KR102180216B1 - Method for detecting defects in passivation layer of organic electronic device and method for fabricating organic electronic device using method thereof - Google Patents

Method for detecting defects in passivation layer of organic electronic device and method for fabricating organic electronic device using method thereof Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기전자소자의 보호층에 발생한 결함을 보다 간단하고 신속하게 검출할 수 있는 방법에 관한 것으로, 기판 및 상기 기판 상에 적층된 유기물층, 전극층들, 및 보호층을 포함하는 유기전자소자를 제공하는 것; 상기 보호층에 상기 보호층 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공하는 것; 및 상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에 전도체를 제공하여, 상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것을 포함하는 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for more simply and quickly detecting defects occurring in a protective layer of an organic electronic device, and an organic electronic device including a substrate and an organic material layer, electrode layers, and a protective layer stacked on the substrate. To provide; Providing a fluid compound having a higher dielectric constant than the protective layer in the protective layer; And providing a conductor on the protective layer provided with the fluid compound to measure the amount of change in the capacitance of the protective layer.

Description

유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법 및 이를 이용한 유기전자소자의 제조방법{Method for detecting defects in passivation layer of organic electronic device and method for fabricating organic electronic device using method thereof}TECHNICAL FIELD [Method for detecting defects in passivation layer of organic electronic device and method for fabricating organic electronic device using method thereof]

본 발명은 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기전자소자의 보호층의 전기용량 측정을 통한 결함 검출 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for detecting defects in a protective layer of an organic electronic device, and more particularly, to a method for detecting defects by measuring capacitance of a protective layer of an organic electronic device.

반도체 소자 또는 디스플레이 소자는 일반적으로 먼지나, 작은 입자 등에 매우 취약하므로, 소자의 물리화학적 보호를 위해 소자 위에 보호층(passivation layer)을 쌓는다. 특히, 유기발광다이오드와 같은 유기전자소자에 있어서, 유기물층은 수분과 산소에 매우 취약하기 때문에 유리나 금속덮개(Metal lid) 등의 기판을 사용하여 유기전자소자의 상부를 봉지(encapsulation)해야 한다. 하지만 봉지 전에도 수분과 산소에 의해 소자가 손상을 받을 수 있기 때문에, 보호층을 소자 위에 견고하게 형성해야할 필요가 있다. 특히, 최근에는 유연(flexible) 디스플레이에 대한 관심이 높아지면서, 유연 봉지 기술에 관한 관심도 같이 높아지고 있다. 기존의 유리와 같은 소재를 이용한 봉지기술은 유연 특성이 없기 때문에, 유연 봉지를 위해서 주로 박막(film), 즉 보호층을 이용하고 있다. 유기전자소자용 수분투과 방지막으로서 요구되는 보호층 사양은 산소투과율이 10-4 ㎤/㎡/day/atm 이하, 수분투과율이 10-6 g/㎡/day 이하 정도이다. Since semiconductor devices or display devices are generally very vulnerable to dust or small particles, a passivation layer is deposited on the device for physicochemical protection of the device. In particular, in an organic electronic device such as an organic light emitting diode, the organic material layer is very vulnerable to moisture and oxygen, and thus the upper portion of the organic electronic device must be encapsulated using a substrate such as glass or a metal lid. However, even before encapsulation, since the device may be damaged by moisture and oxygen, it is necessary to firmly form a protective layer on the device. In particular, as interest in flexible displays increases in recent years, interest in flexible encapsulation technology is also increasing. Since the conventional sealing technology using a material such as glass does not have a flexible property, a film, that is, a protective layer, is mainly used for flexible sealing. The protective layer specification required as a moisture-permeable barrier for organic electronic devices is about 10 -4 cm 3 /m 2 /day/atm or less of oxygen permeability and 10 -6 g/m 2 /day or less of moisture permeability.

산소 및 수분 투과도가 매우 낮은 박막을 보호층으로 사용한다 할지라도, 실제 소자에 적용할 때 보호층에 미세한 결함의 발생과 같은 문제가 생길 수 있다. 예를 들어, 보호층을 증착하기 전후로 이물질이 발생하여 결함이 발생할 수 있고, 또는 균일하게 보호막이 증착 되지 않아서 핀홀이 발생할 수 있다. 이와 같은 결함이 발생할 경우 패널의 불량을 일으키기 때문에, 전체 패널 공정을 진행하기 전에 보호층의 결함을 검출하는 것은 매우 중요하다. 하지만 소자 상에 보호층까지 적층된 상태에서 보호층의 결함을 확인하는 것은 쉽지않다. 특히, 보호층의 결함은 일반적으로 매우 미세하기 때문에 검출 시간이 많이 소모되므로, 소자의 수율에 영향을 미치게 된다. 그래서 보호층의 결함을 빠르고 정확하게 검출하는 기술이 매우 중요하게 요구되는 실정이다.Even if a thin film having very low oxygen and moisture permeability is used as a protective layer, problems such as generation of microscopic defects in the protective layer may occur when applied to an actual device. For example, a defect may occur because foreign matters are generated before and after the protective layer is deposited, or a pinhole may occur because the protective layer is not uniformly deposited. Since such defects may cause panel defects, it is very important to detect defects in the protective layer before proceeding with the entire panel process. However, it is not easy to check the defects of the protective layer in the state where the protective layer is stacked on the device. In particular, since defects in the protective layer are generally very fine, detection time is consumed a lot, which affects the yield of the device. Therefore, a technology for quickly and accurately detecting defects in the protective layer is very important.

종래에는 보호층의 결함을 검출하기 위하여, 주로 카메라를 이용한 이미지 분석 방법을 사용하거나, 전류, 전압 또는 용액을 이용한 방법을 사용하였다. 그러나 카메라를 이용한 이미지 분석 방법의 경우, 각 픽셀을 스캔해서 정상 이미지와 비교해야 하므로 시간이 오래 걸리고 정확도도 높지 않은 문제가 있다. 나아가 보다 미세한 결함을 검출하기 위해서는 고가의 카메라와 센서 등이 필요하다. 전류, 전압 또는 용액을 이용한 방법의 경우, 소자에 손상이 가해질 수 있다는 문제가 있다.
Conventionally, in order to detect defects in the protective layer, an image analysis method mainly using a camera or a method using current, voltage, or solution was used. However, in the case of an image analysis method using a camera, since each pixel must be scanned and compared with a normal image, there is a problem that it takes a long time and the accuracy is not high. Furthermore, expensive cameras and sensors are required to detect finer defects. In the case of a method using current, voltage, or solution, there is a problem that damage may be applied to the device.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유기전자소자의 보호층에 발생한 결함을 보다 간단하고 신속하게 검출할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for detecting defects occurring in the protective layer of an organic electronic device more simply and quickly.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기 검출 방법을 이용한 유기전자소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
Another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method of manufacturing an organic electronic device using the detection method.

본 발명의 개념에 따른, 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법은, 기판 및 상기 기판 상에 적층된 유기물층, 전극층들, 및 보호층을 포함하는 유기전자소자를 제공하는 것; 상기 보호층에 상기 보호층 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공하는 것; 및 상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에 전도체를 제공하여, 상기 보호층의 전기용량(capacitance)의 변화량을 측정하는 것을 포함할 수 있다.According to the concept of the present invention, a method for detecting defects in a protective layer of an organic electronic device includes providing an organic electronic device including a substrate and an organic material layer, electrode layers, and a protective layer stacked on the substrate; Providing a fluid compound having a higher dielectric constant than the protective layer in the protective layer; And by providing a conductor on the protective layer provided with the fluid compound, it may include measuring a change amount of the capacitance (capacitance) of the protective layer.

상기 보호층은 이물질, 핀홀 또는 이들의 조합을 포함하는 결함영역을 포함할 수 있고, 상기 유체 화합물은 상기 보호층의 결함영역에 침투되어 상기 결함영역의 전기용량을 변화시킬 수 있다.The protective layer may include a defective region including foreign substances, pinholes, or a combination thereof, and the fluid compound may penetrate the defective region of the protective layer to change the capacitance of the defective region.

나아가, 상기 보호층은 상기 결함영역을 제외한 다른 영역인 미결함영역을 포함할 수 있다.Furthermore, the protective layer may include a non-defective region other than the defective region.

상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것은, 상기 미결함영역의 전기용량을 측정하여 정상 범위의 값으로 설정하는 것; 상기 보호층 상의 일 영역의 전기용량을 측정하여, 상기 정상 범위 값과 비교하는 것; 및 전기용량의 변화가 발생한 상기 일 영역이 상기 결함영역인 것으로 검출하는 것을 포함할 수 있다.Measuring the amount of change in the capacitance of the protective layer may include measuring the capacitance of the non-defective region and setting it to a value in a normal range; Measuring the capacitance of a region on the protective layer and comparing it with the normal range value; And detecting that the one area in which the change in capacitance has occurred is the defective area.

상기 유체 화합물은 유전상수가 15 이상일 수 있다.The fluid compound may have a dielectric constant of 15 or more.

상기 유체 화합물은 물(H2O), 아세톤(Acetone), 아세토니트릴(Acetonitrile), N,N-디메틸아세트아미드(N,N-Dimethylacetamide),N,N-디메틸포름아미드(N,N-Dimethylformamide), 디메틸 술폭시드(Dimethyl sulfoxide), 에탄올(Ethanol), 포름아미드(Formamide), 헥사메틸포스포아미드(Hexamethylphosphoramide), 이소프로필 알콜(Isopropyl alcohol), 메탄올(Methanol), 니트로벤젠(Nitrobenzene) 및 니트로메탄(Nitromethane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The fluid compound is water (H 2 O), acetone (Acetone), acetonitrile (Acetonitrile), N,N-dimethylacetamide (N,N-Dimethylacetamide), N,N-dimethylformamide (N,N-Dimethylformamide) ), dimethyl sulfoxide, ethanol, formamide, hexamethylphosphoramide, isopropyl alcohol, methanol, nitrobenzene, and nitro It may contain at least one of methane (Nitromethane).

상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것은, 상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에 전도체를 제공하여, 상기 전도체를 제1 전극, 상기 전극층들 중 어느 하나를 제2 전극 및 상기 보호층을 절연체로 하는 캐패시터를 형성하는 것; 상기 제1 전극 및 제2 전극에 전위차가 발생하도록 전압을 인가하는 것; 및 상기 제1 전극 아래에 위치하는, 상기 보호층 상의 일 영역의 전기용량의 변화량을 측정하는 것을 포함할 수 있다.Measuring the amount of change in the capacitance of the protective layer may include providing a conductor on the protective layer provided with the fluid compound, forming the conductor as a first electrode, and forming any one of the electrode layers as a second electrode and the protective layer. Forming a capacitor made of an insulator; Applying a voltage to the first electrode and the second electrode to generate a potential difference; And measuring an amount of change in capacitance of a region on the protective layer that is located under the first electrode.

상기 전도체는 캐패시터 전극 또는 탐침일 수 있다. 나아가 상기 전도체는 제1 수은 전극 및 제2 수은 전극을 포함하는 수은 탐침일 수 있다.The conductor may be a capacitor electrode or a probe. Furthermore, the conductor may be a mercury probe including a first mercury electrode and a second mercury electrode.

상기 전도체가 수은 탐침인 경우, 상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것은, 상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에, 상기 제1 수은 전극 및 제2 수은 전극과 상기 보호층간의 컨택 영역을 형성하는 것; 상기 제1 수은 전극 및 제2 수은 전극에 전위차가 발생하도록 전압을 인가하는 것; 및 상기 컨택 영역의 전기용량의 변화량을 측정하는 것을 포함할 수 있다.When the conductor is a mercury probe, measuring the amount of change in the capacitance of the protective layer includes, on the protective layer provided with the fluid compound, a contact area between the first and second mercury electrodes and the protective layer. To form; Applying a voltage to the first mercury electrode and the second mercury electrode to generate a potential difference; And measuring the amount of change in the capacitance of the contact area.

상기 보호층은 무기 절연체, 유기 절연체 또는 이들의 조합일 수 있다.The protective layer may be an inorganic insulator, an organic insulator, or a combination thereof.

본 발명의 또 다른 개념에 따른, 유기전자소자의 제조 방법은, 기판 상에 유기물층, 전극층들 및 보호층을 형성하는 것; 상기 보호층에 상기 보호층 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공하는 것; 상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에 전도체를 제공하여, 상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것; 및 상기 보호층 상에 봉지층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.According to another concept of the present invention, a method of manufacturing an organic electronic device includes forming an organic material layer, electrode layers, and a protective layer on a substrate; Providing a fluid compound having a higher dielectric constant than the protective layer in the protective layer; Providing a conductor on the protective layer provided with the fluid compound to measure the amount of change in electric capacity of the protective layer; And it may include forming an encapsulation layer on the protective layer.

상기 보호층은 이물질, 핀홀 또는 이들의 조합을 포함하는 결함영역을 포함하고, 상기 유체 화합물은 상기 보호층의 결함영역에 침투되어 상기 결함영역의 전기용량을 변화시킬 수 있다.The protective layer may include a defective region including foreign substances, pinholes, or a combination thereof, and the fluid compound may penetrate into the defective region of the protective layer to change the capacitance of the defective region.

본 발명에 따른 상기 유기전자소자의 제조 방법은, 전기용량의 변화가 발생한 상기 결함영역을 검출하는 것; 및 상기 결함영역 상에 보호층을 추가로 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing the organic electronic device according to the present invention includes detecting the defective area in which a change in capacitance has occurred; And further forming a protective layer on the defective region.

상기 유기물층의 형성은, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 적층하여 형성하는 것을 포함할 수 있다.
The formation of the organic material layer may include forming a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer by stacking them.

본 발명은 유기물층을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 보호층을 포함하는 유기전자소자에 있어서, 상기 보호층의 전기용량 측정을 통해 소자에 손상을 주지 않으면서 빠르고 정확하게 보호층의 결함을 검출할 수 있다. 또한, 상기 보호층의 미세한 결함도 신뢰성 높게 검출할 수 있어, 전체 패널 공정의 수율 향상에 큰 영향을 줄 수 있다.
In the present invention, in an organic electronic device including a protective layer for protecting an organic material layer from an external environment, defects in the protective layer can be quickly and accurately detected without damaging the device by measuring the capacitance of the protective layer. In addition, fine defects in the protective layer can be detected with high reliability, and thus, it can have a great effect on improving the yield of the entire panel process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드를 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드에 발생한 결함의 예들을 도시한 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법 및 유기전자소자의 제조 방법의 순서도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법을 도시한 단면도이다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법을 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전자소자의 제조 방법을 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실험예에 따른 실험군(O2)과 대조군(O1)의 전기용량 측정 결과를 도시한 그래프이다.1 is a cross-sectional view showing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
2A to 2E are cross-sectional views illustrating examples of defects occurring in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a method of detecting a defect in a protective layer of an organic electronic device and a method of manufacturing an organic electronic device according to an embodiment of the present invention.
4 to 6 are cross-sectional views illustrating a method of detecting a defect in a protective layer of an organic electronic device according to an embodiment of the present invention.
7A to 7C are cross-sectional views illustrating a method of detecting a defect in a protective layer of an organic electronic device according to an embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing an organic electronic device according to an embodiment of the present invention.
9 is a graph showing the result of measuring the capacitance of the experimental group (O2) and the control group (O1) according to an experimental example of the present invention.

이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.The above objects, other objects, features, and advantages of the present invention will be easily understood through the following preferred embodiments related to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 막(또는 층)이 다른 막(또는 층) 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막(또는 층) 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막(또는 층)이 개재될 수도 있다 또한, 도면들에 있어서, 구성들의 크기 및 두께 등은 명확성을 위하여 과장된 것이다. 또한, 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어가 다양한 영역, 막들(또는 층들) 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 막(또는 층)을 다른 영역 또는 막(또는 층)과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에의 제 1막질로 언급된 막질이 다른 실시 예에서는 제 2막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 본 명세서에서 '및/또는' 이란 표현은 전후에 나열된 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용된다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.In this specification, when it is mentioned that a film (or layer) is on another film (or layer) or substrate, it may be formed directly on the other film (or layer) or substrate, or a third film between them (Or a layer) may be interposed In addition, in the drawings, the size and thickness of the components are exaggerated for clarity. In addition, in various embodiments of the present specification, terms such as first, second, and third are used to describe various regions, films (or layers), etc., but these regions and films are limited by these terms. It shouldn't be. These terms are only used to distinguish one region or film (or layer) from another region or film (or layer). Accordingly, the film quality referred to as the first film quality in one embodiment may be referred to as the second film quality in another embodiment. Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment. In the present specification, the expression "and/or" is used to include at least one of the elements listed before and after. Parts indicated by the same reference numerals throughout the specification represent the same elements.

이하, 본 발명에 따른 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법 및 유기전자소자의 제조 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, a method of detecting a defect in a protective layer of an organic electronic device and a method of manufacturing an organic electronic device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 유기전자소자에 있어서, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드를 도시한 단면도이다. 도 2a 내지 2e는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드에 발생된 결함들의 예들을 도시한 단면도들이다.1 is a cross-sectional view showing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention in an organic electronic device. 2A to 2E are cross-sectional views showing examples of defects occurring in an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 유기발광다이오드(1: OLED)는 기판(10) 상에 배치된 애노드 전극(20) 및 캐소드 전극(80)을 포함하는 전극층들(20, 80), 상기 애노드 전극(20) 및 캐소드 전극(80) 사이에 배치된 유기물층(130), 및 상기 캐소드 전극(80) 상에 배치된 보호층(90)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting diode (OLED) 1 includes electrode layers 20 and 80 including an anode electrode 20 and a cathode electrode 80 disposed on a substrate 10, and the anode electrode 20 ) And an organic material layer 130 disposed between the cathode electrode 80, and a protective layer 90 disposed on the cathode electrode 80.

상기 기판(10)은 약 1.4 내지 약 1.9정도의 제 1 굴절률을 갖는 유리, 석영, 플라스틱 또는 유무기 복합 고분자와 같은 투명 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(10)은 유리기판일 수 있으며, 붕규산 유리를 포함할 수 있다. 다른 예로, 상기 기판(10)은 유연기판일 수 있으며, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR) 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.The substrate 10 may be made of a transparent material such as glass, quartz, plastic, or organic-inorganic composite polymer having a first refractive index of about 1.4 to about 1.9. For example, the substrate 10 may be a glass substrate, and may include borosilicate glass. As another example, the substrate 10 may be a flexible substrate, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene (PE), polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC) , Polyarylate (PAR) or polyimide (PI).

상기 애노드 전극(20)은 투명성 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 애노드 전극(20)은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 또는 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)를 포함할 수 있다.The anode electrode 20 may be a transparent electrode. For example, the anode electrode 20 is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), indium tin oxide-silver-indium tin oxide ( ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide (IZTO-Ag-IZTO) or aluminum zinc oxide-silver-aluminum It may include zinc oxide (AZO-Ag-AZO).

상기 유기물층(130)은 정공주입층(30), 정공수송층(40), 발광층(50), 전자수송층(60) 및 전자주입층(70)을 포함할 수 있다. 전류가 유기발광다이오드(1)에 공급되면, 전자가 상기 캐소드 전극(80)에서 상기 전자수송층(60)을 통해 상기 발광층(50)으로 이동되고, 정공이 상기 애노드 전극(20)에서 상기 정공수송층(40)을 통해 상기 발광층(50)으로 이동될 수 있다. 이때, 전자와 정공이 상기 발광층(50) 내에서 재결합 하여서 여기자(Exciton)를 형성하고, 여기자가 높은 에너지 상태에서 낮은 에너지 상태로 떨어지면서 에너지를 방출함에 의해 빛이 발생될 수 있다. 상기 정공주입층(30)은 애노드 전극(20)으로부터 정공수송층(40)으로의 정공 주입을 용이하게 하는 기능을 할 수 있으며, 상기 전자주입층(70)은 캐소드 전극(80)으로부터 발광층(50)으로 전자를 안정적으로 공급하는 기능을 할 수 있다.The organic material layer 130 may include a hole injection layer 30, a hole transport layer 40, a light emitting layer 50, an electron transport layer 60, and an electron injection layer 70. When current is supplied to the organic light-emitting diode 1, electrons are transferred from the cathode electrode 80 to the emission layer 50 through the electron transport layer 60, and holes are transferred from the anode electrode 20 to the hole transport layer. It may be moved to the emission layer 50 through 40. At this time, electrons and holes recombine in the emission layer 50 to form excitons, and light may be generated by emitting energy while the excitons fall from a high energy state to a low energy state. The hole injection layer 30 may function to facilitate injection of holes from the anode 20 to the hole transport layer 40, and the electron injection layer 70 may be formed from the cathode electrode 80 to the light emitting layer 50 ) Can function to stably supply electrons.

상기 캐소드 전극(80)은 상기 애노드 전극(20)보다 일함수가 낮은 반투명 혹은 반사성의 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 캐소드 전극(80)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리 (Cu), 이리듐(Ir), 모리브데늄(Mo), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 리튬플로라이드와 알루미늄 적층(LiF/Al), 칼슘과 알루미늄 적층(Ca/Al) 또는 칼슘과 은 적층(Ca/Ag)을 포함할 수 있다.The cathode electrode 80 may include a translucent or reflective conductive material having a lower work function than the anode electrode 20. For example, the cathode electrode 80 is aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), iridium (Ir), molybdenum (Mo), palladium (Pd), platinum ( Pt), lithium fluoride and aluminum laminate (LiF/Al), calcium and aluminum laminate (Ca/Al), or calcium and silver laminate (Ca/Ag).

상기 캐소드 전극(80) 상에 보호층(90)이 배치될 수 있다. 상기 유기물층(130)을 구성하는 유기물은 일반적으로 수분과 산소에 취약하기 때문에, 유기발광다이오드(1)의 물리 화학적 보호를 위해 보호층(90)이 소자의 상부인 상기 캐소드 전극(80) 상에 적층될 수 있다. 상기 보호층(90)은 절연체, 예를 들어 무기 절연체, 유기 절연체 또는 이들의 조합일 수 있다. 일례로, 상기 보호층(90)은 무기 절연체로서 SiOx, SiNx, Al2O3, TiO2 또는 ZnO를 포함할 수 있다.A protective layer 90 may be disposed on the cathode electrode 80. Since the organic material constituting the organic material layer 130 is generally vulnerable to moisture and oxygen, a protective layer 90 is formed on the cathode electrode 80, which is an upper portion of the device, for physicochemical protection of the organic light emitting diode 1 Can be stacked. The protective layer 90 may be an insulator, for example, an inorganic insulator, an organic insulator, or a combination thereof. For example, the protective layer 90 may include SiOx, SiNx, Al 2 O 3 , TiO 2 or ZnO as an inorganic insulator.

유기발광다이오드(1)를 제조하는 과정에서 결함이 발생될 수 있다. 일례로, 도 2a 내지 2c에 도시된 바와 같이 보호층(90)을 형성하기 위한 증착 공정 이전 또는 이후에, 이물질(100)이 발생될 수 있다. 다른 예로, 도 2d 및 2e에 나타난 바와 같이 보호층(90)이 균일하게 형성되지 않아 핀홀(110)이 형성될 수 있다. 이처럼 상기 보호층(90)에 발생된 이물질(100)이나 핀홀(110)과 같은 결함은 패널의 불량을 야기시킬 수 있는 문제가 있다.
Defects may occur in the process of manufacturing the organic light-emitting diode 1. For example, before or after the deposition process for forming the protective layer 90, as shown in FIGS. 2A to 2C, the foreign material 100 may be generated. As another example, as shown in FIGS. 2D and 2E, the protective layer 90 is not uniformly formed, so that the pinhole 110 may be formed. As described above, defects such as the foreign material 100 or the pinhole 110 generated in the protective layer 90 may cause a defect in the panel.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법 및 유기전자소자의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of detecting a defect in a protective layer of an organic electronic device and a method of manufacturing an organic electronic device according to an embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 6 및 도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법을 나타낸 단면도이다.4 to 6 and 7A to 7C are cross-sectional views illustrating a method of detecting a defect in a protective layer of an organic electronic device according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 기판(10) 상에 유기물층(130) 및 전극층들(20, 80)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 먼저 기판(10)을 제공할 수 있다(S310). 상기 기판(10)은 앞서 도 1의 유기발광다이오드(1)에서 설명한 바와 같이, 약 1.4 내지 약 1.9정도의 굴절률을 갖는 유리, 석영, 플라스틱 또는 유무기 복합 고분자와 같은 투명 재질로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 4, an organic material layer 130 and electrode layers 20 and 80 may be formed on a substrate 10. Specifically, first, a substrate 10 may be provided (S310). The substrate 10 may be made of a transparent material such as glass, quartz, plastic, or organic-inorganic composite polymer having a refractive index of about 1.4 to about 1.9, as described above with respect to the organic light-emitting diode 1 of FIG. 1.

상기 기판(10) 상에 유기물층(130)을 형성할 수 있다(S320). 상기 도 1의 유기발광다이오드(1)에서 설명한 바와 같이, 상기 유기물층(130)은 정공주입층(30), 정공수송층(40), 발광층(50), 전자수송층(60) 및 전자주입층(70)을 포함할 수 있다.An organic material layer 130 may be formed on the substrate 10 (S320). As described in the organic light emitting diode 1 of FIG. 1, the organic material layer 130 includes a hole injection layer 30, a hole transport layer 40, a light emitting layer 50, an electron transport layer 60, and an electron injection layer 70. ) Can be included.

상기 기판(10) 상에 애노드 전극(20) 및 캐소드 전극(80)을 포함하는 전극층들(20, 80)을 형성할 수 있다(S320). 상기 애노드 전극(20)은 상기 유기물층(130)을 형성하기 이전에 먼저 형성될 수 있으며, 따라서 상기 유기물층(130)은 상기 애노드 전극(20) 및 캐소드 전극(80) 사이에 배치될 수 있다. 상기 도 1의 유기발광다이오드(1)에서 설명한 바와 같이, 상기 애노드 전극(20)은 투명성 전극일 수 있고, 상기 캐소드 전극(80)은 상기 애노드 전극(20)보다 일함수가 낮은 반투명 혹은 반사성의 전도성 물질을 포함할 수 있다.Electrode layers 20 and 80 including an anode electrode 20 and a cathode electrode 80 may be formed on the substrate 10 (S320). The anode electrode 20 may be formed before forming the organic material layer 130, and thus the organic material layer 130 may be disposed between the anode electrode 20 and the cathode electrode 80. As described in the organic light-emitting diode 1 of FIG. 1, the anode electrode 20 may be a transparent electrode, and the cathode electrode 80 has a lower work function than the anode electrode 20. It may contain a conductive material.

도 5를 참조하면, 기판(10)의 상부에 보호층(90)을 형성할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 보호층(90)은 캐소드 전극(80) 상에 형성될 수 있다(S340). 상기 보호층(90)은 절연체일 수 있으며, 이는 앞서 도 1의 유기발광다이오드(1)에서 설명한 바와 같다.Referring to FIG. 5, a protective layer 90 may be formed on the substrate 10. In an embodiment of the present invention, the protective layer 90 may be formed on the cathode electrode 80 (S340). The protective layer 90 may be an insulator, as described above with respect to the organic light emitting diode 1 of FIG. 1.

상기 보호층(90)을 형성함에 있어서, 보호층(90) 증착 공정 이전 또는 이후에, 보호층(90) 상에 결함영역(120a)이 발생될 수 있다. 상기 결함영역(120a)은 보호층(90) 내의 결함(100, 110)을 포함할 수 있으며, 상기 결함(100, 110)은 이물질(100), 핀홀(110) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 나아가 상기 보호층(90)은 상기 결함영역(120a)을 제외한 다른 영역인 미결함영역(120b)을 포함할 수 있다.In forming the protective layer 90, a defect region 120a may be generated on the protective layer 90 before or after the protective layer 90 deposition process. The defect region 120a may include defects 100 and 110 in the protective layer 90, and the defects 100 and 110 may include foreign substances 100, pinholes 110, or a combination thereof. have. Furthermore, the protective layer 90 may include a non-defective region 120b other than the defective region 120a.

도 6을 참조하면, 상기 보호층(90)에 상기 보호층(90) 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공할 수 있다. 상기 유체 화합물은 상기 보호층(90)의 결함영역(120a)에 침투될 수 있고, 이에 따라 상기 결함영역(120a)은 침투된 유체 화합물(140)을 포함할 수 있다. 상기 침투된 유체 화합물(140)은, 보호층(90)에 있어서 결함(100, 110)이 존재하는 결함영역(120a)의 전기용량을 변화시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 유체 화합물은 수분일 수 있고, 상기 수분이 상기 보호층(90)에 처리되어 상기 결함영역(120a)에 침투될 수 있다(S350).Referring to FIG. 6, a fluid compound having a dielectric constant higher than that of the protective layer 90 may be provided to the protective layer 90. The fluid compound may penetrate into the defective region 120a of the protective layer 90, and accordingly, the defective region 120a may include the penetrated fluid compound 140. The infiltrated fluid compound 140 may change the capacitance of the defective region 120a in which the defects 100 and 110 exist in the protective layer 90. In one embodiment of the present invention, the fluid compound may be moisture, and the moisture may be processed on the protective layer 90 to penetrate into the defective region 120a (S350).

상기 유체 화합물은 유전상수가 15 이상일 수 있다. 일반적으로 상기 보호층(90)을 형성하는 절연체의 유전상수는 15를 넘지 않으므로, 상기 유체 화합물은 15 이상의 유전상수 값을 가질 수 있다. 상기 유체 화합물은 액체 또는 기체 상태로서, 상기 결함영역(120a) 내로 침투가능한 유체라면 특별히 제한되는 것은 아니다. 일례로, 상기 유체 화합물은 물(H2O), 아세톤(Acetone), 아세토니트릴(Acetonitrile), N,N-디메틸아세트아미드(N,N-Dimethylacetamide),N,N-디메틸포름아미드(N,N-Dimethylformamide), 디메틸 술폭시드(Dimethyl sulfoxide), 에탄올(Ethanol), 포름아미드(Formamide), 헥사메틸포스포아미드(Hexamethylphosphoramide), 이소프로필 알콜(Isopropyl alcohol), 메탄올(Methanol), 니트로벤젠(Nitrobenzene) 및 니트로메탄(Nitromethane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 유체 화합물의 유전상수에 대해서는 후술한다.The fluid compound may have a dielectric constant of 15 or more. In general, since the dielectric constant of the insulator forming the protective layer 90 does not exceed 15, the fluid compound may have a dielectric constant value of 15 or more. The fluid compound is in a liquid or gaseous state, and is not particularly limited as long as it is a fluid that can penetrate into the defect region 120a. For example, the fluid compound is water (H 2 O), acetone, acetonitrile, N,N-dimethylacetamide (N,N-Dimethylacetamide), N,N-dimethylformamide (N, N-Dimethylformamide), Dimethyl sulfoxide, Ethanol, Formamide, Hexamethylphosphoramide, Isopropyl alcohol, Methanol, Nitrobenzene ) And at least one of nitromethane. The dielectric constant of the fluid compound will be described later.

도 7a 내지 7c를 참조하면, 상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층(90) 상에 전도체(200,210,220)를 제공하여, 상기 보호층(90)의 전기용량을 측정할 수 있다(S360). 상기 전도체(200,210,220)는 캐패시터 전극(200), 탐침(210) 또는 수은탐침(210)을 포함할 수 있다. 상기 전도체(200,210,220)는 상기 보호층(90)과 직접 접촉할 수 있고, 또는 상기 도 6에서 제공된 상기 유체 화합물을 사이에 두고 상기 보호층(90)과 살짝 이격될 수 있다.7A to 7C, conductors 200, 210 and 220 are provided on the protective layer 90 provided with the fluid compound, so that the capacitance of the protective layer 90 may be measured (S360). The conductors 200, 210 and 220 may include a capacitor electrode 200, a probe 210, or a mercury probe 210. The conductors 200, 210, 220 may directly contact the protective layer 90, or may be slightly spaced apart from the protective layer 90 with the fluid compound provided in FIG. 6 interposed therebetween.

구체적으로, 상기 보호층(90)을 절연체로 하는 캐패시터를 형성하여, 상기 보호층(90)의 전기용량을 측정할 수 있다. 전기용량은 하기 [수학식 1]로 표현될 수 있다.Specifically, by forming a capacitor using the protective layer 90 as an insulator, the capacitance of the protective layer 90 may be measured. The electric capacity can be expressed by the following [Equation 1].

[수학식 1][Equation 1]

C = εr × ε0 × A/dC = ε r × ε 0 × A/d

εr은 절연체의 비유전율, ε0는 유전상수, d는 절연체를 사이에 두는 두 전극간의 거리, A는 전극의 면적이다.ε r is the relative dielectric constant of the insulator, ε 0 is the dielectric constant, d is the distance between the two electrodes sandwiching the insulator, and A is the area of the electrode.

상기 수학식 1에 나타난 바와 같이, 절연체의 전기용량(C)은 절연체의 두께 및 이의 유전상수에 따라 변화될 수 있다. 만약 상기 보호층(90)에 결함영역(120a)이 존재하지 않을 경우, 즉 상기 보호층(90) 상의 미결함영역(120b)의 전기용량은 각 픽셀별로 모두 동일할 수 있다. 그러나 상기 보호층(90)에 결함영역(120a)이 존재하는 경우, 상기 보호층(90) 상의 결함영역(120a)의 전기용량은 상기 미결함영역(120b)과 비교하여 그 값이 달라질 수 있다.As shown in Equation 1, the capacitance (C) of the insulator may be changed depending on the thickness of the insulator and its dielectric constant. If there is no defective region 120a in the protective layer 90, that is, the capacitance of the non-defective region 120b on the protective layer 90 may be the same for each pixel. However, when the defective region 120a is present in the protective layer 90, the capacitance of the defective region 120a on the protective layer 90 may be different from that of the non-defective region 120b. .

본 발명에 있어서, 보호층(90)에 상기 보호층(90) 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공하는 경우, 상기 결함영역(120a)에서의 전기용량의 변화를 극대화시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(90)이 SiO2인 경우, 이의 유전상수는 약 3.9이며, SI3N4인 경우, 이의 유전상수는 약 7.5이며, 및 Al2O3인 경우 이의 유전상수는 약 8 내지 10일 수 있다. 이때, 상기 보호층(90)의 유전상수보다 더 높은 유전상수를 갖는 유체 화합물, 예를 들어 수분(유전상수: 80)을 상기 보호층(90)에 처리하는 경우, 상기 유체 화합물이 상기 보호층(90) 내의 결함영역(120a)에 침투될 수 있다. 상기 보호층(90)에 있어서, 침투된 유체 화합물(140)에 의해 결함영역(120a)의 유전상수는 변화하고, 결과적으로 상기 결함영역(120a)의 전기용량이 변화될 수 있다.In the present invention, when a fluid compound having a dielectric constant higher than that of the protective layer 90 is provided to the protective layer 90, a change in electric capacity in the defective region 120a may be maximized. For example, when the protective layer 90 is SiO 2 , its dielectric constant is about 3.9, in the case of SI 3 N 4 , its dielectric constant is about 7.5, and in the case of Al 2 O 3 , its dielectric constant is It may be about 8 to 10. In this case, when a fluid compound having a dielectric constant higher than the dielectric constant of the protective layer 90, for example, moisture (dielectric constant: 80), is treated on the protective layer 90, the fluid compound is the protective layer It may penetrate into the defective area 120a within 90. In the protective layer 90, the dielectric constant of the defective region 120a may be changed by the permeated fluid compound 140, and as a result, the capacitance of the defective region 120a may be changed.

본 발명에 있어서, 상기 결함영역(120a) 내에 침투된 유체 화합물(140)에 의해, 미세한 결함이라 할지라도 검출 가능한 전기용량의 변화를 유도할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 유체 화합물이 수분인 경우, 이의 유전상수는 보호층(90)의 유전상수에 비해 매우 큰 값을 가질 수 있다. 따라서 상기 수분이 미세한 핀홀(110)에 침투한 경우라도, 측정 가능할 정도의 전기용량 변화를 발생시킬 수 있다.In the present invention, by the fluid compound 140 penetrating into the defect region 120a, a change in detectable capacitance can be induced even for a small defect. In one embodiment of the present invention, when the fluid compound is moisture, its dielectric constant may have a very large value compared to the dielectric constant of the protective layer 90. Therefore, even when the moisture penetrates into the fine pinhole 110, a change in electric capacity of a measurable amount may occur.

나아가 본 발명에 있어서, 전기용량의 변화가 발생한 상기 보호층(90)의 결함영역(120a)을 검출하는 것(S370)을 더 포함할 수 있다. Further, in the present invention, it may further include detecting the defective region 120a of the protective layer 90 in which a change in capacitance has occurred (S370).

보다 구체적으로, 상술한 원리를 이용하여 상기 보호층(90)의 전기용량의 변화량을 측정하는 것은, 상기 미결함영역(120b)의 전기용량을 측정하여 정상 범위의 값으로 설정하고, 상기 보호층(90) 상의 일 영역(임의의 영역)의 전기용량을 측정하여, 설정된 상기 정상 범위 값과 비교할 수 있다. 만약 전기용량의 변화가 발생한다면, 상기 일 영역은 결함(100, 110)이 존재하는 결함영역(120a)인 것으로, 결함 여부를 검출할 수 있다. 상기 결함 여부는 각 픽셀별로 측정하여 검출할 수 있다. 다른 예로, 패널의 가로줄 전체와 세로줄 전체의 전기용량을 측정한 뒤에, 이상이 있는 가로줄과 세로줄의 교차점에 배치된 픽셀의 전기용량을 조사하여 보호층(90)의 결함 여부를 검출할 수 있다.More specifically, to measure the amount of change in the capacitance of the protective layer 90 using the above-described principle, the capacitance of the non-defective region 120b is measured and set to a value in a normal range, and the protective layer It is possible to measure the capacitance of one area (arbitrary area) on the top (90) and compare it with the set normal range value. If a change in capacitance occurs, the one region is the defective region 120a in which the defects 100 and 110 exist, and whether or not there is a defect can be detected. Whether or not the defect can be detected by measuring each pixel. As another example, after measuring the capacitance of the entire horizontal line and the vertical line of the panel, it is possible to detect whether the protective layer 90 is defective by examining the capacitance of the pixel disposed at the intersection of the abnormal horizontal line and vertical line.

도 7a 내지 7c는 상기 유체 화합물이 처리된 보호층(90)의 전기용량을 측정하는 다양한 실시예들을 나타낸 것이다.7A to 7C illustrate various embodiments of measuring the capacitance of the protective layer 90 treated with the fluid compound.

먼저 도 7a를 참조하면, 상기 전도체가 캐패시터 전극(200)인 경우로, 상기 보호층(90) 상에 캐패시터 전극(200)을 배치할 수 있다. 상기 캐패시터 전극(200)을 제1 전극으로 하고, 상기 캐소드 전극(80)을 제2 전극으로 하며, 이들 사이에 위치하는 상기 보호층(90)을 절연체로 하는 캐패시터가 형성될 수 있다. 상기 캐패시터 전극(200) 및 캐소드 전극(80)은 전기용량 측정기(230)에 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 캐패시터 전극(200) 및 캐소드 전극(80)에 전위차가 발생하도록 전압을 인가하고, 상기 전기용량 측정기(230)를 이용하여 상기 보호층(90)의 일 영역의 전기용량의 변화량을 측정할 수 있다.First, referring to FIG. 7A, in a case where the conductor is the capacitor electrode 200, the capacitor electrode 200 may be disposed on the protective layer 90. A capacitor having the capacitor electrode 200 as a first electrode, the cathode electrode 80 as a second electrode, and the protective layer 90 interposed therebetween as an insulator may be formed. The capacitor electrode 200 and the cathode electrode 80 may be electrically connected to the capacitance measuring device 230. In one embodiment of the present invention, a voltage is applied to the capacitor electrode 200 and the cathode electrode 80 to generate a potential difference, and a region of the protective layer 90 using the capacitance meter 230 You can measure the amount of change in the electric capacity of.

도 7b를 참조하면, 상기 전도체가 탐침(210)인 경우로, 상기 보호층(90) 상에 탐침(210)을 배치할 수 있다. 상기 탐침(210)은 상기 도 7a의 캐패시터 전극(200)에 비해 보호층(90) 상의 전기용량 측정 영역이 더 세밀할 수 있으며, 나아가 보호층(90) 상에서 자유롭게 이동될 수 있다. 상기 탐침(210)을 제1 전극으로 하고, 상기 캐소드 전극(80)을 제2 전극으로 하며, 이들 사이에 위치하는 상기 보호층(90)을 절연체로 하는 캐패시터가 형성될 수 있다. 상기 탐침(210) 및 캐소드 전극(80)은 전기용량 측정기(230)에 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 탐침(210) 및 캐소드 전극(80)에 전위차가 발생하도록 전압을 인가하고, 상기 전기용량 측정기(230)를 이용하여 상기 보호층(90)의 일 영역의 전기용량의 변화량을 측정할 수 있다. 상기 일 영역은 상기 탐침(210) 아래에 위치하는 상기 보호층(90) 상의 영역일 수 있으며, 일례로 상기 탐침(210)이 상기 보호층(90)과 접촉하고 있는 영역일 수 있다. 나아가, 상기 탐침(210)을 이동시키면서 상기 보호층(90)의 전기용량 측정 영역을 달리해가며 전기용량의 변화량을 측정할 수 있다. 상기 보호층(90) 상에서 상기 탐침(210)을 이동시키는 중 전기용량의 변화가 발생하는 경우, 전기용량의 변화가 발생한 영역이 결함(100, 110)을 포함하는 결함영역(120a)인 것으로 검출할 수 있다. 또한, 상기 검출된 결함영역(120a)에 추가적인 정밀 검사를 실시하여, 결함의 존재 여부를 정확하게 확인할 수 있다.Referring to FIG. 7B, when the conductor is the probe 210, the probe 210 may be disposed on the protective layer 90. Compared to the capacitor electrode 200 of FIG. 7A, the probe 210 may have a more detailed capacitance measurement area on the protective layer 90, and may be freely moved on the protective layer 90. A capacitor having the probe 210 as a first electrode, the cathode electrode 80 as a second electrode, and the protective layer 90 interposed therebetween as an insulator may be formed. The probe 210 and the cathode electrode 80 may be electrically connected to the capacitance meter 230. In an embodiment of the present invention, a voltage is applied to the probe 210 and the cathode electrode 80 so that a potential difference occurs, and a region of the protective layer 90 is applied using the capacitance meter 230. The amount of change in electric capacity can be measured. The one region may be a region on the protective layer 90 located under the probe 210, for example, the probe 210 may be a region in contact with the protective layer 90. Further, while moving the probe 210, the amount of change in the capacitance may be measured while changing the capacitance measurement region of the protective layer 90. When a change in capacitance occurs while moving the probe 210 on the protective layer 90, it is detected that the area in which the change in capacitance occurs is the defective region 120a including the defects 100 and 110 can do. In addition, by performing an additional detailed inspection on the detected defect area 120a, it is possible to accurately check whether a defect exists.

도 7c를 참조하면, 상기 전도체가 수은 탐침(220)인 경우로, 상기 보호층(90) 상에 수은 탐침(220)을 배치할 수 있다. 상기 수은 탐침(220)은 동심원(concentric)의 제1 수은 전극(221) 및 제2 수은 전극(222)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수은 전극(221) 및 제2 수은 전극(222)은 상기 보호층(90) 상에 컨택(contact) 영역을 형성할 수 있다. 상기 수은 탐침(220)은 전기용량 측정기(230)에 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 수은 전극(221) 및 제2 수은 전극(222)에 전위차가 발생하도록 전압을 인가하고, 상기 전기용량 측정기(230)를 이용하여 상기 보호층(90)의 컨택 영역의 전기용량의 변화량을 측정할 수 있다. 나아가, 상기 수은 탐침(220)을 이동시키면서 상기 보호층(90)의 전기용량 측정 영역을 달리해가며 전기용량의 변화량을 측정할 수 있다. 상기 보호층(90) 상에서 상기 수은 탐침(220)을 이동시키는 중 전기용량의 변화가 발생하는 경우, 전기용량의 변화가 발생한 컨택 영역이 결함(100, 110)을 포함하는 결함영역(120a)인 것으로 검출할 수 있다. 또한, 상기 검출된 결함영역(120a)에 추가적인 정밀 검사를 실시하여, 결함의 존재 여부를 정확하게 확인할 수 있다.Referring to FIG. 7C, when the conductor is a mercury probe 220, a mercury probe 220 may be disposed on the protective layer 90. The mercury probe 220 may include a concentric first mercury electrode 221 and a second mercury electrode 222. The first mercury electrode 221 and the second mercury electrode 222 may form a contact area on the protective layer 90. The mercury probe 220 may be electrically connected to the capacitive meter 230. In an embodiment of the present invention, a voltage is applied to the first mercury electrode 221 and the second mercury electrode 222 so that a potential difference occurs, and the protective layer 90 is applied using the capacitance meter 230. ), the amount of change in the capacitance of the contact area can be measured. Further, while moving the mercury probe 220, the amount of change in the capacitance can be measured while changing the capacitance measurement area of the protective layer 90. When a change in electric capacity occurs while moving the mercury probe 220 on the protective layer 90, the contact area in which the change in electric capacity is generated is the defective region 120a including the defects 100 and 110. Can be detected. In addition, by performing an additional detailed inspection on the detected defect area 120a, it is possible to accurately check whether a defect exists.

상기 수은 탐침(220)을 사용하는 경우, 전기용량 측정을 위한 금속 컨택을 형성하는 금속화 공정(metallization process)을 거치지 않을 수 있어, 신속하고 소자 비-파괴적인 전기용량 측정이 가능할 수 있다. 또한 상기 캐소드 전극(80)을 전기용량 측정을 위한 전극으로 사용하지 않을 수 있다. 따라서, 상기 보호층(90) 아래에 캐소드 전극(80)이 배치되지 않은 유기전자소자의 경우에도, 상기 보호층(90)의 전기용량의 변화량을 용이하게 측정할 수 있다.
When the mercury probe 220 is used, a metallization process of forming a metal contact for measuring capacitance may not be performed, and thus a rapid and non-destructive capacitance measurement may be possible. In addition, the cathode electrode 80 may not be used as an electrode for measuring capacitance. Accordingly, even in the case of an organic electronic device in which the cathode electrode 80 is not disposed under the protective layer 90, the amount of change in the capacitance of the protective layer 90 can be easily measured.

도 4 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전자소자의 제조 방법을 설명한다.A method of manufacturing an organic electronic device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 8.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 기판(10) 상에 유기물층(130), 전극층들(20, 80) 및 보호층(90)을 형성할 수 있다. 나아가 상기 보호층(90)에 상기 보호층(90) 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공할 수 있다. 이는 앞선 실시예에서 설명한 바와 같다.4 to 6, an organic material layer 130, electrode layers 20 and 80, and a protective layer 90 may be formed on the substrate 10. Further, a fluid compound having a higher dielectric constant than the protective layer 90 may be provided to the protective layer 90. This is as described in the previous embodiment.

도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층(90) 상에 전도체(200,210,220)를 제공하여, 상기 보호층(90)의 전기용량의 변화량을 측정할 수 있고, 이는 앞선 실시예에서 설명한 바와 같다.7A to 7C, by providing conductors 200, 210, 220 on the protective layer 90 provided with the fluid compound, the amount of change in the capacitance of the protective layer 90 can be measured, which was previously implemented. As described in the example.

본 발명에 있어서, 도 3을 참조하면, 상기 보호층(90)의 전기용량의 변화가 감지된 경우(S370), 전기용량의 변화가 발생한 보호층(90)의 일 영역을 결함영역(120a)으로 검출할 수 있다. 나아가 상기 결함영역의 결함(100, 110)을 보완할 수 있다(S380). 상기 검출된 결함영역(120a)에 추가적인 정밀 검사를 실시하여, 결함(100, 110)의 존재 여부를 정확하게 확인할 수 있다. 결함영역(120a)이 존재하는 경우, 상기 결함영역(120a) 상에 보호층(90)을 추가로 형성함으로써, 결함(100, 110)을 보완할 수 있다. 또는, 상기 결함(100, 110)을 보완하는 것은, 상기 결함영역(120a)을 식각하는 것 및 식각된 결함영역에 보호층(90)을 추가로 형성하는 것을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 상기 결함(100, 110)을 보완하는 것은 통상적인 보호막 결함 보완 방법에 따라 당업자가 적절히 선택하여 수행할 수 있다.In the present invention, referring to FIG. 3, when a change in capacitance of the protective layer 90 is detected (S370), a region of the protective layer 90 in which the change in capacitance is generated is referred to as a defect region 120a. Can be detected. Furthermore, the defects 100 and 110 in the defective area may be compensated (S380). By performing an additional detailed inspection on the detected defect area 120a, it is possible to accurately check whether the defects 100 and 110 exist. When the defective area 120a exists, the defects 100 and 110 may be supplemented by additionally forming a protective layer 90 on the defective area 120a. Alternatively, supplementing the defects 100 and 110 may include etching the defect region 120a and additionally forming a protective layer 90 on the etched defect region. However, this is merely an example, and supplementing the defects 100 and 110 may be appropriately selected and performed by a person skilled in the art according to a conventional method for repairing defects in the protective layer.

보호층(90) 상의 결함영역(120a)을 확인 및 보완한 이후에, 상기 보호층(90) 상에 유전상수가 높은 유체 화합물(예를 들어, 수분)을 처리하고(S350), 상기 보호층(90)의 전기용량을 측정하고(S360), 및 상기 보호층(90) 상의 어느 일 영역에서 전기용량의 변화가 발생하는지 확인하는 것(S370)을 재차 반복하여 수행할 수 있다.After confirming and supplementing the defective region 120a on the protective layer 90, a fluid compound (for example, moisture) having a high dielectric constant is treated on the protective layer 90 (S350), and the protective layer Measuring the capacitance of 90 (S360), and checking whether a change in the capacitance occurs in a region on the protective layer 90 (S370) may be performed again.

도 8을 참조하면, 상기 보호층(90) 상에 봉지층(91)을 형성할 수 있다(S390). 상기 봉지층(91)을 형성하기 이전에, 상기 보호층(90) 상에 제공된 잔류하는 상기 유체 화합물을 제거할 수 있다(미도시). 상기 보호층(90)의 전기용량의 변화가 감지되지 않은 경우, 상기 보호층(90)에는 결함영역(120a)이 존재하지 않는 것으로, 상기 보호층(90) 상에 봉지층(91)을 형성할 수 있다. 이로써 결함 없는 보호층(90)을 포함하는 봉지된 유기전자소자를 제공할 수 있다. 상기 봉지층(91)은 유리덮개, 금속덮개, 무기 박막, 유기박막 또는 유기-무기 다층 박막일 수 있으나, 특별히 제한되는 것은 아니다.
Referring to FIG. 8, an encapsulation layer 91 may be formed on the protective layer 90 (S390 ). Before forming the encapsulation layer 91, the remaining fluid compound provided on the protective layer 90 may be removed (not shown). When a change in the capacitance of the protective layer 90 is not detected, the defect region 120a does not exist in the protective layer 90, and an encapsulation layer 91 is formed on the protective layer 90. can do. Accordingly, an encapsulated organic electronic device including the defect-free protective layer 90 may be provided. The encapsulation layer 91 may be a glass cover, a metal cover, an inorganic thin film, an organic thin film, or an organic-inorganic multilayer thin film, but is not particularly limited.

<< 실험예Experimental example 1> 1>

본 발명에 따른 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법과 관련하여, 상기 보호층 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공하고, 상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상의 전기용량을 측정하는 것으로 결함을 검출할 수 있음을 다음과 같은 실험을 통하여 확인하였다.Regarding the method for detecting defects in the protective layer of the organic electronic device according to the present invention, a fluid compound having a higher dielectric constant than the protective layer is provided, and the defect can be detected by measuring the capacitance on the protective layer provided with the fluid compound. It was confirmed through the following experiment.

기판 상에 인듐틴옥사이드(ITO)층을 형성하였다. 이어서 상기 인듐틴옥사이드(ITO)층 상에 무기 절연층인 SiOx층을 형성하였다. 상기 SiOx층 상에 수분을 노출시켜, 상기 SiOx층을 수분으로 처리하였다. 수분이 처리된 SiOx층 상에 몰리브덴(Mo)층을 형성하였다. 상기와 같은 방법으로, ITO/수분 처리된 SiOx/Mo 구조의 캐패시터를 10개 이상 제조하였고, 이를 실험군(O2)으로 하였다.An indium tin oxide (ITO) layer was formed on the substrate. Subsequently, a SiOx layer, which is an inorganic insulating layer, was formed on the indium tin oxide (ITO) layer. Moisture was exposed on the SiOx layer, and the SiOx layer was treated with moisture. A molybdenum (Mo) layer was formed on the moisture-treated SiOx layer. In the same manner as described above, 10 or more capacitors having an ITO/moisture-treated SiOx/Mo structure were manufactured, and this was used as an experimental group (O2).

SiOx층에 수분을 처리하지 않는 것을 제외하고는, 상기 실험군과 동일한 방법으로, ITO/ SiOx/Mo 구조의 캐패시터를 10개 이상 제조하였고, 이를 대조군(O1)으로 하였다.In the same manner as in the experimental group, except that the SiOx layer was not treated with moisture, 10 or more capacitors having an ITO/SiOx/Mo structure were prepared, and this was used as a control (O1).

상기 실험군(O2) 및 대조군(O1)의 상기 ITO층 및 상기 Mo층을 전극으로 하여, 이들 각각을 전기용량 측정기와 연결하였다. 상기 전기용량 측정기를 사용하여, 상기 SiOx층의 전기용량을 측정하였다. 그 결과를 도 9에 나타내었다.The ITO layer and the Mo layer of the experimental group (O2) and the control group (O1) were used as electrodes, and each of them was connected to a capacitance meter. Using the capacitance meter, the capacitance of the SiOx layer was measured. The results are shown in FIG. 9.

도 9를 참조하면, 상기 대조군(O1)의 SiOx층의 전기용량은 약 106 pF인 것으로 나타났다. 반면, 상기 실험군(O2)의 수분 처리된 SiOx층의 전기용량은 약 113 pF인 것으로, 상기 대조군(O1)에 비하여 6.8% 가량 전기용량이 증가한 것을 확인하였다. 이는 상기 실험군(O2)의 경우, 상기 SiOx층에 존재하는 핀홀과 같은 결함 내부로 수분이 침투하여 전기용량의 변화를 유발했기 때문이다. 결론적으로, 상기 SiOx층과 같은 보호층에 높은 유전상수 값을 갖는 유체 화합물을 제공함으로써, 미세한 결함이라 할지라도 측정 가능할 정도의 전기용량의 변화를 감지할 수 있음을 확인하였다.
Referring to FIG. 9, it was found that the electric capacity of the SiOx layer of the control (O1) was about 106 pF. On the other hand, the electrical capacity of the water-treated SiOx layer of the experimental group (O2) was about 113 pF, and it was confirmed that the electrical capacity increased by about 6.8% compared to the control group (O1). This is because, in the case of the experimental group O2, moisture penetrated into defects such as pinholes existing in the SiOx layer, causing a change in electric capacity. In conclusion, it was confirmed that by providing a fluid compound having a high dielectric constant value to a protective layer such as the SiOx layer, a change in electric capacity that was measurable even for a minute defect could be detected.

상술한 실시예들에서는 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법 및 유기전자소자의 제조 방법에 있어서, 상기 유기전자소자가 유기발광다이오드인 경우에 대하여 서술했지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예들에 따르면, 유기물층 및 보호층을 포함하는 메모리 또는 비메모리와 같은 반도체 소자, 유기물층 및 보호층을 포함하는 액정디스플레이(LCD) 또는 플라즈마디스플레이(PDP)와 같은 디스플레이 소자, 또는 유기물층 및 보호층을 포함하는 유기 태양 전지에 대하여 적용될 수 있다.In the above-described embodiments, in the method of detecting defects in the protective layer of the organic electronic device and the method of manufacturing the organic electronic device, the case where the organic electronic device is an organic light emitting diode has been described, but is not limited thereto. According to other embodiments, a semiconductor device such as a memory or non-memory including an organic material layer and a protective layer, a display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display (PDP) including an organic material layer and a protective layer, or an organic material layer and protection It can be applied to an organic solar cell comprising a layer.

Claims (14)

기판 및 상기 기판 상에 적층된 유기물층, 전극층들, 및 보호층을 포함하는 유기전자소자를 제공하는 것;
상기 보호층에 상기 보호층 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공하는 것; 및
상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에 수은 탐침을 제공하여, 상기 보호층의 전기용량(capacitance)의 변화량을 측정하는 것을 포함하되,
상기 수은 탐침은 제1 전극 및 상기 제1 전극을 둘러싸는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극의 동심원 형태를 가지며,
상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것은:
상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에, 상기 제1 및 제2 전극들과 상기 보호층간의 컨택 영역을 형성하는 것;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전위차가 발생하도록 전압을 인가하는 것; 및
상기 컨택 영역의 전기용량의 변화량을 측정하는 것을 포함하는 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법.
Providing an organic electronic device including a substrate and an organic material layer, electrode layers, and a protective layer stacked on the substrate;
Providing a fluid compound having a higher dielectric constant than the protective layer in the protective layer; And
Providing a mercury probe on the protective layer provided with the fluid compound, and measuring a change in capacitance of the protective layer,
The mercury probe includes a first electrode and a second electrode surrounding the first electrode, and the second electrode has a concentric circle shape of the first electrode,
Measuring the amount of change in the capacitance of the protective layer is:
Forming a contact region between the first and second electrodes and the protective layer on the protective layer provided with the fluid compound;
Applying a voltage to the first electrode and the second electrode to generate a potential difference; And
A method for detecting defects in a protective layer of an organic electronic device, comprising measuring a change in capacitance of the contact area.
 제1항에 있어서,
상기 보호층은 이물질, 핀홀 또는 이들의 조합을 포함하는 결함영역을 포함하고,
상기 유체 화합물은 상기 보호층의 결함영역에 침투되어 상기 결함영역의 전기용량을 변화시키는 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법.
The method of claim 1,
The protective layer includes a defect region including a foreign material, a pinhole, or a combination thereof,
The method for detecting defects in a protective layer of an organic electronic device in which the fluid compound penetrates into the defective area of the protective layer to change the capacitance of the defective area.
 제2항에 있어서,
상기 보호층은 상기 결함영역을 제외한 다른 영역인 미결함영역을 포함하고,
상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것은:
상기 미결함영역의 전기용량을 측정하여 정상 범위의 값으로 설정하는 것;
상기 보호층 상의 일 영역의 전기용량을 측정하여, 상기 정상 범위 값과 비교하는 것; 및
전기용량의 변화가 발생한 상기 일 영역이 상기 결함영역인 것으로 검출하는 것을 포함하는 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법.
The method of claim 2,
The protective layer includes a non-defective region other than the defective region,
Measuring the amount of change in the capacitance of the protective layer is:
Measuring the capacitance of the non-defective area and setting it to a value within a normal range;
Measuring the capacitance of a region on the protective layer and comparing it with the normal range value; And
A method for detecting a defect in a protective layer of an organic electronic device, comprising detecting that the one area in which a change in capacitance occurs is the defective area.
 제1항에 있어서,
상기 유체 화합물은 유전상수가 15 이상인 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법.
The method of claim 1,
The fluid compound is a method for detecting defects in a protective layer of an organic electronic device having a dielectric constant of 15 or more.
 제1항에 있어서, 상기 유체 화합물은 물(H2O), 아세톤(Acetone), 아세토니트릴(Acetonitrile), N,N-디메틸아세트아미드(N,N-Dimethylacetamide),N,N-디메틸포름아미드(N,N-Dimethylformamide), 디메틸 술폭시드(Dimethyl sulfoxide), 에탄올(Ethanol), 포름아미드(Formamide), 헥사메틸포스포아미드(Hexamethylphosphoramide), 이소프로필 알콜(Isopropyl alcohol), 메탄올(Methanol), 니트로벤젠(Nitrobenzene) 및 니트로메탄(Nitromethane) 중 적어도 하나를 포함하는 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법.
According to claim 1, wherein the fluid compound is water (H 2 O), acetone (Acetone), acetonitrile (Acetonitrile), N,N-dimethylacetamide (N,N-Dimethylacetamide),N,N-dimethylformamide (N,N-Dimethylformamide), Dimethyl sulfoxide, Ethanol, Formamide, Hexamethylphosphoramide, Isopropyl alcohol, Methanol, Nitro A method for detecting defects in a protective layer of an organic electronic device comprising at least one of benzene and nitromethane.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 보호층은 무기 절연체, 유기 절연체 또는 이들의 조합인 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법.
The method of claim 1, wherein the protective layer is an inorganic insulator, an organic insulator, or a combination thereof.
 기판 상에 유기물층, 전극층들 및 보호층을 형성하는 것;
상기 보호층에 상기 보호층 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공하는 것;
상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에 수은 탐침을 제공하여, 상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것; 및
상기 보호층 상에 봉지층을 형성하는 것을 포함하되,
상기 수은 탐침은 제1 전극 및 상기 제1 전극을 둘러싸는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극의 동심원 형태를 가지며,
상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것은:
상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에, 상기 제1 및 제2 전극들과 상기 보호층간의 컨택 영역을 형성하는 것;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전위차가 발생하도록 전압을 인가하는 것; 및
상기 컨택 영역의 전기용량의 변화량을 측정하는 것을 포함하는 유기전자소자의 제조 방법.
Forming an organic material layer, electrode layers, and a protective layer on a substrate;
Providing a fluid compound having a higher dielectric constant than the protective layer in the protective layer;
Providing a mercury probe on the protective layer provided with the fluid compound to measure the amount of change in the capacitance of the protective layer; And
Including forming an encapsulation layer on the protective layer,
The mercury probe includes a first electrode and a second electrode surrounding the first electrode, and the second electrode has a concentric circle shape of the first electrode,
Measuring the amount of change in the capacitance of the protective layer is:
Forming a contact region between the first and second electrodes and the protective layer on the protective layer provided with the fluid compound;
Applying a voltage to the first electrode and the second electrode to generate a potential difference; And
A method of manufacturing an organic electronic device comprising measuring a change in capacitance of the contact area.
 제11항에 있어서,
상기 보호층은 이물질, 핀홀 또는 이들의 조합을 포함하는 결함영역을 포함하고,
상기 유체 화합물은 상기 보호층의 결함영역에 침투되어 상기 결함영역의 전기용량을 변화시키는 유기전자소자의 제조 방법.
The method of claim 11,
The protective layer includes a defect region including a foreign material, a pinhole, or a combination thereof,
The method of manufacturing an organic electronic device in which the fluid compound penetrates into the defective area of the protective layer to change the capacitance of the defective area.
 제12항에 있어서,
전기용량의 변화가 발생한 상기 결함영역을 검출하는 것; 및
상기 결함영역 상에 보호층을 추가로 형성하는 것을 더 포함하는 유기전자소자의 제조 방법.
The method of claim 12,
Detecting the defective area in which a change in capacitance has occurred; And
The method of manufacturing an organic electronic device further comprising forming a protective layer on the defective region.
 제11항에 있어서, 상기 유기물층의 형성은,
정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 적층하여 형성하는 것을 포함하는 유기전자소자의 제조 방법.The method of claim 11, wherein the formation of the organic material layer,
A method of manufacturing an organic electronic device comprising laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
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