KR102175007B1 - Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치는 기판; 기판 상에 위치하는 화소 전극; 상기 화소 전극 상에 위치하는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 위치하는 금속층, 상기 금속층 상에 위치하는 전도성 유기층 및 상기 전도성 유기층 상에 위치하는 제 1 금속 산화물층을 구비하는 공통 전극;을 포함하고, 상기 금속층의 표면 중 이물질에 노출된 영역에 형성된 절연부를 포함하고, 상기 절연부는 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 절연시키는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting display device according to an aspect of the present invention includes a substrate; A pixel electrode positioned on the substrate; An organic emission layer positioned on the pixel electrode; And a common electrode including a metal layer on the organic light-emitting layer, a conductive organic layer on the metal layer, and a first metal oxide layer on the conductive organic layer, and a region of the surface of the metal layer exposed to foreign substances. And an insulating portion formed in the insulating portion, wherein the insulating portion insulates the pixel electrode and the common electrode.

Description

유기전계발광표시장치 및 그 제조방법{Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same}Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same}

본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 능동형 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an active organic light emitting display device and a manufacturing method thereof.

최근 들어 정보화 사회가 발달하면서 가볍고 얇은 평판표시장치(Flat panel display)의 개발이 활발히 진행되고 있다. 대표적인 평판표시장치로 액정표시장치(Liquid crystal display)와 유기전계발광표시장치(Organic light emitting diode display device)가 있다. Recently, with the development of the information society, the development of light and thin flat panel displays is actively progressing. Representative flat panel displays include a liquid crystal display and an organic light emitting diode display device.

유기전계발광표시장치는 액정표시장치에서 사용되는 백라이트와 같은 별도의 광원이 필요 없어 더 얇고 소비전력이 낮으며, 색재현율이 뛰어나 더 선명한 화질을 구현할 수 있는 장점이 있다.The organic light emitting display device is thinner, has a lower power consumption, and has an advantage of realizing clearer image quality because it does not require a separate light source such as a backlight used in a liquid crystal display device.

이와 같은 유기전계발광표시장치 중 화소가 독립적으로 구동되는 능동형 유기전계발광표시장치는 일반적으로 적색, 녹색 및 청색의 세 가지 부화소들로 구성되는 복수의 화소를 포함한다. Among such organic light emitting display devices, an active organic light emitting display device in which pixels are independently driven generally includes a plurality of pixels including three subpixels of red, green, and blue.

각 부화소는 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차되어 정의되며, 별도의 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)를 포함하는 구동 회로에 의해 독립적으로 구동된다.Each subpixel is defined by crossing a gate line and a data line, and is independently driven by a driving circuit including a separate thin film transistor (TFT).

각 화소는 상기 구동 회로에 의해 구동되는 유기발광소자를 포함한다. 유기발광소자는 화소 전극 및 공통 전극을 포함하며, 상기 두 전극 사이에 유기 발광층을 포함한다. 그런데 유기발광소자를 형성하는 공정을 진행하는 도중 화소 전극, 공통 전극 또는 유기 발광층의 두께보다 지름이 큰 파티클(particle)과 같은 이물질이 발생할 수 있다.Each pixel includes an organic light emitting device driven by the driving circuit. The organic light-emitting device includes a pixel electrode and a common electrode, and includes an organic emission layer between the two electrodes. However, during the process of forming the organic light emitting device, foreign substances such as particles having a diameter larger than the thickness of the pixel electrode, the common electrode, or the organic light emitting layer may be generated.

화소 전극은 포토 리소그래피 공정을 통해 패터닝되어 형성될 수 있으며, 화소 전극 형성 후, 이물질이 남아 있을 수 있다. The pixel electrode may be patterned and formed through a photolithography process, and foreign matter may remain after the pixel electrode is formed.

이물질은 기판 상에 공통으로 형성되는 박막 형성 공정 시 발생 할 가능성이 높은데, 유기 발광층 및 공통 전극이 기판 상에 공통으로 형성되는 대표적인 박막이다.Foreign substances are highly likely to occur during the process of forming a thin film that is commonly formed on a substrate, and an organic light emitting layer and a common electrode are typical thin films formed in common on a substrate.

특히, 유기 발광층은 쉐도우 마스크를 사용하는 진공 증착법(vacuum deposition), 레이저 전사법(laser transfer), 열전사법(thermal transfer) 및 스크린 프린팅법(screen printing)으로 형성될 수 있으며, 공정 후 잔류물이 남아 있는 불량이 발생할 수 있다. 또한, 상부발광방식의 유기전계발광표시장치는 공통 전극을 통해 빛이 출사 되는데, 화면 중앙부는 저항의 증가에 따라 휘도가 저하될 수 있으므로, 화면 중앙부의 저항 증가로 인한 휘도 저하를 방지하기 위해 화면 중앙부 곳곳에서 공통 전극과 연결되는 보조 전극을 포함할 수 있다.In particular, the organic light emitting layer can be formed by vacuum deposition using a shadow mask, laser transfer, thermal transfer, and screen printing, and residues after the process are Remaining defects may occur. In addition, in the top emission type organic light emitting display device, light is emitted through a common electrode. Since the luminance at the center of the screen may decrease as the resistance increases, the screen is It may include auxiliary electrodes connected to the common electrode at various places in the center.

공통 전극과 보조 전극을 연결하기 위해서 스텝 커버리지(step coverage)가 큰 금속 산화물층을 이용할 수 있는데, 상기 금속 산화물층이 이물질 사이로 침투하여 화소 전극과 공통 전극의 쇼트 발생 가능성이 더욱 증가할 수 있다.In order to connect the common electrode and the auxiliary electrode, a metal oxide layer having a large step coverage may be used, and the metal oxide layer may penetrate between foreign substances, thereby further increasing the possibility of a short circuit between the pixel electrode and the common electrode.

도 1은 이물질에 의해 불량이 발생한 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도 이다.도 1에서 이물질은 파티클(P)로 도시되어 있다. 1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device in which a defect occurs due to a foreign material. In FIG. 1, the foreign material is shown as a particle P.

