KR102154857B1 - A Temperature measuring method of the melt in solution growth method - Google Patents

A Temperature measuring method of the melt in solution growth method Download PDF

Info

Publication number
KR102154857B1
KR102154857B1 KR1020180133187A KR20180133187A KR102154857B1 KR 102154857 B1 KR102154857 B1 KR 102154857B1 KR 1020180133187 A KR1020180133187 A KR 1020180133187A KR 20180133187 A KR20180133187 A KR 20180133187A KR 102154857 B1 KR102154857 B1 KR 102154857B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
melt
measuring
crucible
solution growth
Prior art date
Application number
KR1020180133187A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200050299A (en
Inventor
정성민
이명현
배시영
신윤지
Original Assignee
한국세라믹기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국세라믹기술원 filed Critical 한국세라믹기술원
Priority to KR1020180133187A priority Critical patent/KR102154857B1/en
Publication of KR20200050299A publication Critical patent/KR20200050299A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102154857B1 publication Critical patent/KR102154857B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G01K1/143Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations for measuring surface temperatures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Abstract

본 발명은 용액성장법에서 융체의 온도 측정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상부종자용액성장법을 시행하기 위하여 도가니에 성장원료 용융액을 수용하는 단계; 상기 용융액상에 구조물을 부유시키는 단계; 상기 용융액을 가열하여 구조물 표면의 온도를 측정하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 용액성장법에서 융체의 온도 측정 방법을 제공한다.
이상과 같은 본 발명에 따르면, 상부종자용액성장법에서 용융액 표면에 그라파이트 소재의 구조물을 설치하여 용융액으로부터 열전도를 받아 발색하는 그라파이트 소재의 바닥면의 온도를 측정함으로써 용융액 표면의 온도를 최소 오차범위내에서 측정할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
The present invention relates to a method for measuring the temperature of a melt in a solution growth method, and more particularly, a step of receiving a growth material melt in a crucible to implement the upper seed solution growth method; Floating the structure on the molten liquid; It provides a method for measuring the temperature of the melt in the solution growth method comprising; heating the melt to measure the temperature of the surface of the structure.
According to the present invention as described above, in the upper seed solution growth method, a structure of graphite material is installed on the surface of the melt, and the temperature of the bottom surface of the graphite material that develops color by receiving heat conduction from the melt is measured. You can expect an effect that can be measured at

Description

용액성장법에서 융체의 온도 측정 방법{A Temperature measuring method of the melt in solution growth method}A temperature measuring method of the melt in solution growth method

본 발명은 용액성장법에서 융체의 온도 측정 방법에 관한 것으로서, 용액성장법의 수행 과정에서 공기 중에 노출된 표면의 온도를 최소한의 오차 범위에서 측정하는 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 상부종자용액성장법을 시행하기 위하여 도가니에 성장원료 용융액을 수용하는 단계; 상기 용융액상에 구조물을 부유시키는 단계; 상기 용융액을 가열하여 구조물 표면의 온도를 측정하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 용액성장법에서 융체의 온도 측정 방법을 제공한다.The present invention relates to a method for measuring the temperature of a melt in a solution growth method, and to a method for measuring the temperature of a surface exposed to air in the process of performing the solution growth method within a minimum error range, and more particularly, to a method for measuring the temperature of a melt. Receiving a growth material melt in a crucible to implement a growth method; Floating the structure on the molten liquid; It provides a method of measuring the temperature of the melt in the solution growth method comprising; heating the melt to measure the temperature of the surface of the structure.

SiC 단결정 성장을 위한 상부종자용액성장법(Top seeded solution growth)은 고품질의 종자 결정을 그라파이트 재질의 수직축에 부착한 후 용융액에 침전시켜서 결정을 성장하는 초크랄스키법과 유사하다.Top seeded solution growth for SiC single crystal growth is similar to the Czochralski method in which high-quality seed crystals are attached to a vertical axis of graphite and then precipitated in a melt to grow crystals.

용액성장법은 대체로 성장로 상하부에 각각 파이로메터기(pyrometer)를 장착하여 흑체복사 원리를 통해 도가니 최하단부와 용융액 표면을 동시에 측정할 수 있도록 하는데, 이는 실제 성장이 발생하고 또한 직접적인 영향을 미치는 핫존의 온도분포 및 온도구배를 측정하여 정상적인 결정성장에 요구되는 조건을 적절히 제어하기 위한 것이다. In the solution growth method, a pyrometer is installed at the top and bottom of the growth furnace to measure the bottom of the crucible and the surface of the melt at the same time through the principle of blackbody radiation.This is a hot zone where actual growth occurs and has a direct effect. It is to properly control the conditions required for normal crystal growth by measuring the temperature distribution and temperature gradient of.

