KR102140870B1 - Pellicle etching jig and pelicle etching system - Google Patents

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Abstract

본 발명은 펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 펠리클 식각 지그는 설정 두께 및 설정 면적을 갖는 제1 지지판; 중앙 영역에 식각홀이 형성되고, 상기 제1 지지판의 상면에 결합 및 분리 가능하게 제공되는 제2 지지판; 및 설정 길이를 갖는 로드 형상을 가지고 일측 단부는 상기 제1 지지판에 연결되되, 길이 방향이 상기 제1 지지판 및 상기 제2 지지판의 넓이 방향에 대해 수직하게 제공되는 지지부를 포함한다.The present invention relates to a pellicle etching jig and a pellicle etching system. A pellicle etching jig according to an embodiment of the present invention includes a first support plate having a set thickness and a set area; A second support plate having an etching hole formed in a central region, and provided to be coupled and detachable to an upper surface of the first support plate; And a support part having a rod shape having a set length and having one end connected to the first support plate, and provided in a length direction perpendicular to the width direction of the first support plate and the second support plate.

Description

펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템{Pellicle etching jig and pelicle etching system}Pellicle etching jig and pelicle etching system

본 발명은 펠리클 식각 지그 및 이를 갖는 펠리클 식각 시스템에 관한 것으로, 보다 상세히 펠리클의 파손없이 효과적으로 식각을 수행할 수 있는 펠리클 식각 지그 및 이를 갖는 펠리클 식각 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a pellicle etching jig and a pellicle etching system having the same, and in more detail, to a pellicle etching jig capable of effectively etching without damage to the pellicle, and a pellicle etching system having the same.

반도체 공정에서 리소그래피 기술은 해상도를 결정짓는 기술로 반도체 소자를 제조하는 데에 있어서 가장 핵심적인 공정이다. 그 중에서도 EUV 리소그래피 기술은 193 nm의 파장의 ArF 광원을 사용하는 기존의 포토 리소그래피 기술에 비해 14.3배 짧은 13.5 nm의 EUV 광원을 사용하여 패턴을 구현하는 기술이다.In semiconductor processing, lithography technology is a technology that determines resolution and is the most important process in manufacturing semiconductor devices. Among them, EUV lithography technology is a technology that implements a pattern using an EUV light source of 13.5 nm, which is 14.3 times shorter than the conventional photolithography technology using an ArF light source of a wavelength of 193 nm.

리소그래피 공정에서 형성할 수 있는 패턴의 해상도는 사용하는 광원의 파장이 짧아질수록 향상되기 때문에 13.5 nm 파장을 사용하는 EUV 리소그래피 기술은 1Y nm이하의 패턴을 구현하기 위한 차세대 노광 기술이다. EUV 노광 기술을 통해 구현될 패턴 크기가 점점 작아짐에 따라 전사 패턴에 영향을 주는 결함의 임계 크기가 작아지고 있으며 이를 제어하기 위해 외부에서 마스크로 유입되는 결함을 차단하기 위한 극박막 EUV 펠리클 기술에 대한 연구가 이루어지고 있다. 대부분의 물질이 EUV 광에 대해 높은 흡수도를 가지기에 비교적 낮은 흡수 계수를 가지는 Si 계열 물질이 펠리클 물질 후보군으로 대두되었으나 취약한 기계적 강도 및 내열성으로 이를 강화하기 위한 보강층이 포함된 복합구조체 펠리클이 제시되고 있다. 펠리클은 원하는 투과율을 갖도록 하기 위해 식각 공정을 통해 극박막의 형태로 제작된다.Since the resolution of a pattern that can be formed in a lithography process is improved as the wavelength of the light source to be used decreases, EUV lithography technology using a 13.5 nm wavelength is a next-generation exposure technology for realizing patterns of 1Y nm or less. As the pattern size to be implemented through EUV exposure technology becomes smaller and smaller, the critical size of defects that affect the transfer pattern is decreasing.In order to control this, the ultra-thin EUV pellicle technology is used to block defects entering the mask from the outside. Research is being done. Since most of the materials have high absorption to EUV light, Si-based materials with relatively low absorption coefficient have emerged as candidates for pellicle materials, but a composite structure pellicle including a reinforcing layer to reinforce them due to weak mechanical strength and heat resistance is proposed have. The pellicle is manufactured in the form of an ultrathin film through an etching process in order to have a desired transmittance.

본 발명은 펠리클을 효과적으로 식각할 수 있는 펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a pellicle etching jig and a pellicle etching system capable of effectively etching a pellicle.

또한, 본 발명은 식각 과정에서 펠리클이 파손되는 것이 방지되는 펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a pellicle etching jig and a pellicle etching system in which a pellicle is prevented from being damaged during an etching process.

또한, 본 발명은 식각 과정에서 발생된 기포에 의해 식각 효율이 저감되는 것이 방지되는 펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a pellicle etching jig and a pellicle etching system in which etching efficiency is prevented from being reduced by bubbles generated in the etching process.

또한, 본 발명은 식각 정도를 효과적으로 조절할 수 있는 펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a pellicle etching jig and a pellicle etching system capable of effectively controlling the degree of etching.

본 발명의 일 측면에 따르면, 설정 두께 및 설정 면적을 갖는 제1 지지판; 중앙 영역에 식각홀이 형성되고, 상기 제1 지지판의 상면에 결합 및 분리 가능하게 제공되는 제2 지지판; 및 설정 길이를 갖는 로드 형상을 가지고 일측 단부는 상기 제1 지지판에 연결되되, 길이 방향이 상기 제1 지지판 및 상기 제2 지지판의 넓이 방향에 대해 수직하게 제공되는 지지부를 포함하는 펠리클 식각 지그가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, a first support plate having a set thickness and a set area; A second support plate having an etching hole formed in a central region, and provided to be coupled and detachable to an upper surface of the first support plate; And a support portion having a rod shape having a set length and having one end connected to the first support plate, and having a longitudinal direction perpendicular to the width direction of the first support plate and the second support plate. Can be.

또한, 상기 식각홀은 하단부 보다 상단부의 면적이 넓게 형성될 수 있다.In addition, the etching hole may have an upper end area larger than a lower end portion.

또한, 상기 제2 지지판의 상면에는, 일단은 상기 식각홀과 연결되고 타단은 상기 제2 지지판의 외측면을 향하는 교반홈이 형성돌 수 있다.In addition, a stirring groove may be formed on an upper surface of the second support plate at one end connected to the etching hole and at the other end toward an outer surface of the second support plate.

또한, 상기 제1 지지판 또는 상기 제2 지지판의 외측면에 위치되고, 상기 제1 지지판 및 상기 제2 지지판보다 비중이 큰 소재로 제공되는 중량 부재를 더 포함할 수 있다.In addition, a weight member positioned on an outer surface of the first support plate or the second support plate and provided with a material having a greater specific gravity than the first support plate and the second support plate may be further included.

또한, 상기 제1 지지판에는 일측 단부가 상기 제1 지지판의 상면과 연결되는 압력 조절관이 형성되고, 상기 지지부에는 상기 압력 조절관의 타측 단부와 연결되는 연장관이 형성될 수 있다.In addition, the first support plate may be provided with a pressure control pipe having one end connected to the upper surface of the first support plate, and an extension pipe connected to the other end of the pressure control pipe at the support part.

또한, 상기 지지부에 대해 탈착 가능하게 위치되고, 상기 연장관의 일측 단부에 위치되는 필터를 더 포함할 수 있다.In addition, it may further include a filter positioned detachably with respect to the support and positioned at one end of the extension pipe.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 식각 대상이 되는 펠리클을 지지하는 펠리클 식각 지그; 및 상기 펠리클 식각 지그와 연결되는 가이드 지그를 포함하되, 상기 펠리클 식각 지그는, 설정 두께 및 설정 면적을 갖는 제1 지지판; 중앙 영역에 식각홀이 형성되고, 상기 제1 지지판의 상면에 결합 및 분리 가능하게 제공되는 제2 지지판; 및 설정 길이를 갖는 로드 형상을 가지고 일측 단부는 상기 제1 지지판에 연결되되, 길이 방향이 상기 제1 지지판 및 상기 제2 지지판의 넓이 방향에 대해 수직하게 제공되는 지지부를 포함하고, 상기 가이드 지그는, 설정 길이를 갖는 로드 형상으로 제공되는 바디부; 상기 바디부의 양측에 각각 위치되어, 서로 마주보는 방향 사이에 상기 제1 지지판 및 상기 제2 지지판이 위치되는 고정부; 및 상기 바디부의 길이방향 일 지점에서 상방으로 설정 길이 연장되게 제공되는 가이드 지지부를 포함하는 펠리클 식각 시스템이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a pellicle etching jig for supporting a pellicle to be etched; And a guide jig connected to the pellicle etching jig, wherein the pellicle etching jig includes: a first support plate having a set thickness and a set area; A second support plate having an etching hole formed in a central region, and provided to be coupled and detachable to an upper surface of the first support plate; And a support part having a rod shape having a set length and having one end connected to the first support plate, and provided in a length direction perpendicular to the width direction of the first support plate and the second support plate, and the guide jig A body portion provided in a rod shape having a set length; A fixing part which is located on both sides of the body part and in which the first support plate and the second support plate are positioned between opposite directions; And a pellicle etching system including a guide support portion provided to extend a set length upward from a point in the length direction of the body portion may be provided.

또한, 상기 가이드 지그는, 상기 식각홀 영역을 촬영 가능하게 제공되는 카메라를 더 포함할 수 있다.In addition, the guide jig may further include a camera provided to capture the etching hole area.

또한, 상기 가이드 지지부에는 온도계가 제공될 수 있다.In addition, a thermometer may be provided on the guide support.

또한, 상기 가이드 지지부에는 길이 방향을 설정 간격 이격되어 배열되는 측정부가 제공될 수 있다.In addition, the guide support may be provided with a measuring unit arranged to be spaced apart from each other in a length direction.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 펠리클을 효과적으로 식각할 수 있는 펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a pellicle etching jig and a pellicle etching system capable of effectively etching a pellicle may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 식각 과정에서 펠리클이 파손되는 것이 방지되는 펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a pellicle etching jig and a pellicle etching system may be provided in which the pellicle is prevented from being damaged during the etching process.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 식각 과정에서 발생된 기포에 의해 식각 효율이 저감되는 것이 방지되는 펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a pellicle etching jig and a pellicle etching system in which etching efficiency is prevented from being reduced due to bubbles generated in the etching process may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 식각 정도를 효과적으로 조절할 수 있는 펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a pellicle etching jig and a pellicle etching system capable of effectively controlling an etching degree may be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 펠리클 식각 시스템을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 펠리클 식각 지그를 나타내는 도면이다.
도 3은 펠리클 식각 지그의 종단면도이다.
도 4는 도 1의 가이드 지그를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a pellicle etching system according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing the pellicle etching jig of FIG. 1.
3 is a longitudinal cross-sectional view of a pellicle etching jig.
4 is a view showing the guide jig of FIG. 1.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 펠리클 식각 시스템을 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a pellicle etching system according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 펠리클 식각 시스템(1)은 펠리클 식각 지그(10) 및 가이드 지그(20)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the pellicle etching system 1 includes a pellicle etching jig 10 and a guide jig 20.

펠리클 식각 시스템(1)은 펠리클을 지지한 상태로, 식각액에 침지되어 펠리클이 식각되게 한다.The pellicle etching system 1 supports the pellicle and is immersed in an etchant so that the pellicle is etched.

펠리클은 극자외선 리소그래피 (EUVL, Extreme Ultra Violet Lithography) 공정에 사용된다. 극자외선 리소그래피 공정, 리소그래피 공정에서 마스크를 이용해 패턴을 전사시키는데 이 마스크를 보호하기 위해 표면에 펠리클이라는 보호 박막을 배치한다. 마스크의 오염은 리소그래피 공정에 치명적이기 때문에 마스크 노출된 표면 위에 펠리클이라는 박막을 배치하여 마스크의 오염을 보호하는 목적으로 사용한다. 펠리클은 마스크의 광특성에 변화를 주지 않고 극자외선을 효과적으로 투과시키기 위해 극 박막의 형태로 제작되어야 하며, 이를 위해 펠리클의 제작에는 식각 공정이 요구된다. The pellicle is used in the Extreme Ultra Violet Lithography (EUVL) process. In the extreme ultraviolet lithography process and the lithography process, a pattern is transferred using a mask. To protect the mask, a protective thin film called a pellicle is placed on the surface. Since contamination of the mask is critical to the lithography process, a thin film called pellicle is placed on the exposed surface of the mask to protect the contamination of the mask. The pellicle must be manufactured in the form of an extremely thin film in order to effectively transmit extreme ultraviolet rays without changing the optical characteristics of the mask, and for this purpose, an etching process is required to manufacture the pellicle.

펠리클 식각 지그(10)는 식각이 수행될 펠리클을 지지하여, 펠리클의 한 면에 대해 식각이 수행되게 한다.The pellicle etching jig 10 supports a pellicle to be etched so that etching is performed on one side of the pellicle.

도 2는 도 1의 펠리클 식각 지그를 나타내는 도면이고, 도 3은 펠리클 식각 지그의 종단면도이다.2 is a view showing the pellicle etching jig of FIG. 1, and FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view of the pellicle etching jig.

도 2 및 도 3을 참조하면, 펠리클 식각 지그(10)는 제1 지지판(110), 제2 지지판(120) 및 지지부(130)를 포함한다. 제1 지지판(110), 제2 지지판(120) 및 지지부(130)는 식각액에 대해 안정성을 갖는 소재로 제공된다. 일 예로, 제1 지지판(110), 제2 지지판(120) 및 지지부(130)는 PEEK(Polyether ether ketone) 소재로 제공될 수 있다.2 and 3, the pellicle etching jig 10 includes a first support plate 110, a second support plate 120, and a support part 130. The first support plate 110, the second support plate 120, and the support part 130 are provided with a material having stability against an etchant. For example, the first support plate 110, the second support plate 120, and the support part 130 may be made of a polyethylene ether ketone (PEEK) material.

제1 지지판(110)은 설정 두께 및 설정 면적을 갖도록 제공된다. 제1 지지판(110)의 면적은 식각이 수행될 펠리클의 면적보다 크게 제공된다. 제1 지지판(110)에는 압력 조절관(111)이 형성된다. 압력 조절관(111)의 일측 단부는 제1 지지판(110)의 상면과 연결된다. 압력 조절관(111)의 일측 단부는 제1 지지판(110)의 상면 중앙 영역에 연결될 수 있다. 또한, 압력 조절관(111)의 일측 단부는 분지되어, 제1 지지판(110)의 상면 중앙 영역에 각각 연결될 수 있다.The first support plate 110 is provided to have a set thickness and a set area. The area of the first support plate 110 is provided larger than the area of the pellicle to be etched. A pressure control tube 111 is formed on the first support plate 110. One end of the pressure control pipe 111 is connected to the upper surface of the first support plate 110. One end of the pressure control pipe 111 may be connected to a central region of the upper surface of the first support plate 110. In addition, one end of the pressure control pipe 111 may be branched and connected to the central region of the upper surface of the first support plate 110, respectively.

제1 지지판(110)의 상면에는 제1 밀폐 부재(112)가 제공될 수 있다. 제1 밀폐 부재(112)는 원형 또는 다각형 형상을 갖는 패킹으로 제공될 수 있다. 압력 조절관(111)의 일측 단부는 제1 밀폐 부재(112)의 내측 영역에 위치될 수 있다.A first sealing member 112 may be provided on the upper surface of the first support plate 110. The first sealing member 112 may be provided as a packing having a circular or polygonal shape. One end of the pressure control tube 111 may be located in an inner region of the first sealing member 112.

제2 지지판(120)은 설정 두께 및 설정 면적을 갖도록 제공된다. 제2 지지판(120)의 면적은 제1 지지판(110)의 면적에 대응되게 제공될 수 있다. 제2 지지판(120)은 그 저면이 제1 지지판(110)의 상면과 상하로 정렬된 상태로 제1 지지판(110)에 결합되거나 분리 가능하게 제공된다. 일 예로, 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)은 볼트 등의 구조를 갖는 체결 부재(140)에 의해 서로 결합 및 분리 가능하게 제공될 수 있다. 체결 부재(140)는 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)의 외측 둘레를 따라 복수 제공될 수 있다. 예시적으로, 도 2에는 체결 부재(140)가 제2 지지판(120)에서 제1 지지판(110) 방향으로 나사 결합되는 형태로 제공되고, 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)의 외측 둘레를 따라 4개 제공되는 경우가 도시되었다.The second support plate 120 is provided to have a set thickness and a set area. The area of the second support plate 120 may be provided to correspond to the area of the first support plate 110. The second support plate 120 is provided to be coupled to or detachably from the first support plate 110 with its bottom surface aligned vertically with the upper surface of the first support plate 110. For example, the first support plate 110 and the second support plate 120 may be provided so as to be coupled and separated from each other by a fastening member 140 having a structure such as a bolt. A plurality of fastening members 140 may be provided along the outer circumferences of the first support plate 110 and the second support plate 120. For example, in FIG. 2, the fastening member 140 is provided in a form in which the second support plate 120 is screwed in the direction of the first support plate 110, and the first support plate 110 and the second support plate 120 are The case where four are provided along the outer perimeter is shown.

제2 지지판(120)의 하면에는 제2 밀폐 부재(121)가 제공될 수 있다. 제2 밀폐 부재(121)는 제1 밀폐 부재(112)와 대응되는 형상을 가지고, 제1 지지판(110)과 제2 지지판(120)이 체결되면 상하로 서로 마주보게 위치될 수 있다.A second sealing member 121 may be provided on the lower surface of the second support plate 120. The second sealing member 121 has a shape corresponding to the first sealing member 112, and may be positioned to face each other vertically when the first support plate 110 and the second support plate 120 are fastened.

제2 지지판(120)의 중앙 영역에는 식각홀(122)이 형성된다. 식각홀(122)을 통해 제1 지지판(110)의 상면에서 외부로 노출되는 영역은 펠리클에서 식각이 수행될 영역에 대응되는 형상 및 면적을 갖는다. 이에 따라, 식각 대상 펠리클이 제1 지지판(110)과 제2 지지판(120) 사이에 위치되면, 펠리클의 일면은 식각홀(122)을 통해 외부로 노출되고, 펠리클의 다른 한 면은 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)에 의해 외부와 차단된다. 식각홀(122)은 제2 밀폐 부재(121)의 내측 영역에 형성될 수 있다.An etching hole 122 is formed in the central region of the second support plate 120. An area exposed to the outside from the top surface of the first support plate 110 through the etching hole 122 has a shape and an area corresponding to an area to be etched in the pellicle. Accordingly, when the pellicle to be etched is positioned between the first support plate 110 and the second support plate 120, one surface of the pellicle is exposed to the outside through the etching hole 122, and the other surface of the pellicle is the first support plate. It is blocked from the outside by (110) and the second support plate (120). The etching hole 122 may be formed in an inner region of the second sealing member 121.

식각홀(122)은 하단부 보다 상단부의 면적이 넓게 형성될 수 있다. 일 예로, 식각홀(122)은 하단부에서 상단으로 갈수록 외측을 향해 경사진 구조로 제공될 수 있다.The etching hole 122 may have a larger area at the upper end than at the lower end. As an example, the etching hole 122 may be provided in a structure inclined toward the outside from the lower part to the upper part.

제2 지지판의 상면에는 교반홈(123)이 형성될 수 있다. 교반홈(123)의 일단은 식각홀(122)과 연결되고, 교반홈(123)의 타단은 제2 지지판(120)의 외측면을 향하도록 제공될 수 있다.A stirring groove 123 may be formed on the upper surface of the second support plate. One end of the stirring groove 123 may be connected to the etching hole 122, and the other end of the stirring groove 123 may be provided to face the outer surface of the second support plate 120.

지지부(130)는 설정 길이를 갖는 로드 형상으로 제공된다. 지지부(130)의 길이 방향은 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)의 넓이 방향에 대해 수직하게 제공될 수 있다. 지지부(130)의 하방 단부는 제1 지지판(110)에 연결될 수 있다. The support 130 is provided in a rod shape having a set length. The longitudinal direction of the support part 130 may be provided perpendicular to the width direction of the first support plate 110 and the second support plate 120. The lower end of the support part 130 may be connected to the first support plate 110.

지지부(130)는 식각홀(122)을 기준으로 교반홈(123)이 형성된 방향의 타측에 위치될 수 있다.The support 130 may be located on the other side of the direction in which the stirring groove 123 is formed with respect to the etching hole 122.

지지부(130)에는 연장관(131)이 형성될 수 있다. 연장관(131)의 하방 단부는 압력 조절관(111)의 타측 단부와 연결될 수 있다. 지지부(130)의 상부에는 필터(135)가 제공될 수 있다. 필터(135)는 연장관(131)의 타측 단부에 위치될 수 있다. 필터(135)는 지지부(130)에 대해 탈착 가능하게 제공될 수 있다.An extension pipe 131 may be formed on the support part 130. The lower end of the extension pipe 131 may be connected to the other end of the pressure control pipe 111. A filter 135 may be provided on the support part 130. The filter 135 may be located at the other end of the extension pipe 131. The filter 135 may be provided detachably with respect to the support 130.

펠리클 식각 지그(10)의 하부에는 중량 부재(150)가 위치될 수 있다. 일 예로, 중량 부재(150)는 제1 지지판(110) 또는 제2 지지판(120)의 외측면에 위치되고, 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)보다 비중이 큰 소재로 제공된다. 일 예로, 중량 부재(150)는 스테인리스강 등과 같은 금속 소재로 제공될 수 있다. 중량 부재(150)는 볼트 구조로 제공되어, 제1 지지판(110) 또는 제2 지지판(120)의 외측면에 나사 결합되게 제공될 수 있다.The weight member 150 may be positioned under the pellicle etching jig 10. For example, the weight member 150 is located on the outer surface of the first support plate 110 or the second support plate 120, and is provided with a material having a greater specific gravity than the first support plate 110 and the second support plate 120 . For example, the weight member 150 may be made of a metal material such as stainless steel. The weight member 150 may be provided in a bolt structure and may be provided to be screwed to the outer surface of the first support plate 110 or the second support plate 120.

도 4는 도 1의 가이드 지그를 나타내는 도면이다.4 is a view showing the guide jig of FIG. 1.

도 4를 참조하면, 가이드 지그(20)는 바디부(210), 고정부(220) 및 가이드 지지부(230)를 포함한다. 바디부(210), 고정부(220) 및 가이드 지지부(230)는 식각액에 대해 안정성을 갖는 소재로 제공된다. 일 예로, 바디부(210), 고정부(220) 및 가이드 지지부(230)는 테프론 소재(뒤폰사의 폴리테트라플루오르에틸렌 섬유)로 제공될 수 있다. 가이드 지그(20)는 펠리클 식각 지그(10)와 연결되어, 펠리클 식각 지그(10)의 이동을 보조한다.Referring to FIG. 4, the guide jig 20 includes a body part 210, a fixing part 220, and a guide support part 230. The body part 210, the fixing part 220, and the guide support part 230 are made of a material having stability against an etchant. For example, the body part 210, the fixing part 220, and the guide support part 230 may be made of a Teflon material (polytetrafluoroethylene fiber made by Dupont). The guide jig 20 is connected to the pellicle etching jig 10 to assist the movement of the pellicle etching jig 10.

바디부(210)는 설정 길이를 갖는 로드 형상으로 제공될 수 있다. 바디부(210)의 길이는 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)의 일측 모서리의 길이에 대응되게 제공될 수 있다.The body part 210 may be provided in a rod shape having a set length. The length of the body part 210 may be provided to correspond to the length of one edge of the first support plate 110 and the second support plate 120.

고정부(220)는 바디부(210)의 양측에 각각 위치될 수 있다. 고정부(220)는 평면상에서 바디부(210)의 길이방향에 대해 수직한 방향으로 돌출되게 형성된다. 이에 따라, 고정부(220)으로 마주보는 고정부(220) 사이에 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)이 위치되는 방식으로, 펠리클 식각 지그(10)는 가이드 지그(20)에 고정될 수 있다. 고정부(220)는 상하 방향으로 제1 지지판(110)의 하단에서 제2 지지판(120)의 상단 까지의 높이에 대응되는 길이를 가질 수 있다. The fixing part 220 may be positioned on both sides of the body part 210, respectively. The fixing part 220 is formed to protrude in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the body part 210 on a plane. Accordingly, in a manner in which the first support plate 110 and the second support plate 120 are positioned between the fixing parts 220 facing by the fixing part 220, the pellicle etching jig 10 is attached to the guide jig 20. Can be fixed. The fixing part 220 may have a length corresponding to a height from the lower end of the first support plate 110 to the upper end of the second support plate 120 in the vertical direction.

고정부(220)는 바디부(210)를 기준으로 서로 반대되는 방향으로 각각 연장되게 제공될 수 있다. 이에 따라, 가이드 지그(20)를 기준으로 서로 반대 방향에 각각 1개의 펠리클 식각 지그(10)가 고정될 수 있다.The fixing parts 220 may be provided to extend in directions opposite to each other with respect to the body part 210. Accordingly, one pellicle etching jig 10 may be fixed in directions opposite to each other based on the guide jig 20.

바디부(210)의 길이 방향 일 지점에는 보조 고정부(225)가 제공될 수 있다. 보조 고정부(225)는 평면상에서 바디부(210)의 길이 방향에 대해 수직한 방향으로 제공될 수 있다. 고정부(220)의 하부는 교반홈(123)에 대응되는 형상으로 제공될 수 있다. 이에 따라, 보조 고정부(225)는 교반홈(123)에 위치되는 형태로, 마주보는 고정부(220) 사이에 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)이 정렬되는 것을 보조할 수 있다.An auxiliary fixing part 225 may be provided at a point in the length direction of the body part 210. The auxiliary fixing part 225 may be provided in a direction perpendicular to the length direction of the body part 210 on a plane. The lower portion of the fixing part 220 may be provided in a shape corresponding to the stirring groove 123. Accordingly, the auxiliary fixing part 225 is located in the stirring groove 123 and can assist in aligning the first support plate 110 and the second support plate 120 between the fixing parts 220 facing each other. have.

보조 고정부(225)는 바디부(210)를 기준으로 서로 반대되는 방향으로 각각 연장되게 제공될 수 있다.The auxiliary fixing parts 225 may be provided to extend in directions opposite to each other with respect to the body part 210.

가이드 지지부(230)는 바디부(210)의 길이방향 일 지점에서 상방으로 설정 길이 연장되게 제공될 수 있다. 가이드 지그(20)가 펠리클 식각 지그(10)에 고정되면, 가이드 지지부(230)는 지지부(130)와 나란하게 위치될 수 있다.The guide support 230 may be provided to extend a set length upward from a point in the length direction of the body part 210. When the guide jig 20 is fixed to the pellicle etching jig 10, the guide support 230 may be positioned parallel to the support 130.

가이드 지지부(230)의 외측면에는 측정부(232)가 제공될 수 있다. 측정부(232)는 가이드 지지부(230)의 하부에서 위쪽으로 길이 방향을 따라 설정 간격 이격되게 배열되어, 가이드 지지부(230)의 하부가 식각액에 침지된 깊이를 시각적으로 인식할 수 있도록 한다. 일 예로, 측정부(232)는 가이드 지지부(230)의 외측면에서 내측으로 설정 깊이 들어간 홈, 외측면서 돌출된 돌기 등으로 형성될 수 있다. 펠리클은 극박막으로 식각됨에 따라, 식각액에 의한 정수압이 설정치 이상이 되면 파손, 손상될 수 있다. 또한, 식각액은 설정 온도 범위에서 사용되며, 펠리클의 식각 공정은 수 시간 내지 수십 시간의 장시간 동안 이루어 짐에 따라, 식각액의 증발로 식각액 표면의 높이가 달라진다. 이에 따라, 본 발명에 따른 가이드 지그(20)는 측정부(232)를 통해 하단부의 식각액 수면에 대한 깊이를 측정 되고, 설정 깊이 범위를 유지하도록 위치가 조절될 수 있다.A measuring part 232 may be provided on the outer surface of the guide support part 230. The measuring part 232 is arranged at a set interval from the lower part of the guide support part 230 to the upper part along the length direction, so that the depth of the lower part of the guide support part 230 immersed in the etchant can be visually recognized. For example, the measuring part 232 may be formed of a groove set deeply inward from the outer surface of the guide support part 230, a protrusion that protrudes while being outside. As the pellicle is etched into an ultra-thin film, if the hydrostatic pressure by the etchant exceeds the set value, it may be damaged or damaged. In addition, the etchant is used within a set temperature range, and as the etching process of the pellicle is performed for a long period of several hours to tens of hours, the height of the surface of the etchant is changed due to evaporation of the etchant. Accordingly, the guide jig 20 according to the present invention measures the depth to the surface of the etchant at the lower end through the measuring unit 232, and the position may be adjusted to maintain a set depth range.

가이드 지지부(230)의 길이방향 일 지점에는 카메라(240)가 위치될 수 있다. 일 예로, 가이드 지지부(230)에는 카메라 고정부(231)가 제공되고, 카메라(240)는 카메라 고정부(231)에 고정되는 형태로 제공될 수 있다. 카메라(240)는 고정부(220)가 형성되는 방향에 대응하여, 가이드 지지부(230)의 양측에 제공될 수 있다. 일 예로, 카메라(240)는 IP 카메라(Internet Protocol camera)로 제공되어, 촬영된 영상을 디지털 형태로 변환, 압축한 후 외부로 전송 가능하게 제공될 수 있다. 카메라(240)는 식각홀(122) 영역을 촬영 가능하게 제공된다. The camera 240 may be positioned at a point in the length direction of the guide support part 230. For example, a camera fixing part 231 may be provided on the guide support part 230, and the camera 240 may be provided in a form fixed to the camera fixing part 231. The camera 240 may be provided on both sides of the guide support part 230 corresponding to the direction in which the fixing part 220 is formed. For example, the camera 240 may be provided as an IP camera (Internet Protocol camera), and may be provided to be transmitted to the outside after converting and compressing the captured image into a digital form. The camera 240 is provided to capture an area of the etching hole 122.

가이드 지지부(230)에는 온도계(235)가 제공될 수 있다. 일 예로, 가이드 지지부(230)에는 상하 방향으로 설정 깊이를 갖는 홀이 형성되고, 온도계(235)는 가이드 지지부(230)의 홀에 삽입되는 형태로 제공될 수 있다. 온도계(235)는 식각액의 온도를 감지할 수 있다.A thermometer 235 may be provided on the guide support 230. For example, a hole having a set depth in the vertical direction is formed in the guide support part 230, and the thermometer 235 may be provided in a form that is inserted into the hole of the guide support part 230. The thermometer 235 may detect the temperature of the etchant.

이하, 펠리클이 식각되는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of etching the pellicle will be described.

먼저, 식각 대상이 되는 펠리클이 제1 지지판(110)과 제2 지지판(120) 사이에 위치시킨 후, 제1 지지판(110)과 제2 지지판(120)을 체결한다. 이때, 펠리클에서 식각 대상이 되는 면이 식각홀(122)을 향하도록 한다. 이후, 펠리클 식각 지그(10)의 일측에 가이드 지그(20)가 위치되도록 한다. 하나의 가이드 지그(20)에 도 1과 같이 2개의 펠리클 식각 지그(10)를 위치시킬 수 있다. 이에 따라, 펠리클 식각 지그(10)의 배열 효율성이 상향되어, 하나의 식각액 용기에 복수의 펠리클 식각 지그(10)를 효과적으로 침지 시킬 수 있다.First, after the pellicle to be etched is positioned between the first support plate 110 and the second support plate 120, the first support plate 110 and the second support plate 120 are fastened. At this time, the surface to be etched in the pellicle faces the etching hole 122. Thereafter, the guide jig 20 is positioned on one side of the pellicle etching jig 10. As shown in FIG. 1, two pellicle etching jigs 10 may be positioned on one guide jig 20. Accordingly, the arrangement efficiency of the pellicle etching jig 10 is increased, so that a plurality of pellicle etching jigs 10 can be effectively immersed in one etchant container.

이 후, 펠리클 식각 지그(10)는 식각액 방향으로 이동되어, 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)은 식각액에 침지될 수 있다. 일 예로, 펠리클 식각 지그(10)는 식각액을 저장한 용기 방향으로 하강되는 방식으로 구동되어, 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)이 식각액에 침지되게 할 수 있다. 이때, 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)은 가이드 지그(20)에 의해 보조되어, 안정적으로 이동될 수 있다. 또한, 중량 부재(150)로 인해, 제1 지지판(110) 및 제2 지지판(120)은 식각액에 효과적으로 침지될 수 있다.After that, the pellicle etching jig 10 is moved in the direction of the etching solution, so that the first support plate 110 and the second support plate 120 may be immersed in the etching solution. As an example, the pellicle etching jig 10 may be driven in a manner that descends in the direction of a container storing the etchant so that the first support plate 110 and the second support plate 120 are immersed in the etching solution. In this case, the first support plate 110 and the second support plate 120 are assisted by the guide jig 20 and can be stably moved. In addition, due to the weight member 150, the first support plate 110 and the second support plate 120 can be effectively immersed in the etchant.

펠리클은 식각홀(122)을 통해 식각액에 노출되어 식각이 이루어 진다. 이 때, 펠리클은 수평 방향으로 위치됨에 따라, 식각액이 펠리클에 가하는 정수압은 모든 영역에 대해 동일하게 제공된다. 구체적으로, 유체의 정수압은 유체의 표면을 기준으로 깊이가 깊어질수록 증가한다. 식각에 의해 펠리클은 두께가 수십 나노미터 스케일까지 얇아 진다. 이에 따라, 펠리클의 영역별로 작용하는 정수압에 차이가 발생하면, 정수압이 큰 영역에서 펠리클의 파손이 발생할 수 있다. 반면, 본 발명에 따른 펠리클 식각 시스템(1)은 펠리클의 모든 영역에 대해 정수압이 동일하게 작용함에 따라, 정수압을 효과적으로 조절하여, 정수압에 의한 펠리클의 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 식각에 사용되는 식각액의 깊이를 줄일 수 있다.The pellicle is etched by being exposed to an etching solution through the etching hole 122. At this time, as the pellicle is positioned in the horizontal direction, the hydrostatic pressure applied by the etchant to the pellicle is equally provided to all regions. Specifically, the hydrostatic pressure of the fluid increases as the depth increases with respect to the surface of the fluid. By etching, the pellicle is thinned to a scale of tens of nanometers. Accordingly, when a difference occurs in the hydrostatic pressure acting for each area of the pellicle, the pellicle may be damaged in a region having a large hydrostatic pressure. On the other hand, in the pellicle etching system 1 according to the present invention, since the hydrostatic pressure acts equally on all regions of the pellicle, the hydrostatic pressure is effectively controlled, thereby preventing destruction of the pellicle by the hydrostatic pressure. In addition, it is possible to reduce the depth of the etchant used for etching.

펠리클이 식각되는 과정에서, 펠리클과 식각액의 반응으로 인해 기포가 발생할 수 있다. 예를 들어, 펠리클에서 식각 대상이 되는 물질이 실리콘을 포함하고, 식각액이 수산화 칼륨을 포함하는 경우, 펠리클의 식각면에서 수소 버블이 생성될 수 있다. 펠리클의 식각면에 발생된 수소 버블은 펠리클과 식각액의 접촉의 영역별 편차를 야기하여 식각 품질을 저하시킨다. 반면 본 발명에 따른 펠리클 식각 시스템(1)은 식각홀(122)은 하단부 보다 상단부의 면적이 넓게 형성될 수 있다. 이에 따라, 펠리클의 식각면에 발생된 기포는 식각홀(122)에 의해 식각홀(122) 밖으로 이동이 안내되어, 펠리클의 식각면에서 효과적으로 제거될 수 있다.During the process of etching the pellicle, air bubbles may occur due to a reaction between the pellicle and the etching solution. For example, when a material to be etched in the pellicle contains silicon and the etchant contains potassium hydroxide, hydrogen bubbles may be generated on the etching surface of the pellicle. Hydrogen bubbles generated on the etching surface of the pellicle cause variation in each area of the contact between the pellicle and the etching solution, thereby deteriorating the etching quality. On the other hand, in the pellicle etching system 1 according to the present invention, the etching hole 122 may have a wider area at the upper end than at the lower end. Accordingly, bubbles generated on the etch surface of the pellicle are guided by the etch hole 122 to move out of the etch hole 122, and thus can be effectively removed from the etch surface of the pellicle.

본 발명에 따른 펠리클 식각 시스템(1)은 펠리클의 비 식각면이 압력 조절관(111) 및 연장관(131)을 통해 외부와 연결될 수 있다. 이에 따라, 비 식각면에 작용하는 압력이 조절되어, 압력차로 인해 펠리클이 파괴되는 것이 방지될 수 있다. 또한, 연장관(131)의 단부에는 필터(135)가 위치되어, 연장관(131)을 통해 펠리클로 이물질이 유입되는 것이 방지된다. In the pellicle etching system 1 according to the present invention, the non-etched surface of the pellicle may be connected to the outside through the pressure control pipe 111 and the extension pipe 131. Accordingly, the pressure acting on the non-etched surface is controlled, so that destruction of the pellicle due to the pressure difference can be prevented. In addition, a filter 135 is positioned at the end of the extension tube 131 to prevent foreign substances from flowing into the pellicle through the extension tube 131.

펠리클이 식각되는 과정에서, 펠리클의 식각면에 인접한 식각액의 물성이 달라져, 식각 효율이 저하된다. 반면 본 발명에 따른 펠리클 식각 시스템(1)은 교반홈(123)을 통해 식각홀(122)의 내측에 위치된 식각액이 식각홀(122)의 외측에 위치된 식각액과 효과적으로 교반될 수 있다. 이에 따라, 식각의 물성 변화로 인한 식각 효율 저하가 저감될 수 있다. 또한, 식각을 종료하고, 페리클의 식각액에서 꺼낼 때, 식각홀(122)의 내측에 위치된 식각액이 제거되어, 식각액이 펠리클에 가하는 힘을 줄일 수 있다.In the process of etching the pellicle, the physical properties of the etchant adjacent to the etching surface of the pellicle are changed, and the etching efficiency is deteriorated. On the other hand, in the pellicle etching system 1 according to the present invention, the etching solution positioned inside the etching hole 122 through the stirring groove 123 may be effectively stirred with the etching solution positioned outside the etching hole 122. Accordingly, a decrease in etching efficiency due to a change in the physical properties of the etching may be reduced. In addition, when the etching is finished and the pellicle is removed from the etchant, the etchant located inside the etching hole 122 is removed, so that the force exerted by the etchant to the pellicle can be reduced.

식각에 의한 펠리클의 목표 두께는 수십 나노미터 정도임에 따라, 식각이 진행된 후 적절한 시점에 식각을 종료하고, 펠리클을 식각액에서 꺼내야 한다. 본 발명에 따른 펠리클 식각 시스템(1)은 펠리클의 식각면이 식각되는 상태를 카메라(240)를 통해 모니터링 할 수 있다. 이에 따라, 식각의 종료 시점을 효과적으로 판단하고, 식각을 종료할 수 있다.Since the target thickness of the pellicle by etching is about several tens of nanometers, the etching must be completed at an appropriate time after etching proceeds, and the pellicle must be removed from the etching solution. The pellicle etching system 1 according to the present invention may monitor a state in which the etching surface of the pellicle is etched through the camera 240. Accordingly, it is possible to effectively determine the end point of the etching and end the etching.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

10: 펠리클 식각 지그 20: 가이드 지그
110: 제1 지지판 120: 제2 지지판
130: 지지부 140: 체결 부재
210: 바디부 220: 고정부 2
30: 가이드 지지부 240: 카메라10: pellicle etching jig 20: guide jig
110: first support plate 120: second support plate
130: support 140: fastening member
210: body part 220: fixing part 2
30: guide support 240: camera

Claims (10)

설정 두께 및 설정 면적을 갖는 제1 지지판;
중앙 영역에 식각홀이 형성되고, 상기 제1 지지판의 상면에 결합 및 분리 가능하게 제공되는 제2 지지판; 및
설정 길이를 갖는 로드 형상을 가지고 일측 단부는 상기 제1 지지판에 연결되되, 길이 방향이 상기 제1 지지판 및 상기 제2 지지판의 넓이 방향에 대해 수직하게 제공되는 지지부를 포함하되,
상기 제2 지지판의 상면에는, 일단은 상기 식각홀과 연결되고 타단은 상기 제2 지지판의 외측면을 향하는 교반홈이 형성되는 펠리클 식각 지그.A first support plate having a set thickness and a set area;
A second support plate having an etching hole formed in a central region, and provided to be coupled and detachable to an upper surface of the first support plate; And
It has a rod shape having a set length and one end is connected to the first support plate, and includes a support portion provided in a longitudinal direction perpendicular to the width direction of the first support plate and the second support plate,
A pellicle etching jig having a stirring groove formed on an upper surface of the second support plate at one end connected to the etching hole and at the other end toward an outer surface of the second support plate. 제1항에 있어서,
상기 식각홀은 하단부 보다 상단부의 면적이 넓게 형성되는 펠리클 식각 지그.The method of claim 1,
The etching hole is a pellicle etching jig in which an area of an upper end portion is formed larger than that of a lower portion. 제1항에 있어서,
극자외선 리소그래피 공정용 펠리클을 식각하는데 사용되는 것을 포함하는 펠리클 식각 지그.The method of claim 1,
A pellicle etching jig including one used to etch a pellicle for an extreme ultraviolet lithography process. 제1항에 있어서,
상기 제1 지지판 또는 상기 제2 지지판의 외측면에 위치되고, 상기 제1 지지판 및 상기 제2 지지판보다 비중이 큰 소재로 제공되는 중량 부재를 더 포함하는 펠리클 식각 지그.The method of claim 1,
A pellicle etching jig further comprising a weight member positioned on an outer surface of the first support plate or the second support plate and made of a material having a greater specific gravity than the first support plate and the second support plate. 제1항에 있어서,
상기 제1 지지판에는 일측 단부가 상기 제1 지지판의 상면과 연결되는 압력 조절관이 형성되고,
상기 지지부에는 상기 압력 조절관의 타측 단부와 연결되는 연장관이 형성되는 펠리클 식각 지그.The method of claim 1,
The first support plate has one end formed with a pressure control tube connected to the upper surface of the first support plate,
A pellicle etching jig in which an extension tube connected to the other end of the pressure control tube is formed on the support part. 제5항에 있어서,
상기 지지부에 대해 탈착 가능하게 위치되고, 상기 연장관의 일측 단부에 위치되는 필터를 더 포함하는 펠리클 식각 지그.The method of claim 5,
A pellicle etching jig further comprising a filter positioned to be detachably positioned with respect to the support and positioned at one end of the extension pipe. 식각 대상이 되는 펠리클을 지지하는 펠리클 식각 지그; 및
상기 펠리클 식각 지그와 연결되는 가이드 지그를 포함하되,
상기 펠리클 식각 지그는,
설정 두께 및 설정 면적을 갖는 제1 지지판;
중앙 영역에 식각홀이 형성되고, 상기 제1 지지판의 상면에 결합 및 분리 가능하게 제공되는 제2 지지판; 및
설정 길이를 갖는 로드 형상을 가지고 일측 단부는 상기 제1 지지판에 연결되되, 길이 방향이 상기 제1 지지판 및 상기 제2 지지판의 넓이 방향에 대해 수직하게 제공되는 지지부를 포함하고,
상기 가이드 지그는,
설정 길이를 갖는 로드 형상으로 제공되는 바디부;
상기 바디부의 양측에 각각 위치되어, 서로 마주보는 방향 사이에 상기 제1 지지판 및 상기 제2 지지판이 위치되는 고정부; 및
상기 바디부의 길이방향 일 지점에서 상방으로 설정 길이 연장되게 제공되는 가이드 지지부를 포함하는 펠리클 식각 시스템.A pellicle etching jig supporting a pellicle to be etched; And
Including a guide jig connected to the pellicle etching jig,
The pellicle etching jig,
A first support plate having a set thickness and a set area;
A second support plate having an etching hole formed in a central region, and provided to be coupled and detachable to an upper surface of the first support plate; And
It has a rod shape having a set length and one end is connected to the first support plate, and includes a support portion provided in a length direction perpendicular to the width direction of the first support plate and the second support plate,
The guide jig,
A body portion provided in a rod shape having a set length;
A fixing part which is located on both sides of the body part and in which the first support plate and the second support plate are positioned between opposite directions; And
A pellicle etching system comprising a guide support portion provided to extend a set length upward from a point in the length direction of the body portion. 제7항에 있어서,
상기 가이드 지그는,
상기 식각홀 영역을 촬영 가능하게 제공되는 카메라를 더 포함하는 펠리클 식각 시스템.The method of claim 7,
The guide jig,
A pellicle etching system further comprising a camera provided to photograph the etch hole area. 제8항에 있어서,
상기 가이드 지지부에는 온도계가 제공되는 펠리클 식각 시스템.The method of claim 8,
A pellicle etching system provided with a thermometer on the guide support. 제7항에 있어서,
상기 가이드 지지부에는 길이 방향을 설정 간격 이격되어 배열되는 측정부가 제공되는 펠리클 식각 시스템.The method of claim 7,
A pellicle etching system provided with a measuring unit arranged at a set distance apart in a length direction to the guide support.
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