KR102177045B1 - Apparatus for removing surface defect of strip - Google Patents

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Abstract

스트립의 표면 결함 제거 장치는 제1 방향으로 연속 이동하는 스트립의 표면의 결함을 검출하는 표면 결함 검출부, 및 상기 표면 결함 검출부와 이격되어 위치하며, 상기 스트립의 표면의 상기 결함을 연마하는 제1 폴리셔 어셈블리를 포함한다.The device for removing surface defects of the strip includes a surface defect detection unit that detects defects on the surface of the strip continuously moving in a first direction, and a first poly that is spaced apart from the surface defect detection unit and polishes the defects on the surface of the strip. Includes a polisher assembly.

Description

스트립의 표면 결함 제거 장치{APPARATUS FOR REMOVING SURFACE DEFECT OF STRIP}Strip surface defect removal device{APPARATUS FOR REMOVING SURFACE DEFECT OF STRIP}

본 기재는 스트립의 표면 결함 제거 장치에 관한 것이다.The present description relates to an apparatus for removing surface defects of a strip.

일반적으로, 냉연 공정 또는 열연 공정 등의 압연 공정에서, 스트립(strip)은 압연롤들에 의해 일 방향으로 연속적으로 이동된다.In general, in a rolling process such as a cold rolling process or a hot rolling process, a strip is continuously moved in one direction by rolling rolls.

종래에는, 압연 공정에서 연속적으로 이동되는 스트립의 표면에 결함이 발생되는 경우, 결함이 발생된 스트립의 일 부분을 쉐어(shear)를 이용해 절단하여 제거하였다.Conventionally, when a defect occurs on the surface of a strip that is continuously moved in a rolling process, a portion of the strip where the defect is generated is cut and removed using a shear.

이로 인해, 종래에는 표면 결함이 발생된 스트립으로부터 제조되는 코일(coil)의 제조 효율이 저하되는 문제점이 있다.For this reason, in the related art, there is a problem in that the manufacturing efficiency of a coil manufactured from a strip having surface defects is lowered.

또한, 종래에는 표면 결함이 연속적으로 이동되는 스트립의 중간 부분에 있을 경우, 스트립의 중간 부분이 절단됨으로써, 최종 중량이 적합하지 않은 코일이 제조되는 문제점이 있다.In addition, conventionally, when the surface defect is in the middle portion of the continuously moving strip, the middle portion of the strip is cut, thereby producing a coil having an unsuitable final weight.

일 실시예는, 연속적으로 일 방향으로 이동되는 스트립의 표면 결함을 제거하는 스트립의 표면 결함 제거 장치를 제공하고자 한다.An embodiment is to provide an apparatus for removing surface defects of a strip that continuously removes surface defects of a strip that is moved in one direction.

일 측면은 제1 방향으로 연속 이동하는 스트립의 표면의 결함을 검출하는 표면 결함 검출부, 및 상기 표면 결함 검출부와 이격되어 위치하며, 상기 스트립의 표면의 상기 결함을 연마하는 제1 폴리셔 어셈블리를 포함하며, 상기 제1 폴리셔 어셈블리는 상기 스트립의 표면 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치된 복수의 제1 폴리셔들을 포함하는 스트립의 표면 결함 제거 장치를 제공한다.One side includes a surface defect detection unit for detecting defects on the surface of the strip that continuously moves in a first direction, and a first polisher assembly located apart from the surface defect detection unit and for polishing the defects on the surface of the strip. The first polisher assembly provides an apparatus for removing surface defects of a strip including a plurality of first polishers disposed on a surface of the strip in a second direction crossing the first direction.

상기 표면 결함 검출부는 상기 스트립의 표면 상에서 상기 결함의 상기 제2 방향으로의 위치 및 상기 제1 방향으로의 길이를 검출하며, 상기 제1 폴리셔 어셈블리는 상기 제1 폴리셔들 중 상기 결함의 상기 위치에 대응하는 제1 폴리셔를 상기 결함의 상기 길이로 상기 스트립의 표면에 접촉시킬 수 있다.The surface defect detection unit detects a position of the defect in the second direction and a length in the first direction on the surface of the strip, and the first polisher assembly comprises the defect of the first polishers. A first polisher corresponding to the position can be brought into contact with the surface of the strip with the length of the defect.

상기 제1 폴리셔들은 회전축들은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 수직할 수 있다.The rotation axes of the first polishers may be perpendicular to the first direction and the second direction.

상기 표면 결함 검출부 및 상기 제1 폴리셔 어셈블리와 연결된 제어부를 더 포함하며, 상기 제어부는 상기 표면 결함 검출부로부터 상기 결함의 위치 및 길이에 관련된 정보를 수신하며, 상기 제어부는 상기 제1 폴리셔 어셈블리를 구동하여 상기 제1 폴리셔 어셈블리의 상기 제1 폴리셔들 중 상기 결함의 상기 위치에 대응하는 제1 폴리셔를 상기 결함의 상기 길이로 상기 스트립의 표면에 접촉시킬 수 있다.And a control unit connected to the surface defect detection unit and the first polisher assembly, wherein the control unit receives information related to the location and length of the defect from the surface defect detection unit, and the control unit performs the first polisher assembly. By driving, a first polisher corresponding to the position of the defect among the first polishers of the first polisher assembly may contact the surface of the strip with the length of the defect.

상기 제1 폴리셔 어셈블리와 상기 제1 방향으로 이웃하며, 상기 제2 방향으로 배치된 복수의 제2 폴리셔들을 포함하는 제2 폴리셔 어셈블리, 및 상기 제2 폴리셔 어셈블리와 상기 제1 방향으로 이웃하며, 상기 제2 방향으로 배치된 복수의 제3 폴리셔들을 포함하는 제3 폴리셔 어셈블리를 더 포함하며, 상기 제1 폴리셔들, 상기 제2 폴리셔들, 상기 제3 폴리셔들 각각의 연마 표면 거칠기는 서로 다를 수 있다.A second polisher assembly including a plurality of second polishers adjacent to the first polisher assembly in the first direction and disposed in the second direction, and the second polisher assembly in the first direction. A third polisher assembly comprising a plurality of third polishers adjacent to each other and disposed in the second direction, wherein each of the first polishers, the second polishers, and the third polishers The polishing surface roughness of may be different.

상기 제1 폴리셔들의 연마 표면 거칠기는 상기 제2 폴리셔들 대비 작으며, 상기 제3 폴리셔들의 연마 표면 거칠기는 상기 제2 폴리셔들 대비 클 수 있다.The polishing surface roughness of the first polishers may be smaller than that of the second polishers, and the polishing surface roughness of the third polishers may be greater than that of the second polishers.

상기 제1 폴리셔들의 연마 표면 거칠기는 상기 제2 폴리셔들 대비 크며, 상기 제3 폴리셔들의 연마 표면 거칠기는 상기 제2 폴리셔들 대비 작을 수 있다.The polishing surface roughness of the first polishers may be larger than that of the second polishers, and the polishing surface roughness of the third polishers may be smaller than that of the second polishers.

일 실시예에 따르면, 연속적으로 일 방향으로 이동되는 스트립의 표면 결함을 제거하는 스트립의 표면 결함 제거 장치가 제공된다.According to an embodiment, there is provided an apparatus for removing surface defects of a strip that continuously moves in one direction.

도 1은 제1 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 나타낸 평면도이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치의 일 부분을 나타낸 평면도이다.
도 4는 제3 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치의 일 부분을 나타낸 평면도이다.
1 is a view showing an apparatus for removing surface defects of a strip according to a first embodiment.
2 is a plan view showing portion A of FIG. 1.
3 is a plan view showing a part of an apparatus for removing surface defects of a strip according to a second embodiment.
4 is a plan view showing a part of an apparatus for removing surface defects of a strip according to a third embodiment.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. The present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description have been omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components throughout the specification.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 제1 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치를 설명한다. 제1 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치는 냉연 공정의 산세 라인에 위치할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 열연 공정에 위치될 수 있다.Hereinafter, an apparatus for removing surface defects of a strip according to a first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The apparatus for removing surface defects of a strip according to the first embodiment may be located in a pickling line in a cold rolling process, but is not limited thereto and may be located in a hot rolling process.

도 1은 제1 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing an apparatus for removing surface defects of a strip according to a first embodiment.

도 1을 참조하면, 냉연 공정의 산세 라인에서 스트립(10)은 제1 방향(X)으로 연속 이동한다. 스트립(10)은 산세 라인의 출측에서 코일(coil)로 제조될 수 있다.Referring to FIG. 1, the strip 10 continuously moves in the first direction X in the pickling line of the cold rolling process. The strip 10 may be manufactured as a coil at the exit side of the pickling line.

제1 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치(1000)는 표면 결함 검출부(100), 제1 폴리셔 어셈블리(200), 제어부(300)를 포함한다.The apparatus 1000 for removing surface defects of a strip according to the first embodiment includes a surface defect detection unit 100, a first polisher assembly 200, and a control unit 300.

표면 결함 검출부(100)는 제1 방향(X)으로 연속 이동하는 스트립(10)의 일 부분에 대응하여 위치한다. 표면 결함 검출부(100)는 스트립(10)의 표면의 결함을 검출한다.The surface defect detection unit 100 is positioned corresponding to a portion of the strip 10 continuously moving in the first direction X. The surface defect detection unit 100 detects defects on the surface of the strip 10.

도 2는 도 1의 A 부분을 나타낸 평면도이다.2 is a plan view showing portion A of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 표면 결함 검출부(100)는 스트립(10)의 표면 상에서 결함(11)의 제2 방향(Y)으로의 위치 및 제1 방향(X)으로의 길이를 검출한다. 1 and 2, the surface defect detection unit 100 detects the position of the defect 11 in the second direction Y and the length in the first direction X on the surface of the strip 10. .

여기서, 제2 방향(Y)은 스트립(10)의 표면 상에서 제1 방향(X)과 교차하는 방향일 수 있으며, 제2 방향(Y)은 스트립(10)의 표면 상에서 제1 방향(X)과 수직할 수 있다.Here, the second direction (Y) may be a direction crossing the first direction (X) on the surface of the strip 10, and the second direction (Y) is the first direction (X) on the surface of the strip 10 And can be perpendicular.

또한, 스트립(10)의 표면의 결함(11)은 제1 방향(X) 또는 제2 방향(Y)으로 연장된 그루브(groove) 형태 또는 돌출 형태일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.In addition, the defect 11 on the surface of the strip 10 may have a groove shape or a protrusion shape extending in the first direction X or the second direction Y, but is not limited thereto.

표면 결함 검출부(100)는 스트립(10)의 표면의 결함(11)의 위치 및 길이에 관련된 정보를 제어부(300)로 전송할 수 있다.The surface defect detection unit 100 may transmit information related to the location and length of the defect 11 on the surface of the strip 10 to the control unit 300.

표면 결함 검출부(100)는 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 검출할 수 있다면, 공지된 다양한 구성들을 포함할 수 있다. 일례로, 표면 결함 검출부(100)는 광을 이용해 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 검출할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The surface defect detection unit 100 may include various known configurations as long as it can detect the defect 11 on the surface of the strip 10. As an example, the surface defect detection unit 100 may detect the defect 11 on the surface of the strip 10 using light, but is not limited thereto.

제1 폴리셔 어셈블리(200)는 표면 결함 검출부(100)와 이격되어 위치한다. 제1 폴리셔 어셈블리(200)는 연속 이동하는 스트립(10)의 타 부분에 대응하여 위치한다. 일례로, 제1 폴리셔 어셈블리(200)는 산세 라인의 출측에 위치하는 쉐어(shear)와 이웃하여 위치할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The first polisher assembly 200 is positioned to be spaced apart from the surface defect detection unit 100. The first polisher assembly 200 is positioned to correspond to the other portion of the strip 10 that continuously moves. As an example, the first polisher assembly 200 may be positioned adjacent to a shear positioned at the exit side of the pickling line, but is not limited thereto.

제1 폴리셔 어셈블리(200)는 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 연마하여 결함(11)을 제거한다.The first polisher assembly 200 removes the defect 11 by polishing the defect 11 on the surface of the strip 10.

제1 폴리셔 어셈블리(200)는 스트립(10)의 표면 상에서 스트립(10)의 이동 방향인 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 배치된 복수의 제1 폴리셔(210)들을 포함한다.The first polisher assembly 200 includes a plurality of first polishers 210 disposed on the surface of the strip 10 in a second direction Y intersecting with a first direction X, which is a moving direction of the strip 10. ).

복수의 제1 폴리셔(210)들의 회전축(AR)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 수직하는 제3 방향(Z)으로 연장된다. 즉, 제1 폴리셔(210)들의 회전축(AR)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 수직하며, 제1 폴리셔(210)들의 회전 방향은 스트립(10)의 이동 방향인 제1 방향(X)과 수직하며, 제1 폴리셔(210)들은 회전하여 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 연마한다.The rotation axis AR of the plurality of first polishers 210 extends in a third direction Z perpendicular to the first direction X and the second direction Y. That is, the rotation axis AR of the first polishers 210 is perpendicular to the first direction X and the second direction Y, and the rotation direction of the first polishers 210 is the moving direction of the strip 10 It is perpendicular to the phosphorus first direction X, and the first polishers 210 rotate to polish the defects 11 on the surface of the strip 10.

제1 폴리셔(210)들의 회전 방향이 스트립(10)의 이동 방향과 수직함으로써, 스트립(10)의 표면 결함(11)이 용이하게 연마되어 제거될 수 있다.Since the rotation direction of the first polishers 210 is perpendicular to the moving direction of the strip 10, the surface defects 11 of the strip 10 can be easily polished and removed.

제1 폴리셔 어셈블리(200)는 제1 폴리셔(210)들 중 스트립(10)의 결함(11)의 위치에 대응하는 제1 폴리셔(210)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시켜 스트립(10) 표면의 결함(11)을 연마해 제거할 수 있다.The first polisher assembly 200 includes a first polisher 210 corresponding to the position of the defect 11 of the strip 10 among the first polishers 210 by the length of the defect 11. ) By contacting the surface of the strip 10 to remove the defects 11 on the surface.

또한, 표면 결함 검출부(100)는 스트립(10)의 표면의 결함(11)의 깊이를 검출할 수 있으며, 제1 폴리셔 어셈블리(200)는 결함(11)의 깊이에 따라 결함(11)과 대응하는 제1 폴리셔(210)의 회전 속도를 조절할 수 있다.In addition, the surface defect detection unit 100 may detect the depth of the defect 11 on the surface of the strip 10, and the first polisher assembly 200 may detect the defect 11 and the defect 11 according to the depth of the defect 11. The rotation speed of the corresponding first polisher 210 may be adjusted.

일례로, 도 2를 참조하면, 제1 폴리셔 어셈블리(200)는 1번째 제1 폴리셔(210) 내지 5번째 제1 폴리셔(210) 중 스트립(10)의 결함(11)의 위치에 대응하는 2번째 제1 폴리셔(210)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시키고 결함(11)의 깊이에 따라 제1 폴리셔(210)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 연마 및 제거하고, 이후 2번째 제1 폴리셔(210)를 스트립(10)으로부터 이격시킬 수 있다.As an example, referring to FIG. 2, the first polisher assembly 200 is located at the position of the defect 11 of the strip 10 among the first first polishers 210 to the fifth first polishers 210. The corresponding second first polisher 210 is in contact with the surface of the strip 10 by the length of the defect 11 and the rotation speed of the first polisher 210 is adjusted according to the depth of the defect 11 After polishing and removing (11), the second first polisher 210 may be separated from the strip 10 afterwards.

제1 폴리셔 어셈블리(200)는 표면 결함 검출부(100)로부터 정보를 전송 받은 제어부(300)에 의해 제어될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 표면 결함 검출부(100)로부터 직접 정보를 전송 받아 구동되거나, 또는 사용자에 의해 제어될 수 있다.The first polisher assembly 200 may be controlled by the control unit 300 that has received information from the surface defect detection unit 100, but is not limited thereto and is driven by receiving information directly from the surface defect detection unit 100, Or it can be controlled by the user.

제어부(300)는 표면 결함 검출부(100) 및 제1 폴리셔 어셈블리(200)와 연결된다.The control unit 300 is connected to the surface defect detection unit 100 and the first polisher assembly 200.

제어부(300)는 표면 결함 검출부(100)로부터 스트립(10)의 표면의 결함(11)의 위치, 길이, 및 깊이에 관련된 정보를 수신한다.The control unit 300 receives information related to the location, length, and depth of the defect 11 on the surface of the strip 10 from the surface defect detection unit 100.

제어부(300)는 표면 결함 검출부(100)로부터 전송 받은 결함(11)의 정보에 기초하여, 제1 폴리셔 어셈블리(200)를 구동하여 제1 폴리셔(210)들 중 스트립(10)의 결함(11)의 위치에 대응하는 제1 폴리셔(210)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시키고 결함(11)의 깊이에 따라 제1 폴리셔(210)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 연마 및 제거할 수 있다.The control unit 300 drives the first polisher assembly 200 based on the information on the defect 11 transmitted from the surface defect detection unit 100 to determine the defect of the strip 10 among the first polishers 210. The first polisher 210 corresponding to the position of (11) is brought into contact with the surface of the strip 10 by the length of the defect 11, and the rotation speed of the first polisher 210 according to the depth of the defect 11 By adjusting the defects 11 can be polished and removed.

일례로, 제1 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치(1000)는 표면 결함 검출부(100) 또는 검사자가 스트립(10)의 표면의 결함(11)의 위치, 길이, 및 깊이에 관한 정보를 검출하고, 결함(11)의 정보에 기초하여 제어부(300)에 의한 구동 또는 사용자에 의한 구동에 의해 제1 폴리셔 어셈블리(200)의 제1 폴리셔(210)들 중 스트립(10)의 결함(11)의 위치에 대응하는 제1 폴리셔(210)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시키고 결함(11)의 깊이에 따라 제1 폴리셔(210)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 연마 및 제거할 수 있다.For example, in the apparatus 1000 for removing surface defects of the strip according to the first embodiment, the surface defect detection unit 100 or the inspector may obtain information on the location, length, and depth of the defects 11 on the surface of the strip 10. The defect of the strip 10 among the first polishers 210 of the first polisher assembly 200 by driving by the control unit 300 or driving by the user based on the information of the defect 11 The first polisher 210 corresponding to the position of (11) is brought into contact with the surface of the strip 10 by the length of the defect 11, and the rotation speed of the first polisher 210 according to the depth of the defect 11 By adjusting the defects 11 can be polished and removed.

이상과 같이, 제1 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치(1000)는 표면 결함 검출부(100)가 스트립(10)의 표면의 결함(11)의 위치, 길이, 및 깊이에 관한 정보를 검출하고, 결함(11)의 정보에 기초하여 제1 폴리셔 어셈블리(200)의 제1 폴리셔(210)들 중 결함(11)의 위치에 대응하는 제1 폴리셔(210)가 결함(11)을 연마 및 제거한다.As described above, in the apparatus 1000 for removing surface defects of a strip according to the first embodiment, the surface defect detection unit 100 detects information on the location, length, and depth of the defects 11 on the surface of the strip 10. And, based on the information of the defect 11, the first polisher 210 corresponding to the position of the defect 11 among the first polishers 210 of the first polisher assembly 200 is the defect 11 Polish and remove.

즉, 연속적으로 제1 방향(X)으로 이동되는 스트립(10)의 표면 결함(11)을 제거하여, 스트립(10)으로부터 제조되는 코일(coil)의 제조 효율 및 제조 신뢰성을 향상시키는 스트립의 표면 결함 제거 장치(1000)가 제공된다.That is, the surface of the strip improves the manufacturing efficiency and manufacturing reliability of the coil manufactured from the strip 10 by removing the surface defects 11 of the strip 10 that are continuously moved in the first direction (X). A defect removal device 1000 is provided.

이하, 도 3을 참조하여 제2 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치를 설명한다. 이하에서는 상술한 제1 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치와 다른 부분에 대해서 설명한다.Hereinafter, an apparatus for removing surface defects of a strip according to a second embodiment will be described with reference to FIG. 3. Hereinafter, portions different from the apparatus for removing surface defects of the strip according to the first embodiment will be described.

도 3은 제2 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치의 일 부분을 나타낸 평면도이다. 도 3에서는 표면 결함 검출부 및 제어부를 도시하지 않았다.3 is a plan view showing a part of an apparatus for removing surface defects of a strip according to a second embodiment. In Fig. 3, the surface defect detection unit and the control unit are not shown.

도 3을 참조하면, 제2 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치(1002)는 표면 결함 검출부, 제어부, 제1 폴리셔 어셈블리(202), 제2 폴리셔 어셈블리(602), 제3 폴리셔 어셈블리(702)를 포함한다.Referring to FIG. 3, a surface defect removal apparatus 1002 of a strip according to a second embodiment includes a surface defect detection unit, a control unit, a first polisher assembly 202, a second polisher assembly 602, and a third polisher. It includes an assembly 702.

제2 폴리셔 어셈블리(602)는 제1 폴리셔 어셈블리(202)와 제1 방향(X)으로 이웃한다.The second polisher assembly 602 is adjacent to the first polisher assembly 202 in a first direction (X).

제2 폴리셔 어셈블리(602)는 스트립(10)의 표면 상에서 스트립(10)의 이동 방향인 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 배치된 복수의 제2 폴리셔(612)들을 포함한다.The second polisher assembly 602 includes a plurality of second polishers 612 disposed on the surface of the strip 10 in a second direction Y intersecting the first direction X, which is a moving direction of the strip 10. ).

복수의 제2 폴리셔(612)들의 회전축(AR)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 수직하는 제3 방향(Z)으로 연장된다. 즉, 제2 폴리셔(612)들의 회전축(AR)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 수직하며, 제2 폴리셔(612)들의 회전 방향은 스트립(10)의 이동 방향인 제1 방향(X)과 수직하며, 제2 폴리셔(612)들은 회전하여 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 연마한다.The rotation axis AR of the plurality of second polishers 612 extends in a third direction Z perpendicular to the first direction X and the second direction Y. That is, the rotation axis AR of the second polishers 612 is perpendicular to the first direction (X) and the second direction (Y), and the rotation direction of the second polishers 612 is the moving direction of the strip 10 It is perpendicular to the phosphorus first direction X, and the second polishers 612 rotate to polish the defects 11 on the surface of the strip 10.

제2 폴리셔(612)들의 회전 방향이 스트립(10)의 이동 방향과 수직함으로써, 스트립(10)의 표면 결함(11)이 용이하게 연마되어 제거될 수 있다.Since the rotation direction of the second polishers 612 is perpendicular to the moving direction of the strip 10, the surface defects 11 of the strip 10 can be easily polished and removed.

제2 폴리셔 어셈블리(602)는 제2 폴리셔(612)들 중 스트립(10)의 결함(11)의 위치에 대응하는 제2 폴리셔(612)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시켜 결함(11)의 깊이에 따라 제2 폴리셔(612)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 연마 및 제거할 수 있다.The second polisher assembly 602 includes a second polisher 612 corresponding to the position of the defect 11 of the strip 10 among the second polishers 612 by the length of the defect 11. The defect 11 may be polished and removed by contacting the surface of) and adjusting the rotation speed of the second polisher 612 according to the depth of the defect 11.

제3 폴리셔 어셈블리(702)는 제2 폴리셔 어셈블리(602)와 제1 방향(X)으로 이웃한다.The third polisher assembly 702 is adjacent to the second polisher assembly 602 in the first direction (X).

제3 폴리셔 어셈블리(702)는 스트립(10)의 표면 상에서 스트립(10)의 이동 방향인 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 배치된 복수의 제3 폴리셔(712)들을 포함한다.The third polisher assembly 702 includes a plurality of third polishers 712 disposed on the surface of the strip 10 in a second direction Y intersecting with a first direction X, which is a moving direction of the strip 10. ).

복수의 제3 폴리셔(712)들의 회전축(AR)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 수직하는 제3 방향(Z)으로 연장된다. 즉, 제3 폴리셔(712)들의 회전축(AR)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 수직하며, 제3 폴리셔(712)들의 회전 방향은 스트립(10)의 이동 방향인 제1 방향(X)과 수직하며, 제3 폴리셔(712)들은 회전하여 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 연마한다.The rotation axis AR of the plurality of third polishers 712 extends in a third direction Z perpendicular to the first direction X and the second direction Y. That is, the rotation axis AR of the third polishers 712 is perpendicular to the first direction X and the second direction Y, and the rotation direction of the third polishers 712 is the moving direction of the strip 10 It is perpendicular to the phosphorus first direction X, and the third polishers 712 rotate to polish the defects 11 on the surface of the strip 10.

제3 폴리셔(712)들의 회전 방향이 스트립(10)의 이동 방향과 수직함으로써, 스트립(10)의 표면 결함(11)이 용이하게 연마되어 제거될 수 있다.Since the rotation direction of the third polishers 712 is perpendicular to the moving direction of the strip 10, the surface defects 11 of the strip 10 can be easily polished and removed.

제3 폴리셔 어셈블리(702)는 제3 폴리셔(712)들 중 스트립(10)의 결함(11)의 위치에 대응하는 제3 폴리셔(712)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시켜 결함(11)의 깊이에 따라 제3 폴리셔(712)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 연마 및 제거할 수 있다.The third polisher assembly 702 includes a third polisher 712 corresponding to the position of the defect 11 of the strip 10 among the third polishers 712 by the length of the defect 11. The defect 11 may be polished and removed by contacting the surface of) and adjusting the rotation speed of the third polisher 712 according to the depth of the defect 11.

제1 폴리셔(212)들, 제2 폴리셔(612)들, 제3 폴리셔(712)들 각각의 연마 표면 거칠기는 서로 다르다.The first polishers 212, the second polishers 612, and the third polishers 712 have different polishing surface roughnesses.

제1 폴리셔(212)들의 연마 표면 거칠기는 제2 폴리셔(612)들 대비 작으며, 제3 폴리셔(712)들의 연마 표면 거칠기는 제2 폴리셔(612)들 대비 크다.The polishing surface roughness of the first polishers 212 is smaller than that of the second polishers 612, and the polishing surface roughness of the third polishers 712 is larger than that of the second polishers 612.

제2 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치(1002)는 스트립(10)의 표면의 결함(11)의 깊이에 따라 제1 폴리셔(212)들, 제2 폴리셔(612)들, 제3 폴리셔(712)들을 선택하여 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 연마 및 제거할 수 있다.The apparatus 1002 for removing surface defects of a strip according to the second embodiment includes first polishers 212, second polishers 612, and second polishers according to the depth of the defect 11 on the surface of the strip 10. 3 Polishers 712 can be selected to polish and remove the defects 11 on the surface of the strip 10.

일례로, 도 3을 참조하면, 스트립(10)의 결함(11)의 깊이가 작은 깊이일 경우, 스트립의 표면 결함 제거 장치(1002)는 제1 폴리셔 어셈블리(202)의 2번째 제1 폴리셔(212)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시키고 결함(11)의 깊이에 따라 제1 폴리셔(212)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 연마 및 제거하고, 이후 2번째 제1 폴리셔(212)를 스트립(10)으로부터 이격시킬 수 있다.As an example, referring to FIG. 3, when the depth of the defect 11 of the strip 10 is a small depth, the surface defect removal device 1002 of the strip is a second first poly of the first polisher assembly 202. Polishing and removing the defect 11 by contacting the polisher 212 with the surface of the strip 10 by the length of the defect 11 and adjusting the rotation speed of the first polisher 212 according to the depth of the defect 11 Then, the second first polisher 212 may be separated from the strip 10.

다른 예로, 스트립(10)의 결함(11)의 깊이가 중간 깊이일 경우, 스트립의 표면 결함 제거 장치(1002)는 제2 폴리셔 어셈블리(602)의 2번째 제2 폴리셔(612)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시키고 결함(11)의 깊이에 따라 제2 폴리셔(612)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 연마 및 제거하고, 이후 2번째 제2 폴리셔(612)를 스트립(10)으로부터 이격시킬 수 있다.As another example, when the depth of the defect 11 of the strip 10 is an intermediate depth, the surface defect removal device 1002 of the strip causes the second second polisher 612 of the second polisher assembly 602 to be defective. The defect 11 is polished and removed by contacting the surface of the strip 10 by the length of (11) and adjusting the rotation speed of the second polisher 612 according to the depth of the defect 11, and then 2 The polisher 612 can be separated from the strip 10.

또 다른 예로, 스트립(10)의 결함(11)의 깊이가 큰 깊이일 경우, 스트립의 표면 결함 제거 장치(1002)는 제3 폴리셔 어셈블리(702)의 2번째 제3 폴리셔(712)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시키고 결함(11)의 깊이에 따라 제3 폴리셔(712)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 연마 및 제거하고, 이후 2번째 제3 폴리셔(712)를 스트립(10)으로부터 이격시킬 수 있다.As another example, when the depth of the defect 11 of the strip 10 is a large depth, the surface defect removal device 1002 of the strip uses the second third polisher 712 of the third polisher assembly 702. The defect 11 is polished and removed by contacting the surface of the strip 10 by the length of the defect 11 and adjusting the rotation speed of the third polisher 712 according to the depth of the defect 11, and then the second The third polisher 712 may be separated from the strip 10.

이상과 같이, 제2 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치(1002)는 스트립(10)의 표면의 결함(11)의 위치, 길이, 및 깊이에 대응하여, 제1 폴리셔(212)들, 제2 폴리셔(612)들, 제3 폴리셔(712)들 중 하나를 선택하여 효율적으로 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 연마 및 제거할 수 있다.As described above, the apparatus 1002 for removing surface defects of the strip according to the second embodiment corresponds to the position, length, and depth of the defects 11 on the surface of the strip 10, and the first polishers 212 , It is possible to efficiently polish and remove the defects 11 on the surface of the strip 10 by selecting one of the second polishers 612 and the third polishers 712.

즉, 연속적으로 제1 방향(X)으로 이동되는 스트립(10)의 표면 결함(11)을 제거하여, 스트립(10)으로부터 제조되는 코일의 제조 효율 및 제조 신뢰성을 향상시키는 스트립의 표면 결함 제거 장치(1002)가 제공된다.That is, a strip surface defect removal device that improves manufacturing efficiency and manufacturing reliability of a coil manufactured from the strip 10 by removing surface defects 11 of the strip 10 that are continuously moved in the first direction (X). (1002) is provided.

이하, 도 4를 참조하여 제3 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치를 설명한다. 이하에서는 상술한 제1 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치와 다른 부분에 대해서 설명한다.Hereinafter, an apparatus for removing surface defects of a strip according to a third embodiment will be described with reference to FIG. 4. Hereinafter, portions different from the apparatus for removing surface defects of the strip according to the first embodiment will be described.

도 4는 제3 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치의 일 부분을 나타낸 평면도이다. 도 4에서는 표면 결함 검출부 및 제어부를 도시하지 않았다.4 is a plan view showing a part of an apparatus for removing surface defects of a strip according to a third embodiment. In FIG. 4, the surface defect detection unit and the control unit are not shown.

도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치(1003)는 표면 결함 검출부, 제어부, 제1 폴리셔 어셈블리(203), 제2 폴리셔 어셈블리(603), 제3 폴리셔 어셈블리(703)를 포함한다.Referring to FIG. 4, a surface defect removal apparatus 1003 of a strip according to a third embodiment includes a surface defect detection unit, a control unit, a first polisher assembly 203, a second polisher assembly 603, and a third polisher. It includes an assembly 703.

제2 폴리셔 어셈블리(603)는 제1 폴리셔 어셈블리(203)와 제1 방향(X)으로 이웃한다.The second polisher assembly 603 is adjacent to the first polisher assembly 203 in the first direction X.

제2 폴리셔 어셈블리(603)는 스트립(10)의 표면 상에서 스트립(10)의 이동 방향인 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 배치된 복수의 제2 폴리셔(613)들을 포함한다.The second polisher assembly 603 includes a plurality of second polishers 613 disposed on the surface of the strip 10 in a second direction Y intersecting the first direction X, which is the moving direction of the strip 10. ).

복수의 제2 폴리셔(613)들의 회전축(AR)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 수직하는 제3 방향(Z)으로 연장된다. 즉, 제2 폴리셔(613)들의 회전축(AR)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 수직하며, 제2 폴리셔(613)들의 회전 방향은 스트립(10)의 이동 방향인 제1 방향(X)과 수직하며, 제2 폴리셔(613)들은 회전하여 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 연마한다.The rotation axis AR of the plurality of second polishers 613 extends in a third direction Z perpendicular to the first direction X and the second direction Y. That is, the rotation axis AR of the second polishers 613 is perpendicular to the first direction X and the second direction Y, and the rotation direction of the second polishers 613 is the moving direction of the strip 10 It is perpendicular to the phosphorus first direction X, and the second polishers 613 rotate to polish the defects 11 on the surface of the strip 10.

제2 폴리셔(613)들의 회전 방향이 스트립(10)의 이동 방향과 수직함으로써, 스트립(10)의 표면 결함(11)이 용이하게 연마되어 제거될 수 있다.Since the rotation direction of the second polishers 613 is perpendicular to the moving direction of the strip 10, the surface defects 11 of the strip 10 can be easily polished and removed.

제2 폴리셔 어셈블리(603)는 제2 폴리셔(613)들 중 스트립(10)의 결함(11)의 위치에 대응하는 제2 폴리셔(613)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시켜 결함(11)의 깊이에 따라 제2 폴리셔(613)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 연마 및 제거할 수 있다.The second polisher assembly 603 includes a second polisher 613 corresponding to the position of the defect 11 of the strip 10 among the second polishers 613 by the length of the defect 11. ) By contacting the surface of the defect 11 and adjusting the rotation speed of the second polisher 613 according to the depth of the defect 11 to polish and remove the defect 11.

제3 폴리셔 어셈블리(703)는 제2 폴리셔 어셈블리(603)와 제1 방향(X)으로 이웃한다.The third polisher assembly 703 is adjacent to the second polisher assembly 603 in the first direction (X).

제3 폴리셔 어셈블리(703)는 스트립(10)의 표면 상에서 스트립(10)의 이동 방향인 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 배치된 복수의 제3 폴리셔(713)들을 포함한다.The third polisher assembly 703 includes a plurality of third polishers 713 disposed on the surface of the strip 10 in a second direction Y crossing a first direction X, which is a moving direction of the strip 10. ).

복수의 제3 폴리셔(713)들의 회전축(AR)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 수직하는 제3 방향(Z)으로 연장된다. 즉, 제3 폴리셔(713)들의 회전축(AR)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 수직하며, 제3 폴리셔(713)들의 회전 방향은 스트립(10)의 이동 방향인 제1 방향(X)과 수직하며, 제3 폴리셔(713)들은 회전하여 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 연마한다.The rotation axis AR of the plurality of third polishers 713 extends in a third direction Z perpendicular to the first direction X and the second direction Y. That is, the rotation axis AR of the third polishers 713 is perpendicular to the first direction X and the second direction Y, and the rotation direction of the third polishers 713 is the moving direction of the strip 10 It is perpendicular to the first direction X, and the third polishers 713 rotate to polish the defects 11 on the surface of the strip 10.

제3 폴리셔(713)들의 회전 방향이 스트립(10)의 이동 방향과 수직함으로써, 스트립(10)의 표면 결함(11)이 용이하게 연마되어 제거될 수 있다.Since the rotation direction of the third polishers 713 is perpendicular to the moving direction of the strip 10, the surface defects 11 of the strip 10 can be easily polished and removed.

제3 폴리셔 어셈블리(703)는 제3 폴리셔(713)들 중 스트립(10)의 결함(11)의 위치에 대응하는 제3 폴리셔(713)를 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시켜 결함(11)의 깊이에 따라 제3 폴리셔(713)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 연마 및 제거할 수 있다.The third polisher assembly 703 includes the third polisher 713 corresponding to the position of the defect 11 of the strip 10 among the third polishers 713 by the length of the defect 11. ) By contacting the surface of the defect 11 and adjusting the rotation speed of the third polisher 713 according to the depth of the defect 11 to polish and remove the defect 11.

제1 폴리셔(213)들, 제2 폴리셔(613)들, 제3 폴리셔(713)들 각각의 연마 표면 거칠기는 서로 다르다.The first polishers 213, the second polishers 613, and the third polishers 713 have different polishing surface roughnesses.

제1 폴리셔(213)들의 연마 표면 거칠기는 제2 폴리셔(613)들 대비 크며, 제3 폴리셔(713)들의 연마 표면 거칠기는 제2 폴리셔(613)들 대비 작다.The polishing surface roughness of the first polishers 213 is larger than that of the second polishers 613, and the polishing surface roughness of the third polishers 713 is smaller than that of the second polishers 613.

제3 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치(1003)는 스트립(10)의 표면의 결함(11)의 위치, 길이, 깊이에 따라 제1 폴리셔(213)들, 제2 폴리셔(613)들, 제3 폴리셔(713)들을 이용해 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 순차적으로 연마 및 제거할 수 있다.The apparatus 1003 for removing surface defects of a strip according to the third embodiment includes first and second polishers 213 and 613 according to the location, length, and depth of the defects 11 on the surface of the strip 10. ), and the third polisher 713 may be used to sequentially polish and remove the defects 11 on the surface of the strip 10.

일례로, 도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치(1003)는 스트립(10)의 표면의 결함(11)의 위치에 대응하는 제1 폴리셔 어셈블리(203)의 2번째 제1 폴리셔(213), 제2 폴리셔 어셈블리(603)의 2번째 제2 폴리셔(613), 제3 폴리셔 어셈블리(703)의 2번째 제3 폴리셔(713)를 순차적으로 결함(11)의 길이만큼 스트립(10)의 표면에 접촉시키고 결함(11)의 깊이에 따라 2번째 제1 폴리셔(213), 제2 폴리셔(613), 제3 폴리셔(713)의 회전 속도를 조절하여 결함(11)을 순차적으로 연마 및 제거하고, 이후 2번째 제1 폴리셔(213), 제2 폴리셔(613), 제3 폴리셔(713)를 스트립(10)으로부터 순차적으로 이격시킬 수 있다.As an example, referring to FIG. 4, the apparatus 1003 for removing surface defects of the strip according to the third embodiment includes the first polisher assembly 203 corresponding to the position of the defect 11 on the surface of the strip 10. The second first polisher 213, the second second polisher 613 of the second polisher assembly 603, and the second third polisher 713 of the third polisher assembly 703 are sequentially Contact the surface of the strip 10 by the length of the defect 11, and depending on the depth of the defect 11, the second first polisher 213, the second polisher 613, and the third polisher 713 By adjusting the rotation speed, the defects 11 are sequentially polished and removed, and then the second first polisher 213, the second polisher 613, and the third polisher 713 are sequentially removed from the strip 10. Can be separated by

이상과 같이, 제3 실시예에 따른 스트립의 표면 결함 제거 장치(1003)는 스트립(10)의 표면의 결함(11)의 위치, 길이, 및 깊이에 대응하여, 제1 폴리셔(213)들, 제2 폴리셔(613)들, 제3 폴리셔(713)들을 이용해 스트립(10)의 표면의 결함(11)을 순차적으로 연마 및 제거할 수 있다.As described above, the apparatus 1003 for removing surface defects of the strip according to the third embodiment corresponds to the position, length, and depth of the defects 11 on the surface of the strip 10, and the first polishers 213 , The defects 11 on the surface of the strip 10 may be sequentially polished and removed using the second polishers 613 and the third polishers 713.

즉, 연속적으로 제1 방향(X)으로 이동되는 스트립(10)의 표면 결함(11)을 제거하여, 스트립(10)으로부터 제조되는 코일의 제조 효율 및 제조 신뢰성을 향상시키는 스트립의 표면 결함 제거 장치(1003)가 제공된다.That is, a strip surface defect removal device that improves manufacturing efficiency and manufacturing reliability of a coil manufactured from the strip 10 by removing surface defects 11 of the strip 10 that are continuously moved in the first direction (X). (1003) is provided.

본 이상에서 본 발명의 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also present. It is within the scope of the invention.

표면 결함 검출부(100), 제1 폴리셔 어셈블리(200), 제1 폴리셔(210), 제어부(300), 제2 폴리셔 어셈블리(602), 제2 폴리셔(612), 제3 폴리셔 어셈블리(702), 제3 폴리셔(712)Surface defect detection unit 100, first polisher assembly 200, first polisher 210, control unit 300, second polisher assembly 602, second polisher 612, third polisher Assembly 702, third polisher 712

Claims (7)

제1 방향으로 연속 이동하는 스트립의 표면의 결함을 검출하는 표면 결함 검출부; 및
상기 표면 결함 검출부와 이격되어 위치하며, 상기 스트립의 표면의 상기 결함을 연마하는 제1 폴리셔 어셈블리
를 포함하며,
상기 제1 폴리셔 어셈블리는 상기 스트립의 표면 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치된 복수의 제1 폴리셔들을 포함하며,
상기 표면 결함 검출부는 상기 스트립의 표면 상에서 상기 결함의 상기 제2 방향으로의 위치 및 상기 제1 방향으로의 길이를 검출하며,
상기 제1 폴리셔 어셈블리는 상기 제1 폴리셔들 중 상기 결함의 상기 위치에 대응하는 제1 폴리셔를 상기 결함의 상기 길이로 상기 스트립의 표면에 접촉시키는 스트립의 표면 결함 제거 장치.
A surface defect detection unit for detecting defects on the surface of the strip continuously moving in the first direction; And
A first polisher assembly positioned to be spaced apart from the surface defect detection unit and for polishing the defect on the surface of the strip
Including,
The first polisher assembly includes a plurality of first polishers disposed on a surface of the strip in a second direction crossing the first direction,
The surface defect detection unit detects a position in the second direction and a length in the first direction of the defect on the surface of the strip,
The first polisher assembly is a device for removing surface defects of a strip for contacting a first polisher corresponding to the location of the defect among the first polishers to the surface of the strip with the length of the defect.
삭제delete 제1항에서,
상기 제1 폴리셔들의 회전축들은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 수직하는 스트립의 표면 결함 제거 장치.
In claim 1,
An apparatus for removing surface defects of a strip whose rotation axes of the first polishers are perpendicular to the first direction and the second direction.
제1항에서,
상기 표면 결함 검출부 및 상기 제1 폴리셔 어셈블리와 연결된 제어부를 더 포함하며,
상기 제어부는 상기 표면 결함 검출부로부터 상기 결함의 위치 및 길이에 관련된 정보를 수신하며,
상기 제어부는 상기 제1 폴리셔 어셈블리를 구동하여 상기 제1 폴리셔 어셈블리의 상기 제1 폴리셔들 중 상기 결함의 상기 위치에 대응하는 제1 폴리셔를 상기 결함의 상기 길이로 상기 스트립의 표면에 접촉시키는 스트립의 표면 결함 제거 장치.
In claim 1,
Further comprising a control unit connected to the surface defect detection unit and the first polisher assembly,
The control unit receives information related to the location and length of the defect from the surface defect detection unit,
The control unit drives the first polisher assembly to apply a first polisher corresponding to the position of the defect among the first polishers of the first polisher assembly to the surface of the strip with the length of the defect. Device for removing surface defects on the strip that comes into contact.
제1항에서,
상기 제1 폴리셔 어셈블리와 상기 제1 방향으로 이웃하며, 상기 제2 방향으로 배치된 복수의 제2 폴리셔들을 포함하는 제2 폴리셔 어셈블리; 및
상기 제2 폴리셔 어셈블리와 상기 제1 방향으로 이웃하며, 상기 제2 방향으로 배치된 복수의 제3 폴리셔들을 포함하는 제3 폴리셔 어셈블리
를 더 포함하며,
상기 제1 폴리셔들, 상기 제2 폴리셔들, 상기 제3 폴리셔들 각각의 연마 표면 거칠기는 서로 다른 스트립의 표면 결함 제거 장치.
In claim 1,
A second polisher assembly adjacent to the first polisher assembly in the first direction and including a plurality of second polishers disposed in the second direction; And
A third polisher assembly including a plurality of third polishers adjacent to the second polisher assembly in the first direction and disposed in the second direction
It further includes,
The first polishers, the second polishers, and the third polishers each have a different polishing surface roughness.
제5항에서,
상기 제1 폴리셔들의 연마 표면 거칠기는 상기 제2 폴리셔들 대비 작으며,
상기 제3 폴리셔들의 연마 표면 거칠기는 상기 제2 폴리셔들 대비 큰 스트립의 표면 결함 제거 장치.
In clause 5,
The polishing surface roughness of the first polishers is smaller than that of the second polishers,
The polishing surface roughness of the third polishers is larger than that of the second polishers.
제5항에서,
상기 제1 폴리셔들의 연마 표면 거칠기는 상기 제2 폴리셔들 대비 크며,
상기 제3 폴리셔들의 연마 표면 거칠기는 상기 제2 폴리셔들 대비 작은 스트립의 표면 결함 제거 장치.
In clause 5,
The polishing surface roughness of the first polishers is greater than that of the second polishers,
An apparatus for removing surface defects of strips in which the polishing surface roughness of the third polishers is smaller than that of the second polishers.
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