성장로 상부에 장착된 파이로메터기는 대체로 용액의 표면 온도를 발열색을 통해 흑체복사 원리로 측정할 수 있는데, 고온에서 완전히 용융된 액체의 표면은 거울과 같아서 용융액 상부를 단열하는 그라파이트 덮개 또는 그라파이트 단열재 등 색이 검은 물질의 상이 관찰하는 각도에 따라서 반사되는 경우가 발생되기 때문에 용융액 표면의 온도를 간접적으로 나타내는 발열색이 불균일하게 보일 수 있으며, 결과적으로 파이로메터기로 용융액 표면의 온도 측정시 측정 위치에 따라서 온도 편차가 매우 크게 발생하는 문제를 초래할 수 있다. The pyrometer mounted on the top of the growth furnace can generally measure the surface temperature of the solution using the principle of blackbody radiation through the heating color.The surface of the liquid completely melted at high temperature is like a mirror, so a graphite cover or graphite that insulates the upper part of the melt. Since the color of the insulation material is reflected according to the observed angle, the heating color that indirectly indicates the temperature of the melt may appear uneven.As a result, it is measured when measuring the temperature of the melt surface with a pyrometer. Depending on the location, it may cause a problem that the temperature deviation is very large.

실제 측정 결과, 위치에 따라 발색이 백색광에 가까운 가장 밝은 영역에서 가장 어두운 영역 대비로 최대 200℃ 이상의 차이가 발생하는 것으로 알려져 있다. As a result of actual measurement, it is known that a difference of up to 200°C or more occurs in the brightest area close to white light depending on the location compared to the darkest area.

따라서, 이와 같이 온도편차가 매우 크게 발생되는 경우에는 정상적인 결정성장에 요구되는 조건을 제어하기 어려우며, 이 경우 단결정의 품질에 좋지 못한 영향을 미칠 수 있다는 문제점이 있다. Therefore, when the temperature deviation is very large, it is difficult to control the conditions required for normal crystal growth, and in this case, there is a problem that it may adversely affect the quality of the single crystal.

한편, 대한민국등록특허 제1339147호에서는 "잉곳 제조 장치"를 개시하고 있는데, 본 선행기술은 도가니 측면의 온도를 측정하여 용액의 온도를 간접적으로 유추하는 것으로서 노출이 거의 없는 용액 상부를 통해 온도를 측정할 수 없기 때문에 도가니 측면을 감싸는 실드에 홀을 만들고 그 틈으로 온도를 측정하는 장치, 즉, 도가니 외부면을 감싸는 실드에 온도 측정부 역할을 하는 홀 구조를 만들고, 구조물 내부로 가스 침투를 막는 부재(브라켓, 투명창 등)에 대한 기술적 사상을 제시하고 있다. 동 선행기술과 같이 도가니 측면의 온도를 측정하는 방식은 석영과 같이 도가니가 원료의 일부로 이용되지 않는 결정 용액성장시 가능한 방식이며, 도가니가 주 원료의 일부로 소모되는 단결정 성장의 경우에서는 차용되기 어려운 문제점이 있다. Meanwhile, Korean Patent No. 1339147 discloses an "ingot manufacturing apparatus". This prior art indirectly infers the temperature of the solution by measuring the temperature of the side of the crucible, and measures the temperature through the top of the solution with little exposure. A device that creates a hole in the shield surrounding the side of the crucible and measures the temperature through the gap, that is, a member that creates a hole structure that acts as a temperature measuring part in the shield surrounding the outer surface of the crucible, and prevents gas penetration into the structure. It presents technical ideas for (brackets, transparent windows, etc.). The method of measuring the temperature at the side of the crucible as in the prior art is a method that is possible when growing a crystal solution in which the crucible is not used as a part of the raw material, such as quartz, and it is difficult to borrow in the case of single crystal growth where the crucible is consumed as part of the main raw material. There is this.

대한민국공개특허 제2012-0149792호Korean Patent Publication No. 2012-0149792 대한민국등록특허 제1339147호Korean Patent Registration No. 1339147

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 용융액 표면에 그라파이트 소재의 구조물을 설치하여 용융액으로부터 열전도를 받아 발색하는 그라파이트 소재의 바닥면의 온도를 측정함으로써 용융액 표면의 온도를 최소 오차범위내에서 측정할 수 있는 용액성장법에서 융체의 온도 측정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was conceived to solve the above-described problems, and the present invention minimizes the temperature of the melt surface by measuring the temperature of the bottom surface of the graphite material to be colored by receiving heat conduction from the melt by installing a structure of graphite material on the surface of the melt. It is an object of the present invention to provide a method for measuring the temperature of a melt in a solution growth method that can be measured within an error range.

또한, 본 발명은 구조물을 통해 용액 상부 온도를 측정하는 것으로서 용융액 상부 온도를 최소 오차범위로 측정함으로써 용융액 상하부 온도차를 결정성장에 유리한 조건으로 유지 및 제어하도록 하는 용액성장법에서 융체의 온도를 측정하는 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention is to measure the upper temperature of the solution through the structure, by measuring the upper temperature of the melt to a minimum error range, to measure the temperature of the melt in the solution growth method to maintain and control the temperature difference between the upper and lower parts of the melt under conditions favorable for crystal growth. It has a different purpose to provide a method.

본 발명은 상대적으로 간접열 발생정도가 적어서 도가니 부식 정도가 미비한 도가니 하단부~상부에 노출된 용융액 표면부의 온도를 측정하는 것을 기본으로 한다.The present invention is based on measuring the temperature of the molten liquid surface exposed to the lower part to the upper part of the crucible, where the degree of indirect heat generation is relatively low and the degree of corrosion of the crucible is insufficient.

본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여, 상부종자용액성장법을 시행하기 위하여 도가니에 성장원료 용융액을 수용하는 단계; 상기 용융액상에 구조물을 부유시키는 단계; 상기 용융액을 가열하여 구조물 표면의 온도를 측정하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 용액성장법에서 융체의 온도 측정 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of receiving a growth raw material melt in a crucible in order to implement the upper seed solution growth method; Floating the structure on the molten liquid; It provides a method of measuring the temperature of the melt in the solution growth method comprising; heating the melt to measure the temperature of the surface of the structure.

상기 구조물은 그라파이트 구조물인 것이 바람직하다.It is preferable that the structure is a graphite structure.

상기 용융액상에 부유된 그라파이트 구조물은 보트의 형태인 것이 바람직하다.It is preferable that the graphite structure suspended on the molten liquid is in the form of a boat.

상기 용융액상에 부유된 구조물 표면의 온도 측정시 온도 측정 지점은 상기 구조물과 상기 용융액이 접하는 영역과 인접한 지점인 것이 바람직하다.When measuring the temperature of the surface of the structure suspended on the molten liquid, the temperature measurement point is preferably a point adjacent to a region where the structure and the molten liquid are in contact.

상기 구조물 표면의 온도를 측정하는 단계; 이후에, 상기 구조물 표면의 동일 지점에 대한 온도를 반복해서 측정하고, 발열이 가장 강한 밝은색의 온도를 동일한 횟수만큼 반복해서 측정한 후 그 평균오차를 도출하여 저장하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.Measuring the temperature of the surface of the structure; Thereafter, the step of repeatedly measuring the temperature of the same point on the surface of the structure, repeatedly measuring the temperature of the brightest color with the strongest heat generation the same number of times, and then deriving and storing the average error; desirable.

상기 평균오차를 도출하여 저장하는 단계; 이후에 상기 평균오차를 기준으로 하여, 향후 측정된 구조물의 온도로부터 용융액 표면의 온도를 보정하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.Deriving and storing the average error; Then, based on the average error, the step of correcting the temperature of the melt surface from the temperature of the structure measured in the future; it is preferable to further include.

또한, 본 발명은 전술한 바와 같이 용융액 표면의 온도를 측정하기 위하여 보트 형상으로 마련되는 것을 특징으로 하는 용융액 표면 온도 측정용 구조물을 제공한다.In addition, the present invention provides a structure for measuring the temperature of the melt surface, characterized in that it is provided in a boat shape to measure the temperature of the melt surface as described above.

이상과 같은 본 발명에 따르면, 상부종자용액성장법에서 용융액 표면에 그라파이트 소재의 구조물을 설치하여 용융액으로부터 열전도를 받아 발색하는 그라파이트 소재의 바닥면의 온도를 측정함으로써 용융액 표면의 온도를 최소 오차범위내에서 측정할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.According to the present invention as described above, in the upper seed solution growth method, a structure of graphite material is installed on the surface of the melt, and the temperature of the bottom surface of the graphite material that develops color by receiving heat conduction from the melt is measured. You can expect an effect that can be measured at

