KR102174723B1 - 홀로그래픽 기록 방법 및 홀로그래픽 기록 장치 - Google Patents

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Abstract

홀로그래픽 정보의 재기록이 가능하고, 빠르고 높은 효율로 홀로그래픽 정보를 기록할 수 있는 고효율/고속구동 재기록 홀로그래픽 기록 방법 및 홀로그래픽 기록 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 방법은, 빛에너지를 흡수하여 분자구조가 변화하는 광이성질화 특성을 가지는 광반응성 고분자 물질을 포함하는 홀로그래픽 기록매체에 광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 홀로그래픽 기록 방법에 있어서, 상기 홀로그래픽 기록매체의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수스펙트럼에서, 최대 흡수 파장과 상이한 기록 파장으로 상기 홀로그래픽 정보를 기록한다. 상기 최대 흡수 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 광 흡수율이 최대가 되는 파장이다. 상기 기록 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이는 상기 최대 흡수 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이 보다 작아진다.

Description

홀로그래픽 기록 방법 및 홀로그래픽 기록 장치{Holographic writing method and holographic writing apparatus}
본 발명은 홀로그래픽 기록 방법 및 홀로그래픽 기록 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 빠르고 높은 효율로 광반응성 고분자 기록매체에 홀로그래픽 정보를 기록할 수 있는 고효율/고속응답 홀로그래픽 기록 방법 및 홀로그래픽 기록 장치에 관한 것이다.
홀로그램 디스플레이는 실제 사물을 보는 것과 동일한 입체감과 현실감을 제공해주는 실감형 디스플레이로, 기존 3D 영상과 비교하여 안경을 착용하지 않아도 되고, 눈의 피로가 없으며, 공간 왜곡이 없다는 장점이 있다. 최근 광학산업 및 레이저 기술의 발달로 인해 홀로그래픽 기록 기술은 디스플레이 뿐만이 아니라 광학부품 제작, 정보의 기록 및 보안, 인쇄 및 교육과 같은 폭넓은 분야에서 적용되고 있다.
홀로그램의 종류는 기록 방식에 따라 크게 아날로그 홀로그램과 디지털 홀로그램으로 분류되며, 그 밖에 홀로그램 영상 효과를 모방하는 유사 홀로그램 기술이 있다. 아날로그 홀로그램 기록 방식은 염화은과 같은 필름에 사물을 입체 영상으로 찍고 현상하는 사진기술을 이용하여 대상 사물을 재현하는 방식이다. 디지털 홀로그램 기록 방식은 사물로부터 반사된 빛을 디지털화된 기록 및 재현을 통해 실제와 같은 현실감을 제공하는 방식이다. 유사 홀로그램은 반투과형 영상 스크린과 초다시점 입체영상으로 홀로그램과 유사한 효과를 구현하는 기술이다.
홀로그램 기록용 재료는 은염(silver halide), 중크롬산 젤라틴(DCG; dicromated gelatin), 포토레지스트(photoresist), 포토크로믹 물질 (photochromics), 열감응 플라스틱(photo thermoplastic), 포토폴리머(photopolymer), 광굴절 물질(photo-refractive materials), 광반응성 고분자 물질 등이 있다. 은염 필름은 가장 오래된 재료로, 일반 사진 기술에서 발전하여 홀로그램 기록재료로 응용되고 있다. 은염은 다른 재료와 비교하여 높은 해상도와 고감도 그리고 높은 감광 대역폭을 갖는 장점이 있으나, 화학적 습식 처리(현상 과정)를 거쳐야 하고, 홀로그램 기록 후 수명이 길지 않다는 단점이 있다.
DCG 기록 재료는 젤라틴 기판에 감광유제로 중크롬산 암모니아를 함유하고 있으며, 노광에 의해 화학적으로 광 망상결합으로 경화되는 성질을 이용하여 홀로그램을 기록한다. DCG 재료는 부피 위상형 홀로그램에 많이 사용되는 기록재료로, 흡수와 산란이 적고 굴절율 변조가 크며 높은 해상도와 변조 전달함수를 갖는다. 그러나 젤라틴으로 도포된 건판이나 필름이 상용화되어 있지 않아 실험자가 직접 제작해야 하고, 젤라틴이 온도, 압력, 습도 등의 환경적 변화에 민감하여 기록된 홀로그램의 수명이 짧다는 단점이 있다.
포토폴리머는 단량체와 바인더, 광개시제, 감광제, 염료 등으로 구성되어 있고, 은염 및 DCG와 같은 습식 처리 과정이 없으며, 감광도와 해상도가 우수하고 회절효율이 높은 장점이 있다. 포토레지스트는 가장 저렴한 가격으로 홀로그램을 대량 생산할 수 있는 기록 재료로, 신용카드와 위변조 방지용 홀로그램, 보안 문서등에 광범위하게 사용되고 있다. 포토폴리머, 포토레지스트와 같은 홀로그래픽 기록 매질은 높은 해상도와 낮은 기록 에너지, 풀컬러(full color) 기록과 같은 장점들을 가지고 있으나, 한번 기록된 홀로그래픽 정보들은 지울 수 없는 물질적 특성을 가짐으로 인해 홀로그래픽 정보의 재기록이 불가능하다.
