KR102119733B1 - Scintillator panel - Google Patents

Scintillator panel Download PDF

Info

Publication number
KR102119733B1
KR102119733B1 KR1020170059126A KR20170059126A KR102119733B1 KR 102119733 B1 KR102119733 B1 KR 102119733B1 KR 1020170059126 A KR1020170059126 A KR 1020170059126A KR 20170059126 A KR20170059126 A KR 20170059126A KR 102119733 B1 KR102119733 B1 KR 102119733B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
thin film
film layer
scintillator
substrate
Prior art date
Application number
KR1020170059126A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180125096A (en
Inventor
홍태권
전제우
김종광
임조성
이진서
이제욱
Original Assignee
주식회사 에이치앤아비즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이치앤아비즈 filed Critical 주식회사 에이치앤아비즈
Priority to KR1020170059126A priority Critical patent/KR102119733B1/en
Publication of KR20180125096A publication Critical patent/KR20180125096A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102119733B1 publication Critical patent/KR102119733B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/02Dosimeters
    • G01T1/023Scintillation dose-rate meters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors

Abstract

본 발명에 따른 신틸레이터 패널은 적어도 하나 이상의 광전변환소자를 포함하는 기판; 상기 기판에 상기 광전변환소자가 배치된 영역을 포함하여 형성되는 신틸레이터층; 상기 기판 상에 도포되어 상기 신틸레이터층을 둘러싼 폐쇄영역을 형성하는 접착층; 상기 접착층에 부착되어 상기 신틸레이터층을 감싸는 제1 박막층; 및 상기 제1 박막층의 상에 적층되어 형성된 수지층;을 포함한다.The scintillator panel according to the present invention includes a substrate including at least one photoelectric conversion element; A scintillator layer formed including a region in which the photoelectric conversion element is disposed on the substrate; An adhesive layer applied on the substrate to form a closed region surrounding the scintillator layer; A first thin film layer attached to the adhesive layer and surrounding the scintillator layer; And a resin layer formed by being laminated on the first thin film layer.

Description

신틸레이터 패널{SCINTILLATOR PANEL}Scintillator panel {SCINTILLATOR PANEL}

본 발명은 신틸레이터 패널에 대한 것으로 보다 상세하게는 신틸레이터층에서 변환된 광의 반사율을 증가시킴으로써 방사선 검출기에서 고화질의 영상을 얻을 수 있도록 하는 신틸레이터 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a scintillator panel, and more particularly, to a scintillator panel and a method of manufacturing the same, so that a high quality image can be obtained from a radiation detector by increasing the reflectance of light converted in the scintillator layer.

의료용 또는 산업용설비에 대한 대표적인 비파괴 검사방식은 방사선을 이용하는 것이다. 종래에는 방사선 감광 필름을 이용하는 방식이 사용되었으나, 근래에는 방사선 촬영 후 바로 영상을 확인할 수 있는 디지털 방사선 검출기가 사용되고 있다.A typical non-destructive testing method for medical or industrial equipment is to use radiation. Conventionally, a method using a radiation-sensitive film has been used, but recently, a digital radiation detector capable of confirming an image immediately after radiographing is used.

디지털 방사선 검출기는 방사선을 직접 전기 신호로 변환하여 디지털 방사선 영상을 생성하는 직접 전리 방식과 신틸레이터(scintillator)를 통해 가시광으로 변환하여 영상을 생성하는 간접 전리 방식이 있다.Digital radiation detectors include a direct ionization method that converts radiation into electrical signals and generates a digital radiation image, and an indirect ionization method that converts radiation into visible light through a scintillator to generate an image.

디지털 방사선 검출기를 이용한 방사선 촬영에 있어서도 방사선 피폭의 위험이 있으며 방사선 피폭량이 과다할 경우 인체에 매우 유해하므로, 방사선 검출기에서는 사용하는 방사선량을 줄이면서도 동시에 고화질의 방사선 영상을 얻을 수 있도록 하는 것이 대단히 중요하다.Radiation exposure using digital radiation detectors also poses a risk of radiation exposure, and if the radiation dose is excessive, it is very harmful to the human body. Therefore, it is very important to reduce the amount of radiation used and obtain high-quality radiographic images at the same time. Do.

본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널은 방사선의 투과가 잘 이루어지면서도, 투습방지 기능을 함께 제공하는 제1 박막층과 그에 적층된 수지층을 통하여 외관품질이 우수하고, 적은 방사선량으로도 고화질의 방사선 영상을 얻을 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다. The scintillator panel according to the embodiment of the present invention is excellent in appearance quality through a first thin film layer and a resin layer stacked thereon, which provide a moisture permeation prevention function, while transmitting radiation well. It is an object to be able to obtain a radiographic image of.

본 발명의 목적은 이상에서 언급한 것으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일양상에 따른 신틸레이터 패널은 적어도 하나 이상의 광전변환소자를 포함하는 기판; 상기 기판에 상기 광전변환소자가 배치된 영역을 포함하여 형성되는 신틸레이터층; 상기 기판 상에 도포되어 상기 신틸레이터층을 둘러싼 폐쇄영역을 형성하는 접착층; 상기 접착층에 부착되어 상기 신틸레이터층을 감싸는 제1 박막층; 및 상기 제1 박막층의 상에 적층되어 형성된 수지층;을 포함한다. A scintillator panel according to one aspect of the present invention for solving the above technical problem includes a substrate including at least one photoelectric conversion element; A scintillator layer formed including a region in which the photoelectric conversion element is disposed on the substrate; An adhesive layer applied on the substrate to form a closed region surrounding the scintillator layer; A first thin film layer attached to the adhesive layer and surrounding the scintillator layer; And a resin layer formed by being laminated on the first thin film layer.

또한, 상기 제1 박막층은 면압착을 통하여 상기 신틸레이터층을 감싸도록 구비될 수 있다. In addition, the first thin film layer may be provided to surround the scintillator layer through surface compression.

또한, 상기 제1 박막층의 두께는 30-100 ㎛ 이고, 상기 수지층의 두께는 40-50 ㎛일 수 있다. In addition, the thickness of the first thin film layer may be 30-100 μm, and the thickness of the resin layer may be 40-50 μm.

또한, 상기 신틸레이터층과 상기 제1 박막층 사이에 제2 박막층을 더 포함하고, 상기 제1 박막층과 제2 박막층은 일체로 구비되어 면압착을 통하여 상기 신틸레이터층을 감싸도록 구비될 수 있다. In addition, a second thin film layer may be further included between the scintillator layer and the first thin film layer, and the first thin film layer and the second thin film layer may be integrally provided to surround the scintillator layer through surface compression.

또한, 상기 제2 박막층의 두께는 50-150 nm일 수 있다. In addition, the thickness of the second thin film layer may be 50-150 nm.

또한, 상기 접착층은 상온경화형경화재 또는 UV경화재를 포함할 수 있다.In addition, the adhesive layer may include a room temperature curing type curing material or a UV curing material.

또한, 상기 제1 박막층 또는 제2 박막층은 Ag, Cr, Al, Au, Ti 및 Cu 중에서 선택된 금속 또는 산화물을 포함할 수 있다. In addition, the first thin film layer or the second thin film layer may include a metal or oxide selected from Ag, Cr, Al, Au, Ti and Cu.

본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널은 방사선의 투과가 잘 이루어지면서도, 투습방지 기능을 함께 제공하는 제1 박막층과 그에 적층된 수지층을 통하여 방사선 검사에 사용되는 방사선량을 줄일 수 있으면서도, 방사선 검출기가 고화질의 방사선 영상을 얻을 수 있도록 할 수 있다.The scintillator panel according to the embodiment of the present invention is capable of reducing radiation doses used for radiographic examination through the first thin film layer and the resin layer laminated thereon, while the radiation is well transmitted and the moisture permeation prevention function is provided. It is possible to make the radiation detector obtain a high-quality radiographic image.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 것으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 단면을 도시한 제1 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 단면을 도시한 제2 도면이다.
1 is a first view showing a cross section of a scintillator panel according to an embodiment of the present invention.
2 is a second view showing a cross-section of a scintillator panel according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 목적 및 효과, 그리고 그것들을 달성하기 위한 기술적 구성들은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기증을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. The objectives and effects of the present invention, and technical configurations for achieving them, will be clarified with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. In describing the present invention, when it is determined that a detailed description of known functions or configurations may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, terms to be described later are terms defined in consideration of donations in the present invention, which may vary according to a user's or operator's intention or practice.

그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms. Only the present examples are provided to make the disclosure of the present invention complete, and to fully inform the person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, the scope of the invention being defined by the scope of the claims. It just works. Therefore, the definition should be made based on the contents throughout this specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 또는 "구비"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is said to "include" or "equipment" a component, this means that other components may be further included, not specifically excluded, unless otherwise stated. .

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널에 대하여 첨부한 도면을 참고하여 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, a scintillator panel according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 단면을 도시한 제1 도면이다. 본 발명의 일실시예에 따른 신틸레이터 패널은 적어도 하나 이상의 광전변환소자를 포함한다. 광전변환소자(미도시)는 기판(110) 상의 소정 영역에 배치될 수 있다. 광전변환소자는 전기적으로 전극패드(미도시)와 연결되어 신틸레이터층(120)에 의하여 변환된 가시광선을 전기적 신호로 전달할 수 있다. 1 is a first view showing a cross section of a scintillator panel according to an embodiment of the present invention. The scintillator panel according to an embodiment of the present invention includes at least one photoelectric conversion element. The photoelectric conversion element (not shown) may be disposed in a predetermined region on the substrate 110. The photoelectric conversion element is electrically connected to an electrode pad (not shown) to transmit visible light converted by the scintillator layer 120 as an electrical signal.

광전변환소자가 배치된 기판(110) 상부의 영역에는 신틸레이터층(120)이 형성된다. 신틸레이터층(120)은 기판(110) 상에 주상 결정으로 성장시켜 형성할 수 있다. 방사선 발생 장치로부터 발생한 방사선은 촬영 대상으로 조사되고, 촬영 대상을 통과한 방사선은 신틸레이터층(120)에 도달하여 소정의 파장 대역의 광으로 변환된다. 여기서, 변환되는 광의 파장 대역은 기판(110)의 광전변환소자가 전기 신호로 변환함에 있어 광전변환효율이 높은 파장 대역으로 조정될 수 있으며, 신틸레이터층(120)의 재료에 의해 파장 대역이 조정될 수 있다. A scintillator layer 120 is formed in a region above the substrate 110 on which the photoelectric conversion element is disposed. The scintillator layer 120 may be formed by growing a columnar crystal on the substrate 110. Radiation generated from the radiation generating device is irradiated to the imaging object, and radiation passing through the imaging object reaches the scintillator layer 120 and is converted into light in a predetermined wavelength band. Here, the wavelength band of the converted light may be adjusted to a wavelength band having high photoelectric conversion efficiency when the photoelectric conversion element of the substrate 110 is converted into an electric signal, and the wavelength band may be adjusted by the material of the scintillator layer 120. have.

기판(110)의 경우, 파이버 옵티컬 플레이트(Fiber optical plate; FOP)가 사용될 수 있다. FOP는 광섬유 다발을 plate 형태로 만든 것을 말하는데, 각각의 광섬유는 코어 글래스(core glass)와 클래드 글래스(clad glass)로 이루어져 있으므로, 기판(110)으로 FOP를 사용하게 되면 충분한 공간 분해능과 동시에 잔여 X-선을 차단함으로써 방사선 검출기의 안전성을 확보할 수 있다. In the case of the substrate 110, a fiber optical plate (FOP) may be used. FOP refers to an optical fiber bundle made of a plate, and each optical fiber is composed of core glass and clad glass, so if FOP is used as the substrate 110, sufficient space resolution and remaining X -Safety of radiation detectors can be secured by blocking the radiation.

신틸레이터층(120)의 재료로는, 예를 들어, CsI(Cesi㎛ Iodide), 탈륨(Tl) 도핑(doping) CsI 등이 이용될 수 있다. 기판(110) 상에 신틸레이터층(120)을 공지된 방법 즉 PVD(Physical Vapor Depostion) 장비를 이용하여 형성하는데, CsI와 Tl을 PVD 장비에 공급하여 상기 FOP 상에 Tl을 도프한 CsI의 주상구조를 성장시켜 신틸레이터층(120)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 증착방법 및 증착조건에 따라 신틸레이터를 비정질 형태나 주상구조로 성장시킬 수 있지만 CsI를 주상구조로 성장시키면 각각의 기둥이 빛을 안내 하는 역할(optical guide)을 하여 해상도가 향상되기 때문이다.As a material of the scintillator layer 120, for example, CsI (Cesi㎛ Iodide), thallium (Tl) doping CsI, or the like may be used. The scintillator layer 120 is formed on the substrate 110 using a known method, that is, PVD (Physical Vapor Depostion) equipment, by supplying CsI and Tl to the PVD equipment, the pillar of CsI doped with Tl on the FOP. It is preferable to form the scintillator layer 120 by growing the structure. That is, depending on the deposition method and deposition conditions, the scintillator can be grown into an amorphous form or columnar structure, but when CsI is grown into a columnar structure, each pillar acts as an optical guide and improves resolution. .

신틸레이터층(120)의 재료는 조해성이 있으므로 습기에 매우 취약하다. 따라서, 외부로부터 습기가 침투하지 못하도록 하여야 한다. 제1 박막층(140), 접착층(130) 그리고 기판(110)에 의하여 투습방지구조가 형성될 수 있다. 이하, 투습방지구조와 관련하여 접착층(130)과 제1 박막층(140)을 설명한다.Since the material of the scintillator layer 120 is deliquescent, it is very vulnerable to moisture. Therefore, it is necessary to prevent moisture from penetrating from the outside. The moisture barrier prevention structure may be formed by the first thin film layer 140, the adhesive layer 130, and the substrate 110. Hereinafter, the adhesive layer 130 and the first thin film layer 140 will be described in relation to the moisture barrier prevention structure.

본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널에는 기판(110) 상에 도포되어 신틸레이터층(120)을 둘러싼 폐쇄영역을 형성하는 접착층(130)이 구비된다. 접착층(130)은 투습 방지가 가능한 고분자 소재가 사용될 수 있다. 구체적으로, 접착층(130)은 상온경화형경화재 또는 UV경화재를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상온 경화재에 열경화형경화재와 UV형 경화재를 추가하거나 상온경화형 경화재를 추가하여 사용할 수 있다. 이때 경화재 자체의 투습방지 기능을 보완하기 위하여 투습경로를 길게하기 위한 필러재를 경화재와 함께 사용할 수 있다.The scintillator panel according to an embodiment of the present invention is provided with an adhesive layer 130 applied on the substrate 110 to form a closed area surrounding the scintillator layer 120. The adhesive layer 130 may be made of a polymer material capable of preventing moisture permeation. Specifically, the adhesive layer 130 may include a room temperature curing type curing material or a UV curing material. For example, a thermosetting curing material and a UV curing material may be added to the room temperature curing material, or a room temperature curing type curing material may be added and used. At this time, in order to supplement the moisture permeation prevention function of the curing material itself, a filler material for lengthening the moisture permeation path may be used together with the curing material.

다음으로, 제1 박막층(140)이 신틸레이터층(120) 상에 적층된다. 이때 제1 박막층(140)은 무기소재를 포함할 수 있는데, 제1 박막층(140)은 기판(110)층에 도포된 접착층(130)에 부착되어 신틸레이터층(120)의 상면과 전후좌우 측면을 모두 감싸도록 구비된다. 제1 박막층(140)은 진공 면압착 방식을 통하여 신틸레이터층(120)과 접착층(130)에 밀착될 수 있다. 예를 들면, 제1 박막층(140)이 신틸레이터층(120)의 상부에 위치한 상태에서 제1 박막층(140)과 신틸레이터 측면의 공기를 제거하는 방식으로 압력을 생성하여 제1 박막층(140)이 신틸레이터층(120)에 밀착되도록 할 수 있다. 따라서, 제1 박막층(140)은 주상결정의 신틸레이터층(120)과 직접 맞닿아 구비될 수 있다. Next, the first thin film layer 140 is stacked on the scintillator layer 120. At this time, the first thin film layer 140 may include an inorganic material, and the first thin film layer 140 is attached to the adhesive layer 130 applied to the substrate 110 layer, and the upper and lower left and right sides of the scintillator layer 120 are attached. It is provided to cover all. The first thin film layer 140 may be in close contact with the scintillator layer 120 and the adhesive layer 130 through a vacuum surface compression method. For example, while the first thin film layer 140 is located above the scintillator layer 120, the first thin film layer 140 is generated by generating pressure by removing air from the side of the first thin film layer 140 and the scintillator. The scintillator layer 120 can be brought into close contact. Therefore, the first thin film layer 140 may be provided in direct contact with the scintillator layer 120 of columnar crystals.

제1 박막층(140)은 Ag, Cr, Al, Au, Ti 및 Cu 중에서 선택된 금속 또는 산화물일 수 있다. 제1 박막층에 포함되는 무기소재는 방사선을 투과하면서도 가시광선은 투과하지 않아, 투과된 방사선이 신틸레이터층(120)에 의하여 가시광으로 변환될 수 있고, 변환된 가시광은 제1 박막층(140)에 의해 반사되어 광전변환소자에 전달 될 수 있다. The first thin film layer 140 may be a metal or oxide selected from Ag, Cr, Al, Au, Ti, and Cu. The inorganic material included in the first thin film layer transmits radiation but does not transmit visible light, so the transmitted radiation can be converted into visible light by the scintillator layer 120, and the converted visible light is transmitted to the first thin film layer 140. It can be reflected and transmitted to the photoelectric conversion element.

본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 무기소재는 알루미늄이 사용되었다. 알루미늄을 포함한 제1 박막층(140)은 진공면압착에 의하여 신틸레이터층(120) 상에 적층될 수 있는데, 이때, 진공 면압착 방식을 통한 적층시 접착층(130)과의 결합이 잘 이루어질 수 있도록, 제1 박막층(140)의 두께는 약 110 ㎛ 미만으로 구비되는 것이 바람직하다. Aluminum was used as the inorganic material for the scintillator panel according to the embodiment of the present invention. The first thin film layer 140 including aluminum may be stacked on the scintillator layer 120 by vacuum surface compression. In this case, when laminated through a vacuum surface compression method, bonding with the adhesive layer 130 can be performed well. , The thickness of the first thin film layer 140 is preferably less than about 110 ㎛.

본 발명의 실시예에 따른 알루미늄을 포함한 제1 박막층(140)은 약 30-100 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 제1 박막층(140)은 약 30-100 ㎛ 두께의 범위에서 주상결정의 신틸레이터층(120)의 상부와 밀착성이 크게 증가할 수 있고, 따라서 신틸레이터층(120)에 의하여 변환된 가시광선의 반사율을 높일 수 있게 될 뿐만 아니라, 방사선의 투과율 역시 증가하여 방사선 검출의 감도(Sensitivity)를 상승시킬 수 있다. The first thin film layer 140 including aluminum according to the embodiment of the present invention is more preferably about 30-100 μm. The first thin film layer 140 may have a large increase in adhesion with the upper portion of the columnar crystal scintillator layer 120 in a range of about 30-100 μm thick, and thus reflectance of visible light converted by the scintillator layer 120. Not only can be increased, but also the transmittance of the radiation is also increased to increase the sensitivity of the radiation detection (Sensitivity).

한편, 신틸레이터층(120)은 주상돌기형상으로 형성될 수 있으며, 이에 따라 알루미늄을 포함한 제1 박막층(140)이 면압착방식에 의하여 신틸레이터층(120)에 접할 경우, 제1 박막층(140) 외관에 돌기가 형성될 수 있다. 제1 박막층(140) 상에 코팅방식으로 적층되는 수지층(150)은 상기 제1 박막층(140)에 형성된 외관 돌기의 검출을 완화할 수 있다. On the other hand, the scintillator layer 120 may be formed in a columnar projection shape. Accordingly, when the first thin film layer 140 including aluminum contacts the scintillator layer 120 by a surface compression method, the first thin film layer 140 ) Protrusions may be formed on the exterior. The resin layer 150 laminated by the coating method on the first thin film layer 140 may alleviate the detection of appearance protrusions formed on the first thin film layer 140.

제1 박막층(140) 상부에 적층되는 수지층(150)의 두께가 약 10 ㎛ 미만인 경우에는 제1 박막층(140)의 돌기가 그대로 드러나게 되는 등 코팅편차에 따른 얼룩이 존재하여 신틸레이터 패널의 외관 품질이 저하될 수 있다. 제1 박막층(140)의 면압착에 따른 외관돌기 검출을 완화하기 위해서는 약 40 ㎛이상의 수지층(150)이 구비되는 것이 바람직하다. 이때, 본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널은 진공 면압착 방식을 적용하기 용이하도록 제1 박막층(140)과 적층하여 약 110 ㎛의 두께를 초과하지 않는 범위 내인 것이 바람직하다. 수지층(150)은 약 40-80㎛ 미만의 두께로 구비되는 것이 바람직하다. When the thickness of the resin layer 150 stacked on top of the first thin film layer 140 is less than about 10 μm, the appearance quality of the scintillator panel due to the presence of stains due to coating deviation such as protrusions of the first thin film layer 140 is exposed as it is. This can degrade. In order to alleviate the appearance protrusion detection due to the surface compression of the first thin film layer 140, it is preferable that the resin layer 150 of about 40 μm or more is provided. At this time, the scintillator panel according to the embodiment of the present invention is preferably within a range not exceeding a thickness of about 110 μm by laminating with the first thin film layer 140 to facilitate applying the vacuum surface compression method. The resin layer 150 is preferably provided with a thickness of less than about 40-80㎛.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 단면을 도시한 제2 도면이다. 도 2를 참고하면, 신틸레이터층(120)과 제1 박막층(140) 사이에 제2 박막층(160)을 더 포함하고, 제1 박막층(140)과 제2 박막층(160)은 일체로 구비되어 면압착을 통하여 신틸레이터층(120)을 감싸도록 구비될 수 있다. 제2 박막층(160)은 Ag, Cr, Al, Au, Ti 및 Cu 중에서 선택된 금속 또는 그 산화물일 수 있다. 이때, 알루미늄을 포함한 제1 박막층(140)과의 결합을 통하여 진공 면압착이 충분히 이루어져 밀착되도록 하여 가시광의 반사율이 증가할 수 있도록 제2 박막층(160)(은 코팅층)의 두께는 약 50-150 nm인 것이 바람직하다. 2 is a second view showing a cross-section of a scintillator panel according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, a second thin film layer 160 is further included between the scintillator layer 120 and the first thin film layer 140, and the first thin film layer 140 and the second thin film layer 160 are integrally provided. It may be provided to surround the scintillator layer 120 through surface compression. The second thin film layer 160 may be a metal selected from Ag, Cr, Al, Au, Ti, and Cu or an oxide thereof. At this time, the thickness of the second thin film layer 160 (silver coating layer) is about 50-150 so that the reflectance of visible light can be increased by sufficiently forming the vacuum surface compression through bonding with the first thin film layer 140 including aluminum. It is preferred that it is nm.

도시되지는 않았으나, 상기 제1 박막층(140)의 상부에 블랙 레이어(흑색층 black layer)이 추가로 형성되어 형성될 수 있다. 블랙 레이어가 제1 박막층(140)의 상부 및 측부를 감싸는 형태로 구비될 수 있다. Although not shown, a black layer (black layer) may be additionally formed on the first thin film layer 140. The black layer may be provided in a form surrounding the upper and side portions of the first thin film layer 140.

상기 블랙 레이어는 검출 성능의 향상 및 기판(110)보호 기능을 위해 사용되는 것으로서 구체적으로는 검은색 도료를 코팅처리하는 방식에 의해 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고 검은색 직물, 종이 등의 흑색 물질을 사용하여 블랙 레이어로 적용 가능하다. 블랙 레이어는 제1 박막층(140)의 상부에 부착된 상태에서 빛의 산란 및 재반사율을 억제하여 분해능을 높이는 기능을 할 수 있다.The black layer is used for improving detection performance and protecting the substrate 110, and may be specifically formed by a method of coating a black paint. However, the present invention is not limited thereto, and may be applied as a black layer using black materials such as black fabric and paper. The black layer may function to increase the resolution by suppressing light scattering and re-reflectance while attached to the first thin film layer 140.

하기 표 1은 본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 수지층, 제1 박막층 및 제2 박막층의 적층 두께에 따른 반사율을 나타낸 것이다.Table 1 below shows reflectance according to the stacking thickness of the resin layer, the first thin film layer, and the second thin film layer of the scintillator panel according to the embodiment of the present invention.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 구조rescue 수지층(PET층)Resin layer (PET layer) 10 ㎛10 μm 50 ㎛50 μm 50 ㎛50 μm 제1 박막층(알루미늄박막층)First thin film layer (aluminum thin film layer) 100 ㎛100 μm 40 ㎛40 μm 40 ㎛40 μm 제2 박막층(은 코팅층)Second thin film layer (silver coating layer)
100 nm

100 nm
반사율
(정반사)
reflectivity
(Specular reflection)
80%80% 87%87% 91%91%

하기 표 2는 본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구성 각 부분의 적층 두께에 따른 L/O(light output), CTF(contrast transfer functio), 감도(Sensitivity), MTF(modulation transfer function) 측정값을 나타낸 것이다. Table 2 below is a configuration of the scintillator panel according to an embodiment of the present invention, L/O (light output), CTF (contrast transfer functio), sensitivity (Sensitivity), and MTF (modulation transfer function) measurement according to the stacking thickness of each part It shows the value.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 Test
결과
Test
result
L/OL/O 270270 296 296 316316
CTFCTF 4444 45.545.5 4343 SensitivitySensitivity 108108 115.9 115.9 129129 MTFMTF 3737 37.537.5 36.536.5 신뢰성 결과
(55℃/95%/512hr)
Reliability results
(55℃/95%/512hr)
PassPass PassPass PassPass

하기 표 3은 본 발명의 실시예에 따른 패널의 항온, 항습 평가 결과를 나타낸 것으로 신뢰성 테스트 온도 55℃, 습도 95% 조건하에서 이루어졌다. 실시예 2 및 실시예 3의 경우 모두 외관 투습현상이 관찰되지 않았다.Table 3 below shows the results of evaluating the constant temperature and humidity of the panel according to the embodiment of the present invention, and was performed under a reliability test temperature of 55°C and a humidity of 95%. In the case of Example 2 and Example 3, the appearance moisture permeability was not observed.

온도 55℃ / 습도 95%Temperature 55℃ / Humidity 95% 0 hr0 hr 120 hr120 hr 512 hr512 hr 결과result 실시예 2Example 2 SensitivitySensitivity 119.5119.5 119.2119.2 118.1118.1 -1.4-1.4 MTF(2lp)MTF (2lp) 38.10%38.10% 33.70%33.70% 34.10%34.10% -4.00%-4.00% 실시예 3Example 3 SensitivitySensitivity 120.7120.7 121121 121.1121.1 0.40.4 MTF(2lp)MTF (2lp) 41.80%41.80% 38.70%38.70% 37.70%37.70% -4.10%-4.10%

다음으로, 본 발명의 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 제조 방법에 대해 설명하도록 한다.Next, a method of manufacturing a scintillator panel according to an embodiment of the present invention will be described.

광전변환소자가 면 상의 소정 영역에 형성되고 광전변환소자와 전기적으로 접속된 전극 패드가 광전변환소자가 형성된 영역의 외부에 형성된 기판(110)을 준비하여, 기판(110) 상의 광전변환소자가 형성된 영역에 방사선을 소정의 파장 대역의 광으로 변환하는 신틸레이터층(120)을 주상 결정으로 성장시켜 형성한다. A photoelectric conversion element is formed in a predetermined area on a surface, and an electrode pad electrically connected to the photoelectric conversion element prepares the substrate 110 formed outside the area where the photoelectric conversion element is formed, whereby the photoelectric conversion element on the substrate 110 is formed. The scintillator layer 120 that converts radiation into light in a predetermined wavelength band is grown in the region by growing into columnar crystals.

신틸레이터층(120)은 방사선 발생 장치로부터 촬영 대상으로 조사되어 통과한 방사선을 소정의 파장 대역의 광으로 변환할 수 있으며, 변환되는 광의 파장 대역을 조정하기 위하여 신틸레이터층(120)의 재료가 결정될 수도 있으며, 예를 들어, CsI(Cesi㎛ Iodide), 탈륨(Tl) 도핑(doping) CsI 등이 이용될 수 있다.The scintillator layer 120 may convert radiation that has been irradiated from a radiation generating device to a photographing object and passes through to a light in a predetermined wavelength band, and the material of the scintillator layer 120 may be adjusted to adjust the wavelength band of the converted light. It may be determined, for example, CsI (Cesi㎛ Iodide), thallium (Tl) doping (CsI), etc. may be used.

다음으로, 기판(110) 상에서 신틸레이터층(120)이 형성된 영역의 외곽을 둘러싸도록 경화재를 도포하여 접착층(130)을 형성한다. 다만, 접착층(130)은 신틸레이터층(120)의 기판(110) 내 영역을 제한할 수도 있고, 이에 따라, 신틸레이터층(120)이 형성되기 전에 접착층(130)이 형성될 수도 있다. Next, an adhesive layer 130 is formed on the substrate 110 by applying a cured material to surround the outside of the region where the scintillator layer 120 is formed. However, the adhesive layer 130 may limit the region within the substrate 110 of the scintillator layer 120, and accordingly, the adhesive layer 130 may be formed before the scintillator layer 120 is formed.

접착층(130)은 신틸레이터층(120)의 외곽에 일정 높이로 형성될 수 있으며, 신틸레이터층(120)으로의 투습을 방지하기 위하여 방습성을 가져야 한다. 접착층(130)은 방습성을 가진 경화재를 도포하여 형성할 수도 있으나, 공정을 단순화하기 위하여 방수 테이프를 접착하여 형성할 수도 있다.The adhesive layer 130 may be formed at a predetermined height on the outer side of the scintillator layer 120, and must have moisture resistance to prevent moisture permeation to the scintillator layer 120. The adhesive layer 130 may be formed by applying a cured material having moisture resistance, but may also be formed by adhering a waterproof tape to simplify the process.

다음으로, 신틸레이터층(120) 및 접착층(130) 상에 제1 박막층(140)을 형성한다. 제1 박막층(140)은 방사선을 투과하는 동시에 가시광을 반사하는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 제1 박막층(140)의 재료로는 금속 또는 금속 산화물이 이용될 수 있으며, 구체적으로 Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Ph, Pt, Au 등의 금속이나 TiO2 등과 같은 이들 금속의 산화물이 이용될 수 있다.Next, the first thin film layer 140 is formed on the scintillator layer 120 and the adhesive layer 130. The first thin film layer 140 preferably has a property of transmitting visible light and reflecting visible light. As the material of the first thin film layer 140, a metal or a metal oxide may be used. Specifically, metals such as Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Ph, Pt, Au, or these metals such as TiO2 An oxide of can be used.

추가로, 제1 박막층(140)과 접착층(130) 사이의 투습을 차단하기 위한 밀봉을 강화하기 위하여 접착층(130) 외곽에 밀봉재로 밀봉할 수 있다. 밀봉재로는 예를 들어, 욱성화학(주)의 PANAX SP1101이 이용될 수 있고, 이는 변성실리콘, 탄산칼슘, 이산화티타늄, 탈수제, 가교제 등을 혼합한 것으로 상온에서 자연경화하는 특성을 가질 수 있다.In addition, in order to enhance sealing for blocking moisture permeation between the first thin film layer 140 and the adhesive layer 130, a sealing material may be sealed outside the adhesive layer 130. As the sealing material, for example, PANAX SP1101 of Uksung Chemical Co., Ltd. may be used, and it may have properties of natural curing at room temperature as a mixture of modified silicon, calcium carbonate, titanium dioxide, dehydrating agent, and crosslinking agent.

다음으로, 금속 제1 박막층(140)을 신틸레이터층(120) 상에 결합하는 방법은 진공을 유지하면서 면압착하는 방법을 사용할 수 있다. 신틸레이터층(120) 상에 알루미늄을 포함한 제1 박막층(140)을 합지한 상태에서, 신틸레이터층(120)과 알루미늄을 포함한 제1 박막층(140) 사이에 진공 면압착 상태를 유지하고, 알루미늄을 포함한 제1 박막층(140)과 신틸레이터층(120)이 맞닿는 부분에 열 및 압력을 가함으로써 면압착이 이루어질 수 있도록 한다.Next, a method of bonding the metal first thin film layer 140 on the scintillator layer 120 may use a method of surface pressing while maintaining a vacuum. In a state where the first thin film layer 140 including aluminum is laminated on the scintillator layer 120, a vacuum surface compression state is maintained between the scintillator layer 120 and the first thin film layer 140 including aluminum, and aluminum By applying heat and pressure to the portion where the first thin film layer 140 and the scintillator layer 120 are in contact with each other, surface compression may be performed.

이상에서 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 신틸레이터 패널은 간접 전리 방식의 X선 검출기에서 신틸레이터층(120)의 상부에 제1 박막층(140)을 배치함으로써 신틸레이터로부터 발생하는 가시광의 난반사 및 산란을 최대한 억제시켜 방사선 피폭량을 줄이면서도 고화질의 X선 영상을 얻을 수 있다.In the scintillator panel according to the present invention as described above, in the indirect ionization type X-ray detector, the first thin film layer 140 is disposed on the scintillator layer 120 to diffuse scattering and scattering of visible light generated from the scintillator. By suppressing as much as possible, it is possible to obtain a high-quality X-ray image while reducing radiation exposure.

본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.In the present specification and drawings, preferred embodiments of the present invention have been disclosed, and although specific terms are used, they are merely used in a general sense to easily describe the technical contents of the present invention and to understand the present invention. It is not intended to limit the scope. It is apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains that other modifications based on the technical spirit of the present invention can be implemented in addition to the embodiments disclosed herein.

110: 기판
120: 신틸레이터층
130: 접착층
140: 제1 박막층
150: 수지층
160: 제2 박막층
110: substrate
120: scintillator layer
130: adhesive layer
140: first thin film layer
150: resin layer
160: second thin film layer

Claims (6)

적어도 하나 이상의 광전변환소자를 포함하는 기판;
상기 기판에 상기 광전변환소자가 배치된 영역을 포함하여 형성되는 신틸레이터층;
상기 기판 상에 도포되어 상기 신틸레이터층을 둘러싼 폐쇄영역을 형성하는 접착층;
상기 접착층에 부착되어 상기 신틸레이터층을 감싸는 제1 박막층;
상기 신틸레이터층과 상기 제1 박막층 사이에 형성되어, 상기 제1 박막층과 일체로 면압착을 통해 상기 신틸레이터층을 감싸는 제2 박막층; 및
상기 제1 박막층의 상에 적층되어 상기 신틸레이터층을 면압착함에 따른 상기 제1 박막층에 형성된 외관 돌기의 검출을 완화시키는 수지층;을 포함하고,
상기 제1 박막층에 형성되는 외관 돌기의 검출 완화 및 신틸레이터 패널의 면압착 적용 효율을 위해 상기 제1 박막층의 두께는 30-100 ㎛로 형성되고, 상기 수지층의 두께는 40-50 ㎛로 형성되며,
검출 성능 향상 및 기판 보호 위해 흑색 물질에 의해 형성되는 블랙 레이어가 상기 제1 박막층의 상부에서 제1 박막층의 상부 및 측부를 감싸는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
A substrate including at least one photoelectric conversion element;
A scintillator layer formed including a region in which the photoelectric conversion element is disposed on the substrate;
An adhesive layer applied on the substrate to form a closed region surrounding the scintillator layer;
A first thin film layer attached to the adhesive layer and surrounding the scintillator layer;
A second thin film layer formed between the scintillator layer and the first thin film layer and surrounding the scintillator layer through surface compression integrally with the first thin film layer; And
It includes a resin layer laminated on the first thin film layer to alleviate the detection of the appearance protrusion formed on the first thin film layer by surface pressing the scintillator layer.
The thickness of the first thin film layer is formed to 30-100 µm, and the thickness of the resin layer is formed to 40-50 µm to ease detection of appearance protrusions formed on the first thin film layer and to apply surface compression of the scintillator panel. And
A scintillator panel characterized in that a black layer formed by a black material is formed in a form surrounding the upper and side portions of the first thin film layer on the first thin film layer to improve detection performance and protect the substrate.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 박막층의 두께는 50-150 nm인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
According to claim 1,
The thickness of the second thin film layer is a scintillator panel, characterized in that 50-150 nm.
제1항에 있어서,
상기 제1 박막층은 Ag, Cr, Al, Au, Ti 및 Cu 중에서 선택된 금속 또는 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
According to claim 1,
The first thin film layer is a scintillator panel, characterized in that it comprises a metal or oxide selected from Ag, Cr, Al, Au, Ti and Cu.
제4항에 있어서,
상기 제2 박막층은 Ag, Cr, Al, Au, Ti 및 Cu 중에서 선택된 금속 또는 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
The method of claim 4,
The second thin film layer is a scintillator panel, characterized in that it comprises a metal or oxide selected from Ag, Cr, Al, Au, Ti and Cu.
KR1020170059126A 2017-05-12 2017-05-12 Scintillator panel KR102119733B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170059126A KR102119733B1 (en) 2017-05-12 2017-05-12 Scintillator panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170059126A KR102119733B1 (en) 2017-05-12 2017-05-12 Scintillator panel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180125096A KR20180125096A (en) 2018-11-22
KR102119733B1 true KR102119733B1 (en) 2020-06-17

Family

ID=64557795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170059126A KR102119733B1 (en) 2017-05-12 2017-05-12 Scintillator panel

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102119733B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109541669A (en) * 2018-12-26 2019-03-29 北京纳米维景科技有限公司 A kind of high-resolution radiation detection device and preparation method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004085367A (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Fuji Photo Film Co Ltd Radiation image conversion panel
WO2008111379A1 (en) 2007-03-13 2008-09-18 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Scintillator panel and radiation flat panel detector
JP2016205916A (en) * 2015-04-20 2016-12-08 浜松ホトニクス株式会社 Radiation detector and method for forming the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102667525B (en) * 2009-12-18 2015-05-20 株式会社东芝 Radiation detector and method for manufacturing same
KR101405537B1 (en) * 2012-10-19 2014-06-11 주식회사 아비즈알 Combination Type Scintillator Panel and Manufacturing Method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004085367A (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Fuji Photo Film Co Ltd Radiation image conversion panel
WO2008111379A1 (en) 2007-03-13 2008-09-18 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Scintillator panel and radiation flat panel detector
JP2016205916A (en) * 2015-04-20 2016-12-08 浜松ホトニクス株式会社 Radiation detector and method for forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180125096A (en) 2018-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5031172B2 (en) Scintillator panel, radiation image sensor and manufacturing method thereof
US7408177B2 (en) Scintillator panel and radiation image sensor
KR101209395B1 (en) Radiation detector and method for manufacturing the same
US9136029B2 (en) Scintillator panel, and radiographic image sensor
TWI421528B (en) Radiation imaging element and radiographic imaging method
US20090065705A1 (en) Scintillator plate
WO2001051952A1 (en) Radiation image sensor and scintillator panel
US20110133093A1 (en) Digital radiographic detector with bonded phosphor layer
WO2001051951A1 (en) Radiation image sensor and scintillator panel
WO2002023219A1 (en) Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them
JP3996849B2 (en) Protective cover for a device susceptible to moisture and its mounting method
JP4445281B2 (en) Method for manufacturing X-ray detector panel assembly and digital X-ray panel
US9581702B2 (en) Moisture seal for radiological image sensor
KR102119733B1 (en) Scintillator panel
JP4057316B2 (en) Scintillator panel and manufacturing method thereof
CN109073765B (en) Emitter detector and scintillator panel
JP2002277555A (en) Radiation imager cover
EP3438704A1 (en) Radiation detector manufacturing method
WO2017171387A1 (en) Scintillator panel and method for manufacturing same
KR20160021387A (en) Scintillator panel and method of manufacturing the same
JP2008089459A (en) X-ray detector, scintillator panel, method for manufacturing x-ray detector, and method for manufacturing scintillator panel
TW202014148A (en) Radiation detector and radiographic imaging device
KR101430631B1 (en) Combination Type Scintillator Panel
JP7450486B2 (en) Radiation imaging panel, radiation imaging device, radiation imaging system, method for manufacturing radiation imaging panel, and scintillator plate
KR101941592B1 (en) Scintillator panel, method for manufaturing the same, and radiation detector including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2019101003385; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20191011

Effective date: 20200414

GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant