KR102180702B1 - Lithographic apparatus, method of manufacturing article, and measurement apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판의 에지 위치를 고정밀도로 계측하는 데 유리한 리소그래피 장치를 제공한다.
기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치는, 기판을 보유 지지하여 이동 가능한 스테이지와, 상기 스테이지에 의해 보유 지지된 기판의 측방으로부터 당해 기판의 단부에 제1광을 조사하는 조사부와, 상기 조사부에 의해 상기 제1광이 조사되는 기판의 단부 하방에 배치되어, 당해 단부에서 반사된 상기 제1광의 광 강도 분포를 검출하는 검출부와, 상기 제1광의 광 강도 분포로부터 얻어진 상기 기판의 에지의 위치 정보를 보정값에 의해 보정한 결과에 기초하여, 상기 기판의 에지 위치를 결정하는 처리부를 포함하며, 상기 조사부 및 상기 검출부는, 상기 스테이지에 설치되고, 상기 처리부는, 상기 스테이지에 의해 보유 지지된 기판의 단부에 상기 제1광을 조사한 상태에서 상기 검출부에 의해 검출된 상기 제1광의 광 강도 분포와, 하측 방향으로 사출된 제2광의 광로 내에 당해 단부를 배치한 상태에서 상기 검출부에 의해 검출된 상기 제2광의 광 강도 분포에 기초하여, 상기 보정값을 생성한다.The present invention provides a lithographic apparatus which is advantageous for measuring the edge position of a substrate with high precision.
A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate includes a stage that is movable by holding a substrate, an irradiation portion for irradiating a first light to an end portion of the substrate from a side of the substrate held by the stage, and the irradiation portion. A detection unit disposed below the end of the substrate to which the first light is irradiated, and detecting the light intensity distribution of the first light reflected from the end, and the positional information of the edge of the substrate obtained from the light intensity distribution of the first light are corrected And a processing unit for determining an edge position of the substrate based on a result corrected by the value, wherein the irradiation unit and the detection unit are installed on the stage, and the processing unit is an end portion of the substrate held by the stage The light intensity distribution of the first light detected by the detection unit in a state irradiated with the first light and the second detected by the detection unit in a state in which the end is disposed in the optical path of the second light emitted downward. Based on the light intensity distribution of light, the correction value is generated.

Description

리소그래피 장치, 물품의 제조 방법, 및 계측 장치{LITHOGRAPHIC APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE, AND MEASUREMENT APPARATUS}A lithographic apparatus, a manufacturing method of an article, and a measuring apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 리소그래피 장치, 물품의 제조 방법, 및 계측 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a lithographic apparatus, a method of manufacturing an article, and a measurement apparatus.

FPD(Flat Panel Display)나 반도체 디바이스 등의 제조에는, 유리 플레이트나 웨이퍼 등의 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치가 사용된다. 이러한 리소그래피 장치에서는, 기판에 형성된 마크의 위치 검출 결과에 기초하여 기판을 고정밀도로 위치 결정하기 전에, 스테이지에 의해 보유 지지된 기판의 에지 위치를 계측하여 기판의 위치를 파악하는, 소위 프리얼라인먼트가 행하여진다.A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate such as a glass plate or a wafer is used in manufacturing of a flat panel display (FPD) or a semiconductor device. In such a lithographic apparatus, before positioning the substrate with high precision based on the position detection result of the marks formed on the substrate, the so-called pre-alignment is performed to determine the position of the substrate by measuring the edge position of the substrate held by the stage. Lose.

기판의 에지 위치를 계측하는 계측 장치로서는, 예를 들어 기판의 단부에 광을 조사하여 기판의 에지 위치를 계측하는 광학식의 계측 장치가 있다. 특허문헌 1에는, 스테이지에 의해 보유 지지된 기판의 단부에 광을 조사하고, 당해 단부에서 반사된 광을 검출함으로써 기판의 에지 위치를 계측하는, 소위 반사광식의 계측 장치가 개시되어 있다.As a measuring device for measuring the edge position of a substrate, there is, for example, an optical measuring device for measuring the edge position of the substrate by irradiating light to an end portion of the substrate. Patent Literature 1 discloses a so-called reflected light type measuring device in which an edge position of a substrate is measured by irradiating light onto an end portion of a substrate held by a stage and detecting light reflected from the end portion.

일본 특허 공개 제2001-241921호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2001-241921

특허문헌 1에 기재된 반사광식의 계측 장치에서는, 기판의 단부에 모따기 처리가 실시되어 있으면, 기판의 단부에서 반사된 광에 기초하여 기판의 에지 위치를 계측한 결과에 계측 오차(계측 오류)가 발생할 수 있다.In the reflective light-type measuring device described in Patent Document 1, when chamfering is applied to the edge of the substrate, a measurement error (measurement error) occurs in the result of measuring the edge position of the substrate based on the light reflected from the edge of the substrate. I can.

그래서, 본 발명은 기판의 에지 위치를 고정밀도로 계측하는 데 유리한 리소그래피 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to provide a lithographic apparatus which is advantageous for measuring the edge position of a substrate with high precision.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일측면으로서의 리소그래피 장치는, 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이며, 기판을 보유 지지하여 이동 가능한 스테이지와, 상기 스테이지에 의해 보유 지지된 기판의 측방으로부터 당해 기판의 단부에 제1광을 조사하는 조사부와, 상기 조사부에 의해 상기 제1광이 조사되는 기판의 단부 하방에 배치되어, 당해 단부에서 반사된 상기 제1광의 광 강도 분포를 검출하는 검출부와, 상기 제1광의 광 강도 분포로부터 얻어진 상기 기판의 에지의 위치 정보를 보정값에 의해 보정한 결과에 기초하여, 상기 기판의 에지 위치를 결정하는 처리부를 포함하고, 상기 조사부 및 상기 검출부는, 상기 스테이지에 설치되며 , 상기 처리부는, 상기 스테이지에 의해 보유 지지된 기판의 단부에 상기 제1광을 조사한 상태에서 상기 검출부에 의해 검출된 상기 제1광의 광 강도 분포와, 하측 방향으로 사출된 제2광의 광로 내에 당해 단부를 배치한 상태에서 상기 검출부에 의해 검출된 상기 제2광의 광 강도 분포에 기초하여, 상기 보정값을 생성하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a lithographic apparatus as an aspect of the present invention is a lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate, a stage that is movable by holding a substrate, and the substrate from the side of the substrate held by the stage. An irradiation unit for irradiating the first light to an end of the irradiation unit; A processing unit for determining an edge position of the substrate based on a result of correcting the position information of the edge of the substrate obtained from the light intensity distribution of the first light by a correction value, the irradiation unit and the detection unit on the stage And the processing unit includes a light intensity distribution of the first light detected by the detection unit in a state in which the first light is irradiated to an end of the substrate held by the stage, and an optical path of the second light emitted downward. It is characterized in that the correction value is generated based on the light intensity distribution of the second light detected by the detection unit with the end portion disposed therein.

본 발명의 추가적인 목적 또는 다른 측면은, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 형태에 의해 분명해질 것이다.Additional objects or other aspects of the present invention will become apparent by preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따르면, 예를 들어 기판의 에지 위치를 고정밀도로 계측하는 데 유리한 리소그래피 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, for example, it is possible to provide a lithographic apparatus which is advantageous for measuring the edge position of a substrate with high precision.

도 1은 제1 실시 형태의 노광 장치를 나타내는 개략도.
도 2는 복수의 계측부의 배치를 나타내는 도면.
도 3은 계측부의 구성을 나타내는 도면.
도 4는 제1광의 광 강도 분포를 나타내는 도면.
도 5는 기판의 에지 위치를 계측하는 방법을 나타내는 흐름도.
도 6은 사출부에서 사출된 제2광의 광로 내에 검출부를 배치한 상태를 나타내는 도면.
도 7은 제2광의 광 강도 분포를 나타내는 도면.
도 8은 제1광의 광 강도 분포와 제2광의 광 강도 분포를 겹친 도면.
도 9는 제1광의 광 강도 분포와 제2광의 광 강도 분포를 겹친 도면.1 is a schematic diagram showing an exposure apparatus according to a first embodiment.
Fig. 2 is a diagram showing an arrangement of a plurality of measurement units.
3 is a diagram showing the configuration of a measurement unit.
Fig. 4 is a diagram showing a light intensity distribution of first light.
5 is a flow chart showing a method of measuring the edge position of a substrate.
6 is a view showing a state in which a detection unit is disposed in an optical path of a second light emitted from an emission unit.
Fig. 7 is a diagram showing light intensity distribution of second light.
Fig. 8 is a diagram in which the light intensity distribution of the first light and the light intensity distribution of the second light are superimposed.
Fig. 9 is a diagram in which the light intensity distribution of the first light and the light intensity distribution of the second light are superimposed.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재 내지 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each drawing, the same reference numerals are assigned to the same members or elements, and redundant descriptions are omitted.

