KR102185185B1 - 가스 희석장치 및 이를 구비하는 가스 측정장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 내부에 배기가스가 유입되는 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버; 및 상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부를 포함하고, 상기 희석공기 생성부는, 중공부를 구비하며, 일 방향으로 연장 형성되는 튜브; 상기 중공부와 연통되게 형성되어 압축공기의 유입로를 제공하는 공기유입로; 및 상기 제1 및 제2 유입구와 연통되도록 상기 튜브의 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 공급유로와 제2 공급유로를 구비하고, 상기 중공부로 유입되는 상기 압축공기는, 상기 튜브의 내면을 따라 회전 이동하면서 제1 와류를 형성하여 상기 제1 공급유로로 공급되며, 상기 제1 와류 중 일부는 상기 튜브의 일측에 배치되는 조절밸브에 의해 상기 튜브의 중심부를 따라 회송되면서 제2 와류를 형성하여 상기 제2 공급유로로 공급되고, 상기 제1 및 제2 와류의 운동에너지 차이에 의해 상기 제1 와류의 온도는 상승하여 상기 제1 희석공기를 형성하며 상기 제2 와류의 온도는 하강하여 상기 제2 희석공기를 형성하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치를 개시한다.

Description

가스 희석장치 및 이를 구비하는 가스 측정장치{GAS DILUTION APPARATUS AND GAS MEASURING APPARATUS HAVING THE SAME}

본 발명은 고온의 가스에 포함된 물질의 특성을 측정하기 위한 가스 희석장치 및 이를 구비하는 가스 측정장치에 관한 것이다.

일반적으로 산업시설이나 자동차 등에서 발생하는 배기가스는 고온, 고농도인 특성을 갖고 있다. 이에 따라, 이러한 고온 가스 내에 포함된 특정 입자상 물질의 농도를 측정하기 위해서는 가스 측정장치의 농도범위에 맞게 희석공기와의 혼합을 통하여 샘플가스 성분의 농도를 일정 비율로 감소시키는 희석 샘플링 장치가 주로 사용되고 있다.

그런데, 종래의 희석 샘플링 장치는 응축성 입자의 발생을 억제하기 위하여 고온희석 단계와 상온희석 단계를 차례로 실시하여 2단계 희석과정을 거치도록 구성된다. 하지만, 이러한 희석 샘플링 장치의 구성에서는, 각각의 온도별 희석단계에 필요한 고온공기와 상온공기를 공급하는 장치의 구성들이 각각 별도로 구비되어, 전체적인 장치를 구성하는 요소들의 수가 많아지고 그에 따라 희석 샘플링 장치와 이를 포함하는 가스 측정장치의 운영 및 관리가 복잡해지는 현상이 발생한다.

따라서, 가스 측정장치의 전체적인 구성을 보다 간소화시킬 수 있는 기술의 개발이 고려될 수 있다.

본 발명의 일 목적은, 고온의 공기와 상온의 공기를 공급하는 장치의 구성을 보다 간소화시킬 수 있는 가스 희석장치 및 이를 구비하는 가스 측정장치를 제공하는 데에 있다.

본 발명의 해결 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 희석장치는, 내부에 배기가스가 유입되는 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버; 및 상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부를 포함하고, 상기 희석공기 생성부는, 중공부를 구비하며, 일 방향으로 연장 형성되는 튜브; 상기 중공부와 연통되게 형성되어 압축공기의 유입로를 제공하는 공기유입로; 및 상기 제1 및 제2 유입구와 연통되도록 상기 튜브의 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 공급유로와 제2 공급유로를 구비하고, 상기 중공부로 유입되는 상기 압축공기는, 상기 튜브의 내면을 따라 회전 이동하면서 제1 와류를 형성하여 상기 제1 공급유로로 공급되며, 상기 제1 와류 중 일부는 상기 튜브의 일측에 배치되는 조절밸브에 의해 상기 튜브의 중심부를 따라 회송되면서 제2 와류를 형성하여 상기 제2 공급유로로 공급되고,상기 제1 및 제2 와류의 운동에너지 차이에 의해 상기 제1 와류의 온도는 상승하여 상기 제1 희석공기를 형성하며 상기 제2 와류의 온도는 하강하여 상기 제2 희석공기를 형성하도록 이루어진다.

상기 제1 유입구는 상기 배기가스가 유입되는 상기 희석 챔버의 일측에 형성되고, 상기 제2 유입구는 상기 희석 챔버의 타측에 형성될 수 있다.

상기 조절밸브는, 상기 제1 와류의 흐름의 적어도 일부를 가로막도록 배치되며, 상기 튜브의 중심부를 향하여 단면적이 점차 감소하도록 형성될 수 있다.

상기 공기유입로는, 상기 제2 공급유로와 인접한 위치에 배치될 수 있다.

상기 가스 희석장치는, 상기 제1 유입구 또는 제1 공급유로 중 적어도 하나의 유로 상에 배치되어, 제어신호에 따라 제1 유입구 또는 제1 공급유로를 개폐하도록 이루어지는 제1 제어밸브를 더 포함할 수 있다.

상기 가스 희석장치는, 상기 제2 유입구 또는 제2 공급유로 중 적어도 하나의 유로 상에 배치되어, 제어신호에 따라 제2 유입구 또는 제2 공급유로를 개폐하도록 이루어지는 제2 제어밸브를 더 포함할 수 있다.

한편, 상기한 과제를 실현하기 위하여 본 발명은 가스 희석장치를 구비하는 가스 측정장치를 제안한다. 상기 가스 측정장치는, 배기가스를 공급하도록 구성되는 배기가스 공급부; 내부에 상기 배기가스 공급부로부터 유입되는 상기 배기가스의 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버; 상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부; 및 상기 희석 챔버와 연결되어, 상기 제1 및 제2 희석공기에 의해 희석된 상기 배기가스에 포함된 물질의 특성을 측정하도록 구성되는 측정장치부를 포함하고, 상기 희석공기 생성부는, 중공부를 구비하며, 일 방향으로 연장 형성되는 튜브; 상기 중공부와 연통되게 형성되어 압축공기의 유입로를 제공하는 공기유입로; 및 상기 제1 및 제2 유입구와 연통되도록 상기 튜브의 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 공급유로와 제2 공급유로를 구비하고, 상기 중공부로 유입되는 상기 압축공기는, 상기 튜브의 내면을 따라 회전 이동하면서 제1 와류를 형성하여 상기 제1 공급유로로 공급되며, 상기 제1 와류 중 일부는 상기 튜브의 일측에 배치되는 조절밸브에 의해 상기 튜브의 중심부를 따라 회송되면서 제2 와류를 형성하여 상기 제2 공급유로로 공급되고, 상기 제1 및 제2 와류의 운동에너지 차이에 의해 상기 제1 와류의 온도는 상승하여 상기 제1 희석공기를 형성하며 상기 제2 와류의 온도는 하강하여 상기 제2 희석공기를 형성하도록 이루어진다.

상기 제1 유입구는 상기 배기가스가 유입되는 상기 희석 챔버의 일측에 형성되고, 상기 제2 유입구는 상기 희석 챔버의 타측에 형성될 수 있다.

상기 희석 챔버는, 타측에 형성되어 상기 제1 및 제2 희석공기에 의해 희석된 상기 배기가스의 배출로를 제공하는 희석가스 배출로를 구비할 수 있다.

상술한 해결수단을 통해 얻게 되는 본 발명의 효과는 다음과 같다.

희석공기 생성부의 공기유입로를 통하여 공급되는 압축공기가 서로 반대 방향으로 회전 이동하면서 제1 와류와 제2 와류를 형성하고, 제1 및 제2 와류의 운동에너지 차이에 의해 제1 와류의 온도는 상승하여 제1 희석공기를 형성하고, 제2 와류의 온도는 하강하여 제2 희석공기를 형성하여 배기가스가 유입되는 희석 챔버로 공급되도록 구성된다. 이에 따라, 고온공기를 필요로 하는 고온희석 단계와 상온공기를 필요로 하는 상온희석 단계를 하나의 희석공기 생성부를 통하여 실시할 수 있어, 고온공기의 가열을 위한 전기 소모량을 줄일 수 있으며, 희석공기의 필터링 장치를 보다 간소화시킬 수 있다. 결과적으로, 가스 측정장치의 운영 및 관리를 보다 효율적으로 수행할 수 있다.

아울러, 가스 희석장치는, 제1 및 제2 유입구 또는 제1 및 제2 공급유로 중 적어도 하나의 유로 상에 배치되어, 제어신호에 따라 제1 및 제2 유입구 또는 제1 및 제2 공급유로를 개폐하도록 이루어지는 제1 및 제2 제어밸브를 구비하여, 고온공기 또는 상온공기를 선택적으로 희석 챔버에 공급함으로써 배기가스에 대한 보다 다양한 측정 조건을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 가스 희석장치 및 이를 구비하는 가스 측정장치의 일 예를 개념적으로 보인 개념도.
도 2는 도 1에 도시된 가스 희석장치에 의해 이루어지는 상온희석과 고온희석 과정을 설명하기 위한 도면.

이하, 본 발명에 관련된 가스 희석장치 및 이를 구비하는 가스 측정장치에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 가스 희석장치(100) 및 이를 구비하는 가스 측정장치(10)의 일 예를 개념적으로 보인 개념도이고, 도 2는 도 1에 도시된 가스 희석장치(100)에 의해 이루어지는 상온희석과 고온희석 과정을 설명하기 위한 도면이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 가스 측정장치(10)는, 배기가스 공급부(11), 희석 챔버(110), 희석공기 생성부(120) 및 측정장치부(13)를 포함한다.

배기가스 공급부(11)는, 산업시설 또는 자동차와 같이 배기가스(EG)를 발생시키는 설비 또는 장치에 구비되는 배기가스(EG)의 배기유로(12)와 연결되어, 배기가스(EG)을 후술할 희석 챔버(110)로 공급하도록 구성된다.

한편, 산업시설이나 자동차 등에서 발생하는 배기가스(EG)에 포함된 입자상 물질을 측정하기 위해서는 배기가스(EG)의 응축을 방지하면서 상온으로의 냉각이 필요하고 많은 경우 희석 방법을 적용한다. 또한, 여과성먼지(FPM: Filterable Particulate Matter)만을 측정하는 경우 응축을 억제하기 위하여, 도 2와 같이 상온희석 과정(a→b)이 아닌 고온희석과 상온희석 과정(a→c→d)을 차례로 거쳐야 한다. 이하, 이와 같이 2단계로 이루어지는 배기가스(EG)의 희석과정을 위한 가스 희석장치(100)의 구성에 대하여 설명한다.

희석 챔버(110)는, 우선 내부에 상기 배기가스 공급부(11)로부터 유입되는 측정 대상 배기가스(EG)가 희석되는 희석공간(110a)을 구비한다. 그리고, 후술할 희석공기 생성부(120)에 의해 생성되며 서로 다른 크기의 온도를 가지는 제1 희석공기(111a)와 제2 희석공기(112a)를 상기 희석공간(110a)으로 유입시키도록, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구(111)와 제2 유입구(112)를 구비한다. 또한, 희석 챔버(110)는 원통형의 외관을 이루도록 형성될 수 있으며, 상기 희석공간(110a) 또한, 원통형으로 형성될 수 있다.

한편, 희석 챔버(110)는, 희석 챔버(110)의 타측 즉, 배기가스 공급부(10)로부터 배기가스(EG)가 유입되는 희석 챔버(110)의 일측의 반대편에 형성되어, 제1 및 제2 희석공기(111a,112a)에 의해 희석된 상기 배기가스(EG)의 배출로를 제공하는 희석가스 배출로(115)를 구비할 수 있다. 또한, 희석가스 배출로(115)는 복수로 구성될 수 있다. 예를 들어, 희석가스 배출로(115)는, 도 1에 도시된 바와 같이 희석 챔버(110)의 희석공간(110a)으로부터 배출되는 배기가스(EG)가 각각의 배출로를 형성할 수 있도록 희석 챔버(110)의 타측으로부터 서로 다른 갈래로 분기되는 제1 배출로(115a), 제2 배출로(115b), 제3 배출로(115c)를 구비할 수 있다.

희석공기 생성부(120)는, 상기 희석 챔버(110)로 서로 다른 온도의 제1 및 제2 희석공기(111a,112a)를 생성 및 공급하도록 구성된다. 희석공기 생성부(120)에 대한 보다 상세한 설명은 후술하기로 한다.

측정장치부(13)는, 상기 희석 챔버(110)와 연결되어, 상기 제1 및 제2 희석공기(111a,112a)에 의해 희석된 배기가스(EG)에 포함된 물질을 전달 받아 희석된 상기 배기가스(EG)에 포함된 물질의 특성을 측정하도록 구성된다.

이하, 도 1을 참조하여 희석공기 생성부(120)에 대해 보다 상세하게 설명한다.

희석공기 생성부(120)는, 튜브(121), 공기유입로(122), 제1 공급유로(123), 제2 공급유로(124)를 구비한다.

튜브(121)는, 중공부(121a)를 구비하고, 일 방향으로 연장 형성된다. 상기 튜브(121)는 원통형의 외관을 이루도록 형성될 수 있으며, 중공부(121a) 또한, 원통형으로 형성될 수 있다.

공기유입로(122)는 상기 중공부(121a)와 연통되게 형성되어 외부로부터 유입되는 압축공기(122a)의 유입로를 제공한다.

제1 공급유로(123)와 제2 공급유로(124)는, 상기 제1 유입구(111)와 제2 유입구(112)와 연통되도록 상기 튜브(121)의 일측과 타측에 각각 형성될 수 있다. 한편, 상기 공기유입로(122)는 상기 제2 공급유로(124)와 인접한 위치에 배치되어, 후술할 제1 와류(120a)가 형성될 수 있는 경로가 마련될 수 있다.

여기서, 상기 튜브(121)의 중공부(121a)로 유입되는 압축공기(122a)는, 튜브(121)의 내면을 따라 시계방향 또는 반시계방향으로 초고속으로 회전 이동하면서 제1 와류(120a)를 형성하여 상기 제1 공급유로(123)로 공급되며, 상기 제1 와류(120a) 중 일부는 튜브(121)의 일측에 배치되는 조절밸브(125)에 의해 상기 튜브(121)의 중심부를 따라 회송되면서 제2 와류(120b)를 형성하여 상기 제2 공급유로(124)로 공급된다. 이때, 제1 및 제2 와류(120a,120b)는 상호 마찰이 일어나고 상기 제1 및 제2 와류(120a,120b)의 운동에너지 차이에 의해 제1 와류(120a)의 온도는 상승하여 고온의 상기 제1 희석공기(111a)를 형성하며, 상기 제2 와류(120b)의 온도는 하강하여 제2 희석공기(112a)를 형성하도록 이루어진다.

한편, 상기 조절밸브(125)는, 상기 제1 와류(120a)의 흐름의 적어도 일부를 가로막도록 배치되고, 상기 튜브(121)의 중심부를 향하여 단면적이 점차 감소하도록 형성될 수 있다. 또한, 제1 희석공기(111a)는 120 내지 200℃의 온도와 0 내지 40 lpm의 유량을 갖도록 생성될 수 있으며, 제2 희석공기(112a)는 10 내지 30℃의 온도와 0 내지 150 lpm의 유량을 갖도록 생성될 수 있다.

한편, 상기 희석 챔버(120)에 구비되는 제1 유입구(111)는 상기 배기가스(EG)가 유입되는 희석 챔버(110)의 일측에 형성되고, 제2 유입구(112)는 상기 희석 챔버(120)의 타측에 형성될 수 잇다. 이와 같은 구성에 의하면, 배기가스(EG)가 흐르는 방향을 기준으로 희석 챔버(120)의 전단부에서는 상대적으로 고온의 제1 희석공기(111a)와 상기 배기가스(EG)의 희석과정이 1차적으로 이루어지고, 희석 챔버(120)의 후단부에서는 상대적으로 저온의 제2 희석공기(112a)오 상기 배기가스(EG)의 희석과정이 2차적으로 이루어질 수 있다.

또한, 상기 가스 희석장치(100)는 제1 제어밸브(130)와 제2 제어밸브(140)를 더 포함할 수 있다.

제1 제어밸브(130)는, 희석 챔버(110)에 구비되는 제1 유입구(111a) 또는 제1 공급유로(123) 중 적어도 하나의 유로 상에 배치되어, 가스 희석장치(100)에 구비되는 제어부(미도시)의 제어신호에 따라 제1 유입구(111a) 또는 제1 공급유로(123)를 선택적으로 개폐하도록 이루어진다.

제2 제어밸브(140)는, 희석 챔버(110)에 구비되는 제2 유입구(112a) 또는 제2 공급유로(124) 중 적어도 하나의 유로 상에 배치되어, 상기 제어부의 제어신호에 따라 제2 유입구(112a) 또는 제2 공급유로(124)를 선택적으로 개폐하도록 이루어진다.

이상에서 설명한 본 발명의 가스 희석장치(100) 및 이를 구비하는 가스 측정장치(10)의 구성에 의하면, 고온공기를 필요로 하는 고온희석 단계와 상온공기를 필요로 하는 상온희석 단계를 하나의 희석공기 생성부(120)를 통하여 실시할 수 있으므로, 고온공기의 가열을 위한 전기 소모량을 줄일 수 있으며, 배기가스(EG)의 희석에 이용되는 공기의 필터링 장치를 보다 간소화시킬 수 있다. 결과적으로, 가스 측정장치(10)의 운영 및 관리를 보다 효율적으로 수행할 수 있다.

또한, 상기 가스 희석장치(100)는, 제1 제어밸브(130)및 제2 제어밸브(140)를 구비하여, 고온공기 또는 상온공기를 선택적으로 상기 희석 챔버(110)에 공급함으로써, 사용자에게 배기가스(EG)에 대한 보다 다양한 배기가스(EG) 측정 조건을 제공할 수 있다.

100 : 가스 희석장치 110 : 희석 챔버
110a : 희석공간 111 : 제1 유입구
112 : 제2 유입구 115 : 희석가스 배출로
120 : 희석공기 생성부 121 : 튜브
121a : 중공부 122a : 공기유입로
123 : 제1 공급유로 124 : 제2 공급유로
125 : 조절밸브 130 : 제1 제어밸브
140 : 제2 제어밸브

Claims (9)

1. 내부에 배기가스가 유입되는 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버; 및
   상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부를 포함하고,
   상기 희석공기 생성부는,
   중공부를 구비하며, 일 방향으로 연장 형성되는 튜브;
   상기 중공부와 연통되게 형성되어 압축공기의 유입로를 제공하는 공기유입로; 및
   상기 제1 및 제2 유입구와 연통되도록 상기 튜브의 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 공급유로와 제2 공급유로를 구비하고,
   상기 중공부로 유입되는 상기 압축공기는, 상기 튜브의 내면을 따라 회전 이동하면서 제1 와류를 형성하여 상기 제1 공급유로로 공급되며, 상기 제1 와류 중 일부는 상기 튜브의 일측에 배치되는 조절밸브에 의해 상기 튜브의 중심부를 따라 회송되면서 제2 와류를 형성하여 상기 제2 공급유로로 공급되고, 상기 제1 및 제2 와류의 운동에너지 차이에 의해 상기 제1 와류의 온도는 상승하여 상기 제1 희석공기를 형성하며 상기 제2 와류의 온도는 하강하여 상기 제2 희석공기를 형성하도록 이루어지고,
   상기 희석공간상에서 고온상에서의 회석과 상온상에서의 희석 과정이 차례로 이루어질 수 있도록, 상기 제2 희석공기보다 높은 온도를 가지는 상기 제1 희석공기가 공급되는 상기 제1 유입구는 상기 배기가스가 유입되는 상기 희석 챔버의 일측에 형성되며, 상기 제1 회석공기보다 낮은 온도를 가지는 상기 제2 희석공기가 공급되는 상기 제2 유입구는 상기 희석 챔버의 타측에 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 조절밸브는, 상기 제1 와류의 흐름의 적어도 일부를 가로막도록 배치되며, 상기 튜브의 중심부를 향하여 단면적이 점차 감소하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 공기유입로는, 상기 제2 공급유로와 인접한 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.
5. 제1항에 있어서,
   상기 제1 유입구 또는 제1 공급유로 중 적어도 하나의 유로 상에 배치되어, 제어신호에 따라 제1 유입구 또는 제1 공급유로를 개폐하도록 이루어지는 제1 제어밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.
6. 제1항에 있어서,
   상기 제2 유입구 또는 제2 공급유로 중 적어도 하나의 유로 상에 배치되어, 제어신호에 따라 제2 유입구 또는 제2 공급유로를 개폐하도록 이루어지는 제2 제어밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 희석장치.
7. 배기가스를 공급하도록 구성되는 배기가스 공급부;
   내부에 상기 배기가스 공급부로부터 유입되는 상기 배기가스의 희석공간을 구비하며, 서로 다른 온도를 가지는 제1 희석공기와 제2 희석공기를 상기 희석공간으로 유입시키기 위하여, 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 유입구와 제2 유입구를 구비하는 희석 챔버;
   상기 희석 챔버로 상기 제1 및 제2 희석공기를 생성 및 공급하도록 구성되는 희석공기 생성부; 및
   상기 희석 챔버와 연결되어, 상기 제1 및 제2 희석공기에 의해 희석된 상기 배기가스에 포함된 물질의 특성을 측정하도록 구성되는 측정장치부를 포함하고,
   상기 희석공기 생성부는,
   중공부를 구비하며, 일 방향으로 연장 형성되는 튜브;
   상기 중공부와 연통되게 형성되어 압축공기의 유입로를 제공하는 공기유입로; 및
   상기 제1 및 제2 유입구와 연통되도록 상기 튜브의 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 공급유로와 제2 공급유로를 구비하고,
   상기 중공부로 유입되는 상기 압축공기는, 상기 튜브의 내면을 따라 회전 이동하면서 제1 와류를 형성하여 상기 제1 공급유로로 공급되며, 상기 제1 와류 중 일부는 상기 튜브의 일측에 배치되는 조절밸브에 의해 상기 튜브의 중심부를 따라 회송되면서 제2 와류를 형성하여 상기 제2 공급유로로 공급되고, 상기 제1 및 제2 와류의 운동에너지 차이에 의해 상기 제1 와류의 온도는 상승하여 상기 제1 희석공기를 형성하며 상기 제2 와류의 온도는 하강하여 상기 제2 희석공기를 형성하도록 이루어지고,
   상기 희석공간상에서 고온상에서의 회석과 상온상에서의 희석 과정이 차례로 이루어질 수 있도록, 상기 제2 희석공기보다 높은 온도를 가지는 상기 제1 희석공기가 공급되는 상기 제1 유입구는 상기 배기가스가 유입되는 상기 희석 챔버의 일측에 형성되며, 상기 제2 회석공기보다 낮은 온도를 가지는 상기 제2 희석공기가 공급되는 상기 제2 유입구는 상기 희석 챔버의 타측에 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 측정장치.
8. 삭제
9. 제7항에 있어서,
   상기 희석 챔버는, 타측에 형성되어 상기 제1 및 제2 희석공기에 의해 희석된 상기 배기가스의 배출로를 제공하는 희석가스 배출로를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스 측정장치.

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