KR102110506B1 - EMI shielding composite film for electronic component package, electronic component package having the same and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름, 이를 포함하는 전자부품 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 외부환경으로부터 반도체 칩과 같은 전자부품을 보호하고, 전자부품 간의 전자파 영향을 차단할 수 있도록 전자파 차폐 성능을 부여함과 동시에 전자부품 패키지 외부와는 절연성을 유지하고, 전자부품 패키지의 제조공정 시간을 획기적으로 단축할 수 있는 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름, 이를 포함하는 전자부품 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package, an electronic component package including the same, and a method of manufacturing the same, more specifically, protecting an electronic component such as a semiconductor chip from an external environment, and affecting electromagnetic waves between electronic components. The electromagnetic wave shielding composite film for electronic component packages, which provides electromagnetic shielding performance to block, and at the same time maintains insulation from the outside of the electronic component package and significantly shortens the manufacturing process time of the electronic component package. It relates to a package and a method of manufacturing the same.

Description

전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름, 이를 포함하는 전자부품 패키지 및 이의 제조방법{EMI shielding composite film for electronic component package, electronic component package having the same and manufacturing method thereof}EMI shielding composite film for electronic component package, electronic component package having the same and manufacturing method thereof

본 발명은 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름, 이를 포함하는 전자부품 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 외부환경으로부터 반도체 칩과 같은 전자부품을 보호하고, 전자부품 간의 전자파 영향을 차단할 수 있도록 전자파 차폐 성능을 부여함과 동시에 전자부품 패키지 외부와는 절연성을 유지하고, 전자부품 패키지의 제조공정 시간을 획기적으로 단축할 수 있는 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름, 이를 포함하는 전자부품 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package, an electronic component package including the same, and a method of manufacturing the same, more specifically, protecting an electronic component such as a semiconductor chip from an external environment, and affecting electromagnetic waves between electronic components. The electromagnetic wave shielding composite film for electronic component packages, which provides electromagnetic shielding performance to block, and at the same time maintains insulation from the outside of the electronic component package and significantly shortens the manufacturing process time of the electronic component package. It relates to a package and a method of manufacturing the same.

최근 휴대용 모바일 및 디스플레이용 전자기기의 경박단소화 추세가 급진전되고 전자기기내 부품간의 신호전달 속도는 고속화되며, 회로기판은 고밀도의 미세 회로화가 진행됨에 따라 인접한 부품간의 전자파 노이즈 발생에 따른 신호간섭 현상으로 전자기기의 오동작 피해가 점차적으로 증가되고 있다.In recent years, the trend of lighter and shorter miniaturization of portable mobile and display electronic devices has accelerated, and the speed of signal transmission between parts in electronic devices has increased, and as circuit boards undergo high-density micro-circuiting, signal interference occurs due to electromagnetic noise between adjacent parts. As a result, malfunction of electronic devices is gradually increasing.

이러한 현상을 전자파 방해(EMI, electromagnetic wave interference)라 하며, 전자파는 인체에 유해한 것은 물론, 적용되는 제품에서 노이즈 발생에 따른 품질 결함의 중요한 원인을 제공하는바, 이러한 문제점을 방지하기 위해 여러 가지 방법들이 시도되고 있다.This phenomenon is called electromagnetic wave interference (EMI), and electromagnetic waves are not only harmful to the human body, but also provide an important cause of quality defects caused by noise in applied products. Are being tried.

전자파를 효과적으로 차단하기 위해서는 기판회로를 전기 전도도가 우수한 도체막으로 감싸, 내부에서 발생되는 전자파가 도체를 통해 감쇄될 수 있도록 고안하는 것이 필요로 하는데 일반적으로 전도성이 우수한 알루미늄박이나 은박지와 같은 금속박막을 부착하거나 금속성 성분을 이용한 스퍼터링 박막형상 또는 전도성 분말을 바인더수지에 분산하여 회로기판 표면에 균일하게 도포하는 전도성 페이스트 및 이를 필름화하여 가열 부착하는 전도성 접착필름 형태의 제품 등으로 적용되어 오고 있다.In order to effectively block electromagnetic waves, it is necessary to encapsulate the substrate circuit with a conductor film having excellent electrical conductivity, so that electromagnetic waves generated therein can be attenuated through the conductor. In general, a metal film such as aluminum foil or silver foil with excellent conductivity It has been applied as a conductive paste film that is coated or uniformly applied to the surface of a circuit board by dispersing a sputtering thin film shape or a conductive powder using a metallic component on a binder resin, and a film of a conductive adhesive film that is attached by heating.

한편, 기판과 그 상부에 실장되는 반도체 칩 사이에 빈 공간확보가 중요시되는 전자부품 패키지를 제조함에 있어서, 전자파 차폐 특성을 부여하기 위하여 종래의 경우, 접지용 금속핀을 형성 후 수지를 몰딩하는 방법이나, 반도체 칩을 기판에 실장 후 그 표면에 전기전도성 금속박막을 형성시킨 이후 수지몰딩을 진행하는 방법 등이 있지만, 전자파 차폐를 위한 금속성 핀이나 금속 박막을 형성하는 별도의 공정이 필요로 하기 때문에 제조공정이 길어지거나 그 비용이 증가하는 문제점을 가지고 있었다.On the other hand, in manufacturing an electronic component package in which securing an empty space between a substrate and a semiconductor chip mounted thereon is important, in order to provide electromagnetic wave shielding characteristics, in the conventional case, a method of molding a resin after forming a metal pin for grounding or There is a method of mounting a semiconductor chip on a substrate and then forming an electrically conductive metal thin film on the surface, and then proceeding with resin molding.However, a separate process of forming a metallic pin or metal thin film for electromagnetic shielding is required. There was a problem that the process lengthened or the cost increased.

일본 공개특허번호 제2000-223647호(공개일 : 2000.08.11)Japanese Patent Publication No. 2000-223647 (Publication date: 2000.08.11)

본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름이 전자파 차폐특성을 가지는 전자파 차폐층과 절연층이 일체화하여 제조되어, 전자부품 패키지의 제조공정 시간이 획기적으로 단축할 수 있는 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름, 이를 포함하는 전자부품 패키지 및 이의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been devised in view of the above points, and an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package is manufactured by integrating an electromagnetic wave shielding layer and an insulating layer having electromagnetic wave shielding characteristics, and thus the manufacturing process time of the electronic component package is significantly reduced. It is an object to provide an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package that can be shortened, an electronic component package including the same, and a manufacturing method thereof.

또한, 전자파 차폐층과 절연층은 서로 상이한 저장탄성율 및 흐름성을 가져, 본 발명의 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 포함하여 제조된 전자부품 패키지는 기판과 반도체칩 사이에 형성된 이격 공간에 전자파 차폐층의 용융물이 침투되지 않을 뿐만 아니라, 절연층 표면에 단차가 없이 평평한 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름, 이를 포함하는 전자부품 패키지 및 이의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.In addition, the electromagnetic wave shielding layer and the insulating layer have different storage elastic modulus and flowability, and the electronic component package including the electromagnetic wave shielding composite film for the electronic component package of the present invention is spaced apart between the substrate and the semiconductor chip. It is an object of the present invention to provide an electromagnetic wave shielding composite film for a flat electronic component package, an electronic component package including the same, and a method for manufacturing the same, as well as a step in which the melt of the electromagnetic wave shielding layer does not penetrate into the space.

상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름은 반경화 상태의 전자파 차폐층 및 상기 전자파 차폐층 일면에 적층된 반경화 상태의 절연층을 포함하고, 60 ~ 100℃의 온도에서 저장탄성율이 1 ~ 50MPa일 수 있다.In order to solve the above problems, the electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package of the present invention includes a semi-cured electromagnetic wave shielding layer and a semi-cured insulating layer laminated on one surface of the electromagnetic wave shielding layer, 60 to 100 ° C The storage elastic modulus at the temperature of may be 1 to 50 MPa.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 전자파 차폐 복합필름은 200 ~ 300㎛의 두께를 가질 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the electromagnetic shielding composite film of the present invention may have a thickness of 200 ~ 300㎛.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 절연층 및 전자파 차폐층은 1 : 0.06 ~ 0.5 두께비를 가질 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer of the present invention may have a thickness ratio of 1: 0.06 to 0.5.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 절연층은 아크릴계 접착제 및 절연성 필러를 1 : 0.8 ~ 2.5 중량비로 포함할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the insulating layer of the present invention may include an acrylic adhesive and an insulating filler in a weight ratio of 1: 0.8 to 2.5.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 전자파 차폐층은 아크릴계 접착제 및 전도성 필러를 1 : 0.8 ~ 2.5 중량비로 포함할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the electromagnetic wave shielding layer of the present invention may include an acrylic adhesive and a conductive filler in a weight ratio of 1: 0.8 to 2.5.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 아크릴계 접착제는 전체 100 중량%에 대하여, 열가소성 수지 12 ~ 18 중량%, 열경화성 수지 12 ~ 18 중량%, 경화제 4 ~ 6 중량%, 촉매 0.4 ~ 0.6 중량%, 착색제 0.8 ~ 1.2 중량% 및 잔량의 유기용제를 포함할 수 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the acrylic adhesive of the present invention, based on the total 100% by weight, 12 to 18% by weight of thermoplastic resin, 12 to 18% by weight of thermosetting resin, 4 to 6% by weight of curing agent, 0.4 to 0.6 catalyst Weight%, colorant 0.8 to 1.2% by weight and the balance may include an organic solvent.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 열가소성 수지는 유리전이온도 0℃ ~ 20℃ 및 중량평균분자량 400,000 ~ 1,300,000인 아크릴 공중합체를 포함할 수 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the thermoplastic resin of the present invention may include an acrylic copolymer having a glass transition temperature of 0 ° C to 20 ° C and a weight average molecular weight of 400,000 to 1,300,000.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 열경화성 수지는 비스페놀계 에폭시 수지, 바이페닐계 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지, 플로렌계 에폭시 수지, 페놀노볼락계 에폭시 수지, 크레졸노볼락계 에폭시 수지, 트리스하이드록실페닐메탄계 에폭시 수지 및 테트라페닐메탄계 에폭시 수지 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the thermosetting resin of the present invention is bisphenol-based epoxy resin, biphenyl-based epoxy resin, naphthalene-based epoxy resin, florene-based epoxy resin, phenol novolac-based epoxy resin, cresol novolac-based epoxy It may include one or more selected from resins, trishydroxyphenylmethane-based epoxy resins and tetraphenylmethane-based epoxy resins.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 경화제는 페놀계 경화제를 포함할 수 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the curing agent of the present invention may include a phenolic curing agent.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 촉매는 이미다졸계 촉매를 포함할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the catalyst of the present invention may include an imidazole-based catalyst.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 착색제는 카본블랙, 티탄블랙, 티탄질화물, 인산수산화구리, 철산화물, 운모 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the colorant of the present invention may include one or more selected from carbon black, titanium black, titanium nitride, copper phosphate, iron oxide, and mica.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 유기용제는 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로부터 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the organic solvent of the present invention is methyl ethyl ketone, cyclohexanone, diethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate. It may include one or more selected from.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 절연성 필러는 평균 입경이 0.5 ~ 25 ㎛인 구상일 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the insulating filler of the present invention may have a spherical shape having an average particle diameter of 0.5 to 25 μm.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 전도성 필러는 평균 직경이 1 ~ 25 ㎛이고, 평균 길이가 5 ~ 50㎛인 침상일 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the conductive filler may be a needle having an average diameter of 1 to 25 μm and an average length of 5 to 50 μm.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 전자파 차폐 복합필름은 하기 측정방법 1에 의하여 흐름성을 측정 시, 2 ~ 20mm의 흐름성을 가질 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention may have a flowability of 2 to 20 mm when measuring flowability by the following measurement method 1.

[측정방법 1][Measurement method 1]

전자파 차폐 복합필름을 펀칭(punching)하여 직경이 5mm인 전자파 차폐 복합필름을 제조한다. 그 후, 상기 전자파 차폐 복합필름을 제1 PET 필름 및 제2 PET 필름 사이에 넣고 80℃의 온도, 0.2 MPa의 압력 하에서 5초동안 가압하여 전자파 차폐 복합필름의 직경 증가량을 흐름성으로 정의한다.The electromagnetic wave shielding composite film is punched to prepare an electromagnetic wave shielding composite film having a diameter of 5 mm. Thereafter, the electromagnetic wave shielding composite film was placed between the first PET film and the second PET film, and pressurized for 5 seconds under a temperature of 80 ° C. and a pressure of 0.2 MPa to define an increase in diameter of the electromagnetic wave shielding composite film as flowability.

한편, 본 발명의 전자부품 패키지는 기판, 상기 기판 일면에 기판과 이격되어 실장된 반도체칩, 상기 기판 및 반도체칩과 접촉되어 기판과 반도체칩을 전기적으로 연결시키는 범프(bump)를 포함하는 전자부품 및 앞서 언급한 전자파 차폐 복합필름을 포함하고, 상기 전자부품은 범프에 의해 기판과 반도체칩 사이에 이격 공간이 형성되며, 상기 전자파 차폐 복합필름의 전자파 차폐층은 반도체칩이 실장된 방향으로 기판 및 반도체칩을 커버링(covering)하면서 접착되고, 상기 커버링은 반도체칩이 외부로 노출되는 표면이 발생하지 않도록 커버링되고, 기판의 전부 또는 일부를 커버링할 수 있다.Meanwhile, the electronic component package of the present invention includes an electronic component including a substrate, a semiconductor chip mounted spaced apart from the substrate on one surface of the substrate, and a bump in contact with the substrate and the semiconductor chip to electrically connect the substrate and the semiconductor chip. And the above-mentioned electromagnetic wave shielding composite film, wherein the electronic component is spaced apart between the substrate and the semiconductor chip by a bump, and the electromagnetic wave shielding layer of the electromagnetic wave shielding composite film includes a substrate in a direction in which the semiconductor chip is mounted. The semiconductor chip is adhered while covering, and the covering is covered so that the surface exposed to the semiconductor chip does not occur, and may cover all or part of the substrate.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 전자부품 패키지는 하기 조건 (1)의 두께를 만족할 수 있다. In a preferred embodiment of the present invention, the electronic component package of the present invention may satisfy the thickness of condition (1) below.

(1) A : B : C = 1 : 1.1 ~ 1.5 : 0.05 ~ 0.2(1) A: B: C = 1: 1.1 to 1.5: 0.05 to 0.2

상기 조건 (1)에 있어서, A는 반도체칩과 범프의 두께의 합, B는 전자파 차폐 복합필름의 두께, C는 전자파 차폐층의 두께를 나타낸다.In the condition (1), A is the sum of the thickness of the semiconductor chip and the bump, B is the thickness of the electromagnetic wave shielding composite film, and C is the thickness of the electromagnetic wave shielding layer.

나아가, 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조방법은 일면에 제1이형필름이 부착된 반경화 상태의 전자파 차폐층 및 일면에 제2이형필름이 부착된 반경화 상태의 절연층을 준비하는 제1단계 및 상기 전자파 차폐층의 타면과 상기 절연층의 타면을 합지하여 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하는 제2단계를 포함하고, 상기 절연층 및 전자파 차폐층은 1 : 0.06 ~ 0.1 두께비를 가지고, 제조된 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름은 60 ~ 100℃의 온도에서 저장탄성율이 5 ~ 50MPa일 수 있다.Furthermore, the method of manufacturing an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package of the present invention includes a semi-cured electromagnetic shielding layer with a first release film attached to one surface and a semi-cured insulating layer with a second release film attached to one surface. A first step of preparing and a second step of manufacturing an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package by laminating the other side of the insulating layer and the other side of the insulating layer, wherein the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer is 1: 0.06 With a thickness ratio of ~ 0.1, the manufactured electromagnetic component shielding composite film for an electronic component package may have a storage modulus of 5 to 50 MPa at a temperature of 60 to 100 ° C.

한편, 본 발명의 전자부품 패키지의 제조방법은 전자부품과 앞서 언급한 전자파 차폐 복합필름을 준비하는 제1단계 및 상기 전자파 차폐 복합필름의 전자파 차폐층이 반도체칩이 실장된 방향으로 기판 및 반도체칩을 커버링(covering)하면서 상기 전자부품에 접착시키는 제2단계를 포함하고, 상기 커버링은 반도체칩이 외부로 노출되는 표면이 발생하지 않도록 커버링되고, 기판의 전부 또는 일부를 커버링할 수 있다.On the other hand, the manufacturing method of the electronic component package of the present invention is the first step of preparing the electronic component and the above-mentioned electromagnetic wave shielding composite film and the electromagnetic wave shielding layer of the electromagnetic wave shielding composite film in the direction in which the semiconductor chip is mounted on the substrate and the semiconductor chip It includes a second step of bonding to the electronic component while covering (covering), the covering is covered so that the surface exposed to the semiconductor chip is not generated, it is possible to cover all or part of the substrate.

본 발명의 바람직한 일실시예에 있어서, 본 발명의 전자부품 패키지의 제조방법의 제2단계의 접착은 60 ~ 100℃의 온도, 0.1 ~ 0.5 MPa의 압력 하에서 수행할 수있다.In one preferred embodiment of the present invention, the adhesion of the second step of the manufacturing method of the electronic component package of the present invention may be performed under a temperature of 60 to 100 ° C. and a pressure of 0.1 to 0.5 MPa.

본 발명에서 사용하는 용어 중 반경화 상태는 달리 말하면, B-스테이지(B-stage) 상태로서, 물질의 경화 반응 과정 중 중간상태를 말한다. In other words, the semi-cured state among the terms used in the present invention, in other words, is a B-stage state, and refers to an intermediate state during a curing reaction process of a material.

본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름은 전자파 차폐특성을 가지는 전자파 차폐층과 절연층이 일체화하여 제조되어, 전자부품 패키지의 제조공정 시간이 획기적으로 단축할 수 있어, 비용을 절감할 수 있다.The electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package of the present invention is manufactured by integrating an electromagnetic wave shielding layer and an insulating layer having electromagnetic wave shielding characteristics, and the manufacturing process time of the electronic component package can be significantly shortened, thereby reducing cost. .

또한, 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름은 기판과의 접착력이 우수하다.In addition, the electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package of the present invention has excellent adhesion to a substrate.

또한, 본 발명의 전자부품 패키지는 반도체 칩과 기판 간의 전기적 연결이 되면서도, 반도체 칩과 같은 전자부품 간의 전자파 영향을 차단할 수 있도록 전자파 차폐 성능을 부여함과 동시에 외부와는 절연성을 유지할 수 있다.In addition, while the electronic component package of the present invention is electrically connected between the semiconductor chip and the substrate, while providing electromagnetic wave shielding performance to block electromagnetic effects between electronic components such as the semiconductor chip, it is possible to maintain insulation from the outside.

또한, 본 발명의 전자부품 패키지는 기판과 반도체칩 사이에 형성된 이격 공간에 전자파 차폐층의 용융물이 침투되지 않을 뿐만 아니라, 절연층 표면에 단차가 없이 평평하다.In addition, the electronic component package of the present invention not only does not penetrate the melt of the electromagnetic wave shielding layer into the separation space formed between the substrate and the semiconductor chip, but is also flat without a step on the surface of the insulating layer.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 단면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 전자부품 패키지의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일시예에 따른 하는 전자부품 패키지의 제조방법의 제2단계를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 and 3 are cross-sectional views of an electronic component package according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a view schematically showing a second step of a method for manufacturing an electronic component package according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부가한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily practice. The present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts not related to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and the same reference numerals are added to the same or similar elements throughout the specification.

도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름은 반경화 상태의 전자파 차폐층(10) 및 전자파 차폐층(10) 일면에 적층된 반경화 상태의 절연층(20)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package of the present invention includes a semi-cured electromagnetic wave shielding layer 10 and a semi-cured insulating layer 20 laminated on one surface of the electromagnetic wave shielding layer 10. It includes.

먼저, 본 발명의 전자파 차폐층(10)은 전자 방해 잡음(Electro Magnetic Interference; EMI)과 전자 정합(Electro Magnetic Compatibility; EMC)의 발생에 대해 차단할 수 있는 역할을 한다.First, the electromagnetic wave shielding layer 10 of the present invention serves to block the occurrence of electromagnetic interference (EMI) and electromagnetic matching (EMC).

전자 방해 잡음(EMI)은 전기, 전자 기기로부터 직접 방사 또는 전도되는 전자파가 다른 기기의 전자기기 수신 기능에 장해를 발생하는 것을 말한다. 대부분의 전기를 사용하는 이용 설비 및 기기는 어느 정도의 전자파 잡음을 지속적으로 발생시키며, 이러한 잡음은 공중을 통한 전자파 방사의 형태나 전원선을 통해 연결되는 전도의 형태로 전달된다. 통신설비, 제어설비, 컴퓨터 장치, 심지어 인간에 이르기까지 이러한 전자파 장애에 의해 피해를 받게 되며, 전자파 장애의 잡음원으로부터 거리, 결합구조, 피해기기의 내력 정도에 따라 피해 규모가 달라지게 된다. Electromagnetic interference noise (EMI) refers to electromagnetic waves radiated or conducted directly from electrical or electronic devices that interfere with the reception function of other devices. Most of the facilities and devices using electricity continuously generate a certain amount of electromagnetic noise, and the noise is transmitted in the form of electromagnetic radiation through the air or conduction connected through a power line. Communication equipment, control equipment, computer equipment, and even humans are affected by such electromagnetic interference, and the magnitude of the damage varies depending on the distance from the noise source of the electromagnetic interference, the coupling structure, and the strength of the damage equipment.

전자 정합(EMC)은 전자기기에서 발생하는 노이즈를 감소시켜, 다른 전자기기의 동작에 영향을 주지 않도록 하는 한편 다른 전자기기에서의 노이즈 영향도 차단하도록 설계하여 기기로서의 기능을 발휘하도록 하는 능력을 말한다. 이 때, 전자 정합은 전기/전자 기기가 우발적으로 발생하여 전파되는 원치 않는 전자기 장해(EMI)로부터 받는 장해를 적정 수준 이하로 낮추는 방법을 말한다. 이러한 전자기 장해는, 본 발명의 전자부품 패키지의 회로에서 전자파 결합을 일으켜 성능에 영향을 주게 되며, 따라서 후술할 본 발명의 전자부품 패키지는 전자파 차폐층의 구성을 포함하여 전자기 장해를 줄일 수 있도록 한다.Electromagnetic matching (EMC) refers to the ability to reduce the noise generated by electronic devices so as not to affect the operation of other electronic devices, while also blocking the effects of noise from other electronic devices to exert their functions as devices. . At this time, electronic matching refers to a method of reducing the interference received from unwanted electromagnetic interference (EMI) that is generated and propagated by electrical / electronic devices to an appropriate level or less. Such electromagnetic interference causes electromagnetic coupling in the circuit of the electronic component package of the present invention, thereby affecting performance, and accordingly, the electronic component package of the present invention, which will be described later, includes a configuration of an electromagnetic wave shielding layer to reduce electromagnetic interference. .

본 발명의 전자파 차폐층(10)은 아크릴계 접착제 및 전도성 필러를 포함할 수 있다. 이 때, 아크릴계 접착제 및 전도성 필러를 1 : 0.8 ~ 2.5 중량비, 바람직하게는 1 : 0.9 ~ 2.0 중량비, 더욱 바람직하게는 1 : 0.95 ~ 1.5 중랑비로 포함할 수 있으며, 만일, 전도성 필러가 0.8 중량비 미만으로 포함한다면 전자파 차폐 성능구현을 위한 전도성 발현의 문제가 있을 수 있고, 2.5 중량비를 초과하여 포함한다면 전도성 필러에 의한 용융 탄성율이 증가되어 전자부품 패키지 내에 공극이 발생되는 문제가 있을 수 있다.The electromagnetic wave shielding layer 10 of the present invention may include an acrylic adhesive and a conductive filler. At this time, the acrylic adhesive and the conductive filler may include a 1: 0.8 to 2.5 weight ratio, preferably 1: 0.9 to 2.0 weight ratio, more preferably 1: 0.95 to 1.5 weight ratio, if the conductive filler is less than 0.8 weight ratio If included as, there may be a problem of conductivity expression for implementing electromagnetic wave shielding performance, and if it is included in excess of 2.5 weight ratio, there may be a problem that voids are generated in the electronic component package by increasing the melt elastic modulus due to the conductive filler.

본 발명의 절연층(20)은 후술한 전자부품 패키지에 포함되어, 외부환경으로부터 반도체 칩과 같은 전자부품을 보호하고, 전자부품 패키지 외부와는 절연성을 유지하는 역할을 한다.The insulating layer 20 of the present invention is included in the electronic component package, which will be described later, to protect electronic components such as semiconductor chips from the external environment, and to maintain insulation from the exterior of the electronic component package.

본 발명의 절연층(20)은 아크릴계 접착제 및 절연성 필러를 포함할 수 있다. 이 때, 아크릴계 접착제 및 절연성 필러를 1 : 0.8 ~ 2.5 중량비, 바람직하게는 1 : 0.9 ~ 2.0 중량비, 더욱 바람직하게는 1 : 0.95 ~ 1.5 중량비로 포함할 수 있으며, 만일, 절연성 필러가 0.8 중량비 미만으로 포함한다면 절연층의 탄성율이 낮아져 반도체 칩 하부의 공극에 수지 용융물이 흘러들어가는 문제가 있을 수 있고, 2.5 중량비를 초과하여 포함한다면 절연층의 탄성율이 높아져 전자부품 패키지 내에 수지가 덜 채워진 공극이 발생될 수 있는 문제가 있을 수 있다.The insulating layer 20 of the present invention may include an acrylic adhesive and an insulating filler. In this case, the acrylic adhesive and the insulating filler may include a 1: 0.8 to 2.5 weight ratio, preferably 1: 0.9 to 2.0 weight ratio, more preferably 1: 0.95 to 1.5 weight ratio, and if the insulating filler is less than 0.8 weight ratio If included as, the elastic modulus of the insulating layer is lowered, and thus, a resin melt may flow into the pores under the semiconductor chip. If it exceeds 2.5 weight ratio, the elastic modulus of the insulating layer is increased, resulting in voids filled with less resin in the electronic component package. There can be problems.

본 발명의 전자파 차폐층(10) 및/또는 절연층(20)의 아크릴계 접착제는 각각 열가소성 수지, 열경화성 수지, 경화제, 촉매, 착색제 및 유기용제를 포함할 수 있다.The acrylic adhesive of the electromagnetic wave shielding layer 10 and / or the insulating layer 20 of the present invention may each include a thermoplastic resin, a thermosetting resin, a curing agent, a catalyst, a colorant, and an organic solvent.

열가소성 수지는 열을 가하여 성형한 뒤에도 다시 열을 가하면 형태를 변형시킬 수 있는 수지로서, 유리전이온도 0℃ ~ 20℃ 및 중량평균분자량 400,000 ~ 1,300,000인 아크릴 공중합체를 포함할 수 있고, 바람직하게는 유리전이온도 5℃ ~ 18℃ 및 중량평균분자량 600,000 ~ 1,150,000인 아크릴 공중합체를 포함할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 유리전이온도 5℃ ~ 15℃ 및 중량평균분자량 700,000 ~ 1,000,000인 아크릴 공중합체를 포함할 수 있다. 이 때, 아크릴 공중합체의 중량평균분자량이 400,000 미만인 경우, 반경화 상태의 전자파 차폐층 및/또는 절연층 형성이 어렵고, 전자파 차폐층 및/또는 절연층의 유동성이 과다할 수 있으며, 열경화성 수지와의 상용성이 저하되는 문제가 있을 수 있고, 아크릴 공중합체의 중량평균분자량이 1,300,000을 초과하면 열경화성 수지와의 상용성이 부족한 문제가 있을 수 잇다. 또한, 아크릴 공중합체의 유리전이온도가 0℃ 미만인 경우, 전자파 차폐층 및/또는 절연층 자체의 tack(끈적임) 특성이 강하게 발현하는 문제가 있을 수 있고, 유리전이온도가 20℃을 초과하면 부착 특성이 저하되어, 보이드(void)를 유발할 수 있다.The thermoplastic resin is a resin that can deform the shape by applying heat again after molding by applying heat, and may include an acrylic copolymer having a glass transition temperature of 0 ° C to 20 ° C and a weight average molecular weight of 400,000 to 1,300,000. It may include an acrylic copolymer having a glass transition temperature of 5 ° C to 18 ° C and a weight average molecular weight of 600,000 to 1,150,000, and more preferably an acrylic copolymer having a glass transition temperature of 5 ° C to 15 ° C and a weight average molecular weight of 700,000 to 1,000,000. can do. At this time, when the weight average molecular weight of the acrylic copolymer is less than 400,000, it is difficult to form an electromagnetic wave shielding layer and / or insulating layer in a semi-cured state, and the fluidity of the electromagnetic wave shielding layer and / or insulating layer may be excessive. There may be a problem that the compatibility is lowered, and if the weight average molecular weight of the acrylic copolymer exceeds 1,300,000, there may be a problem of insufficient compatibility with a thermosetting resin. In addition, when the glass transition temperature of the acrylic copolymer is less than 0 ° C, there may be a problem in which the tack (stickiness) properties of the electromagnetic wave shielding layer and / or the insulating layer itself are strongly expressed, and when the glass transition temperature exceeds 20 ° C, adhesion The characteristics are deteriorated, which may cause voids.

또한, 본 발명의 아크릴 공중합체는 에폭시기 함유 아크릴 공중합체로서, 전체 100 중량% 중 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트를 1 ~ 10 중량%로 에폭시기를 포함할 수 있고, 바람직하게는 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트를 4 ~ 10 중량%, 더욱 바람직하게는 5 ~ 9.5 중량%로 포함할 수 있다. 이 때, 아크릴 공중합체 내 에폭시기 함량이 1 중량% 미만이면 열경화성 수지와 상용성이 충분하지 않으며, 10 중량%를 초과하면 경화에 의한 점도 상승 속도가 너무 빠른 문제가 있을 수 있다.In addition, the acrylic copolymer of the present invention is an epoxy group-containing acrylic copolymer, glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate out of 100% by weight may include an epoxy group in 1 to 10% by weight, preferably Glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate may contain 4 to 10% by weight, more preferably 5 to 9.5% by weight. At this time, if the epoxy group content in the acrylic copolymer is less than 1% by weight, there is insufficient compatibility with the thermosetting resin, and if it exceeds 10% by weight, there may be a problem that the rate of viscosity increase due to curing is too fast.

한편, 본 발명의 열가소성 수지는 아크릴계 접착제의 전체 100 중량%에 대하여 12 ~ 18 중량%로, 바람직하게는 13.5 ~ 16.5 중량%로, 더욱 바람직하게는 14.2 ~ 15.8 중량%로 포함할 수 있으며, 이와 같은 중량% 범위로 포함하여 열경화성 수지와의 상용성 및 전자파 차폐층 및/또는 절연층의 흐름성 등을 제어하는데 적절하다.On the other hand, the thermoplastic resin of the present invention may comprise 12 to 18% by weight, preferably 13.5 to 16.5% by weight, more preferably 14.2 to 15.8% by weight relative to 100% by weight of the acrylic adhesive, more preferably It is suitable to control the compatibility with the thermosetting resin and the flowability of the electromagnetic shielding layer and / or the insulating layer by including in the same weight% range.

열경화성 수지는 열을 가하여 모양을 만든 다음에는 다시 열을 가하여도 부드러워지지 않는 수지로서, 에폭시계 수지를 포함할 수 있고, 바람직하게는 비스페놀계 에폭시 수지, 바이페닐계 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지, 플로렌계 에폭시 수지, 페놀노볼락계 에폭시 수지, 크레졸노볼락계 에폭시 수지, 트리스하이드록 실페닐메탄계 에폭시 수지 및 테트라페닐메탄계 에폭시 수지 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지, 및 디시클로펜타디엔(DCPD)형 에폭시 수지 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 이 때, 비스페놀계 에폭시 수지로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 수소첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 AF형 에폭시 수지 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The thermosetting resin is a resin that does not become soft even after heat is applied after heat is applied, and may include an epoxy resin, preferably bisphenol-based epoxy resin, biphenyl-based epoxy resin, naphthalene-based epoxy resin, It may include at least one selected from a florene-based epoxy resin, a phenol novolac-based epoxy resin, a cresol novolac-based epoxy resin, a trishydroxyl-phenylmethane-based epoxy resin, and a tetraphenylmethane-based epoxy resin, more preferably The bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, naphthalene-based epoxy resin, and may include one or more selected from dicyclopentadiene (DCPD) type epoxy resin have. At this time, the bisphenol-based epoxy resin may include at least one selected from bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol S-type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A-type epoxy resin and bisphenol AF-type epoxy resin. .

또한, 본 발명의 에폭시계 수지로서 사용가능한 현재 시판되고 있는 제품에는 비스페놀 A형 에폭시 수지로서는 국도화학의 YD-020, YD-020L, YD-019K, YD-019, YD-017H, YD-017R, YD-017, YD-014, YD-014ER, YD-013K, YD-012, YD-011H, YD-011S 및 YD-011 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 크레졸노볼락계 에폭시 수지로는 국도화학의 YDCN-500-80PCA60, YDCN-500-80PBC60, YDCN-500-90PA75, YDCN-500-90P, YDCN-500-80P, YDCN-500-10P, YDCN-500-8P, YDCN-500-7P, YDCN-500-5P, YDCN-500-4P, YDCN-500-1P, 일본화약주식회사의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, 동도화성의 YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, YDCN-701P, YDCN-702P, YDCN-703P, YDCN-704P, YDCN-701S, YDCN-702S 및 YDCN-703S 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 페놀노볼락계 에폭시 수지로는 YDPN-638A80, YDPN-644, YDPN-637, YDPN-636, YDPN-638 및 YDPN-631 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.In addition, currently commercially available products that can be used as the epoxy-based resin of the present invention include bisphenol A-type epoxy resins of YD-020, YD-020L, YD-019K, YD-019, YD-017H, YD-017R of Kukdo Chemical, YD-017, YD-014, YD-014ER, YD-013K, YD-012, may include one or more selected from YD-011H, YD-011S and YD-011, as a cresol novolak-based epoxy resin Kukdo Chemical's YDCN-500-80PCA60, YDCN-500-80PBC60, YDCN-500-90PA75, YDCN-500-90P, YDCN-500-80P, YDCN-500-10P, YDCN-500-8P, YDCN-500-7P , YDCN-500-5P, YDCN-500-4P, YDCN-500-1P, EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, Donghwa Chemical YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, YDCN-701P, YDCN-702P, YDCN-703P, YDCN-704P, YDCN-701S, YDCN-702S and YDCN-703S Phenol novolak-based epoxy resins include one or more selected from YDPN-638A80, YDPN-644, YDPN-637, YDPN-636, YDPN-638 and YDPN-631. Can.

또한, 열경화성 수지로서 비스페놀 A형 에폭시 수지를 포함한다면, 가장 바람직하게는 에폭시 당량이 166 ~ 206g/eq, 바람직하게는 176 ~ 196g/eq, 점도가 8,100 ~ 16,100cps(25℃), 바람직하게는 10,100 ~ 14,100cps(25℃)인 비스페놀 A형 에폭시 수지를 포함할 수 있다.In addition, if a bisphenol A-type epoxy resin is included as the thermosetting resin, most preferably, the epoxy equivalent is 166 to 206 g / eq, preferably 176 to 196 g / eq, and viscosity is 8,100 to 16,100 cps (25 ° C), preferably It may include a bisphenol A-type epoxy resin of 10,100 ~ 14,100cps (25 ℃).

한편, 본 발명의 열경화성 수지는 아크릴계 접착제의 전체 100 중량%에 대하여 12 ~ 18 중량%로, 바람직하게는 13.5 ~ 16.5 중량%로, 더욱 바람직하게는 14.2 ~ 15.8 중량%로 포함할 수 있으며, 이와 같은 중량% 범위로 포함하여 열가소성 수지와의 상용성 및 전자파 차폐층 및/또는 절연층의 흐름성 등을 제어하는데 적절하다.On the other hand, the thermosetting resin of the present invention may include 12 to 18% by weight, preferably 13.5 to 16.5% by weight, more preferably 14.2 to 15.8% by weight relative to 100% by weight of the acrylic adhesive, more preferably It is suitable to control the compatibility with the thermoplastic resin and the flowability of the electromagnetic shielding layer and / or the insulating layer by including in the same weight% range.

경화제는 페놀계 경화제를 포함할 수 있으며, 바람직하게는 평균 수산기 당량 80g/eq 이상, 바람직하게는 90 ~ 150 g/eq, 더욱 바람직하게는 100 ~ 120 g/eq 인 것을 포함할 수 있는데, 수산기 당량이 80 g/eq 미만인 경우, 흡수율이 높고, 흐름성이 악화 되는 문제점이 발생할 수 있고, 150g/eq를 초과하는 경우 느린 경화속도로 복합필름의 생산성, 작업공정성이 떨어지는 문제가 있을 수 있다. 또한, 페놀계 경화제는 연화점이 70℃ 이상, 바람직하게는 75℃ ~ 135℃, 더욱 바람직하게는 75℃ ~ 85℃인 것을 포함할 수 있는데, 연화점이 70℃ 미만이면 열압에 의해 열가소성 수지 및 열경화성 수지가 과다하게 흘러나와 주변을 오염시키는 문제가 있을 수 있다.The curing agent may include a phenolic curing agent, preferably, the average hydroxyl group equivalent is 80 g / eq or more, preferably 90 to 150 g / eq, and more preferably 100 to 120 g / eq, which may include hydroxyl groups. If the equivalent is less than 80 g / eq, the absorption rate is high, there may be a problem that the flowability is deteriorated, and if it exceeds 150 g / eq, there may be a problem of poor productivity and workability of the composite film at a slow curing rate. In addition, the phenolic curing agent may include those having a softening point of 70 ° C or higher, preferably 75 ° C to 135 ° C, and more preferably 75 ° C to 85 ° C. If the softening point is less than 70 ° C, the thermoplastic resin and thermosetting by thermal pressure There may be a problem that excessive resin flows out and contaminates the surroundings.

또한, 페놀계 경화제는 페놀 노볼락계 수지, 비스페놀 A계 수지, 크레졸 노볼락계 수지, 아미노트리아진노볼락계 수지 및 자일록계 수지 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 페놀 노볼락계 수지 및 비스페놀 A계 수지 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 이러한, 페놀 노볼락계 페놀수지의 구체적인 예로는 다이니폰잉크화학공업의 TD-2131, TD-2106, TD-2093Y, TD-2091, TD-2090이 있고 코오롱 유화주식회사의 KPE-F2000, KPE-B2100, KPE-F2300, KPH-F-2001, KPH-F2002, KPH-F2003, KPH-F2004등이 있다. 또한, 비스페놀 A계 페놀수지의 구체적인 예로는 다이니폰잉크화학공업의 VH-4150, VH-4170, VH-4240, KH-6021, LF-7911, LF-6161, LF-4871이 있고 코오롱 유화주식회사의 KBE-F4113, KBE-F4123, KBE-F4127 등이 있다. 또한, 크레졸노볼락계 페놀수지의 구체적인 예로는 다이니폰잉크화학공업의 KA-1160, KA-1163, KA-1165가 있고, 코오롱 유화주식회사의 KCE-F2015, KCE-F2020, KCE-F2078, KCE-F2081, KCE-F2094, KCE-F2100, KCE-F2110, KCE-F2115, KCE-F2120, KCE-F2118, KCE-F2123, KCE-F2125 등이 있다. 아미노트리아진노볼락계 페놀수지의 구체적인 예로는 다이니폰잉크화학공업의 LA-7052, LA-7054, LA-7751, LA-1356, LA-3018-50P가 있고 코오롱유화주식회사의 KPHF3005, KPH-F3010, KPH-F3020 등이 있으며, 자일록계 페놀수지의 구체적인 예로는 코오롱유화주식회사의 KPHF3060, KPH-F3065 등이 있다.In addition, the phenol-based curing agent may include at least one selected from phenol novolac-based resins, bisphenol A-based resins, cresol novolac-based resins, aminotriazine novolac-based resins, and xylox-based resins, preferably phenol novolac. And one or more resins selected from resins based on resins and bisphenol A resins. Specific examples of such a phenol novolak-based phenolic resin include TD-2131, TD-2106, TD-2093Y, TD-2091, and TD-2090 of Dainippon Ink Chemical Industries, and KPE-F2000, KPE-B2100 of Kolon Emulsion Co., Ltd. , KPE-F2300, KPH-F-2001, KPH-F2002, KPH-F2003, KPH-F2004. In addition, specific examples of bisphenol A-based phenolic resins include VH-4150, VH-4170, VH-4240, KH-6021, LF-7911, LF-6161, and LF-4871 from Dainippon Ink Chemical Co., Ltd. KBE-F4113, KBE-F4123, KBE-F4127, and the like. In addition, specific examples of cresol novolak-based phenolic resins include KA-1160, KA-1163, and KA-1165 of Dainippon Ink Chemical Industries, and KCE-F2015, KCE-F2020, KCE-F2078, and KCE- of Kolon Oil Painting Co., Ltd. F2081, KCE-F2094, KCE-F2100, KCE-F2110, KCE-F2115, KCE-F2120, KCE-F2118, KCE-F2123, KCE-F2125, and the like. Specific examples of the aminotriazine novolac-based phenolic resins are LA-7052, LA-7054, LA-7751, LA-1356, and LA-3018-50P from Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., and KPHF3005, KPH-F3010 from KOLON Emulsion Co., Ltd. KPH-F3020, etc., and specific examples of xylo-type phenolic resins include KPHF3060 and KPH-F3065 of Kolon Oil Co., Ltd.

한편, 본 발명의 경화제는 아크릴계 접착제의 전체 100 중량%에 대하여 4 ~ 6 중량%로, 바람직하게는 4.5 ~ 5.5 중량%로, 더욱 바람직하게는 4.75 ~ 5.25 중량%로 포함할 수 있으며, 4 중량% 미만으로 포함하면 열경화성 수지의 경화효과가 부족한 문제가 있을 수 있고, 6 중량%를 초과하면 수지와의 반응성이 높아지게 되는 문제가 있을 수 있다.Meanwhile, the curing agent of the present invention may include 4 to 6% by weight, preferably 4.5 to 5.5% by weight, more preferably 4.75 to 5.25% by weight, and 4% by weight based on 100% by weight of the acrylic adhesive. When included in less than%, there may be a problem that the curing effect of the thermosetting resin is insufficient, and if it exceeds 6% by weight, there may be a problem that reactivity with the resin is increased.

촉매는 경화 속도나 경화물의 물성 등을 조정하기 위한 역할을 하며, 에폭시 성분을 포함하는 통상적인 복합필름에 사용되는 촉매를 제한없이 사용할 수 있으나, 비제한적인 예로써, 이미다졸계 촉매 및 3급 아민계 촉매 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 경화 속도나 경화물의 물성 등의 조정이 용이한 이미다졸계 경화 촉매가 바람직하게 포함할 수 있다. 이미다졸계 촉매로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 상품명 「2PZ-CN」(시코쿠화성 제조) 등을 들 수 있다. The catalyst serves to adjust the curing rate or the properties of the cured product, and a catalyst used in a conventional composite film containing an epoxy component can be used without limitation, but as a non-limiting example, an imidazole catalyst and a tertiary grade It may include one or more selected from amine-based catalysts, and an imidazole-based curing catalyst that is easy to adjust, such as a curing speed and properties of a cured product, may be preferably included. Although it is not specifically limited as an imidazole catalyst, For example, the brand name "2PZ-CN" (made by Shikoku Chemical), etc. are mentioned.

한편, 본 발명의 촉매는 아크릴계 접착제의 전체 100 중량%에 대하여 0.4 ~ 0.6 중량%로, 바람직하게는 0.45 ~ 0.55 중량%로, 더욱 바람직하게는 0.47 ~ 0.53 중량%로 포함할 수 있다.Meanwhile, the catalyst of the present invention may include 0.4 to 0.6% by weight, preferably 0.45 to 0.55% by weight, and more preferably 0.47 to 0.53% by weight with respect to 100% by weight of the acrylic adhesive.

착색제는 카본블랙, 티탄블랙, 티탄질화물, 인산수산화구리, 철산화물, 운모 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게 카본블랙을 포함할 수 있다. 한편, 본 발명의 착색제는 아크릴계 접착제의 전체 100 중량%에 대하여 0.8 ~ 1.2 중량%로, 바람직하게는 0.9 ~ 1.1 중량%로, 더욱 바람직하게는 0.95 ~ 1.05 중량%로 포함할 수 있다. The colorant may include at least one selected from carbon black, titanium black, titanium nitride, copper phosphate, iron oxide, and mica, and preferably may include carbon black. Meanwhile, the colorant of the present invention may contain 0.8 to 1.2% by weight, preferably 0.9 to 1.1% by weight, and more preferably 0.95 to 1.05% by weight relative to 100% by weight of the acrylic adhesive.

유기용제는 통상적으로 전자파 차폐층 및/또는 절연층에 사용되는 유기용제의 경우 제한없이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로부터 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 더욱 바람직하게는 메틸에틸케톤을 포함할 수 있다.The organic solvent may be used without limitation in the case of an organic solvent that is usually used for an electromagnetic shielding layer and / or an insulating layer, preferably methyl ethyl ketone, cyclohexanone, diethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, di It may include one or more selected from ethylene glycol monoethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate, and more preferably methyl ethyl ketone.

한편, 본 발명의 유기용제는 아크릴계 접착제의 전체 100 중량%에 대하여 포함 성분으로 열가소성 수지, 열경화성 수지, 경화제, 촉매 및 착색제를 포함할 때, 이를 제외한 잔량으로 포함할 수 있다. 예를 들어, 아크릴계 접착제의 전체 100 중량%에 대하여 열가소성 수지, 열경화성 수지, 경화제, 촉매 및 착색제를 28.8 ~ 43.2 중량%, 바람직하게는 32.4 ~ 39.6 중량%, 더욱 바람직하게는 34.2 ~ 37.8 중량%로 포함한다면, 유기용제는 28.8 ~ 43.2 중량%, 바람직하게는 57.6 ~ 70.4 중량%, 더욱 바람직하게는 60.8 ~ 67.2 중량%로 포함할 수 있다. On the other hand, when the organic solvent of the present invention comprises a thermoplastic resin, a thermosetting resin, a curing agent, a catalyst and a colorant as an included component based on 100% by weight of the total amount of the acrylic adhesive, it can be included in the remaining amount except for this. For example, with respect to the total 100% by weight of the acrylic adhesive, thermoplastic resin, thermosetting resin, curing agent, catalyst and colorant is 28.8 to 43.2% by weight, preferably 32.4 to 39.6% by weight, more preferably 34.2 to 37.8% by weight If included, the organic solvent may include 28.8 to 43.2% by weight, preferably 57.6 to 70.4% by weight, and more preferably 60.8 to 67.2% by weight.

본 발명의 절연성 필러는 절연층의 구성성분에 포함되어 절연성을 부여할 뿐만 아니라, 저장탄성율, 흐름성 및 접착성을 제어할 수 있는 역할을 한다. 본 발명의 절연성 필러는 평균 입경이 0.5 ~ 25 ㎛, 바람직하게는 1 ~ 20㎛, 더욱 바람직하게는 2 ~ 10㎛의 구상일 수 있으며, 만일 평균 입경이 0.5㎛ 미만이면 수지 용융물의 흐름특성을 방해할 뿐만 아니라 분산성이 떨어져 절연층 내에 뭉쳐서 존재하는 문제가 있을 수 있고, 25 ㎛를 초과하면 박형의 균일한 두께의 절연층을 얻기 어려워질 뿐만 아니라, 절연성 필러에 의해 기판 손상이나 접착성 저하의 문제가 발생할 수 있다. 이 때, 절연성 필러는 알루미나, 실리카, 수산화마그네슘 및 탄산칼슘 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 평균 입경이 0.5 ~ 25㎛, 더욱 바람직하게는 2 ~ 10㎛인 구상 실리카를 포함할 수 있다.The insulating filler of the present invention is included in the components of the insulating layer to impart insulating properties, and also serves to control storage modulus, flowability and adhesiveness. The insulating filler of the present invention may have a spherical shape having an average particle diameter of 0.5 to 25 µm, preferably 1 to 20 µm, more preferably 2 to 10 µm, and if the average particle diameter is less than 0.5 µm, the flow characteristics of the resin melt are Not only does it hinder, but dispersibility is poor, there may be a problem that agglomerates in the insulating layer. If it exceeds 25 μm, it is difficult to obtain an insulating layer having a thin uniform thickness, and the insulating filler lowers substrate damage or adhesion. Can cause problems. At this time, the insulating filler may include one or more selected from alumina, silica, magnesium hydroxide, and calcium carbonate, and preferably includes spherical silica having an average particle diameter of 0.5 to 25 μm, more preferably 2 to 10 μm. can do.

본 발명의 전도성 필러는 전자파 차폐층의 구성성분에 포함되어 전도성을 부여할 뿐만 아니라, 저장탄성율, 흐름성 및 접착성을 제어할 수 있는 역할을 한다. 본 발명의 전도성 필러는 평균 입경이 1 ~ 25 ㎛, 바람직하게는 5 ~ 15 ㎛이고, 평균 길이가 5 ~ 50 ㎛, 바람직하게는 10 ~ 30 ㎛의 침상일 수 있으며, 만일 평균 입경이 1㎛ 미만, 평균 길이가 5㎛ 미만이면 전도성 필러간의 접촉이 불충하여 부족하여 전도성 발현에 문제가 있을 수 있고, 평균 입경이 25㎛를 초과, 평균 길이가 50㎛를 초과하면 아크릴계 접착제 내 균일한 분산효과를 얻을 수 없게 되어, 50㎛ 이하의 박막 필름화에도 문제가 있을 수 있다. 이 때, 전도성 필러는 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 철(Fe) 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 침상 구조의 구리 표면에 은이 코팅된 분말일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 침상 구조의 구리 표면에 은이 3 ~ 20 중량%, 바람직하게는 5 ~ 15 중량% 코팅된 분말일 수 있다. The conductive filler of the present invention is included in the components of the electromagnetic wave shielding layer to impart conductivity, and also serves to control storage modulus, flowability and adhesiveness. The conductive filler of the present invention may have an average particle diameter of 1 to 25 μm, preferably 5 to 15 μm, an average length of 5 to 50 μm, and preferably 10 to 30 μm needles, if the average particle diameter is 1 μm. Less than, if the average length is less than 5 µm, there may be insufficient contact between the conductive fillers, which may cause problems in conductivity, and if the average particle size exceeds 25 µm and the average length exceeds 50 µm, uniform dispersion effect in the acrylic adhesive Since it cannot be obtained, there may be a problem in film formation of 50 µm or less. At this time, the conductive filler may include one or more selected from silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), and iron (Fe), and is preferably a powder coated with silver on a copper surface having a needle-like structure. It may be more preferably 3 to 20% by weight of silver on the copper surface of the needle-like structure, preferably 5 to 15% by weight of the powder coated.

한편, 본 발명의 전자파 차폐층(10)과 절연층(20)은 저장탄성율 및 흐름성이 상이할 수 있다. 구체적으로, 전자파 차폐층(10)은 절연층(20)보다 흐름성이 적고, 저장탄성율이 높을 수 있다. 즉, 본 발명의 전자파 차폐층(10)과 절연층(20)은 각각 특정 저장탄성율 및 특정 흐름성을 가질 수 있어, 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름은 후술할 전자부품 패키지에 포함되어 기판과 반도체칩 사이에 형성된 이격 공간에 전자파 차폐층의 용융물이 침투되지 않을 뿐만 아니라, 절연층 표면에 단차가 없이 평평한 구조를 가질 수 있는 장점이 있다.On the other hand, the electromagnetic wave shielding layer 10 and the insulating layer 20 of the present invention may have different storage modulus and flowability. Specifically, the electromagnetic wave shielding layer 10 may have less flowability and a higher storage elastic modulus than the insulating layer 20. That is, the electromagnetic wave shielding layer 10 and the insulating layer 20 of the present invention may each have a specific storage modulus and specific flowability, and the electromagnetic wave shielding composite film for the electronic component package of the present invention is included in an electronic component package to be described later. Since the melt of the electromagnetic wave shielding layer does not penetrate into the separation space formed between the substrate and the semiconductor chip, there is an advantage in that it has a flat structure without a step on the surface of the insulating layer.

구체적으로, 본 발명의 전자파 차폐층(10)은 60 ~ 100℃, 바람직하게는 75 ~ 85℃의 온도에서 5 ~ 50MPa, 바람직하게는 10 ~ 30MPa의 저장탄성율을 가질 수 있고, 하기 측정방법 1의하여 측정된 흐름성이 2 ~ 20mm, 바람직하게는 5 ~ 15mm일 수 있다. Specifically, the electromagnetic wave shielding layer 10 of the present invention may have a storage elastic modulus of 5 to 50 MPa, preferably 10 to 30 MPa, at a temperature of 60 to 100 ° C, preferably 75 to 85 ° C, and the following measuring method 1 The measured flowability may be 2 to 20 mm, preferably 5 to 15 mm.

또한, 본 발명의 절연층(10)은 60 ~ 100℃, 바람직하게는 75 ~ 85℃의 온도에서 1 ~ 40MPa, 바람직하게는 2 ~ 20MPa의 저장탄성율을 가질 수 있고, 하기 측정방법 1의하여 측정된 흐름성이 5 ~ 40mm, 바람직하게는 10 ~ 30mm일 수 있다. In addition, the insulating layer 10 of the present invention may have a storage elastic modulus of 1 to 40 MPa, preferably 2 to 20 MPa, at a temperature of 60 to 100 ° C, preferably 75 to 85 ° C, measured by the following measurement method 1 The flowability may be 5 to 40 mm, preferably 10 to 30 mm.

나아가, 본 발명의 전자파 차폐 복합필름은 200 ~ 300㎛의 두께, 바람직하게는 240 ~ 280㎛의 두께, 더욱 바람직하게는 250 ~ 270㎛의 두께를 가질 수 있다. 이와 같이 본 발명의 전자파 차폐 복합필름이 상기와 같은 두께 범위를 가질 때, 본 발명의 절연층(20) 및 전자파 차폐층(10)은 1 : 0.06 ~ 0.5 두께비, 바람직하게는 1 : 0.07 ~ 0.1 두께비, 더욱 바람직하게는 1 : 0.075 ~ 0.09 두께비를 가질 수 있으며, 만일 두께비가 0.06 미만이면 차폐 특성 발현을 위한 전기전도성을 충분히 발현할 수 없는 문제가 있을 수 있고, 0.5를 초과하면 전자파 차폐층(10)의 두께가 두꺼워 후술할 전자부품 패키지에 포함될 때, 즉 본 발명의 전자파 차폐 복합필름이 기판 및 반도체칩을 커버링(covering)할 때, 본 발명의 전자파 차폐 복합필름에서 발생하는 용융물이 반도체 칩 주변의 공간을 충분히 채워지지 못해서 빈 공극이나 기포가 발생하는 문제가 있을 수 있다.Furthermore, the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention may have a thickness of 200 to 300 μm, preferably a thickness of 240 to 280 μm, and more preferably a thickness of 250 to 270 μm. As described above, when the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention has the above thickness range, the insulating layer 20 and the electromagnetic wave shielding layer 10 of the present invention have a thickness ratio of 1: 0.06 to 0.5, preferably 1: 0.07 to 0.1. Thickness ratio, more preferably 1: may have a thickness ratio of 0.075 ~ 0.09, if the thickness ratio is less than 0.06, there may be a problem that can not sufficiently express the electrical conductivity for the expression of the shielding property, if it exceeds 0.5, the electromagnetic wave shielding layer ( When the thickness of 10) is included in the electronic component package to be described later, that is, when the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention covers a substrate and a semiconductor chip, the melt generated in the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention is a semiconductor chip. There may be a problem that empty spaces or bubbles are generated because the surrounding space is not sufficiently filled.

한편, 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름은 60 ~ 100℃, 바람직하게는 75 ~ 85℃의 온도에서 1 ~ 50MPa, 바람직하게는 2 ~ 30MPa, 더욱 바람직하게는 5 ~ 20MPa 의 저장탄성율을 가질 수 있으며, 만일 저장탄성율이 1 MPa 미만이면 용융점도가 너무 낮아져 후술할 전자부품 패키지에 포함될 때, 즉 본 발명의 전자파 차폐 복합필름이 기판 및 반도체칩을 커버링(covering)할 때, 범프에 의해 기판과 반도체칩 사이에 형성된 이격 공간에 본 발명의 전자파 차폐 복합필름에서 발생하는 용융물이 침투되어 반도체 칩 특성이 왜곡되는 문제가 있을 수 있고, 50MPa를 초과하면 본 발명의 전자파 차폐 복합필름에서 발생하는 용융물이 반도체 칩 주변의 공간을 충분히 채워지지 못해서 빈 공극이나 기포가 발생하는 문제가 있을 수 있다.Meanwhile, the electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package of the present invention has a storage elastic modulus of 1 to 50 MPa, preferably 2 to 30 MPa, more preferably 5 to 20 MPa at a temperature of 60 to 100 ° C, preferably 75 to 85 ° C. When the storage modulus is less than 1 MPa, when the melt viscosity is too low to be included in an electronic component package to be described later, that is, when the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention covers a substrate and a semiconductor chip, the bump The melt generated in the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention may penetrate into the space formed between the substrate and the semiconductor chip, thereby distorting the characteristics of the semiconductor chip. If it exceeds 50 MPa, it occurs in the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention. There may be a problem that the voids or bubbles are generated because the melt to be filled does not fill the space around the semiconductor chip.

나아가, 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름은 하기 측정방법 1에 의하여 흐름성을 측정 시, 2 ~ 20mm, 바람직하게는 4 ~ 16mm, 더욱 바람직하게는 7 ~ 13mm의 흐름성을 가질 수 있으며, 만일 흐름성이 20mm를 초과하면 후술할 전자부품 패키지에 포함될 때, 즉 본 발명의 전자파 차폐 복합필름이 기판 및 반도체칩을 커버링(covering)할 때, 범프에 의해 기판과 반도체칩 사이에 형성된 이격 공간에 본 발명의 전자파 차폐 복합필름에서 발생하는 용융물이 침투되어 반도체 칩 특성이 왜곡되는 문제가 있을 수 있고, 2mm 미만이면 본 발명의 전자파 차폐 복합필름에서 발생하는 용융물이 반도체 칩 주변의 공간을 충분히 채워지지 못해서 빈 공극이나 기포가 발생하는 문제가 있을 수 있다. Furthermore, the electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package of the present invention may have a flowability of 2 to 20 mm, preferably 4 to 16 mm, more preferably 7 to 13 mm, when measuring flowability by the following measurement method 1 When the flowability exceeds 20 mm, when included in an electronic component package to be described later, that is, when the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention covers a substrate and a semiconductor chip, a bump is formed between the substrate and the semiconductor chip. There may be a problem that the semiconductor chip characteristics are distorted due to the penetration of the melt generated from the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention into the spaced apart space, and if it is less than 2 mm, the melt generated from the electromagnetic wave shielding composite film of the present invention may reduce the space around the semiconductor chip. There may be problems with empty voids or bubbles because it is not sufficiently filled.

[측정방법 1][Measurement method 1]

전자파 차폐 복합필름을 펀칭(punching)하여 직경이 5mm인 전자파 차폐 복합필름을 제조한다. 그 후, 상기 전자파 차폐 복합필름을 제1 PET 필름 및 제2 PET 필름 사이에 넣고 80℃의 온도, 0.2 MPa의 압력 하에서 5초동안 가압하여 전자파 차폐 복합필름의 직경 증가량을 흐름성으로 정의한다.The electromagnetic wave shielding composite film is punched to prepare an electromagnetic wave shielding composite film having a diameter of 5 mm. Thereafter, the electromagnetic wave shielding composite film was placed between the first PET film and the second PET film, and pressurized for 5 seconds under a temperature of 80 ° C. and a pressure of 0.2 MPa to define an increase in diameter of the electromagnetic wave shielding composite film as flowability.

한편, 도 2를 참조하여 본 발명의 전자부품 패키지를 설명하면, 본 발명의 전자부품 패키지는 전자부품 및 앞서 언급한 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 포함한다. On the other hand, referring to Figure 2, the electronic component package of the present invention, the electronic component package of the present invention includes an electronic component and an electromagnetic wave shielding composite film for the aforementioned electronic component package.

본 발명의 전자부품은 기판(30), 기판(30) 일면에 기판(30)과 이격되어 실장된 반도체칩(40), 기판(30) 및 반도체칩(40)과 접촉되어 기판(30)과 반도체칩(40)을 전기적으로 연결시키는 범프(bump)(50)를 포함할 수 있다. 이 때, 전자부품은 범프(50)에 의해 기판(30)과 반도체칩(40) 사이에 이격 공간이 형성될 수 있다.The electronic component of the present invention is in contact with the substrate 30, the semiconductor chip 40 mounted spaced apart from the substrate 30 on one surface of the substrate 30, the substrate 30 and the semiconductor chip 40 in contact with the substrate 30 A bump 50 that electrically connects the semiconductor chip 40 may be included. At this time, the space between the substrate 30 and the semiconductor chip 40 may be formed by the bump 50 in the electronic component.

또한, 본 발명의 전자부품 패키지는 전자파 차폐 복합필름의 전자파 차폐층(10)은 반도체칩(40)이 실장된 방향으로 기판(30) 및 반도체칩(40)을 커버링(covering)하면서 접착될 수 있으며, 커버링은 반도체칩(40)이 외부로 노출되는 표면이 발생하지 않도록 커버링되고, 기판(10)의 전부 또는 일부를 커버링할 수 있다.In addition, in the electronic component package of the present invention, the electromagnetic wave shielding layer 10 of the electromagnetic wave shielding composite film may be adhered while covering the substrate 30 and the semiconductor chip 40 in a direction in which the semiconductor chip 40 is mounted. In addition, the covering is covered so that the surface on which the semiconductor chip 40 is exposed to the outside does not occur, and may cover all or part of the substrate 10.

기판(10)은 당업계에서 통상적으로 사용되는 기판이라면 제한없이 사용될 수 있고, 바람직하게는 회로기판일 수 있다. 또한, 기판(10)에는 접지회로(1)가 형성될 수 있으며, 접지회로(1)와 전자파 차폐층(10)은 직접적으로 접촉되어 전기적으로 연결될 수 있고, 기판(10) 상에 전자파 차폐 특성이 구현될 수 있다.The substrate 10 may be used without limitation as long as it is a substrate commonly used in the art, and may be preferably a circuit board. In addition, a grounding circuit 1 may be formed on the substrate 10, and the grounding circuit 1 and the electromagnetic wave shielding layer 10 may be directly contacted and electrically connected, and electromagnetic wave shielding characteristics may be provided on the substrate 10. This can be implemented.

반도체칩(40)은 당업계에서 통상적으로 사용되는 민감한 소자 구조물을 가진 칩이라면 제한없이 사용될 수 있고, 바람직하게는 SAW(surface Acoustic Wave) 필터를 포함하는 칩일 수 있다.The semiconductor chip 40 may be used without limitation as long as it is a chip having a sensitive device structure commonly used in the art, and may preferably be a chip including a surface acoustic wave (SAW) filter.

나아가, 도 3을 참조하여 본 발명의 전자부품 패키지를 설명하면, 본 발명의 전자부품 패키지는 하기 조건 (1)의 두께를 만족할 수 있다.Furthermore, when the electronic component package of the present invention is described with reference to FIG. 3, the electronic component package of the present invention can satisfy the thickness of condition (1) below.

(1) A : B : C = 1 : 1.1 ~ 1.5 : 0.05 ~ 0.2, 바람직하게는 A : B : C = 1 : 1.1 ~ 1.4 : 0.05 ~ 0.15, 더욱 바람직하게는 A : B : C = 1 : 1.1 ~ 1.3 : 0.07 ~ 0.1(1) A: B: C = 1: 1.1 to 1.5: 0.05 to 0.2, preferably A: B: C = 1: 1.1 to 1.4: 0.05 to 0.15, more preferably A: B: C = 1: 1.1 ~ 1.3: 0.07 ~ 0.1

상기 조건 (1)에 있어서, A는 반도체칩과 범프의 두께의 합, B는 전자파 차폐 복합필름의 두께, C는 전자파 차폐층의 두께를 나타낸다.In the condition (1), A is the sum of the thickness of the semiconductor chip and the bump, B is the thickness of the electromagnetic wave shielding composite film, and C is the thickness of the electromagnetic wave shielding layer.

이와 같은 조건 (1)의 두께를 만족하여 본 발명의 전자부품 패키지는 기판과 반도체칩 사이에 형성된 이격 공간에 전자파 차폐층의 용융물이 침투되지 않을 뿐만 아니라, 절연층 표면에 단차가 없이 평평하다.Satisfying the thickness of the condition (1), the electronic component package of the present invention not only does not infiltrate the melt of the electromagnetic wave shielding layer into the separation space formed between the substrate and the semiconductor chip, and is flat without any step on the surface of the insulating layer.

한편, 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조방법은 제1단계 및 제2단계를 포함한다.Meanwhile, a method of manufacturing an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package of the present invention includes a first step and a second step.

먼저, 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조방법의 제1단계는 일면에 제1이형필름이 부착된 반경화 상태의 전자파 차폐층 및 일면에 제2이형필름이 부착된 반경화 상태의 절연층을 준비할 수 있다. First, a first step of a method of manufacturing an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package of the present invention is a semi-cured state with an electromagnetic wave shielding layer with a first release film attached to one surface and a second release film attached to one surface. It is possible to prepare an insulating layer.

구체적으로, 아크릴계 접착제(열가소성 수지, 열경화성 수지, 경화제, 촉매, 착색제 및 유기용제가 혼합)와 전도성 필러를 혼합하여 혼합물을 제조하고, 제조한 혼합물을 PET 필름을 포함하는 제2이형필름에 도포하여, 100 ~ 140℃, 바람직하게는 110 ~ 130℃의 온도에서 1 ~ 10분, 바람직하게는 1 ~ 3분간 건조하여 일면에 제1이형필름이 부착된 반경화 상태의 전자파 차폐층을 준비할 수 있다.Specifically, an acrylic adhesive (thermoplastic resin, thermosetting resin, curing agent, catalyst, colorant, and organic solvent is mixed) and a conductive filler are mixed to prepare a mixture, and the prepared mixture is applied to a second release film containing a PET film. , 100 ~ 140 ℃, preferably 1 ~ 10 minutes at a temperature of 110 ~ 130 ℃, preferably 1 ~ 3 minutes to dry the electromagnetic wave shielding layer in a semi-cured state with a first release film attached to one side can be prepared have.

또한, 아크릴계 접착제(열가소성 수지, 열경화성 수지, 경화제, 촉매, 착색제 및 유기용제가 혼합)와 절연성 필러를 혼합하여 혼합물을 제조하고, 제조한 혼합물을 일면이 실리콘 이형처리된 PET 필름을 포함하는 제2이형필름에 도포하여, 100 ~ 140℃, 바람직하게는 110 ~ 130℃의 온도에서 1 ~ 10분, 바람직하게는 1 ~ 3분간 건조하여 일면에 제2이형필름이 부착된 반경화 상태의 절연층을 준비할 수 있다.In addition, a mixture of an acrylic adhesive (a thermoplastic resin, a thermosetting resin, a curing agent, a catalyst, a colorant, and an organic solvent) and an insulating filler is prepared to prepare a mixture, and the prepared mixture is a second side comprising a silicone release-treated PET film. Applying to the release film, drying at a temperature of 100 to 140 ° C, preferably 110 to 130 ° C for 1 to 10 minutes, preferably 1 to 3 minutes, the semi-cured insulating layer with a second release film attached to one surface Can prepare.

다음으로, 본 발명의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조방법의 제2단계는 준비한 전자파 차폐층의 타면과 준비한 절연층의 타면을 합지하여 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조할 수 있다.Next, in the second step of the method of manufacturing the electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package of the present invention, the other surface of the prepared electromagnetic wave shielding layer and the other surface of the prepared insulating layer may be laminated to produce an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package. .

합지는 80 ~ 120℃, 바람직하게는 90 ~ 110℃의 온도의 롤합지기를 이용해 합지할 수 있으며, 절연층 및 전자파 차폐층은 1 : 0.06 ~ 0.1 두께비, 바람직하게는 1 : 0.07 ~ 0.1 두께비, 더욱 바람직하게는 1 : 0.075 ~ 0.09 두께비로 합지할 수 있다.The lamination may be performed using a roll laminating machine having a temperature of 80 to 120 ° C, preferably 90 to 110 ° C, and the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer may have a thickness ratio of 1: 0.06 to 0.1, preferably 1: 0.07 to 0.1, More preferably, it can be laminated at a thickness ratio of 1: 0.075 to 0.09.

나아가, 본 발명의 전자부품 패키지의 제조방법은 제1단계 및 제2단계를 포함한다.Furthermore, the method for manufacturing an electronic component package of the present invention includes a first step and a second step.

먼저, 본 발명의 전자부품 패키지의 제조방법의 제1단계는 앞서 언급한 전자부품과 앞서 언급한 전자파 차폐 복합필름을 준비할 수 있다.First, in the first step of the method for manufacturing an electronic component package of the present invention, the above-mentioned electronic component and the above-mentioned electromagnetic wave shielding composite film may be prepared.

다음으로, 도 4를 참조하여 본 발명의 전자부품 패키지의 제조방법의 제2단계를 설명하면, 준비한 전자파 차폐 복합필름의 전자파 차폐층이 반도체칩이 실장된 방향으로 기판 및 반도체칩을 커버링(covering)하면서 상기 전자부품에 접착시킬 수 있다. 이 때, 커버링은 반도체칩이 외부로 노출되는 표면이 발생하지 않도록 커버링되고, 기판의 전부 또는 일부를 커버링할 수 있다. 또한, 제2단계를 통해 도 2 및 도 3에 도시된 전자부품 패키지가 제조될 수 있다.Next, referring to FIG. 4, the second step of the method for manufacturing an electronic component package of the present invention will be described. The electromagnetic wave shielding layer of the prepared electromagnetic shielding composite film covers the substrate and the semiconductor chip in a direction in which the semiconductor chip is mounted. ) While adhering to the electronic component. At this time, the covering is covered so that the surface where the semiconductor chip is exposed to the outside does not occur, and may cover all or part of the substrate. Also, the electronic component package illustrated in FIGS. 2 and 3 may be manufactured through the second step.

한편, 제2단계의 접착은 가압 플레스를 이용하여 60 ~ 100℃의 온도, 바람직하게는 65 ~ 85℃의 온도, 0.1 ~ 0.5 MPa의 압력, 바람직하게는 0.1 ~ 0.3 MPa의 압력 하에서 수행할 수 있다.On the other hand, the adhesion of the second step is carried out under a pressure of 60 ~ 100 ℃, preferably 65 ~ 85 ℃ temperature, 0.1 ~ 0.5 MPa pressure, preferably 0.1 ~ 0.3 MPa using a pressure press Can be.

이상에서 본 발명에 대하여 구현예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명의 구현예를 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 구현예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the present invention has been mainly described with reference to embodiments, but this is merely an example and does not limit the embodiments of the present invention, and those having ordinary knowledge in the field to which the embodiments of the present invention pertain will provide essential characteristics of the present invention. It will be appreciated that various modifications and applications not illustrated above are possible without departing from the scope. For example, each component specifically shown in the embodiments of the present invention can be implemented by modification. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

실시예 1 : 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조Example 1: Preparation of an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package

(1) 전자파 차폐층의 제조(1) Preparation of electromagnetic wave shielding layer

전체 100 중량%에 대하여 열가소성 수지 15 중량%, 열경화성 수지 15 중량%, 경화제 5 중량%, 촉매 0.5중량%, 착색제 1 중량% 및 잔량의 유기용제의 혼합하여 아크릴계 접착제를 제조하고, 제조한 아크릴계 접착제와 전도성 필러를 1 : 1 중량비로 혼합하여 혼합물을 제조하였다.An acrylic adhesive is prepared by mixing 15% by weight of a thermoplastic resin, 15% by weight of a thermosetting resin, 5% by weight of a curing agent, 0.5% by weight of a catalyst, 1% by weight of a colorant, and the remaining amount of an organic solvent, based on 100% by weight of the total. And a conductive filler in a weight ratio of 1: 1 to prepare a mixture.

열가소성 수지로서 아크릴 공중합체(나가세켐텍 SG-P3, 중량평균분자량 800,000, 유리전이온도 15℃)을 사용하였으며, 아크릴 공중합체는 글리시딜아크릴레이트를 6.2 ~ 6.4 중량%로 포함하는 에폭시기 아크릴 공중합체이다.As a thermoplastic resin, an acrylic copolymer (Nagase Chemtech SG-P3, weight average molecular weight 800,000, glass transition temperature 15 ° C) was used, and the acrylic copolymer was an epoxy group acrylic copolymer containing glycidyl acrylate at 6.2 to 6.4% by weight. to be.

열경화성 수지로서 비스페놀A 에폭시 수지(국도화학 YD-128, 에폭시 당량 : 186g/eq, 점도 : 12,100cps(25℃))를 사용하였고, 경화제로서 페놀 노볼락계 수지(DIC TD2131, OH당량:104g/eq, 연화점:80℃), 촉매로서 아미다졸계 촉매(시코큐화성, 2PZ-CN), 착색제로서 카본블랙, 유기용제로서 메칠에틸케톤, 전도성 필러로서 표면에 은이 10 중량% 코팅된 평균 입경 6㎛, 평균 길이 25㎛인 침상 구리를 사용하였다.As a thermosetting resin, bisphenol A epoxy resin (National Chemical YD-128, epoxy equivalent: 186 g / eq, viscosity: 12,100 cps (25 ° C)) was used, and as a curing agent, a phenol novolak-based resin (DIC TD2131, OH equivalent: 104 g / eq, softening point: 80 ° C), amidazole-based catalyst as a catalyst (silicocurable, 2PZ-CN), carbon black as a colorant, methyl ethyl ketone as an organic solvent, and an average particle diameter of 10% by weight of silver coated on the surface as a conductive filler 6 Needle-shaped copper having an average length of 25 mu m was used.

제조한 혼합물을 두께 38㎛의 PET 이형필름에 바코터를 이용하여 도포하고, 120℃의 온도에서 2분간 건조하여 PET 이형필름 일면에 두께 20㎛의 반경화 상태의 전자파 차폐층을 형성하였다.The prepared mixture was applied to a PET release film having a thickness of 38 μm using a bar coater, and dried at a temperature of 120 ° C. for 2 minutes to form a semi-cured electromagnetic wave shielding layer having a thickness of 20 μm on one side of the PET release film.

(2) 절연층의 제조(2) Preparation of insulating layer

전체 100 중량%에 대하여 열가소성 수지 15 중량%, 열경화성 수지 15 중량%, 경화제 5 중량%, 촉매 0.5중량%, 착색제 1 중량% 및 잔량의 유기용제의 혼합하여 아크릴계 접착제를 제조하고, 제조한 아크릴계 접착제와 절연성 필러를 1 : 1 중량비로 혼합하여 혼합물을 제조하였다.An acrylic adhesive is prepared by mixing 15% by weight of a thermoplastic resin, 15% by weight of a thermosetting resin, 5% by weight of a curing agent, 0.5% by weight of a catalyst, 1% by weight of a colorant, and the remaining amount of an organic solvent, based on 100% by weight of the total. And an insulating filler in a ratio of 1: 1 by weight to prepare a mixture.

열가소성 수지로서 아크릴 공중합체(나가세켐텍 SG-P3, 중량평균분자량 800,000, 유리전이온도 15℃)을 사용하였으며, 아크릴 공중합체는 글리시딜아크릴레이트를 6.2 ~ 6.4 중량%로 포함하는 에폭시기 아크릴 공중합체이다.As a thermoplastic resin, an acrylic copolymer (Nagase Chemtech SG-P3, weight average molecular weight 800,000, glass transition temperature 15 ° C) was used, and the acrylic copolymer was an epoxy group acrylic copolymer containing glycidyl acrylate at 6.2 to 6.4% by weight. to be.

열경화성 수지로서 비스페놀A 에폭시 수지(국도화학 YD-128, 에폭시 당량 : 186g/eq, 점도 : 12,100cps(25℃))를 사용하였고, 경화제로서 페놀 노볼락계 수지(DIC TD2131, OH당량:104g/eq, 연화점:80℃), 촉매로서 아미다졸계 촉매(시코큐화성, 2PZ-CN), 착색제로서 카본블랙, 유기용제로서 메칠에틸케톤, 절연성 필러로서 평균 입경이 5㎛인 구상 실리카를 사용하였다.As a thermosetting resin, bisphenol A epoxy resin (National Chemical YD-128, epoxy equivalent: 186 g / eq, viscosity: 12,100 cps (25 ° C)) was used, and as a curing agent, a phenol novolak-based resin (DIC TD2131, OH equivalent: 104 g / eq, softening point: 80 ° C.), an amidazole-based catalyst (silicocurable, 2PZ-CN) as a catalyst, carbon black as a colorant, methyl ethyl ketone as an organic solvent, and spherical silica having an average particle diameter of 5 μm as an insulating filler was used. .

제조한 혼합물을 두께 38㎛의 일면에 실리콘이 이형처리된 PET 이형필름에 바코터를 이용하여 도포하고, 120℃의 온도에서 2분간 건조하여 PET 이형필름 일면에 두께 240㎛의 반경화 상태의 절연층을 형성하였다.The prepared mixture was applied to a PET release film having a silicone release treatment on one surface of 38 µm thickness using a bar coater, and dried at a temperature of 120 ° C. for 2 minutes to insulate a thickness of 240 µm on one side of the PET release film to a semi-cured state. A layer was formed.

(3) 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조(3) Preparation of electromagnetic shielding composite film for electronic component package

PET 이형필름이 부착되어 있지 않는 전자파 차폐층의 면과 PET 이형필름이 부착되어 있지 않는 절연층의 면을 100℃의 롤합지기를 이용해 합지하여 두께 260㎛의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하였다.The electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package having a thickness of 260 µm was manufactured by laminating the surface of the electromagnetic wave shielding layer without the PET release film attached and the surface of the insulating layer without the PET release film attached using a roll laminating machine at 100 ° C. Did.

실시예 2 : 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조 Example 2: Preparation of electromagnetic wave shielding composite film for electronic component package

실시예 1과 동일한 방법으로 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하였다. 다만, 전자파 차폐층을 10㎛의 두께로, 절연층을 250㎛의 두께로 형성하여, 두께 260㎛의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하였다.An electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package was manufactured in the same manner as in Example 1. However, the electromagnetic wave shielding layer was formed to a thickness of 10㎛, and the insulating layer was formed to a thickness of 250㎛, to prepare an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package having a thickness of 260㎛.

실시예 3 : 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조 Example 3: Preparation of electromagnetic shielding composite film for electronic component package

실시예 1과 동일한 방법으로 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하였다. 다만, 전자파 차폐층을 100㎛의 두께로, 절연층을 160㎛의 두께로 형성하여, 두께 260㎛의 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하였다.An electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package was manufactured in the same manner as in Example 1. However, the electromagnetic wave shielding layer was formed with a thickness of 100 µm and the insulating layer with a thickness of 160 µm, thereby manufacturing an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package having a thickness of 260 µm.

실시예 4 : 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조 Example 4: Preparation of electromagnetic shielding composite film for electronic component package

실시예 1과 동일한 방법으로 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하였다. 다만, 전자파 차폐층을 제조시 아크릴계 접착제와 전도성 필러를 1 : 0.7 중량비로 혼합하여 혼합물을 제조하였고, 절연층을 제조시 아크릴계 접착제와 절연성 필러를 1 : 0.7 중량비로 혼합하여 혼합물을 제조하였다.An electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package was manufactured in the same manner as in Example 1. However, when preparing the electromagnetic wave shielding layer, a mixture was prepared by mixing an acrylic adhesive and a conductive filler in a weight ratio of 1: 0.7, and when preparing an insulating layer, a mixture was prepared by mixing an acrylic adhesive and an insulating filler in a weight ratio of 1: 0.7.

실시예 5 : 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조 Example 5: Preparation of electromagnetic shielding composite film for electronic component package

실시예 1과 동일한 방법으로 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하였다. 다만, 전자파 차폐층을 제조시 아크릴계 접착제와 전도성 필러를 1 : 2.0 중량비로 혼합하여 혼합물을 제조하였고, 절연층을 제조시 아크릴계 접착제와 절연성 필러를 1 : 2.0 중량비로 혼합하여 혼합물을 제조하였다.An electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package was manufactured in the same manner as in Example 1. However, when preparing the electromagnetic wave shielding layer, a mixture was prepared by mixing an acrylic adhesive and a conductive filler in a weight ratio of 1: 2.0, and when preparing an insulating layer, a mixture was prepared by mixing an acrylic adhesive and an insulating filler in a weight ratio of 1: 2.0.

비교예 1 : 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조 Comparative Example 1: Preparation of electromagnetic wave shielding composite film for electronic component package

실시예 4와 동일한 방법으로 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하였다. 다만, 전도성 필러로서 평균 입경 0.1㎛, 평균 길이 3㎛인 침상 은을 사용하였다.An electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package was manufactured in the same manner as in Example 4. However, acicular silver having an average particle diameter of 0.1 µm and an average length of 3 µm was used as the conductive filler.

비교예 2 : 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조 Comparative Example 2: Preparation of electromagnetic shielding composite film for electronic component package

실시예 5와 동일한 방법으로 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하였다. 다만, 절연성 필러로서 평균 입경이 10nm인 흄드 실리카를 사용하였다.An electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package was manufactured in the same manner as in Example 5. However, fumed silica having an average particle diameter of 10 nm was used as the insulating filler.

실험예 1 : 접착력Experimental Example 1: Adhesion

롤 라미네이터를 이용하여 기판 일면에 각각의 실시예 1 ~ 5 및 비교예 1 ~ 2에서 제조한 전자파 차폐 복합필름과 1oz의 동박을 100℃의 온도로 차례대로 합지시킨 후, 가열오븐 내에서 150℃의 온도로 1시간동안 경화시킨 후, 동박을 폭 1cm로 칼로 자르고, UTM을 이용하여 벗김속도 50mm/min, 박리각 90°조건으로 벗김강도를 측정함으로써 접착력을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.After using a roll laminator, the electromagnetic wave shielding composite films prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 and 1 oz of copper foil were laminated on one surface of the substrate at a temperature of 100 ° C., and then 150 ° C. in a heating oven. After curing for 1 hour at a temperature of 1, the copper foil was cut with a knife to a width of 1 cm, and the adhesive strength was measured by measuring the peel strength at a peeling speed of 50 mm / min and a peeling angle of 90 ° using UTM, and the adhesive strength was measured and shown in Table 1 below.

실험예 2 : 저장탄성율Experimental Example 2: Storage modulus

각각의 실시예 1 ~ 5 및 비교예 1 ~ 2에서 제조한 전자파 차폐 복합필름의 80℃에서의 저장탄성률을 동적 점탄성 측정장치(레오로지사제, DVE-V4)을 이용하여 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.The storage elastic modulus at 80 ° C of the electromagnetic shielding composite films prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 2 was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DVE-V4 manufactured by Rheology Co., Ltd.) to Table 1 below. Shown.

* 시료크기 : 길이 20 mm x 폭 4mm, 온도 범위 : -30~200℃, 승온속도 5℃/min, 인장모드 : 10Hz)* Sample size: length 20 mm x width 4 mm, temperature range: -30 ~ 200 ℃, heating rate 5 ℃ / min, tensile mode: 10Hz)

실험예 3 : 흐름성Experimental Example 3: Flowability

각각의 실시예 1 ~ 5 및 비교예 1 ~ 2에서 제조한 전자파 차폐 복합필름을 펀칭기로 펀칭(punching)하여 직경이 5mm인 전자파 차폐 복합필름을 제조하였다. 그 후, 직경이 5mm인 전자파 차폐 복합필름을 제1 PET 필름 및 제2 PET 필름 사이에 넣고 80℃의 온도, 0.2 MPa의 압력 하에서 5초동안 가압하여 전자파 차폐 복합필름의 직경 증가량을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.The electromagnetic wave shielding composite films prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 2 were punched with a punching machine to prepare electromagnetic wave shielding composite films having a diameter of 5 mm. Thereafter, an electromagnetic wave shielding composite film having a diameter of 5 mm was placed between the first PET film and the second PET film, and pressurized for 5 seconds under a temperature of 80 ° C. and a pressure of 0.2 MPa to measure the increase in diameter of the electromagnetic wave shielding composite film. It is shown in Table 1.

제조실시예 1 : 전자부품 패키지 제조(도 4 참조)Manufacturing Example 1: Electronic parts package manufacturing (see Fig. 4)

(1) 기판(30), 기판(30) 일면에 기판(30)과 이격되어 실장된 두께 200㎛의 반도체칩(40), 기판(30) 및 반도체칩(40)과 접촉되어 기판(30)과 반도체칩(40)을 전기적으로 연결시키는 두께 30㎛의 범프(bump)(50)로 구성된 전자부품을 준비하였다. 준비한 전자부품은 범프(50)에 의해 기판(30)과 반도체칩(40) 사이에 이격 공간이 형성되어 있다.(1) The substrate 30, the substrate 30 on one surface of the semiconductor chip 40 of a thickness of 200 µm mounted spaced apart from the substrate 30, the substrate 30 and the semiconductor chip 40 in contact with the substrate 30 An electronic component composed of a bump 50 having a thickness of 30 μm for electrically connecting the semiconductor chip 40 with the electronic component was prepared. In the prepared electronic component, a space for separation between the substrate 30 and the semiconductor chip 40 is formed by the bump 50.

(2) 준비한 전자부품에 실시예 1에서 제조된 전자파 차폐 복합필름의 PET 이형필름을 제거하고, 전자파 차폐 복합필름의 전자파 차폐층(10)이 반도체칩(40)이 실장된 방향으로 기판(30) 및 반도체칩(40)을 커버링(covering)하면서 전자부품에 접착시켜 전자부품 패키지를 제조하였다. 커버링은 반도체칩이 외부로 노출되는 표면이 발생하지 않도록 커버링되고, 기판의 전부를 커버링하였으며, 접착은 가압 프레스를 이용하여 압력 0.2 MPa, 온도 80℃ 조건으로 10초간 수행하였다.(2) The PET release film of the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 1 was removed from the prepared electronic component, and the electromagnetic wave shielding layer 10 of the electromagnetic wave shielding composite film was mounted on the substrate 30 in the direction in which the semiconductor chip 40 was mounted. ) And the semiconductor chip 40 was covered and adhered to the electronic component to manufacture an electronic component package. The covering is covered so that the surface where the semiconductor chip is exposed to the outside does not occur, and the whole of the substrate is covered, and adhesion was performed for 10 seconds under a pressure of 0.2 MPa and a temperature of 80 ° C. using a pressure press.

제조실시예 2 : 전자부품 패키지 제조(도 4 참조)Manufacturing Example 2: Electronic component package manufacturing (see FIG. 4)

제조실시예 1과 동일한 방법으로 전자부품 패키지를 제조하였다. 다만, 실시예 1에서 제조된 전자파 차폐 복합필름이 아닌 실시예 2에서 제조된 전자파 차폐 복합필름을 사용하였다.An electronic component package was manufactured in the same manner as in Production Example 1. However, the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 2 was used instead of the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 1.

제조실시예 3 : 전자부품 패키지 제조(도 4 참조)Manufacturing Example 3: Electronic component package manufacturing (see Fig. 4)

제조실시예 1과 동일한 방법으로 전자부품 패키지를 제조하였다. 다만, 실시예 1에서 제조된 전자파 차폐 복합필름이 아닌 실시예 3에서 제조된 전자파 차폐 복합필름을 사용하였다.An electronic component package was manufactured in the same manner as in Production Example 1. However, the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 3 was used instead of the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 1.

제조실시예 4 : 전자부품 패키지 제조(도 4 참조)Manufacturing Example 4: Electronic parts package manufacturing (see Fig. 4)

제조실시예 1과 동일한 방법으로 전자부품 패키지를 제조하였다. 다만, 실시예 1에서 제조된 전자파 차폐 복합필름이 아닌 실시예 4에서 제조된 전자파 차폐 복합필름을 사용하였다.An electronic component package was manufactured in the same manner as in Production Example 1. However, the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 4 was used instead of the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 1.

제조실시예 5 : 전자부품 패키지 제조(도 4 참조)Manufacturing Example 5: Electronic parts package manufacturing (see Fig. 4)

제조실시예 1과 동일한 방법으로 전자부품 패키지를 제조하였다. 다만, 실시예 1에서 제조된 전자파 차폐 복합필름이 아닌 실시예 5에서 제조된 전자파 차폐 복합필름을 사용하였다.An electronic component package was manufactured in the same manner as in Production Example 1. However, the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 5 was used instead of the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 1.

제조비교예 1 : 전자부품 패키지 제조(도 4 참조)Manufacturing Comparative Example 1: Electronic component package manufacturing (see FIG. 4)

제조실시예 1과 동일한 방법으로 전자부품 패키지를 제조하였다. 다만, 실시예 1에서 제조된 전자파 차폐 복합필름이 아닌 비교예 1에서 제조된 전자파 차폐 복합필름을 사용하였다.An electronic component package was manufactured in the same manner as in Production Example 1. However, the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Comparative Example 1 was used instead of the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 1.

제조비교예 2 : 전자부품 패키지 제조(도 4 참조)Manufacturing Comparative Example 2: Electronic component package manufacturing (see FIG. 4)

제조실시예 1과 동일한 방법으로 전자부품 패키지를 제조하였다. 다만, 실시예 1에서 제조된 전자파 차폐 복합필름이 아닌 비교예 2에서 제조된 전자파 차폐 복합필름을 사용하였다.An electronic component package was manufactured in the same manner as in Production Example 1. However, the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Comparative Example 2 was used instead of the electromagnetic wave shielding composite film prepared in Example 1.

실험예 4 : 차폐성Experimental Example 4: Shielding

각각의 제조실시예 1 ~ 5 및 제조비교예 1 ~ 2에서 제조된 전자부품 패키지의 회로기판 상의 접지회로간 단락여부를 확인하여 전자부품 패키지의 포함된 전자파 차폐층의 전도성 양호여부를 판별하여 하기 표 2에 나타내었다.The short circuit between the ground circuits on the circuit board of the electronic component package manufactured in each of the manufacturing examples 1 to 5 and the manufacturing comparative examples 1 to 2 is checked to determine whether the conductivity of the electromagnetic wave shielding layer included in the electronic component package is satisfactory. It is shown in Table 2.

실험예 5 : 채움성Experimental Example 5: Fillability

각각의 제조실시예 1 ~ 5 및 제조비교예 1 ~ 2에서 제조된 전자부품 패키지의 단면을 확대 관찰하면서 반도체칩 측면과 회로기판 간의 공간을 전자파 차폐 복합필름으로 완전히 채워지지 않은 빈 공극이나 기포가 생성되는지 여부를 확인하였으며, 이 후 전자부품 패키지의 신뢰성에 영향을 줄 수 있는 기준으로 20um 이상 크기의 공극 또는 기포형상이 관찰될 경우, 채움성 불량으로 판단하여 하기 표 2에 나타내었다.While the cross section of the electronic component package manufactured in each of the manufacturing examples 1 to 5 and the manufacturing comparative examples 1 to 2 is enlargedly observed, there are empty voids or bubbles that are not completely filled with the electromagnetic shielding composite film between the semiconductor chip side surface and the circuit board. It was confirmed whether or not, and then, when a void or bubble shape having a size of 20 μm or more was observed as a criterion that could affect the reliability of the electronic component package, it was determined as a poor filling property and is shown in Table 2 below.

실험예 6 : 침입성Experimental Example 6: Invasiveness

각각의 제조실시예 1 ~ 5 및 제조비교예 1 ~ 2에서 제조된 전자부품 패키지의 단면을 확대 관찰하면서, 범프에 의해 기판과 반도체칩 사이에 형성된 이격 공간에 전자파 차폐 복합필름의 수지 성분이 흘러들어가는지 여부를 확인하여 침입성 여부를 판단하였으며, 반도체칩의 기능 발휘에 지장이 없는 침입길이가 20㎛ 이내일 경우 침입성 양호, 침입길이가 20㎛를 넘는 경우를 침입성 불량으로 판단하여 하기 표 2에 나타내었다.Resin components of the electromagnetic wave shielding composite film flowed in the separation space formed between the substrate and the semiconductor chip by bumps, while observing the cross section of the electronic component package manufactured in each of Manufacturing Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 2 It is determined whether or not it is intrusive, and if the intrusion length, which does not interfere with the functioning of the semiconductor chip, is within 20 µm, the intrusion is good, and if the intrusion length exceeds 20 µm, it is judged as an intrusion defect. It is shown in Table 2.

실험예 7 : 납땜내열성Experimental Example 7: Soldering heat resistance

각각의 제조실시예 1 ~ 5 및 제조비교예 1 ~ 2에서 제조된 전자부품 패키지를 납땜 온도 기준인 260℃로 설정된 납뗌조상에 띄운 후 20초 경과 후의 전자부품 패키지의 외관 상에 부풀리거나 크랙 발생 여부를 확인함으로써 내열성 확보 유무를 판단하여 하기 표 2에 나타내었다. The electronic component packages manufactured in each of Manufacturing Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 2 were floated on a lead-free ancestor set to 260 ° C as the soldering temperature standard, and then inflated or cracked on the appearance of the electronic component package after 20 seconds. It is determined whether or not to secure the heat resistance by confirming whether or not is shown in Table 2 below.

Figure 112018078753294-pat00001
Figure 112018078753294-pat00001

Figure 112018078753294-pat00002
Figure 112018078753294-pat00002

표 1 및 표 2를 참조하면, 실시예 1에서 제조된 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 사용하여 전자부품 패키지를 제조한 제조실시예 1은 가장 우수한 차폐성, 채움성, 침입성 및 납땜내열성을 가짐을 확인할 수 있었다.Referring to Table 1 and Table 2, the manufacturing example 1 in which the electronic component package was manufactured using the electromagnetic shielding composite film for the electronic component package prepared in Example 1 exhibits the best shielding, filling, penetration, and solder heat resistance. It was confirmed to have.

또한, 실시예 2에서 제조된 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 사용하여 전자부품 패키지를 제조한 제조실시예 2은 차폐성, 채움성, 침입성 및 납땜내열성이 전반적으로 우수하지만 제조실시예 1과 비교하여 차폐성, 침입성 및 납땜내열성이 떨어짐을 확인할 수 있었다.In addition, the manufacturing example 2 in which the electronic component package was manufactured by using the electromagnetic wave shielding composite film for the electronic component package prepared in Example 2 is excellent in overall shielding properties, filling properties, penetration properties, and soldering heat resistance. By comparison, it was confirmed that the shielding property, the penetration property, and the soldering heat resistance were poor.

또한, 실시예 3에서 제조된 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 사용하여 전자부품 패키지를 제조한 제조실시예 3은 차폐성, 채움성, 침입성 및 납땜내열성이 전반적으로 우수하지만 제조실시예 1과 비교하여 채움성이 떨어짐을 확인할 수 있었다.In addition, the manufacturing example 3 in which the electronic component package was manufactured using the electromagnetic wave shielding composite film for the electronic component package prepared in Example 3 is generally excellent in shielding properties, filling properties, intrusion resistance, and soldering heat resistance. By comparison, it was confirmed that the filling performance was poor.

또한, 실시예 4에서 제조된 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 사용하여 전자부품 패키지를 제조한 제조실시예 4은 차폐성, 채움성, 침입성 및 납땜내열성이 전반적으로 우수하지만 제조실시예 1과 비교하여 차폐성 및 채움성이 떨어짐을 확인할 수 있었다.In addition, the manufacturing example 4 in which the electronic component package was manufactured using the electromagnetic wave shielding composite film for the electronic component package prepared in Example 4 is excellent in overall shielding properties, filling properties, invasiveness, and soldering heat resistance. By comparison, it was confirmed that the shielding properties and the filling properties were inferior.

또한, 실시예 5에서 제조된 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 사용하여 전자부품 패키지를 제조한 제조실시예 5은 차폐성, 채움성, 침입성 및 납땜내열성이 전반적으로 우수하지만 제조실시예 1과 비교하여 차폐성, 침입성 및 납땜내열성이 떨어짐을 확인할 수 있었다.In addition, the manufacturing example 5 in which the electronic component package was manufactured using the electromagnetic wave shielding composite film for the electronic component package prepared in Example 5 is excellent in overall shielding, filling, penetration and soldering heat resistance, but with Manufacturing Example 1 By comparison, it was confirmed that the shielding property, the penetration property, and the soldering heat resistance were poor.

또한, 비교예 1에서 제조된 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 사용하여 전자부품 패키지를 제조한 제조비교예 1은 차폐성 및 침입성이 불량함을 확인할 수 있었다.In addition, Comparative Example 1 of manufacturing an electronic component package using the electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package prepared in Comparative Example 1 was confirmed to have poor shielding properties and intrusion properties.

또한, 비교예 2에서 제조된 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 사용하여 전자부품 패키지를 제조한 제조비교예 2은 채움성이 불량함을 확인할 수 있었다.In addition, it was confirmed that the fillability was poor in the manufacturing comparative example 2 in which the electronic component package was manufactured using the electromagnetic wave shielding composite film for the electronic component package prepared in Comparative Example 2.

본 발명의 단순한 변형이나 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해서 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.Simple modifications or changes of the present invention can be easily carried out by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be considered to be included in the scope of the present invention.

1 : 접지회로
10 : 전자파 차폐층
20 : 절연층
30 : 기판
40 : 반도체칩
50 : 범프1: Ground circuit
10: electromagnetic wave shielding layer
20: insulating layer
30: substrate
40: semiconductor chip
50: bump

Claims (14)

반경화 상태의 전자파 차폐층; 및 상기 전자파 차폐층 일면에 적층된 반경화 상태의 절연층; 을 포함하고,
상기 절연층 및 전자파 차폐층은 1 : 0.07 ~ 0.1 두께비를 가지며,
상기 절연층은 아크릴계 접착제 및 절연성 필러를 1 : 0.9 ~ 1.5 중량비로 포함하고,
상기 전자파 차폐층은 아크릴계 접착제 및 전도성 필러를 1 : 0.9 ~ 1.5 중량비로 포함하며,
상기 아크릴계 접착제는 전체 100 중량%에 대하여, 유리전이온도 5℃ ~ 18℃ 및 중량평균분자량 600,000 ~ 1,150,000인 아크릴 공중합체 12 ~ 18중량%, 비스페놀 A형 에폭시 수지 12 ~ 18 중량%, 페놀계 경화제 4 ~ 6 중량%, 촉매 0.4 ~ 0.6 중량%, 착색제 0.8 ~ 1.2 중량% 및 잔량의 유기용제를 포함하고,
85℃의 온도에서 저장탄성율이 1 ~ 20MPa이고, 200 ~ 270㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름.
A semi-cured electromagnetic shielding layer; And an insulating layer in a semi-cured state laminated on one surface of the electromagnetic wave shielding layer. Including,
The insulating layer and the electromagnetic shielding layer has a thickness ratio of 1: 0.07 to 0.1,
The insulating layer includes an acrylic adhesive and an insulating filler in a weight ratio of 1: 0.9 to 1.5,
The electromagnetic wave shielding layer includes an acrylic adhesive and a conductive filler in a weight ratio of 1: 0.9 to 1.5,
The acrylic adhesive is 12 to 18% by weight of an acrylic copolymer having a glass transition temperature of 5 ° C to 18 ° C and a weight average molecular weight of 600,000 to 1,150,000 based on 100% by weight of the total, bisphenol A type epoxy resin 12 to 18% by weight, a phenolic curing agent 4 to 6 wt%, catalyst 0.4 to 0.6 wt%, colorant 0.8 to 1.2 wt%, and the remaining amount of organic solvent,
The electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package having a storage elastic modulus of 1 to 20 MPa and a thickness of 200 to 270 µm at a temperature of 85 ° C.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 촉매는 이미다졸계 촉매를 포함하고,
상기 착색제는 카본블랙, 티탄블랙, 티탄질화물, 인산수산화구리, 철산화물, 운모 중에서 선택된 1종 이상을 포함하며,
상기 유기용제는 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로부터 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름.
According to claim 1,
The catalyst includes an imidazole catalyst,
The colorant includes at least one selected from carbon black, titanium black, titanium nitride, copper phosphate, iron oxide, and mica,
The organic solvent is characterized in that it comprises at least one selected from methyl ethyl ketone, cyclohexanone, diethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate. Electromagnetic wave shielding composite film for electronic parts package.
제1항에 있어서,
상기 절연성 필러는 평균 입경이 0.5 ~ 25 ㎛인 구상인 것을 특징으로 하는 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름.
According to claim 1,
The insulating filler is an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package, characterized in that the spherical having an average particle diameter of 0.5 ~ 25 ㎛.
제1항에 있어서,
상기 전도성 필러는 평균 직경이 1 ~ 25 ㎛이고, 평균 길이가 5 ~ 50㎛인 침상인 것을 특징으로 하는 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름.
According to claim 1,
The conductive filler is an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package, characterized in that the average diameter is 1 to 25 μm, and the average length is 5 to 50 μm.
제1항에 있어서,
상기 전자파 차폐 복합필름은 하기 측정방법 1에 의하여 흐름성을 측정 시, 2 ~ 20mm의 흐름성을 가지며,
상기 측정방법 1은 전자파 차폐 복합필름을 펀칭(punching)하여 직경이 5mm인 전자파 차폐 복합필름을 제조한 후, 전자파 차폐 복합필름을 제1 PET 필름 및 제2 PET필름 사이에 넣고 80℃의 온도, 0.2 MPa의 압력 하에서 5초동안 가압하여 전자파 차폐 복합필름의 직경 증가량을 흐름성으로 정의한 것을 특징으로 하는 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름.
According to claim 1,
The electromagnetic shielding composite film has a flowability of 2 ~ 20mm when measuring the flowability by the following measurement method 1,
The measuring method 1 is to prepare an electromagnetic wave shielding composite film having a diameter of 5 mm by punching an electromagnetic wave shielding composite film, and then putting the electromagnetic wave shielding composite film between the first PET film and the second PET film at a temperature of 80 ° C., An electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package, characterized by defining an increase in diameter of the electromagnetic wave shielding composite film as a flowability by pressing for 5 seconds under a pressure of 0.2 MPa.
기판, 상기 기판 일면에 기판과 이격되어 실장된 반도체칩, 상기 기판 및 반도체칩과 접촉되어 기판과 반도체칩을 전기적으로 연결시키는 범프(bump)를 포함하는 전자부품; 및
제1항의 전자파 차폐 복합필름; 을 포함하고,
상기 전자부품은 범프에 의해 기판과 반도체칩 사이에 이격 공간이 형성되며,
상기 전자파 차폐 복합필름의 전자파 차폐층은 반도체칩이 실장된 방향으로 기판 및 반도체칩을 커버링(covering)하면서 접착되고,
상기 커버링은 반도체칩이 외부로 노출되는 표면이 발생하지 않도록 커버링되고, 기판의 전부 또는 일부를 커버링하는 것을 특징으로 하는 전자부품 패키지.
An electronic component including a substrate, a semiconductor chip mounted spaced apart from the substrate on one surface of the substrate, and a bump in contact with the substrate and the semiconductor chip to electrically connect the substrate and the semiconductor chip; And
The electromagnetic wave shielding composite film of claim 1; Including,
The electronic component is formed with a space between the substrate and the semiconductor chip by the bump,
The electromagnetic wave shielding layer of the electromagnetic wave shielding composite film is adhered while covering the substrate and the semiconductor chip in the direction in which the semiconductor chip is mounted,
The covering is covered so that the surface where the semiconductor chip is exposed to the outside does not occur, and an electronic component package characterized by covering all or part of the substrate.
제10항에 있어서,
상기 전자부품 패키지는 하기 조건 (1)의 두께를 만족하고,
(1) A : B : C = 1 : 1.1 ~ 1.5 : 0.05 ~ 0.2
상기 조건 (1)에 있어서, A는 반도체칩과 범프의 두께의 합, B는 전자파 차폐 복합필름의 두께, C는 전자파 차폐층의 두께를 나타내는 것을 특징으로 하는 전자부품 패키지.
The method of claim 10,
The electronic component package satisfies the following condition (1) thickness,
(1) A: B: C = 1: 1.1 to 1.5: 0.05 to 0.2
In the condition (1), A is the sum of the thickness of the semiconductor chip and the bump, B is the thickness of the electromagnetic shielding composite film, C is the electronic component package, characterized in that the thickness of the electromagnetic shielding layer.
일면에 제1이형필름이 부착된 반경화 상태의 전자파 차폐층 및 일면에 제2이형필름이 부착된 반경화 상태의 절연층을 준비하는 제1단계; 및
상기 전자파 차폐층의 타면과 상기 절연층의 타면을 합지하여 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름을 제조하는 제2단계; 를 포함하고,
상기 절연층 및 전자파 차폐층은 1 : 0.07 ~ 0.1 두께비를 가지며,
상기 절연층은 아크릴계 접착제 및 절연성 필러를 1 : 0.9 ~ 1.5 중량비로 포함하고,
상기 전자파 차폐층은 아크릴계 접착제 및 전도성 필러를 1 : 0.9 ~ 1.5 중량비로 포함하며,
상기 아크릴계 접착제는 전체 100 중량%에 대하여, 유리전이온도 5℃ ~ 18℃ 및 중량평균분자량 600,000 ~ 1,150,000인 아크릴 공중합체 12 ~ 18중량%, 비스페놀 A형 에폭시 수지 12 ~ 18 중량%, 페놀계 경화제 4 ~ 6 중량%, 촉매 0.4 ~ 0.6 중량%, 착색제 0.8 ~ 1.2 중량% 및 잔량의 유기용제를 포함하고,
제조된 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름은 85℃의 온도에서 저장탄성율이 1 ~ 20MPa이고, 두께는 200 ~ 270㎛인 것을 특징으로 하는 전자부품 패키지용 전자파 차폐 복합필름의 제조방법.
A first step of preparing a semi-cured electromagnetic wave shielding layer with a first release film attached to one surface and a semi-cured insulating layer with a second release film attached to one surface; And
A second step of manufacturing an electromagnetic wave shielding composite film for an electronic component package by laminating the other surface of the electromagnetic shielding layer and the other surface of the insulating layer; Including,
The insulating layer and the electromagnetic shielding layer has a thickness ratio of 1: 0.07 to 0.1,
The insulating layer includes an acrylic adhesive and an insulating filler in a weight ratio of 1: 0.9 to 1.5,
The electromagnetic wave shielding layer includes an acrylic adhesive and a conductive filler in a weight ratio of 1: 0.9 to 1.5,
The acrylic adhesive is 12 to 18% by weight of an acrylic copolymer having a glass transition temperature of 5 ° C to 18 ° C and a weight average molecular weight of 600,000 to 1,150,000 based on 100% by weight of the total, bisphenol A type epoxy resin 12 to 18% by weight, a phenolic curing agent 4 to 6 wt%, catalyst 0.4 to 0.6 wt%, colorant 0.8 to 1.2 wt%, and the remaining amount of organic solvent,
The method of manufacturing the electromagnetic wave shielding composite film for electronic component packages, characterized in that the storage elastic modulus is 1 to 20 MPa and the thickness is 200 to 270 µm at a temperature of 85 ° C.
전자부품과 제1항의 전자파 차폐 복합필름을 준비하는 제1단계; 및
상기 전자파 차폐 복합필름의 전자파 차폐층이 반도체칩이 실장된 방향으로 기판 및 반도체칩을 커버링(covering)하면서 상기 전자부품에 접착시키는 제2단계; 를 포함하고,
상기 커버링은 반도체칩이 외부로 노출되는 표면이 발생하지 않도록 커버링되고, 기판의 전부 또는 일부를 커버링하는 것을 특징으로 하는 전자부품 패키지의 제조방법.
The first step of preparing the electromagnetic component and the electromagnetic shielding composite film of claim 1; And
A second step in which the electromagnetic wave shielding layer of the electromagnetic wave shielding composite film adheres to the electronic component while covering the substrate and the semiconductor chip in a direction in which the semiconductor chip is mounted; Including,
The covering is covered so that the surface where the semiconductor chip is exposed to the outside does not occur, and a method of manufacturing an electronic component package, characterized in that it covers all or part of the substrate.
제13항에 있어서,
상기 제2단계의 접착은 70 ~ 90℃의 온도, 0.1 ~ 0.5 MPa의 압력 하에서 수행하는 것을 특징으로 하는 전자부품 패키지의 제조방법.
The method of claim 13,
The method of manufacturing the electronic component package is characterized in that the adhesion of the second step is performed under a temperature of 70 to 90 ° C. and a pressure of 0.1 to 0.5 MPa.
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