KR102170484B1 - Vacuum evaporation equipment - Google Patents

Vacuum evaporation equipment Download PDF

Info

Publication number
KR102170484B1
KR102170484B1 KR1020187033457A KR20187033457A KR102170484B1 KR 102170484 B1 KR102170484 B1 KR 102170484B1 KR 1020187033457 A KR1020187033457 A KR 1020187033457A KR 20187033457 A KR20187033457 A KR 20187033457A KR 102170484 B1 KR102170484 B1 KR 102170484B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
evaporation
vacuum
substrate
ejection
receiving box
Prior art date
Application number
KR1020187033457A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180137525A (en
Inventor
료야 키타자와
토시미츠 나카무라
신니치 아사히나
카즈야 사이토우
Original Assignee
가부시키가이샤 알박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 알박 filed Critical 가부시키가이샤 알박
Publication of KR20180137525A publication Critical patent/KR20180137525A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102170484B1 publication Critical patent/KR102170484B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

파티클의 영향을 가급적 줄일 수 있는 소위 하향 증착 방식의 진공 증착 장치를 제공한다.
진공 챔버(1) 내에 배치되는 증착원(3)을 구비하고, 증착원이 증착 물질(Vm)을 수용하는 수용상자(31)와 증착 물질을 가열하여 승화 또는 기화시키는 가열 수단(33)을 가지는 본 발명의 진공 증착 장치(DM)는, 수용상자에, 승화 또는 기화한 증착 물질의 분출부(32)가 설치되고, 분출부가 진공 챔버 내의 피성막물(S)보다 연직 방향 위쪽에 위치하고, 분출부가 연직 방향에 대해 경사져서 아래쪽을 향하는 분출구(32b)를 가지며 해당 분출구로부터 피성막물을 향해 증착 물질이 분출되고, 수용상자가 피성막물의 단부로부터 이격되는 위치에 오프셋 배치된다.It provides a vacuum deposition apparatus of a so-called downward deposition method that can reduce the influence of particles as much as possible.
Having a deposition source 3 disposed in the vacuum chamber 1, the deposition source has a receiving box 31 for receiving the deposition material Vm, and a heating means 33 for sublimating or evaporating the deposition material by heating. In the vacuum evaporation apparatus (DM) of the present invention, an ejection portion 32 of a sublimated or vaporized evaporation material is installed in a receiving box, and the ejection portion is positioned vertically above the film-formed material S in the vacuum chamber, and ejects It has a jet port 32b that is inclined with respect to the vertical direction and faces downward, and the deposition material is jetted from the jet port toward the object to be formed, and the receiving box is offset at a position spaced apart from the end of the film to be formed.

Figure 112018115005106-pct00002
Figure 112018115005106-pct00002

Description

진공 증착 장치Vacuum evaporation equipment

본 발명은, 진공 증착 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는, 수용상자에 설치되는 승화 또는 기화한 증착 물질의 분출부가 진공 챔버 내의 피성막물보다 연직 방향 위쪽에 위치하는 소위 하향 증착(down-deposition) 방식인 것에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum evaporation apparatus, and more particularly, a so-called down-deposition in which the ejection portion of a sublimated or evaporated evaporation material installed in a receiving box is positioned vertically above a film to be formed in a vacuum chamber. It's about being the way.

이런 종류의 진공 증착 장치는 예를 들면 특허문헌 1에 알려져 있다. 이것은, 진공 챔버의 연직 방향 아래쪽에, 해당 진공 챔버의 한 방향으로 기판을 반송하는 기판 반송 수단이 설치되고, 그 상부에 증착원이 대향 배치되어 있다. 증착원은, 기판을 가로질러 설치되는, 증착 물질을 수용하는 통 형상의 수용상자를 가지며, 수용상자의 하부에는, 증착 물질의 분출구가 그 길이 방향에 따라 소정의 간격으로 줄지어 설치되어 있다. 그리고, 히터로 증착 물질을 가열하여 수용상자 내에서 승화 또는 기화시키고, 이 승화 또는 기화한 것을 분출구로부터 기판을 향해 분출시킴으로써, 기판에 대해 성막된다.This kind of vacuum vapor deposition apparatus is known, for example in Patent Document 1. In this case, a substrate transport means for transporting a substrate in one direction of the vacuum chamber is provided below the vacuum chamber in the vertical direction, and an evaporation source is disposed opposite the substrate thereon. The evaporation source has a cylindrical housing box for accommodating the evaporation material, which is installed across the substrate, and in the lower portion of the housing box, ejection ports for evaporation materials are arranged in a row at predetermined intervals along the length direction thereof. Then, the evaporation material is heated with a heater to sublimate or vaporize in the receiving box, and the sublimated or vaporized product is ejected from the ejection port toward the substrate to form a film on the substrate.

