KR102160211B1 - Oes 장치를 포함하는 플라즈마 장치 및 전극 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치가 개시된다. 상기 플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치는 플라즈마 발생부; 상기 플라즈마 발생부로 가스를 주입하는 가스 주입구; 상기 플라즈마 발생부에서 상기 가스 주입구 측에 위치하는 투시창; 및 상기 투시창을 통해 들어오는 빛을 OES 센서로 전달하도록 구성된 수광부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치 및 전극{A plasma device and electrode with OES devices}
본 발명은 플라즈마 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마를 진단하기 위한 플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치에 관한 것이다.
플라즈마 공정은 반도체의 집적도가 높아짐에 따른 선폭 미세화에 필요한 공정이며, 현재는 반도체 및 디스플레이 패널 생산에서의 식각 및 증착 공정을 포함하여 각종 표면처리공정 등에 폭넓게 사용되고 있다.
그런데 플라즈마를 이용한 공정의 난이도가 계속 증가함에 따라, 공정 진행 중 반응기의 상태 변화 양상에 대한 정확한 파악이 중요해졌으며, 또한 공정의 재현성 확보 및 공정조건의 안전성 확보에 대한 필요성이 커지고 있다.
이러한 요구들을 달성하기 위해서는 기판 위의 박막에 직접적으로 영향을 주는 플라즈마의 특성을 파악하는 것이 필수적이며, 이를 위해 여러 종류의 방법들이 사용되고 있다.
일반적으로 플라즈마의 물리적, 화학적 상태는 반응기의 형태, 반응기 내의 압력, 주입 가스, 인가된 전압 및 공정 진행 상황 등 다양한 변수들의 영향을 받아 결정된다. 이러한 다양한 변수들로 인하여, 공정 진행이 완료된 기판에 대하여 임의적인 표본을 추출하여 조사하는 것으로는 공정 진행에 최적인 조건을 구하기가 어려운 상황이다. 따라서 적절한 진단 도구를 이용하여 플라즈마의 물리적, 화학적 상태변화를 파악하고, 이를 통해서 플라즈마 반응기 내에서 실제로 발생하는 현상을 이해할 수 있을 때 정확한 공정 제어가 가능하다.
플라즈마의 실시간 진단을 위해 사용되는 기술로서 빛 방출 분석 방법(optical emission spectroscopy, OES)이 있다.
일 예로, OES를 이용하는 기술로서, 등록특허 제10-1700391호 "펄스 플라즈마의 고속 광학적 진단 시스템"이 있다. 이 특허는 플라즈마로부터의 광신호를 수광하는 검출창이 챔버의 측면에 배치되어 있다. 따라서, 검출창이 챔버 내로 공급되는 공정가스 및 반응 부산물 등에 쉽게 노출되어 있으며, 이에 의해 검출창이 쉽게 오염되어서 플라즈마의 진단 오차가 증가하는 문제가 있었다.
이와 같이 종래 대부분의 OES 센서를 이용하는 플라즈마의 진단 기술은 플라즈마로부터의 빛을 수광하는 검출창 또는 투시창이 쉽게 오염되는 문제가 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 플라즈마로부터의 빛을 수광하는 투시창의 오염을 현저히 감소시키고, 이에 의해 플라즈마의 진단 오차가 감소되어서 플라즈마 진단이 효율적으로 이루어질 수 있도록 한 플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치는 플라즈마 발생부; 상기 플라즈마 발생부로 가스를 주입하는 가스 주입구; 상기 플라즈마 발생부에서 상기 가스 주입구 측에 위치하는 투시창; 및 상기 투시창을 통해 들어오는 빛을 OES 센서로 전달하도록 구성된 수광부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 플라즈마 발생부는 제1 전극; 상기 제1 전극과 마주하여 이격된 제2 전극; 및 상기 제1 및 제2 전극 사이에 플라즈마가 발생하도록 전압을 인가하는 전압인가수단을 포함하며, 상기 가스 주입부 및 상기 투시창은 상기 제2 전극측에 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 전극은 상기 제2 전극의 아래에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 전극은 다수의 제1 관통홀을 포함하고, 상기 가스주입구를 통해 주입되는 가스는 상기 제1 관통홀을 통해 상기 제1 전극 측으로 주입되며, 상기 플라즈마로부터의 빛은 상기 제1 관통홀을 통해 상기 플라즈마의 반대측으로 전달되고, 상기 투시창은 상기 반대측에 설치되어 상기 제1 관통홀을 통해 전달된 빛을 