한편, 2010년 미국의 애리조나 주립대학의 N. Peyghambarian은 광굴절 고분자(photo-refractive polymer)를 이용하여 2초마다 1장의 홀로그램 이미지를 재기록할 수 있는 재기록 홀로그램 화상회의 시스템에 관한 연구결과를 발표하였다. 하지만, 광굴절 고분자의 물질 특성상 홀로그래픽 정보를 기록하기 위해서는 매우 높은 전압을 필요로 하고, 두꺼운 홀로그래픽 기록 필름에 안정적인 기록을 위해서는 약 4천볼트 이상의 매우 높은 전압이 인가되어야만 한다.
광반응성 고분자 소재는 대표적으로 아조벤젠 고분자 물질이 있다. 아조벤젠 물질은 흡수한 빛에너지를 분자 구조를 변경하는 기계적 에너지로 전환시키는 독특한 특성을 가지는 물질이다. 광반응성 고분자 기반의 홀로그래픽 기록 방법은 초기에는 아조벤젠 단분자를 광학적 이방성을 가지는 액정 등의 물질에 도핑하여 간접적인 효과를 유도하는 형태로 연구가 진행되었다. 하지만, 구동이 반복적으로 수행될 경우 아조벤젠 단분자의 균일한 도핑 상태가 유지되기 어려우며, 액정의 특성상 고해상도의 홀로그래픽 정보의 기록이 어렵고, 임의의 형태(free form)의 기록 소재로 적용하기 어려운 단점을 갖는다.
이와 같은 아조 도핑형 액정 시스템의 단점을 해결하기 위하여, 아조벤젠 단분자에 광학적 이방성을 유도할 수 있는 화학기를 합성한 액정상 아조벤젠 물질이 개발되었다. 안정적인 홀로그래픽 필름의 형성을 위하여 액정상 아조벤젠 물질을 고분자 매트릭스 안에 분산시키는 연구가 수행되고 있으며, 높은 기록 해상도를 얻을 수 있고 안정적인 필름을 형성할 수 있는 장점을 가지고 있다. 종래에는 아조벤젠의 광이성질화(photo-isomerization) 현상을 빠르고 높은 효율로 만들어 주기 위하여, 광흡수율이 최대가 되는 파장의 레이저광을 이용하여 홀로그래픽 정보를 기록하고 있다. 하지만, 고분자 매트릭스 안에 아조벤젠 물질의 균일한 분포를 구현하기 어렵다는 단점을 가지고 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 고분자 백본(backbone)에 아조벤젠 액정상 물질을 화학 결합시킨 아조벤젠 고분자 물질에 대한 연구가 진행되고 있다. 아조벤젠 고분자 물질의 경우 기존의 아조벤젠 물질이 도핑된 형태의 물질들과는 다르게 아조벤젠 분자가 광이성질화 될 때 물질적인 파라미터들이 차이점을 보인다. 대표적으로 아조벤젠 분자의 자유 부피(free volume), 쌍극자 모멘트(dipole moment), 반데르발스힘(vander walls force) 등과 같은 파라미터들이 차이점을 보이며, 이러한 요소들은 아조벤젠 분자의 역광이성질화(reverse photo-isomerization) 과정을 더욱 더 느리게 만든다. 이러한 이유로 인해 아조벤젠 기반의 고분자 필름에서 홀로그래픽 기록 특성은 최대 회절 효율까지 기록되는데 약 10분 이상의 시간이 필요한 매우 느린 동작 특성을 갖는다.
본 발명은 홀로그래픽 정보의 재기록이 가능하고, 빠르고 높은 효율로 홀로그래픽 정보를 기록할 수 있는 고효율/고속응답 홀로그래픽 기록 방법 및 홀로그래픽 기록 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 홀로그래픽 기록 방법은 빛에너지를 흡수하여 분자구조가 변화하는 광이성질화 특성을 가지는 광반응성 고분자 물질을 포함하는 홀로그래픽 기록매체에 광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 홀로그래픽 기록 방법에 있어서, 상기 홀로그래픽 기록매체의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수스펙트럼에서, 최대 흡수 파장과 상이한 기록 파장으로 상기 홀로그래픽 정보를 기록하고, 상기 최대 흡수 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 광 흡수율이 최대가 되는 파장이고, 상기 기록 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이는 상기 최대 흡수 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이 보다 작은 것을 특징으로 한다.
상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장일 수 있다.
상기 광반응성 고분자 물질은 질소 간의 공유 결합 구조를 가지는 아조 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 아조 고분자 물질은 아조벤젠 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 아조벤젠 고분자 물질은 액정상 아조벤젠 물질을 고분자 매트릭스에 분산시킨 물질일 수 있다.
상기 광이성질체 분자구조들은 트랜스 이성질체 분자구조와 시스 이성질체 분자구조를 포함하고, 상기 기록 파장은 상기 트랜스 이성질체 분자구조의 광 흡수율과 상기 시스 이성질체 분자구조의 광 흡수율이 일치하는 파장일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 방법은 상기 기록 파장으로 상기 광을 연속적으로 조사하여 상기 광반응성 고분자 물질을 상기 트랜스 이성질체 분자구조와 상기 시스 이성질체 분자구조 간에 반복적으로 전환시킴으로써 상기 광반응성 고분자 물질을 상기 광의 편광 방향과 수직한 방향으로 정렬시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 방법은 상기 기록 파장에서의 상기 광반응성 고분자 물질의 회절 효율이 상기 최대 흡수 파장에서의 상기 광반응성 고분자 물질의 회절 효율보다 높을 수 있다.
상기 기록 파장은 상기 최대 흡수 파장 보다 높은 파장일 수 있다. 상기 기록 파장은 상기 최대 흡수 파장 보다 60 ~ 100 nm 높은 파장일 수 있다.
