KR102092368B1 - 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법 - Google Patents

엑스레이 튜브 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

방사선 촬영에 사용되는 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 엑스레이 튜브는 바디부와, 게이트 전극과, 애노드 전극과, 지지부, 및 캐소드 전극을 포함한다. 바디부는 내부에 중공이 형성된다. 게이트 전극은 바디부의 일측에 연결되며, 내부에 전자를 발생시키는 전자방출모듈이 구비되고, 외측 둘레에는 게이트 전원을 공급받기 위한 게이트 전원 접속부가 함몰 형성된다. 애노드 전극은 바디부의 타측에 연결되며, 전자방출모듈에서 방출되는 전자와의 충돌에 의해 광을 발생시킨다. 지지부는 게이트 전극의 일측에 결합되며, 전자방출모듈과 마주하는 면에 관통 홀이 형성된다. 캐소드 전극은 일부가 관통 홀을 통과하여 전자방출모듈을 지지하며, 외부로 노출되는 면에 음극 전원 접속부가 함몰 형성된다.
또한, 엑스레이 튜브의 제조방법은 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계와, 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계와, 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계와, 게이트 전극에 지지부를 브레이징 결합하는 단계, 및 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계를 포함한다.

Description

엑스레이 튜브 및 이의 제조방법{X-RAY TUBE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 엑스선 촬영에 사용되는 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전원을 공급받기 위한 전원 접속부들이 엑스레이 튜브 외부로 돌출되지 않아 아크 발생을 줄여 전원 접속부 주변에 위치한 부품들의 손상을 줄일 수 있으며, 조립 공정이 용이한 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 엑스레이 소스는 엑스레이를 발생시키는 장치로서, 진공관 내에 음극과 양극으로 구성된 엑스레이 튜브, 엑스레이 튜브에 고전압을 인가하기 위한 고전압 제어 및 발생장치, 엑스레이 튜브에서 발생하는 열을 냉각시키는 냉각장치 등으로 구성된다.
기존의 엑스레이 소스는 텅스텐 필라멘트와 같은 전자원을 고온으로 가열하여 방출된 전자를 타겟에 충돌시켜 발생시키나, 순간적인 스위칭이나 전류 변조가 어려우므로 디지털 방식으로 구동되는 것이 난해할 뿐만 아니라, 높은 소비전력, 방출되는 전자의 에너지 분포 및 방향성, 전자 집속의 어려움 등의 단점이 존재하였다.
따라서, 전계 방출원으로 나노소재를 이용한 엑스레이 튜브의 개발이 활발하게 진행중이고, 나노소재를 이용할 경우, 소형 엑스레이 장치를 배열 또는 와이어 끝부분에 엑스레이 장치를 부착하여 관측대상 내부에 삽입하는 형태 등과 같이 다양한 형태의 엑스레이 튜브의 제작이 가능할 수 있다.
한편, 도 1은 종래 기술에 다른 CNT 기반의 엑스레이 튜브의 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 엑스레이 튜브(1)는 전원을 공급받기 위한 전원 접속부(12)들이 바디부(11) 외부로 길게 노출되어 있어, 항시 아크(Arc) 발생의 우려가 있으며 이로 인해 인접한 부품이 손상되는 문제가 있었다.
또한, 전원 접속부(12)를 외부로 노출시키기 위해서는 바디부(11)에 관통 홀을 형성 한 후, 이 관통 홀에 전원 접속부(12)를 삽입시키는 공정을 필요로 하므로, 제조 공정이 번거롭고 바디부(11) 내부의 기밀성이 저하되는 문제가 있었다.
본 발명의 과제는 전원을 공급받기 위한 양극 전원 접속부와, 음극 전원 접속부와, 게이트 전원 접속부들이 모두 바디부 외부로 돌출되어 있지 않아 아크 발생을 줄일 수 있으며, 아크 발생으로 인한 주변의 부품들의 손상을 미연에 예방할 수 있는 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 과제는 게이트 전극 내부에 마련된 안착 홈에 복수의 구성을 갖는 전자방출모듈을 일렬로 안착 및 고정되도록 구조를 변경함에 따라, 전자방출모듈의 정렬이 용이해져 조립성이 향상된 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 엑스레이 튜브는 바디부와, 게이트 전극과, 애노드 전극과, 지지부, 및 캐소드 전극을 포함한다. 바디부는 내부에 중공이 형성된다. 게이트 전극은 바디부의 일측에 연결되며, 내부에 전자를 발생시키는 전자방출모듈이 구비되고, 외측 둘레에는 게이트 전원을 공급받기 위한 게이트 전원 접속부가 함몰 형성된다. 애노드 전극은 바디부의 타측에 연결되며, 전자방출모듈에서 방출되는 전자와의 충돌에 의해 광을 발생시킨다. 지지부는 게이트 전극의 일측에 결합되며, 전자방출모듈과 마주하는 면에 관통 홀이 형성된다. 캐소드 전극은 일부가 관통 홀을 통과하여 전자방출모듈을 지지하며, 외부로 노출되는 면에 음극 전원 접속부가 함몰 형성된다.
일 실시예에 따르면, 음극 전원 접속부는 볼트 형상의 음극 전원 연결부와 나사 결합되고, 음극 전원 연결부에는 음극 전원 접속부로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부가 연결된다.
일 실시예에 따르면, 음극 전원 공급부는 와이어 형상으로 형성되어 음극 전원 연결부의 외주면에 연결되고, 음극 전원 접속부에 음극 전원 연결부가 결합될 때 가압되어 캐소드 전극 상에 고정된다.
