KR102111143B1 - 반도체 온-칩 안테나 - Google Patents

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KR102111143B1
KR102111143B1 KR1020190015157A KR20190015157A KR102111143B1 KR 102111143 B1 KR102111143 B1 KR 102111143B1 KR 1020190015157 A KR1020190015157 A KR 1020190015157A KR 20190015157 A KR20190015157 A KR 20190015157A KR 102111143 B1 KR102111143 B1 KR 102111143B1
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최원석
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국방과학연구소
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나는, 반도체 기판; 상기 기판의 상면 상에 형성되는 최하층 금속층 - 상기 최하층 금속층은 결함 접지 구조(DGS; Defected Ground Structure)를 제공함 -; 차상층 금속층에 형성되어 상기 결함 접지 구조(DGS) 위에 배치되는 방사 안테나 - 상기 방사 안테나는 급전 선로에 연결됨 -; 및 최상층 금속층에 형성되어 상기 방사 안테나 위에 배치되는 공진 방사체 - 상기 공진 방사체는 상기 방사 안테나로부터 전력을 공급 받아 전자기파를 방사함 - 를 포함한다.

Description

반도체 온-칩 안테나{SEMICONDUCTOR ON-CHIP ANTENNA}
본 발명은 반도체 온-칩 안테나에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 결함 접지 구조(DGS; Defected Ground Structure)를 이용한 반도체 온-칩 안테나에 관한 것이다.
안테나는 무선 통신, 이미징, 센서, 레이다 등의 프론트-엔드 단에 필수적으로 사용된다. 반도체 집적회로로 구현되는 프론트-엔드(front-end) 회로들과는 달리 안테나는 임피던스 정합, 방향성, 방사 효율, 대역폭 등의 특성을 최적화하기 위하여 반도체 기판보다 우수한 특성을 가지는 저손실 저가격 기판을 사용하여 오프-칩으로 구현될 수 있다.
하지만, 이러한 오프-칩 안테나의 경우, 일반적인 안테나 특성은 우수하나, 프론트-엔드 칩과의 연결을 위하여 본딩과 패키징이 필요하게 되는데, 밀리미터파 대역이나 테라헤르츠 대역에서는 이러한 본딩과 패키징에 의한 특성 저하가 심각하게 발생하게 된다. 또한, 안테나의 크기가 증가하고 재현성이 떨어져서 제작 비용의 증가를 가져오게 되는 단점이 있다.
이러한 단점을 해결하는 방법 중에 하나는 반도체 집적회로 즉, 칩에 집적화된 온-칩 안테나(on-chip antenna)를 구현하는 것이다. 즉, 다이폴, 슬롯, 패치 안테나와 같은 평면 형태의 안테나를 실리콘 CMOS와 같은 반도체 공정으로 설계 및 제작하는 것이다. 이러한 온-칩 안테나는 프론트-엔드 칩과 집적화되어 패키징에 수반되는 기생성분을 최소화하여 특성 저하를 막고 제작이 용이하며 재현성이 뛰어나 저가격으로 구현할 수 있는 장점이 있다.
그러나, 온-칩 안테나는 반도체 기판의 높은 유전율의 얇은 기판과 얇은 금속 층에 의한 손실 등으로 인하여 낮은 방사 저항(radiation resistance) 특성을 가진다. 그리고, 낮은 방사 저항으로 인하여 일반적인 평면형 온-칩 안테나는 낮은 효율(10% 이하)과 좁은 대역폭(10% 이하) 특성을 갖는다.
일반적인 평면형 안테나 중의 하나인 패치 안테나는 크기가 작고 구조가 간단하여 집적회로와 결합하여 제작하기 쉬워 온-칩 안테나로 널리 이용된다. 하지만, 공진형 안테나의 특성상 좁은 대역폭 특성을 보이며, 앞서 언급한 것과 마찬가지로 반도체 공정에서 제공되는 금속층 사이의 얇은 유전체에 의해 특성의 제약을 받기 때문에 수 %의 좁은 대역폭과 10% 이하의 낮은 방사효율을 가진다는 문제점을 여전히 가지고 있다.
대한민국 공개특허공보 제2008-0062390호 (2008년 7월 3일 공개)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 결함 접지 구조(DGS; Defected Ground Structure)를 이용하여 반도체 공정(예를 들어, 실리콘 CMOS 공정)으로 설계되는 안테나의 특성을 개선하여, 추가적인 반도체 공정 없이도 온-칩 안테나의 방사 저항을 증가시키고 높은 방사 효율과 넓은 동작 대역폭을 갖는 온-칩 안테나를 구현하는 것이다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 바로 제한되지 않으며, 언급되지는 않았으나 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있는 목적을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나는, 반도체 기판; 상기 기판의 상면 상에 형성되는 최하층 금속층 - 상기 최하층 금속층은 결함 접지 구조(DGS; Defected Ground Structure)를 제공함 -; 차상층 금속층에 형성되어 상기 결함 접지 구조(DGS) 위에 배치되는 방사 안테나 - 상기 방사 안테나는 급전 선로에 결합됨 -; 및 최상층 금속층에 형성되어 상기 방사 안테나 위에 배치되는 공진 방사체 - 상기 공진 방사체는 상기 방사 안테나로부터 전력을 공급 받아 전자기파를 방사함 - 를 포함할 수 있다.
또한, 상기 최하층 금속층에는 하나 이상의 슬롯 또는 개구가 형성되어 상기 결함 접지 구조(DGS)를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나는 상기 기판의 하면 상에 형성되는 후면 금속층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 방사 안테나는 상기 급전 선로로부터 멀어질수록 넓어지는 V-모양 패치 안테나일 수 있다.
또한, 상기 V-모양 패치 안테나에는 상기 급전 선로에서 전류가 공급되는 방향과 평행한 방향으로 상기 V-모양 패치 안테나에 서로 대칭인 2 개의 슬롯이 형성될 수 있고, 상기 2개의 슬롯은 상기 급전 선로의 방향이 개방되고 상기 급전 선로의 반대 방향이 폐쇄된 형상일 수 있다.
또한, 상기 공진 방사체는 직사각형 형상을 가지며, 상기 공진 방사체는 상기 방사 안테나와 상이한 공진 주파수를 가질 수 있다.
또한, 상기 하나 이상의 슬롯 또는 개구는 상기 급전 선로로부터의 전류 방향과 평행한 방향으로 소정 간격으로 배치될 수 있다.
또한, 상기 반도체 기판은, 상기 공진 방사체로부터 방사된 전자기파와, 상기 공진 방사체로부터 방사된 전자기파가 상기 결함 접지 구조(DGS)를 통해 상기 후면 금속층에서 반사되어 상기 공진 방사체 방향으로 방사되는 전자기파가 서로 보강 간섭을 일으키도록 하는 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 반도체 온-칩 안테나는 반도체 집적회로 공정을 사용하여 제조될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나는, 기판 상에 형성되는 결함 접지 구조(DGS; Defected Ground Structure)를 갖는 최하층 금속층, 차상층 금속층에 형성되어 최하층 금속층 위에 배치되는 방사 안테나, 및 최상층 금속층에 형성되어 방사 안테나 위에 배치되는 공진 방사체를 포함하는 구성을 통하여, 추가적인 반도체 공정 없이 온-칩 안테나의 방사 저항을 증가시켜 높은 방사 효율과 넓은 동작 대역폭을 갖는 온-칩 안테나를 구현할 수 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나가 이용하는 결함 접지 구조(DGS)를 도시하고 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나에서의 방사 안테나의 예시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나에서의 공진 방사체의 예시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 결함 접지 구조(DGS)를 제공하는 슬롯의 폭(WDGS)에 따른 반사계수 특성을 도시하고 있는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 결함 접지 구조(DGS)를 제공하는 슬롯의 폭(WDGS)에 따른 방사효율 특성을 도시하고 있는 그래프이다.
도 9는 표준 패치 안테나, 결함 접지 구조를 갖지 않는 패치 안테나, 및 결함 접지 구조를 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 방사저항 특성을 도시하고 있는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나에서의 실리콘 기판의 두께(Tsi)에 따른 안테나 이득(gain) 특성을 도시하는 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 300 GHz에서의 방사패턴 특성을 도시하는 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범주는 청구항에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어 실제로 필요한 경우 외에는 생략될 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나가 이용하는 결함 접지 구조(DGS)이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 단면도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 평면도이다.
실리콘 CMOS 공정과 같은 반도체 집적회로 공정으로 안테나를 설계할 때 복수개의 금속층 중에서 가장 위에 있는 금속층(즉, 최상층 금속층)을 전자기파 방사를 위한 안테나로 사용하고, 복수개의 금속층 중에서 가장 아래에 있는 금속층(즉, 최하층 금속층)을 접지면으로 사용하여 안테나에서 방사된 전자기파가 접지면 하부에 있는 손실이 높은 실리콘 기판으로 새어나가지 못하게 하는 경우, 반도체 공정상, 접지면인 가장 아래에 있는 금속층과 가장 위에 있는 금속층 사이에는 유전체(예를 들어, SiO2)로 채워져 있으나, 이 유전체의 두께는 수 μm로 아주 얇아서 여러 가지 안테나의 특성을 심각히 저하시키는 문제가 있다. 일반적으로 고주파 회로에서는 같은 임피던스를 가지는 전송선을 구현할 때, 이 유전체가 얇을수록 폭이 좁은 신호선을 사용해야 하는데, 이 경우 폭이 좁은 신호선은 도체 손실을 증가시키는 문제가 있다. 즉, 유전체 기판의 두께가 얇을수록 금속 손실이 늘어나게 되고, 무엇보다도 기판의 두께가 얇을수록 전자기파 방사 금속층과 접지면 금속층에서의 금속 손실이 증가하여 방사 효율이 급격히 감소하는 문제가 있다. 뿐만 아니라, 안테나의 동작 주파수의 대역폭이 감소하여 실제 이동 통신 등의 응용에 문제가 발생하게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나 (10)는, 도 1 내지 도4 를 참조하면, 반도체 기판(1), 반도체 기판(1)의 일면(예를 들면, 상면) 상에 배치되는 복수개의 금속층을 포함하되, 복수개의 금속층은 적어도 반도체 온-칩 안테나 (10)의 접지면으로서 기능하며 하나 이상의 슬롯 또는 개구가 배치되어 결함 접지 구조(DGS; Defected Ground Structure)를 제공하는 최하층 금속층(2), 전력을 공급하는 급전(feed) 선로와 연결되는 방사 안테나(9)를 포함하는 차상층 금속층, 방사 안테나(9)로부터 전력을 공급받아 전자기파를 방사하는 공진 방사체(6)를 포함하는 최상층 금속층(4)을 포함할 수 있다. 한편, 금속층들 사이는 유전체층(5)으로 채워질 수 있다. 또한, 반도체 온-칩 안테나 장치(10)는 반도체 기판(1)의 타면(예를 들면, 하면)에 형성되는 후면 금속층(11)을 더 포함할 수도 있다. 최하층 금속층(2)에는 서로 분리된 복수의 직사각형 슬롯 또는 직사각형 개구가 형성되어 결함 접지 구조(DGS)를 제공할 수 있다.
반도체 기판(1)은 실리콘 기판이 될 수 있고, 금속층은 구리, 금, 알루미늄과 같은 금속으로 형성될 수 있으며, 유전체층(5)은 SiO2 로 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 기재일 뿐, 반도체 기판, 금속층, 유전체층을 구성하는 재료가 이에 제한되는 것은 아니다. 반도체 기판(1)에는 다수의 능동소자/수동소자, 및 반도체 온-칩 안테나 장치(10)가 집적되어 송신기, 수신기, 또는 송수신기와 같은 다양한 회로를 구현할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나는 방사 안테나(9)가 차상층 금속층에 의해 패치 안테나로서 형성되는 경우를 도시하고 있으나, 이는 예시적일 뿐, 방사 안테나는 스택 패치 안테나, 전자기 커필링 패치 안테나, 슬롯 안테나, 링 안테나, 다이폴 안테나, 루프 안테나 등과 같은 임의의 다른 유형의 평면 안테나 방사체로서 형성될 수도 있다. 또한, 급전 선로는 마이크로 스트립 라인, 코-플래너(co-planar) 도파로 라인, 또는 방사 안테나에 직접 연결되거나 또는 전자기적으로 결합되어 방사 안테나에 전력을 공급할 수 있는 임의의 다른 유형의 급전 선로 구조체일 수도 있다.
최하층 금속층(2)에 형성되어 결함 접지 구조(GDS)를 제공하는 하나 이상의 슬롯 또는 개구(5)는 기설정된 폭(WDGS)을 가지며, 방사 안테나(9)가 급전 선로(7)로부터 공급받는 전류와 평행한 방향으로 소정 간격(GDGS)으로 배치되어 최상층 금속층과 접지면 금속층 사이의 전기적 두께가 증가하는 효과(즉, 유전체 두께가 전기적으로 두꺼워 보이는 효과/캐패시턴스가 감소하는 효과)를 얻을 수 있다. 이를 통하여 금속층에서의 손실을 효과적으로 줄일 수 있으며, 방사 저항 값을 개선(즉, 방사 저항을 증가)할 수 있고, 반도체 집적 안테나의 효율과 대역폭 특성을 크게 개선할 수 있다.
또한, 차상층 금속층에 형성된 방사 안테나(9)는 급전 선로(7)와 연결되거나 결합되어 전력을 공급받을 수 있고, 최상 금속층에서 형성된 공진 방사체(6)은 방사 안테나(9)로부터 전력을 공급 받아 전자기파를 방사할 수 있다. 이 때 공진 방사체(6)에 의해 방사된 전자기파의 대부분은 공기 중으로 방사하지만, 일부는 아래 방향으로 방사되어 최하층 금속층의 결함 접지 면을 통해 실리콘 기판(1)으로 새어 나간다. 그리고, 이렇게 새어 나간 전자기파는 반도체 기판의 후면 금속층(11)에서 반사되고 이 반사된 전자기파는 다시 위쪽 방사 안테나 방향으로 향하게 되는데, 이때 기판의 두께 또는 유전율을 적절히 설계함으로써 '공진 방사체로부터 방사된 전자기파'와 '공진 방사체로부터 방사된 전자기파가 후면 금속층(11)에서 반사된 전자기파'가 서로 보강 간섭을 일으키도록 하여 이득을 개선시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나 장치(10)는 반도체 공정에서 금속층을 이용하여 안테나를 형성할 때, 차상층 금속층에 형성되는 방사 안테나(예컨대, V-모양 패치 안테나)와 최상층 금속층에 형성된 공진 방사체를 적층하도록 배치하여 안테나가 동작하는 대역폭과 효율을 더욱 개선할 수 있다. 공진형 안테나는 안테나의 길이에 비례하여 공진 주파수가 정해지기 때문에, 대역폭을 늘리기 위해서는 방사 안테나와 공진 방사체의 구조를 다양화할 필요가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나 장치(10)는 차상층 금속층에 형성되는 방사 안테나(9)를 도 5에 도시된 바와 같이 급전 선로로부터 멀어질수록 넓어지는 V-모양 형상 패치 안테나(9)로 형성하여 임피던스의 불연속을 줄일 수 있다. 또한, V-모양 패치 안테나(9)에 슬롯을 형성(예를 들어, 급전 선로에서 전류가 공급되는 방향과 평행한 방향으로 V-모양 패치 안테나에 대칭인 위치에 2개의 슬롯을 형성)함으로써 전류의 경로를 다양화하여 안테나가 동작하는 대역폭을 개선할 수 있다. 급전 선로에서 전류가 공급되는 방향과 평행한 방향으로 V-모양 패치 안테나(9)에 서로 대칭인 위치에 2개의 슬롯이 형성될 수 있으며, 2개의 슬롯은 급전 선로의 방향이 개방되고 급전 선로의 반대 방향이 폐쇄된 형상일 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 방사 안테나(9) 위에 배치되는 최상층 금속층(4)에 형성되는 공진 방사체(6)는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 또한, 방사 안테나(9)와 공진 방사체(6)는 상이한 공진 주파수를 가지도록 설계함으로써 방사 안테나(9)와 공진 방사체(6)의 상호 간의 공진을 통하여 일반적인 직사각형 패치 안테나에 비해 안테나가 동작하는 대역폭을 더 개선할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 슬롯의 폭(WDGS)에 따른 반사계수 특성을 전자기파 시뮬레이션하여 도시하고 있는 그래프이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 슬롯의 폭(WDGS)에 따른 방사효율 특성을 전자기파 시뮬레이션하여 도시하고 있는 그래프이다. 슬롯의 폭(WDGS)과 간격(GDGS)에 따라 실리콘 기판으로 방사하는 전자기파의 양이 달라지며, 최적의 효율과 대역폭 특성을 얻기 위하여 전자기파 해석을 통하여 최적화될 수 있다.
도 9는 표준 패치 안테나, 결함 접지 구조를 구비하지 않은 패치 안테나, 및 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 접지 구조를 구비한 반도체 온-칩 안테나의 방사저항 특성을 도시하고 있는 그래프이다.
도 9는 결합 접지 구조(DGS)를 사용한 V-모양 패치 안테나가 방사 저항을 증가시키는 것을 보여준다. 일반적인 CMOS 온-칩 패치 안테나의 매우 얇은 유전체는 방사 저항을 감소시켜 방사 효율과 대역폭 특성을 제한하는데, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나는 이를 효과적으로 개선하는 것을 보여준다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 실리콘 기판의 두께(Tsi)에 따른 안테나 이득(gain) 특성을 도시하는 그래프이다. 도 10은 전자기파 시뮬레이션 결과로 실리콘 기판의 두께(Tsi)가 파장의 1/4의 홀수배가 되는 지점에서 안테나의 이득이 증가하는 것을 보여준다. 결함 접지 구조에서 실리콘 기판으로 방사한 전자기파는 후면 금속층에 의해 반사되어 안테나 앞면(front-side)으로 방사한다. 실리콘 기판의 두께가 파장의 1/4의 홀수배가 되도록 하면 안테나에서 방사하는 전자기파와 반사되어 돌아오는 전자기파가 동위상으로 합쳐져 방사 전력 및 효율을 증가시킬 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나의 300 GHz에서의 방사패턴 특성을 도시하는 그래프이다.
상술한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나는, 기판 상에 형성되는 결함 접지 구조(DGS; Defected Ground Structure)를 제공하는 최하층 금속층, 차상층 금속층에 형성되어 결함 접지 구조(DGS) 위에 배치되는 방사 안테나, 및 최상층 금속층에 형성되어 방사 안테나 위에 배치되는 공진 방사체를 포함하는 구성을 통하여, 추가적인 반도체 공정 없이 온-칩 안테나의 방사 저항을 증가시켜 높은 방사 효율과 넓은 동작 대역폭을 갖는 온-칩 안테나를 구현할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 품질에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1: 반도체 기판
2: 최하층 금속층
4: 최상층 금속층
5: 결함 접지 구조(DGS)
6: 공진 방사체
7: 급전 선로
8: 유전체
9: 방사 안테나
10: 반도체 온-칩 안테나
11: 후면 금속층

Claims (9)

  1. 반도체 기판;
    상기 기판의 상면 상에 형성되는 최하층 금속층 - 상기 최하층 금속층은 결함 접지 구조(DGS; Defected Ground Structure)를 제공함 -;
    상기 최하층 금속층 상면 상의 차상층 금속층에 형성되어 상기 결함 접지 구조(DGS) 위에 배치되는 방사 안테나 - 상기 방사 안테나는 급전 선로에 결합됨 -;
    상기 차상층 금속층 상면 상의 최상층 금속층에 형성되어 상기 방사 안테나 위에 배치되는 공진 방사체 - 상기 공진 방사체는 상기 방사 안테나로부터 전력을 공급 받아 전자기파를 방사함 -;
    상기 최하층 금속층과 상기 차상층 금속층의 사이 및 상기 차상층 금속층과 상기 최상층 금속층 사이에 채워진 유전체층을 포함하고,
    상기 최하층 금속층에는 서로 분리된 복수의 직사각형 슬롯 또는 직사각형 개구가 형성되어 상기 결함 접지 구조(DGS)를 제공하며,
    상기 방사 안테나는 상기 급전 선로로부터 멀어질수록 넓어지는 V-모양 패치 안테나이고, 상기 급전 선로에서 전류가 공급되는 방향과 평행한 방향으로 상기 V-모양 패치 안테나에 서로 대칭인 위치에 2개의 슬롯이 형성되며, 상기 2개의 슬롯은 상기 급전 선로의 방향이 개방되고 상기 급전 선로의 반대 방향이 폐쇄된 형상인
    반도체 온-칩 안테나.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 하면 상에 형성되는 후면 금속층을 더 포함하는
    반도체 온-칩 안테나.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 공진 방사체는 직사각형 형상을 가지며,
    상기 공진 방사체는 상기 방사 안테나와 상이한 공진 주파수를 가지는
    반도체 온-칩 안테나.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 직사각형 슬롯 또는 직사각형 개구는 상기 급전 선로로부터의 전류 방향과 평행한 방향으로 소정 간격으로 배치되는
    반도체 온-칩 안테나.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은,
    상기 공진 방사체로부터 방사된 전자기파와, 상기 공진 방사체로부터 방사된 전자기파가 상기 결함 접지 구조(DGS)를 통해 상기 후면 금속층에서 반사되어 상기 공진 방사체 방향으로 방사되는 전자기파가 서로 보강 간섭을 일으키도록 하는 두께를 가지는
    반도체 온-칩 안테나.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 온-칩 안테나는 반도체 집적회로 공정을 사용하여 제조되는
    반도체 온-칩 안테나.
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