KR102106724B1 - X-ray generator and method, and sample measurement system - Google Patents

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Abstract

매우 간단한 장치 구성이면서 점상 또는 선상의 X 선 빔을 선택적으로 발생 가능한 X 선 발생 장치 및 방법, 그리고 시료 측정 시스템을 제공한다. X 선 발생 장치 (10) 가 구비하는 전자 발생기 (24) 및 회전 대음극 (26) 은, 전자원 (32) 및 둘레면부 (38) 가 서로 대향함과 함께, 회전축 (36) 이 제 1 방향 (Z 방향) 및 제 2 방향 (X 방향) 에 대해 경사지는 위치 관계하에 고정 배치된다.Provided is an X-ray generating apparatus and method capable of selectively generating a point or line X-ray beam with a very simple device configuration, and a sample measurement system. In the electron generator 24 and the rotating counter electrode 26 provided in the X-ray generator 10, the electron source 32 and the circumferential surface portion 38 face each other, and the rotating shaft 36 is in the first direction. It is fixedly arranged in a positional relationship inclined with respect to the (Z direction) and the second direction (X direction).

Description

X 선 발생 장치 및 방법, 그리고 시료 측정 시스템X-ray generator and method, and sample measurement system

본 발명은, 이른바 회전 대음극 방식을 사용하여 X 선을 발생시키는 X 선 발생 장치 및 X 선 발생 방법, 그리고 이 X 선 발생 장치를 포함하여 구성되는 시료 측정 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an X-ray generating apparatus and an X-ray generating method for generating X-rays using a so-called rotating counter-cathode method, and a sample measurement system comprising the X-ray generating apparatus.

종래부터, 계측 분야에 있어서, 회전 대음극의 외주면 상에 전자 빔을 조사하여 둘레 방향 또는 폭 방향으로 장척인 초점을 형성함으로써, 선상 또는 점상의 X 선 빔을 선택적으로 발생시키는 방법이 알려져 있다 (특허문헌 1 참조).Conventionally, in the measurement field, a method of selectively generating a linear or pointed X-ray beam by irradiating an electron beam on an outer circumferential surface of a rotating counter electrode to form a long focal length in a circumferential direction or a width direction is known ( Patent Document 1).

일본 공개특허공보 평6-020629호 (도 1, 도 6 등)Japanese Patent Application Publication No. Hei 6-020629 (Fig. 1, Fig. 6, etc.)

계측시의 사용 편리함의 관점에서 말하면, 선상 또는 점상의 X 선 빔을 선택적으로 발생시키는 장치는, 가능한 한 간단한 장치 구성에 의해, 출력 성능의 향상, 작업 효율의 향상을 실현하는 것이 요망된다.In terms of ease of use at the time of measurement, it is desired that a device that selectively generates a linear or pointed X-ray beam achieves an improvement in output performance and an improvement in work efficiency by a simple device configuration.

본 발명은, 상기 서술한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 매우 간단한 장치 구성이면서 선상 또는 점상의 X 선 빔을 선택적으로 발생 가능한 X 선 발생 장치 및 방법, 그리고 시료 측정 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an X-ray generating apparatus and method capable of selectively generating an X-ray beam in a linear or dot shape, and a sample measurement system.

본 발명의 제 1 양태에 관련된 「X 선 발생 장치」는, 선상의 전자 빔을 방출하는 전자원 (電子源) 과, 상기 전자원의 중심 위치를 고정하면서 그 전자원의 연장 방향을 제 1 방향 및 그 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향 중 어느 일방으로 전환하는 전환 기구를 갖는 전자 발생기와, 상기 전자원으로부터의 상기 전자 빔을 충돌시킴으로써 X 선 빔을 출사하는 둘레면부를 갖고, 또한, 회전축을 중심으로 회전 가능하게 구성되는 원판상 또는 원주상의 회전 대음극을 구비하는 장치로서, 상기 전자 발생기 및 상기 회전 대음극은, 상기 전자원 및 상기 둘레면부가 서로 대향함과 함께, 상기 회전축이 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향에 대해 경사지는 위치 관계하에 고정 배치된다.The "X-ray generator" according to the first aspect of the present invention is an electron source that emits a linear electron beam and an extension direction of the electron source while fixing the center position of the electron source in the first direction And an electron generator having a switching mechanism for switching to one of the second directions orthogonal to the first direction, and a circumferential surface portion for emitting an X-ray beam by colliding the electron beam from the electron source, and further comprising a rotation axis. A device having a circular or circumferential rotating counter electrode configured to be rotatable about, wherein the electron generator and the rotating counter electrode have the electron source and the circumferential surface facing each other, and the rotation axis The first direction and the second direction are fixedly arranged in a positional relationship inclined.

이와 같이, 전자원의 중심 위치를 고정하면서 그 전자원의 연장 방향을 제 1 방향 및 그 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향 중 어느 일방으로 전환하는 전환 기구를 형성함과 함께, 전자원 및 둘레면부가 서로 대향하는 위치 관계하에 전자 발생기 및 회전 대음극이 고정 배치되기 때문에, 전자 발생기 및 회전 대음극의 위치·자세를 일절 변경하지 않고 전자원의 연장 방향을 단순히 전환함으로써, 선상 또는 점상의 X 선 빔을 선택적으로 발생시킬 수 있다.In this way, while fixing the center position of the electron source, a switching mechanism is formed to switch the extending direction of the electron source to either one of the first direction and the second direction orthogonal to the first direction, and the electron source and the circumference. Since the electron generator and the rotating counter electrode are fixedly arranged in a positional relationship where the surface portions face each other, the linear or dotted X is simply switched by simply changing the extension direction of the electron source without changing the position and orientation of the electron generator and the rotating counter electrode at all. The sun beam can be selectively generated.

또, 회전 대음극은, 그 회전축이 제 1 방향 및 제 2 방향에 대해 경사지는 위치 관계하에 있기 때문에, 제 1 방향 및 제 2 방향으로부터의 전자 빔의 방출에 의해 형성되는 2 개의 초점에 관해서, 둘레 방향으로 횡단하는 초점 길이의 괴리량이, 회전축을 경사시키지 않는 경우와 비교하여 작아진다. 요컨대, 가장 높은 측의 출력 효율을 낮추는 대신에 가장 낮은 측의 출력 효율을 높임으로써, 양방의 X 선 빔으로 공통적으로 출력할 수 있는 최대량 (요컨대, X 선의 한계 출력량) 이 끌어 올려진다.Moreover, since the rotating countercatalyst is in a positional relationship in which its axis of rotation is inclined with respect to the first direction and the second direction, with respect to two focal points formed by the emission of electron beams from the first direction and the second direction, The amount of separation of the focal length traversing in the circumferential direction becomes small compared with the case where the rotating shaft is not inclined. In short, instead of lowering the output efficiency of the highest side, by increasing the output efficiency of the lowest side, the maximum amount that can be commonly output with both X-ray beams (in other words, the limit output of the X-rays) is raised.

이로써, 매우 간단한 장치 구성이면서 선상 또는 점상의 X 선 빔을 선택적으로 발생시킴과 함께, 장치 전체로서의 출력 성능을 향상시킬 수 있다.This makes it possible to selectively generate a linear or dot X-ray beam with a very simple device configuration, and improve the output performance of the entire device.

또, 상기 회전축이 상기 제 1 방향에 대해 30 ∼ 60 도의 범위 내에서 경사지는 것이 바람직하다. 이로써, 둘레 방향으로 횡단하는 초점 길이의 괴리량, 보다 상세하게는 초점 길이의 비를 대체로 2 배 미만으로 억제 가능해져, 양자의 출력 성능의 격차가 더욱 작아진다.Moreover, it is preferable that the rotation axis is inclined within the range of 30 to 60 degrees with respect to the first direction. Thereby, the amount of deviation of the focal length traversing in the circumferential direction, and more specifically, the ratio of the focal length can be suppressed to be substantially less than 2 times, and the difference in output performance between the two becomes smaller.

또, 상기 회전축이 상기 제 1 방향에 대해 45 도 경사지는 것이 바람직하다. 둘레 방향으로 횡단하는 초점 길이가 동일해지기 때문에, 양방의 X 선 빔에 공통되는 한계 출력량이 최대가 된다.In addition, it is preferable that the rotation axis is inclined 45 degrees with respect to the first direction. Since the focal lengths traversed in the circumferential direction are the same, the limit output amount common to both X-ray beams is maximized.

본 발명의 제 1 양태에 관련된 「X 선 발생 방법」은, 선상의 전자 빔을 방출하는 전자원을 갖는 전자 발생기와, 상기 전자원으로부터의 상기 전자 빔을 충돌시킴으로써 X 선 빔을 출사하는 둘레면부를 갖고, 또한, 회전축을 중심으로 회전 가능하게 구성되는 원판상 또는 원주상의 회전 대음극을 구비하는 X 선 발생 장치를 사용한 방법으로서, 상기 전자원 및 상기 둘레면부가 서로 대향함과 함께, 상기 회전축이 제 1 방향 및 그 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향에 대해 경사지는 위치 관계하에, 상기 전자 발생기 및 상기 회전 대음극을 고정 배치하는 스텝과, 상기 전자원의 중심 위치를 고정하면서 그 전자원의 연장 방향을 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향 중 어느 일방으로 전환하는 스텝을 구비한다.The "X-ray generation method" according to the first aspect of the present invention includes an electron generator having an electron source that emits an electron beam on a line, and a circumferential surface portion that emits an X-ray beam by colliding the electron beam from the electron source. A method of using an X-ray generator having a disk-shaped or columnar rotating cathode configured to be rotatable about a rotation axis, wherein the electron source and the circumferential surface portions face each other, and A step in which the electron generator and the rotating counter electrode are fixedly arranged under a positional relationship in which the axis of rotation is inclined with respect to the first direction and the second direction orthogonal to the first direction, and the electrons while fixing the center position of the electron source And a step of switching the extending direction of the circle to either the first direction or the second direction.

본 발명의 제 1 양태에 관련된 「시료 측정 시스템」은, 상기한 어느 X 선 발생 장치와, 상기 X 선 발생 장치로부터 발생하고, 또한, 시료를 투과 또는 반사한 X 선 빔을 검출하는 X 선 검출 장치와, 상기 X 선 검출 장치에 의해 검출된 상기 X 선 빔의 검출량에 기초하여 상기 시료에 관한 물리량을 측정하는 측정 수단을 구비한다.The "sample measurement system" according to the first aspect of the present invention is an X-ray detector that detects an X-ray beam generated from any of the X-ray generators and the X-ray generator described above and transmitted or reflected through a sample. An apparatus and measurement means for measuring the physical quantity of the sample based on the detection amount of the X-ray beam detected by the X-ray detection apparatus are provided.

또, 본 발명의 제 2 양태에 관련된 「X 선 발생 장치」는, 선상의 전자 빔을 방출하는 전자원을 포함하여 구성되는 전자 발생기와, 상기 전자원으로부터의 상기 전자 빔을 충돌시킴으로써 X 선 빔을 출사하는 둘레면부를 포함하여 구성되는 회전 대음극과, 상기 전자원 및 상기 회전 대음극을 수용하는 챔버를 구비하고, 상기 전자 발생기 및 상기 회전 대음극은, 상기 전자원 및 상기 둘레면부가 서로 대향하는 위치 관계하에서 상기 챔버에 고정 배치되고, 상기 전자 발생기는, 상기 전자원을 지지하는 지지대와, 상기 챔버 내에 기밀 (氣密) 하게 삽입 통과되고, 또한, 상기 챔버의 외측으로부터의 조작에 따라 상기 지지대를 회동 (回動) 시키는 회동 도입 기구를 추가로 갖는다.In addition, the "X-ray generator" according to the second aspect of the present invention is an X-ray beam by colliding an electron generator comprising an electron source emitting a linear electron beam and the electron beam from the electron source. A rotating counter electrode comprising a circumferential surface portion for exiting, and a chamber accommodating the electron source and the rotating counter electrode, wherein the electron generator and the rotating counter electrode have the electron source and the peripheral surface portion of each other. The electron generator is fixedly disposed in the chamber under an opposing positional relationship, and the electron generator is air-tightly inserted into the chamber with the support for supporting the electron source, and according to operation from outside the chamber. It further has a rotation introduction mechanism that rotates the support.

이와 같이, 챔버의 외측으로부터의 조작에 따라 전자원을 지지하는 지지대를 회동시키는 회동 도입 기구를 형성했기 때문에, 전자 발생기 또는 회전 대음극의 교체 작업이 불필요해져, 챔버 내의 진공 상태를 유지한 채로 전자원의 연장 방향을 변경 가능해진다. 이로써, 매우 간단한 장치 구성이면서 선상 또는 점상의 X 선 빔을 선택적으로 발생시킴과 함께, 이 선택에 수반하는 작업 효율의 저하를 억제할 수 있다.As described above, since the rotation introduction mechanism is formed to rotate the support for supporting the electron source according to the operation from the outside of the chamber, the replacement operation of the electron generator or the rotating counter electrode becomes unnecessary, and the electrons are maintained while maintaining the vacuum in the chamber. The direction of extension of the circle can be changed. This makes it possible to selectively generate a linear or dotted X-ray beam with a very simple device configuration, and suppress a decrease in work efficiency accompanying this selection.

또, 상기 회동 도입 기구는, 상기 챔버의 외측에서 회동 가능하게 배치된 핸들부를 가짐과 함께, 상기 핸들부의 회동 조작에 따라 상기 지지대를 회동시키는 것이 바람직하다. 작업자는, 핸들부를 회동시키는 조작을 실시함으로써, 전자원의 연장 방향을 용이하게 변경할 수 있다.Moreover, it is preferable that the said rotation introduction mechanism has the handle part arrange | positioned so that rotation is possible outside the said chamber, and it is preferable to rotate the said support according to the rotation operation of the said handle part. The operator can easily change the extending direction of the electron source by performing an operation to rotate the handle portion.

또, 상기 회동 도입 기구는, 상기 핸들부의 회동 상태를 상기 챔버의 외측으로부터 시인 가능하게 지시하는 지시 수단을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 작업자는, 챔버의 외측으로부터 지시 수단에 의한 지시 위치를 시인함으로써, 핸들부의 회동 상태 및 전자원의 연장 방향을 언뜻 보고 파악할 수 있다.Moreover, it is preferable that the said rotation introduction mechanism further has the indication means which instructs the rotation state of the said handle part visually from the outside of the said chamber. The operator can at first glance and grasp the rotational state of the handle portion and the direction in which the electron source extends by acknowledging the position indicated by the pointing means from outside the chamber.

또, 상기 회동 도입 기구는, 상기 핸들부의 회동 범위를 규제하는 회동 규제 수단을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 전자원의 구동 부품이 과도하게 비틀어져서 파손되는 것을 방지할 수 있다.Moreover, it is preferable that the said rotation introduction mechanism further has rotation regulation means which regulates the rotation range of the said handle part. Thereby, it is possible to prevent the driving component of the electron source from being excessively twisted and broken.

