KR102168570B1 - Micro LED Transfer Board - Google Patents
Micro LED Transfer Board Download PDFInfo
- Publication number
- KR102168570B1 KR102168570B1 KR1020200026524A KR20200026524A KR102168570B1 KR 102168570 B1 KR102168570 B1 KR 102168570B1 KR 1020200026524 A KR1020200026524 A KR 1020200026524A KR 20200026524 A KR20200026524 A KR 20200026524A KR 102168570 B1 KR102168570 B1 KR 102168570B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- space
- micro led
- present
- substrate
- led chips
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 210000004081 cilia Anatomy 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 마이크로 LED(Light Emitting Diode)를 전사하기 위한 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수십 내지 수천개 이상 다수의 마이크로 LED 칩을 배열하여 LED 구동 기판 상으로 단번에 전사할 수 있도록 하기 위한, 마이크로 LED 전사 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate for transferring a micro LED (Light Emitting Diode), and more particularly, a micro LED chip to be transferred onto an LED driving substrate by arranging a plurality of micro LED chips of tens to thousands or more. It relates to an LED transfer substrate.
현재 디스플레이 시장은 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하,'마이크로 LED'라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. Currently, in the display market, OLED is rapidly replacing LCD and is emerging as the mainstream. As display makers' participation in the OLED market is in a rush, Micro LED (hereinafter referred to as'micro LED') displays are emerging as another next-generation display.
LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다.While the core materials of LCD and OLED are liquid crystal and organic materials, respectively, micro LED displays are displays that use the LED chip itself in units of 1 to 100 micrometers (㎛) as emitting materials.
Cree사가 1999년에 "광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이"에 관한 특허를 출원하면서(등록특허공보 등록번호 제0731673호), 마이크로 LED 라는 용어가 등장한 이래 관련 연구 논문들이 잇달아 발표되면서 연구 개발이 이루어지고 있다. 마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다.In 1999, Cree applied for a patent for "micro-light-emitting diode array with improved light extraction" (Registration Patent Publication No. 0731673), and since the term micro LED appeared, related research papers have been published one after another. This is being done. As a task to be solved in order to apply micro LED to display, it is necessary to develop customized microchips based on flexible materials/devices for micro LED devices, and to transfer micro LED chips and display pixel electrodes accurately. Skills for mounting are required.
특히, 마이크로 LED 소자를 표시 기판에 이송하는 전사(transfer)와 관련하여, LED 크기가 1~100 마이크로미터(㎛) 단위까지 작아짐에 따라 기존의 픽앤플레이스(pick & place) 장비를 사용할 수 없고, 보다 고정밀도로 이송하는 전사 헤드기술이 필요하게 되었다. 이러한 전사 헤드 기술과 관련하여, 이하에서 살펴보는 바와 같은 몇 가지의 구조들이 제안되고 있으나 각 제안 기술은 몇 가지의 단점들을 가지고 있다.In particular, with regard to the transfer of micro LED devices to the display substrate, the existing pick & place equipment cannot be used as the size of the LED is reduced to 1-100 micrometers (㎛). A transfer head technology that transfers with higher precision is required. Regarding the transfer head technology, several structures as described below have been proposed, but each proposed technology has several disadvantages.
미국의 Luxvue사는 정전헤드(electrostatic head)를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호, 이하 '선행발명1'이라 함). 선행발명1의 전사원리는 실리콘 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압을 인가함으로써 대전현상에 의해 마이크로 LED와 밀착력이 발생하게 하는 원리이다. 이 방법은 정전 유도시 헤드에 인가된 전압에 의해 대전 현상에 의한 마이크로 LED 손상에 대한 문제가 발생할 수 있다.Luxvue of the United States proposed a method of transferring a micro LED using an electrostatic head (Public Patent Publication No. 2014-0112486, hereinafter referred to as'prior invention 1'). The transfer principle of Prior Invention 1 is the principle of generating adhesion with the micro LED by charging by applying a voltage to the head made of silicon material. This method may cause a problem of damage to the micro LED due to charging due to the voltage applied to the head when inducing a power failure.
미국의 X-Celeprint사는 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 마이크로 LED를 원하는 기판(P)에 이송시키는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호, 이하 '선행발명2'라 함). 이 방법은 정전헤드 방식에 비해 LED 손상에 대한 문제점은 없으나, 전사 과정에서 목표기판(P)의 접착력 대비 탄성 전사 헤드의 접착력이 더 커야 안정적으로 마이크로 LED를 이송시킬 수 있으며, 전극 형성을 위한 추가 공정이 필요한 단점이 있다. 또한, 탄성 고분자 물질의 접착력을 지속적으로 유지하는 것도 매우 중요한 요소로 작용하게 된다.X-Celeprint of the United States has proposed a method of transferring micro LEDs on a wafer to a desired substrate P by applying a transfer head with an elastic polymer material (Patent Publication No. 2017-0019415, hereinafter referred to as'prior invention. 2'). Compared to the electrostatic head method, this method has no problem for damage to the LED, but the adhesive force of the elastic transfer head must be greater than the adhesion of the target substrate (P) in the transfer process to stably transfer the micro LED, and additional for electrode formation. There is a disadvantage that the process is necessary. In addition, maintaining the adhesive strength of the elastic polymer material continuously acts as a very important factor.
한국광기술원은 섬모 접착구조 헤드를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1754528호, 이하 '선행발명3'이라 함). 그러나 선행발명3은 섬모의 접착구조를 제작하는 것이 어렵다는 단점이 있다.The Korea Institute of Photonics and Technology proposed a method of transferring micro LEDs using a ciliated adhesive structure head (Registration Patent Publication No. 1754528, hereinafter referred to as'prior invention 3'). However, Prior Invention 3 has a disadvantage in that it is difficult to fabricate an adhesive structure of cilia.
한국기계연구원은 롤러에 접착제를 코팅하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1757404호, 이하 '선행발명4'라 함). 그러나 선행발명4는 접착제의 지속적인 사용이 필요하고, 롤러 가압 시 마이크로 LED가 손상될 수도 있는 단점이 있다.The Korea Institute of Machinery and Materials proposed a method of transferring micro LEDs by coating an adhesive on a roller (Registration Patent Publication No. 1757404, hereinafter referred to as'prior invention 4'). However, prior invention 4 requires continuous use of an adhesive, and there is a disadvantage in that the micro LED may be damaged when pressing the roller.
삼성디스플레이는 어레이 기판(P)이 용액에 담겨 있는 상태에서 어레이 기판(P)의 제1,2전극에 마이너스 전압을 인가하여 정전기 유도 현상에 의해 마이크로 LED를 어레이 기판(P)에 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0026959호, 이하 '선행발명5'라 함). 그러나 선행발명 5는 마이크로 LED를 용액에 담가 어레이 기판(P)에 전사한다는 점에서 별도의 용액이 필요하고 이후 건조공정이 필요하다는 단점이 있다.Samsung Display applies a negative voltage to the first and second electrodes of the array substrate P while the array substrate P is immersed in a solution to transfer the micro LED to the array substrate P by static electricity induction. Proposed (Public Patent Publication No. 10-2017-0026959, hereinafter referred to as'prior invention 5'). However, Prior Invention 5 has a disadvantage in that a separate solution is required and a subsequent drying process is required in that the micro LED is immersed in a solution and transferred to the array substrate P.
엘지전자는 헤드홀더를 복수의 픽업헤드들과 기판(P) 사이에 배치하고 복수의 픽업 헤드의 움직임에 의해 그 형상이 변형되어 복수의 픽업 헤드들에게 자유도를 제공하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0024906호, 이하 '선행발명6'이라 함). 그러나 선행발명 6은 복수의 픽업헤드들의 접착면에 접착력을 가지는 본딩물질을 도포하여 마이크로 LED를 전사하는 방식이라는 점에서, 픽업헤드에 본딩물질을 도포하는 별도의 공정이 필요하다는 단점이 있다.LG Electronics proposed a method of arranging a head holder between a plurality of pickup heads and a substrate P, and providing a degree of freedom to a plurality of pickup heads by changing their shape by the movement of the plurality of pickup heads. Publication No. 10-2017-0024906, hereinafter referred to as'prior invention 6'). However, the prior invention 6 has a disadvantage in that a separate process of applying a bonding material to the pickup head is required in that it is a method of transferring a micro LED by applying a bonding material having adhesive strength to the adhesive surfaces of a plurality of pickup heads.
전술한 선행발명들의 문제점을 해결하기 위해서는 선행발명들이 채택하고 있는 기본 원리를 그대로 채용하면서 단점들을 개선해야 하는데, 이와 같은 단점들은 선행발명들이 채용하고 있는 기본 원리로부터 파생된 것이어서 기본 원리를 유지하면서 단점들을 개선하는 데에는 한계가 있다. In order to solve the problems of the preceding inventions, it is necessary to improve the shortcomings while adopting the basic principles adopted by the preceding inventions. These shortcomings are derived from the basic principles adopted by the preceding inventions. There are limits to improving them.
또한, 전술한 선행발명들을 포함한 종래의 전사 기술에 따르면 한번에 전사할 수 있는 마이크로 LED 칩의 수가 하나 또는 수십개 많아야 수백개 정도이므로, 약 1억개의 마이크로 LED 칩으로 이루어진 디스플레이를 제작하기 위해서는 수많은 전송 과정이 반복되어야 하는 단점이 있다.In addition, according to the conventional transfer technology including the above-described prior inventions, since the number of micro LED chips that can be transferred at one time is about one or tens, at most, hundreds, in order to manufacture a display consisting of about 100 million micro LED chips, a number of transmission processes are required. There is a downside to this that needs to be repeated.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 종래기술의 단점들을 개선하는데 그치지 않고 기존에는 전혀 고려하지 않았던 새로운 방식으로 수십 내지 수천개 이상 다수의 마이크로 LED 칩을 배열하여 LED 구동 기판 상으로 단번에 전사할 수 있도록 하기 위한, 마이크로 LED 전사 기판을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above-described conventional problems, the purpose of which is not only to improve the shortcomings of the prior art, but to drive LEDs by arranging tens to thousands of micro LED chips in a new way that was not considered at all. It is to provide a micro LED transfer substrate so as to be able to transfer onto a substrate at once.
전술한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따른 마이크로 LED 전사 기판은, 적어도 편평한 일면을 가진 베이스 기판 상에 수십 내지 수천개 이상 다수의 마이크로 LED 칩을 각각 넣을 수 있는 다수의 홀 또는 홈이 배열되어 형성되고, 상기 홀 또는 홈은, 마이크로 LED 칩의 형상과 크기에 대응하는 사각 형상과 크기의 제1 공간을 형성하는 제1 영역부와; 마이크로 LED 칩의 최대 길이 이상의 직경을 갖는 원형 형상의 제2 공간을 형성하는 제2 영역부를 포함하며, 상기 제1 영역부의 제1 공간과 상기 제2 영역부의 제2 공간은 일부가 서로 중첩되어 상기 제1 공간과 상기 제2 공간이 서로 연결되어 통하도록 형성되고, 상기 제1 영역부의 제1 공간을 형성하는 적어도 일면은 (일부가) 곡면으로 형성될 수 있다.In order to achieve the above object, the micro LED transfer substrate according to an aspect of the present invention includes a plurality of holes or grooves in which tens to thousands of micro LED chips can be respectively placed on a base substrate having at least one flat surface. A first area portion forming a first space having a square shape and size corresponding to the shape and size of the micro LED chip, and the holes or grooves are arranged and formed; It includes a second area portion forming a second space of a circular shape having a diameter equal to or greater than the maximum length of the micro LED chip, and the first space of the first area and the second space of the second area are partially overlapped with each other. The first space and the second space may be connected to each other to communicate with each other, and at least one surface forming the first space of the first region may be formed as a (part) curved surface.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 수십 내지 수천개 이상 다수의 마이크로 LED 칩을 배열하여 LED 구동 기판 상으로 단번에 전사할 수 있으므로, 현재 전사 기술이 가장 난제 중에 난제로 대두되고 있는 실정이고, 고해상도 디스플레이를 만들려면 약 1억 개 칩을 전사해야 하는데, 본 발명을 적용하여 전사할 경우 종래와 비교하여 전사 횟수를 획기적으로 줄여 가성비를 극대화 할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, since tens to thousands or more of a plurality of micro LED chips can be arranged and transferred onto the LED driving substrate at once, the current transfer technology is emerging as one of the most difficult problems. In order to make a display, about 100 million chips need to be transferred, and when transferring by applying the present invention, the number of transfers is drastically reduced compared to the prior art, thereby maximizing cost-effectiveness.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 마이크로 LED 전사 기판의 평면도,
도 2는 도 1의 홀 또는 홈의 확대 평면도,
도 3은 도 2의 A-A 단면도로, (a)는 홀 예시도, (b)는 홈 예시도,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 홀 또는 홈을 나타내는 평면도,
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 홀 또는 홈을 나타내는 평면도이다. 1 is a plan view of a micro LED transfer substrate according to an exemplary embodiment of the present invention,
2 is an enlarged plan view of the hole or groove of FIG. 1;
3 is an AA cross-sectional view of FIG. 2, (a) is an exemplary hole, (b) is an exemplary groove,
4 is a plan view showing a hole or groove according to another embodiment of the present invention;
5 is a plan view showing a hole or groove according to another embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 한다. 또한, 본 발명의 실시예에 대한 설명 시 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 이하 본 발명에 따른 각 실시 예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 하나의 예에 불과하고, 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 특히 본 발명은 각 실시예에 포함되는 개별 구성 또는 개별 기능 중 적어도 어느 하나 이상의 조합으로 구성될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to elements of each drawing, the same elements are to have the same numerals as possible even if they are indicated on different drawings. In addition, when it is determined that a detailed description of a known configuration or function related to an embodiment of the present invention may obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted. Hereinafter, each embodiment according to the present invention is only one example for aiding understanding of the present invention, and the present invention is not limited to this embodiment. In particular, the present invention may be configured with at least one or more combinations of individual configurations or individual functions included in each embodiment.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 마이크로 LED 전사 기판의 평면도이고, 도 2는 도 1의 홀(또는 홈)(300)의 확대 평면도이고, 도 3은 도 2의 A-A 단면도로, 도 3(a)는 홀 예시도이고, 도 3(b)는 홈 예시도이다.1 is a plan view of a micro LED transfer substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged plan view of a hole (or groove) 300 of FIG. 1, and FIG. 3 is an AA cross-sectional view of FIG. 3(a) is an exemplary view of a hole, and FIG. 3(b) is an exemplary view of a groove.
도 1을 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예에 다른 마이크로 LED 전사 기판(1)은 베이스 기판(100)과 그 베이스 기판(100)에 배열되어 형성된 다수의 홀(또는 홈)(300,310,320)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the micro LED transfer substrate 1 according to the exemplary embodiment of the present invention includes a
베이스 기판(100)은 감광성 유리 재질로 제작될 수 있고, 홀(또는 홈)(300,310,320)의 크기, 배열 간격 및 형성 개수에 따라 다양한 크기로 제작될 수 있다.The
예를 들어, 베이스 기판(100) 상의 가로 100mm, 세로 100mm, 및 두께 1mm의 크기에 대하여 가로 0.08mm, 세로 0.1mm, 및 깊이 0.05mm 크기의 홀(또는 홈)(300,310,320)을 x 방향 피치 0.33mm, y 방향 피치 0.3mm의 간격으로 가로 72개 곱하기 세로 72개의 개수만큼 형성할 수 있다. For example, holes (or grooves) 300,310,320 having a width of 0.08mm, a length of 0.1mm, and a depth of 0.05mm for a size of 100mm in width, 100mm in length, and 1mm in thickness on the
전술한 바와 같이 본 실시예에 따르면 적어도 편평한 일면을 가진 감광성 유리 재질의 베이스 기판(100) 상에 수십 내지 수천/수십만개 이상 다수의 마이크로 LED 칩을 각각 넣을 수 있는 다수의 홀(또는 홈)(300,310,320)이 일정한 간격으로 배열되어 형성될 수 있으며, 여기서 홀(또는 홈)(300,310,320)의 형상 및 크기는 마이크로 LED 칩의 형상 및 크기를 고려하여 형성될 수 있고, 그 배열 간격은 마이크로 LED 구동 기판의 구동 회로의 배열에 대응하도록 형성될 수 있다.As described above, according to the present embodiment, a plurality of holes (or grooves) in which tens to thousands/hundreds of thousands or more of micro LED chips can each be inserted on the
참고로, 본 발명의 명세서 전반에 걸쳐 기재된 마이크로 LED 칩은 일정 크기 및 형상을 갖는 단일 마이크로 LED 칩 및 해당 단말 마이크로 칩이 그 폭 또는 길이 방향으로 하나 이상 배열 연결된 바 타입(bar type)의 마이크로 LED 칩(군)을 포함하는 것으로 해석되어야 한다. For reference, the micro LED chip described throughout the specification of the present invention is a single micro LED chip having a predetermined size and shape, and a bar type micro LED in which one or more microchips of the terminal are arranged and connected in the width or length direction. It should be interpreted as including chips (groups).
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 홀(또는 홈)(300)의 확대 평면도이다.2 is an enlarged plan view of a hole (or groove) 300 according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 홀(또는 홈)(300)은 마이크로 LED 칩의 형상과 크기에 대응하는 사각 형상과 크기의 제1 공간(301a)을 형성하는 제1 영역부(301)와; 마이크로 LED 칩의 최대 길이 이상의 직경을 갖는 원형 형상의 제2 공간(302a)을 형성하는 제2 영역부(302)를 포함할 수 있다.2, a hole (or groove) 300 according to an exemplary embodiment of the present invention is a
예를 들어, 마이크로 LED 칩의 최대 길이가 80 미크론일 경우 제2 공간(302a)은 약 100 미크론의 직경으로 형성할 수 있다.For example, when the maximum length of the micro LED chip is 80 microns, the
제1 영역부(301)의 제1 공간(301a)과 제2 영역부(302)의 제2 공간(302a)은 일부가 서로 중첩되는 중첩 공간(303a)을 포함하여서 제1 공간(301a)과 제2 공간(302a)이 중첩 공간(303a)을 통해 서로 통하도록 연결될 수 있다. The
제1 영역부(301)의 제1 공간(301a)을 형성하는 제1 면(301-1)은 제2 영역부(302)의 제2 공간(302a)을 형성하는 원의 접선 상에 놓이되 일단부가 해당 원에 접하는 직선으로 형성되고, 제1 면(301-1)에 마주하는 제2 면(301-2)은 일부가 곡면으로 형성되어 곡면의 일단부가 해당 원에 즉, 제2 공간(302a)을 형성하는 면의 일단부에 접하도록 형성될 수 있다.The first surface 301-1 forming the
제1 영역부(301)의 제1 공간(301a)의 일부를 형성하는 제2 면(301-2)의 곡면은 제2 공간(302a)과 중첩되지 않은 제1 공간(301a) 부분의 일부가 확장되도록 형성한다.The curved surface of the second surface 301-2 forming a part of the
따라서 제2 면(301-2)의 곡면부의 형성으로 제1 영역부(301)의 제1 공간(301a)의 입구 일측이 확장될 수 있다. Accordingly, the formation of the curved portion of the second surface 301-2 may expand one side of the entrance of the
도 3은 도 2의 A-A 단면도로, 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 홀(또는 홈)(300)은, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 베이스 기판(100)을 관통하는 홀로 형성되거나, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 베이스 기판(100)을 관통하지 않는 홈으로 형성될 수 있다. 3 is an AA cross-sectional view of FIG. 2, wherein the hole (or groove) 300 according to an exemplary embodiment of the present invention is formed as a hole penetrating the
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 홀(또는 홈)(310)의 확대 평면도이다.4 is an enlarged plan view of a hole (or groove) 310 according to another embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 홀(또는 홈)(310)은 마이크로 LED 칩의 형상과 크기에 대응하는 사각 형상과 크기의 제1 공간(311a)을 형성하는 제1 영역부(311)와; 마이크로 LED 칩의 최대 길이 이상의 직경을 갖는 원형 형상의 제2 공간(312a)을 형성하는 제2 영역부(312)를 포함할 수 있다.4, a hole (or groove) 310 according to another embodiment of the present invention is a first area forming a
제1 영역부(311)의 제1 공간(311a)과 제2 영역부(312)의 제2 공간(312a)은 일부가 서로 중첩되는 중첩 공간(313a)을 포함하여서 제1 공간(311a)과 제2 공간(312a)이 중첩 공간(313a)을 통해 서로 통하도록 연결될 수 있다. The
제1 영역부(311)의 제1 공간(311a)을 형성하는 제1 면(311-1)과 제1 면(311-1)에 마주하는 제2 면(311-2)은 각각 일부가 곡면으로 형성되어 양측 곡면의 일단부가 해당 원의 중앙을 지나는 가상선의 양측에서 해당 원에 즉, 제2 공간(312a)을 형성하는 면의 양단부에 각각 접하도록 형성될 수 있다.The first surface 311-1 forming the
제1 영역부(311)의 제1 공간(311a)의 일부를 형성하는 제1,2 면(311-1, 311-2)의 양측 곡면은 제2 공간(312a)과 중첩되지 않은 제1 공간(311a) 부분의 일부가 확장되도록 형성한다.The curved surfaces on both sides of the first and second surfaces 311-1 and 311-2 forming part of the
따라서 제1 면(311-1)과 제2 면(311-2)의 곡면부의 형성으로 제1 영역부(301)의 제1 공간(301a)의 입구 양측이 확장될 수 있다. Accordingly, both sides of the entrance of the
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 홀(또는 홈)(320)의 확대 평면도로, 도 4와 비교하여 제1 영역부(301)의 제1 공간(301a)이 제2 영역부(312)의 제2 공간(312a)의 양측에서 서로 마주하도록 한 쌍으로 형성된 것만 다르고 그 외의 모든 구성은 동일하므로 중복 설명은 생략하도록 한다.5 is an enlarged plan view of a hole (or groove) 320 according to another embodiment of the present invention. Compared with FIG. 4, a
전술한 바와 같이 본 발명에 따른 마이크로 LED 전사 기판(1) 상에 수십 내지 수천/수십만개 이상 다수의 마이크로 LED 칩을 올려놓고 해당 기판(1)에 특정 방향으로 미세 진동을 가하여 마이크로 LED 칩이 홀(또는 홈)(300,310,320)의 원형의 제2 공간(302a,312a)에 먼저 들어가 유동하면서 최종적으로 사각의 제1 공간(301a,311a) 내로 안착되도록 한 후, 해당 마이크로 LED 전사 기판(1)을 대응하는 마이크로 LED 구동 기판(미도시) 상에 위치시켜 마이크로 LED 전사 기판(1) 상의 수십 내지 수천/수만개 이상 다수의 마이크로 LED 칩을 마이크로 LED 구동 기판 상으로 단번에 전사할 수 있다.As described above, tens to thousands/hundreds of thousands or more of micro LED chips are placed on the micro LED transfer substrate 1 according to the present invention, and microscopic vibrations are applied to the substrate 1 in a specific direction so that the micro LED chips are holed. (Or groove) After entering into the circular
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
1: 마이크로 LED 전사 기판
100: 베이스 기판
300, 310, 320: 홀 또는 홈1: Micro LED transfer board
100: base substrate
300, 310, 320: hole or groove
Claims (3)
상기 홀 또는 홈은, 마이크로 LED 칩의 형상과 크기에 대응하는 사각 형상과 크기의 제1 공간을 형성하는 제1 영역부와; 마이크로 LED 칩의 최대 길이 이상의 직경을 갖는 원형 형상의 제2 공간을 형성하는 제2 영역부를 포함하며,
상기 제1 영역부의 제1 공간과 상기 제2 영역부의 제2 공간은 일부가 서로 중첩되어 상기 제1 공간과 상기 제2 공간이 서로 연결되어 통하도록 형성되고,
상기 제1 영역부의 제1 공간을 형성하는 적어도 일면은 일부가 곡면으로 형성되며,
상기 제1 공간의 일부를 형성하는 상기 곡면은 상기 제2 공간과 중첩되지 않은 상기 제1 공간의 일부가 확장되도록 형성되되, 그 곡면의 일단부가 상기 제2 공간을 형성하는 면의 일단부에 접하도록 형성되어, 상기 곡면에 의해 상기 제1 공간의 입구가 확장되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사 기판.A plurality of holes or grooves are arranged and formed on a base substrate having at least one flat surface to accommodate tens to thousands of micro LED chips, respectively,
The hole or groove may include a first area portion forming a first space having a square shape and size corresponding to the shape and size of the micro LED chip; It includes a second area portion forming a second space of a circular shape having a diameter greater than or equal to the maximum length of the micro LED chip,
The first space of the first region and the second space of the second region are partially overlapped with each other so that the first space and the second space are connected to each other to communicate with each other,
At least one surface forming the first space of the first region is partially curved,
The curved surface forming a part of the first space is formed so that a part of the first space not overlapping with the second space is expanded, and one end of the curved surface is in contact with one end of the surface forming the second space. Micro LED transfer substrate, characterized in that the inlet of the first space is formed to be expanded by the curved surface.
상기 베이스 기판은 감광성 유리로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사 기판.The method of claim 1,
The base substrate is a micro LED transfer substrate, characterized in that formed of photosensitive glass.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200026524A KR102168570B1 (en) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | Micro LED Transfer Board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200026524A KR102168570B1 (en) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | Micro LED Transfer Board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102168570B1 true KR102168570B1 (en) | 2020-10-21 |
Family
ID=73034435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200026524A KR102168570B1 (en) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | Micro LED Transfer Board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102168570B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023027217A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | 엘지전자 주식회사 | Display device |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731673B1 (en) | 1999-12-03 | 2007-06-25 | 크리, 인코포레이티드 | Micro-led arrays with enhanced light extraction |
| KR20140112486A (en) | 2011-11-18 | 2014-09-23 | 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 | Method of forming a micro led structure and array of micro led structures with an electrically insulating layer |
| KR20170019415A (en) | 2014-06-18 | 2017-02-21 | 엑스-셀레프린트 리미티드 | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures |
| KR20170024906A (en) | 2015-08-26 | 2017-03-08 | 엘지전자 주식회사 | Transfer unit for micro device |
| KR20170026959A (en) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Diplay apparatus and manufacturing method for the same |
| KR101754528B1 (en) | 2016-03-23 | 2017-07-06 | 한국광기술원 | Transfer assembly with dry adhesion structure and method for transferring led structure assembly using the same and led structure assembly |
| KR101757404B1 (en) | 2015-07-24 | 2017-07-12 | 한국기계연구원 | Selective continuous transferring apparatus based on adhesion-controlled film |
| KR20170124282A (en) * | 2016-05-02 | 2017-11-10 | 엘지이노텍 주식회사 | Method of pick and place |
| KR20180038223A (en) * | 2016-10-06 | 2018-04-16 | 황석민 | Led display apparatus and method for manufacturing the same |
| KR20190076929A (en) * | 2019-06-12 | 2019-07-02 | 엘지전자 주식회사 | Display device using micro led and manufacturing method thereof |
| KR20200014868A (en) * | 2020-01-22 | 2020-02-11 | 엘지전자 주식회사 | Display device using semiconductor light emitting device |
-
2020
- 2020-03-03 KR KR1020200026524A patent/KR102168570B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731673B1 (en) | 1999-12-03 | 2007-06-25 | 크리, 인코포레이티드 | Micro-led arrays with enhanced light extraction |
| KR20140112486A (en) | 2011-11-18 | 2014-09-23 | 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 | Method of forming a micro led structure and array of micro led structures with an electrically insulating layer |
| KR20170019415A (en) | 2014-06-18 | 2017-02-21 | 엑스-셀레프린트 리미티드 | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures |
| KR101757404B1 (en) | 2015-07-24 | 2017-07-12 | 한국기계연구원 | Selective continuous transferring apparatus based on adhesion-controlled film |
| KR20170024906A (en) | 2015-08-26 | 2017-03-08 | 엘지전자 주식회사 | Transfer unit for micro device |
| KR20170026959A (en) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Diplay apparatus and manufacturing method for the same |
| KR101754528B1 (en) | 2016-03-23 | 2017-07-06 | 한국광기술원 | Transfer assembly with dry adhesion structure and method for transferring led structure assembly using the same and led structure assembly |
| KR20170124282A (en) * | 2016-05-02 | 2017-11-10 | 엘지이노텍 주식회사 | Method of pick and place |
| KR20180038223A (en) * | 2016-10-06 | 2018-04-16 | 황석민 | Led display apparatus and method for manufacturing the same |
| KR20190076929A (en) * | 2019-06-12 | 2019-07-02 | 엘지전자 주식회사 | Display device using micro led and manufacturing method thereof |
| KR20200014868A (en) * | 2020-01-22 | 2020-02-11 | 엘지전자 주식회사 | Display device using semiconductor light emitting device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023027217A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | 엘지전자 주식회사 | Display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10115928B2 (en) | Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same | |
| KR102530485B1 (en) | Display device having divided wiring pattern | |
| US10418572B2 (en) | Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same | |
| CN107068862B (en) | Flexible display substrate, manufacturing method thereof, flexible display device and carrier substrate | |
| KR102554304B1 (en) | Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same | |
| CN103545320B (en) | Display base plate and the flexible display apparatus containing this display base plate | |
| CN109449260B (en) | Micro light-emitting diode transfer substrate and transfer method, display panel and preparation method | |
| CN103680319A (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| US11495485B2 (en) | Method of transferring micro device using micro device transfer head | |
| CN110690252A (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| CN112002792B (en) | Method for preparing LED display by electrophoretic assembly | |
| KR102168570B1 (en) | Micro LED Transfer Board | |
| CN108183095B (en) | Flexible display panels and its flip chip structure | |
| US11404399B2 (en) | Chip transfer substrate, chip transfer device and chip transfer method | |
| CN109390357A (en) | Display base plate and preparation method thereof, display device | |
| KR20190117039A (en) | Display device, optical member and method of manufacturing optical member | |
| TWI581226B (en) | A flexible led display | |
| TWM516776U (en) | A flexible led display | |
| KR102479250B1 (en) | Probe socket and micro led inspecting device | |
| KR20220014648A (en) | Micro LED transfer unit | |
| KR101980072B1 (en) | Flexible die mounting for the semiconductor and semiconductor package | |
| CN112573474A (en) | Micro light-emitting diode detection device, device and preparation method | |
| CN113871338A (en) | Alignment device and method for mass transfer and backboard of display panel | |
| TWI585943B (en) | A flexible led display | |
| KR20240093774A (en) | Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |