KR102131230B1 - 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치 - Google Patents

파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102131230B1
KR102131230B1 KR1020180147439A KR20180147439A KR102131230B1 KR 102131230 B1 KR102131230 B1 KR 102131230B1 KR 1020180147439 A KR1020180147439 A KR 1020180147439A KR 20180147439 A KR20180147439 A KR 20180147439A KR 102131230 B1 KR102131230 B1 KR 102131230B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
core
test
ram
error detection
detection logic
Prior art date
Application number
KR1020180147439A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200062443A (ko
Inventor
민병진
Original Assignee
현대오트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 현대오트론 주식회사 filed Critical 현대오트론 주식회사
Priority to KR1020180147439A priority Critical patent/KR102131230B1/ko
Priority to US16/691,003 priority patent/US11347582B2/en
Priority to CN201911158136.4A priority patent/CN111221675B/zh
Priority to DE102019131865.3A priority patent/DE102019131865A1/de
Publication of KR20200062443A publication Critical patent/KR20200062443A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102131230B1 publication Critical patent/KR102131230B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/22Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
    • G06F11/2205Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing using arrangements specific to the hardware being tested
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1044Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices with specific ECC/EDC distribution
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1048Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0706Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation the processing taking place on a specific hardware platform or in a specific software environment
    • G06F11/0721Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation the processing taking place on a specific hardware platform or in a specific software environment within a central processing unit [CPU]
    • G06F11/0724Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation the processing taking place on a specific hardware platform or in a specific software environment within a central processing unit [CPU] in a multiprocessor or a multi-core unit
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0766Error or fault reporting or storing
    • G06F11/0772Means for error signaling, e.g. using interrupts, exception flags, dedicated error registers
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1004Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's to protect a block of data words, e.g. CRC or checksum
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1012Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using codes or arrangements adapted for a specific type of error
    • G06F11/102Error in check bits
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/1658Data re-synchronization of a redundant component, or initial sync of replacement, additional or spare unit
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/22Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
    • G06F11/2205Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing using arrangements specific to the hardware being tested
    • G06F11/2215Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing using arrangements specific to the hardware being tested to test error correction or detection circuits
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/22Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
    • G06F11/26Functional testing
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/30Monitoring
    • G06F11/3003Monitoring arrangements specially adapted to the computing system or computing system component being monitored
    • G06F11/3013Monitoring arrangements specially adapted to the computing system or computing system component being monitored where the computing system is an embedded system, i.e. a combination of hardware and software dedicated to perform a certain function in mobile devices, printers, automotive or aircraft systems
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/30Monitoring
    • G06F11/3003Monitoring arrangements specially adapted to the computing system or computing system component being monitored
    • G06F11/3037Monitoring arrangements specially adapted to the computing system or computing system component being monitored where the computing system component is a memory, e.g. virtual memory, cache
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/38Response verification devices
    • G11C29/42Response verification devices using error correcting codes [ECC] or parity check

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Abstract

본 발명은 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법에 관한 것으로, 멀티코어 방식 마이크로컨트롤러(MCU)가 적용된 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단을 위하여, 상기 멀티코어 중 제1 코어가 제2 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 상기 제2 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC(Error Correction Code) 모듈에 대한 테스트를 수행하는 단계; 및 상기 제2 코어가 아직 테스트가 수행되지 않은 코어 중 하나의 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 해당 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 단계;를 포함한다.

Description

파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치{METHOD FOR SELF DIAGNOSIS OF RAM ERROR DETECTION LOGIC IN POWERTRAIN ECU SYSTEM AND APPARATUS THEREOF}
본 발명은 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 파워트레인 제어기(Powertrain ECU System)의 램(RAM : Random Access Memory) 에러 감지 로직(또는 ECC 모듈)에서 오류가 발생하는지를 진단할 수 있도록 하는, 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치에 관한 것이다.
최근 차량이 전자제어화 되어 가면서 차량의 기능 안전이 중요시되고 있다.
특히 입력, 연산, 및 출력이 이루어지는 마이크로컨트롤러(MCU)의 메모리 에러 감지(검출) 기능은 제어 오작동을 방지하는데 있어서 아주 중요한 기술에 해당한다.
이에 따라 종래에는 메모리(즉, RAM)의 에러 검출을 위하여, 상기 마이크로컨트롤러(MCU)가 ECC(Error Correction Code) 모듈을 활성화(Enable)하면 상기 ECC 모듈이 메모리(즉 램)의 에러를 검출하는 방식으로 동작하였다.
다시 말해 종래에는 ECC 모듈(램 에러 감지 로직)에 대한 자가진단이 불가능하였으며, 메모리(즉, RAM) 테스트에서 발생하는 에러의 종류에 대한 분별(구별)도 불가능하였다. 즉, ECC 모듈(램 에러 감지 로직)의 정보에 의존하여서만 에러의 발생 여부를 알 수 있었다.
따라서 상기 ECC 모듈(램 에러 감지 로직)이 정상적으로 작동할 때는 문제가 없지만, 상기 ECC 모듈 자체에 대한 오동작 여부를 감지할 수 없다는 문제점이 있었다. 이에 따라 상기 ECC 모듈에 대한 오류 여부를 검증할 수 있도록 하는 방법이 요구되고 있다.
본 발명의 배경기술은 대한민국 공개특허 10-2015-0073717호(2015.07.01. 공개, 저장 장치 및 그것의 데이터 엔코딩 및 디코딩 방법들)에 개시되어 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 파워트레인 제어기(Powertrain ECU System)의 램(RAM) 에러 감지 로직(또는 ECC 모듈)에서 오류가 발생하는지를 진단할 수 있도록 하는, 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법은, 멀티코어 방식 마이크로컨트롤러(MCU)가 적용된 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단을 위하여, 상기 멀티코어 중 제1 코어가 제2 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 상기 제2 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC(Error Correction Code) 모듈에 대한 테스트를 수행하는 단계; 및 상기 제2 코어가 아직 테스트가 수행되지 않은 코어 중 하나의 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 해당 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 멀티코어 중 제 N코어에 대한 테스트가 완료되면, 상기 제 N코어가 아직 테스트가 수행되지 않은 코어 중 하나의 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 해당 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 테스트는, 지정된 특정 램의 오류를 감지하는 ECC 모듈에 대한 테스트인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 테스트를 위한 초기화를 수행하는 단계;를 더 포함하고, 상기 초기화는, 상기 테스트를 수행하기 위한 테스트 모드에서의 테스트 동작이 상기 마이크로컨트롤러(MCU)의 파워트레인 제어에 영향을 미치지 않도록 하기 위한 설정, 및 멀티코어 시스템에서 테스트 환경을 설정하기 위한 코어의 정지(Idle) 및 ECC 모듈에 대한 설정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 테스트 수행 시, 테스트를 수행하는 각 코어는, 코어 자신과 연동되는 램(RAM)에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행할 수 없으며, 자신이 아닌 다른 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 테스트를 수행하는 각 코어는, 테스트 수행하기 전, 상기 코어가 테스트를 수행할 램에 연동하여 동작하는 해당 코어를 먼저 정지(Idle)시키고, 테스트가 완료되면 해당 코어를 다시 작동(RUN)시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 각 ECC 모듈에 대한 테스트 시, 테스트를 수행하는 각 코어는, ECC 비교기의 테스트 비트 입력 포트에 오류를 발생시킬 수 있도록 지정된 값을 오아(OR) 입력하는 작업 1을 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지 체크하는 과정; 상기 ECC 비교기의 입력 포트를 통해 실제 입력되는 입력 데이터의 1비트를 플립(Flip)시켜 입력하는 정정 가능 오류(Correctable Error)의 테스트를 위한 작업 2를 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지 체크하는 과정; 및 상기 ECC 비교기의 입력 포트를 통해 실제 입력되는 입력 데이터의 2비트를 플립(Flip)시켜 입력하는 정정 불가능 오류(Uncorrectable Error)의 테스트를 위한 작업 3을 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지 체크하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 ECC 모듈에 대한 테스트 시, 상기 코어에 의한 ECC 모듈의 테스트가 각기 완료되면, 각기 미리 지정된 플래그를 1로 설정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 멀티코어의 각 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈의 테스트가 모두 완료되면, 상기 테스트 결과를 출력하고, 상기 테스트를 위해 설정한 초기화를 해제하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 램 에러 감지 로직은, ECC(Error Correction Code) 모듈인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치는, 램 에러 감지 로직인 ECC 모듈을 포함하며, 멀티코어 방식 마이크로컨트롤러(MCU)가 적용된 파워트레인 제어기; 상기 멀티코어의 각 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 제어부; 및 상기 램 에러 감지 로직의 자가진단을 위한 프로그램이나 알고리즘을 저장하는 메모리;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제어부는, 상기 마이크로콘트롤러(MCU)의 멀티코어 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 멀티코어 중 제1 코어가 제어부로서 제2 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 제2 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC(Error Correction Code) 모듈에 대한 테스트를 수행하며, 상기 제2 코어가 제어부로서 아직 테스트가 수행되지 않은 코어 중 하나의 