도 1을 참조하면, 기판(110) 상에 형성된 화소전극(120)과 유기발광층(150) 및 공통전극(160)은 형성 공정 중 파티클(P)이 발생 할 수 있으며, 파티클(P)의 지름이 화소 전극(120), 유기 발광층(150) 및 공통 전극(160)의 두께보다 더 큰 경우, 화소 전극(120)과 공통 전극(160)이 연결되어 쇼트가 발생 할 수 있다. 여기서, 공통 전극(160)은 금속층(161)과 전도성 유기층(162)으로 구성될 수 있다. 도 1에서, 도면부호 “121”은 보조 전극이고, “130”은 뱅크층이고, “140”은 격벽층이다.Referring to FIG. 1, the pixel electrode 120, the organic emission layer 150, and the common electrode 160 formed on the substrate 110 may generate particles P during the formation process, and the diameter of the particles P When the thickness is greater than the thickness of the pixel electrode 120, the organic emission layer 150, and the common electrode 160, the pixel electrode 120 and the common electrode 160 are connected to each other, thereby causing a short circuit. Here, the common electrode 160 may include a metal layer 161 and a conductive organic layer 162. In FIG. 1, reference numeral "121" is an auxiliary electrode, "130" is a bank layer, and "140" is a partition layer.

화소 전극(120)과 공통 전극(160) 간에 쇼트가 발생할 경우, 유기 발광층(150)에 전류가 흐르지 않기 때문에, 화소 전체의 발광이 불가능하게 된다. 따라서, 화소 전극(120)과 공통 전극(160) 간에 쇼트가 발생한 화소는 발광이 되지 않는 불량 화소가 될 수 있다.When a short occurs between the pixel electrode 120 and the common electrode 160, since no current flows through the organic emission layer 150, the entire pixel cannot emit light. Accordingly, a pixel in which a short circuit occurs between the pixel electrode 120 and the common electrode 160 may become a defective pixel that does not emit light.

유기발광소자 제조장비 (특허출원번호 제 10-2011-0056070호)Organic light emitting device manufacturing equipment (Patent Application No. 10-2011-0056070)

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 불량 화소의 발생을 저 감시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of reducing the occurrence of defective pixels in order to solve the above-described problems.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치는 기판; 기판 상에 위치하는 화소 전극; 상기 화소 전극 상에 위치하는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 위치하는 금속층, 상기 금속층 상에 위치하는 전도성 유기층 및 상기 전도성 유기층 상에 위치하는 제 1 금속 산화물층을 구비하는 공통 전극;을 포함하고, 상기 금속층의 표면 중 이물질에 노출된 영역에 형성된 절연부를 포함하고, 상기 절연부는 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 절연시키는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting display device according to an aspect of the present invention for achieving the above object includes: a substrate; A pixel electrode positioned on the substrate; An organic emission layer positioned on the pixel electrode; And a common electrode including a metal layer on the organic light-emitting layer, a conductive organic layer on the metal layer, and a first metal oxide layer on the conductive organic layer, and a region of the surface of the metal layer exposed to foreign substances. And an insulating portion formed in the insulating portion, wherein the insulating portion insulates the pixel electrode and the common electrode.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법은 기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 상기 유기 발광층 상에 위치하는 금속층, 상기 금속층 상에 위치하는 전도성 유기층 및 상기 유기층 상에 위치하는 제 1 금속 산화물층을 구비하는 공통 전극을 형성하는 단계; 및 상기 금속층의 표면 중 이물질에 노출된 영역에 형성된 절연부를 형성하는 단계;를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an aspect of the present invention includes forming a pixel electrode on a substrate; Forming an organic emission layer on the pixel electrode; Forming a common electrode including a metal layer on the organic emission layer, a conductive organic layer on the metal layer, and a first metal oxide layer on the organic layer; And forming an insulating portion formed in a region of the surface of the metal layer exposed to foreign substances.

본 발명에 따르면, 유기 발광층을 포함하는 유기발광소자 공정 시 파티클과 같은 이물질이 발생하더라도 화소 전극 및 공통 전극 간에 절연부를 형성하여 쇼트를 방지함으로써, 이물질이 발생한 영역만 암점화되고, 화소의 나머지 영역은 정상 구동시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, even if foreign substances such as particles are generated during the process of the organic light emitting device including the organic light emitting layer, by forming an insulating part between the pixel electrode and the common electrode to prevent short circuit, only the area where the foreign material has occurred is darkened, and the remaining areas of the pixel Has the effect of being able to drive normally.

또한, 본 발명에 따르면, 상기와 같이 파티클이 발생한 영역만 암점화되고, 화소의 나머지 영역은 정상 구동시킬 수 있어 불량 화소의 발생을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, as described above, only the area where the particles are generated is darkened, and the remaining areas of the pixels can be normally driven, thereby reducing the occurrence of defective pixels.

또한, 본 발명에 따르면, 유기 발광층과 공통 전극 사이에 전도성 유기층을 형성하여, 공통 전극에 포함되는 제 1 금속 산화물층이 화소 전극과 연결되는 것을 방지함으로써, 화소 전극과 제 1 금속 산화물층 간의 쇼트를 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, by forming a conductive organic layer between the organic light emitting layer and the common electrode to prevent the first metal oxide layer included in the common electrode from being connected to the pixel electrode, short circuit between the pixel electrode and the first metal oxide layer There is an effect that can prevent.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the contents of the invention described in the problems to be solved above, the problem solving means, and effects do not specify essential features of the claims, the scope of the claims is not limited by the matters described in the contents of the invention.

도 1은 이물질에 의해 불량이 발생한 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도.
도 4a ~ 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 도시한 단면도.
1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device in which a defect occurs due to a foreign substance.
2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
4A to 4E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는, 기판(210), 화소 전극(220), 공통 전극(260), 화소 전극(220)과 공통 전극(260) 사이에 위치하는 유기 발광층(250)을 포함한다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate 210, a pixel electrode 220, a common electrode 260, a pixel electrode 220, and a common electrode 260. ) And an organic emission layer 250 positioned between.

먼저, 기판(210)은 유리(glass), 플라스틱(plastic) 및 금속(metal) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 기판(210)은 상기 물질 중 어느 하나가 포함되어, 구부러질 수 있는 플렉서블(flexible) 기판으로 구현될 수 있다.First, the substrate 210 may include any one of glass, plastic, and metal. The substrate 210 may be implemented as a flexible substrate that includes any one of the above materials and can be bent.

상기 플라스틱은 폴리에테르술폰(Polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(Polyacrylate; PAR), 폴리에테르 이미드(Polyetherimide; PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethyelenen Napthalate; PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(Polyethyelene Terepthalate; PET), 폴리페닐렌 설파이드(Polyphenylene Sulfide; PPS), 폴리아릴레이트(Polyallylate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(Cellulose Acetate Propionate: CAP) 중 어느 하나일 수 있다.The plastic is polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (Polyethyelenen Napthalate; PEN), polyethylene terephthalate (Polyethyelene Terepthalate; PET). , Polyphenylene Sulfide (PPS), Polyallylate, Polyimide, Polycarbonate (PC), Cellulose Triacetate (TAC), Cellulose Acetate Propionate (CAP) It can be any one of.

다음으로, 화소 전극(220)은 기판(210) 상에 위치한다. 본 발명에서 화소 전극(220)은 애노드 전극일 수 있으며, 인듐(Indium), 은(Ag), 아연(Zinc), 주석(Tin), 은 아연 산화물(AZO), 갈륨 아연 산화물(GZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 및 인듐 주석 아연 산화물(ITZO) 중 적어도 하나를 포함하는 단일층 혹은 다중층으로 형성될 수 있다. 화소 전극(220)이 다중층으로 형성되는 경우, 적어도 하나의 투명 전도성 산화물층 및 적어도 하나의 금속층을 포함할 수 있다.Next, the pixel electrode 220 is positioned on the substrate 210. In the present invention, the pixel electrode 220 may be an anode electrode, and indium, silver (Ag), zinc, tin, silver zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), zinc It may be formed as a single layer or multiple layers including at least one of oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO). When the pixel electrode 220 is formed in multiple layers, it may include at least one transparent conductive oxide layer and at least one metal layer.

투명 전도성 산화물층은 일함수(work function)가 높아 유기 발광층(250)에 정공(hole)을 공급할 수 있다. 따라서, 투명 전도성 산화물층은 유기 발광층(250)에 접할 수 있다.Since the transparent conductive oxide layer has a high work function, holes can be supplied to the organic emission layer 250. Accordingly, the transparent conductive oxide layer may contact the organic emission layer 250.

다음으로, 화소 전극(220) 상에 유기 발광층(250)이 위치한다.Next, the organic emission layer 250 is positioned on the pixel electrode 220.

유기 발광층(250)은, 유기물질의 박막으로 형성되어, 화소 전극(220)과 공통 전극(260)을 통해 주입된 정공(hole)과 전자(electron)를 이용하여 광을 생성한다. 도 2에 구체적으로 도시되어 있지 않으나, 유기 발광층(250)은, 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer: HTL), 발광층(Emission Layer: EML), 전자수송층(Electron Transport Layer: ETL)을 포함할 수 있다.The organic emission layer 250 is formed of a thin film of an organic material, and generates light by using holes and electrons injected through the pixel electrode 220 and the common electrode 260. Although not specifically shown in FIG. 2, the organic light emitting layer 250 includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), and an electron transport layer (Electron). Transport Layer: ETL) can be included.

본 발명의 화소 전극(220)은 애노드 전극 역할을 하고, 공통 전극(260)이 캐소드 전극 역할을 할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. The pixel electrode 220 of the present invention may serve as an anode electrode, and the common electrode 260 may serve as a cathode electrode, but is not limited thereto.

정공주입층(HIL)은 화소 전극(220)과 발광층(EML) 사이의 에너지장벽을 낮추어, 화소전극(220)으로부터 정공이 주입되는 효율을 향상시키기 위한 완충층이다. 정공수송층(HTL)은 공통 전극(260)에서 주입되어 발광층(EML)으로 이송된 전자를 발광층(EML) 내에 속박하여, 발광층(EML)에서 전자와 정공이 재결합되는 효율을 증가시킨다. 이와 마찬가지로, 전자수송층(ETL)은, 공통 전극(260)과 발광층(EML) 사이의 에너지장벽을 낮추는 완충층으로써, 공통 전극(260)에서 전자가 주입되는 효율을 향상시키고, 발광층(EML)으로 이송된 정공을 발광층(EML) 내에 속박하여, 발광층에서 전자와 정공이 재결합되는 효율을 증가시킨다. 발광층(EML)은 저분자 또는 고분자 계열의 유기물질의 박막으로 형성되어, 화소 전극(220)과 공통 전극(260) 각각에서 주입되고, 발광층(EML)으로 이송되는 정공과 전자가 재결합하여, 여기자(exiton)가 생성되고, 여기자가 여기상태(exited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 방출하는 에너지를 광으로 생성한다. 이때, 발광층(EML) 을 형성하는 유기물질의 밴드갭 에너지(band-gap energy)에 따라, 방출되는 광의 색상이 달라진다.The hole injection layer HIL is a buffer layer for improving the efficiency in which holes are injected from the pixel electrode 220 by lowering the energy barrier between the pixel electrode 220 and the emission layer EML. The hole transport layer HTL binds electrons injected from the common electrode 260 and transferred to the emission layer EML in the emission layer EML, thereby increasing the efficiency of recombining electrons and holes in the emission layer EML. Similarly, the electron transport layer (ETL) is a buffer layer that lowers the energy barrier between the common electrode 260 and the emission layer (EML), improves the efficiency in which electrons are injected from the common electrode 260, and is transferred to the emission layer (EML). The resulting holes are confined in the emission layer (EML), thereby increasing the efficiency of recombining electrons and holes in the emission layer. The emission layer EML is formed of a thin film of a low-molecular or high-molecular organic material, is injected from each of the pixel electrode 220 and the common electrode 260, and holes and electrons transferred to the emission layer EML recombine, and excitons ( exiton) is generated, and the energy emitted when the excitons fall from the excited state to the ground state is generated as light. In this case, the color of the emitted light varies according to the band-gap energy of the organic material forming the emission layer EML.

다음으로, 유기 발광층(250) 상에 공통 전극(260)이 위치한다. 더욱 자세하게 공통 전극(260)은 유기 발광층(250) 상에 위치하는 금속층(261), 금속층(261) 상에 위치하는 전도성 유기층(262) 및 전도성 유기층(262) 상에 위치하는 제 1 금속 산화물층(263)을 포함할 수 있다.Next, a common electrode 260 is positioned on the organic emission layer 250. In more detail, the common electrode 260 includes a metal layer 261 disposed on the organic emission layer 250, a conductive organic layer 262 disposed on the metal layer 261, and a first metal oxide layer disposed on the conductive organic layer 262. (263) may be included.

공통 전극(260)은 본 발명에서 캐소드 전극의 역할을 하기 때문에 유기 발광 층(250)에 전자를 공급할 수 있다. 유기 발광층(250)에 전자를 공급하기 위해서는 유기 발광층(250)과 접하는 영역의 일함수(work function)가 화소 전극(220)의 일함수보다 상대적으로 낮아야 한다. 따라서, 일함수가 낮은 물질인 금속이 유기 발광층(250)과 접하는 영역에 위치하여야 한다. 따라서, 금속층(261)이 유기 발광층(250)과 접하는 영역에 위치한다. 즉, 금속층(261)이 유기 발광층(250) 상에 위치할 수 있다.Since the common electrode 260 serves as a cathode electrode in the present invention, electrons can be supplied to the organic light emitting layer 250. In order to supply electrons to the organic emission layer 250, a work function of a region in contact with the organic emission layer 250 must be relatively lower than the work function of the pixel electrode 220. Therefore, a metal, which is a material having a low work function, must be located in a region in contact with the organic emission layer 250. Accordingly, the metal layer 261 is located in a region in contact with the organic emission layer 250. That is, the metal layer 261 may be positioned on the organic emission layer 250.

금속층(261)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 리튬(Li) 및 네오디뮴(Nd) 중 어느 하나 또는 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 다음과 같은 합금 중 어느 하나로 형성되거나, 다음과 같은 합금 중 어느 하나 또는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 합금으로는 LiF/Al, CsF/Al, Mg:Ag, Ca/Ag, Ca:Ag, LiF/Mg:Ag, LiF/Ca/Ag, LiF/Ca:Ag 등이 있으며, 이에 제한되지 않는다.The metal layer 261 may include any one or at least one of silver (Ag), magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), lithium (Li), and neodymium (Nd), and the following alloys It may be formed of any one, or may include any one or at least one of the following alloys. Examples of the alloy include LiF/Al, CsF/Al, Mg:Ag, Ca/Ag, Ca:Ag, LiF/Mg:Ag, LiF/Ca/Ag, and LiF/Ca:Ag, but are not limited thereto.

또한, 금속층(261)은 그 표면 중 이물질에 노출되는 표면에 절연부(INS)를 포함할 수 있다. 화소 전극(220), 유기 발광층(250) 또는 공통 전극(260) 형성 공정 시, 의도하지 않은 이물질이 발생할 가능성이 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 각 박막의 두께보다 더 큰 파티클(P)이 형성될 경우, 화소 전극(220)과 공통 전극(260), 특히 금속층(261)이 서로 연결되어 쇼트(short)가 발생할 가능성이 있다. 이 경우, 이물질이 위치하는 화소 전체가 발광이 되지 않는 문제가 발생할 수 있다.In addition, the metal layer 261 may include an insulating portion INS on a surface of the surface exposed to foreign substances. During the process of forming the pixel electrode 220, the organic emission layer 250, or the common electrode 260, there is a possibility that unintended foreign matter may occur. As shown in FIG. 2, when particles P larger than the thickness of each thin film are formed, the pixel electrode 220 and the common electrode 260, especially the metal layer 261 are connected to each other, resulting in a short. It is likely to occur. In this case, there may be a problem that the entire pixel on which the foreign material is located does not emit light.

따라서, 공통 전극(260)의 형성을 완료한 후, 파티클(P)이 위치해 있는 곳에 화소 전극(220)과 공통 전극(260)이 쇼트 상태에 위치해 있다면, 화소 전극(220) 및 공통 전극(260)에 역전압을 가하여, 화소 전극(220)과 공통 전극(260)이 만나는 영역의 금속층(261)이 산화되어 절연부(INS)가 형성될 수 있다. 따라서, 절연부(INS)는 화소 전극(220)과 공통 전극(260)의 쇼트를 방지하고, 화소 전극(220)과 공통 전극(260)을 절연시킬 수 있다. 화소 전극(220)과 공통 전극(260)이 만나는 영역의 금속층(261)은 도 2에 도시된 바와 같이, 파티클(P)이 위치한 영역의 금속층(261) 표면일 수 있다.Therefore, after completing the formation of the common electrode 260, if the pixel electrode 220 and the common electrode 260 are located in a short state where the particle P is located, the pixel electrode 220 and the common electrode 260 ), the metal layer 261 in a region where the pixel electrode 220 and the common electrode 260 meet may be oxidized to form the insulating portion INS. Accordingly, the insulating portion INS may prevent a short circuit between the pixel electrode 220 and the common electrode 260 and insulate the pixel electrode 220 and the common electrode 260. The metal layer 261 in the area where the pixel electrode 220 and the common electrode 260 meet may be a surface of the metal layer 261 in the area where the particle P is located, as shown in FIG. 2.

전도성 유기층(262)은 금속층(261) 상에 위치하며, 전도성이 있는 유기물로 형성되거나, 전도성이 있는 유기물을 포함할 수 있다. 전도성 유기층(262)은 전도성을 가져야 하기 때문에, 유기 발광층(250)을 형성하는 물질 중 어느 하나를 포함하거나 유기 발광층(250)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The conductive organic layer 262 is positioned on the metal layer 261 and may be formed of a conductive organic material or may include a conductive organic material. Since the conductive organic layer 262 must have conductivity, it may include any one of materials forming the organic emission layer 250 or may be formed of the same material as the organic emission layer 250.

전도성 유기층(262)의 두께는 100Å 내지 5,000Å 사이에서 형성되는 것이 바람 직하다. 전도성 유기층(262)은 제 1 금속 산화물층(263)이 화소 전극(220)과 연결되거나 도통되는 것을 방지하기 위해서 형성되기 때문에, 상기 두께 이상을 유지하여 파티클(P)과 전도성 유기층(262) 사이로 제 1 금속 산화물층(263)이 침투하는 것을 방지할 수 있다.It is preferable that the thickness of the conductive organic layer 262 is formed between 100 Å and 5,000 Å. Since the conductive organic layer 262 is formed to prevent the first metal oxide layer 263 from being connected to or conducting with the pixel electrode 220, the conductive organic layer 262 is maintained above the thickness to be separated between the particles P and the conductive organic layer 262. Penetration of the first metal oxide layer 263 may be prevented.

전도성 유기층(262)은 공통 전극(260)을 구성하는 최하부층인 금속층(261)과 최상부층인 제 1 금속 산화물층(263)이 서로 도통할 수 있도록 하여, 공통 전극(260)의 부피를 증가시킴으로써, 저항 증가 및 전압 강하를 방지할 수 있다. 특히, 제 1 금속 산화물층(263)은 추후 설명할 보조 전극(221)에 연결될 수 있으므로, 전도성 유기층(262)이 금속층(261)과 제 1 금속 산화물층(263)을 도통시키는 것은 저항 증가 및 전압 강하를 방지하기 위해 매우 중요하다.The conductive organic layer 262 increases the volume of the common electrode 260 by allowing the lowermost metal layer 261 and the uppermost first metal oxide layer 263 constituting the common electrode 260 to communicate with each other. By doing so, it is possible to prevent an increase in resistance and a voltage drop. In particular, since the first metal oxide layer 263 may be connected to the auxiliary electrode 221 to be described later, the conductive organic layer 262 conducts the metal layer 261 and the first metal oxide layer 263 to increase resistance and It is very important to avoid voltage drop.

