KR102172293B1 - Epoxy resin composite and printed circuit board comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 에폭시 화합물 및 경화제 10 내지 70wt%, 그리고 중공 필러(hollow filler) 및 질화붕소를 포함하는 무기충전재 30 내지 90wt%를 포함하며, 상기 중공 필러 10 중량부에 대하여 상기 질화붕소는 0.1 내지 100 중량부로 포함된다.The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention comprises 10 to 70 wt% of an epoxy compound and a curing agent, and 30 to 90 wt% of an inorganic filler including a hollow filler and boron nitride, and 10 parts by weight of the hollow filler The boron nitride is included in an amount of 0.1 to 100 parts by weight.

Description

에폭시 수지 조성물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판{EPOXY RESIN COMPOSITE AND PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING THE SAME}Epoxy resin composition and a printed circuit board comprising the same TECHNICAL FIELD [EPOXY RESIN COMPOSITE AND PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING THE SAME}

본 발명은 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시 수지 조성물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판에 관한 것이다.The present invention relates to an epoxy resin composition, and more particularly, to an epoxy resin composition and a printed circuit board including the same.

인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB)은 절연층 상에 형성된 회로패턴층을 포함하며, 인쇄회로기판 상에는 다양한 전자 부품이 탑재될 수 있다. 인쇄회로기판 상에 탑재되는 전자 부품은, 예를 들면 발열 소자일 수 있다. 발열 소자가 방출하는 열은 인쇄회로기판의 성능을 떨어뜨릴 수 있다.A printed circuit board (PCB) includes a circuit pattern layer formed on an insulating layer, and various electronic components may be mounted on the printed circuit board. The electronic component mounted on the printed circuit board may be, for example, a heating element. The heat emitted by the heating element may degrade the performance of the printed circuit board.

전자 부품의 고집적화 및 고용량화에 따라, 인쇄회로기판의 방열 문제에 대한 관심이 더욱 커지고 있다. 인쇄회로기판의 방열 문제를 해결하기 위하여 열전도도가 높고 유전율이 낮은 절연층이 필요하다.As electronic components become highly integrated and have higher capacity, interest in the heat dissipation problem of a printed circuit board is increasing. In order to solve the heat dissipation problem of a printed circuit board, an insulating layer having high thermal conductivity and low dielectric constant is required.

인쇄회로기판의 절연층에 포함되는 에폭시 수지 조성물을 고밀도의 무기충전재로 충전할 경우, 열전도도는 향상되나, 유전율이 높아지는 문제가 있다. When the epoxy resin composition included in the insulating layer of the printed circuit board is filled with a high-density inorganic filler, the thermal conductivity is improved, but the dielectric constant is increased.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 에폭시 수지 조성물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide an epoxy resin composition and a printed circuit board including the same.

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 에폭시 화합물 및 경화제 10 내지 70wt%, 그리고 중공 필러(hollow filler) 및 질화붕소를 포함하는 무기충전재 30 내지 90wt%를 포함하며, 상기 중공 필러 10 중량부에 대하여 상기 질화붕소는 0.1 내지 100 중량부로 포함된다.The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention comprises 10 to 70 wt% of an epoxy compound and a curing agent, and 30 to 90 wt% of an inorganic filler including a hollow filler and boron nitride, and 10 parts by weight of the hollow filler The boron nitride is included in an amount of 0.1 to 100 parts by weight.

상기 중공 필러는 공동 유리구(hollow glass bubble)를 포함할 수 있다.The hollow filler may include a hollow glass bubble.

상기 공동 유리구의 표면은 산화알루미늄에 의하여 코팅될 수 있다.The surface of the hollow glass sphere may be coated with aluminum oxide.

상기 무기 충전재는 산화알루미늄을 더 포함할 수 있다.The inorganic filler may further include aluminum oxide.

상기 공동 유리구 10 중량부에 대하여 상기 질화붕소는 1 내지 20 중량부로 포함되고, 상기 산화알루미늄은 1 내지 35 중량부로 포함될 수 있다.The boron nitride may be included in an amount of 1 to 20 parts by weight, and the aluminum oxide may be included in an amount of 1 to 35 parts by weight based on 10 parts by weight of the hollow glass sphere.

상기 공동 유리구의 직경은 10 내지 30㎛이며, 상기 공동 유리구의 공기량(air volume)은 상기 공동 유리구의 70 내지 90vol%일 수 있다.The diameter of the hollow glass sphere may be 10 to 30 μm, and the air volume of the hollow glass sphere may be 70 to 90 vol% of the hollow glass sphere.

상기 산화알루미늄은 5 내지 20㎛의 두께로 코팅될 수 있다.The aluminum oxide may be coated to a thickness of 5 to 20 μm.

상기 에폭시 화합물은 디시클로펜타디엔(Dicyclopentadiene, DCPD)형 에폭시 화합물을 포함하며, 상기 경화제는 디시안디아미드(Dicyandiamide)를 포함할 수 있다.The epoxy compound may include a dicyclopentadiene (DCPD) type epoxy compound, and the curing agent may include dicyandiamide.

본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판은 기판, 상기 기판 상에 형성되는 절연층, 그리고 상기 절연층 상에 형성되는 회로패턴을 포함하며, 상기 절연층은 에폭시 화합물, 경화제, 그리고 중공 필러(hollow filler) 및 질화붕소를 포함하는 무기충전재를 포함하며, 상기 중공 필러 10 중량부에 대하여 상기 질화붕소는 0.1 내지 100 중량부로 포함되는 에폭시 수지 조성물을 포함한다.A printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes a substrate, an insulating layer formed on the substrate, and a circuit pattern formed on the insulating layer, and the insulating layer includes an epoxy compound, a curing agent, and a hollow filler ( hollow filler) and an inorganic filler including boron nitride, and the boron nitride is 0.1 to 100 parts by weight based on 10 parts by weight of the hollow filler.

본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판은 순차적으로 배치되는 복수의 회로패턴층, 그리고 상기 복수의 회로패턴층 사이에 형성되는 복수의 절연층을 포함하며, 상기 복수의 절연층 중 적어도 일부의 절연층은 에폭시 화합물, 경화제, 그리고 중공 필러(hollow filler) 및 질화붕소를 포함하는 무기충전재를 포함하며, 상기 중공 필러 10 중량부에 대하여 상기 질화붕소는 0.1 내지 100 중량부로 포함되는 에폭시 수지 조성물을 포함한다.A printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes a plurality of circuit pattern layers that are sequentially disposed, and a plurality of insulating layers formed between the plurality of circuit pattern layers, and at least some of the plurality of insulating layers The insulating layer includes an epoxy compound, a curing agent, and an inorganic filler including a hollow filler and boron nitride, and the boron nitride is 0.1 to 100 parts by weight based on 10 parts by weight of the hollow filler. Include.