여기서, 수용상자 내에서 승화 또는 기화한 증착 물질은, 분출구로부터 기판을 향해 분출할 뿐만 아니라, 예를 들면, 분출구의 주변에 위치하는 수용상자의 외표면 부분에 부착, 퇴적된다. 이 경우, 부착, 퇴적된 증착 물질은 파티클의 발생원이 될 수 있다. 이 때문에, 상기 종래예와 같이, 기판을 가로질러 수용상자가 설치되어 있으면, 수용상자에 부착된 증착 물질이 파티클이 되어 아래쪽으로 낙하하여, 기판에 부착된다는 문제가 생기고, 이것으로는, 제품 수율이 저하되는 등의 문제를 초래한다.Here, the evaporation material sublimated or vaporized in the receiving box not only ejects from the ejection port toward the substrate, but also adheres and deposits on the outer surface portion of the housing box positioned around the ejection port. In this case, the deposited and deposited material may become a particle generation source. For this reason, as in the conventional example, when the receiving box is installed across the substrate, there is a problem that the evaporation material attached to the receiving box becomes particles and falls downward and adheres to the substrate. This leads to problems such as deterioration.

특허문헌 1: 특허 제 4216522호 공보Patent Document 1: Patent No. 4216522 Publication

본 발명은, 이상의 점을 감안하여, 파티클의 영향을 가급적 줄일 수 있는 소위 하향 증착 방식의 진공 증착 장치를 제공하는 것을 그 과제로 하는 것이다.In view of the above points, it is an object of the present invention to provide a vacuum vapor deposition apparatus of a so-called downward vapor deposition method capable of reducing the influence of particles as much as possible.

상기 과제를 해결하기 위해, 진공 챔버 내에 배치되는 증착원을 구비하고, 증착원이 증착 물질을 수용하는 수용상자와 증착 물질을 가열하여 승화 또는 기화시키는 가열 수단을 가지는 본 발명의 진공 증착 장치는, 수용상자에, 승화 또는 기화한 증착 물질의 증기를 분출하는 분출부가 설치되고, 분출부가 진공 챔버 내의 피성막물보다 연직 방향 위쪽에 위치하고, 분출부가, 연직 방향에 대해 경사져서 아래쪽을 향하는 분출구를 가지며, 해당 분출구로부터 피성막물을 향해 증착 물질의 증기가 분출되고, 수용상자가 피성막물의 단부로부터 이격되는 위치에 오프셋 배치되는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the vacuum evaporation apparatus of the present invention has a deposition source disposed in a vacuum chamber, the evaporation source has a receiving box for accommodating the evaporation material and a heating means for sublimating or evaporating the evaporation material, In the receiving box, an ejection portion for ejecting the vapor of the sublimated or vaporized evaporation material is installed, the ejection portion is located vertically above the object to be formed in the vacuum chamber, and the ejection portion has an ejection port inclined to the vertical direction and facing downward , The vapor of the deposition material is ejected from the ejection port toward the object to be formed, and the receiving box is arranged offset at a position spaced apart from the end of the object.

본 발명에 따르면, 수용상자 내에서 승화 또는 기화한 증착 물질을 분출구로부터 기판을 향해 분출시켰을 때에, 수용상자의 외표면에도 증착 물질이 부착, 퇴적되고, 이것이 파티클의 발생원이 되어 아래쪽으로 낙하해도, 수용상자가 오프셋 배치되어 있기 때문에, 피성막물에 부착되기 어려워진다. 결과적으로, 파티클의 영향을 가급적 줄일 수 있다.According to the present invention, when the evaporation material sublimated or vaporized in the receiving box is ejected from the ejection port toward the substrate, the evaporation material adheres and deposits also on the outer surface of the receiving box, which becomes a source of particles and falls downward, Since the storage box is arranged offset, it becomes difficult to adhere to the object to be formed. As a result, the influence of particles can be reduced as much as possible.

본 발명에 있어서는, 상기 가열 수단은, 상기 수용상자를 가열하고, 해당 수용상자로부터의 복사열에 의해 상기 증착 물질을 가열하는 것이 바람직하다. 이에 따르면, 수용상자의 외표면에 증착 물질이 부착되어도, 수용상자 자체가 가열됨으로써, 증착 물질이 재차 승화 또는 기화된다. 이 때문에, 파티클의 발생원이 만들어지기 어려워져, 유리하다.In the present invention, it is preferable that the heating means heats the storage box and heats the evaporation material by radiant heat from the storage box. According to this, even if the evaporation material adheres to the outer surface of the housing box, the evaporation material is sublimated or vaporized again by heating the housing box itself. For this reason, it becomes difficult to generate a particle generation source, which is advantageous.

또한, 상기 분출구에 근접 배치되어 해당 분출구로부터의 증착 물질의 증기가 피성막물을 향해 분출되는 것을 방지하는, 연직 방향으로 왕복운동 가능한 셔터판을 구비하고, 셔터판이 피성막물의 단부로부터 이격 방향으로 오프셋되는 것이 바람직하다. 이에 따르면, 셔터판에 부착된 증착 물질이 파티클이 되고, 아래쪽으로 낙하해도, 피성막물에 부착되기 어렵게 할 수 있다.In addition, a shutter plate that is disposed close to the ejection port to prevent vapor of the deposition material from the ejection port from being ejected toward the object to be formed is provided, and the shutter plate is provided with a shutter plate capable of reciprocating in a vertical direction, and It is desirable to be offset. According to this, even if the evaporation material adhered to the shutter plate becomes particles and falls downward, it is possible to make it difficult to adhere to the object to be formed.

