KR102184092B1 - Transparent electrode having mesh metal layer and manufacturing method for the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 방법은 기판, 상기 기판의 상부에 형성된 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 비정질 산화물층, 상기 제1 비정질 산화물층의 상부에 형성된 금속층, 및 상기 금속층의 상부에 형성된 전도성의 투명 기재를 포함하는 제2 비정질 산화물층을 포함하고, 상기 금속층은 다수의 금속편들이 서로 교차되어 메쉬 구조를 가지는 금속 패턴으로 형성될 수 있다.A method of manufacturing a transparent electrode in which a metal layer having a mesh structure is inserted according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a first amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate formed on the substrate, and an upper portion of the first amorphous oxide layer. A metal layer formed on and a second amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate formed on the metal layer, and the metal layer may be formed in a metal pattern having a mesh structure by crossing a plurality of metal pieces.

Description

메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극 및 그 제조 방법{TRANSPARENT ELECTRODE HAVING MESH METAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}A transparent electrode with a mesh-structured metal layer inserted therein and its manufacturing method {TRANSPARENT ELECTRODE HAVING MESH METAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}

본 발명은 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 외부 영향에 의한 열화 현상 방지 및 높은 안정성 및 기계적 유연성을 위한 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent electrode in which a metal layer of a mesh structure is inserted, and more particularly, to a transparent electrode in which a metal layer of a mesh structure is inserted for preventing deterioration due to external influences, high stability, and mechanical flexibility, and a manufacturing method thereof. will be.

투명전극(Transparent Electrode)은 LCD, OLED 등에 적용되는 디스플레이용 전극과 더불어 저항막 방식 또는 정전유도 방식의 터치스크린에 기본적으로 필요한 구성요소이다. 또한, 투명전극은 유기 태양전지 분야뿐만 아니라 수광소자 및 발광소자 등에도 사용되며, 전기변색(Electrochromic) 글라스인 스마트 윈도우에도 대면적의 투명전극으로 사용되고 있다. 그 외에 전자파차폐 기능이 요구되는 투명필름, 투명필름이 적용된 투명글라스 등과 같이 그 용도가 광범위하게 증가하고 있다.A transparent electrode is a component basically necessary for a resistive or electrostatic induction type touch screen in addition to a display electrode applied to LCD, OLED, etc. In addition, transparent electrodes are used not only in the field of organic solar cells, but also in light-receiving devices and light-emitting devices, and are used as large-area transparent electrodes in smart windows, which are electrochromic glass. In addition, the use of a transparent film that requires an electromagnetic shielding function, a transparent glass to which a transparent film is applied, and the like, has been widely increasing.

현재까지 상용화된 투명전극은 광학용 글라스 위에 얇게 코팅한 인듐주석산화물(ITO: Indium Tin Oxide)이 대표적이다. 통상 ITO 투명전극은 스퍼터A typical transparent electrode that has been commercialized to date is Indium Tin Oxide (ITO), which is thinly coated on an optical glass. Usually ITO transparent electrode is sputtered

링, 디지털 프린팅 등의 공정을 통해 유리 기판상에 ITO 분말 입자를 포함한 전극재료를 박막 형태로 형성함으로써 제조된다. 이러한 ITO 투명전극은 터치스크린 등 대부분의 전기제품에서 투명전극으로서의 성능적인 요구사항을 만족시키는 장점이 있다.It is manufactured by forming an electrode material including ITO powder particles in the form of a thin film on a glass substrate through processes such as ring and digital printing. This ITO transparent electrode has the advantage of satisfying the performance requirements as a transparent electrode in most electric products such as a touch screen.

그러나, 주원료인 인듐의 가격상승에 의한 재료비의 상승 및 시장불안정성 및 고갈 예상, 인듐의 확산으로 인한 소자열화, 수소 플라즈마 하에서의 높은 환원성, 플렉서블 기판에서의 균열과 같은 벤딩(bending) 불안정성 등의 문제점이 제기되고 있다.However, problems such as increased material cost due to the increase in the price of the main raw material, indium, market instability and depletion, device deterioration due to the diffusion of indium, high reducibility under hydrogen plasma, and bending instability such as cracks in flexible substrates. Is being raised.

이에 따라, 보다 높은 안정성 및 기계적 유연성을 가질 수 있는 투명전극의 개발에 대한 연구가 필요한 실정이다.Accordingly, there is a need for research on the development of a transparent electrode capable of having higher stability and mechanical flexibility.

대한민국 등록특허공보 제10-1445478호(2014.09.22)Republic of Korea Patent Publication No. 10-1445478 (2014.09.22)