본 발명의 실시예에 따르면, 고방열 성능뿐만 아니라 저유전율을 가지는 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다. 이에 따라, 인쇄회로기판의 상부 또는 하부에 실장되는 부품의 동작 시에 발생되는 열을 분산시킴으로써, 부품의 온도를 줄이며, 부품의 수명 및 신뢰성을 높일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an epoxy resin composition having a low dielectric constant as well as high heat dissipation performance can be obtained. Accordingly, by dissipating heat generated during operation of a component mounted on or under a printed circuit board, the temperature of the component can be reduced, and life and reliability of the component can be improved.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 공동 유리구의 단면이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 산화알루미늄으로 코팅된 공동 유리구의 단면이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 4층 인쇄회로기판의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 4층 인쇄회로기판의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 10층 인쇄회로기판의 단면도이다.
도 7는 본 발명의 다른 실시예에 따른 10층 인쇄회로기판의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 12층 인쇄회로기판의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 12층 인쇄회로기판의 단면도이다.
1 is a cross-sectional view of a hollow glass sphere according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a hollow glass sphere coated with aluminum oxide according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a four-layer printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a four-layer printed circuit board according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a 10-layer printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of a 10-layer printed circuit board according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of a 12-layer printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view of a 12-layer printed circuit board according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The present invention is intended to illustrate and describe specific embodiments in the drawings, as various changes may be made and various embodiments may be provided. However, this is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it is to be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including ordinal numbers, such as second and first, may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a second component may be referred to as a first component, and similarly, a first component may be referred to as a second component. The term and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features. It is to be understood that the presence or addition of elements or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, does not preclude in advance.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in this application. Does not.

층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the case where the other part is "directly above", but also the case where there is another part in the middle. Conversely, when one part is "right above" another part, it means that there is no other part in the middle.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same reference numerals are assigned to the same or corresponding components regardless of the reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted.

본 명세서에서 wt%는 중량부로 대체될 수 있다.In the present specification, wt% may be replaced by parts by weight.

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 에폭시 화합물 및 경화제, 그리고 중공 필러(hollow filler) 및 질화붕소를 포함하는 무기충전재를 포함한다. The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention includes an epoxy compound and a curing agent, and an inorganic filler including a hollow filler and boron nitride.

여기서, 에폭시 화합물 및 경화제는 전체 에폭시 수지 조성물의 10 내지 70wt%, 바람직하게는 20 내지 50wt%로 포함되고, 무기 충전재는 전체 에폭시 수지 조성물의 30 내지 90wt%, 바람직하게는 50 내지 80wt%로 포함될 수 있다. 에폭시 화합물 및 경화제가 전체 에폭시 수지 조성물의 10wt% 이상이고 70wt% 이하로 함유되는 경우, 밀착성이 양호하고, 두께 조절이 용이할 수 있다. 그리고, 무기충전재가 30 내지 90wt%로 포함되는 경우, 에폭시 수지 조성물의 고열전도성, 저열팽창성 및 고온내열성 등이 개선될 수 있다. 고열전도성, 저열팽창성 및 고온내열성은 무기 충전재의 첨가량이 많을수록 좋은데, 그 체적 분율에 따라 향상되는 것은 아니며, 특정 첨가량부터 비약적으로 향상된다. 다만, 무기 충전제의 첨가량이 90wt%보다 많이 포함되면, 점도가 높아져 성형성이 약화된다.Here, the epoxy compound and the curing agent are included in 10 to 70 wt%, preferably 20 to 50 wt% of the total epoxy resin composition, and the inorganic filler is included in 30 to 90 wt%, preferably 50 to 80 wt% of the total epoxy resin composition. I can. When the epoxy compound and the curing agent are contained in an amount of 10 wt% or more and 70 wt% or less of the total epoxy resin composition, adhesion is good and thickness control may be easy. In addition, when the inorganic filler is included in an amount of 30 to 90 wt%, high thermal conductivity, low thermal expansion, and high temperature heat resistance of the epoxy resin composition may be improved. High thermal conductivity, low thermal expansion, and high temperature heat resistance are better as the amount of the inorganic filler added increases, but does not improve according to the volume fraction, and improves drastically from a specific amount. However, when the amount of the inorganic filler added is greater than 90 wt%, the viscosity increases and moldability is weakened.

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물은, DCPD(Dicyclopentadien)형 에폭시 화합물 및 노볼락(Novolac)형 에폭시 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The epoxy compound included in the epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention may include at least one of a DCPD (Dicyclopentadien) type epoxy compound and a novolac type epoxy compound.

DCPD형 에폭시 화합물은, 예를 들면 하기 화학식 1을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 화학식 1 외에도 다양한 DCPD형 에폭시 화합물을 포함할 수 있다.The DCPD-type epoxy compound may include, for example, Formula 1 below. However, the present invention is not limited thereto, and various DCPD-type epoxy compounds may be included in addition to Formula 1.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112014051359990-pat00001
Figure 112014051359990-pat00001

노볼락형 에폭시 화합물은, 예를 들면 하기 화학식 2를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 화학식 2 외에도 다양한 노볼락형 에폭시 화합물을 포함할 수 있다.The novolak-type epoxy compound may contain, for example, Formula 2 below. However, the present invention is not limited thereto, and various novolak-type epoxy compounds may be included in addition to Formula 2.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112014051359990-pat00002
Figure 112014051359990-pat00002

그리고, 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 비결정성 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 비결정성 에폭시 화합물은 DCPD 형 에폭시 화합물 또는 노볼락형 에폭시 화합물 10 중량부에 대하여 1 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 이와 같은 비율로 비결정성 에폭시 화합물이 포함되면, 상온 안정성을 높일 수 있다.And, the epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention may further include an amorphous epoxy compound. The amorphous epoxy compound may be included in an amount of 1 to 40 parts by weight based on 10 parts by weight of a DCPD-type epoxy compound or a novolac-type epoxy compound. When the amorphous epoxy compound is included in such a ratio, room temperature stability can be improved.

비결정성 에폭시 화합물은 분자 중 에폭시기를 2개 이상 가지는 통상의 비결정성 에폭시 화합물일 수 있다.The amorphous epoxy compound may be a conventional amorphous epoxy compound having two or more epoxy groups in the molecule.