또한, 피성막물이 수평으로 배치되는 유지부를 가지는 것이 바람직하다. 여기서, 수평이란, 엄밀한 수평을 의미하는 것이 아니라, 실질적인 수평을 의미하는 것으로 한다. 또한, 상기 유지부를 연직 방향의 축선을 중심으로 회전 구동하는 구동 수단을 추가로 구비하는 것이 바람직하다. 이에 따르면, 막두께 분포를 개선할 수 있다.In addition, it is preferable to have a holding portion in which the object to be formed is disposed horizontally. Here, horizontal does not mean a strict horizontal, but a practical horizontal. In addition, it is preferable to further include a driving means for rotating the holding unit about an axis in a vertical direction. According to this, it is possible to improve the film thickness distribution.

또한, 피성막물이 한 방향으로 직사각형인 기판으로, 상기 이동 수단에 의해 기판을 상기 증착원에 대해 진공 챔버 내의 한 방향으로 상대 이동시키면서 성막하는 경우, 증착원에 대한 기판의 상대 이동 방향을 X축방향, X축방향에 직교하는 기판의 폭방향을 Y축방향으로 하고, 상기 수용상자에, 분출부가 Y축방향으로 소정의 간격에서 줄지어 설치되는 것이 바람직하다. 이 경우, 기판의 폭에 따라서는, 막두께 분포의 균일성을 높이기 위해, 증착원을 Y축방향 양측에 각각 배치할 수도 있다.In addition, when a film is formed on a substrate having a rectangular shape in one direction and the substrate is moved relative to the evaporation source in one direction in the vacuum chamber by the moving means, the relative movement direction of the substrate with respect to the evaporation source is X It is preferable that the width direction of the substrate orthogonal to the axial direction and the X-axis direction is the Y-axis direction, and the ejection portions are arranged in a row at predetermined intervals in the Y-axis direction in the receiving box. In this case, depending on the width of the substrate, in order to increase the uniformity of the film thickness distribution, the evaporation sources may be respectively disposed on both sides in the Y-axis direction.

도 1은 본 발명의 진공 증착 장치의 실시형태를 설명하는, 일부를 단면시로 한 부분 사시도이다.
도 2는 기판과 증착원의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 3은 증착원의 변형예를 설명하는 도면이다.
도 4는 진공 증착 장치의 변형예를 설명하는 도면이다.1 is a partial perspective view illustrating an embodiment of a vacuum vapor deposition apparatus according to the present invention, partially taken as a cross-sectional view.
2 is a diagram illustrating an arrangement relationship between a substrate and an evaporation source.
3 is a diagram illustrating a modified example of the evaporation source.
4 is a diagram illustrating a modified example of the vacuum vapor deposition apparatus.

이하, 도면을 참조하여, 피성막물을 직사각형의 윤곽을 가지는 소정 두께의 유리 기판(이하, 「기판(S)」라고 한다)으로 하고, 기판(S)의 한 면에 소정의 박막을 성막하는 경우를 예로 본 발명의 진공 증착 장치의 실시형태를 설명한다.Hereinafter, referring to the drawings, the object to be formed is a glass substrate having a predetermined thickness (hereinafter referred to as "substrate S") having a rectangular outline, and a predetermined thin film is formed on one side of the substrate S. An embodiment of the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention will be described by taking a case as an example.

도 1 및 도 2를 참조하여, 진공 증착 장치(DM)는 진공 챔버(1)를 구비한다. 진공 챔버(1)에는, 특별히 도시하여 설명하지 않지만, 배기관을 통해 진공 펌프가 접속되어, 소정 압력(진공도)으로 진공 흡인하여 유지할 수 있게 되어 있다. 또한, 진공 챔버(1)의 연직 방향 하부에는 기판 반송 장치(2)가 설치된다. 기판 반송 장치(2)는, 성막면으로서의 상면을 개방한 상태로 기판(S)을 유지하는 캐리어(21)를 가지며, 도면 바깥쪽의 구동장치에 의해 캐리어(21), 나아가서는 기판(S)을 진공 챔버(1) 내의 한 방향으로 소정 속도로 이동하게 되어 있다. 기판 반송 장치(2)로서는 공지의 것을 이용할 수 있으므로, 더 이상의 설명은 생략하지만, 본 실시형태에서는, 기판 반송 장치(2)가, 후술한 증착원에 대해 진공 챔버(1) 내의 한 방향으로 기판(S)을 상대 이동시키는 이동 수단을 구성한다. 이하에 있어서는, 증착원에 대한 기판(S)의 상대 이동 방향을 X축방향, X축방향에 직교하는 기판(S)의 폭방향을 Y축방향으로 한다.1 and 2, the vacuum evaporation apparatus DM includes a vacuum chamber 1. Although not shown and described in particular, a vacuum pump is connected to the vacuum chamber 1 through an exhaust pipe, so that it can be vacuum-sucked and maintained at a predetermined pressure (vacuum degree). Further, a substrate transfer device 2 is installed below the vacuum chamber 1 in the vertical direction. The substrate transfer device 2 has a carrier 21 for holding the substrate S in a state where the upper surface as a film formation surface is opened, and the carrier 21 and furthermore the substrate S by a driving device outside the drawing. Is moved at a predetermined speed in one direction in the vacuum chamber 1. Since a known substrate transfer device 2 can be used, further explanation is omitted, but in this embodiment, the substrate transfer device 2 moves the substrate in one direction in the vacuum chamber 1 with respect to the evaporation source described later. (S) constitutes a moving means for relative movement. In the following, the relative movement direction of the substrate S with respect to the evaporation source is the X axis direction, and the width direction of the substrate S perpendicular to the X axis direction is the Y axis direction.