본 발명의 일 실시예에서는 투명전극 제조 시 상하부 비정질 산화물층 사이에 메쉬 구조의 금속층을 삽입함으로써 외부 영향에 의한 열화 현상 방지 및 높은 안정성 및 기계적 유연성을 위한 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극 및 그 제조 방법을 제공한다.In an embodiment of the present invention, a metal layer having a mesh structure is inserted between the upper and lower amorphous oxide layers when manufacturing the transparent electrode, thereby preventing deterioration due to external influences, and inserting a metal layer having a mesh structure for high stability and mechanical flexibility. Provides a manufacturing method.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problem(s) mentioned above, and another problem(s) not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극은 기판, 상기 기판의 상부에 형성된 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 비정질 산화물층, 상기 제1 비정질 산화물층의 상부에 형성된 금속층, 및 상기 금속층의 상부에 형성된 전도성의 투명 기재를 포함하는 제2 비정질 산화물층을 포함하고, 상기 금속층은 다수의 금속편들이 서로 교차되어 메쉬 구조를 가지는 금속 패턴으로 형성될 수 있다.The transparent electrode into which the metal layer of the mesh structure is inserted according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a first amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate formed on the substrate, and a metal layer formed on the first amorphous oxide layer. And a second amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate formed on the metal layer, wherein the metal layer may be formed in a metal pattern having a mesh structure by crossing a plurality of metal pieces.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 기판은 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(polyamide, PA), 폴리아미드-이미드(polyamide-imide), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 폴리우레탄아크릴레이트(polyurethaneacrylate, PUA), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide, PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에테르 설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에테르이미드(polyetherimide, PEI), 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, PVA), 폴리스틸렌(Polystyrene, PS), 이축연신폴리스틸렌(biaxially oriented PS, BOPS), 아크릴수지, 실리콘수지, 불소수지, 변성에폭시수지, 유리 또는 강화유리를 포함할 수 있다.In addition, the substrate according to an embodiment of the present invention is polyimide (PI), polyamide (PA), polyamide-imide, polyurethane (polyurethane, PU), polyurethane Acrylate (PUA), polyacrylamide (PA), polyethylene terephthalate (PET), polyether sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate , PC), polymethylmethacrylate (PMMA), polyetherimide (PEI), polydimethylsiloxane (PDMS), polyethylene (PE), polyvinyl alcohol (PVA) ), polystyrene (PS), biaxially oriented PS (BOPS), acrylic resin, silicone resin, fluorine resin, modified epoxy resin, glass or tempered glass.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 비정질 산화물층 및 상기 제2 비정질 산화물층은 60 내지 80% 이상의 광 투과도를 가질 수 있다.In addition, the first amorphous oxide layer and the second amorphous oxide layer according to an embodiment of the present invention may have a light transmittance of 60 to 80% or more.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 비정질 산화물층 및 상기 제2 비정질 산화물층은 Ti, Ga, Al, Ge, As, Cu, Mn, Zr, Nb, Ru, Hf, Zn, Sr, Ba, Fe, Ag, In, Re, Cr, Ni, Mo, V, W, Mg, Si, Sn, 및 Ta 에서 선택되는 1종의 단일 물질로 이루어지는 비정질 산화물 또는 2종 이상의 물질이 혼합된 비정질 산화물을 포함할 수 있다.In addition, the first amorphous oxide layer and the second amorphous oxide layer according to an embodiment of the present invention are Ti, Ga, Al, Ge, As, Cu, Mn, Zr, Nb, Ru, Hf, Zn, Sr, Amorphous oxide composed of one single substance selected from Ba, Fe, Ag, In, Re, Cr, Ni, Mo, V, W, Mg, Si, Sn, and Ta, or amorphous oxide in which two or more substances are mixed It may include.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 비정질 산화물층 및 상기 제2 비정질 산화물층의 두께는 각각 10 내지 1000nm 일 수 있다.In addition, the thicknesses of the first amorphous oxide layer and the second amorphous oxide layer according to an embodiment of the present invention may be 10 to 1000 nm, respectively.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 금속층은 Ag, Au, Ti, Ni, Mo, Cu 및 Al 에서 선택되는 1종의 단일 금속 또는 2종 이상의 합금을 포함할 수 있다.In addition, the metal layer according to an embodiment of the present invention may include one single metal or two or more alloys selected from Ag, Au, Ti, Ni, Mo, Cu, and Al.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 금속층의 두께는 10 내지 200nm 일 수 있다.In addition, the thickness of the metal layer according to an embodiment of the present invention may be 10 to 200 nm.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 금속 패턴의 선폭은 1 내지 10μm 일 수 있다.In addition, the line width of the metal pattern according to an embodiment of the present invention may be 1 to 10 μm.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 외측은 유리 재질의 커버부로 둘러싸여 구현될 수 있다.In addition, the outside of the transparent electrode into which the metal layer of the mesh structure is inserted according to an embodiment of the present invention may be implemented by being surrounded by a cover part made of a glass material.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 방법은 기판을 제공하는 단계, 상기 기판의 상부에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 비정질 산화물층을 형성하는 단계, 상기 제1 비정질 산화물층의 상부에 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 금속층의 상부에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제2 비정질 산화물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속층은 다수의 금속편들이 서로 교차되어 메쉬 구조를 가지는 금속 패턴으로 형성될 수 있다.In addition, a method of manufacturing a transparent electrode in which a metal layer of a mesh structure is inserted according to an embodiment of the present invention includes providing a substrate, forming a first amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate on the substrate. , Forming a metal layer on the top of the first amorphous oxide layer, and forming a second amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate on the top of the metal layer, wherein the metal layer includes a plurality of metal pieces It may be formed as a metal pattern having a mesh structure by crossing.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 금속층의 상부에 제2 비정질 산화물층을 형성하는 단계를 수행한 후에 추가적으로 50 내지 900℃ 로 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, after performing the step of forming a second amorphous oxide layer on the top of the metal layer according to an embodiment of the present invention, it may further include heat treatment at 50 to 900°C.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and accompanying drawings.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상하부 비정질 산화물층 사이에 메쉬 구조의 금속층을 이 삽입된 투명전극을 구현함으로써 외부 영향에 의한 열화 현상 방지 및 높은 안정성 및 기계적 유연성을 기대할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, by implementing a transparent electrode having a mesh structure between the upper and lower amorphous oxide layers, it is possible to prevent deterioration due to external influences, high stability, and mechanical flexibility.