이하의 실시 형태에서는, 리소그래피 장치로서, 기판을 노광하는 노광 장치를 이용하여 설명하지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치나, 하전 입자선(빔)을 기판에 조사하여 당해 기판에 패턴을 형성하는 묘화 장치 등의 리소그래피 장치에 있어서도, 본 발명을 적용할 수 있다. 여기서, 리소그래피 장치는, 광 또는 빔을 기판에 조사하여 당해 기판에 패턴을 형성하는 형성부를 포함한다. 노광 장치에서는, 광을 사용하여 마스크의 패턴 화상을 기판에 투영하는 투영 광학계가 형성부에 상당할 수 있다. 임프린트 장치에서는, 몰드를 보유 지지하면서 또한 몰드를 통하여 기판에 광을 조사하는 임프린트 헤드가 형성부에 상당할 수 있다. 또한, 묘화 장치에서는, 기판에 하전 입자선(빔)을 조사하는 경통이 형성부에 상당할 수 있다.In the following embodiment, the lithographic apparatus is described using an exposure apparatus that exposes a substrate, but is not limited thereto. For example, in a lithographic apparatus such as an imprint apparatus for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold or a drawing apparatus for forming a pattern on the substrate by irradiating charged particle rays (beams) onto the substrate, the present invention Can be applied. Here, the lithographic apparatus includes a forming portion that irradiates light or a beam onto a substrate to form a pattern on the substrate. In the exposure apparatus, a projection optical system that projects a pattern image of a mask onto a substrate using light may correspond to the formation portion. In the imprint apparatus, an imprint head that holds the mold and irradiates light to the substrate through the mold may correspond to the formation portion. In addition, in the drawing apparatus, a barrel for irradiating charged particle beams (beams) onto the substrate may correspond to the formation portion.

<제1 실시 형태><First embodiment>

본 발명에 관한 제1 실시 형태의 노광 장치(100)에 대해, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 제1 실시 형태의 노광 장치(100)를 나타내는 개략도이다. 노광 장치(100)는, 예를 들어 마스크 스테이지(2)와, 조명 광학계(3)와, 투영 광학계(4)와, 기판 스테이지(6)(스테이지)와, 복수의 계측부(7)(계측 장치)와, 제어부(8)를 포함하며, FPD용 유리 기판 등의 기판(5)을 노광하여 당해 기판 상에 패턴(잠상)을 형성한다. 제어부(8)는, 예를 들어 CPU나 메모리를 갖는 컴퓨터에 의해 구성되고, 노광 장치(100)의 각 부를 제어한다(기판(5)을 노광하는 처리를 제어함). 또한, 본 실시 형태에서는, 투영 광학계(4)로부터 사출된 광의 광축과 평행인 방향을 Z 방향이라 하고, 당해 광축에 수직이면서 또한 서로 직교하는 2개의 방향을 X 방향 및 Y 방향이라 한다. 즉, 기판 스테이지(6)에 의해 보유 지지된 기판(5)의 상면과 평행하면서 또한 서로 직교하는 2개의 방향을 X 방향 및 Y 방향이라 한다.An exposure apparatus 100 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1. 1 is a schematic diagram showing an exposure apparatus 100 according to a first embodiment. The exposure apparatus 100 includes, for example, a mask stage 2, an illumination optical system 3, a projection optical system 4, a substrate stage 6 (stage), and a plurality of measurement units 7 (measurement apparatuses). ) And a control unit 8, and a substrate 5 such as a glass substrate for FPD is exposed to form a pattern (latent image) on the substrate. The control unit 8 is configured by, for example, a computer having a CPU or a memory, and controls each unit of the exposure apparatus 100 (controls the processing of exposing the substrate 5). In this embodiment, the direction parallel to the optical axis of the light emitted from the projection optical system 4 is referred to as the Z direction, and two directions perpendicular to the optical axis and perpendicular to each other are referred to as the X direction and the Y direction. That is, two directions parallel to the upper surface of the substrate 5 held by the substrate stage 6 and perpendicular to each other are referred to as the X direction and the Y direction.

조명 광학계(3)는, 광원(도시되지 않음)으로부터 사출된 광을 사용하여, 마스크 스테이지(2)에 의해 보유 지지된 마스크(1)를 조명한다. 투영 광학계(4)는, 소정의 배율을 갖고, 마스크(1)에 형성된 패턴을 기판(5)에 투영한다. 마스크(1) 및 기판(5)은, 마스크 스테이지(2) 및 기판 스테이지(6)에 의해 각각 보유 지지되어 있고, 투영 광학계(4)를 통하여 광학적으로 거의 공액인 위치(투영 광학계(4)의 물체면 및 화상면)에 배치된다.The illumination optical system 3 illuminates the mask 1 held by the mask stage 2 using light emitted from a light source (not shown). The projection optical system 4 has a predetermined magnification and projects a pattern formed on the mask 1 onto the substrate 5. The mask 1 and the substrate 5 are each held by the mask stage 2 and the substrate stage 6, and are optically almost conjugated through the projection optical system 4 (in the projection optical system 4). On the object plane and the image plane).

기판 스테이지(6)는, 기판(5)의 단부가 노출되도록 기판(5)을 보유 지지하고, 투영 광학계(4)(형성부)의 하방에서 이동 가능하게 구성된다. 구체적으로는, 기판 스테이지(6)는, 진공 흡착 등에 의해 기판(5)을 보유 지지하는 척(6a)과, 척(6a)(기판(5))을 구동하는 구동부(6b)를 갖는다. 척(6a)은, 기판(5)의 단부가 척(6a)으로부터 노출되도록(즉, 기판(5)의 단부가 척(6a)으로부터 비어져 나오도록(돌출하도록)) 기판(5)의 중앙부를 보유 지지한다. 구동부(6b)는, 척(6a)(기판(5))을 XY 방향으로 구동하도록 구성될 수 있지만, 여기에 한정되지 않고, 예를 들어 Z 방향이나 θ 방향(Z축 주위의 회전 방향) 등으로 척(6a)(기판(5))을 구동하도록 구성되어도 된다.The substrate stage 6 is configured to hold the substrate 5 so that the end portion of the substrate 5 is exposed, and to be movable under the projection optical system 4 (formation portion). Specifically, the substrate stage 6 has a chuck 6a that holds the substrate 5 by vacuum adsorption or the like, and a drive unit 6b that drives the chuck 6a (substrate 5). The chuck 6a is the central portion of the substrate 5 so that the end of the substrate 5 is exposed from the chuck 6a (that is, the end of the substrate 5 protrudes from the chuck 6a (protrudes)) Hold. The driving unit 6b may be configured to drive the chuck 6a (substrate 5) in the XY direction, but is not limited thereto, for example, in the Z direction or the θ direction (rotation direction around the Z axis), etc. It may be configured to drive the chuck 6a (substrate 5).

또한, 기판 스테이지(6)의 위치는, 위치 검출부(9)에 의해 검출된다. 위치 검출부(9)는, 예를 들어 레이저 간섭계를 포함하여, 기판 스테이지(6)에 설치된 반사판(6c)에 레이저광을 조사하여, 반사판(6c)에서 반사된 레이저광에 기초하여 기판 스테이지(6)의 기준 위치에서의 변위를 구한다. 이에 의해, 위치 검출부(9)는, 기판 스테이지(6)의 위치를 검출할 수 있고, 제어부(8)는, 위치 검출부(9)에 의한 검출 결과에 기초하여, 기판 스테이지(6)의 위치를 제어할 수 있다.Further, the position of the substrate stage 6 is detected by the position detection unit 9. The position detection unit 9 includes, for example, a laser interferometer, and irradiates the laser light to the reflecting plate 6c provided on the substrate stage 6, and based on the laser light reflected from the reflecting plate 6c, the substrate stage 6 Find the displacement at the reference position of ). Thereby, the position detection unit 9 can detect the position of the substrate stage 6, and the control unit 8 determines the position of the substrate stage 6 based on the detection result by the position detection unit 9 Can be controlled.