수광하도록 설치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 전극 주위를 에워싸고 상기 반대측으로 연장된 측벽부; 및 상기 반대측에서 상기 측벽부를 덮고 상기 제2 전극와 이격되며, 둘 이상의 제2 관통홀을 포함하는 배면층을 포함하고, 상기 가스 주입구는 상기 배면층의 제2 관통홀을 통해 구성되고, 상기 투시창은 상기 배면층의 제2 관통홀에 설치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 전극의 제1 관통홀의 전부 또는 일부와 상기 배면층의 제2 관통홀의 전부 또는 일부가 동축상에 위치되어 있을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 OES 센서는 상기 제2 전극의 제1 관통홀과 동축으로 위치한 상기 배면층의 제2 관통홀에 설치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 전극의 제1 관통홀은 입사되는 빛을 시준(collimating)하도록 일정 길이를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 전극의 제1 관통홀의 내면은 빛을 시준(collimating)하도록 광 특성을 가질 수 있다. 바람직하게는 제1 관통홀의 내면의 광 특성은 잔광을 제거하기 위한 빛 흡수 특성을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공간 진단용 전극은 다른 하나의 전극과 마주하게 배치되어서 상기 다른 하나의 전극과의 사이에 플라즈마를 형성하며, 상기 플라즈마로부터의 빛을 상기 플라즈마의 반대측으로 전달시키기 위한 다수의 제1 관통홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 플라즈마 공간 진단용 전극은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치의 제2 전극에 해당한다.
일 실시예에서, 상기 플라즈마 공간 진단용 전극은 상기 플라즈마 공간 진단용 전극 주위를 에워싸고 상기 플라즈마의 반대측으로 연장된 측벽부 및 상기 반대측에서 상기 측벽부를 덮고 상기 플라즈마 공간 진단용 전극과 이격되며 둘 이상의 제2 관통홀을 포함하는 배면층으로 둘러 싸여 있고, 상기 배면층의 둘 이상의 제2 관통홀 중 일부에는 OES 센서가 설치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 플라즈마 공간 진단용 전극의 제1 관통홀의 전부 또는 일부는 상기 배면층의 제2 관통홀의 전부 또는 일부와 동축상에 위치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 배면층의 제2 관통홀에는 상기 플라즈마로부터의 빛을 수광하는 투시창이 설치되고, 상기 제1 관통홀은 상기 플라즈마로부터 입사되는 빛을 상기 투시창을 향해 시준하도록 일정 길이를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 배면층의 제2 관통홀에는 상기 플라즈마로부터의 빛을 수광하는 투시창이 설치되고, 상기 제1 관통홀의 내면은 상기 플라즈마로부터 입사되는 빛을 상기 투시창을 향해 시준하도록 광 특성을 가질 수 있다. 바람직하게는 제1 관통홀의 내면의 광 특성은 잔광을 제거하기 위한 빛 흡수 특성을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 플라즈마를 형성하기 위한 가스는 상기 배면층 측에서 주입되고, 상기 플라즈마 공간 진단용 전극은 제1 관통홀을 통해 가스를 상기 배면층의 반대측으로 주입되도록 할 수 있다.
본 발명의 장치는, 투시창 오염을 방지할 수 있기 때문에 투시창 오염으로 인한 광진단 시 투시창의 사용에 따른 수광되는 빛의 세기 감소 특성을 방지할 수 있다.
또한, 대면적 전극에 대한 공간 분포 특성을 직관적으로 진단할 수 있다.
그리고, OES 센서로 수광되는 빛의 수광 효율이 증대되고, 투시창 오염으로 인한 빛 신호의 왜곡이 감소되기 때문에 OES 빛 신호를 통한 플라즈마 진단 오차가 감소될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 공간 진단OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치는 플라즈마 발생부(110), 가스 주입구(120), 투시창(130) 및 OES 센서(140)를 포함한다.
플라즈마 발생부(110)는 플라즈마를 발생시키기 위한 구성들의 그룹을 의미한다. 플라즈마 발생부(110)는 제1 전극(111), 제2 전극(112), 전압인가수단(113)을 포함한다.
