KR102147401B1 - Micro Display and Test Method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명의 실시예들은 마이크로 표시장치 및 그의 검사 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a micro display device and a test method thereof.
최근 AR 및 MR 시장의 급속한 성장과 함께, 저 소비 전력 특성과 우수한 휘도 특성에 힘입어 Cu-Cu 본딩(Bonding)과 마이크로 LED를 적용한 마이크로 표시장치(또는 마이크로 디스플레이) 시장의 성장이 예상된다. Along with the rapid growth of the AR and MR markets in recent years, the growth of the micro-display device (or micro-display) market using Cu-Cu bonding and micro LED is expected on the back of low power consumption characteristics and excellent luminance characteristics.
메모리가 내장된 화소 회로의 PWM(Digital) 구동의 경우, 다수의 그레이(Gray) 표현 신호를 위해 화소 회로에 연결이 필요하기 때문에 표시장치 활성화 영역에 많은 수의 배선이 필요하다. 따라서, 종래에는 불량 접합을 테스트하기 위해서는, 특히 화소 구동회로(IC)와 스캔/데이터 드라이버 구동회로(Scan/Data Driver IC)가 별도로 조립되는 대형 디스플레이 패널의 경우에는 픽셀 구동회로에 다수의 입력 패드(Input PAD)가 필요하다. In the case of PWM (digital) driving of a pixel circuit with a built-in memory, a large number of wirings are required in an active area of a display device because connection to the pixel circuit is required for a plurality of gray expression signals. Therefore, in order to test for defective bonding in the related art, in particular, in the case of a large display panel in which a pixel driving circuit (IC) and a scan/data driver driving circuit (Scan/Data Driver IC) are separately assembled, a plurality of input pads are provided in the pixel driving circuit (Input PAD) is required.
이와 같이, 디스플레이 해상도가 증가함에 따라 하나의 표시장치에 다수의 마이크로 발광소자(LED)를 접합하여 부착하는 경우, 필연적으로 불량 접합이 발생하기 때문에 이에 대한 대책이 필요한 실정이다. 마이크로 발광소자의 불량 접합을 포함하는 픽셀의 유/무를 확인하기 위해서는 불량 접합을 포함하는 픽셀에 대한 정보를 필요로 한다. In this way, when a plurality of micro light-emitting devices (LEDs) are bonded and attached to one display device as the display resolution increases, since defective bonding inevitably occurs, countermeasures are required. In order to check the presence/absence of a pixel including a defective bonding of a micro light emitting device, information on a pixel including a defective bonding is required.
종래에는 마이크로 표시장치 인접 영역에 데이지 체인(Daisy chain)을 배치하고 간접적으로 접합 특성을 확인하는 방법이 있으나, 정확한 불량 접합 위치 파악이 불가능하다는 단점이 있다. Conventionally, there is a method of disposing a daisy chain in a region adjacent to the micro display device and indirectly checking the bonding characteristics, but there is a disadvantage in that it is impossible to accurately identify the defective bonding location.
본 발명은 상술한 필요성에 따른 것으로, 마이크로 발광소자 기판과 CMOS 드라이버 기판의 접합 수행 결과에 대한 화소 별 불량 여부를 판별하기 위한 마이크로 표시장치 및 이의 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is in accordance with the above-described necessity, and an object of the present invention is to provide a micro display device and a method for inspecting the same for determining whether or not there is a defect for each pixel of a result of bonding a micro light emitting device substrate and a CMOS driver substrate.
그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.
본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 표시장치는 표시영역에 배열된 복수의 화소; 및 상기 표시영역 주변에 구비되고, 상기 복수의 화소들에 연결된 전원선으로 전원전압을 출력하는 전원공급부;를 포함하고, 상기 복수의 화소 각각이, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극이 상기 전원선에 연결된 적어도 하나의 발광소자; 및 상기 적어도 하나의 발광소자의 상기 제2 전극이 입력단에 연결된 앤드 게이트;를 포함하고, 상기 복수의 화소 중 제1 화소에 포함된 제1 앤드 게이트의 입력단은 상기 제1 화소에 포함된 적어도 하나의 발광소자의 제2 전극에 인가되는 노드 전압 및 테스트 펄스 신호를 입력받고 상기 제1 앤드 게이트의 출력단은 상기 노드 전압 및 상기 테스트 펄스 신호를 기초로 앤드 연산을 수행한 연산 결과를 출력하고, 상기 복수의 화소 중 상기 제1 화소와 동일의 행에 이웃하여 배열된 제2 화소에 포함된 제2 앤드 게이트의 입력단에 연결되어 상기 연산 결과를 전송할 수 있다. A micro-display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of pixels arranged in a display area; And a power supply unit disposed around the display area and outputting a power voltage through a power line connected to the plurality of pixels, wherein each of the plurality of pixels includes a first electrode and a second electrode, and the At least one light emitting device having a first electrode connected to the power line; And an AND gate in which the second electrode of the at least one light emitting device is connected to an input terminal, wherein an input terminal of a first AND gate included in a first pixel among the plurality of pixels is at least one included in the first pixel. A node voltage and a test pulse signal applied to the second electrode of the light emitting device of are input, and the output terminal of the first AND gate outputs an operation result of performing an AND operation based on the node voltage and the test pulse signal, and the Among a plurality of pixels, the operation result may be transmitted by being connected to an input terminal of a second AND gate included in a second pixel arranged adjacent to the same row as the first pixel.
또한, 상기 마이크로 표시장치는, 전류를 측정하여 접합 불량 여부를 테스트하는 측정부; 상기 표시영역에 배열된 상기 복수의 화소에 대하여 행 단위로 연결을 수행하는 제1 스위치; 및 상기 표시영역에 배열된 상기 복수의 화소에 대하여 열 단위로 순차적인 연결을 수행하는 제2 스위치; 를 더 포함하고, 상기 측정부는 상기 제1 스위치가 연결된 행에 포함된 복수의 화소에 대하여 상기 제2 스위치를 통해 순차적으로 연결하여 앤드 게이트 연산 결과에 대응하는 전류를 측정할 수 있다. In addition, the micro-display device may include: a measuring unit that measures a current to test whether or not a bonding is defective; A first switch for connecting the plurality of pixels arranged in the display area in row units; And a second switch for sequentially connecting the plurality of pixels arranged in the display area in column units. The measuring unit may further include a plurality of pixels included in a row to which the first switch is connected, and sequentially connect through the second switch to measure a current corresponding to an AND gate operation result.
또한, 상기 표시영역은 열 단위의 기설정된 수의 서브 영역으로 분리되고, 상기 제2 스위치는 상기 서브 영역마다 구비되고, 상기 제1 스위치가 연결된 행에 포함된 복수의 화소에 대하여 상기 서브 영역에서 각각 순차적으로 연결할 수 있다. In addition, the display area is divided into a predetermined number of sub-areas per column, the second switch is provided for each of the sub-areas, and a plurality of pixels included in a row to which the first switch is connected are separated from the sub-area. Each can be connected sequentially.
또한, 상기 마이크로 표시장치는, 화소 회로의 결함을 테스트하는 검사부; 및 상기 검사부와 연결되는 제3 스위치;를 더 포함하고, 상기 제1 스위치는 제1 극 및 제2 극을 포함하고, 상기 제1 극은 상기 복수의 발광소자의 제2 전극에 연결되고, 상기 제2 스위치는 상기 측정부와 상기 제1 스위치의 제2 극을 연결하고, 상기 제3 스위치는 상기 검사부와 상기 제1 스위치의 제2 극을 연결하고, 제1 검사 모드에서 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치가 턴-온되고, 상기 측정부는 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치를 경유하여 흐르는 전류를 기초로 접합 불량 여부를 테스트하고, 제2 검사 모드에서 상기 제1 스위치 및 상기 제3 스위치가 턴-온되고, 상기 검사부는 상기 제1 스위치 및 상기 제3 스위치를 경유하여 흐르는 전류를 기초로 화소 회로의 결함을 테스트할 수 있다. In addition, the micro-display device includes: an inspection unit for testing a defect in a pixel circuit; And a third switch connected to the inspection unit, wherein the first switch includes a first pole and a second pole, and the first pole is connected to a second electrode of the plurality of light emitting devices, and the The second switch connects the measurement unit and the second pole of the first switch, the third switch connects the inspection unit and the second pole of the first switch, and in a first test mode, the first switch and The second switch is turned on, and the measurement unit tests for a bonding failure based on a current flowing through the first switch and the second switch, and in a second inspection mode, the first switch and the third The switch is turned on, and the inspection unit may test a defect in the pixel circuit based on a current flowing through the first switch and the third switch.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will become apparent from the detailed content, claims and drawings for carrying out the following invention.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 마이크로 LED의 불량 접합을 용이하게 검출할 수 있고, 이에 다른 생산성 향상이 가능할 수 있다.According to an embodiment of the present invention made as described above, it is possible to easily detect the defective bonding of the micro LED, and thus other productivity improvement may be possible.
또한, 본 발명에 따르면, 리페어(repair) 작업 수행 시에 정확한 불량 접합 위치 파악이 가능할 수 있고, 이에 따른 수율 향상이 가능할 수 있다. In addition, according to the present invention, when performing a repair operation, it is possible to accurately identify a defective joint position, and thus, a yield may be improved.
물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 행(라인) 단위 결함 여부를 검사하는 방법을 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소부의 게이트 체인(gate chain)을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소회로의 게이트(gate)의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소회로의 게이트(gate)의 동작을 설명하기 위해 공통 아노드(common anode) 타입에서의 전압-전류 그래프를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전류를 기반으로 불량 화소를 검사하는 표시장치(30B)를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 모드를 구동하기 위한 구성을 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(30B)의 화소의 일 예이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 검사 모드에서의 타이밍을 설명하기 위한 타이밍도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram illustrating a method of inspecting for a defect in units of rows (lines) according to an embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a gate chain of a pixel unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
5A and 5B are diagrams for explaining a structure of a gate of a pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a voltage-current graph in a common anode type to explain an operation of a gate of a pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram of a
8 is a diagram illustrating a configuration for driving a test mode according to an embodiment of the present invention.
9 is an example of a pixel of the
10 is a timing diagram for explaining timing in a first test mode according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 개시의 다양한 실시예가 첨부된 도면과 연관되어 기재된다. 본 개시의 다양한 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들이 도면에 예시되고 관련된 상세한 설명이 기재되어 있다. 그러나 이는 본 개시의 다양한 실시예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 개시의 다양한 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경 및/또는 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용되었다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described in connection with the accompanying drawings. Various embodiments of the present disclosure may be subjected to various changes and may have various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and related detailed descriptions are described. However, this is not intended to limit the various embodiments of the present disclosure to a specific embodiment, and it should be understood that all changes and/or equivalents or substitutes included in the spirit and scope of the various embodiments of the present disclosure are included. In connection with the description of the drawings, similar reference numerals have been used for similar elements.
본 개시의 다양한 실시예에서 "또는" 등의 표현은 함께 나열된 단어들의 어떠한, 그리고 모든 조합을 포함한다. 예를 들어, "A 또는 B"는, A를 포함할 수도, B를 포함할 수도, 또는 A 와 B 모두를 포함할 수도 있다.In various embodiments of the present disclosure, expressions such as "or" include any and all combinations of words listed together. For example, "A or B" may include A, may include B, or may include both A and B.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following embodiments, terms such as first and second are not used in a limiting meaning, but are used for the purpose of distinguishing one component from another component. In addition, in the following embodiments, expressions in the singular include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.
이하의 실시예에서, X와 Y가 연결되어 있다고 할 때, X와 Y가 전기적으로 연결되어 있는 경우, X와 Y가 기능적으로 연결되어 있는 경우, X와 Y가 직접 연결되어 있는 경우를 포함할 수 있다. 여기에서, X, Y는 대상물(예를 들면, 장치, 소자, 회로, 배선, 전극, 단자, 도전막, 층 등)일 수 있다. 따라서, 소정의 연결 관계, 예를 들면, 도면 또는 상세한 설명에 표시된 연결 관계에 한정되지 않고, 도면 또는 상세한 설명에 표시된 연결 관계 이외의 것도 포함할 수 있다. In the following embodiments, when X and Y are connected, X and Y are electrically connected, X and Y are functionally connected, and X and Y are directly connected. I can. Here, X and Y may be objects (eg, devices, devices, circuits, wirings, electrodes, terminals, conductive films, layers, etc.). Therefore, it is not limited to a predetermined connection relationship, for example, a connection relationship indicated in the drawings or detailed description, and may include anything other than the connection relationship indicated in the drawing or detailed description.
X와 Y가 전기적으로 연결되어 있는 경우는, 예를 들어, X와 Y의 전기적인 연결을 가능하게 하는 소자(예를 들면, 스위치, 트랜지스터, 용량소자, 인덕터, 저항소자, 다이오드 등)가, X와 Y 사이에 1개 이상 연결되는 경우를 포함할 수 있다.When X and Y are electrically connected, for example, an element (e.g., a switch, a transistor, a capacitor element, an inductor, a resistance element, a diode, etc.) that enables the electrical connection of X and Y, It may include a case in which at least one is connected between X and Y.
이하의 실시예에서, 소자 상태와 연관되어 사용되는 "온(ON)"은 소자의 활성화된 상태를 지칭하고, "오프(OFF)"는 소자의 비활성화된 상태를 지칭할 수 있다. 소자에 의해 수신된 신호와 연관되어 사용되는 "온"은 소자를 활성화하는 신호를 지칭하고, "오프"는 소자를 비활성화하는 신호를 지칭할 수 있다. 소자는 높은 전압 또는 낮은 전압에 의해 활성화될 수 있다. 예를 들어, P타입 트랜지스터는 낮은 전압에 의해 활성화되고, N타입 트랜지스터는 높은 전압에 의해 활성화된다. 따라서, P타입 트랜지스터와 N타입 트랜지스터에 대한 "온" 전압은 반대(낮음 대 높음) 전압 레벨임을 이해해야 한다.In the following embodiments, "ON" used in connection with the device state may refer to an activated state of the device, and "OFF" may refer to an inactive state of the device. "On" used in connection with a signal received by the device may refer to a signal that activates the device, and "off" may refer to a signal that disables the device. The device can be activated by a high voltage or a low voltage. For example, a P-type transistor is activated by a low voltage, and an N-type transistor is activated by a high voltage. Therefore, it should be understood that the "on" voltage for the P-type and N-type transistors is at opposite (low vs. high) voltage levels.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 이하에서, 첨부된 도면을 이용하여 본 발명의 다양한 실시 예들에 대하여 구체적으로 설명한다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or elements described in the specification are present, and do not preclude the possibility of adding one or more other features or elements in advance. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시장치(30)는 발광소자 어레이(10) 및 구동회로 기판(20)을 포함할 수 있다. 발광소자 어레이(10)는 구동회로 기판(20)과 결합될 수 있다. 표시장치(30)는 마이크로 표시장치일 수 있다.Referring to FIG. 1, a
발광소자 어레이(10)는 복수의 발광소자들을 포함할 수 있다. 발광소자는 발광다이오드(LED)일 수 있다. 발광소자는 마이크로 내지 나노 단위 크기의 발광다이오드(LED)일 수 있다. 반도체 웨이퍼 상에 복수의 발광다이오드들을 성장시킴으로써 적어도 하나의 발광소자 어레이(10)들이 제조될 수 있다. 따라서, 발광다이오드를 개별적으로 구동회로 기판(20)에 이송할 필요없이 발광소자 어레이(10)를 구동회로 기판(20)과 결합함으로써 표시장치(30)가 제조될 수 있다. The light
구동회로 기판(20)에는 발광소자 어레이(10) 상의 발광다이오드 각각에 대응하는 화소회로가 배열될 수 있다. 발광소자 어레이(10) 상의 발광다이오드와 구동회로 기판(20) 상의 화소회로는 전기적으로 연결되어 화소를 구성할 수 있다.Pixel circuits corresponding to each of the light emitting diodes on the light
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 2 is a schematic diagram of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시장치(30A)는 화소부(110) 및 구동부 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, a
화소부(110)는 영상을 표시하는 표시 영역에 배치될 수 있다. 화소부(110)는 소정 패턴, 예를 들어, 매트릭스 형, 지그재그 형 등 다양한 패턴으로 배열된 복수의 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 화소(PX)는 하나의 색을 방출하며, 예를 들어, 적색, 청색, 녹색, 백색 중 하나의 색을 방출할 수 있다. 화소(PX)는 적색, 청색, 녹색, 백색 외의 다른 색을 방출할 수도 있다. The
화소(PX)는 발광소자를 포함할 수 있다. 발광소자는 자발광소자일 수 있다. 예를 들어, 발광소자는 발광다이오드(LED)일 수 있다. 발광소자는 단일 피크 파장을 발광하거나, 복수의 피크 파장을 발광할 수 있다. The pixel PX may include a light emitting device. The light emitting device may be a self-luminous device. For example, the light emitting device may be a light emitting diode (LED). The light emitting device may emit light with a single peak wavelength or may emit light with a plurality of peak wavelengths.
화소(PX)는 발광소자와 연결된 화소회로를 더 포함할 수 있다. 화소회로는 적어도 하나의 박막 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터 등을 포함할 수 있다. 화소회로는 기판 상의 반도체 적층 구조에 의해 구현될 수 있다. The pixel PX may further include a pixel circuit connected to the light emitting device. The pixel circuit may include at least one thin film transistor and at least one capacitor. The pixel circuit may be implemented by a semiconductor stack structure on a substrate.
화소부(110)에는 화소(PX)들에 주사신호를 인가하는 주사선들(SL1-SLn), 화소(PX)들에 발광제어신호를 인가하는 발광제어선들(EL1-ELn) 및 화소들(PX)에 데이터신호를 인가하는 데이터선들(DL1-DLm)이 포함될 수 있다. 또한, 화소부(110)에는 화소들(PX)에 테스트 펄스 신호를 인가하는 테스트 펄스선들(TL1-TLn) 및 바이어스 전압을 인가하는 바이어스 인가선(BL1-BLn)이 포함될 수 있다. The
주사선들(SL1-SLn), 발광제어선들(EL1-ELn), 테스트 펄스선(TL1-TLn) 및 바이어스 인가선(BL1-BLn)은 각각은 동일 행에 배열된 화소들(PX)에 연결되고, 데이선들(DL1-DLm) 각각은 동일 열에 배열된 화소(PX)들에 연결될 수 있다. The scan lines SL1-SLn, the emission control lines EL1-ELn, the test pulse lines TL1-TLn, and the bias application lines BL1-BLn are each connected to the pixels PX arranged in the same row. , Each of the day lines DL1 to DLm may be connected to the pixels PX arranged in the same column.
구동부 및 생성부는 화소부(110) 주변의 비표시 영역에 구비되고, 화소부(110)를 구동 및 제어할 수 있다. 구동부 및 생성부는 제어부(121), 주사 구동부(122), 데이터 구동부(123), 전원 공급부(124), 테스트 펄스 생성부(125) 및 바이어스 전압 구동부(126)를 포함할 수 있다. 구동부는 구동 모드 및 검사 모드에 따라 동작할 수 있다. The driving unit and the generation unit are provided in a non-display area around the
구동 모드에서, 제어부(121)의 제어에 따라, 주사 구동부(122)는 주사선들(SL1-SLn)에 대하여 차례로 주사신호를 인가하고, 데이터 구동부(123)는 각 화소(PX)에 데이터신호를 인가할 수 있다. 제어부(121)의 제어에 따라, 주사 구동부(122)는 발광제어신호를 발광제어선들(EL1-ELn)에 대하여 차례로 발광제어신호를 인가할 수 있다. 화소(PX)들은 주사선들(SL1-SLn)을 통해 수신되는 주사신호에 응답하여 데이터선들(DL1-DLm)을 통해 수신되는 데이터신호의 전압 레벨 또는 전류 레벨에 상응하는 밝기로 발광한다. In the driving mode, under the control of the
검사 모드에서, 제어부(121)의 제어에 따라, 주사 구동부(122)는 주사선들(SL1-SLn)에 대하여 차례로 주사신호를 인가하고, 데이터 구동부(123)는 각 화소(PX)에 검사신호를 인가할 수 있다. 제어부(121)의 제어에 따라, 주사 구동부(122)는 발광제어신호를 발광제어선들(EL1-ELn)에 대하여 차례로 발광제어신호를 인가할 수 있다. 제어부(121)의 제어에 따라 테스트 펄스 생성부(125)는 각 화소(PX)에 테스트 펄스 신호를 인가할 수 있다. In the inspection mode, under the control of the
전원 공급부(124)는 외부의 전원 및/또는 내부의 전원을 인가받아 각 구성요소들의 동작에 필요한 다양한 레벨의 전압으로 변환하고, 제어부(121)로부터 입력되는 전원제어신호에 따라 해당 전압을 화소부(110)로 공급할 수 있다. The
전원 공급부(124)는 전원전압을 생성하여 화소부(110)에 인가할 수 있다. 전원 공급부(124)는 구동 전압을 생성하여 주사 구동부(122), 데이터 구동부(123) 및 바이어스 전압 구동부(126)로 인가할 수 있다. The
테스트 펄스 생성부(125)는 검사 모드에서 테스트 펄스를 생성하여 화소부(110)에 인가할 수 있다. 테스트 데이터 처리부(130)는 출력되는 테스트 펄스를 화소부(110)의 각 행(라인) 단위로 측정하고, 측정값을 기초로 해당 행의 화소(PX)들 중 적어도 하나의 화소(PX)의 화소회로가 결함인 것으로 결정할 수 있다. The
제어부(121), 주사 구동부(122), 데이터 구동부(123), 전원 공급부(124), 테스트 펄스 생성부(125) 및 바이어스 전압 구동부(126)는 각각 별개의 집적 회로 칩 또는 하나의 집적 회로 칩의 형태로 형성되어 화소부(110)가 형성된 기판 위에 직접 장착되거나, 연성인쇄회로필름(flexible printed circuit film) 위에 장착되거나 TCP(tape carrier package)의 형태로 기판에 부착되거나, 기판에 직접 형성될 수도 있다.The
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 행(라인) 단위 결함 여부를 검사하는 방법을 설명하기 위한 블록도이다.FIG. 3 is a block diagram illustrating a method of inspecting for a defect in units of rows (lines) according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 테스트 데이터 처리부(130)는 테스트 데이터 래치(131) 및 시프트 레지스터(132)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, the test
제어부(121)로부터 테스트 신호가 입력되면, 테스트 펄스 생성부(125)는 테스트 펄스 신호를 생성하여 테스트 펄스선(TL1 내지 TLn)을 통해 화소부(110)의 행(라인) 단위로 테스트 펄스 신호를 전송할 수 있다. When a test signal is input from the
테스트 데이터 래치(131)는 화소부(110)에 한 행에 포함된 화소(예를 들면, P11 내지 P1m)의 게이트 체인(Gate Chain)을 통과한 테스트 펄스 신호를 저장할 수 있다. 이후 본 발명의 시프트 레지스터(132)는 테스트 데이터 래치(131)에 저장된 테스트 펄스 신호를 통해 순차적으로 행 (라인) 단위로 확인할 수 있다.The test data latch 131 may store a test pulse signal passing through a gate chain of pixels (eg, P11 to P1m) included in one row in the
예를 들어, 테스트 펄스 생성부(125)는 제어부(121)로부터 테스트 신호가 입력되면, 테스트 펄스를 생성하여, 제1 테스트 펄스선(TL1)을 통해 화소부(110)에 테스트 펄스를 인가할 수 있다. 이때, 화소부(110)의 제1 행에 인가된 테스트 펄스는 P11, P12, P13 내지 P1m을 통과하여 출력될 수 있다. 테스트 데이터 래치(131)는 통과하여 출력된 테스트 펄스를 저장할 수 있고, 시프트 레지스터(132)로 순차적으로 전달할 수 있다. For example, when a test signal is input from the
각각의 화소(예를 들면, P11 내지 P1m)는 내부에 앤드(AND) 게이트와 같은 논리소자를 포함할 수 있고, 각각의 논리소자는 게이트 체인을 형성하여 테스트 펄스를 통과시킬 수 있다. 게이트 체인(Gate Chain)에 대한 자세한 구조는 도 4를 통해 설명하기로 한다. Each pixel (eg, P11 to P1m) may include a logic device such as an AND gate therein, and each logic device may form a gate chain to pass a test pulse. The detailed structure of the gate chain will be described with reference to FIG. 4.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소부의 게이트 체인(gate chain)을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining a gate chain of a pixel unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
화소부(110)의 각각의 행(라인)에 포함된 화소는 각각 앤드(AND) 게이트를 포함할 수 있다. 각각의 화소에 포함된 앤드(AND) 게이트는 각각 R, G, B 노드 전압에 해당하는 단자를 입력 단자로 포함할 수 있다. The pixels included in each row (line) of the
도 4를 참조하면, 제1 테스트 펄스선(TL1)을 통해 입력되는 테스트 펄스(410)는 제1 화소(P11)에 포함된 앤드(AND) 게이트의 입력 단자 중 하나를 통해 입력될 수 있다. 또한, 제1 화소(P11)에 포함된 앤드(AND) 게이트의 출력 단자는 제2 화소(P12)에 포함된 앤드(AND) 게이트의 입력 단자와 연결될 수 있다. Referring to FIG. 4, a test pulse 410 input through a first test pulse line TL1 may be input through one of input terminals of an AND gate included in the first pixel P11. Also, an output terminal of an AND gate included in the first pixel P11 may be connected to an input terminal of an AND gate included in the second pixel P12.
구체적으로, 제1 테스트 펄스 라인(TL1)을 통한 제1 테스트 펄스(410)는 화소부(110)의 제1 행에 입력될 수 있다. 이때, 출력 전압이 높은(high) 상태를 1, 즉 참이라고 하고, 낮은(low) 상태를 0, 즉 거짓이라고 한다. 즉, 접합에 불량이 없고, R, G, B 노드의 전압 상태가 모두 참(1)일때, 각 노드의 전압과 테스트 펄스 신호와의 앤드 연산 수행 결과, 테스트 펄스 신호가 제1 행의 제1 화소(P11)를 통과할 수 있다. 달리 말하면, 테스트 펄스 신호가 참(1) 경우, 앤드 게이트에서 출력되는 연산 결과 역시 참(1)일 수 있다. Specifically, the first test pulse 410 through the first test pulse line TL1 may be input to the first row of the
제1 화소(P11)로부터 출력된 연산 결과는 제1 화소(P11)와 동일한 행에 이웃하여 배역된 제2 화소(P12)에 포함된 앤드 게이트의 입력단에 입력될 수 있다. 제2 화소(P12)에 포함된 앤드 게이트는 제2 화소(P12)에 포함된 서브 화소(예로 R, G, B)에 대응하는 노드의 전압 및 제1 화소(P11)의 앤드 게이트로부터 수신한 연산 결과를 기초로 앤드 연산을 수행할 수 있다. The operation result output from the first pixel P11 may be input to an input terminal of an AND gate included in the second pixel P12 distributed adjacent to the same row as the first pixel P11. The AND gate included in the second pixel P12 is the voltage of the node corresponding to the sub-pixels (for example, R, G, B) included in the second pixel P12 and received from the AND gate of the first pixel P11. The AND operation can be performed based on the operation result.
마찬가지로, 제2 화소(P12)로부터 출력된 연산 결과는 제3 화소(P13)에 포함된 앤드 게이트로 전송될 수 있고, 제3 화소(P13)에 포함된 서브 화소(예로 R, G, B)에 대응하는 노드의 전압 및 제2 화소(P12)로부터 출력된 연산 결과를 기초로 앤드 연산을 수행할 수 있다. Similarly, the operation result output from the second pixel P12 may be transmitted to the AND gate included in the third pixel P13, and sub-pixels (for example, R, G, B) included in the third pixel P13 The AND operation may be performed based on the voltage of the node corresponding to and the operation result output from the second pixel P12.
즉, 제1 행에 포함된 모든 픽셀(예로 P11 내지 P1m)의 접합이 불량이 아닌 경우, 제1 화소(P11)에 입력된 테스트 펄스(410)가 참이면, 제m 화소(P1m)에서 출력되는 펄스(411) 역시 참(1)일 수 있다. 반대로 말하면, 해당 라인에 포함된 픽셀 중 어느 하나의 화소에 불량 접합이 있으면, 출력되는 펄스가 거짓(0)일 수 있다.That is, when the junction of all pixels (eg P11 to P1m) included in the first row is not defective, if the test pulse 410 input to the first pixel P11 is true, the output from the mth pixel P1m The
예를 들어, 제2 행에 포함된 화소(P21 내지 P2m) 중 어느 하나의 화소(예로 P22)가 불량 접합(FAIL)인 경우, 제2 테스트 펄스선(TL2)을 통해 입력되는 테스트 펄스(420)가 참(1)인 것에 반해 출력되는 펄스(421)가 거짓(0)일 수 있다. 이를 통해 제2 행에 포함된 화소 중 적어도 하나의 화소가 불량 접합(FAIL) 상태인 것을 파악할 수 있다. For example, when any one of the pixels P21 to P2m included in the second row (for example, P22) is a defective junction FAIL, the
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소회로의 게이트(gate)의 구조를 설명하기 위한 도면이다. 특히, 도 5a는 공통 아노드(common anode) 타입 픽셀회로를 도시하고, 5b는 공통 캐소드(common cathode) 타입 픽셀회로를 도시한다. 5A and 5B are diagrams for explaining a structure of a gate of a pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention. In particular, FIG. 5A shows a common anode type pixel circuit, and 5B shows a common cathode type pixel circuit.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 바이아스 전압 구동부(126)는 서브 화소(예로, LED_R, LED_G, LED_B)의 접합 불량 여부 테스트를 위해 바이아스 전압선(BLn)을 통해 바이아스 전압을 인가할 수 있다. 즉, 바이아스 전압에 따라 트랜지스터가 온(on)되면, R, G, B 각각에 대응하는 V_R, V_G, V_B 노드 값이 앤드(AND) 게이트로 입력될 수 있다. 5A and 5B, the
앤드(AND) 게이트는 V_R, V_G, V_B 노드 값을 기초로 테스트 펄스선(TLn)을 통해 입력되는 테스트 펄스 신호를 통과시킬지 여부를 판단할 수 있다. 구체적으로 불량 접합이 없는 정상적인 회로에서는, 테스트를 위해 바이아스 전압을 인가하여 트랜지스터를 온(on)하면, 앤드(AND) 게이트로 참(1)인 V_R, V_G, V_B 노드 값이 입력될 수 있고, 그에 따라 참(1) 값의 테스트 펄스 신호가 통과될 수 있다. The AND gate may determine whether to pass the test pulse signal input through the test pulse line TLn based on the values of the V_R, V_G, and V_B nodes. Specifically, in a normal circuit without a bad junction, when the transistor is turned on by applying a bias voltage for testing, the true (1) V_R, V_G, and V_B node values can be input to the AND gate. , Accordingly, a test pulse signal of a true (1) value can be passed.
반면, R, G, B에 대응하는 LED의 PAD 중 어느 하나의 패드(PAD) 접합(bonding)이 불량인 경우, 해당 노드 값은 거짓(0)일 수 있다. 예를 들어, B에 대응하는 PAD 접합이 불량인 경우, V_B 노드 값은 거짓(0)이 되고, 앤드(AND) 게이트에서의 출력 역시 거짓(0)이 된다. On the other hand, when any one of the PADs of the LEDs corresponding to R, G, and B is defective, the corresponding node value may be false (0). For example, if the PAD junction corresponding to B is defective, the V_B node value becomes false (0), and the output from the AND gate is also false (0).
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소회로의 게이트(gate)의 동작을 설명하기 위해 공통 아노드(common anode) 타입에서의 전압-전류 그래프를 도시한다. 6 is a voltage-current graph in a common anode type to explain an operation of a gate of a pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, V_R, V_G, V_B 각각에 대응하는 LED에 흐르는 전류(Id)는 앤드(AND) 게이트에 입력되는 V_R, V_G, V_B 노드 전압값(Vds)에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 특정 전압 값까지는 전류 그래프가 선형(linear)적 영역을 나타내고, 이후 전압 값부터는 포화(saturation) 영역을 나타낸다. Referring to FIG. 6, the current Id flowing through the LED corresponding to each of V_R, V_G, and V_B may vary according to the V_R, V_G, and V_B node voltage values Vds input to the AND gate. For example, a current graph indicates a linear region up to a specific voltage value, and a saturation region from a voltage value thereafter.
달리 해석하면, V_R, V_G, V_B 노드 전압값(Vds)은 전류(Id)에 따라 가변적이며, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소는 각각의 V_R, V_G, V_B 노드의 전압값(Vds)이 전류(Id)에 따라 적절한 논리값을 가질 수 있도록 바이아스 및 화소회로를 설정할 수 있다. In other words, the V_R, V_G, and V_B node voltage values (Vds) are variable according to the current (Id), and the pixel according to an embodiment of the present invention has a voltage value (Vds) of each of the V_R, V_G, and V_B nodes. A bias and a pixel circuit can be set to have an appropriate logic value according to the current Id.
V_R, V_G, V_B 노드의 각각의 전압값(Vds)이 포화(saturation) 영역에 진입하는 경우, 앤드(AND) 게이트는 해당 노드가 참(1, High)인 것으로 판단할 수 있다. 즉, V_R, V_G, V_B 노드에 대응하는 발광다이오드(LED) 패드(PAD)의 접합이 모두 정상인 경우, 모든 노드가 포화(saturation) 영역에 들어오면, 모든 노드의 논리값 참(1, High)인 것으로 판단하고, 테스트 펄스 신호를 통과시킬 수 있다(PASS). When the voltage values Vds of the nodes V_R, V_G, and V_B enter the saturation region, the AND gate may determine that the corresponding node is true (1, High). That is, if all the junctions of the light emitting diode (LED) pads (PAD) corresponding to the V_R, V_G, and V_B nodes are normal, when all nodes enter the saturation region, the logic values of all nodes are true (1, High). It is determined that it is, and the test pulse signal can be passed (PASS).
반면, V_R, V_G, V_B 노드에 대응하는 발광다이오드(LED) 패드(PAD) 중 어느 하나의 접합이 불량인 경우, 바이아스 및 화소회로를 설정에 따라 불량 패드에 대응하는 노드의 값이 포화(saturation) 영역에 들어가지 않는다. 즉, 앤드(AND) 게이트의 입력단 중 하나의 값이 거짓(0, low)이므로, 앤드(AND) 게이트의 출력 역시 거짓(0, low)이며 테스트 펄스 신호를 통과시키지 않을 수 있다(Fail). On the other hand, if any one of the light emitting diode (LED) pads PAD corresponding to the V_R, V_G, and V_B nodes is defective, the value of the node corresponding to the defective pad is saturated according to the settings of the bias and the pixel circuit. saturation) area. That is, since one of the input terminals of the AND gate is false (0, low), the output of the AND gate is also false (0, low), and the test pulse signal may not pass (Fail).
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전류를 기반으로 불량 화소를 검사하는 표시장치(30B)를 개략적으로 나타낸 도면이다.7 is a schematic diagram of a
화소부(210)는 영상을 표시하는 표시 영역에 배치될 수 있다. 화소부(210)는 소정 패턴, 예를 들어, 매트릭스 형, 지그재그 형 등 다양한 패턴으로 배열된 복수의 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 화소(PX)는 하나의 색을 방출하며, 예를 들어, 적색, 청색, 녹색, 백색 중 하나의 색을 방출할 수 있다. 화소(PX)는 적색, 청색, 녹색, 백색 외의 다른 색을 방출할 수도 있다. The
화소(PX)는 발광소자를 포함할 수 있다. 발광소자는 자발광소자일 수 있다. 예를 들어, 발광소자는 발광다이오드(LED)일 수 있다. 발광소자는 단일 피크 파장을 발광하거나, 복수의 피크 파장을 발광할 수 있다. The pixel PX may include a light emitting device. The light emitting device may be a self-luminous device. For example, the light emitting device may be a light emitting diode (LED). The light emitting device may emit light with a single peak wavelength or may emit light with a plurality of peak wavelengths.
화소(PX)는 발광소자와 연결된 화소회로를 더 포함할 수 있다. 화소회로는 적어도 하나의 박막 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터 등을 포함할 수 있다. 화소회로는 기판 상의 반도체 적층 구조에 의해 구현될 수 있다. The pixel PX may further include a pixel circuit connected to the light emitting device. The pixel circuit may include at least one thin film transistor and at least one capacitor. The pixel circuit may be implemented by a semiconductor stack structure on a substrate.
화소부(210)에는 화소(PX)들에 주사신호를 인가하는 주사선들(SL1-SLn), 화소(PX)들에 발광제어신호를 인가하는 발광제어선들(EL1-ELn) 및 화소들(PX)에 데이터신호를 인가하는 데이터선들(DL1-DLm)이 포함될 수 있다. 또한, 화소부(110)에는 화소들(PX)에 바이어스 전압을 인가하는 바이어스 인가선(BL1-BLn)이 포함될 수 있다. The
주사선들(SL1-SLn), 발광제어선들(EL1-ELn) 및 바이어스 인가선(BL1-BLn)은 각각은 동일 행에 배열된 화소들(PX)에 연결되고, 데이선들(DL1-DLm) 각각은 동일 열에 배열된 화소(PX)들에 연결될 수 있다. The scan lines SL1 to SLn, emission control lines EL1 to ELn, and bias application lines BL1 to BLn are connected to the pixels PX arranged in the same row, and the day lines DL1 to DLm are respectively May be connected to the pixels PX arranged in the same column.
구동부는 화소부(210) 주변의 비표시 영역에 구비되고, 화소부(210)를 구동 및 제어할 수 있다. 구동부는 제어부(221), 주사 구동부(222), 데이터 구동부(223), 전원 공급부(224), 테스트 스위치 구동부(225) 및 바이어스 전압 구동부(227)를 포함할 수 있다. 구동부는 구동 모드 및 검사 모드에 따라 동작할 수 있다. The driving unit is provided in a non-display area around the
구동 모드에서, 제어부(221)의 제어에 따라, 주사 구동부(222)는 주사선들(SL1-SLn)에 대하여 차례로 주사신호를 인가하고, 데이터 구동부(223)는 각 화소(PX)에 데이터신호를 인가할 수 있다. 제어부(221)의 제어에 따라, 주사 구동부(222)는 발광제어신호를 발광제어선들(EL1-ELn)에 대하여 차례로 발광제어신호를 인가할 수 있다. 화소(PX)들은 주사선들(SL1-SLn)을 통해 수신되는 주사신호에 응답하여 데이터선들(DL1-DLm)을 통해 수신되는 데이터신호의 전압 레벨 또는 전류 레벨에 상응하는 밝기로 발광한다.In the driving mode, under the control of the
검사 모드에서, 제어부(221)의 제어에 따라, 주사 구동부(222)는 주사선들(SL1-SLn)에 대하여 차례로 주사신호를 인가하고, 데이터 구동부(223)는 각 화소(PX)에 검사신호를 인가할 수 있다. 제어부(221)의 제어에 따라, 주사 구동부(222)는 발광제어신호를 발광제어선들(EL1-ELn)에 대하여 차례로 발광제어신호를 인가할 수 있다. 제어부(221)의 제어에 따라, 테스트 스위치 구동부(225)는 각 화소에 테스트 스위치를 온(on)하는 신호를 인가할 수 있다.In the inspection mode, under the control of the
한편, 검사 모드는 패드 접합(pad bonding)의 불량 여부를 검사하기 위한 제1 검사 모드 및 칩 자체를 검사하기 위한 제2 검사 모드로 분류될 수 있다. Meanwhile, the inspection mode may be classified into a first inspection mode for inspecting whether or not a pad bonding is defective, and a second inspection mode for inspecting the chip itself.
제1 검사 모드에서, 제어부(221)의 제어에 따라, 멀티플렉서 구동부(228)는 라인 단위로 패드 접합 불량 여부를 검사하기 위해 순차적으로 멀티플렉서의 연결을 제어할 수 있다. 멀티플렉서 구동부(228)는 화소부(110)를 경유하여 흐르는 전류를 화소부(110)의 라인 단위로 측정하고, 측정 전류 값을 기초로 해당 라인의 화소(PX)들 중 적어도 하나의 화소(PX)의 화소회로가 결함인 것으로 결정할 수 있다. In the first inspection mode, under the control of the
제2 검사 모드에서, 제어부(221)의 제어에 따라, 칩 검사부(226)는 칩 검사를 위한 스위치를 온(on)하는 신호를 인가할 수 있다. 제2 검사 모드에서, 제2 전원선(VL2)을 통해 흐르는 제2 전원전압(VDD_2)을 기초로 칩 자체의 회로를 검사할 수 있다. In the second inspection mode, under the control of the
전원 공급부(224)는 외부의 전원 및/또는 내부의 전원을 인가받아 각 구성요소들의 동작에 필요한 다양한 레벨의 전압으로 변환하고, 제어부(221)로부터 입력되는 전원제어신호에 따라 해당 전압을 화소부(210)로 공급할 수 있다. The
전원 공급부(224)는 제1 전원전압(VDD_1)을 생성하여 제1 전원선(VL1)을 통해 화소부(210)에 인가할 수 있다. 전원 공급부(224)는 구동 전압을 생성하여 주사 구동부(222), 데이터 구동부(223) 및 바이어스 전압 구동부(226)로 인가할 수 있다. 전원 공급부(224)는 제2 전원전압(VDD_2)을 생성하여 칩 검사부(226)에 인가할 수 있다. 제어부(221), 주사 구동부(222), 데이터 구동부(223), 전원 공급부(224), 테스트 스위치 구동부(225), 칩 검사부(226) 및 바이어스 전압 구동부(227)는 각각 별개의 집적 회로 칩 또는 하나의 집적 회로 칩의 형태로 형성되어 화소부(210)가 형성된 기판 위에 직접 장착되거나, 연성인쇄회로필름(flexible printed circuit film) 위에 장착되거나 TCP(tape carrier package)의 형태로 기판에 부착되거나, 기판에 직접 형성될 수도 있다.The
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 모드를 구동하기 위한 구성을 설명하는 도면이다. 8 is a diagram illustrating a configuration for driving a test mode according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 멀티플렉서는 전체 화소부(210)를 적어도 하나의 섹션으로 나누어 각 섹션 출력단에 연결되는 적어도 하나의 멀티플렉서(228-1, 228-2 내지 228-n)를 포함할 수 있다. 멀티플렉서 구동부(228)는 출력단의 라인 별 순차적으로 전류를 측정할 수 있도록, 적어도 하나의 멀티플렉서(228-1, 228-2 내지 228-n) 각각 화소부(210)와의 연결을 제어할 수 있다. The multiplexer according to an embodiment of the present invention may include at least one multiplexer 228-1, 228-2 to 228-n that is connected to the output terminal of each section by dividing the
측정부(230)는 적어도 하나의 멀티플렉서(228-1, 228-2 내지 228-n)로부터 화소부(210)를 흐르는 전류를 입력 받으면, 적어도 하나의 멀티플렉서(228-1, 228-2 내지 228-n)에 의해 선택된 화소의 전류 값을 직접 측정할 수 있고, 이를 기초로 접합 불량 여부를 테스트할 수 있다. When the
본 발명의 일 실시예에 따른 측정부(230)는 전류-전압 컨버터(미도시)를 더 포함할 수 있고, 이를 통해 전류를 전압으로 변환 후 측정할 수 있다. 또 다른 예로, 측정부(230)는 신호 증폭부(미도시)를 더 포함할 수 있고, 이를 통해 신호를 증폭하여 측정할 수 있다. The measuring
한편, 본 발명의 검사 모드에서, 테스트 스위치 구동부(225)는 화소부(210)와 연결하도록 제1 스위치를 제어할 수 있다. 제1 스위치가 온(on)되면, 화소부(210)는 회로 자체 칩을 검사하기 위한 구성 및 마이크로 LED 접합 상태를 검사하기 위한 구성과 연결될 수 있다. 이때, 제1 스위치는 트랜지스터로 구현될 수 있으나 이에 한정하지 않는다. Meanwhile, in the test mode of the present invention, the
제1 검사 모드에서 테스트 스위치 구동부(225)는 제1 스위치를 온(on)할 수 있고, 멀티플렉서 구동부(228)는 멀티플렉서(228-1, 228-2 내지 228-n) 중 적어도 하나의 멀티플렉서를 화소부(210)에 연결하도록 제2 스위치를 제어할 수 있다. 즉, 제1 검사 모드에서는 측정부(230)는 멀티플렉서를 통해 입력되는 전류 값을 기초로 라인 별 마이크로 LED 접합 불량 여부를 판단할 수 있다. In the first test mode, the test
구체적으로, 제1 스위치는 화소부(210)에 배열된 복수의 화소에 대하여, 행 단위로 연결을 수행할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 테스트 스위치 구동부(225)는 제어부(221)로부터 테스트 신호를 수신하면, 테스트 펄스 신호가 행 (라인) 단위로 입력되도록 제1 스위치를 구동할 수 있다. Specifically, the first switch may connect a plurality of pixels arranged in the
한편, 제2 스위치는 화소부(210)에 배열된 복수의 화소에 대하여, 열 단위로 연결을 수행할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 검사 모드에서 멀티플렉서 구동부(228)는 1 스위치에 의해 연결된 행에 포함된 복수의 화소에 대하여 상기 제2 스위치를 통해 순차적으로 연결하도록 제2 스위치를 제어할 수 있다. Meanwhile, the second switch may connect a plurality of pixels arranged in the
예를 들면, 화소부(210)의 제1 행이 제1 스위치에 의해 연결된 경우, 제2 스위치는 제1행 1열의 화소에 연결할 수 있고, 측정부(230)는 제1행 1열의 화소에 포함된 앤드 게이트의 연산 결과에 대응하는 전류를 측정할 수 있다. 이후, 제2 스위치는 제1행 2열의 화소에 순차적으로 연결할 수 있고, 측정부(230)는 제1행 2열의 화소에 포함된 앤드 게이트의 연산 결과에 대응하는 전류를 측정할 수 있다.For example, when the first row of the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 화소부(210)는 열 단위의 기설정된 수의 서브 영역(예로, n개)으로 분리될 수 있고, 서브 영역에 각각 멀티플렉서(228-1, 228-2 내지 228-n)가 대응될 수 있다. 이 경우, 각각의 멀티플렉서는 서브 영역에서 열 단위로 복수의 화소에 대하여 순차적으로 각각 연결하도록 제2 스위치를 제어할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the
예를 들어, 제1 멀티플렉서(228-1)가 제1열 내지 제5열에 대응되고, 제2 멀티플렉서(228-2)가 제6열 내지 제10열에 대응되는 경우, 제1 멀티플렉서(228-1)가 제1열에 연결할 때 제2 멀티플렉서(228-2)가 제6열에 연결할 수 있다. 이후, 각각의 멀티플렉서가 순차적으로 2열, 6열 등으로 연결할 수 있다. For example, when the first multiplexer 228-1 corresponds to
상술한 실시예에 의해, 전체 화소부(210)에 대한 접합 불량 여부를 신속하게 검사할 수 있고, 정확한 불량 위치를 파악할 수 있다는 효과가 있다. According to the above-described embodiment, there is an effect that it is possible to quickly check whether a bonding defect for all the
이때, 제2 스위치는 멀티플렉서(228-1, 228-2 내지 228-n) 내부에 포함되어 화소부(210)의 적어도 하나의 라인과 연결하기 위한 아날로그 또는 디지털 논리 회로로 구현될 수 있으나 이에 한정하지 않는다. In this case, the second switch may be implemented as an analog or digital logic circuit included in the multiplexers 228-1, 228-2 to 228-n to connect to at least one line of the
제2 검사 모드에서 테스트 스위치 구동부(225)는 제1 스위치를 온(on)할 수 있고, 제어부(221)는 칩 검사부(226)에 포함된 제3 스위치를 제어하여 칩 검사부(226)와 화소부(210)를 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 제2 검사 모드에서는 칩 검사부(226)는 전류 값을 기초로 화소 구동회로 칩 자체의 오류 여부를 판단할 수 있다. 이때, 제3 스위치는 트랜지스터로 구현될 수 있으나 이에 한정하지 않는다. In the second inspection mode, the
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(30B)의 화소의 일 예이다. 9 is an example of a pixel of the
도 9의 실시예에서는 설명의 편의를 위해 n번째 행 및 m번째 열의 화소(Pnm)를 예로서 설명하겠다. 화소(Pnm)는 n번째 행에 포함된 다수의 화소 중 하나로서, n번째 행에 대응하는 주사선(SLn)과 m번째 열에 대응하는 데이터선(DLm)에 연결되어 있다.In the embodiment of FIG. 9, for convenience of description, the pixels Pnm in the n-th row and m-th column will be described as an example. The pixel Pnm is one of a plurality of pixels included in the n-th row, and is connected to the scanning line SLn corresponding to the n-th row and the data line DLm corresponding to the m-th column.
화소(Pnm)는 주사신호를 전달하는 주사선(SLn), 주사선(SLn)과 교차하며 데이터신호를 전달하는 데이터선(DLm), 제1 전원전압(VDD_1) 및 제2 전원전압(VDD_L)을 전달하는 전원선에 연결될 수 있다. The pixel Pnm crosses the scan line SLn for transmitting the scan signal, the data line DLm for transmitting the data signal by crossing the scan line SLn, and transfers the first power voltage VDD_1 and the second power voltage VDD_L. Can be connected to a power line.
화소(Pnm)는 발광다이오드(LED) 및 발광다이오드(LED)에 연결된 화소회로를 포함할 수 있다. 화소회로는 제1 내지 제3 트랜지스터(T1 내지 T3), 커패시터(C), 검사 트랜지스터(TT) 및 바이어스 트랜지스터(BT)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 트랜지스터(T1 내지 T3) 및 바이어스 트랜지스터(BT) 각각의 제1 전극 또는 제1 단자는 드레인 단자이고, 제2 전극 또는 제2 단자는 소스 단자일 수 있다. The pixel Pnm may include a light emitting diode (LED) and a pixel circuit connected to the light emitting diode (LED). The pixel circuit may include first to third transistors T1 to T3, a capacitor C, a test transistor TT, and a bias transistor BT. The first electrode or the first terminal of each of the first to third transistors T1 to T3 and the bias transistor BT may be a drain terminal, and the second electrode or the second terminal may be a source terminal.
제1 트랜지스터(T1)는 커패시터(C)의 제1 전극에 연결된 게이트 전극, 제3 트랜지스터(T3)를 통해 발광다이오드(LED)에 연결된 제1 전극, 제3 전원전압(VSS)에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 제3 전원전압(VSS)은 접지전압(GND)일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터로서 역할을 하며, 제2 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호를 전달받아 발광다이오드(LED)에 전류를 공급할 수 있다. The first transistor T1 includes a gate electrode connected to the first electrode of the capacitor C, a first electrode connected to the light emitting diode LED through the third transistor T3, and a second electrode connected to the third power voltage VSS. It may include an electrode. The third power voltage VSS may be a ground voltage GND. The first transistor T1 serves as a driving transistor and may receive a data signal according to a switching operation of the second transistor T2 and supply current to the light emitting diode LED.
본 발명의 일 실시예에 따른 제1 트랜지스터(T1)는 저전압 영역에서 동작할 수 있다. 예를 들어, 제1 트랜지스터(T1)는 트라이오드(triode) 영역에서 동작할 수 있다. The first transistor T1 according to an embodiment of the present invention may operate in a low voltage region. For example, the first transistor T1 may operate in a triode region.
제2 트랜지스터(T2)는 주사선(SLn)에 연결된 게이트 전극, 데이터선(DLm)에 연결된 제1 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 주사선(SLn)을 통해 전달받은 주사신호에 따라 턴-온되어 데이터선(DLm)으로 전달된 데이터신호를 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극으로 전달하는 스위칭 트랜지스터로서 역할을 할 수 있다. The second transistor T2 may include a gate electrode connected to the scan line SLn, a first electrode connected to the data line DLm, and a second electrode connected to the gate electrode of the first transistor T1. The second transistor T2 is turned on according to the scan signal transmitted through the scan line SLn and serves as a switching transistor that transmits the data signal transmitted to the data line DLm to the gate electrode of the first transistor T1. can do.
본 발명의 일 실시예에 따른 제2 트랜지스터(T2)는 제1 트랜지스터(T1)와 함께 저전압 영역에서 동작할 수 있다. 즉, 제2 트랜지스터(T2)는 트라이오드(triode) 영역에서 동작할 수 있다. 이 경우, 데이터신호는 제1 트랜지스터(T1)와 제2 트랜지스터(T2)의 저전압 동작에 대응하는 전압 범위로 변환될 수 있다.The second transistor T2 according to the exemplary embodiment of the present invention may operate in a low voltage region together with the first transistor T1. That is, the second transistor T2 may operate in a triode region. In this case, the data signal may be converted into a voltage range corresponding to the low voltage operation of the first transistor T1 and the second transistor T2.
제3 트랜지스터(T3)는 발광 제어선(ELn)에 연결된 게이트 전극, 바이어스 트랜지스터(BT)의 제2 전극에 연결된 제1 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 발광 제어선(ELn)을 통해 전달받은 발광제어신호에 따라 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)의 구동전류가 발광다이오드(LED)에 흐르도록 할 수 있다. 도 9의 실시예에서, 발광 제어선(ELn)은 주사 구동부(222)에 연결되고, 주사 구동부(222)로부터 발광제어신호를 인가받을 수 있다. 다른 실시예에서, 발광 제어선(ELn)은 주사 구동부(122)와 별개의 발광제어 구동부(미도시)에 연결되어 발광제어신호를 인가받을 수 있다.The third transistor T3 includes a gate electrode connected to the emission control line ELn, a first electrode connected to the second electrode of the bias transistor BT, and a second electrode connected to the first electrode of the first transistor T1. can do. The third transistor T3 may be turned on according to the emission control signal transmitted through the emission control line ELn so that the driving current of the first transistor T1 flows through the light emitting diode LED. In the embodiment of FIG. 9, the emission control line ELn is connected to the
바이어스 트랜지스터(BT)는 바이어스선(BLn)에 연결된 게이트 단자, 발광다이오드(LED)의 제2 전극에 연결된 제1 전극, 제3 트랜지스터(T3)의 제1 단자에 연결된 제2 단자를 포함할 수 있다. 바이어스 트랜지스터(BT)는 게이트 단자에 인가되는 바이어스 전압에 의해 구동 모드에서 턴-온 상태를 유지하며, 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전압을 제어하는 전압제어 트랜지스터일 수 있다. The bias transistor BT may include a gate terminal connected to the bias line BLn, a first electrode connected to the second electrode of the light emitting diode LED, and a second terminal connected to the first terminal of the third transistor T3. have. The bias transistor BT may be a voltage control transistor that maintains a turn-on state in a driving mode by a bias voltage applied to the gate terminal and controls a drain voltage of the first transistor T1.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 바이어스 트랜지스터(BT)에 의해 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전압이 제어됨으로써 제1 트랜지스터(T1) 내지 제3 트랜지스터(T3)는 저전압용 트랜지스터로 역할을 할 수 있다. 즉, 바이어스 트랜지스터(BT)는 제1 트랜지스터(T1)가 트라이오드 영역에서 동작하도록 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전압을 제어할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the drain voltage of the first transistor T1 is controlled by the bias transistor BT, so that the first to third transistors T1 to T3 can function as low voltage transistors. have. That is, the bias transistor BT may control the drain voltage of the first transistor T1 so that the first transistor T1 operates in the triode region.
바이어스 트랜지스터(BT)는 바이어스선(BLn)을 통해 인가되는 바이어스 전압에 의해 턴-온될 수 있다. 바이어스 전압은 바이어스 트랜지스터(BT)가 항상 턴-온 상태를 유지하게 하는 소정 레벨의 직류 전압(DC)일 수 있다. 바이어스 트랜지스터(BT)의 턴-온 상태에 따라 제3 트랜지스터(T3)와 바이어스 트랜지스터(BT) 사이의 노드 전압(Vx), 즉 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전압이 제어될 수 있다. 바이어스 전압에 따라 바이어스 트랜지스터(BT)의 채널 저항이 가변할 수 있다. 즉, 바이어스 트랜지스터(BT)는 가변 선형 저항으로 동작할 수 있다. The bias transistor BT may be turned on by a bias voltage applied through the bias line BLn. The bias voltage may be a direct current voltage DC of a predetermined level to keep the bias transistor BT always turned on. The node voltage Vx between the third transistor T3 and the bias transistor BT, that is, the drain voltage of the third transistor T3, may be controlled according to the turn-on state of the bias transistor BT. The channel resistance of the bias transistor BT may vary depending on the bias voltage. That is, the bias transistor BT may operate as a variable linear resistor.
바이어스 트랜지스터(BT)의 채널 저항에 따라 노드 전압(Vx), 즉 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전압이 결정될 수 있다. 따라서, 바이어스 전압을 제어함으로써 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전압이 제3 트랜지스터(T3)가 트라이오드 영역에서 동작하는 조건을 만족하는 전압으로 제어될 수 있다. The node voltage Vx, that is, the drain voltage of the third transistor T3, may be determined according to the channel resistance of the bias transistor BT. Accordingly, by controlling the bias voltage, the drain voltage of the third transistor T3 can be controlled to a voltage that satisfies the condition that the third transistor T3 operates in the triode region.
커패시터(C)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 연결된 제1 전극, 및 제3 전원전압(VSS) 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. The capacitor C may include a first electrode connected to the gate electrode of the first transistor T1 and a second electrode connected to the third power voltage VSS.
발광다이오드(LED)의 제1 전극은 제1 전원전압(VDD_1)을 공급받을 수 있다. 발광다이오드(LED)의 제2 전극은 바이어스 트랜지스터(BT)의 제1 전극에 연결될 수 있다. 발광다이오드(LED)는 데이터신호에 대응하는 휘도로 발광함으로써 영상을 표시할 수 있다. 검사 모드에서 발광다이오드(LED)는 발광하지 않을 수 있다. The first electrode of the light emitting diode LED may receive the first power voltage VDD_1. The second electrode of the light emitting diode LED may be connected to the first electrode of the bias transistor BT. A light-emitting diode (LED) can display an image by emitting light with a luminance corresponding to a data signal. In the inspection mode, the light emitting diode (LED) may not emit light.
제1 스위치(SW1)는 바이어스 트랜지스터(BT)의 제2 전극 및 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극에 연결될 수 있다. 이때, 제1 스위치(SW1)는 테스트 스위치 구동부(225)에 의해 제어되며, 검사 모드(제1 검사 모드 및 제2 검사 모드)에서 온(on) 될 수 있다. 구체적으로, 제1 스위치는 제1 극 및 제2 극을 포함할 수 있고, 제1 극은 복수의 발광소자의 제2 전극에 연결된 바이어스 트랜지스터(BT)의 제2 전극에 연결될 수 있고, 제2 극은 제2 스위치(SW2) 및 제3 스위치(SW3)에 대응하는 노드에 연결될 수 있다. The first switch SW1 may be connected to the second electrode of the bias transistor BT and the first electrode of the third transistor T3. In this case, the first switch SW1 is controlled by the
제1 검사 모드에서 멀티플렉서에 포함되어 구현된 제2 스위치(SW2)는 멀티플렉서 구동부(228)에 의해 온(on)될 수 있다. 즉, 제1 검사 모드에서는 제1 스위치(SW1)와 제2 스위치(SW2)가 온(on)될 수 있다. In the first test mode, the second switch SW2 included in the multiplexer and implemented may be turned on by the
이 경우, 제1 전원선(VL1)을 흐르는 전류는 발광다이오드(LED), 바이어스 트랜지스터(BT), 제1 스위치(SW1), 제2 스위치(SW2)를 순차적으로 경유하여 흐를 수 있고, 측정부(230)는 전류 값을 측정함으로써, 패드(PAD)의 접합(bonding)이 불량인지 여부를 측정할 수 있다. In this case, the current flowing through the first power line VL1 may flow sequentially through the light emitting diode (LED), the bias transistor (BT), the first switch (SW1), and the second switch (SW2), and the measurement unit By measuring the current value, 230 may measure whether or not bonding of the pad PAD is defective.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광소자(LED)는 화소의 서브 화소에 포함된 LED일 수 있다. 이 경우, 멀티플렉서 구동부(228)는 각각의 서브 화소를 검사하기 위해 제2 스위치(SW2)를 제어할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the light emitting device (LED) may be an LED included in a sub-pixel of a pixel. In this case, the
제2 검사 모드에서 칩 검사부(226)에 포함되어 구현된 제3 스위치(SW3)는 제어부(221)에 의해 온(on)될 수 있다. 제3 스위치(SW3)는 제2 전원선(VL2)과 연결되어 제2 검사 모드에서 턴-온되고, 구동 모드 및 제1 검사 모드에서 턴-오프될 수 있다. 즉, 제2 검사 모드에서는 제1 스위치(SW1)와 제3 스위치(SW3)가 온(on)될 수 있다.In the second inspection mode, the third switch SW3 implemented by being included in the
행 단위로, 주사신호가 주사선(SLn)을 통해 제2 트랜지스터(T2)로 인가되고, 주사신호에 응답하여 데이터신호가 데이터선(DLm)으로 인가될 수 있다. 이어서, 발광제어신호가 발광제어선(ELn)을 통해 제3 트랜지스터(T3)로 인가될 수 있다. 제어부(221)로부터의 검사제어신호가 제3 스위치(SW3)로 인가될 수 있다. 이때, 제3 스위치(SW3)가 별도의 트랜지스터로 구현되는 경우, 별도의 검사제어선을 포함할 수 있다. In units of rows, a scan signal may be applied to the second transistor T2 through the scan line SLn, and a data signal may be applied to the data line DLm in response to the scan signal. Subsequently, the emission control signal may be applied to the third transistor T3 through the emission control line ELn. The inspection control signal from the
검사제어신호는 주사신호가 주사선(SLn)을 통해 제2 트랜지스터(T2) 인가되는 동안 제3 스위치(SW3)로 인가될 수 있다. 검사제어신호에 의해 제3 스위치(SW3)가 턴-온되고, 제2 전원선(VL2)을 흐르는 전류는 제3 스위치(SW3), 제3 트랜지스터(T3), 제1 트랜지스터(T1)를 경유하여 전류가 흐를 수 있다. 검사부(226)의 전류측정회로는 제2 전원전압(VDD_2)을 인가하는 제2 전원선(VL2)에 흐르는 전류를 측정할 수 있다. The test control signal may be applied to the third switch SW3 while the scan signal is applied to the second transistor T2 through the scan line SLn. The third switch SW3 is turned on by the inspection control signal, and the current flowing through the second power line VL2 passes through the third switch SW3, the third transistor T3, and the first transistor T1. Thus, current can flow. The current measuring circuit of the
즉, 제2 검사모드에서 제3 스위치(SW3)를 이용하여 제2 전원선(VL2)를 통한 제2 전원전압(VDD_2)을 화소회로에 인가함으로써 제1 트랜지스터(T1) 내지 제3 트랜지스터(T3)를 포함하는 화소회로의 정상 동작 여부를 검사할 수 있다. That is, in the second test mode, the first to third transistors T1 to T3 are applied by applying the second power voltage VDD_2 through the second power line VL2 to the pixel circuit using the third switch SW3. It is possible to check whether the pixel circuit including) is operating normally.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 검사 모드에서의 타이밍을 설명하기 위한 타이밍도이다. 10 is a timing diagram for explaining timing in a first test mode according to an embodiment of the present invention.
도 10을 참조하면, 각 라인 별 테스트 시간(SCAN_OUT1, SCAN_OUT2 등) 동안 적어도 하나의 멀티플렉서(228-1 내지 228-n)는 전류가 제1 스위치(SW1) 및 제2 스위치(SW2)를 경유하도록 멀티플렉서 코드(MUX code)를 순차적으로 변경하여 연결할 수 있다. 측정부(230)는 경유하여 온 전류를 측정하여 패드(pad)의 접합(bonding)이 불량인지 여부를 확인할 수 있다. Referring to FIG. 10, during the test time for each line (SCAN_OUT1, SCAN_OUT2, etc.), at least one multiplexer 228-1 to 228-n allows current to pass through the first switch SW1 and the second switch SW2. It is possible to connect by sequentially changing the multiplexer code (MUX code). The measuring
구체적으로, 테스트 신호(TEST_SCAN) 신호에 응답하여, 화소부(210)의 각 행에 테스트 펄스 신호가 라인 별 테스트 시간(1 Line Test Time) 동안 인가되면, 멀티플렉서(228-1 내지 228-n)는 멀티플렉서 코드(MUX code)를 순차적으로 변경하여 해당 행에 포함된 화소를 열 순서에 따라 순차적으로 연결되도록 제2 스위치(SW2)를 변경할 수 있다. Specifically, in response to the test signal TEST_SCAN signal, when a test pulse signal is applied to each row of the
예를 들어, 제1 행에 대한 테스트 펄스 신호가 제1 테스트 시간(SCAN_OUT1) 동안 인가되면, 멀티플렉서(228-1 내지 228-n)는 각각 대응된 서브 영역에서 제1 행에 포함된 화소를 순차적으로 연결할 수 있다. For example, when the test pulse signal for the first row is applied during the first test time (SCAN_OUT1), the multiplexers 228-1 to 228-n sequentially sequentially select the pixels included in the first row in the corresponding subregions. Can be connected by
본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시장치(30)의 해상도나 화소부의 섹션 수에 대응되도록 라인 별 테스트 시간(1 Line Test Time)이 유동적으로 설정될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, 1 Line Test Time may be flexibly set to correspond to the resolution of the
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 2의 표시장치(30A)와 도 7에서의 표시장치(30B)가 하나의 표시장치로 구현될 수 있다. 일 예에 따른 표시장치는 제1 검사모드에서 테스트 펄스 신호를 통해 행 단위 패드 접합 불량을 검출할 수 있고, 멀티플렉서를 통해 열 단위로 섹션 별 패드 접합 불량을 검출할 수 있다. Meanwhile, according to an embodiment of the present invention, the
다만, 상술한 예시는 일 예에 불과하고, 표시장치는 제1 검사모드에서 테스트 펄스 신호를 통해 행 단위 패드 접합 불량을 검출할 수 있고, 제2 검사모드에서 멀티플렉서를 통해 열 단위로 섹션 별 패드 접합 불량을 검출할 수 있고, 제3 검사모드에서 칩 자체의 회로를 검사할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. However, the above-described example is only an example, and the display device may detect a row-by-row pad bonding failure through a test pulse signal in the first inspection mode, and the pads for each section in column units through a multiplexer in the second inspection mode. The bonding failure can be detected, and the circuit of the chip itself can be inspected in the third inspection mode, but is not limited thereto.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are only exemplary, and those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. . Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.
10: 발광소자 어레이
20: 구동회로 기판
30: 표시장치
110: 화소부
121: 제어부
122: 주사 구동부
123: 데이터 구동부
124: 전원공급부
125: 테스트 펄스 생성부
126: 바이어스 전압 구동부
130: 테스트 데이터 처리부
131: 테스트 데이터 래치
132: 시프트 레지스터10: light emitting element array
20: driver circuit board
30: display device
110: pixel portion
121: control unit
122: scan driver
123: data driver
124: power supply
125: test pulse generator
126: bias voltage driver
130: test data processing unit
131: test data latch
132: shift register
Claims (4)
상기 표시영역 주변에 구비되고, 상기 복수의 화소들에 연결된 전원선으로 전원전압을 출력하는 전원공급부;를 포함하고,
상기 복수의 화소 각각이,
제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극이 상기 전원선에 연결된 적어도 하나의 발광소자; 및
상기 적어도 하나의 발광소자의 상기 제2 전극이 입력단에 연결된 앤드 게이트;를 포함하고,
상기 복수의 화소 중 제1 화소에 포함된 제1 앤드 게이트의 입력단은 상기 제1 화소에 포함된 적어도 하나의 발광소자의 제2 전극에 인가되는 노드 전압 및 테스트 펄스 신호를 입력받고
상기 제1 앤드 게이트의 출력단은 상기 노드 전압 및 상기 테스트 펄스 신호를 기초로 앤드 연산을 수행한 연산 결과를 출력하고, 상기 복수의 화소 중 상기 제1 화소와 동일의 행에 이웃하여 배열된 제2 화소에 포함된 제2 앤드 게이트의 입력단에 연결되어 상기 연산 결과를 전송하는 마이크로 표시장치. A plurality of pixels arranged in the display area; And
A power supply unit disposed around the display area and outputting a power voltage to a power line connected to the plurality of pixels; and
Each of the plurality of pixels,
At least one light emitting device comprising a first electrode and a second electrode, the first electrode connected to the power line; And
And an AND gate connected to an input terminal of the second electrode of the at least one light emitting device,
The input terminal of the first AND gate included in the first pixel among the plurality of pixels receives a node voltage and a test pulse signal applied to the second electrode of at least one light emitting device included in the first pixel.
The output terminal of the first AND gate outputs an AND operation result based on the node voltage and the test pulse signal, and a second among the plurality of pixels arranged adjacent to the same row as the first pixel A micro display device connected to an input terminal of a second AND gate included in a pixel to transmit the operation result.
상기 마이크로 표시장치는,
전류를 측정하여 접합 불량 여부를 테스트하는 측정부;
상기 표시영역에 배열된 상기 복수의 화소에 대하여 행 단위로 연결을 수행하는 제1 스위치; 및
상기 표시영역에 배열된 상기 복수의 화소에 대하여 열 단위로 순차적인 연결을 수행하는 제2 스위치; 를 더 포함하고,
상기 측정부는 상기 제1 스위치가 연결된 행에 포함된 복수의 화소에 대하여 상기 제2 스위치를 통해 순차적으로 연결하여 앤드 게이트 연산 결과에 대응하는 전류를 측정하는 마이크로 표시장치.The method of claim 1,
The micro display device,
A measuring unit that measures a current to test whether or not a joint is defective;
A first switch for connecting the plurality of pixels arranged in the display area in row units; And
A second switch for sequentially connecting the plurality of pixels arranged in the display area in column units; Including more,
The measuring unit measures a current corresponding to an AND gate operation result by sequentially connecting a plurality of pixels included in a row to which the first switch is connected through the second switch.
상기 표시영역은 열 단위의 기설정된 수의 서브 영역으로 분리되고,
상기 제2 스위치는 상기 서브 영역마다 구비되고, 상기 제1 스위치가 연결된 행에 포함된 복수의 화소에 대하여 상기 서브 영역에서 각각 순차적으로 연결하는 마이크로 표시장치.The method of claim 2,
The display area is divided into a predetermined number of sub-areas per column,
The second switch is provided for each of the sub-regions, and sequentially connects a plurality of pixels included in a row to which the first switch is connected in the sub-region.
상기 마이크로 표시장치는,
화소 회로의 결함을 테스트하는 검사부; 및
상기 검사부와 연결되는 제3 스위치;를 더 포함하고,
상기 제1 스위치는 제1 극 및 제2 극을 포함하고, 상기 제1 극은 상기 복수의 발광소자의 제2 전극에 연결되고,
상기 제2 스위치는 상기 측정부와 상기 제1 스위치의 제2 극을 연결하고,
상기 제3 스위치는 상기 검사부와 상기 제1 스위치의 제2 극을 연결하고,
제1 검사 모드에서 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치가 턴-온되고, 상기 측정부는 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치를 경유하여 흐르는 전류를 기초로 접합 불량 여부를 테스트하고,
제2 검사 모드에서 상기 제1 스위치 및 상기 제3 스위치가 턴-온되고, 상기 검사부는 상기 제1 스위치 및 상기 제3 스위치를 경유하여 흐르는 전류를 기초로 화소 회로의 결함을 테스트하는 마이크로 표시장치.The method of claim 2,
The micro display device,
An inspection unit testing defects in the pixel circuit; And
Further comprising a third switch connected to the inspection unit,
The first switch includes a first pole and a second pole, the first pole is connected to the second electrode of the plurality of light emitting devices,
The second switch connects the measurement unit and the second pole of the first switch,
The third switch connects the inspection unit and the second pole of the first switch,
In a first inspection mode, the first switch and the second switch are turned on, and the measurement unit tests whether or not there is a bonding failure based on a current flowing through the first switch and the second switch,
In a second inspection mode, the first switch and the third switch are turned on, and the inspection unit tests a defect in a pixel circuit based on a current flowing through the first switch and the third switch. .
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