상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장 보다 큰 파장일 수 있다. 상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장 보다 5 ~ 15 nm 큰 파장일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 빛에너지를 흡수하여 분자구조가 변화하는 광이성질화 특성을 가지는 광반응성 고분자 물질을 포함하는 홀로그래픽 기록매체에 광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 홀로그래픽 기록 장치에 있어서, 상기 홀로그래픽 기록매체에 상기 광을 조사하여 상기 홀로그래픽 정보를 기록하되, 상기 홀로그래픽 기록매체의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수스펙트럼에서 최대 흡수 파장과 상이한 기록 파장으로 상기 광을 조사하여 상기 홀로그래픽 정보를 기록하는 광 조사부를 포함하고, 상기 최대 흡수 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 광 흡수율이 최대가 되는 파장이고, 상기 기록 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이는 상기 최대 흡수 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이 보다 작은 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치가 제공된다.
본 발명의 실시예에 의하면, 홀로그래픽 정보의 재기록이 가능하고, 빠르고 높은 효율로 홀로그래픽 정보를 기록할 수 있는 고효율/고속응답 홀로그래픽 기록 방법 및 홀로그래픽 기록 장치가 제공된다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 광반응성 고분자 물질의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수스펙트럼의 예시도이다.
도 2는 아조벤젠 고분자 물질의 분자구조를 예시한 도면이다.
도 3은 광반응성 고분자 물질의 트랜스 아조벤젠 분자구조의 예시도이다.
도 4는 광반응성 고분자 물질의 시스 아조벤젠 분자구조의 예시도이다.
도 5는 아조벤젠 분자에서 트랜스 및 시스 이성질체 사이의 광이성질화에 필요한 에너지 밴드 다이어그램의 개념도이다.
도 6은 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 광 흡수스펙트럼의 예시도이다.
도 7은 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 기록 파장에 따른 홀로그래픽 회절 효율 특성을 측정한 결과를 보여주는 도면이다.
도 8은 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 기록 파장에 따른 기록 구간에서의 홀로그래픽 회절 효율 변화를 보여주는 그래프이다.
도 9는 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 기록 중지 구간에서의 회절 효율 감소 특성 및 정규화된 회절 효율 감소 특성을 보여주는 도면이다.
도 10은 최대 흡수 파장에서 홀로그래픽 정보를 기록하는 과정에 따른 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 광 흡수스펙트럼의 변화 특성을 나타낸 도면이다.
도 11은 트랜스/시스 이성질체가 동일한 광 흡수율을 가지는 기록 파장에서 홀로그래픽 정보를 기록하는 과정에 따른 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 광 흡수스펙트럼의 변화 특성을 나타낸 도면이다.
도 12는 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질에 홀로그래픽 정보를 기록하는 여기광의 파장을 다양하게 변화시키면서 시간에 따른 광학적 이방성(retardation) 변화 특성을 보여주는 그래프이다.
도 13은 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질에 홀로그래픽 정보를 기록하는 여기광의 파장 별 광학적 이방성 특성을 비교한 결과이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 장치의 예시도이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 장치에 의해 생성된 홀로그램 이미지를 카메라로 촬영한 이미지이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 재기록 과정을 보여주는 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시예에 따라 제1 대상체의 홀로그래픽 정보를 기록한 홀로그램 이미지이다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따라 제2 대상체의 홀로그래픽 정보를 재기록한 홀로그램 이미지이다.
도 19는 본 발명의 실시예에 따라 다양한 포커스 위치로 기록된 홀로그램 이미지들의 수렴(accommodation) 특성을 보여주는 도면이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술하는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 공지된 구성에 대한 일반적인 설명은 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위해 생략될 수 있다. 본 발명의 도면에서 동일하거나 상응하는 구성에 대하여는 가급적 동일한 도면부호가 사용된다. 본 발명의 이해를 돕기 위하여, 도면에서 일부 구성은 다소 과장되거나 축소되어 도시될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다", "가지다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명은 광반응성 고분자 물질(photo-responsable polymer material) 기반의 홀로그래픽 기록 방법 및 장치에 있어서, 홀로그래픽 정보의 재기록이 가능하고, 높은 효율과 빠른 동작 특성을 가지는 고효율/고속구동 재기록(updatable) 홀로그래픽 기록 방법 및 장치를 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 방법은 광반응성 고분자 물질의 최대 흡수 파장을 가지는 레이저광으로 홀로그래픽 정보를 기록하지 않고, 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이가 최대 흡수 파장에서의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이 보다 작아지는 기록 파장으로 홀로그래픽 정보를 기록한다.
도 1은 광반응성 고분자 물질의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수스펙트럼의 예시도이다. 광이성질화 특성을 가지는 광반응성 물질의 경우 빛에너지를 흡수하여 분자구조가 변화하는 특성을 가지며, 분자구조의 변화에 따라 흡수스펙트럼의 특성도 함께 변화한다. 실시예에서, 광반응성 물질의 광이성질체 분자구조들은 트랜스(Trans) 이성질체 분자구조와, 시스(Cis) 이성질체 분자구조의 2종류의 분자구조들을 포함할 수 있다. 도 1에서, 트랜스 이성질체 분자구조의 광 흡수스펙트럼은 검정색 그래프로 도시되었으며, 시스 이성질체 분자구조의 광 흡수스펙트럼은 빨간색 그래프로 도시되었다.