또, 상기 회동 도입 기구는, 상기 지지대의 회동 동작에 의해, 상기 전자원의 연장 위치를 제 1 방향 및 그 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향으로 변경 가능하고, 상기 회전 대음극의 회전축은, 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향에 대해 경사지는 것이 바람직하다. 제 1 방향 및 제 2 방향으로부터의 전자 빔의 방출에 의해 형성되는 2 개의 초점에 관해서, 둘레 방향으로 횡단하는 초점 길이의 괴리량이, 회전축을 경사시키지 않는 경우와 비교하여 작아진다. 요컨대, 가장 높은 측의 출력 효율을 낮추는 대신에 가장 낮은 측의 출력 효율을 높임으로써, 양방의 X 선 빔으로 공통적으로 출력할 수 있는 최대량 (요컨대, X 선의 한계 출력량) 이 끌어 올려진다.Further, the rotation introduction mechanism is capable of changing the extension position of the electron source in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction by the rotation operation of the support, and the rotation axis of the rotating countercathode is: It is preferable to incline with respect to the first direction and the second direction. With respect to the two focal points formed by the emission of the electron beams from the first direction and the second direction, the amount of separation in the focal length traversing in the circumferential direction becomes smaller compared to the case where the rotation axis is not inclined. In short, instead of lowering the output efficiency of the highest side, by increasing the output efficiency of the lowest side, the maximum amount that can be commonly output with both X-ray beams (in other words, the limit output of the X-rays) is raised.

본 발명의 제 2 양태에 관련된 「시료 측정 시스템」은, 상기한 어느 X 선 발생 장치와, 상기 X 선 발생 장치로부터 발생하고, 또한, 시료를 투과 또는 반사한 X 선 빔을 검출하는 X 선 검출 장치와, 상기 X 선 검출 장치에 의해 검출된 상기 X 선 빔의 검출량에 기초하여 상기 시료에 관한 물리량을 측정하는 측정 수단을 구비한다.The "sample measurement system" according to the second aspect of the present invention is an X-ray detection device that detects an X-ray beam generated from any of the X-ray generators described above and the X-ray generator device and transmitted or reflected through a sample. An apparatus and measurement means for measuring the physical quantity of the sample based on the detection amount of the X-ray beam detected by the X-ray detection apparatus are provided.

본 발명에 관련된 X 선 발생 장치 및 방법, 그리고 시료 측정 시스템에 의하면, 매우 간단한 장치 구성이면서 선상 또는 점상의 X 선 빔을 선택적으로 발생시킴과 함께, 장치 전체로서의 출력 성능 또는 작업 효율을 향상시킬 수 있다.According to the X-ray generating apparatus and method and the sample measurement system according to the present invention, it is possible to improve the output performance or working efficiency of the entire apparatus while selectively generating a linear or dotted X-ray beam with a very simple apparatus configuration. have.

도 1 은 본 실시형태에 관련된 X 선 발생 장치의 사시도이다.
도 2 는 도 1 의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따른 단면도이다.
도 3 은 도 1 의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따른 단면도이다.
도 4 는 제 1 방향 및 제 2 방향의 전환 동작에 따른 X 선 빔의 형상을 나타내는 모식도이다.
도 5 는 경사각이 0 도에 있어서의 초점의 형성 위치를 나타내는 모식도이다.
도 6 은 경사각이 45 도에 있어서의 초점의 형성 위치를 나타내는 모식도이다.
도 7 은 경사각과 둘레 방향 초점 길이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 8 은 도 1 의 X 선 발생 장치를 장착한 시료 측정 시스템의 전체 구성도이다.
도 9 는 제 2 실시형태에 관련된 X 선 발생 장치의 사시도이다.
도 10 은 도 9 의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따른 단면도이다.
도 11 은 도 9 에 나타내는 X 선 발생 장치의 측면도이다.
도 12 는 도 9 의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따른 단면도이다.
도 13 은 제 1 방향 및 제 2 방향의 전환 동작에 따른 X 선 빔의 형상을 나타내는 모식도이다.
도 14 는 경사각과 둘레 방향 초점 길이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 15 는 도 9 의 X 선 발생 장치를 장착한 시료 측정 시스템의 전체 구성도이다.
1 is a perspective view of an X-ray generator according to this embodiment.
2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 1.
4 is a schematic view showing the shape of an X-ray beam according to switching operations in the first direction and the second direction.
It is a schematic diagram which shows the formation position of a focal point at an inclination angle of 0 degrees.
6 is a schematic view showing a focal position at an inclination angle of 45 degrees.
7 is a graph showing the relationship between the inclination angle and the focal length in the circumferential direction.
8 is an overall configuration diagram of a sample measurement system equipped with the X-ray generator of FIG. 1.
9 is a perspective view of the X-ray generator according to the second embodiment.
10 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 9.
11 is a side view of the X-ray generator shown in FIG. 9.
12 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 9.
13 is a schematic view showing the shape of an X-ray beam according to switching operations in the first direction and the second direction.
14 is a graph showing the relationship between the inclination angle and the focal length in the circumferential direction.
15 is an overall configuration diagram of a sample measurement system equipped with the X-ray generator of FIG. 9.

이하, 본 발명에 관련된 X 선 발생 장치에 대해, X 선 발생 방법 및 시료 측정 시스템과의 관계에 있어서 바람직한 실시형태를 들어, 첨부한 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, the X-ray generator according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments in relation to the X-ray generation method and the sample measurement system.

<제 1 실시형태><First Embodiment>

[X 선 발생 장치 (10) 의 구성][Configuration of X-ray generator 10]

도 1 은 제 1 실시형태에 관련된 X 선 발생 장치 (10) 의 사시도이고, 도 2 는 도 1 의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따른 단면도이고, 도 3 은 도 1 의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따른 단면도이다. 설명의 편의상, 이들 도 1 ∼ 도 3 에서는, 3 차원 직교 좌표계를 나타내는 3 축 방향 (X 방향·Y 방향·Z 방향) 을 정의한다.1 is a perspective view of the X-ray generator 10 according to the first embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 1. For convenience of explanation, in these FIGS. 1 to 3, a three-axis direction (X direction, Y direction, Z direction) representing a three-dimensional orthogonal coordinate system is defined.

도 1 에 나타내는 바와 같이, X 선 발생 장치 (10) 는, 이른바 회전 대음극 방식을 사용하여 X 선 (엑스선) 을 발생시키는 장치이다. X 선 발생 장치 (10) 는, 외형상, X 선 투과율이 낮은 금속 재료로 이루어지는 대략 직방체상의 챔버 (12) 를 갖는다. 챔버 (12) 의 일면 (14) 측에 있는 1 개의 모서리부에는, 삼각주상으로 움푹 패인 오목부 (16) 가 형성된다.As shown in Fig. 1, the X-ray generator 10 is a device that generates X-rays (X-rays) using a so-called rotating countercathode system. The X-ray generator 10 has a substantially rectangular parallelepiped chamber 12 made of a metallic material having a low X-ray transmittance. A recess 16 recessed in a triangular shape is formed at one corner portion on one side 14 side of the chamber 12.

오목부 (16) 를 이루는 경사면 (17) 에는 원형상의 개구부 (18) 가 형성됨과 함께, 일면 (14) 의 대향면 (20) 에는 X 선 투과율이 높은 베릴륨 박막을 개재 삽입한 창부 (22) 가 형성되어 있다. 개구부 (18) 를 덮는 위치에 덮개부 (46) 를 장착함으로써, 챔버 (12) 의 내부에서 기밀 상태가 유지된다.A circular opening 18 is formed on the inclined surface 17 constituting the concave portion 16, and a window 22 through which a beryllium thin film having high X-ray transmittance is interposed is inserted on the opposite surface 20 of one surface 14. Is formed. The airtight condition is maintained inside the chamber 12 by attaching the cover portion 46 at a position covering the opening portion 18.

도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, X 선 발생 장치 (10) 는, 선상의 전자 빔 (B1) 을 발생시키는 전자 발생기 (24) 와, 원판상 또는 원주상인 회전 대음극 (26) 과, 회전 대음극 (26) 을 냉각시키기 위한 냉각 기구 (도시 생략) 를 추가로 갖는다. 전자 발생기 (24) 및 회전 대음극 (26) 은 각각, 챔버 (12) 의 실 (室) (28) 내에 고정된 상태로 수용된다.2 and 3, the X-ray generator 10 includes an electron generator 24 that generates a linear electron beam B1, a rotating counter electrode 26 in a disk shape or a columnar shape, and rotation A cooling mechanism (not shown) for cooling the counter electrode 26 is further provided. The electron generator 24 and the rotating counter electrode 26 are accommodated in a fixed state in the chamber 28 of the chamber 12, respectively.

전자 발생기 (24) 는, 열전자형, 전계 방출형, 또는 쇼트키형의 전자총이며, 여기서는 열전자형을 예로 설명한다. 구체적으로는, 전자 발생기 (24) 는, 대략 직방체상의 본체부 (30) 와, 텅스텐·필라멘트 등으로 이루어지는 전자원 (32) 과, 전자원 (32) 의 연장 방향을 복수의 방향으로 전환하는 전환 기구 (34) 를 포함하여 구성된다. 예를 들어, 본체부 (30) 는 도시되지 않은 플로팅 구조를 갖고 있으며, 전자원 (32) 은 챔버 (12) 와 전기적으로 절연되어 있는 점에 유의한다.The electron generator 24 is a thermoelectron type, field emission type, or Schottky type electron gun, and the thermoelectron type will be described here as an example. Specifically, the electron generator 24 is switched to switch the extending direction of the electron source 32 and the electron source 32 made of a substantially rectangular parallelepiped body portion 30, a tungsten filament, or the like into a plurality of directions. It comprises a mechanism 34. Note that, for example, the body portion 30 has a floating structure (not shown), and the electron source 32 is electrically insulated from the chamber 12.

전환 기구 (34) 는, Y 방향을 따른 회동축을 중심으로 회동 가능하고, 또한, 전자원 (32) 이 고정된 원반부를 갖는다. 요컨대, 전환 기구 (34) 는, 전자원 (32) 과 일체적으로 원반부를 회동시킴으로써, 전자원 (32) 의 중심 위치 (O) (도 2) 를 고정하면서 전자원 (32) 의 연장 방향을 X 방향 또는 Z 방향으로 전환 가능하다.The switching mechanism 34 is rotatable about a rotation axis along the Y direction, and further has a disk portion to which the electron source 32 is fixed. In other words, the switching mechanism 34 rotates the disk part integrally with the electron source 32 to fix the extension direction of the electron source 32 while fixing the center position O of the electron source 32 (FIG. 2). It can be switched in X or Z direction.

회전 대음극 (26) 은, 회전축 (36) 을 중심으로 하여 A 방향으로, 예를 들어 5000 ∼ 12000 [rpm] 의 속도로 회전 가능하게 구성된다. 회전 대음극 (26) 은, 몰리브덴 (Mo), 구리 (Cu) 등의 금속층이 피복된 둘레면부 (38) 와, 회전 대음극 (26) 의 회전 기구 (42) 가 장착된 측면부 (40) 를 갖는다.The rotating countercatalyst 26 is configured to be rotatable in the A direction around the rotation shaft 36, for example, at a speed of 5000 to 12000 [rpm]. The rotating counter electrode 26 includes a circumferential surface portion 38 coated with a metal layer such as molybdenum (Mo) and copper (Cu), and a side portion 40 on which the rotating mechanism 42 of the rotating counter electrode 26 is mounted. Have

회전 기구 (42) 는, 회전 대음극 (26) 을 축지지하는 원통상의 축부 (44) 와, 축부 (44) 의 일단측에 형성되는 원판상의 덮개부 (46) 를 포함하여 구성된다. 덮개부 (46) 는, 개구부 (18) 와 비교하여 대직경의 주면을 가짐과 함께, 챔버 (12) 의 외측으로부터 개구부 (18) 를 덮는 위치에서 착탈 가능하다.The rotating mechanism 42 includes a cylindrical shaft portion 44 that supports the rotating counter electrode 26 and a disc-shaped cover portion 46 formed on one end side of the shaft portion 44. The lid portion 46 has a large diameter major surface as compared to the opening portion 18 and is detachable at a position that covers the opening portion 18 from the outside of the chamber 12.

도 2 로부터 이해되는 바와 같이, 회전 대음극 (26) 은, 회전축 (36) 이 X 방향 및 Z 방향에 대해 경사지는 위치 관계하에 고정 배치된다. 요컨대, 회전 대음극 (26) 의 직경 방향과 Z 방향이 이루는 각을 「경사각 (φ)」(0 ≤ φ ≤ 90, 단위 : 도) 이라고 정의하는 경우, 0 < φ < 90 의 관계를 만족한다. 본 실시형태에서는, 특히 φ = 45 [도] 를 만족한다.As understood from FIG. 2, the rotating counter electrode 26 is fixedly arranged under a positional relationship in which the rotating shaft 36 is inclined with respect to the X direction and the Z direction. That is, when defining the angle formed by the radial direction and the Z direction of the rotating counter electrode 26 as "inclination angle (φ)" (0 ≤ φ ≤ 90, unit: degree), the relationship of 0 <φ <90 is satisfied. . In this embodiment, phi = 45 [degrees] is particularly satisfied.

도 3 으로부터 이해되는 바와 같이, 전자원 (32) 및 둘레면부 (38) 는 서로 대향하는 위치 관계하에 있기 때문에, 전자원 (32) 으로부터의 전자 빔 (B1) 에 의한 선상 초점 (제 1 초점 (51)) 이 둘레면부 (38) 상에 형성된다. 둘레면부 (38) 는, 전자 빔 (B1) 의 충돌시에서 특정한 발생 조건을 만족하는 경우, 제 1 초점 (51) 의 위치 또는 근방 위치로부터 X 선 빔 (B2) 을 출사한다. 후술하는 바와 같이, 챔버 (12) 의 외부에 출사되는 X 선 빔 (B2) 의 형상은, 선상 초점과 창부 (22) 사이의 기하학적 관계에 따라 변화된다.As understood from FIG. 3, since the electron source 32 and the circumferential surface portion 38 are in a positional relationship facing each other, the linear focus (first focus (by the first focus () by the electron beam B1 from the electron source 32) 51)) is formed on the circumferential surface portion 38. The circumferential surface portion 38 emits the X-ray beam B2 from the position or the vicinity of the first focal point 51 when a specific occurrence condition is satisfied when the electron beam B1 collides. As will be described later, the shape of the X-ray beam B2 emitted to the outside of the chamber 12 changes according to the geometrical relationship between the linear focus and the window 22.

[X 선 발생 장치 (10) 의 동작][Operation of X-ray generator 10]

계속해서, 제 1 실시형태에 관련된 X 선 발생 장치 (10) 의 동작에 대해, 도 1 ∼ 도 3 의 각 도면, 및 도 4 의 모식도를 참조하면서 설명한다.Subsequently, the operation of the X-ray generator 10 according to the first embodiment will be described with reference to the respective diagrams of FIGS. 1 to 3 and the schematic diagram of FIG. 4.

(1) 고정 배치 스텝(1) Fixed batch steps

먼저, 사용자는, 전자 발생기 (24) 및 회전 대음극 (26) 을 챔버 (12) 의 실 (28) 내에 수용한 후, 개구부 (18) 를 덮는 위치에 덮개부 (46) 를 장착한다. 이로써, 전자원 (32) 및 둘레면부 (38) 가 서로 대향함과 함께, 회전축 (36) 이 제 1 방향 및 제 2 방향에 대해 경사지는 위치 관계하에, 전자 발생기 (24) 및 회전 대음극 (26) 이 고정 배치된다.First, the user accommodates the electron generator 24 and the rotating counter electrode 26 in the chamber 28 of the chamber 12, and then mounts the cover portion 46 at a position covering the opening 18. Thereby, while the electron source 32 and the circumferential surface portion 38 face each other, the electron generator 24 and the rotating countercathode (under the positional relationship where the rotating shaft 36 inclines with respect to the first direction and the second direction) ( 26) This is fixedly arranged.

이 제 1 방향 및 제 2 방향은, 서로 직교함과 함께, 전자원 (32) 및 둘레면부 (38) 의 이간 방향 (즉, Y 방향) 에 각각 교차한다. 여기서는, 제 1 방향은 「Z 방향」에 대응함과 함께, 제 2 방향은 「X 방향」에 대응한다.The first direction and the second direction are orthogonal to each other, and intersect the separation direction (that is, the Y direction) of the electron source 32 and the circumferential surface portion 38, respectively. Here, the first direction corresponds to the "Z direction" and the second direction corresponds to the "X direction".

(2) 전환 스텝(2) Conversion step

전환 기구 (34) 는, 사용자의 선택 조작에 따라 전자원 (32) 의 연장 방향을 전환한다. 구체적으로는, 선상의 X 선 빔 (B2) (도 4 참조) 을 사용하고자 하는 경우에는 「제 1 방향」으로 전환하고, 점상의 X 선 빔 (B3) (동 도면) 을 사용하고자 하는 경우에는 「제 2 방향」으로 전환한다.The switching mechanism 34 switches the extending direction of the electron source 32 according to the user's selection operation. Specifically, when using the X-ray beam B2 (see FIG. 4) on the line, when switching to the "first direction", and when using the X-ray beam B3 (same drawing) as the dot Switch to the "second direction".

(3) 발생 스텝(3) Generation step

도시되지 않은 진공 펌프를 사용하여 실 (28) 내를 진공 상태로 만듦과 함께, 회전 대음극 (26) 을 소정의 속도로 A 방향으로 회전시킨다. 그리고, X 선의 발생 조건을 만족하기 위한 각종 준비가 완료된 후, 전자 발생기 (24) 는, 사용자의 동작 지시에 따라, 선상의 전자 빔 (B1) 을 발생시킨다. 이로써, X 선 빔 (B2, B3) 은, 창부 (22) 를 통해 X 선 발생 장치 (10) 의 외측에 발해진다.The inside of the seal 28 is vacuumed using a vacuum pump (not shown), and the rotating counter electrode 26 is rotated in the A direction at a predetermined speed. Then, after various preparations for satisfying the conditions for generating X-rays are completed, the electron generator 24 generates an electron beam B1 on the line in accordance with a user's operation instruction. Thereby, the X-ray beams B2 and B3 are emitted to the outside of the X-ray generator 10 through the window portion 22.

도 4 는, 제 1 방향 및 제 2 방향의 전환 동작에 따른 X 선 빔 (B2, B3) 의 형상을 나타내는 모식도이다. 전자원 (32) (도 2 및 도 3) 의 연장 방향에 따라, 제 1 방향을 따라 만곡되는 제 1 초점 (51), 혹은 제 2 방향을 따라 만곡되는 제 2 초점 (52) 이 선택적으로 형성된다.4 is a schematic diagram showing the shapes of the X-ray beams B2 and B3 according to the switching operation in the first direction and the second direction. Depending on the extension direction of the electron source 32 (FIGS. 2 and 3), the first focus 51 curved along the first direction or the second focus 52 curved along the second direction is selectively formed. do.

전자의 경우, 둘레면부 (38) 는, 전자 빔 (B1) 이 입사된 선상의 제 1 초점 (51) 의 위치로부터 X 선 빔 (B2) 을 출사한다. 이 때, 제 1 초점 (51) 은 창부 (22) 가 이루는 평면과 대략 평행한 관계에 있기 때문에, 선상의 X 선 빔 (B2) 이 출사된다.In the former case, the circumferential surface portion 38 emits the X-ray beam B2 from the position of the first focal point 51 on the line where the electron beam B1 is incident. At this time, since the first focus 51 is in a substantially parallel relationship with the plane formed by the window portion 22, the X-ray beam B2 on the line is emitted.

후자의 경우, 둘레면부 (38) 는, 전자 빔 (B1) 이 입사된 선상의 제 2 초점 (52) 의 위치로부터 X 선 빔 (B3) 을 출사한다. 이 때, 제 2 초점 (52) 은 창부 (22) 가 이루는 평면과 대략 직교하는 관계에 있기 때문에, 점상의 X 선 빔 (B3) 이 출사된다.In the latter case, the circumferential surface portion 38 emits the X-ray beam B3 from the position of the second focal point 52 on the line where the electron beam B1 is incident. At this time, since the second focal point 52 is in a substantially orthogonal relationship to the plane formed by the window portion 22, the pointed X-ray beam B3 is emitted.

이상과 같이, 전자 발생기 (24) 에는 전자원 (32) 의 연장 방향을 전환하는 전환 기구 (34) 가 형성됨과 함께, 전자원 (32) 및 둘레면부 (38) 가 서로 대향하는 위치 관계하에 전자 발생기 (24) 및 회전 대음극 (26) 이 고정 배치된다. 이로써, 전자 발생기 (24) 및 회전 대음극 (26) 의 위치·자세를 일절 변경하지 않고 전자원 (32) 의 연장 방향을 단순히 전환함으로써, 선상 또는 점상의 X 선 빔 (B2, B3) 을 선택적으로 발생시킬 수 있다.As described above, the electron generator 24 is provided with a switching mechanism 34 for switching the extending direction of the electron source 32, and the electron source 32 and the circumferential portion 38 are electrons under a positional relationship facing each other. The generator 24 and the rotating counter electrode 26 are fixedly arranged. Thus, the linear or pointed X-ray beams B2 and B3 are selectively switched by simply switching the extension direction of the electron source 32 without changing the position and orientation of the electron generator 24 and the rotating counter electrode 26 at all. Can be caused by

[X 선 발생 장치 (10) 에 의한 효과][Effects by the X-ray generator 10]

계속해서, X 선 발생 장치 (10) 에 의한 효과에 대해, 도 5 ∼ 도 7 을 참조하면서 상세하게 설명한다.Next, the effect by the X-ray generator 10 will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 7.

도 5 는, 경사각 (φ) 이 0 도 (φ = 0) 에 있어서의 초점의 형성 위치를 나타내는 모식도이다. 보다 상세하게는, 도 5(a) 는 둘레면부 (38) 상에 형성된 제 1 초점 (51) 을 Y 방향으로부터 시인한 투영도이고, 도 5(b) 는 둘레면부 (38) 상에 형성된 제 2 초점 (52) 을 Y 방향으로부터 시인한 투영도이다.5 is a schematic view showing a focal point formation position at an inclination angle φ of 0 degrees (φ = 0). More specifically, Fig. 5 (a) is a projection view in which the first focus 51 formed on the circumferential surface portion 38 is viewed from the Y direction, and Fig. 5 (b) is a second formed on the circumferential surface portion 38. It is a projection view in which the focus 52 is viewed from the Y direction.

도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 초점 (51) 은, Y 방향으로부터의 평면에서 보아, 폭이 W [㎜], 높이가 H [㎜] (H > W) 인 사각형상을 갖는다. 파선으로 도시하는 선분 (53) 은, 둘레 방향으로 횡단하는 초점 길이에 상당한다. 이하, 제 1 초점 (51) 에 있어서의 선분 (53) 의 길이를 「둘레 방향 초점 길이 (L1)」라고 한다. 본 도면예에서는, 제 1 초점 (51) 의 높이 방향이 둘레면부 (38) 의 둘레 방향에 일치하기 때문에, L1 = H [㎜] 이다.As shown in FIG. 5 (a), the first focus 51 has a rectangular shape with a width of W [mm] and a height of H [mm] (H> W) when viewed in a plane from the Y direction. The line segment 53 shown by the broken line corresponds to the focal length traversing in the circumferential direction. Hereinafter, the length of the line segment 53 in the first focus 51 is referred to as "circumferential focal length L1". In this example of the drawing, L1 = H [mm] because the height direction of the first focus 51 coincides with the circumferential direction of the circumferential surface portion 38.

도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 2 초점 (52) 은, Y 방향으로부터의 평면에서 보아, 도 5(a) 에 나타내는 제 1 초점 (51) 과 대략 동일한 형상을 갖는다. 이하, 제 2 초점 (52) 에 있어서의 선분 (53) 의 길이를 「둘레 방향 초점 길이 (L2)」라고 한다. 본 도면예에서는, 제 2 초점 (52) 의 폭 방향이 둘레면부 (38) 의 둘레 방향에 일치하기 때문에, L2 = W [㎜] 이다.As shown in Fig. 5 (b), the second focus 52 has a shape substantially the same as the first focus 51 shown in Fig. 5 (a) when viewed in a plane from the Y direction. Hereinafter, the length of the line segment 53 in the second focus 52 is referred to as "circumferential focal length L2". In this example of the drawing, L2 = W [mm] because the width direction of the second focus 52 coincides with the circumferential direction of the circumferential surface portion 38.

이 X 선 발생 방식에 관해서, 둘레 방향 초점 길이 (L1, L2) 가 클수록 회전 대음극 (26) 이 받는 열 부하가 증가하는 경향이 있다. 그리고, 열 부하가 증가할수록 둘레면부 (38) 에 형성된 금속이 냉각되기 어려워지기 때문에, X 선의 출력 효율이 저하되는 현상이 보여진다. 요컨대, 도 5(a) 에서는 L1 이 크기 때문에 출력 효율이 상대적으로 낮아지고, 도 5(b) 에서는 L2 가 작기 때문에 출력 효율이 상대적으로 높아진다. 계측시의 사용 편리함의 관점에서 말하면, X 선 빔 (B2, B3) 의 선택에 의해 출력 효율의 차이가 발생하는 것은 바람직하지 않다.With respect to this X-ray generating method, the larger the circumferential focal lengths L1 and L2, the more the heat load received by the rotating counter electrode 26 tends to increase. And, as the heat load increases, the metal formed on the circumferential surface portion 38 becomes difficult to cool, so a phenomenon in which the output efficiency of X-rays decreases is seen. In other words, in FIG. 5 (a), the output efficiency is relatively low because L1 is large, and in FIG. 5 (b), the output efficiency is relatively high because L2 is small. In terms of ease of use at the time of measurement, it is not preferable that a difference in output efficiency occurs due to selection of X-ray beams B2 and B3.

도 6 은, 경사각 (φ) 이 45 도 (φ = 45) 에 있어서의 초점의 형성 위치를 나타내는 모식도이다. 보다 상세하게는, 도 6(a) 는 둘레면부 (38) 상에 형성된 제 1 초점 (51) 을 Y 방향으로부터 시인한 투영도이고, 도 6(b) 는 둘레면부 (38) 상에 형성된 제 2 초점 (52) 을 Y 방향으로부터 시인한 투영도이다.6 is a schematic view showing a focal position at an inclination angle φ of 45 degrees (φ = 45). More specifically, Fig. 6 (a) is a projection view in which the first focus 51 formed on the circumferential surface portion 38 is viewed from the Y direction, and Fig. 6 (b) is a second formed on the circumferential surface portion 38. It is a projection view in which the focus 52 is viewed from the Y direction.

도 6(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 초점 (51) 은, Y 방향으로부터의 평면에서 보아, 도 5(a) 에 나타내는 제 1 초점 (51) 과 대략 동일한 형상을 갖는다. 본 도면예에서는, 제 1 초점 (51) 의 높이 방향이 둘레면부 (38) 의 둘레 방향에 대해 45 도 경사지기 때문에, L1 = √2·W [㎜] 이다.As shown in FIG. 6 (a), the first focus 51 has a shape substantially the same as the first focus 51 shown in FIG. 5 (a) when viewed in a plane from the Y direction. In this example of the drawing, since the height direction of the first focus 51 is inclined 45 degrees with respect to the circumferential direction of the circumferential surface portion 38, L1 = √2 · W [mm].

도 6(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 2 초점 (52) 은, Y 방향으로부터의 평면에서 보아, 도 5(a) 에 나타내는 제 1 초점 (51) 과 대략 동일한 형상을 갖는다. 본 도면예에서는, 제 2 초점 (52) 의 폭 방향이 둘레면부 (38) 의 둘레 방향에 대해 45 도 경사지기 때문에, L2 = √2·W [㎜] 이다.As shown in Fig. 6 (b), the second focus 52 has a shape substantially the same as the first focus 51 shown in Fig. 5 (a) when viewed in a plane from the Y direction. In this example of the drawing, since the width direction of the second focus 52 is inclined at 45 degrees with respect to the circumferential direction of the circumferential surface portion 38, L2 = √2 · W [mm].

도 7 은, 경사각 (φ) 과 둘레 방향 초점 길이 (L1, L2) 의 관계를 나타내는 그래프이다. 그래프의 가로축은 경사각 (φ) (단위 : 도) 이고, 그래프의 세로축은 둘레 방향 초점 길이 (L1, L2) (단위 : ㎜) 이다. 또, 실선은 L1 의 함수를 나타냄과 함께, 일점쇄선은 L2 의 함수를 나타낸다.7 is a graph showing the relationship between the inclination angle φ and the circumferential focal lengths L1 and L2. The horizontal axis of the graph is the inclination angle (φ) (unit: degree), and the vertical axis of the graph is the circumferential focal length (L1, L2) (unit: mm). In addition, the solid line indicates the function of L1, and the one-dot chain line indicates the function of L2.

본 도면으로부터 이해되는 바와 같이, 둘레 방향 초점 길이 (L1) 는, φ = 0 [도] 일 때 L1 = H [㎜], φ = 90 [도] 일 때 L1 = W [㎜] 를 만족함과 함께, 경사각 (φ) 의 증가에 따라 단조롭게 감소한다. 한편, 둘레 방향 초점 길이 (L2) 는, φ = 0 [도] 일 때 L2 = W [㎜], φ = 90 [도] 일 때 L2 = H [㎜] 를 만족함과 함께, 경사각 (φ) 의 증가에 따라 단조롭게 증가한다.As understood from this figure, the circumferential focal length L1 satisfies L1 = H [mm] when φ = 0 [degrees] and L1 = W [mm] when φ = 90 [degrees]. , Decreases monotonically with increasing inclination angle (φ). On the other hand, the focal length L2 in the circumferential direction satisfies L2 = H [mm] when L2 = W [mm], and φ = 90 [degree] when φ = 0 [degree], and the As it increases, it increases monotonically.