이와 같이 구성된 노광 장치(100)에는, 기판 스테이지(6)에 의해 보유 지지된 기판(5)의 위치를 파악하기 위해서(예를 들어, 기판 스테이지(6)에 대한 기판(5)의 위치를 파악하기 위해서), 복수의 계측부(7)가 기판 스테이지(6)에 설치된다. 복수의 계측부(7)는 각각 기판(5)의 단부에 광을 조사하여, 당해 단부(5)에서 반사된 광을 검출한 결과에 기초하여 기판(5)의 에지 위치를 계측한다. 복수의 계측부(7)는, XY 방향 및 θ 방향에 있어서의 기판(5)의 위치(예를 들어, 기판 자체의 위치)를 구할 수 있도록, 기판(5)의 단부에 있어서의 서로 상이한 개소의 에지 위치를 계측하도록 배치되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 2에 나타낸 바와 같이, 계측부(7a)가, 기판(5)의 Y 방향측의 에지 위치를 계측하도록 배치되고, 계측부(7b 및 7c)가, 기판(5)의 X 방향측에 있어서의 서로 다른 에지 위치를 계측하도록 배치될 수 있다. 도 2는, 기판(5)을 보유 지지한 상태의 기판 스테이지(6)(척(6a))를 상방(Z 방향)으로부터 본 도면이다. 이와 같이 복수(3개)의 계측부(7)를 배치함으로써, XY 방향 및 θ 방향의 기판(5)의 위치를 구할 수 있다. 여기서, 본 실시 형태에서는, 각 계측부(7)가 기판 스테이지(6)의 척(6a)에 의해 지지되고 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 각 계측부(7)가 기판 스테이지(6)의 구동부(6b)에 의해 지지되어 있어도 된다. 즉, 각 계측부(7)는, 기판 스테이지(6)에 설치되어 있으면 된다.In the exposure apparatus 100 configured as described above, in order to grasp the position of the substrate 5 held by the substrate stage 6 (for example, grasp the position of the substrate 5 relative to the substrate stage 6). In order to do so), a plurality of measurement units 7 are provided on the substrate stage 6. Each of the plurality of measurement units 7 irradiates light to an end portion of the substrate 5 and measures the edge position of the substrate 5 based on a result of detecting the light reflected from the end portion 5. The plurality of measurement units 7 are located at different locations at the ends of the substrate 5 so that the positions of the substrate 5 in the XY and θ directions (for example, the position of the substrate itself) can be obtained. It is preferably arranged to measure the edge position. For example, as shown in FIG. 2, the measurement part 7a is arrange|positioned so that the edge position of the Y direction side of the board|substrate 5 may be measured, and the measurement parts 7b and 7c are the X direction side of the board|substrate 5 It can be arranged to measure the different edge positions in. FIG. 2 is a diagram of the substrate stage 6 (chuck 6a) in a state where the substrate 5 is held as viewed from above (Z direction). By arranging the plurality (three) of the measurement units 7 in this way, the positions of the substrate 5 in the XY direction and the θ direction can be obtained. Here, in this embodiment, although each measurement part 7 is supported by the chuck 6a of the board|substrate stage 6, it is not limited to this, For example, each measurement part 7 is the board|substrate stage 6 It may be supported by the driving part 6b of. That is, each measurement unit 7 should just be provided on the substrate stage 6.

다음에, 계측부(7)의 구성에 대해, 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3은, 계측부(7)의 구성을 나타내는 도면이다. 계측부(7)는, 조사부(71)와, 검출부(72)와, 처리부(73)를 포함할 수 있다. 조사부(71)는, 기판 스테이지(6)(척(6a))에 의해 보유 지지된 기판(5)의 측방으로부터 당해 기판(5)의 단부(5a)에 제1광(11)을 조사한다. 또한, 검출부(72)는, 조사부(71)에 의해 제1광(11)이 조사되는 기판(5)의 단부(5a)의 하방에 위치하여, 당해 단부(5a)에서 반사된 제1광(11)의 광 강도 분포를 검출한다.Next, the configuration of the measurement unit 7 will be described with reference to FIG. 3. 3 is a diagram showing the configuration of the measurement unit 7. The measurement unit 7 may include an irradiation unit 71, a detection unit 72, and a processing unit 73. The irradiation unit 71 irradiates the first light 11 to the end portion 5a of the substrate 5 from the side of the substrate 5 held by the substrate stage 6 (chuck 6a). Further, the detection unit 72 is located below the end 5a of the substrate 5 to which the first light 11 is irradiated by the irradiation unit 71, and the first light reflected from the end 5a ( 11) light intensity distribution is detected.

조사부(71)는, 예를 들어 광원(71a)과, 콜리메이션 렌즈(71b)와, 미러(71c)를 갖는다. 조사부(71)는, 광원(71a)으로부터 사출된 예를 들어 500 내지 1200㎚정도의 파장의 광(제1광(11))을, 콜리메이션 렌즈(71b)에서 평행광으로 하고, 미러(71c)에서 반사시켜, 기판(5)의 단부(5a)를 조사한다. 조사부(71)가 기판(5)의 단부(5a)에 조사하는 제1광(11)의 광속 직경φ1은, 기판(5)의 두께보다 큰 것이 바람직하다. 또한, 검출부(72)는, 예를 들어 복수의 렌즈(72a, 72b)와, 수광 소자(72c)를 갖고, 기판(5)의 단부(5a)에서 반사된 제1광(11)을 복수의 렌즈(72a, 72b)를 통하여 수광 소자(72c)에 의해 수광하여, 제1광(11)의 광 강도 분포를 검출한다(생성한다). 수광 소자(72c)는, 예를 들어 CCD나 CMOS 등에 의해 구성된 에어리어 센서(또는 라인 센서)를 포함할 수 있다. 여기서, 도 3에 나타내는 예에서는, 조사부(71)는, 수평 방향(기판(5)의 상면과 평행인 방향(-Y 방향))으로 제1광(11)을 사출하여 기판(5)의 단부(5a)에 조사하도록 구성되어 있다. 그러나, 그것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 기판(5)의 단부(5a)에 비스듬히 측방으로부터 제1광을 조사하도록 구성되어도 된다.The irradiation unit 71 includes, for example, a light source 71a, a collimation lens 71b, and a mirror 71c. The irradiation unit 71 converts light having a wavelength of, for example, 500 to 1200 nm (first light 11) emitted from the light source 71a into parallel light by the collimation lens 71b, and the mirror 71c ) To irradiate the end portion 5a of the substrate 5. It is preferable that the beam diameter φ 1 of the first light 11 irradiated by the irradiation portion 71 to the end portion 5a of the substrate 5 is larger than the thickness of the substrate 5. Further, the detection unit 72 has, for example, a plurality of lenses 72a and 72b, and a light receiving element 72c, and the first light 11 reflected from the end 5a of the substrate 5 is Light is received by the light-receiving element 72c through the lenses 72a and 72b, and the light intensity distribution of the first light 11 is detected (generated). The light-receiving element 72c may include, for example, an area sensor (or line sensor) constituted by a CCD or CMOS. Here, in the example shown in FIG. 3, the irradiation part 71 emits the first light 11 in a horizontal direction (a direction parallel to the upper surface of the substrate 5 (-Y direction)) to It is configured to investigate (5a). However, it is not limited thereto, and for example, it may be configured to irradiate the first light from the side at an angle to the end portion 5a of the substrate 5.