종래의 홀로그래픽 기록 방법은 광반응성 고분자 물질의 광이성질화(photo-isomerization) 현상을 빠르고 높은 효율로 만들어 주기 위해 트랜스 이성질체 분자구조의 광흡수율 αtrans(λ)이 최대가 되는 최대 흡수 파장(λn-π*)의 레이저광을 이용하여 광반응성 고분자 기록매체에 홀로그래픽 정보를 기록한다. 최대 흡수 파장(λn-π*)에서 트랜스 이성질체 분자구조의 광흡수율 αtrans(λ)이 최대가 되어 트랜스 이성질체 분자구조에서 시스 이성질체 분자구조로의 광이성질화 현상은 촉진되지만, 트랜스 이성질체 분자구조와 시스 이성질체 분자구조의 광흡수율 차이 αtrans(λ) - αcis(λ) 가 크기 때문에, 시스 이성질체 분자구조에서 트랜스 이성질체 분자구조로의 역 이성질화(reverse isomerization) 현상의 동적 응답 특성이 느리다.
본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 방법은 광반응성 고분자 물질의 동적 응답 특성을 향상시키기 위하여, 최대 흡수 파장(λn-π*)의 레이저광으로 홀로그래픽 정보를 광반응성 고분자 기록매체에 기록하지 않고, 트랜스 이성질체 분자구조와 시스 이성질체 분자구조의 광흡수율 차이 αtrans(λ) - αcis(λ) 가 작은 기록 파장(λiso)의 레이저광으로 홀로그래픽 정보를 광반응성 고분자 기록매체에 기록한다. 실시예에서, 홀로그래픽 정보를 기록하는 광의 기록 파장(λiso)에서 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이는 최대 흡수 파장(λn-π*)에서의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이 보다 작을 수 있다.
기록 파장(λiso)에서 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이는 최대 흡수 파장(λn-π*)에서의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이의 1/2 미만, 보다 바람직하게는 1/5 미만, 보다 바람직하게는 1/10 미만일 수 있다. 실시예에서, 기록 파장(λiso)은 트랜스 이성질체 분자구조의 광 흡수율 αtrans(λ) 과 시스 이성질체 분자구조의 광 흡수율 αcis(λ) 이 실질적으로 일치하는 파장일 수 있다. 실시예에서, 홀로그래픽 정보는 가시광 대역(400 ~ 700 nm)의 빛을 사용하여 기록될 수 있다.
실시예에서, 광반응성 고분자 물질은 질소 간의 공유 결합 구조를 가지는 아조(Azo) 고분자 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 아조 고분자 물질은 아조벤젠 고분자 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 아조벤젠 고분자 물질은 액정상 아조벤젠 물질을 고분자 매트릭스에 분산시킨 물질일 수 있다. 도 2는 아조벤젠 고분자 물질의 분자구조를 예시한 도면으로, Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 화학구조를 보여주고 있다. Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질은 PMMA(Poly(methylmethacrylate)) 고분자 주 체인(main chain)에 사이드 체인(side chain)으로 유연성 알킬 체인(alkyl chain)(AC)과 아조벤젠 분자(azobenzene molecule)(AB)가 합성되고, 아조벤젠 물질의 끝단에 높은 광학적 이방성을 유도하기 위하여 톨란 모이어티(tolane moiety)(TM)가 추가된 분자구조를 갖는다.
도 3은 광반응성 고분자 물질의 트랜스 아조벤젠 분자구조의 예시도이다. 도 4는 광반응성 고분자 물질의 시스 아조벤젠 분자구조의 예시도이다. 도 5는 아조벤젠 분자에서 트랜스 및 시스 이성질체 사이의 광이성질화에 필요한 에너지 밴드 다이어그램의 개념도이다. 광이성질화 현상이 나타나는 물질들 중 단분자 물질의 경우, 광 활성화에 의한 트랜스(Trans) -> 시스(Cis) 로의 광이성질체화(photo isomerization)를 위하여, 응답 특성이 매우 빠른 최대 흡수 파장(λn-π*)에서 기록을 한다.
도 5에서, 검정선은 광반응성 물질의 트랜스 이성질체 분자구조의 에너지 밴드이고, 검정색 점선은 광반응성 단분자 물질의 시스 이성질체 분자구조의 에너지 밴드이고, 빨간선은 광반응성 고분자 물질의 시스 이성질체 분자구조의 에너지 밴드이다. 광반응성 단분자 물질의 경우, 여기광에 의해 트랜스 이성질체로부터 여기된 시스 이성질체 분자구조는 에너지적으로 여기된 불안정한 상태를 가지며, 시스 이성질체 분자구조 -> 트랜스 이성질체 분자구조로 넘어가는 역 이성질화(reverse isomerization) 과정의 에너지 장벽(energy barrier)이 낮아서 빠른 시간 안에 안정된 상태인 트랜스 이성질체 분자구조로 돌아오게 된다. 따라서, 광반응성 단분자 물질의 경우, 역 이성질화 과정이 빠르게 일어나므로, 트랜스 이성질체의 흡수율이 최대치 Max(αtrans(λ)) 가 되는 최대 흡수 파장(λn-π*)에서 홀로그래픽 정보를 기록하더라도 매우 빠른 동작 특성을 보인다.
하지만, 단분자 형태의 광이성질화 물질의 한계점을 극복하기 위하여 액정상 광이성질화 물질을 고분자 매트릭스에 분산할 경우, 단분자 물질의 경우보다 시스이성질체가 보다 안정적인 상태가 되고, 감소 시간(decay life time)이 크게 증가하는 상태가 된다. 그 이유로는 첫째로, 고분자 물질과 단분자 물질의 개별 분자가 인지하는 자유 부피(free volume)가 차이가 나기 때문이다. 단분자 물질은 무한대에 가까운 자유 부피를 갖지만, 고분자 매트릭스 안에 액정상 광이성질화 물질을 분산시키는 경우 자유 부피가 제한되어 시스 이성질체가 에너지적으로 더 안정적인 상태가 된다.
둘째로, 고분자 물질은 주변 고분자 매트릭스로 인해 단분자 물질의 경우 보다 극성(polar)의 환경이 형성된다. 즉, 액정상 광이성질화 물질의 극성의 치환기들과 고분자 매트릭스 사이에 화학적 상호작용 혹은 결합이 발생하고, 이로 인해 시스 이성질체 -> 트랜스 이성질체로의 에너지 장벽이 단분자 물질의 경우 보다 크게 증가하게 된다. 따라서, 시스 이성질체로 여기된 분자가 별도의 외부 자극 없이도 트랜스 이성질체로 역 이성질화되는 현상이 현저히 감소하게 된다.
고분자 주 체인(main chain)에 알킬 체인 등으로 결합된 광이성질화 고분자의 경우, 자유 부피가 더욱 더 감소하고 고분자 주 체인과의 결합력 또한 크게 증가하여, 매트릭스에 분산된 경우보다 시스 이성질체의 에너지 상태가 더 안정해져서 역 이성질화 과정이 더욱 느려지는 특성을 보인다. 이와 같은 이유들 때문에 최대 흡수 파장(λn-π*)으로 광반응성 고분자 물질 기록매체에 홀로그래픽 정보를 기록할 경우, 트랜스 -> 시스 다이나믹스는 매우 빠르지만, 시스 이성질체의 안정한 에너지 상태로 인해 시스 -> 트랜스 다이나믹스가 매우 느려서 광반응성 고분자 물질의 전체적인 홀로그래픽 기록 다이나믹스는 매우 느려지게 된다.
홀로그래픽 기록 과정에서 시스 -> 트랜스 역 이성질화(reverse isomerizatio) 다이나믹스가 중요한 이유는 Weigert effect 때문이다. 광이성질화 물질은 시스 이성질체에서 트랜스 이성질체로 분자구조가 돌아올 때 초기에 존재하던 방향이 아닌 랜덤(random)한 방향으로 돌아오는 특성을 가진다. Weigert effect 는 광이성질화 물질이 트랜스 -> 시스, 시스 -> 트랜스 사이클을 수없이 반복하면서, 조사된 빛에 의해 여기될 확률이 가장 낮은, 조사된 빛의 편광과 수직한 방향으로 분자들이 정렬되는 현상을 의미한다.
광이성질화 물질을 이용하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 경우, 단순히 트랜스 분자구조를 시스 분자구조로 여기시켜 홀로그래픽 정보를 기록하는 것보다, 광이성질화 물질의 장축을 Weigert effect 에 의해 정렬시켜 홀로그래픽 정보를 기록하는 것이 기록 효율 및 특성을 높이게 된다. 그러므로 광이성질화 고분자 물질 기반의 홀로그래픽 기록의 경우, 트랜스 -> 시스 과정 뿐만 아니라 시스 -> 트랜스의 역 이성질화 다이나믹스도 매우 중요하며, 단분자 물질의 경우와는 다른 기록 파장에서 홀로그래픽 정보를 기록할 필요가 있는 것이다.
본 발명의 실시예에서는 광반응성 고분자 물질 기반 홀로그래픽 기록 방법의 에너지 효율과 다이나믹스 특성을 개선하기 위하여, 트랜스 -> 시스 이성질화 과정과 비슷한 효율로 시스 -> 트랜스 역 이성질화 과정이 여기광에 의해 동시에 발생 가능한 기록 파장(λiso) 즉, 트랜스 이성질체와 시스 이성질체가 비슷한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso)으로 광반응성 고분자 기록매체에 홀로그래픽 정보를 기록하여, 광반응성 고분자 물질을 트랜스 이성질체 분자구조와 시스 이성질체 분자구조 간에 반복적으로 전환시켜 여기광의 편광 방향과 수직한 방향으로 정렬시킬 수 있다. 이에 의해, 광반응성 고분자 물질의 동적 응답 특성을 향상시키고, 낮은 에너지의 빛을 이용하여 높은 효율 및 고속 구동 특성으로 홀로그래픽 정보를 기록/재기록할 수 있다.
도 6은 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 광 흡수스펙트럼의 예시도이다. 아조벤젠 고분자 물질에 최대 흡수 파장(λn-π*)의 레이저로 홀로그래픽 정보를 기록하는 경우, 시스 트랜스 이성질체의 안정한 에너지 상태에 의해 역 이성질화 과정의 동적 응답 특성이 느려지게 된다. 이러한 문제점을 해소하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 방법은 트랜스 -> 시스 이성질화 과정과, 시스 -> 트랜스 역 이성질화 과정이 비슷한 효율로 일어날 수 있도록, 트랜스 이성질체와 시스 이성질체가 비슷한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso)으로 홀로그래픽 정보를 아조벤젠 고분자에 기록할 수 있다.
Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 흡수스펙트럼에서 최대 흡수 파장(λn-π*)은 약 460 nm 이고, 트랜스 이성질체와 시스 이성질체가 비슷한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso)은 약 534 nm 이다. 최대 흡수 파장(λn-π*)에서 트랜스 이성질체의 광 흡수율은 최대가 되는 반면, 시스 이성질체의 광 흡수율은 낮으며, 트랜스 이성질체와 시스 이성질체의 광 흡수율 차이가 크다. 따라서, 트랜스 이성질체와 시스 이성질체의 광 흡수율이 비슷해지는 기록 파장(λiso)은 최대 흡수 파장(λn-π*)과 상이하다.
최대 흡수 파장(λn-π*) 보다 커질수록 트랜스 이성질체와 시스 이성질체의 광 흡수율 차이는 점차 작아지므로, 기록 파장(λiso)은 최대 흡수 파장(λn-π*) 보다 큰 파장일 수 있다. 실시예에서, 트랜스 이성질체와 시스 이성질체가 비슷한 광 흡수율을 가지도록, 기록 파장(λiso)은 최대 흡수 파장(λn-π*) 보다 60 ~ 100 nm 높은 파장일 수 있으며, Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 경우에 기록 파장(λiso)은 520 ~ 560 nm, 보다 바람직하게는 530 ~ 540 nm 일 수 있다.
홀로그래픽 기록 특성은 기록파장의 조사에 따른 회절 효율 특성을 측정함으로써 평가할 수 있다. 도 7은 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 기록 파장에 따른 홀로그래픽 회절 효율 특성을 측정한 결과를 보여주는 도면이다. 최대 흡수 파장(λn-π*) 및 트랜스/시스 이성질체가 비슷한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso) 각각에 대해, 10초 간 아조벤젠 고분자 기록매체에 홀로그래픽 정보를 기록(Writing)한 후, 20초 간 기록을 중지(Decay without writing beam)하고, 40초 간 홀로그래픽 정보를 삭제(Erasing)하는 과정을 반복하여 회절 효율(diffraction efficiency)을 측정하였다.
도 8은 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 기록 파장에 따른 기록 구간에서의 홀로그래픽 회절 효율 변화를 보여주는 그래프이다. 도 8에서, 'ηt=1'은 기록 시작 후 1초가 경과한 시점에서의 회절 효율, 'ηt=5'은 기록 시작 후 5초가 경과한 시점에서의 회절 효율, 'ηt=10'은 기록 시작 후 10초가 경과한 시점에서의 회절 효율, 'tE'는 정보 삭제에 소요된 시간이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 동일한 편광/에너지의 레이저광에 의해 10초 간 광반응성 고분자 물질에 홀로그래픽 정보를 기록한 경우, 최대 흡수 파장(λn-π* = ~460 nm)에서는 약 7 % 정도의 낮은 회절 효율 특성을 나타내지만, 트랜스 이성질체와 시스 이성질체가 비슷한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso = ~532 nm)에서는 약 48% 이상의 높은 회절 효율을 나타내며, 최대 흡수 파장(λn-π* = ~460 nm)에서 기록한 경우 보다 약 600% ~ 700% 이상 향상된 홀로그래픽 간섭 패턴 기록 효율 및 동적 응답 특성을 보이는 것을 확인할 수 있다. 이는 앞서 설명한 트랜스 -> 시스 이성질화 과정 및 시스 -> 트랜스 역 이성질화 과정이 모두 활발히 반복됨으로 인해 아조벤젠 분자의 Weigert effect 가 빠르게 유도되었기 때문이다.
도 9의 (a)는 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 기록 중지 구간에서의 회절 효율 감소 특성을 보여주는 도면이고, (b)는 정규화된 회절 효율 감소 특성을 보여주는 도면이다. 최대 흡수 파장(λn-π* = ~460 nm)으로 홀로그래픽 정보를 기록한 경우의 회절 효율 감소 시간(τd)은 302.6초로 짧았으나, 트랜스/시스 이성질체가 비슷한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso = ~532 nm)으로 홀로그래픽 정보를 기록한 경우, 회절 효율 감소 시간(τd)이 477.9초로, 최대 흡수 파장(λn-π* = ~460 nm)으로 기록한 경우보다 약 58% 증가하였다.
회절 효율 감소 시간(decay time constant)(τd)은 수식
Figure 112018128487553-pat00001
으로부터 산출하였으며, 수식에서 'η'은 회절 효율, 'η0'은 최대 회절 효율, 't'는 여기광에 의한 기록에 의해 최대 회절 효율(η0)에 도달한 시점 부터 여기광에 의한 기록을 중지한 경과 시간, β는 분산 변수(dispersion parameter)이다. 도 9의 결과로부터, 본 발명의 실시예에 따라 트랜스/시스 이성질체가 비슷한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso = ~532 nm)에서 홀로그래픽 정보를 기록한 경우, 최대 흡수 파장(λn-π* = ~460 nm)으로 홀로그래픽 정보를 기록한 경우 보다 홀로그래픽 정보가 오래 지속되는 것을 알 수 있다.
파장에 따라 홀로그래픽 기록 특성의 차이가 발생하는 원인을 분석하기 위하여, 파장에 따른 Ph-5/95 물질의 특성을 분석하였다. 도 10은 최대 흡수 파장(λn-π* = ~460 nm)에서 홀로그래픽 정보를 기록하는 과정에 따른 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 광 흡수스펙트럼의 변화 특성을 나타낸 도면으로, (a)는 s 편광으로 기록한 경우, (b)는 p 편광으로 기록한 경우, (c)는 p 편광으로 기록한 경우의 440 nm 파장에서의 광 흡수율 변화를 나타낸 도면이다. 도 11은 트랜스/시스 이성질체가 동일한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso = ~534 nm)에서 홀로그래픽 정보를 기록하는 과정에 따른 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 광 흡수스펙트럼의 변화 특성을 나타낸 도면으로, (a)는 s 편광으로 기록한 경우, (b)는 p 편광으로 기록한 경우, (c)는 p 편광으로 기록한 경우의 440 nm 파장에서의 광 흡수율 변화를 나타낸 도면이다.
광유발 이색성(PID; photo-induced dichroism) 특성은 빛에 의해 분자가 정렬되는 현상을 의미하는 것으로, 최대 흡수 파장(λn-π* = ~460 nm)에서 홀로그래픽 정보를 기록한 경우 도 10에 도시된 바와 같이 매우 느린 정렬특성을 나타낸다. 이와 달리, 도 11의 도시로부터, 트랜스/시스 이성질체가 동일한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso = ~534 nm)에서 홀로그래픽 정보를 기록한 경우, 초기부터 분자 정렬이 빠르게 일어나는 것을 확인할 수 있다. 이는 기록 파장(λiso = ~534 nm)에 의해 시스 이성질체가 안정적인 에너지 상태를 가지게 되는 아조벤젠 고분자에서 시스 -> 트랜스 역 이성질화가 가역적으로 일어나 홀로그래픽 기록 다이나믹스 특성이 향상되었기 때문이다.
도 12는 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질에 홀로그래픽 정보를 기록하는 여기광의 파장을 다양하게 변화시키면서 시간에 따른 광학적 이방성 (retardation) 변화 특성을 보여주는 그래프이다. 도 13은 Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질에 홀로그래픽 정보를 기록하는 여기광의 파장 별 광학적 이방성 특성을 비교한 결과이다. 도 13은 PIR 특성을 여기광의 파장에 따른 함수로 분석한 결과이다. 도 12 및 도 13을 참조하여 알 수 있듯이, 트랜스/시스 이성질체가 동일한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso = ~534 nm) 부근에서 광학적 이방성 특성의 증가폭이 급격히 향상되는 것을 확인할 수 있다.
Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 경우, 트랜스/시스 이성질체가 동일한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso)은 최대 흡수 파장(약 460 nm) 보다 약 60 ~ 100 nm 높은 장파장일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 본 발명의 실시예에서, 홀로그래픽 정보를 기록하는 여기광의 기록 파장은 광 흡수스펙트럼에서 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장(Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 경우 약 534 nm)일 수도 있고, 그보다 큰 파장일 수도 있다.
Ph-5/95 아조벤젠 고분자 물질의 경우, 광이성질체들의 흡광율이 일치하는 파장(λiso = ~534 nm) 보다 약 5 ~ 15 nm 높은 기록 파장(약 540 ~ 550 nm)으로 홀로그래픽 정보를 할 때 최대의 광학적 이방성(retardation) 특성을 나타낸다. 이는 광이성질체들의 흡광율이 일치하는 파장(λiso = ~534 nm) 보다 약간 높은 기록 파장의 여기광으로 홀로그래픽 정보를 기록할 때 시스 이성질체의 광 흡수율이 보다 높아져 시스 -> 트랜스 역 이성질화 응답 특성이 향상되기 때문이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 장치의 예시도이다. 홀로그래픽 기록 장치는 홀로그래픽 기록매체에 광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 광 조사부를 포함할 수 있다. 광 조사부는 홀로그래픽 기록매체의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수스펙트럼에서 최대 흡수 파장과 상이한 기록 파장으로 여기광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록할 수 있다. 도 14에 도시된 홀로그래픽 기록 장치에 의해, 트랜스/시스 이성질체가 동일한 광 흡수율을 가지는 기록 파장(λiso)으로 여기광을 연속적으로 조사하여 홀로그래픽 기록매체(홀로그램 필름)에 대상체(Object)의 홀로그래픽 정보를 기록하였다.
연속파 레이저(Continuous Wave Laser)에 의해 조사된 여기광은 편광 빔스플리터(PBS; Polarization Beam Spliter)에 의해 제1 편광방향의 기준광(Reference beam)과, 제2 편광방향(예를 들어, s-polarization)의 기록용 광(Writing beam)으로 분할된다. 기준광(Reference beam)은 p-편광 선형편광자(LP; Linear Polarizer), 4분의1 파장판(QWP; Quarter Wave Plate), 공간 필터(SF; Spatial Filter), 콜리메이트 렌즈(CL; Collimating Lens)를 거쳐 광반응성 고분자 기록매체(Hologram film)으로 입사된다.
기록용 광(Writing beam)은 s-편광 선형편광자(LP; Linear Polarizer), 반사거울(M; Mirror)들, 4분의1 파장판(QWP; Quarter Wave Plate), 공간 필터(SF; Spatial Filter), 콜리메이트 렌즈(CL; Collimating Lens)를 거쳐 대상체(Object)에서 반사된 후 광반응성 고분자 기록매체(Hologram film)으로 입사된다. 광반응성 고분자 기록매체(Hologram film)에 입사되는 기준광(Reference beam)과 기록용 광(Writing beam)의 간섭(interference) 현상에 의해 광반응성 고분자 기록매체(Hologram film)에 홀로그래픽 정보가 기록된다. 도 15는 본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 장치에 의해 생성된 홀로그램 이미지를 카메라로 촬영한 이미지이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 재기록 과정을 보여주는 도면이다. 여기광에 의해 홀로그래픽 기록매체에 제1 대상체(Object1)에 대한 홀로그래픽 정보를 기록한 후, 읽기용 광을 홀로그래픽 기록매체에 조사하여 홀로그래픽 이미지를 생성하고, 이후 삭제용 광을 홀로그래픽 기록매체에 조사하여 홀로그래픽 정보를 삭제한 다음, 제2 대상체(Object2)에 대한 새로운 홀로그래픽 정보를 홀로그래픽 기록매체에 조사한 후, 읽기용 광을 홀로그래픽 기록매체에 조사하여 재기록된 홀로그래픽 이미지를 생성하는 과정을 반복하여, 재기록 가능성을 검증하였다.
Ph-5/95 아조벤젠 고분자 필름 상에 제1 대상체(Object1)의 홀로그래픽 이미지를 기록하여 읽은 다음 삭제하고, 이어서 제2 대상체(Object2)의 홀로그래픽 이미지를 재기록하였다. 도 17은 본 발명의 실시예에 따라 제1 대상체의 홀로그래픽 정보를 기록한 홀로그램 이미지이다. 도 18은 본 발명의 실시예에 따라 제2 대상체의 홀로그래픽 정보를 재기록한 홀로그램 이미지이다. 도 19는 본 발명의 실시예에 따라 다양한 포커스 위치로 기록된 홀로그램 이미지들의 수렴(accommodation) 특성을 보여주는 도면이다. 본 발명의 실시예에 따른 홀로그래픽 기록 장치에 의해 기록된 홀로그램 이미지는 재기록이 가능하고, 수평/수직 시차정보를 모두 표현할 수 있었으며, 수렴(accommodation) 특성 또한 명확히 표현하고 있음을 확인할 수 있다.
이상의 실시예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.

Claims (21)

  1. 빛에너지를 흡수하여 분자구조가 변화하는 광이성질화 특성을 가지는 광반응성 고분자 물질을 포함하는 홀로그래픽 기록매체에 광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 홀로그래픽 기록 방법에 있어서,
    상기 홀로그래픽 기록매체의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수스펙트럼들에서, 최대 흡수 파장과 상이한 기록 파장으로 상기 홀로그래픽 정보를 기록하고, 상기 최대 흡수 파장은 상기 광 흡수스펙트럼들에서 광 흡수율이 최대가 되는 파장이고,
    상기 기록 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이는 상기 최대 흡수 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이 보다 작은 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장인 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광반응성 고분자 물질은 질소 간의 공유 결합 구조를 가지는 아조 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 아조 고분자 물질은 아조벤젠 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 아조벤젠 고분자 물질은 액정상 아조벤젠 물질을 고분자 매트릭스에 분산시킨 물질인 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광이성질체 분자구조들은 트랜스 이성질체 분자구조와 시스 이성질체 분자구조를 포함하고, 상기 기록 파장은 상기 트랜스 이성질체 분자구조의 광 흡수율과 상기 시스 이성질체 분자구조의 광 흡수율이 일치하는 파장인 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기록 파장으로 상기 광을 연속적으로 조사하여 상기 광반응성 고분자 물질을 상기 트랜스 이성질체 분자구조와 상기 시스 이성질체 분자구조 간에 반복적으로 전환시킴으로써 상기 광반응성 고분자 물질을 상기 광의 편광 방향과 수직한 방향으로 정렬시키는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기록 파장에서의 상기 광반응성 고분자 물질의 회절 효율이 상기 최대 흡수 파장에서의 상기 광반응성 고분자 물질의 회절 효율보다 높은 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 최대 흡수 파장 보다 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 최대 흡수 파장 보다 60 ~ 100 nm 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장 보다 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장 보다 5 ~ 15 nm 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법.
  13. 빛에너지를 흡수하여 분자구조가 변화하는 광이성질화 특성을 가지는 광반응성 고분자 물질을 포함하는 홀로그래픽 기록매체에 광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 홀로그래픽 기록 장치에 있어서,
    상기 홀로그래픽 기록매체에 상기 광을 조사하여 상기 홀로그래픽 정보를 기록하되, 상기 홀로그래픽 기록매체의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수스펙트럼들에서 최대 흡수 파장과 상이한 기록 파장으로 상기 광을 조사하여 상기 홀로그래픽 정보를 기록하는 광 조사부를 포함하고,
    상기 최대 흡수 파장은 상기 광 흡수스펙트럼들에서 광 흡수율이 최대가 되는 파장이고, 상기 기록 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이는 상기 최대 흡수 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이 보다 작은 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장인 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 광이성질체 분자구조들은 트랜스 이성질체 분자구조와 시스 이성질체 분자구조를 포함하고, 상기 기록 파장은 상기 트랜스 이성질체 분자구조의 광 흡수율과 상기 시스 이성질체 분자구조의 광 흡수율이 일치하는 파장인 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 최대 흡수 파장 보다 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 최대 흡수 파장 보다 60 ~ 100 nm 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장 보다 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장 보다 5 ~ 15 nm 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치.
  20. 광반응성 고분자 물질을 포함하는 홀로그래픽 기록매체에 광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 홀로그래픽 기록 방법에 있어서,
    상기 광반응성 고분자 물질은 광에 의해 제1파장에서 최대 흡수율을 갖는 제1이성질체와 상기 제1파장보다 작은 제2파장에서 최대 흡수율을 갖는 제2이성질체간에 변하고,
    상기 방법은, 홀로그래픽 정보를 기록하기 위하여 상기 홀로그래픽 기록매체에 상기 제1파장과 상이한 기록 파장의 광을 조사하는 함을 포함하는 홀로그래픽 기록 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 기록 파장은 상기 제1광이성질체의 광 흡수율 및 상기 제2광이성질체의 광 흡수율이 일치하는 파장 또는 상기 제1파장보다 5~15nm 큰 파장인, 홀로그래픽 기록 방법.
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