KR102098556B1 - Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same - Google Patents

Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same Download PDF

Info

Publication number
KR102098556B1
KR102098556B1 KR1020180079175A KR20180079175A KR102098556B1 KR 102098556 B1 KR102098556 B1 KR 102098556B1 KR 1020180079175 A KR1020180079175 A KR 1020180079175A KR 20180079175 A KR20180079175 A KR 20180079175A KR 102098556 B1 KR102098556 B1 KR 102098556B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heater
support unit
hollow portion
gas
Prior art date
Application number
KR1020180079175A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200005783A (en
Inventor
김진영
안명헌
김찬유
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020180079175A priority Critical patent/KR102098556B1/en
Publication of KR20200005783A publication Critical patent/KR20200005783A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102098556B1 publication Critical patent/KR102098556B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Abstract

본 발명은 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 상기 기판지지유닛의 히터샤프트의 중공부를 이용하여 상기 기판의 중앙부의 온도제어를 가능하게 하는 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치에 대한 것이다.The present invention relates to a substrate support unit and a substrate processing apparatus having the same, and more specifically, a substrate support unit and a substrate support unit that enable temperature control of the central portion of the substrate using the hollow portion of the heater shaft of the substrate support unit. It is for a substrate processing apparatus.

Description

기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치 {Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same}Substrate supporting unit and substrate processing apparatus having the same {Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same}

본 발명은 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 상기 기판지지유닛의 히터샤프트의 중공부를 이용하여 상기 기판의 중앙부의 온도제어를 가능하게 하는 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치에 대한 것이다.The present invention relates to a substrate support unit and a substrate processing apparatus having the same, and more specifically, a substrate support unit and a substrate support unit that enable temperature control of the central portion of the substrate using the hollow portion of the heater shaft of the substrate support unit. It is for a substrate processing apparatus.

일반적으로 기판지지유닛은 기판에 대한 증착, 에칭 등의 공정을 수행할 수 있는 기판처리장치의 내부에 구비되어 상기 기판을 지지하며, 나아가 증착, 에칭 등의 공정을 수행하는 경우에 적절한 온도로 상기 기판을 가열하는 역할을 하게 된다. In general, the substrate support unit is provided inside the substrate processing apparatus capable of performing processes such as deposition and etching on the substrate to support the substrate, and further, at a suitable temperature when performing processes such as deposition and etching. It serves to heat the substrate.

이러한 기판처리장치에서 상기 기판의 온도 제어는 전술한 증착, 에칭 등의 공정에 있어서 중요한 요소 중에 하나에 해당한다. 즉, 상기 기판의 온도 제어를 통해 증착 공정에서 상기 기판에 증착되는 박막의 두께를 조절할 수 있으며, 에칭 공정에서 상기 기판의 박막에서 에칭되는 양을 조절할 수 있다. In such a substrate processing apparatus, temperature control of the substrate is one of the important factors in the above-described processes such as deposition and etching. That is, the thickness of the thin film deposited on the substrate in the deposition process may be controlled through the temperature control of the substrate, and the amount of etching in the thin film of the substrate may be controlled in the etching process.

특히, 히터를 사용하여 기판을 가열하는 경우 공정이 진행될수록 기판의 중앙부의 온도가 지속적으로 상승하는 경향을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 기판 중앙부의 온도가 소정 온도 이상으로 상승하지 않도록 하여 상기 기판의 온도를 조절하기 위한 각종 기술이 개발되고 있다. In particular, when the substrate is heated using a heater, the temperature of the central portion of the substrate may increase continuously as the process progresses. In this case, various techniques have been developed to control the temperature of the substrate by preventing the temperature of the central portion of the substrate from rising above a predetermined temperature.

도 5는 종래기술에 따른 기판지지유닛(10)을 도시한 도면이다.5 is a view showing a substrate support unit 10 according to the prior art.

도 5에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 기판지지유닛(10)의 경우 기판(W)을 기지하는 히터블록(12)에 히터(13)를 내장하여 상기 히터(13)에 의해 상기 기판(W)을 가열하는 경우에 상기 히터(13)에 파워를 인가하는 파워로드(20)는 상기 히터샤프트(14)의 중공부(15)를 통해 연결된다. 나아가 상기 히터(13)의 온도를 감지하는 감지센서(30)를 구비하는 경우에 상기 감지센서(30)와 연결되어 감지정보를 송수신하는 센서라인(22)도 마찬가지로 상기 중공부(15)를 통해 연결된다.As shown in FIG. 5, in the case of the substrate support unit 10 according to the prior art, the heater 13 is embedded in the heater block 12 for supporting the substrate W, and the substrate 13 is provided by the heater 13. When heating W), the power rod 20 that applies power to the heater 13 is connected through the hollow portion 15 of the heater shaft 14. Furthermore, when the sensor 13 for sensing the temperature of the heater 13 is provided, the sensor line 22 connected to the sensor 30 for transmitting and receiving detection information is similarly provided through the hollow part 15. Connected.

즉, 종래 기술에 따른 기판지지유닛(10)에서는 상기 히터샤프트(14)의 중공부(15)를 통해 전술한 파워로드(20)와 센서라인(22) 등과 같은 각종 라인들이 배치되어 상기 중공부(15)를 통해 상기 기판의 온도를 제어하는 구성이 곤란하였다.That is, in the substrate support unit 10 according to the prior art, various lines such as the power rod 20 and the sensor line 22 described above are disposed through the hollow portion 15 of the heater shaft 14, and the hollow portion is disposed. It was difficult to configure the temperature of the substrate through (15).

종래기술의 경우, 상기 기판의 온도가 원하는 온도 이상으로 지속적으로 상승할 수 있으며, 특히 상기 기판의 중앙부의 온도가 적정 온도 이상으로 상승할 수 있다. 이러한 온도 상승은 공정 효율을 오히려 저해하는 요인으로 작용하여 특히 기판 등의 손상을 유발할 수 있다.In the case of the prior art, the temperature of the substrate may continuously rise above a desired temperature, and in particular, the temperature of the central portion of the substrate may rise above an appropriate temperature. This temperature rise acts as a factor that rather inhibits the process efficiency, and may cause damage to the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 상기 기판에 대한 증착 또는 에칭 등의 공정을 수행하는 경우에 상기 기판의 중앙부의 온도제어를 가능하게 하는 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a substrate support unit and a substrate processing apparatus having the same, which enables temperature control in the central portion of the substrate when performing processes such as deposition or etching on the substrate. It aims to do.

특히, 본 발명은 상기 기판의 중앙부의 온도제어를 하는 경우에 상기 기판을 가열하는 히터의 히터샤프트의 내측에 형성된 중공부를 이용하여 온도제어가 가능한 기판지지유닛 및 이를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In particular, the present invention provides a substrate support unit capable of temperature control and a substrate processing apparatus having the same, by using a hollow portion formed inside a heater shaft of a heater that heats the substrate when temperature is controlled in the central portion of the substrate. It is aimed at.

상기와 같은 본 발명의 목적은 기판을 지지하며 상기 기판을 가열하는 히터를 포함하는 히터블록, 상기 히터블록의 하면의 중앙부에서 아래를 향해 돌출 형성되고, 중공부가 형성된 히터샤프트, 상기 히터샤프트의 측벽을 관통하여 배치되며, 상기 히터에 파워를 인가하는 파워로드 및 상기 중공부로 공정가스 또는 퍼지가스를 공급하는 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛에 의해 달성된다.The object of the present invention as described above is a heater block including a heater for supporting the substrate and heating the substrate, a heater shaft protruding downward from a central portion of a lower surface of the heater block, a heater shaft formed with a hollow portion, and a side wall of the heater shaft It is disposed through, it is achieved by a substrate support unit characterized in that it comprises a power supply for applying power to the heater and a gas supply for supplying a process gas or purge gas to the hollow.

여기서, 상기 중공부의 내측의 압력을 조절하는 압력조절부를 더 구비할 수 있다.Here, a pressure adjusting unit for adjusting the pressure inside the hollow portion may be further provided.

또한, 상기 히터블록에는 상기 히터의 온도를 감지하는 감지센서를 더 구비하고, 상기 감지센서와 연결되어 감지정보를 송수신하는 센서라인은 상기 히터샤프트의 측벽을 관통하여 배치될 수 있다.In addition, the heater block is further provided with a sensor for sensing the temperature of the heater, the sensor line is connected to the sensor to transmit and receive detection information may be disposed through the side wall of the heater shaft.

이 경우, 상기 히터샤프트의 하단부에서 상부를 향해 상기 측벽을 따라 적어도 하나의 관통홀이 형성되고, 상기 파워로드 또는 센서라인은 상기 관통홀의 내측에 삽입되어 상기 히터 또는 감지센서에 각각 연결될 수 있다.In this case, at least one through hole is formed along the side wall from the lower end of the heater shaft toward the upper portion, and the power rod or the sensor line may be inserted into the through hole to be connected to the heater or the sensing sensor, respectively.

한편, 상기 히터블록에는 상기 중공부와 상기 히터블록의 상면을 연결하는 가스공급라인을 더 구비하고, 상기 가스공급라인을 통해 상기 중공부의 공정가스 또는 퍼지가스가 상기 기판을 향해 공급될 수 있다.Meanwhile, the heater block may further include a gas supply line connecting the hollow portion and an upper surface of the heater block, and process gas or purge gas of the hollow portion may be supplied toward the substrate through the gas supply line.

이때, 상기 가스공급라인을 통해 공급되는 상기 공정가스 또는 퍼지가스는 상기 히터에 의해 미리 정해진 온도로 가열되어 공급될 수 있다.At this time, the process gas or purge gas supplied through the gas supply line may be supplied by being heated to a predetermined temperature by the heater.

한편, 상기와 같은 본 발명의 목적은 상기 기판지지유닛이 챔버의 내측의 상하부에 대향하여 배치되며, 하부의 기판지지유닛에 기판이 안착되고 상부의 기판지지유닛에서 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 의해 달성된다.On the other hand, the object of the present invention as described above is that the substrate support unit is disposed facing the upper and lower parts of the inside of the chamber, the substrate is seated on the lower substrate support unit and supplying process gas from the upper substrate support unit toward the substrate It is achieved by a substrate processing apparatus characterized in that.

전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 상기 기판에 대한 증착 또는 에칭 등의 공정을 수행하는 경우에 상기 기판의 중앙부의 온도제어를 가능하게 할 수 있다.According to the present invention having the above-described configuration, when performing processes such as deposition or etching on the substrate, it is possible to enable temperature control of the central portion of the substrate.

특히, 본 발명은 히터 또는 감지센세에 연결되는 파워로드 또는 센서라인을 히터샤트프의 중공부가 아니라 상기 히터샤프트의 측벽을 관통하여 배치하고 상기 중공부를 빈 공간으로 남겨둠으로써 상기 중공부를 통해 상기 기판 중앙부의 온도제어를 용이하게 수행할 수 있다.In particular, the present invention is to place the power rod or sensor line connected to the heater or sensing sensor through the hollow portion by arranging through the side wall of the heater shaft and not through the hollow portion of the heater shaft and leaving the hollow portion empty. Central temperature control can be easily performed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 기판지지유닛의 구성을 도시한 측면도,
도 2는 상기 기판지지유닛의 히터샤프트의 하단부를 도시한 사시도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판지지유닛의 구성을 도시한 측면도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판지지유닛을 구비한 기판처리장치의 개략도,
도 5는 종래 기술에 따른 기판지지유닛을 도시한 측면도이다.1 is a side view showing the configuration of a substrate support unit in an embodiment of the present invention,
Figure 2 is a perspective view showing the lower end of the heater shaft of the substrate support unit,
3 is a side view showing the configuration of a substrate support unit according to another embodiment of the present invention,
Figure 4 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus having a substrate support unit according to an embodiment of the present invention,
5 is a side view showing a substrate support unit according to the prior art.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판지지유닛의 구조에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, with reference to the drawings to look at in detail the structure of the substrate support unit according to an embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 기판지지유닛(300)의 구성을 도시한 측면도이다.1 is a side view showing the configuration of a substrate support unit 300 in an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 기판지지유닛(300)은 기판(W)을 지지하며 상기 기판(W)을 미리 정해진 온도로 가열하는 히터(310)를 포함하는 히터블록(305)과, 상기 히터블록(305)의 하면의 중앙부에서 아래를 향해 돌출 형성되고, 중공부(330)가 형성된 히터샤프트(320)와, 상기 히터샤프트(320)의 측벽(321)을 관통하여 배치되며, 상기 히터(310)에 파워를 인가하는 파워로드(410)와 상기 중공부(330)로 공정가스 또는 퍼지가스를 공급하는 가스공급부(800)를 구비할 수 있다. Referring to FIG. 1, the substrate support unit 300 supports a substrate W and includes a heater block 305 including a heater 310 heating the substrate W to a predetermined temperature, and the heater block The heater shaft 320 is formed to protrude downward from the central portion of the lower surface of the 305, the hollow portion 330 is formed, and is disposed through the side wall 321 of the heater shaft 320, the heater 310 ) May include a power rod 410 for applying power to the gas supply unit 800 for supplying process gas or purge gas to the hollow portion 330.

나아가, 상기 기판지지유닛(300)은 상기 중공부(330)의 내측의 압력을 조절하는 압력조절부(700)를 더 구비할 수 있다.Furthermore, the substrate support unit 300 may further include a pressure adjusting unit 700 for adjusting the pressure inside the hollow portion 330.

상기 기판지지유닛(300)은 상기 기판에 대한 증착, 에칭 등의 공정을 수행할 수 있는 기판처리장치(미도시)의 챔버의 내부에 구비되어 상기 기판을 지지하며, 나아가 증착, 에칭 등의 공정을 수행하는 경우에 적절한 온도로 상기 기판을 가열하는 역할을 하게 된다. The substrate support unit 300 is provided inside the chamber of a substrate processing apparatus (not shown) capable of performing processes such as deposition and etching on the substrate to support the substrate, and further processes such as deposition and etching. When performing the will serve to heat the substrate to a suitable temperature.

한편, 기판처리장치에서 상기 기판의 온도 제어는 전술한 증착, 에칭 등의 공정에 있어서 중요한 요소 중에 하나에 해당한다. 상기 기판의 온도 제어를 통해 증착 공정에서 상기 기판에 증착되는 박막의 두께를 조절할 수 있으며, 에칭 공정에서 상기 기판의 박막에서 에칭되는 양을 조절할 수 있다. On the other hand, the temperature control of the substrate in the substrate processing apparatus corresponds to one of the important factors in the above-described processes such as deposition and etching. Through the temperature control of the substrate, the thickness of the thin film deposited on the substrate can be controlled in the deposition process, and the amount of etching on the thin film of the substrate can be controlled in the etching process.

특히, 히터를 사용하여 기판을 가열하는 경우 공정이 진행될수록 기판의 중앙부의 온도가 지속적으로 상승하는 경향을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 기판 중앙부의 온도가 소정 온도 이상으로 상승하지 않도록 하여 상기 기판의 온도를 조절하기 위한 각종 기술이 개발되고 있다. In particular, when the substrate is heated using a heater, the temperature of the central portion of the substrate may increase continuously as the process progresses. In this case, various techniques have been developed to control the temperature of the substrate by preventing the temperature of the central portion of the substrate from rising above a predetermined temperature.

종래 기술에 따른 기판지지유닛(10)의 경우 도 5에서 이미 살펴본 바와 같이 기판(W)을 기지하는 히터블록(12)에 히터(13)를 내장하여 상기 히터(13)에 의해 상기 기판(W)을 가열하는 경우에 상기 히터(13)에 파워를 인가하는 파워로드(20)는 상기 히터샤프트(14)의 중공부(15)를 통해 연결된다. 나아가 상기 히터(13)의 온도를 감지하는 감지센서(30)를 구비하는 경우에 상기 감지센서(30)와 연결되어 감지정보를 송수신하는 센서라인(22)도 마찬가지로 상기 중공부(15)를 통해 연결된다.In the case of the substrate support unit 10 according to the prior art, as already seen in FIG. 5, the heater 13 is embedded in the heater block 12 for supporting the substrate W, and the substrate W is provided by the heater 13. ), The power rod 20 for applying power to the heater 13 is connected through the hollow portion 15 of the heater shaft 14. Furthermore, when the sensor 13 for sensing the temperature of the heater 13 is provided, the sensor line 22 connected to the sensor 30 for transmitting and receiving detection information is similarly provided through the hollow part 15. Connected.

즉, 종래 기술에 따른 기판지지유닛(10)에서는 상기 히터샤프트(14)의 중공부(15)를 통해 전술한 파워로드(20)와 센서라인(22) 등과 같은 각종 라인들이 배치되어 상기 중공부(15)를 통해 상기 기판의 온도를 제어하는 구성이 곤란하였다.That is, in the substrate support unit 10 according to the prior art, various lines such as the power rod 20 and the sensor line 22 described above are disposed through the hollow portion 15 of the heater shaft 14, and the hollow portion is disposed. It was difficult to configure the temperature of the substrate through (15).

본 발명에서는 종래 기술과 달리 상기 히터샤프트(320)의 중공부(330)를 이용하여 상기 기판(W)의 중앙부의 온도 제어를 위한 기술을 제공하고자 한다. 이를 통해 상기 기판(W)의 중앙부의 온도가 소정 온도 이상으로 상승하는 것을 방지하여 상기 기판(W)에 대한 증착 또는 에칭의 공정이 효과적으로 수행되도록 하며 나아가 상기 기판(W)의 손상을 방지하도록 한다. In the present invention, unlike the prior art, by using the hollow portion 330 of the heater shaft 320 to provide a technique for controlling the temperature of the central portion of the substrate (W). Through this, the temperature of the central portion of the substrate W is prevented from rising above a predetermined temperature, so that a process of deposition or etching on the substrate W is effectively performed, and further, damage of the substrate W is prevented. .

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 상기 기판지지유닛(300)은 상기 기판(W)이 상면에 안착되어 상기 기판(W)을 지지하는 히터블록(305)을 구비할 수 있다.As illustrated in FIG. 1, the substrate support unit 300 according to the present invention may include a heater block 305 in which the substrate W is mounted on an upper surface to support the substrate W.

상기 히터블록(305)은 상면에 상기 기판(W)이 안착되는 안착부(307)를 구비할 수 있다. 상기 안착부(307)는 상기 히터블록(305)의 상면에 미리 정해진 깊이로 형성된 홈의 형태로 구성될 수 있다. 상기 기판(W)은 상기 안착부(307)에 안착되어 증착 또는 에칭 등의 다양한 공정이 수행될 수 있다.The heater block 305 may have a seating portion 307 on which the substrate W is mounted. The seating portion 307 may be configured in the form of a groove formed at a predetermined depth on the upper surface of the heater block 305. The substrate W may be seated on the seating portion 307 and various processes such as deposition or etching may be performed.

한편, 상기 히터블록(305)에는 상기 기판(W)을 미리 정해진 온도로 가열하는 히터(310)를 구비할 수 있다. 상기 히터(310)는 도면에 도시된 바와 같이 상기 히터블록(305)의 내측에 매립되어 구성되거나, 또는 상기 히터블록(305)과 일체로 구성될 수 있다.Meanwhile, the heater block 305 may include a heater 310 that heats the substrate W to a predetermined temperature. The heater 310 may be embedded in the heater block 305 as shown in the figure, or may be configured integrally with the heater block 305.

상기 히터(310)는 상기 히터블록(305)을 통해 상기 기판(W)을 미리 정해진 온도로 가열하여 상기 기판(W)에 대한 공정이 원활하게 진행되도록 한다.The heater 310 heats the substrate W to a predetermined temperature through the heater block 305 to smoothly process the substrate W.

상기 히터블록(305)의 하면의 중앙부에는 아래를 향해 돌출 형성된 히터샤프트(320)가 구비된다. 상기 히터샤프트(320)는 상기 히터(310)의 하면 중앙부에서 아래를 향해 미리 정해진 길이로 연장되어 구성될 수 있다.A heater shaft 320 protruding downward is provided at a central portion of a lower surface of the heater block 305. The heater shaft 320 may be configured to extend in a predetermined length from the center to the bottom of the bottom surface of the heater 310.

이때, 상기 히터샤프트(320)의 중앙부에는 중공부(330)가 형성될 수 있다. 상기 중공부(330)는 상기 히터샤프트(320)의 내측에서 상하로 연장되어 형성될 수 있다. At this time, a hollow portion 330 may be formed in the central portion of the heater shaft 320. The hollow portion 330 may be formed to extend vertically from the inside of the heater shaft 320.

상기 중공부(330)는 하단부에서 개방된 형태를 가질 수 있으며, 상기 중공부(330)의 개방된 하단부에는 커버부(600)가 연결되어 상기 중공부(330)의 내측의 압력을 유지할 수 있다. 이 경우, 상기 히터샤프트(320)의 하단부에 플랜지(324)가 형성되고 상기 플랜지(324)와 상기 커버부(600)를 연결하는 볼트와 같은 연결부재(610)에 의해 상기 커버부(600)를 상기 히터샤프트(320)의 하단부에 연결시킬 수 있다. 또한, 상기 플랜지(324)와 상기 커버부(600) 사이에는 오링(O-ring)(미도시) 등을 구비하여 압력 누설을 방지할 수 있다.The hollow portion 330 may have an open shape at the lower end portion, and a cover portion 600 may be connected to the opened lower end portion of the hollow portion 330 to maintain the pressure inside the hollow portion 330. . In this case, a flange 324 is formed at a lower end of the heater shaft 320 and the cover portion 600 is formed by a connecting member 610 such as a bolt connecting the flange 324 and the cover portion 600. It may be connected to the lower end of the heater shaft 320. In addition, between the flange 324 and the cover portion 600, an O-ring (not shown) or the like is provided to prevent pressure leakage.

한편, 전술한 바와 같이 상기 히터블록(305)에 히터(310)를 구비하는 경우에 상기 히터(310)에 파워를 인가하는 파워로드(410)가 필요하게 된다. 본 발명에서 상기 파워로드(410)는 상기 히터샤프트(320)의 측벽(321)을 관통하여 배치될 수 있다.Meanwhile, as described above, when the heater 310 is provided in the heater block 305, a power rod 410 for applying power to the heater 310 is required. In the present invention, the power rod 410 may be disposed through the side wall 321 of the heater shaft 320.

즉, 상기 파워로드(410)는 종래기술과 같이 상기 중공부(330)를 통하여 상기 히터(310)와 연결되는 것이 아니라, 상기 히터샤프트(320)의 측벽(321)을 통해 상기 히터(310)와 연결된다. 따라서, 상기 파워로드(410)는 상기 중공부(330)와 만나지 않으며 또한 상기 파워로드(410)는 상기 중공부(330)로 노출되지 않도록 배치될 수 있다.That is, the power rod 410 is not connected to the heater 310 through the hollow portion 330 as in the prior art, but the heater 310 through the side wall 321 of the heater shaft 320. It is connected with. Accordingly, the power rod 410 does not meet the hollow portion 330 and the power rod 410 may be disposed so as not to be exposed to the hollow portion 330.

한편, 상기 히터블록(305)에는 상기 히터(310)의 온도를 감지하는 감지센서(200)를 더 구비할 수 있다. 상기 감지센서(200)는 상기 히터블록(305)에 배치되며, 상기 히터(310)에 인접하게 구비되어 상기 히터(310)의 온도를 감지하게 된다. 이 경우, 상기 감지센서(200)에서 감지된 상기 히터(310)의 온도정보와 같은 감지정보를 송수신하는 센서라인(420)을 필요로 하게 된다.Meanwhile, the heater block 305 may further include a detection sensor 200 that senses the temperature of the heater 310. The detection sensor 200 is disposed on the heater block 305 and is provided adjacent to the heater 310 to sense the temperature of the heater 310. In this case, a sensor line 420 that transmits and receives detection information such as temperature information of the heater 310 sensed by the detection sensor 200 is required.

본 발명의 경우 상기 센서라인(420)을 배치하는 경우에 전술한 파워로드(410)와 마찬가지로 상기 히터샤프트(320)의 측벽을 관통하여 배치되도록 한다. 즉, 상기 센서라인(420)은 상기 중공부(330)와 만나지 않으며, 나아가 상기 센서라인(420)은 상기 중공부(330)로 노출되지 않도록 배치된다.In the case of the present invention, when the sensor line 420 is disposed, like the power rod 410 described above, it is arranged to pass through the side wall of the heater shaft 320. That is, the sensor line 420 does not meet the hollow portion 330, and furthermore, the sensor line 420 is disposed so as not to be exposed to the hollow portion 330.

따라서, 본 발명에 따른 기판지지유닛(300)의 경우 상기 히터샤프트(320)의 중공부(330)에 파워로드(410) 또는 센서라인(420)을 비롯한 각종 라인 등이 배치되지 않도록 하여 상기 중공부(330)를 빈 공간으로 남겨둠으로써 후술하는 바와 같이 상기 중공부(330)의 압력조절 또는 가스공급에 의해 상기 기판(W)의 중앙부의 온도 제어를 가능하게 할 수 있다.Accordingly, in the case of the substrate support unit 300 according to the present invention, the power rod 410 or the various lines including the sensor line 420 are not disposed in the hollow portion 330 of the heater shaft 320 to prevent the hollow. By leaving the portion 330 empty, it is possible to control the temperature of the central portion of the substrate W by adjusting the pressure of the hollow portion 330 or by supplying gas as described later.

구체적으로, 본 발명에 따른 기판지지유닛(300)은 상기 중공부(330)의 내측의 압력을 조절하는 압력조절부(700)와, 상기 중공부(330)로 공정가스 또는 퍼지가스를 공급하는 가스공급부(800)를 구비할 수 있다.Specifically, the substrate support unit 300 according to the present invention is a pressure control unit 700 for adjusting the pressure inside the hollow portion 330 and the hollow portion 330 to supply process gas or purge gas A gas supply unit 800 may be provided.

상기 압력조절부(700)는 상기 중공부(330)의 내측의 압력을 조절할 수 있는 구성을 가질 수 있다. 예를 들어 상기 압력조절부(700)는 상기 중공부(330)의 공기를 펌핑하여 배출하는 펌핑부로 구성될 수 있다.The pressure adjusting part 700 may have a configuration capable of adjusting the pressure inside the hollow part 330. For example, the pressure regulating part 700 may be configured as a pumping part that pumps and discharges the air of the hollow part 330.

이 경우, 상기 압력조절부(700)는 제1 연결라인(710)을 통해 상기 중공부(330)와 연결될 수 있다. 구체적으로 상기 제1 연결라인(710)은 상기 커버부(600)를 관통하여 상기 중공부(330)와 연결될 수 있다. 상기 압력조절부(700)가 전술한 펌핑부로 구성되는 경우에 상기 압력조절부(700)는 상기 중공부(330)의 내측의 공기를 펌핑하여 배출함으로써 상기 중공부(330)의 내측을 미리 정해진 압력 이하로 유지하거나, 또는 진공 상태로 유지할 수 있다.In this case, the pressure regulating part 700 may be connected to the hollow part 330 through the first connection line 710. Specifically, the first connection line 710 may penetrate the cover part 600 and be connected to the hollow part 330. When the pressure regulating part 700 is composed of the above-described pumping part, the pressure regulating part 700 pumps the air inside the hollow part 330 and discharges it, thereby pre-determining the inside part of the hollow part 330. It can be maintained below the pressure or in a vacuum.

한편, 상기 가스공급부(800)는 상기 중공부(330)로 공정가스 또는 퍼지가스 등과 같은 각종 가스를 공급할 수 있다. 예를 들어, 상기 가스공급부(800)는 제2 연결라인(810)을 통해 상기 중공부(330)와 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 연결라인(810)은 상기 커버부(600)를 관통하여 상기 중공부(330)와 연결될 수 있다. 상기 가스공급부(800)에서 공급된 공정가스 또는 퍼지가스는 상기 제2 연결라인(810)을 통해 상기 중공부(330)로 공급될 수 있다.Meanwhile, the gas supply unit 800 may supply various gases such as process gas or purge gas to the hollow unit 330. For example, the gas supply part 800 may be connected to the hollow part 330 through a second connection line 810. In this case, the second connection line 810 may penetrate the cover portion 600 and be connected to the hollow portion 330. The process gas or purge gas supplied from the gas supply unit 800 may be supplied to the hollow portion 330 through the second connection line 810.

이 경우, 상기 히터샤프트(320)의 중공부(330)는 내부 체적은 상기 히터샤프트(320)를 제작하는 경우에 미리 결정되어 있으므로, 상기 중공부(330)로 각종 가스를 공급하는 경우에 상기 중공부(330)의 내부 체적에 따라 정확한 양의 가스를 공급할 수 있다.In this case, since the hollow portion 330 of the heater shaft 320 has a predetermined internal volume when the heater shaft 320 is manufactured, it is necessary to supply various gases to the hollow portion 330. The exact amount of gas can be supplied according to the internal volume of the hollow portion 330.

또한, 상기 중공부(330)의 내부로 공급되는 가스의 양과 더불어 압력 및 온도를 정확하게 제어하여 상기 기판(W)의 중앙부의 온도 제어를 가능하게 할 수 있다. 이를 위하여 상기 제2 연결라인(810)을 따라 상기 가스의 온도를 조절하기 위한 온도조절부(미도시)를 구비할 수 있다.In addition, it is possible to control the temperature of the central portion of the substrate W by accurately controlling the pressure and temperature together with the amount of gas supplied to the interior of the hollow portion 330. To this end, a temperature control unit (not shown) for adjusting the temperature of the gas may be provided along the second connection line 810.

한편, 도 2는 상기 기판지지유닛(300)의 히터샤프트(320)의 하단부를 도시한 사시도이다. 도 2에서는 전술한 커버부(600)가 생략되어 도시된다.On the other hand, Figure 2 is a perspective view showing the lower end of the heater shaft 320 of the substrate support unit 300. In FIG. 2, the aforementioned cover part 600 is omitted and illustrated.

도 2를 참조하면, 도 1에서 살펴본 바와 같이 상기 히터샤프트(320)의 중앙부에는 하부가 개방된 중공부(330)가 형성된다. Referring to FIG. 2, as shown in FIG. 1, a hollow portion 330 having a lower opening is formed at a central portion of the heater shaft 320.

이 경우, 상기 히터샤프트(320)의 하단부에서 상부를 향해 상기 측벽(321)을 따라 적어도 하나의 관통홀(322)이 형성될 수 있다.In this case, at least one through hole 322 may be formed along the side wall 321 from the bottom end of the heater shaft 320 toward the top.

상기 관통홀(322)의 개수는 적절하게 변형이 가능하며, 예를 들어 전술한 파워로드(410A, 410B, 412A, 412B)와 센서라인(420)의 개수에 따라 조절될 수 있다. 또한, 상기 파워로드(410A, 410B, 412A, 412B)의 개수는 상기 히터블록(305)에 포함되는 히터(310)의 개수 또는 구성에 따라 변형될 수 있다. 도면에서 상기 파워로드(410A, 410B, 412A, 412B)는 4개로 도시되지만 이에 한정되지는 않는다.The number of through-holes 322 may be appropriately modified, and may be adjusted according to the number of power rods 410A, 410B, 412A, 412B and sensor line 420 described above. In addition, the number of power rods 410A, 410B, 412A, and 412B may be modified according to the number or configuration of heaters 310 included in the heater block 305. In the drawing, the power rods 410A, 410B, 412A, and 412B are illustrated as four, but are not limited thereto.

상기 관통홀(322)은 상기 히터샤프트(320)의 하단부의 측벽(321)에서 상부를 향해 형성되며, 상기 관통홀(322)의 내측으로 상기 파워로드(410A, 410B, 412A, 412B) 또는 상기 센서라인(420)이 삽입되어 배치된다.The through hole 322 is formed toward the upper side from the side wall 321 of the lower end of the heater shaft 320, the power rod (410A, 410B, 412A, 412B) or the inside of the through hole 322 The sensor line 420 is inserted and disposed.

이 경우, 상기 파워로드(410A, 410B, 412A, 412B)의 상단부는 상기 히터(310)에 연결되어, 상기 히터로 파워를 인가하게 된다. 또한, 상기 센서라인(420)은 상기 히터블록(305)에 구비된 감지센서(200)와 연결되어 상기 감지센서(200)에서 감지된 히터의 온도정보와 같은 감지정보를 송수신하게 된다.In this case, the upper ends of the power rods 410A, 410B, 412A, and 412B are connected to the heater 310 to apply power to the heater. In addition, the sensor line 420 is connected to the detection sensor 200 provided in the heater block 305 to transmit and receive detection information such as temperature information of the heater detected by the detection sensor 200.

한편, 본 발명에서 상기 파워로드(410A, 410B, 412A, 412B)는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 히터샤프트(320)의 하단부에서 아래를 향해 미리 정해진 길이만큼 돌출 형성될 수 있다.Meanwhile, in the present invention, the power rods 410A, 410B, 412A, and 412B may be formed to protrude a predetermined length downward from the lower end of the heater shaft 320 as shown in FIG. 2.

상기 파워로드(410A, 410B, 412A, 412B)가 상기 관통홀(322)에 삽입되어 배치된 경우에 상기 파워로드(410)의 상단부는 전술한 바와 같이 상기 히터(310)에 연결되며, 상기 파워로드(410A, 410B, 412A, 412B)의 하단부는 전원인가부(510)(도 1 참조)에 연결될 수 있다.When the power rods 410A, 410B, 412A, and 412B are inserted and disposed in the through hole 322, the upper end of the power rod 410 is connected to the heater 310 as described above, and the power The lower ends of the rods 410A, 410B, 412A, and 412B may be connected to a power applying unit 510 (see FIG. 1).

도 1을 참조하면 상기 파워로드(410)의 하단부는 상기 전원인가부(510)에 삽입되어 연결된다. 이때, 상기 파워로드(410)의 하단부가 상기 히터샤프트(320)의 하단부에서 소정길이만큼 돌출 형성되면, 상기 파워로드(410)의 돌출된 하단부에 의해 상기 파워로드(410)를 상기 전원인가부(510)에 접속시키는 것이 용이할 수 있다. Referring to FIG. 1, the lower end of the power rod 410 is inserted into and connected to the power applying unit 510. In this case, when the lower end of the power rod 410 protrudes a predetermined length from the lower end of the heater shaft 320, the power rod 410 is applied to the power supply unit by the protruding lower end of the power rod 410. It may be easy to connect to 510.

즉, 상기 파워로드(410)의 돌출된 하단부가 접속을 위한 가이드역할을 한다고 할 수 있다. 따라서, 상기 파워로드(410)의 하단부가 상기 히터샤프트(320)의 하단부에서 소정길이만큼 돌출되도록 하여 상기 파워로드(410)를 상기 전원인가부(510)에 보다 정확하게 연결하는 것이 가능해진다.That is, it can be said that the protruding lower end portion of the power rod 410 serves as a guide for connection. Therefore, it is possible to connect the power rod 410 to the power supply unit 510 more accurately by allowing the lower end of the power rod 410 to protrude by a predetermined length from the lower end of the heater shaft 320.

한편, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판지지유닛(300)의 구성을 도시한 측면도이다. 전술한 실시예와 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호가 사용되었음을 밝혀둔다.On the other hand, Figure 3 is a side view showing the configuration of the substrate support unit 300 according to another embodiment of the present invention. It is noted that the same reference numerals are used for the same components as the above-described embodiment.

도 3을 참조하면, 본 실시예의 경우, 상기 히터블록(305)에 상기 중공부(330)와 상기 히터블록(305)의 상면을 연결하는 가스공급라인(900)을 더 구비할 수 있다. 상기 가스공급라인(900)은 상기 중공부(330)와 연결된 메인공급라인(905)과 상기 메인공급라인(905)에서 복수개로 분기되어 상기 히터블록(305)의 상면에 연결되는 다수개의 분사라인(910)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 3, in the present embodiment, the heater block 305 may further include a gas supply line 900 connecting the hollow portion 330 and the upper surface of the heater block 305. The gas supply line 900 is divided into a plurality of main supply lines 905 and the main supply line 905 connected to the hollow part 330 and a plurality of injection lines connected to the upper surface of the heater block 305 It may be provided with (910).

따라서, 상기 기판지지유닛(300)의 상기 중공부(330)로 공정가스 또는 퍼지가스 등이 공급되는 경우에 상기 중공부(330)로 공급된 공정가스 또는 퍼지가스 등의 각종 가스는 상기 가스공급라인(900)을 통해 상기 히터블록(305)의 상면, 즉 상기 기판(W)을 향해 공급될 수 있다. 이때, 상기 기판(W)의 하면은 상기 히터블록(305)의 상면과 소정거리 이격된 이격공간(306)을 가질 수 있으며, 상기 가스는 상기 이격공간(306)으로 공급되어 상기 기판(W)의 하면으로 공급될 수 있다.Accordingly, when process gas or purge gas or the like is supplied to the hollow portion 330 of the substrate support unit 300, various gases such as process gas or purge gas supplied to the hollow portion 330 are supplied with the gas. Through the line 900 may be supplied toward the upper surface of the heater block 305, that is, the substrate (W). At this time, the lower surface of the substrate W may have a separation space 306 spaced a predetermined distance from the upper surface of the heater block 305, and the gas is supplied to the separation space 306 to the substrate W It can be supplied to the lower surface.

한편, 상기 중공부(330)에 공급되는 가스의 온도를 조절한다면 상기 기판(W)으로 가스를 공급하는 경우에 공급되는 가스를 통해 상기 기판(W)에 열 전달을 할 수 있게 되어, 기판(W)에 작용하는 응력(stress)을 감소시킬 수 있다.On the other hand, if the temperature of the gas supplied to the hollow portion 330 is adjusted, heat can be transferred to the substrate W through the gas supplied when the gas is supplied to the substrate W. The stress acting on W) can be reduced.

즉, 상기 기판(W)에 대한 각종 공정이 진행되는 경우에 상기 기판(W)에 보잉(bowing) 현상이 발생할 수 있으며, 이에 의해 기판의 상면에 인장응력(tensile stress) 또는 압축응력(compressive stress)이 작용할 수 있다. 이와 같이 기판(W)이 보잉하게 되면 후속하는 각종 기판 처리 공정에서 기판에 대한 처리가 제대로 수행되기 힘들게 되며, 특히 기판에 대한 처리 공정은 그 정밀도가 나날이 높아지는데 이러한 보잉 현상은 처리공정의 정밀도를 떨어뜨리게 된다.That is, when various processes are performed on the substrate W, a bowing phenomenon may occur on the substrate W, whereby a tensile stress or compressive stress is applied to the upper surface of the substrate W. ) May work. As described above, when the substrate W is boeed, it is difficult to properly process the substrate in various subsequent substrate processing processes. In particular, the precision of the processing process for the substrate is increased day by day. It will drop.

이 경우, 상기 중공부(330)에 공급되는 가스를 미리 정해진 온도로 가열하여 공급한다면 상기 기판(W)에 작용하는 응력을 감소시켜 보잉 현상을 줄일 수 있다. 본 실시예의 경우 상기 제2 연결라인(810)을 따라 구비된 온도조절부(미도시) 또는 상기 히터블록(305)의 히터(310)를 통해 상기 가스공급라인(900)을 통해 공급되는 가스를 미리 정해진 온도로 가열할 수 있게 된다. 즉, 상기 가스공급라인(900)을 통해 공급되는 상기 공정가스 또는 퍼지가스를 상기 히터(310)에 의해 미리 정해진 온도로 가열시켜 공급할 수 있다.In this case, if the gas supplied to the hollow part 330 is heated and supplied at a predetermined temperature, the stress acting on the substrate W may be reduced to reduce the boeing phenomenon. In the case of this embodiment, the gas supplied through the gas supply line 900 through the temperature control unit (not shown) or the heater 310 of the heater block 305 provided along the second connection line 810 It becomes possible to heat to a predetermined temperature. That is, the process gas or purge gas supplied through the gas supply line 900 may be heated and supplied to a predetermined temperature by the heater 310.

이때, 상기 공정가스 또는 퍼지가스의 가열온도는 상기 기판(W)에 대한 공정온도, 상기 기판(W)에 작용하는 응력의 종류 등을 고려하여 적절하게 설정될 수 있다. At this time, the heating temperature of the process gas or purge gas may be appropriately set in consideration of the process temperature for the substrate W and the type of stress acting on the substrate W.

예를 들어, 상기 기판(W)의 상면에 작용하는 응력이 인장응력이었다면 상기 기판(W)의 하면에 공급되는 가스에 의해 상기 기판(W)의 하면에 인장응력이 발생하도록 공정가스 또는 퍼지가스의 가열온도가 정해질 수 있다. 이에 의해 상기 기판(W)에 작용하는 인장응력이 상쇄될 수 있다. For example, if the stress acting on the upper surface of the substrate W was a tensile stress, process gas or purge gas to generate tensile stress on the lower surface of the substrate W by the gas supplied to the lower surface of the substrate W The heating temperature of can be determined. Accordingly, the tensile stress acting on the substrate W may be canceled.

또한, 상기 기판(W)의 상면에 작용하는 응력이 압축응력이었다면 상기 기판(W)의 하면에 공급되는 가스에 의해 상기 기판의 하면에 압축응력이 발생하도록 공정가스 또는 퍼지가스의 가열온도가 정해질 수 있다. 이에 의해 상기 기판(W)에 작용하는 압축응력이 상쇄될 수 있다.In addition, if the stress acting on the upper surface of the substrate W was a compressive stress, the heating temperature of the process gas or purge gas is determined so that the compressive stress is generated on the lower surface of the substrate by the gas supplied to the lower surface of the substrate W. It can be done. Thereby, the compressive stress acting on the substrate W may be canceled.

따라서, 상기 가스공급라인(900)을 통해 상기 기판(W)의 하면을 향해 공급되는 가스의 온도를 적절하게 조절하여, 이 경우 상기 기판(W)에 작용할 수 있는 응력(stress)을 저감 또는 방지할 수 있다. Accordingly, the temperature of the gas supplied toward the lower surface of the substrate W through the gas supply line 900 is appropriately adjusted to reduce or prevent stress that may act on the substrate W in this case. can do.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판지지유닛을 구비한 기판처리장치(1000)의 구성을 도시한 개략도이다.4 is a schematic diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus 1000 having a substrate support unit according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 상기 기판처리장치(1000)는 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하는 챔버(100)를 구비한다. 이때, 상기 챔버(100)의 내측의 상하부에 전술한 기판지지유닛(1300A, 1300B)이 대향하여 배치된다.Referring to FIG. 4, the substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 100 that performs a processing process for the substrate W. At this time, the above-described substrate support units 1300A and 1300B are disposed opposite to each other inside and below the chamber 100.

즉, 본 발명에 따른 기판지지유닛(1300A, 1300B)은 공정가스 또는 퍼지가스 등이 공급되는 중공부(330)(도 3 참조)와 상기 중공부(330)와 연결되어 가스를 공급하는 가스공급라인(900)(도 3 참조)을 구비하게 된다. 따라서, 상기 기판지지유닛(1300A)을 상기 챔버(100)의 내측 상부에 상하 반전된 형태로 구비할 수 있다. That is, the substrate support units 1300A and 1300B according to the present invention are connected to the hollow portion 330 (see FIG. 3) to which process gas or purge gas is supplied, and the hollow portion 330 to supply gas. Line 900 (see FIG. 3) is provided. Therefore, the substrate support unit 1300A may be provided in an inverted shape up and down on the inner upper portion of the chamber 100.

이 경우, 상기 챔버(100)의 내측 하부에 배치된 기판지지유닛(1300B)의 상부에 기판(W)이 안착되며, 상기 챔버(100)의 내측 상부에 상하 반전된 형태로 배치된 기판지지유닛(1300A)이 상기 기판(W)을 향해 공정가스를 공급하여 샤워헤드의 역할을 하게 된다. In this case, the substrate W is mounted on the upper portion of the substrate support unit 1300B disposed on the inner lower portion of the chamber 100, and the substrate supporting unit is disposed on the inner upper portion of the chamber 100 in an inverted form. (1300A) serves as a shower head by supplying a process gas toward the substrate (W).

결국, 본 발명에 따른 기판지지유닛(1300A, 1300B)을 사용하여 상기 챔버(100)를 구성하는 경우에 기판지지부와 샤워헤드를 각각 별개로 제작할 필요가 없이, 상기 기판지지유닛(1300A, 1300B)을 상기 챔버(100)의 상하부에 배치하여 간편하고 편리하게 구성할 수 있다. 이 경우, 상기 기판지지부와 샤워헤드를 각각 별개로 제작할 필요가 없으며, 동일한 공정에 의해 기판지지유닛을 제작함으로써 공정시간 및 비용을 줄일 수 있는 장점이 있다.After all, in the case of constructing the chamber 100 using the substrate support units 1300A and 1300B according to the present invention, there is no need to separately manufacture the substrate support portion and the shower head, respectively, the substrate support units 1300A and 1300B It can be configured conveniently and conveniently by placing the upper and lower parts of the chamber 100. In this case, there is no need to separately manufacture the substrate support portion and the shower head, and there is an advantage of reducing the process time and cost by manufacturing the substrate support unit by the same process.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.Although described above with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will be able to. Therefore, if the modified implementation basically includes the components of the claims of the present invention, it should be considered that all are included in the technical scope of the present invention.

200 : 감지센서
300 : 기판지지유닛
305 : 히터블록
320 : 히터 샤프트
330 : 중공부
700 : 압력조절부
800 : 가스공급부
1000 : 기판처리장치200: detection sensor
300: substrate support unit
305: heater block
320: heater shaft
330: hollow
700: pressure control unit
800: gas supply unit
1000: substrate processing device

Claims (7)

기판을 지지하며 상기 기판을 가열하는 히터를 포함하는 히터블록;
상기 히터블록의 하면의 중앙부에서 아래를 향해 돌출 형성되고, 중공부가 형성된 히터샤프트;
상기 히터샤프트의 측벽을 관통하여 배치되며, 상기 히터에 파워를 인가하는 파워로드;
상기 중공부로 공정가스 또는 퍼지가스를 공급하는 가스공급부; 및
상기 중공부에 공급되는 공정가스 또는 퍼지가스를 미리 정해진 온도로 가열하는 온도조절부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛. A heater block supporting a substrate and including a heater heating the substrate;
A heater shaft protruding downward from a central portion of a lower surface of the heater block and having a hollow portion;
A power rod disposed through a sidewall of the heater shaft and applying power to the heater;
A gas supply unit supplying process gas or purge gas to the hollow portion; And
And a temperature control unit for heating the process gas or purge gas supplied to the hollow portion to a predetermined temperature. 제1항에 있어서,
상기 중공부의 내측의 압력을 조절하는 압력조절부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.According to claim 1,
A substrate support unit further comprising a pressure adjusting unit for adjusting the pressure inside the hollow portion. 제1항에 있어서,
상기 히터블록에는 상기 히터의 온도를 감지하는 감지센서를 더 구비하고, 상기 감지센서와 연결되어 감지정보를 송수신하는 센서라인은 상기 히터샤프트의 측벽을 관통하여 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.According to claim 1,
The heater block further includes a sensing sensor for sensing the temperature of the heater, and a sensor line connected to the sensing sensor and transmitting / receiving sensing information is disposed through a side wall of the heater shaft. 제3항에 있어서,
상기 히터샤프트의 하단부에서 상부를 향해 상기 측벽을 따라 적어도 하나의 관통홀이 형성되고, 상기 파워로드 또는 센서라인은 상기 관통홀의 내측에 삽입되어 상기 히터 또는 감지센서에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.According to claim 3,
A substrate characterized in that at least one through hole is formed along the side wall from the lower end of the heater shaft toward the top, and the power rod or sensor line is inserted into the through hole and connected to the heater or the sensing sensor, respectively. Support unit. 제1항에 있어서,
상기 히터블록에는 상기 중공부와 상기 히터블록의 상면을 연결하는 가스공급라인을 더 구비하고, 상기 가스공급라인을 통해 상기 중공부의 공정가스 또는 퍼지가스가 상기 기판을 향해 공급되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.According to claim 1,
The heater block further includes a gas supply line connecting the hollow portion and an upper surface of the heater block, and the process gas or purge gas of the hollow portion is supplied toward the substrate through the gas supply line. Support unit. 제5항에 있어서,
상기 가스공급라인을 통해 공급되는 상기 공정가스 또는 퍼지가스는 상기 히터에 의해 미리 정해진 온도로 가열되어 공급되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.The method of claim 5,
The substrate support unit, characterized in that the process gas or purge gas supplied through the gas supply line is heated and supplied to a predetermined temperature by the heater. 제1항 내지 제6항 중에 선택된 어느 한 항에 따른 기판지지유닛이 챔버의 내측의 상하부에 대향하여 배치되며, 하부의 기판지지유닛에 기판이 안착되고 상부의 기판지지유닛에서 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.

The substrate support unit according to any one of claims 1 to 6 is disposed to face the upper and lower parts of the inner side of the chamber, the substrate is seated on the lower substrate support unit and the upper substrate support unit is processed toward the substrate. A substrate processing apparatus characterized by supplying gas.

KR1020180079175A 2018-07-09 2018-07-09 Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same KR102098556B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180079175A KR102098556B1 (en) 2018-07-09 2018-07-09 Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180079175A KR102098556B1 (en) 2018-07-09 2018-07-09 Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200005783A KR20200005783A (en) 2020-01-17
KR102098556B1 true KR102098556B1 (en) 2020-04-17

Family

ID=69369963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180079175A KR102098556B1 (en) 2018-07-09 2018-07-09 Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102098556B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102650161B1 (en) * 2023-01-05 2024-03-22 주식회사 미코세라믹스 Ceramic susceptor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011165891A (en) 2010-02-09 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd Mounting stand structure, and processing device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100043844A (en) * 2008-10-21 2010-04-29 주식회사 테스 Plasma processing apparatus
KR101179453B1 (en) * 2010-12-15 2012-09-07 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for chemical vapor deposition
US9698074B2 (en) * 2013-09-16 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Heated substrate support with temperature profile control

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011165891A (en) 2010-02-09 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd Mounting stand structure, and processing device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200005783A (en) 2020-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI639482B (en) Apparatus for supporting substrate and apparatus for processing substrate including the same
TWI654708B (en) Heated substrate support with flatness control
US10840118B2 (en) Substrate processing apparatus and method for assembling tube assembly
TW201518538A (en) Pixelated cooling, temperature controlled substrate support assembly
KR102098556B1 (en) Substrate supporting unit and Substrate processing apparatus having the same
JP2009010195A (en) Mounting table structure and thermal treater
KR102545993B1 (en) Plasma processing apparatus, temperature control method, and temperature control program
US20190362991A1 (en) Virtual sensor for spatially resolved wafer temperature control
KR101117188B1 (en) Apparatus for processing a substrate
KR101321677B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20080100866A (en) Device to maintain temperature of mold and method thereof
CN115722425B (en) Heating treatment device
KR102313969B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101411385B1 (en) Substrate supporting plate and apparatus for depositing thin film having the same
KR101866215B1 (en) The plasma process apparatus having showerhead
JPH11233407A (en) Method and device for controlling temperature
US20170278674A1 (en) Local dry etching apparatus
KR102466924B1 (en) Measurement of Flatness of Susceptor of Display CVD Chamber
KR100820756B1 (en) Heater and Apparatus for depositing thin film on wafer having the unit
TW202109607A (en) Plasma processing apparatus and calculation method
US10415139B2 (en) Coating apparatus
US20190127836A1 (en) Heat treatment facility
TWI651430B (en) Vacuum coating system
JP2005158939A (en) Annealing apparatus having divided heaters, and method for annealing using the same
KR200298458Y1 (en) Process chamber of semi conductor manufacturing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right