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 해당 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 멀티코어 중 제 N코어에 대한 테스트가 완료되면, 상기 제 N코어가 제어부로서 아직 테스트가 수행되지 않은 코어 중 하나의 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 해당 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 테스트는, 상기 멀티코어의 각 코어에 지정된 특정 램의 오류를 감지하는 ECC 모듈에 대한 테스트인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제어부로서 상기 테스트를 수행하는 각 코어는, 테스트를 수행하기 전, 상기 코어가 테스트를 수행할 램에 연동하여 동작하는 해당 코어를 먼저 정지(Idle)시키고, 테스트가 완료되면 해당 코어를 다시 작동(RUN)시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 각 ECC 모듈에 대한 테스트 시, 상기 제어부로서 상기 테스트를 수행하는 각 코어는, ECC 비교기의 테스트 비트 입력 포트에 오류를 발생시킬 수 있도록 지정된 값을 오아(OR) 입력하는 작업 1을 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지를 체크하고, 상기 ECC 비교기의 입력 포트를 통해 실제 입력되는 입력 데이터의 1비트를 플립(Flip)시켜 입력하는 정정 가능 오류(Correctable Error)의 테스트를 위한 작업 2를 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지를 체크하며, 또한 상기 ECC 비교기의 입력 포트를 통해 실제 입력되는 입력 데이터의 2비트를 플립(Flip)시켜 입력하는 정정 불가능 오류(Uncorrectable Error)의 테스트를 위한 작업 3을 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지를 체크하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제어부로서 상기 테스트를 수행하는 각 코어는, 상기 ECC 모듈에 대한 테스트 시, 상기 코어에 의한 ECC 모듈의 테스트가 각기 완료되면, 각기 미리 지정된 플래그를 1로 설정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제어부로서 상기 테스트를 수행하는 각 코어는, 상기 멀티코어의 각 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈의 테스트가 모두 완료되면, 상기 테스트 결과를 출력하고, 상기 테스트를 위해 설정한 초기화를 해제하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명은 파워트레인 제어기(Powertrain ECU System)의 램(RAM) 에러 감지 로직(또는 ECC 모듈)에서 오류가 발생하는지를 진단할 수 있도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치의 개략적인 구성을 보인 예시도.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 3은 상기 도 2에 있어서, 램 테스트를 위한 3가지 테스트 작업에 대해서 설명하기 위한 흐름도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치의 일 실시예를 설명한다.
이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치의 개략적인 구성을 보인 예시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치는, 상기 파워트레인 제어기로 사용되는 마이크로콘트롤러(MCU, 100)는 복수의 코어(111, 121, 131)(예 : 코어0, 코어1, 코어2), 상기 복수의 코어(111, 121, 131)에 각기 연동하여 동작하는 메모리(112, 122, 132)(예 : 램0, 램1, 램2), 및 ECC(Error Correction Code) 모듈(140)을 포함한다.
또한 도면에는 도시되어 있지 않지만, 본 실시예에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치는, 램 에러 감지 로직의 자가진단을 위한 프로그램(또는 알고리즘)을 저장하는 메모리(미도시)를 포함한다.
또한 도면에는 도시되어 있지 않지만, 본 실시예에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치는, 상기 메모리(미도시)에 저장된 램 에러 감지 로직의 자가진단을 위한 프로그램(또는 알고리즘)에 기초하여 램 에러 감지 로직의 자가진단을 총괄하여 수행하는 제어부(미도시)를 포함한다.
여기서 상기 제어부(미도시)(또는 테스트 핸들러)는 상기 마이크로콘트롤러(MCU, 100)의 복수의 코어(111, 121, 131)(예 : 코어0, 코어1, 코어2) 중 어느 하나, 또는 도시되지 않은 또 다른 코어(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 ECC(Error Correction Code) 모듈(140)은 내부에 적어도 하나 이상의 ECC 비교기를 포함하고 있으며, 본 실시예에서 상기 제어부(미도시)는, 상기 메모리(미도시)에 저장된 램 에러 감지 로직(즉, ECC 모듈)의 자가진단을 위한 프로그램(또는 알고리즘)에 기초하여 테스트 모드와 파워트레인 제어 모드를 선택한다. 이에 따라 테스트 모드에서의 테스트 동작이 파워트레인 제어에 영향을 미치지 않도록 한다.
참고로 멀티 코어 시스템에서 메모리(또는 램) 테스트(즉, 특정 램의 오류를 감지하는 ECC 모듈의 테스트)를 위해서는 해당 램과 연동되는 코어를 정지(또는 아이들)시킨 상태에서 테스트를 수행해야 한다.
따라서 상기 제어부(또는 테스트 핸들러)(미도시)는 램 테스트(즉, 특정 램의 오류를 감지하는 ECC 모듈의 테스트)를 위해서 해당 램에 연동하여 동작하는 해당 코어(예 : 코어0 ~ 코어2 중 하나)를 정지(또는 아이들)시킨 후, 테스트가 완료되면 상기 정지(또는 아이들)시켰던 해당 코어(예 : 코어0 ~ 코어2 중 하나)를 다시 구동(RUN) 시킨다.
이 때 본 실시예에서 상기 램 테스트(즉, 특정 램의 오류를 감지하는 ECC 모듈의 테스트)는 3가지 테스트 작업을 기본으로 수행한다(도 3 참조). 즉, 상기 마이크로콘트롤러(MCU)에 포함된 복수의 메모리(예 : 램0 ~ 램2) 중 어느 하나의 해당하는 램의 에러를 감지하는 램 에러 감지 로직(즉, ECC 모듈)에 대하여 각기 상기 3가지 테스트 작업을 기본으로 수행한다(도 3 참조).
상기 램 테스트(즉, 특정 램의 오류를 감지하는 ECC 모듈의 테스트)의 3가지 테스트 작업에 대해서는 도 3을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다.
한편 본 실시예에서는 코어(core)가 3개인 멀티코어 시스템에서의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법에 대해서 설명하지만, 코어가 3개 이상인 멀티코어 시스템에도 적용할 수 있음에 유의한다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 3은 상기 도 2에 있어서, 램 테스트를 위한 3가지 테스트 작업에 대해서 설명하기 위한 흐름도이다.
이하 도 2 및 도 3을 참조하여 본 실시예에 따른 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법에 대해서 설명한다.
도 2를 참조하면, 램 테스트 모드가 시작될 경우 제어부(미도시)는 기 지정된 설정에 따라 램 테스트(즉, 특정 램의 오류를 감지하는 ECC 모듈의 테스트)를 위한 초기화를 실시한다(S110).
예컨대 상기 테스트 모드에서의 테스트 동작이 파워트레인 제어에 영향을 미치지 않도록 하기 위한 설정(예 : 인터럽트, 트랩 백업 등), 및 멀티코어 시스템에서 테스트 환경을 설정하기 위한 코어(예 : 코어 Idle) 및 ECC 모듈에 대한 설정을 포함한다.
상기와 같이 램 테스트(즉, 특정 램의 오류를 감지하는 ECC 모듈의 테스트)를 위한 초기화가 완료되면, 멀티코어 중 제1 코어(Core0)(111)에 의한 램(예 : RAM1) 테스트를 수행한다(S120).
이 때 상기 제1 코어(Core0)(111)는 자신과 연동되는 램(RAM0)에 대한 램 테스트를 수행할 수 없으며, 다른 코어(예 : Core1, Core2)에 연동되는 램(RAM1, RAM2)에 대한 램 테스트를 수행할 수 있다. 또한 램 테스트를 수행할 램에 연동하여 동작하는 해당 코어(예 : 코어1 ~ 코어2 중 하나)를 정지(또는 아이들)시켜야 한다. 왜냐하면 코어를 정지(또는 아이들)시키지 않으면 이 코어에 연동되는 램이 계속해서 작동하기 때문이다.
상기 제1 코어(Core0)(111)에 의한 램(예 : RAM1) 테스트 수행 방법은 도 3에 도시된 3가지 테스트 작업(S210, S220, S230)을 통해 수행된다.
도 3을 참조하면, ECC 비교기의 테스트 비트 입력 포트에 오류를 발생시킬 수 있도록 지정된 값(예 : 1)을 오아(OR) 입력(이때 입력 포트를 통해 입력되는 입력 데이터는 모두 정상 데이터가 입력됨)하는 작업 1을 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지 체크한다(S210).
그리고 상기 ECC 비교기의 입력 포트를 통해 실제 입력되는 입력 데이터의 1비트를 플립(Flip)시켜 입력하는 Correctable Error(정정 가능 오류)의 테스트를 위한 작업 2를 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지 체크한다(S220).
그리고 상기 ECC 비교기의 입력 포트를 통해 실제 입력되는 입력 데이터의 2비트를 플립(Flip)시켜 입력하는 Uncorrectable Error(정정 불가능 오류)의 테스트를 위한 작업 3을 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지 체크한다(S230).
상기 테스트 작업 1,2,3(S210 ~ S230)을 통해 램 테스트에서 발생하는 ECC 모듈에 대한 에러의 종류를 판단할 수 있도록 한다.
다시 도 2를 참조하면, 상기 제1 코어(Core0)(111)에 의한 램(예 : RAM1) 테스트가 완료되면(S130의 예), 상기 제1 코어(Core0)(111)는 플래그0을 1로 설정한다(Set Flag_0=1)(S140). 상기 플래그0을 1로 설정하는 것(Set Flag_0=1)은 상기 제1 코어(Core0)(111)에 의한 램(예 : RAM1) 테스트가 완료되었음을 의미하는 것이다.
상기와 같이 제1 코어(Core0)(111)에 의한 램(예 : RAM1) 테스트가 완료되면, 제2 코어(Core1)(121)에 의한 램(예 : RAM2) 테스트를 수행한다(S150).
상기 제2 코어(Core1)(121)에 의한 램(예 : RAM2) 테스트가 수행될 때, 상기 제2 코어(Core1)(121)는 램 테스트 대상인 램(예 : RAM2)에 연동되는 제3 코어(Core2)(131)를 정지(또는 아이들)시킨다(S151).
그리고 제2 코어(Core1)(121)에 의한 램(예 : RAM2) 테스트를 수행한다(S152). 상기 제2 코어(Core1)(121)에 의한 램(예 : RAM2) 테스트 수행 방법은 도 3에 도시된 3가지 테스트 작업(S210, S220, S230)을 통해 수행된다. 상기 도 3에 도시된 3가지 테스트 작업(S210, S220, S230)은 이미 설명한 것과 동일하므로, 이하 이에 대한 설명은 생략한다.
또한 상기 제2 코어(Core1)(121)에 의한 램(예 : RAM2) 테스트가 완료되면(S153의 예), 상기 제2 코어(Core1)(121)는 상기 제3 코어(Core2)(121)를 다시 작동시키고(S154) 플래그1을 1로 설정한다(Set Flag_1=1)(S155). 상기 플래그1을 1로 설정하는 것(Set Flag_1=1)은 상기 제2 코어(Core1)(121)에 의한 램(예 : RAM2) 테스트가 완료되었음을 의미하는 것이다.
상기와 같이 제2 코어(Core1)(121)에 의한 램(예 : RAM2) 테스트가 완료되면(S160의 예), 제3 코어(Core2)(131)에 의한 램(예 : RAM0) 테스트를 수행한다(S170).
상기 제3 코어(Core2)(131)에 의한 램(예 : RAM0) 테스트가 수행될 때, 상기 제3 코어(Core2)(131)는 램 테스트 대상인 램(예 : RAM0)에 연동되는 제1 코어(Core0)(111)를 정지(또는 아이들)시킨다(S171).
그리고 제3 코어(Core2)(131)에 의한 램(예 : RAM0) 테스트를 수행한다(S172). 상기 제3 코어(Core2)(131)에 의한 램(예 : RAM0) 테스트 수행 방법은 도 3에 도시된 3가지 테스트 작업(S210, S220, S230)을 통해 수행된다. 상기 도 3에 도시된 3가지 테스트 작업(S210, S220, S230)은 이미 설명한 것과 동일하므로, 이하 이에 대한 설명은 생략한다.
또한 상기 제3 코어(Core2)(131)에 의한 램(예 : RAM0) 테스트가 완료되면(S173의 예), 상기 제3 코어(Core2)(131)는 상기 제1 코어(Core0)(111)를 다시 작동시키고(S174) 플래그2를 1로 설정한다(Set Flag_2=1)(S175). 상기 플래그2를 1로 설정하는 것(Set Flag_2=1)은 상기 제3 코어(Core2)(121)에 의한 램(예 : RAM0) 테스트가 완료되었음을 의미하는 것이다.
상기와 같이 제3 코어(Core2)(131)에 의한 램(예 : RAM0) 테스트가 완료되면(S180의 예), 즉, 멀티코어 시스템의 모든 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 램 테스트가 완료되면, 램 테스트 결과를 출력하고(S190), 상기 램 테스트를 위해 설정한 초기화를 해제한다(S200).
상기와 같이 본 실시예는 멀티코어 시스템에서 첫 번째 코어(즉, 제1 코어)는 다음 코어(즉, 제2 코어)의 동작을 정지(아이들)시키고 이 코어(즉, 제2 코어)에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하며, 상기 다음 코어(즉, 제2 코어)는 그 다음 코어(즉, 제3 코어)의 동작을 정지(아이들)시키고 이 코어(즉, 제3 코어)에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하며, 마지막 코어(즉, 제 N코어)는 첫 번째 코어(즉, 제1 코어)의 동작을 정지(아이들)시키고 이 코어(즉, 제1 코어)에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행한다.
한편 상기 실시예에서는 멀티코어 중 각 코어가 마치 지정된 순서에 의해서만 다른 코어에 연동되는 램 테스트를 수행하는 것처럼 도시되어 있으나, 실질적으로는 코어에 순서를 지정하여 램 테스트를 수행하는 것은 아니며, 상기 멀티코어 중 자신에 대한 테스트가 완료된 어느 하나의 코어가 자신을 제외한 다른 모든(또는 복수의) 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행할 수 있음에 유의한다.
상기와 같이 본 실시예는 파워트레인 제어기(Powertrain ECU System)의 램(RAM) 에러 감지 로직(또는 ECC 모듈)에서 오류가 발생하는지를 진단할 수 있도록 한다.
이상으로 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다. 또한 본 명세서에서 설명된 구현은, 예컨대, 방법 또는 프로세스, 장치, 소프트웨어 프로그램, 데이터 스트림 또는 신호로 구현될 수 있다. 단일 형태의 구현의 맥락에서만 논의(예컨대, 방법으로서만 논의)되었더라도, 논의된 특징의 구현은 또한 다른 형태(예컨대, 장치 또는 프로그램)로도 구현될 수 있다. 장치는 적절한 하드웨어, 소프트웨어 및 펌웨어 등으로 구현될 수 있다. 방법은, 예컨대, 컴퓨터, 마이크로프로세서, 집적 회로 또는 프로그래밍가능한 로직 디바이스 등을 포함하는 프로세싱 디바이스를 일반적으로 지칭하는 프로세서 등과 같은 장치에서 구현될 수 있다. 프로세서는 또한 최종-사용자 사이에 정보의 통신을 용이하게 하는 컴퓨터, 셀 폰, 휴대용/개인용 정보 단말기(personal digital assistant: "PDA") 및 다른 디바이스 등과 같은 통신 디바이스를 포함한다.
100 : MCU 111 : 코어0
112 : 램0 121 : 코어1
122 : 램1 131 : 코어2
132 : 램2 140 : ECC 모듈

Claims (19)

  1. 멀티코어 방식 마이크로컨트롤러(MCU)가 적용된 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단을 위하여,
    상기 멀티코어 중 제1 코어가 제2 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 상기 제2 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC(Error Correction Code) 모듈에 대한 테스트를 수행하는 단계; 및
    상기 제2 코어가 아직 테스트가 수행되지 않은 코어 중 하나의 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 해당 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 멀티코어 중 제 N코어에 대한 테스트가 완료되면,
    상기 제 N코어가 아직 테스트가 수행되지 않은 코어 중 하나의 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 해당 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 테스트는,
    지정된 특정 램의 오류를 감지하는 ECC 모듈에 대한 테스트인 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 테스트를 위한 초기화를 수행하는 단계;를 더 포함하고,
    상기 초기화는,
    상기 테스트를 수행하기 위한 테스트 모드에서의 테스트 동작이 상기 마이크로컨트롤러(MCU)의 파워트레인 제어에 영향을 미치지 않도록 하기 위한 설정, 및 멀티코어 시스템에서 테스트 환경을 설정하기 위한 코어의 정지(Idle) 및 ECC 모듈에 대한 설정을 포함하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    테스트를 수행하는 각 코어는,
    코어 자신과 연동되는 램(RAM)에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행할 수 없으며, 자신이 아닌 다른 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 테스트를 수행하는 상기 각 코어는,
    테스트 수행하기 전, 상기 각 코어가 테스트를 수행할 램에 연동하여 동작하는 해당 코어를 먼저 정지(Idle)시키고, 테스트가 완료되면 해당 코어를 다시 작동(RUN)시키는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 각 ECC 모듈에 대한 테스트 시,
    테스트를 수행하는 각 코어는,
    ECC 비교기의 테스트 비트 입력 포트에 오류를 발생시킬 수 있도록 지정된 값을 오아(OR) 입력하는 작업 1을 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지 체크하는 과정;
    상기 ECC 비교기의 입력 포트를 통해 실제 입력되는 입력 데이터의 1비트를 플립(Flip)시켜 입력하는 정정 가능 오류(Correctable Error)의 테스트를 위한 작업 2를 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지 체크하는 과정; 및
    상기 ECC 비교기의 입력 포트를 통해 실제 입력되는 입력 데이터의 2비트를 플립(Flip)시켜 입력하는 정정 불가능 오류(Uncorrectable Error)의 테스트를 위한 작업 3을 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지 체크하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 ECC 모듈에 대한 테스트 시,
    상기 코어에 의한 ECC 모듈의 테스트가 각기 완료되면,
    각기 미리 지정된 플래그를 1로 설정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 멀티코어의 각 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈의 테스트가 모두 완료되면, 상기 테스트 결과를 출력하고, 상기 테스트를 위해 설정한 초기화를 해제하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 램 에러 감지 로직은,
    ECC(Error Correction Code) 모듈인 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법.