비결정성 에폭시 화합물은, 예를 들면 비스페놀 A, 비스페놀 F, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디히드록시디페닐술피드, 4,4'-디히드록시디페닐케톤, 플루오렌비스페놀, 4,4'-비페놀,3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디히드록시비페닐, 2,2'-비페놀, 레조르신, 카테콜, t-부틸카테콜, 히드로퀴논, t-부틸히드로퀴논, 1,2-디히드록시나프탈렌, 1,3-디히드록시나프탈렌, 1,4-디히드록시나프탈렌, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 1,7-디히드록시나프탈렌, 1,8-디히드록시나프탈렌, 2,3-디히드록시나프탈렌, 2,4-디히드록시나프탈렌, 2,5-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 2,7-디히드록시나프탈렌, 2,8-디히드록시나프탈렌, 상기 디히드록시나프탈렌의 알릴화물 또는 폴리알릴화물, 알릴화비스페놀A, 알릴화비스페놀F, 알릴화페놀노볼락 등의 2가의 페놀류, 혹은 페놀노볼락, 비스페놀A노볼락, o-크레졸노볼락, m-크레졸노볼락, p-크레졸노볼락, 크실레놀노볼락, 폴리-p-히드록시스티렌, 트리스-(4-히드록시페닐)메탄, 1,1,2,2-테트라키스(4-히드록시페닐)에탄, 플루오로글리시놀, 피로갈롤, t-부틸피로갈롤, 알릴화피로갈롤, 폴리알릴화피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 페놀아랄킬수지, 나프톨아랄킬수지, 디시클로펜타디엔계 수지 등의3가 이상의 페놀류, 테트라브로모비스페놀A 등의 할로겐화비스페놀류 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나로부터 유도되는 글리시딜에테르화물일 수 있다.An amorphous epoxy compound is, for example, bisphenol A, bisphenol F, 3,3',5,5'-tetramethyl-4,4'-dihydroxydiphenylmethane, 4,4'-dihydroxydiphenyl Sulfone, 4,4'-dihydroxydiphenylsulfide, 4,4'-dihydroxydiphenylketone, fluorenebisphenol, 4,4'-biphenol,3,3',5,5'-tetra Methyl-4,4'-dihydroxybiphenyl, 2,2'-biphenol, resorcin, catechol, t-butylcatechol, hydroquinone, t-butylhydroquinone, 1,2-dihydroxynaphthalene, 1 ,3-dihydroxynaphthalene, 1,4-dihydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,7-dihydroxynaphthalene, 1,8-dihydr Roxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2,4-dihydroxynaphthalene, 2,5-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, 2, Divalent phenols such as 8-dihydroxynaphthalene, allylated or polyallylated dihydroxynaphthalene, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated phenol novolac, or phenol novolac, bisphenol A novolac , o-cresol novolac, m-cresol novolac, p-cresol novolac, xylenol novolac, poly-p-hydroxystyrene, tris-(4-hydroxyphenyl)methane, 1,1,2,2 -Tetrakis(4-hydroxyphenyl)ethane, fluoroglycinol, pyrogallol, t-butyl pyrogallol, allylated pyrogallol, polyallyled pyrogallol, 1,2,4-benzenetriol, 2, One of trivalent or higher phenols such as 3,4-trihydroxybenzophenone, phenol aralkyl resin, naphthol aralkyl resin, dicyclopentadiene resin, halogenated bisphenols such as tetrabromobisphenol A, and mixtures selected from these It may be a glycidyl ether product derived from.

비결정성 에폭시 화합물의 일 예는 화학식 3과 같다. 화학식 3은 비스페놀 A형 에폭시 화합물이다.An example of the amorphous epoxy compound is the same as in Formula 3. Formula 3 is a bisphenol A type epoxy compound.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112014051359990-pat00003
Figure 112014051359990-pat00003

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물에 포함되는 경화제는 아민계 경화제, 크실롤계 경화제, 산무수물계 경화제, 페놀계 경화제, DCPD계 경화제 및 TCPD계 경화제 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물에 포함되는 경화제는, 하기 화학식 4의 디시안디아미드(Dicyandiamide), 화학식 5의 디아미노디페닐설폰(diaminodiphenylsulfone) 및 화학식 6의 DOPO-ATN(6-H-dibenz[c,e][1,2]oxaphosphorin-6-[2,5-bis(oxiranylmethoxy)phenyl]-6-oxide-Aminotriazine Novolac)중 적어도 하나일 수 있다.The curing agent included in the epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention may include at least one of an amine-based curing agent, a xylol-based curing agent, an acid anhydride-based curing agent, a phenolic curing agent, a DCPD-based curing agent, and a TCPD-based curing agent. For example, the curing agent included in the epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention, dicyandiamide of Formula 4, diaminodiphenylsulfone of Formula 5, and DOPO-ATN of Formula 6 It may be at least one of (6-H-dibenz[c,e][1,2]oxaphosphorin-6-[2,5-bis(oxiranylmethoxy)phenyl]-6-oxide-Aminotriazine Novolac).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112014051359990-pat00004
Figure 112014051359990-pat00004

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112014051359990-pat00005
Figure 112014051359990-pat00005

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112014051359990-pat00006
Figure 112014051359990-pat00006

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 에폭시 화합물 1 당량에 대하여 경화제 0.6 내지 1.1 당량의 비율로 포함할 수 있다. 예를 들어, 화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 10 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부, 바람직하게는 1 내지 6 중량부, 더욱 바람직하게는 2 내지 4 중량부의 화학식 4의 경화제를 포함할 수 있다. 에폭시 화합물과 경화제가 이러한 수치 범위로 포함되는 경우, 밀착성이 양호하며, 두께 조절이 용이할 수 있다. The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention may contain 0.6 to 1.1 equivalents of a curing agent per 1 equivalent of the epoxy compound. For example, 0.1 to 10 parts by weight, preferably 1 to 6 parts by weight, and more preferably 2 to 4 parts by weight, based on 10 parts by weight of the DCPD-type epoxy compound of Chemical Formula 1 may be included. When the epoxy compound and the curing agent are included in these numerical ranges, adhesion is good and thickness control may be easy.

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 경화 촉진제를 더 포함할 수 있다. 경화 촉진제는, 예를 들면 아민류 경화 촉진제, 이미다졸류 경화 촉진제, 우레아계 경화 촉진제, 산(acid)계 경화 촉진제 등이 있고, 구체적으로는, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸류 등이 있다.The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention may further include a curing accelerator. The curing accelerator includes, for example, an amine curing accelerator, an imidazole curing accelerator, a urea curing accelerator, an acid curing accelerator, and the like. Specifically, 1,8-diazabicyclo (5,4,0 ) Tertiary amines such as undecene-7, triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris(dimethylaminomethyl)phenol, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2- And imidazoles such as phenyl-4-methylimidazole and 2-heptadecylimidazole.

화학식 7은 이미다졸류 경화 촉진제의 일 예이다.Formula 7 is an example of an imidazole curing accelerator.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112014051359990-pat00007
Figure 112014051359990-pat00007

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 중공 필러(hollow filler) 및 질화붕소를 포함하는 무기충전재를 포함한다. 여기서, 중공 필러는 공동 유리구(hollow glass bubble, HGB)를 포함할 수 있다. 공동 유리구의 단면은 도 1에서 예시되어 있다. 도 1을 참조하면, 공동 유리구(hollow glass bubble, HGB, 100)는 가운데 부분에 에어갭(air gap, 110)이 형성되어 있으며, 공동 유리구는 밀도가 약 0.6g/cc이고, 강도가 약 200MPa이며, 직경이 10 내지 30㎛이고, 에어갭의 공기량(air volume)이 공동 유리구의 70 내지 90vol%이다. 이와 같이 무기 충전재로써 공동 유리구가 포함되면, 에폭시 수지 조성물의 유전율을 낮출 수 있다. 특히, 공동 유리구의 직경 및 공기량이 이러한 수치 범위 내인 경우, 높은 열전도도 및 낮은 유전율을 유지할 수 있다. The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention includes a hollow filler and an inorganic filler including boron nitride. Here, the hollow filler may include a hollow glass bubble (HGB). A cross section of a hollow glass sphere is illustrated in FIG. 1. Referring to FIG. 1, a hollow glass bubble (HGB, 100) has an air gap (110) formed in the center portion, and the hollow glass sphere has a density of about 0.6 g/cc and a strength of about It is 200 MPa, has a diameter of 10 to 30 µm, and an air volume of the air gap is 70 to 90 vol% of the hollow glass sphere. When the hollow glass sphere is included as an inorganic filler in this way, the dielectric constant of the epoxy resin composition can be lowered. In particular, when the diameter and the amount of air of the hollow glass sphere are within these numerical ranges, high thermal conductivity and low dielectric constant can be maintained.