일 실시예에 따르면, 지지부의 하부에는 관통 홀 둘레를 따라 단턱이 형성된다. 그리고, 캐소드 전극은 지지부의 단턱에 안착되고, 일면에 전자방출모듈의 중심부와 마주하도록 배치된 음극 전원 접속부가 형성된 접속 플레이트와, 접속 플레이트의 타면으로부터 돌출되고, 관통 홀에 삽입되어 전자방출모듈을 지지하는 돌출부재를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 전자방출모듈은 캐소드 전극 접촉부와, 에미터와, 제1 절연부재와, 게이트 금속망과, 제2 절연부재를 포함한다. 캐소드 전극 접촉부는 게이트 전극과 지지부 사이에 배치되고, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구가 형성된다. 에미터는 캐소드 전극 접촉부의 상부에 배치되어 전자를 방출한다. 제1 절연부재는 캐소드 전극 접촉부의 상부에 배치되고, 중앙부에 에미터가 삽입되는 제2 개구가 형성된다. 게이트 금속망은 제1 절연부재의 상부에 배치되며, 내부에 금속 재질의 메쉬가 형성된다. 제2 절연부재는 에미터와 게이트 금속망 사이에 배치되고, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구가 형성된다.
일 실시예에 따르면, 상기 전자방출모듈은 제1 절연부재와 제2 절연부재 사이에 배치되며, 중앙부에 상기 에미터의 크기보다 작은 제4 개구가 형성되어 에미터의 모서리부를 커버하는 에지 아킹(Edge arcing) 방지부를 더 포함한다.
일 실시예에 따르면, 게이트 전극은 에미터로부터 방출되는 전자를 포커싱한다.
일 실시예에 따르면, 게이트 전극은 지지부재와, 연결부재와, 고정부재를 포함한다. 지지부재는 바디부의 하측 일부가 안착되고, 내부에 바디부의 중공과 연통되는 개구가 형성된다. 연결부재는 지지부재의 개구로부터 상부로 돌출되어 바디부의 중공에 삽입된다. 고정부재는 지지부재의 외주면으로부터 하측 방향으로 연장되며, 지지부의 상측 일부가 삽입 및 고정된다.
일 실시예에 따르면, 연결부재의 하부에는 상측 방향으로 함몰 형성된 안착 홈이 형성되고, 안착 홈에는 전자방출모듈이 안착된다.
일 실시예에 따르면, 애노드 전극과 바디부 사이를 밀봉하기 위한 애노드 보조부를 더 포함하며, 애노드 보조부는 바디부의 상부에 브레이징(brazing) 공정에 의해 결합된다.
일 실시예에 따르면, 지지부는 세라믹 재질로 형성되어 게이트 전극과 캐소드 전극 사이를 절연한다.
일 실시예에 따르면, 지지부는 게이트 전극의 하부에 브레이징 공정에 의해 결합된다.
본 발명에 따른 엑스레이 튜브의 제조방법은 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계와, 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계와, 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계와, 게이트 전극에 지지부를 브레이징 결합하는 단계, 및 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계를 포함한다. 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계는 애노드 보조부를 구비한 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합한다. 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계는 바디부를 뒤집어 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합한다. 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계는 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시킨다. 게이트 전극에 지지부를 브레이징 결합하는 단계는 게이트 전극 상에 중앙에 관통 홀이 형성된 지지부를 브레이징 결합한다. 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계는 지지부의 관통 홀에 캐소드 전극의 일부를 통과시켜 전자방출모듈과 밀착시키며, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합한다.
일 실시예에 따르면, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계 이후에, 게이트 전원 접속부에 게이트 전원 공급부를 결합하는 단계를 더 포함한다. 게이트 전원 접속부에 게이트 전원 공급부를 결합하는 단계는 게이트 전극의 외측 둘레를 따라 함몰 형성된 게이트 전원 접속부로 게이트 전원을 공급하기 위한 게이트 전원 공급부를 결합한다.
일 실시예에 따르면, 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계는, 게이트 전극의 하측 일부가 함몰 형성된 안착 홈 내부에 금속 재질의 메쉬가 내부에 형성된 게이트 금속망을 안착시키는 과정과, 게이트 금속망 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구가 형성된 제2 절연부재를 안착시키는 과정과, 제2 절연부재 상에 중앙부에 에미터의 크기보다 작은 제3 개구가 형성되어 에미터의 모서리부를 커버하는 에지 아킹 방지부를 안착시키는 과정과, 에지 아킹 방지부 상에 중앙부에 제2 개구가 형성된 제1 절연부재를 안착시키는 과정과, 제1 절연부재의 제2 개구 내부에 전자를 방출하는 에미터를 안착시키는 과정과, 제1 절연부재 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구가 형성된 캐소드 전극 접촉부를 안착시키는 과정을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계는, 캐소드 전극의 외부로 노출되는 면에 형성된 음극 전원 접속부로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부를 결합하는 과정과, 바디부를 뒤집어 애노드 전극의 외부로 노출되는 면에 형성된 양극 전원 접속부로 양극 전원을 공급하기 위한 양극 전원 공급부를 결합하는 과정을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 지지부는 세라믹 재질로 형성되며, 게이트 전극의 하부에 브레이징 공정에 의해 결합되어 게이트 전극과 캐소드 전극 사이를 절연한다.
본 발명에 따르면, 엑스레이 튜브는 외부의 전원을 공급받기 위한 전원 접속부들이 외부로 노출되어 있지 않으므로, 아크 발생을 줄여 전원 접속부 주변에 위치한 부품들의 손상을 줄일 수 있게 된다. 즉, 애노드 전극의 노출되는 면에 양극 전원 접속부가 함몰 형성되고, 캐소드 전극의 노출되는 면에 음극 전원 접속부가 함몰 형성되고, 게이트 전극의 둘레에 게이트 전원 접속부가 함몰 형성됨에 따라, 종래와 같이 전원 접속부들이 노출되지 않으므로 아크 발생을 줄일 수 있게 된다.
또한, 전원 접속부들이 외부로 노출되지 않음에 따라 바디부에 관통 홀을 형성하고, 이 관통 홀에 각각의 전원 접속부들을 삽입시키는 공정을 줄일 수 있으므로 되므로 제조 공정이 간소화 되고, 바디부 내부의 기밀성이 향상되는 이점이 있다.
또한, 게이트 전극의 내부에 마련된 안착 홈에 복수의 구성을 갖는 전자방출모듈이 일렬로 안착 및 고정됨에 따라, 전자방출모듈의 정렬이 용이해져 조립성이 향상된다.
아울러, 바디부의 상부 및 하부가 각각 브레이징 공정을 통해 밀봉됨에 따라, 결합 및 밀봉 효율이 좋아져 바디부 내부의 진공도를 향상시킬 수 있게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 엑스레이 튜브의 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 튜브의 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 단면도.
도 4는 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 분해 사시도.
도 5는 도 2에 도시된 엑스레이 튜브에 전원 접속부가 결합된 상태를 도시한 도면.
도 6은 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 제조 방법을 도시한 블록도.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서, 동일한 구성에 대해서는 동일부호를 사용하며, 반복되는 설명, 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 튜브의 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 단면도이다. 그리고, 도 4는 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 분해 사시도이다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 엑스레이 튜브(100)는 바디부(110)와, 게이트 전극(120)과, 전자방출모듈(130)과, 애노드 전극(140)과, 지지부(150), 및 캐소드 전극(160)을 포함한다.
바디부(110)는 내부에 중공(110a)이 형성된 원기둥 형태로 형성될 수 있으며, 상부 및 하부에 각각 단턱(111, 112)이 형성될 수 있다. 바디부(110)는 내부가 진공 상태가 되도록 밀봉 가능한 재질로 형성될 수 있다. 일례로 바디부(110)는 유리 또는 석영 재질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(120)은 바디부(110)의 일측에 연결되며, 내부에 전자를 발생시키는 전자방출모듈(130)이 구비될 수 있다. 구체적으로, 게이트 전극(120)은 바디부(110)의 중공(110a)과 연통 가능하도록 내부에 개구(120a)가 형성될 수 있으며, 전자방출모듈(130)로부터 발생된 전자를 외부로 포커싱하여 방출할 수 있다. 즉, 게이트 전극(120)은 후술되는 에미터(132)로부터 전자를 추출하는 동시에, 방출되는 전자가 퍼지거나 산란되지 않고 애노드 전극(140)을 향하여 이동할 수 있도록 포커싱 기능을 포함한다.
게이트 전극(120)은 지지부재(121)와, 연결부재(122)와, 고정부재(123)를 포함하여 형성될 수 있다.
지지부재(121)에는 바디부(110)의 하측 일부가 안착되고, 내부에 바디부(110)의 중공(110a)과 연통되는 원형의 개구(120a)가 형성될 수 있다.
연결부재(122)는 지지부재(121)의 개구(120a)로부터 상부로 돌출되어 바디부(110)의 중공(110a)에 삽입될 수 있다. 즉, 바디부(110)와 게이트 전극(120)을 결합할 때, 연결부재(122)의 외주면이 바디부(110)의 하측 내주면에 삽입되는 형태가 된다. 이때, 연결부재(122)의 하부에는 상측 방향으로 함몰 형성된 안착 홈(122a)이 형성될 수 있는데, 이 안착 홈(122a)에 전자방출모듈(130)이 안착될 수 있다.
고정부재(123)는 지지부재(121)의 외주면으로부터 하측 방향으로 연장되며, 후술되는 지지부(150)의 상측 일부가 삽입 및 고정될 수 있다. 즉, 게이트 전극(120)과 지지부(150)를 결합할 때, 고정부재(123)의 내주면에 지지부(150)의 상측 외주면이 삽입되는 형태가 된다.
한편, 도 5는 게이트 전극(120)에 게이트 전원 공급부(10)가 연결된 상태를 도시한 도면으로써, 도 5에 도시된 바와 같이 게이트 전극(120)의 외측 둘레에는 게이트 전원을 공급받기 위한 게이트 전원 접속부(124)가 함몰 형성될 수 있다.
일례로, 게이트 전원 접속부(124)로 게이트 전원을 공급하기 위한 게이트 전원 공급부(10)는 게이트 전원 접속부(124)에 삽입되어 와이어 본딩 또는 용접에 의하여 결합될 수 있다. 이처럼 게이트 전원 공급부(10)와 연결되는 게이트 전원 접속부(124)가 게이트 전극(120)의 외측 둘레에 함몰 형성됨에 따라, 종래와 같이 게이트 전원 접속부(124)가 바디부(110) 외부로 길게 돌출되지 않으므로, 아크(Arc) 발생을 줄일 수 있게 된다. 또한, 종래에는 전원 접속부(12)를 바디부(11) 외부로 노출시키기 위해 바디부(11)에 관통 홀을 형성하였으나, 본 발명에 따르면 이러한 관통 홀을 형성하지 않아도 되므로 제조 공정이 간소화 되고, 바디부(110) 내부의 기밀성이 향상되는 이점이 있다.
전자방출모듈(130)은 캐소드 전극 접촉부(131)와, 에미터(132)와, 제1 절연부재(133)와, 게이트 금속망(134)과, 제2 절연부재(135)를 포함하여 형성될 수 있다.
캐소드 전극 접촉부(131)는 게이트 전극(120)과 지지부(150) 사이에 배치되어 캐소드 전극(160)에 의해 지지될 수 있으며, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구(131a)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 캐소드 전극 접촉부(131)는 얇은 원형의 판 형상으로 형성될 수 있으며, 절연성을 갖는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 그리고, 캐소드 전극 접촉부(131)의 중앙부에 형성된 제1 개구(131a)는 원형으로 형성될 수 있으며, 그 지름이 후술되는 캐소드 전극(160)의 돌출부재(162) 지름보다 작게 형성될 수 있다. 이에 따라, 캐소드 전극 접촉부(131)에 의해 캐소드 전극(160)과 에미터(132) 사이에 간극이 형성되고, 캐소드 전극(160)과 에미터(132)는 직접적으로 접촉되지 않게 된다. 그러나, 제1 개구(131a)의 크기는 이에 한정되지 않으며, 돌출부재(162)의 지름보다 크게 형성되는 것도 가능하다.
에미터(132)는 캐소드 전극 접촉부(131)의 상부에 배치되어 전자를 방출할 수 있다. 여기서, 에미터(132)에는 전자를 방출시키는 다수개의 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)가 증착 형성될 수 있다. 구체적으로, 탄소나노튜브는 에미터(132)의 표면에 CVD, PECVD, 스크린 프린팅 중 선택된 하나의 공정을 통해 증착될 수 있다. 이에 따라, 캐소드 전극(160)에 음극 전원이 인가되면 에미터(132)에 증착된 다수의 탄소나노튜브에서 전자가 방출된다. 이처럼 에미터(132)가 나노 소재인 탄소나노튜브를 이용하여 형성됨에 따라 단위 면적당 높은 전류 방출이 가능하므로, 기존의 열전자 방식의 전자공급원에 비하여 선명한 방사선 영상 정보를 얻을 수 있다. 이러한 에미터(132)의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 금속, 탄소계열 물질로 구성된 전도성 물질인 것이 바람직하다.
제1 절연부재(133)는 캐소드 전극 접촉부(131)의 상부에 배치되고, 중앙부에 에미터(132)가 삽입되는 제2 개구(133a)가 형성될 수 있다. 이를 위하여, 제2 개구(133a)는 에미터(132)와 대응되는 형태로 형성될 수 있으며, 제2 개구(133a)의 크기는 에미터(132)의 크기와 같거나 크게 형성될 수 있다. 이러한 제1 절연부재(133)는 얇은 원형의 판 형상으로 형성될 수 있으며, 절연성을 갖는 세라믹 재질로 형성될 수 있다.
게이트 금속망(134)은 제1 절연부재(133)의 상부에 배치되며, 내부에 금속 재질의 메쉬(M)가 형성될 수 있다. 여기서, 메쉬(M)는 에미터(132)의 가운데 부분까지 전기장이 잘 인가되도록 하여 에미터(132)에서 전자 추출이 균일하게 이루어지도록 하는 것으로, 에미터(132)로부터 기 설정된 간격만큼 이격될 수 있다. 일례로, 메쉬(M)는 금속망 사이로 다수의 개구가 형성되고, 개구의 형상이 육각형의 벌집 형상으로 형성될 수 있다. 이러첨 메쉬(M)의 형상이 육각형의 벌집 형상으로 형성됨에 따라, 메쉬(M)가 전자를 효율적으로 추출하면서도 전자가 금속망에 의하여 충돌되지 않고 안정적으로 개출되는 개구율이 극대화될 수 있다.
제2 절연부재(135)는 에미터(132)와 게이트 금속망(134) 사이에 배치되어 에미터(132)와 게이트 금속망(134) 사이를 절연하며, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구(135a)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 절연부재(135)는 얇은 원형의 판 형상으로 형성될 수 있으며, 절연성을 갖는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 그리고, 제3 개구(135a)는 에미터(132)와 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.
한편, 전자방출모듈(130)은 제1 절연부재(133)와 제2 절연부재(135) 사이에 배치되며, 중앙부에 에미터(132)의 크기보다 작은 제4 개구(136a)가 형성되어 에미터(132)의 모서리부를 커버하는 에지 아킹(Edge arcing) 방지부(136)를 더 포함할 수 있다.
에지 아킹 방지부(136)는 얇은 원형의 판 형상으로 형성될 수 있으며, 금속 재질로 형성될 수 있다. 에지 아킹 방지부(136)의 제4 개구(136a)가 에미터(132)의 크기보다 작게 형성됨에 따라 에미터(132)의 상단 모서리부를 커버할 수 있고, 이에 따라 에지 아킹 방지부(136)는 에미터(132)의 상단 모서리부에서 발생할 수 있는 에지 아킹(arcing)을 방지할 수 있다.
만약 에지 아킹 방지부(136)가 설치되지 않는 경우에는 에미터(132)에서 배출된 전자가 제2 절연부재(135)의 제3 개구(135a)의 내주면에 부착되어 제2 절연부재(135)의 내주면이 손상되는 에지부 아킹 현상이 발생할 수 있으며, 에지 아킹 방지부(136)가 제1 절연부재(133)의 상부에 설치되는 경우에는 이러한 에지부의 아킹을 방지할 수 있게 된다.
애노드 전극(140)은 바디부(110)의 타측에 연결되며, 전자방출모듈(130)에서 방출되는 전자와의 충돌에 의해 광을 발생시킨다. 구체적으로, 애노드 전극(140)은 바디부(110)의 상부에 연결될 수 있으며, 구리, 텅스텐, 망간, 몰리브덴 중 선택된 하나 또는 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 형성될 수 있다. 이러한 구성으로 인해 에미터(132)로부터 방출된 전자는 애노드 전극(140)을 구성하는 금속에 충돌한 후 반사 또는 그 금속을 통과하면서 엑스선을 발생시킬 수 있다.
애노드 전극(140)의 중앙에는 양극 전원 접속부(140a)가 함몰 형성될 수 있다. 일례로, 양극 전원 접속부(140a)는 도 5에 도시된 바와 같이 볼트 형상의 양극 전원 연결부(41)와 나사 결합될 수 있으며, 양극 전원 연결부(41)의 외주면에 전기적으로 연결된 양극 전원 공급부(40)로부터 양극 전원을 공급받을 수 있게 된다.
애노드 전극(140)은 전자방출모듈(130)에서 방출되는 전자가 충돌하는 충돌부(141)와, 충돌부(141)에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 열전달부(142)를 포함할 수 있다.
충돌부(141)는 애노드 전극(140)의 저면에 형성될 수 있고, 전자가 충돌되어 발생된 엑스선을 바디부(110)의 측면으로 방향 전환시킬 수 있도록 경사지게 형성될 수 있다. 충돌부(141)는 텡스텐, 망간, 몰리브덴 중 선택된 하나 또는 이의 조합으로 이루어진 금속 가운데 적어도 하나의 재질로 형성될 수 있다.
열전달부(142)는 충돌부(141)에서 발생되는 열이 전달되는 것으로, 열전도도가 충돌부(141)보다 우수한 금속재질로 형성되는 것이 바람직하다. 일례로 열전달부(142)는 구리 재질로 형성될 수 있다.
지지부(150)는 게이트 전극(120)의 일측에 결합되며, 전자방출모듈(130)과 마주하는 면에 관통 홀(150a)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 지지부(150)는 상측 일부가 게이트 전극(120)의 하부에 형성된 안착 홈(122a)에 안착 및 고정될 수 있으며, 세라믹 재질로 형성되어 게이트 전극(120)과 캐소드 전극(160) 사이를 절연할 수 있다. 여기서, 지지부(150)는 게이트 전극(120)의 하부에 브레이징(brazing) 공정에 의해 결합될 수 있다.
브레이징은 공정은 금속판 사이에 놋쇠납, 은납 등을 접착제로 하여 이를 가열하고 용해시켜서 접합시키는 방식으로, 본 실시예와 같이 금속판과 세라믹 등의 절연체를 결합할 때 주로 사용되는 방식이다. 이러한 브레이징 방식에 의하여 지지부(150)와 게이트 전극(120) 사이의 접합면에서의 결합이 견고해질 수 있다.
이처럼 브레이징 공정을 이용하여 부재들을 결합하면 보다 견고히 결합할 수 있으므로, 엑스레이 튜브(100)를 구성는 각 부재들은 브레이징 공정을 통해 상호 결합될 수 있다.
캐소드 전극(160)은 일부가 관통 홀(150a)을 통과하여 전자방출모듈(130)을 지지하며, 금속 재질, 보다 구체적으로 니켈, 철, 코발트 등의 합금이나 단일 전이금속으로 형성될 수 있다. 이러한 캐소드 전극(160)은 음극(-)을 띄므로 “음극기판 전극”으로 칭할 수 있다.
캐소드 전극(160)은 외부로 노출되는 면에 음극 전원 접속부(160a)가 함몰 형성될 수 있다. 구체적으로, 음극 전원 접속부(160a)는 양극 전원 접속부(140a)와 중심이 일치하도록 형성될 수 있으며, 둘레에 나사산이 형성될 수 있다. 따라서, 도 5에 도시된 바와 같이 볼트 형상의 음극 전원 연결부(21)와 나사 결합될 수 있다. 이때, 음극 전원 연결부(21)에는 음극 전원 접속부(160a)로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부(20)가 연결되어 있어, 음극 전원 접속부(160a)는 음극 전원 공급부(20)로부터 음극 전원을 공급받을 수 있게 된다.
일례로, 음극 전원 공급부(20)는 와이어 형상으로 형성될 수 있으며, 음극 전원 연결부(21)의 외주면을 감싸는 형태로 연결될 수 있다. 이에 따라, 음극 전원 공급부(20)는 음극 전원 접속부(160a)에 음극 전원 연결부(21)가 나사 결합될 때 가압되어 캐소드 전극(160) 상에 고정될 수 있다. 즉, 음극 전원 공급부(20)는 캐소드 전극(160)과 음극 전원 연결부(21) 사이에 개재될 수 있다.
캐소드 전극(160)은 접속 플레이트(161)와, 돌출부재(162)를 포함하여 형성될 수 있다.
접속 플레이트(161)는 지지부(150)의 관통 홀(150a) 둘레를 따라 형성된 단턱(151)에 안착되고, 일면에 전자방출모듈(130)의 중심부와 마주하도록 배치된 음극 전원 접속부(160a)가 형성될 수 있다. 즉, 전자방출모듈(130)의 중심 축과 음극 전원 접속부(160a)의 중심 축은 나란하게 배치될 수 있다.
돌출부재(162)는 접속 플레이트(161)의 타면으로부터 돌출되고, 지지부(150)의 관통 홀(150a)에 삽입되어 전자방출모듈(130)을 지지할 수 있다. 즉, 전자방출모듈(130)은 게이트 전극(120)과 지지부(150) 사이에 배치되고, 캐소드 전극(160)의 돌출부재(162)에 의해 게이트 전극(120)의 하측면에 밀착될 수 있다. 이때, 돌출부재(162)는 도 3에 도시된 바와 같이 캐소드 전극 접촉부(131)에 고정되거나 도 5에 도시된 바와 같이 캐소드 전극 접촉부(131)의 제1 개구(131a)에 삽입되어 에미터(132) 및 제1 절연부재(133)에 고정될 수 있다.
한편, 엑스레이 튜브(100)는 애노드 전극(140)과 바디부(110) 사이를 밀봉하기 위한 애노드 보조부(170)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 애노드 보조부(170)는 바디부(110)의 상부에 브레이징(brazing) 공정에 의해 결합될 수 있다. 이처럼 엑스레이 튜브(100)의 상부는 애노드 보조부(170)에 의해 밀봉되고 하부는 지지부(150) 및 캐소드 전극(160)에 의해 밀봉됨에 따라, 바디부(110) 내부는 진공의 상태를 유지할 수 있게 된다.
전술한 바와 같이, 엑스레이 튜브(100)는 외부의 전원을 공급받기 위한 전원 접속부(124, 140a, 160a)들이 외부로 돌출되어 있지 않으므로, 아크 발생을 줄여 전원 접속부 주변에 위치한 부품들의 손상을 줄일 수 있게 된다. 즉, 애노드 전극(140)의 노출되는 면에 양극 전원 접속부(140a)가 함몰 형성되고, 캐소드 전극(160)의 노출되는 면에 음극 전원 접속부(160a)가 함몰 형성되고, 게이트 전극(120)의 둘레에 게이트 전원 접속부(124)가 함몰 형성됨에 따라, 종래와 같이 바디부(11) 외부로 전원 접속부(12)들이 돌출되지 않으므로 아크 발생을 줄일 수 있게 된다.
또한, 전원 접속부(124, 140a, 160a)들이 외부로 돌출되지 않음에 따라 종래와 같이 바디부에 관통 홀을 형성하고, 이 관통 홀에 각각의 전원 접속부들을 삽입시키는 공정을 줄일 수 있으므로 제조 공정이 간소화 되고, 바디부(110) 내부의 기밀성이 향상되는 이점이 있다.
또한, 게이트 전극(120)의 내부에 마련된 안착 홈(122a)에 복수의 구성을 갖는 전자방출모듈(130)이 일렬로 안착 및 고정됨에 따라, 전자방출모듈(130)의 정렬이 용이해져 조립성이 향상된다.
아울러, 바디부(110)의 상부 및 하부가 각각 브레이징 공정을 통해 밀봉됨에 따라, 결합 및 밀봉 효율이 좋아져 바디부(110) 내부의 진공도를 향상시킬 수 있게 된다.
도 6은 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 제조 방법을 도시한 블록도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예와의 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 엑스레이 튜브의 제조 방법(S100)는 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계(S110)와, 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계(S120)와, 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계(S130)와, 게이트 전극에 지지부를 브레이징 결합하는 단계(S140)와, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계(S150), 및 게이트 전원 접속부에 게이트 전원 공급부를 결합하는 단계(S160)를 포함한다.
애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계(S110)에서는 애노드 보조부(170)를 구비한 애노드 전극(140)을 바디부(110)의 상부에 결합한다. 이때, 애노드 보조부(170)는 애노드 전극(140)과 바디부(110) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 애노드 보조부(170)의 하측 내주면은 바디부(110)의 상측 외주면에 형성된 단턱(111)에 삽입될 수 있으며, 브레이징 공정에 의해 서로 결합될 수 있다.
게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계(S120)에서는 바디부(110)를 뒤집어 게이트 전극(120)을 바디부(110)의 하부에 결합한다. 이처럼 애노드 전극(140)과 결합된 바디부(110)를 뒤집음에 따라 바디부(110)의 상하 위치가 역전될 수 있다. 즉, 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계(S120)에서는 바디부(110)의 하부가 상부를 향하는 상태가 되고, 이 상태에서 게이트 전극(120)의 연결부재(122)를 바디부(110)의 중공(110a)에 삽입시킨 후 바디부(110)와 게이트 전극(120)을 결합하는 것이다. 이때, 바디부(110)와 게이트 전극(120)은 브레이징 공정에 의해 서로 결합될 수 있다.
게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계(S130)에서는 게이트 전극(120) 내부에 형성된 안착 홈(122a)에 전자방출모듈(130)을 안착시킨다. 이때, 전자방출모듈(130)은 게이트 금속망(134)과, 제2 절연부재(135)와, 에지 아킹 방지부(136)와, 제1 절연부재(133)와, 에미터(132)와, 캐소드 전극 접촉부(131) 순으로 게이트 전극(120) 내부에 안착될 수 있다.
구체적으로, 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계(S130)는, 게이트 전극(120)의 하측 일부가 함몰 형성된 안착 홈(122a)에 금속 재질의 메쉬(M)가 내부에 형성된 게이트 금속망(134)를 안착시키는 과정과, 게이트 금속망(134) 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구(135a)가 형성된 제2 절연부재(135)를 안착시키는 과정과, 제2 절연부재(135) 상에 중앙부에 에미터(132)의 크기보다 작은 제4 개구(136a)가 형성되어 에미터(132)의 모서리부를 커버하는 에지 아킹 방지부(136)를 안착시키는 과정과, 에지 아킹 방지부(136) 상에 중앙부에 제2 개구(133a)가 형성된 제1 절연부재(133)를 안착시키는 과정과, 제1 절연부재(133)의 제2 개구(133a) 내부에 전자를 방출하는 에미터(132)를 안착시키는 과정과, 제1 절연부재(133) 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구(131a)가 형성된 캐소드 전극 접촉부(131)를 안착시키는 과정을 포함할 수 있다.
게이트 전극에 지지부를 브레이징 결합하는 단계(S140)에서는 게이트 전극(120)의 하부에 마련된 고정부재(123)에 중앙에 관통 홀(150a)이 형성된 지지부(150)를 브레이징 결합한다. 이때, 게이트 전극(120)과 지지부(150)가 마주보는 면의 중앙은 안착 홈(122a)에 의해 서로 접촉되지 않고, 일정 길이로 이격 배치될 수 있다.
지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계(S150)에서는 지지부(150)의 관통 홀(150a)에 캐소드 전극(160)의 일부를 통과시켜 전자방출모듈(130)과 밀착시키며, 지지부(150)와 캐소드 전극(160)을 브레이징 결합할 수 있다. 이처럼 캐소드 전극(160)의 일부, 구체적으로 캐소드 전극(160)의 돌출부재(162)가 전자방출모듈(130)을 가압하여 지지부(150) 내부에 밀착됨에 따라, 별도의 접착물 없이도 지지부(150) 내에 전자방출모듈(130)을 고정시킬 수 있게 된다. 이때, 지지부(150)는 세라믹 재질로 형성될 수 있으며, 게이트 전극(120)의 하부에 브레이징 공정에 의해 결합될 수 있다. 이처럼 지지부(150)가 세라믹 재질로 형성됨에 따라 게이트 전극(120)과 캐소드 전극(160) 사이를 절연할 수 있게 된다.
한편, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계(S150)에서는, 캐소드 전극(160)의 외부로 노출되는 면에 형성된 음극 전원 접속부(160a)로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부(20)를 결합하는 과정과, 바디부(110)를 뒤집어 애노드 전극(140)의 외부로 노출되는 면에 형성된 양극 전원 접속부(140a)로 양극 전원을 공급하기 위한 양극 전원 공급부(40)를 결합하는 과정이 이루어질 수 있다.
즉, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계(S150)에서는 바디부(110)의 상하부 위치가 역전된 상태이므로 음극 전원 접속부(160a)가 상부로 노출되는 형태가 된다. 따라서, 1차로 음극 전원 접속부(160a)에 음극 전원 공급부(20)를 연결하고, 이후 바디부(110)를 다시 뒤집으면 바디부(110)의 상하부 위치는 원상태로 복귀가 되므로, 2차로 양극 전원 접속부(140a)에 양극 전원 공급부(40)를 연결하는 것이다. 이때, 음극 전원 공급부(20)는 볼트 형상의 음극 전원 연결부(21)를 통해 음극 전원 접속부(160a)에 고정될 수 있으며, 양극 전원 공급부(40)는 볼트 형상의 양극 전원 연결부(41)를 통해 양극 전원 접속부(140a)에 고정될 수 있다.
이 상태에서 음극 전원 접속부(160a)를 통해 캐소드 전극(160)에 음극 전원이 인가되면 에미터(132)의 표면에 증착된 다수의 CNT에서 전자가 방출되고, 이렇게 방출된 전자는 양극을 띄는 애노드 전극(140)의 반사면에 충돌하여 엑스레이를 촬영하기 위한 광을 발생시킬 수 있게 된다.
게이트 전원 접속부에 게이트 전원 공급부를 결합하는 단계(S160)에서는 게이트 전극(120)의 외측 둘레를 따라 함몰 형성된 게이트 전원 접속부(124)로 게이트 전원 공급부(10)를 삽입시킨 후, 와이어 본딩 또는 용접을 통해 게이트 전원 접속부(124)에 게이트 전원 공급부(10)를 결합할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
110.. 바디부 110a.. 중공
120.. 게이트 전극 121.. 지지부재
122.. 연결부재 123.. 고정부재
124.. 게이트 전원 접속부 130.. 전자방출모듈
131.. 캐소드 전극 접촉부 132.. 에미터
133.. 제1 절연부재 134.. 게이트 금속망
135.. 제2 절연부재 136.. 에지 아킹 방지부
140.. 애노드 전극 150.. 지지부
150a.. 관통 홀 160.. 캐소드 전극
160a.. 음극 전원 접속부 161.. 접속 플레이트
162.. 돌출부재 170.. 애노드 보조부

Claims (17)

  1. 내부에 중공이 형성된 바디부;
    상기 바디부의 일측에 연결되며, 내부에 전자를 발생시키는 전자방출모듈이 구비되고, 외측 둘레에는 게이트 전원을 공급받기 위한 게이트 전원 접속부가 함몰 형성된 게이트 전극;
    상기 바디부의 타측에 연결되며, 상기 전자방출모듈에서 방출되는 전자와의 충돌에 의해 광을 발생시키는 애노드 전극;
    상기 게이트 전극의 일측에 결합되며, 상기 전자방출모듈과 마주하는 면에 관통 홀이 형성된 지지부; 및
    일부가 상기 관통 홀을 통과하여 상기 전자방출모듈을 지지하며, 외부로 노출되는 면에 음극 전원 접속부가 함몰 형성된 캐소드 전극;을 포함하고,
    상기 게이트 전극은,
    상기 바디부의 하측 일부가 안착되고, 내부에 상기 바디부의 중공과 연통되는 개구가 형성된 지지부재와,
    상기 지지부재의 개구로부터 상부로 돌출되어 상기 바디부의 중공에 삽입되는 연결부재와,
    상기 지지부재의 외주면으로부터 하측 방향으로 연장되며, 상기 지지부의 상측 일부가 삽입 및 고정되는 고정부재를 포함하는 엑스레이 튜브.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 음극 전원 접속부는 볼트 형상의 음극 전원 연결부와 나사 결합되고,
    상기 음극 전원 연결부에는 상기 음극 전원 접속부로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부가 연결되는 엑스레이 튜브.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 음극 전원 공급부는 와이어 형상으로 형성되어 상기 음극 전원 연결부의 외주면에 연결되고, 상기 음극 전원 접속부에 상기 음극 전원 연결부가 결합될 때 가압되어 상기 캐소드 전극 상에 고정되는 엑스레이 튜브.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 지지부의 하부에는 상기 관통 홀 둘레를 따라 단턱이 형성되며,
    상기 캐소드 전극은,
    상기 단턱에 안착되고, 일면에 상기 전자방출모듈의 중심부와 마주하도록 배치된 상기 음극 전원 접속부가 형성된 접속 플레이트와,
    상기 접속 플레이트의 타면으로부터 돌출되고, 상기 관통 홀에 삽입되어 상기 전자방출모듈을 지지하는 돌출부재를 포함하는 엑스레이 튜브.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전자방출모듈은,
    상기 게이트 전극과 상기 지지부 사이에 배치되고, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구가 형성된 캐소드 전극 접촉부와,
    상기 캐소드 전극 접촉부의 상부에 배치되어 전자를 방출하는 에미터와,
    상기 캐소드 전극 접촉부의 상부에 배치되고, 중앙부에 상기 에미터가 삽입되는 제2 개구가 형성된 제1 절연부재와,
    상기 제1 절연부재의 상부에 배치되며, 내부에 금속 재질의 메쉬가 형성된 게이트 금속망과,
    상기 에미터와 상기 게이트 금속망 사이에 배치되고, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구가 형성된 제2 절연부재를 포함하는 엑스레이 튜브.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전자방출모듈은,
    상기 제1 절연부재와 상기 제2 절연부재 사이에 배치되며, 중앙부에 상기 에미터의 크기보다 작은 제4 개구가 형성되어 상기 에미터의 모서리부를 커버하는 에지 아킹(Edge arcing) 방지부를 더 포함하는 엑스레이 튜브.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 상기 에미터로부터 방출되는 전자를 포커싱하는 엑스레이 튜브.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 연결부재의 하부에는 상측 방향으로 함몰 형성된 안착 홈이 형성되고, 상기 안착 홈에는 상기 전자방출모듈이 안착되는 엑스레이 튜브.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 애노드 전극과 상기 바디부 사이를 밀봉하기 위한 애노드 보조부를 더 포함하며, 상기 애노드 보조부는 상기 바디부의 상부에 브레이징(brazing) 공정에 의해 결합되는 엑스레이 튜브.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는 세라믹 재질로 형성되어 상기 게이트 전극과 상기 캐소드 전극 사이를 절연하는 엑스레이 튜브.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 게이트 전극의 하부에 브레이징 공정에 의해 결합되는 엑스레이 튜브.
  13. 애노드 보조부를 구비한 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계;
    상기 바디부를 뒤집어 게이트 전극을 상기 바디부의 하부에 결합하는 단계;
    상기 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계;
    상기 게이트 전극 상에 중앙에 관통 홀이 형성된 지지부를 브레이징 결합하는 단계; 및
    상기 지지부의 관통 홀에 캐소드 전극의 일부를 통과시켜 상기 전자방출모듈과 밀착시키며, 상기 지지부와 상기 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계;를 포함하고,
    상기 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계는,
    상기 캐소드 전극의 외부로 노출되는 면에 형성된 음극 전원 접속부로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부를 결합하는 과정과,
    상기 바디부를 뒤집어 상기 애노드 전극의 외부로 노출되는 면에 형성된 양극 전원 접속부로 양극 전원을 공급하기 위한 양극 전원 공급부를 결합하는 과정을 포함하는 엑스레이 튜브의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계 이후에,
    상기 게이트 전극의 외측 둘레를 따라 함몰 형성된 게이트 전원 접속부로 게이트 전원을 공급하기 위한 게이트 전원 공급부를 결합하는 단계를 더 포함하는 엑스레이 튜브의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계는,
    상기 게이트 전극의 하측 일부가 함몰 형성된 안착 홈 내부에 금속 재질의 메쉬가 내부에 형성된 게이트 금속망을 안착시키는 과정과,
    상기 게이트 금속망 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구가 형성된 제2 절연부재를 안착시키는 과정과,
    상기 제2 절연부재 상에 중앙부에 전자를 방출하는 에미터의 크기보다 작은 제4 개구가 형성되어 상기 에미터의 모서리부를 커버하는 에지 아킹 방지부를 안착시키는 과정과,
    상기 에지 아킹 방지부 상에 중앙부에 제2 개구가 형성된 제1 절연부재를 안착시키는 과정과,
    상기 제1 절연부재의 제2 개구 내부에 상기 에미터를 안착시키는 과정과,
    상기 제1 절연부재 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구가 형성된 캐소드 전극 접촉부를 안착시키는 과정을 포함하는 엑스레이 튜브의 제조방법.
  16. 삭제
  17. 제13항에 있어서,
    상기 지지부는 세라믹 재질로 형성되며, 상기 게이트 전극의 하부에 브레이징 공정에 의해 결합되어 상기 게이트 전극과 상기 캐소드 전극 사이를 절연하는 엑스레이 튜브의 제조방법.
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