KR102160284B1 - Apparatus for monitoring state of powder deposition in gas exhausting line for semiconductor production facility - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의하면, 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서, 상기 배기라인 상에 설치되는 온도 센서; 및 상기 온도 센서에서 측정된 측정 온도를 기초로 상기 배기라인에서 상기 온도 센서가 설치된 위치에 퇴적된 파우더의 두께를 추정하여 산출하는 분석부를 포함하며, 상기 분석부는 퇴적된 파우더 두께별 온도 데이터인 기본 데이터가 저장된 메모리부와, 상기 기본 데이터로부터 상기 측정 온도에 대응하는 파우더 두께를 산출하는 산출부를 구비하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 제공된다.According to the present invention, there is provided an apparatus for monitoring a deposition state of powder in an exhaust line through which exhaust gas generated in a process chamber of a semiconductor manufacturing facility is discharged, comprising: a temperature sensor installed on the exhaust line; And an analysis unit that estimates and calculates the thickness of the powder deposited at the location where the temperature sensor is installed in the exhaust line based on the measured temperature measured by the temperature sensor, wherein the analysis unit is a basic temperature data for each thickness of the deposited powder. An exhaust line powder deposition state monitoring apparatus is provided having a memory unit in which data is stored and a calculation unit for calculating a powder thickness corresponding to the measured temperature from the basic data.

Description

반도체 제조설비용 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치 {APPARATUS FOR MONITORING STATE OF POWDER DEPOSITION IN GAS EXHAUSTING LINE FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION FACILITY}Exhaust line powder deposition condition monitoring device for semiconductor manufacturing facilities {APPARATUS FOR MONITORING STATE OF POWDER DEPOSITION IN GAS EXHAUSTING LINE FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION FACILITY}

본 발명은 반도체 제조설비의 배기라인에서 부산물에 의한 파우더 퇴적 상태를 모니터링하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for monitoring the state of powder deposition due to by-products in an exhaust line of a semiconductor manufacturing facility.

반도체 소자는 공정챔버에서 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 확산 및 금속증착 등의 공정들이 반복적으로 수행됨으로써 제조되고 있다. 이러한 반도체 제조 공정 중에는 다양한 공정 가스가 사용되며, 공정이 완료된 후에는 공정챔버에 잔류가스가 존재하게 되는데, 공정챔버 내 잔류가스는 유독성분을 포함하고 있기 때문에, 진공펌프에 의해 배출되어서 스크러버와 같은 배기가스 처리장치에 의해 정화된다. 공정챔버로부터 잔류가스가 배기라인을 통해 배출되는 과정에서 배기가스에 포함된 일부 성분은 온도와 압력의 변화에 따라 고체화 되어서 파우더를 형성하게 되는데, 이와 같이 형성된 파우더는 배기라인 내에 쌓여서 유로 막힘 현상을 유발시킨다.Semiconductor devices are manufactured by repeatedly performing processes such as photolithography, etching, diffusion, and metal deposition on a wafer in a process chamber. During the semiconductor manufacturing process, various process gases are used, and after the process is completed, residual gas exists in the process chamber.Since the residual gas in the process chamber contains toxic components, it is discharged by a vacuum pump and It is purified by an exhaust gas treatment device. In the process of discharging residual gas from the process chamber through the exhaust line, some components contained in the exhaust gas are solidified according to changes in temperature and pressure to form powder.The powder formed in this way accumulates in the exhaust line to prevent flow path blockage. Cause.

파우더에 의한 배기라인 막힘을 방지하기 위하여, 배기라인의 온도를 일정하게 유지시키는 히팅 재킷(heating jacket)을 설치하거나, 부분압을 감소시켜 기체 상태를 유지하도록 하기 위해 배기라인에 질소 가스를 유입시키거나, 배기라인의 일부를 인위적으로 냉각시켜 파우더를 포집하는 트랩(Trap)을 설치한다. 배기라인의 유지보수를 위해서 트랩 등에 파우더가 쌓인 정도를 파악할 필요가 있는데, 이를 위하여 종래에는 내부를 작업자가 육안으로 확인할 수 있는 투명한 관찰창이 구비된 트랩이 사용되어서 트랩 내부의 세정 시기 등을 결정하는 기술이 개시되어 있으나, 이러한 방식은 작업자의 숙련도에 따라 세정 횟수 불필요 하게 늘어날 수 있고 트랩이 아닌 배관에는 적용하기 어렵기 때문에 개선이 요구된다.To prevent clogging of the exhaust line by powder, install a heating jacket to keep the temperature of the exhaust line constant, or introduce nitrogen gas into the exhaust line to maintain the gaseous state by reducing the partial pressure. , A trap that collects powder by artificially cooling a part of the exhaust line is installed. For the maintenance of the exhaust line, it is necessary to check the degree of accumulation of powder in the trap, and for this purpose, conventionally, a trap equipped with a transparent observation window that allows the operator to visually check the inside is used to determine the timing of cleaning the inside of the trap. Although technology has been disclosed, this method is required to be improved because the number of cleanings may be unnecessarily increased depending on the skill of the operator, and it is difficult to apply to pipes other than traps.

대한민국 등록특허공보 등록번호 10-0455782호 "냉각트랩 부분이 개선된 반도체소자 제조장치" (2004.11.06.)Korean Registered Patent Publication No. 10-0455782 "Semiconductor device manufacturing apparatus with improved cooling trap part" (2004.11.06.)

본 발명의 목적은 본 발명은 반도체 제조설비의 배기라인에서 부산물에 의한 파우더 퇴적 상태를 효율적이고 정확하게 모니터링하는 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an apparatus for efficiently and accurately monitoring the state of powder deposition due to by-products in an exhaust line of a semiconductor manufacturing facility.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서, 상기 배기라인 상에 설치되는 온도 센서; 및 상기 온도 센서에서 측정된 측정 온도를 기초로 상기 배기라인에서 상기 온도 센서가 설치된 위치에 퇴적된 파우더의 두께를 추정하여 산출하는 분석부를 포함하며, 상기 분석부는 퇴적된 파우더 두께별 온도 데이터인 기본 데이터가 저장된 메모리부와, 상기 기본 데이터로부터 상기 측정 온도에 대응하는 파우더 두께를 산출하는 산출부를 구비하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, according to an aspect of the present invention, a device for monitoring a deposition state of powder in an exhaust line through which exhaust gas generated in a process chamber of a semiconductor manufacturing facility is discharged, on the exhaust line A temperature sensor installed in the; And an analysis unit that estimates and calculates the thickness of the powder deposited at the location where the temperature sensor is installed in the exhaust line based on the measured temperature measured by the temperature sensor, wherein the analysis unit is a basic temperature data for each thickness of the deposited powder. An exhaust line powder deposition state monitoring apparatus is provided having a memory unit in which data is stored and a calculation unit for calculating a powder thickness corresponding to the measured temperature from the basic data.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서, 상기 배기라인 상에 설치되어서 열유속을 측정하는 히트 플럭스 센서; 및 상기 히트 플럭스 센서에서 측정된 측정 열유속을 기초로 상기 배기라인에서 상기 히트 플럭스 센서가 설치된 위치에 퇴적된 파우더의 두께를 추정하여 산출하는 분석부를 포함하며, 상기 분석부는 퇴적된 파우더 두께별 열유속 데이터인 기본 데이터가 저장된 메모리부와, 상기 기본 데이터로부터 상기 측정 열유속에 대응하는 파우더 두께를 산출하는 산출부를 구비하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, according to another aspect of the present invention, a device for monitoring the deposition state of powder in an exhaust line through which exhaust gas generated in a process chamber of a semiconductor manufacturing facility is discharged, on the exhaust line A heat flux sensor that is installed on and measures a heat flux; And an analysis unit calculating the thickness of the powder deposited at the location where the heat flux sensor is installed in the exhaust line based on the measured heat flux measured by the heat flux sensor, wherein the analysis unit includes heat flux data for each deposited powder thickness An exhaust line powder deposition state monitoring apparatus is provided having a memory unit in which phosphorus basic data is stored and a calculation unit configured to calculate a powder thickness corresponding to the measured heat flux from the basic data.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서, 상기 배기라인 상에서 퇴적되는 파우더의 높이 방향 어느 한 위치에 설치되는 광센서를 포함하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 제공된다.In order to achieve the above object of the present invention, according to another aspect of the present invention, an apparatus for monitoring the deposition state of powder in an exhaust line through which exhaust gas generated in a process chamber of a semiconductor manufacturing facility is discharged, the exhaust line An exhaust line powder deposition state monitoring device including an optical sensor installed at any one position in the height direction of the powder deposited on the bed is provided.

본 발명에 의하면 앞서서 기재한 본 발명의 목적을 모두 달성할 수 있다. 구체적으로는, 온도 센서를 통해 측정된 온도에 기초하여 파우더의 퇴적 두께별 온도 데이터를 이용하여 측정 온도에 대응하는 파우더의 퇴적 두께가 선정되고 파울링 보정 데이터에 의해 보정되어서 최종적으로 파우더 퇴적 두께가 추정되므로 트랩 또는 배관에 파우더가 쌓인 정도가 쉽고 정확하게 모니터링 될 수 있다.According to the present invention, all the objects of the present invention described above can be achieved. Specifically, based on the temperature measured by the temperature sensor, the deposition thickness of the powder corresponding to the measurement temperature is selected using temperature data for each deposition thickness of the powder, and is corrected by the fouling correction data. It is estimated that the degree of powder accumulation in the trap or pipe can be easily and accurately monitored.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 설치된 반도체 제조설비의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치에서 센서가 설치된 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치에서 분석 모듈의 구성을 도시한 블록도이다.
도 4는 도 3에 도시된 공정 조건 데이터베이스에 의한 특정 공정 조건에서의 데이터를 설명하는 그래프이다.
도 5는 도 3에 도시된 파울링 보정 데이터베이스에 의한 보정 온도 데이터를 설명하는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 설치된 상태를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치에서 센서가 설치된 상태를 도시한 도면이다.1 is a diagram showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing facility equipped with an exhaust line powder deposition state monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a state in which a sensor is installed in the apparatus for monitoring a powder deposition state in the exhaust line shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of an analysis module in the apparatus for monitoring a state of powder deposition in an exhaust line shown in FIG. 1.
FIG. 4 is a graph for explaining data under specific process conditions by the process condition database shown in FIG. 3.
5 is a graph illustrating correction temperature data based on the fouling correction database shown in FIG. 3.
6 is a diagram schematically showing a state in which an exhaust line powder deposition state monitoring device according to another embodiment of the present invention is installed.
FIG. 7 is a diagram illustrating a state in which a sensor is installed in the apparatus for monitoring a powder deposition state in an exhaust line shown in FIG. 6.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 설치된 반도체 제조설비의 개략적인 구성이 블록도로서 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 반도체 제조설비는 다양한 공정가스를 이용한 반도체 제조공정이 진행되는 공정챔버(C)와, 공정챔버(C)에서 발생한 잔류가스를 배출시키기 위한 진공펌프(V)와, 공정챔버(C)와 진공펌프(V)를 연결하는 연결관(D1)과, 진공펌프(V)에 의해 공정챔버(C)로부터 배출되는 배기가스를 처리하는 스크러버(S)와, 진공펌프(V)와 스크러버(S)를 연결하는 배기관(D2)과, 배기관(D2) 상에 설치되어서 배기가스로부터 파우더를 포집하는 트랩(A)과, 본 발명의 일 실시예에 따른 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(100)를 포함한다. 본 발명에서 배기라인은 공정챔버에서 발생한 잔류가스가 배출되는 라인을 의미하며, 도 1에서는 배기 방향을 따라서 연속되는 연결관(D1), 진공펌프(V), 배기관(D2), 스크러버(S) 및 배기관(D2)에 설치되는 트랩(A)을 포함한다. 도 1에 도시된 실시예에서는 트랩(A)이 배기관(D2) 상에 설치되는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 연결관(D1)에 설치될 수도 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 본 발명의 특징은 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(100)로서, 도 1에 도시된 반도체 제조설비에서 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(100)를 제외한 나머지 구성들인 공정챔버(C), 진공펌프(V), 연결관(D1), 스크러버(S), 배기관(D2) 및 트랩(A)는 본 발명과 관련된 통상의 기술범위 내에서 변경되고 수정될 수 있다.1 is a block diagram showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing facility equipped with an exhaust line powder deposition state monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the semiconductor manufacturing equipment includes a process chamber (C) in which a semiconductor manufacturing process using various process gases proceeds, a vacuum pump (V) for discharging residual gas generated in the process chamber (C), and a process chamber. (C) a connecting pipe (D1) connecting the vacuum pump (V), a scrubber (S) that treats exhaust gas discharged from the process chamber (C) by the vacuum pump (V), and a vacuum pump (V) And an exhaust pipe (D2) connecting the scrubber (S), a trap (A) installed on the exhaust pipe (D2) to collect powder from exhaust gas, and a powder deposition state monitoring apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. ). In the present invention, the exhaust line means a line through which residual gas generated in the process chamber is discharged, and in FIG. 1, a connection pipe (D1), a vacuum pump (V), an exhaust pipe (D2), and a scrubber (S) are continuous along the exhaust direction. And a trap (A) installed in the exhaust pipe (D2). In the embodiment shown in Fig. 1, the trap A is described as being installed on the exhaust pipe D2, but it may be installed on the connecting pipe D1, and this is also within the scope of the present invention. A feature of the present invention is an exhaust line powder deposition state monitoring device 100, which is a process chamber (C) and a vacuum pump (V) other than the powder deposition state monitoring device 100 in the semiconductor manufacturing facility shown in FIG. , The connection pipe (D1), the scrubber (S), the exhaust pipe (D2) and the trap (A) can be changed and modified within the scope of the ordinary technical related to the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(100)는 트랩(A)에 설치되는 온도 센서(110)와, 온도 센서(110)로부터 측정된 온도값을 분석하여 트랩(A)에 포집되어 쌓인 파우더의 두께를 산출하는 분석 모듈(120)을 구비한다.The exhaust line powder deposition state monitoring apparatus 100 according to an embodiment of the present invention analyzes a temperature sensor 110 installed in the trap A and a temperature value measured from the temperature sensor 110 to obtain a trap (A). It is provided with an analysis module 120 for calculating the thickness of the powder collected and accumulated.

도 2에는 트랩(A)에 온도 센서(110)가 설치된 상태가 도시되어 있다. 도 2를 참조하면, 트랩(A)은 포집된 파우더(P)가 쌓이는 파우더 퇴적 공간(10)을 구비한다. 파우더 퇴적 공간(10)은 연직방향과 직각을 이루는 바닥(11)과, 바닥(11)의 가장자리로부터 상방 수직으로 연장되는 측벽(12)에 의해 형성된다. 온도 센서(110)는 트랩(A)의 외부에 부착되어서 설치되는데, 파우더 퇴적 공간(10)의 바닥(11) 중앙부에 대응하여 위치하도록 설치된다. 본 실시예에서는 온도 센서(110)가 트랩(A)의 외부에 설치되는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 트랩(A)의 내부 즉 바닥(11)의 내면에 설치될 수도 있으며 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 즉, 온도 센서(110)는 트랩(A)의 파우더 퇴적 공간(10)의 바닥(11) 내면에 위치하거나 바닥(11)의 내면보다 바깥으로 더 멀어지게 위치할 수 있다. 온도 센서(110)는 온도 센서(110)가 설치되는 위치의 온도를 측정하며 그에 대응하는 전기적 신호를 분석 모듈(120)로 전달한다. 온도 센서(110)에 의해 측정되는 온도는 파우더 퇴적 공간(10)에 쌓이는 파우더(P)의 두께(d)가 증가함에 따라 감소하게 되는데, 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(100)는 이러한 현상을 기초로 트랩(A)에 포집되어 쌓인 파우더(P)의 두께(d)를 산출하게 된다. 퇴적 공간(10)의 바닥(11)에는 파울링(fouling)(F)이 형성되는데, 파울링(F)에 의해 온도 센서(110)에 의해 측정되는 온도가 감소하며, 시간이 증가함에 따라 파울링(F)에 의한 측정 온도의 감소 정도는 증가하게 된다. 온도 센서(110)에 의해 측정되는 온도는 가스 종류 등의 공정 조건에 따라서도 달라지게 된다.2 shows a state in which the temperature sensor 110 is installed in the trap A. Referring to Figure 2, the trap (A) is provided with a powder deposition space (10) in which the collected powder (P) is accumulated. The powder deposition space 10 is formed by a floor 11 perpendicular to the vertical direction and a side wall 12 extending vertically upward from the edge of the floor 11. The temperature sensor 110 is installed by being attached to the outside of the trap (A), and is installed so as to be located corresponding to the center of the floor 11 of the powder deposition space 10. In this embodiment, the temperature sensor 110 is described as being installed outside of the trap A, but unlike this, it may be installed inside the trap A, that is, on the inner surface of the floor 11, and this is also within the scope of the present invention. Belong. That is, the temperature sensor 110 may be located on the inner surface of the floor 11 of the powder deposition space 10 of the trap A or may be located farther outward than the inner surface of the floor 11. The temperature sensor 110 measures a temperature at a location where the temperature sensor 110 is installed and transmits an electrical signal corresponding thereto to the analysis module 120. The temperature measured by the temperature sensor 110 decreases as the thickness d of the powder P accumulated in the powder deposition space 10 increases, and the exhaust line powder deposition state monitoring device 100 prevents this phenomenon. As a basis, the thickness d of the powder P collected and accumulated in the trap A is calculated. A fouling (F) is formed on the floor 11 of the sedimentary space 10, and the temperature measured by the temperature sensor 110 decreases due to the fouling (F), and as time increases, fouling The degree of decrease of the measured temperature by the ring F increases. The temperature measured by the temperature sensor 110 also varies according to process conditions such as gas type.

도 3에는 도 1에 도시된 분석 모듈(120)의 구성이 블록도로서 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 분석 모듈(120)은 온도 센서(110)와 통신하여 온도 센서(110)로부터 온도 신호를 수신하는 통신부(121)와, 파우더(P)의 두께(d) 산출을 위한 데이터(123, 124)가 저장된 메모리부(123)와, 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더(P)의 두께(d)를 추정한 두께 추정값(da)을 산출하는 산출부(127)를 구비한다.3 is a block diagram illustrating the configuration of the analysis module 120 shown in FIG. 1. Referring to FIG. 3, the analysis module 120 communicates with the temperature sensor 110 to receive a temperature signal from the temperature sensor 110, and the data for calculating the thickness d of the powder P A memory unit 123 in which (123, 124) is stored, and a calculation unit 127 that calculates a thickness estimate value (d a ) that estimates the thickness (d) of the powder P deposited in the deposition space 10 do.

통신부(121)는 온도 센서(110)로부터 온도 신호를 수신하여 산출부(127)로 전달한다. 통신부(121)는 유선 또는 무선 통신을 이용하여 온도 센서(110)로부터 온도를 수신할 수 있다.The communication unit 121 receives a temperature signal from the temperature sensor 110 and transmits it to the calculation unit 127. The communication unit 121 may receive a temperature from the temperature sensor 110 using wired or wireless communication.

메모리부(123)에는 트랩(A)의 파우더 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더의 두께(d)를 산출하기 위해 퇴적된 파우더 두께(d)별 온도 데이터인 기본 데이터(124)와, 파울링(도 2의 F)의 형성 상태를 고려하기 위한 보정 데이터인 파울링 보정 데이터(125)가 저장되어 있다.The memory unit 123 includes basic data 124, which is temperature data for each powder thickness d, to calculate the thickness d of the powder deposited in the powder deposition space 10 of the trap A, and fouling. Fouling correction data 125, which is correction data for taking into account the formation state of (FIG. 2F), is stored.

기본 데이터(123)는 퇴적된 파우더 두께(도 2의 d)별 온도 데이터이다. 기본 데이터베이스(123)는 데이터는 반복된 실험을 통해 얻어지며, 퇴적된 파우더 두께(도 2의 d)별 온도 데이터의 일 예가 도 4의 그래프로 도시되어 있다. 도 4를 참조하면, 파우더 두께(도 2의 d)가 증가함에 따라 온도 센서(도 2의 110)에 의해 측정되는 온도값은 감소한다. 온도 센서(도 2의 110)에 의해 측정되는 온도는 가스 종류 등의 공정 조건에 따라서도 달라지게 되므로, 파우더 두께별 온도 데이터는인 기본 데이터(123)는 가스 종류를 포함하는 공정 조건에 따라서도 분류된다.The basic data 123 is temperature data for each deposited powder thickness (d in FIG. 2). The data in the basic database 123 is obtained through repeated experiments, and an example of temperature data for each deposited powder thickness (d in FIG. 2) is shown in the graph of FIG. 4. Referring to FIG. 4, as the powder thickness (d in FIG. 2) increases, the temperature value measured by the temperature sensor (110 in FIG. 2) decreases. Since the temperature measured by the temperature sensor (110 in FIG. 2) varies depending on the process conditions such as the type of gas, the basic data 123 for each powder thickness is also depending on the process conditions including the gas type. Classified.

파울링 보정 데이터(125)는 파울링(도 2의 F)의 형성 상태를 고려하기 위한 보정 데이터이다. 파울링 보정 데이터(125)는 온도 센서(도2의 110)로부터 측정되는 온도는 시간이 경과함에 따라 파울링에 의해 감소하는 현상을 반영하기 위한 것이다. 파울링 보정 데이터(125)는 반복된 실험을 통해 얻어지는 값으로서, 파울링(F)에 의한 온도 보정 데이터의 일 예를 보여주는 그래프가 도 5에 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 파울링 보정 데이터(125)는 시간(t)이 지남에 따라 보정 온도(Ta)가 증가하는 보정 데이터를 제공한다.The fouling correction data 125 is correction data for considering the formation state of fouling (FIG. 2F). The fouling correction data 125 is for reflecting a phenomenon in which the temperature measured by the temperature sensor (110 in FIG. 2) decreases due to fouling over time. The fouling correction data 125 is a value obtained through repeated experiments, and a graph showing an example of temperature correction data due to fouling F is shown in FIG. 5. Referring to FIG. 5, the fouling correction data 125 provides correction data in which the correction temperature T a increases over time t.

도시되지는 않았으나, 메모리부(123)에는 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더(P)의 두께(d)를 추정한 두께 추정값(da)을 산출하는 산출 프로그램도 저장된다. 메모리부(123)에 저장된 산출 프로그램은 분석 모듈(120)을 구성하는 마이크로프로세서(미도시)에 의해 실행된다.Although not shown, the memory unit 123 also stores a calculation program for calculating a thickness estimation value d a obtained by estimating the thickness d of the powder P deposited in the deposition space 10. The calculation program stored in the memory unit 123 is executed by a microprocessor (not shown) constituting the analysis module 120.

산출부(127)는 온도 센서(도 2의 110)에서 측정된 온도를 기초로 메모리부(123)에 저장된 기본 데이터(124)인 파우더 두께별 온도 데이터 및 파울링 보정 데이터(125)를 이용하여 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더(P)의 두께(d)를 추정한 두께 추정값(da)을 산출한다. 산출부(127)는 하드웨어적으로 분석 모듈(120)을 구성하고 메모리부(123)에 저장된 산출 프로그램을 실행하는 마이크로프로세(미도시)에 의해 구현된다. 산출부(127)가 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더(P)의 두께(d)를 추정한 두께 추정값(da)을 산출하는 과정을 예로 들어 설명하면 다음과 같다.The calculation unit 127 uses the powder thickness-specific temperature data and fouling correction data 125, which are basic data 124 stored in the memory unit 123, based on the temperature measured by the temperature sensor (110 in FIG. 2). A thickness estimation value (d a ) obtained by estimating the thickness (d) of the powder P deposited in the deposition space 10 is calculated. The calculation unit 127 is implemented by a microprocessor (not shown) that configures the analysis module 120 in hardware and executes a calculation program stored in the memory unit 123. A process in which the calculation unit 127 calculates the thickness estimate value d a obtained by estimating the thickness d of the powder P deposited in the deposition space 10 will be described as follows.

온도 센서(110)에 의해 측정된 측정 온도(Tm)가 통신부(121)를 통해 산출부(127)로 전달된다. 산출부(127)는 온도 센서(110)에서 측정된 측정 온도(Tm)에 기반하여 먼저 기본 데이터(123)를 이용하여 측정 온도(Tm)에 대응하는 기본 두께(d0)를 선정한다(도 4 참조). 다음, 산출부(127)는 파울링 보정 데이터(125)를 이용하여 트랩(A)의 가동 시간(t1)에 대응하는 보정 온도(Ta1)를 선택(도 5 참조)한 후, 선택된 보정 온도(ΔTa1)를 측정 온도(Tm)에 더하여 보정 측정 온도(Tma)를 선정한다(도 4 참조). 산출부(127)는 보정 측정 온도(Tma)에 대응하는 두께(da)를 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더(P)의 두께(d)를 추정한 두께 추정값(da)으로 산출한다.The measured temperature T m measured by the temperature sensor 110 is transmitted to the calculation unit 127 through the communication unit 121. The calculation unit 127 first selects a basic thickness d 0 corresponding to the measurement temperature T m using the basic data 123 based on the measurement temperature T m measured by the temperature sensor 110 (See Fig. 4). Next, the calculation unit 127 selects a correction temperature (T a 1) corresponding to the operation time t1 of the trap A using the fouling correction data 125 (see FIG. 5), and then selects the selected correction. A correction measurement temperature (T ma ) is selected by adding the temperature (ΔT a 1) to the measurement temperature (T m ) (see FIG. 4). The calculation unit 127 calculates the thickness (d a ) corresponding to the corrected measurement temperature (T ma ) as a thickness estimation value (d a ) that estimates the thickness (d) of the powder P deposited in the deposition space 10 do.

도시되지는 않았으나, 배기관(D2) 내의 온도를 측정하는 내부 온도 센서가 더 구비되고, 내부 온도 센서에 측정된 온도와 외부에서 온도를 측정하는 온도 센서(110)에서 측정된 외부 온도의 차이를 기초로 산출부(127)는 파우더(P)의 두께(d)를 산출할 수도 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 또한, 분석부(120)는 온도 센서(110)에서 측정되는 온도에 영향을 주는 배기가스의 유량 데이터도 추가로 수신할 수 있으며, 이 경우 유량 데이터, 내부 온도 센서 및 온도 센서(110)를 함께 이용하여 파우더(P)의 두께(d)를 산출하거나, 유량 데이터와 온도 센서(110)를 이용하여 파우더(P)의 두께(d)를 산출할 수도 있는데, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.Although not shown, an internal temperature sensor for measuring the temperature inside the exhaust pipe D2 is further provided, based on the difference between the temperature measured by the internal temperature sensor and the external temperature measured by the temperature sensor 110 measuring the temperature from the outside The furnace calculation unit 127 may calculate the thickness d of the powder P, which is also within the scope of the present invention. In addition, the analysis unit 120 may additionally receive flow rate data of exhaust gas that affects the temperature measured by the temperature sensor 110, and in this case, the flow rate data, the internal temperature sensor, and the temperature sensor 110 The thickness (d) of the powder (P) may be calculated using the flow rate data and the temperature sensor 110, and the thickness (d) of the powder (P) may be calculated, which is also within the scope of the present invention. .

상기 실시예에서는 센서(110)가 온도 센서인 것으로 설명하였지만, 이와는 열유속(heat flux)을 측정하는 히트 플럭스 센서(heat flux sensor)가 설치되어서 사용될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 센서(110)로서 히트 플럭스 센서가 사용되는 경우, 기본 데이터(124)와 파울링 보정 데이터(125)도 이에 대응하여 열유속에 대한 데이터가 사용된다. 히트 플럭스 센서가 사용되는 경우에도, 온도 센서를 사용하는 경우와 마찬가지로 배기가스의 유량 데이터 및 배기관 내부의 열유속을 측정하는 센서가 함께 활용될 수도 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.Although it has been described that the sensor 110 is a temperature sensor in the above embodiment, a heat flux sensor for measuring a heat flux may be installed and used, and this is also within the scope of the present invention. When a heat flux sensor is used as the sensor 110, the basic data 124 and the fouling correction data 125 also correspond to this, and the data on the heat flux is used. Even when a heat flux sensor is used, as in the case of using a temperature sensor, a sensor for measuring the flow rate data of exhaust gas and the heat flux inside the exhaust pipe may be used together, and this also falls within the scope of the present invention.

상기 실시예에서는 센서(110)가 트랩(A)에 설치되어서 트랩(A)의 파우더 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더의 두께(d)를 산출하는 것으로 설명하였으나, 이와는 달리 연결관(D1) 또는 배기관(D2) 상에서 파우더과 쉽게 퇴적되는 위치에 설치되어서 관 내에 파우더가 쌓인 정도를 파악하는 것에 사용될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.In the above embodiment, it has been described that the sensor 110 is installed in the trap A to calculate the thickness d of the powder deposited in the powder deposition space 10 of the trap A, but unlike this, the connection pipe D1 Alternatively, it may be installed on the exhaust pipe D2 at a position where powder is easily deposited and used to determine the degree of powder accumulation in the pipe, which is also within the scope of the present invention.

도 6과 도 7에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치의 구성이 도시되어 있다. 도 6과 도 7을 참조하면, 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(200)는 광센서(210)와, 광센서(210)로부터의 신호를 이용하여 배관(D)에 설치된 트랩(A)에 퇴적되는 파우더(P)의 퇴적 높이(h)가, 설정 높이(H)에 도달했는지 여부를 판단하는 판단부(220)를 구비한다. 광센서(210)는 측벽(12)에서 설정 높이(H)에 대응하는 위치에 설치되는 발광부(211)와 수광부(213)를 구비한다. 본 실시예에서는 발광부(211)와 수광부(213)가 서로 마주보도록 위치하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 모두 동일한 방향을 향하도록 동일한 측면에 위치할 수 있으며, 이 경우 발광부에서 조사된 광은 반대편의 측면으로부터 반사되어서 수광부에 의해 검출될 수 있다. 파우더(P)의 퇴적 높이(h)가 설정 높이(H)에 도달하기 전까지는 수광부(213)에 의해 광이 검출되며, 파우더(P)의 퇴적 높이(h)가 설정 높이(H)에 도달한 후에는 수광부(213)에 의해 광이 검출되지 않게 된다. 판단부(220)는 광센서(200)의 수광부(213)를 통해 광을 검출하며, 광이 검출되는 경우에는 파우더(P)의 퇴적 높이(h)가 설정 높이(H)에 도달하지 않은 것으로 판단하고, 광이 검출되지 않는 경우에 파우더(P)의 퇴적 높이(h)가 설정 높이(H)에 도달한 것으로 판단한다.6 and 7 illustrate the configuration of an exhaust line powder deposition state monitoring apparatus according to another embodiment of the present invention. 6 and 7, the exhaust line powder deposition state monitoring device 200 is deposited in a trap A installed in a pipe D using a signal from the optical sensor 210 and the optical sensor 210. It is provided with a determination unit 220 that determines whether the accumulation height (h) of the powder (P) has reached the set height (H). The optical sensor 210 includes a light-emitting part 211 and a light-receiving part 213 installed at a position corresponding to the set height H on the side wall 12. In this embodiment, it is described that the light-emitting unit 211 and the light-receiving unit 213 are positioned to face each other, but, unlike this, both may be positioned on the same side to face the same direction. In this case, the light irradiated from the light-emitting unit is opposite. It can be reflected from the side of the light receiving unit and detected. Light is detected by the light receiving unit 213 until the deposition height h of the powder P reaches the set height H, and the deposition height h of the powder P reaches the set height H. After that, light is not detected by the light receiving unit 213. The determination unit 220 detects light through the light receiving unit 213 of the optical sensor 200, and when the light is detected, it is determined that the deposition height h of the powder P has not reached the set height H. When the light is not detected, it is determined that the accumulation height h of the powder P has reached the set height H.

상기 실시예에서는 발광부(211)와 수광부(213)가 모두 설정 높이(H)에 위치하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 발광부(211)와 수광부(213) 중 하나만 설정 높이(H)에 위치해도 동일한 효과를 얻을 수 있고, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.In the above embodiment, it is described that both the light-emitting unit 211 and the light-receiving unit 213 are located at the set height H, but unlike this, even if only one of the light-emitting unit 211 and the light receiving unit 213 is located at the set height H The same effect can be obtained, and this also falls within the scope of the present invention.

이상 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 실시예는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정되거나 변경될 수 있으며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 이러한 수정과 변경도 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.Although the present invention has been described through the above embodiments, the present invention is not limited thereto. The above embodiments may be modified or changed without departing from the spirit and scope of the present invention, and those skilled in the art will recognize that such modifications and changes also belong to the present invention.

100, 200 : 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치
110 : 센서 120 : 분석부
121 : 통신부 123 : 메모리부
124 : 기본 데이터 125 : 파울링 보정 데이터
127 : 산출부 210 : 광센서
220 : 판단부100, 200: Exhaust line powder deposition status monitoring device
110: sensor 120: analysis unit
121: communication unit 123: memory unit
124: basic data 125: fouling correction data
127: calculation unit 210: optical sensor
220: judgment unit

Claims (10)

반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서,
상기 배기라인 상에 설치되는 온도 센서; 및
상기 온도 센서에서 측정된 측정 온도를 기초로 상기 배기라인에서 상기 온도 센서가 설치된 위치에 퇴적된 파우더의 두께를 추정하여 산출하는 분석부를 포함하며,
상기 분석부는 퇴적된 파우더 두께별 온도 데이터인 기본 데이터가 저장된 메모리부와, 상기 기본 데이터로부터 상기 측정 온도에 대응하는 파우더 두께를 산출하는 산출부를 구비하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.As a device that monitors the deposition state of powder in the exhaust line where the exhaust gas generated in the process chamber of a semiconductor manufacturing facility is discharged,
A temperature sensor installed on the exhaust line; And
And an analysis unit for calculating and estimating the thickness of the powder deposited at the location where the temperature sensor is installed in the exhaust line based on the measured temperature measured by the temperature sensor,
The analysis unit is an exhaust line powder deposition state monitoring apparatus including a memory unit in which basic data, which is temperature data for each deposited powder thickness, is stored, and a calculator configured to calculate a powder thickness corresponding to the measured temperature from the basic data. 청구항 1에 있어서,
상기 온도 센서는 상기 파우더의 트랩에 설치되는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.The method according to claim 1,
The temperature sensor is an exhaust line powder deposition state monitoring device installed in the trap of the powder. 청구항 1에 있어서,
상기 메모리부에는 상기 온도 센서를 덮는 파울링에 의해 상기 측정 온도가 낮아지는 현상을 보정하기 위한 보정 온도 정보를 포함하는 파울링 보정 데이터가 더 저장되며,
상기 산출부는 상기 기본 데이터에서 상기 보정 온도를 상기 측정 온도에 더하여 계산된 보정 측정 온도에 대응하는 두께값은 파우더의 두께 추정값으로 산출하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.The method according to claim 1,
The memory unit further stores fouling correction data including correction temperature information for correcting a phenomenon in which the measurement temperature is lowered due to fouling covering the temperature sensor,
The calculation unit is an exhaust line powder deposition state monitoring device that calculates a thickness value corresponding to the corrected measurement temperature calculated by adding the correction temperature to the measurement temperature from the basic data as an estimated thickness of the powder. 청구항 1에 있어서,
상기 온도 센서는 배관 또는 파우더를 포집하는 트랩에 설치되는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.The method according to claim 1,
The temperature sensor is an exhaust line powder deposition state monitoring device installed in a pipe or a trap for collecting powder. 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서,
상기 배기라인 상에 설치되어서 열유속을 측정하는 히트 플럭스 센서; 및
상기 히트 플럭스 센서에서 측정된 측정 열유속을 기초로 상기 배기라인에서 상기 히트 플럭스 센서가 설치된 위치에 퇴적된 파우더의 두께를 추정하여 산출하는 분석부를 포함하며,
상기 분석부는 퇴적된 파우더 두께별 열유속 데이터인 기본 데이터가 저장된 메모리부와, 상기 기본 데이터로부터 상기 측정 열유속에 대응하는 파우더 두께를 산출하는 산출부를 구비하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.As a device that monitors the deposition state of powder in the exhaust line where the exhaust gas generated in the process chamber of a semiconductor manufacturing facility is discharged,
A heat flux sensor installed on the exhaust line to measure heat flux; And
And an analysis unit that estimates and calculates the thickness of the powder deposited at the location where the heat flux sensor is installed in the exhaust line based on the measured heat flux measured by the heat flux sensor,
The analysis unit is an exhaust line powder deposition state monitoring apparatus including a memory unit in which basic data, which is heat flux data for each accumulated powder thickness, is stored, and a calculator for calculating a powder thickness corresponding to the measured heat flux from the basic data. 청구항 5에 있어서,
상기 히트 플럭스 센서는 상기 파우더의 트랩에 설치되는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.The method of claim 5,
The heat flux sensor is an exhaust line powder deposition state monitoring device installed in the trap of the powder. 청구항 5에 있어서,
상기 메모리부에는 상기 히트 플럭스 센서를 덮는 파울링에 의해 상기 측정 열유속이 낮아지는 현상을 보정하기 위한 보정 열유속 정보를 포함하는 파울링 보정 데이터가 더 저장되며,
상기 산출부는 상기 기본 데이터에서 상기 보정 열유속을 상기 측정 열유속에 더하여 계산된 보정 측정 열유속에 대응하는 두께값은 파우더의 두께 추정값으로 산출하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.The method of claim 5,
The memory unit further stores fouling correction data including corrected heat flux information for correcting a phenomenon in which the measured heat flux is lowered due to fouling covering the heat flux sensor,
The calculation unit is an exhaust line powder deposition state monitoring device for calculating a thickness value corresponding to the corrected measured heat flux calculated by adding the corrected heat flux to the measured heat flux from the basic data as an estimated thickness of the powder. 청구항 5에 있어서,
상기 히트 플럭스 센서는 배관 또는 파우더를 포집하는 트랩에 설치되는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.The method of claim 5,
The heat flux sensor is an exhaust line powder deposition state monitoring device installed in a pipe or a trap for collecting powder. 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 상에 설치되어서 파우더를 포집하는 트랩 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서,
발광부와 상기 발광부에서 조사되는 광을 검출하는 수광부를 구비하고 상기 트랩 내에서 퇴적되는 파우더의 높이 방향 어느 한 위치에 설치되는 광센서; 및
상기 수광부를 통해 광을 검출하여 상기 트랩 내에서 퇴적되는 파우더의 높이가 설정 높이에 도달하였는지를 판단하는 판단부를 포함하며,
상기 발광부와 상기 수광부 중 적어도 하나는 상기 설정 높이에 위치하는,
배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.A device that monitors the deposition state of powder in a trap that collects powder by being installed on an exhaust line through which exhaust gas generated from the process chamber of a semiconductor manufacturing facility is discharged,
An optical sensor having a light-emitting part and a light-receiving part for detecting light irradiated from the light-emitting part, and installed at any one position in the height direction of the powder deposited in the trap; And
And a determination unit that detects light through the light receiving unit and determines whether the height of the powder deposited in the trap reaches a set height,
At least one of the light-emitting part and the light-receiving part is located at the set height,
Exhaust line powder deposition status monitoring device. 삭제delete
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Families Citing this family (1)

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CN117000705B (en) * 2023-10-07 2024-01-12 湖北江城芯片中试服务有限公司 Pipeline dust treatment device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100455782B1 (en) 2001-12-05 2004-11-06 주성엔지니어링(주) Semiconductor device manufacturing apparatus in which cold trap part is improved
KR100812965B1 (en) * 2003-12-12 2008-03-11 동부일렉트로닉스 주식회사 A Loading Amount Measurement Apparatus of Powder in Pump Exhaust Line and The Measurement Method
KR20060089532A (en) * 2005-02-04 2006-08-09 삼성전자주식회사 Semiconductor manufacturing equipment
KR20070029325A (en) * 2005-09-09 2007-03-14 삼성전자주식회사 Apparatus and method for treating substrates
KR20170028526A (en) * 2015-09-04 2017-03-14 주식회사 에스씨티 Ash Air Conveying System

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102404654B1 (en) 2021-02-04 2022-05-31 이재훈 Apparatus for monitoring state of powder deposition in gas exhausting line for semiconductor production facility

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