능층 형성부(204)의 성막실 등으로 반송해, 기판(S) 상에 소정의 재료의 증착, 스퍼터링 등을 실시하고, 한층 더 패턴 가공 등을 함으로써, 기판(S) 상의 소정의 영역 상에 소망하는 디바이스층(3)을 형성할 수 있다. 패턴 가공 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 에칭 등을 채용하는 것이 가능하다.The method of forming the
덧붙여, 소자 구조체의 제조 장치(1000)의 구체적인 구성에 대해서는, 도 1에 있어서 상세한 설명을 생략하고 있다. 기능층 형성부(204)가 다수의 처리실로 이루어지고, 서로 인접한 처리실 사이에서 기판(S)의 반송이 가능한 반송 장치를 가지는 구성을 채용할 수 있다. 혹은, 진공 장치가 아닌 구성을 채용할 수도 있다. 즉, 로드록실(210)을 통할 필요는 없고, 소자 구조체의 제조 장치(1000)의 외부에서의 기판(S)에 대한 처리를 가능하게 할 수도 있다.In addition, a detailed description of the device
(제1층의 형성 공정 예)(Example of the first layer formation process)
다음으로, 디바이스층(3)이 형성된 기판(S)은, 도시하지 않은 기판 반송 로봇에 의해 기능층 형성부(204)로부터 반출되어, 코어실(200)을 통해 제1층 형성부(201)로 반입된다.Next, the substrate S on which the
제1층 형성부(201)에서는, 디바이스층(3)을 피복하도록, 디바이스층(3)의 영역을 포함한 기판(S) 상의 소정의 영역에 제1 무기재료층(41)(제1층)을 형성한다. 이에 따라, 디바이스층(3)을 피복한 제1 무기재료층(41)이, 도 7에 도시한 것처럼, 기판(S) 상에서 철부를 가지도록 형성된다.In the first
본 공정에서는, 예를 들면, 제1 무기재료층(41)의 영역에 대응하는 개수의 개구(開口)를 가지는 마스크를 이용하고, 예를 들면, 질화 규소로 이루어진 제1 무기재료층(41)을 보호층의 일부로서 형성해도 무방하다.In this step, for example, a mask having a number of openings corresponding to the region of the first
여기서, 제1층 형성부(201)는, CVD 처리 장치, 또는, 스퍼터링 처리 장치를 가지는 구성으로 할 수 있다. 또한, 도시는 하지 않지만, 제1층 형성부(201)의 성막실에는, 기판(S)을 배치하기 위한 스테이지와, 기판(S) 상에 배치되는 마스크와, 마스크를 지지하고, 스테이지 상의 기판(S)에 대해 마스크의 위치 맞춤 등을 실시하는 마스크 얼라이먼트 장치, 성막 재료 공급 장치 등이 설치된다.Here, the first
디바이스층(3)이 형성된 기판(S)은, 코어실(200)에 배치된 기판 반송 로봇 등에 의해, 제1층 형성부(201)의 스테이지 상에 배치된다. 마스크 얼라이먼트 장치 등에 의해, 마스크의 개구를 통해 디바이스층(3)이 노출하도록 기판(S) 상의 소정 위치에 마스크가 배치된다.The substrate S on which the
그리고, 예를 들면, CVD법에 의해, 질화 규소 등으로 이루어진 제1 무기재료층(41)이, 디바이스층(3)을 피복하도록 형성된다. 덧붙여, 제1 무기재료층(41)의 형성 방법은 CVD법으로 한정되지 않고, 예를 들면, 스퍼터링법을 채용할 수도 있다. 이 경우에, 제1층 형성부(201)는 스퍼터링 장치를 가지도록 구성된다.Then, the first
(수지재의 형성 공정 예∼성막 공정)(Example of resin material formation process-film formation process)
다음으로, 철부(凸部)를 가지는 제1 무기재료층(41)이 형성된 기판(S)은, 도시하지 않은 기판 반송 로봇에 의해 제1층 형성부(201)로부터 반출되어, 코어실(200)을 통해 수지 성막부(100)로 반입된다.Next, the substrate S on which the first