이때, 중공 필러 10 중량부에 대하여 질화붕소는 0.1 내지 100 중량부로 포함될 수 있다. 중공 필러와 질화붕소가 이와 같은 수치 범위 내에서 포함되면, 높은 열전도도 및 낮은 유전율을 가지는 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다.In this case, boron nitride may be included in an amount of 0.1 to 100 parts by weight based on 10 parts by weight of the hollow filler. When the hollow filler and boron nitride are included within such a numerical range, an epoxy resin composition having high thermal conductivity and low dielectric constant can be obtained.

한편, 공동 유리구의 표면은 산화알루미늄에 의하여 코팅될 수도 있다. 도 2는 산화알루미늄에 의하여 코팅된 공동 유리구(Al-HGB)의 단면을 나타낸다. 도 2를 참조하면, 공동 유리구(100)에 코팅되는 산화알루미늄(120)의 두께는 5 내지 20㎛일 수 있다. 산화알루미늄이 5 내지 20㎛의 두께로 코팅되면, 공동 유리구의 열전도 성능이 높아질 수 있다. Meanwhile, the surface of the hollow glass sphere may be coated with aluminum oxide. 2 shows a cross-section of a hollow glass sphere (Al-HGB) coated with aluminum oxide. Referring to FIG. 2, the thickness of the aluminum oxide 120 coated on the hollow glass sphere 100 may be 5 to 20 μm. When aluminum oxide is coated to a thickness of 5 to 20 μm, the heat conduction performance of the hollow glass sphere may be increased.

그리고, 본 발명의 한 실시예에 따르면, 무기 충전재는 산화알루미늄을 더 포함할 수 있다. 이때, 공동 유리구 10 중량부에 대하여 질화붕소는 1 내지 20 중량부로 포함되고, 산화알루미늄은 1 내지 35 중량부로 포함될 수 있다. 공동 유리구, 질화붕소 및 산화알루미늄이 이와 같은 수치 범위 내에서 포함되면, 높은 열전도도 및 낮은 유전율을 가지는 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다.And, according to an embodiment of the present invention, the inorganic filler may further include aluminum oxide. At this time, boron nitride may be included in an amount of 1 to 20 parts by weight, and aluminum oxide may be included in an amount of 1 to 35 parts by weight based on 10 parts by weight of the hollow glass sphere. When hollow glass spheres, boron nitride, and aluminum oxide are included within such a numerical range, an epoxy resin composition having high thermal conductivity and low dielectric constant can be obtained.

이외에도, 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 질화알루미늄, 질화규소, 탄화규소, 산화베릴륨 및 산화세륨 중 적어도 하나를 포함하는 세라믹계 무기 충전재, 다이아몬드, 탄소나노튜브 및 그라핀 중 적어도 하나를 포함하는 탄소계 무기 충전재 및 절연처리 금속입자 중 적어도 하나를 더 포함할 수도 있다. In addition, the epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention comprises at least one of a ceramic inorganic filler including at least one of aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, beryllium oxide and cerium oxide, diamond, carbon nanotubes, and graphene. It may further include at least one of the included carbon-based inorganic filler and insulation-treated metal particles.

본 발명의 한 실시예에 따르면, 에폭시 화합물, 경화제 및 무기 충전재는 볼밀, 임펠라 믹싱, 비드 밀(bead mill), 바스켓 밀(basket mill), 유성 밀(planetary mill), 디노 밀(dyno mill), 3롤 밀(3roll mill) 등을 이용하여 혼합될 수 있다. 이때, 고른 분산을 위하여 용매와 분산제가 첨가될 수 있다. 용매는 점도 조절을 위하여 첨가될 수 있으며, 용매의 점도는 1 내지 100,000Cps일 수 있다. 용매는, 예를 들면 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부틸카비톨, MEK, 톨루엔, 자일렌, 디에틸렌글리콜, 포름아미드, α-테르핀네올, γ-부티로락톤, 메틸셀루로솔브, 프로필메틸셀루로솔브, 시클로펜타논, BCE(Butyl Cellosolve), DBE(Dibasic ester) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그리고, 분산제는 비이온 계면 활성제, 양이온 계면 활성제, 음이온 계면 활성제, 옥틸알콜 및 아크릴계, 우레탄계 고분자로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the epoxy compound, the hardener and the inorganic filler are ball mill, impeller mixing, bead mill, basket mill, planetary mill, dino mill, It can be mixed using a 3 roll mill or the like. At this time, a solvent and a dispersant may be added for even dispersion. The solvent may be added to adjust the viscosity, and the viscosity of the solvent may be 1 to 100,000 Cps. The solvent is, for example, water, methanol, ethanol, isopropanol, butyl carbitol, MEK, toluene, xylene, diethylene glycol, formamide, α-terpineneol, γ-butyrolactone, methylcellulose, propyl It may contain at least one of methylcellulose, cyclopentanone, BCE (Butyl Cellosolve), and DBE (Dibasic ester). In addition, the dispersant may be selected from the group consisting of nonionic surfactants, cationic surfactants, anionic surfactants, octyl alcohol and acrylic and urethane polymers.

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 입자 간 결합을 증가시키기 위하여 실란 계열의 첨가물을 더 포함할 수 있다. 실란 계열의 첨가물은, 예를 들면 1-트리메틸시릴부트-1인(yne)-3-올, 아릴트리메틸실란, 트리메틸시릴 메탄설포네이트, 트리메틸시릴 트리콜로아세테이트, 메틸 트리메틸시릴아세테이트, 트리메틸시릴 프로피온산 등이다.The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention may further include a silane-based additive to increase bonding between particles. The silane-based additives are, for example, 1-trimethylsilylbut-1 (yne)-3-ol, aryltrimethylsilane, trimethylsilyl methanesulfonate, trimethylsilyl tricholoacetate, methyl trimethylsilylacetate, trimethylsilyl propionic acid, etc. to be.

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 난연성을 높이기 위하여 인(P)을 더 포함할 수 있다. 인은 에폭시 화합물, 경화제 및 경화 촉진제의 0.5 내지 4wt%로 포함될 수 있다. The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention may further contain phosphorus (P) to increase flame retardancy. Phosphorus may be included in 0.5 to 4 wt% of the epoxy compound, the curing agent and the curing accelerator.

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 인쇄회로기판에 적용될 수 있다. The epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention may be applied to a printed circuit board.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 인쇄회로기판의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 인쇄회로기판(300)은 기판(310), 절연층(320) 및 회로 패턴(330)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the printed circuit board 300 includes a substrate 310, an insulating layer 320, and a circuit pattern 330.

기판(310)은 구리, 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 이들로부터 선택된 합금으로 이루어진 금속 플레이트일 수 있다. 기판(310)은 금속 플레이트에 한하지 않고 열전도성이 우수한 다양한 재질로 이루어질 수 있다.The substrate 310 may be a metal plate made of copper, aluminum, nickel, gold, platinum, and an alloy selected from these. The substrate 310 is not limited to a metal plate and may be made of various materials having excellent thermal conductivity.

기판(310) 상에는 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물로 이루어진 절연층(320)이 형성된다.An insulating layer 320 made of an epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention is formed on the substrate 310.

절연층(320) 상에는 회로 패턴(330)이 형성된다. 회로 패턴(330)은 구리, 니켈 등의 금속으로 이루어질 수 있다.A circuit pattern 330 is formed on the insulating layer 320. The circuit pattern 330 may be made of a metal such as copper or nickel.

절연층(320)은 기판(310)과 회로 패턴(330) 사이를 절연한다.The insulating layer 320 insulates between the substrate 310 and the circuit pattern 330.

도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 4층 인쇄회로기판의 단면도이며, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 4층 인쇄회로기판의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a four-layer printed circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view of a four-layer printed circuit board according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 4층 인쇄회로기판(400)은 순차적으로 배치되는 복수의 회로패턴층(410), 그리고 복수의 회로패턴층(410) 사이에 형성되는 복수의 절연층(420)을 포함한다. 즉, 인쇄회로기판(400)은 하면에 회로패턴층(410-1)이 형성된 절연층(420-1), 상면 및 하면에 회로패턴층(410-2, 410-3)이 형성된 절연층(420-2) 및 상면에 회로패턴층(410-4)이 형성된 절연층(420-3)을 포함한다. Referring to FIG. 4, a four-layer printed circuit board 400 includes a plurality of circuit pattern layers 410 that are sequentially disposed, and a plurality of insulating layers 420 formed between the plurality of circuit pattern layers 410. do. That is, the printed circuit board 400 includes an insulating layer 420-1 having a circuit pattern layer 410-1 formed on the lower surface thereof, and an insulating layer having circuit pattern layers 410-2 and 410-3 formed on the upper and lower surfaces thereof ( 420-2) and an insulating layer 420-3 on which the circuit pattern layer 410-4 is formed on the upper surface.

여기서, 절연층(420)은 회로패턴층(410)을 절연한다. 그리고, 회로패턴층(410)은 구리, 니켈 등의 금속으로 이루어질 수 있다. 도시되지 않았으나, 4층 인쇄회로기판(400)은 기판 상에 형성될 수 있다. 여기서, 기판은 구리, 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 이들로부터 선택된 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Here, the insulating layer 420 insulates the circuit pattern layer 410. In addition, the circuit pattern layer 410 may be made of a metal such as copper or nickel. Although not shown, the four-layer printed circuit board 400 may be formed on the substrate. Here, the substrate may include copper, aluminum, nickel, gold, platinum, and an alloy selected from these, but is not limited thereto.

도 5를 참조하면, 4층 인쇄회로기판(400)은 복수의 회로패턴층(410) 중 일부를 연결하는 관통홀(430)을 더 포함할 수 있다. 즉, 관통홀(430-1)과 같이 인쇄회로기판(400) 전체를 관통하도록 형성되거나, 관통홀(430-2) 또는 관통홀(430-3)과 같이 인쇄회로기판(400) 일부를 관통하도록 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5, the four-layer printed circuit board 400 may further include a through hole 430 connecting some of the plurality of circuit pattern layers 410. That is, it is formed to penetrate the entire printed circuit board 400 like the through hole 430-1, or penetrate a part of the printed circuit board 400 like the through hole 430-2 or the through hole 430-3. It can be formed to be.

관통홀(430)의 내부는 구리(Cu)로 표면 도금된 후 에폭시 수지로 채워지거나, 구리로 채워질 수 있다.The inside of the through hole 430 may be surface-plated with copper (Cu) and then filled with an epoxy resin or filled with copper.

도 4 내지 5를 참조하면, 복수의 절연층 중 적어도 하나는 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 포함한다. 예를 들면, 회로패턴층(410-1)과 회로패턴층(410-2) 사이에 형성되는 절연층(420-1), 즉 최하부의 절연층(420-1) 및 회로패턴층(410-3)과 회로패턴층(410-4) 사이에 형성되는 절연층(420-3), 즉 최상부의 절연층(420-3) 중 적어도 하나는 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 포함한다. 이와 같이, 열전도도가 높으며, 유전율이 낮은 에폭시 수지 조성물을 포함하는 절연층을 인쇄회로기판의 최상부 및 최하부 중 적어도 하나에 배치하면, 발열 소자에 의하여 발생하는 열을 수평 방향뿐만 아니라 수직 방향으로도 분산시킬 수 있다.4 to 5, at least one of the plurality of insulating layers includes an epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention. For example, the insulating layer 420-1 formed between the circuit pattern layer 410-1 and the circuit pattern layer 410-2, that is, the lowermost insulating layer 420-1 and the circuit pattern layer 410- 3) At least one of the insulating layer 420-3 formed between the circuit pattern layer 410-4, that is, the uppermost insulating layer 420-3 contains an epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention. do. In this way, when an insulating layer containing an epoxy resin composition having a high thermal conductivity and a low dielectric constant is disposed on at least one of the top and bottom portions of the printed circuit board, heat generated by the heating element is transferred not only in the horizontal direction but also in the vertical direction. Can be dispersed.

그리고, 복수의 절연층 중 나머지 일부의 절연층(420-2)은 에폭시 수지가 함침된 유리 섬유를 포함할 수 있다. 에폭시 수지가 함침된 유리 섬유는, 예를 들면 FR(Flame Retardant)-4를 포함할 수 있다.In addition, some of the remaining insulating layers 420-2 among the plurality of insulating layers may include glass fibers impregnated with an epoxy resin. Glass fibers impregnated with an epoxy resin may include, for example, FR (Flame Retardant)-4.

도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 10층 인쇄회로기판의 단면도이며, 도 7는 본 발명의 다른 실시예에 따른 10층 인쇄회로기판의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a 10-layer printed circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view of a 10-layer printed circuit board according to another embodiment of the present invention.

도 6 내지 7을 참조하면, 10층 인쇄회로기판(600)은 순차적으로 배치되는 복수의 회로패턴층(610), 그리고 복수의 회로패턴층(610) 사이에 형성되는 복수의 절연층(620)을 포함한다.6 to 7, the 10-layer printed circuit board 600 includes a plurality of circuit pattern layers 610 that are sequentially disposed, and a plurality of insulating layers 620 formed between the plurality of circuit pattern layers 610. Includes.

예를 들어, 복수의 회로패턴층(610-1, ..., 610-10)이 순차적으로 배치되며, 복수의 회로패턴층(610-1, ..., 610-10) 사이에 복수의 절연층(620-1, ..., 620-9)이 형성될 수 있다. For example, a plurality of circuit pattern layers 610-1, ..., 610-10 are sequentially disposed, and a plurality of circuit pattern layers 610-1, ..., 610-10 Insulating layers 620-1, ..., 620-9 may be formed.

여기서, 복수의 절연층(620-1, ..., 620-9) 중 적어도 일부는 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 회로패턴층(610-1)과 회로패턴층(610-2) 사이에 형성되는 절연층(620-1), 즉 최하부의 절연층(620-1) 및 회로패턴층(610-9)과 회로패턴층(610-10) 사이에 형성되는 절연층(620-9), 즉 최상부의 절연층(620-9) 중 적어도 하나는 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 포함할 수 있다.Here, at least some of the plurality of insulating layers 620-1, ..., 620-9 may include the epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention. For example, an insulating layer 620-1 formed between the circuit pattern layer 610-1 and the circuit pattern layer 610-2, that is, the lowermost insulating layer 620-1 and the circuit pattern layer 610- 9) and the insulating layer 620-9 formed between the circuit pattern layer 610-10, that is, at least one of the uppermost insulating layer 620-9 contains an epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention can do.

또한, 최하부의 절연층(620-1)의 상부에 형성되는 절연층(620-2) 및 최상부의 절연층(620-9)의 하부에 형성되는 절연층(620-8) 중 적어도 하나도 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 포함할 수 있다.In addition, at least one of the insulating layer 620-2 formed on the lowermost insulating layer 620-1 and the insulating layer 620-8 formed below the uppermost insulating layer 620-9 is also present in the present invention. It may include an epoxy resin composition according to an embodiment of.

도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 12층 인쇄회로기판의 단면도이고, 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 12층 인쇄회로기판의 단면도이다.8 is a cross-sectional view of a 12-layer printed circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view of a 12-layer printed circuit board according to another embodiment of the present invention.

도 8 내지 9를 참조하면, 12층 인쇄회로기판(800)은 순차적으로 배치되는 복수의 회로패턴층(810), 그리고 복수의 회로패턴층(810) 사이에 형성되는 복수의 절연층(820)을 포함한다.8 to 9, a 12-layer printed circuit board 800 includes a plurality of circuit pattern layers 810 that are sequentially disposed, and a plurality of insulating layers 820 formed between the plurality of circuit pattern layers 810 Includes.

예를 들어, 복수의 회로패턴층(810-1, ..., 810-12)이 순차적으로 배치되며, 복수의 회로패턴층(810-1, ..., 810-12) 사이에 복수의 절연층(820-1, ..., 820-11)이 형성될 수 있다. For example, a plurality of circuit pattern layers 810-1, ..., 810-12 are sequentially disposed, and a plurality of circuit pattern layers 810-1, ..., 810-12 Insulating layers 820-1, ..., 820-11 may be formed.

여기서, 회로패턴층(810-1)과 회로패턴층(810-2) 사이에 형성되는 절연층(820-1), 즉 최하부의 절연층(820-1) 및 회로패턴층(810-11)과 회로패턴층(810-12) 사이에 형성되는 절연층(820-11), 즉 최상부의 절연층(820-11) 중 적어도 하나는 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 포함할 수 있다. Here, the insulating layer 820-1 formed between the circuit pattern layer 810-1 and the circuit pattern layer 810-2, that is, the lowermost insulating layer 820-1 and the circuit pattern layer 810-11 And at least one of the insulating layer 820-11 formed between the circuit pattern layer 810-12, that is, the uppermost insulating layer 820-11, may include an epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention. have.

또는, 최하부의 절연층(820-1)의 상부에 형성된 절연층(820-2) 및 최상부의 절연층(820-11)의 하부에 형성된 절연층(820-10) 중 적어도 하나도 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 포함할 수 있다.Alternatively, at least one of the insulating layer 820-2 formed on the lowermost insulating layer 820-1 and the insulating layer 820-10 formed under the uppermost insulating layer 820-11 is also one of the present invention. It may include the epoxy resin composition according to the embodiment.

이와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 경화하여 절연층으로 이용함으로써, 방열 성능이 우수하고 유전율이 낮은 인쇄회로기판을 얻을 수 있다.As described above, by curing the epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention and using it as an insulating layer, a printed circuit board having excellent heat dissipation performance and low dielectric constant can be obtained.

이하, 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, it will be described in more detail using Examples and Comparative Examples.

<실시예 1><Example 1>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, HGB 20wt%와 질화붕소 55wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 실시예 1의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.19.3wt% of the DCPD-type epoxy compound of Formula 1, 5.5wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 were dissolved in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 30 minutes, and then HGB 20wt% And boron nitride 55wt% were added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Example 1.

<실시예 2><Example 2>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, Al-HGB 20wt%와 질화붕소 55wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 실시예 2의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 19.3 wt% of the DCPD type epoxy compound of Formula 1, 5.5 wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2 wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 for 30 minutes in MEK (Methyl Ethly Ketone), Al-HGB 20wt% and 55wt% boron nitride were added and stirred for 2 hours. The solution after the stirring was completed was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and then pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Example 2.

<실시예 3><Example 3>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, Al-HGB 20wt%, 질화붕소 40wt%, 산화알루미늄 15wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 실시예 3의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 19.3 wt% of the DCPD type epoxy compound of Formula 1, 5.5 wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2 wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 for 30 minutes in MEK (Methyl Ethly Ketone), Al-HGB 20wt%, boron nitride 40wt%, and aluminum oxide 15wt% were added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Example 3.

<실시예 4><Example 4>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, Al-HGB 15wt%, 질화붕소 25wt%, 산화알루미늄 35wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 실시예 4의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 19.3 wt% of the DCPD type epoxy compound of Formula 1, 5.5 wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2 wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 for 30 minutes in MEK (Methyl Ethly Ketone), Al-HGB 15wt%, boron nitride 25wt%, and aluminum oxide 35wt% were added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Example 4.

<실시예 5><Example 5>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, Al-HGB 20wt%, 질화붕소 25wt%, 산화알루미늄 30wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 실시예 5의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 19.3 wt% of the DCPD type epoxy compound of Formula 1, 5.5 wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2 wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 for 30 minutes in MEK (Methyl Ethly Ketone), Al-HGB 20wt%, boron nitride 25wt%, and aluminum oxide 30wt% were added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Example 5.

<비교예 1><Comparative Example 1>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, HGB 75wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 비교예 1의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 19.3 wt% of the DCPD type epoxy compound of Formula 1, 5.5 wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2 wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 for 30 minutes in MEK (Methyl Ethly Ketone), HGB 75 wt% Was added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Comparative Example 1.

<비교예 2><Comparative Example 2>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, 질화붕소 75wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 비교예 2의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 19.3 wt% of the DCPD type epoxy compound of Formula 1, 5.5 wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2 wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 for 30 minutes in MEK (Methyl Ethly Ketone), boron nitride 75 wt. % Was added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Comparative Example 2.

<비교예 3><Comparative Example 3>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, HGB 20wt% 및 산화알루미늄 55wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 비교예 3의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.19.3wt% of the DCPD-type epoxy compound of Formula 1, 5.5wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 were dissolved in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 30 minutes, and then HGB 20wt% And aluminum oxide 55wt% was added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 40 kgf/cm 2 at 180° C. for 1 hour and 30 minutes to obtain the epoxy resin composition of Comparative Example 3.

<비교예 4><Comparative Example 4>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, Al-HGB 75wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 비교예 4의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 19.3 wt% of the DCPD type epoxy compound of Formula 1, 5.5 wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2 wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 for 30 minutes in MEK (Methyl Ethly Ketone), Al-HGB 75wt% was added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Comparative Example 4.

<비교예 5><Comparative Example 5>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, Al-HGB 20wt% 및 산화알루미늄 55wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 비교예 5의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 19.3 wt% of the DCPD type epoxy compound of Formula 1, 5.5 wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2 wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 for 30 minutes in MEK (Methyl Ethly Ketone), Al-HGB 20wt% and aluminum oxide 55wt% were added and stirred for 2 hours. The solution after the stirring was completed was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Comparative Example 5.

<비교예 6><Comparative Example 6>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, HGB 15wt%, 질화붕소 25wt%, 산화알루미늄 35wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 비교예 6의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.19.3 wt% of the DCPD-type epoxy compound of Formula 1, 5.5 wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2 wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 were dissolved in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 30 minutes, and then HGB 15 wt% , Boron nitride 25wt%, aluminum oxide 35wt% were added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Comparative Example 6.

<비교예 7><Comparative Example 7>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, HGB 20wt%, 질화붕소 25wt%, 산화알루미늄 30wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 비교예 7의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.19.3wt% of the DCPD-type epoxy compound of Formula 1, 5.5wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 were dissolved in MEK (Methyl Ethly Ketone) for 30 minutes, and then HGB 20wt% , Boron nitride 25wt%, aluminum oxide 30wt% were added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Comparative Example 7.

<비교예 8><Comparative Example 8>

화학식 1의 DCPD형 에폭시 화합물 19.3wt%, 화학식 4의 디시안디아미드 5.5wt% 및 화학식 7의 이미다졸계 경화촉진제 0.2wt%를 MEK(Methyl Ethly Ketone)에서 30분 동안 용해시킨 후, Al-HGB 10wt%, 질화붕소 25wt%, 산화알루미늄 40wt%를 첨가하여 2시간 동안 교반시켰다. 교반이 완료된 용액을 구리판에 60㎛ 두께로 코팅한 후 120℃에서 1시간 30분동안 경화하고, 180℃에서 1시간 30분동안 40kgf/cm2로 가압하여 비교예 8의 에폭시 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 19.3 wt% of the DCPD type epoxy compound of Formula 1, 5.5 wt% of dicyandiamide of Formula 4, and 0.2 wt% of the imidazole-based curing accelerator of Formula 7 for 30 minutes in MEK (Methyl Ethly Ketone), Al-HGB 10 wt%, boron nitride 25 wt%, and aluminum oxide 40 wt% were added and stirred for 2 hours. The solution after the completion of stirring was coated on a copper plate to a thickness of 60 μm, cured at 120° C. for 1 hour and 30 minutes, and pressurized at 180° C. for 1 hour and 30 minutes at 40 kgf/cm 2 to obtain the epoxy resin composition of Comparative Example 8.

<실험예><Experimental Example>

실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 8로부터 얻은 에폭시 수지 조성물을 경화시킨 후, ASTM E1461 열전도율계를 사용하여 열전도도를 측정하였으며, IPC-TM-650 2.5.5.9를 사용하여 유전율을 측정하였다.After curing the epoxy resin compositions obtained from Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 8, thermal conductivity was measured using an ASTM E1461 thermal conductivity meter, and dielectric constant was measured using IPC-TM-650 2.5.5.9.

실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 8에서 사용된 HGB의 직경은 10 내지 30㎛이며, 공기량(air volume)은 70 내지 90vol%이고, Al-HGB의 표면에 코팅된 산화알루미늄의 두께는 5 내지 20㎛이다.The diameter of the HGB used in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 8 is 10 to 30 μm, the air volume is 70 to 90 vol%, and the thickness of the aluminum oxide coated on the surface of the Al-HGB is 5 To 20 μm.

표 1은 실시예 및 비교예의 열전도도 및 유전율을 비교한 결과이다.Table 1 is a result of comparing the thermal conductivity and dielectric constant of Examples and Comparative Examples.

실험번호Experiment number 열전도도(W/mK)Thermal conductivity (W/mK) 유전율(@1GHz)Permittivity (@1GHz) 실시예 1Example 1 2.682.68 3.783.78 실시예 2 Example 2 3.213.21 3.843.84 실시예 3Example 3 3.513.51 3.903.90 실시예 4Example 4 3.813.81 3.883.88 실시예 5Example 5 3.43.4 3.793.79 비교예 1Comparative Example 1 0.710.71 3.103.10 비교예 2Comparative Example 2 3.673.67 4.234.23 비교예 3Comparative Example 3 1.511.51 3.943.94 비교예 4Comparative Example 4 1.841.84 3.293.29 비교예 5Comparative Example 5 1.781.78 4.044.04 비교예 6Comparative Example 6 2.592.59 3.833.83 비교예 7Comparative Example 7 2.182.18 3.713.71 비교예 8Comparative Example 8 4.014.01 4.024.02

표 1을 참조하면, 중공 필러(직경이 10 내지 30㎛이고, air volume이 70 내지 90vol%) 및 질화붕소를 포함하는 실시예 1의 열전도도는 2.6W/mK 이상이고, 유전율(@1KHz)은 4 이하로, 중공 필러만을 포함하는 비교예 1 및 중공 필러와 산화알루미늄만을 포함하는 비교예 3에 비하여 열전도도가 높고, 질화붕소만을 포함하는 비교예 2에 비하여 유전율이 낮음을 알 수 있다. Referring to Table 1, the thermal conductivity of Example 1 including a hollow filler (diameter of 10 to 30 μm, air volume of 70 to 90 vol%) and boron nitride is 2.6 W/mK or more, and dielectric constant (@1 KHz) Silver is 4 or less, and has higher thermal conductivity than Comparative Example 1 including only the hollow filler and Comparative Example 3 including only the hollow filler and aluminum oxide, and it can be seen that the dielectric constant is lower than that of Comparative Example 2 including only boron nitride.

또한, 산화알루미늄으로 코팅된 중공 필러(직경이 10 내지 30㎛이고, air volume이 70 내지 90vol%며, 5 내지 20㎛ 두께로 산화알루미늄 코팅) 및 질화붕소를 포함하는 실시예 2는 코팅되지 않은 중공 필러(직경이 10 내지 30㎛이고, air volume이 70 내지 90vol%) 및 질화붕소를 포함하는 실시예 1, 산화알루미늄으로 코팅된 중공 필러만을 포함하는 비교예 4 및 산화알루미늄으로 코팅된 중공 필러 및 산화알루미늄만을 포함하는 비교예 5에 비하여 열전도도가 높음을 알 수 있다.In addition, Example 2 including a hollow filler coated with aluminum oxide (a diameter of 10 to 30 μm, an air volume of 70 to 90 vol%, an aluminum oxide coating with a thickness of 5 to 20 μm) and boron nitride was not coated. Example 1 including a hollow filler (10 to 30 μm in diameter and 70 to 90 vol% of air volume) and boron nitride, Comparative Example 4 including only a hollow filler coated with aluminum oxide, and a hollow filler coated with aluminum oxide And it can be seen that the thermal conductivity is higher than that of Comparative Example 5 containing only aluminum oxide.

또한, 무기충전재로써 산화알루미늄이 코팅된 중공 필러 및 질화붕소뿐만 아니라 산화알루미늄을 더 포함하는 실시예 3 내지 5는 실시예 1 또는 2에 비하여 높은 열전도도를 나타냄을 알 수 있다. 특히, 실시예 4 내지 5는 코팅되지 않은 중공 필러, 질화붕소 및 산화알루미늄을 포함하는 비교예 6 내지 7에 비하여 높은 열전도도를 나타냄을 알 수 있다.In addition, it can be seen that Examples 3 to 5 further including aluminum oxide as well as aluminum oxide-coated hollow filler and boron nitride as inorganic fillers exhibit higher thermal conductivity compared to Examples 1 or 2. In particular, it can be seen that Examples 4 to 5 exhibit higher thermal conductivity compared to Comparative Examples 6 to 7 including an uncoated hollow filler, boron nitride, and aluminum oxide.

다만, 무기충전재로써 산화알루미늄이 코팅된 중공 필러 및 질화붕소뿐만 아니라 산화알루미늄을 더 포함함에도 불구하고, 중공 필러 10 중량부에 대하여 질화붕소 1 내지 20 중량부 및 산화알루미늄 1 내지 35 중량부를 벗어나는 수치 범위를 가지는 비교예 8에서는 유전율이 4 이상으로 나타나므로, 절연층으로 사용되기에 적합하지 않음을 알 수 있다.However, despite further including aluminum oxide as well as aluminum oxide-coated hollow filler and boron nitride as inorganic filler, a value deviating from 1 to 20 parts by weight of boron nitride and 1 to 35 parts by weight of aluminum oxide based on 10 parts by weight of the hollow filler In Comparative Example 8 having a range, since the dielectric constant is 4 or more, it can be seen that it is not suitable for use as an insulating layer.

이와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 경화하여 절연층으로 이용함으로써, 열전도도가 2.6W/mK 이상이고, 1GHz에서의 유전율이 4이하인 인쇄회로기판을 얻을 수 있다.As described above, by curing the epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention and using it as an insulating layer, a printed circuit board having a thermal conductivity of 2.6 W/mK or more and a dielectric constant of 4 or less at 1 GHz can be obtained.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will variously modify and change the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. You will understand that you can do it.

Claims (10)

에폭시 화합물 및 경화제 10 내지 70wt%, 그리고
중공 필러(hollow filler) 및 질화붕소를 포함하는 무기충전재 30 내지 90wt%를 포함하며,
상기 중공 필러 10 중량부에 대하여 상기 질화붕소는 0.1 내지 100 중량부로 포함되고,
상기 중공 필러는 공동 유리구(hollow glass bubble)를 포함하며,
상기 공동 유리구의 표면은 5㎛ 내지 20㎛의 두께로 산화알루미늄으로 코팅되는 에폭시 수지 조성물.
10 to 70 wt% of an epoxy compound and a curing agent, and
It contains 30 to 90wt% of an inorganic filler including a hollow filler and boron nitride,
The boron nitride is contained in an amount of 0.1 to 100 parts by weight based on 10 parts by weight of the hollow filler,
The hollow filler includes a hollow glass bubble,
The surface of the hollow glass sphere is coated with aluminum oxide to a thickness of 5㎛ to 20㎛ epoxy resin composition.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 무기 충전재는 산화알루미늄을 더 포함하는 에폭시 수지 조성물.
The method of claim 1,
The inorganic filler is an epoxy resin composition further comprising aluminum oxide.
제4항에 있어서,
상기 공동 유리구 10 중량부에 대하여 상기 질화붕소는 1 내지 20 중량부로 포함되고, 상기 산화알루미늄은 1 내지 35 중량부로 포함되는 에폭시 수지 조성물.
The method of claim 4,
An epoxy resin composition containing 1 to 20 parts by weight of the boron nitride, and 1 to 35 parts by weight of the aluminum oxide based on 10 parts by weight of the hollow glass sphere.
제1항에 있어서,
상기 공동 유리구의 직경은 10 내지 30㎛이며, 상기 공동 유리구의 공기량(air volume)은 상기 공동 유리구의 70 내지 90vol%인 에폭시 수지 조성물.
The method of claim 1,
The diameter of the hollow glass sphere is 10 to 30㎛, the air volume of the hollow glass sphere (air volume) is 70 to 90vol% of the hollow glass sphere epoxy resin composition.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 에폭시 화합물은 디시클로펜타디엔(Dicyclopentadiene, DCPD)형 에폭시 화합물을 포함하며, 상기 경화제는 디시안디아미드(Dicyandiamide)를 포함하는 에폭시 수지 조성물.
The method of claim 1,
The epoxy compound includes a dicyclopentadiene (DCPD) type epoxy compound, and the curing agent is an epoxy resin composition comprising dicyandiamide.
기판,
상기 기판 상에 형성되는 절연층, 그리고
상기 절연층 상에 형성되는 회로패턴을 포함하며,
상기 절연층은 에폭시 화합물, 경화제, 그리고 중공 필러(hollow filler) 및 질화붕소를 포함하는 무기충전재를 포함하며, 상기 중공 필러 10 중량부에 대하여 상기 질화붕소는 0.1 내지 100 중량부로 포함되는 에폭시 수지 조성물을 포함하고,
상기 중공 필러는 공동 유리구(hollow glass bubble)를 포함하며,
상기 공동 유리구의 표면은 5㎛ 내지 20㎛의 두께로 산화알루미늄으로 코팅되는 인쇄회로기판.
Board,
An insulating layer formed on the substrate, and
It includes a circuit pattern formed on the insulating layer,
The insulating layer includes an epoxy compound, a curing agent, and an inorganic filler including a hollow filler and boron nitride, and the boron nitride is 0.1 to 100 parts by weight based on 10 parts by weight of the hollow filler. Including,
The hollow filler includes a hollow glass bubble,
The surface of the hollow glass sphere is coated with aluminum oxide to a thickness of 5 μm to 20 μm.
순차적으로 배치되는 복수의 회로패턴층, 그리고
상기 복수의 회로패턴층 사이에 형성되는 복수의 절연층을 포함하며,
상기 복수의 절연층 중 적어도 일부의 절연층은 에폭시 화합물, 경화제, 그리고 중공 필러(hollow filler) 및 질화붕소를 포함하는 무기충전재를 포함하며, 상기 중공 필러 10 중량부에 대하여 상기 질화붕소는 0.1 내지 100 중량부로 포함되는 에폭시 수지 조성물을 포함하고,
상기 중공 필러는 공동 유리구(hollow glass bubble)를 포함하며,
상기 공동 유리구의 표면은 5㎛ 내지 20㎛의 두께로 산화알루미늄으로 코팅되는 인쇄회로기판.
A plurality of circuit pattern layers sequentially arranged, and
And a plurality of insulating layers formed between the plurality of circuit pattern layers,
At least some of the insulating layers of the plurality of insulating layers include an epoxy compound, a curing agent, and an inorganic filler including a hollow filler and boron nitride, and the boron nitride is 0.1 to 10 parts by weight of the hollow filler. Including an epoxy resin composition contained in 100 parts by weight,
The hollow filler includes a hollow glass bubble,
The surface of the hollow glass sphere is coated with aluminum oxide to a thickness of 5 μm to 20 μm.
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