또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 상하부 비정질 산화물층의 낮은 표면거칠기로 인해 메쉬 구조의 금속층의 접촉면으로 인한 성능저하 및 각 층의 박리현상을 감소시켜 기존 투명전극에 비해 전기적 특성의 저하를 감소시킬 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, due to the low surface roughness of the upper and lower amorphous oxide layers, performance degradation due to the contact surface of the metal layer of the mesh structure and the peeling phenomenon of each layer are reduced, thereby reducing the decrease in electrical properties compared to the conventional transparent electrode Can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 사시도이다.
도 2는 도 1의 투명전극을 두께 방향으로 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 있어서, 메쉬 구조의 금속층을 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정을 이용한 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다.
1 is a perspective view of a transparent electrode into which a metal layer having a mesh structure is inserted according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the transparent electrode of FIG. 1 cut in the thickness direction.
3 is a plan view showing a metal layer having a mesh structure according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a transparent electrode into which a metal layer having a mesh structure is inserted according to another embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transparent electrode into which a metal layer having a mesh structure is inserted according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transparent electrode into which a metal layer having a mesh structure is inserted using a deposition process according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and/or features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to completely inform the scope of the invention to those who have, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 사시도이고, 도 2는 도 1의 투명전극을 두께 방향으로 절단한 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 있어서, 메쉬 구조의 금속층을 나타낸 평면도이다.1 is a perspective view of a transparent electrode in which a metal layer of a mesh structure is inserted according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the transparent electrode of FIG. 1 cut in the thickness direction, and FIG. 3 is an embodiment of the present invention. It is a plan view showing the metal layer of a mesh structure.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극(10)은 기판(100), 기판(100) 상에 형성되는 제1 비정질 산화물층(200), 제1 비정질 산화물층(200) 상에 형성되는 금속층(300) 및 금속층(300) 상에 형성되는 제2 비정질 산화물층(400)을 포함하여 구성될 수 있다.1 and 2, the transparent electrode 10 into which the metal layer of the mesh structure is inserted according to an embodiment of the present invention is a substrate 100, a first amorphous oxide layer formed on the substrate 100 (200), a metal layer 300 formed on the first amorphous oxide layer 200 and a second amorphous oxide layer 400 formed on the metal layer 300 may be included.

이때, 상기 금속층(300)은 다수의 금속편들이 서로 교차되어 메쉬 구조를 가지는 금속 패턴(350)으로 형성될 수 있다.In this case, the metal layer 300 may be formed as a metal pattern 350 having a mesh structure by crossing a plurality of metal pieces.

이러한 메쉬 구조의 금속층(300)이 삽입된 투명전극(10)은 LCD, OLED 등에 적용되는 디스플레이용 전극과 더불어 저항막 방식 또는 정전유도 방식의 터치스크린에 기본적으로 필요한 구성요소이다. 또한, 투명 전극은 유기태양전지 분야뿐만 아니라 수광소자 및 발광소자 등에도 사용되며, 전기변색(Electrochromic) 글라스인 스마트 윈도우에도 대면적의 투명 전극으로 사용되고 있다. 그 외에 전자파차폐 기능이 요구되는 투명 필름, 투명 필름이 적용된 투명 글라스 등과 같이 그 용도가 광범위하게 증가하고 있다.The transparent electrode 10 into which the metal layer 300 of such a mesh structure is inserted is a basic component necessary for a resistive or electrostatic induction type touch screen in addition to a display electrode applied to LCD, OLED, and the like. In addition, transparent electrodes are used not only in the field of organic solar cells, but also in light-receiving devices and light-emitting devices, and are used as large-area transparent electrodes in smart windows, which are electrochromic glass. In addition, the use of a transparent film that requires an electromagnetic shielding function, a transparent glass to which a transparent film is applied, and the like, is widely increasing.

본 발명의 메쉬 구조의 금속층(300)이 삽입된 투명전극은 기판, 제1 비정질 산화물층(200), 금속층(300) 및 제2 비정질 산화물층(400)이 순차적으로 배치되는 구조를 가질 수 있다.The transparent electrode into which the metal layer 300 of the mesh structure of the present invention is inserted may have a structure in which the substrate, the first amorphous oxide layer 200, the metal layer 300, and the second amorphous oxide layer 400 are sequentially disposed. .

즉, 금속층(300)을 사이에 두고 비정질 산화물층(200,400)이 금속층(300)의 상부와 하부에 각각 배치되어 산화물/금속/산화물의 다층구조로 형성될 수 있다. 예컨대, 금속층(300)의 하부에 제1 비정질 산화물층(200)이 형성되고, 금속층(300)의 상부에 제2 비정질 산화물층(400)이 형성될 수 있다.That is, the amorphous oxide layers 200 and 400 may be disposed above and below the metal layer 300 with the metal layer 300 interposed therebetween to form a multilayer structure of oxide/metal/oxide. For example, a first amorphous oxide layer 200 may be formed under the metal layer 300, and a second amorphous oxide layer 400 may be formed over the metal layer 300.

기판(100)은 유리 또는 플라스틱 소재의 투명 기판인 것을 특징으로 한다.The substrate 100 is characterized in that it is a transparent substrate made of glass or plastic.