수지 성막부(100)는, 제1 무기재료층(41)의 형성된 기판(S)에, 수지재료막(5a)을 형성하는 공정과, 수지재료막(5a)을 경화하여 수지막(5)을 형성하는 공정을 실시한다. 본 공정에서는, 우선, 수지 성막부(100)를 이용하여, 예를 들면, 자외선 경화형 아크릴 수지의 재료로 이루어진 수지재료막(5a)을 형성한다.The resin film-forming
수지 성막부(100)에 있어서는, 우선, 수지 성막부(100)로 반입된 기판(S)이 스테이지(102) 상에 재치된다. 기판(S)이 챔버(110) 내로 반입되기 전에는, 챔버(110) 내의 기체는 진공 배기 장치에 의해 배기되어 챔버(110) 내가 진공 상태로 유지된다. 또한, 기판(S)이 챔버(110) 내로 반입될 때에는, 챔버(110)의 진공 상태가 유지된다.In the resin film-forming
이때, 챔버(110)는, 가온 장치에 의해, 적어도 상부 공간(107)(US) 및 하부 공간(108)의 내면 측의 온도가, 수지재료의 기화 온도 이상이 되도록 설정된다. 동시에, 스테이지(102) 상에 배치된 기판(S)은, 기판 냉각 장치(102a)에 의해, 스테이지(102)와 함께 수지재료의 기화 온도 보다 낮은 온도로 냉각된다.At this time, the
또한, 히터(112d)에 의해, 수지재료 공급관(112)(제1 배관)을 수지재료의 기화 온도 이상으로 가온한 상태로 한다.Further, the resin material supply pipe 112 (first pipe) is heated to a temperature equal to or higher than the vaporization temperature of the resin material by the heater 112d.
그 다음으로, 스테이지(102) 상에 배치된 기판(S) 상에는, 도시하지 않은 마스크가, 마스크 재치 장치 등에 의해, 기판(S) 상의 소정 위치로 배치되는 경우가 있다.Next, on the substrate S disposed on the
그 다음으로, 마스크 얼라이먼트 상태, 챔버(110) 내의 분위기, 챔버(110) 내벽 온도, 기판(S)의 온도 등의 조건이 소정 상태가 된 후, 기화기(300)에서 기화한 수지재료를 챔버(110)에 공급한다.Next, after the conditions such as the mask alignment state, the atmosphere in the
기화기(300)로부터 공급된 기화한 수지재료는, 상부 공간(107)로부터 샤워 플레이트(105)를 통해 하부 공간(108) 내에 공급된다.The vaporized resin material supplied from the
하부 공간(108)에서는, 샤워 플레이트(105)에 의해 기판(S)의 전면(全面)에 거의 균등하게 공급된 기화된 수지재료가, 도 8에 도시한 것처럼, 기판 표면(2a)에서 응축해 액상막(5a)이 된다. 기판 표면(2a)에서 응축한 액상막(5a)에 있어서, 기판 표면(2a) 상에서 열각(劣角)을 가지는 각부(角部), 요부(凹部), 간극부 등에서는, 표면 장력에 의해, 액상막(5a)의 두께가 두꺼워진다.In the
이때, 액상막(5a)은, 도시하지 않은 마스크에 의해, 철부(41)에 가까운 부분(근방의 위치)과 같은 영역에만 형성되도록 해도 무방하다. 덧붙여, 수지재료의 적상화(滴狀化) 및 성막 레이트를 감안하여, 기화기(300)에서 공급되는 수지재료의 공급량을 제어하는 것이 바람직하다. 기판(S)의 표면에 있어서 적상화한 수지재료는, 모세관 현상에 의해 미세한 간극에 비집고 들어가거나, 또는 수지재료의 표면 장력에 의해 한층 더 응집하기 때문에, 기판(S) 상에서의 미세한 요철을 평활화 하면서 액상막(5a)(수지재료막)을 형성하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 기판 표면(2a) 상에서 열각을 가지는 각부(角部), 요부(凹部), 간극부 등에서는, 액상막(5a)의 두께가 두꺼워진다. 특히, 제1 무기재료층(41)의 측면(41s)과 기판(2)의 표면(2a)과의 경계부(2b)에서의 미세한 간극을 액상막(5a)으로 메울 수 있다.At this time, the
또한, 기화한 수지재료의 일부는, 챔버(110) 내벽 등의 표면에도 부착되지만, 가온된 내벽 등에서 응축하지 않고 다시 기화한다.In addition, some of the vaporized resin material adheres to the surface of the inner wall of the
소정의 처리 시간이 경과하여, 기판(S)의 표면에 소정의 두께의 액상(液狀)의 수지재료막(5a)이 형성된 후, 기화기(300)로부터의 수지재료의 공급이 정지된다. 계속해서, 챔버(110) 내의 진공 분위기를 유지하면서, UV 조사 장치(122)로부터 자외선을 기판(S)의 표면에 조사한다. 조사된 자외선은, 석영 등의 자외선 투과 재료로 이루어진 천판(120) 및 샤워 플레이트(105)를 투과해 챔버(110) 내의 기판(S) 상에 도달한다.After a predetermined processing time has elapsed, a liquid
챔버(110) 내에서 기판(S)을 향해 조사된 자외선의 일부는 기판(S)의 표면에 입사하고, 기판(S)의 표면에 형성된 수지재료로 이루어진 액상막(5a)(수지재료막)에 광중합 반응이 발생해, 액상막(5a)이 경화한다. 도 9에 도시한 것처럼, 기판(S)의 표면에 수지막(5)이 형성된다. 본 실시 형태에서는 아크릴 수지의 박막이 형성된다. 다음으로, 도시하지 않은 마스크가, 마스크 재치 장치 등에 의해, 기판(S) 위가 되는 성막 위치로부터, 퇴피(退避) 위치로 이동된다.Part of the ultraviolet rays irradiated toward the substrate S in the
(수지재의 형성 공정 예∼국재화 공정)(Example of resin material formation process ~ localization process)
다음으로, 수지막(5)이 형성된 기판(S)은, 도시하지 않은 기판 반송 로봇에 의해 수지 성막부(100)로부터 반출되어, 코어실(200)을 통해 국재화 처리부(202)로 반입된다.Next, the substrate S on which the
여기서, 국재화 처리부(202)는, 상술한 것처럼, 도 3에 도시한 구성을 가진다. 국재화 처리부(202)에 있어서는, 플라즈마 에칭 처리를 실시한다. 여기서, 산소 등의 에칭 가스에서 발생시킨 플라즈마 중의 이온에 의해 수지막(5)을 이방성 에칭한다. 이때, 이온은, 전극 상의 기판(S)을 향해 이방적으로 인입된다. 이 때문에, 전극에 인가하는 바이어스 전압(Vpp)의 변동을 검출 함으로써, 검출된 바이어스 전압(Vpp)의 변화(검출 결과)에 의해, 기판(S) 상의 수지막(5)이 거의 제거되었다고 판단하고, 에칭 처리의 종점으로서 처리를 종료한다.Here, the
덧붙여, 상술의 제1층 형성부(201)나 제2층 형성부(203)가 스퍼터링 장치 또는 플라즈마 CVD 장치를 가지는 경우, 이 형성부(201, 203)는, 성막 기능을 가질 뿐만 아니라, 국재화 처리부(202)의 기능을 겸비할 수 있다. 이 경우, 예를 들면, 제1층 형성부(201), 제2층 형성부(203) 및 국재화 처리부(202)로서, 동일한 처리 장치를 사용하는 것이 가능하다.In addition, when the above-described first
이 드라이 에칭 처리에 의해 기판(S) 상에 남은 제1 수지재(51)는, 도 11에 도시한 것처럼, 제1 무기재료층(41)의 측면(41s)과 기판(2)의 표면(2a)과의 경계부(2b)에서 국재화 한다(국소적으로 존재한다). 게다가, 제1 수지재(51)는, 제1 무기재료층(41) 표면의 미세한 요철을 평활화 가능한 부분에 편재한다. As shown in FIG. 11, the
(제2층의 형성 공정 예)(Example of the second layer formation process)
제1 수지재(51)가 국재(局在)하여 형성된 기판(S)은, 도시하지 않은 기판 반송 로봇에 의해 국재화 처리부(202)로부터 반출되고, 코어실(200)을 통해 제2층 형성부(203)로 반입된다.The substrate S formed by the localization of the
제2층 형성부(203)에서는, 제1 수지재(51)가 형성된 제1 무기재료층(41)을 피복하도록, 철부를 포함한 기판(S) 상의 소정의 영역에 제2 무기재료층(42)(제2층)을 형성한다.In the second
본 공정에서는, 제1 무기재료층(41)과 마찬가지로, 제2 무기재료층(42)의 영역에 대응하는 개수의 개구를 가지는 마스크를 이용하여, 제1 무기재료층(41)과 동일 재료로 되거나, 예를 들면, 질화 규소로 이루어진 제2 무기재료층(42)(제2층)을 형성한다. 이에 따라, 제1 무기재료층(41)(제1층), 제1 수지재(51), 및 제2 무기재료층(42)(제2층)에 의해 디바이스층(3)(기능층)을 피복하고, 디바이스층(3)을 보호하는 보호층으로서 기능할 수 있다.In this step, similarly to the first
여기서, 제2층 형성부(203)는, CVD 처리 장치 또는 스퍼터링 처리 장치를 가지는 구성으로 할 수 있다.Here, the second
제2층 형성부(203)는, 상술의 제1층 형성부(201)와 유사한 장치 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1층 형성부(201) 및 제2층 형성부(203)로서, 동일한 처리 장치를 사용하는 것, 혹은, 제2층 형성부(203)가 제1층 형성부(201)의 기능을 겸비하는 것이 가능하다.The second
또한, 제2층 형성부(203)가, 플라즈마 CVD 처리 장치인 경우는, 국재화 처리부(202)의 기능을 겸비할 수 있다. 제2층 형성부(203)에서 제1 수지재(51)의 국재화를 실시하면, 국재화 후에, 그대로 제2 무기재료층(42)(제2층)을 형성할 수 있다.In addition, when the second
이후, 제2 무기재료층(42)이 형성된 기판(S)은, 도시하지 않은 기판 반송 로봇에 의해 제2층 형성부(203)로부터 반출되고, 코어실(200) 및 로드록실(210)을 통해 소자 구조체의 제조 장치(1000)의 외부로 반출된다.Thereafter, the substrate S on which the second
본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 장치(1000)는, 수지 성막부(100)에서 수지막(5)을 형성한 후, 국재화 처리부(202)에서 플라즈마 에칭 처리에 의해 국재화한 제1 수지재(51)를 형성한다. 그 후, 제2 무기재료층(42)(제2층)을 형성 함으로써, 경계부(2b) 등, 보호층으로서의 배리어성이 요구되는 개소에, 제2 무기재료층(42)(제2층)을 확실히 형성하는 것이 가능해진다. 게다가, 검출 장치가 되는 바이어스 전압 센서(229)에 의해, 고주파 전원(227)에서 전극(226)에 인가하는 바이어스 전압(Vpp)을 측정하고, 측정값의 변화에 따라, 기판(S) 상의 수지막(5)의 불필요 부분이 제거되었다고 판단한다. 그 판단 결과(검출 결과)에 근거해, 에칭 처리를 종료 함으로써, 평탄부의 수지막(5)을 정확하게 제거할 수 있다. 이 때문에, 성막 공정에 필요한 시간을 단축하고, 막 특성을 안정시켜, 막 특성의 변동을 막는 것이 가능해진다.In the device
이하, 본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 장치(1000)에 의해 제조된 소자 구조체의 다른 예에 대해 설명한다.Hereinafter, another example of the element structure manufactured by the element
본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 장치(1000)에 의해 제조된 본 예에 있어서의 소자 구조체(10)에서는, 수지재가 제1 무기재료층(41)(철부)의 주위인 경계부(2b)에 편재하는 구조로만 한정되지 않고, 예를 들면, 경계부(2b) 이외의 기판(2)의 표면(2a)이나 제1 무기재료층(41)의 표면(41a) 등에 상기 수지재료가 잔류해 있어도 무방하다.In the
이 경우는, 제2 무기재료층(42)(제2층)은, 도 12에 도시한 것처럼 제2 수지재(52)를 통해 제1 무기재료층(41) 위에 적층되는 영역을 가지게 된다. 제2 수지재(52)는, 제1 무기재료층(41)과 제2 무기재료층(42) 사이에 개재되고, 제1 수지재(51)와는 독립적으로 제1 무기재료층(41)의 표면(41a)에 편재한다. 이 경우에도, 제1 무기재료층(41)과 제2 무기재료층(42)과의 밀착성을 유지할 수 있기 때문에, 소자 구조체(10)의 배리어 특성이 손상되는 경우는 없다.In this case, the second inorganic material layer 42 (the second layer) has a region laminated on the first
이상과 같이 본 실시 형태에 따른 소자 구조체(10)에 의하면, 디바이스층(3)의 측면이 제1 무기재료층(41)(제1층) 및 제2 무기재료층(42)(제2층)에 의해 피복되어 있기 때문에, 디바이스층(3)으로의 수분이나 산소의 침입을 방지할 수 있다.As described above, according to the
또한, 본 실시 형태에 의하면, 경계부(2b)에 제1 수지재(51)가 편재하고 있기 때문에, 제1 무기재료층(41) 혹은 제2 무기재료층(42)의 커버리지 불량에 따른 배리어 특성의 저하를 방지할 수 있어, 장기에 걸쳐 안정된 소자 특성을 유지할 수 있다.In addition, according to the present embodiment, since the
이하, 본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 장치(1000)에 의해 제조된 소자 구조체의 다른 예에 대해 설명한다.Hereinafter, another example of the element structure manufactured by the element
본 예에 따른 소자 구조체(20)는, 도 13에 도시한 것처럼, 제1 무기재료층(41)과 제2 무기재료층(42) 사이에 개재되는 제2 수지재(52)를 더 가진다. 제2 수지재(52)는, 제1 수지재(51)와는 독립적으로 제1 무기재료층(41)의 표면에 편재한다.The
본 예에 따른 소자 구조체(20)에서, 제1 무기재료층(41)의 표면은 반드시 평탄하지 않고, 예를 들면, 성막 전(기판 반송 시 혹은 성막 장치로의 투입 전) 혹은 성막 시 등에서 파티클(P)이 막 중에 혼입(混入)되어 요철이 형성된 경우를 예시하고 있다. 제1 무기재료층(41)에 파티클이 혼입되면, 디바이스층(3)에 대한 제1 무기재료층(41)의 커버리지 특성이 저하해, 소망하는 배리어 특성을 얻을 수 없게 될 우려가 있다.In the
그래서, 본 예에 따른 소자 구조체(20)는, 파티클(P)의 혼입 등에 의해 생긴 제1 무기재료층(41)의 피복 불량부에 제2 수지재(52)가 충전된 구조를 가진다. 전형적으로는, 이 제2 수지재(52)는, 제1 무기재료층(41)의 표면과 파티클(P)의 주면(周面)과의 경계부(32b)에 편재한다. 이에 따라, 디바이스층(3)의 피복성이 높아짐과 동시에, 제2 수지재(52)가 하지(下地)로서 기능함으로써 제2 무기재료층(42)의 적정한 성막이 가능해진다.Thus, the
제2 수지재(52)는, 제1 수지재(51)와 유사한 방법으로 형성된다. 제2 수지재(52)는, 제1 수지재(51)와 동일한 수지로 구성되어도 무방하다. 이 경우, 제1 수지재(51)와 제2 수지재(52)를 동일 공정에서 동시에 형성할 수 있다.The
여기서, 국재화 처리부(202)에 있어서, 평탄 부분 등의 수지재가 얇게 형성된 부분은 제거되고, 제1 무기재료층(41)이 노출한다. 이때, 파티클(P)의 주변 등에 형성된 수지재는, 두껍게 형성되어 있기 때문에 잔존한다. 상방(上方)에서 소자 구조체(20)를 연직 방향으로 바라보았을 때, 평탄부의 면적은 파티클의 주변에 형성된 수지재의 면적 보다 압도적으로 크기 때문에, 평탄 부분이 얇은 수지재가 제거된 후에는, 에칭되는 양은 큰 폭으로 감소하고, 에칭에 의한 반응이 급격히 감소한다. 이때, 압력이 변화하고, 바이어스 전압이 변화한다. 본 예에서는, 평탄부의 에칭이 종료하면, 에칭에 의한 가스의 발생이 감소하고, 압력이 저하하고(플라즈마 밀도가 저하하고), 바이어스 전압이 상승한다고 생각할 수 있다.Here, in the
이때, 경계부(2b)에서 수지막(5)이 제거되지 않고, 수지막(5)이 국재화 하는 것으로 제1 수지재(51)가 형성된다. 마찬가지로, 수지막(5)이 경계부(32b)에서 제거되지 않고, 수지막(5)이 국재화 함으로써 제2 수지재(52)가 형성된다.At this time, the
본 예에서도 상술의 소자 구조체(10)의 제조와 마찬가지로, 검출 장치가 되는 바이어스 전압 센서(229)에 의해, 고주파 전원(227)에서 전극(226)에 인가하는 바이어스 전압(Vpp)을 측정하고, 측정값의 변화에 따라, 기판(S) 상의 수지막(5)의 불필요 부분이 제거되었다고 판단한다. 그 판단 결과에 근거해, 에칭 처리를 종료 함으로써, 수지막(5)을 정확하게 제거하고, 평탄 부분의 제1 무기재료층(41)(제1층)을 확실히 노출시킬 수 있다. 게다가, 편재시키려는 수지재(53)의 오버 에칭을 방지할 수 있다. 또한, 본 예에 의하면, 파티클(P)의 혼입에 의한 막질의 저하를 제2 수지재(52)에 의해 보충할 수 있기 때문에, 소망하는 배리어 특성을 확보하면서 생산성의 향상을 도모할 수 있다.In this example, similarly to the manufacture of the
이하, 본 실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 장치(1000)에 의해 제조된 소자 구조체의 다른 예에 대해 설명한다.Hereinafter, another example of the element structure manufactured by the element
본 예에 따른 소자 구조체(30)는, 도 14에 도시한 것처럼, 예를 들면, 디바이스층(3)(기능층)을 가지는 기판(21)과, 디바이스층(3)의 측면(3s)을 피복하는 철부(凸部)(40)와, 철부(40) 및 디바이스층(3)을 피복하도록 기판(21)의 표면에 형성된 제1 무기재료층(41)(제1층) 및 제2 무기재료층(42)(제2층)을 가진다.The
철부(40)는, 기판(21)의 표면(21a)에 형성되어, 중앙부에 디바이스층(3)을 수용하는 요부(凹部)(40a)를 가진다. 본 예에서는, 요부(40a)의 저면(底面)이 기판(21)의 표면(21a) 보다 높은 위치에 형성되어 있지만, 표면(21a)과 동일한 높이 위치에 형성되어도 무방하고, 표면(21a) 보다 낮은 위치에 형성되어도 무방하다.The
본 예에 따른 소자 구조체(30)는, 제1 무기재료층(41)과 제2 무기재료층(42) 사이에 개재되는 수지재(53)를 더 가진다. 수지재(53)는, 철부(40)의 외측면과 기판(21)의 표면(21a)과의 경계부(21b)와, 철부(40)의 내측면과 디바이스층(3)과의 경계부(22b)에 각각 편재하고 있다. 이에 따라, 철부(40) 및 디바이스층(3)의 표면(3a)에 대한 제1 무기재료층(41) 및 제2 무기재료층(42)의 피복 불량을 억제할 수 있어, 배리어 특성의 향상을 도모할 수 있다. 수지재(53)는, 상술의 제1 수지재(51) 및 제2 수지재(52)와 유사한 방법으로 형성될 수 있다.The
이와 같이 요철을 가지는 기판(S)에 있어서, 무기재료층(41, 42)으로 커버할 수 없는 부분을, 편재한 수지재(51, 52, 53)에 의해 평탄화 한다. 수지재 상에 성막하는 무기재료층(41, 42)을 보다 균일하고 커버리지 좋게 성막할 수 있게 된다. 게다가, 수지재(51, 52, 53)는, 물 등에 대한 실(seal)이 무기재료층(41, 42) 보다 낮지만, 편재한 수지재(51, 52, 53)는 무기재료층(41, 42)으로 덮여 외부 분위기에 노출되지 않기 때문에, 밀봉성(Sealability)이 향상된다. 즉, 수지재(51, 52, 53)를, 막 형상이 아니라, 외부 분위기에 노출되지 않게 편재시키는 것이 바람직하다.In this way, in the substrate S having irregularities, portions that cannot be covered by the inorganic material layers 41 and 42 are flattened by the unevenly distributed
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명하고, 상기에서 설명했지만, 이것들은 본 발명의 예시적인 것이며, 한정하는 것으로 고려되어서는 안되는 점을 이해해야 한다. 추가, 생략, 치환 및 그 밖의 변경은, 본 발명의 범위에서 일탈하지 않고 실시할 수 있다. 따라서, 본 발명은, 전술의 설명에 의해 한정되는 것으로 간주되어서는 안되고, 청구 범위에 의해 제한되고 있다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been described and described above, but these are illustrative of the present invention and should not be considered as limiting. Additions, omissions, substitutions, and other changes can be made without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the present invention should not be regarded as being limited by the foregoing description, but is limited by the claims.
예를 들어, 이상의 실시 형태에서는, 제1 무기재료층(41)(제1층)을 피복하는 제2 무기재료층(42)(제2층)은 단일층으로 구성되었지만, 제2 무기재료층(42)(제2층)은 다층 막으로 구성되어도 무방하다. 이 경우, 각 층을 성막하는 공정 마다 수지재료를 기판 상에 공급해 기판의 요철부에 편재하는 수지재를 형성해도 무방하고, 이에 따라 배리어성의 더 높은 향상을 도모할 수 있다.For example, in the above embodiment, the second inorganic material layer 42 (the second layer) covering the first inorganic material layer 41 (the first layer) is composed of a single layer, but the second inorganic material layer (42) (2nd layer) may consist of a multilayer film. In this case, a resin material may be supplied on the substrate for each step of forming a film to form a resin material that is unevenly distributed in the uneven portions of the substrate, thereby further improving the barrier properties.
게다가, 이상의 실시 형태에서는, 제1 무기재료층(41)(제1층)의 형성 후에, 제1 수지재(51)를 철부가 되는 제1 무기재료층(41)의 주위에 국재화시켰지만, 제1층 형성부(201)에 의한 제1 무기재료층(41)의 형성 전에, 수지 성막부(100) 및 국재화 처리부(202)에 의해, 디바이스층(3)의 주위에 제1 수지재(51)를 편재시켜도 무방하다. 이에 따라 제1 무기재료층(41)에 의한 디바이스층(3)의 피복 효율을 높일 수 있다.In addition, in the above embodiment, after the formation of the first inorganic material layer 41 (first layer), the
본 발명의 활용 예로서, 유기 EL 장치의 봉지(封止)나 전자 디바이스의 봉지를 들 수 있다.As an application example of the present invention, sealing of an organic EL device and sealing of an electronic device are mentioned.
S, 2, 21: 기판
2b, 21b, 22b, 32b: 경계부
3: 디바이스층(기능층)
5: 수지막
5a: 수지재료막
10, 20, 30: 소자 구조체
40: 철부(凸部)
41: 제1 무기재료층(제1층)
42: 제2 무기재료층(제2층)
51, 53: 제1 수지재
52: 제2 수지재
100: 수지 성막부(성막실)
102: 스테이지
105: 샤워 플레이트
102a: 기판 냉각 장치
112: 수지재료 공급관(제1 배관)
112V: 밸브
113: 수지재료 우회관(제2 배관)
113V: 밸브
122: UV 조사 장치
130: 기화 탱크(氣化槽)
132: 토출부
135: 가온부(加溫部)
140: 수지재료액 공급관
150: 수지재료 원료용기
200: 코어실
201: 제1층 형성부(성막실)
202: 국재화(局在化) 처리부
222: 챔버
223: 가스 도입관
224: 고주파 전원
225: 안테나
226: 전극
227: 고주파 전원
228: 압력 제어 밸브
229: 바이어스 전압 센서(검출 장치)
203: 제2층 형성부(성막실)
204: 기능층 형성부(성막실)
210: 로드록(loadlock)실
300: 기화기(氣化器)
400: 제어부
1000: 소자 구조체의 제조 장치S, 2, 21: substrate
2b, 21b, 22b, 32b: boundary
3: Device layer (functional layer)
5: resin film
5a: resin material film
10, 20, 30: device structure
40: convex
41: first inorganic material layer (first layer)
42: second inorganic material layer (second layer)
51, 53: first resin material
52: second resin material
100: resin film formation part (film formation chamber)
102: stage
105: shower plate
102a: substrate cooling device
112: resin material supply pipe (first pipe)
112V: valve
113: resin material bypass pipe (second pipe)
113V: valve
122: UV irradiation device
130: vaporization tank (氣化槽)
132: discharge part
135: heating part
140: resin material liquid supply pipe
150: resin material raw material container
200: core thread
201: first layer formation unit (film formation chamber)
202: Localization processing unit
222: chamber
223: gas introduction pipe
224: high frequency power
225: antenna
226: electrode
227: high frequency power supply
228: pressure control valve
229: bias voltage sensor (detector)
203: second layer formation portion (film formation chamber)
204: functional layer forming unit (film formation chamber)
210: loadlock room
300: vaporizer
400: control unit
1000: device for manufacturing an element structure
Claims (3)
상기 철부의 주변과 상기 평탄부의 경계부에 위치하는 상기 수지재의 일부를 잔존시키고, 상기 평탄부의 상기 수지재를 제거하여 상기 경계부에 상기 수지재를 편재시키는 수지재 에칭 공정
을 포함하고,
상기 수지재 에칭 공정은,
상기 수지재를 에칭 처리하는 조건 중, 특정의 조건의 변화를 검출하고, 검출된 검출 결과를 상기 에칭 처리의 종점(終点)으로서 이용하는
소자 구조체의 제조 방법.A resin material forming step of forming a resin material made of an organic material on a substrate with irregularities so that at least the periphery of the convex portion is thicker than the flat portion;
A resin material etching process of unevenly distributing the resin material to the boundary by removing a portion of the resin material positioned at the boundary between the convex portion and the flat portion, and removing the resin material on the flat portion
Including,
The resin material etching process,
Among the conditions for etching the resin material, a change in a specific condition is detected, and the detected detection result is used as an end point of the etching treatment.
Method of manufacturing a device structure.
상기 특정의 조건의 변화는,
상기 기판에 인가하는 바이어스 전압의 변화인
소자 구조체의 제조 방법.The method of claim 1,
The change in the above specific conditions,
Which is the change in bias voltage applied to the substrate
Method of manufacturing a device structure.
상기 수지재 에칭 공정의 후,
상기 수지재가 잔존해 있는 상기 기판 상에 무기재료로 이루어진 무기재료층을 형성하는 무기막 형성 공정
을 더 포함하는 소자 구조체의 제조 방법.The method according to claim 1 or 2,
After the resin material etching process,
Inorganic film formation process of forming an inorganic material layer made of an inorganic material on the substrate on which the resin material remains
Method of manufacturing a device structure further comprising a.
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