KR102137427B1 - Light emitting device lamp - Google Patents
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Abstract
실시 형태는 발광소자 램프에 관한 것이다.
실시 형태에 따른 발광소자 램프는, 튜브 형상으로 연장되는 투광부, 상기 투광부의 일측에 배치되고, 서로 이격되는 제1 기판 및 제2 기판을 포함하는 회로기판, 및 상기 제1 기판 및 제2 기판에 소정의 간격으로 배치되는 발광소자를 포함하고, 상기 제1 기판의 발광소자는 상기 제2 기판에 배치되는 두 개의 인접한 발광소자 사이에 대응되게 배치되거나, 상기 제2 기판의 발광소자는 상기 제1 기판에 배치되는 두 개의 인접한 발광소자 사이에 대응되게 배치된다.
이러한 실시 형태에 따른 발광소자 램프는 발광소자의 발열에 의한 영향을 줄일 수 있고, 우수한 광균일도를 가질 수 있다.The embodiment relates to a light emitting element lamp.
The light emitting device lamp according to the embodiment includes: a light-transmitting portion extending in a tube shape, a circuit board disposed on one side of the light-transmitting portion, and including a first substrate and a second substrate spaced apart from each other, and the first substrate and the second substrate And a light emitting element disposed at predetermined intervals, and the light emitting element of the first substrate is disposed to correspond between two adjacent light emitting elements disposed on the second substrate, or the light emitting element of the second substrate is the first light emitting element. It is disposed correspondingly between two adjacent light emitting elements disposed on one substrate.
The light emitting device lamp according to this embodiment can reduce the influence of heat generation of the light emitting device and have excellent light uniformity.
Description
실시 형태는 발광소자 램프에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting element lamp.
일반적으로 램프는 특정한 목적을 위하여 빛을 공급하거나 조절하는 장치를 말한다. 램프의 광원으로는 백열 전구, 형광등, 네온등과 같은 것이 사용될 수 있으며, 최근에는 LED(Light Emitting Diode)가 사용되고 있다.In general, a lamp is a device that supplies or controls light for a specific purpose. As a light source of the lamp, an incandescent light bulb, a fluorescent lamp, or a neon lamp may be used, and recently, an LED (Light Emitting Diode) is used.
LED는 화합물 반도체 특성을 이용하여 전기 신호를 적외선 또는 빛으로 변화시키는 소자로서, 형광등과 달리 수은 등의 유해 물질을 사용하지 않아 환경 오염 유발 원인이 적다. 또한, LED는 백열 전구, 형광등, 네온등 보다 수명이 더 길고 소비전력이 적다. 또한, LED는 높은 색온도로 인하여 시인성이 우수하고 눈부심이 적은 장점이 있을 수 있다.LED is a device that changes the electrical signal to infrared or light by using the compound semiconductor characteristics, unlike fluorescent lamps, it does not use harmful substances such as mercury, so it causes little environmental pollution. In addition, LEDs have a longer lifespan and less power consumption than incandescent, fluorescent, and neon lamps. In addition, the LED may have an advantage of excellent visibility and less glare due to its high color temperature.
LED를 이용한 램프 유닛은 상기의 장점에 의해 널리 채용되고 있으며, 예를 들어 백라이트(backlight), 표시 장치, 조명등 또는 헤드 램프(head lamp) 등에 사용되고 있다.The lamp unit using LED is widely adopted by the above advantages, and is used, for example, in a backlight, a display device, a lighting lamp, or a head lamp.
그러나, LED는 전력을 빛으로 변환시키는 효율이 좋은 반면에 그 발광부위가 반도체 소자로 이루어져 있으므로 필라멘트를 사용하는 백열등이나 음극선을 이용한 형광등 등의 발광소자에 비해 상대적으로 열에 취약하다는 단점이 있다. 다시 말해서, LED는 장시간 사용시 그 발광소자로부터 발생되는 자체열에 의한 열적 스트레스로 인하여 반도체 소자가 쉽게 열화(degradation)되어 그 성능이 떨어지게 된다. 한편, 발열 문제를 해결하기 위하여 LED 소자를 적게 사용하게 되면, LED 소자에 의한 우수한 광균일도를 얻을 수가 없다.However, while the LED has good efficiency in converting electric power into light, its light emitting portion is made of a semiconductor device, and thus has a disadvantage of being relatively vulnerable to heat compared to a light emitting device such as an incandescent lamp using a filament or a fluorescent lamp using a cathode ray. In other words, when the LED is used for a long time, the semiconductor device is easily degraded due to thermal stress caused by self-heat generated from the light emitting device, thereby degrading its performance. On the other hand, if fewer LED elements are used to solve the heat problem, excellent light uniformity due to the LED elements cannot be obtained.
따라서, 발열 문제를 해결하기 위해서 LED 소자를 적게 사용하면서도, 우수한 광균일도를 얻을 수 있는 발광소자 램프가 요구되고 있다.Accordingly, there is a need for a light emitting device lamp capable of obtaining excellent light uniformity while using fewer LED devices to solve the heat generation problem.
실시 형태는 발광소자에 의한 발열에 의한 영향을 최소화하고 광균일도를 높일 수 있는 발광소자 램프를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device lamp capable of minimizing the influence of heat generated by the light emitting device and increasing the light uniformity.
또한, 실시 형태는 방열체가 필요없으므로, 무게가 가벼운 발광소자 램프를 제공할 수 있다.In addition, since the embodiment does not require a heat radiator, it is possible to provide a light-emitting element lamp having a light weight.
또한, 실시 형태는 발광소자의 개수를 줄일 수 있어 제조단가가 감소된 발광소자 램프를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment can reduce the number of light-emitting elements to provide a light-emitting element lamp having a reduced manufacturing cost.
실시 형태에 따른 발광소자 램프는, 튜브 형상으로 연장되는 투광부, 상기 투광부의 일측에 배치되고, 서로 이격되는 제1 기판 및 제2 기판을 포함하는 회로기판, 및 상기 제1 기판 및 제2 기판에 소정의 간격으로 배치되는 발광소자를 포함하고, 상기 제1 기판의 발광소자는 상기 제2 기판에 배치되는 두 개의 인접한 발광소자 사이에 대응되게 배치되거나, 상기 제2 기판의 발광소자는 상기 제1 기판에 배치되는 두 개의 인접한 발광소자 사이에 대응되게 배치된다.The light emitting device lamp according to the embodiment includes: a light-transmitting portion extending in a tube shape, a circuit board disposed on one side of the light-transmitting portion, and including a first substrate and a second substrate spaced apart from each other, and the first substrate and the second substrate And a light emitting element disposed at predetermined intervals, and the light emitting element of the first substrate is disposed to correspond between two adjacent light emitting elements disposed on the second substrate, or the light emitting element of the second substrate is the first light emitting element. It is disposed correspondingly between two adjacent light emitting elements disposed on one substrate.
이러한 실시 형태에 따른 발광소자 램프는 발광소자의 발열에 의한 영향을 줄일 수 있고, 우수한 광균일도를 가질 수 있다.The light emitting device lamp according to this embodiment can reduce the influence of heat generation of the light emitting device and have excellent light uniformity.
여기서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 배치되는 발광소자는 서로 지그재그 형태로 배치될 수 있다.Here, the first substrate and the light emitting elements disposed on the second substrate may be arranged in a zigzag form with each other.
이러한 실시 형태에 따른 발광소자 램프는 발광소자의 발열에 의한 영향을 줄일 수 있고, 우수한 광균일도를 가질 수 있다.The light emitting device lamp according to this embodiment can reduce the influence of heat generation of the light emitting device and have excellent light uniformity.
여기서, 상기 발광소자는 수학식 (P / 2) / d < 0.73을 만족하도록 배치되고, 상기 P는 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 각각에 배치되는 인접한 두 발광소자 사이의 평균간격이고, 상기 d는 상기 발광소자와 상기 발광소자에 수직한 방향으로의 상기 투광부까지의 거리일 수 있다. 이러한 실시 형태에 따른 발광소자 램프는 우수한 광균일도를 가질 수 있다.Here, the light emitting device is arranged to satisfy the equation (P / 2) / d <0.73, wherein P is the average interval between two adjacent light emitting devices disposed on each of the first substrate or the second substrate, the d may be a distance from the light emitting element to the light transmitting element in a direction perpendicular to the light emitting element. The light emitting device lamp according to this embodiment may have excellent light uniformity.
여기서, 발광소자는 수학식 (P / 2) × tan T × cos θ / d < 0.5을 만족하도록 배치되고, 상기 P는 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 각각에 배치되는 인접한 발광소자 사이의 평균간격이고, 상기 d는 상기 발광소자와 상기 발광소자에 수직한 방향으로의 상기 투광부까지의 거리이고, 상기 θ는 상기 발광소자와 상기 투광부의 상측 중앙(C)을 잇는 선분과 상기 발광소자에 수직한 법선과 이루는 방출각이고, 상기 T는 상기 투광부의 내측 중심(O)을 기준으로 상기 투광부를 좌우로 이등분하는 이등분선과 상기 투광부의 내측 중심(O)과 상기 발광소자를 잇는 선분과의 각일 수 있다. 이러한 실시 형태에 따른 발광소자 램프는 보다 우수한 광균일도를 가질 수 있다.Here, the light emitting element is arranged to satisfy the equation (P / 2) × tan T × cos θ / d <0.5, wherein P is the average between adjacent light emitting elements disposed on each of the first substrate or the second substrate The interval, d is the distance from the light emitting element to the light emitting element in a direction perpendicular to the light emitting element, and θ is the line segment connecting the light emitting element and the upper center C of the light emitting portion and the light emitting element It is an emission angle formed with a vertical normal, and T is each day between a bisector dividing the light-transmitting part into left and right portions based on the inner center O of the light-transmitting part, and a line segment connecting the inner center O of the light-transmitting part with the light emitting element. Can. The light emitting device lamp according to this embodiment may have better light uniformity.
여기서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은, 상기 제1 기판의 발광소자와 상기 제2 기판의 발광소자에서 수직으로 방출된 빛이 상기 투광부내에서 서로 교차하도록 각각 소정의 기울기를 가질 수 있다. 이러한 실시 형태에 따른 발광소자 램프는 발광소자로부터의 빛을 더욱 환산시켜 광균일도를 높일 수 있다.Here, the first substrate and the second substrate may each have a predetermined slope such that light emitted vertically from the light emitting element of the first substrate and the light emitting element of the second substrate intersects each other in the light transmitting portion. . The light emitting device lamp according to this embodiment can further convert light from the light emitting device to increase light uniformity.
여기서, 상기 회로기판에 인접하게 배치되는 구조물을 더 포함할 수 있다. 이러한 실시 형태에 따른 발광소자 램프는 발광소자 램프의 강성을 높일 수 있다.Here, a structure disposed adjacent to the circuit board may be further included. The light emitting device lamp according to this embodiment can increase the rigidity of the light emitting device lamp.
여기서, 상기 구조물은 플라스틱 또는 유리섬유(glass fiber) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이러한 실시 형태에 따른 발광소자 램프는 발광소자 램프의 강성을 더욱 높일 수 있다.Here, the structure may include at least one of plastic or glass fiber. The light emitting device lamp according to this embodiment can further increase the rigidity of the light emitting device lamp.
여기서, 상기 투광부는, 합성수지 또는 유리 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이러한 실시 형태에 따른 수직형 발광소자 패키지는 발광소자 램프의 강성을 높이고, 투명도를 높여, 발광소재 램프의 휘도를 높일 수 있다.Here, the light-transmitting portion may include at least one of synthetic resin or glass. The vertical type light emitting device package according to this embodiment can increase the rigidity of the light emitting device lamp, increase the transparency, and increase the luminance of the light emitting material lamp.
여기서, 상기 합성수지는, 상기 아크릴, PE 또는 PVC, 폴리카보네이트 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이러한 실시 형태에 따른 수직형 발광소자 패키지는 발광소자 램프의 강성을 높이고, 투명도를 높여, 발광소재 램프의 휘도를 높일 수 있다.Here, the synthetic resin may include at least one of the acrylic, PE or PVC, polycarbonate. The vertical type light emitting device package according to this embodiment can increase the rigidity of the light emitting device lamp, increase the transparency, and increase the luminance of the light emitting material lamp.
여기서, 상기 합성수지는, 상기 발광소자로부터의 빛을 확산하는 광확산제를 함유할 수 있다. 이러한 실시 형태에 따른 수직형 발광소자 패키지는 발광소자 램프의 강성을 높이고, 투명도를 높여, 발광소재 램프의 휘도를 높일 수 있다.Here, the synthetic resin may contain a light diffusion agent that diffuses light from the light emitting element. The vertical type light emitting device package according to this embodiment can increase the rigidity of the light emitting device lamp, increase the transparency, and increase the luminance of the light emitting material lamp.
실시 형태에 따른 발광소자 램프는 발광소자에 의한 발열에 의한 영향을 최소화하고 광균일도를 높일 수 있다.The light emitting device lamp according to the embodiment can minimize the influence of heat generated by the light emitting device and increase the light uniformity.
또한, 방열체가 필요 없으므로, 발광소자 램프의 무게가 가볍다.In addition, since a radiator is not required, the weight of the light emitting element lamp is light.
또한, 발광소자의 개수를 줄일 수 있어 발광소자 램프의 제조단가를 줄일 수 있다.In addition, the number of light emitting elements can be reduced, thereby reducing the manufacturing cost of the light emitting element lamp.
도 1은 실시 형태에 따른 발광소자 램프의 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ’선을 따라 자른 실시 형태의 발광소자 램프를 나타낸 단면도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 발광소자 램프의 회로기판과 발광소자를 위에서 바라본 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 실시형태에 따른 발광소자 램프의 광균일도를 측정하기 위한 발광소자 램프의 단면도이며, 도 4b는 광균일도가 측정된 스펙트럼의 결과도이다.
도 5a는 실시 형태에 따른 발광소자 램프에 있어서, 거리지수(D) 값에 따른 튜브의 중앙부와 측부에서의 광균일도의 변화를 나타낸 그래프이고, 5b는 발광소자(30)의 위치(x, y)에 따라 변화하는 tan T값에 따른 튜브의 중앙부와 측부에서의 광균일도의 변화를 나타낸 그래프이고, 도 5c는 빛의 방출각(θ)에 따른 튜브의 중앙부와 측부에서의 광균일도의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 6은 실시 형태에 따른 발광소자 램프에 있어서, 광균일도 결정지수에 따른 튜브의 중앙부와 측부에서의 광균일도의 변화를 나타낸 그래프이다.1 is a perspective view of a light emitting device lamp according to an embodiment.
2A and 2B are cross-sectional views showing a light emitting device lamp of an embodiment taken along line II-II' in FIG. 1.
3 is a plan view of the circuit board and the light emitting device of the light emitting device lamp according to the embodiment, as viewed from above.
4A and 4B are cross-sectional views of a light emitting device lamp for measuring light uniformity of a light emitting device lamp according to an embodiment, and FIG. 4B is a result view of a spectrum in which light uniformity is measured.
5A is a graph showing changes in light uniformity in the center and side of a tube according to a distance index (D) value in the light emitting device lamp according to the embodiment, and 5B is a position (x, y) of the light emitting device 30 ) Is a graph showing the change in light uniformity at the center and side of the tube according to the tan T value, and FIG. 5c shows the change in light uniformity at the center and side of the tube according to the light emission angle (θ). It is the graph shown.
6 is a graph showing changes in light uniformity at the center and side of the tube according to the light uniformity determination index in the light emitting device lamp according to the embodiment.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.
본 발명에 따른 실시 형태의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, when one element is described as being formed on "on or under" the other element, the upper (upper) or lower (On or under) includes both two elements directly contacting each other or one or more other elements formed indirectly between the two elements. In addition, when expressed as “on (up) or down (on or under)”, it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.
이하 첨부된 도면을 참조하여 실시 형태에 따른 발광소자 램프를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device lamp according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 실시 형태에 따른 발광소자 램프의 사시도이고, 도 2a 및 도 2b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ’ 선을 따라 자른 실시 형태의 발광소자 램프를 나타낸 단면도이고, 도 3은 실시 형태에 따른 발광소자 램프의 회로기판과 발광소자를 위에서 바라본 평면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device lamp according to an embodiment, FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views showing a light emitting device lamp of an embodiment cut along the line II-II' of FIG. 1, and FIG. 3 shows light emission according to the embodiment It is a plan view of the circuit board of the device lamp and the light emitting device as viewed from above.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시 형태에 따른 발광소자 램프(1)는 튜브 형상으로 연장되는 투광부(10), 투광부(10)의 일측에 배치되고, 서로 이격되는 제1 기판(20a) 및 제2 기판(20b)를 포함하는 회로기판(20), 제1 기판(20a) 및 제2 기판(20b)에 소정의 간격으로 배치되는 발광소자(30)를 포함한다.1 to 3, the light
또한, 회로기판(20)이 배치되는 투광부(10)의 일측에는 투광부(10)의 강성유지를 위해 구조물(40)이 배치될 수 있다.In addition, a
또한, 발광소자 램프(1)의 양단 또는 일측에 전원소켓(50)이 결합될 수 있다. 전원소켓(50)은 발광소자(30)에 전류를 입력하기 위해 외부 전원이 인가되는 단자이다. 전원소켓(50)은 접속핀(51)을 포함할 수 있다.In addition, the
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 실시 형태에 따른 발광소자 램프(1)의 투광부(10)는 원통형일 수 있다. 투광부(10)는 회로기판(20) 상에 배치된 발광소자(30)를 보호하고, 발광소자(30)로부터 조사된 빛을 외부로 조사한다. 투광부(10)의 재질은 합성수지 또는 유리이고, 합성수지는 아크릴, PE 또는 PVC, 폴리카보네이트 중 어느 하나일 수 있다. 특히, 투광부(10)가 합성수지로 이루어지는 경우에, 합성수지는 빛의 확산을 보다 용이하게 하는 광확산제를 함유할 수 있다. 따라서, 투광부(10)의 강성이 증대되며, 또한, 투광부(10)의 투명도를 높여 발광소자 램프(1)의 휘도를 높일 수 있다.1 to 3, the light-transmitting
회로기판(20)은 적어도 두 개로 분리되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 회로기판(20)은 제1 기판(20a)과 제2 기판(20b)를 포함할 수 있다. 회로기판(20)은 PCB (Printed Circuit Board), 실리콘 웨이퍼, 수지와 같은 다양한 것이 될 수 있으며, 바람직하게는, 열 전도성이 우수한 알루미늄 재질의 기판일 수 있다.The
여기서 제1 기판(20a) 및 제2 기판(20b)은 각각 일정한 기울기를 가지고 있으며, 서로 이격되어 배치된다. 제1 기판(20a)과 제2 기판(20b) 상에 각각 발광소자(30)가 배치되고, 이러한 발광소자(30)는 수직 방향으로 빛을 방출한다. 발광소자 램프(1)가 균일한 광균일도를 가지기 위해서, 제1 기판(20a) 및 제2 기판(20b)는 제1 기판(20a)의 발광소자에서 방출된 빛과 제2 기판(20b)의 발광소자에서 방출된 빛이 서로 교차하도록 기울기를 갖는 것이 더욱 바람직하다.Here, the
발광소자(30)는 회로기판(20) 상에 배치된다. 발광소자(30)는 발광 다이오드(LED)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 다이오드(30)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 각각 발광하는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 발광 다이오드일 수 있으나, 그 종류에 한정되지는 않는다.The
발광 다이오드는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그 곳에서 재결합되어 빛이 발생되며, 활성층에서 발생된 빛은 모든 방향 또는 특정 방향으로 방출되어 노출 표면을 통해 발광 다이오드 밖으로 방출되게 된다.A light emitting diode is a type of solid element that converts electrical energy into light, and generally includes an active layer of a semiconductor material interposed between two opposing doped layers. When bias is applied to both ends of the two doped layers, holes and electrons are injected into the active layer and then recombined there to generate light, and the light generated in the active layer is emitted in all directions or in specific directions to emit light through the exposed surface. Will be released.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 실시 형태에 따른 발광소자 램프(1)의 회로기판(20)은 서로 이격된 제1 기판(20a)과 제2 기판(20b)으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(20a)과 제2 기판(20b)에는 각각 복수의 발광소자(30)가 소정의 간격을 두고 배치된다. 이때, 제1 기판(20a)에 배치되는 제1 발광소자(30a)와 제2 기판(20b)에 배치되는 제2 발광소자(30b) 간의 거리는 최대가 되도록 발광소자(30)가 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 발광소자(30b)는 두 개의 인접한 제1 발광소자(30a) 사이에 대응되도록 배치될 수 있다. 또한, 제1 발광소자(30a)는 두 개의 인접한 제2 발광소자(30b) 사이에 대응되도록 배치될 수 있다. 바람직하게는, 제1 발광소자(30a)는 인접한 제2 발광소자(30b) 사이에 대응되도록 배치되고, 제2 발광소자(30b)는 인접한 제1 발광소자(30a) 사이에 대응되도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 기판(20a)과 제2 기판(20b)의 발광소자(30a, 30b)는 서로 지그재그 형태로 배치될 수 있다. 1 to 3, the
제1 기판(20a)과 제2 기판(20b)의 발광소자(30a, 30b)가 지그재그 형태로 배치되면, 제1 기판(20a)과 제2 기판(20b)의 발광소자(30a, 30b)가 서로 평행하게 배치되는 경우보다 발광소자들간의 거리가 멀어질 수 있으므로, 발광소자(30)의 발열로 인한 영향을 줄일 수 있는 효과가 있다.When the
이때, 제1 기판(20a)과 제2 기판(20b)의 발광소자(30a, 30b)들이 지그재그로 배치될 때, 발광소자(30)는 다음의 수학식 1을 만족하도록 배치될 수 있다. At this time, when the
[수학식 1][Equation 1]
D < 0.73, [D = (P / 2) / d]D <0.73, [D = (P / 2) / d]
P는 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 기판(20a) 또는 제2 기판(20b)에서 인접한 발광소자들 사이의 평균간격(P)을 나타내고, d는 도 2a에 도시된 바와 같이, 발광소자(30)와 발광소자(30)에 수직한 방향으로의 투광부(10)까지의 이격거리를 나타내고 거리지수(D)는 평균간격(P)의 1/2을 이격거리(d)로 나눈 값이다.P denotes an average spacing P between adjacent light emitting elements in the
거리지수(D)가 0.73보다 작으면, 발광소자 램프(1)는 소정의 광균일도를 가진다. 거리지수(D)가 0.73보다 크면, 발광소자 램프(1)의 광균일도는 소정값 이하로 내려간다.If the distance index D is smaller than 0.73, the light emitting
이격거리(d)가 증가할수록 발광소자(30)와 투광부(10) 사이의 거리가 길어지므로 발광소자(30)로부터 방출된 빛이 확산되어 투광부(10) 상에서 중첩되는 범위가 넓어진다. 투광부(10)상에서 발광소자(30)의 빛이 중첩되는 범위가 넓어질수록 발광소자 램프(1)로부터 조사되는 빛의 광균일도가 증가된다. 또한, 발광소자(30) 사이의 거리인 평균간격(P)가 짧아질수록 발광소자들(30)사이의 간격이 좁아지므로 발광소자(30)로부터 방출된 빛이 투광부(10)상에 중첩되는 범위가 넓어진다. 따라서, 발광소자 램프(1)로부터 방출되는 빛의 광균일도가 증가된다. 또한, 투광부(10) 내에서의 발광소자(30)의 위치와 발광소자(30)로부터의 광 방출각에 따라 발광소자 램프(1)의 외부로 조사되는 빛의 광균일도가 달라진다.As the separation distance d increases, the distance between the light emitting
도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 투광부(10) 내측의 중심(O)을 기준으로 하여, 투광부(10)를 상하로 이등분하는 축을 X축, 투광부(10)를 좌우로 이등분하는 축을 Y축이라고 하자. 이때, 발광소자(30)와 투광부(10)의 상측 중앙(C)을 잇는 선분과 발광소자(30)에 수직한 법선과 이루는 각을 방출각(θ)로 정하고, 투광부(10)의 중심(O)으로부터 발광소자(30)까지의 X축상 거리를 x, Y축상의 거리를 y라고 정하면, 투광부(10)의 중심(O)과 발광소자(30)를 잇는 선이 Y축과 이루는 각 T는 tan T = x/y의 관계를 가지게 된다.2A and 2B, the axis dividing the
실시 형태에 따른 발광소자(30)는 투광부(10)의 내측에 두 개 이상이 배치되고, 빛이 투광부(10)를 통해 상부로 조사되어야 하므로, T는 45도 보다 작다. 따라서, tan T는 0보다 크고 1보다 작은 값을 가진다. 한편, 방출각(θ)도 0도보다 크고 45도보다 작으므로, cos θ도 0보다 크고 1보다 작은 값을 가진다. 따라서, (P / 2) × tan T × cos θ / d 를 광균일도를 결정하는 광균일도 결정지수(L)라고 정의하면, 광균일도 걸정지수(L)의 값도 0 내지 0.73 사이가 된다.Since two or more light-emitting
이하에서는, 실시 형태에 따른 발광소자 램프(1)에서 광균일도를 측정한 실험예를 기초로 하여, 광균일도 결정지수(L)에 따른 광균일도의 변화를 살펴보도록 한다.Hereinafter, changes in the optical uniformity according to the optical uniformity determination index L will be described based on an experimental example in which the optical uniformity is measured in the light emitting
도 4a는 실시 형태에 따른 발광소자 램프(1)의 광균일도 측정을 위한 개략도이고, 도 4b는 광균일도가 측정된 스펙트럼 결과이다.4A is a schematic diagram for measuring the light uniformity of the light emitting
도 2a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 투광부(10)의 상측 중앙(C)을 통해 조사되는 빛의 최소 휘도와 최대 휘도를 측정하여 투광부(10)의 중앙부에서의 광균일도를 측정할 수 있다. 마찬가지로, 상측 중앙(C)에서 우측으로 소정거리가 이격된 지점을 통해 조사되는 빛의 최소 휘도와 최대 휘도를 측정하여 투광부(10)의 측부에서의 광균일도를 측정할 수 있다. 도 4a에서는 투광부(10)의 상측 중앙(C)로부터 우측으로 이격된 지점에서 휘도를 측정하였으나, 반드시 우측일 필요는 없으며, 상측 중앙(C)로부터 소정거리만큼 이격되면 충분하다. 광균일도는 최소 휘도와 최대 휘도간의 차이가 작을수록 좋으므로, 최소 휘도를 최대 휘도로 나눈 값이 1에 가까울수록 좋다. 투광부(10)를 통해 조사되는 빛의 휘도는 1mm폭의 슬라이스(slice)에 조사되는 빛을 이용하여 측정할 수 있다.As shown in FIGS. 2A and 4B, light uniformity in the central portion of the
도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 발광소자 램프(1)를 통해 조사되는 빛이 어느 특정부분이 아니라 발광소자 램프(1) 전체에 걸쳐 광균일도를 갖는지를 확인하기 위하여, 투광부(10)의 중앙에서 1mm 폭의 슬라이스를 통과하는 빛의 휘도(C detector)값과 투광부(10)의 중앙에서 사이드로 소정 거리 이격된 지점의 1mm 폭의 슬라이스를 통과하는 빛의 휘도(R detector)값을 각각 측정한다. 발광소자 램프(1)가 빛이 조사되는 투광부(10)의 전체적 걸쳐 충분한 광균일도를 갖기 위해서는 측정된 C detector값과 R detector값이 모두 소정값 이상이어야 한다.4A and 4B, to confirm whether light irradiated through the light emitting
도 5a는 실시 형태에 따른 발광소자 램프에 있어서, 거리지수(D) 값에 따른 튜브의 중앙부와 측부에서의 광균일도의 변화를 나타낸 그래프이고, 5b는 발광소자(30)의 위치(x, y)에 따라 변화하는 tan T값에 따른 튜브의 중앙부와 측부에서의 광균일도의 변화를 나타낸 그래프이고, 도 5c는 빛의 방출각(θ)에 따른 튜브의 중앙부와 측부에서의 광균일도의 변화를 나타낸 그래프이다.5A is a graph showing changes in light uniformity in the center and side of a tube according to a distance index (D) value in the light emitting device lamp according to the embodiment, and 5B is a position (x, y) of the light emitting device 30 ) Is a graph showing the change in light uniformity at the center and side of the tube according to the tan T value, and FIG. 5c shows the change in light uniformity at the center and side of the tube according to the light emission angle (θ). It is the graph shown.
도 5a에 도시된 바와 같이, 거리지수(D) 값이 증가할수록 중앙부의 광균일도(Min/Max_C)는 0.65 내지 0.73 사이에서 변동하는 것을 알 수 있으며, 거리지수(D) 값이 0.73보다 크면 측부의 광균일도(Min/Max_R)는 0.65이하로 내려가는 것을 알 수 있다. 한편, 도 5b에 도시된 바와 같이, 발광소자(30)의 위치에 따른 tan T 값이 변화함에 따라, 중앙부의 광균일도(Min/Max_C)와 측부의 광균일도(Min/Max_R)는 0.65 내지 0.73 사이에서 변화하는 것을 알 수 있다. 또한, 도 5c에 도시된 바와 같이, 발광소자(30)로부터 방출되는 빛의 방출각(θ)에 따른 cos θ 값이 변화함에 따라, 0.6 내지 0.73 사이에서 변화하는 것을 알 수 있다. 즉, 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 발광소자(30)의 위치에 따른 tan T와 방출각(θ)이 변화하더라도 광균일도는 일정범위 내에서 변화하나, 거리지수(D)가 증가하면 광균일도는 감소하는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 5A, it can be seen that as the distance index (D) value increases, the light uniformity (Min/Max_C) at the center varies between 0.65 and 0.73, and when the distance index (D) value is greater than 0.73, the side It can be seen that the light uniformity of (Min/Max_R) decreases to 0.65 or less. Meanwhile, as illustrated in FIG. 5B, as the tan T value according to the position of the
도 6은 실시 형태에 따른 발광소자 램프에 있어서, 광균일도 결정지수에 따른 튜브의 중앙부와 측부에서의 광균일도의 변화를 나타낸 그래프이다.6 is a graph showing changes in light uniformity at the center and side of the tube according to the light uniformity determination index in the light emitting device lamp according to the embodiment.
도 6을 참조하면, 광균일도 결정지수(L)가 증가함에 따라, 중앙부의 광균일도(Min/Max_C)는 0.65에서 0.73사이에서 변화하는 것을 알 수 있으며, 광균일도 결정지수(L)가 0.5보다 크면, 측부의 광균일도(Min/Max_R)는 0.65 이하로 급격히 감소하는 것을 알 수 있다. 즉, 광균일도 결정지수가 0.5보다 작으면, 광균일도가 0.65이상에서 유지되나, 광균일도 결정지수가 0.5보다 크면, 광균일도가 급격하게 0.65아래로 감소되는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 6, it can be seen that as the optical uniformity determination index (L) increases, the optical uniformity (Min/Max_C) in the central portion changes between 0.65 and 0.73, and the optical uniformity determination index (L) is less than 0.5. If it is large, it can be seen that the light uniformity (Min/Max_R) of the side is rapidly decreased to 0.65 or less. That is, it can be seen that when the optical uniformity crystal index is smaller than 0.5, the optical uniformity degree is maintained at 0.65 or more, but when the optical uniformity crystal index is larger than 0.5, the optical uniformity degree is rapidly decreased below 0.65.
따라서, 발광소자(30)는 다음의 수학식 1을 만족하도록 배치될 수 있다.Therefore, the
[수학식 2][Equation 2]
(P / 2) × tan T × cos θ / d < 0.5(P / 2) × tan T × cos θ / d <0.5
수학식 3과 같이, 광균일도를 소정값인 0.65 이상으로 유지하려면 광균일도 결정지수는 0.5보다 작아야 한다. 따라서, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광소자 램프(1)는 광균일도 결정지수를 0.5보다 작게 하기 위하여, 거리지수(D)가 0.73보다 작게 조정되거나, 발광소자(30)의 위치나 방출각(θ)이 조절될 수 있다. 거리지수(D)를 줄이기 위하여, 전술한 바와 같이, 평균간격(P)값을 감소시키거나, 발광소자(30)와 투광부(10)사이의 이격거리(d)를 증가시킬 수 있다.As shown in Equation 3, in order to maintain the optical uniformity at a predetermined value of 0.65 or more, the optical uniformity determination index should be less than 0.5. Therefore, in the light emitting
한편, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광소자 램프(1)의 구조물(40)은 투광부(10)의 일측에 회로기판(20)과 인접하게 배치될 수 있다. 본 발명의 실시 형태에 따른 발광소자 램프(1)는 서로 이격되고, 발광소자(30)가 서로 지그재그로 배치된 회로기판(20a, 20b)을 포함하므로, 방열체가 없어도 되는 효과가 있다. 따라서, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광소자 램프(1)는 방열목적이 아닌 강성확보를 위하여 플라스틱이나 유리섬유(Glass Fiber, GF) 소재의 구조물(40)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the
이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been mainly described above, but this is merely an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains have not been exemplified above in a range not departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
1: 발광소자 램프
10: 투광부
20: 회로기판
30: 발광소자
40: 구조물
50: 전원소켓1: Light-emitting element lamp
10: floodlight
20: circuit board
30: light emitting element
40: Structure
50: power socket
Claims (10)
상기 투광부의 일측에 배치되고, 서로 소정 거리 이격되어 배치된 제1 기판 및 제2 기판을 포함하는 회로기판; 및
상기 제1 기판 및 제2 기판 각각에 소정의 간격으로 배치되는 발광소자; 를 포함하고,
상기 제1 기판의 발광소자는 상기 제2 기판에 배치되는 두 개의 인접한 발광소자 사이에 대응되게 배치되거나, 상기 제2 기판의 발광소자는 상기 제1 기판에 배치되는 두 개의 인접한 발광소자 사이에 대응되게 배치되고,
상기 발광소자는 하기의 수학식 4를 만족하도록 배치되고,
[수학식 4]
(P / 2) × tan T × cos θ / d < 0.5
상기 P는 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 각각에 배치되는 인접한 발광소자 사이의 평균간격이고, 상기 d는 상기 발광소자의 상면의 중앙과 상기 발광소자의 상면의 중앙에 수직한 방향으로의 상기 투광부까지의 거리이고, 상기 θ는 상기 발광소자의 상면의 중앙과 상기 투광부의 상측 중앙(C)을 잇는 선분과 상기 발광소자의 상면의 중앙에 수직한 법선과 이루는 방출각이고, 상기 T는 상기 투광부의 내측 중심(O)을 기준으로 상기 투광부를 좌우로 이등분하는 이등분선과 상기 투광부의 내측 중심(O)과 상기 발광소자의 상면의 중앙을 잇는 선분과의 각인, 발광소자 램프.A light-transmitting portion extending in a tube shape;
A circuit board including a first substrate and a second substrate disposed on one side of the light transmitting part and spaced apart from each other by a predetermined distance; And
A light emitting element disposed at a predetermined interval on each of the first substrate and the second substrate; Including,
The light emitting element of the first substrate is disposed to correspond between two adjacent light emitting elements disposed on the second substrate, or the light emitting element of the second substrate corresponds between two adjacent light emitting elements disposed on the first substrate It is arranged
The light emitting device is arranged to satisfy the following equation (4),
[Equation 4]
(P / 2) × tan T × cos θ / d <0.5
The P is an average interval between adjacent light emitting elements disposed on each of the first substrate or the second substrate, and d is the direction perpendicular to the center of the top surface of the light emitting element and the top surface of the light emitting element. The distance to the light-transmitting portion, θ is the emission angle between the line segment connecting the center of the upper surface of the light-emitting element and the upper center (C) of the light-emitting element and the normal perpendicular to the center of the upper surface of the light-emitting element, wherein T is A light-emitting element lamp imprinted between a bisector dividing the light-transmitting portion into left and right portions based on the inner center (O) of the light-transmitting portion and a line segment connecting the inner center (O) of the light-transmitting portion to the center of the upper surface of the light-emitting element.
상기 발광소자는 하기의 수학식 3을 만족하도록 배치되고,
[수학식 3]
(P / 2) / d < 0.73,
상기 P는 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 각각에 배치되는 인접한 두 발광소자 사이의 평균간격이고, 상기 d는 상기 발광소자의 상면의 중앙과 상기 발광소자의 상면의 중앙에 수직한 방향으로의 상기 투광부까지의 거리인, 발광소자 램프.According to claim 1,
The light emitting device is arranged to satisfy the following equation (3),
[Equation 3]
(P / 2) / d <0.73,
The P is an average interval between two adjacent light emitting elements disposed on each of the first substrate or the second substrate, and d is a direction perpendicular to the center of the top surface of the light emitting element and the top surface of the light emitting element. A light-emitting element lamp, which is a distance to the light transmitting portion.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은,
상기 제1 기판의 발광소자와 상기 제2 기판의 발광소자에서 수직으로 방출된 빛이 상기 투광부내에서 서로 교차하도록 각각 소정의 기울기를 가지는,
발광소자 램프.According to claim 1,
The first substrate and the second substrate,
Each of the light emitting elements of the first substrate and the light emitted vertically from the light emitting elements of the second substrate has a predetermined slope so as to cross each other in the light transmitting unit,
Light-emitting element lamp.
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