KR102115359B1 - Apparatus and method for cleaning substrate - Google Patents

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KR102115359B1
KR102115359B1 KR1020180161844A KR20180161844A KR102115359B1 KR 102115359 B1 KR102115359 B1 KR 102115359B1 KR 1020180161844 A KR1020180161844 A KR 1020180161844A KR 20180161844 A KR20180161844 A KR 20180161844A KR 102115359 B1 KR102115359 B1 KR 102115359B1
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안준건
강태호
권오진
최세형
방병선
박귀수
이영일
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세메스 주식회사
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Abstract

One embodiment of the present invention provides an apparatus for cleaning a substrate, including: a substrate support unit on which a substrate is loaded; an ultraviolet irradiation unit disposed on an upper side of the substrate support unit and irradiating ultraviolet rays toward the substrate loaded on the substrate support unit; and a cleaning liquid spray unit disposed on the upper side of the substrate support unit and spraying cleaning liquid containing ozone toward the substrate mounted on the substrate support unit. The cleaning liquid spray unit includes a plurality of nozzles arranged in a radial direction from the center of the substrate to spray the cleaning liquid, wherein the flow rate of the cleaning liquid sprayed from the plurality of nozzles is different in a radial direction from the center of the substrate.

Description

기판 세정 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE}Substrate cleaning apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE}

본 발명은 기판에 도포된 포토레지스트를 제거하기 위한 기판 세정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate cleaning apparatus for removing photoresist applied to a substrate.

액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD)와 같은 평판표시장치 또는 반도체 소자의 제조공정은, 절연기판이나 웨이퍼와 같은 대상물(이하, '기판'이라 함) 표면으로 박막 패턴을 형성하는 공정을 다수 반복한다.In the manufacturing process of a flat panel display device such as a liquid crystal display device (LCD) or a semiconductor device, there are many processes of forming a thin film pattern on the surface of an object (hereinafter referred to as a 'substrate') such as an insulating substrate or a wafer. Repeat.

박막 패턴의 형성 방법으로는, 미세구조를 구현할 수 있는 포토리소그라피(Photolithography) 방법이 이용될 수 있다.As a method of forming a thin film pattern, a photolithography method capable of realizing a microstructure may be used.

포토리소그라피 공정은 기판 상에 포토레지스트를 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 통해 패턴을 형성한다. 기판에 패턴을 형성한 이후에는, 불필요하게 된 포토레지스트를 제거하게 된다.In the photolithography process, after applying a photoresist on a substrate, a pattern is formed through an exposure and development process. After the pattern is formed on the substrate, unnecessary photoresist is removed.

기존에는 포토레지스트 제거를 위해 SPM(Sulfuric acid Peroxide Mixture) 용액을 이용한 세정 공정이 개시된 바 있다.Conventionally, a cleaning process using SPM (Sulfuric acid Peroxide Mixture) solution for removing photoresist has been disclosed.

SPM 용액은 황산(H2SO4)을 주성분으로 하는 것으로, 황산은 세정 공정 시 작업자에게 위험 요소로 작용할 수 있다. 또한, SPM 용액을 이용하여 세정 공정을 수행할 경우, 황산 처리 과정이 수반되어야 한다. 황산 처리 과정 시 고가의 처리 비용이 요구되는 한편 환경 오염 문제를 유발할 수 있다.The SPM solution is based on sulfuric acid (H 2 SO 4 ), and sulfuric acid may act as a hazard to workers during the cleaning process. In addition, when the cleaning process is performed using the SPM solution, a sulfuric acid treatment process must be performed. During the sulfuric acid treatment process, an expensive treatment cost is required, but it may cause environmental pollution.

이에 따라, 최근에는 오존을 함유한 세정액(오존+DIW)을 이용하여 기판의 세정 공정을 진행하는 연구가 진행되고 있다.Accordingly, in recent years, research has been conducted using a cleaning solution containing ozone (ozone + DIW) to proceed with the cleaning process of the substrate.

예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 스핀척(10) 상에서 소정 속도로 회전하는 기판(S)의 중심부에 세정액 분사노즐(30)을 통해 오존을 함유한 세정액을 분사하고, 원심력에 의해 기판(S)의 중심부로 분사된 세정액이 기판(S)의 엣지부로 확산되도록 한 기술이 개시된 바 있다. 도면번호 (20)은 자외선 램프이다.For example, as shown in FIG. 1, the cleaning liquid containing ozone is sprayed through the cleaning liquid spraying nozzle 30 to the center of the substrate S rotating at a predetermined speed on the spin chuck 10, and centrifugal force is applied. A technique has been disclosed in which the cleaning liquid sprayed to the center of the substrate S is diffused to the edge portion of the substrate S. Reference numeral 20 is an ultraviolet lamp.

이러한 경우, 기판(S)의 중심부와 엣지부 간에 식각 균일성을 저해할 수 있다. 즉, 기판(S)의 중심부에 비해 엣지부에서 오존 농도가 감소되어 포토레지스트의 식각률이 저하되고, 결과적으로 공정 불량을 유발하는 문제점이 있었다.In this case, etching uniformity may be inhibited between the center portion and the edge portion of the substrate S. That is, there is a problem in that the etch rate of the photoresist decreases due to a decrease in the ozone concentration at the edge portion compared to the center portion of the substrate S, resulting in a process defect.

한국공개특허 10-2008-0099914Korea Patent Publication 10-2008-0099914

본 발명은 기판의 세정 공정 시 기판의 중심부와 엣지부 간에 식각률을 균일하게 유지할 수 있는 기판 세정 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate cleaning apparatus capable of maintaining an etch rate uniformly between a center portion and an edge portion of the substrate during the substrate cleaning process.

본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.The object of the present invention is not limited to the above, and other objects and advantages of the present invention not mentioned can be understood by the following description.

본 발명의 실시예에 의한 기판 세정 장치는, 기판이 로딩되는 기판 지지 유닛; 기판 지지 유닛의 상측에 배치되며, 기판 지지 유닛 상에 로딩된 기판을 향하여 자외선을 조사하는 자외선 조사 유닛; 기판 지지 유닛의 상측에 배치되며, 기판 지지 유닛 상에 탑재된 기판을 향하여 오존을 함유하는 세정액을 분사하는 세정액 분사 유닛;을 포함하고, 세정액 분사 유닛은 기판의 중심으로부터 반경 방향으로 배치되어 세정액을 분사하는 복수의 분사노즐을 포함하며, 복수의 분사노즐로부터 분사되는 세정액의 유량은 기판의 중심으로부터 반경 방향으로 상이할 수 있다.A substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a substrate support unit on which a substrate is loaded; An ultraviolet irradiation unit disposed on an upper side of the substrate support unit and irradiating ultraviolet rays toward a substrate loaded on the substrate support unit; It is disposed on the upper side of the substrate support unit, a cleaning liquid spraying unit for spraying a cleaning liquid containing ozone toward a substrate mounted on the substrate support unit; includes, the cleaning liquid spraying unit is disposed in the radial direction from the center of the substrate to clean the cleaning liquid It includes a plurality of injection nozzles to be injected, the flow rate of the cleaning liquid injected from the plurality of injection nozzles may be different in the radial direction from the center of the substrate.

본 발명의 실시예에서, 분사노즐들은 기판의 중심부에서 엣지부 방향으로 갈수록 직경이 증가할 수 있다. 또는, 분사노즐들은 기판의 중심부에서 엣지부 방향으로 갈수록 설치 개수가 증가할 수 있다. 또는, 분사노즐들은 기판의 중심부에서 엣지부로 갈수록 세정액 분사량이 증가하도록 조절될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the injection nozzles may increase in diameter from the center of the substrate toward the edge. Alternatively, the number of installations of the injection nozzles may increase from the center of the substrate toward the edge. Alternatively, the injection nozzles may be adjusted such that the amount of cleaning liquid injected increases from the center of the substrate to the edge.

또한, 본 발명의 실시예에 의한 기판 세정 장치는, 기판이 로딩되는 기판 지지 유닛; 기판 지지 유닛의 상측에 배치되며, 기판 지지 유닛 상에 로딩된 기판을 향하여 자외선을 조사하는 자외선 조사 유닛; 기판 지지 유닛의 상측에 배치되며, 기판 지지 유닛 상에 탑재된 기판을 향하여 오존을 함유하는 세정액을 분사하는 세정액 분사 유닛;을 포함하고, 세정액 분사 유닛은 상기 기판의 중심으로부터 반경 방향으로 배치되어 세정액을 분사하는 복수의 분사노즐을 포함하며, 기판의 중심부에서 엣지부 방향으로 갈수록 기판에 대해 분사노즐의 높이가 낮아질 수 있다.In addition, the substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, the substrate support unit on which the substrate is loaded; An ultraviolet irradiation unit disposed on an upper side of the substrate support unit and irradiating ultraviolet rays toward a substrate loaded on the substrate support unit; It is disposed on the upper side of the substrate support unit, and a cleaning liquid spraying unit for spraying a cleaning liquid containing ozone toward a substrate mounted on the substrate support unit, wherein the cleaning liquid spraying unit is disposed in a radial direction from the center of the substrate and the cleaning liquid It includes a plurality of injection nozzles for spraying, the height of the injection nozzle with respect to the substrate may be lowered toward the edge portion from the center of the substrate.

또한, 본 발명의 실시예에 의한 기판 세정 방법은, 상기한 기판 세정 장치를 이용하여 기판의 중심으로부터 반경 방향으로 세정액의 유량이 상이하도록 한 것으로서, 기판을 로딩하는 단계; 기판을 회전시키며, 기판에 자외선을 조사하는 단계; 회전하는 기판에 오존이 함유된 세정액을 분사하는 단계;를 포함할 수 있다.In addition, the substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention, by using the above-described substrate cleaning apparatus, the flow rate of the cleaning liquid in the radial direction from the center of the substrate is different, loading the substrate; Rotating the substrate and irradiating the substrate with ultraviolet light; And spraying ozone-containing cleaning liquid onto the rotating substrate.

본 발명의 실시예에서, 세정액을 분사하는 단계에서, 기판의 중심부에서 엣지부 방향으로 갈수록 오존이 함유된 세정액의 유량이 증가할 수 있다. In an embodiment of the present invention, in the step of injecting the cleaning liquid, the flow rate of the cleaning liquid containing ozone may increase as it moves toward the edge portion from the center of the substrate.

본 발명의 실시예에서, 자외선 조사 단계는 150℃ 이상의 온도 조건에서 진행될 수 있다. 또한, 자외선 조사 단계에서, 150~350nm 파장대의 자외선을 기판에 조사할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the ultraviolet irradiation step may be performed at a temperature condition of 150 ° C or higher. In addition, in the ultraviolet irradiation step, ultraviolet rays in the wavelength range of 150 to 350 nm may be irradiated to the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 회전하는 기판의 중심부 및 엣지부에 자외선 조사 및 오존수 분사를 동시에 진행하거나 또는 순차적으로 진행함으로써, 기판에 도포된 포토레지스트의 박리 속도가 현저하게 증가하고, 박리 후 포토레지스트 잔류물이 발생하지 않아 최종 제품의 불량 발생 가능성이 현저하게 감소될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by simultaneously or sequentially sequentially irradiating ultraviolet rays and spraying ozone water to the center and edge portions of the rotating substrate, the peeling speed of the photoresist applied to the substrate is significantly increased, and the photo after peeling Since the resist residue does not occur, the possibility of defectiveness of the final product can be significantly reduced.

또한, 기판의 중심으로부터 반경 방향으로 갈수록 오존이 함유된 세정액의 분사량 또는 오존 농도를 증가시킴으로써, 기판의 회전 시 원심력에 의해 기판의 중심부로부터 엣지부로 유동되는 세정액의 혼합에 의해 기판의 엣지부에 제공되는 오존 농도가 기판의 중심부보다 감소되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 기판의 중심부와 엣지부 간의 식각 불균일을 최소화할 수 있다.Further, by increasing the injection amount or ozone concentration of the ozone-containing cleaning liquid toward the radial direction from the center of the substrate, it is provided to the edge portion of the substrate by mixing the cleaning liquid flowing from the center portion of the substrate to the edge portion by centrifugal force when the substrate is rotated. It is possible to prevent the ozone concentration to be reduced from the center of the substrate. Accordingly, it is possible to minimize etch unevenness between the center portion and the edge portion of the substrate.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and include all effects that can be deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이다. 따라서, 본 발명은 이러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석될 필요는 없다.
도 1은 종래 기술에 의한 기판 세정 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 세정 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 세정 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 의한 기판 세정 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 기판 세정 방법을 개략적으로 도시한 흐름도이다.The following drawings attached to the present specification illustrate preferred embodiments of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention together with the detailed description of the invention described below. Therefore, the present invention is limited to only those described in these drawings and need not be interpreted.
1 is a view schematically showing a substrate cleaning apparatus according to the prior art.
2 is a view schematically showing a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 and 4 are views schematically showing a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.
5 is a view schematically showing a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.
6 is a flowchart schematically illustrating a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 본 발명의 본질과 관계없는 부분은 그에 대한 상세한 설명을 생략할 수 있으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여할 수 있다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the essence of the present invention may be omitted, and the same reference numerals may be assigned to the same or similar elements throughout the specification.

또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 여기서 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것으로서 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.Also, when a part is said to "include" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components, unless otherwise stated. The terminology used herein is only for referring to a specific embodiment and is not intended to limit the present invention, and is a concept understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains unless otherwise defined herein. Can be interpreted.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 세정 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a view schematically showing a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참고하면, 제1실시예에 의한 기판 세정 장치(100)는 기판 지지 유닛(110), 자외선 조사 유닛(120), 세정액 분사 유닛(130)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate cleaning apparatus 100 according to the first embodiment includes a substrate support unit 110, an ultraviolet irradiation unit 120, and a cleaning liquid spraying unit 130.

기판 지지 유닛(110)은 기판(S)이 안착되는 스핀척(111)을 포함한다. 스핀척(111)은 기판(S)이 안착되도록 평판 형태로 형성될 수 있다. 스핀척(111)은 소정 속도로 회전 가능하게 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판 지지 유닛(110)은 스핀척(111)을 회전시키는 회전축(도시 생략)을 포함할 수 있다. 회전축은 스핀척(111)의 하측 중앙에 구비되고, 회전력을 제공하는 회전구동부(도시 생략)에 연결될 수 있다. 따라서, 회전축은 회전구동부로부터 전달된 회전력으로 스핀척(111)을 회전시킬 수 있다.The substrate support unit 110 includes a spin chuck 111 on which the substrate S is seated. The spin chuck 111 may be formed in a flat plate shape so that the substrate S is seated. Spin chuck 111 may be configured to be rotatable at a predetermined speed. For example, the substrate support unit 110 may include an axis of rotation (not shown) for rotating the spin chuck 111. The rotation shaft is provided at the lower center of the spin chuck 111 and may be connected to a rotation driving unit (not shown) that provides rotational force. Therefore, the rotation shaft can rotate the spin chuck 111 with the rotational force transmitted from the rotation driving unit.

스핀척(111)의 상면에는 척핀(112)이 구비될 수 있다. 척핀(112)은 스핀척(111) 상의 엣지부에 복수 구비되어 기판(S)을 지지한다. 기판(S)은 척핀(112)에 의해 스핀척(111)과 소정 간격 이격된 상태로 스핀척(111) 상에 로딩될 수 있다.A chuck pin 112 may be provided on the upper surface of the spin chuck 111. The chuck pin 112 is provided with a plurality of edge portions on the spin chuck 111 to support the substrate S. The substrate S may be loaded on the spin chuck 111 in a state spaced apart from the spin chuck 111 by a chuck pin 112.

한편, 스핀척(111)의 중앙에는 백노즐(Back-side nozzle, 113)이 더 구비될 수 있다. 백노즐(113)은 기판(S)의 저면에 고온의 DIW(DI Water)를 분사할 수 있다. 기판(S)의 저면에 공급된 고온의 DIW에 의해 기판(S)은 공정 진행 시 요구되는 온도를 유지할 수 있고, 이에 따라 세정 반응이 촉진될 수 있다.Meanwhile, a back-side nozzle 113 may be further provided at the center of the spin chuck 111. The back nozzle 113 may spray high-temperature DIW (DI Water) on the bottom surface of the substrate S. The high temperature DIW supplied to the bottom surface of the substrate S allows the substrate S to maintain a required temperature during the process, and thus a cleaning reaction can be accelerated.

자외선 조사 유닛(120)은 램프 홀더(121) 및 자외선 램프(122)를 포함할 수 있다.The ultraviolet irradiation unit 120 may include a lamp holder 121 and an ultraviolet lamp 122.

램프 홀더(121)는 자외선 램프(122)를 지지한다. 램프 홀더(121)는 이동 가능하게 구성될 수 있다. 예를 들면, 램프 홀더(121)는 이동유닛(도시 생략)에 연결될 수 있다. 이동유닛은 램프 홀더(121)의 승강 작동, 수평 이동 및 회전을 가능하게 할 수 있다. 따라서, 램프 홀더(121)는 대기 위치에서 이동유닛에 의해 이동하여 기판(S) 상에 배치되고, 공정 진행 후 대기 위치로 복귀될 수 있다.The lamp holder 121 supports the ultraviolet lamp 122. The lamp holder 121 may be configured to be movable. For example, the lamp holder 121 may be connected to a mobile unit (not shown). The moving unit may enable the lifting operation, horizontal movement, and rotation of the lamp holder 121. Therefore, the lamp holder 121 is moved on the substrate S by being moved by the moving unit in the standby position, and can be returned to the standby position after processing.

자외선 램프(122)는 스핀척(111) 상에 안착된 기판(S)에 자외선을 조사한다. 자외선 램프(122)는 기판(S)의 반경 길이와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 즉, 자외선 램프(122)의 일단은 기판(S)의 중심부에 위치하고 타단은 기판(S)의 엣지부에 위치할 수 있다. 따라서, 자외선 램프(122)는 기판(S)의 중심부에서부터 엣지부까지 동시에 자외선을 조사할 수 있다. 자외선은 기판(S)의 표면을 개질시킬 수 있다. 예를 들면, 자외선은 기판(S)에 도포된 포토레지스트를 단량체로 분해할 수 있다.The ultraviolet lamp 122 irradiates ultraviolet rays on the substrate S mounted on the spin chuck 111. The ultraviolet lamp 122 may have a length corresponding to the radius length of the substrate S. That is, one end of the ultraviolet lamp 122 may be located at the center of the substrate S and the other end may be located at the edge of the substrate S. Therefore, the ultraviolet lamp 122 can simultaneously irradiate ultraviolet light from the center of the substrate S to the edge. Ultraviolet rays can modify the surface of the substrate S. For example, ultraviolet rays can decompose the photoresist applied to the substrate S into monomers.

세정액 분사 유닛(130)은 노즐 홀더(131) 및 분사노즐(132)을 포함할 수 있다.The cleaning liquid injection unit 130 may include a nozzle holder 131 and a spray nozzle 132.

노즐 홀더(131)는 기판(S)의 반경 길이와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 즉, 노즐 홀더(131)의 일단은 기판(S)의 중심부에 위치하고 타단은 기판(S)의 엣지부에 위치할 수 있다.The nozzle holder 131 may have a length corresponding to the radius length of the substrate S. That is, one end of the nozzle holder 131 may be located at the center of the substrate S and the other end may be located at the edge of the substrate S.

노즐 홀더(131)는 이동 가능하게 구성될 수 있다. 예를 들면, 노즐 홀더(131)는 이동유닛(도시 생략)에 연결될 수 있다. 이동유닛은 노즐 홀더(131)의 승강 작동, 수평 이동 및 회전을 가능하게 할 수 있다. 따라서, 노즐 홀더(131)는 대기 위치에서 이동유닛에 의해 이동하여 기판(S) 상에 배치되고, 공정 진행 후 대기 위치로 복귀될 수 있다.The nozzle holder 131 may be configured to be movable. For example, the nozzle holder 131 may be connected to a mobile unit (not shown). The moving unit may enable lifting and lowering of the nozzle holder 131, horizontal movement, and rotation. Therefore, the nozzle holder 131 is moved on the substrate S by being moved by the moving unit in the standby position, and can be returned to the standby position after processing.

분사노즐(132)은 스핀척(111) 상에 안착된 기판(S)에 오존이 함유된 세정액을 분사한다. 오존이 함유된 세정액은 기판(S) 상에 도포된 포토레지스트를 식각할 수 있다.The injection nozzle 132 injects a cleaning solution containing ozone onto the substrate S mounted on the spin chuck 111. The cleaning solution containing ozone may etch the photoresist applied on the substrate S.

분사노즐(132)은 노즐 홀더(131)의 하부에 노즐 홀더(131)의 길이 방향 즉, 기판의 반경 방향으로 복수 형성될 수 있다. 따라서, 노즐 홀더(131)로 공급된 세정액은 각 분사노즐(132)로 분배되며, 세정액 분사 유닛(130)은 기판(S)의 반경과 대응되는 세정액 분사 범위를 가질 수 있다.The injection nozzle 132 may be formed in a plurality in the longitudinal direction of the nozzle holder 131, that is, in the radial direction of the substrate, under the nozzle holder 131. Therefore, the cleaning liquid supplied to the nozzle holder 131 is distributed to each injection nozzle 132, and the cleaning liquid injection unit 130 may have a cleaning liquid injection range corresponding to the radius of the substrate S.

한편, 기판(S)의 중심부에 분사된 세정액은 기판(S)의 회전에 따른 원심력에 의해 엣지부 쪽으로 이동하게 되고, 공기와 접촉하여 오존 농도가 감소된 상태로(묽어진 채로) 엣지부에 분사된 세정액과 혼합된다. 이에 따라 기판(S)의 중심부와 엣지부 간에 오존 농도에 차이가 발생할 수 있다. 즉, 기판(S)의 엣지부에도 기판의 중심부와 동일한 오존 농도의 세정액이 분사되지만 실제로는 낮은 오존 농도의 세정액으로 공정을 진행하게 되는 것이다. 이에 따라, 기판(S)의 영역에 따라 포토레지스트의 식각량이 불균일하게 될 수 있다.On the other hand, the cleaning solution sprayed to the center of the substrate S is moved toward the edge portion by centrifugal force according to the rotation of the substrate S, and in contact with air, the ozone concentration is reduced (with dilution) to the edge portion It is mixed with the sprayed cleaning solution. Accordingly, a difference in ozone concentration may occur between the center portion and the edge portion of the substrate S. That is, although the cleaning solution of the same ozone concentration as the center of the substrate is sprayed on the edge portion of the substrate S, the process proceeds with the cleaning solution of a low ozone concentration. Accordingly, the etching amount of the photoresist may be uneven depending on the region of the substrate S.

이를 해소할 수 있도록, 제1실시예의 분사노즐(132)들은 서로 다른 직경의 분사구를 가질 수 있다. 예를 들면, 분사노즐(132)들은 기판(S)의 중심부에서 엣지부로 갈수록 분사구의 직경이 점차 증가하도록 노즐 홀더(131)에 배치될 수 있다. 이에 따라, 기판(S)의 중심부에서 엣지부로 갈수록 세정액의 분사량이 증가할 수 있다.To solve this, the injection nozzles 132 of the first embodiment may have different diameter injection holes. For example, the injection nozzles 132 may be disposed in the nozzle holder 131 such that the diameter of the injection port gradually increases from the center of the substrate S to the edge portion. Accordingly, the injection amount of the cleaning liquid may increase as it goes from the center of the substrate S to the edge.

기판(S)의 중심부에서 엣지부로 갈수록 분사노즐(132)의 분사구 직경이 증가되면, 기판(S)의 엣지부로 갈수록 세정액의 분사량이 증가하게 되고, 기판(S)의 중심부에 분사된 세정액이 엣지부로 이동하면서 엣지부에 분사된 세정액과 혼합되더라도 기판 상의 전체 오존 농도는 일정하게 조절될 수 있다. 이에 따라, 영역에 상관 없이 기판(S)의 포토레지스트 식각량을 균일하게 제어할 수 있다.When the diameter of the injection hole of the injection nozzle 132 increases as it goes from the center of the substrate S to the edge portion, the amount of the cleaning liquid injected increases toward the edge portion of the substrate S, and the cleaning liquid sprayed at the center of the substrate S edge The total ozone concentration on the substrate can be constantly adjusted even when mixed with the cleaning liquid sprayed on the edge portion while moving to the negative portion. Accordingly, the amount of etching of the photoresist on the substrate S can be uniformly controlled regardless of the region.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 세정 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.3 is a view schematically showing a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 3을 참고하면, 제2실시예에 의한 기판 세정 장치(100)는 기판 지지 유닛(110), 자외선 조사 유닛(120), 세정액 분사 유닛(140)을 포함한다. 이때, 기판 지지 유닛(110), 자외선 조사 유닛(120)은 제1실시예의 구성과 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 3, the substrate cleaning apparatus 100 according to the second embodiment includes a substrate support unit 110, an ultraviolet irradiation unit 120, and a cleaning liquid spraying unit 140. At this time, since the substrate support unit 110 and the ultraviolet irradiation unit 120 are the same or similar to those of the first embodiment, detailed descriptions thereof will be omitted.

세정액 분사 유닛(140)은 노즐 홀더(141) 및 분사노즐(142)을 포함할 수 있다.The cleaning liquid injection unit 140 may include a nozzle holder 141 and a spray nozzle 142.

노즐 홀더(141)는 기판(S)의 반경 길이와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 즉, 노즐 홀더(141)의 일단은 기판(S)의 중심부에 위치하고 타단은 기판(S)의 엣지부에 위치할 수 있다.The nozzle holder 141 may have a length corresponding to the radius length of the substrate S. That is, one end of the nozzle holder 141 may be located at the center of the substrate S and the other end may be located at the edge of the substrate S.

분사노즐(142)은 스핀척(111) 상에 안착된 기판(S)에 오존이 함유된 세정액을 분사한다. 오존이 함유된 세정액은 기판(S) 상에 도포된 포토레지스트를 식각할 수 있다. 분사노즐(142)은 노즐 홀더(141)의 하부에 노즐 홀더(141)의 길이 방향으로 복수 형성될 수 있다.The spray nozzle 142 sprays the cleaning solution containing ozone onto the substrate S mounted on the spin chuck 111. The cleaning solution containing ozone may etch the photoresist applied on the substrate S. The injection nozzle 142 may be formed in a plurality in the longitudinal direction of the nozzle holder 141 under the nozzle holder 141.

한편, 제2실시예의 분사노즐(142)들은 기판(S)의 중심부에서 엣지부 방향으로 갈수록 설치 개수가 증가하도록 노즐 홀더(141)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 분사노즐(142)들은 평면에서 볼 때 기판의 중심부에서 엣지부 측으로 설치 개수가 증가하는 삼각 형상으로 노즐 홀더(141)에 배열될 수 있다. 이에 따라, 기판(S)의 중심부에서 엣지부로 갈수록 세정액의 분사량이 증가할 수 있다.Meanwhile, the injection nozzles 142 of the second embodiment may be disposed in the nozzle holder 141 so that the number of installations increases from the center of the substrate S toward the edge. For example, the spray nozzles 142 may be arranged in the nozzle holder 141 in a triangular shape in which the number of installations increases from the center of the substrate toward the edge when viewed from a plane. Accordingly, the injection amount of the cleaning liquid may increase as it goes from the center of the substrate S to the edge.

또한, 분사노즐(152)들은 평면에서 볼 때 도 4와 같이 부채꼴 형상으로 노즐 홀더(151)에 배열될 수도 있다. 즉, 분사노즐(152)들은 소정의 곡률을 갖는 원호 형태로 배치될 수 있다. 이때, 배치된 분사노즐(152)들의 곡률은 기판(S)의 곡률과 대응될 수 있다.In addition, the injection nozzles 152 may be arranged in a fan-shaped nozzle holder 151 as shown in FIG. 4 when viewed from a plane. That is, the injection nozzles 152 may be arranged in an arc shape having a predetermined curvature. At this time, the curvature of the disposed injection nozzles 152 may correspond to the curvature of the substrate S.

기판(S)의 중심부에서 엣지부로 갈수록 분사노즐(142)의 설치 개수가 증가되면, 기판(S)의 엣지부로 갈수록 세정액의 분사량이 증가하게 되고, 기판(S)의 중심부에 분사된 세정액이 엣지부로 이동하면서 엣지부에 분사된 세정액과 혼합되더라도 기판 상의 전체 오존 농도는 일정하게 조절될 수 있다. 이에 따라, 영역에 상관 없이 기판(S)의 포토레지스트 식각량을 균일하게 제어할 수 있다.When the installation number of the injection nozzles 142 increases from the center of the substrate S toward the edge, the injection amount of the cleaning liquid increases toward the edge of the substrate S, and the cleaning liquid sprayed on the center of the substrate S is edged. The total ozone concentration on the substrate can be constantly adjusted even when mixed with the cleaning liquid sprayed on the edge portion while moving to the negative portion. Accordingly, the amount of etching of the photoresist on the substrate S can be uniformly controlled regardless of the region.

도 5는 본 발명의 제3실시예에 의한 기판 세정 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.5 is a view schematically showing a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참고하면, 제3실시예에 의한 기판 세정 장치(100)는 기판 지지 유닛(110), 자외선 조사 유닛(120), 세정액 분사 유닛(160)을 포함한다. 이때, 기판 지지 유닛(110), 자외선 조사 유닛(120)은 제1실시예의 구성과 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 5, the substrate cleaning apparatus 100 according to the third embodiment includes a substrate support unit 110, an ultraviolet irradiation unit 120, and a cleaning liquid spraying unit 160. At this time, since the substrate support unit 110 and the ultraviolet irradiation unit 120 are the same or similar to those of the first embodiment, detailed descriptions thereof will be omitted.

세정액 분사 유닛(160)은 노즐 홀더(161) 및 분사노즐(162)을 포함할 수 있다.The cleaning liquid injection unit 160 may include a nozzle holder 161 and a spray nozzle 162.

노즐 홀더(161)는 기판(S)의 반경 길이와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 즉, 노즐 홀더(161)의 일단은 기판(S)의 중심부에 위치하고 타단은 기판(S)의 엣지부에 위치할 수 있다.The nozzle holder 161 may have a length corresponding to the radius length of the substrate S. That is, one end of the nozzle holder 161 may be located at the center of the substrate S and the other end may be located at the edge of the substrate S.

분사노즐(162)은 스핀척(111) 상에 안착된 기판(S)에 오존이 함유된 세정액을 분사한다. 오존이 함유된 세정액은 기판(S) 상에 도포된 포토레지스트를 식각할 수 있다. 분사노즐(162)은 노즐 홀더(161)의 하부에 노즐 홀더(161)의 길이 방향으로 복수 형성될 수 있다.The spray nozzle 162 sprays the cleaning solution containing ozone on the substrate S seated on the spin chuck 111. The cleaning solution containing ozone may etch the photoresist applied on the substrate S. The injection nozzle 162 may be formed in a plurality in the longitudinal direction of the nozzle holder 161 under the nozzle holder 161.

한편, 기판(S)의 중심부에 분사된 세정액은 기판(S)의 회전에 따른 원심력에 의해 엣지부 쪽으로 이동하면서 오존 농도가 감소된 채로(묽어진 채로) 엣지부에 분사된 세정액과 혼합된다. 이에 따라 기판(S)의 중심부와 엣지부 간에는 오존 농도에 차이가 발생할 수 있다. 즉, 기판(S)의 엣지부에도 기판의 중심부와 동일한 오존 농도의 세정액이 분사되지만 실제로는 낮은 오존 농도의 세정액으로 공정을 진행하게 되는 것이다. 이에 따라, 기판(S)의 영역에 따라 포토레지스트의 식각량이 불균일하게 될 수 있다.On the other hand, the cleaning liquid sprayed on the center of the substrate S is mixed with the cleaning liquid sprayed on the edge portion while the ozone concentration is reduced (diluted) while moving toward the edge portion by centrifugal force according to the rotation of the substrate S. Accordingly, a difference in ozone concentration may occur between the center portion and the edge portion of the substrate S. That is, although the cleaning solution of the same ozone concentration as the center of the substrate is sprayed on the edge portion of the substrate S, the process proceeds with the cleaning solution of a low ozone concentration. Accordingly, the etching amount of the photoresist may be uneven depending on the region of the substrate S.

또한, 세정액에 포함된 오존은 공기에 노출되는 순간, 그 농도가 감소된다. 즉, 오존이 함유된 세정액이 분사노즐(162)로부터 기판(S)에 분사될 때 그 거리가 증가하면 오존의 농도가 감소하게 된다. 이에 따라 기판(S)에 도포된 포토레지스트의 식각량이 감소될 수 있다.In addition, the concentration of ozone contained in the cleaning liquid is reduced upon exposure to air. That is, when the cleaning solution containing ozone is injected from the injection nozzle 162 onto the substrate S, the concentration of ozone decreases when the distance increases. Accordingly, the etching amount of the photoresist applied to the substrate S may be reduced.

제3실시예에서는 분사노즐(162)들 중 적어도 하나는 기판(S)에 대해 상이한 높이를 가질 수 있다. 예를 들면, 분사노즐(162)들은 기판(S)의 중심부에서 엣지부 방향으로 갈수록 기판(S)에 대해 분사노즐(162)의 높이가 낮아지도록 노즐 홀더(161)에 배치될 수 있다. 이에 따라, 기판(S)의 중심부에서 엣지부로 갈수록 오존의 농도를 최대한 유지한 상태에서 세정액이 기판(S)에 분사될 수 있다.In the third embodiment, at least one of the injection nozzles 162 may have a different height with respect to the substrate S. For example, the injection nozzles 162 may be disposed in the nozzle holder 161 such that the height of the injection nozzle 162 with respect to the substrate S decreases toward the edge portion from the center of the substrate S. Accordingly, the cleaning liquid may be sprayed onto the substrate S while maintaining the concentration of ozone as much as possible from the center of the substrate S to the edge.

기판(S)의 중심부에서 엣지부로 갈수록 기판에 대한 분사노즐(142)의 이격 거리가 감소하도록 분사노즐이 설치되면, 기판(S)의 엣지부로 갈수록 오존 농도가 최대한 유지될 수 있고, 기판(S)의 중심부에 분사된 세정액이 엣지부로 이동하면서 엣지부에 분사된 세정액과 혼합되더라도 기판의 중심부와 엣지부 간의 오존 농도는 일정하게 조절될 수 있다. 이에 따라, 영역에 상관 없이 기판(S)의 포토레지스트 식각량을 균일하게 제어할 수 있다.When the injection nozzle is installed to decrease the separation distance of the injection nozzle 142 to the substrate from the center of the substrate S to the edge portion, the ozone concentration can be maintained as much as possible toward the edge portion of the substrate S, and the substrate S ) Even when the cleaning liquid sprayed at the center portion is mixed with the cleaning liquid sprayed at the edge portion while moving to the edge portion, the ozone concentration between the center portion and the edge portion of the substrate can be constantly adjusted. Accordingly, the amount of etching of the photoresist on the substrate S can be uniformly controlled regardless of the region.

본 발명의 실시예에 의한 기판 세정 장치를 이용하여 기판을 세정하는 방법을 도 6을 참고하여 설명하면 다음과 같다.A method of cleaning the substrate using the substrate cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6 as follows.

기판(S)은 로봇암 등의 이송부재에 의해 이송되어 스핀척 상에 로딩된다(S10).The substrate S is transferred by a transfer member such as a robot arm and loaded onto the spin chuck (S10).

기판이 스핀척에 로딩되면, 자외선 램프를 기판(S)의 상측에 대응 배치한다. 이 경우, 자외선 램프와 기판(S) 간의 거리는 짧을수록 좋으며, 대략 5mm 이하로 유지하는 것이 바람직하다.When the substrate is loaded onto the spin chuck, an ultraviolet lamp is disposed corresponding to the upper side of the substrate S. In this case, the shorter the distance between the ultraviolet lamp and the substrate S, the better, and preferably maintained at about 5 mm or less.

그 후, 스핀척에 의해 기판(S)을 회전시키면서 자외선 램프로부터 자외선을 기판(S) 상으로 조사한다(S20). 자외선은 포토레지스트의 표면을 개질시키고 또한 유기물을 분해시킨다.Thereafter, while rotating the substrate S by a spin chuck, ultraviolet rays are irradiated onto the substrate S from an ultraviolet lamp (S20). UV light modifies the surface of the photoresist and also decomposes organic matter.

자외선 조사 단계에서, 150~350nm 파장대의 자외선을 기판(S)에 조사할 수 있다. 상기한 파장대 범위에서 전기적 아킹(Arching) 발생이 최소화될 수 있다. 따라서, 기판(S)의 손상 없이 세정 공정을 진행할 수 있다.In the ultraviolet irradiation step, ultraviolet rays in the wavelength range of 150 to 350 nm may be irradiated to the substrate S. The occurrence of electric arcing in the above-described wavelength band range may be minimized. Therefore, the cleaning process can be performed without damaging the substrate S.

다음으로, 세정액 분사 유닛이 자외선 램프와는 물리적인 간섭 없이 기판의 상측에 대응 배치되고, 복수의 분사노즐로부터 오존이 함유된 세정액이 기판 상으로 분사된다(S30). 오존이 함유된 세정액은 포토레지스트를 식각한다. 이때, 포토레지스트는 이미 자외선에 의해 표면이 개질되고 유기물이 분해된 상태이므로, 오존수에 의한 포토레지스트의 식각이 빠르게 진행될 수 있다.Next, the cleaning liquid spraying unit is disposed on the upper side of the substrate without physical interference with the ultraviolet lamp, and the cleaning liquid containing ozone is sprayed onto the substrate from a plurality of spray nozzles (S30). The ozone-containing cleaning solution etches the photoresist. At this time, since the photoresist has already been modified by ultraviolet rays and the organic material is decomposed, etching of the photoresist by ozone water may proceed rapidly.

세정액 분사량은 기판의 중심부에서 엣지부로 갈수록 증가할 수 있다. 예를 들면, 기판의 중심부에서 엣지부로 갈수록 분사노즐들의 분사구 직경을 증가시키거나, 노즐 홀더에 구비되는 분사노즐들의 설치 개수를 증가시킴으로써 세정액 분사량을 증가시킬 수 있다. 또한, 각 분사노즐들로 제공되는 공급량 또는 각 분사노즐들로부터 토출되는 분사량을 단위별 또는 영역별로 조절하는 제어부(도시 생략)를 구비하고, 제어부는 기판의 중심부에서 엣지부로 갈수록 세정액 분사량이 증가하도록 분사노즐들을 제어할 수 있다.The amount of cleaning solution injected may increase from the center of the substrate to the edge. For example, as the diameter of the injection nozzles increases from the center of the substrate toward the edge portion, the amount of cleaning liquid sprayed can be increased by increasing the number of nozzles provided in the nozzle holder. In addition, a control unit (not shown) is provided to adjust the supply amount provided to each injection nozzle or the injection amount discharged from each injection nozzle by unit or region (not shown), and the control unit increases the amount of cleaning liquid sprayed toward the edge portion from the center of the substrate. The spray nozzles can be controlled.

또는, 세정액의 분사 높이는 기판의 중심부에서 엣지부로 갈수록 낮아질 수 있다. 이에 따라, 기판의 중심부와 엣지부 간에 오존의 농도가 균일하게 유지될 수 있고, 결과적으로 기판의 포토레지스트 식각 균일도를 향상시킬 수 있다.Alternatively, the spray height of the cleaning liquid may be lowered toward the edge portion from the center of the substrate. Accordingly, the concentration of ozone can be uniformly maintained between the center portion and the edge portion of the substrate, and as a result, the photoresist etching uniformity of the substrate can be improved.

한편, 세정액을 분사할 때, 자외선 램프는 원래의 대기 위치로 복귀될 수 있다. 또는, 자외선 램프에 의한 자외선 조사 과정과 세정액 분사노즐에 의한 세정액 분사 과정이 동시에 진행될 수도 있다.On the other hand, when spraying the cleaning liquid, the ultraviolet lamp can be returned to the original standby position. Alternatively, the process of irradiating the ultraviolet light with the ultraviolet lamp and the process of dispensing the cleaning solution using the cleaning liquid spray nozzle may be simultaneously performed.

자외선 조사 및 세정액 분사는 고온의 온도 조건에서 진행할수록 식각량 역시 증가할 수 있다. 구체적으로, 자외선 조사 및 세정액 분사는 기판의 온도가 100℃ 이상의 온도 조건에서 진행되는 것이 바람직하다. 100℃ 미만의 온도 조건에서 자외선을 조사하거나 세정액을 분사할 경우 원하는 식각량에 도달하지 못할 수 있다.The amount of etching may also increase as UV irradiation and cleaning solution injection proceed at high temperature conditions. Specifically, it is preferable that the temperature of the substrate is performed at a temperature condition of 100 ° C. or higher for ultraviolet irradiation and spraying of the cleaning solution. When irradiating ultraviolet rays or spraying a cleaning solution under a temperature condition of less than 100 ° C, a desired etch amount may not be reached.

기판의 온도를 100℃ 이상으로 유지하기 위한 일 예로서, 기판의 저면에 배치된 백노즐로부터 고온(예를 들면, 150℃)의 DIW를 분사할 수 있다. 또 다른 예로서, 기판이 로딩되는 스핀척에 열선을 구비하고, 열선에 의해 기판의 온도가 100℃ 이상으로 상승하도록 할 수 있다.As an example for maintaining the temperature of the substrate at 100 ° C or higher, DIW at a high temperature (eg, 150 ° C) may be injected from a back nozzle disposed on the bottom surface of the substrate. As another example, the spin chuck on which the substrate is loaded may be provided with a heating wire, and the temperature of the substrate may be raised to 100 ° C. or higher by the heating wire.

포토레지스트의 박리 및 세정이 완료되면, 기판(S)은 언로딩된다(S40).When the peeling and cleaning of the photoresist is completed, the substrate S is unloaded (S40).

본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.Since those skilled in the art to which the present invention pertains can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention, the embodiments described above are illustrative in all respects and should be understood as non-limiting. Only.

본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be interpreted to be included in the scope of the present invention. .

100; 기판 세정 장치
110; 기판 지지 유닛
111; 스핀척
112; 척핀
113; 백노즐
120; 자외선 조사 유닛
121; 램프 홀더
122; 자외선 램프
130, 140, 150, 160; 세정액 분사 유닛
131, 141, 151, 161; 노즐 홀더
132, 142, 152, 162; 분사노즐100; Substrate cleaning device
110; Substrate support unit
111; Spin chuck
112; Chuck pin
113; Back nozzle
120; UV irradiation unit
121; Lamp holder
122; UV lamp
130, 140, 150, 160; Cleaning liquid spray unit
131, 141, 151, 161; Nozzle holder
132, 142, 152, 162; Spray nozzle

Claims (10)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판이 로딩되는 기판 지지 유닛;
상기 기판 지지 유닛의 상측에 배치되며, 상기 기판 지지 유닛 상에 로딩된 기판을 향하여 자외선을 조사하는 자외선 조사 유닛;
상기 기판 지지 유닛의 상측에 배치되며, 상기 기판 지지 유닛 상에 탑재된 기판을 향하여 오존을 함유하는 세정액을 분사하는 세정액 분사 유닛;을 포함하고,
상기 세정액 분사 유닛은 상기 기판의 중심으로부터 반경 방향으로 배치되어 세정액을 분사하는 복수의 분사노즐을 포함하며,
상기 기판의 중심부에서 엣지부 방향으로 갈수록 기판에 대해 분사노즐의 높이가 낮아지는 기판 세정 장치.
A substrate support unit on which the substrate is loaded;
An ultraviolet irradiation unit disposed on an upper side of the substrate support unit and irradiating ultraviolet rays toward a substrate loaded on the substrate support unit;
It includes a cleaning liquid injection unit which is disposed on the upper side of the substrate support unit, and injects a cleaning liquid containing ozone toward a substrate mounted on the substrate support unit.
The cleaning liquid spray unit includes a plurality of spray nozzles arranged in a radial direction from the center of the substrate to spray the cleaning liquid,
The substrate cleaning apparatus in which the height of the injection nozzle is lowered with respect to the substrate as it goes toward the edge from the center of the substrate.
제5 항에 따른 기판 세정 장치를 이용한 기판 세정 방법으로서,
기판을 로딩하는 단계;
기판을 회전시키며, 기판에 자외선을 조사하는 단계;
회전하는 기판에 오존이 함유된 세정액을 분사하는 단계;
를 포함하는 기판 세정 방법.
 As a substrate cleaning method using the substrate cleaning apparatus according to claim 5 ,
Loading a substrate;
Rotating the substrate and irradiating the substrate with ultraviolet light;
Spraying ozone-containing cleaning liquid onto the rotating substrate;
A substrate cleaning method comprising a.
제6항에 있어서,
상기 세정액을 분사하는 단계에서, 상기 기판의 중심부에서 엣지부 방향으로 갈수록 오존이 함유된 세정액의 유량이 증가하는 기판 세정 방법.
The method of claim 6,
In the step of spraying the cleaning liquid, the substrate cleaning method in which the flow rate of the cleaning liquid containing ozone increases from the center of the substrate toward the edge portion.
제6항에 있어서,
상기 자외선을 조사하는 단계 및 세정액을 분사하는 단계는, 기판의 온도가 100℃ 이상의 온도 조건에서 진행되는 기판 세정 방법.
The method of claim 6,
The step of irradiating the ultraviolet rays and the step of spraying the cleaning liquid, the substrate cleaning method in which the temperature of the substrate proceeds at a temperature condition of 100 ℃ or more.
제8항에 있어서,
상기 기판의 저면에 고온의 DIW를 분사하는 기판 세정 방법.
The method of claim 8,
A substrate cleaning method injecting high-temperature DIW to the bottom surface of the substrate.
제6항에 있어서,
상기 자외선을 조사하는 단계에서, 150~350nm 파장대의 자외선을 기판에 조사하는 기판 세정 방법.The method of claim 6,
In the step of irradiating the ultraviolet rays, the substrate cleaning method for irradiating ultraviolet rays on the substrate in the wavelength range of 150 ~ 350nm.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002134401A (en) * 2000-07-04 2002-05-10 Seiko Epson Corp Substrate processing method, substrate processing device, and method of manufacturing electronic device
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