또한, 본 발명은 구조물을 통해 용액 상부 온도를 측정하는 것으로서 용융액 상부 온도를 최소 오차범위로 측정함으로써 용융액 상하부 온도차를 결정성장에 유리한 조건으로 유지 및 제어하도록 하는 효과를 기대할 수 있다.In addition, the present invention is to measure the upper temperature of the solution through the structure, by measuring the upper temperature of the melt to a minimum error range, it can be expected the effect of maintaining and controlling the temperature difference between the upper and lower parts of the melt in favorable conditions for crystal growth.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 보트형태의 구조물을 용융액에 부유시킨 것을 나타내는 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 보트형태의 구조물을 용융액에 부유시킨상태의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 도가니의 내부 요입홈의 실시형태를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 도가니 내측에 형성되는 구조물의 실시형태를 나타내는 도면이다.
1 is a photograph showing that a boat-shaped structure according to an embodiment of the present invention is suspended in a melt.
Figure 2 is a schematic diagram of a state in which a boat-shaped structure according to an embodiment of the present invention is suspended in a melt.
3 is a view showing an embodiment of an inner concave groove of a crucible according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing an embodiment of a structure formed inside a crucible according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 하기의 설명에서는 본 발명의 실시예에 따른 동작을 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흐트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, it should be noted that only parts necessary to understand the operation according to the embodiments of the present invention will be described, and descriptions of other parts will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Terms or words used in the present specification and claims described below should not be construed as being limited to a conventional or dictionary meaning, and the inventor is appropriate as a concept of terms in order to describe his own invention in the best way. It should be interpreted as a meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention on the basis of the principle that it can be defined. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are only the most preferred embodiments of the present invention, and do not represent all the technical ideas of the present invention, and thus various equivalents that can replace them at the time of the present application It should be understood that there may be water and variations.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 보트(190)형태의 구조물을 용융액에 부유시킨 것을 나타내는 사진이다. 다만, 용융액이 모두 고화되고 난 이후에 도가니(110)를 상하로 절단하여 단면을 나타내었다. 1 is a photograph showing that a structure in the form of a boat 190 according to an embodiment of the present invention is suspended in a melt. However, after all the melt was solidified, the crucible 110 was cut up and down to show a cross section.

도시된 바와 같이, 보트(190)형태의 구조물은 용융액상에 부유된 상태로 존재하였으며, 따라서 구조물의 온도를 측정하기 용이하게 구성되었다. As shown, the structure in the form of a boat 190 existed in a suspended state in a molten liquid, and thus, it was easily configured to measure the temperature of the structure.

이와 같은 보트(190)형태의 구조물을 사용했는지의 여부에 따라서 용융액 표면온도를 측정하였으며, 이를 아래 표로 나타내었다. The melt surface temperature was measured according to whether or not such a boat 190-type structure was used, and this is shown in the table below.

일련번호Serial Number 보트(190) 사용여부Whether to use boat (190) 용융액 표면온도(℃)Melt surface temperature (℃) 도가니(110) 하부온도(℃)Temperature at the bottom of the crucible 110 (℃) 1One ×× 1700~19201700~1920 1904~19071904-1907 22 (1) 1810
(2) 1955
(3) 1960
(1) 1810
(2) 1955
(3) 1960
33 (1) 1770
(2) 1969
(3) 1977
(1) 1770
(2) 1969
(3) 1977

여기서, (1)은 용융액 표면에서 상대적으로 어두운 영역의 온도를,(2) 그라파이트 보트(190)의 바닥 온도를,(3) 그라파이트 보트(190) 바깥 용융액 표면 중에서 가장 백색광에 가까운 영역의 온도를 각각 나타낸다. Here, (1) is the temperature of the relatively dark area on the surface of the melt, (2) the temperature of the bottom of the graphite boat 190, and (3) the temperature of the area closest to white light among the surface of the melt outside the graphite boat 190 Respectively.

위 표로부터 알 수 있는 바와 같이, 그라파이트 보트(190) 구조물을 사용하기 전에 측정된 용융액 표면 온도는 최저 1700℃, 최고 1920℃로서, 약 220℃의 편차를 나타내어 측정 온도의 신뢰도가 매우 낮았다. As can be seen from the table above, the melt surface temperature measured before using the graphite boat 190 structure was a minimum of 1700° C. and a maximum of 1920° C., showing a deviation of about 220° C., so the reliability of the measurement temperature was very low.

그러나, 그라파이트 보트(190) 구조물을 사용한 경우에는 그라파이트 보트(190) 구조물 바닥 온도 ~ 용융액 표면 중에서 가장 백색광에 가까운 영역간의 온도차이 약 5℃(최대 8℃)에 불과하였다.However, when the graphite boat 190 structure was used, the temperature difference between the bottom temperature of the graphite boat 190 structure and the area closest to the white light among the melt surface was only about 5°C (maximum 8°C).

즉, 그라파이트 소재의 구조물을 이용하여 용융액 표면의 온도 편차를 측정한 결과, 구조물 표면에서는 측정 위치에 따른 온도편차가 거의 없었으며, 용융액의 자유 표면(발열이 가장 강한 밝은색 영역) 온도와 비교했을 때에도 매우 적은 온도차를 보이는 것으로 보아, 그라파이트 구조물을 사용하여 간접적으로 용융액 표면 온도를 측정하는 것이 효과적인 방법임이 입증되었다. That is, as a result of measuring the temperature deviation of the surface of the melt using a structure made of graphite material, there was almost no temperature deviation according to the measurement location on the structure surface, and it was compared with the temperature of the free surface of the melt (the brightest color region). Even when the temperature difference was very small, it was proved to be an effective method to measure the melt surface temperature indirectly using a graphite structure.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 보트형태의 구조물을 용융액에 부유시킨상태의 모식도이다.Figure 2 is a schematic diagram of a state in which a boat-shaped structure according to an embodiment of the present invention is suspended in a melt.

도시된 바와 같이, 본 발명의 온도측정은 예를 들어 보트(190)의 내부까지 열전대(170)를 연장시켜 시행한다. 보트(190)는 결정시드(150)가 부착된 지지봉(130)과 도가니(110)의 사이에 위치한다. As shown, the temperature measurement of the present invention is performed by extending the thermocouple 170 to the inside of the boat 190, for example. The boat 190 is positioned between the support rod 130 to which the crystal seed 150 is attached and the crucible 110.

한편, 본 발명의 온도 측정 과정은 아래와 같다. Meanwhile, the temperature measurement process of the present invention is as follows.

본 발명의 용융액 표면 온도 측정방법은 전체적으로, 상부종자용액성장법을 시행하기 위하여 도가니(110)에 성장원료 용융액을 수용하는 단계; 상기 용융액상에 구조물을 띄우거나 상기 도가니(110)의 내측에 설치하는 단계; 상기 용융액을 가열하여 구조물 표면의 온도를 측정하는 단계;를 포함하여 구성된다.The method of measuring the surface temperature of the melt of the present invention comprises the steps of: receiving the melted growth material in the crucible 110 in order to perform the upper seed solution growth method; Floating a structure on the molten liquid or installing it inside the crucible (110); And measuring the temperature of the structure surface by heating the melt.

도가니(110)에 실리콘 등 용융액 기본 금속재료를 채운 후 그 위에 그라파이트 보트(190) 구조물을 얹어두고 고온으로 가열하면 구조물이 밀도차이에 의해 용융액 밑으로 가라앉지 않고 표면에 부유하였다. When the crucible 110 was filled with a basic metal material such as a molten liquid, and then a graphite boat 190 structure was placed on it and heated to a high temperature, the structure floated on the surface without sinking under the melt due to the difference in density.

이 때, 구조물의 무게가 무겁지 않게 도가니(110) 규격 및 용융액 밀도를 고려하여 크기를 결정해야 하며, 또한 구조물의 벽 두께가 너무 두텁지 않도록 해야하지만, 너무 얇으면 오히려 용융액과 반응하여 깨질 수 있으니 적정 두께를 갖도록 고려해야 한다. 바람직한 두께범위로는 보트(190) 형태의 구조물의 경우 벽면 및 바닥면의 두께가 3mm ~ 7mm이며, 3mm 미만의 경우에는 용융액(융체)과 접하는 바닥면이 용융액에 의하여 부식되어 천공이 발생되며, 7mm를 초과하는 경우에는 보트(190)의 중량으로 인하여 쉽게 가라앉게되므로 위 수치는 그 임계적 의의가 있다.At this time, the size of the structure should be determined in consideration of the crucible 110 standard and the melt density so that the weight of the structure is not heavy, and the wall thickness of the structure should not be too thick, but if it is too thin, it may be broken by reacting with the melt. It should be considered to have an appropriate thickness. As a preferable thickness range, in the case of the boat 190-shaped structure, the thickness of the wall and the bottom surface is 3mm to 7mm, and in the case of less than 3mm, the bottom surface in contact with the melt (melt) is corroded by the melt, resulting in perforation, If it exceeds 7mm, it is easily settled due to the weight of the boat 190, so the above figures have a critical significance.

한편, 용융액 표면온도 측정의 편의성을 제공하기 위하여 다음과 같은 단계를 더 부가할 수 있으며, 이는 제어수단 또는 컴퓨터 단말기 등을 이용하여 수행될 수 있다. Meanwhile, in order to provide convenience in measuring the surface temperature of the melt, the following steps may be further added, which may be performed using a control means or a computer terminal.

즉, 상기 구조물 표면의 온도를 측정하는 단계; 이후에, 상기 구조물 표면의 동일 지점에 대한 온도를 반복해서 측정하고, 발열이 가장 강한 밝은색의 온도를 동일한 횟수만큼 반복해서 측정한 후, 양 측정온도 각각에 대한 차이를 산출하고, 그 차이의 평균값을 도출하여 저장하는 단계;를 더 포함할 수 있다.That is, measuring the temperature of the surface of the structure; Thereafter, the temperature at the same point on the surface of the structure is repeatedly measured, and the temperature of the brightest color with the strongest heat is repeatedly measured the same number of times, and then the difference between the two measured temperatures is calculated, and the difference It may further include a step of deriving and storing the average value.

이후에, 상기 차이의 평균값을 도출하여 저장하는 단계; 이후에 상기 차이의 평균값을 기준으로 하여, 향후 측정된 구조물의 온도로부터 용융액 표면의 온도를 보정하는 단계;를 수행할 수 있다. After that, deriving and storing the average value of the difference; Thereafter, based on the average value of the difference, correcting the temperature of the melt surface from the measured temperature of the structure in the future; can be performed.

즉, 이와 같은 차이의 평균값을 저장하면, 향후에 구조물의 온도를 측정하였을 때, 용융액의 표면온도를 estimation할 수 있다. 물론, 보다 정확한 값을 측정하기 위해서는 위 단계를 거치지 않고 구조물의 표면온도와 용융액 표면의 발열이 가장 강한 밝은색의 온도를 측정하여 비교한 후 용융액 표면온도를 확정할 수도 있다. That is, if the average value of the difference is stored, the surface temperature of the melt can be estimated when the temperature of the structure is measured in the future. Of course, in order to measure a more accurate value, it is possible to determine the surface temperature of the melt after measuring and comparing the surface temperature of the structure and the temperature of the brightest color in which heat is generated on the surface of the melt without going through the above steps.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 도가니(110)의 실시형태를 나타내는 도면이다.3 is a diagram showing an embodiment of a crucible 110 according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 일반적인 보트(190) 형태로 제작될 수 있지만, 상기 보트(190) 형태의 구조물 상부 내면에 요입홈(120)이 형성되도록 할 수도 있다. 이와 같이 요입홈(120)을 형성하는 이유는 모세관 현상으로 인하여 구조물 바깥에서부터 용융액이 구조물 내부로 침범하는 경우를 방지하기 위함이다.As shown, although it may be manufactured in the form of a general boat 190, the concave groove 120 may be formed on the upper inner surface of the structure of the boat 190 shape. The reason for forming the concave groove 120 as described above is to prevent a case where the molten liquid invades into the structure from outside the structure due to the capillary phenomenon.

모세관 현상(capillary effect)은 유체와 고체사이 표면장력에 의해 발생하는 현상으로서, 유체 밀도가 낮을 수록, 점성(또는 응집력)이 약할수록 그 경향이 더 커질 수 있으며, 유체를 담고 있는 그라파이트 도가니(110) 표면이 거칠수록 유체가 도가니(110) 벽을 타고 오르는 현상이 적게 발생한다. The capillary effect is a phenomenon caused by the surface tension between a fluid and a solid, and the lower the fluid density, the weaker the viscosity (or cohesive force), the greater the tendency, and the graphite crucible containing the fluid 110 ) The rougher the surface, the less the phenomenon that the fluid climbs the crucible 110 wall.

본 발명의 용액은 실리콘을 기본으로 하는 화합물 융액(Si-Cr, Si-Fe, Si-Ti 등이 이에 해당할 수 있음)을 의미하는데, 이와 같은 화합물은 탄소와 화학적 반응을 잘 일으키는 물질로서, 그라파이트 도가니(110)를 식각하는 현상을 유발함과 동시에 도가니(110) 벽을 타고 수직 상승 이동하는 현상이 동반될 수 있다. The solution of the present invention refers to a silicon-based compound melt (Si-Cr, Si-Fe, Si-Ti, etc. may correspond to this), and such a compound is a material that causes a chemical reaction with carbon, A phenomenon of etching the graphite crucible 110 may be caused, and at the same time, a phenomenon of vertical upward movement along the wall of the crucible 110 may be accompanied.

이 때, 요입홈(120) 구조를 도가니(110) 상단부에 도입함으로써, 도가니(110) 벽을 타고 수직 상승 이동하는 유체의 흐름을 방해함과 동시에 여유공간 없이 정밀하게 짜맞춰져 있는 단열재 내부로 도가니(110)를 삽입하는 과정에서 손잡이 역할을 수행해줄 수 있다. At this time, by introducing the structure of the concave groove 120 to the upper end of the crucible 110, the flow of the fluid moving vertically up and up along the crucible 110 is prevented, and at the same time, the crucible is inserted into the insulator that is precisely framed without a free space. It can serve as a handle in the process of inserting (110).

요입홈(120)의 형태에서, 하단코너(120-2)는 90도의 각도를 가지되, 상단코너(120-1)는 대략 60도에서 최대 90도의 각도를 갖게끔 설계하는 것이 실험에 용이하다. 유체의 상승이동을 제어하는 요인은 상단부 코너의 각도와 밀접한 관계를 맺고 있는데, 상단부 각도가 90도이거나 90도보다 작을 경우(미도시), 도가니(110) 표면을 따라 상승이동하던 유체의 이동방향이 상단방향이 아닌 수평방향(또는 하단방향)으로 바뀌게 되므로, 이 ‹š 중력에 의하여 유체가 더 이상 상승하지 못하고 멈추거나 상승이동하는 에너지가 감소하도록 제어할 수 있다. 다만, 60도의 미만의 각도를 이루는 경우에는, 요임홈의 깊이가 얕아지며, 따라서 상승하던 유체가 요입홈(120)을 극복하여 더 상승할 수 있으므로, 요입홈(120)의 상단의 각도는 60도 ~ 90도의 범위에서 임계적 의의가 있다. In the shape of the concave groove 120, it is easy for the experiment to design the lower corner 120-2 to have an angle of 90 degrees, but the upper corner 120-1 to have an angle of approximately 60 degrees to a maximum of 90 degrees. . The factor that controls the upward movement of the fluid is closely related to the angle of the upper corner, and when the upper angle is 90 degrees or less than 90 degrees (not shown), the direction of movement of the fluid that was moving upward along the crucible 110 surface Since this is changed to the horizontal direction (or the lower direction) instead of the upper direction, the fluid can no longer rise due to this gravity, and the energy to stop or move upward can be controlled to decrease. However, in the case of achieving an angle of less than 60 degrees, the depth of the concave groove becomes shallow, and thus the rising fluid can overcome the concave groove 120 and rise further, so that the angle of the upper end of the concave groove 120 is 60 It has critical significance in the range of degrees to 90 degrees.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 도가니(110) 내측에 형성되는 구조물의 실시형태를 나타내는 도면이다.4 is a view showing an embodiment of a structure formed inside the crucible 110 according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 그라파이트 보트(190) 구조물을 추가 제작하지 않고, 도가니(110)의 내측으로 돌설되는 돌설물(210)을 제작한 후, 용융액 표면 대신 돌설물(210) 영역의 온도를 측정하여 용융액 표면온도를 간접적으로 측정할 수 있다. As shown, the graphite boat 190 structure is not additionally manufactured, and after the protrusion 210 protruding into the crucible 110 is manufactured, the temperature of the protrusion 210 area instead of the melt surface is measured. The melt surface temperature can be measured indirectly.

해당 돌설물(210)은 용융액에 침전되지 않는 적정 높이에 있어야 하며, 용융액 표면으로부터 최대한 가깝게 위치해야 하고, 실제 용융액 표면온도와 편차를 최소화하기 위해 적정한 두께로 제작되어야 한다.The protrusion 210 must be at an appropriate height not to settle in the melt, and must be located as close as possible from the surface of the melt, and must be manufactured with an appropriate thickness to minimize deviations from the actual melt surface temperature.

110 : 도가니 120 : 요입홈
130 : 지지봉 150 : 결정시드
170 : 열전대 190 : 보트
210 : 돌설물
110: crucible 120: concave groove
130: support rod 150: crystal seed
170: thermocouple 190: boat
210: stone snow

Claims (7)

상부종자용액성장법을 시행하기 위하여 도가니에 성장원료 용융액을 수용하는 단계;
상기 용융액상에 구조물을 부유시키는 단계;
상기 용융액을 가열하여 구조물 표면의 온도를 측정하는 단계;
를 포함하되,
상기 구조물은 보트이며,
상기 보트는 바닥면을 가지되, 그 반대면이 용융액과 면접하여 바닥면에서의 위치별 온도 편차를 측정할 수 있고,
상기 바닥면에서의 위치별
상기 구조물 표면의 온도를 측정하는 단계; 이후에, 상기 구조물 표면의 동일 지점에 대한 온도를 반복해서 측정하고, 발열이 가장 강한 밝은색의 온도를 동일한 횟수만큼 반복해서 측정한 후 그 평균오차를 도출하여 저장하는 단계;
상기 평균오차를 도출하여 저장하는 단계; 이후에 상기 평균오차를 기준으로 하여, 향후 측정된 구조물의 온도로부터 용융액 표면의 온도를 보정하는 단계;
를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 용액성장법에서 융체의 온도 측정 방법.
Receiving a growth raw material melt in a crucible to implement the upper seed solution growth method;
Floating the structure on the molten liquid;
Heating the melt to measure the temperature of the structure surface;
Including,
The structure is a boat,
The boat has a bottom surface, but the opposite side is interviewed with the melt to measure the temperature deviation for each location on the bottom surface,
By location on the floor
Measuring the temperature of the surface of the structure; Thereafter, measuring the temperature at the same point on the surface of the structure repeatedly, measuring the temperature of the brightest color with the strongest heat generation repeatedly the same number of times, and deriving and storing the average error;
Deriving and storing the average error; Thereafter, based on the average error, correcting the temperature of the melt surface from the temperature of the structure measured in the future;
Method for measuring the temperature of the melt in the solution growth method, characterized in that it is configured to further include.
제1항에 있어서,
상기 구조물은 그라파이트 구조물인 것을 특징으로 하는 용액성장법에서 융체의 온도 측정 방법.
The method of claim 1,
The method for measuring the temperature of the melt in the solution growth method, characterized in that the structure is a graphite structure.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 용융액상에 부유된 구조물 표면의 온도 측정시 온도 측정 지점은 상기 구조물과 상기 용융액이 접하는 영역과 인접한 지점인 것을 특징으로 하는 용액성장법에서 융체의 온도 측정 방법.


The method of claim 1,
When measuring the temperature of the surface of the structure suspended on the molten liquid, the temperature measurement point is a point adjacent to a region where the structure and the molten liquid are in contact with each other.


삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020180133187A 2018-11-01 2018-11-01 A Temperature measuring method of the melt in solution growth method KR102154857B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180133187A KR102154857B1 (en) 2018-11-01 2018-11-01 A Temperature measuring method of the melt in solution growth method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180133187A KR102154857B1 (en) 2018-11-01 2018-11-01 A Temperature measuring method of the melt in solution growth method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200050299A KR20200050299A (en) 2020-05-11
KR102154857B1 true KR102154857B1 (en) 2020-09-10

Family

ID=70729268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180133187A KR102154857B1 (en) 2018-11-01 2018-11-01 A Temperature measuring method of the melt in solution growth method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102154857B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000143388A (en) * 1998-11-02 2000-05-23 Mitsubishi Materials Silicon Corp Temperature measuring system of single crystal rod in pulling up apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06271395A (en) * 1993-03-17 1994-09-27 Hitachi Cable Ltd Production of compound semiconductor crystal
KR101339147B1 (en) 2012-01-02 2013-12-09 주식회사 엘지실트론 Apparatus for manufacturing ingot
KR20140080222A (en) * 2012-12-20 2014-06-30 주식회사 케이씨씨 Apparatus for growing sapphire single crystal

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000143388A (en) * 1998-11-02 2000-05-23 Mitsubishi Materials Silicon Corp Temperature measuring system of single crystal rod in pulling up apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200050299A (en) 2020-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7597756B2 (en) Device and method for the production of monocrystalline or multicrystalline materials, in particular multicrystalline silicon
EP0140509B1 (en) An lec method and apparatus for growing single crystal
KR100966182B1 (en) Method and apparatus for growing semiconductor crystals with a rigid support with carbon doping and resistivity control and thermal gradient control
JP6393705B2 (en) Melt gap measuring device, crystal growth device, and melt gap measuring method
JP4830312B2 (en) Compound semiconductor single crystal and manufacturing method thereof
EP2589687A1 (en) Crucible and method for the production of a (near ) monocrystalline semiconductor ingot
JP6238249B2 (en) Silicon carbide single crystal and method for producing the same
KR102154857B1 (en) A Temperature measuring method of the melt in solution growth method
JP6367469B2 (en) Seed chuck and ingot growth apparatus including the same
KR102143600B1 (en) The melt temperature measuring method in solution growth method using the groove shaped crucible
TWI481750B (en) Removing a sheet from the surface of a melt using elasticity and buoyancy
KR20180031786A (en) Apparatus for forming a crystalline sheet from a melt
EP0210439B1 (en) Method for growing single crystals of dissociative compound semiconductor
JP5370394B2 (en) Compound semiconductor single crystal substrate
KR100485662B1 (en) Grower of single crystalline silicon and Control method of melt gap of the same
CN115044964A (en) Crystal preparation device
KR20100099987A (en) Heater used for manufacturing single crystal, apparatus and method of manufacturing single crystal using the same
KR20110086985A (en) Melt temperature controlling system and the control method of the same
KR101679071B1 (en) Melt Gap Controlling System, Method of Manufacturing Single Crystal including the Melt Gap Controlling System
JP5545265B2 (en) GaAs single crystal wafer and method for producing GaAs single crystal
JP2014065639A (en) Manufacturing apparatus for sapphire single crystal
KR101186751B1 (en) Melt Gap Controlling Apparatus and Single Crystal Grower including the same
KR101571958B1 (en) Apparatus and method for growing ingot
KR101464564B1 (en) Method for manufacturing sapphire ingot
WO2014155985A1 (en) Device for manufacturing silicon single crystal and method for manufacturing silicon single crystal using same

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right