상기 설명한 보조 전극(221)은 기판(210) 상에 위치하며, 공통 전극(260)이 인가 받는 전압과 동일한 전압을 인가 받을 수 있다. 본 발명에서 공통 전극(260)은 캐소드 전극 역할을 하며, 저전위 전압단(Vss)과 연결될 수 있다. The auxiliary electrode 221 described above is positioned on the substrate 210 and may receive the same voltage as the voltage applied to the common electrode 260. In the present invention, the common electrode 260 serves as a cathode electrode, and may be connected to the low potential voltage terminal Vss.

따라서, 보조 전극(221)도 저전위 전압단(Vss)과 연결될 수 있다. 한편, 화소 전극(220)은 애노드 전극 역할을 하며, 고전위 전압단(Vdd)과 연결될 수 있다.Accordingly, the auxiliary electrode 221 may also be connected to the low potential voltage terminal Vss. Meanwhile, the pixel electrode 220 serves as an anode electrode and may be connected to the high potential voltage terminal Vdd.

또한, 보조 전극(221)은 화소 전극(220)이 형성될 때 동시에 형성될 수 있으며, 따라서, 보조 전극(221)은 화소 전극(220)과 동일 층 상에 위치할 수 있다. Further, the auxiliary electrode 221 may be formed at the same time when the pixel electrode 220 is formed, and thus, the auxiliary electrode 221 may be positioned on the same layer as the pixel electrode 220.

즉, 보조 전극(221)은 화소 전극(220)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 또는 화소 전극(220)과 적어도 하나의 동일한 물질을 포함할 수 있다. That is, the auxiliary electrode 221 may be formed of the same material as the pixel electrode 220 or may include at least one of the same material as the pixel electrode 220.

화소 전극(220)이 단일층으로 구성될 경우, 보조 전극(221)은 상기 단일층과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 화소 전극(220)이 복수의 박막이 적층되어 형성될 경우, 보조 전극(221)은 상기 박막 중 어느 하나와 동일한 물질로 형성될 수 있다.When the pixel electrode 220 is formed of a single layer, the auxiliary electrode 221 may be formed of the same material as the single layer, and when the pixel electrode 220 is formed by stacking a plurality of thin films, the auxiliary electrode ( 221) may be formed of the same material as any one of the thin films.

보조 전극(221)은 공통 전극(260)의 전압 강하를 방지하기 위해 공통 전극(260)과 연결되며, 특히, 제 1 금속 산화물층(263)과 연결될 수 있다. 공통 전극(260)은 기판(210)의 가장자리 영역인 비표시 영역(미도시)의 패드부에서 저전압단(Vss)과 연결될 수 있으며, 기판(210) 중앙부에서는 저전압단(Vss)과 연결되지 않는다. 따라서, 기판(210) 중앙부에서 공통 전극(260)의 저항이 커져 전압 강하현상이 발생할 수 있어, 보조 전극(221)에 저전압단(Vss)이 연결되고, 보조 전극(221)이 공통 전극(260)과 연결되어 상기와 같은 전압 강하 현상을 방지할 수 있다.The auxiliary electrode 221 is connected to the common electrode 260 to prevent a voltage drop of the common electrode 260, and in particular, may be connected to the first metal oxide layer 263. The common electrode 260 may be connected to the low voltage terminal Vss in the pad portion of the non-display area (not shown), which is the edge region of the substrate 210, and not connected to the low voltage terminal Vss in the central portion of the substrate 210. . Accordingly, a voltage drop phenomenon may occur due to an increase in the resistance of the common electrode 260 at the center of the substrate 210, so that the low voltage terminal Vss is connected to the auxiliary electrode 221, and the auxiliary electrode 221 is the common electrode 260. ), it is possible to prevent the voltage drop as described above.

상기와 같이 보조 전극(221)이 유기 발광층(250)을 사이에 두고 공통 전극(260)과 연결되기 위해, 발광 영역 외부의 뱅크층(230)이 위치한 영역에서 격벽층(240)을 형성하며, 이를 통해 보조 전극(221)과 공통 전극(260)이 서로 연결될 수 있다. 격벽층(240)은 역테이퍼(reverse taper) 형상으로 뱅크층(230) 사이에 위치할 수 있으며, 격벽층(240)과 뱅크층(230) 사이의 간격이 작아 유기 발광층(250), 공통 전극(260)의 금속층(261) 및 전도성 유기층(262)은 보조 전극(221)과 연결되지 않고 격벽층(240) 상부에만 도포되게 된다.As described above, in order for the auxiliary electrode 221 to be connected to the common electrode 260 with the organic emission layer 250 therebetween, the partition wall layer 240 is formed in a region where the bank layer 230 is located outside the emission region, Through this, the auxiliary electrode 221 and the common electrode 260 may be connected to each other. The partition wall layer 240 may be positioned between the bank layers 230 in a reverse taper shape, and the gap between the partition wall layer 240 and the bank layer 230 is small, so that the organic emission layer 250 and the common electrode The metal layer 261 and the conductive organic layer 262 of 260 are not connected to the auxiliary electrode 221 and are applied only on the partition wall layer 240.

그러나, 제 1 금속 산화물층(263)은 스퍼터링법(sputtering)으로 형성되는 경우, 스텝 커버러지(step coverage) 특성이 매우 좋아지기 때문에, 격벽층(240) 및 뱅크층(230) 사이에도 침투하여 박막을 형성할 수 있다. 따라서, 제 1 금속 산화물층(263)이 보조 전극(221)과 연결될 수 있다. However, when the first metal oxide layer 263 is formed by sputtering, since the step coverage property is very good, it penetrates between the partition wall layer 240 and the bank layer 230. A thin film can be formed. Accordingly, the first metal oxide layer 263 may be connected to the auxiliary electrode 221.

도 2에는 도시되지 않았지만, 상기 공통 전극(260)은 금속층(261) 및 전도성 유기층(262) 사이에 유치하는 제 2 금속 산화물층을 더 포함 할 수 있다.Although not shown in FIG. 2, the common electrode 260 may further include a second metal oxide layer held between the metal layer 261 and the conductive organic layer 262.

제 2 금속 산화물층이 공통 전극(260) 내부에 포함되면, 전자 주입 효율을 향상시킬 수 있고, 면저항을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.When the second metal oxide layer is included in the common electrode 260, there are advantages of improving electron injection efficiency and increasing sheet resistance.

제 2 금속 산화물층은 화소 전극(220)과 연결되어 쇼트되지 않도록 얇게 형성될 수 있으며, 바람직하게 10Å 내지 500Å 범위의 두께로 형성될 수 있다. The second metal oxide layer may be thinly formed so as not to be short-circuited by being connected to the pixel electrode 220, and may be formed to have a thickness ranging from 10 Å to 500 Å.

제 2 금속 산화물층이 형성되는 실시예에서는, 전도성 유기층(262)이 100Å 내지 10,000Å 범위의 두께로 형성되는 것이 바람직하고, 제 1 금속 산화물층(263) 은 100Å 내지 5,000Å 범위의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.In an embodiment in which the second metal oxide layer is formed, the conductive organic layer 262 is preferably formed to a thickness in the range of 100 Å to 10,000 Å, and the first metal oxide layer 263 is formed to a thickness in the range of 100 Å to 5,000 Å. It is desirable to be.

도 3은 본 발명의 변형 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a modified embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예로서, 공통 전극(260)은 도 2에 도시된 금속층(261)을 포함하지 않고, 제 1 금속산화물층(263), 전도성 유기층(262), 제 2 금속 산화물층(264)으로 구성 할 수 있다.Referring to FIG. 3, as another embodiment of the present invention, the common electrode 260 does not include the metal layer 261 shown in FIG. 2, but a first metal oxide layer 263, a conductive organic layer 262, It may be composed of a second metal oxide layer 264.

금속층(261)을 포함하지 않는 경우 화소 전극(220)과 공통 전극(260)은 파티클(P)에 의하여 화소 전극(220)과 공통 전극(260), 자세하게는 화소 전극(220)과 제 2 금속 산화물층(264)이 파티클(P)의 주변부에서 연결될 수 있다.When the metal layer 261 is not included, the pixel electrode 220 and the common electrode 260 are formed by the particle P to the pixel electrode 220 and the common electrode 260, in detail, the pixel electrode 220 and the second metal. The oxide layer 264 may be connected at the periphery of the particle P.

파티클(P)에 의하여 화소 전극(220)과 공통 전극(260)은 제 2 금속 산화물층(264)을 통하여 파티클(P)의 주변부에서 연결되므로, 화소 전극(220) 및 공통 전극(260)에 전압을 가하면, 화소 전극(220)과 공통 전극(260)이 파티클(P)에 의해 연결되는 영역의 제 2 금속산화물층(264)이 전압에 의하여 파괴되어 파티클(P)의 주변부에서 공통 전극(260)과 화소전극(220)간의 절연부(INS)가 생성된다.Since the pixel electrode 220 and the common electrode 260 are connected at the periphery of the particle P through the second metal oxide layer 264 by the particle P, the pixel electrode 220 and the common electrode 260 When a voltage is applied, the second metal oxide layer 264 in the region where the pixel electrode 220 and the common electrode 260 are connected by the particle P is destroyed by the voltage, and the common electrode ( An insulating portion INS between the 260 and the pixel electrode 220 is generated.

도 4a ~ 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.4A to 4E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 기판(210) 상에 화소 전극(220)을 형성한다. 화소 전극(220)을 형성하면서, 보조 전극(221)을 동시에 형성할 수 있다. 그러나, 이제 제한되지 않고, 보조 전극(221)은 화소 전극(220)과 별도로 형성될 수도 있다.First, as shown in FIG. 4A, a pixel electrode 220 is formed on a substrate 210. While forming the pixel electrode 220, the auxiliary electrode 221 may be simultaneously formed. However, the present invention is not limited thereto, and the auxiliary electrode 221 may be formed separately from the pixel electrode 220.

다음으로, 화소 전극(220) 상에 뱅크층(230)을 형성한다. 뱅크층(230)은 화소 전극(220)의 가장자리 일부와 중첩되어 화소 전극(220)과 유기 발광층(250)이 접하는 발광 영역을 정의한다. 뱅크층(230)은 보조 전극(221)의 가장자리 일부와도 중첩될 수 있다. 뱅크층(230)에 의해 노출된 보조 전극(221) 상에는 격벽층(240)이 위치한다. 격벽층(240)은 역테이퍼 형태이며, 뱅크층(230)과 격벽층(240)은 이격되어 추후 형성되는 제 1 금속 산화물층(263)이 침투할 수 있는 공간을 형성한다.Next, a bank layer 230 is formed on the pixel electrode 220. The bank layer 230 overlaps with a portion of the edge of the pixel electrode 220 to define a light emitting area in which the pixel electrode 220 and the organic emission layer 250 contact each other. The bank layer 230 may also overlap a portion of the edge of the auxiliary electrode 221. The partition wall layer 240 is positioned on the auxiliary electrode 221 exposed by the bank layer 230. The partition wall layer 240 has an inverted taper shape, and the bank layer 230 and the partition wall layer 240 are spaced apart to form a space through which the first metal oxide layer 263 to be formed can penetrate.

뱅크층(230) 및 격벽층(240)이 형성된 후, 화소 전극(220) 상에 유기 발광층(250)을 형성한다. 유기 발광층(250)은 기판(210) 전체에 공통으로 형성되기 때문에 뱅크층(230) 및 격벽층(240) 상에도 형성될 수 있다. 그러나, 상기 설명과 같이 뱅크층(230) 및 격벽층(240) 사이의 공간에 침투하여 박막을 형성하지는 않는다.After the bank layer 230 and the partition wall layer 240 are formed, the organic emission layer 250 is formed on the pixel electrode 220. Since the organic emission layer 250 is formed in common over the entire substrate 210, it may also be formed on the bank layer 230 and the partition wall layer 240. However, as described above, a thin film is not formed by penetrating into the space between the bank layer 230 and the partition wall layer 240.

유기 발광층(250)은 진공 증착법(vacuum deposition), 레이저 전사법(laser transfer), 열전사법(thermal transfer) 및 스크린 프린팅법(screen printing)과 같은 방법으로 형성될 수 있으며, 화소 전극(220) 상에 파티클(P)이 생성된 경우, 파티클(P) 주변 영역에 형성되지 않을 수 있다.The organic emission layer 250 may be formed by a method such as vacuum deposition, laser transfer, thermal transfer, and screen printing, and is formed on the pixel electrode 220. In the case where the particles P are generated, they may not be formed in the area around the particles P.

다음으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 유기 발광층(250) 상에 금속층(261)을 형성할 수 있다. 금속층(261)도 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 뛰어나지 않아 유기 발광층(250)과 동일한 영역에 형성될 수 있다. 금속층(261)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 리튬(Li) 및 네오디뮴(Nd) 중 어느 하나 또는 적어도 하나를 포함하거나 LiF/Al, CsF/Al, Mg:Ag, Ca/Ag, Ca:Ag, LiF/Mg:Ag,LiF/Ca/Ag, LiF/Ca:Ag 등과 같은 합금을 포함할 수 있다.Next, as shown in FIG. 4B, a metal layer 261 may be formed on the organic emission layer 250. The metal layer 261 may also be formed in the same region as the organic emission layer 250 because it does not have excellent step coverage characteristics. The metal layer 261 includes any one or at least one of silver (Ag), magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), lithium (Li), and neodymium (Nd), or LiF/Al, CsF/Al , Mg:Ag, Ca/Ag, Ca:Ag, LiF/Mg:Ag, LiF/Ca/Ag, LiF/Ca:Ag, and the like.

다음으로, 도 4c와 같이 금속층(261) 상에 전도성 유기층(262)을 형성할 수 있다. 전도성 유기층(262)은 100Å 내지 5,000Å 범위의 두께로 형성될 수 있으며, 유기 발광층(250)과 동일한 물질로 형성되거나, 적어도 하나의 동일한 물질을 포함할 수 있다.Next, as shown in FIG. 4C, a conductive organic layer 262 may be formed on the metal layer 261. The conductive organic layer 262 may be formed to have a thickness in the range of 100 Å to 5,000 Å, and may be formed of the same material as the organic emission layer 250, or may include at least one of the same material.

도면에 도시되지는 않았지만, 금속층(261) 및 전도성 유기층(262) 사이에 위치하는 제 2 금속 산화물층(미도시)을 더 형성할 수 있다. 제 2 금속 산화물층(미도시)은 제 1 금속 산화물층(263)과 동일한 물질일 수 있으며, 화소 전극(220)과 쇼트되지 않도록 얇게 형성될 수 있으며, 바람직하게 10Å 내지 500Å 범위의 두께로 형성될 수 있다.Although not shown in the drawing, a second metal oxide layer (not shown) positioned between the metal layer 261 and the conductive organic layer 262 may be further formed. The second metal oxide layer (not shown) may be the same material as the first metal oxide layer 263, may be formed thin so as not to be shorted with the pixel electrode 220, and preferably formed to a thickness in the range of 10 Å to 500 Å. Can be.

다음으로, 도 4d와 같이 전도성 유기층(262) 상에 제 1 금속 산화물층(263)을 형성할 수 있다. 제 1 금속 산화물층(263)은 특히, 스퍼터링법으로 형성되어 스텝 커버리지 특성이 더욱 향상될 수 있다. 제 1 금속 산화물층(263)은 보조 전극(221)과 연결되지만 화소 전극(220)과는 연결되지 않는 것이 특징이다.Next, as shown in FIG. 4D, a first metal oxide layer 263 may be formed on the conductive organic layer 262. In particular, the first metal oxide layer 263 may be formed by a sputtering method to further improve step coverage characteristics. The first metal oxide layer 263 is connected to the auxiliary electrode 221 but is not connected to the pixel electrode 220.

마지막으로, 도 4e와 같이, 금속층(261), 전도성 유기층(262) 및 제 1 금속산화물층(263)을 포함하는 공통 전극(260)을 형성한 후, 화소 전극(220) 및 공통 전극(260)에 역전압을 인가하여 이물질인 파티클(P)에 노출되는 금속층(261)의 표면에 절연부(INS)를 형성한다. 본 발명에서 화소 전극(220)은 애노드 전극의 역할을 하고 공통 전극(260)은 캐소드 전극의 역할을 하므로, 화소 전극(220)에 저전위 전압을 인가하고, 공통 전극(260)에 고전위 전압을 인가하여 역전압을 인가하면, 금속층(261)이 산화되어 절연부(INS)가 이물질에 노출되는 금속층(261)의 표면에 형성될 수 있다.Finally, as shown in FIG. 4E, after forming the common electrode 260 including the metal layer 261, the conductive organic layer 262, and the first metal oxide layer 263, the pixel electrode 220 and the common electrode 260 are formed. ) To form an insulating part INS on the surface of the metal layer 261 exposed to particles P, which are foreign substances. In the present invention, since the pixel electrode 220 serves as an anode and the common electrode 260 serves as a cathode, a low potential voltage is applied to the pixel electrode 220 and a high potential voltage is applied to the common electrode 260. When a reverse voltage is applied by applying, the metal layer 261 may be oxidized so that the insulating part INS may be formed on the surface of the metal layer 261 exposed to foreign materials.

또한, 제 1 금속 산화물층(263)이 파티클(P)의 하부까지 침투하여 일부분이 화소 전극(220)과 연결되는 경우에도, 역전압을 인가하는 단계를 통해서 제 1 금속 산화물층(263)과 화소 전극(220)이 연결되는 영역이 절연됨으로써, 화소 전극(220)과 공통 전극(260)의 쇼트를 방지할 수 있다.In addition, even when the first metal oxide layer 263 penetrates to the bottom of the particle P and partially is connected to the pixel electrode 220, the first metal oxide layer 263 and the first metal oxide layer 263 Since the region to which the pixel electrode 220 is connected is insulated, a short circuit between the pixel electrode 220 and the common electrode 260 may be prevented.

상기와 같이, 유기 발광층을 포함하는 유기발광소자 공정 시 파티클(P)과 같은 이물질이 발생하더라도 화소 전극(220) 및 공통 전극(260) 간에 절연부(INS)를 형성하여 쇼트를 방지함으로써, 파티클(P)이 발생한 영역만 암점화되고, 화소의 나머지 영역은 정상 구동시킬 수 있다. 또한, 상기와 같이 파티클(P)이 발생한 영역만 암점화되고, 화소의 나머지 영역은 정상 구동시킬 수 있어 불량 화소의 발생을 저감시킬 수 있다. 그리고, 유기 발광층(250)과 공통 전극(260) 사이에 전도성 유기층(262)을 형성하여, 공통 전극(260)에 포함되는 제 1 금속 산화물층(263)이 파티클(P)과 유기 발광층(250) 사이를 관통하여 화소 전극(220)과 연결되는 것을 방지함으로써, 화소 전극(220)과 제 1 금속 산화물층(263) 간의 쇼트를 방지할 수 있다.As described above, even if foreign substances such as particles P are generated during the process of the organic light emitting device including the organic light emitting layer, an insulating portion INS is formed between the pixel electrode 220 and the common electrode 260 to prevent short circuit, Only the area in which (P) occurs is darkened, and the remaining areas of the pixel can be normally driven. In addition, as described above, only the area in which the particle P is generated is darkened, and the remaining areas of the pixel can be normally driven, thereby reducing the occurrence of defective pixels. In addition, a conductive organic layer 262 is formed between the organic emission layer 250 and the common electrode 260, so that the first metal oxide layer 263 included in the common electrode 260 is formed with particles P and the organic emission layer 250. ) To be connected to the pixel electrode 220 through the gap, thereby preventing a short between the pixel electrode 220 and the first metal oxide layer 263.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

210: 기판
220: 화소 전극
221: 보조 전극
230: 뱅크층
240: 격벽층
250: 유기 발광층
260: 공통 전극
261: 금속층
262: 전도성 유기층
263: 제 1 금속 산화물층
264: 제 2 금속 산화물층
P: 파티클
INS: 절연부
210: substrate
220: pixel electrode
221: auxiliary electrode
230: bank layer
240: bulkhead layer
250: organic emission layer
260: common electrode
261: metal layer
262: conductive organic layer
263: first metal oxide layer
264: second metal oxide layer
P: particle
INS: insulation

Claims (18)

기판;
상기 기판 상에 위치하는 화소 전극;
상기 화소 전극 상에 위치하는 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 위치하는 금속층, 상기 금속층 상에 위치하는 전도성 유기층 및 상기 전도성 유기층 상에 위치하는 제 1 금속 산화물층을 포함하는 공통 전극; 및
상기 금속층의 표면 중 이물질에 노출된 영역에 형성된 절연부;를 포함하고,
상기 절연부는 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 절연시키는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
Board;
A pixel electrode on the substrate;
An organic emission layer positioned on the pixel electrode;
A common electrode including a metal layer disposed on the organic emission layer, a conductive organic layer disposed on the metal layer, and a first metal oxide layer disposed on the conductive organic layer; And
Including; an insulating portion formed in a region of the surface of the metal layer exposed to foreign substances,
The insulator part insulates the pixel electrode and the common electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 기판 상에 위치하는 보조 전극을 더 포함하고,
상기 보조 전극은 상기 제 1 금속 산화물층과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
Further comprising an auxiliary electrode positioned on the substrate,
The auxiliary electrode is an organic light emitting display device, characterized in that connected to the first metal oxide layer.
제 2 항에 있어서,
상기 보조 전극은 상기 공통 전극이 인가 받는 전압과 동일한 전압을 인가 받는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 2,
The organic light emitting display device, wherein the auxiliary electrode is applied with the same voltage as the voltage applied to the common electrode.
제 2 항에 있어서,
상기 보조 전극은 상기 화소 전극과 동일 층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 2,
And the auxiliary electrode is disposed on the same layer as the pixel electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 금속 산화물층의 두께는 100Å 내지 5,000Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The organic electroluminescent display device, wherein the first metal oxide layer has a thickness of 100 Å to 5,000 Å.
제 1 항에 있어서,
상기 유기 발광층 및 상기 전도성 유기층은 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The organic light emitting display device, wherein the organic light emitting layer and the conductive organic layer are made of the same material.
제 1 항에 있어서,
상기 전도성 유기층의 두께는 100Å 내지 10,000Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The organic light emitting display device, wherein the conductive organic layer has a thickness of 100 Å to 10,000 Å.
제 1 항에 있어서,
상기 공통 전극은 상기 금속층 및 상기 전도성 유기층 사이에 위치하는 제 2 금속 산화물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The common electrode further comprises a second metal oxide layer disposed between the metal layer and the conductive organic layer.
제 8 항에 있어서,
상기 제 2 금속 산화물층의 두께는 10Å 내지 500Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 8,
The organic light emitting display device, wherein the second metal oxide layer has a thickness of 10 Å to 500 Å.
기판 상에 위치하는 화소 전극;
상기 화소 전극 상에 위치하는 유기 발광층;
상기 유기발광층 상에 위치하는 제 1 금속 산화물층;
상기 제1 금속 산화물층 상에 위치하는 전도성 유기층; 및
상기 전도성 유기층 상에 위치하는 제 2 금속 산화물층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
A pixel electrode positioned on the substrate;
An organic emission layer positioned on the pixel electrode;
A first metal oxide layer on the organic emission layer;
A conductive organic layer on the first metal oxide layer; And
An organic light emitting display device comprising: a second metal oxide layer on the conductive organic layer.
제 10 항에 있어서,
상기 제 1 금속 산화물층의 두께는 100Å 내지 5,000Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 10,
The organic electroluminescent display device, wherein the first metal oxide layer has a thickness of 100 Å to 5,000 Å.
제 10 항에 있어서,
상기 유기 발광층 및 상기 전도성 유기층은 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 10,
The organic light emitting display device, wherein the organic light emitting layer and the conductive organic layer are made of the same material.
제 10 항에 있어서,
상기 전도성 유기층의 두께는 100Å 내지 10,000Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 10,
The organic light emitting display device, wherein the conductive organic layer has a thickness of 100 Å to 10,000 Å.
제 10 항에 있어서,
상기 제 2 금속 산화물층의 두께는 10Å 내지 500Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 10,
The organic light emitting display device, wherein the second metal oxide layer has a thickness of 10 Å to 500 Å.
기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 화소 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계;
상기 유기 발광층 상에 위치하는 금속층, 상기 금속층 상에 위치하는 전도성 유기층 및 상기 유기층 상에 위치하는 제 1 금속 산화물층을 구비하는 공통 전극을 형성하는 단계; 및
상기 금속층의 표면 중 이물질에 노출된 영역에 형성된 절연부를 형성하는 단계;를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
Forming a pixel electrode on a substrate;
Forming an organic emission layer on the pixel electrode;
Forming a common electrode including a metal layer on the organic emission layer, a conductive organic layer on the metal layer, and a first metal oxide layer on the organic layer; And
And forming an insulating portion formed on a surface of the metal layer exposed to foreign substances.
제 15 항에 있어서,
상기 기판 상에 보조 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 보조 전극은 상기 제 1 금속 산화물층과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method of claim 15,
Further comprising the step of forming an auxiliary electrode on the substrate,
The auxiliary electrode is a method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that connected to the first metal oxide layer.
제 15 항에 있어서,
상기 절연부는 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 역전압을 가하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method of claim 15,
The insulating portion is formed by applying a reverse voltage to the pixel electrode and the common electrode. A method of manufacturing an organic light emitting display device.
제 15 항에 있어서,
상기 금속층 및 상기 전도성 유기층 사이에 제 2 금속 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method of claim 15,
The method of manufacturing an organic light emitting display device further comprising forming a second metal oxide layer between the metal layer and the conductive organic layer.
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