즉, 경사각 (φ) 이 φ = 0 [도] 또는 φ = 90 [도] 를 만족하는 경우에 |L1 - L2| 의 값이 최대가 되고, 경사각 (φ) 을 0 < φ < 90 의 범위로 설정함으로써, |L1 - L2| 의 값이 상대적으로 작아진다. 또한, φ = 45 [도] 의 근방에서는, L1 = W/sinφ, L2 = W/cosφ 의 관계가 성립되는 점에 유의한다.That is, when the inclination angle φ satisfies φ = 0 [degree] or φ = 90 [degree], the values of | L1-L2 | become the maximum, and the inclination angle (φ) is in the range of 0 <φ <90 By setting, the values of | L1-L2 | become relatively small. Note that in the vicinity of φ = 45 [degree], the relationship of L1 = W / sinφ and L2 = W / cosφ is established.

제 1 실시형태에 있어서, 회전 대음극 (26) 은, 회전축 (36) 이 제 1 방향 및 제 2 방향에 대해 경사지는 위치 관계하 (0 < φ < 90) 에 있기 때문에, 제 1 방향 및 제 2 방향으로부터의 전자 빔 (B1) 의 방출에 의해 형성되는 제 1 초점 (51), 제 2 초점 (52) 에 관해서, 둘레 방향 초점 길이 (L1, L2) 의 괴리량 |L1 - L2| 이, 회전축 (36) 을 경사시키지 않는 경우 (φ = 0, 90) 와 비교하여 작아진다. 요컨대, 가장 높은 측의 출력 효율을 낮추는 대신에 가장 낮은 측의 출력 효율을 높임으로써, 양방의 X 선 빔 (B2, B3) 으로 공통적으로 출력할 수 있는 최대량 (요컨대, X 선의 한계 출력량) 이 끌어 올려진다.In the first embodiment, the rotating counter electrode 26 is in the first direction and the first direction because the rotating shaft 36 is in a positional relationship (0 <φ <90) inclined with respect to the first direction and the second direction. With respect to the first focus 51 and the second focus 52 formed by the emission of the electron beam B1 from the two directions, the amount of separation between the focal lengths L1 and L2 in the circumferential direction | L1-L2 | When the rotating shaft 36 is not inclined, it becomes smaller compared with (φ = 0, 90). In short, instead of lowering the output efficiency of the highest side, by increasing the output efficiency of the lowest side, the maximum amount that can be commonly output by both X-ray beams (B2, B3) is pulled (in other words, the limit output of the X-rays) Is raised.

또, 회전축 (36) 이 제 1 방향에 대해 30 ∼ 60 도의 범위 내에서 경사지는 위치 관계하 (30 ≤ φ ≤ 60) 에 있어도 된다. 이로써, 둘레 방향 초점 길이 (L1, L2) 의 비 (L1/L2 혹은 L2/L1) 를 대체로 2 배 미만으로 억제 가능해져, 양자의 출력 성능의 격차가 더욱 작아진다.Further, the rotation shaft 36 may be in a positional relationship (30 ≤ φ ≤ 60) inclined within a range of 30 to 60 degrees relative to the first direction. Thereby, the ratio (L1 / L2 or L2 / L1) of the circumferential focal lengths L1 and L2 can be suppressed to be substantially less than two times, and the gap between the output performances of both is further reduced.

또, 회전축 (36) 이 제 1 방향에 대해 45 도 경사지는 위치 관계하 (φ = 45) 에 있어도 된다. 이 경우, 둘레 방향 초점 길이 L1 = L2 = √2·W [㎜] 가 동일해지기 때문에, 양방의 X 선 빔 (B2, B3) 에 공통되는 한계 출력량이 최대가 된다.Moreover, you may be in the positional relationship (phi = 45) where the rotating shaft 36 inclines 45 degrees with respect to the 1st direction. In this case, since the circumferential focal length L1 = L2 = √2 · W [mm] becomes the same, the limit output amount common to both X-ray beams B2 and B3 is maximized.

이상과 같이, X 선 발생 장치 (10) 는, [1] 선상의 전자 빔 (B1) 을 방출하는 전자원 (32) 과, 전자원 (32) 의 중심 위치 (O) 를 고정시키면서 전자원 (32) 의 연장 방향을 제 1 방향 (Z 방향) 및 제 2 방향 (X 방향) 중 어느 일방으로 전환하는 전환 기구 (34) 를 갖는 전자 발생기 (24) 와, [2] 전자 빔 (B1) 을 충돌시킴으로써 X 선 빔 (B2, B3) 을 출사하는 둘레면부 (38) 를 갖고, 또한, 회전축 (36) 을 중심으로 회전 가능하게 구성되는 원판상 또는 원주상의 회전 대음극 (26) 을 구비한다. 그리고, 전자 발생기 (24) 및 회전 대음극 (26) 은, 전자원 (32) 및 둘레면부 (38) 가 서로 대향함과 함께, 회전축 (36) 이 제 1 방향 및 제 2 방향에 대해 경사지는 위치 관계하에 고정 배치된다.As described above, the X-ray generator 10, while fixing the electron source 32 that emits the electron beam B1 on the line [1], and the central position O of the electron source 32, the electron source ( An electron generator 24 having a switching mechanism 34 for switching the extending direction of 32 in either the first direction (Z direction) or the second direction (X direction), and [2] the electron beam B1 It has a circumferential surface portion 38 through which the X-ray beams B2 and B3 are emitted by collision, and further includes a disk-shaped or columnar rotating countercatalyst 26 configured to be rotatable about the rotation shaft 36. . In addition, the electron generator 24 and the rotating counter electrode 26 have the electron source 32 and the circumferential surface portion 38 facing each other, and the rotating shaft 36 is inclined with respect to the first direction and the second direction. It is fixedly placed in relation to the position.

또, X 선 발생 장치 (10) 를 사용한 X 선 발생 방법은, 전자 발생기 (24) 및 회전 대음극 (26) 을 고정 배치하는 배치 스텝과, 전자원 (32) 의 연장 방향을 제 1 방향 및 제 2 방향 중 어느 일방으로 전환하는 전환 스텝을 구비한다.In addition, the X-ray generating method using the X-ray generator 10 includes: an arrangement step in which the electron generator 24 and the rotating counter electrode 26 are fixedly arranged, and an extension direction of the electron source 32 in the first direction and And a switching step of switching to either one of the second directions.

이로써, 매우 간단한 장치 구성이면서 선상 또는 점상의 X 선 빔 (B2, B3) 을 선택적으로 발생시킴과 함께, 장치 전체로서의 출력 성능을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 전자원 (32) 의 애스펙트비가 H/W = 10 인 경우, 도 5(a) 에 있어서의 열 부하를 기준 (100 %) 으로 하면, 도 5(b), 도 6(a) 및 도 6(b) 에 있어서의 열 부하는 각각 32 %, 84 %, 84 % 로 시산된다. 요컨대, 도 6 의 구성을 채용함으로써, 최대값과 비교하여 16 % 의 손실이 있기는 하지만, 동일한 정도의 높은 이득을 얻을 수 있다.In this way, it is possible to improve the output performance of the entire device while selectively generating the linear or dot X-ray beams B2 and B3 while having a very simple device configuration. For example, when the aspect ratio of the electron source 32 is H / W = 10, when the heat load in Fig. 5 (a) is set as a reference (100%), Fig. 5 (b), Fig. 6 (a) And the heat loads in Fig. 6 (b) are estimated to be 32%, 84%, and 84%, respectively. In short, by adopting the configuration of Fig. 6, although there is a loss of 16% compared to the maximum value, a high gain of the same degree can be obtained.

[시료 측정 시스템 (100) 의 구성예][Configuration example of sample measurement system 100]

계속해서, 상기 X 선 발생 장치 (10) 를 장착한 시료 측정 시스템 (100) 에 대해, 도 8 을 참조하면서 설명한다. 여기서는 「X 선 회절 장치」를 예로 설명하지만, 이 구성 및 측정 방식에 한정되지 않는다.Subsequently, the sample measurement system 100 equipped with the X-ray generator 10 will be described with reference to FIG. 8. Here, the "X-ray diffraction apparatus" will be described as an example, but is not limited to this configuration and measurement method.

시료 측정 시스템 (100) 은, X 선 빔 (B2, B3) 을 발생시키는 X 선 발생 장치 (10) 와, 시료 (S) 를 반사한 X 선 빔 (B2, B3) 을 검출하는 X 선 검출 장치 (102) 와, θ1 및 θ2 방향의 각도를 설정하기 위한 고니오미터 (104) 와, 각 부를 제어하는 제어 장치 (106) (측정 수단) 를 구비한다.The sample measurement system 100 includes an X-ray generator 10 that generates X-ray beams B2 and B3, and an X-ray detection device that detects X-ray beams B2 and B3 reflecting the sample S A 102, a goniometer 104 for setting angles in the θ1 and θ2 directions, and a control device 106 (measurement means) for controlling each part are provided.

고니오미터 (104) 는, X 선 발생 장치 (10) 를 파지하는 제 1 아암 (110) 과, 제 1 아암 (110) 을 θ1 방향으로 회전 구동시키는 θ1 회전 기구 (112) 와, X 선 검출 장치 (102) 의 검출기 (126) 를 파지하는 제 2 아암 (114) 과, 제 2 아암 (114) 을 θ2 방향으로 회전 구동시키는 회전 기구 (116) 를 포함하여 구성된다.The goniometer 104 includes a first arm 110 for holding the X-ray generator 10, a θ1 rotating mechanism 112 for rotationally driving the first arm 110 in the θ1 direction, and X-ray detection It comprises the 2nd arm 114 which grasps the detector 126 of the apparatus 102, and the rotating mechanism 116 which drives the 2nd arm 114 to rotate in the (theta) 2 direction.

제 1 아암 (110) 및 제 2 아암 (114) 의 회전 중심에는, 측정 대상인 시료 (S) 를 재치 (載置) 하기 위한 시료대 (118) 가 고정 배치된다. 제 1 아암 (110) 에는, 회전 중심으로부터 외방을 향해 순서대로, 발산 슬릿 (120) 및 X 선 발생 장치 (10) 가 고정된다. 제 2 아암 (114) 에는, 회전 중심으로부터 외방을 향해 순서대로, 산란 슬릿 (122), 수광 슬릿 (124) 및 검출기 (126) 가 고정된다. 집중법을 사용하는 경우, 본 도면에 나타내는 바와 같이, 제 1 초점 (51) 및 수광 슬릿 (124) 의 위치는, 단일의 원 궤도 (C) 상에 존재하도록 조정된다.At the centers of rotation of the first arm 110 and the second arm 114, a sample stand 118 for placing the sample S to be measured is fixedly arranged. The diverging slits 120 and the X-ray generator 10 are fixed to the first arm 110 in order from the center of rotation toward the outside. A scattering slit 122, a light receiving slit 124, and a detector 126 are fixed to the second arm 114 in order from the center of rotation toward the outside. When using the concentration method, as shown in this figure, the positions of the first focus 51 and the light receiving slit 124 are adjusted to exist on a single circular trajectory C.

X 선 검출 장치 (102) 는, X 선 빔 (B2, B3) 의 강도에 따른 검출 신호를 출력하는 검출기 (126) 와, 검출기 (126) 로부터의 검출 신호에 기초하여 X 선 빔 (B2, B3) 의 검출량을 구하는 검출 회로 (128) 를 갖는다. 검출기 (126) 는, 단일의 X 선 검출 소자, 혹은 선상 또는 면상으로 배치된 X 선 검출 소자 어레이를 포함하여 구성된다.The X-ray detection apparatus 102 includes a detector 126 that outputs a detection signal according to the intensity of the X-ray beams B2 and B3, and an X-ray beam B2 or B3 based on the detection signal from the detector 126. ) Has a detection circuit 128 for determining the detection amount. The detector 126 includes a single X-ray detection element or an array of X-ray detection elements arranged in a linear or planar manner.

제어 장치 (106) 는, θ1 회전 기구 (112) 및 θ2 회전 기구 (116) 를 제어함으로써, X 선 발생 장치 (10), 시료 (S) 및 검출기 (126) 를 적절한 위치 관계하에 배치시킨다. 이 측정예에서는, 제 1 아암 (110) 과 제 2 아암 (114) 이 동일한 각도 (θ1 = θ2) 로 설정된다.The control device 106 controls the θ1 rotating mechanism 112 and the θ2 rotating mechanism 116 to arrange the X-ray generator 10, the sample S, and the detector 126 under appropriate positional relationships. In this measurement example, the first arm 110 and the second arm 114 are set at the same angle (θ1 = θ2).

제어 장치 (106) 는, X 선 발생 장치 (10) 를 제어함으로써 전자 빔 (B1) (도 3) 을 방출시킴과 함께, X 선 빔 (B2, B3) 을 발생시킨다. 제어 장치 (106) 는, 고니오미터 (104) 의 설정 각도 및 시료 (S) 를 반사한 X 선 빔 (B2, B3) 의 검출량에 기초하여, 시료 (S) 에 관한 물리량을 측정한다. 출력 장치 (130) 는, 제어 장치 (106) 로부터의 출력 지시에 따라, 격자면 간격, 회절 강도, 밀러 계수, 적층 주기, 응력, 동정된 물질명을 포함하는, 시료 (S) 의 측정 결과를 출력한다.The control apparatus 106 emits the electron beam B1 (FIG. 3) by controlling the X-ray generating apparatus 10, and also generates the X-ray beams B2 and B3. The control device 106 measures the physical quantity of the sample S based on the set angle of the goniometer 104 and the detection amount of the X-ray beams B2 and B3 reflecting the sample S. The output device 130 outputs the measurement result of the sample S, including the lattice spacing, diffraction intensity, Miller coefficient, lamination cycle, stress, and identified material name, according to the output instruction from the control device 106. do.

시료 (S) 의 종류, 성상, 또는 측정하고자 하는 물리량의 조합에 따라, 선상 또는 점상의 X 선 빔 (B2, B3) 중 어느 것을 선택한다. 사용자는, 빔 형상에 적합한 X 선 광학계의 조정, 구체적으로는, 발산 슬릿 (120), 산란 슬릿 (122) 또는 수광 슬릿 (124) 의 교환 작업을 실시한다. 그 후, 제어 장치 (106) 는, 사용자에 의한 조작에 따라, 전자원 (32) 을 회동시키는 취지의 지시 신호를 전환 기구 (34) 를 향해 송신한다. 이로써, 전자원 (32) 의 연장 방향이 자동적으로 전환되어, 원하는 X 선 측정을 실행할 수 있다. 또한, 상기 구성 대신에, 사용자의 수작업에 의해 전자원 (32) 의 연장 방향을 전환하는 구성이어도 된다.Depending on the type of sample (S), the nature, or a combination of physical quantities to be measured, either linear or pointed X-ray beams (B2, B3) are selected. The user adjusts the X-ray optical system suitable for the beam shape, specifically, exchanges the diverging slits 120, the scattering slits 122, or the light receiving slits 124. Thereafter, the control device 106 transmits an instruction signal to the switching mechanism 34 in order to rotate the electron source 32 in accordance with the operation by the user. Thereby, the extension direction of the electron source 32 is automatically switched, and desired X-ray measurement can be performed. Further, instead of the above configuration, a configuration in which the extension direction of the electron source 32 is switched manually by the user may be used.