  11. 램 에러 감지 로직인 ECC 모듈을 포함하며, 멀티코어 방식 마이크로컨트롤러(MCU)가 적용된 파워트레인 제어기;
    상기 멀티코어의 각 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 제어부; 및
    상기 램 에러 감지 로직의 자가진단을 위한 프로그램이나 알고리즘을 저장하는 메모리;를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 마이크로컨트롤러(MCU)의 멀티코어 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 멀티코어 중 제1 코어가 제어부로서 제2 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 제2 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC(Error Correction Code) 모듈에 대한 테스트를 수행하며,
    상기 제2 코어가 제어부로서 아직 테스트가 수행되지 않은 코어 중 하나의 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 해당 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 멀티코어 중 제 N코어에 대한 테스트가 완료되면,
    상기 제 N코어가 제어부로서 아직 테스트가 수행되지 않은 코어 중 하나의 코어의 동작을 정지(Idle)시키고, 해당 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈에 대한 테스트를 수행하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 테스트는,
    상기 멀티코어의 각 코어에 지정된 특정 램의 오류를 감지하는 ECC 모듈에 대한 테스트인 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치.
  16. 제 11항에 있어서, 상기 제어부로서 상기 테스트를 수행하는 각 코어는,
    테스트를 수행하기 전,
    상기 코어가 테스트를 수행할 램에 연동하여 동작하는 해당 코어를 먼저 정지(Idle)시키고, 테스트가 완료되면 해당 코어를 다시 작동(RUN)시키는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치.
  17. 제 11항에 있어서, 상기 각 ECC 모듈에 대한 테스트 시,
    상기 제어부로서 상기 테스트를 수행하는 각 코어는,
    ECC 비교기의 테스트 비트 입력 포트에 오류를 발생시킬 수 있도록 지정된 값을 오아(OR) 입력하는 작업 1을 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지를 체크하고,
    상기 ECC 비교기의 입력 포트를 통해 실제 입력되는 입력 데이터의 1비트를 플립(Flip)시켜 입력하는 정정 가능 오류(Correctable Error)의 테스트를 위한 작업 2를 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지를 체크하며, 또한
    상기 ECC 비교기의 입력 포트를 통해 실제 입력되는 입력 데이터의 2비트를 플립(Flip)시켜 입력하는 정정 불가능 오류(Uncorrectable Error)의 테스트를 위한 작업 3을 통해 에러 검출 기능이 제대로 동작하는지를 체크하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치.
  18. 제 11항에 있어서, 상기 제어부로서 상기 테스트를 수행하는 각 코어는,
    상기 ECC 모듈에 대한 테스트 시,
    상기 코어에 의한 ECC 모듈의 테스트가 각기 완료되면,
    각기 미리 지정된 플래그를 1로 설정하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치.
  19. 제 11항에 있어서, 상기 제어부로서 상기 테스트를 수행하는 각 코어는,
    상기 멀티코어의 각 코어에 연동되는 램에 대응하는 ECC 모듈의 테스트가 모두 완료되면, 상기 테스트 결과를 출력하고, 상기 테스트를 위해 설정한 초기화를 해제하는 것을 특징으로 하는 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 장치.
KR1020180147439A 2018-11-26 2018-11-26 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치 KR102131230B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180147439A KR102131230B1 (ko) 2018-11-26 2018-11-26 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치
US16/691,003 US11347582B2 (en) 2018-11-26 2019-11-21 Method and apparatus for self-diagnosis of ram error detection logic of powertrain controller
CN201911158136.4A CN111221675B (zh) 2018-11-26 2019-11-22 用于ram错误检测逻辑的自诊断的方法和装置
DE102019131865.3A DE102019131865A1 (de) 2018-11-26 2019-11-25 Verfahren und vorrichtung zur eigendiagnose der ram-fehlererkennungslogik eines antriebsstrangcontrollers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180147439A KR102131230B1 (ko) 2018-11-26 2018-11-26 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200062443A KR20200062443A (ko) 2020-06-04
KR102131230B1 true KR102131230B1 (ko) 2020-07-08

Family

ID=70546056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180147439A KR102131230B1 (ko) 2018-11-26 2018-11-26 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11347582B2 (ko)
KR (1) KR102131230B1 (ko)
CN (1) CN111221675B (ko)
DE (1) DE102019131865A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220085100A (ko) * 2020-12-14 2022-06-22 현대오토에버 주식회사 플래시 메모리 ecc 모듈의 진단 장치 및 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240013847A1 (en) 2021-09-29 2024-01-11 Dream Chip Technologies Gmbh Electronic circuit and method for self-diagnosis of a data memory
US20230290423A1 (en) * 2022-03-11 2023-09-14 Changxin Memory Technologies, Inc. Method and apparatus for testing memory chip, storage medium, and electronic device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016170787A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド Eccで保護されたメモリを用いる使用のためのmbistデバイス
JP2018076072A (ja) 2018-02-07 2018-05-17 日本精工株式会社 電動パワーステアリング装置の制御装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001075936A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Toshiba Corp マルチプロセッサシステムおよびそのシステムの異常診断方法
US6728916B2 (en) * 2001-05-23 2004-04-27 International Business Machines Corporation Hierarchical built-in self-test for system-on-chip design
US6988237B1 (en) * 2004-01-06 2006-01-17 Marvell Semiconductor Israel Ltd. Error-correction memory architecture for testing production errors
US7225375B2 (en) * 2004-03-31 2007-05-29 International Business Machines Corporation Method and apparatus for detecting array degradation and logic degradation
US7644347B2 (en) * 2005-09-30 2010-01-05 Intel Corporation Silent data corruption mitigation using error correction code with embedded signaling fault detection
US9207661B2 (en) * 2007-07-20 2015-12-08 GM Global Technology Operations LLC Dual core architecture of a control module of an engine
WO2012037032A2 (en) * 2010-09-15 2012-03-22 Sandisk Technologies Inc. System and method of distributive ecc processing
US9224503B2 (en) * 2012-11-21 2015-12-29 International Business Machines Corporation Memory test with in-line error correction code logic
KR102108386B1 (ko) 2013-12-23 2020-05-08 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 데이터 엔코딩 및 디코딩 방법들
JP6496562B2 (ja) * 2014-04-11 2019-04-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、診断テスト方法及び診断テスト回路
KR20160076270A (ko) * 2014-12-22 2016-06-30 현대모비스 주식회사 차량용 멀티 코어 시스템
US9691505B2 (en) * 2015-03-27 2017-06-27 Intel Corporation Dynamic application of error correction code (ECC) based on error type
US9865362B1 (en) * 2016-02-09 2018-01-09 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for testing error correction code (ECC) logic and physical memory onboard a manufactured integrated circuit (IC)
CN105824719B (zh) * 2016-03-16 2019-01-29 浙江中控技术股份有限公司 一种随机存储器的检测方法及系统
US10389379B2 (en) * 2017-05-12 2019-08-20 Qualcomm Incorporated Error correcting code testing
US10706950B1 (en) * 2018-06-19 2020-07-07 Cadence Design Systems, Inc. Testing for memory error correction code logic
US10928449B2 (en) * 2019-03-30 2021-02-23 Intel Corporation Apparatus for memory built-in self-test with error detection and correction code awareness

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016170787A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド Eccで保護されたメモリを用いる使用のためのmbistデバイス
JP2018076072A (ja) 2018-02-07 2018-05-17 日本精工株式会社 電動パワーステアリング装置の制御装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220085100A (ko) * 2020-12-14 2022-06-22 현대오토에버 주식회사 플래시 메모리 ecc 모듈의 진단 장치 및 방법
KR102418060B1 (ko) * 2020-12-14 2022-07-07 현대오토에버 주식회사 플래시 메모리 ecc 모듈의 진단 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11347582B2 (en) 2022-05-31
US20200167230A1 (en) 2020-05-28
DE102019131865A1 (de) 2020-05-28
CN111221675B (zh) 2023-12-22
KR20200062443A (ko) 2020-06-04
CN111221675A (zh) 2020-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102131230B1 (ko) 파워트레인 제어기의 램 에러 감지 로직의 자가진단 방법 및 장치
KR20200136967A (ko) 리던던트 프로세서 에러 검출을 위한 디바이스, 시스템, 및 프로세스
US10379946B2 (en) Controller
KR101978984B1 (ko) 프로세서의 오류를 검출하는 장치 및 방법
CN115831213A (zh) 校验处理器的检测方法、装置、电子设备、存储介质
Backhausen et al. Robustness in automotive electronics: An industrial overview of major concerns
US20150019852A1 (en) Verification method for system execution environment
US10613918B2 (en) Data register monitoring
Sargsyan Firmware generation architecture for memory BIST
WO2018010084A1 (zh) 应用于数字集成电路的esd检测装置、集成电路及方法
US10684908B2 (en) Method for fault detection in an operating system
KR101137034B1 (ko) 계층적 병렬 환경에서의 분산 런타임 진단을 위한 시스템 및 방법
JP6217086B2 (ja) 情報処理装置、エラー検出機能診断方法およびコンピュータプログラム
Bailan et al. Verification of soft error detection mechanism through fault injection on hardware emulation platform
TW201606785A (zh) 記憶體控制器
KR102418060B1 (ko) 플래시 메모리 ecc 모듈의 진단 장치 및 방법
US20130007565A1 (en) Method of processing faults in a microcontroller
US20040117747A1 (en) Method for providing cycle-by-cycle ad hoc verification in a hardware-accelerated environment
JP2011232910A (ja) メモリ診断方式
TW201928981A (zh) 記憶體整體測試之系統及其方法
JP2009282849A (ja) マイクロコンピュータ
JP2014225110A (ja) 安全コントローラ
WO2015147829A1 (en) System and method of run-time continuous memory check for embedded systems
CN115220786A (zh) 微控制器单元及对应的操作方法
KR20190010169A (ko) 프로그램 수행 오류 모니터링 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant