KR102137553B1 - Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지; 경화제; 무기 충전제; 및 하기 화학식 1의 화합물을 포함한다:
[화학식 1]

Figure 112017131385777-pat00007
The epoxy resin composition for sealing a semiconductor device of the present invention includes an epoxy resin; Curing agent; Inorganic fillers; And a compound of Formula 1:
[Formula 1]
Figure 112017131385777-pat00007

Description

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치{EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE ENCAPSULATED USING THE SAME}Epoxy resin composition for sealing semiconductor devices and semiconductor devices sealed using the same{EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE ENCAPSULATED USING THE SAME}

본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 금속과의 부착력과 신뢰성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an epoxy resin composition for sealing a semiconductor element and a semiconductor device sealed using the same. More specifically, the present invention relates to an epoxy resin composition for sealing a semiconductor device having excellent adhesion and reliability with a metal and a semiconductor device sealed using the same.

반도체 소자를 수분이나 기계적 충격 등의 외부 환경으로부터 보호하기 위한 목적으로 에폭시 수지 조성물로 반도체 소자를 밀봉하는 방법이 상업적으로 행하여지고 있다. 에폭시 수지 조성물은 리드프레임이나 칩과의 우수한 부착력을 요하는데, 리드프레임과의 부착력이 떨어질 경우 반도체 소자의 신뢰도가 저하되는 문제가 있다. A method of sealing a semiconductor element with an epoxy resin composition for the purpose of protecting the semiconductor element from external environments such as moisture or mechanical impact has been commercially performed. The epoxy resin composition requires excellent adhesion to a lead frame or chip, but when the adhesion to the lead frame is poor, there is a problem that the reliability of the semiconductor device is lowered.

종래에는 접착력을 증가시키기 위해 에폭시 수지와 페놀 수지의 당량비를 1:1로 맞추지 않고 비율을 다르게 하여 미반응 기능기가 접착에 참여하게 하거나, 커플링제의 종류를 바꾸고 함량을 증가시킴으로써 접착력을 증가시키는 방법 등이 시도되었다. 그러나, 종래의 방법으로는 접착력이 충분하지 않거나, 접착력을 확보한다고 하더라도 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물로 요구되는 기본 물성이 저하되는 문제가 있었다.Conventionally, in order to increase the adhesive strength, the ratio of the equivalent ratio of the epoxy resin and the phenol resin is not adjusted to 1:1, and the ratio is varied to make the unreacted functional groups participate in the adhesion, or to increase the adhesive strength by changing the type of coupling agent and increasing the content. The back was tried. However, in the conventional method, there is a problem that the basic properties required for the epoxy resin composition for sealing semiconductor devices are deteriorated even if the adhesive force is insufficient or the adhesive force is secured.

본 발명의 목적은 금속과의 접착력이 향상되어 신뢰도가 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.The object of the present invention Excellent adhesion with improved adhesion to metal It is to provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor device.

본 발명의 또 다른 목적은 리드프레임용 패키지에 적합한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor device suitable for a package for a lead frame.

본 발명의 또 다른 목적은 상기와 같은 에폭시 수지 조성물로 밀봉된 반도체 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor device sealed with the above epoxy resin composition.

본 발명의 하나의 관점은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지; 경화제; 무기 충전제; 및 하기 화학식 1의 화합물을 포함한다:One aspect of the present invention relates to an epoxy resin composition for sealing semiconductor devices. The epoxy resin composition for sealing a semiconductor device is an epoxy resin; Curing agent; Inorganic fillers; And a compound of Formula 1:

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017131385777-pat00001
Figure 112017131385777-pat00001

구체예에서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 1 중량%로 포함될 수 있다. In an embodiment, the compound of Formula 1 may be included in an amount of 0.01% to 1% by weight of the epoxy resin composition for sealing the semiconductor device.

구체예에서, 상기 에폭시 수지는 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 글리시딜에테르, 비스히드록시비페닐계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔계 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다. In an embodiment, the epoxy resin is an epoxy resin obtained by epoxidizing a condensation product of phenol or alkyl phenols with hydroxybenzaldehyde, a phenol aralkyl type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, and a polyfunctional type Epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, bisphenol A/bisphenol F/bisphenol AD novolac type epoxy resin, bisphenol A/bisphenol F/bisphenol AD glycidyl ether, bishydroxybiphenyl epoxy resin, dicyclo It may include one or more of a pentadiene-based epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin resin.

구체예에서, 상기 경화제는 페놀아랄킬형 페놀 수지, 페놀노볼락형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 크레졸 노볼락형 페놀 수지, 나프톨형 페놀 수지, 테르펜형 페놀 수지, 다관능형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형 페놀 수지, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 다가 페놀 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.In a specific embodiment, the curing agent is a phenol aralkyl type phenol resin,  phenol novolac type phenol resin, xylotype phenol resin, cresol novolac type phenol resin, naphthol type phenol resin, terpene type phenol resin, polyfunctional phenol resin, dicyclopenta It may include one or more of diene-based phenol resins, novolac-type phenol resins synthesized from bisphenol A and resol, tris(hydroxyphenyl)methane, and polyhydric phenol compounds.

구체예에서, 상기 무기 충전제는 평균 입경 5 내지 30㎛의 구상 용융실리카 50 중량% 내지 99 중량% 및 평균 입경 0.001 내지 1㎛의 구상 용융실리카 1 중량% 내지 50 중량%로 이루어진 용융실리카 혼합물을 포함할 수 있다. In an embodiment, the inorganic filler comprises a fused silica   mixture consisting of 50% to 99% by weight of spherical fused silica having an average particle diameter of 5 to 30㎛ and 1% to 50% by weight of spherical fused silica having an average particle diameter of 0.001 to 1㎛ can do.

구체예에서, 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은, 상기 에폭시 수지 0.5 중량% 내지 20 중량%, 상기 경화제 0.1 중량% 내지 10 중량%, 상기 무기 충전제 70 중량% 내지 95 중량%, 상기 화학식 1의 화합물 0.01 중량% 내지 1 중량%를 포함할 수 있다. In an embodiment, the epoxy resin composition for sealing a semiconductor device, the epoxy resin 0.5 wt% to 20 wt%, the curing agent 0.1 wt% to 10 wt%, the inorganic filler 70 wt% to 95 wt%, the formula (1) It may contain from 0.01% to 1% by weight of the compound.

구체예에서, 상기 에폭시 수지 조성물은 경화촉진제, 커플링제, 이형제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. In an embodiment, the epoxy resin composition may further include at least one of a curing accelerator, a coupling agent, a release agent, and a colorant.

본 발명의 다른 관점은 반도체 장치에 관한 것이다. 상기 반도체 장치는 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 것이다.Another aspect of the invention relates to a semiconductor device. The semiconductor device is sealed using the epoxy resin composition for sealing the semiconductor element.

본 발명은 금속과의 접착력을 대폭 향상시켜 리드프레임용 패키지에 적합한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 상기 에폭시 수지 조성물로 밀봉된 반도체 장치를 제공하는 발명의 효과를 갖는다. The present invention It has the effect of the invention to provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor element suitable for a package for a lead frame and a semiconductor device sealed with the epoxy resin composition by significantly improving adhesion to metal.

이하, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물 중 구성 성분에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the constituent components of the epoxy resin composition according to the present invention will be described in detail.

에폭시 수지Epoxy resin

에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용으로 일반적으로 사용되는 에폭시 수지들이 사용될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로, 에폭시 수지는 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 에폭시 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들면, 에폭시 수지는 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 글리시딜에테르, 비스히드록시비페닐계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔계 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 에폭시 수지는 바이페닐형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 가장 바람직하게는, 에폭시 수지는 크레졸노볼락형 에폭시 수지 또는 다관능성 에폭시 수지를 사용할 수 있다.As the epoxy resin, epoxy resins commonly used for sealing semiconductor devices may be used, and are not particularly limited. Specifically, the epoxy resin may be used an epoxy compound containing two or more epoxy groups in the molecule. For example, the epoxy resin is an epoxy resin obtained by epoxidizing a condensation product of phenol or alkyl phenols with hydroxybenzaldehyde, a phenol aralkyl type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, a polyfunctional type epoxy Resin, naphthol novolac-type epoxy resin, bisphenol A/bisphenol F/bisphenol AD, novolac-type epoxy resin, bisphenol A/bisphenol F/bisphenol AD glycidyl ether, bishydroxybiphenyl-based epoxy resin, dicyclopenta And diene-based epoxy resins and biphenyl-type epoxy resins. More specifically, the epoxy resin may include at least one of biphenyl type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, and polyfunctional epoxy resin. Most preferably, the epoxy resin may be a cresol novolac-type epoxy resin or a polyfunctional epoxy resin.

에폭시 수지는 경화성 측면을 고려할 때 에폭시 당량이 100g/eq 내지 500g/eq인 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 상기 범위에서, 경화도를 높일 수 있다.The epoxy resin may be an epoxy resin having an epoxy equivalent of 100 g/eq to 500 g/eq when considering curability. In the above range, the degree of curing can be increased.

에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.5 중량% 내지 20 중량%, 구체적으로는 3 중량% 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물의 경화성이 저하되지 않을 수 있다.The epoxy resin may be included in 0.5 to 20% by weight, specifically 3 to 15% by weight of the epoxy resin composition for sealing semiconductor devices. In the above range, the curability of the composition may not be lowered.

경화제Hardener

경화제는 반도체 소자 밀봉용으로 일반적으로 사용되는 경화제들이 사용될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로, 경화제는 페놀성 경화제를 사용할 수 있고, 예를 들면 페놀성 경화제는 페놀아랄킬형 페놀 수지, 페놀노볼락형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 크레졸 노볼락형 페놀 수지, 나프톨형 페놀 수지, 테르펜형 페놀 수지, 다관능형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형 페놀 수지, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 다가 페놀 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 페놀성 경화제는 자일록형 페놀 수지, 페놀아랄킬형 페놀 수지, 페놀노볼락형 페놀 수지, 다관능형 페놀 수지 중 하나 이상, 가장 바람직하게는 자일록형 페놀 수지를 사용할 수 있다.Hardener Curing agents generally used for sealing semiconductor devices may be used, and are not particularly limited. Specifically, a curing agent may be a phenolic curing agent, for example, a phenolic curing agent may be a phenol aralkyl type phenol resin, a phenol novolak type phenol resin, a xylotype phenol resin, a cresol novolak type phenol resin, a naphthol type phenol resin, Terpene-type phenolic resin, polyfunctional phenolic resin, dicyclopentadiene-based phenolic resin, bisphenol A and novolak-type phenolic resin synthesized from resol, tris (hydroxyphenyl) methane, polyhydric phenolic compound may include one or more of . Preferably, the phenolic curing agent may be one or more of a xylophone type phenol resin, a phenol aralkyl type phenol resin, a phenol novolak type phenol resin, or a polyfunctional type phenol resin, most preferably a xylotype phenol resin.

경화제는 경화성 측면을 고려할 때 수산기 당량이 90g/eq 내지 250g/eq가 될 수 있다. 상기 범위에서, 경화도를 높일 수 있다.The curing agent may have a hydroxyl group equivalent of 90 g/eq to 250 g/eq when considering curability. In the above range, the degree of curing can be increased.

경화제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 중량% 내지 10 중량%, 바람직하게는 1 중량% 내지 5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물의 경화성이 저하되지 않는 효과가 있을 수 있다.The curing agent may be included in 0.1% to 10% by weight, preferably 1% to 5% by weight of the epoxy resin composition for sealing semiconductor devices. In the above range, there may be an effect that the curability of the composition does not decrease.

에폭시 수지와 경화제와의 배합비는 패키지에서의 기계적 성질 및 내습 신뢰성의 요구에 따라 조절될 수 있다. 예를 들면, 경화제에 대한 에폭시 수지의 화학 당량비가 0.95 내지 3일 수 있으며, 구체적으로 1 내지 2, 더욱 구체적으로 1 내지 1.75일 수 있다. 에폭시 수지와 경화제의 당량비가 상기의 범위를 만족할 경우, 에폭시 수지 조성물의 경화 후에 우수한 강도를 구현할 수 있다.The mixing ratio of the epoxy resin and the curing agent can be adjusted according to the requirements of mechanical properties and moisture resistance reliability in the package. For example, the chemical equivalent ratio of the epoxy resin to the curing agent may be 0.95 to 3, specifically 1 to 2, and more specifically 1 to 1.75. When the equivalent ratio of the epoxy resin and the curing agent satisfies the above range, excellent strength can be achieved after curing the epoxy resin composition.

무기 충전제Inorganic filler

무기 충전제는 에폭시 수지 조성물의 기계적 물성 및 저응력화를 향상시키기 위한 것이다. 무기 충전제로는 반도체 소자 밀봉재에 사용되는 일반적인 무기 충전제들이 제한 없이 사용될 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 무기 충전제로는 용융 실리카, 결정성 실리카, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크(talc), 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유 중 하나 이상을 포함할 수 있다.The inorganic filler is for improving the mechanical properties and low stress of the epoxy resin composition. As the inorganic filler, general inorganic fillers used in semiconductor device encapsulants can be used without limitation, and are not particularly limited. For example, the inorganic filler may include at least one of fused silica, crystalline silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, alumina, magnesia, clay, talc, calcium silicate, titanium oxide, antimony oxide, and glass fiber. It may include.

바람직하게는 저응력화를 위해서는 선팽창계수가 낮은 용융 실리카를 사용한다. 용융 실리카는 진비중이 2.3 이하인 비결정성 실리카를 의미하는 것으로 결정성 실리카를 용융하여 만들거나 다양한 원료로부터 합성한 비결정성 실리카도 포함된다. 구체예에서 상기 무기 충전제는 평균 입경 5 내지 30㎛의 구상 용융 실리카를 50 중량% 내지 99 중량%, 평균입경 0.001 내지 1㎛의 구상 용융 실리카를 1 중량% 내지 50 중량%를 포함한 용융 실리카 혼합물을 전체 무기 충전제에 대하여 40 중량% 내지 100 중량%가 되도록 포함하는 것이 좋다. 또한, 용도에 맞춰 그 최대 입경을 45㎛, 55㎛, 및 75㎛ 중 어느 하나로 조정해서 사용할 수가 있다. 상기 구상 용융 실리카에는 도전성의 카본이 실리카 표면에 이물질로서 포함되는 경우가 있으므로 극성 이물질의 혼입이 적은 물질을 선택하는 것도 중요하다.Preferably, for low stress, fused silica having a low coefficient of linear expansion is used. Fused silica refers to amorphous silica having a true specific gravity of 2.3 MPa or less, and includes amorphous silica produced by melting crystalline silica or synthesized from various raw materials. In an embodiment, the inorganic filler is a fused silica   mixture containing 50% to 99% by weight of spherical fused silica having an average particle diameter of 5 to 30㎛, and 1% to 50% by weight of spherical fused silica having an average particle diameter of 0.001 to 1㎛. It is preferred to include  40% to 100% by weight, relative to the total inorganic filler. Further, the maximum particle size can be adjusted to any one of 45 µm, 55 µm,  , and  75 µm according to the application. Since the spherical fused silica may contain conductive carbon as a foreign substance on the silica surface, it is also important to select a substance with little polar foreign matter mixing.

무기충전제의 사용량은 성형성, 저응력성, 및 고온 강도 등의 요구 물성에 따라 다르다. 구체예에서 무기충전제는 에폭시 수지 조성물 중 70 중량% 내지 95 중량%, 예를 들면 75 중량% 내지 92 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 난연성, 유동성 및 신뢰성을 확보할 수 있다. The amount of the inorganic filler used depends on the required properties such as moldability, low stress, and high temperature strength. In an embodiment, the inorganic filler may be included in an amount of 70% to 95% by weight of the epoxy resin composition, for example, 75% to 92% by weight. In the above range, flame retardancy, fluidity and reliability of the epoxy resin composition can be secured.

접착 증진제Adhesion promoter

본 발명에서는 접착 증진제로서 하기 화학식 1의 화합물을 사용한다: In the present invention, the compound of Formula 1 is used as an adhesion promoter:

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017131385777-pat00002
Figure 112017131385777-pat00002

상기 화학식 1의 화합물은 상업적으로 판매되고 있으며, 당업자에게 알려진 통상의 합성 방법을 사용하여 제조할 수 있다.The compound of Formula 1 is commercially available and can be prepared using conventional synthetic methods known to those skilled in the art.

상기 화학식 1의 화합물은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 1 중량%, 예를 들면 0.05 중량% 내지 0.5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 고유한 물성을 저하하지 않고 접착력과 신뢰성을 대폭 향상시킬 수 있다.The compound of Formula 1 may be included in an amount of 0.01% to 1% by weight, for example, 0.05% to 0.5% by weight of the epoxy resin composition for sealing semiconductor devices. In the above range, adhesion and reliability can be greatly improved without deteriorating the inherent physical properties of the epoxy resin composition.

이 외에도 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 경화촉진제, 커플링제, 이형제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.In addition to this, the epoxy resin composition according to the present invention may further include at least one of a curing accelerator, a coupling agent, a release agent, and a coloring agent.

경화 촉진제Curing accelerator

경화 촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진하는 물질이다. 상기 경화 촉진제로는, 예를 들면, 3급 아민, 유기금속화합물, 유기인화합물, 이미다졸, 및 붕소화합물 등이 사용 가능하다. The curing accelerator is a substance that promotes the reaction of the epoxy resin and the curing agent. As the curing accelerator, for example, a tertiary amine, an organometallic compound, an organophosphorus compound, an imidazole, and a boron compound can be used.

3급 아민에는 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 2-2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디아미노메틸)페놀과 트리-2-에틸헥실산염 등이 있다. 유기 금속화합물의 구체적인 예로는, 크로뮴아세틸아세토네이트, 징크아세틸아세토네이트, 니켈아세틸아세토네이트 등이 있다. 유기인화합물에는 트리스-4-메톡시포스핀, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리페닐포스핀트리페닐보란, 트리페닐포스핀-1,4-벤조퀴논 부가물 등이 있다. 이미다졸류에는 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-아미노이미다졸, 2-메틸-1-비닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 붕소화합물의 구체적인 예로는, 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 테트라페닐보론염, 트리플루오로보란-n-헥실아민, 트리플루오로보란모노에틸아민, 테트라플루오로보란트리에틸아민, 테트라플루오로보란아민 등이 있다. 이외에도 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene: DBN), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) 및 페놀노볼락수지염 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Tertiary amines include benzyldimethylamine, triethanolamine, triethylenediamine, diethylaminoethanol, tri(dimethylaminomethyl)phenol, 2-2-(dimethylaminomethyl)phenol, 2,4,6-tris(diaminomethyl) ) Phenol and tri-2-ethylhexyl acid. Specific examples of the organometallic compound include chromium acetylacetonate, zinc acetylacetonate, and nickel acetylacetonate. Organophosphorus compounds include tris-4-methoxyphosphine, tetrabutylphosphonium bromide, tetraphenylphosphonium bromide, phenylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine, triphenylphosphine triphenylborane, triphenylphosphine And pin-1,4-benzoquinone  adducts. The imidazoles include 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-aminoimidazole, 2-methyl-1-vinylimidazole, 2-ethyl- 4-methylimidazole, 2-heptadecylimidazole , and the like, but is not limited thereto. Specific examples of the boron compound include tetraphenylphosphonium-tetraphenylborate, triphenylphosphine tetraphenylborate, tetraphenylborone salt, trifluoroborane-n-hexylamine, trifluoroboranemonoethylamine, tetrafluoro Borane triethylamine, tetrafluoroboraneamine, and the like. In addition, 1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene (1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene: DBN), 1,8-diazabicyclo[5.4. 0] Undec-7-ene (1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) and phenol phenol novolak resin salts, and the like, but are not limited thereto.

경화 촉진제는 에폭시 수지 또는 경화제와 선반응하여 만든 부가물을 사용하는 것도 가능하다.It is also possible to use an epoxy resin or an adduct made by pre-reacting with a curing agent.

경화 촉진제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 2 중량%, 구체적으로 0.02 중량% 내지 1.5 중량%로 포함될 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물의 경화를 촉진하고, 경화도도 좋은 장점이 있을 수 있다.The curing accelerator may be included in an amount of 0.01% to 2% by weight, specifically 0.02% to 1.5% by weight of the epoxy resin composition for sealing semiconductor devices. In the above range, the curing of the epoxy resin composition may be accelerated, and the degree of curing may also be good.

커플링제Coupling agent

커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여 계면 강도를 향상시키기 위한 것으로, 예를 들면, 실란 커플링제일 수 있다. 상기 실란 커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여, 에폭시 수지와 무기 충전제의 계면 강도를 향상시키는 것이면 되고, 그 종류가 특별히 한정되지 않는다. 상기 실란 커플링제의 구체적인 예로는 에폭시실란, 아미노실란, 우레이도실란, 머캅토실란, 및 알킬실란 등을 들 수 있다. 상기 커플링제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다.The coupling agent reacts between the epoxy resin and the inorganic filler to improve interface strength, and may be, for example, a silane coupling agent. The silane coupling agent may be one that reacts between the epoxy resin and the inorganic filler, and improves the interfacial strength of the epoxy resin and the inorganic filler, and the type is not particularly limited. Specific examples of the silane coupling agent include epoxysilane, aminosilane, ureidosilane, mercaptosilane, and alkylsilane. The coupling agents can be used alone or in combination.

커플링제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.05 중량% 내지 3 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 에폭시 수지 조성물 경화물의 강도가 향상될 수 있다.The coupling agent may be included in an amount of 0.01% to 5% by weight, preferably 0.05% to 3% by weight of the epoxy resin composition for sealing semiconductor devices. In the above range, the strength of the cured product of the epoxy resin composition may be improved.

이형제Release agent

이형제로는 파라핀계 왁스, 에스테르계 왁스, 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 천연 지방산 및 천연 지방산 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다. As the release agent, one or more selected from the group consisting of paraffin wax, ester wax, higher fatty acid, higher fatty acid metal salt, natural fatty acid and natural fatty acid metal salt can be used.

이형제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 중량% 내지 1 중량%로 포함될 수 있다.The mold release agent may be included in an amount of 0.1% to 1% by weight in the epoxy resin composition for semiconductor device sealing.

착색제coloring agent

착색제는 반도체 소자 밀봉재의 레이저 마킹을 위한 것으로, 당해 기술 분야에 잘 알려져 있는 착색제들이 사용될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 착색제는 카본 블랙, 티탄 블랙, 티탄 질화물, 인산수산화구리(dicopper hydroxide phosphate), 철산화물, 운모 중 하나 이상을 포함할 수 있다. The colorant is for laser marking of a semiconductor element sealing material, and colorants well known in the art can be used, and are not particularly limited. For example, the colorant may include one or more of carbon black, titanium black, titanium nitride, copper hydroxide phosphate, iron oxide, and mica.

착색제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.05 중량% 내지 3 중량%로 포함될 수 있다.The colorant may be included in an amount of 0.01% to 5% by weight, preferably 0.05% to 3% by weight of the epoxy resin composition for sealing semiconductor devices.

이 외에도, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 Tetrakis[methylene-3-(3,5-di-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane 등의 산화방지제; 수산화알루미늄 등의 난연제 등을 필요에 따라 추가로 함유할 수 있다.In addition to this, the epoxy resin composition of the present invention is an antioxidant such as Tetrakis[methylene-3-(3,5-di-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane in the range not detrimental to the object of the present invention; Flame retardants, such as aluminum hydroxide, etc., can be further included as needed.

에폭시 수지 조성물은 상기와 같은 성분들을 헨셀 믹서(Hensel mixer)나 뢰디게 믹서(Lodige mixer)를 이용하여 소정의 배합비로 균일하게 충분히 혼합한 뒤, 롤밀(roll-mill)이나 니이더(kneader)로 용융 혼련한 후, 냉각, 분쇄 과정을 거쳐 제조될 수 있다.The epoxy resin composition is uniformly sufficiently mixed at a predetermined compounding ratio using a Hensel mixer or a Lodige mixer, and then roll-mill or kneader. After melt-kneading, it may be manufactured through a cooling and grinding process.

본 발명의 조성물을 이용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법은 저압 트랜스퍼 성형 방법이 가장 일반적으로 사용될 수 있다. 그러나, 인젝션(injection) 성형 방법이나 캐스팅(casting) 방법 등의 방법으로도 성형될 수 있다. 상기 방법에 의해 구리 리드프레임, 철 리드프레임, 또는 상기 리드프레임에 니켈, 구리 및 팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질로 프리플레이팅된 리드프레임, 또는 유기계 라미네이트 프레임의 반도체 장치를 제조할 수 있다.As a method of sealing a semiconductor device using the composition of the present invention, a low pressure transfer molding method may be most commonly used. However, it may also be molded by a method such as an injection molding method or a casting method. By this method, a lead frame pre-plated with one or more materials selected from the group consisting of copper, lead, or palladium on a copper lead frame, an iron lead frame, or an organic laminate frame can be manufactured. Can.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described in more detail through preferred embodiments of the present invention. However, this is provided as a preferred example of the present invention and cannot be interpreted as limiting the present invention in any sense.

하기 실시예와 비교예에서 사용된 성분의 구체적인 사양은 다음과 같다.Specific specifications of the components used in Examples and Comparative Examples are as follows.

(a) 에폭시 수지(a) Epoxy resin

(a1) 크레졸노볼락형 에폭시 수지인 YDCN-500-4P(국도화학)(a1) YDCN-500-4P, a cresol novolak-type epoxy resin (Kukdo Chemical)

(a2) 다관능성 에폭시 수지인 EPPN-501HY(Nippon Kayaku)(a2) Multifunctional epoxy resin EPPN-501HY (Nippon Kayaku)

(b) 경화제: 자일록형 페놀 수지인 HE100C-10(Air Water)(b) Curing agent: HE100C-10 (Air Water), a xylophone type phenolic resin

(c) 무기 충진제: 평균 입경 20㎛의 구상 용융 실리카와 평균 입경 0.5㎛의 구상 용융 실리카의 9:1 혼합물 (c) Inorganic filler: 9:1 mixture of spherical fused silica having an average particle diameter of 20 μm and spherical fused silica having an average particle diameter of 0.5 μm

(d) 접착 증진제(d) adhesion promoter

(d1) 하기 화학식 1의 화합물(d1) Compound of Formula 1

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017131385777-pat00003
Figure 112017131385777-pat00003

AMT-ZP(Zheda Panaco chemical engineering Co. Ltd.)AMT-ZP (Zheda Panaco chemical engineering Co. Ltd.)

(d2) 하기 화학식 2의 화합물(d2) Compound of Formula 2

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017131385777-pat00004
Figure 112017131385777-pat00004

(d3) 하기 화학식 3의 화합물 (d3) Compound of Formula 3

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112017131385777-pat00005
Figure 112017131385777-pat00005

(e) 경화촉진제: 2-페닐-4-메틸이미다졸(2P4MHZ, Nippon-Gosei)(e) Curing accelerator: 2-phenyl-4-methylimidazole (2P4MHZ, Nippon-Gosei)

(f) 착색제: 카본블랙(MA-100R, 미츠비시화학)(f) Coloring agent: Carbon black (MA-100R, Mitsubishi Chemical)

(g) 커플링제: (g) Coupling agent:

(g1) 에폭시실란(A-187, Momentive Performance Materials Korea Co., Ltd.)(g1) Epoxysilane (A-187, Momentive Performance Materials Korea Co., Ltd.)

(g2) 머캅토실란 커플링제인 KBM-803(Shin Etsu)(g2) Mercaptosilane coupling agent KBM-803 (Shin Etsu)

(h) 첨가제: 이온트랩퍼(DHT-4A), 이형제(카르나우바왁스)의 혼합물(h) Additive: Mixture of ion trapper (DHT-4A), release agent (Carnauba wax)

실시예 및 비교예Examples and comparative examples

상기 각 성분들을 하기 표 1 및 2의 조성(단위: 중량%)에 따라 각 성분들을 평량한 후 헨셀 믹서를 이용하여 균일하게 혼합하여 분말 상태의 1차 조성물을 제조하였다. 이후 연속 니이더를 이용하여 90~110℃에서 용융 혼련한 후 냉각 및 분쇄하여 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.Each component was weighed according to the composition (unit: weight %) of Tables 1 and 2 below, and then uniformly mixed using a Henschel mixer to prepare a primary composition in a powder state. Then, using a continuous kneader, the mixture was melt-kneaded at 90 to 110°C, then cooled and crushed to prepare an epoxy resin composition for sealing semiconductor devices.

구성성분Ingredient 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 (a)에폭시 수지(a) epoxy resin (a1)(a1) 4.94.9 4.884.88 4.8354.835 (a2)(a2) 4.94.9 4.884.88 4.8354.835 (b)경화제(b) hardener 3.423.42 3.413.41 3.403.40 (c)무기 충전제(c) inorganic filler 8585 8585 8585 (d) 접착 증진제(d) adhesion promoter (d1)(d1) 0.050.05 0.10.1 0.20.2 (d2)(d2) -- -- -- (d3)(d3) -- -- -- (e)경화촉진제(e) Curing accelerator 0.930.93 0.930.93 0.930.93 (f)착색제(f) Coloring agent 0.30.3 0.30.3 0.30.3 (g)커플링제(g) Coupling agent (g1)(g1) 0.30.3 0.30.3 0.30.3 (g2)(g2) 0.10.1 0.10.1 0.10.1 첨가제additive 이온트랩퍼Ion trapper 0.050.05 0.050.05 0.050.05 이형제Release agent 0.050.05 0.050.05 0.050.05 총계sum 100100 100100 100100 100100

구성성분Ingredient 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 (a)에폭시 수지(a) epoxy resin (a1)(a1) 4.924.92 4.94.9 4.94.9 (a2)(a2) 4.924.92 4.94.9 4.94.9 (b)경화제(b) hardener XylokXylok 3.433.43 3.423.42 3.423.42 (c)무기 충전제(c) inorganic filler 실리카Silica 8585 8585 8585 (d) 접착 증진제(d) adhesion promoter (d1)(d1) -- -- -- (d2)(d2) -- 0.050.05 -- (d3)(d3) -- -- 0.050.05 (e)경화촉진제(e) Curing accelerator 0.930.93 0.930.93 0.930.93 (f)착색제(f) Coloring agent 0.30.3 0.30.3 0.30.3 (g)커플링제(g) Coupling agent (g1)(g1) 0.30.3 0.30.3 0.30.3 (g2)(g2) 0.10.1 0.10.1 0.10.1 첨가제additive 이온트랩퍼Ion trapper 0.050.05 0.050.05 0.050.05 이형제Release agent 0.050.05 0.050.05 0.050.05 총계sum 100100 100100 100100 100100

상기와 같이 제조된 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물의 물성을 하기 물성 평가 방법에 따라 측정하였다. 측정 결과는 표 3 및 4에 나타내었다. The physical properties of the epoxy resin compositions of Examples and Comparative Examples prepared as described above were measured according to the following physical property evaluation methods. The measurement results are shown in Tables 3 and 4.

물성 평가 방법Method for evaluating physical properties

(1) 유동성(inch, 스파이럴 플로우): 저압 트랜스퍼 몰딩 프레스를 사용하여, EMMI-1-66에 준한 스파이럴 플로우 측정용 금형에, 성형온도 175℃, 성형압력 50kgf/cm2에서 에폭시 수지 조성물을 주입하고, 유동장(遊動長)(단위: inch)을 측정하였다. 측정값이 높을수록 유동성이 우수하다.(1) Fluidity (inch, spiral flow): Using a low pressure transfer molding press, the epoxy resin composition was injected at a molding temperature of 175°C and a molding pressure of 50 kgf/cm 2 into a mold for measuring spiral flow according to EMMI-1-66. Then, the flow field (unit: inch) was measured. The higher the measured value, the better the fluidity.

(2) 접착력(kgf): 금속 소자를 부착 측정용 금형에 맞는 규격으로 준비하고, 준비된 소자에 상기 실시예와 비교예에서 제조된 수지 조성물을 금형 온도 180℃, 이송압력 50kgf/cm2, 이송속도 0.5~1cm/s, 이송시간 24초, 경화시간 145초의 조건으로 성형하여 경화 시편을 얻었다. 얻은 시편을 175℃의 오븐에 넣어 5시간 동안 후경화(PMC: post molding cure)시켰다. 이때 금속 소자에 닿는 에폭시 수지 조성물의 면적은 40±1㎟이고, 부착력 측정은 각 측정 공정 당 12개의 시편에 대하여 UTM(Universal Testing Machine)을 이용하여 측정한 후 평균값으로 계산하였다. 구리 및 니켈 금속에 대해 각각 측정하였다. (2) Adhesion (kgf): Prepare the metal element in a standard suitable for the mold for measurement of adhesion, and transfer the resin composition prepared in the above Examples and Comparative Examples to the prepared element at a mold temperature of 180° C., a transfer pressure of 50 kgf/cm 2 , and transfer Cured specimens were obtained by molding under the conditions of a speed of 0.5 to 1 cm/s, a transfer time of 24 seconds, and a curing time of 145 seconds. The obtained specimen was placed in an oven at 175°C and post-cured (PMC) for 5 hours. At this time, the area of the epoxy resin composition contacting the metal element was 40±1 mm 2, and the adhesion force was measured by using a Universal Testing Machine (UTM) for 12 specimens per each measuring process and then calculated as an average value. Measured for copper and nickel metal, respectively.

(3) 신뢰도: 에폭시 수지 조성물로 제작한 BOC형 반도체 패키지를 125℃에서 24시간 건조시킨 후, 5사이클의 열충격 시험을 거쳐 30℃, 60% 상대습도 조건 하에서 120시간 동안 방치시킨 후 260℃에서 10초 동안 IR 리플로우를 3회 통과시켜 1차로 프리컨디션 조건 하에서의 패키지 박리 유무를 평가하였다. 프리컨디션 후 열충격 환경시험기(Temperature Cycle Test)에서 -65℃에서 10분, 25℃에서 5분, 150℃에서 10분씩 방치하는 것을 1 사이클로 하여 1,000 사이클의 조건을 인가한 후 비파괴 검사기인 SAT(Scanning Acoustic Tomograph)로 박리 유무를 평가하였다.(3) Reliability: After drying the BOC type semiconductor package made of an epoxy resin composition at 125°C for 24 hours, after undergoing a thermal shock test of 5 cycles and standing at 30°C under 60% relative humidity conditions for 120 hours, at 260°C The presence or absence of package peeling under precondition conditions was first evaluated by passing the IR reflow three times for 10 seconds. After pre-conditioning, leave at 10 minutes at -65°C, 5 minutes at 25°C, and 10 minutes at 150°C in a thermal cycle environment tester (Temperature Cycle Test) for 1 cycle, and apply 1,000 cycles of conditions. Acoustic Tomograph).

기본물성Basic properties 단위unit 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 유동성liquidity inchinch 3232 3131 2727 접착력Adhesion Cu(kgf)Cu(kgf) 3131 2929 2727 Ni(kgf)Ni(kgf) 2828 1717 1515 신뢰도Reliability delamination
(ea/10ea)
delamination
(ea/10ea)
00 00 00

기본물성Basic properties 단위unit 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 유동성liquidity inchinch 3333 3131 3131 접착력Adhesion Cu(kgf)Cu(kgf) 1515 1313 88 Ni(kgf)Ni(kgf) 22 1One 22 신뢰도Reliability delamination
(ea/10ea)
delamination
(ea/10ea)
88 77 99

표 3 및 4 에서와 같이, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지 조성물의 기본 물성을 유지하면서 접착력과 신뢰도가 현저히 우수한 것을 알 수 있다. As shown in Tables 3 and 4, it can be seen that the epoxy resin composition of the present invention has excellent adhesion and reliability while maintaining the basic properties of the epoxy resin composition.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.Simple modifications or changes of the present invention can be easily carried out by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be considered to be included in the scope of the present invention.

Claims (8)

에폭시 수지 0.5 중량% 내지 20 중량%;
경화제 0.1 중량% 내지 10 중량%;
무기 충전제 70 중량% 내지 95 중량%; 및
하기 화학식 1의 화합물 0.01 중량% 내지 1 중량%를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure 112020031427014-pat00006
.
0.5 to 20 wt% epoxy resin;
0.1% to 10% by weight of curing agent;
70% to 95% by weight of an inorganic filler; And
Epoxy resin composition for sealing a semiconductor device comprising 0.01% to 1% by weight of the compound of Formula 1:
[Formula 1]
Figure 112020031427014-pat00006
.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 글리시딜에테르, 비스히드록시비페닐계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔계 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 중 하나 이상을 포함하는, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
According to claim 1, The epoxy resin is an epoxy resin obtained by epoxidizing a condensation product of phenol or alkyl phenols with hydroxybenzaldehyde, phenol aralkyl type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, Polyfunctional epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, bisphenol A/bisphenol F/bisphenol AD novolac type epoxy resin, bisphenol A/bisphenol F/bisphenol AD glycidyl ether, bishydroxybiphenyl type epoxy resin, Dicyclopentadiene-based epoxy resin, a biphenyl-type epoxy resin containing at least one of the epoxy resin composition for sealing semiconductor devices.
제1항에 있어서, 상기 경화제는 페놀아랄킬형 페놀 수지, 페놀노볼락형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 크레졸 노볼락형 페놀 수지, 나프톨형 페놀 수지, 테르펜형 페놀 수지, 다관능형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형 페놀 수지, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 다가 페놀 화합물 중 하나 이상을 포함하는, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
The curing agent according to claim 1, wherein the curing agent is a phenol aralkyl type phenol resin, a phenol novolak type phenol resin, a xylotype phenol resin, a cresol novolak type phenol resin, a naphthol type phenol resin, a terpene type phenol resin, a polyfunctional phenol resin, and a dish. An epoxy resin composition for sealing a semiconductor device, comprising at least one of clopentadiene-based phenol resin, bisphenol A and a novolac-type phenol resin synthesized from resol, tris(hydroxyphenyl)methane, and a polyhydric phenol compound.
제1항에 있어서, 상기 무기 충전제는 평균 입경 5 내지 30㎛의 구상 용융실리카 50 중량% 내지 99 중량% 및 평균입경 0.001 내지 1㎛의 구상 용융실리카 1 중량% 내지 50 중량%로 이루어진 용융실리카 혼합물을 포함하는 것인, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
The method of claim 1, wherein the inorganic filler is a fused silica mixture consisting of 50% to 99% by weight of spherical fused silica having an average particle diameter of 5 to 30㎛ and 1% to 50% by weight of spherical fused silica having an average particle diameter of 0.001 to 1㎛. It comprises, an epoxy resin composition for sealing a semiconductor device.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지 조성물은 경화촉진제, 커플링제, 이형제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
The epoxy resin composition for sealing a semiconductor device of claim 1, wherein the epoxy resin composition further comprises at least one of a curing accelerator, a coupling agent, a release agent, and a colorant.
제1항, 제3항 내지 제5항 및 제7항 중 어느 한 항의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 장치.A semiconductor device sealed by using the epoxy resin composition for sealing a semiconductor element according to any one of claims 1, 3 to 5, and 7.
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