진공 챔버(1)에는, 기판(S)보다 연직 방향 위쪽에 위치시켜 증착원(3)이 설치된다. 증착원(3)은, 기판(S)에 성막하고자 하는 박막에 따라 적절하게 선택되는 증착 물질(Vm)을 수용하는 수용상자(31)를 가진다. 이 경우, 수용상자(31)는, Y축방향으로 길게된 직육면체 형상인 것으로, 그 하면의 Y축방향의 각부에는, 원통(cylinder)으로 구성되는 분출부로서의 분출 노즐(32)의 복수체가 Y축방향으로 소정간격을 두어 돌출된다. 이 경우, 분출 노즐(32)은 그 노즐구멍의 구멍축(32a)이 연직 방향에 대해 소정의 각도로 경사지고, 그 선단의 분출구(32b)가 연직 방향에서 경사져서 아래쪽으로 향하게 된다. 이 경우, 구멍축(32a)의 경사각은, 기판(S)의 폭, 증착 물질(Vm)에 기인하는 분출 노즐(32)로부터의 증착 물질(Vm)의 분출 분포나 기판(S)에 형성하고자 하는 박막의 막두께의 균일성 등을 고려해 적절하게 설정된다.In the vacuum chamber 1, the evaporation source 3 is installed in a vertical direction above the substrate S. The evaporation source 3 has a receiving box 31 for accommodating a deposition material Vm appropriately selected according to a thin film to be deposited on the substrate S. In this case, the receiving box 31 has a rectangular parallelepiped shape elongated in the Y-axis direction, and at each portion of the lower surface thereof in the Y-axis direction, a plurality of ejection nozzles 32 as ejection portions constituted by a cylinder are Y It protrudes at predetermined intervals in the axial direction. In this case, as for the jet nozzle 32, the hole axis 32a of the nozzle hole is inclined at a predetermined angle with respect to the vertical direction, and the jetting port 32b at the tip thereof is inclined in the vertical direction and is directed downward. In this case, the inclination angle of the hole shaft 32a is to be formed on the substrate S or the distribution of the ejection of the evaporation material Vm from the ejection nozzle 32 due to the width of the substrate S and the evaporation material Vm. It is appropriately set in consideration of the uniformity of the film thickness of the thin film.

또한, 분출 노즐(32)을 포함하는 수용상자(31)의 주위에는 가열 수단으로서의 전열선(33)이 감기고, 도면 바깥쪽의 전원으로부터 통전함으로써, 수용상자(31)를 그 전체에 걸쳐 거의 균등하게 가열할 수 있게 한다. 그리고, 수용상자(31)를 가열함으로써 해당 수용상자(31)로부터의 복사열에 의해 용기(31a) 내의 증착 물질(Vm)을 가열하여 해당 증착 물질(Vm)을 승화 또는 기화시킬 수 있게 되어 있다. 또한, 특별히 도시하여 설명하지 않지만, 수용상자(31) 내에는 분산판이 설치되고, 수용상자(31)를 가열하여 그 내부의 증착 물질(Vm)을 승화 또는 기화시키고, 이 승화 또는 기화한 증착 물질(Vm)을 각 분출 노즐(32)로부터 거의 균등하게 분출할 수 있게 한다. 또한, 수용상자(31)를 거의 균등하게 가열하는 방식은 상기의 것으로 한정되는 것은 아니다. 더욱이, 용기(31a) 내의 증착 물질(Vm)을 직접 가열하는 가열 수단을 따로 설치할 수도 있고, 예를 들면, 다른 가열 수단으로서의 전열선을 용기(31a)의 주위에 감아, 통전하여 증착 물질(Vm)을 전열에 의해 가열할 수도 있다.In addition, a heating wire 33 as a heating means is wound around the housing box 31 including the ejection nozzle 32, and energizes the housing box 31 almost evenly over the entire Make it possible to heat. Further, by heating the storage box 31, the vapor deposition material Vm in the container 31a is heated by radiant heat from the storage box 31 to sublimate or vaporize the deposition material Vm. In addition, although not specifically illustrated and described, a dispersion plate is installed in the receiving box 31, and the deposition material Vm therein is sublimated or vaporized by heating the receiving box 31, and the sublimated or vaporized deposition material (Vm) can be jetted almost evenly from each jet nozzle 32. In addition, the method of heating the receiving box 31 almost evenly is not limited to the above. Furthermore, a heating means for directly heating the vapor deposition material Vm in the container 31a may be separately provided. For example, a heating wire as another heating means is wound around the container 31a and energized to conduct the deposition material Vm. You can also heat by electric heat.