제1 전극(111)과 제2 전극(112)은 서로 마주하여 일정 거리 이격된다. 일 예로, 제1 전극(111)은 제2 전극(112)의 아래에 위치한다.
제2 전극(112)은 다수의 제1 관통홀(1121)을 포함한다. 제2 전극(112)에 형성되는 다수의 제1 관통홀(1121)은 생성되는 플라즈마 반경 전체에 걸쳐 분포하는 개수로 구비될 수 있다.
전압인가수단(113)은 제1 전극(111) 및 제2 전극(112) 사이에 플라즈마가 발생하도록 제1 전극(111) 및 제2 전극(112)에 전압을 인가한다. 일 예로, 제1 전극(111)은 제2 전극(112)의 아래에 위치하고, 전압인가수단(113)은 제2 전극(112)에 전원을 인가한다.
이러한 플라즈마 발생부(110)는 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마 발생을 위해 전압인가수단(113)은 제1 전극(111) 및 제2 전극(112)에 전압을 인가하며, 가스 주입구(120)로부터 주입되는 가스는 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)을 통해 제1 전극(111) 방향으로 주입된다. 이에 의해, 플라즈마는 제1 전극(111) 및 제2 전극(112) 사이에 형성된다.
한편, 플라즈마 발생부(110)의 제2 전극(112)은 측벽부(150) 및 배면층(160)으로 둘러싸여 있다. 측벽부(150)는 제2 전극(112) 주위를 에워싸고 플라즈마의 반대측으로 연장된다. 즉, 측벽부(150)는 제2 전극(112)의 두께보다 높다. 배면층(160)은 플라즈마의 반대측 즉, 측벽부(150)의 상단부에서 측벽부(150)를 덮고 제2 전극(112)과 이격되게 배치된다. 배면층(160)은 둘 이상의 제2 관통홀(161)을 포함한다. 배면층(160)의 제2 관통홀(161)은 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)과 동일 개수로 구비될 수 있다. 배면층(160)의 제2 관통홀(161)의 전부 또는 일부는 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)의 전부 또는 일부와 동축상에 위치한다. 일 예로, 배면층(160)의 제2 관통홀(161)의 전부는 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)의 전부와 동축상에 위치할 수 있다. 여기서 배면층과 제2 전극, 측벽부는 모두 금속재질로 전기적으로 연결되어 있다. OES 센서와 연결되는 투시창은 재질적으로 절연체이긴 하지만, 투시창을 바라보는 광섬유는 배면층에 고정되어 있는 구조일 경우 전기적으로 절연이 될 필요가 있다. 배면층과 OES 센서 사이의 전기적 절연을 위한 절연체가 설치될 수 있다. 상기 측벽부에 광신호를 수광하기 위한 관통홀이 설치될 수 있다.
가스 주입구(120)는 플라즈마 발생부(110)로 가스를 주입한다. 가스 주입구(120)는 배면층(160)의 제2 관통홀(161)을 통해 구성된다. 예를 들어, 가스 주입구(120)는 배면층(160)의 둘 이상의 제2 관통홀(161) 중 어느 하나가 가스 주입구로 이용될 수 있고, 또는 배면층(160)의 둘 이상의 제2 관통홀(161) 중 어느 하나에 가스 주입을 위한 배관을 삽입하여 구성될 수도 있다. 이러한 가스 주입구(120)는 가스를 제1 전극(111) 방향으로 주입한다. 일 예로, 가스는 통상적으로 플라즈마 형성을 위해 사용되는 아르곤(Ar) 등의 가스일 수 있다.
투시창(130)은 플라즈마 발생부(110)에서 가스 주입구(120) 측에 위치한다. 상기 투시창은 전기적으로 절연되어야 한다. 이때, 투시창(130)은 배면층(160)의 제2 관통홀(161)에 설치되어서 플라즈마의 반대측에 배치된다. 이러한 투시창(130)에는 플라즈마로부터 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)을 통해 플라즈마의 반대측으로 전달되는 플라즈마로부터의 빛을 수광한다.
OES(Optical Emission Spectroscopy) 센서(140)는 투시창(130)을 통해서 투과되는 플라즈마로부터의 빛을 직접 또는 광섬유(170)를 통해 수광한 후 분광하여 플라즈마의 상태 및 변화 등을 측정하는 센서이다. OES 센서(140)는 플라즈마로부터의 빛을 수광하기 위해 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)과 동축으로 위치한 배면층(160)의 제2 관통홀(161)에 설치된다. OES 센서는 투시창에 연결된 광섬유를 통해 플라즈마 빛 신호를 감지한다. OES 센서는 분광기, 광증폭기, CCD 센서 등이 사용될 수 있다. 다수의 관통홀로부터 수광되는 빛 신호들은 동시에 또는 순차적으로 광센서에 받아들일 수 있다. 광센서는 하나 또는 다수의 광센서로 구성될 수 있으며, 하나의 광센서로 구성될 경우, 관통홀에 따른 빛 신호의 경로를 교체하는 광스위치를 포함할 수 있다.
OES 센서(140)를 통해 플라즈마로부터의 빛의 분석 효율을 증가시키기 위해서는 OES 센서(140)에서 수광되는 플라즈마로부터의 빛이 OES 센서(140)를 향해 지향성을 갖도록 시준(collimation)하는 것이 바람직하다. 이를 위해, 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)은 플라즈마로부터 입사되는 빛을 시준하도록 일정 길이를 가지며, 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)의 내면은 빛을 시준하도록 광 특성을 갖는다. 일 예로, 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)의 내면에는 빛 흡수 재료가 코팅되어 잔광을 제거하도록 할 수 있다. 제1 관통홀(1121)의 길이에는 특별한 제한은 없으며, 제1 관통홀(1121)의 길이는 플라즈마로부터 입사되는 빛을 시준할 수 있는 길이로 당업자에 의해 다양하게 설정될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치에서 플라즈마의 형성 및 플라즈마로부터의 빛이 OES 센서(140)에 수광되는 과정을 설명한다.
플라즈마 형성을 위해, 가스 주입구(120)로부터 가스가 주입되고, 플라즈마 발생부(110)의 전압인가수단(113)을 통해 고전압이 제2 전극(112)에 인가된다. 가스 주입구(120)에서 주입되는 가스는 배면층(160)의 제2 관통홀(161)측에서 주입되어 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)을 통해 제1 전극(111)측으로 주입된다. 이와 같이, 제2 전극(112)에 고전압이 인가되고 제1 전극(111)측으로 가스가 주입되는 것에 의해 제1 전극(111) 및 제2 전극(112) 사이에 플라즈마가 형성된다.
플라즈마가 형성되면 플라즈마로부터 플라즈마의 빛이 플라즈마의 반대측 즉, 배면층(160) 방향으로 전달된다. 이때, 플라즈마로부터의 빛은 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)을 통과하여 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)과 동축상에 위치하는 배면층(160)의 제2 관통홀(161)을 향해 전달되고, 배면층(160)의 제2 관통홀(161)에 설치된 투시창(130)에 수광된다. 투시창(130)에 수광된 빛은 배면층(160)의 제2 관통홀(161)에 설치되어 투시창(130)의 위로 배치되는 광섬유(170)를 통해 OES 센서(140)에 수광되며, OES 센서(140)는 수광된 빛을 분석한다.
한편, 플라즈마로부터의 빛은 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)을 통과할 때 시준된다. 즉, 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)은 플라즈마로부터의 빛을 시준할 수 있도록 일정 길이를 갖고, 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)의 내면은 광 특성을 가지도록 구성되어 있어서 플라즈마로부터의 빛이 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)을 통과할 때 배면층(160)의 제2 관통홀(161) 방향으로 지향성을 갖도록 시준될 수 있다. 따라서, 플라즈마로부터의 빛이 투시창(130)에 효율적으로 수광될 수 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치는 OES 진단을 위해 플라즈마로부터의 빛을 수광하는 투시창(130)이 배면층(160)의 제2 관통홀(161) 내에 설치되고, 가스 주입구(120) 역시 배면층(160)의 제2 관통홀(161)을 통해 설치되어서, 가스 주입구(120)로부터 주입되는 가스의 주입 방향이 배면층(160)의 반대측 즉, 제1 전극(111) 방향으로 진행하므로 투시창의 오염을 야기하는 가스 및 반응 부산물의 투시창으로의 이동을 공급 가스가 억제할 수 있기 때문에 가스 및 반응 부산물로 인한 투시창(130)의 오염이 최소화된다. 따라서, OES 센서(140)에 의한 플라즈마로부터 빛의 진단에 대한 오차를 현저히 감소시킬 수 있다.
또한, 플라즈마로부터의 빛은 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)을 통과하여 배면층(160)의 제2 관통홀(161)을 향해 진행하게 되는데, 이때 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)은 입사되는 빛을 시준하도록 일정 길이를 갖고 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)의 내면은 흡수 특성을 가지므로 플라즈마로부터의 빛은 제2 전극(112)의 제1 관통홀(1121)을 통과할 때 배면층(160)의 제2 관통홀(161) 직경 범위 내에 시준되고, 이에 따라 투시창(130)에 수광되는 플라즈마로부터의 빛의 특정 공간에 대한 수광 효율이 증대되고, OES 센서(140)에서의 빛의 분석 오차가 더욱 감소할 수 있다.
제시된 실시예들에 대한 설명은 임의의 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변형들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그리하여, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 여기에 제시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위에서 해석되어야 할 것이다.

Claims (15)

  1. 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하여 이격되고 다수의 제1 관통홀을 포함하는 제2 전극, 및 상기 제1 및 제2 전극 사이에 플라즈마가 발생하도록 전압을 인가하는 전압인가수단을 포함하는, 플라즈마 발생부;
    상기 플라즈마 발생부로 가스를 주입하는 가스 주입구;
    상기 플라즈마 발생부에서 상기 가스 주입구 측에 위치하는 투시창;
    상기 투시창을 통해 들어오는 빛을 OES 센서로 전달하도록 구성된 수광부;
    상기 제2 전극 주위를 에워싸고 상기 플라즈마의 반대측으로 연장된 측벽부; 및
    상기 반대측에서 상기 측벽부를 덮고 상기 제2 전극과 이격되며, 둘 이상의 제2 관통홀을 포함하는 배면층을 포함하고,
    상기 가스 주입구는 상기 배면층의 제2 관통홀을 통해 구성되어 상기 가스 주입구를 통해 주입되는 가스는 상기 제2 전극의 제1 관통홀을 통해 상기 제1 전극측으로 주입되고,
    상기 제2 전극의 제1 관통홀의 전부 또는 일부와 상기 배면층의 제2 관통홀의 전부 또는 일부가 동축상에 위치되어 있으며,
    상기 투시창 및 상기 수광부는 상기 제2 전극의 제1 관통홀과 동축으로 위치한 상기 배면층의 제2 관통홀에 설치됨을 특징으로 하는,
    플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 제1 관통홀은 입사되는 빛을 시준(collimating)하도록 일정 길이를 가짐을 특징으로 하는,
    플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 제1 관통홀의 내면은 빛을 시준(collimating)하도록 광 특성을 가짐을 특징으로 하는,
    플라즈마 공간 진단 OES 장치를 포함하는 플라즈마 장치.
  10. 다른 하나의 전극과 마주하게 배치되어서 상기 다른 하나의 전극과의 사이에 플라즈마를 형성하며, 상기 플라즈마로부터의 빛을 상기 플라즈마의 반대측으로 전달시키기 위한 다수의 제1 관통홀을 포함하고,
    상기 플라즈마의 반대측으로 연장된 측벽부 및 상기 반대측에서 상기 측벽부를 덮고 둘 이상의 제2 관통홀을 포함하는 배면층으로 둘러 싸여 있고,
    상기 배면층의 둘 이상의 제2 관통홀 중 일부에는 OES 센서가 설치되고,
    상기 제1 관통홀의 전부 또는 일부는 상기 배면층의 제2 관통홀의 전부 또는 일부와 동축상에 위치하며,
    상기 제2 관통홀에는 상기 플라즈마로부터의 빛을 수광하는 투시창이 설치되고,
    상기 플라즈마를 형성하기 위한 가스는 상기 배면층 측에서 주입되고,
    상기 제1 관통홀을 통해 가스를 상기 배면층의 반대측으로 주입되도록 하는 것을 특징으로 하는,
    플라즈마 공간 진단용 전극.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 관통홀은 상기 플라즈마로부터 입사되는 빛을 상기 투시창을 향해 시준하도록 일정 길이를 가짐을 특징으로 하는,
    플라즈마 공간 진단용 전극.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1 관통홀의 내면은 상기 플라즈마로부터 입사되는 빛을 상기 투시창을 향해 시준하도록 광 특성을 가짐을 특징으로 하는,
    플라즈마 공간 진단용 전극.
  15. 삭제
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