이상과 같이, 시료 측정 시스템 (100) 은, 상기한 X 선 발생 장치 (10) 와, X 선 발생 장치 (10) 로부터 발생하고, 또한, 시료 (S) 를 투과 또는 반사한 X 선 빔 (B2, B3) 을 검출하는 X 선 검출 장치 (102) 와, 검출된 X 선 빔 (B2, B3) 의 검출량에 기초하여 시료 (S) 에 관한 물리량을 측정하는 제어 장치 (106) (측정 수단) 를 구비한다. 이로써, X 선 발생 장치 (10) 측의 조정 작업을 실시하지 않고, X 선 빔 (B2, B3) 의 형상을 적시에 전환한 X 선 측정을 실행할 수 있다.As described above, the sample measurement system 100 generates the X-ray generator 10 and the X-ray generator 10, and further transmits or reflects the sample S to the X-ray beam B2. , And an X-ray detection device 102 for detecting B3, and a control device 106 (measurement means) for measuring the physical quantity of the sample S based on the detected X-ray beams B2 and B3. Be equipped. Thereby, the X-ray measurement which switched the shape of the X-ray beams B2 and B3 in a timely manner can be performed without performing the adjustment operation of the X-ray generator 10 side.

<제 2 실시형태><Second Embodiment>

[X 선 발생 장치 (1010) 의 구성][Configuration of X-ray generator 1010]

도 9 는 제 2 실시형태에 관련된 X 선 발생 장치 (1010) 의 사시도이고, 도 10 은 도 9 의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따른 단면도이고, 도 11 은 도 9 에 나타내는 X 선 발생 장치 (1010) 의 측면도이고, 도 12 는 도 9 의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따른 단면도이다. 설명의 편의상, 이들 도 9 ∼ 도 12 에서는, 3 차원 직교 좌표계를 나타내는 3 축 방향 (X 방향·Y 방향·Z 방향) 을 정의한다.9 is a perspective view of the X-ray generator 1010 according to the second embodiment, FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 9, and FIG. 11 is an X-ray generator 1010 shown in FIG. It is a side view, and FIG. 12 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. 9. For convenience of explanation, in these FIGS. 9 to 12, a three-axis direction (X direction, Y direction, Z direction) representing a three-dimensional orthogonal coordinate system is defined.

도 9 에 나타내는 바와 같이, X 선 발생 장치 (1010) 는, 이른바 회전 대음극 방식을 사용하여 X 선 (엑스선) 을 발생시키는 장치이다. X 선 발생 장치 (1010) 는, X 선 투과율이 낮은 금속 재료로 이루어지는 대략 직방체상의 챔버 (1012) 를 갖는다.As shown in FIG. 9, the X-ray generator 1010 is a device which generates X-rays (X-rays) using a so-called rotating countercathode system. The X-ray generator 1010 has a substantially rectangular parallelepiped chamber 1012 made of a metal material having low X-ray transmittance.

챔버 (1012) 의 제 1 면 (1014) 측에는, 원형상의 제 1 개구부 (1016) 가 형성되어 있다. 챔버 (1012) 의 제 2 면 (1018) 측에 있는 1 개의 모서리부에는, 삼각주상으로 움푹 패인 오목부 (1020) 가 형성되어 있다. 오목부 (1020) 를 이루는 경사면 (1022) 에는 원형상의 제 2 개구부 (1024) 가 형성됨과 함께, 제 2 면 (1018) 에 대향하는 제 3 면 (1026) 에는 X 선 투과율이 높은 베릴륨 박막을 개재 삽입한 창부 (1028) 가 형성되어 있다.A circular first opening 1016 is formed on the first surface 1014 side of the chamber 1012. A recess 1020 recessed into a triangular column is formed at one corner portion on the second surface 1018 side of the chamber 1012. A second opening 1024 having a circular shape is formed on the inclined surface 1022 forming the concave portion 1020, and a third surface 1026 facing the second surface 1018 is interposed with a beryllium thin film having high X-ray transmittance. The inserted window portion 1028 is formed.

제 1 개구부 (1016) 로부터 전자 발생기 (1030) 를 삽입 통과함과 함께, 제 2 개구부 (1024) 를 덮는 위치에 덮개부 (1032) 를 장착함으로써, 챔버 (1012) 의 실 (1034) (도 10 및 도 12) 내가 기밀하게 유지된다. 전자 발생기 (1030) 는, 열전자형, 전계 방출형, 또는 쇼트키형의 전자총이며, 여기서는 열전자형을 예로 설명한다.By passing the electron generator 1030 through the first opening 1016 and inserting the cover portion 1032 in a position to cover the second opening 1024, the chamber 1034 of the chamber 1012 (FIG. 10) And FIG. 12) I remain confidential. The electron generator 1030 is a thermoelectron type, field emission type, or Schottky type electron gun, and the thermoelectron type will be described here as an example.

도 10 에 나타내는 바와 같이, 전자 발생기 (1030) 는, 선상의 전자 빔 (B1) 을 방출하는 전자원 (1036) 과, 전자원 (1036) 을 지지하는 원주상의 지지대 (1038) 와, 지지대 (1038) 를 유지하는 유지부 (1040) 와, 챔버 (1012) 의 외부로부터 회동 운동을 도입하는 회동 도입 기구 (1042) 와, 전자 발생기 (1030) 의 각종 동작에 필요한 구성 부품을 수용하는 수용 케이스 (1044) 를 포함하여 구성된다. 필요한 구성 부품에는, 예를 들어, 전자원 (1036) 을 가열하는 히터의 전원부, 챔버 (1012) 내에 고전압을 도입하기 위한 고압 도입부가 포함된다.As shown in FIG. 10, the electron generator 1030 includes an electron source 1036 emitting a linear electron beam B1, a columnar support 1038 supporting the electron source 1036, and a support ( The holding portion 1040 for holding the 1038, the rotation introducing mechanism 1042 for introducing a rotational motion from the outside of the chamber 1012, and a housing case for accommodating component parts necessary for various operations of the electron generator 1030 ( 1044). The necessary component parts include, for example, a power supply portion of a heater that heats the electron source 1036, and a high pressure introduction portion for introducing high voltage into the chamber 1012.

전자원 (1036) 은, 예를 들어 텅스텐·필라멘트로 이루어지고, 일방향으로 연장되는 코일 형상을 갖는다. 대략 원통상의 유지부 (1040) 는, 세라믹스를 포함하는 절연성 재료로 이루어진다. 이로써, 전자원 (1036) 은, 챔버 (1012) 와 전기적으로 절연된 상태에서, 실 (1034) 내에 배치된다.The electron source 1036 is made of, for example, tungsten filament and has a coil shape extending in one direction. The substantially cylindrical holding portion 1040 is made of an insulating material containing ceramics. Thereby, the electron source 1036 is disposed in the chamber 1034 while being electrically insulated from the chamber 1012.

회동 도입 기구 (1042) 는, 캐소드측의 1 축 (이하, 캐소드축 (Ac)) 을 중심으로 하는, T 방향을 따른 회동 동작을 도입하는 기구이며, 유지부 (1040) 의 기단 (基端) 측에 접속되어 있다. 이로써, 회동 도입 기구 (1042) 는, 유지부 (1040) 및 지지대 (1038) 를 일체적으로 회동시켜, 전자원 (1036) 의 중심 위치 (O) (도 4) 를 고정시키면서 전자원 (1036) 의 연장 방향을 변경 가능하다.The rotation introduction mechanism 1042 is a mechanism that introduces a rotational movement along the T direction, centered on one cathode side (hereinafter, the cathode axis (Ac)), and the base end of the holding portion 1040 It is connected to the side. Thereby, the rotation introduction mechanism 1042 rotates the holding portion 1040 and the support base 1038 integrally, while fixing the central position O of the electron source 1036 (FIG. 4), and the electron source 1036 It is possible to change the extension direction.

여기서는, 회동 도입 기구 (1042) 는, 지지대 (1038) 의 회동 동작에 의해 전자원 (1036) 의 연장 방향을 제 1 방향 및 제 2 방향 중 어느 일방으로 변경 가능하다. 제 1 방향은 「Z 방향」에 대응함과 함께, 제 2 방향은 「X 방향」에 대응한다. 이 경우, 제 1 방향 및 제 2 방향은, 서로 직교함과 함께, 캐소드축 (Ac) (Y 방향) 에 각각 직교한다.Here, the rotation introduction mechanism 1042 can change the extending direction of the electron source 1036 in either the first direction or the second direction by the rotation operation of the support 1038. The first direction corresponds to the "Z direction", and the second direction corresponds to the "X direction". In this case, the first direction and the second direction are perpendicular to each other and perpendicular to the cathode axis Ac (Y direction).

구체적으로는, 회동 도입 기구 (1042) 는, 그 일단측이 유지부 (1040) 에 접속된 회동축부 (1046) 와, 제 1 개구부 (1016) 를 봉지하는 원주상의 봉지부 (1047) 와, 챔버 (1012) 에 접속하기 위한 접속 플랜지 (1048) 와, 회동축부 (1046) 의 타단측에 걸어맞춰진 핸들부 (1050) 를 구비한다.Specifically, the rotation introduction mechanism 1042 includes a rotation shaft portion 1046 whose one end is connected to the holding portion 1040, a circumferential sealing portion 1047 sealing the first opening 1016, A connection flange 1048 for connecting to the chamber 1012 and a handle portion 1050 engaged with the other end side of the rotation shaft portion 1046 are provided.

봉지부 (1047) 의 외주벽에는 도시되지 않은 O 링이 형성되며, 이 O 링에 의해 실 (1034) 내의 저압 공기가 외부로 유출되는 것을 방지한다. 접속 플랜지 (1048) 는, 제 1 개구부 (1016) 와 비교하여 대직경의 주면을 가짐과 함께, 챔버 (1012) 의 외측으로부터 제 1 개구부 (1016) 를 덮는 위치에서 착탈 가능하다. 핸들부 (1050) 는, T 방향을 따른 회동 동작에 수반하여, 벨로우즈 방식 또는 자기 결합 방식에 의해 회동축부 (1046) 에 대해 회동력을 부여한다.An O-ring, not shown, is formed on the outer circumferential wall of the encapsulation portion 1047, and the low-pressure air in the seal 1034 is prevented from flowing out by the O-ring. The connection flange 1048 has a large diameter major surface as compared with the first opening 1016, and is detachable at a position that covers the first opening 1016 from the outside of the chamber 1012. The handle portion 1050 imparts a rotational force to the rotation shaft portion 1046 by a bellows method or a magnetic coupling method in accordance with the rotational movement along the T direction.

도 11 에 나타내는 바와 같이, 제 1 면 (1014) 측에서부터 보아, 직경이 작은 쪽에서 순서대로, 수용 케이스 (1044), 핸들부 (1050) 및 접속 플랜지 (1048) 가 동축적 (同軸的) 으로 배치되어 있다. 환상인 핸들부 (1050) 의 측면 상에는, 직경 방향으로 연장되어 돌출되는 선상의 제 1 돌출부 (1052) (지시 수단) 가 형성되어 있다. 환상인 접속 플랜지 (1048) 의 측면 상에는, 2 개의 마크 (1054, 1055) 가 각각 형성되어 있다.11, the receiving case 1044, the handle part 1050, and the connecting flange 1048 are arranged coaxially in order from the side with the smallest diameter, as viewed from the first surface 1014 side. It is done. On the side surface of the annular handle portion 1050, a first projecting portion 1052 (indicating means) on the line extending and projecting in the radial direction is formed. On the side surfaces of the annular connecting flange 1048, two marks 1054 and 1055 are respectively formed.

마크 (1054) 는, 알파벳 문자의 「L」, 및 「L」의 하측에 배치된 1 개의 단선 (短線) 으로 이루어진다. 마크 (1055) 는, 알파벳 문자의 「P」, 및 「P」의 좌측에 배치된 1 개의 단선으로 이루어진다. 또한, 수용 케이스 (1044) 의 외주면 상에는, 마크 (1054) 의 근방에서 제 2 돌출부 (1056) (회동 규제 수단) 가, 마크 (1055) 의 근방에서 제 2 돌출부 (1057) (회동 규제 수단) 가 각각 형성되어 있다.The mark 1054 is made of one single line arranged under the "L" and "L" of the alphabetic character. The mark 1055 is made up of "P" of alphabetic characters and one disconnection arranged to the left of "P". In addition, on the outer circumferential surface of the housing case 1044, the second protrusion 1056 (rotation regulating means) in the vicinity of the mark 1054 and the second protrusion 1057 (rotation regulating means) in the vicinity of the mark 1055 are provided. Each is formed.

도 10 및 도 12 에 나타내는 바와 같이, X 선 발생 장치 (1010) 는, 챔버 (1012) 및 전자 발생기 (1030) 외에, 원판상 또는 원주상인 회전 대음극 (1060) 과, 회전 대음극 (1060) 을 냉각시키기 위한 냉각 기구 (도시 생략) 를 추가로 갖는다.10 and 12, the X-ray generator 1010 includes, in addition to the chamber 1012 and the electron generator 1030, a circular or circumferential rotating counter electrode 1060 and a rotating counter electrode 1060. It further has a cooling mechanism (not shown) for cooling.

회전 대음극 (1060) 은, 애노드측의 1 축 (이하, 애노드축 (Aa)) 을 중심으로 하여, 예를 들어 5000 ∼ 12000 [rpm] 의 속도로 R 방향으로 회전 가능하게 구성된다. 회전 대음극 (1060) 은, 몰리브덴 (Mo), 구리 (Cu) 등의 금속층이 피복된 둘레면부 (1062) 와, 회전 대음극 (1060) 의 회전 기구 (1066) 가 장착된 측면부 (1064) 를 갖는다.The rotating countercathode 1060 is configured to be rotatable in the R direction at a speed of, for example, 5000 to 12000 [rpm], centered on one anode side (hereinafter, the anode axis (Aa)). The rotating counter electrode 1060 includes a circumferential surface portion 1062 coated with a metal layer such as molybdenum (Mo) and copper (Cu), and a side portion 1064 on which the rotating mechanism 1066 of the rotating counter electrode 1060 is mounted. Have

회전 기구 (1066) 는, 회전 대음극 (1060) 을 축지지하는 원통상의 회전축부 (1068) 와, 회전축부 (1068) 의 일단측에 형성되는 원판상의 덮개부 (1032) (도 9) 를 포함하여 구성된다. 덮개부 (1032) 는, 제 2 개구부 (1024) 와 비교하여 대직경의 주면을 가짐과 함께, 챔버 (1012) 의 외측으로부터 제 2 개구부 (1024) 를 덮는 위치에서 착탈 가능하다.The rotating mechanism 1066 includes a cylindrical rotating shaft portion 1068 that supports the rotating counter electrode 1060 and a disk-shaped cover portion 1032 (FIG. 9) formed on one end side of the rotating shaft portion 1068. It includes. The lid portion 1032 has a large diameter major surface as compared to the second opening 1024 and is detachable at a position that covers the second opening 1024 from the outside of the chamber 1012.

도 12 로부터 이해되는 바와 같이, 회전 대음극 (1060) 은, 애노드축 (Aa) 이 X 방향 및 Z 방향에 대해 경사지는 위치 관계하에 고정 배치된다. 요컨대, 회전 대음극 (1060) 의 직경 방향과 Z 방향이 이루는 각을 「경사각 (φ)」(0 ≤ φ ≤ 90, 단위 : 도) 이라고 정의하는 경우, 0 < φ < 90 의 관계를 만족한다. 본 실시형태에서는, 특히 φ = 45 [도] 를 만족한다.As understood from FIG. 12, the rotating countercathode 1060 is fixedly arranged under a positional relationship in which the anode axis Aa is inclined with respect to the X direction and the Z direction. In other words, when defining the angle formed by the radial direction and the Z direction of the rotating counter electrode 1060 as "inclination angle (φ)" (0 ≤ φ ≤ 90, unit: degree), the relationship of 0 <φ <90 is satisfied. . In this embodiment, phi = 45 [degrees] is particularly satisfied.

도 10 및 도 12 로부터 이해되는 바와 같이, 전자원 (1036) 및 둘레면부 (1062) 는 서로 대향하는 위치 관계하에 있기 때문에, 전자원 (1036) 으로부터의 전자 빔 (B1) 에 의한 선상 초점 (제 1 초점 (1071)) 이 둘레면부 (1062) 상에 형성된다. 둘레면부 (1062) 는, 전자 빔 (B1) 의 충돌시에서 특정한 발생 조건을 만족하는 경우, 제 1 초점 (1071) 의 위치 또는 근방 위치로부터 X 선 빔 (B2) 을 출사한다. 후술하는 바와 같이, 챔버 (1012) 의 외부에 출사되는 X 선 빔 (B2) 의 형상은, 선상 초점과 창부 (1028) 사이의 기하학적 관계에 따라 변화한다.10 and 12, since the electron source 1036 and the circumferential surface portion 1062 are in a positional relationship facing each other, linear focus by the electron beam B1 from the electron source 1036 (zero) One focus 1071) is formed on the circumferential surface portion 1062. The circumferential surface portion 1062 emits the X-ray beam B2 from the position or the vicinity of the first focus 1071 when a specific occurrence condition is satisfied when the electron beam B1 collides. As described later, the shape of the X-ray beam B2 exiting the outside of the chamber 1012 changes according to the geometrical relationship between the linear focus and the window portion 1028.

[X 선 발생 장치 (1010) 의 동작][Operation of X-ray generator 1010]

계속해서, 제 2 실시형태에 관련된 X 선 발생 장치 (1010) 의 동작에 대해, 도 9 ∼ 도 12 의 각 도면, 및 도 13 의 모식도를 참조하면서 설명한다.Subsequently, the operation of the X-ray generator 1010 according to the second embodiment will be described with reference to each of FIGS. 9 to 12 and the schematic diagram of FIG. 13.

(1) 고정·배치 스텝(1) Fixed and arranged steps

사용자는, 전자 발생기 (1030) 의 접속 플랜지 (1048) 를 파지하면서, 제 1 개구부 (1016) 를 통해 전자원 (1036) 을 챔버 (1012) 내에 삽입한다. 그리고, 제 1 면 (1014) 상의 소정 위치 (요컨대, 제 1 개구부 (1016) 를 덮는 위치) 에 접속 플랜지 (1048) 를 장착함으로써, 전자원 (1036) 은 챔버 (1012) 에 고정적으로 배치된다.The user inserts the electron source 1036 into the chamber 1012 through the first opening 1016 while gripping the connection flange 1048 of the electron generator 1030. Then, by attaching the connection flange 1048 to a predetermined position on the first surface 1014 (that is, a position covering the first opening 1016), the electron source 1036 is fixedly arranged in the chamber 1012.

이와 함께, 사용자는, 덮개부 (1032) 를 파지하면서, 제 2 개구부 (1024) 를 통해 회전 대음극 (1060) 을 챔버 (1012) 내에 삽입한다. 그리고, 경사면 (1022) 상의 소정 위치 (요컨대, 제 2 개구부 (1024) 를 덮는 위치) 에 덮개부 (1032) 를 장착함으로써, 회전 대음극 (1060) 은 챔버 (1012) 에 고정적으로 배치된다.Along with this, the user inserts the rotating counter electrode 1060 into the chamber 1012 through the second opening 1024 while gripping the lid portion 1032. Then, by attaching the cover portion 1032 at a predetermined position on the inclined surface 1022 (that is, a position covering the second opening 1024), the rotating countercathode 1060 is fixedly disposed in the chamber 1012.

이로써, 챔버 (1012) 의 실 (1034) 내에서 기밀 상태가 유지된다. 또, 전자원 (1036) 및 둘레면부 (1062) 가 서로 대향함과 함께, 애노드축 (Aa) 이 제 1 방향 (Z 방향) 및 제 2 방향 (X 방향) 에 대해 경사지는 위치 관계하에 있는 점에 유의한다.Thereby, an airtight state is maintained in the chamber 1034 of the chamber 1012. In addition, the point where the electron source 1036 and the circumferential surface portion 1062 face each other and are in a positional relationship where the anode axis Aa is inclined with respect to the first direction (Z direction) and the second direction (X direction). Please note.

(2) 설정 스텝(2) Setting step

사용자는, 핸들부 (1050) 를 T 방향을 따라 회동시킴으로써, X 선 빔 (B2, B3) 의 형상을 설정한다. 구체적으로는, 제 1 돌출부 (1052) 를 마크 (1054) (「L = Line」의 의미) 의 위치에 맞춤으로써, 지지대 (1038) 가 핸들부 (1050) 와 연동하여, 전자원 (1036) 의 연장 방향이 「제 1 방향」으로 설정된다. 이에 대해, 제 1 돌출부 (1052) 를 마크 (1055) (「P = Point」의 의미) 의 위치에 맞춤으로써, 지지대 (1038) 가 핸들부 (1050) 와 연동하여, 전자원 (1036) 의 연장 방향이 「제 2 방향」으로 설정된다.The user sets the shape of the X-ray beams B2 and B3 by rotating the handle portion 1050 along the T direction. Specifically, by aligning the first projection 1052 with the position of the mark 1054 (meaning “L = Line”), the support 1038 interlocks with the handle portion 1050 to generate an electron source 1036. The extension direction is set to "first direction". In contrast, by aligning the first protrusion 1052 with the position of the mark 1055 (meaning "P = Point"), the support 1038 interlocks with the handle portion 1050 to extend the electron source 1036 The direction is set to "second direction".

이와 같이, 회동 도입 기구 (1042) 는, 챔버 (1012) 의 외측에서 회동 가능하게 배치된 핸들부 (1050) 를 가짐과 함께, 핸들부 (1050) 의 회동 조작에 따라 지지대 (1038) 를 회동시키는 구성을 채용해도 된다. 작업자는, 핸들부 (1050) 를 회동시키는 조작을 실시함으로써, 전자원 (1036) 의 연장 방향을 용이하게 변경할 수 있다.Thus, the rotation introduction mechanism 1042 has a handle portion 1050 rotatably disposed outside the chamber 1012 and rotates the support 1038 according to the rotation operation of the handle portion 1050. You may employ a structure. The operator can easily change the extending direction of the electron source 1036 by performing an operation to rotate the handle portion 1050.

또, 핸들부 (1050) 의 회동 상태를 챔버 (1012) 의 외측으로부터 시인 가능하게 지시하는 지시 수단 (구체적으로는, 제 1 돌출부 (1052)) 을 회동 도입 기구 (1042) 에 형성해도 된다. 작업자는, 챔버 (1012) 의 외측으로부터 제 1 돌출부 (1052) 에 의한 지시 위치를 시인함으로써, 핸들부 (1050) 의 회동 상태 및 전자원 (1036) 의 연장 방향을 언뜻 보고 파악할 수 있다.Moreover, you may provide the rotation introduction mechanism 1042 with the instruction | indication means (specifically, 1st protrusion 1052) which instructs the rotation state of the handle part 1050 to be visible from the outside of the chamber 1012. The operator can at first glance and grasp the rotational state of the handle portion 1050 and the direction in which the electron source 1036 extends by acknowledging the position indicated by the first protrusion 1052 from the outside of the chamber 1012.

또, 핸들부 (1050) 의 회동 위치와, X 선 빔 (B2, B3) 의 형상의 대응 관계를 나타내는 마크 (1054, 1055) 를, 핸들부 (1050) 와는 상이한 부재 (접속 플랜지 (1048) 또는 수용 케이스 (1044)) 에 형성해도 된다. 이로써, 회동 조작의 목표 위치가 명확해져, 작업자에게 있어서 편리하다.In addition, a member (connection flange 1048) that is different from the handle portion 1050 by the marks 1054 and 1055 showing the corresponding relationship between the rotational position of the handle portion 1050 and the shape of the X-ray beams B2 and B3, or It may be provided in the housing case (1044). Thereby, the target position of the rotation operation becomes clear, which is convenient for the operator.

(3) 발생 스텝(3) Generation step

도시되지 않은 진공 펌프에 의한 퍼지 작업을 실시하여 실 (1034) 내를 진공 상태로 만듦과 함께, 회전 대음극 (1060) 을 소정의 속도로 R 방향으로 회전시킨다. 그리고, X 선의 발생 조건을 만족하기 위한 각종 준비가 완료된 후, 전자 발생기 (1030) 는, 사용자에 의한 지시 조작에 따라 선상의 전자 빔 (B1) 을 발생시킨다.A purge operation by a vacuum pump (not shown) is performed to make the inside of the chamber 1034 in a vacuum state, and the rotating counter electrode 1060 is rotated in the R direction at a predetermined speed. Then, after various preparations for satisfying the conditions for generating X-rays have been completed, the electron generator 1030 generates a linear electron beam B1 in accordance with an instruction operation by the user.

도 13 은, 제 1 방향 및 제 2 방향의 전환 동작에 따른 X 선 빔 (B2, B3) 의 형상을 나타내는 모식도이다. 전자원 (1036) (도 10 및 도 12) 의 연장 방향에 따라, 제 1 방향을 따라 만곡되는 제 1 초점 (1071), 혹은 제 2 방향을 따라 만곡되는 제 2 초점 (1072) 이 선택적으로 형성된다.13 is a schematic diagram showing the shapes of the X-ray beams B2 and B3 according to the switching operation in the first direction and the second direction. Depending on the extension direction of the electron source 1036 (FIGS. 10 and 12), the first focus 1071 curved along the first direction or the second focus 1072 curved along the second direction is selectively formed. do.

전자의 경우, 둘레면부 (1062) 는, 전자 빔 (B1) 이 입사된 선상의 제 1 초점 (1071) 의 위치로부터 X 선 빔 (B2) 을 출사한다. 이 때, 제 1 초점 (1071) 은 창부 (1028) 가 이루는 평면과 대략 평행한 관계에 있기 때문에, 선상의 X 선 빔 (B2) 이 출사된다.In the former case, the circumferential surface portion 1062 emits the X-ray beam B2 from the position of the first focal point 1071 on the line where the electron beam B1 is incident. At this time, since the first focus 1071 is substantially parallel to the plane formed by the window portion 1028, the X-ray beam B2 on the line is emitted.

후자의 경우, 둘레면부 (1062) 는, 전자 빔 (B1) 이 입사된 선상의 제 2 초점 (1072) 의 위치로부터 X 선 빔 (B3) 을 출사한다. 이 때, 제 2 초점 (1072) 은 창부 (1028) 가 이루는 평면과 대략 직교하는 관계에 있기 때문에, 점상의 X 선 빔 (B3) 이 출사된다.In the latter case, the circumferential surface portion 1062 emits the X-ray beam B3 from the position of the second focal point 1072 on the line where the electron beam B1 is incident. At this time, since the second focus 1072 is in a substantially orthogonal relationship to the plane formed by the window portion 1028, the pointed X-ray beam B3 is emitted.

(4) 변경 스텝(4) Change step

사용자는, 상기한 「설정 스텝」과 동일한 조작 순서에 따라, X 선 빔 (B2, B3) 의 형상을 「점상에서 선상」혹은 「선상에서 점상」으로 변경한다. 챔버 (1012) 의 외측으로부터의 조작 (구체적으로는, 핸들부 (1050) 의 조작) 에 따라 지지대 (1038) 를 회동 가능한 구성을 채용함으로써, 전자 발생기 (1030) 또는 회전 대음극 (1060) 의 교체 작업을 실시하지 않고 전자원 (1036) 의 연장 방향을 변경할 수 있다.The user changes the shape of the X-ray beams B2 and B3 to "line-to-line" or "line-to-line" according to the same operation procedure as the above-described "setting step". Replacing the electron generator 1030 or rotating counter electrode 1060 by adopting a configuration capable of rotating the support 1038 in accordance with the operation from the outside of the chamber 1012 (specifically, the operation of the handle portion 1050) The extension direction of the electron source 1036 can be changed without performing a work.

여기서, 제 1 돌출부 (1052) 의 궤도 상에는 제 2 돌출부 (1056, 1057) 가 배치되어 있기 때문에, 제 1 돌출부 (1052) 는, 제 2 돌출부 (1056, 1057) 의 구간 내 (여기서는, 90 도의 회동 범위 내) 에 한해서 회동 동작이 허용된다. 이와 같이, 핸들부 (1050) 의 회동 범위를 규제하는 회동 규제 수단 (구체적으로는, 제 2 돌출부 (1056, 1057)) 을, 회동 도입 기구 (1042) 에 형성해도 된다. 이로써, 전자원 (1036) 의 구동 부품이 과도하게 비틀어져서 파손되는 것을 방지할 수 있다.Here, since the second protrusions 1056 and 1057 are disposed on the track of the first protrusion 1052, the first protrusion 1052 is rotated within a section of the second protrusions 1056 and 1057 (here, 90 degrees) Rotational motion is allowed only within the range). As described above, rotation regulating means (specifically, the second protrusions 1056 and 1057) that regulate the rotation range of the handle portion 1050 may be formed in the rotation introduction mechanism 1042. Thereby, it can prevent that the drive component of the electron source 1036 is excessively twisted and damaged.

[X 선 발생 장치 (1010) 에 의한 효과][Effects by the X-ray generator 1010]

이상과 같이, X 선 발생 장치 (1010) 는, [1] 선상의 전자 빔 (B1) 을 방출하는 전자원 (1036) 을 포함하여 구성되는 전자 발생기 (1030) 와, [2] 전자원 (1036) 으로부터의 전자 빔 (B1) 을 충돌시킴으로써 X 선 빔 (B2, B3) 을 출사하는 둘레면부 (1062) 를 포함하여 구성되는 회전 대음극 (1060) 과, [3] 전자원 (1036) 및 회전 대음극 (1060) 을 수용하는 챔버 (1012) 를 구비한다.As described above, the X-ray generator 1010 includes an electron generator 1030 comprising an electron source 1036 that emits an electron beam B1 on the line [1], and an electron source 1036 [2]. A rotating countercathode 1060 comprising the peripheral surface portion 1062 that emits the X-ray beams B2, B3 by colliding the electron beam B1 from), [3] an electron source 1036 and rotation And a chamber 1012 accommodating the countercathode 1060.

그리고, 전자 발생기 (1030) 및 회전 대음극 (1060) 은, 전자원 (1036) 및 둘레면부 (1062) 가 서로 대향하는 위치 관계하에서 챔버 (1012) 에 고정 배치되고, 전자 발생기 (1030) 는, 전자원 (1036) 을 지지하는 지지대 (1038) 와, 챔버 (1012) 내에 기밀하게 삽입 통과되고, 또한, 챔버 (1012) 의 외측으로부터의 조작에 따라 지지대 (1038) 를 회동시키는 회동 도입 기구 (1042) 를 추가로 갖는다.Then, the electron generator 1030 and the rotating countercathode 1060 are fixedly arranged in the chamber 1012 under the positional relationship between the electron source 1036 and the circumferential surface portion 1062, and the electron generator 1030 includes: A support 1038 for supporting the electron source 1036 and a rotation introduction mechanism 1042 that is airtightly inserted into the chamber 1012 and rotates the support 1038 according to operation from outside the chamber 1012. ).

이와 같이, 챔버 (1012) 의 외측으로부터의 조작에 따라 전자원 (1036) 을 지지하는 지지대 (1038) 를 회동시키는 회동 도입 기구 (1042) 를 형성했기 때문에, 전자 발생기 (1030) 또는 회전 대음극 (1060) 의 교체 작업을 실시하지 않고 챔버 (1012) 내의 진공 상태를 유지한 채로, 전자원 (1036) 의 연장 방향 (제 1 방향/제 2 방향) 을 변경 가능해진다. 이로써, 매우 간단한 장치 구성이면서 선상 또는 점상의 X 선 빔 (B2, B3) 을 선택적으로 발생시킴과 함께, 이 선택에 수반하는 작업 효율의 저하를 억제할 수 있다.Thus, since the rotation introduction mechanism 1042 is formed to rotate the support 1038 for supporting the electron source 1036 in response to the operation from the outside of the chamber 1012, the electron generator 1030 or the rotating counter electrode ( It is possible to change the extending direction (first direction / second direction) of the electron source 1036 while maintaining the vacuum state in the chamber 1012 without performing the replacement operation of 1060). This makes it possible to selectively generate the linear or dot X-ray beams B2 and B3 while having a very simple device configuration, and suppress the decrease in work efficiency accompanying this selection.

또, 회동 도입 기구 (1042) 는, 지지대 (1038) 의 회동 동작에 의해 전자원 (1036) 의 연장 방향을 제 1 방향 및 제 2 방향으로 변경 가능하며, 회전 대음극 (1060) 의 애노드축 (Aa) 은, 제 1 방향 및 제 2 방향에 대해 경사져도 된다. 이 구성에 의해 얻어지는 효과에 대해 설명한다. 이하, 제 1 초점 (1071) 및 제 2 초점 (1072) (도 13) 은, 평면에서 보아, 폭이 W [㎜], 높이가 H [㎜] (H > W) 인 사각형상인 것을 상정한다. 또, 둘레면부 (1062) 의 둘레 방향으로 횡단하는 초점 길이를 「둘레 방향 초점 길이」라고 정의하는 경우, 제 1 초점 (1071) 및 제 2 초점 (1072) 의 둘레 방향 초점 길이를 각각 L1, L2 로 한다.In addition, the rotation introduction mechanism 1042 can change the extension direction of the electron source 1036 in the first direction and the second direction by the rotation operation of the support 1038, and the anode axis of the rotating countercathode 1060 ( Aa) may be inclined with respect to the first direction and the second direction. The effect obtained by this configuration will be described. Hereinafter, it is assumed that the first focus 1071 and the second focus 1072 (FIG. 13) are quadrilateral with a width of W [mm] and a height of H [mm] (H> W) when viewed from a plane. When the focal length traversing in the circumferential direction of the circumferential surface portion 1062 is defined as "circumferential focal length", the circumferential focal lengths of the first focus 1071 and the second focus 1072 are L1 and L2, respectively. Shall be

도 14 는, 경사각 (φ) 과 둘레 방향 초점 길이 (L1, L2) 의 관계를 나타내는 그래프이다. 그래프의 가로축은 경사각 (φ) (단위 : 도) 이고, 그래프의 세로축은 둘레 방향 초점 길이 (L1, L2) (단위 : ㎜) 이다. 또, 실선은 L1 의 함수를 나타냄과 함께, 일점쇄선은 L2 의 함수를 나타낸다.14 is a graph showing the relationship between the inclination angle φ and the circumferential focal lengths L1 and L2. The horizontal axis of the graph is the inclination angle (φ) (unit: degree), and the vertical axis of the graph is the circumferential focal length (L1, L2) (unit: mm). In addition, the solid line indicates the function of L1, and the one-dot chain line indicates the function of L2.

본 도면으로부터 이해되는 바와 같이, 둘레 방향 초점 길이 (L1) 는, φ = 0 [도] 일 때 L1 = H [㎜], φ = 90 [도] 일 때 L1 = W [㎜] 를 만족함과 함께, 경사각 (φ) 의 증가에 따라 단조롭게 감소한다. 한편, 둘레 방향 초점 길이 (L2) 는, φ = 0 [도] 일 때 L2 = W [㎜], φ = 90 [도] 일 때 L2 = H [㎜] 를 만족함과 함께, 경사각 (φ) 의 증가에 따라 단조롭게 증가한다.As understood from this figure, the circumferential focal length L1 satisfies L1 = H [mm] when φ = 0 [degrees] and L1 = W [mm] when φ = 90 [degrees]. , Decreases monotonically with increasing inclination angle (φ). On the other hand, the focal length L2 in the circumferential direction satisfies L2 = H [mm] when L2 = W [mm], and φ = 90 [degree] when φ = 0 [degree], and the As it increases, it increases monotonically.

즉, 경사각 (φ) 이 φ = 0 [도] 또는 φ = 90 [도] 를 만족하는 경우에 |L1 - L2| 의 값이 최대가 되고, 경사각 (φ) 을 0 < φ < 90 의 범위로 설정함으로써, |L1 - L2| 의 값이 상대적으로 작아진다. 또한, φ = 45 [도] 의 근방에서는, L1 = W/sinφ, L2 = W/cosφ 의 관계가 성립되는 점에 유의한다.That is, when the inclination angle φ satisfies φ = 0 [degree] or φ = 90 [degree], the values of | L1-L2 | become the maximum, and the inclination angle (φ) is in the range of 0 <φ <90 By setting, the values of | L1-L2 | become relatively small. Note that in the vicinity of φ = 45 [degree], the relationship of L1 = W / sinφ and L2 = W / cosφ is established.

제 2 실시형태에 있어서, 회전 대음극 (1060) 은, 애노드축 (Aa) 이 제 1 방향 및 제 2 방향에 대해 경사지는 위치 관계하 (0 < φ < 90) 에 있기 때문에, 제 1 방향 및 제 2 방향으로부터의 전자 빔 (B1) 의 방출에 의해 형성되는 제 1 초점 (1071), 제 2 초점 (1072) 에 관해서, 둘레 방향 초점 길이 (L1, L2) 의 괴리량 |L1 - L2| 이, 애노드축 (Aa) 을 경사시키지 않는 경우 (φ = 0, 90) 와 비교하여 작아진다.In the second embodiment, the rotating counter electrode 1060 is in the first direction and because the anode axis Aa is in a positional relationship (0 <φ <90) inclined with respect to the first direction and the second direction. With respect to the first focus 1071 and the second focus 1072 formed by the emission of the electron beam B1 from the second direction, the amount of separation of the focal lengths L1 and L2 in the circumferential direction | L1-L2 | , When the anode axis Aa is not inclined, it becomes small compared with (φ = 0, 90).

요컨대, 가장 높은 측의 출력 효율을 낮추는 대신에 가장 낮은 측의 출력 효율을 높임으로써, 양방의 X 선 빔 (B2, B3) 에 공통적으로 출력할 수 있는 최대량 (요컨대, X 선의 한계 출력량) 이 끌어 올려진다. 특히, 애노드축 (Aa) 이 제 1 방향에 대해 45 도 경사지는 경우 (φ = 45), 둘레 방향 초점 길이 L1 = L2 = √2·W [㎜] 가 동일해지기 때문에, 양방의 X 선 빔 (B2, B3) 에 공통되는 한계 출력량이 최대가 된다.In short, instead of lowering the output efficiency of the highest side, by increasing the output efficiency of the lowest side, the maximum amount that can be commonly output to both X-ray beams B2 and B3 (in other words, the limit output of X-rays) is attracted. Is raised. In particular, when the anode axis Aa is inclined at 45 degrees with respect to the first direction (φ = 45), since the focal length L1 = L2 = √2 · W [mm] in the circumferential direction becomes the same, both X-ray beams The limit output amount common to (B2, B3) is maximized.

[시료 측정 시스템 (1100) 의 구성예][Example of configuration of sample measurement system 1100]

계속해서, 상기 X 선 발생 장치 (1010) 를 장착한 시료 측정 시스템 (1100) 에 대해, 도 15 를 참조하면서 설명한다. 여기서는 「X 선 회절 장치」를 예로 설명하지만, 이 구성 및 측정 방식에 한정되지 않는다.Subsequently, a sample measurement system 1100 equipped with the X-ray generator 1010 will be described with reference to FIG. 15. Here, the "X-ray diffraction apparatus" will be described as an example, but is not limited to this configuration and measurement method.

시료 측정 시스템 (1100) 은, X 선 빔 (B2, B3) 을 발생시키는 X 선 발생 장치 (1010) 와, 시료 (S) 를 반사한 X 선 빔 (B2, B3) 을 검출하는 X 선 검출 장치 (1102) 와, θ1 및 θ2 방향의 각도를 설정하기 위한 고니오미터 (1104) 와, 각 부를 제어하는 제어 장치 (1106) (측정 수단) 를 구비한다.The sample measurement system 1100 includes an X-ray generator 1010 generating X-ray beams B2 and B3, and an X-ray detection device detecting X-ray beams B2 and B3 reflecting the sample S It includes a 1102, a goniometer 1104 for setting angles in the θ1 and θ2 directions, and a control device 1106 (measurement means) for controlling each part.

고니오미터 (1104) 는, X 선 발생 장치 (1010) 를 파지하는 제 1 아암 (1110) 과, 제 1 아암 (1110) 을 θ1 방향으로 회전 구동시키는 θ1 회전 기구 (1112) 와, X 선 검출 장치 (1102) 의 검출기 (1126) 를 파지하는 제 2 아암 (1114) 과, 제 2 아암 (1114) 을 θ2 방향으로 회전 구동시키는 회전 기구 (1116) 를 포함하여 구성된다.The goniometer 1104 includes a first arm 1110 gripping the X-ray generator 1010, a θ1 rotation mechanism 1112 for rotationally driving the first arm 1110 in the θ1 direction, and X-ray detection It comprises the 2nd arm 1114 which grips the detector 1126 of the apparatus 1102, and the rotation mechanism 1116 which drives the 2nd arm 1114 rotationally in (theta) 2 direction.

제 1 아암 (1110) 및 제 2 아암 (1114) 의 회전 중심에는, 측정 대상인 시료 (S) 를 재치하기 위한 시료대 (1118) 가 고정 배치된다. 제 1 아암 (1110) 에는, 회전 중심으로부터 외방을 향해 순서대로, 발산 슬릿 (1120) 및 X 선 발생 장치 (1010) 가 고정된다. 제 2 아암 (1114) 에는, 회전 중심으로부터 외방을 향해 순서대로, 산란 슬릿 (1122), 수광 슬릿 (1124) 및 검출기 (1126) 가 고정된다. 집중법을 사용하는 경우, 본 도면에 나타내는 바와 같이, 제 1 초점 (1051) 및 수광 슬릿 (1124) 의 위치는, 단일의 원 궤도 (C) 상에 존재하도록 조정된다.At the rotation centers of the first arm 1110 and the second arm 1114, a sample stand 1118 for placing the sample S to be measured is fixedly arranged. The diverging slits 1120 and the X-ray generator 1010 are fixed to the first arm 1110 in order from the center of rotation toward the outside. The scattering slit 1122, the light receiving slit 1124, and the detector 1126 are fixed to the second arm 1114 in order from the center of rotation toward the outside. In the case of using the concentration method, as shown in the figure, the positions of the first focus 1051 and the light receiving slit 1124 are adjusted to exist on a single circular trajectory C.

X 선 검출 장치 (1102) 는, X 선 빔 (B2, B3) 의 강도에 따른 검출 신호를 출력하는 검출기 (1126) 와, 검출기 (1126) 로부터의 검출 신호에 기초하여 X 선 빔 (B2, B3) 의 검출량을 구하는 검출 회로 (1128) 를 갖는다. 검출기 (1126) 는, 단일의 X 선 검출 소자, 혹은 선상 또는 면상으로 배치된 X 선 검출 소자 어레이를 포함하여 구성된다.The X-ray detection apparatus 1102 includes a detector 1126 outputting a detection signal corresponding to the intensity of the X-ray beams B2, B3, and X-ray beams B2, B3 based on the detection signals from the detector 1126 ) Has a detection circuit 1128 for determining the detection amount. The detector 1126 includes a single X-ray detection element or an array of X-ray detection elements arranged in a linear or planar manner.

제어 장치 (1106) 는, θ1 회전 기구 (1112) 및 θ2 회전 기구 (1116) 를 제어함으로써, X 선 발생 장치 (1010), 시료 (S) 및 검출기 (1126) 를 적절한 위치 관계하에 배치시킨다. 이 측정예에서는, 제 1 아암 (1110) 과 제 2 아암 (1114) 이 동일한 각도 (θ1 = θ2) 로 설정된다.The control device 1106 controls the θ1 rotating mechanism 1112 and the θ2 rotating mechanism 1116 to arrange the X-ray generator 1010, the sample S, and the detector 1126 under appropriate positional relationships. In this measurement example, the first arm 1110 and the second arm 1114 are set at the same angle (θ1 = θ2).

제어 장치 (1106) 는, X 선 발생 장치 (1010) 를 제어함으로써 전자 빔 (B1) (도 3) 을 방출시킴과 함께, X 선 빔 (B2, B3) 을 발생시킨다. 제어 장치 (1106) 는, 고니오미터 (1104) 의 설정 각도 및 시료 (S) 를 반사한 X 선 빔 (B2, B3) 의 검출량에 기초하여, 시료 (S) 에 관한 물리량을 측정한다. 출력 장치 (1130) 는, 제어 장치 (1106) 로부터의 출력 지시에 따라, 격자면 간격, 회절 강도, 밀러 계수, 적층 주기, 응력, 동정된 물질명을 포함하는, 시료 (S) 의 측정 결과를 출력한다.The control device 1106 emits the electron beam B1 (FIG. 3) by controlling the X-ray generator 1010, and also generates the X-ray beams B2 and B3. The control device 1106 measures the physical quantity of the sample S based on the set angle of the goniometer 1104 and the detection amount of the X-ray beams B2 and B3 reflecting the sample S. The output device 1130 outputs the measurement result of the sample S, including the lattice spacing, diffraction intensity, Miller coefficient, lamination cycle, stress, and identified material name, according to the output instruction from the control device 1106. do.

시료 (S) 의 종류, 성상, 또는 측정하고자 하는 물리량의 조합에 따라, 선상 또는 점상의 X 선 빔 (B2, B3) 중 어느 것을 선택한다. 사용자는, 빔 형상에 적합한 X 선 광학계의 조정, 구체적으로는, 발산 슬릿 (1120), 산란 슬릿 (1122) 또는 수광 슬릿 (1124) 의 교환 작업을 실시한다. 사용자는, 추가로, 핸들부 (1050) 를 T 방향을 따라 회동시키는 조작을 실시한다. 이로써, 전자원 (1036) 의 연장 방향이 수동으로 전환되어, 원하는 X 선 측정을 실행할 수 있다. 또한, 상기 구성 대신에, 제어 장치 (1106) 가 X 선 발생 장치 (1010) 를 향해 지시 신호를 송신하고, 도시되지 않은 액추에이터를 사용하여 핸들부 (1050) 를 구동함으로써, 전자원 (1036) 의 연장 방향을 자동으로 전환하는 구성이어도 된다.Depending on the type of sample (S), the nature, or a combination of physical quantities to be measured, either linear or pointed X-ray beams (B2, B3) are selected. The user adjusts the X-ray optical system suitable for the beam shape, specifically, exchanges the diverging slits 1120, the scattering slits 1122, or the light receiving slits 1124. The user further performs an operation of rotating the handle portion 1050 along the T direction. Thereby, the extension direction of the electron source 1036 is switched manually, and desired X-ray measurement can be performed. In addition, instead of the above configuration, the control device 1106 transmits an indication signal toward the X-ray generator 1010, and drives the handle portion 1050 using an actuator (not shown), so that the electron source 1036 is The extension direction may be automatically switched.

이상과 같이, 시료 측정 시스템 (1100) 은, 상기한 X 선 발생 장치 (1010) 와, X 선 발생 장치 (1010) 로부터 발생하고, 또한, 시료 (S) 를 투과 또는 반사한 X 선 빔 (B2, B3) 을 검출하는 X 선 검출 장치 (1102) 와, 검출된 X 선 빔 (B2, B3) 의 검출량에 기초하여 시료 (S) 에 관한 물리량을 측정하는 제어 장치 (1106) (측정 수단) 를 구비한다. 이로써, 챔버 (1012) 내의 진공 상태를 유지한 채로, X 선 빔 (B2, B3) 의 형상을 적시에 전환한 X 선 측정을 실행할 수 있다.As described above, the sample measurement system 1100 generates X-ray beams B2 generated from the above-described X-ray generator 1010 and the X-ray generator 1010 and transmitted or reflected through the sample S. , X-ray detection device 1102 for detecting B3), and control device 1106 (measurement means) for measuring the physical quantity of sample S based on the detected amount of X-ray beams B2, B3 detected. Be equipped. Thereby, the X-ray measurement which switched the shape of the X-ray beams B2 and B3 in a timely manner can be performed, maintaining the vacuum state in the chamber 1012.

또한, 제 2 실시형태에서는, 핸들부 (1050) (도 11) 는 회전 핸들로 구성되어 있지만, 이것 대신에 챔버 (1012) 의 외측에서 회동 가능하게 배치된 크랭크 핸들이어도 된다.Further, in the second embodiment, the handle portion 1050 (FIG. 11) is composed of a rotating handle, but instead of this, a crank handle disposed rotatably outside the chamber 1012 may be used.

제 2 실시형태에서는, 지시 수단은 1 개의 제 1 돌출부 (1052) (도 11) 로 구성되어 있지만, 시인 불가인 전자원 (1036) 의 연장 방향을 챔버 (1012) 의 외측으로부터 파악할 수 있는 구성이면, 당해 지시 수단의 형태 여하는 묻지 않는다. 예를 들어, 핸들부 (1050) 의 측면 상에 지시선을 인쇄해도 되고, 핸들부 (1050) 와는 별개의 구성 요소에 형성해도 된다.In the second embodiment, the indicating means is composed of one first protrusion 1052 (FIG. 11), but as long as it can grasp the extending direction of the electron source 1036, which is not visible, from the outside of the chamber 1012. However, it does not matter whether the form of the instruction means. For example, a leader line may be printed on the side surface of the handle portion 1050 or may be formed on a component separate from the handle portion 1050.

제 2 실시형태에서는, 회동 규제 수단은 2 개의 제 2 돌출부 (1056, 1057) (도 11) 로 구성되어 있지만, 360 도 미만의 회동 범위를 임의로 설정할 수 있는 구성이면, 당해 회동 규제 수단의 형태 여하는 묻지 않는다. 예를 들어, 부재의 개수는 1 개여도 되고, 수용 케이스 (1044) 와는 별개의 구성 요소에 형성해도 된다.In the second embodiment, the rotation regulating means is composed of two second protrusions 1056 and 1057 (FIG. 11). However, if the rotation range of less than 360 degrees can be arbitrarily set, the type of the rotation regulating means is Do not ask. For example, the number of members may be one, or may be formed in a component separate from the housing case 1044.

[비고][Remarks]

또한, 본 발명은, 상기 서술한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 이 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 자유롭게 변경할 수 있는 것은 물론이다.In addition, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be freely changed without departing from the gist of the present invention.

10, 1010 : X 선 발생 장치
12, 1012 : 챔버
22, 1028 : 창부
24, 1030 : 전자 발생기
26, 1060 : 회전 대음극
28, 1034 : 실
32, 1036 : 전자원
34 : 전환 기구
36 : 회전축
38, 1062 : 둘레면부
42 : 회전 기구
51, 1071 : 제 1 초점
52, 1072 : 제 2 초점
53 : 선분
100, 1100 : 시료 측정 시스템
102, 1102 : X 선 검출 장치
104, 1104 : 고니오미터
106, 1106 : 제어 장치 (측정 수단)
1016 : 제 1 개구부
1024 : 제 2 개구부
1038 : 지지대
1040 : 유지부
1042 : 회동 도입 기구
1044 : 수용 케이스
1046 : 회동축부
1047 : 봉지부
1048 : 접속 플랜지
1050 : 핸들부
1052 : 제 1 돌출부 (지시 수단)
1054, 1055 : 마크
1056, 1057 : 제 2 돌출부 (회동 규제 수단)
1064 : 측면부
Aa : 애노드축 (회전축)
Ac : 캐소드축 (회동축)
B1 : 전자 빔
B2, B3 : X 선 빔
L1, L2 : 둘레 방향 초점 길이
S : 시료
10, 1010: X-ray generator
12, 1012: chamber
22, 1028: Changbu
24, 1030: electron generator
26, 1060: Rotating Cathode
28, 1034: thread
32, 1036: electron source
34: switching mechanism
36: rotating shaft
38, 1062: circumferential surface
42: rotating mechanism
51, 1071: first focus
52, 1072: second focus
53: line segment
100, 1100: sample measurement system
102, 1102: X-ray detection device
104, 1104: Goniometer
106, 1106: control unit (measurement means)
1016: first opening
1024: second opening
1038: support
1040: holding unit
1042: Organization to introduce rotation
1044: accommodation case
1046: rotating shaft
1047: sealing bag
1048: connection flange
1050: handle part
1052: first protrusion (instruction means)
1054, 1055: Mark
1056, 1057: 2nd protrusion (rotation regulating means)
1064: side part
Aa: anode axis (rotation axis)
Ac: Cathode shaft (rotation shaft)
B1: electron beam
B2, B3: X-ray beam
L1, L2: Circumferential focal length
S: Sample

Claims (11)

선상의 전자 빔을 방출하는 전자원과, 상기 전자원의 중심 위치를 고정하면서 그 전자원의 연장 방향을 제 1 방향 및 그 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향 중 어느 일방으로 전환하는 전환 기구를 갖는 전자 발생기와,
상기 전자원으로부터의 상기 전자 빔을 충돌시킴으로써 X 선 빔을 출사하는 둘레면부를 갖고, 또한, 회전축을 중심으로 회전 가능하게 구성되는 원판상 또는 원주상의 회전 대음극을 구비하고,
상기 전자 발생기 및 상기 회전 대음극은, 상기 전자원 및 상기 둘레면부가 서로 대향함과 함께, 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향을 포함하는 일 평면에 있어서 상기 회전축이 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향에 대해 경사지는 위치 관계하에 고정 배치되는 것을 특징으로 하는 X 선 발생 장치.
A switching mechanism for converting an electron source emitting a linear electron beam to one of a first direction and a second direction orthogonal to the first direction while fixing the center position of the electron source. Having an electron generator,
It has a circumferential surface portion for emitting an X-ray beam by colliding the electron beam from the electron source, and further includes a disk-like or columnar rotating counter electrode configured to be rotatable about an axis of rotation,
In the electron generator and the rotating countercathode, the electron source and the circumferential surface portions face each other, and the rotation axis is the first direction and the first axis in one plane including the first direction and the second direction. X-ray generator, characterized in that fixedly arranged in a positional relationship inclined with respect to the two directions.
제 1 항에 있어서,
상기 회전축이 상기 제 1 방향에 대해 30 ∼ 60 도의 범위 내에서 경사지는 것을 특징으로 하는 X 선 발생 장치.
According to claim 1,
X-ray generator, characterized in that the rotating shaft is inclined within the range of 30 to 60 degrees with respect to the first direction.
제 2 항에 있어서,
상기 회전축이 상기 제 1 방향에 대해 45 도 경사지는 것을 특징으로 하는 X 선 발생 장치.
According to claim 2,
X-ray generator, characterized in that the axis of rotation is inclined 45 degrees with respect to the first direction.
선상의 전자 빔을 방출하는 전자원을 갖는 전자 발생기와, 상기 전자원으로부터의 상기 전자 빔을 충돌시킴으로써 X 선 빔을 출사하는 둘레면부를 갖고, 또한, 회전축을 중심으로 회전 가능하게 구성되는 원판상 또는 원주상의 회전 대음극을 구비하는 장치를 사용한 X 선 발생 방법으로서,
상기 전자원 및 상기 둘레면부가 서로 대향함과 함께, 상기 회전축이 제 1 방향 및 그 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향에 대해 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향을 포함하는 일 평면에 있어서 경사지는 위치 관계하에, 상기 전자 발생기 및 상기 회전 대음극을 고정 배치하는 스텝과,
상기 전자원의 중심 위치를 고정하면서 그 전자원의 연장 방향을 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향 중 어느 일방으로 전환하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 X 선 발생 방법.
An electron generator having an electron source that emits a linear electron beam, and a disk shape having a circumferential surface portion that emits an X-ray beam by colliding the electron beam from the electron source and is rotatable about an axis of rotation Or as an X-ray generating method using a device having a circumferential rotating countercathode,
While the electron source and the circumferential surface portions face each other, the inclined paper in one plane including the first direction and the second direction with respect to a second direction in which the rotation axis is orthogonal to the first direction and the first direction Is a step of fixedly positioning the electron generator and the rotating countercatalyst under a positional relationship,
And fixing the central position of the electron source and switching the extending direction of the electron source to either one of the first direction and the second direction.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 X 선 발생 장치와,
상기 X 선 발생 장치로부터 발생하고, 또한, 시료를 투과 또는 반사한 X 선 빔을 검출하는 X 선 검출 장치와,
상기 X 선 검출 장치에 의해 검출된 상기 X 선 빔의 검출량에 기초하여 상기 시료에 관한 물리량을 측정하는 측정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 시료 측정 시스템.
The X-ray generator according to any one of claims 1 to 3,
An X-ray detection device that detects an X-ray beam generated from the X-ray generation device and transmitted or reflected through a sample;
And a measurement means for measuring a physical quantity of the sample based on the detection amount of the X-ray beam detected by the X-ray detection device.
선상의 전자 빔을 방출하는 전자원을 포함하여 구성되는 전자 발생기와,
상기 전자원으로부터의 상기 전자 빔을 충돌시킴으로써 X 선 빔을 출사하는 둘레면부를 포함하여 구성되는 회전 대음극과,
상기 전자원 및 상기 회전 대음극을 수용하는 챔버를 구비하고,
상기 전자 발생기 및 상기 회전 대음극은, 상기 전자원 및 상기 둘레면부가 서로 대향하는 위치 관계하에서 상기 챔버에 고정 배치되고,
상기 전자 발생기는,
상기 전자원을 지지하는 지지대와,
상기 챔버 내에 기밀하게 삽입 통과되고, 또한, 상기 챔버의 외측으로부터의 조작에 따라 상기 지지대를 회동시키는 회동 도입 기구를 추가로 가지고,
상기 회동 도입 기구는, 상기 지지대의 회동 동작에 의해, 상기 전자원의 연장 방향을 제 1 방향 및 그 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향으로 변경 가능하고,
상기 회전 대음극의 회전축은, 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향을 포함하는 일 평면에 있어서 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향에 대해 경사지는 것을 특징으로 하는 X 선 발생 장치.
An electron generator comprising an electron source emitting a linear electron beam,
A rotating counter electrode comprising a circumferential surface portion that emits an X-ray beam by colliding the electron beam from the electron source,
And a chamber accommodating the electron source and the rotating countercathode,
The electron generator and the rotating countercathode are fixedly arranged in the chamber under a positional relationship where the electron source and the circumferential surface portions face each other,
The electron generator,
A support for supporting the electron source,
It is additionally provided with a rotation introduction mechanism that is airtightly inserted into the chamber and rotates the support according to an operation from the outside of the chamber,
The rotation introduction mechanism is capable of changing the extension direction of the electron source to a first direction and a second direction orthogonal to the first direction by the rotation operation of the support,
The rotation axis of the rotating countercathode, X-ray generating apparatus, characterized in that inclined with respect to the first direction and the second direction in one plane including the first direction and the second direction.
제 6 항에 기재된 X 선 발생 장치와,
상기 X 선 발생 장치로부터 발생하고, 또한, 시료를 투과 또는 반사한 X 선 빔을 검출하는 X 선 검출 장치와,
상기 X 선 검출 장치에 의해 검출된 상기 X 선 빔의 검출량에 기초하여 상기 시료에 관한 물리량을 측정하는 측정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 시료 측정 시스템.
The X-ray generator according to claim 6,
An X-ray detection device that detects an X-ray beam generated from the X-ray generation device and transmitted or reflected through a sample;
And a measurement means for measuring a physical quantity of the sample based on the detection amount of the X-ray beam detected by the X-ray detection device.
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