상기와 같이 구성된 수용상자(31)는, 분출 노즐(32)의 분출구(32b)가 기판(S)의 Y축방향 일단으로부터 이격되는 위치에 오프셋 배치된다. 이 경우, 분출구(32b)와 기판(S)의 Y축방향 일단 사이의 간격(DS)은, 기판(S)에 형성하고자 하는 박막의 막두께의 균일성 등을 고려해 적절하게 설정된다. 또한, 진공 챔버(1) 내에는, 분출 노즐(32)의 분출구(32b)에 근접 배치되어 해당 분출구(32b)로부터의 증착 물질의 증기가 기판(S)을 향해 분출되는 것을 방지하는, 연직 방향으로 왕복운동 가능한 셔터판(4)을 구비한다. 셔터판(4)은, 분출 노즐(32)로부터의 증착 물질(Vm)의 분출이 안정될 때까지, 도면의 가상선으로 나타낸 차폐 위치로 이동하고, 분출이 안정되면, 도면의 실선으로 나타낸 분출 위치로 이동한다. 이들 양 위치 사이에서 셔터판(4)을 왕복운동시키는 구동 수단으로서는, 공지의 구조인 것을 이용할 수 있으므로, 여기에서는 설명을 생략한다. 셔터판(4)도 또한, 기판(S)의 Y축방향 일단으로부터 이격 방향으로 오프셋된다. 셔터판(4)의 하단은, 수용상자(31)를 향해 L자 형상으로 굴곡시킨다.In the storage box 31 configured as described above, the ejection port 32b of the ejection nozzle 32 is offset from one end of the substrate S in the Y-axis direction. In this case, the distance DS between the ejection port 32b and one end in the Y-axis direction of the substrate S is appropriately set in consideration of the uniformity of the film thickness of the thin film to be formed on the substrate S. In addition, in the vacuum chamber 1, it is disposed close to the ejection port 32b of the ejection nozzle 32 and prevents vapor of the vapor deposition material from the ejection port 32b from being ejected toward the substrate S, in a vertical direction. A shutter plate 4 capable of reciprocating movement is provided. The shutter plate 4 moves to the shielding position indicated by the imaginary line in the drawing until the ejection of the vapor deposition material Vm from the ejection nozzle 32 is stabilized, and when the ejection is stable, the ejection indicated by the solid line in the drawing Go to the location. As a driving means for reciprocating the shutter plate 4 between these two positions, a known structure can be used, and thus description thereof is omitted here. The shutter plate 4 is also offset from one end of the substrate S in the Y-axis direction in a spaced direction. The lower end of the shutter plate 4 is bent in an L-shape toward the housing box 31.

이상의 실시형태에 따르면, 수용상자(31) 내에서 승화 또는 기화한 증착 물질(Vm)을 분출구(32b)로부터 기판(S)을 향해 분출시켰을 때에, 수용상자(31)의 외표면에도 증착 물질(Vm)이 부착, 퇴적되고, 이것이 파티클의 발생원이 되어 아래쪽으로 낙하해도, 수용상자(31)가 오프셋 배치되어 있어, 기판(S)에 부착되기 어려워진다. 결과적으로, 파티클의 영향을 가급적 줄일 수 있다. 또한, 가열 수단(33)은, 수용상자(31)를 가열하고, 수용상자(31)로부터의 복사열에 의해 증착 물질(Vm)을 가열하는 구성을 채용했기 때문에, 분출구(32b)를 포함하는 수용상자(31)의 내면이나 외면에 증착 물질(Vm)이 부착되어도, 수용상자(31) 자체가 가열됨으로써, 증착 물질(Vm)이 재차 승화 또는 기화된다. 이 때문에, 파티클의 발생원이 만들어지기 어려워져, 유리하다. 게다가, 셔터판(4)이 기판(S)의 단부로부터 이격 방향으로 오프셋되고, 셔터판(4)의 하단이 수용상자(31)를 향해 L자 형상으로 굴곡되는 것이 바람직하다. 이에 따르면, 상기와 같이, 셔터판(4)에 부착된 증착 물질이 파티클이 되고, 아래쪽으로 낙하해도, 기판에 부착하기 어렵게 할 수 있다.According to the above embodiment, when the evaporation material Vm sublimated or vaporized in the housing box 31 is ejected from the ejection port 32b toward the substrate S, the evaporation material ( Vm) adheres and accumulates, and even if this becomes a particle generation source and falls downward, the housing box 31 is offset and is difficult to adhere to the substrate S. As a result, the influence of particles can be reduced as much as possible. In addition, since the heating means 33 employs a configuration in which the storage box 31 is heated and the vapor deposition material Vm is heated by radiant heat from the storage box 31, the accommodation including the ejection port 32b Even if the evaporation material Vm adheres to the inner or outer surface of the box 31, the evaporation material Vm is sublimated or vaporized again by heating the housing box 31 itself. For this reason, it becomes difficult to generate a particle generation source, which is advantageous. In addition, it is preferable that the shutter plate 4 is offset in the direction away from the end of the substrate S, and the lower end of the shutter plate 4 is bent in an L-shape toward the receiving box 31. According to this, as described above, even if the deposition material adhered to the shutter plate 4 becomes particles and falls downward, it can be made difficult to adhere to the substrate.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상기의 것으로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태에서는, 수용상자(31)에 복수체의 분출 노즐(32)을 설치한 것을 예로 설명했지만, 한 개의 분출 노즐(32)만을 설치할 수도 있으며, 또한, 수용상자의 각부에 원형이나 슬릿 형상의 구멍을 개설하고, 이것을 분출부라고 할 수도 있다.As mentioned above, although the embodiment of this invention was demonstrated, this invention is not limited to the said thing. In the above embodiment, it was described as an example that a plurality of ejection nozzles 32 are provided in the housing box 31, but only one ejection nozzle 32 may be provided, and in the corners of the housing box, circular or slit shapes. It can also be called a spout by opening a hole of.