구체적으로, 플라스틱 소재는 물리적 변형에 따른 유연성이 우수한 물질로 이루어지며, 예를 들어 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(polyamide, PA), 폴리아미드-이미드(polyamide-imide), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 폴리우레탄아크릴레이트(polyurethaneacrylate, PUA), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide, PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에테르 설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에테르이미드(polyetherimide, PEI), 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, PVA), 폴리스틸렌(Polystyrene, PS), 이축연신폴리스틸렌(biaxially oriented PS, BOPS) 등과 같은 플라스틱 필름층, 아크릴수지, 실리콘수지, 불소수지, 변성에폭시수지 등을 포함하는 플라스틱 시트로 이루어질 수 있으며, 유리 소재는 디스플레이용으로 사용되는 강화 유리 또는 반강화 유리 등을 포함하여 이루어질 수 있다.Specifically, the plastic material is made of a material having excellent flexibility according to physical deformation, for example, polyimide (PI), polyamide (PA), polyamide-imide, polyurethane (polyurethane, PU), polyurethane acrylate (PUA), polyacrylamide (PA), polyethylene terephthalate (PET), polyether sulfone (PES), polyethylene naphthalate , PEN), polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA), polyetherimide (PEI), polydimethylsiloxane (PDMS), polyethylene (PE), Plastic film layers such as polyvinyl alcohol (PVA), polystyrene (PS), biaxially oriented PS (BOPS), acrylic resin, silicone resin, fluorine resin, modified epoxy resin, etc. It may be made of a sheet, and the glass material may include tempered glass or semi-tempered glass used for a display.

또한, 기판(100)은 가시광선에 대한 광 투과율이 우수하며, 예를 들어 80% 이상의 광 투과율을 가지는 것이 바람직하다.In addition, the substrate 100 is excellent in light transmittance to visible light, for example, preferably has a light transmittance of 80% or more.

제1 비정질 산화물층(200) 및 제2 비정질 산화물층(400)은 전도성의 투명 기재를 포함하는 산화물층으로서, 단일 물질 또는 혼합 물질로 이루어지는 비정질 산화물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 각 산화물층(200,400)은 단일 금속 또는 2종 이상의 합금이 산화되어 형성될 수 있다.The first amorphous oxide layer 200 and the second amorphous oxide layer 400 are oxide layers including a conductive transparent substrate, and may include an amorphous oxide made of a single material or a mixed material. Specifically, each of the oxide layers 200 and 400 may be formed by oxidation of a single metal or two or more alloys.

예를 들어, 제1 비정질 산화물층(200) 및 제2 비정질 산화물층(400)은 Ti, Ga, Al, Ge, As, Cu, Mn, Zr, Nb, Ru, Hf, Zn, Sr, Ba, Fe, Ag, In, Re, Cr, Ni, Mo, V, W, Mg, Si, Sn, 및 Ta 에서 선택되는 1종의 단일 물질로 이루어지는 비정질 산화물 또는 2종 이상의 물질이 혼합된 비정질 산화물을 포함하여 이루어질 수 있다.For example, the first amorphous oxide layer 200 and the second amorphous oxide layer 400 are Ti, Ga, Al, Ge, As, Cu, Mn, Zr, Nb, Ru, Hf, Zn, Sr, Ba, Contains an amorphous oxide composed of one single material selected from Fe, Ag, In, Re, Cr, Ni, Mo, V, W, Mg, Si, Sn, and Ta, or an amorphous oxide in which two or more materials are mixed It can be done by doing.

다음으로, 금속층(300)은 투명전극의 전기적 특성 및 발열량을 결정하는 층으로서, 제1 비정질 산화물층(200) 및 제2 비정질 산화물층(400)의 사이에서 Ag, Au, Ti, Ni, Mo, Cu 및 Al 에서 선택되는 1종의 단일 금속 또는 2종 이상의 합금을 포함하여 이루어질 수 있다.Next, the metal layer 300 is a layer that determines the electrical properties and calorific value of the transparent electrode. Ag, Au, Ti, Ni, Mo between the first amorphous oxide layer 200 and the second amorphous oxide layer 400 , Cu and Al may be made including one single metal or two or more alloys selected from.

제1 비정질 산화물층(200), 제2 비정질 산화물층(400) 및 금속층(300)의 두께는 수 십 nm 에서 수 백 nm 로 구현될 수 있는데, 구체적으로, 제1 비정질 산화물층(200) 및 제2 비정질 산화물층(400)의 두께는 각각 10 내지 1000nm 이고, 금속층(300)의 두께는 10 내지 200nm 인 것을 특징으로 한다.The thickness of the first amorphous oxide layer 200, the second amorphous oxide layer 400, and the metal layer 300 may be implemented from several tens to several hundred nm, specifically, the first amorphous oxide layer 200 and The thickness of the second amorphous oxide layer 400 is 10 to 1000 nm, respectively, and the thickness of the metal layer 300 is 10 to 200 nm.

이때, 금속층(300)의 두께는 투명전극의 전기적 특성과 광 투과도에 영향에 미치는데, 10 내지 200nm 의 두께에서 최적화될 수 있다. 특히, 두께가 달라지면 80% 이상 고투과되는 광의 파장 영역대도 달라지므로, 상술한 범위에서 광의 파장을 고려하여 선택적으로 금속층(300)의 두께를 결정할 수 있다.At this time, the thickness of the metal layer 300 affects the electrical properties and light transmittance of the transparent electrode, and may be optimized at a thickness of 10 to 200 nm. In particular, when the thickness is different, the wavelength range of light that is highly transmitted by 80% or more is also different, so the thickness of the metal layer 300 may be selectively determined in consideration of the wavelength of light within the above-described range.

다만, 금속층(300)의 두께가 반드시 상술할 범위에 한정되어야 하는 것은 아니므로, 소재, 산화물층 등에 따라 다양한 두께로 형성할 수 있다.However, since the thickness of the metal layer 300 is not necessarily limited to the above-described range, it may be formed in various thicknesses according to a material, an oxide layer, and the like.

또한, 제1 비정질 산화물층(200) 및 제2 비정질 산화물층(400)은 기본적으로 금속층(300)에 의한 빛의 반사 및 굴절율을 감소시켜 광 투과도를 향상시키는 역할을 함과 동시에 쉽게 산화될 수 있는 금속층(300)을 보호하는 역할을 한다. 특히, 각각의 두께는 금속층(300)과 마찬가지로 광 투과도에 영향을 미치는데, 최적의 광 투과도를 확보하기 위해서는 10 내지 1000nm 로 구현되는 것이 바람직하다.In addition, the first amorphous oxide layer 200 and the second amorphous oxide layer 400 basically reduce the reflection and refractive index of light by the metal layer 300 to improve light transmittance and can be easily oxidized. It serves to protect the existing metal layer 300. In particular, each thickness affects the light transmittance like the metal layer 300. In order to secure the optimal light transmittance, the thickness is preferably 10 to 1000 nm.

다만, 그 두께가 반드시 이에 한정되어야 하는 것은 아니고, 제1 비정질 산화물층(200), 금속층(300) 및 제2 비정질 산화물층(400)의 소재 및 두께, 사용조건을 고려하여 다양하게 선택할 수도 있다. 예를 들어, 제1 비정질 산화물층(200) 및 제2 비정질 산화물층(400)의 두께는 서로 동일하게 구현될 수도 있고, 서로 상이하게 구현될 수도 있다.However, the thickness is not necessarily limited thereto, and may be variously selected in consideration of the material and thickness of the first amorphous oxide layer 200, the metal layer 300, and the second amorphous oxide layer 400, and usage conditions. . For example, the thicknesses of the first amorphous oxide layer 200 and the second amorphous oxide layer 400 may be the same or different from each other.

한편, 제1 비정질 산화물층(200) 및 제2 비정질 산화물층(400)은 3eV 이상의 밴드갭을 갖는 투명 산화물인 것을 특징으로 한다. 제1 비정질 산화물층(200) 및 제2 비정질 산화물층(400)은 투명전극(10)의 재료로서 우선 가시광영역(400nm ~ 700nm)에서 80% 정도의 광 투과율을 가지며 ~10^3/옴센티의 높은 전기 전도도를 가지는 재료이어야 한다. 광 밴드갭(Optical bandwidth)이 3.5eV 정도이기 때문에 자외선영역은 모두 투과시키고 적외선 영역의 높은 반사율, 적절한 에칭 특성을 가지고 있어야 한다.Meanwhile, the first amorphous oxide layer 200 and the second amorphous oxide layer 400 are characterized in that they are transparent oxides having a band gap of 3 eV or more. The first amorphous oxide layer 200 and the second amorphous oxide layer 400 are materials for the transparent electrode 10 and have a light transmittance of about 80% in the visible light region (400 nm to 700 nm) and have a light transmittance of ~10^3/ohm centi. It should be a material with high electrical conductivity of. Since the optical bandwidth is about 3.5eV, it is necessary to transmit all ultraviolet rays and have high reflectance in the infrared region and appropriate etching characteristics.

또한, 금속층(300)은 제1 비정질 산화물층(200) 및 제2 비정질 산화물층(400)의 계면에서 플라즈몬 현상을 가질 수 있는 것을 특징으로 하는데, 계면 플라즈몬 현상은 금속박막 또는 나노입자 표면에서 일어나는 표면 자유전자들의 집단적인 진동현상이다. 이러한 자유전자들의 집단적인 진동현상에 의하여 빛이 금속입자를 통과해 투명하게 보이고, 그 결과 특정 파장영역에서의 광 투과율을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 투명전극(10)의 광 투과율은 80 내지 90% 일 수 있다.In addition, the metal layer 300 is characterized in that it can have a plasmon phenomenon at the interface between the first amorphous oxide layer 200 and the second amorphous oxide layer 400, the interfacial plasmon phenomenon occurs on the surface of the metal thin film or nanoparticles. It is a collective vibration phenomenon of surface free electrons. Due to the collective vibration of free electrons, light passes through the metal particles and appears transparent, and as a result, the light transmittance in a specific wavelength region can be improved. Specifically, the light transmittance of the transparent electrode 10 of the present invention may be 80 to 90%.

한편, 본 발명의 금속층(300)은 다수의 금속편들이 일정하게 배열된 금속 패턴(350)으로 형성될 수 있다.Meanwhile, the metal layer 300 of the present invention may be formed as a metal pattern 350 in which a plurality of metal pieces are uniformly arranged.

구체적으로, 금속 패턴(350)은 다수의 금속편들이 서로 교차되어 메쉬 구조를 가지며 구현될 수 있으며, 금속 패턴(350)의 선폭(l)은 1 내지 10 μm 인 것을 특징으로 한다.Specifically, the metal pattern 350 may be implemented with a mesh structure by crossing a plurality of metal pieces, and the line width l of the metal pattern 350 is 1 to 10 μm.

참고로, 금속 패턴(350)의 선폭(l)이 반드시 상술할 범위에 한정되어야 하는 것은 아니므로, 소재, 산화물층 등에 따라 다양하게 형성할 수 있다.For reference, since the line width l of the metal pattern 350 is not necessarily limited to the above-described range, it may be variously formed according to a material, an oxide layer, and the like.

도 3에 도시된 바와 같이, 금속층(300)은 전도성 물질인 금속편들이 그물망 형태인 메쉬 구조를 가지며 상호 교차하여 형성되며, 이에 금속층(300)은 그물망의 구멍처럼 다수의 관통공을 구비할 수 있다.As shown in FIG. 3, the metal layer 300 has a mesh structure in the form of a mesh and crosses each other with metal pieces, which are conductive materials, so that the metal layer 300 may have a plurality of through holes like holes in the mesh. .

또한, 금속 패턴(350)의 형상은 다수의 관통공으로서 개구된 부분을 구비하고 있으면 되며 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 금속 패턴(350)은 정방형, 장방형, 육각형 등의 주기성 있는 형상으로 구현될 수 있다.In addition, the shape of the metal pattern 350 is not particularly limited as long as it has an open portion as a plurality of through holes. For example, the metal pattern 350 may be implemented in a shape with periodicity such as a square, a rectangle, and a hexagon.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극(10)의 사시도이다.4 is a perspective view of a transparent electrode 10 into which a metal layer having a mesh structure is inserted according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극(10)은 기판(100), 기판(100) 상에 형성되는 제1 비정질 산화물층(200), 제1 비정질 산화물층(200) 상에 형성되는 금속층(300), 금속층(300) 상에 형성되는 제2 비정질 산화물층(400) 및 커버부(1)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 4, a transparent electrode 10 into which a metal layer having a mesh structure is inserted according to another embodiment of the present invention includes a substrate 100, a first amorphous oxide layer 200 formed on the substrate 100, and 1 It may include a metal layer 300 formed on the amorphous oxide layer 200, a second amorphous oxide layer 400 formed on the metal layer 300, and the cover part 1.

본 실시예에서의 기판(100), 제1 비정질 산화물층(200), 금속층(300) 및 제2 비정질 산화물층(400)은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극(10)의 기판(100), 제1 비정질 산화물층(200), 금속층(300) 및 제2 비정질 산화물층(400)과 동일하며, 커버부(1)를 더 포함하는 데에서 차이를 가진다.In this embodiment, the substrate 100, the first amorphous oxide layer 200, the metal layer 300, and the second amorphous oxide layer 400 are transparent electrodes in which a metal layer having a mesh structure according to an embodiment of the present invention is inserted. It is the same as the substrate 100, the first amorphous oxide layer 200, the metal layer 300, and the second amorphous oxide layer 400 of (10), and has a difference in further including the cover unit 1.

커버부(1)는 메쉬 구조의 금속층(300)이 삽입된 투명전극(10)의 외측을 둘러싸는 틀로서 유리 재질로 구현되는 것을 특징으로 한다.The cover part 1 is a frame surrounding the outside of the transparent electrode 10 into which the metal layer 300 having a mesh structure is inserted, and is formed of a glass material.

구체적으로, 본 실시예에서는 유리 재질의 부재 상에 메쉬 구조의 금속층(300)이 삽입된 투명전극(1)을 형성한 후, 또 다른 유리 재질의 부재와 열을 가하여 내부에 투명전극(1)이 삽입될 수 있는 하나의 틀을 구현할 수 있다.Specifically, in the present embodiment, after forming the transparent electrode 1 in which the metal layer 300 having a mesh structure is inserted on a member made of glass, heat is applied to another member of glass material, and the transparent electrode 1 You can implement a single frame that can be inserted.

이로써, 본 발명의 실시예들에 따르면, 상하부 비정질 산화물층(200,400) 사이에 메쉬 구조의 금속층(300)이 삽입된 투명전극(10)을 구현함으로써 외부 영향에 의한 열화 현상 방지 및 높은 안정성 및 기계적 유연성을 기대할 수 있다.Accordingly, according to embodiments of the present invention, by implementing the transparent electrode 10 in which the metal layer 300 having a mesh structure is inserted between the upper and lower amorphous oxide layers 200 and 400, it is possible to prevent deterioration due to external influences, and provide high stability and mechanical properties. You can expect flexibility.

또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 상하부 비정질 산화물층(200,400)의 낮은 표면거칠기로 인해 메쉬 구조의 금속층(300)의 접촉면으로 인한 성능저하 및 각 층의 박리현상을 감소시켜 기존 투명전극에 비해 전기적 특성의 저하를 감소시킬 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, due to the low surface roughness of the upper and lower amorphous oxide layers 200 and 400, performance degradation due to the contact surface of the metal layer 300 having a mesh structure and the peeling phenomenon of each layer are reduced. In comparison, it is possible to reduce the deterioration of electrical properties.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정을 이용한 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transparent electrode in which a metal layer of a mesh structure is inserted according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a mesh structure using a deposition process according to an embodiment of the present invention. It is a flow chart illustrating a method of manufacturing a transparent electrode in which a metal layer is inserted.

도 5 및 도 6을 참조하면, 먼저, 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 장치는 투명한 재질의 유리 또는 플라스틱의 소재로 만들어진 기판을 위치시킬 수 있다(S110).Referring to FIGS. 5 and 6, first, an apparatus for manufacturing a transparent electrode into which a metal layer having a mesh structure is inserted may place a substrate made of a transparent material of glass or plastic (S110).

다음으로, 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 장치는 기판 상에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 비정질 산화물층을 형성할 수 있다(S120).Next, the apparatus for manufacturing a transparent electrode in which a metal layer having a mesh structure is inserted may form a first amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate on a substrate (S120).

다음으로, 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 장치는 제1 비정질 산화물층 상에 금속층을 형성할 수 있다(S120).Next, the apparatus for manufacturing a transparent electrode in which a metal layer having a mesh structure is inserted may form a metal layer on the first amorphous oxide layer (S120).

다음으로, 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 장치는 금속층 상에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제2 비정질 산화물층을 형성할 수 있다(S130).Next, the apparatus for manufacturing a transparent electrode in which a metal layer having a mesh structure is inserted may form a second amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate on the metal layer (S130).

본 발명의 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 방법에 있어서, 추가적으로 제2 비정질 산화물층을 형성하는 단계를 거친 뒤에 50 내지 900℃ 로 열처리하는 단계를 수행할 수 있다.In the method of manufacturing a transparent electrode in which a metal layer having a mesh structure is inserted according to the present invention, a step of heat-treating at 50 to 900°C may be performed after additionally forming a second amorphous oxide layer.

예를 들어, 아르곤(Ar) 가스 분위기에서 50 내지 900℃ 에서 20분 내지 60분 동안 열처리하는 과정을 포함하고 이를 통해, 투명전극의 면 저항이 저감될 수 있다.For example, it includes a process of heat treatment at 50 to 900°C for 20 to 60 minutes in an argon (Ar) gas atmosphere, and through this, the sheet resistance of the transparent electrode may be reduced.

본 발명에서의 금속층은 Pulsed Laser Deposition(PLD), Thermal deposition, Electron beam deposition, Sputtering 과 같은 Physical Vapor Deposition(PVD) 공정, Printing, Wet solution 과 같은 Solution process 공정 등의 다양한 공정 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성할 수 있다.The metal layer in the present invention is any one of various process methods such as Pulsed Laser Deposition (PLD), Thermal deposition, Electron beam deposition, Physical Vapor Deposition (PVD) process such as sputtering, and Solution process process such as Printing and Wet solution. Can be formed by

예를 들어, 금속층은 포토 레지스트 및 마스크를 이용하여 패터닝한 후, 에칭 및 리프트-오프 방식을 이용하여 금속 패턴을 형성하거나, 용액공정 및 프린팅 공정을 통해 메쉬 구조의 금속 패턴을 형성한 후, 레이저, UV 및 열을 가하여 굳히는 방법을 사용할 수 있다.For example, after patterning the metal layer using a photoresist and a mask, a metal pattern is formed using an etching and lift-off method, or a metal pattern having a mesh structure is formed through a solution process and a printing process, and then laser , UV and heat can be applied to harden.

본 발명에서의 제1 비정질 산화물층 및 제2 비정질 산화물층은 Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition(APCVD), Low Pressure Chemical Vapor Deposition(LPCVD), Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD) 와 같은 Chemical Vapor Deposition(CVD) 공정이나 Pulsed Laser Deposition(PLD), Thermal deposition, Electron beam deposition, Sputtering 과 같은 Physical Vapor Deposition(PVD) 공정, Printing, Wet solution 과 같은 Solution process 공정 등의 다양한 공정 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성할 수 있다.The first amorphous oxide layer and the second amorphous oxide layer in the present invention are Chemical Vapor Deposition (CVD) such as Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD), Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD), and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). It can be formed by any one of various process methods such as a process or a physical vapor deposition (PVD) process such as pulsed laser deposition (PLD), thermal deposition, electron beam deposition, and sputtering, and a solution process process such as printing and wet solution. have.

참고로, 제1 비정질 산화물층, 제2 비정질 산화물층 및 금속층의 공정 방법은 상술한 방법들에 한정되지 않고 다양한 공정 방법을 사용할 수 있다.For reference, the process methods of the first amorphous oxide layer, the second amorphous oxide layer, and the metal layer are not limited to the above-described methods, and various process methods may be used.

한편, 기판, 제1 비정질 산화물층, 금속층 및 제2 비정질 산화물층을 순서대로 형성한 후에 유리 재질의 커버부를 추가로 형성할 수도 있다.Meanwhile, after sequentially forming the substrate, the first amorphous oxide layer, the metal layer, and the second amorphous oxide layer, a cover part made of a glass material may be additionally formed.

구체적으로, 유리 재질의 부재 상에 상기와 같이 기판, 제1 비정질 산화물층, 금속층 및 제2 비정질 산화물층이 순서대로 적층된 물질을 형성한 후, 또 다른 유리 재질의 부재와 열을 가하여 내부에 상기 적층된 물질이 삽입될 수 있는 하나의 틀로서 커버부를 구현할 수 있다.Specifically, after forming a material in which a substrate, a first amorphous oxide layer, a metal layer, and a second amorphous oxide layer are sequentially stacked on a member made of glass, as described above, by applying heat with another member of glass material, A cover part may be implemented as one frame into which the laminated material may be inserted.

지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Until now, specific embodiments according to the present invention have been described, but, of course, various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be defined by being limited to the described embodiments, and should be defined not only by the claims to be described later, but also by the claims and their equivalents.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, although the present invention has been described by the limited embodiments and drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, which is various modifications and variations from these descriptions to those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs. Transformation is possible. Therefore, the idea of the present invention should be grasped only by the claims set forth below, and all equivalent or equivalent modifications thereof will be said to belong to the scope of the inventive idea.

1 : 커버부
10 : 투명전극
100 : 기판
200 : 제1 비정질 산화물층
300 : 금속층
350 : 금속 패턴
400 : 제2 비정질 산화물층
1: cover
10: transparent electrode
100: substrate
200: first amorphous oxide layer
300: metal layer
350: metal pattern
400: second amorphous oxide layer

Claims (11)

기판;
상기 기판의 상부에 형성된 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 비정질 산화물층;
상기 제1 비정질 산화물층의 상부에 형성된 금속층; 및
상기 금속층의 상부에 형성된 전도성의 투명 기재를 포함하는 제2 비정질 산화물층을 포함하고,
상기 금속층은 다수의 금속편들이 서로 교차되어 메쉬 구조를 가지는 금속 패턴으로 형성되고,
상기 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 외측은 유리 재질의 커버부로 둘러싸여 구현되고,
상기 제1 비정질 산화물층 및 상기 제2 비정질 산화물층은 3eV 이상의 밴드갭을 가지는 것을 특징으로 하는 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극.
Board;
A first amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate formed on the substrate;
A metal layer formed on the first amorphous oxide layer; And
Including a second amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate formed on the metal layer,
The metal layer is formed in a metal pattern having a mesh structure by crossing a plurality of metal pieces,
The outside of the transparent electrode into which the metal layer of the mesh structure is inserted is implemented by being surrounded by a cover part made of glass,
The first amorphous oxide layer and the second amorphous oxide layer have a band gap of 3 eV or more.
제1항에 있어서,
상기 기판은 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(polyamide, PA), 폴리아미드-이미드(polyamide-imide), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 폴리우레탄아크릴레이트(polyurethaneacrylate, PUA), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide, PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에테르 설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에테르이미드(polyetherimide, PEI), 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, PVA), 폴리스틸렌(Polystyrene, PS), 이축연신폴리스틸렌(biaxially oriented PS, BOPS), 아크릴수지, 실리콘수지, 불소수지, 변성에폭시수지, 유리 또는 강화유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극.
The method of claim 1,
The substrate is polyimide (PI), polyamide (PA), polyamide-imide, polyurethane (polyurethane, PU), polyurethane acrylate (polyurethaneacrylate, PUA), polyacrylic Amide (polyacrylamide, PA), polyethylene terephthalate (PET), polyether sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate ( polymethylmethacrylate, PMMA), polyetherimide (PEI), polydimethylsiloxane (PDMS), polyethylene (PE), polyvinyl alcohol (PVA), polystyrene (PS), biaxial A transparent electrode in which a metal layer of a mesh structure is inserted, comprising: biaxially oriented PS (BOPS), acrylic resin, silicone resin, fluorine resin, modified epoxy resin, glass or tempered glass.
제1항에 있어서,
상기 제1 비정질 산화물층 및 상기 제2 비정질 산화물층은 60 내지 80% 이상의 광 투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극.
The method of claim 1,
The first amorphous oxide layer and the second amorphous oxide layer have a light transmittance of 60 to 80% or more.
제3항에 있어서,
상기 제1 비정질 산화물층 및 상기 제2 비정질 산화물층은 Ti, Ga, Al, Ge, As, Cu, Mn, Zr, Nb, Ru, Hf, Zn, Sr, Ba, Fe, Ag, In, Re, Cr, Ni, Mo, V, W, Mg, Si, Sn, 및 Ta 에서 선택되는 1종의 단일 물질로 이루어지는 비정질 산화물 또는 2종 이상의 물질이 혼합된 비정질 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극.
The method of claim 3,
The first amorphous oxide layer and the second amorphous oxide layer are Ti, Ga, Al, Ge, As, Cu, Mn, Zr, Nb, Ru, Hf, Zn, Sr, Ba, Fe, Ag, In, Re, A mesh structure comprising an amorphous oxide composed of one single material selected from Cr, Ni, Mo, V, W, Mg, Si, Sn, and Ta, or a mixture of two or more materials. A transparent electrode with a metal layer inserted therein.
제1항에 있어서,
상기 제1 비정질 산화물층 및 상기 제2 비정질 산화물층의 두께는 각각 10 내지 1000nm 인 것을 특징으로 하는 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극.
The method of claim 1,
Each of the first amorphous oxide layer and the second amorphous oxide layer have a thickness of 10 to 1000 nm, respectively.
제1항에 있어서,
상기 금속층은 Ag, Au, Ti, Ni, Mo, Cu 및 Al 에서 선택되는 1종의 단일 금속 또는 2종 이상의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극.
The method of claim 1,
The metal layer is a transparent electrode in which a metal layer having a mesh structure is inserted, characterized in that it contains one single metal or two or more alloys selected from Ag, Au, Ti, Ni, Mo, Cu, and Al.
제1항에 있어서,
상기 금속층의 두께는 10 내지 200nm 인 것을 특징으로 하는 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극.
The method of claim 1,
The transparent electrode in which the metal layer having a mesh structure is inserted, wherein the metal layer has a thickness of 10 to 200 nm.
제7항에 있어서,
상기 금속 패턴의 선폭은 1 내지 10μm 인 것을 특징으로 하는 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극.
The method of claim 7,
The transparent electrode in which the metal layer of the mesh structure is inserted, characterized in that the line width of the metal pattern is 1 to 10 μm.
삭제delete 기판을 제공하는 단계;
상기 기판의 상부에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 비정질 산화물층을 형성하는 단계;
상기 제1 비정질 산화물층의 상부에 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 금속층의 상부에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제2 비정질 산화물층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 금속층은 다수의 금속편들이 서로 교차되어 메쉬 구조를 가지는 금속 패턴으로 형성되고,
유리 재질의 제1 부재 상에 기판, 상기 제1 비정질 산화물층, 상기 금속층 및 상기 제2 비정질 산화물층이 순서대로 적층된 물질을 형성한 후에 유리 재질의 제2 부재와 열을 가하여 커버부를 구현하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 방법.
Providing a substrate;
Forming a first amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate on the substrate;
Forming a metal layer over the first amorphous oxide layer; And
Including the step of forming a second amorphous oxide layer including a conductive transparent substrate on the top of the metal layer,
The metal layer is formed in a metal pattern having a mesh structure by crossing a plurality of metal pieces,
After forming a material in which a substrate, the first amorphous oxide layer, the metal layer, and the second amorphous oxide layer are sequentially stacked on a first member made of a glass material, heat is applied to a second member made of glass to implement a cover part. A method of manufacturing a transparent electrode in which a metal layer having a mesh structure is inserted, further comprising a step.
제10항에 있어서,
상기 금속층의 상부에 제2 비정질 산화물층을 형성하는 단계를 수행한 후에 추가적으로 50 내지 900℃ 로 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 구조의 금속층이 삽입된 투명전극의 제조 방법.
The method of claim 10,
After performing the step of forming a second amorphous oxide layer on the metal layer, the method of manufacturing a transparent electrode with a metal layer having a mesh structure, characterized in that it further comprises the step of heat-treating at 50 to 900 ℃.
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