KR102170390B1 - Multicyclic compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound of Formula 1 and an organic light emitting device including the same.

Description

다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{MULTICYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}A polycyclic compound and an organic light-emitting device including the same TECHNICAL FIELD

본 출원은 2018년 07월 25일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2018-0086619호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2018-0086619 filed with the Korean Intellectual Property Office on July 25, 2018, the entire contents of which are incorporated herein.

본 명세서는 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a polycyclic compound and an organic light emitting device including the same.

본 명세서에서, 유기 발광 소자란 유기 반도체 물질을 이용한 발광 소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 발광 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 발광 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 발광 소자이다.In the present specification, an organic light-emitting device is a light-emitting device using an organic semiconductor material, and requires an exchange of holes and/or electrons between an electrode and an organic semiconductor material. The organic light emitting device can be divided into two types as follows according to the operating principle. First, excitons are formed in the organic material layer by photons introduced into the device from an external light source, and the excitons are separated into electrons and holes, and these electrons and holes are transferred to different electrodes, and used as a current source (voltage source). It is a type of light emitting device. The second is a light emitting device in which holes and/or electrons are injected into an organic semiconductor material layer that forms an interface with the electrode by applying voltage or current to two or more electrodes, and operates by the injected electrons and holes.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자억제층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, the organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which electrical energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often made of a multilayer structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device.For example, the organic material layer is composed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron suppression layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. I can lose. In the structure of such an organic light-emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer, and excitons are formed when the injected holes and electrons meet. It glows when it falls back to the ground. These organic light emitting devices are known to have characteristics such as self-luminescence, high brightness, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, and high contrast.

유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 억제 물질, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료가 있다.Materials used as the organic material layer in the organic light-emitting device may be classified into light-emitting materials and charge transport materials, such as hole injection materials, hole transport materials, electron suppression materials, electron transport materials, electron injection materials, and the like, according to their functions. The light-emitting material includes blue, green, and red light-emitting materials and yellow and orange light-emitting materials necessary to realize better natural colors according to the light-emitting color.

또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도펀트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도펀트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도펀트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도펀트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도펀트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.In addition, in order to increase color purity and increase luminous efficiency through energy transfer, a host/dopant system may be used as a light emitting material. The principle is that when a small amount of a dopant having an energy band gap smaller than that of a host that mainly constitutes the light emitting layer is mixed with the light emitting layer, excitons generated from the host are transported as a dopant to emit light with high efficiency. At this time, since the wavelength of the host moves to the wavelength of the dopant, light having a desired wavelength can be obtained according to the type of dopant used.

전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 억제 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되므로 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.In order to fully exhibit the excellent characteristics of the organic light emitting device described above, materials that form the organic material layer in the device, such as hole injection materials, hole transport materials, light-emitting materials, electron suppression materials, electron transport materials, electron injection materials, etc., are stable and efficient materials. As it is supported by, the development of new materials is continuously required.

한국 공개 공보 제2016-064956호Korea Public Publication No. 2016-064956

본 명세서에는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다. In the present specification, a compound and an organic light emitting device including the same are described.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112019076557420-pat00001
Figure 112019076557420-pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

X는 수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이고,X is hydrogen; Cyano group; A substituted or unsubstituted phenyl group; Or a substituted or unsubstituted biphenyl group,

A 및 B 중 어느 하나는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.Any one of A and B is a carbazole group substituted with a cyano group, and the other is a substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.Further, according to an exemplary embodiment of the present invention, the first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the aforementioned compound.

본 발명의 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 본 발명의 화합물을 포함하여 유기 발광 소자를 제조하는 경우, 고효율, 저전압 및 장수명 특성을 갖는 유기 발광 소자를 얻을 수 있으며, 본 발명의 화합물을 유기 발광 소자의 발광층에 포함하는 경우, 구동 시 전압 상승을 억제하며 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.The compound of the present invention can be used as a material for an organic material layer of an organic light emitting device. In the case of manufacturing an organic light-emitting device including the compound of the present invention, an organic light-emitting device having high efficiency, low voltage, and long lifespan characteristics can be obtained, and when the compound of the present invention is included in the emission layer of the organic light-emitting device, the voltage increases during driving It is possible to manufacture an organic light-emitting device having a long life and suppression.

구체적으로, 디벤조티오펜 골격의 2번과 6번에 치환기를 도입함으로써, 높은 발광 효율과 장수명을 양립할 수 있고, 나아가서는 종래의 화합물에 비하여 소자의 구동 전압을 크게 저하시킬 수 있다. 이러한 효과가 발현되는 것은, 6번 위치에 시아노기로 치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기가 위치하여 입체 장애성이 커지기 때문이다. 즉, 분자 전체의 평면성이 저하되고 입체 장애가 큰 화합물이 되기 때문에 화합물끼리의 상호작용이 억제됨으로써, 발광 재료로의 에너지 이동이 한층 효율화 된다. 또한, 2번 위치에 시아노기로 치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기가 위치하여 호모(HOMO), 루모(LUMO)가 적절히 위치하므로, 물질의 안정성이 높아져 고효율 및 장수명 효과가 있다. 추가적으로, 4번 위치에, 수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기가 위치하여, 추가적인 안정성을 부여하므로, 고효율 또는 장수명 구현에 유리하다.Specifically, by introducing the substituents to Nos. 2 and 6 of the dibenzothiophene skeleton, it is possible to achieve both high luminous efficiency and long life, and further significantly lower the driving voltage of the device compared to the conventional compound. This effect is exhibited because a carbazole group substituted with a cyano group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group is positioned at the 6th position to increase steric hindrance. In other words, since the overall planarity of the molecule is lowered and a compound having a large steric hindrance becomes a compound, the interaction between the compounds is suppressed, so that energy transfer to the light emitting material is further improved. In addition, since a carbazole group substituted with a cyano group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group is located at position 2, Homo and LUMO are appropriately located, As the stability of the material is increased, there is a high efficiency and long life effect. Additionally, at the 4th position, hydrogen, cyano group, substituted or unsubstituted phenyl group, or substituted or unsubstituted biphenyl group is located, providing additional stability, which is advantageous in realizing high efficiency or long life.

도 1은 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 전자차단층(5), 발광층(6), 정공차단층(7), 전자수송층(8), 전자주입층(9), 음극(10) 및 캡슐(11)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 발광층(6) 및 음극(10)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 화합물 1의 질량 스펙트럼 데이터를 도시한 것이다.
도 4는 화합물 2의 질량 스펙트럼 데이터를 도시한 것이다.
1 is a substrate (1), an anode (2), a hole injection layer (3), a hole transport layer (4), an electron blocking layer (5), a light emitting layer (6), a hole blocking layer (7), an electron transport layer (8). , An electron injection layer 9, a cathode 10, and an example of an organic light-emitting device comprising the capsule 11 is shown.
2 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 6, and a cathode 10.
3 shows mass spectral data of Compound 1.
4 shows mass spectral data of Compound 2.

이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. 하기 화학식 1의 화합물은 코어구조로 디벤조티오펜을 사용함에 따라, 최저 삼중항 에너지가 높고, 유리전이온도가 높아, 소자에 적용시 장수명의 소자를 얻을 수 있으며, 하기 화학식 1의 화합물의 A 및 B 중 어느 하나에 시아노기로 치환된 카바졸기를, 나머지 하나에 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기를 도입함으로써, 상기 디벤조퓨란기 및 디벤조티오펜기를 통하여 π-π 상호 작용이 크고, 시아노기(CN) 치환기를 통하여 전자 흡입성 N-type 특성을 부여하여, 물질의 전자 주입 및 이송 능력이 좋아지므로, 소자에 적용시 구동 전압이 낮고, 발광 효율이 우수한 유기 발광 소자를 얻을 수 있다.The present specification provides a compound represented by the following formula (1). As the compound of Formula 1 below uses dibenzothiophene as a core structure, the lowest triplet energy is high and the glass transition temperature is high, so that when applied to a device, a device with a long life can be obtained. And a carbazole group substituted with a cyano group in any one of B, and a dibenzofuran group substituted or unsubstituted in the other one; Or by introducing a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group, the π-π interaction is large through the dibenzofuran group and the dibenzothiophene group, and electron inhaling N-type characteristics are achieved through the cyano group (CN) substituent. As a result, since the electron injection and transport capability of the material is improved, an organic light-emitting device having a low driving voltage and excellent luminous efficiency can be obtained when applied to a device.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112019076557420-pat00002
Figure 112019076557420-pat00002

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

X는 수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이고,X is hydrogen; Cyano group; A substituted or unsubstituted phenyl group; Or a substituted or unsubstituted biphenyl group,

A 및 B 중 어느 하나는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.Any one of A and B is a carbazole group substituted with a cyano group, and the other is a substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present specification, when a member is said to be located "on" another member, this includes not only the case where the member is in contact with the other member, but also the case where another member exists between the two members.

본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the substituent in the present specification are described below, but are not limited thereto.

상기 "치환" 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that the hydrogen atom bonded to the carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent can be substituted, and when two or more are substituted , Two or more substituents may be the same or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기(-CN); 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 도 있다.In the present specification, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; Halogen group; Cyano group (-CN); Silyl group; Boron group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; And a substituted or unsubstituted heterocyclic group, substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of, or two or more of the substituents exemplified above are substituted with a connected substituent, or no substituent. For example, "a substituent to which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, or may be interpreted as a substituent to which two phenyl groups are connected.

상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 또는 요오드(I)가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), or iodine (I).

본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiYaYbYc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ya, Yb 및 Yc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, tert-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiYaYbYc, wherein Ya, Yb and Yc are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. Specifically, the silyl group includes trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tert-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, etc. Does not.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BY4Y5의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Y4 및Y5는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, tert-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BY4Y5, wherein Y4 and Y5 are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. Specifically, the boron group includes a trimethyl boron group, a triethyl boron group, a tert-butyldimethyl boron group, a triphenyl boron group, and a phenyl boron group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be a linear or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 60. According to an exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include, but are not limited to, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, and the like.

본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알콕시기의 탄소수는 1 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알콕시기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알콕시기의 탄소수는 1 내지 10이다. 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably 1 to 60. According to an exemplary embodiment, the alkoxy group has 1 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkoxy group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkoxy group has 1 to 10 carbon atoms. Specific examples of the alkoxy group include, but are not limited to, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but is preferably 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, there are a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms. The aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but the monocyclic aryl group is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a triphenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.