그런데, 수용상자(31)를 오프셋 배치한 경우, 기판(S)의 폭에 따라서는, 막두께 분포가 거의 균일하게 할 수 없는 경우가 있다. 이러한 경우, 도 3에 도시한 바와 같이, 진공 챔버(1) 내에, 기판(S)의 폭방향 양측에 각각 수용상자(31)를 배치할 수 있다. 이 경우, 각 분출 노즐(32)의 구멍축(32a)을 적절하게 바꾸어 배치할 수도 있다. 또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(S)을 회전 스테이지(5) 상에 설치하여, 소정의 회전수로 회전하면서 성막할 수 있다. 회전 스테이지(5)로서는, 기판(S)을 수평으로 유지하는 판 형상의 유지부(51)를 가지며, 이 유지부(51)에 모터 등의 구동 수단(52)의 회전축(53)이 연결되고, 구동 수단(52)에 의해 유지부(51)를 회전축(53)을 중심으로 회전 구동하는 공지의 것을 이용할 수 있다. 이러한 구성을 채용하면, 막두께 분포를 개선할 수 있다.By the way, when the accommodation box 31 is arranged offset, depending on the width of the board|substrate S, the film thickness distribution may not be made substantially uniform in some cases. In this case, as shown in FIG. 3, in the vacuum chamber 1, the receiving boxes 31 may be disposed on both sides of the substrate S in the width direction. In this case, the hole shaft 32a of each jet nozzle 32 may be appropriately replaced and disposed. Moreover, as shown in FIG. 4, the board|substrate S is provided on the rotation stage 5, and can form a film while rotating at a predetermined rotational speed. The rotation stage 5 has a plate-shaped holding portion 51 that holds the substrate S horizontally, and the rotation shaft 53 of a driving means 52 such as a motor is connected to the holding portion 51. , It is possible to use a known one that drives the holding unit 51 to rotate around the rotation shaft 53 by the driving means 52. By adopting such a configuration, it is possible to improve the film thickness distribution.

또한, 막두께 분포를 개선하기 위해, 증착원(3) 혹은 기판(S)을 이동시킬 수도 있다. 예를 들면, 수용상자(31)가 기판(S)에 대해 오프셋 배치되는 상태는 유지한 채로, 증착원(3)과 기판(S) 사이의 거리(DS)를 변경하도록, 증착원(3)과 기판(S) 중 적어도 어느 한쪽을 수평 이동시킬 수도 있다. 혹은, 증착원(3)을 상하로 이동시킬 수도 있고, 증착원(3)을 분출 노즐(32)의 병설 방향(X축방향)으로 연장되는 축을 중심으로 소정의 각도로 스윙시킬 수도 있다.Further, in order to improve the film thickness distribution, the evaporation source 3 or the substrate S may be moved. For example, the evaporation source 3 is to change the distance DS between the evaporation source 3 and the substrate S while maintaining the state in which the receiving box 31 is offset with respect to the substrate S. At least one of the and the substrate S may be horizontally moved. Alternatively, the evaporation source 3 may be moved up and down, and the evaporation source 3 may be swinged at a predetermined angle around an axis extending in the direction (X-axis direction) of the ejection nozzle 32.

또한, 상기 실시형태에서는, 피성막물을 유리 기판으로 하고, 기판 반송 장치(2)에 의해 유리 기판을 일정한 속도로 반송하면서 성막하는 것을 예로 설명했지만, 진공 증착 장치의 구성은, 상기의 것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 피성막물을 시트 형상의 기재로 하고, 구동 롤러와 권취 롤러 사이에서 일정한 속도로 기재를 이동시키면서 기재의 한 면에 성막하는 장치에도 본 발명은 적용할 수 있다. 또한, 피성막물을 진공 챔버(1)에 셋팅하고, 증착원에 공지의 구조를 가지는 구동 수단을 부설하고, 피성막물에 대해 증착원(3)을 상대 이동시키면서 성막하는 경우에도 본 발명은 적용할 수 있다. 또한, 수용상자(31)에 분출 노즐(32)을 일렬로 설치한 것을 예로 설명했지만, 복수열로 설치할 수도 있다.In addition, in the above embodiment, the film formation was described as an example in which the object to be formed was a glass substrate and the glass substrate was transferred at a constant speed by the substrate transfer device 2, but the configuration of the vacuum vapor deposition apparatus was limited to the above. It does not become. For example, the present invention can also be applied to an apparatus in which a film to be formed is used as a sheet-like base material, and a film is formed on one side of a base material while moving the base material at a constant speed between a drive roller and a take-up roller. In addition, even when a film to be formed is set in the vacuum chamber 1, a driving means having a known structure is attached to the evaporation source, and the deposition source 3 is moved relative to the film to be formed, the present invention Can be applied. In addition, although it has been described as an example that the ejection nozzles 32 are provided in a row in the receiving box 31, it may be provided in a plurality of rows.

DM: 진공 증착 장치
S: 기판(피성막물)
Vm: 증착 물질
1: 진공 챔버
2: 기판 반송 장치(유지부, 이동 수단)
3: 증착원
31: 수용상자
32: 분출 노즐(분출부)
32b: 분출구
33: 전열선(가열 수단)
4: 셔터판
51: 유지부
52: 구동 수단
53: 회전축(축)DM: vacuum evaporation apparatus
S: Substrate (film to be formed)
Vm: evaporation material
1: vacuum chamber
2: Substrate transfer device (holding unit, moving means)
3: evaporation source
31: receiving box
32: jet nozzle (jet portion)
32b: spout
33: electric heating wire (heating means)
4: shutter plate
51: maintenance unit
52: drive means
53: rotation shaft (axis)

Claims (6)

진공 챔버 내에 배치되는 증착원을 구비하고, 증착원이 증착 물질을 수용하는 수용상자와 증착 물질을 가열하여 승화 또는 기화시키는 가열 수단을 가지는 진공 증착 장치로서,
수용상자에, 승화 또는 기화한 증착 물질의 증기를 분출하는 복수의 분출부가 상기 수용상자에 일렬로 설치되고, 상기 분출부가 진공 챔버 내의 피성막물보다 연직 방향 위쪽에 위치하는 것에 있어서,
각각의 상기 분출부는, 연직 방향에 대해 경사져서 아래쪽을 향하는 분출구를 가지며, 해당 분출구로부터 피성막물을 향해 증착 물질의 증기가 분출되고, 각각의 상기 분출구는 서로 다른 구멍축을 갖고, 상기 수용상자는 그 분출부가 피성막물의 단부로부터 이격되는 위치에 오프셋 배치되는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.
A vacuum evaporation apparatus having an evaporation source disposed in a vacuum chamber, wherein the evaporation source has a receiving box accommodating a evaporation material and a heating means for sublimating or evaporating the evaporation material by heating,
In the receiving box, a plurality of ejection portions for ejecting the vapor of the sublimated or vaporized evaporation material are provided in a row in the receiving box, and the ejection portions are positioned vertically above the film-formed object in the vacuum chamber,
Each of the ejection portions has an ejection opening inclined with respect to the vertical direction and facing downward, and vapor of the deposition material is ejected from the ejection opening toward the object to be formed, each ejection opening having a different hole axis, and the receiving box A vacuum evaporation apparatus, characterized in that the ejection portion is offsetly disposed at a position spaced apart from an end portion of the film to be formed.
 청구항 1에 있어서, 상기 분출구에 근접 배치되어 해당 분출구로부터의 증착 물질의 증기가 피성막물을 향해 분출되는 것을 방지하는, 연직 방향으로 왕복운동 가능한 셔터판을 구비하고, 셔터판이 피성막물의 단부로부터 이격 방향으로 오프셋 배치되는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.
The method according to claim 1, further comprising a shutter plate capable of reciprocating in a vertical direction, which is disposed close to the ejection port and prevents vapor of the vapor deposition material from the ejection port from being ejected toward the object to be formed, and the shutter plate is provided from an end of the object to be formed. Vacuum evaporation apparatus, characterized in that the offset arrangement in a spaced direction.
 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 가열 수단은, 상기 수용상자를 가열하고, 해당 수용상자에서의 복사열에 의해 증착 물질을 가열하는 것인 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.
The vacuum evaporation apparatus according to claim 1 or 2, wherein the heating means heats the storage box and heats the evaporation material by radiant heat from the storage box.
 청구항 1 또는 2에 있어서, 피성막물을 수평으로 유지하는 유지부를 가지는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.
The vacuum evaporation apparatus according to claim 1 or 2, comprising a holding portion for horizontally holding the object to be formed.
 청구항 4에 있어서, 상기 유지부를 연직 방향의 축을 중심으로 회전 구동하는 구동 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.
The vacuum evaporation apparatus according to claim 4, further comprising a driving means for rotating the holding part about an axis in a vertical direction.
 청구항 1 또는 2에 기재된 진공 증착 장치로서,
피성막물은 한 방향으로 직사각형인 기판으로, 이동 수단에 의해 기판을 상기 증착원에 대해 진공 챔버 내의 한 방향으로 상대 이동시키면서 성막하는 것에 있어서,
증착원에 대한 기판의 상대 이동 방향을 X축방향, X축방향에 직교하는 기판의 폭방향을 Y축방향으로 하고, 상기 수용상자에, 분출부가 Y축방향으로 소정의 간격에서 줄지어 설치되는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.As the vacuum vapor deposition apparatus according to claim 1 or 2,
The object to be formed is a rectangular substrate in one direction, in which a film is formed while moving the substrate relative to the evaporation source in one direction in the vacuum chamber by a moving means,
The relative movement direction of the substrate with respect to the evaporation source is the X-axis direction, and the width direction of the substrate perpendicular to the X-axis direction is the Y-axis direction, and the ejection portions are installed in a row at a predetermined interval in the Y-axis direction in the receiving box. Vacuum vapor deposition apparatus, characterized in that.
KR1020187033457A 2016-08-02 2017-07-19 Vacuum evaporation equipment KR102170484B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-152343 2016-08-02
JP2016152343 2016-08-02
PCT/JP2017/026066 WO2018025638A1 (en) 2016-08-02 2017-07-19 Vacuum deposition device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180137525A KR20180137525A (en) 2018-12-27
KR102170484B1 true KR102170484B1 (en) 2020-10-28

Family

ID=61073370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187033457A KR102170484B1 (en) 2016-08-02 2017-07-19 Vacuum evaporation equipment

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6554612B2 (en)
KR (1) KR102170484B1 (en)
CN (1) CN109415800B (en)
TW (1) TWI658162B (en)
WO (1) WO2018025638A1 (en)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4216522A (en) 1977-06-06 1980-08-05 Texas Instruments Incorporated Interchangeable module for integrated circuits
JPH04272169A (en) * 1991-02-25 1992-09-28 Shimadzu Corp Impregnating type vacuum deposition device
JP4216522B2 (en) * 2002-04-23 2009-01-28 株式会社アルバック Evaporation source and thin film forming apparatus using the same
JP4156885B2 (en) * 2002-09-11 2008-09-24 株式会社アルバック Thin film forming equipment
KR20060030426A (en) * 2004-10-05 2006-04-10 삼성에스디아이 주식회사 Vacuum evaporating apparatus and vacuum evaporating method
JP2008031501A (en) * 2006-07-26 2008-02-14 Canon Inc Film deposition apparatus, and method of manufacturing vapor-deposited thin film
KR101063192B1 (en) * 2008-11-12 2011-09-07 주식회사 야스 Deposition source capable of downward deposition
KR20140120556A (en) * 2013-04-03 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 Deposition apparatus
CN103233201B (en) * 2013-05-03 2016-03-30 中国科学院光电技术研究所 A kind of preparation method of downward thermal evaporation media protection rete
KR20140145842A (en) * 2013-06-14 2014-12-24 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for supplying deposition source and method for operating that
KR20150057272A (en) * 2013-11-19 2015-05-28 주식회사 포리스 Downward Type Deposition Source, Deposition Apparatus and Method Having the Same

Also Published As

Publication number Publication date
JP6554612B2 (en) 2019-07-31
KR20180137525A (en) 2018-12-27
JPWO2018025638A1 (en) 2018-10-18
CN109415800A (en) 2019-03-01
CN109415800B (en) 2021-01-08
TWI658162B (en) 2019-05-01
TW201816151A (en) 2018-05-01
WO2018025638A1 (en) 2018-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6431006B2 (en) Apparatus and method for separating carrier liquid vapor from ink
JP6010621B2 (en) Downward printing apparatus and method
JP2016221515A5 (en)
US8802200B2 (en) Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR102155099B1 (en) Vacuum evaporation equipment
KR102170484B1 (en) Vacuum evaporation equipment
JP7092543B2 (en) Vacuum deposition equipment
US9309588B2 (en) Thin film deposition source, deposition apparatus and deposition method using the same
KR101871499B1 (en) Linear nozzle for depositing a thin film and apparatus thereof
JP7011521B2 (en) Thin-film deposition source for vacuum-film deposition equipment
JP6982695B2 (en) Deposition source and vacuum processing equipment
JP6106433B2 (en) Evaporation source device
JP6983096B2 (en) Thin-film deposition source for vacuum-film deposition equipment
JP2020190013A (en) Vacuum deposition method
JP7303031B2 (en) Evaporation source for vacuum deposition equipment
JP7141793B2 (en) Evaporation source for vacuum deposition apparatus and vacuum deposition method
JP2019214767A (en) Vapor deposition source for vacuum vapor deposition device
TW201304236A (en) Apparatus and method to separate carrier liquid vapor from ink

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant