KR102117354B1 - Apparatus for treating substrate and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 기판을 처리하는 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 지지 유닛의 기판이 지지되는 면의 상부 영역에 위치되고, 공정 가스를 상기 기판에 공급하는 분배홀이 형성된 샤워 헤드 유닛을 포함하고; 상기 지지 유닛은, 기판을 고정하는 척과; 상기 척에 기판을 로딩 또는 언로딩 하도록 기판을 승강 또는 하강 이동 시키는 리프트 핀과; 상기 척 내부에 제공되는 공정 히터와; 상기 척 상면에 제공되어 기판을 가열하는 열을 방출하는 어닐링 히터 유닛을 포함한다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to an embodiment, a substrate processing apparatus includes a process chamber providing a processing space therein; A support unit supporting a substrate in the processing space; A gas supply unit for supplying a process gas for processing the substrate; A shower head unit located in an upper region of a surface where the substrate of the support unit is supported, and having a distribution hole for supplying process gas to the substrate; The support unit includes a chuck for fixing the substrate; A lift pin for moving the substrate up or down to load or unload the substrate to the chuck; A process heater provided inside the chuck; It includes an annealing heater unit provided on the upper surface of the chuck to release heat for heating the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate and a method for processing the substrate.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.Plasma refers to the state of an ionized gas composed of ions, electrons, radicals, etc., and plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields.

기판에 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정을 수행 한 뒤, 공정 중 생성된 반응부산물을 제거하는 공정으로써 어닐링 공정이 수행된다. 일반적으로 어닐링 공정은 기판을 처리하는 공정과 별도의 챔버에서 공정이 이루어진다.After performing a substrate treatment process using plasma on the substrate, an annealing process is performed as a process of removing reaction by-products generated during the process. In general, the annealing process is performed in a separate chamber from the process of processing the substrate.

그러나 별도의 챔버에서 어닐링 공정을 수행하는 경우 기판을 처리하는 공정 챔버에서 처리 공정 후 기판에 어닐링 공정을 수행하는 어닐링 챔버로 기판을 이동시켜 공정이 수행되어 기판을 처리하는 공정 시간이 길어질 수 있다. 또한, 별도의 어닐링 챔버가 필요하여 기판 처리 장치의 설비가 많아진다. However, when the annealing process is performed in a separate chamber, the process is performed by moving the substrate from the process chamber for processing the substrate to the annealing chamber performing an annealing process on the substrate after the processing process, so that the process time for processing the substrate may be lengthened. In addition, a separate annealing chamber is required, which increases the equipment of the substrate processing apparatus.

본 발명은 기판에 어닐링 공정을 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing an annealing process on a substrate.

또한, 본 발명은 기판에 플라즈마를 이용한 처리 공정과 어닐링 공정을 하나의 기판 처리 장치에서 수행되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a plasma processing process and an annealing process are performed in one substrate processing apparatus.

또한, 본 발명은 하나의 기판 처리 장치에서 수행되는 기판 처리 공정과 어닐링 공정에 있어서 어닐링 효과일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which may be an annealing effect in a substrate processing process and an annealing process performed in one substrate processing apparatus.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-described problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings. will be.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 기판을 처리하는 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 지지 유닛의 기판이 지지되는 면의 상부 영역에 위치되고, 공정 가스를 상기 기판에 공급하는 분배홀이 형성된 샤워 헤드 유닛을 포함하고; 상기 지지 유닛은, 기판을 고정하는 척과; 상기 척에 기판을 로딩 또는 언로딩 하도록 기판을 승강 또는 하강 이동 시키는 리프트 핀과; 상기 척 내부에 제공되는 공정 히터와; 상기 척 상면에 제공되어 기판을 가열하는 열을 방출하는 어닐링 히터 유닛을 포함한다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. According to an embodiment, a substrate processing apparatus includes a process chamber providing a processing space therein; A support unit supporting a substrate in the processing space; A gas supply unit for supplying a process gas for processing the substrate; A shower head unit located in an upper region of a surface where the substrate of the support unit is supported, and having a distribution hole for supplying process gas to the substrate; The support unit includes a chuck for fixing the substrate; A lift pin for moving the substrate up or down to load or unload the substrate to the chuck; A process heater provided inside the chuck; It includes an annealing heater unit provided on the upper surface of the chuck to release heat for heating the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 어닐링 히터 유닛은, 상기 척 상면에 제공되는 히터판; 상기 히터판의 내부에 삽입된 제1 어닐링 히터를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the annealing heater unit, a heater plate provided on the upper surface of the chuck; A first annealing heater inserted into the heater plate may be included.

일 실시예에 의하면, 상기 샤워 헤드 유닛은, 상기 분배홀이 복수개 형성된 샤워 플레이트; 상기 샤워 플레이트의 가장자리 영역의 내부에 삽입되는 제2 어닐링 히터를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the shower head unit, the shower plate is formed a plurality of distribution holes; It may include a second annealing heater is inserted into the interior of the edge area of the shower plate.

일 실시예에 의하면, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 기판에 대한 공정 처리가 완료된 이후에 상기 리프트 핀을 상승하도록 제어하고, 상기 어닐링 히터 유닛을 이용하여 기판을 어닐링할 수 있다.According to an embodiment, a controller may be further included, and the controller may control the lift pin to rise after the process process for the substrate is completed, and anneal the substrate using the annealing heater unit.

일 실시예에 의하면, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 기판에 대한 공정 처리가 완료된 이후에 상기 리프트 핀을 상승하도록 제어하고, 상기 어닐링 히터 유닛과 상기 샤워 헤드 유닛을 이용하여 기판을 어닐링할 수 있다.According to an embodiment, the controller further includes a controller, and controls to lift the lift pin after the process processing for the substrate is completed, and annealing the substrate using the annealing heater unit and the shower head unit. Can be.

일 실시예에 의하면, 상기 어닐링 히터 유닛은, 상기 히터판을 상승 구동 시키는 구동기를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the annealing heater unit may further include a driver that drives the heater plate upward.

일 실시예에 의하면, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 기판에 대한 공정 처리가 완료된 이후에 상기 리프트 핀을 상승하도록 제어하고, 상기 제1 어닐링 히터를 가열하여 상기 히터판이 설정 온도에 도달하면, 상기 히터판을 기판에 근접하게 상승시킬 수 있다.According to an embodiment, the controller further includes a controller, the controller controls to raise the lift pin after the process process for the substrate is completed, and heats the first annealing heater to cause the heater plate to reach a set temperature. , The heater plate can be raised close to the substrate.

일 실시예에 의하면, 제어기를 더 포함하고, 상기 샤워 헤드 유닛은, 상기 분배홀이 복수개 형성된 샤워 플레이트; 상기 샤워 플레이트의 가장자리 영역의 내부에 삽입되는 제2 어닐링 히터를 포함하며, 상기 제어기는, 기판에 대한 공정 처리가 완료된 이후에, 상기 제2 어닐링 히터를 가열하고, 상기 리프트 핀을 상승시켜 상기 샤워 플레이트에 근접하도록 제어하고, 상기 제1 어닐링 히터를 가열하여 상기 히터판이 설정 온도에 도달하면, 상기 히터판을 기판에 근접하게 상승시킬 수 있다.According to one embodiment, further comprising a controller, the shower head unit, the shower plate is formed a plurality of distribution holes; And a second annealing heater inserted inside the edge region of the shower plate, wherein the controller heats the second annealing heater after the process processing for the substrate is completed, and lifts the lift pin to raise the shower. When the heater plate reaches a set temperature by heating the first annealing heater to control the plate, the heater plate can be raised close to the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 샤워 플레이트와 기판 사이의 이격 거리와,According to one embodiment, the separation distance between the shower plate and the substrate,

상기 히터판과 기판 사이의 이격 거리가 동일하게 제공될 수 있다.The separation distance between the heater plate and the substrate may be provided equally.

일 실시예에 의하면, 상기 어닐링 히터 유닛은, 상기 척 상면에 제공되는 세라믹 박막; 상기 세라믹 박막에 열을 제공하는 히터를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the annealing heater unit, a ceramic thin film provided on the upper surface of the chuck; It may include a heater that provides heat to the ceramic thin film.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 예에 의하면 공정 챔버에 기판을 이송하는 단계; 상기 공정 챔버 내의 지지 유닛에 기판을 로딩하는 단계; 상기 로딩된 상기 기판에 공정 처리 하는 단계; 상기 기판을 상기 지지 유닛의 상면에서 소정거리 이격시키는 단계; 기판의 상면과 하면에 열을 공급하여 어닐링하는 단계;를 포함한다.In addition, the present invention provides a method for processing a substrate. According to an example, transferring a substrate to a process chamber; Loading a substrate into a support unit in the process chamber; Processing the loaded substrate; Separating the substrate by a predetermined distance from an upper surface of the support unit; It includes; annealing by supplying heat to the upper and lower surfaces of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 플라즈마를 이용한 처리 공정과 어닐링 공정을 하나의 기판 처리 장치로 수행하여 기판 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to improve efficiency in a substrate processing process by performing a processing process using plasma on the substrate and an annealing process with a single substrate processing apparatus.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 플라즈마를 이용한 처리 공정과 어닐링 공정을 하나의 기판 처리 장치로 수행하여 기판 처리 설비를 최소화 시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing facility may be minimized by performing a plasma treatment process and an annealing process with a single substrate processing apparatus.

또한, 본 발명의 일 실시 예에에 의하면, 하나의 기판 처리 장치에서 수행되는 기판 처리 공정과 어닐링 공정에 있어서 어닐링 효과를 높일 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, an annealing effect may be increased in a substrate processing process and an annealing process performed in one substrate processing apparatus.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 기판에 대한 공정 처리 시의 상태를 간략하게 도시한 도면이고다.
도 3은 공정 처리가 끝난 후에 기판을 어닐링 하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6는 공정 처리가 끝난 후에 기판을 어닐링하는 공정의 동작 상태를 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view briefly showing a state at the time of processing a substrate.
3 is a view showing a state in which the substrate is annealed after the process treatment is completed.
4 is a view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment.
5 and 6 are views showing an operating state of the process of annealing the substrate after the process is finished.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the examples described below. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서는 공정가스를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 공정을 수행하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다.In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method for etching a substrate using process gas will be described. However, the present invention is not limited to this, and any device that performs a process using plasma may be applied in various ways.

이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 배기 배플(500), 샤워 헤드 유닛(600)을 포함한다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, an exhaust baffle 500, and a shower head unit 600.

챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(100)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(100)의 일측벽에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로로서 기능한다. 개구(130)는 센싱홀(110)에 비해 높게 위치될 수 있다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기라인을 통해 감압 부재(160)에 연결된다. 감압 부재(160)는 배기라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다.The chamber 100 provides a processing space in which the substrate W is processed. The chamber 100 is provided in a cylindrical shape. An opening 130 is formed on one side wall of the chamber 100. The opening 130 functions as a passage through which the substrate W is carried in or out. The opening 130 may be positioned higher than the sensing hole 110. The chamber 100 is made of a metal material. For example, the chamber 100 may be made of aluminum. An exhaust hole 150 is formed on the bottom surface of the chamber 100. The exhaust hole 150 is connected to the pressure reducing member 160 through an exhaust line. The pressure reducing member 160 provides vacuum pressure to the exhaust hole 150 through the exhaust line. The by-products generated during the process and plasma staying in the chamber 100 are discharged to the outside of the chamber 100 by vacuum pressure.

지지 유닛(200)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑, 진공 척과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The support unit 200 supports the substrate W in the processing space. The support unit 200 may be provided as an electrostatic chuck 200 that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the support unit 200 can support the substrate W in various ways, such as mechanical clamping and a vacuum chuck.

정전척(200)은 유전판(210), 베이스(230), 포커스링(250), 어닐링 히터 유닛(260) 그리고 기판 승강 부재(280)를 포함한다. The electrostatic chuck 200 includes a dielectric plate 210, a base 230, a focus ring 250, an annealing heater unit 260, and a substrate lifting member 280.

유전판(210)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 상면은 기판(W) 보다 작은 반경을 갖는다. 유전판의 상면에는 핀홀들(216)이 형성된다. 핀홀(216)은 복수 개로 제공된다. 예컨대 핀홀들(216)은 3 개로 제공되며, 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 유전판(210)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 공급 유로(미도시)가 형성된다. 유전판(210)내에는 내부 전극(212)과 공정 히터(214)가 매설된다. The dielectric plate 210 is provided as a disc-shaped dielectric substance. The dielectric plate 210 may have a smaller radius than the substrate W. The upper surface of the dielectric plate 210 has a smaller radius than the substrate W. Pinholes 216 are formed on the top surface of the dielectric plate. A plurality of pinholes 216 are provided. For example, three pinholes 216 are provided, and may be positioned to be spaced apart from each other at equal intervals. A supply flow path (not shown) used as a passage through which the heat transfer gas is supplied to the bottom surface of the substrate W is formed in the dielectric plate 210. In the dielectric plate 210, an internal electrode 212 and a process heater 214 are buried.

하부전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 하부전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다.A power source (not shown) is connected to the lower electrode 212 and power is applied from the power source (not shown). The lower electrode 212 provides electrostatic force so that the substrate W is adsorbed on the dielectric plate 210 from the applied power (not shown).

유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 공정 히터(214)가 설치된다. 공정 히터(214)는 하부전극(212)의 아래에 위치 될 수 있다. 공정 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 히터(214)에서 발생된 열은 유전판(210)과 어닐링 히터 유닛(260)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(214)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(214)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 유전판(210)의 하부에는 베이스(230)가 위치한다. 유전판(210)의 저면과 베이스(230)의 상면은 접착제(미도시)에 의해 접착될 수 있다.A process heater 214 for heating the substrate W is installed inside the dielectric plate 210. The process heater 214 may be located under the lower electrode 212. The process heater 214 may be provided as a spiral coil. Heat generated in the heater 214 is transferred to the substrate W through the dielectric plate 210 and the annealing heater unit 260. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated by the heater 214. The heater 214 includes a spiral coil. The base 230 is positioned under the dielectric plate 210. The bottom surface of the dielectric plate 210 and the top surface of the base 230 may be adhered by an adhesive (not shown).

베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정 결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. The base 230 supports the dielectric plate 210. The base 230 is positioned below the dielectric plate 210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 210. The upper surface of the base 230 has a stepped shape such that its central region is higher than the edge region. The base 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 210 in the center region of the top surface.

베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. A cooling passage 232 is formed inside the base 230. The cooling passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling passage 232 may be provided in a spiral shape inside the base 230.

베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The base is connected to a high frequency power source 234 located outside. The high frequency power supply 234 applies power to the base 230. The electric power applied to the base 230 guides the plasma generated in the chamber 100 to move toward the base 230. The base 230 may be made of a metal material.

포커스 링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 후술할 어닐링 히터 유닛(260)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. The focus ring 250 focuses the plasma on the substrate W. The focus ring 250 includes an inner ring 252 and an outer ring 254. The inner ring 252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 210. The inner ring 252 is located in the edge region of the base 230. The upper surface of the inner ring 252 is provided to have the same height as the upper surface of the annealing heater unit 260 to be described later.

내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 일 예에 의하면, 외측링(254)의 상단은 센싱홀(110)보다 낮은 높이를 가질 수 있다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The inner side of the upper surface of the inner ring 252 supports the bottom edge region of the substrate W. For example, the inner ring 252 may be provided with a conductive material. The outer ring 254 is provided in an annular ring shape surrounding the inner ring 252. The outer ring 254 is positioned adjacent to the inner ring 252 in the edge region of the base 230. The upper surface of the outer ring 254 is provided higher in height than the upper surface of the inner ring 252. According to an example, the upper end of the outer ring 254 may have a lower height than the sensing hole 110. The outer ring 254 may be provided with an insulating material.

어닐링 히터(260)는 히터판(261) 그리고 제1 어닐링 히터(262)를 포함한다. 히터판(261)의 상면은 내측링(252)의 상면과 동일한 높이를 가진다. 히터판(261)의 상면에 기판(W)이 직접 놓인다. 히터판(261)의 표면은 세라믹 재질로 코팅될 수 있다. 히터판(261)은 알루미늄 재질로 제공되어 열 전도율이 높을 수 있다. 히터판(261)의 내부에는 제1 어닐링 히터(262)가 매설된다. 제1 어닐링 히터(262)는 기판을 어닐링 하는데 필요한 온도범위의 열을 제공할 수 있다. 제1 어닐링 히터(262)는 히터판(261) 내부에 고르게 분포될 수 있다.The annealing heater 260 includes a heater plate 261 and a first annealing heater 262. The top surface of the heater plate 261 has the same height as the top surface of the inner ring 252. The substrate W is directly placed on the top surface of the heater plate 261. The surface of the heater plate 261 may be coated with a ceramic material. The heater plate 261 may be made of aluminum and have high thermal conductivity. The first annealing heater 262 is buried inside the heater plate 261. The first annealing heater 262 may provide heat in a temperature range required to anneal the substrate. The first annealing heater 262 may be evenly distributed inside the heater plate 261.

기판 승강 부재(280)는 리프트 핀(282) 및 핀 구동부재(284)를 포함한다. 리프트 핀(282)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 리프트 핀(282)은 복수 개로 제공되며, 각각은 핀홀(216)에 제공된다. 리프트 핀(282)은 핀 홀(216)로부터 돌출되도록 승강 이동할 수 있다. 핀 지지 부재(284)는 복수 개의 리프트 핀(282)을 지지한다. 핀 지지 부재(284)는 복수 개의 리프트 핀들(282)이 동일 높이를 유지시킨다. 핀 지지 부재(284)는 구동기(710)에 연결되어 상하로 이동된다. The substrate lifting member 280 includes a lift pin 282 and a pin driving member 284. The lift pin 282 is provided so that its longitudinal direction faces up and down. A plurality of lift pins 282 are provided, each provided in a pinhole 216. The lift pin 282 may move up and down to protrude from the pin hole 216. The pin support member 284 supports a plurality of lift pins 282. In the pin support member 284, a plurality of lift pins 282 maintain the same height. The pin support member 284 is connected to the driver 710 and moves up and down.

가스 공급 유닛(300)은 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350)와 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스공급라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply unit 300 supplies process gas onto the substrate W supported by the support unit 200. The gas supply unit 300 includes a gas storage unit 350, a gas supply line 330, and a gas inlet port 310. The gas supply line 330 connects the gas storage unit 350 and the gas inlet port 310. The process gas stored in the gas storage unit 350 is supplied to the gas inlet port 310 through the gas supply line 330. A valve is installed in the gas supply line 330 to open or close the passage, or to control the flow rate of gas flowing in the passage.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리공간에 방전공간을 형성한다. 방전공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The plasma source 400 excites the process gas into the plasma state in the chamber 100. As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna 410 and an external power source 430. The antenna 410 is disposed on the upper outside of the chamber 100. The antenna 410 is provided in a spiral shape wound a plurality of times, and is connected to an external power source 430. The antenna 410 receives power from an external power source 430. The antenna 410 to which power is applied forms a discharge space in the processing space of the chamber 100. The process gas staying in the discharge space can be excited in a plasma state.

배플(500)은 챔버(100)의 외부로 배기되는 플라즈마의 유량을 제어한다. 배플(500)은 처리공간에서 챔버(100)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성된다. 관통홀들(502)은 상하방향으로 제공된다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주방향을 따라 제공된다. 이와 동시에 관통홀들(502)은 배플(500)의 반경방향을 따라 제공된다.The baffle 500 controls the flow rate of the plasma exhausted to the outside of the chamber 100. The baffle 500 is positioned between the inner wall of the chamber 100 and the support unit 200 in the processing space. The baffle 500 is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 502 are formed in the baffle 500. The through holes 502 are provided in the vertical direction. The through holes 502 are provided along the circumferential direction of the baffle 500. At the same time, the through holes 502 are provided along the radial direction of the baffle 500.

샤워 헤드 유닛(600)은 샤워 플레이트(610), 제2 어닐링 히터(620), 지지대(630)를 포함한다.The shower head unit 600 includes a shower plate 610, a second annealing heater 620, and a support 630.

샤워 플레이트(610)에는 복수 개의 분배홀들(611)이 형성된다. 가스 공급 유닛(300)을 통해 공급되는 가스는 샤워 플레이트(610)의 분배홀들(611)을 통과한 후, 기판(W)으로 분사된다. 샤워 플레이트(610)의 분배홀들(611)은 샤워 플레이트(610)를 통과하는 가스가 기판 상으로 균일하게 분배되도록 구성된다. A plurality of distribution holes 611 are formed in the shower plate 610. The gas supplied through the gas supply unit 300 passes through the distribution holes 611 of the shower plate 610 and is then injected into the substrate W. The distribution holes 611 of the shower plate 610 are configured to uniformly distribute gas passing through the shower plate 610 onto the substrate.

샤워 플레이트(610)는 지지대(630)에 결합된다. 지지대(630)는 챔버(100)와 샤워 플레이트(610)를 연결한다. The shower plate 610 is coupled to the support 630. The support 630 connects the chamber 100 and the shower plate 610.

샤워 플레이트(610)의 내부에는 제2 어닐링 히터(620)가 매설된다. 제2 어닐링 히터(620)는 분배홀들(611)이 제공되는 영역의 둘레로 제공된다. 제2 어닐링 히터(620)는 샤워 플레이트의 가장자리 영역의 내부에 제공된다.The second annealing heater 620 is buried inside the shower plate 610. The second annealing heater 620 is provided around the area where the distribution holes 611 are provided. The second annealing heater 620 is provided inside the edge region of the shower plate.

도 2는 기판에 대한 공정 처리 시의 상태를 간략하게 도시한 도면이고, 도 3은 공정 처리가 끝난 후에 기판을 어닐링 하는 상태를 나타내는 도면이다. 도 2 및 도 3을 참조하여 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다.2 is a view briefly showing a state at the time of processing the substrate, and FIG. 3 is a view showing a state of annealing the substrate after the processing is finished. A substrate processing method according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2를 참조하면, 기판에 대한 공정 처리 시에는 공정 히터(214)에 전력을 공급하여 기판을(W) 가열한다. 공정 히터(214)에 의해 생성된 열은 유전판(210)과 어닐링 히터 유닛(260)을 통과하여 기판(W)에 전달된다. Referring to FIG. 2, during processing of a substrate, power is supplied to the process heater 214 to heat the substrate W. The heat generated by the process heater 214 passes through the dielectric plate 210 and the annealing heater unit 260 and is transferred to the substrate W.

도 3을 참조하면, 기판(W)은 공정 처리가 완료된 상태이다. 기판(W)에 대하여 어닐링 공정이 수행된다. 어닐링 공정을 수행하기 위해 기판(W)이 리프트 핀(282)에 의해 어닐링 히터 유닛(260)의 상면으로부터 이격된다. 공정 처리 시에 기판(W)은 어닐링 히터 유닛(260)의 상면인 제1 높이(H1)에 위치된다. 어닐링 공정 시에 기판은 어닐링 히터 유닛(260)의 상면에서 이격되어 샤워 플레이트(610)와 근접하게 배치되는 제2 높이(H2)로 이동된다. 제2 높이(H2)에서 샤워 플레이트(610)까지의 이격 거리는 약 3.5mm정도이다.Referring to FIG. 3, the substrate W is in a state where process processing is completed. An annealing process is performed on the substrate W. In order to perform the annealing process, the substrate W is spaced from the top surface of the annealing heater unit 260 by a lift pin 282. During processing, the substrate W is positioned at a first height H1 that is an upper surface of the annealing heater unit 260. During the annealing process, the substrate is moved from the upper surface of the annealing heater unit 260 to a second height H2 disposed close to the shower plate 610. The separation distance from the second height H2 to the shower plate 610 is about 3.5 mm.

기판(W)이 샤워 플레이트(610)와 가깝게 배치되고 어닐링 히터 유닛(260)과 이격되면, 제1 어닐링 히터(262)와 제2 어닐링 히터(620)를 가열한다.When the substrate W is disposed close to the shower plate 610 and spaced apart from the annealing heater unit 260, the first annealing heater 262 and the second annealing heater 620 are heated.

제1 어닐링 히터(262)는 기판(W)의 하면에 열을 공급한다. 제1 어닐링 히터(262)는 히터판(261)에 균일하게 배치되기 때문에 히터판(261)을 균일하게 히팅할 수 있다. 제1 어닐링 히터(262)에 의해 가열된 히터판(261)은 온도 균일도(Uniformity)가 높다. 따라서 히터판(261)의 전 영역은 상대적으로 빠른 시간내에 높은 온도 범위에 도달할 수 있다. 히터판(261)의 열은 복사되어 기판(W)에 전달된다. The first annealing heater 262 supplies heat to the lower surface of the substrate W. Since the first annealing heater 262 is uniformly disposed on the heater plate 261, the heater plate 261 can be uniformly heated. The heater plate 261 heated by the first annealing heater 262 has high temperature uniformity. Therefore, the entire area of the heater plate 261 can reach a high temperature range in a relatively quick time. The heat of the heater plate 261 is radiated and transferred to the substrate W.

제2 어닐링 히터(620)는 샤워 플레이트(610)의 가장자리 영역 제공됨에 따라 기판(W)과 직면한 상부에는 제공되지 않는다. 제2 어닐링 히터(620)를 이용하여 샤워 플레이트(610)를 균일하게 히팅하는 것은 제1 어닐링 히터(262)를 이용하여 히터판(261)을 가열하는 것 보다 오랜 시간이 소요된다. 샤워 플레이트(610)의 중앙부는 가장자리부보다 온도가 낮다. 즉, 제2 어닐링 히터(620)에 의해 가열된 샤워 플레이트(610)는 온도 균일도(Uniformity)가 낮다. 샤워 플레이트(610)의 열은 복사되어 기판(W)에 전달된다.The second annealing heater 620 is not provided on the upper portion facing the substrate W as the edge area of the shower plate 610 is provided. Evenly heating the shower plate 610 using the second annealing heater 620 takes longer than heating the heater plate 261 using the first annealing heater 262. The central portion of the shower plate 610 has a lower temperature than the edge portion. That is, the shower plate 610 heated by the second annealing heater 620 has low temperature uniformity. The heat of the shower plate 610 is radiated and transferred to the substrate W.

도 4는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다. 도 4의 기판 처리 장치에서 도 1과 동일한 도면 부호를 가진 구성은 도 1과 동일한 구성이므로 도 1의 설명으로 대신한다.4 is a view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment. In the substrate processing apparatus of FIG. 4, a configuration having the same reference numerals as in FIG. 1 is the same configuration as in FIG. 1 and is replaced by the description of FIG. 1.

도 4를 참조하면, 어닐링 히터 유닛(260)은 승강대(265)와 승강대 지지 부재(266)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the annealing heater unit 260 includes a platform 265 and a platform support member 266.

승강대(265)는 히터판(261)을 지지한다. 승강대(265)는 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 승강대(265)는 복수개 제공된다. 유전판(210)에는 승강대(265)가 관통될 수 있는 홀이 제공된다. 승강대(265)의 하단은 승강대 지지 부재(266)가 결합된다. 승강대 지지 부재(265)는 복수의 승강대(265)를 동일한 높이로 유지시킨다. 승강대 지지 부재(265)는 구동기에 연결된다. 승강대 지지 부재(265)는 구동기에 의해 구동력을 인가받아 상하로 이동 가능하다. 승강대 지지 부재(265)가 상하로 이동함에 따라 승강대(265)에 연결된 히터판(261)은 상하로 이동된다.The platform 265 supports the heater plate 261. The platform 265 is provided so that the longitudinal direction faces up and down. A plurality of platform 265 is provided. The dielectric plate 210 is provided with a hole through which the platform 265 can pass. The lower end of the platform 265 is coupled to the platform support member 266. The platform support member 265 maintains the plurality of platform 265 at the same height. The platform support member 265 is connected to the driver. The platform support member 265 is movable up and down by receiving a driving force by a driver. As the platform support member 265 moves up and down, the heater plate 261 connected to the platform 265 moves up and down.

도 5 및 도 6는 공정 처리가 끝난 후에 기판을 어닐링하는 공정의 동작 상태를 나타내는 도면이다. 도 5 및 도 6을 참조하여 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다.5 and 6 are views showing an operating state of the process of annealing the substrate after the process is finished. A substrate processing method according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

도 5을 참조하면, 기판(W)은 공정 처리가 완료된 상태이다. 기판(W)에 대하여 어닐링 공정이 수행된다. 어닐링 공정을 수행하기 위해 기판(W)이 리프트 핀(282)에 의해 어닐링 히터 유닛(260)의 상면으로부터 이격된다. 어닐링 공정 시에 기판은 어닐링 히터 유닛(260)의 상면인 제1 높이(H1)에서 이격되어 샤워 플레이트(610)와 근접하게 배치되는 제2 높이(H2)로 이동된다. 제2 높이(H2)에서 샤워 플레이트(610)까지의 이격 거리는 약 3.5mm정도이다.Referring to FIG. 5, the substrate W is in a state where process processing is completed. An annealing process is performed on the substrate W. In order to perform the annealing process, the substrate W is spaced from the top surface of the annealing heater unit 260 by a lift pin 282. During the annealing process, the substrate is moved from the first height H1 which is the upper surface of the annealing heater unit 260 to the second height H2 disposed close to the shower plate 610. The separation distance from the second height H2 to the shower plate 610 is about 3.5 mm.

기판(W)이 샤워 플레이트(610)와 가깝게 배치되고 어닐링 히터 유닛(260)과 이격되면, 제1 어닐링 히터(262)와 제2 어닐링 히터(620)를 가열한다.When the substrate W is disposed close to the shower plate 610 and spaced apart from the annealing heater unit 260, the first annealing heater 262 and the second annealing heater 620 are heated.

제1 어닐링 히터(262)의 온도가 설정 온도에 도달하고, 히터판(261)의 전 영역이 균일하게 가열되면, 히터판(261)은 기판(W)에 근접한 위치인 제3 위치(H3)로 상승된다. 제3 위치(H3)에서 히터판(261)의 상면과 기판(W)의 이격 거리는 약 3.5mm정도이다. 어닐링 히터 유닛(260)은 기판(W)의 하면에 열을 공급한다. 제1 어닐링 히터(262)는 히터판(261)에 균일하게 배치되기 때문에 히터판(261)을 균일하게 히팅할 수 있다. 제1 어닐링 히터(262)에 의해 가열된 히터판(261)은 온도 균일도(Uniformity)가 높다. 따라서 히터판(261)의 전 영역은 상대적으로 빠른 시간내에 높은 온도 범위에 도달할 수 있다. 히터판(261)의 열은 복사되어 기판(W)에 전달된다.When the temperature of the first annealing heater 262 reaches a set temperature, and when the entire area of the heater plate 261 is uniformly heated, the heater plate 261 is in a third position (H3) which is a position close to the substrate W Is elevated to. The distance between the upper surface of the heater plate 261 and the substrate W in the third position H3 is about 3.5 mm. The annealing heater unit 260 supplies heat to the lower surface of the substrate W. Since the first annealing heater 262 is uniformly disposed on the heater plate 261, the heater plate 261 can be uniformly heated. The heater plate 261 heated by the first annealing heater 262 has high temperature uniformity. Therefore, the entire area of the heater plate 261 can reach a high temperature range in a relatively quick time. The heat of the heater plate 261 is radiated and transferred to the substrate W.

제2 어닐링 히터(620)는 샤워 플레이트(610)의 가장자리 영역 제공됨에 따라 기판(W)과 직면한 상부에는 제공되지 않는다. 제2 어닐링 히터(620)를 이용하여 샤워 플레이트(610)를 균일하게 히팅하는 것은 제1 어닐링 히터(262)를 이용하여 히터판(261)을 가열하는 것 보다 오랜 시간이 소요된다. 샤워 플레이트(610)의 중앙 영역은 가장자리 영역보다 온도가 낮다. 즉, 제2 어닐링 히터(620)에 의해 가열된 샤워 플레이트(610)는 온도 균일도(Uniformity)가 낮다. 샤워 플레이트(610)의 열은 복사되어 기판(W)에 전달된다.The second annealing heater 620 is not provided on the upper portion facing the substrate W as the edge area of the shower plate 610 is provided. Evenly heating the shower plate 610 using the second annealing heater 620 takes longer than heating the heater plate 261 using the first annealing heater 262. The central region of the shower plate 610 has a lower temperature than the edge region. That is, the shower plate 610 heated by the second annealing heater 620 has low temperature uniformity. The heat of the shower plate 610 is radiated and transferred to the substrate W.

한편, 다른 실시 예로서, 어닐링 히터 유닛은, 척 상면에 제공되는 세라믹 박막으로 제공될 수 있다. 세라믹 박막의 가장자리에 열을 공급하는 히터를 제공하여 세라믹 박막을 가열하여 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.Meanwhile, as another embodiment, the annealing heater unit may be provided as a ceramic thin film provided on the upper surface of the chuck. The object of the present invention can be achieved by heating the ceramic thin film by providing a heater that supplies heat to the edge of the ceramic thin film.

100: 챔버, 200: 지지 유닛,
300: 가스 공급 유닛, 400: 플라즈마 소스,
500: 배기 배플, 600: 샤워 헤드 유닛.100: chamber, 200: support unit,
300: gas supply unit, 400: plasma source,
500: exhaust baffle, 600: shower head unit.

Claims (11)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
기판을 처리하는 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 지지 유닛의 기판이 지지되는 면의 상부 영역에 위치되고, 공정 가스를 상기 기판에 공급하는 분배홀이 형성된 샤워 헤드 유닛을 포함하고;
상기 지지 유닛은,
기판을 고정하는 척과;
상기 척에 기판을 로딩 또는 언로딩 하도록 기판을 승강 또는 하강 이동 시키는 리프트 핀과;
상기 척 내부에 제공되는 공정 히터와;
상기 척 상면에 제공되어 기판을 가열하는 열을 방출하는 어닐링 히터 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A process chamber providing a processing space therein;
A support unit supporting a substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying a process gas for processing the substrate;
A shower head unit located in an upper region of a surface where the substrate of the support unit is supported, and having a distribution hole for supplying process gas to the substrate;
The support unit,
A chuck fixing the substrate;
A lift pin for moving the substrate up or down to load or unload the substrate to the chuck;
A process heater provided inside the chuck;
And an annealing heater unit provided on an upper surface of the chuck to emit heat for heating the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 어닐링 히터 유닛은,
상기 척 상면에 제공되는 히터판;
상기 히터판의 내부에 삽입된 제1 어닐링 히터를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The annealing heater unit,
A heater plate provided on the upper surface of the chuck;
A substrate processing apparatus including a first annealing heater inserted into the heater plate. 제1 항에 있어서,
상기 샤워 헤드 유닛은,
상기 분배홀이 복수개 형성된 샤워 플레이트와;
상기 샤워 플레이트의 가장자리 영역의 내부에 삽입되는 제2 어닐링 히터를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The shower head unit,
A shower plate having a plurality of distribution holes;
And a second annealing heater inserted inside the edge region of the shower plate. 제1 항에 있어서,
제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는, 기판에 대한 공정 처리가 완료된 이후에
상기 리프트 핀을 상승하도록 제어하고,
상기 어닐링 히터 유닛을 이용하여 기판을 어닐링하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
Further comprising a controller,
The controller, after the process processing for the substrate is completed
The lift pin is controlled to rise,
A substrate processing apparatus for annealing a substrate using the annealing heater unit. 제3 항에있어서,
제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는, 기판에 대한 공정 처리가 완료된 이후에
상기 리프트 핀을 상승하도록 제어하고,
상기 어닐링 히터 유닛과 상기 샤워 헤드 유닛을 이용하여 기판을 어닐링하는 기판 처리 장치.According to claim 3,
Further comprising a controller,
The controller, after the process processing for the substrate is completed
The lift pin is controlled to rise,
A substrate processing apparatus for annealing a substrate using the annealing heater unit and the shower head unit. 제2 항에 있어서,
상기 어닐링 히터 유닛은,
상기 히터판을 상승 구동 시키는 구동기를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The annealing heater unit,
A substrate processing apparatus further comprising a driver for driving the heater plate upward. 제6 항에 있어서,
제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
기판에 대한 공정 처리가 완료된 이후에
상기 리프트 핀을 상승하도록 제어하고,
상기 제1 어닐링 히터를 가열하여 상기 히터판이 설정 온도에 도달하면, 상기 히터판을 기판에 근접하게 상승시키는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
Further comprising a controller,
The controller,
After the processing of the substrate is completed
The lift pin is controlled to rise,
A substrate processing apparatus for heating the first annealing heater to raise the heater plate close to the substrate when the heater plate reaches a set temperature. 제6 항에 있어서,
제어기를 더 포함하고,
상기 샤워 헤드 유닛은,
상기 분배홀이 복수개 형성된 샤워 플레이트와;
상기 샤워 플레이트의 가장자리 영역의 내부에 삽입되는 제2 어닐링 히터를 포함하며,
상기 제어기는,
기판에 대한 공정 처리가 완료된 이후에,
상기 제2 어닐링 히터를 가열하고,
상기 리프트 핀을 상승시켜 상기 샤워 플레이트에 근접하도록 제어하고,
상기 제1 어닐링 히터를 가열하여 상기 히터판이 설정 온도에 도달하면, 상기 히터판을 기판에 근접하게 상승시키는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
Further comprising a controller,
The shower head unit,
A shower plate having a plurality of distribution holes;
And a second annealing heater inserted inside the edge region of the shower plate,
The controller,
After the processing of the substrate is completed,
Heating the second annealing heater,
The lift pin is raised to control to approach the shower plate,
A substrate processing apparatus for heating the first annealing heater to raise the heater plate close to the substrate when the heater plate reaches a set temperature. 제8 항에 있어서,
상기 샤워 플레이트와 기판 사이의 이격 거리와,
상기 히터판과 기판 사이의 이격 거리가 동일하게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The separation distance between the shower plate and the substrate,
A substrate processing apparatus having the same separation distance between the heater plate and the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 어닐링 히터 유닛은,
상기 척 상면에 제공되는 세라믹 박막과;
상기 세라믹 박막에 열을 제공하는 히터를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The annealing heater unit,
A ceramic thin film provided on the upper surface of the chuck;
A substrate processing apparatus including a heater that provides heat to the ceramic thin film. 제1 항의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
공정 챔버에 기판을 이송하는 단계와;
상기 공정 챔버 내의 지지 유닛에 기판을 로딩하는 단계와;
상기 로딩된 상기 기판에 공정 처리 하는 단계와;
상기 기판을 상기 지지 유닛의 상면에서 소정거리 이격시키는 단계와;
기판의 상면과 하면에 열을 공급하여 어닐링하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
In the substrate processing method using the substrate processing apparatus of claim 1,
Transferring the substrate to the process chamber;
Loading a substrate into a support unit in the process chamber;
Processing the loaded substrate;
Separating the substrate by a predetermined distance from an upper surface of the support unit;
And supplying heat to the upper and lower surfaces of the substrate to anneal the substrate.
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