KR102122342B1 - 웨이퍼 받침대와 이를 이용한 웨이퍼 전사 장치 및 방법 - Google Patents

웨이퍼 받침대와 이를 이용한 웨이퍼 전사 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 받침대는 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 집적회로 소자들에 대한 개별적 지지를 위해 마련된 복수의 단위 받침부; 및 각 단위 받침부에 연결되며, 각 단위 받침부 사이의 간격을 확장시키되 확장 상태를 유지함으로써 각 집적회로 소자 사이의 간격을 확장 유지시킬 수 있는 복수의 연결부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼 받침대와 이를 이용한 웨이퍼 전사 장치 및 방법{Wafer support, and method and apparatus for transferring wafer using the same}
본 발명은 웨이퍼 받침대와 이를 이용한 웨이퍼 전사 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 각 집적회로 소자 사이의 간격을 확장시킬 수 있는 웨이퍼 받침대와 이를 이용한 웨이퍼 전사 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 웨이퍼(Wafer; W) 위에 집적회로를 형성시키는 전 공정(Front-End)과, 반도체 패키징(Packaging) 공정을 수행하는 후 공정(Back-End)으로 구분된다.
이때, 반도체 패키징 공정이란 전 공정을 통해 형성된 집적회로를 각각 잘라낸 집적회로 소자(IC)와 메인 PCB간의 신호 연결하며, 외부의 습기나 불순물로부터 보호될 수 있도록 집적회로 소자를 포장하는 공정을 의미한다.
이러한 반도체 패키징 공정은, (1) 전 공정에서 가공된 웨이퍼의 후면을 얇게 갈아내는 후면 가공(Back Grinding) 공정, (2) 웨이퍼를 개별 단위(net die)(이하, 이를 “집적회로 소자(IC)”라고 지칭함)로 잘라내는 쏘잉(Sawing) 공정, (3) 잘라진 집적회로 소자를 기판(Substrate; S)에 붙여 고정하는 접착(Attaching) 공정, (4) 와이어(Wire)로 집적회로 소자를 전기적으로 연결하는 본딩(Bonding) 공정, (5) 집적회로 소자를 실장한 기판을 EMC 물질 등으로 감싸는 몰딩(Moding) 공정, (6) 모듈/보드/카드에 실장될 수 있도록 개별 반도체 패키지로 잘라내는 패키지 쏘잉(Package Sawing) 공정 등을 각각 포함한다.
특히, 종래의 접착 공정에서는 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 각 집적회로 소자 별로 기판에 붙이는 공정을 수행하였다. 즉, 종래의 접착 공정에서는 로봇 팔 등을 이용하여 집적회로 소자를 개별적으로 기판(S)으로 이동, 즉 전사(transferring)시키되, 집적회로 소자(IC)들의 간격이 이상 이격 배치되도록 전사시켰다.
이에 따라, 종래의 접착 공정에서는 많은 시간이 소요될 수 밖에 없을 뿐 아니라, 전사를 위한 로봇 팔 등의 정밀한 제어를 위한 복잡한 장치를 구비해야 함에 따라 제조 비용이 상승할 수 밖에 없는 문제점이 있었다.
상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 각 집적회로 소자 사이의 간격을 확장시킬 수 있는 웨이퍼 받침대와 이를 이용한 웨이퍼 전사 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 받침대는, (1) 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 집적회로 소자들에 대한 개별적 지지를 위해 마련된 복수의 단위 받침부, (2) 각 단위 받침부에 연결되며, 각 단위 받침부 사이의 간격을 확장시키되 확장 상태를 유지함으로써 각 집적회로 소자 사이의 간격을 확장 유지시킬 수 있는 복수의 연결부를 포함한다.
상기 연결부는, (1) 바(bar) 형상의 복수의 연결바, (2) 단위 받침부와 연결바의 사이와, 연결바들의 사이에 각각 결합되는 복수의 관절부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 받침대는 연결바가 관절부에서 펴지도록 동력을 제공하는 리니어 모터를 더 포함할 수 있다.
상기 각 단위 받침부는, (1) 행 방향을 향하도록 천공된 홈의 내주면에 제1나사의 특정 수나사산과 체결되도록 형성된 암나사산을 구비한 제1나사홈, (2) 열 방향을 향하도록 천공된 홈의 내주면에 제2나사의 특정 수나사산과 체결되도록 형성된 암나사산을 구비한 제2나사홈을 더 포함할 수 있다.
상기 연결부는, (1) 행을 이루는 단위 받침부들의 각 제1나사홈과 체결되되, 피치 간격 및 외주 직경이 서로 다른 다수의 수나사산이 형성된 제1나사, (2) 열을 이루는 단위 받침부들의 각 제2나사홈과 체결되되, 피치 간격 및 외주 직경이 서로 다른 다수의 수나사산이 형성된 제2나사를 더 포함할 수 있다
상기 제1나사 및 상기 제2나사의 다수의 수나사산은 나사의 일단에서 타단으로 갈수록 각 수나사산의 피치 간격 및 외주 직경이 작아질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치는 상술한 웨이퍼 받침대를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치는, (1) 웨이퍼 받침대, 기판 및 롤러를 각각 롤링 위치 또는 타 위치로 이송시키는 이송부, (2) 하부에 접착층을 구비한 접착 필름이 롤링 위치 상에 펼쳐지도록 접착 필름을 공급하는 공급부, (3) 접착 필름의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 접착 필름의 하측에 위치한 간격이 확장된 집적회로 소자들을 접착 필름의 접착층에 부착시키며, 접착층에 집적회로 소자들을 부착한 접착 필름의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 집적회로 소자들을 접착제가 도포된 기판의 상부에 전사시키는 롤러를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치는 접착층에 집적회로 소자들을 부착한 접착 필름의 상부를 향해 광을 조사하는 광 조사부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치는 접착층에 집적회로 소자들을 부착한 접착 필름의 상부를 가열하는 열 처리부를 더 포함할 수 있다.
상기 공급부는 집적회로 소자들이 기판에 전사된 후에 접착 필름을 일단부터 회수할 수 있으며, 상기 롤러는 공급부가 접착 필름을 회수할 때에 이송부에 의해 접착 필름의 일단에서 타단으로 이동하면서 접착 필름의 상부를 롤링할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치는 공급부가 접착 필름을 회수할 때에 이송부에 의해 롤러와 일정 간격을 유지하면서 접착 필름의 일단에서 타단으로 이동하되, 롤러와 공급부의 사이에 위치하여 접착 필름을 절곡시키는 절곡 지지부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법은 상술한 웨이퍼 전사 장치를 통해 수행되는 웨이퍼 전사 방법으로서, (a) 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼를 안착한 웨이퍼 받침대의 각 단위 받침부의 간격을 확장시켜 각 집적회로 소자 사이의 간격을 확장시키는 단계, (b) 하부에 접착층을 구비한 접착 필름이 상측에 펼쳐져 있는 롤링 위치에 웨이퍼 받침대를 위치시키는 단계, (c) 롤러가 접착 필름의 상부를 롤링하여 간격이 확장된 집적회로 소자들을 접착 필름의 접착층에 부착시킨 후, 웨이퍼 받침대를 분리하는 단계, (d) 간격이 확장된 집적회로 소자들을 접착층에 부착한 접착 필름이 상측에 펼쳐져 있는 롤링 위치에 접착제가 상부에 도포된 기판을 위치시키는 단계, (e) 롤러가 접착 필름의 상부를 롤링하여 접착 필름의 접착층에 부착된 간격이 확장된 집적회로 소자들을 기판의 상부로 전사시킨 후, 접착 필름을 분리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법은, 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼를 웨이퍼 받침대에 안착시키되 각 집적회로 소자와 각 단위 받침부가 서로 대응하도록 배치시키거나, 웨이퍼 받침대에 쏘잉(sawing) 처리 전의 웨이퍼를 웨이퍼 받침대에 안착시키되 집적회로가 형성된 웨이퍼의 각 영역과 각 단위 받침부가 서로 대응하도록 안착시킨 후에 집적회로가 형성된 웨이퍼의 각 영역을 쏘잉(sawing) 처리하는 전처리 단계를 (a) 단계 이전에 더 포함할 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 받침대와 이를 이용한 웨이퍼 전사 장치 및 방법은 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 각 집적회로 소자 사이의 간격을 단번에 확장시킬 수 있고, 간격이 확장된 집적회로 소자들을 단번에 기판으로 전사시킬 수 있으며, 이에 따라 접착 공정의 시간 및 비용을 줄일 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 받침대(10)와 그 일부를 확대한 도면이다.
도 2(a)는 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 받침대(20)가 확장된 상태로 그 일부를 확대한 도면이며, 도 2(b)는 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 받침대(20)의 연결부(22)를 나타낸 도면이다.
도 3(a)는 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 받침대(30)가 확장된 상태로 그 일부를 확대한 도면이며, 도 3(b)는 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 받침대(30)의 일부를 분해한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법을 나타낸 도면이다.
도 6(a) 내지 도 6(h)는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법이 수행되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법 중 2차 분리 단계(S70)를 보다 상세하게 나타낸 도면이다.
본 발명의 상기 목적과 수단 및 그에 따른 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.
또한, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 경우에 따라 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외의 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또, 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 받침대(10)와 그 일부를 확대한 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 받침대(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼(W)를 상부에 안착하여 지지하는 구성으로서, 반도체 패키징(Pakaging) 공정에 사용될 수 있으며, 특히 쏘잉(Sawing) 공정 또는 접착(Attaching) 공정에 사용될 수 있다. 이때, 반도체 패키징(Pakaging) 공정, 쏘잉(Sawing) 공정 및 접착(Attaching) 공정은 [발명의 배경이 되는 기술]에서 상술하였으므로, 이하 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
구체적으로, 웨이퍼 받침대(10)는 복수의 단위 받침부(11) 및 복수의 연결부(12)를 포함한다.
단위 받침부(11)는 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들을 개별적으로 상부에 안착하여 지지하는 구성으로서, 하나의 단위 받침부(11)가 하나의 집적회로 소자(IC)를 지지한다. 이때, 하나의 단위 받침부(11)는 하나의 집적회로 소자(IC)에 대응하는 형상 및 면적을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이때, 수동으로 또는 별도의 이송 장치(미도시)를 이용하여, 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 받침대(10)에 안착시키되 각 집적회로 소자(IC) 및 각 단위 받침부(11)가 서로 대응하여 배치되도록 안착시킬 수 있다. 그 외에도, 수동으로 또는 별도의 이송 장치(미도시)를 이용하여, 웨이퍼 받침대(10)에 쏘잉(sawing) 처리 전의 웨이퍼(W)를 정확한 위치에 맞게(즉, 각 집적회로 소자 및 각 단위 받침부가 서로 대응하여 배치되도록) 안착시킨 후, 쏘잉(sawing) 처리할 수도 있다.
단위 받침부(11)의 총 개수는 집적회로 소자(IC) 총 개수와 동일할 수 있다. 단위 받침부(11)는 상부 면이 평평한 판 형상으로 형성될 수 있고, 집적회로 소자(IC)를 수용하는 홈이 상부에 구비될 수도 있다. 또한, 단위 받침부(11)의 상부 면에는 안착된 집적회로 소자(IC)가 미끄러지지 않도록 마찰력이 높은 재질 또는 구조(예를 들어, 요철 구조) 등으로 구성된 층을 더 포함할 수 있다.
연결부(12)는 각 단위 받침부(11)에 연결되며, 각 단위 받침부(11) 사이의 간격을 확장시키되 확장 상태를 유지함으로써 각 집적회로 소자(IC) 사이의 간격을 확장 유지시킬 수 있는 구성이다.
예를 들어, 연결부(12)는 간격을 확장시키는 구성(용수철, 고무 등과 같은 탄성 재질 구성)과, 확장된 간격을 계속 유지시키는 구성(탄성 재질 구성의 확장을 고정시키는 구성)을 동시에 구비할 수 있다. 즉, 평면에서 웨이퍼 받침대(10)의 네 방향(동서남북)에 척력을 가하거나, 두 방향(동남/동북/서남/서북)은 고정시키고 나머지 두 방향(서북/서남/동북/동남)에 척력을 가하면, 연결부(12)의 작용으로 인해 단위 받침부(11)들의 간격이 서로 이격되게 확장되며, 이때 단위 받침부(11)들은 확장된 간격을 계속 유지한다. 예를 들어, 직선 운동을 하는 리니어 모터을 이용하면 척력과 확장 간격 유지 위한 동력을 제공할 수 있다.
이하, 연결부(12)에 의해 단위 받침부(11)들의 간격이 서로 이격되게 확장되는 것을 “웨이퍼 받침대(100)가 확장되는 것”이라고도 표현하겠으며, 연결부(12)에 의해 단위 받침부(11)들의 간격이 서로 이격되게 확장됨에 따라 집적회로 소자(IC)들의 간격이 서로 이격되게 확장되는 것을 “웨이퍼(W)가 확장되는 것” 또는 “집적회로 소자(IC)들이 확장되는 것”이라고도 표현하겠다.
구체적으로, 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 받침대(20)는 도 2에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다.
도 2(a)는 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 받침대(20)가 확장된 상태로 그 일부를 확대한 도면이며, 도 2(b)는 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 받침대(20)의 연결부(22)를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 받침대(20)의 연결부(22)는 복수의 연결바(22a)와 복수의 관절부(22b)를 포함한다.
연결바(22a)는 바(bar) 형상으로 관절부(22b)에 의해 회동하는 구성으로서, 관절부(22b)에 의해 관절 운동(예를 들어, 관절부를 그 중심점으로 하여, 일 방향으로 회전하는 운동, 다양한 방향으로 회전하는 운동, 또는 좌우 방향으로 진동하는 운동 등)할 수 있다. 즉, 연결바(22a)가 관절부(22b)에서 펴지면 단위 받침부(11)들의 간격이 서로 이격되게 확장된다.
관절부(22b)는 관절(joint)에 해당하는 구성으로서, 단위 받침부(21)와 연결바(22a)의 사이와, 연결바(22a)들의 사이에 각각 결합할 수 있다.
본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 받침대(20)는, 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 평면에서 웨이퍼 받침대(10)의 네 방향(동서남북)에 척력이 가해지거나, 두 방향(동남/동북/서남/서북)은 고정되고 나머지 두 방향(서북/서남/동북/동남)에 척력이 가해지면, 관절부(22b)의 관절 작용으로 인해 접혀 있던 연결바(22a)들이 펼쳐지면서 단위 받침부(21)들의 간격이 일정하게 확장된다.
예를 들어, 직선 운동을 하는 리니어 모터를 이용하면, 연결바(22a)가 관절부(22b)에서 펴지게 하는 척력을 제공할 수 있다. 이때, 리니어 모터는 웨이퍼 웨이퍼 받침대(10)의 네 모서리 방향(동서남북)으로 척력을 가하도록 구비되거나, 고정된 두 모서리 방향(동남/동북/서남/서북) 외의 나머지 두 모서리 방향(서북/서남/동북/동남)으로 척력을 가하도록 구비될 수 있다.
그 외에도 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 받침대(30)는 도 3에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다.
도 3(a)는 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 받침대(30)가 확장된 상태로 그 일부를 확대한 도면이며, 도 3(b)는 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 받침대(30)의 일부를 분해한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 받침대(30)의 각 단위 받침부(31)는 제1나사홈(31a)과 제2나사홈(31b)을 포함한다. 또한, 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 받침대(30)의 연결부는 복수의 제1나사(32)와 복수의 제2나사(33)를 포함한다.
제1나사홈(31a)은 행 방향(예를 들어, 동서 방향)을 향하도록 천공된 홈을 구비한 구성으로서, 제1나사(32)의 특정 수나사산(32a, 32b, 또는 32c)과 체결되는 암나사산을 홈의 내주면에 구비한다.
제2나사홈(31b)은 행 방향(예를 들어, 남북 방향)을 향하도록 천공된 홈을 구비한 구성으로서, 제2나사(33)의 특정 수나사산(33a, 33b, 또는 33c)과 체결되는 암나사산을 홈의 내주면에 구비한다.
제1나사홈(31a)과 제2나사홈(31b)은 그 천공 방향이 서로 다르므로, 제1나사홈(31a)의 천공 높이가 제2나사홈(31b)의 천공 높이 보다 높거나 낮게 형성될 수 있다.
제1나사(32)는 행(예를 들어, 동서 방향)을 이루는 단위 받침부(31)들의 각 제1나사홈(31a)과 체결되는 구성으로서, 피치 간격 및 외주 직경이 서로 다른 다수의 수나사산(32a, 32b, 32c)이 형성된다. 다만, 도 3에서 제1나사(32)의 수나사산들(32a, 32b, 32c)을 3개로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 더 많은 수의 수나사산들이 형성될 수 있다.
이때, 피치 간격은 나사산의 골밑과 골밑의 사이 간격, 또는 나사산의 꼭대기와 꼭대기의 사이 간격을 의미한다. 즉, 피치 간격이 클수록 나사의 1회전당 이동 거리가 늘어난다.
제2나사(33)는 열(예를 들어, 남북 방향)을 이루는 단위 받침부(31)들의 각 제2나사홈과 체결되는 구성으로서, 피치 간격 및 외주 직경이 서로 다른 다수의 수나사산(33a, 33b, 33c)이 형성된다. 다만, 도 3에서 제2나사(33)의 수나사산들(33a, 33b, 33c)을 3개로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 더 많은 수의 수나사산들이 형성될 수 있다.
이때, 각 단위 받침부(31)는 제1나사(32) 및 제2나사(32)의 각 수나나산(32a, 32b, 32c, 33a, 33b, 33c)의 피치 간격 및 외주 직경에 대응되도록 제1나사홈(31a) 및 제2나사홈(31b)의 피치 간격 및 내주 직경이 형성된다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1나사(32) 및 제2나사(32)의 다수의 수나사산(32a, 32b, 32c, 33a, 33b, 33c)은 각 나사의 일단에서 타단으로 갈수록 각 수나사산(32a, 32b, 32c, 33a, 33b, 33c)의 피치 간격 및 외주 직경이 작아질 수 있다. 즉, 32a 수나사산, 32b 수나나산, 32c 수나사산으로 갈수록, 또한 33a 수나사산, 33b 수나나산, 33c 수나사산으로 갈수록 피치 간격 및 외주 직경이 작아질 수 있다.
즉, 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 받침대(30)는 제1나사(32) 및 제2나사(33)가 회전하면 피치 간격이 큰 나사산을 구비한 단위 받침부(31)일수록 그 이동 거리가 크며, 이에 따라 단위 받침부(31)들의 간격이 서로 일정하게 확장된다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 각 나사의 일단에서 타단으로 갈수록 각 수나사산(32a, 32b, 32c, 33a, 33b, 33c)의 피치 간격 및 외주 직경이 작아지는 경우, 서로 밀접해 있던 단위 받침부(31)들은 제1나사(32) 및 제2나사(33)의 회전에 의해 타단에 가까운 단위 받침부(31)일수록 더 많이 이동하게 된다. 즉, 제1나사(32) 및 제2나사(33)가 일정 회전을 수행하면, 각 단위 받침부(31)의 간격이 벌어지면서 단위 받침부(21)들의 간격이 일정하게 확장된다.
이하, 웨이퍼 받침대(100)를 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치에 대해서 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치를 나타낸 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 받침대(100), 이송부(200), 공급부(300) 및 롤러(400)를 포함하며, 추가적으로 광 조사부(500) 및 절곡 지지부(600)를 더 포함할 수 있다.
웨이퍼 받침대(100)는 쏘잉(Sawing) 처리된 웨이퍼(W)를 상부에 안착하여 지지하는 구성으로서, 그 구성 및 기능은 도 1 내지 도 3에 따라 상술한 웨이퍼 받침대(10, 20, 30)의 내용과 동일하므로, 이하 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
다만, 각 집적회로 소자(IC)와 각 단위 받침부(11)에 대응하여 배치될 수 있도록, 수동으로 또는 이송 장치(미도시)를 이용하여 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 받침대(10)에 안착시키거나, 수동으로 또는 이송 장치(미도시)를 이용하여 웨이퍼 받침대(10)에 쏘잉(sawing) 처리 전의 웨이퍼(W)를 안착시킨 후에 쏘잉(sawing) 처리할 수 있다
또한, 쏘잉(Sawing) 처리된 웨이퍼(W)를 안착한 웨이퍼 받침대(100)를 확장시키기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치는 확장 장치(미도시)를 더 포함할 수 있으나, 그 외에도 수동으로 웨이퍼 받침대(100)를 확장시킬 수도 있다.
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시에에 따른 웨이퍼 받침대(20)가 구비된 경우, 확장 장치는 웨이퍼 받침대(100)의 다수의 단부에서 네 방향(동서남북)에 척력을 가하거나, 두 방향(동남/동북/서남/서북)은 고정시키고 나머지 두 방향(서북/서남/동북/동남)에 척력을 가하는 장치일 수 있다. 이때, 확장 장치는 웨이퍼 받침대(100)의 다수의 단부에 결합되는 결합부와, 결합부에 척력을 가하여 결합부를 척력 방향(네 방향 또는 두 방향)으로 이송하는 이송 장치 등을 포함할 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 받침대(30)가 구비된 경우, 확장 장치는 복수의 제1나사(32) 및 복수의 제2나사(33)에 회전력을 가하는 장치일 수 있다. 이때, 확장 장치는 제1나사(32) 및 제2나사(33)에 결합되는 결합부와, 결합부에 회전력을 가하는 모터(motor) 등을 포함할 수 있다.
이송부(200)는 웨이퍼 받침대(100), 기판(S) 및 롤러(400)를 각각 이송시키는 구성으로서, 절곡 지지부(600)도 이송시킬 수 있다. 이송부(200)는 각 대상물을 상하좌우의 어디 위치든 이송시킬 수 있으며, 예를 들어, 웨이퍼 받침대(100), 기판(S) 및 롤러(400)를 타 위치에서 롤링 위치로 또는 롤링 위치에서 타 위치로 각각 이송시킬 수 있다.
이때, 롤링 위치는 롤러(400)가 특정 대상의 상부로 롤링(rolling)하게 되는 위치를 의미한다. 즉, 롤링 위치는 특별히 고정된 위치일 필요는 없으며, 상황에 따라서 그 위치가 달라질 수도 있다.
예를 들어, 이송부(200)는 웨이퍼 받침대(100)를 이송시키는 제1이송장치(210), 기판(S)을 이송시키는 제2이송장치(230), 및 롤러(400)를 이송시키는 제3이송장치(250)를 포함할 수 있다. 또한, 이송부(200)는 제1이송장치(210)에 의해 이송되며 웨이퍼 받침대(100)를 상부에 수용하여 지지하는 제1지지대(220), 및 제2이송장치(230)에 의해 이송되며 기판(S)를 상부에 수용하여 지지하는 제2지지대(240)를 더 포함할 수 있다. 또한, 도 4에 도시되지 않았지만, 이송부(200)는 절곡 지지부(600)를 이송시키는 제4이송장치(미도시)와, 공급부(300) 또는 광 조사부(500)를 이송시키는 제5이송장치(미도시)를 더 포함할 수 있다.
공급부(300)는 접착 필름(Adhesive Film; AF)이 롤링 위치 상에 펼쳐지도록 접착 필름(AF)을 공급하거나, 공급된 접착 필름(AF)을 다시 회수하는 구성이다. 이때, 접착 필름(AF)은 하부에 접착층(A)을 구비한다. 예를 들어, 공급부(300)는 접착 필름(AF)을 구비한 공급 롤러를 포함할 수 있다. 이때, 공급 롤러는 일 방향으로 롤링하면서 접착 필름(AF)을 공급할 수 있으며, 타 방향으로 롤링하면서 공급된 접착 필름(AF)을 다시 회수할 수 있다.
또한, 공급부(300)는 공급 롤러와 이격된 거리에 구비된 접착 필름 지지대(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이때, 접착 필름 지지대는 롤링 위치 상에 펼쳐진 접착 필름(AF)을 지지하기 위한 구성이다. 즉, 롤링 위치를 사이에 두고 일측에는 공급 롤러가 구비될 수 있으며, 타측에는 접착 필름 지지대가 구비될 수 있다. 이때, 접착 필름 지지대는 공급 롤러와 같이 롤러 형태로 구성될 수도 있다.
롤러(400)는 접착 필름(AF)의 상부를 롤링 위치에서 롤링하도록 접착 필름(AF) 보다 상측에 위치하는 구성이다. 예를 들어, 롤러(400)는 접착 필름(AF)의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 접착 필름(AF)의 하측에 위치한 간격이 확장된 집적회로 소자(IC)들을 접착 필름(AF)의 접착층(A)에 부착시킬 수 있다. 또한, 롤러(400)는 접착층(A)에 집적회로 소자(IC)들을 부착한 접착 필름(AF)의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 집적회로 소자(IC)들을 접착제(A')가 도포된 기판(S)의 상부에 전사(transferring)시킬 수 있다. 이때, 기판(S)의 접착제(A')가 가지는 접착력은 접착 필름(AF)의 접착층(A)이 가지는 접착력과 동일하거나 큰 것일 수 있다. 이는 후술할 2차 분리 단계의 에러 발생을 줄이기 위함이다. 다만, 롤러(400)의 동작에 따른 전사(transferring) 과정에 대한 상세한 설명은 웨이퍼 전사 방법에서 후술하기로 한다.
광 조사부(500)는 접착층(A)에 집적회로 소자(IC)들을 부착한 접착 필름(AF)의 상부를 향해 광을 조사하는 구성으로서, 롤러(400)와 근접한 위치에 구비될 수 있다. 즉, 광 조사부(500)는 광을 조사함으로써 집적회로 소자(IC)들을 부착한 접착 필름(AF)의 접착층(A)의 접착력을 약화시킨다. 예를 들어, 광 조사부(500)에서 조사되는 광은 자외선 광(UV)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 자외선 광 외에도 다양한 파장 대역의 광(전자빔 또는 레이저빔 포함)일 수 있다. 즉, 광 조사부(500)에서 조사되는 광은 모든 종류의 전자기파를 포함할 수 있으며, 가우시안 빔(gaussian beam), 라이트 빔(light beam), 레이저 빔(laser beam), 또는 입자빔(particle beam) 등과 같이 입자(전자 또는 양성자 등)가 한 방향으로 집중하여 흐르는 빔(beam)을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치는 접착층(A)에 집적회로 소자(IC)들을 부착한 접착 필름(AF)을 가열하는 열 처리부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 즉, 열 처리부는 접착 필름(AF)을 가열함으로써 집적회로 소자(IC)들을 부착한 접착 필름(AF)의 접착층(A)의 접착력을 약화시킨다. 예를 들어, 열 처리부는 내부에 열선을 구비한 판 또는 별도의 롤러 등을 접착 필름(AF) 상에 직접 접촉시킴으로써 접착 필름(AF)을 가열하거나, 가열된 유체를 접착 필름(AF) 상에 배출시킴으로써 접착 필름(AF)를 가열할 수 있다.
절곡 지지부(600)는 롤러(400)와 공급부(300)의 사이에 위치하고 접착 필름(AF)의 상부에 위치하여, 접착 필름(AF)을 절곡시키는 구성이다. 특히, 절곡 지지부(600)는 공급부(300)가 접착 필름(AF)을 회수할 때에 제3이송장치에 의해 롤러(400)와 일정 간격을 유지하면서 접착 필름(AF)의 일단에서 타단으로 이동한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치의 구성, 즉, 웨이퍼 받침대(100), 이송부(200), 공급부(300), 롤러(400), 광 조사부(500) 및 절곡 지지부(600)의 더욱 상세한 기능에 대해서는 후술할 웨이퍼 전사 방법에서 설명하도록 한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 장치는 제어부(미도시) 및 저장부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이때, 제어부는 후술할 웨이퍼 전사 방법에 관한 프로그램에 따라 웨이퍼 전사를 수행하도록 각 구성을 제어할 수 있다. 또한, 저장부는 후술할 웨이퍼 전사 방법에 관한 프로그램을 저장할 수 있다.
예를 들어, 저장부는 하드디스크 타입(hard disk type), 마그네틱 매체 타입(magnetic media type), CD-ROM(compact disc read only memory), 광기록 매체 타입(Optical Media type), 자기-광 매체 타입(magneto-optical media type), 멀티미디어 카드 마이크로 타입(multimedia card micro type), 카드 타입의 메모리(예를 들어 SD 또는 XD 메모리 등), 플래시 메모리 타입(flash memory type), 롬(read only memory; ROM), 램(random access memory; RAM), 또는 이들의 조합으로 구성된 메모리로 이루어지는 버퍼, 주기억장치, 또는 보조기억장치일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 웨이퍼 전사 방법에 관한 프로그램은, 입력장치에 인터넷(Internet), 인트라넷(Intranet), LAN(Local Area Network), WLAN(Wide LAN), 또는 SAN(Storage Area Network)과 같은 통신 네트워크, 또는 이들의 조합으로 구성된 통신 네트워크를 통하여 접근(access)할 수 있는 부착 가능한(attachable) 저장 장치(storage device)에 저장될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법에 대하여 설명하도록 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법은 반도체 패키징(Pakaging) 공정에 포함될 수 있으며, 특히 쏘잉(Sawing) 공정 또는 접착(Attaching) 공정에 포함될 수 있다. 이때, 반도체 패키징(Pakaging) 공정, 쏘잉(Sawing) 공정 및 접착(Attaching) 공정은 [발명의 배경이 되는 기술]에서 상술하였으므로, 이하 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법을 나타낸 도면이며, 도 6(a) 내지 도 6(h)는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법이 수행되는 과정을 나타낸 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법은 도 1 내지 도 4에 따라 상술한 웨이퍼 전사 장치를 이용하여 수행되며, 도 5에 도시된 바와 같이, S10 단계 내지 S70 단계를 포함한다.
다만, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법은 S10 단계 이전에 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼(W)의 각 집적회로 소자(IC) 및 각 단위 받침부(110)가 서로 대응하여 배치되도록 웨이퍼(W)를 웨이퍼 받침대(100)에 안착시키는 전처리 단계를 더 포함할 수 있다.
전처리 단계에서는 수동으로 또는 별도의 이송 장치(미도시)를 이용하여, 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 받침대(10)에 안착시키되 각 집적회로 소자(IC)와 각 단위 받침부(11)가 서로 대응하도록 배치시킬 수 있다. 그 외에도, 전처리 단계에서는 수동으로 또는 별도 이송 장치(미도시)를 이용하여, 웨이퍼 받침대(10)에 쏘잉(sawing) 처리 전의 웨이퍼(W)를 정확한 위치에 맞게(즉, 집적회로가 형성된 웨이퍼의 각 영역과 각 단위 받침부가 서로 대응하도록) 안착시킨 후, 집적회로가 형성된 웨이퍼의 각 영역을 쏘잉(sawing) 처리할 수도 있다.
S10 단계는 확장 단계로서, 도 6(a) 및 도 6(b)에 도시된 바와 같이, 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼(W)를 안착한 웨이퍼 받침대(100)의 각 단위 받침부(100)의 간격을 확장시켜 각 집적회로 소자(IC) 사이의 간격을 확장시키는 단계이다. 이때, S10 단계에서는 수동으로 또는 확장 장치를 이용하여, 웨이퍼 받침대(100)를 확장시킬 수 있다.
S20 단계는 1차 이송 단계로서, 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 하부에 접착층(A)을 구비한 접착 필름(AF)이 상측에 펼쳐져 있는 롤링 위치에 웨이퍼 받침대(100)를 위치시키는 단계이다. 이때, S20 단계에서는 제1이송장치(210)를 이용하여, 웨이퍼 받침대(100)를 롤링 위치로 이송시킬 수 있다. 또한, S20 단계에서는 제3이송장치(250)를 이용하여, 롤러(400)를 롤링 위치로 이송시킬 수 있다.
S30 단계는 부착 단계로서, 도 6(d)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에서 롤러(400)가 접착 필름(AF)의 상부를 롤링하여, 간격이 확장된 집적회로 소자(IC)들을 접착 필름(AF)의 접착층(A)에 부착시키는 단계이다. 이때, S30 단계에서는 웨이퍼 받침대(100)를 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(250)를 이용하여 롤러(400)를 접착 필름(AF)의 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(400)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S30 단계에서는 롤러(400)를 제자리에 고정시킨 채, 제1이송장치(210)를 이용하여 웨이퍼 받침대(100)를 타단에서 일단으로 이송시키면서, 롤러(400)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S30 단계에서는 제1이송장치(210)를 이용하여 웨이퍼 받침대(100)를 타단에서 일단으로 이송시키는 동시에, 제3이송장치(250)를 이용하여 롤러(400)를 접착 필름(AF)의 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(400)를 롤링시킬 수 있다.
S40 단계는 1차 분리 단계로서, 도 6(e)에 도시된 바와 같이, 접착 필름(AF)과 웨이퍼 받침대(100)를 분리하는 단계이다. 이에 따라, 접착 필름(AF)에 부착된 간격이 확장된 집적회로 소자(IC)들은 웨이퍼 받침대(100)로부터 분리된다. 이때, S40 단계에서는 웨이퍼 받침대(100)를 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(250) 내지 제5이송장치를 이용하여 공급부(300), 롤러(400) 및 절곡 지지부(600)를 상부를 향하여 이송시키면서 접착 필름(AF)을 상부를 향하여 이동시킴으로써, 집적회로 소자(IC)들을 웨이퍼 받침대(100)로부터 분리시킬 수 있다. 또한, S40 단계에서는 접착 필름(AF)을 제자리에 고정시킨 채, 제1이송장치(210)를 이용하여 웨이퍼 받침대(100)를 하부를 향하여 이송시킴으로써, 집적회로 소자(IC)들을 웨이퍼 받침대(100)로부터 분리시킬 수 있다. 또한, S40 단계에서는 제1이송장치(210)를 이용하여 웨이퍼 받침대(100)를 하부를 향하여 이송시키는 동시에, 제3이송장치(250) 내지 제5이송장치를 이용하여 공급부(300), 롤러(400) 및 절곡 지지부(600)를 상부를 향하여 이송시키면서 접착 필름(AF)을 상부를 향하여 이동시킴으로써, 집적회로 소자(IC)들을 웨이퍼 받침대(100)로부터 분리시킬 수 있다.
S50 단계는 2차 이송 단계로서, 도 6(f)에 도시된 바와 같이, 간격이 확장된 집적회로 소자(IC)들을 접착층(A)에 부착한 접착 필름(AF)이 상측에 펼쳐져 있는 롤링 위치에, 접착제(A')가 상부에 도포된 기판(S)을 위치시키는 단계이다. 이때, S50 단계에서는 제2이송장치(230)를 이용하여, 기판(S)을 롤링 위치로 이송시킬 수 있다. 또한, S50 단계에서는 제3이송장치(250)를 이용하여, 롤러(400)를 롤링 위치로 이송시킬 수 있다.
S60 단계는 전사 단계로서, 도 6(g)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에서 롤러(400)가 접착 필름(AF)의 상부를 롤링하여, 접착 필름(AF)의 접착층에 부착된 간격이 확장된 집적회로 소자(IC)들을, 접착제(A')가 도포된 기판(S)의 상부로 전사시키는 단계이다. 이때, S60 단계에서는 기판(S)을 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(250)를 이용하여 롤러(400)를 접착 필름(AF)의 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(400)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S60 단계에서는 롤러(400)를 제자리에 고정시킨 채, 제2이송장치(230)를 이용하여 기판(S)을 타단에서 일단으로 이송시키면서, 롤러(400)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S60 단계에서는 제2이송장치(230)를 이용하여 기판(S)을 타단에서 일단으로 이송시키는 동시에, 제3이송장치(250)를 이용하여 롤러(400)를 접착 필름(AF)의 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(400)를 롤링시킬 수 있다.
S70 단계는 2차 분리 단계로서, 도 6(h)에 도시된 바와 같이, 간격이 확장된 집적회로 소자(IC)들이 전사된 기판(S)과 접착 필름(AF)을 분리하는 단계이다. 이에 따라, 기판(S)에 전사된 간격이 확장된 집적회로 소자(IC)들은 접착 필름(AF)으로부터 분리된다. 이때, S70 단계에서는 웨이퍼 받침대(100)를 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(250) 내지 제5이송장치를 이용하여 공급부(300), 롤러(400) 및 절곡 지지부(600)를 상부를 향하여 이송시켜 접착 필름(AF)을 상부를 향하여 이동시킴으로써, 기판(S)과 접착 필름(AF)을 분리시킬 수 있다. 또한, S70 단계에서는 접착 필름(AF)을 제자리에 고정시킨 채, 제1이송장치(210)를 이용하여 웨이퍼 받침대(100)를 하부를 향하여 이송시킴으로써, 기판(S)과 접착 필름(AF)을 분리시킬 수 있다. 또한, S70 단계에서는 제1이송장치(210)를 이용하여 웨이퍼 받침대(100)를 하부를 향하여 이송시키는 동시에, 제3이송장치(250) 내지 제5이송장치를 이용하여 공급부(300), 롤러(400) 및 절곡 지지부(600)를 상부를 향하여 이송시켜 접착 필름(AF)을 상부를 향하여 이동시킴으로써, 기판(S)과 접착 필름(AF)을 분리시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법 중 2차 분리 단계(S70)를 보다 상세하게 나타낸 도면이다.
또한, S70 단계는, 도 7에 도시된 바와 같이, 접착 필름(AF)의 접착층(A)으로부터 집적회로 소자(IC)가 분리되기 시작하는 영역에서 롤러(400)가 롤링하면서 기판(S)과 접착 필름(AF)을 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 즉, S70 단계에서, 공급부(300)는 접착 필름(AF)을 일단부터 회수할 수 있고, 접착 필름(AF)이 공급부(300)에 의해 회수될 때에 롤러(400)는 제1이송장치(210)에 의해 접착 필름(AF)의 일단에서 타단으로 이동하면서 접착 필름(AF)의 상부를 롤링할 수 있다. 이때, 공급부(300)도 제5이송장치에 의해 일단에서 타단으로 이동하면서 접착 필름(AF)을 회수할 수도 있다.
또한, S70 단계에서, 접착 필름(AF)이 공급부(300)에 의해 회수될 때에, 절곡 지지부(600)는 제4이송장치에 의해 롤러(400)와 일정 간격을 유지하면서 접착 필름(AF)의 일단에서 타단으로 이동할 수 있다. 이에 따라, 롤러(400)와 공급부(300) 사이에 위치한 절곡 지지부(600)에 의해 접착 필름(AF)은 절곡된 상태를 일정하게 유지하면서 일단부터 타단까지 연속해서 집적회로 소자(IC)들을 분리될 수 있어, 보다 유연하게 분리 공정이 이루어질 수 있다. 이때, 접착 필름(AF)의 접착층(A)으로부터 집적회로 소자(IC)가 분리되기 시작하는 영역부터 접착 필름(AF)이 절곡되는 영역까지를 접착 필름(AF)의 “제1부분(AF1)”이라 지칭한다. 또한, 접착 필름(AF)이 절곡되는 영역부터 공급부(300)의 영역까지를 접착 필름(AF)의 “제2부분(AF2)”이라 지칭한다. 또한, 제1부분(AF1)에서 집적회로 소자(IC)가 분리되는 각도, 즉 집적회로 소자(IC)가 분리되지 않은 접착 필름(AF)의 연장선(또는 수평선)과 제1부분(AF1)이 이루는 각도를 “분리 각도(D1)”라 지칭한다. 또한, 제2부분(AF2)에서 접착 필름(AF)이 절곡된 각도, 즉 집적회로 소자(IC)가 분리되지 않은 접착 필름(AF)의 연장선(또는 수평선)과 제2부분(AF2)이 이루는 각도를 “절곡 각도(D2)”라 지칭한다.
즉, S70 단계에서, 접착 필름(AF)이 절곡 지지부(600)에 의해 절곡 상태를 계속 유지할 수 있어, 롤러(400)와 절곡 지지부(600) 사이에 위치한 접착 필름(AF)의 제1부분(AF1)은 그 분리 각도(D1)가 절곡 지지부(600)와 공급부(300) 사이에 위치한 접착 필름(AF)의 제2부분(AF2)의 절곡 각도(D2) 보다 작게 유지될 수 있다. 이에 따라, 급격한 분리 각도(D1)에 따른 2차 분리 단계의 에러 발생을 줄일 수 있다. 이때, 접착 필름(AF)의 접착층(A)으로부터 집적회로 소자(IC)가 분리되기 시작하는 지점에서 롤러(400)의 계속적인 롤링과, 절곡 지지부(600)에 의한 접착 필름(AF)의 절곡에 따른 일정 분리 각도(D1)의 계속적인 유지와, 공급부(300)에 의한 접착 필름(AF)의 계속적인 회수에 따라, 집적회로 소자(IC)들은 접착 필름(AF)으로부터 자연스럽게 분리된다. 여기서, 2차 분리 단계의 에러 발생이란 집적회로 소자(IC)들이 접착 필름(AF)으로부터 분리되지 않고 계속 접착 필름(AF)에 붙어 있는 현상을 의미하며, 분리 각도(D1) 및 분리 속도가 작을수록 발생률이 낮다.
특히, 2차 분리 단계의 에러 발생을 줄이기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 전사 방법은 S60 단계와 S70 단계 사이에, 광 조사 단계 또는 열 처리 단계를 더 포함할 수 있다.
광 조사 단계는 광 조사부(500)가 접착층(A)에 확장된 집적회로 소자(IC)들을 부착한 접착 필름(AF)의 상부를 향해 광을 조사하는 단계로서, 광 조사에 따라 접착 필름(AF)의 접착층(A)의 접착력을 약화시킬 수 있다. 이때, 광 조사 단계에서는 광 조사부(500)가 이송부(200), 가령, 제3이송장치(250)에 의해 타단에서 일단으로 이송되면서 접착 필름(AF)의 상부에 광을 조사할 수 있다.
열 처리 단계는 열 처리부(미도시)가 접착층(A)에 확장된 집적회로 소자(IC)들을 부착한 접착 필름(AF)의 상부를 가열하는 단계로서, 가열에 의해 접착 필름(AF)의 접착층(A)의 접착력을 약화시킬 수 있다. 이때, 열 처리 단계에서는 열 처리부가 이송부(200), 가령, 제3이송장치(250)에 의해 타단에서 일단으로 이송되면서 접착 필름(AF)의 상부를 가열할 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되지 않으며, 후술되는 특허청구의 범위 및 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
A : 접착층 A' : 접착제
AF : 접착 필름 AF1 : 제1부분
AF2 : 제2부분 D1 : 분리 각도
D2 : 절곡 각도 IC : 집적회로 소자
S : 기판 W : 웨이퍼
10, 20, 30, 100 : 웨이퍼 받침대 11, 21, 31, 110 : 단위 받침부
12, 22, 120 : 연결부 22a : 연결바
22b : 관절부 32 : 제1나사
32a, 32b, 32c, 33a, 33b, 33c : 수나사산
33 : 제2나사 200 : 이송부
210 : 제1이송장치 220 : 제1지지대
230 : 제2이송장치 240 : 제2지지대
250 : 제3이송장치 300 : 공급부
400 : 롤러 500 : 광 조사부
600 : 절곡 지지부

Claims (11)

  1. 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 집적회로 소자들에 대한 개별적 지지를 위해 마련된 복수의 단위 받침부; 및
    각 단위 받침부에 연결되며, 각 단위 받침부 사이의 간격을 확장시키되 확장 상태를 유지함으로써 각 집적회로 소자 사이의 간격을 확장 유지시킬 수 있는 복수의 연결부;를 포함하며,
    상기 각 단위 받침부는 행 방향을 향하도록 천공된 홈의 내주면에 제1나사의 특정 수나사산과 체결되도록 형성된 암나사산을 구비한 제1나사홈와, 열 방향을 향하도록 천공된 홈의 내주면에 제2나사의 특정 수나사산과 체결되도록 형성된 암나사산을 구비한 제2나사홈을 각각 포함하고,
    상기 연결부는 행을 이루는 단위 받침부들의 각 제1나사홈과 체결되되 피치 간격 및 외주 직경이 서로 다른 다수의 수나사산이 형성된 제1나사와, 열을 이루는 단위 받침부들의 각 제2나사홈과 체결되되 피치 간격 및 외주 직경이 서로 다른 다수의 수나사산이 형성된 제2나사를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 받침대.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1나사 및 상기 제2나사의 다수의 수나사산은,
    나사의 일단에서 타단으로 갈수록 각 수나사산의 피치 간격 및 외주 직경이 작아지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 받침대.
  6. 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 집적회로 소자들에 대한 개별적 지지를 위해 마련된 복수의 단위 받침부와, 각 단위 받침부에 연결되며 각 단위 받침부 사이의 간격을 확장시키되 확장 상태를 유지함으로써 각 집적회로 소자 사이의 간격을 확장 유지시키는 연결부를 각각 구비하는 웨이퍼 받침대를 포함하며,
    상기 각 단위 받침부는 행 방향을 향하도록 천공된 홈의 내주면에 제1나사의 특정 수나사산과 체결되도록 형성된 암나사산을 구비한 제1나사홈와, 열 방향을 향하도록 천공된 홈의 내주면에 제2나사의 특정 수나사산과 체결되도록 형성된 암나사산을 구비한 제2나사홈을 각각 포함하고,
    상기 연결부는 행을 이루는 단위 받침부들의 각 제1나사홈과 체결되되 피치 간격 및 외주 직경이 서로 다른 다수의 수나사산이 형성된 제1나사와, 열을 이루는 단위 받침부들의 각 제2나사홈과 체결되되 피치 간격 및 외주 직경이 서로 다른 다수의 수나사산이 형성된 제2나사를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전사 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    웨이퍼 받침대, 기판 및 롤러를 각각 이송시키는 이송부;
    하부에 접착층을 구비한 접착 필름이 롤링 위치 상에 펼쳐지도록 접착 필름을 공급하는 공급부; 및
    접착 필름의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 접착 필름의 하측에 위치한 간격이 확장된 집적회로 소자들을 접착 필름의 접착층에 부착시키며, 접착층에 집적회로 소자들을 부착한 접착 필름의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 집적회로 소자들을 접착제가 도포된 기판의 상부에 전사시키는 롤러;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전사 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    접착층에 집적회로 소자들을 부착한 접착 필름의 상부를 향해 광을 조사하는 광 조사부나, 접착층에 집적회로 소자들을 부착한 접착 필름의 상부를 가열하는 열 처리부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전사 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 공급부는 집적회로 소자들이 기판에 전사된 후에 접착 필름을 일단부터 회수하고,
    상기 롤러는 공급부가 접착 필름을 회수할 때에 이송부에 의해 접착 필름의 일단에서 타단으로 이동하면서 접착 필름의 상부를 롤링하며,
    상기 공급부가 접착 필름을 회수할 때에 이송부에 의해 롤러와 일정 간격을 유지하면서 접착 필름의 일단에서 타단으로 이동하되, 롤러와 공급부의 사이에 위치하여 접착 필름을 절곡시키는 절곡 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전사 장치.
  10. 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 집적회로 소자들에 대한 개별적 지지를 위해 마련된 복수의 단위 받침부와, 각 단위 받침부에 연결되며 각 단위 받침부 사이의 간격을 확장시키되 확장 상태를 유지함으로써 각 집적회로 소자 사이의 간격을 확장 유지시킬 수 있는 연결부를 각각 구비한 웨이퍼 받침대를 포함하되, 상기 각 단위 받침부는 행 방향을 향하도록 천공된 홈의 내주면에 제1나사의 특정 수나사산과 체결되도록 형성된 암나사산을 구비한 제1나사홈와, 열 방향을 향하도록 천공된 홈의 내주면에 제2나사의 특정 수나사산과 체결되도록 형성된 암나사산을 구비한 제2나사홈을 각각 포함하며, 상기 연결부는 행을 이루는 단위 받침부들의 각 제1나사홈과 체결되되 피치 간격 및 외주 직경이 서로 다른 다수의 수나사산이 형성된 제1나사와, 열을 이루는 단위 받침부들의 각 제2나사홈과 체결되되 피치 간격 및 외주 직경이 서로 다른 다수의 수나사산이 형성된 제2나사를 각각 포함하는 웨이퍼 전사 장치를 통해 수행되는 웨이퍼 전사 방법으로서,
    (a) 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼를 안착한 웨이퍼 받침대의 각 단위 받침부의 간격을 확장시켜 각 집적회로 소자 사이의 간격을 확장시키는 단계;
    (b) 하부에 접착층을 구비한 접착 필름이 상측에 펼쳐져 있는 롤링 위치에 웨이퍼 받침대를 위치시키는 단계;
    (c) 롤러가 접착 필름의 상부를 롤링하여 간격이 확장된 집적회로 소자들을 접착 필름의 접착층에 부착시킨 후, 웨이퍼 받침대를 분리하는 단계;
    (d) 간격이 확장된 집적회로 소자들을 접착층에 부착한 접착 필름이 상측에 펼쳐져 있는 롤링 위치에 접착제가 상부에 도포된 기판을 위치시키는 단계; 및
    (e) 롤러가 접착 필름의 상부를 롤링하여 접착 필름의 접착층에 부착된 간격이 확장된 집적회로 소자들을 기판의 상부로 전사시킨 후, 접착 필름을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전사 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼를 웨이퍼 받침대에 안착시키되 각 집적회로 소자와 각 단위 받침부가 서로 대응하도록 배치시키거나, 웨이퍼 받침대에 쏘잉(sawing) 처리 전의 웨이퍼를 웨이퍼 받침대에 안착시키되 집적회로가 형성된 웨이퍼의 각 영역과 각 단위 받침부가 서로 대응하도록 안착시킨 후에 집적회로가 형성된 웨이퍼의 각 영역을 쏘잉(sawing) 처리하는 전처리 단계를 (a) 단계 이전에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전사 방법.
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