처리부(73)는, 검출부(72)(수광 소자(72c))에 의해 검출된 제1광(11)의 광 강도 분포의 데이터를 수광 소자(72c)로부터 취득하여, 제1광(11)의 광 강도 분포로부터 얻어진 기판(5)의 에지의 위치 정보에 기초하여, 기판(5)의 에지 위치를 결정한다. 여기서, 본 실시 형태에서는, 제1광(11)의 광 강도 분포에서의 광 강도의 피크 위치에 기초하여 기판(5)의 에지의 위치 정보를 구하는 예에 대해 설명한다. 그러나, 그것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 제1광(11)의 광 강도 분포에서의 광 강도가 소정의 강도가 되는 위치에 기초하여 당해 위치 정보를 구해도 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 처리부(73)를 계측부(7)의 구성 요소로 하고 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 제어부(8)의 구성 요소로 해도 된다.The processing unit 73 acquires data of the light intensity distribution of the first light 11 detected by the detection unit 72 (the light receiving element 72c) from the light receiving element 72c, and Based on the positional information of the edge of the substrate 5 obtained from the light intensity distribution, the edge position of the substrate 5 is determined. Here, in this embodiment, an example in which position information of the edge of the substrate 5 is obtained based on the peak position of the light intensity in the light intensity distribution of the first light 11 will be described. However, the present invention is not limited thereto, and the positional information may be obtained based on, for example, a position at which the light intensity in the light intensity distribution of the first light 11 becomes a predetermined intensity. In addition, in the present embodiment, the processing unit 73 is used as a constituent element of the measurement unit 7, but is not limited thereto, and may be, for example, a constituent element of the control unit 8.

이와 같이 구성된 계측부(7)에서는, 기판 스테이지(6)에 의해 보유 지지된 기판(5)의 단부(5a)에 모따기 처리가 실시되어 있으면, 당해 단부(5a)에서 반사된 제1광에 기초하여 기판(5)의 에지 위치를 계측한 결과에 계측 오차(계측 오류)가 발생할 수 있다. 도 4는, 기판(5)의 두께보다 큰 광속 직경φ1을 갖는 제1광(11)을 기판(5)의 단부(5a)에 조사했을 때에 검출부(72)에 의해 검출된 제1광(11)의 광 강도 분포(21)를 나타내는 도면이다. 도 4에는, 제1광(11)의 광 강도 분포와, Y 방향에 있어서의 기판(5)의 단부(5a)의 위치와의 대응 관계를 알 수 있도록, 기판(5)의 단부(5a)도 함께 도시되어 있다.In the measurement unit 7 configured as described above, if the end portion 5a of the substrate 5 held by the substrate stage 6 is chamfered, based on the first light reflected from the end portion 5a. A measurement error (measurement error) may occur in the result of measuring the edge position of the substrate 5. FIG. 4 shows the first light detected by the detection unit 72 when the first light 11 having a beam diameter φ 1 larger than the thickness of the substrate 5 is irradiated to the end portion 5a of the substrate 5 ( It is a figure which shows the light intensity distribution 21 of 11). In Fig. 4, the end portion 5a of the substrate 5 is shown so that the relationship between the light intensity distribution of the first light 11 and the position of the end portion 5a of the substrate 5 in the Y direction can be seen. Also shown.

기판(5)의 단부(5a)에 모따기 처리가 실시되어 있으면, 기판(5)의 에지에서의 반사광은 수광 소자(72c)에 거의 입사하지 않고, 도 4의 화살표(22)로 나타낸 바와 같이, 기판(5)의 에지와는 상이한 개소에서의 반사광이 수광 소자(72c)에 입사한다. 그 때문에, 검출부(72)(수광 소자(72c))에서 검출된 제1광(11)의 광 강도 분포(21)에 있어서의 광 강도의 피크 위치 A가, 기판(5)의 에지에 대응하는 위치 B로부터 어긋나 버려, 광 강도의 피크 위치 A로부터 기판(5)의 에지 위치를 고정밀도로 구하는 것이 곤란해질 수 있다. 또한, 이러한 광 강도의 피크 위치 A와 기판(5)의 에지에 대응하는 위치 B의 어긋남(이하, 「피크 위치 어긋남」이라고 칭함)은, 도 4의 파선(23)으로 나타낸 바와 같이, 기판(5)의 단부(5a)의 모따기양에 따라 변화한다.When chamfering is performed on the end portion 5a of the substrate 5, the reflected light at the edge of the substrate 5 hardly enters the light-receiving element 72c, as indicated by the arrow 22 in FIG. 4, The reflected light from a location different from the edge of the substrate 5 enters the light receiving element 72c. Therefore, the peak position A of the light intensity in the light intensity distribution 21 of the first light 11 detected by the detection unit 72 (light receiving element 72c) corresponds to the edge of the substrate 5. It shifts from the position B, and it may become difficult to obtain the edge position of the substrate 5 with high accuracy from the peak position A of the light intensity. Incidentally, the shift between the peak position A of the light intensity and the position B corresponding to the edge of the substrate 5 (hereinafter, referred to as ``peak position shift'') is indicated by the broken line 23 in FIG. It varies according to the amount of chamfer of the end 5a of 5).

그래서, 본 실시 형태의 처리부(73)는, 사출부(10)부터 하측 방향으로 사출된 제2광(12)의 광로 내에 기판(5)의 단부(5a)와 검출부(72)를 배치하여 검출부(72)에 제2광(12)의 광 강도 분포를 검출시켜, 제2광(12)의 광 강도 분포에 기초하여 보정값을 사전에 생성한다. 보정값은, 피크 위치 어긋남에 기인하는 계측 오차를 보정하기 위한 것이다. 그리고, 처리부(73)는, 제1광(11)의 광 강도 분포로부터 얻어진 기판(5)의 에지의 위치 정보(광 강도의 피크 위치를 나타내는 정보)를, 사전에 생성된 보정값에 의해 보정하여, 그 결과에 기초하여 기판(5)의 에지 위치를 결정한다. 이에 의해, 기판(5)의 단부(5a)에서 반사된 제1광(11)에 기초하여 기판(5)의 에지 위치를 계측한 결과에 발생하는 계측 오차를 저감시키고, 기판(5)의 에지 위치를 고정밀도로 결정할 수 있다. 여기서, 사출부(10)는, 예를 들어 도 1에 도시된 바와 같이 투영 광학계(4)의 측방에 설치되고, 투영 광학계(4)(형성부) 또는 투영 광학계(4)를 지지하는 지지 부재에 의해 지지될 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 사출부(10)로부터 하측 방향으로 사출된 제2광(12)을 사용하여 보정값을 생성하지만, 여기에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 투영 광학계(4)로부터 하측 방향으로 사출된 광을 제2광(12)으로서 사용하여 보정값을 생성해도 된다. 즉, 투영 광학계(4)를 사출부(10)로서 사용해도 된다. 이와 같이 투영 광학계(4)로부터의 광을 제2광(12)으로서 사용하는 경우에는, 조명 광학계(3)와 투영 광학계(4) 사이의 광로 상에 마스크(1)가 배치되지 않은 상태인 것이 바람직하다.Therefore, the processing unit 73 of the present embodiment arranges the end portion 5a and the detection unit 72 of the substrate 5 in the optical path of the second light 12 emitted downward from the emission unit 10 to detect the detection unit. In (72), the light intensity distribution of the second light 12 is detected, and a correction value is generated in advance based on the light intensity distribution of the second light 12. The correction value is for correcting the measurement error caused by the peak position shift. Then, the processing unit 73 corrects the positional information (information indicating the peak position of the light intensity) of the edge of the substrate 5 obtained from the light intensity distribution of the first light 11 by a correction value generated in advance. Thus, the edge position of the substrate 5 is determined based on the result. As a result, measurement errors occurring as a result of measuring the edge position of the substrate 5 based on the first light 11 reflected from the end portion 5a of the substrate 5 are reduced, and the edge of the substrate 5 Position can be determined with high precision. Here, the ejection part 10 is provided on the side of the projection optical system 4, as shown in FIG. 1, for example, and a support member for supporting the projection optical system 4 (formation part) or the projection optical system 4 Can be supported by In addition, in this embodiment, the correction value is generated by using the second light 12 emitted from the emitting portion 10 in the downward direction, but is not limited thereto, for example, from the projection optical system 4 The light emitted in the direction may be used as the second light 12 to generate a correction value. In other words, the projection optical system 4 may be used as the emitting portion 10. When the light from the projection optical system 4 is used as the second light 12 in this way, the mask 1 is not disposed on the optical path between the illumination optical system 3 and the projection optical system 4. desirable.

이하에, 본 실시 형태에서의 기판(5)의 에지 위치를 계측하는 방법에 대해, 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 5는, 기판(5)의 에지 위치를 계측하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 이하의 설명에서는, 도 5에 나타내는 흐름도의 각 공정이 처리부(73)에 의해 행해지는 것으로 설명하지만, 제어부(8)에 의해 행하여져도 된다.Hereinafter, a method of measuring the edge position of the substrate 5 in the present embodiment will be described with reference to FIG. 5. 5 is a flowchart showing a method of measuring the edge position of the substrate 5. In the following description, although each step in the flowchart shown in FIG. 5 is described as being performed by the processing unit 73, it may be performed by the control unit 8.

S11에서는, 처리부(73)는, 기판 스테이지(6)에 의해 보유 지지된 기판(5)의 단부(5a)의 모따기양 정보를 취득한다. 예를 들어, 처리부(73)는, 모따기양 정보를, 노광 장치(100)에 설치된 입력부(마우스나 키보드) 등의 유저 인터페이스를 통하여 취득해도 되고, 통신 I/F를 통하여 외부의 컴퓨터로부터 취득해도 된다. 또한, 처리부(73)는, 기판(5)의 식별 ID와 모따기양 정보를 기억해 두고, 기판 스테이지(6)에 의해 보유 지지된 기판(5)의 식별 ID를 판독하여 모따기양 정보를 취득해도 된다. 여기서, 기판(5)의 단부(5a)의 모따기양은, 모따기 처리를 행할 때에 사용된 공구에 의해 정하고, 동일한 공구를 사용하여 모따기 처리가 행하여진 복수의 기판에서는, 모따기양이 거의 동일해질 수 있다. 따라서, 동일한 공구를 사용하여 모따기 처리가 행하여진 복수의 기판에서는, 동일한 모따기양 정보를 사용할 수 있다(즉, 공통의 보정값을 적용할 수 있음).In S11, the processing unit 73 acquires the chamfer amount information of the end portion 5a of the substrate 5 held by the substrate stage 6. For example, the processing unit 73 may acquire the chamfer amount information through a user interface such as an input unit (mouse or keyboard) installed in the exposure apparatus 100, or from an external computer through communication I/F. do. In addition, the processing unit 73 may store the identification ID and chamfer amount information of the substrate 5 and read the identification ID of the substrate 5 held by the substrate stage 6 to obtain the chamfer amount information. . Here, the chamfer amount of the end portion 5a of the substrate 5 is determined by the tool used when performing the chamfer treatment, and in a plurality of substrates subjected to the chamfer treatment using the same tool, the chamfer amount may be substantially the same. . Accordingly, the same chamfer amount information can be used in a plurality of substrates subjected to chamfering using the same tool (that is, a common correction value can be applied).

S12에서는, 처리부(73)는, S11에서 취득된 모따기양 정보에 대응하는 보정값이 기억되어 있는지 여부를 판단한다. S11에서 취득된 모따기양 정보에 대응하는 보정값이 기억되어 있지 않은 경우에는, 보정값을 새롭게 생성하는 공정(S13 내지 S17)을 행한다. 한편, S11에서 취득된 모따기양 정보에 대응하는 보정값이 기억되어 있는 경우에는, 기억되어 있는 보정값을 취득하여 S18로 진행한다.In S12, the processing unit 73 determines whether or not a correction value corresponding to the chamfer amount information acquired in S11 is stored. When the correction value corresponding to the chamfer amount information acquired in S11 is not stored, steps (S13 to S17) of newly generating a correction value are performed. On the other hand, when the correction value corresponding to the chamfer amount information acquired in S11 is stored, the stored correction value is acquired and the process proceeds to S18.

S13 내지 S17은, 보정값을 새롭게 생성하는 공정이다. S13 내지 S17의 공정은, 상술한 S11 내지 S12의 공정을 거침으로써, 예를 들어 로트의 최초의 기판에 대해 행하여질 수 있다.S13 to S17 are steps of newly generating a correction value. The processes of S13 to S17 can be performed, for example, for the first substrate of the lot by passing through the processes of S11 to S12 described above.

S13에서는, 처리부(73)는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 복수의 계측부(7) 중,소정의 하나의 계측부(7)에 있어서의 검출부(72)(및 기판(5)의 단부(5a))가, 사출부(10)로부터 사출된 제2광(12)의 광로 내에 배치되도록 기판 스테이지(6)를 이동시킨다. S14에서는, 처리부(73)는, 소정의 계측부(7)에 있어서의 검출부(72)가 제2광(12)의 광로 내에 배치되어 있는 상태로(즉, 기판(5)의 단부(5a)의 상방으로부터 당해 단부(5)에 제2광(12)을 조사하고 있는 상태로), 당해 검출부(72)에 제2광(12)의 광 강도 분포를 검출시킨다.In S13, the processing unit 73 is, as shown in FIG. 6, the detection unit 72 (and the end portion 5a of the substrate 5) in a predetermined measurement unit 7 among the plurality of measurement units 7 ) Moves the substrate stage 6 so that it is disposed in the optical path of the second light 12 emitted from the emitting portion 10. In S14, the processing unit 73 is in a state in which the detection unit 72 in the predetermined measurement unit 7 is disposed in the optical path of the second light 12 (that is, the end portion 5a of the substrate 5). In a state where the second light 12 is irradiated to the end portion 5 from above), the light intensity distribution of the second light 12 is detected by the detection unit 72.

도 7은, 광속 직경φ2를 갖는 제2광(12)을 기판(5)의 단부(5a)의 상방으로부터 당해 단부(5a)에 조사했을 때에 검출부(72)에 의해 검출된 제2광(12)의 광 강도 분포(31)를 나타내는 도면이다. 도 7에는, 제2광(12)의 광 강도 분포와, Y 방향에 있어서의 기판(5)의 단부(5a)의 위치의 대응 관계를 알 수 있도록, 기판(5)의 단부(5a)도 함께 도시되어 있다. 도 7에서의 영역 I는, 모따기 처리가 행해지지 않은기판(5)(유리 기판)의 영역이며, 영역 II는, 모따기 처리가 행하여진 기판(5)의 영역이며, 영역 III은, 기판(5)이 배치되지 않은 영역이다. 검출부(72)에 의해 검출된 제2광(12)의 광 강도 분포에서는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 영역 I에서의 광 강도가 영역 III에서의 광 강도보다 작아져, 영역 II에서의 광 강도가 영역 I에서의 광 강도보다 작아진다. 그리고, 영역 II와 영역 III과의 경계에서는, 광 강도가 급격하게 변화한다. 따라서, 처리부(73)는, 예를 들어 검출부(72)에서 검출된 제2광(12)의 광 강도 분포에 있어서 광 강도가 가장 변화하는 위치 C(즉, 광 강도의 미분값이 최대가 되는 위치 C)를, 기판(5)의 에지를 나타내는 위치 정보(제2 위치 정보)로서 구할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 제2광(12)의 광 강도 분포에 있어서 미분값이 최대가 되는 위치를 제2 위치 정보로서 구하고 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 다른 지표값에 기초하여 제2 위치 정보를 구해도 된다.7 shows the second light detected by the detection unit 72 when the second light 12 having a beam diameter φ 2 is irradiated to the end 5a from above the end 5a of the substrate 5 ( It is a figure which shows the light intensity distribution 31 of 12). In FIG. 7, an end portion 5a of the substrate 5 is also shown so that the relationship between the light intensity distribution of the second light 12 and the position of the end portion 5a of the substrate 5 in the Y direction can be seen. Shown together. Region I in FIG. 7 is a region of the substrate 5 (glass substrate) that has not been chamfered, region II is a region of the substrate 5 that has been chamfered, and region III is the substrate 5 ) Is not placed. In the light intensity distribution of the second light 12 detected by the detection unit 72, as shown in Fig. 7, the light intensity in the area I is smaller than the light intensity in the area III, and the light intensity in the area II Becomes smaller than the light intensity in region I. And, at the boundary between the region II and the region III, the light intensity rapidly changes. Therefore, the processing unit 73, for example, in the light intensity distribution of the second light 12 detected by the detection unit 72, the position C at which the light intensity changes most (that is, the differential value of the light intensity becomes the maximum). Position C) can be obtained as positional information (second positional information) indicating the edge of the substrate 5. In the present embodiment, the position at which the differential value is maximum in the light intensity distribution of the second light 12 is obtained as the second positional information. However, it is not limited thereto, for example, based on other index values. 2 You may obtain location information.

여기서, 제2광(12)의 광 강도 분포로부터 얻어진 제2 위치 정보는, 상술한 바와 같이 기판(5)의 에지 위치를 나타내고 있기 때문에, 당해 제2 위치 정보를 제2광(12)의 광 강도 분포로부터 구하면, 기판(5)의 에지 위치를 고정밀도로 계측할 수 있다. 그러나, 기판 스테이지(6)를 이동시키고, 제2광(12)의 광로 내에 검출부(72)를 배치하는 공정을, 복수의 검출부(72) 각각에 대해 순차 행하는 것은, 스루풋(생산성)의 관점에서 불리해질 수 있다. 또한, 사출부(10)를 기판 스테이지(6)에 설치해 버리면, 투영 광학계(4)(형성부)와 기판 스테이지(6)(기판(5))의 사이의 공간이 좁고, 당해 공간에 사출부(10)를 배치할 수 없기 때문에, 기판 스테이지(6)의 이동을 제한시켜 버리는 것이 될 수 있다. 그 때문에, 본 실시 형태에서는, 사출부(10)로부터 사출된 제2광(12)을, 보정값을 구하기 위해서만 사용하고 있다.Here, since the second positional information obtained from the light intensity distribution of the second light 12 indicates the edge position of the substrate 5 as described above, the second positional information is the light of the second light 12 When calculated from the intensity distribution, the edge position of the substrate 5 can be measured with high accuracy. However, the process of moving the substrate stage 6 and placing the detection unit 72 in the optical path of the second light 12 is sequentially performed for each of the plurality of detection units 72 from the viewpoint of throughput (productivity). It can be disadvantageous. In addition, if the ejection portion 10 is installed on the substrate stage 6, the space between the projection optical system 4 (formation portion) and the substrate stage 6 (substrate 5) is narrow, and the ejection portion is Since (10) cannot be arranged, it may limit the movement of the substrate stage 6. Therefore, in the present embodiment, the second light 12 emitted from the emitting portion 10 is used only to obtain a correction value.

S15에서는, 처리부(73)는, S14에서 제2 위치 정보를 구한 소정의 계측부(7)에서, 조사부(71)에 의해 기판(5)의 단부(5a)에 제1광(11)을 조사하여, 당해 단부(5a)에서 반사된 제1광(11)의 광 강도 분포를 검출부(72)에 검출시킨다. 그리고, 처리부(73)는, 도 4를 사용한 상술한 설명과 같이, 검출부(72)에 의해 검출된 제1광(11)의 광 강도 분포에서의 피크 위치에 기초하여, 기판(5)의 에지의 위치 정보(제1 위치 정보)를 구한다. S16에서는, 처리부(73)는, S14에서 구한 제2 위치 정보와 S15에서 구한 제1 위치 정보와의 차를, 보정값으로서 생성한다. S17에서는, 처리부(73)는, S16에서 생성한 보정값을, 기판(5)의 모따기양과 대응지어서 기억한다. S17이 종료되면 S18로 진행한다.In S15, the processing unit 73 irradiates the first light 11 to the end portion 5a of the substrate 5 by the irradiation unit 71 in the predetermined measurement unit 7 obtained by obtaining the second positional information in S14. , The light intensity distribution of the first light 11 reflected from the end portion 5a is detected by the detection unit 72. Then, the processing unit 73 is based on the peak position in the light intensity distribution of the first light 11 detected by the detection unit 72, as described above using Fig. 4, the edge of the substrate 5 The location information (first location information) of is obtained. In S16, the processing unit 73 generates a difference between the second positional information obtained in S14 and the first positional information obtained in S15 as a correction value. In S17, the processing unit 73 stores the correction value generated in S16 in correspondence with the amount of chamfer of the substrate 5. When S17 is finished, the process proceeds to S18.

도 8은, S14에 있어서 검출부(72)에 의해 검출된 제2광(12)의 광 강도 분포(31)와, S15에 있어서 검출부(72)에 의해 검출된 제1광(11)의 광 강도 분포(21)를 겹쳐서 나타낸 도면이다. 처리부(73)는, 예를 들어 제1광(11)의 광 강도 분포에서의 광 강도의 피크 위치 A를 제1 위치 정보로서 구함과 함께, 제2광(12)의 광 강도 분포에서의 광 강도의 미분값이 최대가 되는 위치 C를 제2 위치 정보로서 구한다. 이에 의해, 처리부(73)는, 제1 위치 정보와 제2 위치 정보와의 차(A-C)를 보정값으로서 구할 수 있다.8 shows the light intensity distribution 31 of the second light 12 detected by the detection unit 72 in S14 and the light intensity of the first light 11 detected by the detection unit 72 in S15. It is a diagram showing the distribution 21 superimposed. The processing unit 73 obtains, for example, the peak position A of the light intensity in the light intensity distribution of the first light 11 as the first position information, and the light in the light intensity distribution of the second light 12 The position C at which the differential value of the intensity becomes the maximum is obtained as the second position information. Thereby, the processing unit 73 can obtain the difference (A-C) between the first position information and the second position information as a correction value.

S18에서는, 처리부(73)는, 복수의 계측부(7)의 각각에 제1광(11)의 광 강도 분포를 검출시킨다. 구체적으로는, 처리부(73)는, 복수의 계측부(7)의 각각에 있어서, 조사부(71)에 의해 기판(5)의 단부(5a)에 제1광(11)을 조사하여, 당해 단부(5a)에서 반사한 제1광(11)의 광 강도 분포를 검출부(72)에 검출시킨다. S19에서는, 처리부(73)는, 복수의 계측부(7)의 각각에서 얻어진 제1광(11)의 광 강도 분포에 기초하여, 기판(5)의 에지의 위치 정보를 각각 구한다. S20에서는, 처리부(73)는, 복수의 계측부(7)의 각각에 대해, S19에서 얻어진 기판(5)의 에지의 위치 정보를, S12 또는 S16에서 얻어진 보정값에 의해 보정하여, 그 보정한 결과에 기초하여 기판(5)의 에지 위치를 결정한다. 이 때, 처리부(73)는, 복수의 계측부(7)의 각각에서 얻어진 기판(5)의 에지의 위치 정보에 대해, 공통의 보정값을 적용할 수 있다. 이러한 공정을 거침으로써, 기판(5)의 위치를 고정밀도로 구할 수 있다.In S18, the processing unit 73 makes each of the plurality of measurement units 7 detect the light intensity distribution of the first light 11. Specifically, the processing unit 73 irradiates the first light 11 to the end portion 5a of the substrate 5 by the irradiation unit 71 in each of the plurality of measurement units 7, and the end portion ( The light intensity distribution of the first light 11 reflected in 5a) is detected by the detection unit 72. In S19, the processing unit 73 obtains the positional information of the edge of the substrate 5, respectively, based on the light intensity distribution of the first light 11 obtained by each of the plurality of measurement units 7. In S20, the processing unit 73 corrects the positional information of the edge of the substrate 5 obtained in S19 for each of the plurality of measurement units 7 by the correction value obtained in S12 or S16, and the result of the correction The edge position of the substrate 5 is determined on the basis of. At this time, the processing unit 73 can apply a common correction value to the positional information of the edge of the substrate 5 obtained by each of the plurality of measurement units 7. By passing through such a process, the position of the substrate 5 can be determined with high precision.

상술한 바와 같이, 본 실시 형태의 노광 장치(100)는, 기판(5)의 단부(5a)의 측방으로부터 당해 단부(5a)에 제1광(11)을 조사하여, 당해 단부(5a)에서 반사된 제1광(11)의 광 강도 분포를 검출한다. 그리고, 제1광(11)의 광 강도 분포로부터 얻어진 기판(5)의 에지의 위치 정보를, 사전에 생성된 보정값에 의해 보정하여, 그 결과에 기초하여 기판(5)의 에지 위치를 결정한다. 이에 의해, 기판(5)의 단부(5a)에서 반사된 제1광(11)에 기초하여 기판(5)의 에지 위치를 계측한 결과에 발생하는 계측 오차를 저감하고, 기판(5)의 에지 위치를 고정밀도로 계측할 수 있다.As described above, the exposure apparatus 100 of the present embodiment irradiates the first light 11 to the end portion 5a from the side of the end portion 5a of the substrate 5, and at the end portion 5a. The light intensity distribution of the reflected first light 11 is detected. Then, the position information of the edge of the substrate 5 obtained from the light intensity distribution of the first light 11 is corrected by a correction value generated in advance, and the edge position of the substrate 5 is determined based on the result. do. Thereby, the measurement error generated as a result of measuring the edge position of the substrate 5 based on the first light 11 reflected from the end portion 5a of the substrate 5 is reduced, and the edge of the substrate 5 Position can be measured with high precision.

<제2 실시 형태><2nd embodiment>

본 발명에 관한 제2 실시 형태의 노광 장치에 대해 설명한다. 제1 실시 형태에서는, 보정값이 기억되지 않은 모따기양을 갖는 기판(5)이 기판 스테이지(6)에 의해 보유 지지된 경우, 보정값을 새롭게 취득하여, 새롭게 취득된 보정값을 당해 기판(5)의 모따기양에 대응지어서 기억하는 예에 대해 설명했다. 그러나, 새롭게 취득된 보정값을 기억하는 것이 아니라, 새롭게 취득된 보정값과 이미 기억되어 있는 보정값의 차분값을 기억해도 된다. 제2 실시 형태에서는, 처리부(73)가 당해 차분값을 기억하는 예에 대해 설명한다. 여기서, 제2 실시 형태의 노광 장치는, 제1 실시 형태의 노광 장치(100)와 장치 구성이 마찬가지이기 때문에, 여기서는 장치 구성의 설명을 생략한다.An exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment, when the substrate 5 having the chamfer amount in which the correction value is not stored is held by the substrate stage 6, a correction value is newly acquired, and the newly acquired correction value is applied to the substrate 5 An example of remembering by matching the amount of chamfer of) was explained. However, instead of storing the newly acquired correction value, a difference value between the newly acquired correction value and the already stored correction value may be stored. In the second embodiment, an example in which the processing unit 73 stores the difference value will be described. Here, since the exposure apparatus of the second embodiment has the same configuration as that of the exposure apparatus 100 of the first embodiment, description of the apparatus configuration is omitted here.

예를 들어, 도 8에 나타낸 바와 같이, 제1광(11)의 광 강도 분포에서의 광 강도의 피크 위치 A(제1 위치 정보)와, 제2광(12)의 광 강도 분포에서의 광 강도의 미분값이 최대가 되는 위치 C(제2 위치 정보)의 차가 보정값으로서 처리부(73)에 이미 기억되어 있다고 하자. 그리고, 보정값이 기억되지 않은 모따기양을 갖는 신규 기판(5)이 기판 스테이지(6)에 의해 보유 지지된 경우, 처리부(73)는, 도 7에 나타내는 흐름도에 있어서의 S13 내지 S16의 공정을 행한다. 이 때에 취득된 제1광(11)의 광 강도 분포(21')와 제2광(12)의 광 강도 분포(31')를 도 9에 나타낸다. 도 9에 나타내는 예에서는, 제1광(11)의 광 강도 분포에서의 광 강도의 피크 위치 A'에 기초하여 제1 위치 정보가 구해지고, 제2광(12)의 광 강도 분포에서의 광 강도의 미분값이 최대가 되는 위치 Ｃ'에 기초하여 제2 위치 정보를 구할 수 있다.For example, as shown in FIG. 8, the peak position A of the light intensity in the light intensity distribution of the first light 11 (first position information) and the light in the light intensity distribution of the second light 12 It is assumed that the difference between the position C (second position information) at which the differential value of the intensity is the maximum is already stored in the processing unit 73 as a correction value. And, when the new substrate 5 having the chamfer amount for which the correction value is not stored is held by the substrate stage 6, the processing unit 73 performs steps S13 to S16 in the flowchart shown in FIG. Do. 9 shows the light intensity distribution 21' of the first light 11 and the light intensity distribution 31' of the second light 12 acquired at this time. In the example shown in Fig. 9, first position information is obtained based on the peak position A'of the light intensity in the light intensity distribution of the first light 11, and the light in the light intensity distribution of the second light 12 The second position information can be obtained based on the position C'at which the differential value of the intensity becomes the maximum.

이 경우, 처리부(73)는, 이미 기억되어 있는 보정값(A-C)과 새롭게 구한 보정값(A'-Ｃ')의 차분값α를 이하의 식 (1)에 의해 구하고, S17에 있어서, 새롭게 구한 보정값 대신에 차분값α를, 신규 기판(5)의 모따기양과 대응지어서 기억한다. 그리고, 처리부(73)는, 신규 기판에 대해 보정값(A'-Ｃ')을 적용할 때에는, 당해 보정값을 식 (2)에 의해 구한다. 여기서, 처리부(73)는, 차분값α가 소정의 임계값보다 작은 경우에는, 이미 기억되어 있는 보정값을 신규인 기판(5)의 모따기양과 대응지어서 기억해도 된다.In this case, the processing unit 73 calculates the difference value α between the previously stored correction value AC and the newly obtained correction value A'-C' by the following equation (1), and in S17, a new Instead of the obtained correction value, the difference value α is stored in correspondence with the chamfer amount of the new substrate 5. And, when applying the correction value (A'-C') to the new substrate, the processing unit 73 obtains the correction value by Equation (2). Here, when the difference value α is smaller than a predetermined threshold value, the processing unit 73 may store the already stored correction value in correspondence with the amount of chamfer of the new substrate 5.

α=(A'-Ｃ')-(A-C)… (1)α=(A'-C')-(A-C)... (One)

A'-Ｃ'=(A-C)+α… (2)A'-C'=(A-C)+α... (2)

<물품의 제조 방법의 실시 형태><Embodiment of manufacturing method of article>

본 발명의 실시 형태에 관한 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 상기 리소그래피 장치(노광 장치)를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 공정과, 이러한 공정에서 패턴을 형성된 기판을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.The manufacturing method of an article according to the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a micro device such as a semiconductor device or an element having a fine structure, for example. The manufacturing method of an article of the present embodiment includes a step of forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus (exposure apparatus), and a step of processing the substrate on which the pattern is formed in this step. In addition, this manufacturing method includes other well-known processes (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The manufacturing method of the article of the present embodiment is advantageous in terms of at least one of performance, quality, productivity, and production cost of the article, compared to the conventional method.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 물론, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.As described above, preferred embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes are possible within the scope of the gist.

1: 마스크
2: 마스크 스테이지
3: 조명 광학계
4: 투영 광학계
5: 기판
6: 기판 스테이지
7: 계측부
71: 조사부
72: 검출부
73: 처리부
8: 제어부
10: 사출부
100: 노광 장치1: mask
2: mask stage
3: illumination optical system
4: projection optical system
5: substrate
6: substrate stage
7: measurement unit
71: investigation department
72: detection unit
73: processing unit
8: control unit
10: ejection part
100: exposure apparatus

Claims (11)

기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이며,
기판을 보유 지지하여 이동 가능한 스테이지와,
상기 스테이지에 의해 보유 지지된 기판의 측방으로부터 당해 기판의 단부에 제1광을 조사하는 조사부와,
상기 조사부에 의해 상기 제1광이 조사되는 기판의 단부 하방에 배치되어, 당해 단부에서 반사된 상기 제1광의 광 강도 분포를 검출하는 검출부와,
상기 제1광의 광 강도 분포로부터 얻어진 상기 기판의 에지의 위치 정보를 보정값에 의해 보정한 결과에 기초하여, 상기 기판의 에지 위치를 결정하는 처리부
를 포함하며,
상기 조사부 및 상기 검출부는, 상기 스테이지에 설치되고,
상기 처리부는, 상기 스테이지에 의해 보유 지지된 기판의 단부에 상기 제1광을 조사한 상태에서 상기 검출부에 의해 검출된 상기 제1광의 광 강도 분포와, 하측 방향으로 사출된 제2광의 광로 내에 당해 단부를 배치한 상태에서 상기 검출부에 의해 검출된 상기 제2광의 광 강도 분포에 기초하여, 상기 보정값을 생성하는,
것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.It is a lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate,
A stage that can be moved by holding a substrate,
An irradiation unit for irradiating a first light onto an end portion of the substrate from the side of the substrate held by the stage,
A detection unit disposed below an end portion of the substrate to which the first light is irradiated by the irradiation unit and detecting a light intensity distribution of the first light reflected from the end portion;
A processing unit that determines the edge position of the substrate based on a result of correcting the positional information of the edge of the substrate obtained from the light intensity distribution of the first light by a correction value
Including,
The irradiation unit and the detection unit are installed on the stage,
The processing unit includes a light intensity distribution of the first light detected by the detection unit in a state in which the end of the substrate held by the stage is irradiated with the first light, and the end in the optical path of the second light emitted downward. Generating the correction value based on the light intensity distribution of the second light detected by the detection unit in a state in which is arranged,
A lithographic apparatus, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 제1광의 광 강도 분포와 상기 제2광의 광 강도 분포에 기초하여 생성된 상기 보정값을, 기판의 단부 모따기양에 대응지어서 기억하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.The lithography according to claim 1, wherein the processing unit stores the correction value generated based on the light intensity distribution of the first light and the light intensity distribution of the second light in correspondence with an edge chamfer amount of the substrate. Device. 제2항에 있어서, 상기 처리부는, 보정값이 기억되지 않은 모따기양의 단부를 갖는 기판이 상기 스테이지에 의해 보유 지지된 경우에, 당해 기판에 대응하는 보정값을 새롭게 생성하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.The lithography according to claim 2, wherein the processing unit newly generates a correction value corresponding to the substrate when a substrate having a chamfered end in which the correction value is not stored is held by the stage. Device. 제3항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 스테이지에 의해 보유 지지된 기판의 단부 모따기양 정보를 취득하여, 당해 모따기양 정보에 기초하여 보정값을 새롭게 생성할지 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.The lithographic apparatus according to claim 3, wherein the processing unit acquires end chamfer amount information of the substrate held by the stage, and determines whether to newly generate a correction value based on the chamfer amount information. . 제1항에 있어서, 상기 처리부는, 단부의 모따기양이 동일한 복수의 기판에 대해 공통의 보정값을 적용하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.The lithographic apparatus according to claim 1, wherein the processing unit applies a common correction value to a plurality of substrates having the same amount of chamfer at the ends. 제1항에 있어서, 상기 스테이지에는, 복수의 상기 조사부 및 복수의 상기 검출부가 설치되고,
상기 처리부는, 복수의 상기 검출부에서 각각 얻어진 위치 정보에 대해 공통의 보정값을 적용하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.The method of claim 1, wherein the stage is provided with a plurality of the irradiation units and a plurality of the detection units,
The lithographic apparatus, wherein the processing unit applies a common correction value to the positional information obtained from each of the plurality of detection units. 제1항에 있어서, 광 또는 빔을 기판에 조사하여 당해 기판 상에 패턴을 형성하는 형성부를 더 포함하며,
상기 스테이지는, 상기 형성부의 하방에서 이동 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.The method of claim 1, further comprising a forming portion for forming a pattern on the substrate by irradiating light or a beam to the substrate,
The lithographic apparatus, wherein the stage is configured to be movable under the formation portion. 제7항에 있어서, 하측 방향으로 상기 제2광을 사출하는 사출부를 더 포함하며,
상기 사출부는, 상기 형성부의 측방에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.The method of claim 7, further comprising an emitting unit for emitting the second light in a downward direction,
The lithographic apparatus, wherein the ejection portion is disposed on a side of the forming portion. 제1항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 제1광의 광 강도 분포로부터 얻어진 기판의 에지의 제1 위치 정보와, 상기 제2광의 광 강도 분포로부터 얻어진 기판의 에지의 제2 위치 정보의 차에 기초하여 보정값을 생성하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.The method of claim 1, wherein the processing unit is based on a difference between first position information of the edge of the substrate obtained from the light intensity distribution of the first light and the second positional information of the edge of the substrate obtained from the light intensity distribution of the second light. To generate a correction value. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 리소그래피 장치를 이용하여 패턴을 기판에 형성하는 공정과,
상기 공정에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.A step of forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to any one of claims 1 to 9, and
Process of processing the substrate on which the pattern is formed in the process
A method of manufacturing an article comprising a. 스테이지에 의해 보유 지지된 기판의 에지 위치를 계측하는 계측 장치이며,
기판의 측방으로부터 당해 기판의 단부에 제1광을 조사하는 조사부와,
상기 조사부에 의해 상기 제1광이 조사되는 기판의 단부 하방에 배치되어, 당해 단부에서 반사된 상기 제1광의 광 강도 분포를 검출하는 검출부와,
상기 제1광의 광 강도 분포로부터 얻어진 상기 기판의 에지의 위치 정보를 보정값에 의해 보정한 결과에 기초하여, 상기 기판의 에지 위치를 결정하는 처리부
를 포함하며,
상기 조사부 및 상기 검출부는, 상기 스테이지에 설치되고,
상기 처리부는, 기판의 단부에 상기 제1광을 조사한 상태에서 상기 검출부에 의해 검출된 상기 제1광의 광 강도 분포와, 하측 방향으로 사출된 제2광의 광로 내에 당해 단부를 배치한 상태에서 상기 검출부에 의해 검출된 상기 제2광의 광 강도 분포에 기초하여, 상기 보정값을 생성하는
것을 특징으로 하는 계측 장치.It is a measuring device that measures the edge position of the substrate held by the stage,
An irradiation unit for irradiating a first light onto an end of the substrate from the side of the substrate
A detection unit disposed below an end portion of the substrate to which the first light is irradiated by the irradiation unit and detecting a light intensity distribution of the first light reflected from the end portion;
A processing unit for determining the edge position of the substrate based on a result of correcting the position information of the edge of the substrate obtained from the light intensity distribution of the first light by a correction value
Including,
The irradiation unit and the detection unit are installed on the stage,
The processing unit includes the light intensity distribution of the first light detected by the detection unit in a state where the first light is irradiated to the end of the substrate, and the detection unit in a state in which the end is disposed in the optical path of the second light emitted downward. To generate the correction value based on the light intensity distribution of the second light detected by
A measuring device, characterized in that.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7222660B2 (en) * 2018-10-30 2023-02-15 キヤノン株式会社 Stage apparatus, lithographic apparatus, and method of manufacturing article
CN111750774B (en) * 2019-03-29 2021-09-24 上海微电子装备（集团）股份有限公司 Optical measuring device and method
JP7469864B2 (en) * 2019-10-21 2024-04-17 キヤノン株式会社 Positioning apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing article

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001241921A (en) 2000-03-01 2001-09-07 Nippon Electric Glass Co Ltd Method of measuring size of sheet glass
WO2004079352A1 (en) 2003-03-04 2004-09-16 Mitsuboshi Diamond Industrial Co. Ltd. Inspection device for transparent substrate end surface and inspection method therefor
JP2010117323A (en) 2008-11-14 2010-05-27 Nikon Corp Surface inspection apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3590916B2 (en) * 1995-12-28 2004-11-17 株式会社ニコン Positioning method
JP4048385B2 (en) * 1996-08-19 2008-02-20 株式会社ニコン Optical pre-alignment apparatus and exposure apparatus provided with the pre-alignment apparatus
JP2001194320A (en) * 2000-01-06 2001-07-19 Advantest Corp Device and method for measuring surface condition
JP3795820B2 (en) * 2002-03-27 2006-07-12 株式会社東芝 Substrate alignment device
KR100516405B1 (en) * 2003-02-28 2005-09-22 삼성전자주식회사 Apparatus for inspecting an edge exposure area of wafer
JP4886549B2 (en) * 2007-02-26 2012-02-29 株式会社東芝 Position detection apparatus and position detection method
DE102009044294A1 (en) * 2009-10-20 2011-05-05 Kla-Tencor Mie Gmbh Coordinate measuring machine for determining the position of structures on a mask
CN102402127B (en) * 2010-09-17 2014-01-22 上海微电子装备有限公司 Silicon chip prealignment device and silicon chip prealignment method
US9841299B2 (en) * 2014-11-28 2017-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Position determining device, position determining method, lithographic apparatus, and method for manufacturing object

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001241921A (en) 2000-03-01 2001-09-07 Nippon Electric Glass Co Ltd Method of measuring size of sheet glass
WO2004079352A1 (en) 2003-03-04 2004-09-16 Mitsuboshi Diamond Industrial Co. Ltd. Inspection device for transparent substrate end surface and inspection method therefor
JP2010117323A (en) 2008-11-14 2010-05-27 Nikon Corp Surface inspection apparatus

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