상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure 112019076557420-pat00003
,
Figure 112019076557420-pat00004
등의 스피로플루오레닐기,
Figure 112019076557420-pat00005
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및
Figure 112019076557420-pat00006
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted,
Figure 112019076557420-pat00003
,
Figure 112019076557420-pat00004
Spirofluorenyl groups such as,
Figure 112019076557420-pat00005
(9,9-dimethylfluorenyl group), and
Figure 112019076557420-pat00006
It may be a substituted fluorenyl group such as (9,9-diphenylfluorenyl group). However, it is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, S, 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 30이다. 헤테로고리기의 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 피리다지닐기, 퓨란기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 카바졸기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a cyclic group including at least one of N, O, S, and Se as a hetero atom, and the number of carbons is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the heterocyclic group is 2 to 30. Examples of the heterocyclic group include a pyridine group, a pyrrole group, a pyrimidine group, a pyridazinyl group, a furan group, a thiophene group, an imidazole group, a pyrazole group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, and a carbazole group. However, it is not limited to these.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X는 수소; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X is hydrogen; Cyano group; A phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 수소; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 바이페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X is hydrogen; Cyano group; A phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or a biphenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A 및 B 중 어느 하나는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 나머지 하나는 시아노기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 시아노기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, any one of A and B is a carbazole group substituted with a cyano group, and the other is a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted Dibenzofuran group; Or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 A 및 B 중 어느 하나는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 나머지 하나는 시아노기, 부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 시아노기, 부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.According to another exemplary embodiment, any one of A and B is a carbazole group substituted with a cyano group, and the other is a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with a cyano group, a butyl group, or a phenyl group; Or a cyano group, a butyl group, or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A 및 B 중 어느 하나는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 나머지 하나는 시아노기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 시아노기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, any one of A and B is a carbazole group substituted with a cyano group, and the other is a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with a cyano group, tert-butyl group, or phenyl group; Or a cyano group, a tert-butyl group, or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 상기 B는 시아노기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A is a carbazole group substituted with a cyano group, and B is a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with a cyano group, tert-butyl group, or phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 B는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 상기 A는 시아노기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, B is a carbazole group substituted with a cyano group, and A is a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with a cyano group, tert-butyl group, or phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 상기 B는 시아노기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A is a carbazole group substituted with a cyano group, and B is a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with a cyano group, tert-butyl group, or phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 B는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 상기 A는 시아노기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, B is a carbazole group substituted with a cyano group, and A is a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with a cyano group, tert-butyl group, or phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A 및 B중 어느 하나는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 나머지 하나는 하기 구조식으로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, any one of A and B is a carbazole group substituted with a cyano group, and the other is represented by the following structural formula.

Figure 112019076557420-pat00007
Figure 112019076557420-pat00007

상기 구조식에 있어서, R1은 화학식 2에서의 정의와 같고,

Figure 112019076557420-pat00008
는 디벤조티오펜에 결합되는 위치를 의미한다.In the above structural formula, R1 is the same as the definition in Formula 2,
Figure 112019076557420-pat00008
Means a position bonded to dibenzothiophene.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A 및 B중 어느 하나는

Figure 112019076557420-pat00009
또는
Figure 112019076557420-pat00010
이고, 나머지 하나는 하기 구조식으로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, any one of A and B is
Figure 112019076557420-pat00009
or
Figure 112019076557420-pat00010
And the other one is represented by the following structural formula.

Figure 112019076557420-pat00011
Figure 112019076557420-pat00011

상기 구조식에 있어서, R2는 화학식 2에서의 정의와 같고,

Figure 112019076557420-pat00012
는 디벤조티오펜에 결합되는 위치를 의미한다.In the above structural formula, R2 is the same as the definition in Formula 2,
Figure 112019076557420-pat00012
Means a position bonded to dibenzothiophene.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 is represented by the following Formula 2 or 3.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112019076557420-pat00013
Figure 112019076557420-pat00013

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112019076557420-pat00014
Figure 112019076557420-pat00014

상기 화학식 2 및 3에 있어서,In Formulas 2 and 3,

X의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,The definition of X is as defined in Formula 1,

X1은 O 또는 S이며,X1 is O or S,

R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

n1 및 n2는 0 내지 7의 정수이고, n1 및 n2가 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 각각 서로 같거나 상이하다.n1 and n2 are integers of 0 to 7, and when n1 and n2 are each 2 or more, the substituents in the parentheses of 2 or more are the same or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; A substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C60 heterocyclic group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.According to another exemplary embodiment, the R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In another exemplary embodiment, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 수소; 중수소; 시아노기; 부틸기; 또는 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, R1 and R2 are hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Butyl group; Or a phenyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 수소; 시아노기; t-부틸기; 또는 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, R1 is hydrogen; Cyano group; t-butyl group; Or a phenyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 수소이다.According to another exemplary embodiment, R2 is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 n1 및 n2는 각각 0 또는 1이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, n1 and n2 are 0 or 1, respectively.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 구조들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following structures.

Figure 112019076557420-pat00015
Figure 112019076557420-pat00016
Figure 112019076557420-pat00017
Figure 112019076557420-pat00018
Figure 112019076557420-pat00019
Figure 112019076557420-pat00020
Figure 112019076557420-pat00021
Figure 112019076557420-pat00022
Figure 112019076557420-pat00023
Figure 112019076557420-pat00024
Figure 112019076557420-pat00015
Figure 112019076557420-pat00016
Figure 112019076557420-pat00017
Figure 112019076557420-pat00018
Figure 112019076557420-pat00019
Figure 112019076557420-pat00020
Figure 112019076557420-pat00021
Figure 112019076557420-pat00022
Figure 112019076557420-pat00023
Figure 112019076557420-pat00024

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 최저 삼중항(triplet, ET) 에너지 준위는 2.7 eV 이상이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the lowest triplet (triplet, E T ) energy level of the compound represented by Formula 1 is 2.7 eV or more.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 최저 삼중항(triplet) 에너지 준위는 2.7 eV 이상 3.0 eV 이하이고, 바람직하게 2.7 eV 이상 2.9 eV 이하이다. 상기 최저 삼중항(triplet) 에너지 준위가 상기 범위를 만족하는 경우, 소자에 적용시 우수한 발광 효율을 나타낸다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따라, 상기 화합물이 발광층의 호스트로 사용되고, 상기 최저 삼중항(triplet) 에너지 준위가 상기 범위를 만족하는 경우, 함께 사용되는 도펀트 재료로의 에너지 이동이 원활하게 이루어지고, 전이된 에너지가 호스트로 역전이 되는 것을 막을 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the lowest triplet energy level of the compound represented by Formula 1 is 2.7 eV or more and 3.0 eV or less, and preferably 2.7 eV or more and 2.9 eV or less. When the lowest triplet energy level satisfies the above range, excellent luminous efficiency is exhibited when applied to a device. Specifically, according to an exemplary embodiment of the present invention, when the compound is used as a host of the light emitting layer and the lowest triplet energy level satisfies the above range, energy transfer to the dopant material used together is smooth. Is achieved, and the transferred energy can be prevented from being reversed to the host.

상기 삼중항 에너지 ET는 JASCO FP-8600 형광분광광도계 측정장비에 온도조절장치 PMU-830를 연결하여 다음과 같이 얻을 수 있다. 일중항 에너지를 얻기 위해 준비한 산소를 제거한 시료용액을 넣은 석영셀을 액체질소(N2)가 담긴 장치에 넣는다. 온도 안정화(77K)가 된 다음, 인광 스펙트럼을 측정한다. 이때 인광 스펙트럼은 x축이 파장(λ, 단위: nm)이고 y축이 발광도인데, 가장 장파장에서의 최대발광피크에서부터 단파장 방향으로 내려가는 접선을 그었을 때, 그 접선과 x축과의 만나는 점의 파장값(nm)을 얻는다. 이 파장값(nm)을 에너지 값(eV)으로 환산한 값을 삼중항 에너지 준위 ET(eV)로 하며, 이는 최저 삼중항 에너지 준위 값을 나타낸다.The triplet energy E T can be obtained as follows by connecting a temperature control device PMU-830 to a JASCO FP-8600 fluorescence spectrophotometer measuring device. In order to obtain singlet energy, a quartz cell containing the prepared oxygen-removed sample solution is placed in a device containing liquid nitrogen (N 2 ). After temperature stabilization (77K), the phosphorescence spectrum is measured. At this time, in the phosphorescence spectrum, the x-axis is the wavelength (λ, unit: nm) and the y-axis is the luminance. When a tangent line descending from the maximum emission peak at the longest wavelength to the short wavelength direction is drawn, the intersection of the tangent line and the x-axis is Obtain the wavelength value (nm). The value obtained by converting this wavelength value (nm) into an energy value (eV) is the triplet energy level E T (eV), which represents the lowest triplet energy level value.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 유리전이온도는 120℃ 이상이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the glass transition temperature of the compound represented by Formula 1 is 120°C or higher.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 유리전이온도는 120℃ 이상 200 ℃이하다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 유리전이온도가 상기 범위를 만족하는 경우, 합성과정에서 승화 정제 방법으로 고순도화가 가능하며, 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자 제조시 증착용 성막 장치 또는 유기 발광 소자에 오염시키지 않는 이점을 가지며, 재료의 결정화 및 응집 현상이 나타나지 않으므로, 소자의 장수명화를 이룰 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the glass transition temperature of the compound represented by Formula 1 is 120°C or more and 200°C or less. When the glass transition temperature of the compound represented by Chemical Formula 1 satisfies the above range, high purity can be achieved by a sublimation purification method in the synthesis process, and when manufacturing an organic light-emitting device containing the compound, It has the advantage of not being contaminated, and since crystallization and agglomeration of the material does not occur, it is possible to achieve a long life of the device.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 유리전이온도(Tg)는, DSC(Differential Scanning Colorimetry: 시차 주사 열량법)를 이용하여, 온도 증감에 따른 열량 측정을 통하여 확인할 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification, the glass transition temperature (Tg) of the compound represented by Formula 1 can be confirmed through calorie measurement according to temperature increase or decrease using DSC (Differential Scanning Colorimetry). have.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 후술하는 반응식과 같은 방법으로 코어구조가 제조될 수 있다.The compound represented by Chemical Formula 1 according to an exemplary embodiment of the present specification may have a core structure manufactured in the same manner as in the reaction scheme described below.

예컨대 상기 화학식 1의 화합물은 하기 반응식과 같이 코어구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.For example, the compound of Formula 1 may have a core structure as shown in the following scheme. Substituents may be bonded by methods known in the art, and the type, position, or number of substituents may be changed according to techniques known in the art.

<반응식><Reaction Scheme>

본 발명의 화학식 1의 코어 구조는 4-아이오도-디벤조싸이오펜을 과량의 브롬 (bromine)과 반응하여 제조할 수 있다. 구제적으로 화학식 1의 구조는 코어 구조에 스즈키 반응을 통하여 치환기 B를 도입하고, 부크왈드(Buchwald) 반응 또는 울만(Ullmann) 반응을 통하여 치환기 A를 도입할 수 있으며, 이후, 보론산 투입하여, 스즈키 반응을 통하여 치환기 X를 도입할 수 있다.The core structure of Formula 1 of the present invention can be prepared by reacting 4-iodo-dibenzothiophene with an excess of bromine. Specifically, in the structure of Formula 1, a substituent B may be introduced into the core structure through a Suzuki reaction, and a substituent A may be introduced through a Buchwald reaction or an Ullmann reaction, and then, boronic acid is introduced, Substituent X can be introduced through Suzuki reaction.

Figure 112019076557420-pat00025
Figure 112019076557420-pat00025

Figure 112019076557420-pat00026
Figure 112019076557420-pat00026

화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로, 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭이 작아진다. The conjugation length and energy band gap of a compound are closely related. Specifically, the longer the conjugation length of the compound, the smaller the energy band gap.

본 발명에서는 상기와 같이 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.In the present invention, compounds having various energy band gaps can be synthesized by introducing various substituents into the core structure as described above. In addition, in the present invention, the HOMO and LUMO energy levels of the compound can be adjusted by introducing various substituents to the core structure of the above structure.

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질 및 전자 수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.In addition, by introducing various substituents into the core structure of the above-described structure, a compound having the inherent characteristics of the introduced substituent can be synthesized. For example, by introducing a substituent mainly used for the hole injection layer material, the hole transport material, the light emitting layer material and the electron transport layer material used in the manufacture of the organic light emitting device into the core structure, it is possible to synthesize a material that satisfies the conditions required by each organic material layer. I can.

또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 전술한 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the organic light emitting device according to the present invention includes a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the above-described compound.

본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material of an organic light-emitting device, except that one or more organic material layers are formed by using the above-described compound.

상기 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The compound may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공주입 및 정공수송을 동시에 하는 층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light-emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that simultaneously injects and transports holes, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include a smaller number of organic material layers or a greater number of organic material layers.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층 및 전자주입과 전자수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device of the present invention, the organic material layer may include at least one of an electron transport layer, an electron injection layer, and a layer that simultaneously injects and transports electrons, and at least one of the layers is represented by Formula 1 above. It may contain a compound.

또 하나의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함할 수 있고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another organic light emitting device, the organic material layer may include an electron transport layer or an electron injection layer, and the electron transport layer or the electron injection layer may include a compound represented by Formula 1 above.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 및 정공주입과 정공수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device of the present invention, the organic material layer may include at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, and a layer that simultaneously injects and transports holes, and at least one of the layers is represented by Formula 1 above. It may contain a compound.

또 하나의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함할 수 있고, 상기 정공수송층 또는 정공주입층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another organic light emitting device, the organic material layer may include a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole transport layer or the hole injection layer may include a compound represented by Formula 1 above.

또 하나의 일 실시 상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 호스트로서 포함될 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes a compound represented by Formula 1 above. As an example, the compound represented by Formula 1 may be included as a host of the emission layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하는 녹색 유기 발광 소자이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light-emitting device is a green organic light-emitting device in which the emission layer includes the compound represented by Formula 1 as a host.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하는 적색 유기 발광 소자이다.According to the exemplary embodiment of the present specification, the organic light-emitting device is a red organic light-emitting device in which the emission layer includes the compound represented by Formula 1 as a host.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하는 청색 유기 발광 소자이다.In another exemplary embodiment, the organic light-emitting device is a blue organic light-emitting device in which the emission layer includes the compound represented by Formula 1 as a host.

또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하고, 도펀트를 더 포함할 수 있다.As another example, the light emitting layer including the compound represented by Formula 1 may include the compound represented by Formula 1 as a host, and may further include a dopant.

또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하고, 열활성화 지연 형광 도펀트(TADF: Thermally Activated Delayed Fluorescence)를 더 포함할 수 있다.As another example, the light emitting layer including the compound represented by Formula 1 may include the compound represented by Formula 1 as a host, and may further include a thermally activated delayed fluorescence dopant (TADF). .

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로 포함하고, 열활성화 지연 형광 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 호스트와 열활성화 지연 형광 도펀트 간의 삼중항 에너지 준위 차(호스트의 삼중항 에너지 - 열활성화 지연 형광 도펀트 삼중항 에너지)가 0.1 eV 이상 0.6 eV 이하, 바람직하게는 0.2 eV 이상 0.6 eV 이하일 수 있으며, 상기 범위를 만족 하는 경우 소자의 장수명을 구현할 수 있다는 이점이 있다. According to the exemplary embodiment of the present specification, the emission layer of the organic light-emitting device may include the compound represented by Formula 1 as a host of the emission layer, and may further include a thermally activated delayed fluorescent dopant. The triplet energy level difference between the host and the thermally activated delayed fluorescent dopant (the triplet energy of the host-the thermally activated delayed fluorescent dopant triplet energy) may be 0.1 eV or more and 0.6 eV or less, preferably 0.2 eV or more and 0.6 eV or less, If the above range is satisfied, there is an advantage that a long life of the device can be realized.

또한, 상기와 같이, 발광층의 호스트의 삼중항 에너지가 열활성화 지연 형광 도펀트의 삼중항 에너지보다 높은 것이 바람직하며, 이 경우 열활성화 지연 형광 도펀트 재료가 ?칭(quenching)되지 않는 이점이 있다.In addition, as described above, it is preferable that the triplet energy of the host of the light emitting layer is higher than the triplet energy of the thermally activated delayed fluorescent dopant, and in this case, there is an advantage that the thermally activated delayed fluorescent dopant material is not quenched.

또한, 상기 발광층의 열활성화 지연 형광 도펀트는 삼중항 에너지 준위 - 일중항 에너지 준위 (T1-S1, △EST) 값이 0.3 eV 이하일 수 있으며, 보다 바람직하게는 0 eV 이상 0.2 eV 이하일 수 있다. 상기 △EST 값이 상기 범위를 만족하는 경우, 내부 양자 효율이 형광 도펀트 재료의 한계치인 25%를 초과할 수 있는 고효율의 발광 재료로서, 지연 형광(delayed fluorescence)을 이용하는 것이 가능하다. 형광은 보통 100ns 이하의 짧은 시간 내에 완료되지만, 이보다 훨씬 긴 μs 이상의 시간대까지 발광을 계속하는 형광을 지연 형광이라 한다. 지연 형광에는 발광 메커니즘에 따라 P-타입과 E-타입이 있다. In addition, the thermally activated delayed fluorescent dopant of the light emitting layer may have a triplet energy level-a singlet energy level (T1-S1, ΔE ST ) of 0.3 eV or less, more preferably 0 eV or more and 0.2 eV or less. When the ΔE ST value satisfies the above range, delayed fluorescence can be used as a highly efficient light emitting material whose internal quantum efficiency can exceed 25%, which is a limit value of a fluorescent dopant material. Fluorescence is usually completed within a short time of 100 ns or less, but fluorescence that continues to emit light for a time period of much longer μs or longer is called delayed fluorescence. There are P-type and E-type for delayed fluorescence according to the luminescence mechanism.

상기 P-타입 지연 형광은 삼중항-삼중항 소멸현상(Triplet-Triplet annihilation: TTA)을 통하여 발생하기 때문에, 100% 내부 양자 효율을 낼 수 없으나, 상기 E-타입 지연 형광은 열 에너지에 의해서 활성화되기 때문에 열 활성화 지연 형광으로 공지되어 있다. 상기 E-타입 지연 형광에 의하면, 일중항 여기자 상태의 에너지와 삼중항 여기자 상태의 에너지 차이(△EST)가 작은 경우, 바람직하게는 0.2 eV보다 작은 경우, 일중항 여기자는 그대로 발광을 하고(즉, 형광), 삼중항 여기자가 일중항 여기자로 역계간 교차(Reverse-Intersystem crossing)를 하여 발광을 한다(즉, 지연 형광). 따라서, 상기 E-타입 지연 형광에서는 형광 메커니즘에 의한 발광에 지연 형광 메커니즘에 의한 발광이 추가되기 때문에, 내부 양자 효율을 100%까지 올리는 것이 가능하다. Since the P-type delayed fluorescence is generated through triplet-triplet annihilation (TTA), 100% internal quantum efficiency cannot be achieved, but the E-type delayed fluorescence is activated by thermal energy. It is known as thermally activated delayed fluorescence. According to the E-type delayed fluorescence, when the energy difference between the singlet exciton state and the triplet exciton state (ΔE ST ) is small, preferably less than 0.2 eV, the singlet excitons emit light as they are ( That is, fluorescence) and triplet excitons are reverse-intersystem crossing with singlet excitons to emit light (that is, delayed fluorescence). Therefore, in the E-type delayed fluorescence, since the emission by the delayed fluorescence mechanism is added to the emission by the fluorescence mechanism, it is possible to increase the internal quantum efficiency up to 100%.

상기 삼중항 에너지 - 일중항 에너지 준위(△EST)를 측정하기 위해 이용한 측정장비는 JASCO FP-8600 형광분광광도계이다.The measurement equipment used to measure the triplet energy-singlet energy level (ΔE ST ) is a JASCO FP-8600 fluorescence spectrophotometer.

상기 일중항 에너지 Es는 다음과 같이 얻을 수 있다. 톨루엔을 용매로 하여 측정할 화합물을 1μM 농도로 용해하여 측정용 시료를 준비한다. 시료용액을 석영셀에 넣고 질소 기체(N2)를 이용하여 탈기(degassing)해주어 용액내 산소를 제거한 다음, 측정 장비를 이용하여 실온(300K)에서 흡수 스펙트럼을 측정한다. 이때 흡수스펙트럼은 x축이 파장(λ, 단위: nm)이고 y축이 흡광도인데, 가장 장파장에서의 최대흡광피크에서부터 장파장 방향으로 내려가는 접선을 그어서 그 접선과 x축과의 만나는 점의 파장값(nm)을 얻는다. 이 파장값(nm)을 에너지값(eV)으로 환산한 값을 일중항 에너지 ES(eV)로 한다. 상기 삼중항 에너지 ET는 전술한 바와 같이 측정할 수 있으며, 상기 △EST는 ES(eV)와 ET(eV) 사이의 차이의 절대값으로 정의하며, 위에서 측정한 값의 차로 얻을 수 있다.The singlet energy E s can be obtained as follows. A sample for measurement is prepared by dissolving the compound to be measured at a concentration of 1 μM using toluene as a solvent. The sample solution is placed in a quartz cell, degassed using nitrogen gas (N 2 ) to remove oxygen in the solution, and then the absorption spectrum is measured at room temperature (300K) using a measuring device. At this time, the absorption spectrum is the wavelength (λ, unit: nm) on the x-axis and absorbance on the y-axis, and draw a tangent from the maximum absorption peak at the longest wavelength to the long wavelength direction, and the wavelength value of the point where the tangent line meets the x-axis ( nm). The value obtained by converting this wavelength value (nm) into an energy value (eV) is taken as singlet energy E S (eV). The triplet energy E T can be measured as described above, and △E ST is defined as the absolute value of the difference between E S (eV) and E T (eV), and can be obtained by the difference between the measured values above. have.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 열 지연 형광 도펀트 재료와 함께 사용되는 발광층의 호스트 재료로 사용될 수 있으며, 전술한 바와 같이, 호스트와 도펀트 간의 삼중항 에너지 준위 차를 가져 장수명, 고효율의 소자를 제조할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 may be used as a host material for a light emitting layer used together with the thermally delayed fluorescent dopant material, and as described above, the triplet energy level difference between the host and the dopant It has a long-life, high-efficiency device can be manufactured.

상기 발광층의 열활성화 지연 형광 도펀트의 최대발광피크가 450nm 내지 550nm 이다. 상기 최대발광피크는 Perkin Elmer사의 LS-55를 이용하여 측정하였으며, excitation 파장이 350nm에서의 발광 스펙트럼은 400nm~680nm이고, 용매로는 HPLC grade THF를 사용하였다.The maximum emission peak of the thermally activated delayed fluorescent dopant of the emission layer is 450 nm to 550 nm. The maximum emission peak was measured using the LS-55 of Perkin Elmer, and the emission spectrum at an excitation wavelength of 350 nm was 400 nm to 680 nm, and HPLC grade THF was used as a solvent.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층의 도펀트의 발광 스펙트럼에서의 발광 극대 파장의 발광대의 반값폭이 50nm 이상 100nm 이하이다. 상기 반값폭이 상기 범위를 만족하는 경우, 소자의 장수명화가 가능하다.In the exemplary embodiment of the present specification, the half-value width of the emission band of the maximum emission wavelength in the emission spectrum of the dopant of the emission layer is 50 nm or more and 100 nm or less. When the half-value width satisfies the above range, it is possible to extend the life of the device.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층의 열활성화 지연 형광 도펀트는 하기 화학식 10 또는 11로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.According to the exemplary embodiment of the present specification, the thermally activated delayed fluorescent dopant of the emission layer may be selected from Formulas 10 or 11, but is not limited thereto.

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112019076557420-pat00027
Figure 112019076557420-pat00027

상기 화학식 10에 있어서,In Formula 10,

W1은 시아노기이고,W1 is a cyano group,

복수 개의 W2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 또는 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기이고,A plurality of W2 is the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted carbazole group; Or a substituted or unsubstituted benzocarbazole group,

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112019076557420-pat00028
Figure 112019076557420-pat00028

상기 화학식 11에 있어서,In Formula 11,

Y1 내지 Y3는 각각 N 또는 CH이며, Y1 내지 Y3 중 1 이상은 N이고,Y1 to Y3 are each N or CH, and at least one of Y1 to Y3 is N,

L는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,

Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이며,Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group,

Ar3는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combined with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted ring,

m2는 0 내지 8의 정수이고, m2가 2 이상인 경우 복수 개의 Ar3는 서로 같거나 상이하다.m2 is an integer of 0 to 8, and when m2 is 2 or more, a plurality of Ar3s are the same or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 4개의 W2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 또는 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the four W2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted carbazole group; Or a substituted or unsubstituted benzocarbazole group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 4개의 W2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 또는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기이다.According to another exemplary embodiment, the four W2 are the same as or different from each other, and each independently a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and having 1 to 20 carbon atoms. A carbazole group unsubstituted or substituted with an alkoxy group or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a benzocarbazole group unsubstituted or substituted with deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. .

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 4개의 W2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 중수소, 불소, 시아노기, 메틸기, 프로필기, 트리플루오로메틸기, 메톡시기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 또는 벤조카바졸기이다.In another exemplary embodiment, the four W2 are the same as or different from each other, and each independently deuterium, fluorine, cyano group, methyl group, propyl group, trifluoromethyl group, methoxy group, or phenyl group substituted or unsubstituted Carbazole; Or a benzocarbazole group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y3는 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Y1 to Y3 are N.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 arylene group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 페닐렌기이다.In another exemplary embodiment, L is a direct bond; Or a phenylene group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with a cyano group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.According to another exemplary embodiment, L is a direct bond; Or a phenylene group unsubstituted or substituted with a cyano group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar3는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms, or combined with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 m2는 0 내지 8의 정수이고, m2가 2 이상인 경우 복수 개의 Ar3는 서로 같거나 상이하며, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, m2 is an integer of 0 to 8, and when m2 is 2 or more, a plurality of Ar3 may be the same as or different from each other, and may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar3는 페닐기로 치환된 카바졸기 또는 디벤조티오펜기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 인덴; 치환 또는 비치환된 인돌; 또는 치환 또는 비치환된 벤조티오펜을 형성한다.According to another exemplary embodiment, Ar3 is a carbazole group or dibenzothiophene group substituted with a phenyl group, or indene substituted or unsubstituted by bonding with an adjacent group to each other; Substituted or unsubstituted indole; Or to form a substituted or unsubstituted benzothiophene.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 10 또는 11는 하기 화합물들 중 선택될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Formula 10 or 11 may be selected from the following compounds, but is not limited thereto.

Figure 112019076557420-pat00029
Figure 112019076557420-pat00029

Figure 112019076557420-pat00030
Figure 112019076557420-pat00030

Figure 112019076557420-pat00031
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Figure 112019076557420-pat00032
Figure 112019076557420-pat00032

또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함할 수 있다. As another example, the organic material layer including the compound represented by Formula 1 may include the compound represented by Formula 1 as a dopant, and may include a fluorescent host or a phosphorescent host.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하며, 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 도펀트로 포함할 수 있다.In another exemplary embodiment, the organic material layer including the compound represented by Formula 1 includes the compound represented by Formula 1 as a dopant, includes a fluorescent host or phosphorescent host, and other organic compounds, metals, or metal compounds May be included as a dopant.

또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하며, 이리듐계(Ir) 도펀트와 함께 사용할 수 있다.As another example, the organic material layer including the compound represented by Formula 1 includes the compound represented by Formula 1 as a dopant, includes a fluorescent host or a phosphorescent host, and can be used together with an iridium-based (Ir) dopant. have.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 제2 전극은 양극이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

(1) 양극/정공수송층/발광층/음극(1) Anode/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Anode

(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(2) Anode/Hole injection layer/Hole transport layer/Light emitting layer/Anode

(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극(3) Anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(4) Anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode

(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(5) Anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(6) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode

(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(7) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(8) Anode/Hole injection layer/Hole buffer layer/Hole transport layer/Light emitting layer/Electron transport layer/Anode

(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극(9) Anode/Hole injection layer/Hole buffer layer/Hole transport layer/Light emitting layer/Electron transport layer/Electron injection layer/Anode

(10) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극(10) Anode/hole transport layer/electron suppression layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode

(11) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(11) Anode/hole transport layer/electron suppression layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극(12) Anode/Hole injection layer/Hole transport layer/Electron suppression layer/Light-emitting layer/Electron transport layer/Anode

(13) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극(13) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron suppression layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(14) 양극/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극(14) Anode/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Hole Suppression Layer/Electron Transport Layer/Anode

(15) 양극/정공수송층/발광층/ 정공억제층/전자수송층/전자주입층/음극(15) Anode/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Hole Suppression Layer/Electron Transport Layer/Electron Injection Layer/Anode

(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극(16) Anode/Hole Injection Layer/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Hole Suppression Layer/Electron Transport Layer/Anode

(17) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/전자주입 층/음극(17) Anode/Hole injection layer/Hole transport layer/Light emitting layer/Hole suppression layer/Electron transport layer/Electron injection layer/Anode

(18) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/정공저지층/전자주입 및 수송층/음극(18) Anode/Hole injection layer/Hole transport layer/Electron suppression layer/Light-emitting layer/Hole blocking layer/Electron injection and transport layer/Anode

본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The structure of the organic light-emitting device of the present invention may have a structure as shown in FIG. 1, but is not limited thereto.

본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The structure of the organic light-emitting device of the present invention may have a structure as shown in FIGS. 1 and 2, but is not limited thereto.

도 1에는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 전자차단층(5), 발광층(6), 정공차단층(7), 전자수송층(8), 전자주입층(9), 음극(10) 및 캡슐(11)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층(3), 정공수송층(4), 전자차단층(5), 발광층(6), 정공차단층(7), 전자수송층(8) 또는 전자주입층(9)에 포함될 수 있다.In Fig. 1, a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, an electron blocking layer 5, a light emitting layer 6, a hole blocking layer 7, an electron transport layer 8 , The structure of an organic light emitting device in which the electron injection layer 9, the cathode 10, and the capsule 11 are sequentially stacked is illustrated. In such a structure, the compound represented by Formula 1 is the hole injection layer (3), the hole transport layer (4), the electron blocking layer (5), the light emitting layer (6), the hole blocking layer (7), the electron transport layer ( 8) Or may be included in the electron injection layer (9).

도 2에는 기판(1) 위에 양극(2), 발광층(6) 및 음극(10)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층(6)에 포함될 수 있다.FIG. 2 illustrates a structure of an organic light emitting diode in which an anode 2, a light emitting layer 6, and a cathode 10 are sequentially stacked on a substrate 1. In such a structure, the compound represented by Formula 1 may be included in the emission layer 6.

예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 및 전자수송 및 전자주입을 동시에하는 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 1층 이상을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.For example, the organic light-emitting device according to the present invention uses a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, and uses a metal or conductive metal oxide or alloy thereof on a substrate. From the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a layer for simultaneous hole transport and hole injection, a light-emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a layer for simultaneously electron transport and electron injection. After forming an organic material layer including one or more selected layers, it can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light-emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic material layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, an emission layer, an electron transport layer, etc., but is not limited thereto and may have a single layer structure. In addition, the organic material layer is made of a variety of polymer materials, and is used in a smaller number of solvent processes, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can be made in layers.

상기 양극은 정공을 주입하는 전극으로, 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The anode is an electrode for injecting holes, and a material having a large work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer as the anode material. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.

상기 음극은 전자를 주입하는 전극으로, 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode is an electrode for injecting electrons, and the cathode material is usually a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; There are multi-layered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but are not limited thereto.

상기 정공주입층은 양극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 정공주입층의 두께는 1 내지 150nm일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 1nm 이상이면, 정공 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150nm 이하이면, 정공주입층의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The hole injection layer is a layer that facilitates injection of holes from the anode to the light emitting layer, and the hole injection material is a material capable of receiving holes from the anode at a low voltage, and is a high occupied HOMO (highest occupied material) of the hole injection material. It is preferable that molecular orbital) is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of hole injection materials include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic substances, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic substances, quinacridone-based organic substances, and perylene-based organic substances. Organic substances, anthraquinone, polyaniline, and polythiophene-based conductive polymers, etc., but are not limited thereto. The thickness of the hole injection layer may be 1 to 150 nm. When the thickness of the hole injection layer is 1 nm or more, there is an advantage of preventing deterioration of the hole injection characteristics, and when the thickness of the hole injection layer is 150 nm or less, the thickness of the hole injection layer is too thick to increase the driving voltage to improve the movement of holes. There is an advantage that can prevent it.

상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer may serve to facilitate transport of holes. As the hole transport material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer and transferring them to the emission layer, and a material having high mobility for holes is suitable. Specific examples include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer including a conjugated portion and a non-conjugated portion, but are not limited thereto.

정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 정공주입 또는 수송재료를 포함할 수 있다. A hole buffer layer may be additionally provided between the hole injection layer and the hole transport layer, and may include a hole injection or transport material known in the art.

정공수송층과 발광층 사이에 전자억제층이 구비될 수 있다. 상기 전자억제층은 전술한 스피로 화합물 또는 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.An electron suppressing layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer. The electron suppressing layer may be formed of the above-described spiro compound or a material known in the art.

상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The emission layer may emit red, green, or blue light, and may be made of a phosphorescent material or a fluorescent material. The light-emitting material is a material capable of emitting light in a visible light region by transporting and bonding holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole, and benzimidazole-based compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymer; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the host material for the light emitting layer include condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.When the emission layer emits red light, the emission dopants include PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium). ), a phosphorescent material such as octaethylporphyrin platinum (PtOEP), or a fluorescent material such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), but is not limited thereto. When the emission layer emits green light, a phosphor such as Ir(ppy) 3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium) or a fluorescent material such as Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used as the emission dopant. However, it is not limited thereto. When the light emitting layer emits blue light, the light emitting dopant is a phosphorescent material such as (4,6-F2ppy) 2 Irpic, spiro-DPVBi, spiro-6P, distillbenzene (DSB), distrylarylene (DSA), A fluorescent material such as a PFO-based polymer or a PPV-based polymer may be used, but is not limited thereto.

상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. 전자수송층의 두께가 1nm 이상이면, 전자 수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자수송층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The electron transport layer may serve to facilitate transport of electrons. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer, and a material having high mobility for electrons is suitable. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto. The thickness of the electron transport layer may be 1 to 50 nm. If the thickness of the electron transport layer is 1 nm or more, there is an advantage of preventing deterioration of the electron transport characteristics, and if the thickness of the electron transport layer is 50 nm or less, the thickness of the electron transport layer is too thick to prevent an increase in the driving voltage to improve the movement of electrons. There is an advantage to be able to.

상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer may serve to facilitate injection of electrons. The electron injection material has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect for the light emitting layer or the light emitting material, prevents the movement of excitons generated in the light emitting layer to the hole injection layer, and , A compound having excellent thin film forming ability is preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, and their derivatives, metals Complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include lithium 8-hydroxyquinolinato, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( o-cresolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtholato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtholato)gallium, etc. It is not limited to this.

상기 정공억제층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole suppression layer is a layer that prevents holes from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complexes, etc., but are not limited thereto.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하기 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 출원의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 출원의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, in order to explain the present specification in detail, it will be described in detail with reference to examples. However, the embodiments according to the present specification may be modified in various forms, and the scope of the present application is not construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present application are provided to more completely describe the present specification to those of ordinary skill in the art.

<합성예><Synthesis Example>

합성예 1. 화합물 1의 합성Synthesis Example 1. Synthesis of Compound 1

Figure 112019076557420-pat00033
Figure 112019076557420-pat00033

1) 중간체 A의 제조1) Preparation of Intermediate A

2-브로모-6-아이오도다이벤조[b,d]싸이오펜 38.9 g (0.1 mol), 다이벤조[b,d]싸이오펜-4-일-보론산 25.1 g (0.11 mol), Pd(PPh3)4 5.8 g (0.005 mol), K2CO3 41.5 g (0.3 mol)을 테트라하이드로퓨란/증류수 240 ml/80 ml에 녹인 후 12시간 질소 조건에서 환류 교반하였다. 상온으로 냉각하고, 에틸아세테이트를 넣고 추출하였고, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 용매를 감압증류하여 제거하였다. 반응물을 컬럼크로마토그래피 (CH3Cl:Hex=1:10) 으로 정제하고, 에탄올로 재결정하여, 화합물 A를 32.6g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=445에서 피크가 확인되었다.2-bromo-6-iododibenzo[b,d]thiophene 38.9 g (0.1 mol), dibenzo[b,d]thiophen-4-yl-boronic acid 25.1 g (0.11 mol), Pd( PPh 3 ) 4 5.8 g (0.005 mol), K 2 CO 3 41.5 g (0.3 mol) were dissolved in tetrahydrofuran/distilled water 240 ml/80 ml, and then stirred under reflux under nitrogen conditions for 12 hours. After cooling to room temperature, ethyl acetate was added thereto, followed by extraction, and the organic layer was dried over MgSO 4 and then the solvent was distilled off under reduced pressure. The reaction product was purified by column chromatography (CH 3 Cl:Hex = 1:10), and recrystallized with ethanol to obtain 32.6 g of compound A. A peak was confirmed at M/Z=445 by measuring the mass spectrum of the obtained solid.

2) 화합물 1의 제조2) Preparation of compound 1

중간체 A 13.4 g (0.03 mol), 9H-카바졸-3-카보니트릴 5.8 g (0.03 mol), CuI 5.7 g (0.03 mol), 1,10-페난쓰롤린(1,10-Phenanthroline) 8.7 g (0.048 mol), K3PO4 9.0 g (0.036 mol)를 자일렌에 녹인 후 24시간 환류 교반하였다. 상온으로 냉각하고, 클로로포름과 증류수를 넣고 추출하였고, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 용매를 감압증류하여 제거하였다. 반응물을 컬럼크로마토그래피 (CH3Cl:Hex=1:4) 으로 정제하고, 에탄올로 재결정하여, 화합물 1를 5.6g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=557에서 피크가 확인되었다. 상기 화합물 1의 질량 스펙트럼 데이터를 도 3에 도시하였다.Intermediate A 13.4 g (0.03 mol), 9H-carbazole-3-carbonitrile 5.8 g (0.03 mol), CuI 5.7 g (0.03 mol), 1,10-phenanthroline (1,10-Phenanthroline) 8.7 g ( 0.048 mol), K 3 PO 4 9.0 g (0.036 mol) was dissolved in xylene and stirred under reflux for 24 hours. After cooling to room temperature, chloroform and distilled water were added for extraction, and the organic layer was dried over MgSO 4 , and the solvent was distilled off under reduced pressure. The reaction product was purified by column chromatography (CH 3 Cl:Hex = 1:4), and recrystallized with ethanol to obtain 5.6 g of compound 1. A peak was confirmed at M/Z=557 by measurement of the mass spectrum of the obtained solid. Mass spectrum data of Compound 1 is shown in FIG. 3.

합성예 2. 화합물 2의 합성Synthesis Example 2. Synthesis of Compound 2

Figure 112019076557420-pat00034
Figure 112019076557420-pat00034

1) 중간체 B의 제조1) Preparation of Intermediate B

2-브로모-6-아이오도다이벤조[b,d]싸이오펜 38.9 g (0.1 mol), 다이벤조[b,d]퓨란-4-일-보론산 23.3 g (0.11 mol), Pd(PPh3)4 5.8 g (0.005 mol), K2CO3 41.5 g (0.3 mol)을 테트라하이드로퓨란/증류수 240 ml/80 ml에 녹인 후 12시간 질소 조건에서 환류 교반하였다. 상온으로 냉각하고, 에틸아세테이트를 넣고 추출하였고, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 용매를 감압증류하여 제거하였다. 반응물을 컬럼크로마토그래피 (CH3Cl:Hex=1:10) 으로 정제하고, 에탄올로 재결정하여, 화합물 B를 30.6g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=429에서 피크가 확인되었다.2-bromo-6-iododibenzo[b,d]thiophene 38.9 g (0.1 mol), dibenzo[b,d]furan-4-yl-boronic acid 23.3 g (0.11 mol), Pd(PPh 3 ) 4 5.8 g (0.005 mol), K 2 CO 3 41.5 g (0.3 mol) was dissolved in tetrahydrofuran/distilled water 240 ml/80 ml, and then stirred under reflux under nitrogen conditions for 12 hours. After cooling to room temperature, ethyl acetate was added thereto, followed by extraction, and the organic layer was dried over MgSO 4 and then the solvent was distilled off under reduced pressure. The reaction product was purified by column chromatography (CH 3 Cl:Hex = 1:10) and recrystallized with ethanol to obtain 30.6 g of compound B. A peak was confirmed at M/Z=429 by measuring the mass spectrum of the obtained solid.

2) 화합물 2의 제조2) Preparation of compound 2

중간체 B 12.9 g (0.03 mol), 9H-카바졸-3-카보니트릴 5.8 g (0.03 mol), CuI 5.7 g (0.03 mol), 1,10-Phenanthroline 8.7 g (0.048 mol), K3PO4 9.0 g (0.036 mol)를 자일렌에 녹인 후 24시간 환류 교반하였다. 상온으로 냉각하고, 클로로포름과 증류수를 넣고 추출하였고, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 용매를 감압증류하여 제거하였다. 반응물을 컬럼크로마토그래피 (CH3Cl:Hex=1:4) 으로 정제하고, 에탄올로 재결정하여, 화합물 2를 5.2g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=541에서 피크가 확인되었다. 상기 화합물 2의 질량 스펙트럼 데이터를 도 4에 도시하였다.Intermediate B 12.9 g (0.03 mol), 9H-carbazole-3-carbonitrile 5.8 g (0.03 mol), CuI 5.7 g (0.03 mol), 1,10-Phenanthroline 8.7 g (0.048 mol), K 3 PO 4 9.0 After dissolving g (0.036 mol) in xylene, the mixture was stirred under reflux for 24 hours. After cooling to room temperature, chloroform and distilled water were added for extraction, and the organic layer was dried over MgSO 4 , and the solvent was distilled off under reduced pressure. The reaction product was purified by column chromatography (CH 3 Cl:Hex = 1:4), and recrystallized with ethanol to obtain 5.2 g of compound 2. A peak was confirmed at M/Z=541 by measuring the mass spectrum of the obtained solid. The mass spectrum data of Compound 2 is shown in FIG. 4.

합성예 3. 화합물 3의 제조Synthesis Example 3. Preparation of Compound 3

Figure 112019076557420-pat00035
Figure 112019076557420-pat00035

1) 중간체 C의 제조1) Preparation of Intermediate C

다이벤조[b,d]싸이오펜-1-일-보론산 25.1 g (0.11 mol)을 사용한 것을 제외하고는, 상기 합성예 1의 중간체 A의 합성과 동일한 방법으로, 중간체 C를 30.8g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=445에서 피크가 확인되었다30.8 g of Intermediate C was obtained in the same manner as in the synthesis of Intermediate A of Synthesis Example 1, except that 25.1 g (0.11 mol) of dibenzo[b,d]thiophen-1-yl-boronic acid was used. A peak was confirmed at M/Z=445 by measuring the mass spectrum of the obtained solid.

2) 화합물 3의 제조2) Preparation of compound 3

중간체 C 13.4 g (0.03 mol)을 사용한 것을 제외하고는, 상기 합성예 1의 화합물 1의 합성과 동일한 방법으로, 화합물 3을 5.0g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=557에서 피크가 확인되었다.In the same manner as in the synthesis of compound 1 of Synthesis Example 1, except that 13.4 g (0.03 mol) of the intermediate C was used, 5.0 g of compound 3 was obtained. A peak was confirmed at M/Z=557 by measurement of the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 4. 화합물 4의 제조Synthesis Example 4. Preparation of compound 4

Figure 112019076557420-pat00036
Figure 112019076557420-pat00036

1) 중간체 D의 제조1) Preparation of intermediate D

다이벤조[b,d]퓨란-1-일-보론산 23.3 g (0.11 mol)을 사용한 것을 제외하고는, 상기 합성예 2의 중간체 B의 합성과 동일한 방법으로, 화합물 D를 24.8g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=429에서 피크가 확인되었다.In the same manner as in the synthesis of Intermediate B of Synthesis Example 2, except that 23.3 g (0.11 mol) of dibenzo[b,d]furan-1-yl-boronic acid was used, 24.8 g of compound D was obtained. A peak was confirmed at M/Z=429 by measuring the mass spectrum of the obtained solid.

2) 화합물 4의 제조2) Preparation of compound 4

중간체 D 12.9 g (0.03 mol)을 사용한 것을 제외하고는, 상기 합성예 2의 화합물 2의 합성과 동일한 방법으로, 화합물 4를 4.0g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=541에서 피크가 확인되었다. In the same manner as in the synthesis of compound 2 of Synthesis Example 2, except that 12.9 g (0.03 mol) of intermediate D was used, 4.0 g of compound 4 was obtained. A peak was confirmed at M/Z=541 by measuring the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 5. 화합물 5의 제조Synthesis Example 5. Preparation of compound 5

Figure 112019076557420-pat00037
Figure 112019076557420-pat00037

1) 중간체 E의 제조1) Preparation of Intermediate E

상기 합성예 1에서 제조된 화합물 1 8.0 g (0.0143 mol)과 테트라하이드로퓨란(THF) 100 ml를 넣은 혼합 용액을 넣은 혼합 용액을 -78 ℃에서 2.5 M n-BuLi 7.4 mL (18.6 mmol)을 적가하고, -40 ℃에서 8시간 교반하였다. -78 ℃에서 트리메틸 보레이트 4.8mL (42.9 mmol)을 적가하였고 0 ℃ 까지 승온하며 2시간 교반하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 클로로포름을 넣고 추출하였고, 유기층은 MgSO4로 건조한 후, 감압 증류하여 용매를 제거하였다. 반응물을 컬럼크로마토그래피 (CH3Cl:Hex=1:4) 으로 정제하여 중간체 E 5.4 g 을 얻었다.A mixed solution containing 8.0 g (0.0143 mol) of compound 1 prepared in Synthesis Example 1 and a mixed solution containing 100 ml of tetrahydrofuran (THF) was added dropwise to 7.4 mL (18.6 mmol) of 2.5 M n-BuLi at -78 °C. And stirred at -40°C for 8 hours. Trimethyl borate 4.8mL (42.9 mmol) was added dropwise at -78 °C, and the mixture was heated to 0 °C and stirred for 2 hours. After the reaction was completed, distilled water and chloroform were added and extracted at room temperature, and the organic layer was dried over MgSO 4 and distilled under reduced pressure to remove the solvent. The reaction product was purified by column chromatography (CH 3 Cl:Hex = 1:4) to obtain 5.4 g of Intermediate E.

2) 화합물 5의 제조2) Preparation of compound 5

중간체 E 6.0 g (0.01 mol), 페닐-보론산 1.3 g (0.011 mol), Pd(PPh3)4 0.58 g (0.5 mmol), K2CO3 4.1 g (0.03 mol)을 테트라하이드로퓨란/증류수 24 ml/8 ml에 녹인 후 12시간 질소 조건에서 환류 교반하였다. 상온으로 냉각하고, 클로로포름을 넣고 추출하였고, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 용매를 감압증류하여 제거하였다. 반응물을 컬럼크로마토그래피 (CH3Cl:Hex=1:6) 으로 정제하고, 에탄올로 재결정하여, 화합물 5를 3.0 g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=633에서 피크가 확인되었다.Intermediate E 6.0 g (0.01 mol), phenyl-boronic acid 1.3 g (0.011 mol), Pd(PPh 3 ) 4 0.58 g (0.5 mmol), K 2 CO 3 4.1 g (0.03 mol) in tetrahydrofuran/distilled water 24 After dissolving in ml/8 ml, the mixture was stirred under reflux for 12 hours under nitrogen conditions. After cooling to room temperature, chloroform was added and extracted, the organic layer was dried over MgSO 4 , and the solvent was distilled off under reduced pressure. The reaction product was purified by column chromatography (CH 3 Cl:Hex=1:6), and recrystallized with ethanol to obtain 3.0 g of compound 5. A peak was confirmed at M/Z=633 by measuring the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 6. 화합물 6의 제조Synthesis Example 6. Preparation of compound 6

Figure 112019076557420-pat00038
Figure 112019076557420-pat00038

1) 중간체 F의 제조1) Preparation of Intermediate F

화합물 1 대신 상기 합성예 2에서 제조된 화합물 2 8.0 g (0.0143 mol)을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 합성예 5의 중간체 E의 합성과 동일한 방법으로, 중간체 F를 4.8g 얻었다.In the same manner as in the synthesis of Intermediate E of Synthesis Example 5, except that 8.0 g (0.0143 mol) of Compound 2 prepared in Synthesis Example 2 was used instead of Compound 1, 4.8 g of Intermediate F was obtained.

2) 화합물 6의 제조2) Preparation of compound 6

중간체 E 대신 중간체 F 6.0 g (0.01 mol)을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 합성예 5의 화합물 5의 합성과 동일한 방법으로, 화합물 6 2.8 g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=617에서 피크가 확인되었다.In the same manner as in the synthesis of compound 5 of Synthesis Example 5, except that 6.0 g (0.01 mol) of intermediate F was used instead of intermediate E, 2.8 g of compound 6 was obtained. A peak was confirmed at M/Z=617 by measurement of the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 7. 화합물 7의 제조Synthesis Example 7. Preparation of compound 7

Figure 112019076557420-pat00039
Figure 112019076557420-pat00039

1) 중간체 G의 제조1) Preparation of intermediate G

2-브로모-6-아이오도다이벤조[b,d]싸이오펜 11.7 g (0.03 mol), 9H-카바졸-3-카보니트릴 5.8 g (0.03 mol), CuI 5.7 g (0.03 mol), 1,10-페난쓰롤린(1,10-Phenanthroline) 8.7 g (0.048 mol), K3PO4 9.0 g (0.036 mol)를 자일렌에 녹인 후 24시간 환류 교반하였다. 상온으로 냉각하고, 클로로포름과 증류수를 넣고 추출하였고, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 용매를 감압증류하여 제거하였다. 반응물을 컬럼크로마토그래피 (CH3Cl:Hex=1:2) 으로 정제하고, 에탄올로 재결정하여, 화합물 G를 6.4g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=428에서 피크가 확인되었다. 2-bromo-6-iododibenzo[b,d]thiophene 11.7 g (0.03 mol), 9H-carbazole-3-carbonitrile 5.8 g (0.03 mol), CuI 5.7 g (0.03 mol), 1 ,10-phenanthroline (1,10-Phenanthroline) 8.7 g (0.048 mol), K 3 PO 4 9.0 g (0.036 mol) was dissolved in xylene and stirred under reflux for 24 hours. After cooling to room temperature, chloroform and distilled water were added for extraction, and the organic layer was dried over MgSO 4 , and the solvent was distilled off under reduced pressure. The reaction product was purified by column chromatography (CH 3 Cl:Hex=1:2), and recrystallized with ethanol to obtain 6.4 g of compound G. A peak was confirmed at M/Z=428 by measurement of the mass spectrum of the obtained solid.

2) 화합물 7의 제조2) Preparation of compound 7

중간체 G 4.3 g (0.01 mol), 다이벤조[b,d]싸이오펜-4-일-보론산 2.1 g (0.011 mol), Pd(PPh3)4 0.58 g (0.5 mmol), K2CO3 4.1 g (0.03 mol)을 테트라하이드로퓨란/증류수 30 ml/10 ml에 녹인 후 12시간 질소 조건에서 환류 교반하였다. 상온으로 냉각하고, 클로로포름을 넣고 추출하였고, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 용매를 감압증류하여 제거하였다. 반응물을 컬럼크로마토그래피 (CH3Cl:Hex=1:6) 으로 정제하고, 에탄올로 재결정하여, 화합물 7를 3.2 g 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=557에서 피크가 확인되었다.Intermediate G 4.3 g (0.01 mol), dibenzo[b,d]thiophen-4-yl-boronic acid 2.1 g (0.011 mol), Pd(PPh 3 ) 4 0.58 g (0.5 mmol), K 2 CO 3 4.1 g (0.03 mol) was dissolved in 30 ml/10 ml of tetrahydrofuran/distilled water and stirred under reflux for 12 hours under nitrogen conditions. After cooling to room temperature, chloroform was added and extracted, the organic layer was dried over MgSO 4 , and the solvent was distilled off under reduced pressure. The reaction product was purified by column chromatography (CH 3 Cl:Hex = 1:6), and recrystallized with ethanol to obtain 3.2 g of compound 7. A peak was confirmed at M/Z=557 by measurement of the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 8. 화합물 8의 제조Synthesis Example 8. Preparation of compound 8

Figure 112019076557420-pat00040
Figure 112019076557420-pat00040

1) 화합물 8의 제조1) Preparation of compound 8

다이벤조[b,d]싸이오펜-1-일-보론산 2.1 g (0.011 mol)을 사용하여 화합물 7의 합성과 동일한 방법으로, 화합물 8 3.0 g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=557에서 피크가 확인되었다.Using 2.1 g (0.011 mol) of dibenzo[b,d]thiophen-1-yl-boronic acid, 3.0 g of compound 8 was obtained in the same manner as in the synthesis of compound 7. A peak was confirmed at M/Z=557 by measurement of the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 9. 화합물 9의 제조Synthesis Example 9. Preparation of compound 9

Figure 112019076557420-pat00041
Figure 112019076557420-pat00041

1) 화합물 9의 제조1) Preparation of compound 9

2-브로모-6-아이오도다이벤조[b,d]싸이오펜 대신 4-([1,1'-바이페닐]-3-일)-2-브로모-6-아이오도디벤조[b,d]싸이오펜 16.2 g (0.03 mol)을 사용한 것을 제외하고는 화합물 7의 합성과 동일한 방법으로, 화합물 9 3.8 g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=709에서 피크가 확인되었다.4-([1,1'-biphenyl]-3-yl)-2-bromo-6-iododibenzo[b] instead of 2-bromo-6-iododibenzo[b,d]thiophene In the same manner as in the synthesis of compound 7 except that 16.2 g (0.03 mol) of thiophene was used, 3.8 g of compound 9 was obtained. A peak was confirmed at M/Z=709 by measurement of the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 10. 화합물 10의 제조Synthesis Example 10. Preparation of Compound 10

Figure 112019076557420-pat00042
Figure 112019076557420-pat00042

1) 화합물 10의 제조1) Preparation of compound 10

2-브로모-6-아이오도다이벤조[b,d]싸이오펜 대신 4-([1,1'-바이페닐]-3-일)-2-브로모-6-아이오도디벤조[b,d]싸이오펜 16.2 g (0.03 mol)을 사용하고, 다이벤조[b,d]싸이오펜-4-일-보론산 대신 다이벤조[b,d]퓨란-4-일-보론산을 사용한 것을 제외하고는 화합물 7 합성과 동일한 방법으로, 화합물 10 3.8 g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=693에서 피크가 확인되었다.4-([1,1'-biphenyl]-3-yl)-2-bromo-6-iododibenzo[b] instead of 2-bromo-6-iododibenzo[b,d]thiophene Using 16.2 g (0.03 mol) of thiophene, and dibenzo[b,d]furan-4-yl-boronic acid instead of dibenzo[b,d]thiophen-4-yl-boronic acid Except for the same method as in the synthesis of compound 7, to obtain 3.8 g of compound 10. A peak was confirmed at M/Z=693 by measuring the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 11. 화합물 11의 제조Synthesis Example 11. Preparation of compound 11

Figure 112019076557420-pat00043
Figure 112019076557420-pat00043

1) 화합물 11의 제조1) Preparation of compound 11

(6-페닐다이벤조[b,d]퓨란-2-일)보론산 2.1 g 을 사용하여 화합물 7의 합성과 동일한 방법으로, 화합물 11 3.2 g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=617에서 피크가 확인되었다.3.2 g of compound 11 was obtained by the same method as the synthesis of compound 7 using 2.1 g of (6-phenyldibenzo[b,d]furan-2-yl)boronic acid. A peak was confirmed at M/Z=617 by measurement of the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 12. 화합물 12의 제조Synthesis Example 12. Preparation of compound 12

Figure 112019076557420-pat00044
Figure 112019076557420-pat00044

1) 화합물 12의 제조1) Preparation of compound 12

(6-페닐다이벤조[b,d]퓨란-4-일)보론산 2.1 g 을 사용하여 화합물 7의 합성과 동일한 방법으로, 화합물 12 3.6 g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=617에서 피크가 확인되었다.Using 2.1 g of (6-phenyldibenzo[b,d]furan-4-yl)boronic acid, 3.6 g of compound 12 was obtained in the same manner as in the synthesis of compound 7. A peak was confirmed at M/Z=617 by measurement of the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 13. 화합물 13의 제조Synthesis Example 13. Preparation of compound 13

Figure 112019076557420-pat00045
Figure 112019076557420-pat00045

1) 화합물 13의 제조1) Preparation of compound 13

(6-시아노다이벤조[b,d]퓨란-4-일)보론산 2.1 g 을 사용하여 화합물 7의 합성과 동일한 방법으로, 화합물 13 3.4 g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=566에서 피크가 확인되었다.Using 2.1 g of (6-cyanodibenzo[b,d]furan-4-yl)boronic acid, 3.4 g of compound 13 was obtained in the same manner as in the synthesis of compound 7. A peak was confirmed at M/Z=566 by measuring the mass spectrum of the obtained solid.

합성예 14. 화합물 14의 제조Synthesis Example 14. Preparation of compound 14

Figure 112019076557420-pat00046
Figure 112019076557420-pat00046

1) 화합물 14의 제조1) Preparation of compound 14

(6-시아노다이벤조[b,d]퓨란-2-일)보론산 2.1 g 을 사용하여 화합물 7의 합성과 동일한 방법으로, 화합물 14 3.8 g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=566에서 피크가 확인되었다.Using 2.1 g of (6-cyanodibenzo[b,d]furan-2-yl)boronic acid, 3.8 g of compound 14 was obtained in the same manner as in the synthesis of compound 7. A peak was confirmed at M/Z=566 by measuring the mass spectrum of the obtained solid.

<실시예><Example>

실시예 1 : 유기 발광 소자 제조Example 1: Fabrication of organic light emitting device

먼저 40mm x 40mm x 두께 0.5mm의 ITO 전극 부착 유리 기판을 이소프로필알코올, 아세톤 및 탈이온수(DI Water)로 5분 동안 초음파 세정을 진행한 후 100℃ 오븐에 건조하였다. 기판 세정 후 진공 상태에서 2분 동안 O2 플라즈마 처리하고 상부에 다른 층들을 증착하기 위하여 증착 챔버로 이송하였다. First, a glass substrate with an ITO electrode having a thickness of 40 mm x 40 mm x 0.5 mm was subjected to ultrasonic cleaning for 5 minutes with isopropyl alcohol, acetone, and DI water, and then dried in an oven at 100°C. After cleaning the substrate, it was subjected to O 2 plasma treatment in a vacuum state for 2 minutes, and then transferred to the deposition chamber to deposit other layers thereon.

약 10-7Torr 진공 하에 가열 보트로부터 증발에 의해, 유리 기판의 ITO 상에 하기 화합물 HAT-CN을 10nm의 두께로 증착하여 정공주입층을 형성하였다.The following compound HAT-CN was deposited to a thickness of 10 nm on ITO of a glass substrate by evaporation from a heating boat under a vacuum of about 10 -7 Torr to form a hole injection layer.

상기 정공주입층 위에 하기 화합물 NPB를 75nm로 증착하여 정공수송층을 형성한 뒤, 그 위에 하기 화합물 mCBP를 15nm 두께로 증착하여 전자차단층을 형성하였다.After depositing the following compound NPB at 75 nm on the hole injection layer to form a hole transport layer, the following compound mCBP was deposited thereon to a thickness of 15 nm to form an electron blocking layer.

이어서, 상기 전자차단층 위에 막 두께 35nm로 하기 화합물 1 및 하기 화합물 TD1을 90:10의 중량비로 증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, on the electron blocking layer, the following Compound 1 and the following Compound TD1 were deposited in a weight ratio of 90:10 with a film thickness of 35 nm to form an emission layer.

상기 발광층 위에 막 두께 10nm로 하기 화합물 B3PYMPM을 증착하여 정공차단층을 형성한 뒤, 상기 정공차단층 위에 하기 화합물 TPBi를 증착하여 25nm의 두께로 전자수송층을 형성하였다.A hole blocking layer was formed by depositing the following compound B3PYMPM having a thickness of 10 nm on the emission layer, and then the following compound TPBi was deposited on the hole blocking layer to form an electron transport layer having a thickness of 25 nm.

이어서, 상기 전자수송층 위에 순차적으로 80nm 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 100nm 두께로 알루미늄을 증착하여 각각 전자주입층 및 음극을 형성하였다.Subsequently, lithium fluoride (LiF) at a thickness of 80 nm and aluminum at a thickness of 100 nm were sequentially deposited on the electron transport layer to form an electron injection layer and a cathode, respectively.

그 다음, CPL(capping layer)을 성막한 뒤에 유리로 인캡슐레이션 하였다. 이러한 층들의 증착 후 피막 형성을 위해 증착 챔버에서 건조 박스 내로 옮기고 후속적으로 UV 경화 에폭시 및 수분 게터(getter)를 사용하여 인캡슐레이션 하여, 유기 발광 소자를 제조하였다. Then, after the CPL (capping layer) was formed, it was encapsulated with glass. After the deposition of these layers, they were transferred from the deposition chamber into a drying box for film formation, and subsequently encapsulated using a UV-curing epoxy and a moisture getter, thereby manufacturing an organic light-emitting device.

상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 10nm/s을 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 10 nm/s.

상기 실시예 1에서 사용된 화합물은 하기와 같다.The compound used in Example 1 is as follows.

Figure 112019076557420-pat00047
Figure 112019076557420-pat00047

실시예 2 내지 14Examples 2 to 14

상기 실시예 1에서 화합물 1 대신 하기 화합물 2 내지 14를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compounds 2 to 14 were used instead of Compound 1 in Example 1.

Figure 112019076557420-pat00048
Figure 112019076557420-pat00048

비교예 1 내지 6Comparative Examples 1 to 6

상기 실시예 1에서 화합물 1 대신 하기 화합물 A 내지 F를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following compounds A to F were used instead of compound 1 in Example 1.

Figure 112019076557420-pat00049
Figure 112019076557420-pat00049

지연 형광 호스트가 90 중량%로 증착된 발광층의 두께를 35nm로 하여 제조된 실시예 1 내지 14과 비교예 1 내지 6에서 각각 제조된 유기 발광 소자를 대상으로 물성을 측정하였다. 전류 공급원(KEITHLEY) 및 광도계(PR 650)를 사용하여 실온에서 소자 특성을 평가하였다. 각각의 유기 발광 소자에 대하여 10㎃/㎠의 전류밀도에서 측정한 구동 전압(V), 전류효율(cd/A), 전력효율(lm/W), 휘도(cd/m2), 3000 nit에서 밝기가 95%로 감소될 때까지의 시간(T95)를 측정하였다. 측정 결과를 하기 표 1에 나타내었다. Physical properties were measured for the organic light-emitting devices prepared in Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 6 each prepared by setting the thickness of the light emitting layer on which the delayed fluorescent host was deposited to 90% by weight to 35 nm. Device properties were evaluated at room temperature using a current source (KEITHLEY) and a photometer (PR 650). Driving voltage (V), current efficiency (cd/A), power efficiency (lm/W), luminance (cd/m 2 ), measured at a current density of 10 ㎃/㎠ for each organic light emitting device, at 3000 nit The time until the brightness decreases to 95% (T 95 ) was measured. The measurement results are shown in Table 1 below.

화합물compound 구동 전압(V)Driving voltage (V) 전류효율
(cd/A)
Current efficiency
(cd/A)
전력효율
(lm/W)
Power efficiency
(lm/W)
휘도(cd/m2)Luminance (cd/m 2 ) T95 T 95
실시예 1Example 1 화합물 1Compound 1 4.24.2 60.260.2 45.0345.03 60206020 380380 실시예 2Example 2 화합물 2Compound 2 44 6262 48.7048.70 62006200 460460 실시예 3Example 3 화합물 3Compound 3 3.83.8 55.455.4 45.8045.80 55405540 240240 실시예 4Example 4 화합물 4Compound 4 4.44.4 55.855.8 39.8439.84 55805580 300300 실시예 5Example 5 화합물 5Compound 5 44 52.452.4 41.1641.16 52405240 260260 실시예 6Example 6 화합물 6Compound 6 4.64.6 53.253.2 36.3336.33 53205320 240240 실시예 7Example 7 화합물 7Compound 7 4.44.4 60.260.2 42.9842.98 60206020 260260 실시예 8Example 8 화합물 8Compound 8 4.24.2 60.260.2 45.0345.03 60206020 420420 실시예 9Example 9 화합물 9Compound 9 88 56.856.8 22.3122.31 56805680 300300 실시예 10Example 10 화합물 10Compound 10 88 55.255.2 21.6821.68 55205520 280280 실시예 11Example 11 화합물 11Compound 11 4.24.2 53.853.8 40.2440.24 53805380 300300 실시예 12Example 12 화합물 12Compound 12 4.64.6 58.258.2 39.7539.75 58205820 480480 실시예 13Example 13 화합물 13Compound 13 4.24.2 5757 42.6442.64 57005700 360360 실시예 14Example 14 화합물 14Compound 14 4.64.6 56.456.4 38.5238.52 56405640 340340 비교예 1Comparative Example 1 화합물 ACompound A 6.86.8 4646 21.2521.25 46004600 160160 비교예 2Comparative Example 2 화합물 BCompound B 6.46.4 4040 19.6419.64 40004000 160160 비교예 3Comparative Example 3 화합물 CCompound C 6.26.2 41.841.8 21.1821.18 41804180 180180 비교예 4Comparative Example 4 화합물 DCompound D 5.25.2 4848 29.0029.00 48004800 180180 비교예 5Comparative Example 5 화합물 ECompound E 5.85.8 4545 24.3724.37 45004500 160160 비교예 6Comparative Example 6 화합물 FCompound F 5.25.2 46.846.8 28.2728.27 46804680 190190

본 발명의 헤테로고리 화합물은 디벤조티오펜의 2번 또는 6번 위치에 시아노기로 치환된 카바졸기가 결합되어 있고, 나머지 위치에 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기가 결합되어 있는 것이 특징인 반면, 비교예 1 내지 6의 화합물 A 내지 F는 시아노기가 아닌 다른 기로 치환된 카바졸기를 갖거나, 디벤조티오펜의 2번 및 6번 위치가 카바졸기 또는 디벤조퓨란기로만 치환되어 있거나, 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기 대신 아릴기 등을 포함하고 있다.The heterocyclic compound of the present invention is characterized in that a carbazole group substituted with a cyano group is bonded to the position 2 or 6 of the dibenzothiophene, and a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group is bonded to the remaining position. On the other hand, compounds A to F of Comparative Examples 1 to 6 have a carbazole group substituted with a group other than a cyano group, or positions 2 and 6 of dibenzothiophene are substituted only with a carbazole group or a dibenzofuran group, or , Instead of a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group, an aryl group and the like are included.

본 발명의 헤테로고리 화합물을 사용한 실시예 1 내지 14의 유기 발광 소자는 비교예 1 내지 6의 소자와 비교해서, 구동 전압이 낮고, 전류 효율이 높고, 전력 효율이 높고, 휘도가 높으며, 수명 특성이 높은 것을 확인할 수 있었다.The organic light-emitting devices of Examples 1 to 14 using the heterocyclic compound of the present invention have low driving voltage, high current efficiency, high power efficiency, high luminance, and lifetime characteristics, compared to the devices of Comparative Examples 1 to 6. I could confirm this high

1: 기판
2: 양극
3: 정공주입층
4: 정공수송층
5: 전자차단층
6: 발광층
7: 정공차단층
8: 전자수송층
9: 전자주입층
10: 음극
11: 캡슐
1: substrate
2: anode
3: hole injection layer
4: hole transport layer
5: electron blocking layer
6: light emitting layer
7: hole blocking layer
8: electron transport layer
9: electron injection layer
10: cathode
11: capsule

Claims (14)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure 112019076557420-pat00050

상기 화학식 1에 있어서,
X는 수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이고,
A 및 B 중 어느 하나는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
Compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure 112019076557420-pat00050

In Formula 1,
X is hydrogen; Cyano group; A substituted or unsubstituted phenyl group; Or a substituted or unsubstituted biphenyl group,
Any one of A and B is a carbazole group substituted with a cyano group, and the other is a substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.
청구항 1에 있어서,
상기 A 및 B 중 어느 하나는 시아노기로 치환된 카바졸기이고, 나머지 하나는 시아노기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 시아노기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기인 화합물.
The method according to claim 1,
Any one of A and B is a carbazole group substituted with a cyano group, and the other is a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a cyano group, a C1-C20 alkyl group, or a C6-C30 aryl group substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 화합물:
[화학식 2]
Figure 112019076557420-pat00051

[화학식 3]
Figure 112019076557420-pat00052

상기 화학식 2 및 3에 있어서,
X의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
X1은 O 또는 S이며,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
n1 및 n2는 0 내지 7의 정수이고, n1 및 n2가 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 각각 서로 같거나 상이하다.
The method according to claim 1,
The compound represented by Formula 1 is a compound represented by the following Formula 2 or 3:
[Formula 2]
Figure 112019076557420-pat00051

[Formula 3]
Figure 112019076557420-pat00052

In Formulas 2 and 3,
The definition of X is as defined in Formula 1,
X1 is O or S,
R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Cyano group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
n1 and n2 are integers of 0 to 7, and when n1 and n2 are each 2 or more, the substituents in the parentheses of 2 or more are the same or different from each other.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
Figure 112019076557420-pat00053
Figure 112019076557420-pat00054
Figure 112019076557420-pat00055
Figure 112019076557420-pat00056
Figure 112019076557420-pat00057
Figure 112019076557420-pat00058
Figure 112019076557420-pat00059
Figure 112019076557420-pat00060
Figure 112019076557420-pat00061
Figure 112019076557420-pat00062
.
The method according to claim 1,
The compound represented by Formula 1 is a compound represented by any one of the following compounds:
Figure 112019076557420-pat00053
Figure 112019076557420-pat00054
Figure 112019076557420-pat00055
Figure 112019076557420-pat00056
Figure 112019076557420-pat00057
Figure 112019076557420-pat00058
Figure 112019076557420-pat00059
Figure 112019076557420-pat00060
Figure 112019076557420-pat00061
Figure 112019076557420-pat00062
.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 최저 삼중항 에너지 준위는 2.7 eV 이상인 화합물.
The method according to claim 1,
The compound represented by Formula 1 has a minimum triplet energy level of 2.7 eV or more.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 유리전이온도는 120℃ 이상인 화합물.
The method according to claim 1,
The compound represented by Chemical Formula 1 has a glass transition temperature of 120°C or higher.
제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.A first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers comprises the compound according to any one of claims 1 to 6 . 청구항 7에 있어서,
상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
The method of claim 7,
The organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or the hole transport layer includes the compound.
청구항 7에 있어서,
상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
The method of claim 7,
The organic material layer includes an electron transport layer or an electron injection layer, and the electron transport layer or the electron injection layer includes the compound.
청구항 7에 있어서,
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
The method of claim 7,
The organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the compound.
청구항 7에 있어서,
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 호스트로 포함하는 유기 발광 소자.
The method of claim 7,
The organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the compound as a host of the emission layer.
청구항 11에 있어서,
상기 발광층은 열활성화 지연 형광 도펀트를 더 포함하는 유기 발광 소자.
The method of claim 11,
The emission layer further includes a thermally activated delayed fluorescent dopant.
청구항 12에 있어서,
상기 열활성화 지연 형광 도펀트는 삼중항 에너지 준위 - 일중항 에너지 준위 (T1-S1, △EST) 값이 0.3 eV 이하인 유기 발광 소자.
The method of claim 12,
The thermally activated delayed fluorescent dopant has a triplet energy level-a singlet energy level (T1-S1, ΔE ST ) of 0.3 eV or less.
청구항 12에 있어서,
상기 열활성화 지연 형광 도펀트의 최대발광피크가 450 nm 내지 550nm인 유기 발광 소자.
The method of claim 12,
The organic light-emitting device having a maximum emission peak of 450 nm to 550 nm of the thermally activated delayed fluorescent dopant.
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